WO2014119692A1 - 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法 - Google Patents
電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法 Download PDFInfo
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Definitions
- the molecular weight of the crosslinking agent according to the present invention is preferably 1000 or less, more preferably 500 or less, and even more preferably 300 or less.
- the number of ring structures is preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, and further preferably 1.
- the melting point of the crosslinking agent is preferably not higher than the melting point of the olefin resin to be used, and is preferably 200 ° C. or lower, for example. Since the crosslinking agent as described above has excellent fluidity during processing, the processing temperature of the thermoplastic resin is lowered to reduce the thermal load, friction during processing is reduced, and the inorganic component filling amount is reduced. Can be increased.
- crosslinking agent represented by the above formula (1) examples include triallyl isocyanurate, methyl diallyl isocyanurate, diallyl monoglycidyl isocyanuric acid, monoallyl diglycidyl isocyanurate, and trimethallyl isocyanurate.
- crosslinking agent represented by the above formula (2) examples include orthophthalic acid diallyl ester, isophthalic acid diallyl ester, and the like.
- the inorganic particles according to the present invention can be used alone or in combination with those that are usually blended in thermoplastic resin compositions and thermosetting resin compositions such as epoxy resins, acrylic resins, and silicone resins.
- the shape of the reflector 12 conforms to the shape of the end portion (joint portion) of the lens 18 and is usually a cylindrical shape such as a square shape, a circular shape, or an oval shape, or an annular shape.
- the reflector 12 is a cylindrical body (annular body), and all the end faces of the reflector 12 are in contact with and fixed to the surface of the substrate 14.
- the inner surface of the reflector 12 may be expanded upward in a tapered shape (see FIG. 1).
- the reflector 12 can also function as a lens holder when the end portion on the lens 18 side is processed into a shape corresponding to the shape of the lens 18.
- cross-linking agent 6 MA-DGIC (monoallyl diglycidyl isocyanurate) Shikoku Kasei Co., Ltd.
- Crosslinking agent 7 TMAIC trimethallyl isocyanurate manufactured by Nippon Kasei Co., Ltd.
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Abstract
Description
