WO2014098487A1 - 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법. - Google Patents

건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법. Download PDF

Info

Publication number
WO2014098487A1
WO2014098487A1 PCT/KR2013/011843 KR2013011843W WO2014098487A1 WO 2014098487 A1 WO2014098487 A1 WO 2014098487A1 KR 2013011843 W KR2013011843 W KR 2013011843W WO 2014098487 A1 WO2014098487 A1 WO 2014098487A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
expansion
nozzle
photoresist
angle
expansion portion
Prior art date
Application number
PCT/KR2013/011843
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김인호
이진원
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR20120148974A external-priority patent/KR101272785B1/ko
Priority claimed from KR1020120148975A external-priority patent/KR101305256B1/ko
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Priority to US14/652,110 priority Critical patent/US9865475B2/en
Publication of WO2014098487A1 publication Critical patent/WO2014098487A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31058—After-treatment of organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Definitions

  • the present invention relates to a dry peeling apparatus, a nozzle for generating a high speed particle beam for dry peeling, and a dry peeling method using a high speed particle beam, and more particularly, to a surface for a process such as photolithography in a manufacturing process of a semiconductor substrate.
  • the present invention relates to a dry peeling apparatus for spraying and removing a sublimable high-speed incidence of a coated photoresist, a nozzle for generating a fast particle beam for dry peeling, and a dry peeling method using a high speed particle beam.
  • Semiconductor devices are generally manufactured by forming a pattern on a wafer by a photolithography process. More specifically, after the photoresist film is formed on the wafer, the photoresist pattern is exposed and developed to form a photoresist pattern, and the semiconductor device is manufactured by etching the silicon film formed on the wafer using the photoresist pattern.
  • the surface is etched after coating the photoresist for the photolithography process in the semiconductor manufacturing process.
  • the process of removing the photoresist remaining after the etching process is called an ashing process and is mainly removed by a chemical method.
  • the ashing process is a very important part in the semiconductor manufacturing process because of the problem of additional defects in the secondary process.
  • Korean Patent Publication No. 10-2004-0098751 discloses that in addition to a water-soluble organic amine, a polar solvent and a corrosion inhibitor, the addition of a peeling accelerator can remove the modified and cured resist at high temperature and low temperature in a short time.
  • the peeling liquid is described.
  • Korean Patent Publication No. 10-2006-0024478 applies a photoresist stripper composition comprising a cyclic amine, a solvent, a corrosion inhibitor and a stripping accelerator, so that additional corrosion against metal wiring is eliminated even if the isopropyl alcohol (IPA) rinse process is omitted.
  • IPA isopropyl alcohol
  • Japanese Laid-Open Patent Publication JP2006072083A discloses a technique that can be peeled at or near room temperature not only for a conventional resist but also for a thermoset resist by using a phosphate ester and dissolved ozone.
  • the present invention enables the dry process of peeling off the photoresist by spraying sublimable solid particles in a wet ashing process, thereby reducing environmental pollution and maintenance costs. It is an object of the present invention to provide a dry peeling apparatus capable of solving the problem and significantly improving peeling performance, a nozzle for generating a high speed particle beam for dry peeling, and a dry peeling method using a high speed particle beam.
  • the dry peeling method according to the present invention devised to achieve the above object is a dry peeling method for ashing a photoresist, comprising a spraying and peeling step of peeling the photoresist by spraying sublimable particles onto the photoresist. Characterized in that.
  • the dry peeling apparatus is a dry peeling apparatus for ashing a photoresist, including a nozzle for generating a high-speed particle beam made of sublimable particles, the nozzle is ultra-fast by passing a particle generation gas made of carbon dioxide
  • a nozzle for producing uniform nanoparticles comprising an expanded portion having a shape in which a cross-sectional area becomes wider toward an outlet side of the nozzle, wherein the expanded portion comprises a first expanded portion and a second expanded portion sequentially, and an average of the second expanded portion The expansion angle is larger than the expansion angle of the first expansion portion.
  • the present invention has the advantages of process efficiency, productivity, economics and environmental benefits by using a new method of high speed particle beam spraying, free from the problems of complex equipment and process steps according to existing chemical methods.
  • the present invention has the effect of producing a nano-sized room temperature sublimable particles without a separate cooling device and at the same time by spraying them at a high speed to significantly increase the peeling (ashing) efficiency.
  • the nucleus may be formed through the first expansion portion having a gentle expansion angle to form nano-sized sublimable particles, and the particles formed by expanding at an increased expansion angle through the second expansion portion may be accelerated. .
  • the third expansion portion may be provided to adjust the peeling point to further increase the peeling (ashing) efficiency, while obliquely cutting the exit surface of the nozzle to increase the proximity to the ashing object.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a process of removing a photoresist layer formed in a wide range as a dry peeling method according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 2 shows an experimental example showing the results according to Figure 1, Figure 2 (a) before ashing, (b) shows after ashing.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a process of removing a photoresist layer formed on a pattern after pattern formation as a dry peeling method according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 4 shows an experimental example showing the results according to Figure 3, Figure 3 (a) before ashing, (b) shows after ashing.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating a process of selectively removing a photoresist layer using a photoresist etching mask as a dry peeling method according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • Figure 6 shows an experimental example showing the results according to Figure 5, Figure 3 (a) shows before ashing, (b) shows after ashing.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a cross-sectional view of a nozzle for generating a high speed particle beam according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the expansion angle of the expanded portion of the nozzle for generating a high-speed particle beam according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a conceptual diagram illustrating a close relationship between an object and a nozzle for generating a high speed particle beam according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 corresponds to a configuration diagram showing a main configuration of a dry peeling apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • 11 is a flowchart showing the detailed steps of the high-speed particle beam generation step when using the mixed gas according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a flowchart showing the detailed steps of the high-speed particle beam generation step when using the pure particle generation gas according to an embodiment of the present invention.
  • One embodiment of the present invention relates to a dry peeling method, it can be divided into 1) high-speed particle beam generation step and 2) spraying and peeling.
  • the spraying and peeling step is a photoresist as shown in Figures 1, 3 and 5
  • the dry peeling method of ashing corresponds to the peeling of the photoresist by spraying sublimable particles onto the photoresist.
  • FIG. 1 shows an embodiment of a dry peeling method according to the present invention, and corresponds to a conceptual diagram showing a process of removing a photoresist 110 layer formed on a relatively wide range on an upper surface of a wafer 100.
  • the dry peeling method according to an exemplary embodiment of the present invention indicates that a surface of the photoresist 110 uniformly formed on the surface of the wafer 100 is peeled from the wafer 100.
  • the photoresist 110 corresponds to a surface directly formed on the surface of the wafer 100, and the spraying and peeling step is to peel the photoresist 110 from the surface of the wafer 100.
  • Figure 2 shows an experimental example showing the results of the process of Figure 1, Figure 2 (a) before ashing, (b) shows the ashing after.
  • FIG. 2A the surface of the wafer 100 before ashing is uniformly covered by the photoresist 110, but after ashing, the photoresist 110 is shown in FIG. 2B. It can be seen that a certain surface of the peeled off neatly.
  • FIG. 3 illustrates an embodiment of a dry peeling method according to the present invention, in which a pattern portion 120 is formed on an upper surface of a wafer 100, and a photoresist 110 formed on an upper surface of the pattern portion 120.
  • the dry peeling method according to the exemplary embodiment of the present invention indicates that the photoresist 110 is peeled from the pattern portion 120 formed on the upper surface of the wafer 100.
  • the photoresist 110 corresponds to a surface directly formed on the surface of the pattern part 120, and the spraying and peeling steps here are to separate the photoresist 110 from the surface of the pattern part 120.
  • Figure 4 shows an experimental example showing the results of the process of Figure 3, Figure 4 (a1) and (a2) is before ashing, (b1) and (b2) is shown after ashing.
  • (a1) and (a2) of FIG. 4 the surface of the pattern portion 120 before ashing is covered by the photoresist 110, but after ashing, as shown in FIG. It can be seen that the photoresist 110 is peeled off and the surface of the pattern portion 120 is clearly exposed.
  • Figure 5 shows an embodiment of the dry peeling method according to the present invention
  • the pattern parent material 130 is formed on the upper surface of the wafer 100
  • the photoresist formed on the upper surface of the pattern parent material 130 Corresponds to the conceptual diagram showing the step of selectively removing the (110) layer.
  • a mask 140 is provided on the photoresist layer 110 to selectively allow the sublimable particles to pass therethrough to selectively peel off the photoresist 110 formed on the surface of the pattern parent material 130. Done.
  • the photoresist 110 corresponds to that formed on the surface of the patterned parent material 130, wherein the spraying and peeling step is to selectively peel off the photoresist 110 from the surface of the patterned parent material 130. .
  • the spraying and peeling step is to selectively peel off the photoresist 110 from the surface of the patterned parent material 130.
  • the pattern portion 120 it is possible to form the pattern portion 120 according to the shape of the removed photoresist 110.
  • Figure 6 shows an experimental example showing the results of the process of Figure 5
  • Figure 6 (a) is before ashing
  • (b) is shown after ashing.
  • FIG. 6A the surface of the pattern parent material 130 before ashing is covered by the photoresist 110, but after ashing, the photoresist 110 is illustrated in FIG. 2B.
  • the photoresist 110 is illustrated in FIG. 2B.
  • FIG. 7 and 8 correspond to schematic diagrams showing a cross section of a nozzle for generating a high velocity particle beam according to one embodiment of the invention.
  • the nozzle for generating the high speed particle beam includes an orifice 12 provided in the nozzle neck 11 and an expansion part connected to the outlet of the nozzle neck 11.
  • the orifice 12 controls the opening and closing cross-sectional area of the nozzle neck 11, thereby reducing the cross-sectional area of the nozzle neck 11 to a fine hole.
  • the particle generating gas (or the mixed gas of the particle generating gas and the carrier gas) passing through the orifice 12 is rapidly expanded to generate a nano-sized nucleus.
  • the nozzle neck 11 here means the part where the cross-sectional area is the narrowest in the nozzle 10. 12) only if combined. That is, the orifice 12 itself may be viewed as one nozzle neck 11.
  • the nozzle of the particle generating device should include the process of cooling the particle generating gas for nucleation, but in the case of the nozzle 10 according to the present invention orifice 12 having a fine hole
  • the process of cooling the particle generating gas for nucleation but in the case of the nozzle 10 according to the present invention orifice 12 having a fine hole
  • uniform expansion of nucleation is also possible with rapid expansion.
  • the orifice 12 may be formed in the form of an aperture in which the size of the micro holes is not changed, and of course, in the form of an aperture that can adjust the size of the micro holes. 12) is provided in a form that can be replaced may be considered a way to adjust the size of the fine holes.
  • the nozzle for generating the high speed particle beam according to the present invention includes an expansion part provided at the outlet side of the nozzle neck 11 or the outlet side of the orifice 12.
  • the inflation portion has a form in which the cross-sectional area increases toward the outlet side.
  • the incident generation nozzle according to the prior art has a shape in which the size of the cross-sectional area is repeatedly increased / decreased for the growth of the particles.
  • the inflation portion includes a first inflation portion 14 and a second inflation portion 15 having different inflation angles.
  • the first expansion portion 14 preferably has an expansion angle ⁇ 1 of greater than 0 ° and less than 30 °, and nuclear growth occurs while passing through the first expansion portion 14.
  • the first expanded portion 14 is formed to have a relatively gentle expansion angle ⁇ 1 compared to the second expanded portion 15, and provides sufficient time for nuclear growth to occur.
  • the first expansion portion 14 is formed relatively long with a relatively gentle expansion angle ⁇ 1 to induce nucleus growth, while increasing the boundary layer to reduce the effective area, resulting in a decrease in flow rate. Therefore, in order to compensate for this, the second expansion part 15 may be installed to obtain additional acceleration force.
  • the average expansion angle ( ⁇ 2) of the second expansion part 15 it is desirable to have an expansion angle ( ⁇ 1) of compared 10 ° ⁇ 45 ° increased expansion angle ( ⁇ 2) of the first expansion section (14) Do.
  • the second expanded portion 15 is formed to have a sharp expansion angle compared to the first expanded portion 14 to form a high area ratio between the inlet and the outlet, thereby sufficiently accelerating the particles.
  • the second expansion portion 15 does not have a single expansion angle, which is referred to as the average expansion angle.
  • the second expansion portion 15 When the second expansion portion 15 extends from the first expansion portion 14, an internal shock wave is generated when the expansion angle of the connection portion is intermittently changed greatly. Therefore, the second expansion portion 15 is preferably formed in a shape having a bend.
  • the connecting portion of the second expansion portion 15 with the first expansion portion 14 is formed to have the same expansion angle as the expansion angle ⁇ 1 on the outlet side of the first expansion portion 14, The expansion angle is gradually increased toward the center of the second expansion portion 15 to achieve a sharp inclination angle near the center, and is formed to decrease the expansion angle toward the exit side of the second expansion portion 15 from the center. It is preferably formed to prevent generation of internal shock waves.