また、LED素子の発光時の温度上昇においても反射率が低下しないことも要求されることとなる。
さらに、リフレクターを構成する材質には、上記特性とともに、生産性を高くするためリフレクターへの加工がしやすいとの性質、すなわち、成形性が高いことも要求される。
特許文献2では、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸単位を50~100モル%含むジカルボン酸単位と炭素数4~18の脂肪族ジアミン単位を50~100モル%含むジアミン単位とを有するポリアミドを含有するポリアミド組成物が提案されている。
特許文献3では、炭素-水素結合を有するフッ素樹脂(A)及び酸化チタン(B)からなる樹脂組成物が提案されている。
特許文献2及び特許文献3で使用される樹脂組成物は熱可塑性で量産性は問題ないといえる。しかし、樹脂劣化を防止する観点から成形は低温で行われるため、樹脂の流動性が低くなり無機成分の高充填が不可能となる。その結果、樹脂成分が相対的に多くなって長期耐熱性が低くなる問題がある。
[3] 前記架橋処理剤の環が6員環であり当該環を形成する原子のうちの少なくとも2つの原子が、それぞれ独立に、前記アリル系置換基と結合してなり、1つのアリル系置換基が結合した原子に対して、他のアリル系置換基がメタ位の原子に結合してなる[2]に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
[7] 前記白色顔料以外の無機粒子がシリカ粒子及び/又はガラス繊維である上記[6]に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
[8] 分散剤及び樹脂改質剤が配合されてなる[1]~[7]のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物。
[10] 厚さが0.1~3.0mmである[9]に記載のリフレクター用樹脂フレーム。
[11] 上記[1]~[8]のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター。
[12] 光半導体素子と、該光半導体素子の周りに設けられ、該光半導体素子からの光を所定方向に反射させるリフレクターとを基板上に有し、前記リフレクターの光反射面の少なくとも一部が[1]~[8]のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなる半導体発光装置。
[13] 上記[1]~[8]のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物に対し、射出温度200~400℃、金型温度20~150℃で射出成形する射出成形工程と、射出成形工程の前又は後に、電子線照射処理を施す電子線照射工程を含む成形体の製造方法。
本発明の電子線硬化性樹脂組成物は、オレフィン樹脂と特定の架橋処理剤と白色顔料とを含んでなる。
オレフィン樹脂としては、例えば、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂(ノルボルネン重合体)あるいはその水素添加物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等が挙げられる。なかでも、ポリメチルペンテンが好ましい。
しかし、リフロー工程における耐熱性に対しては、十分でない場合がある。この問題に対し本発明では、特定の架橋処理剤をポリメチルペンテンに含有させ電子線を照射させることで、リフロー工程においても十分な耐熱性を発揮し得る樹脂組成物とすることができた。これにより、リフレクターとした際にも樹脂の融解によるリフレクターの変形を防ぐことができる。
また、ポリメチルペンテンに対して電子線を照射(例えば、吸収線量:200kGy)しても架橋と同時に分子鎖の切断が進行するため、樹脂単体では有効な架橋は起こり難い。しかし、本発明に係る架橋処理剤を含有させることにより、電子線照射によって有効に架橋反応が起こるため、リフロー工程においても樹脂の溶解による変形を防ぐことができるようになる。
飽和もしくは不飽和の環構造としては、シクロ環、ヘテロ環、芳香環等が挙げられる。環構造を形成する原子の数は、3~12であることが好ましく、5~8であることがより好ましく、6員環であることがさらに好ましい。
また、環構造の数は1~3であることが好ましく、1又は2であることがより好ましく、1であることがさらに好ましい。
上記のような架橋処理剤であれば、加工時に流動性に優れるため、熱可塑性樹脂の加工温度を低下させ熱負荷を軽減したり、加工時の摩擦を軽減したり、無機成分の充填量を増やすことができる。
さらに本発明に係る架橋処理剤は、下記式(1)又は(2)で表されることが好ましい。
上記式(2)で表される架橋処理剤としてはオルトフタル酸のジアリルエステル、イソフタル酸のジアリルエステル等が挙げられる。
4-メチルペンテン-1の単独重合体の分子量はゲルパーミッションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量Mwが1,000以上、特に5,000以上が好ましい。
具体的には、シリカ粒子、ガラス繊維等が挙げられる。このような電子線硬化性樹脂組成物は、特にリフレクター用に好適である。