  • the expanded portion of the nozzle for generating the high-speed particle beam according to an embodiment of the present invention can be considered to include the first expansion portion 14 and the second expansion portion 15 as described above, on the other hand It may be considered to further include the third expansion portion 16.
  • the third expansion portion 16 is connected to the outlet of the second expansion portion 15 and forms the final outlet of the expansion portion.
  • the third expansion portion 16 serves to adjust the peeling point of the internal flow of the nozzle (10).
  • the third expansion portion 16 is increased by 10 ° to 45 ° from the expansion angle ⁇ 2 of the second expansion portion 15, but preferably has a maximum expansion angle ⁇ 3 of less than 90 °. .
  • the peeling point When the back pressure of the rear end of the nozzle 10 is low, the peeling point may move away from the nozzle neck 11 so that the flow field may grow additionally, and the third expansion part 16 secures a sufficient length and simultaneously releases the peeling point. It is preferably formed to lead to the end. This is because a high speed core (isentropic core) is formed outside the nozzle 10 to greatly increase the ashing efficiency.
  • the back pressure of the rear end of the nozzle 10 is formed to be high, since the peeling point is closer to the nozzle neck 11, the flow field is already sufficiently grown, and thus, the length of the third expansion part 16 is reduced to high speed. It is preferable to expose the core to the outside of the nozzle 10.
  • the outer surface of the nozzle 10 is preferably wrapped with a heat insulating portion (18).
  • the heat insulating part 18 is formed of an outer heat insulating tube and a heat insulating material filled therein.
  • the heat insulating part 18 maintains the heat insulating property of the nozzle 10 to promote grain growth, and at the same time, forms an outer wall so that the nozzle 10 can withstand high pressure gas to provide mechanical strength.
  • the nozzle 10 may be integrally formed to surround the whole side surface of the nozzle 10.
  • Figure 9 is a schematic diagram showing the access relationship between the nozzle and the object (1) for generating a high-speed particle beam according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 9A corresponds to the positional relationship between the exit surface of the nozzle 10 and the object 1 in a general case
  • FIG. 3B shows the nozzle to bring the nozzle closer to the object 1.
  • the nozzle 10 generally performs the ashing operation in a tilted state.
  • the nozzle 10 is not completely close to the object 1 due to the cylindrical shape, so that the ashing efficiency is lowered.
  • the exit surface of the nozzle 10 in a shape cut obliquely to correspond to the working angle of the nozzle 10.
  • the cutting angle ⁇ 4 of the shape cut in this way is preferably made in the range of 20 ° or more and less than 90 °, as viewed from the nozzle shaft 19.
  • FIG. 10 corresponds to a principal component diagram showing a main configuration of a dry peeling apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the dry peeling apparatus according to the present invention may be divided into i) a case where the carrier gas is mixed with the particle generation gas and ii) a case where only the particle generation gas is used.
  • the gas storage unit, the mixing chamber (including the particle generation gas storage unit 40 and the carrier gas storage unit 50) ( 30), the pressure regulator 20 and the nozzle 10 is configured.
  • the carrier gas storage unit 50 and the mixing unit are not included.
  • the particle generation gas storage unit 40 and the carrier gas storage unit 50 are connected to the mixing chamber 30.
  • carbon dioxide is used as the particle generation gas
  • nitrogen or helium is preferably used as the carrier gas.
  • the mixing chamber 30 serves to sufficiently mix the particle generation gas and the carrier gas and to adjust the mixing ratio.
  • the mixing ratio is preferably mixed so that the volume ratio of the carrier gas occupies 10% or more and 99% or less of the total volume of the mixed gas, thereby forming a carbon dioxide mixed gas.
  • the mixed gas mixed in the mixing chamber 30 is introduced into the pressure regulator 20.
  • the pressure regulator 20 adjusts the supply pressure of the mixed gas to the nozzle 10.
  • the particle generation gas storage unit 40 is connected directly to the pressure regulator 20 without passing through the mixing chamber 30, the incident generation gas to the pressure regulator 20 You may also consider supplying.
  • the particle generation gas in the case of using only the particle generation gas will be referred to as pure particle generation gas.
  • the output pressure in the pressure regulator 20 is i) 5 ⁇ 120 bar for the mixed gas, ii) 5 ⁇ for the pure particle generation gas in consideration of the size and injection speed of the sublimable particles generated It is preferably formed in the range of 60 bar.
  • the mixed gas or the pure particle generating gas passing through the pressure regulator 20 is supplied to the inlet of the nozzle 10.
  • the mixed gas or the pure particle generating gas supplied to the inlet of the nozzle 10 sequentially passes through the orifice 12, the first expansion portion 14, and the second expansion portion 15 as described above. Particles are sprayed onto the object 1. Since the detailed internal structure of the nozzle 10 has been described above, overlapping description will be omitted.
  • the high speed particle beam generation step corresponds to generating ultra-fast uniform nanoparticles by passing the particle generation gas made of carbon dioxide through the nozzle 10.
  • the particle generation gas may be mixed with the carrier gas and supplied to the nozzle 10 of the mixed gas, or may be supplied in the form of pure particle generation gas.
  • the step of sequentially comprising the mixing step of mixing the particle generation gas and the carrier gas to form a mixed gas and the pressure control step of adjusting the pressure of the mixed gas passed through the mixing step desirable.
  • the carrier gas is made of nitrogen or helium
  • the pressure of the mixed gas through the pressure adjusting step is preferably adjusted to 5 bar or more and 120 bar or less to flow into the nozzle 10.
  • the particle generating gas passes through the orifice 12 provided in the nozzle neck 11 of the nozzle 10 and rapidly expands to undergo a nucleation step in which nucleation is generated.
  • nucleus growth is performed while passing through the first expansion portion 14 having an expansion angle ⁇ 1 of greater than 0 ° and less than 30 ° following the nozzle throat 11 exit. Is subjected to the particle generation step.
  • the particle accelerating step After the particle accelerating step, it extends from the outlet of the second expansion portion 15 and is increased by 10 ° to 45 ° from the average expansion angle ⁇ 2 of the second expansion portion 15 but less than 90 °. It is preferable to further include a flow control step of forming a high-speed core of the sublimable particles to the outside of the nozzle 10 while passing through the third expansion portion 16 having an expansion angle ⁇ 3 .
  • the pressure of the particle generation gas that passed through the pressure adjusting step is preferably adjusted to 5 bar or more and 60 bar or less to flow into the nozzle 10.
  • the subsequent steps are the same as the nucleation step, particle generation step, particle acceleration step and flow control step described above.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 건식 박리 방법은, 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리 방법으로서, 상기 포토레지스트에 승화성 입자를 분사하여 상기 포토레지스트를 박리하는 분사및 박리 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 본 발명에 따른 건식 박리 장치는 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리 장치로서, 승화성 입자로 이루어진 고속 입자 빔을 생성하는 노즐을 포함하되, 상기 노즐은, 이산화탄소로 이루어진 입자생성가스를 통과시켜 초고속 균일 나노 입자를 생성하는 노즐로서, 노즐의 출구측으로 갈수록 단면적이 넓어지는 형태의 팽창부를 포함하되, 상기 팽창부는 제1팽창부 및 제2팽창부를 순차적으로 포함하여 이루어지며, 상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 한다.

Description

건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법.
본 발명은 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판의 제조공정에서 포토리소그래피 등의 공정을 위하여 표면에 코팅된 포토레지스트를 승화성 고속 입사를 분사하여 제거하는 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법에 관한 것이다.
반도체소자는 일반적으로 포토리소그래피 공정에 의해서 웨이퍼에 패턴을 형성함으로써 제조된다. 보다 상세하게는, 웨이퍼에 포토레지스트 막을 형성한 후, 이를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이러한 포토레지스트 패턴을 이용하여 웨이퍼에 형성된 실리콘 막을 식각함으로써 반도체 소자들을 제조하게 된다.

이와 같이 반도체 제조 공정에서 포토리소그래피공정을 위해서는 포토레지스트를 코팅한 후 표면을 식각을 하게 된다. 이러한 식각 공정 이후 잔류하는 포토레지스트를 제거하는 공정을 애싱(ashing)공정이라 하며 주로 화학적 방법에 의하여 제거가 이루어진다.
잔류하는 포토레지스트를 완벽하게 제거하지 못하는 경우, 이차공정에서 추가적인 불량을 일으키는 문제점이 발생하기 때문에 반도체 제조 과정에서 애싱 공정은 매우 중요한 부분을 차지한다.

기존의 화학적 습식 애싱 공정은 코팅에 사용되는 포토레지스트의 도포 특성에 맞춰 다양하게 대응해야 하는 문제점이 있으며, 하기와 같은 다양한 문제점이 존재한다.

종래 기술을 살펴보면, 대한민국 특허공개공보 10-2004-0098751호는 수용성 유기 아민, 극성용매 및 부식 방지제에 더하여, 박리 촉진제를 첨가함으로써 변성 및경화된 레지스트를 고온 및 저온에서 빠른 시간내에 제거할 수있는 박리액을 기재하고 있다. 대한민국 특허공개공보 10-2006-0024478호는 고리형 아민, 용제, 부식 방지제 및 박리 촉진제를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물을 적용하여 이소프로필알콜(IPA) 린스 공정이 생략되어도 금속배선에 대한 추가적인 부식이 없으며, 특히 박리력이 크게 향상된 포토레지스트 박리액 조성물을 기재하고 있다. 일본 공개특허공보 JP2006072083A는 인산 에스테르와 용존 오존을 이용함으로써 통상의 레지스트 뿐만 아니라 열경화된 레지스트에 대해서도 상온 부근에서 박리가 가능한 기술을 개시하고 있다.
그러나, 상기 대한민국 특허공개공보 10-2004-0098751호에 기재된 박리액의 경우 금속 배선의 부식 억제 효과가 미흡하며, 대한민국 공개특허공보 10-2006-0024478호에 기재된 박리액의 경우는 고리형 아민을 사용함으로써 건식 식각 잔사와 같은 가혹한 조건에서 생성된 레지스트에 대한 박리력이 충분치 못하며, 일본 특허공개공보 JP2006072083A의 박리액은 용존 오존으로 인해 하부 금속막에 대한 부식이 발생할 가능성이 높은 단점을 갖는다.