シランカップリング剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のジシラザン;環状シラザン;トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、トリメトキシシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、n-ブチルトリメトキシシラン、n-ヘキサデシルトリメトキシシラン、n-オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、及びビニルトリアセトキシシラン等のアルキルシラン化合物;γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-(2-アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-(2-アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)3-アミノプロピルトリメトキシシラン、及びN-β-(N-ビニルベンジルアミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等のアミノシラン化合物;等が挙げられる。
このような成形体は、本発明の成形方法により製造することが好ましい。すなわち、本発明の電子線硬化性樹脂組成物に対し、シリンダー温度200~400℃、金型温度20~150℃で射出成形する射出成形工程と、射出成形工程の前又は後に、電子線照射処理を施す電子線照射工程を含む成形方法により作製することが好ましい。
なお、成形性を損なわない限りは、電子線照射による架橋反応は成形前に行うことができる。
さらに、電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。
本発明のリフレクター用樹脂フレームは既述の本発明の電子線硬化性樹脂組成物を成形した硬化物からなる。具体的には、本発明の電子線硬化性樹脂組成物をペレットとし、射出成形により所望の形状の樹脂フレームとすることで、本発明のリフレクター用樹脂フレームが製造される。リフレクター用樹脂フレームの厚さは0.1~3.0mmであることが好ましく、0.1~1.0mmであることがより好ましく、0.1~0.8mmであることがさらに好ましい。
本発明のリフレクターは、既述の本発明の電子線硬化性樹脂組成物を硬化した硬化物からなる。
当該リフレクターは、後述する半導体発光装置と組み合わせて用いてよいし、他の材料からなる半導体発光装置(LED実装用基板)と組み合わせて用いてもよい。
本発明のリフレクターは、主として、半導体発光装置のLED素子からの光をレンズ(出光部)の方へ反射させる作用を有する。リフレクターの詳細については、本発明の半導体発光装置に適用されるリフレクター(後述するリフレクター12)と同じであるためここでは省略する。
上記のように、球状溶融シリカ粒子を含有させた電子線硬化性樹脂組成物を用いてリフレクターを形成した半導体発光素子は、当該リフレクターに不良を生じるほどの微細孔が形成されることがないため、微細孔に起因した不良が生じ難くなる。そのため、当該製品としての耐久性が向上することになる。
本発明の半導体発光装置は、図1に例示するように、光半導体素子(例えばLED素子)10と、この光半導体素子10の周りに設けられ、光半導体素子10からの光を所定方向に反射させるリフレクター12とを基板14上に有してなる。そして、リフレクター12の光反射面の少なくとも一部(図1の場合は全部)が既述の本発明のリフレクター組成物の硬化物で構成されてなる。
なお、光半導体素子10とリード線16が接続された上記電極とは、樹脂等で形成された絶縁部15により電気的絶縁が保たれている。
なお、リフレクター12の内面は、光半導体素子10からの光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていてもよい(図1参照)。
また、リフレクター12は、レンズ18側の端部を、当該レンズ18の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。
まず、上記本発明の反射材樹脂組成物を、所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成形、圧縮成形、射出成形等により、所定形状のリフレクター12を成形する。その後、別途、準備した光半導体素子10、電極及びリード線16を、接着剤又は接合部材により基板14に固定し、さらにリフレクター12を基板14上に固定する。次いで、基板14及びリフレクター12により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ18を配設して、図1に示す半導体発光装置が得られる。
なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ18を載置してから、組成物を硬化させてもよい。また、絶縁部15は各工程のいずれかの段階で設けられる。
なお、本実施例1~17及び比較例1~4において使用した材料は下記の通りである。
・樹脂(1)
ポリメチルペンテン:TPX RT18(三井化学(株)製)
・樹脂(2)
ポリフタルアミド:ザイテルHTN501(デュポン(株)製)
・樹脂(3)
フッ素樹脂:LM-730AP(旭硝子(株)製)
・樹脂(4)
ポリエチレン:アドマーSF731(三井化学(株)製)
・樹脂(5)
ポリプロピレン:WF836DG3(住友化学(株)製)
・樹脂(6)
シクロオレフィンポリマー(COP):ノルボルネン重合体 ZEONOR 1600(日本ゼオン(株)製)
架橋処理剤については下記の通りである。また、下記架橋処理剤の構造については、下記表1及び化学式に示す。
TAIC(トリアリルイソシアヌレート) 日本化成社製
・架橋処理剤2
ダップモノマー(オルトフタル酸のジアリルエステル) ダイソー社製
・架橋処理剤3
ダップ100モノマー(イソフタル酸のジアリルエステル) ダイソー社製
・架橋処理剤4
MeDAIC(メチルジアリルイソシアヌレート) 四国化成社製
・架橋処理剤5
DA-MGIC(ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸) 四国化成社製