또한, 화학적 습식 애싱 방법은 필연적으로 많은 화학 약품을 사용하게 되고 그에 따른 환경적인 문제와 유지관리 비용 등의 근본적인 문제점이 있다. 그리고, 상술한 바와 같이 최근 많은 개선 시도들이 이루어지고 있으나, 제거 성능에 있어서 여전히 많은 아쉬움이 있다.
본 발명은, 상술한 화학적 습식 애싱 공정의 문제점을 해결하기 위하여, 습식 애싱 공정에서 탈피하여, 승화성 고체 입자를 분사하여 포토레지스트를 박리하는 건식 공정을 가능케 함으로써, 환경오염 및 유지관비 비용 등의 문제를 해결하고, 박리 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있는 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명에 따른 건식 박리 방법은, 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리 방법으로서, 상기 포토레지스트에 승화성 입자를 분사하여 상기 포토레지스트를 박리하는 분사및 박리 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명에 따른 건식 박리 장치는 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리 장치로서, 승화성 입자로 이루어진 고속 입자 빔을 생성하는 노즐을 포함하되, 상기 노즐은, 이산화탄소로 이루어진 입자생성가스를 통과시켜 초고속 균일 나노 입자를 생성하는 노즐로서, 노즐의 출구측으로 갈수록 단면적이 넓어지는 형태의 팽창부를 포함하되, 상기 팽창부는 제1팽창부 및 제2팽창부를 순차적으로 포함하여 이루어지며, 상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 한다.
본 발명은 기존의 화학적 방식에 따른 복잡한설비와 공정단계가 지닌 문제점에서 벗어나 새로운 방식의 고속 입자 빔 분사 방식을 이용하여 공정 효율과 생산성, 경제성 및 환경적 이점을 동시에 지닌다.
또한, 본 발명은 별도의 냉각 장치 없이 나노 크기의 상온 승화성 입자를 생성시키는 동시에 이를 초고속으로 분사하여 박리(애싱) 효율을 크게 높일 수 있는 효과가 있다.
보다 상세하게는 오리피스를 마련함으로써 급속 팽창을 통하여 별도의 냉각 장치 없이 개수밀도 및 균일도가 높은 핵 생성을 유도할 수 있다.
그리고, 완만한 팽창각을 가지는 제1팽창부를 통하여 생성된 핵을 성장시켜 나노 크기의 승화성 입자를 형성할 수 있으며, 제2팽창부를 통하여 증가된 팽창각으로 팽창시킴으로써 형성된 입자를 가속시킬 수 있다.
또한, 제3팽창부를 마련하여 박리지점을 조절하여 박리(애싱) 효율을 보다 높일 수 있는 한편, 노즐의 출구면을 비스듬히 절단시켜 애싱 대상물에의 근접성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 박리 방법으로서, 광범위한 범위에 형성된 포토레지스트 층을 제거하는 공정을 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1에 따른 결과를 보여주는 실험예를 나타내며, 도 2의 (a)는 애싱 전, (b)는 애싱 후를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 박리 방법으로서, 패턴 형성 후 패턴위에 형성된 포토레지스트 층을 제거하는 공정을 나타내는 개념도이다.
도 4는 도 3에 따른 결과를 보여주는 실험예를 나타내며, 도 3의 (a)는 애싱 전, (b)는 애싱 후를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 박리 방법으로서, 포토레지스트 식각용 마스크를 이용하여 포토레지스트 층을 선택적으로 제거하는 공정을 나타내는 개념도이다.
도 6은 도 5에 따른 결과를 보여주는 실험예를 나타내며, 도 3의 (a)는 애싱 전, (b)는 애싱 후를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 고속 입자 빔을 생성하는 노즐의 횡 단면을 나타내는 단면도에 해당한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 고속 입자 빔을 생성하는 노즐의 팽창부의 팽창각을 나타내는 단면도에 해당한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 고속 입자 빔을 생성하는 노즐과 대상물과의 근접관계를 나타내는 개념도에 해당한다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 박리 장치의 주요 구성을 나타내는 구성도에 해당한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 혼합가스를 이용하는 경우의 고속 입자 빔 생성 단계의 세부단계를 나타내는 순서도에 해당한다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 순수입자생성가스를 이용하는 경우의 고속 입자 빔 생성 단계의 세부단계를 나타내는 순서도에 해당한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 상세히 설명하기로 한다.

본 발명의 일 실시예는 건식 박리 방법에 관한 것으로서, 크게 1) 고속 입자 빔 생성 단계와 2) 분사 및 박리로 나누어 불 수 있다.

먼저, ‘분사 및 박리 단계’에 대하여 살펴보고, 고속 입자 빔 생성 단계를 살펴보기로 한다.
도 1, 도3 및 도 5는 분사 및 박리 단계에 있어서, 다양하게 적용되는 본 발명의 실시예를 나타내며, 상기 분사 및 박리 단계는 도 1, 도3 및 도 5에 도시된 바와 같이 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리 방법으로서 상기 포토레지스트에 승화성 입자를 분사하여 상기 포토레지스트를 박리하는 것에 해당한다.

보다 구체적으로, 도 1은 본 발명에 따른 건식 박리 방법의 일 실시예를 나타내는 것으로서, 웨이퍼(100)의 상면에 비교적 광범위한 범위에 형성된 포토레지스트(110) 층을 제거하는 공정을 나타내는 개념도에 해당한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 박리 방법은 웨이퍼(100)의 표면에 균일하게 형성된 포토레지스트(110)의 일정 면을 상기 웨이퍼(100)로부터 박리시키는 것을 나타낸다.
여기서 상기 포토레지스트(110)는 상기 웨이퍼(100)의 표면에 직접 형성된 것에 해당하며, 여기서의 분사 및 박리 단계는 웨이퍼(100) 표면으로부터 포토레지스트(110)를 박리시키는 것이다.
한편, 도 2는 도 1의 공정에 따른 결과를 보여주는 실험예를 나타내며, 도 2의 (a)는 애싱 전, (b)는 애싱 후를 나타낸다. 도 2의 (a) 도시된 바와 같이 애싱 전 웨이퍼(100)의 표면은 균일하게 포토레지스트(110)에 의해 덮여져 있으나, 애싱 후 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 포토레지스트(110)의 일정 면이 말끔하게 박리된 것을 확인할 수 있다.

그리고, 도 3은 본 발명에 따른 건식 박리 방법의 일 실시예를 나타내는 것으로서, 웨이퍼(100)의 상면에 패턴부(120)이 형성되고, 상기 패턴부(120)의 상면에 형성된 포토레지스트(110) 층을 제거하는 공정을 나타내는 개념도에 해당한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 박리 방법은 웨이퍼(100)의 상면에 형성된 패턴부(120)로부터 포토레지스트(110)를 박리시키는 것을 나타낸다.
여기서 상기 포토레지스트(110)는 상기 패턴부(120)의 표면에 직접 형성된 것에 해당하며, 여기서의 분사 및 박리 단계는 패턴부(120)의 표면으로부터 포토레지스트(110)를 박리시키는 것이다.
한편, 도 4는 도 3의 공정에 따른 결과를 보여주는 실험예를 나타내며, 도 4의 (a1)과 (a2)는 애싱 전, (b1)과 (b2)는 애싱 후를 나타낸다. 도 4의 (a1)과 (a2)에 도시된 바와 같이 애싱 전 패턴부(120)의 표면은 포토레지스트(110)에 의해 덮여져 있으나, 애싱 후 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 포토레지스트(110)가 박리되고 패턴부(120)의 표면이 깨끗하게 드러난 것을 확인할 수 있다.

한편, 도 5는 본 발명에 따른 건식 박리 방법의 일 실시예를 나타내는 것으로서, 웨이퍼(100)의 상면에 패턴부모재(130)가 형성되고, 상기 패턴부모재(130)의 상면에 형성된 포토레지스트(110) 층을 선택적으로 제거하는 공정을 나타내는 개념도에 해당한다.
보다 상세하게는 포토레지스트(110) 층의 상부에 마스크(140)를 마련하여 선택적으로 승화성 입자가 통과할 수 있도록 하여 패턴부모재(130)의 표면에 형성된 포토레지스트(110)를 선택적으로 박리하게 된다.
여기서 상기 포토레지스트(110)는 상기 패턴부모재(130)의 표면에 형성된 것에 해당하며, 여기서의 분사 및 박리 단계는 패턴부모재(130)의 표면으로부터 포토레지스트(110)를 선택적으로 박리시키는 것이다. 본 공정의 경우 선택젓으로 포토레지스트(110)를 제거함으로써 제거된 포토레지스트(110)의 형상에 따라 패턴부(120)를 형성하는 것을 가능케 한다.
한편, 도 6은 도 5의 공정에 따른 결과를 보여주는 실험예를 나타내며, 도 6의 (a)는 애싱 전, (b)는 애싱 후를 나타낸다. 도 6의 (a) 도시된 바와 같이 애싱 전 패턴부모재(130)의 표면은 포토레지스트(110)에 의해 덮여져 있으나, 애싱 후 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 포토레지스트(110)가 마스크(140)의 형상에 따라 박리된 것을 확인 할 수 있다.

이하, ‘고속 입자 빔 생성 단계’에 대하여 보다 상세히 살펴보기로 한다.
‘고속 입자 빔 생성 단계’를 본격적으로 살펴보기에 앞서, ‘고속 입자 빔 생성 단계’에 사용되는 ‘고속 입자 빔을 생성하는 노즐’에 대하여 먼저 살펴보기로 한다.

도 7 및 도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 고속 입자 빔을 생성하는 노즐의 횡단면을 나타낸 개략도에 해당한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고속 입자 빔을 생성하는 노즐은 노즐목(11)에 마련된 오리피스(12)와 상기 노즐목(11)의 출구로부터 이어지는 팽창부를 포함하여 구성된다.
먼저, 상기 오리피스(12)는 노즐목(11)의 개폐 단면적을 조절하여, 상기 노즐목(11)의 단면적을 미세 구멍으로 감소시키게 된다. 상기 오리피스(12)를 통과하는 상기 입자생성가스(또는 입자생성가스와 캐리어가스의 혼합가스)는 급속 팽창되어 나노 크기의 핵을 생성하게 된다.
그리고, 상기 오리피스(12)는 노즐목(11)에 마련된다고 하였으나, 여기서의 노즐목(11)은 노즐(10)에 있어서 단면적이 가장 좁아진 부분을 의미한다 할 것이므로, 팽창부 입구측에 오리피스(12)만 결합되는 경우도 포함한다고 할 것이다. 즉, 오리피스(12) 자체를 하나의 노즐목(11)으로 볼 수도 있는 것이다.
한편, 종래기술에 따른 입자 생성 장치의 노즐의 경우 핵 생성을 위하여 입자생성가스를 냉각시키는 과정을 필수적으로 포함하여야 하나, 본 발명에 따른 노즐(10)의 경우 미세 구멍을 가지는 오리피스(12)를 마련하여 급속 팽창시킴으로써 별도의 냉각장치 없이 상온에서 핵 생성을 유도할 수 있다. 또한, 급속 팽창에 따라 균일한 크기의 핵 생성 또한 가능하다 할 것이다.
그리고, 상기 오리피스(12)는 상기 미세 구멍의 크기가 가변되지 않는 형태는 물론이거니와, 상기 미세 구멍의 크기를 조절할 수 있는 조리개 형태로 이루어질 수 있으며, 한편으로는 노즐(10)에 장착되는 오리피스(12)를 교체할 수 있는 형태로 마련되어 미세 구멍의 크기를 조절하는 방식도 고려할 수 있다.