・架橋処理剤6
MA-DGIC(モノアリルジグリシジルイソシアヌレート) 四国化成社製
・架橋処理剤7
TMAIC(トリメタリルイソシアヌレート)日本化成社製
・酸化チタン粒子 :PF-691(石原産業(株)製 ルチル型構造 平均粒径0.21μm)
・ガラス繊維:PF70E-001(日東紡(株)製、繊維長70μm)
・シランカップリング剤:KBM-3063(信越化学(株)製)
・離型剤 :SZ-2000(堺化学(株)製)
・1次酸化防止剤 :IRGANOX1010(BASF・ジャパン(株)製)
・2次酸化防止剤 :PEP-36(アデカ(株)製)
下記表2-1~表2-5に示すように各種材料を配合、混練しペレット化し、樹脂組成物を得た。なお、樹脂組成物のペレット化は、下記のようにして行った。
・ペレット化
樹脂組成物のペレット化は、各種材料を配合し、押出機(日本プラコン(株)MAX30:ダイス径3.0mm)とペレタイザー((株)東洋精機製作所 MPETC1)を用いて行った。押出機条件は、スクリュー回転200rpm、シリンダー温度270℃、吐出量20kg/hourとして、ペレット長さ3.2mmの樹脂組成物(ペレット)を得た。
・メルトフローレート(MFR)の測定
樹脂組成物のMFRはJIS K 7210:1999 熱可塑性プラスチックのMFRに記載の方法に準拠した方法により測定した。具体的には、試験温度280℃、試験荷重2.16kg、60秒で行った。測定装置としては、チアスト社製 メルトフローテスターを用いた。
・成形性
上記で得たペレットを射出成形機 ソディックTR40ERソディック(プリプラ式)を用いて、銀メッキフレーム(厚さ:250μm)に樹脂組成物(厚み:700μm、外形寸法:35mm×35mm、開口部:2.9mm×2.9mm)を成形しリフレクター用樹脂フレームを得た。射出成形機条件は、シリンダー温度:270℃、金型温度:80℃、射出速度:100mm/sec、保圧力:80MPa、保圧時間:1sec、冷却時間:8secとした。
成形性は成形した樹脂フレーム開口部のバリを顕微鏡を用いて計測し、最大幅が100μm未満をバリ発生無し、100μm以上をバリ発生有りとした。
・反射率(長期耐熱)
成形後の試料に、加速電圧800kVで400kGyの吸収線量にて電子線を照射した。これらの試料を、150℃で24時間、500時間放置する前と放置した後で、波長230~780nmにおける光反射率を反射率測定装置MCPD-9800(大塚電子(株))を使用して測定した。表2-1~表2-5には、波長450nmの結果を示す。
以上から、本発明の樹脂組成物は、リフレクターや半導体発光装置用の反射材に有用であるといえる。
12・・・リフレクター
14・・・基板
15・・・絶縁部
16・・・リード線
18・・・レンズ
Claims (13)
- オレフィン樹脂と架橋処理剤と白色顔料とを含み、
前記架橋処理剤が飽和もしくは不飽和の環構造を有し、少なくとも1つの環を形成する原子のうち少なくとも1つの原子が、アリル基、メタリル基、連結基を介したアリル基、及び連結基を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基と結合してなり、
前記白色顔料が、前記オレフィン樹脂100質量部に対して200質量部超500質量部以下含有されてなる電子線硬化性樹脂組成物。 - 前記架橋処理剤の1つの環を形成する原子のうち少なくとも2つの原子が、それぞれ独立に、前記アリル系置換基と結合してなる請求項1に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
- 前記架橋処理剤の環が6員環であり当該環を形成する原子のうちの少なくとも2つの原子が、それぞれ独立に、前記アリル系置換基と結合してなり、1つのアリル系置換基が結合した原子に対して、他のアリル系置換基がメタ位の原子に結合してなる請求項2に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
- 前記白色顔料以外の無機粒子を含む請求項1~5のいずれか1項に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
- 前記白色顔料以外の無機粒子がシリカ粒子及び/又はガラス繊維である請求項6に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
- 分散剤及び樹脂改質剤が配合されてなる請求項1~7のいずれか1項に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
- 請求項1~8のいずれか1項に記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター用樹脂フレーム。
- 厚さが0.1~3.0mmである請求項9に記載のリフレクター用樹脂フレーム。
- 請求項1~8のいずれか1項に記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター。
- 光半導体素子と、該光半導体素子の周りに設けられ、該光半導体素子からの光を所定方向に反射させるリフレクターとを基板上に有し、
前記リフレクターの光反射面の少なくとも一部が請求項1~8のいずれか1項に記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなる半導体発光装置。 - 請求項1~8のいずれか1項に記載の電子線硬化性樹脂組成物に対し、射出温度200~400℃、金型温度20~150℃で射出成形する射出成形工程と、射出成形工程の前又は後に、電子線照射処理を施す電子線照射工程を含む成形体の製造方法。
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