그리고, 본 발명에 따른 고속 입자 빔을 생성하는 노즐은 상기 노즐목(11)의 출구측 또는 오리피스(12)의 출구측에 마련되는 팽창부를 포함한다. 상기 팽창부는 종래기술에 따른 입자 생성 노즐과 달리 출구측으로 갈수록 단면적이 증가하는 형태로 이루어진다. 종래기술에 따른 입사 생성 노즐은 입자의 성장을 위하여 단면적의 크기가 반복하여 증가/감소되는 형상으로 이루어진다.
보다 구체적으로, 상기 팽창부는 팽창각이 서로 다른 제1팽창부(14) 및 제2팽창부(15)를 포함하여 이루어진다.
상기 제1팽창부(14)는 0°초과 30°미만의 팽창각(θ1)을 가지는 것이 바람직하며, 상기 제1팽창부(14)를 통과하면서 핵 성장이 이루어지게 된다. 제1팽창부(14)는 제2팽창부(15)에 비하여 비교적 완만한 팽창각(θ1)을 가지도록 형성되며, 핵 성장이 이루어지기에 충분한 시간을 제공한다.
상기 제1팽창부(14)는 비교적 완만한 팽창각(θ1)으로 비교적 길게 형성되어 핵 성장을 유도하는 반면, 경계층이 증가하여 유효면적을 감소시키므로 유동속도의 감소를 초래한다. 따라서 이를 보상하기 위하여 추가 가속력을 얻을 수 있는 제2팽창부(15)를 설치한다.
상기 제2팽창부(15)의 평균 팽창각(θ2)은 상기 제1팽창부(14)의 팽창각(θ1) 비하여 10°~ 45°증가된 팽창각(θ2)을 가지는 것이 바람직하다. 상기 제2팽창부(15)는 제1팽창부(14)에 비하여 급격한 팽창각을 가지도록 형성되어 입구와 출구의 높은 면적비를 형성하므로 입자를 충분히 가속하게 된다. 한편, 제2팽창부(15)는 제1팽창부(14) 및 제3팽창부(16)와는 달리 단일 팽창각을 가지지 않으므로 평균 팽창각이라 나타낸 것이다.
상기 제2팽창부(15)는 제1팽창부(14)로부터 연장됨에 있어서, 그 연결부위의 팽창각이 단속적으로 크게 변화될 경우 내부 충격파가 발생하게 된다. 따라서, 상기 제2팽창부(15)는 굴곡을 가지는 형상으로 형성됨이 바람직하다. 보다 상세하게는, 제2팽창부(15)의 제1팽창부(14)와의 연결부분은 제1팽창부(14) 출구측의 팽창각(θ1)과 동일한 팽창각을 가지도록 형성하되, 상기 제2팽창부(15)의 중심부로 갈수록 팽창각이 점점 증가되어 상기 중심부 인근에서 급격한 경사각을 이루게 되며, 다시 상기 중심부에서 제2팽창부(15)의 출구측으로 갈수록 팽창각이 감소되도록 형성하여 내부 충격파를 발생을 방지하도록 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시예에 따른 고속 입자 빔을 생성하는 노즐의 팽창부는 상술한 바와 같이 제1팽창부(14) 및 제2팽창부(15)를 포함하여 이루어지는 것을 고려할 수 있으나, 다른 한편으로는 제3팽창부(16)를 더 포함하는 것을 고려할 수 있다.
제3팽창부(16)는 상기 제2팽창부(15)의 출구에 연결되며 팽창부의 최종 출구를 형성한다. 상기 제3팽창부(16)는 노즐(10) 내부유동의 박리지점을 조절하는 역할을 수행한다.
상기 제3팽창부(16)는 상기 제2팽창부(15)의 팽창각(θ2)보다 10°~ 45°증가되되, 최대 90°를 미만의 팽창각(θ3)을 가지는 것이 바람직하다.
노즐(10) 후단의 배압이 낮은 경우에는 박리지점이 노즐목(11)에서 멀어지게 되어 유동장이 추가적으로 성장할 수 있으므로, 제3팽창부(16)는 충분한 길이를 확보함과 동시에 박리지점을 팽창부의 끝단으로 유도하도록 형성되는 것이 바람직하다. 고속 코어(isentropic core)가 노즐(10) 외부로 형성되어 애싱 효율을 크게 높일 수 있기 때문이다.
반면, 노즐(10) 후단의 배압이 높게 형성된 경우에는 박리지점이 노즐목(11)에 가까워지게 되어 유동장이 이미 충분히 성장된 상태라 볼 수 있으므로, 제3팽창부(16)의 길이를 줄여 고속 코어를 노즐(10) 외부로 노출시키는 것이 바람직하다.

한편, 노즐(10)의 외부면은 단열부(18)로 감싸지는 것이 바람직하다. 상기 단열부(18)는 외부단열관과 그 내부에 충진되는 단열재로 이루어진다. 상기 단열부(18)는 노즐(10)의 단열성을 유지하여 입자 성장을 촉진함과 동시에, 노즐(10)이 고압가스에 견딜 수 있도록 외벽을 형성하여 기계적 강도를 제공한다. 그리고, 노즐(10) 측면 전체를 감싸도록 일체형으로 형성되는 것이 바람직하다.

한편, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 고속 입자 빔을 생성하는 노즐과 대상물(1)의 접근관계를 나타낸 개략도에 해당한다.
도 9의 (a)는 일반적인 경우의 노즐(10) 출구면과 대상물(1)의 위치관계를 나타낸 것에 해당하며, 도 3의 (b)는 노즐을 대상물(1)에 보다 근접시킬 수 있도록 노즐의 출구면을 비스듬히 절단한 것을 나타낸 것에 해당한다.
도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 노즐(10)은 일반적으로 일정 각도 기울어진 상태에서 애싱 작업을 수행하게 된다. 이 경우 원통 형상의 특성상 노즐(10) 출구가 대상물(1)에 완전히 근접하지 못하게 되어 애싱 효율이 떨어지는 문제점이 발생된다.
따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 노즐(10)의 출구면을 노즐(10)의 작업 각도와 대응되도록 비스듬히 절단된 형상으로 마련하는 것이 바람직하다. 이와 같이 절단된 형상의 절단각(θ4)은 노즐축(19)을 기준으로 볼 때, 20°이상 90°미만의 범위에서 이루어지는 것이 바람직하다.

이상에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 고속 입자 빔을 생성하는 노즐에 대하여 살펴보았다. 이하, 이러한 노즐(10)을 포함하는 건식 박리 장치에 대하여 살펴보기로 한다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 박리 장치의 주요 구성을 나타내는 요부 구성도에 해당한다.
본 발명에 따른 건식 박리 장치는 i) 입자생성가스에 캐리어가스를 혼합하여 이용하는 경우와 ii) 입자생성가스만을 이용하는 경우로 나누어 살펴볼 수 있다.
먼저, i) 입자생성가스에 캐리어가스를 혼합하여 이용하는 경우에는, 도 1에 도시된 바와 같이 입자생성가스저장부(40) 및 캐리어가스저장부(50)를 포함하는 가스저장부, 혼합챔버(30), 압력조절기(20) 및 노즐(10)을 포함하여 구성된다.
그리고, ii) 입자생성가스만을 이용하는 경우에는, 상기 캐리어가스저장부(50) 및 혼합부를 포함하지 않는다.

입자생성가스와 캐리어가스를 혼합하여 사용하는 경우, 상기 입자생성가스저장부(40)와 캐리어가스저장부(50)는 혼합챔버(30)로 연결된다. 상술한 바와 같이 입자생성가스로는 이산화탄소가 이용되며, 캐리어가스로는 질소 또는 헬륨이 이용되는 것이 바람직하다. 상기 혼합챔버(30)는 상기 입자생성가스와 캐리어가스를 충분히 혼합시키는 동시에, 혼합 비율을 조절하는 역할을 수행한다. 상기 혼합 비율은 캐리어가스의 부피 비율이 혼합가스 전체 부피의 10% 이상 99% 이하를 차지하도록 혼합하여, 이산화탄소 혼합가스를 형성하는 것이 바람직하다.

혼합챔버(30)에서 혼합된 혼합가스는 압력조절기(20)로 유입된다. 압력조절기(20)는 상기 혼합가스의 노즐(10)로의 공급압력을 조절하게 된다.
한편, 이산화탄소로 이루어진 입자생성가스만을 이용하는 경우에는 상기 혼합챔버(30)를 거치지 않고 상기 입자생성가스저장부(40)를 압력조절기(20)에 직접 연결하여 입사생성가스를 압력조절기(20)에 공급하는 것을 고려할 수도 있다. 이하, 혼합가스에 대비되는 개념으로서, 입자생성가스만을 이용하는 경우의 입자생성가스를 순수입자생성가스라 하기로 한다.
그리고, 상기 압력조절기(20)에서의 출력 압력은 생성되는 승화성 입자의 크기 및 분사속도를 고려하여, i) 상기 혼합가스의 경우 5 ~ 120 bar, ii) 상기 순수입자생성가스의 경우 5 ~ 60 bar의 범위 내에서 형성되는 것이 바람직하다.

상기 압력조절기(20)를 통과한 혼합가스 또는 순수입자생성가스는 노즐(10)의 입구로 공급된다.
노즐(10)의 입구로 공급된 상기 혼합가스 또는 순수입자생성가스는 상술한 바와 같이 오리피스(12), 제1팽창부(14), 제2팽창부(15)를 순차적으로 통과하여 승화성 나노 입자를 대상물(1)에 분사하게 된다. 노즐(10)의 상세 내부 구조는 상술한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 ‘고속 입자 빔 생성 단계’에 대하서 살펴보기로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 고속 입자 빔 생성 단계는, 이산화탄소로 이루어진 입자생성가스를 노즐(10)에 통과시켜 초고속 균일 나노입자를 생성하는 것에 해당한다. 여기서 입자생성가스는 캐리어가스와 혼합되어 혼합가스의 노즐(10)에 공급될 수도 있으며, 순수입자생성가스의 형태로 공급될 수도 있다.

먼저, 혼합가스의 형태로 공급되는 경우, 상기 입자생성가스와 캐리어가스를 혼합시켜 혼합기체를 형성하는 혼합단계 및 상기 혼합단계를 거친 혼합가스의 압력을 조절하는 압력조절단계를 순차적으로 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 캐리어가스는 질소 또는 헬륨으로 이루어지며, 상기 압력조절단계를 거친 상기 혼합가스의 압력은 5 bar 이상 120 bar 이하로 조절되어 상기 노즐(10)로 유입되는 것이 바람직하다.
상기 압력조절단계를 거치고 난 후, 상기 입자생성가스가 상기 노즐(10)의 노즐목(11)에 마련된 오리피스(12)를 통과하면서 급속 팽창되어 핵 생성이 이루어지는 핵생성단계를 거치게 된다.
그리고, 상기 핵생성단계를 거친 후, 노즐목(11) 출구로부터 이어지는 0°초과 30°미만의 팽창각(θ1)을 가지는 제1팽창부(14)를 통과하면서 핵 성장이 이루어져 승화성 입자가 생성되는 입자생성단계를 거친다.
그리고, 상기 입자생성단계를 거친 후, 상기 제1팽창부(14)의 출구로부터 이어지며 상기 제1팽창부(14)의 팽창각(θ1) 보다 10°~ 45° 증가된 평균 팽창각(θ2)을 가지는 제2팽창부(15)를 통과하면서 경계층의 성장을 상쇄하고 상기 승화성 입자의 분사속도가 상승되는 입자가속단계를 거치게 된다.
상기 입자가속단계를 거친 후, 상기 제2팽창부(15)의 출구로부터 이어지며 상기 제2팽창부(15)의 평균 팽창각(θ2) 보다 10°~ 45° 증가되되 최대 90° 미만의 팽창각(θ3)을 가지는 제3팽창부(16)를 통과하면서 승화성 입자의 고속 코어를 노즐(10) 외부로 형성시키는 유동조절단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.

한편, 순수입자생성가스만이 공급되는 경우, 상기 혼합단계를 거치지 않고, 상기 입자생성가스의 압력을 조절하는 압력조절단계를 거치게 된다.
여기서, 상기 압력조절단계를 거친 상기 입자생성가스의 압력은 5 bar 이상 60 bar 이하로 조절되어 상기 노즐(10)로 유입되는 것이 바람직하다.
이 후의 단계는 상술한 핵생성단계, 입자생성단계, 입자가속단계 및 유동조절단계와 동일하다.

본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기 위해 사용된 위치관계는 첨부된 도면을 중심으로 설명된 것으로서, 실시 태양에 따라 그 위치관계는 달라질 수 있다.
또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함하여 본 발명에서 사용되는 모든 용어들은 본 고안이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다고 할 것이다. 아울러, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않아야 할 것이다.
이상에서는, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 설명하였으나, 상기 실시예는 물론, 본 발명에 기존의 공지기술을 단순 주합하거나, 본 발명을 단순 변형한 실시 또한, 당연히 본 발명의 권리 범위에 해당한다고 보아야 할 것이다.

Claims (25)

  1. 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리 방법으로서,
    상기 포토레지스트에 승화성 입자를 분사하여 상기 포토레지스트를 박리하는 분사및 박리 단계를 포함하는 건식 박리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 웨이퍼의 표면에 형성된 것으로서,
    상기 포토레지스트에 상기 승화성 입자를 분사하여 상기 포토레지스트의 일정 면을 상기 웨이퍼로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 웨이퍼에 형성된 패턴부의 표면에 형성된 것으로서,
    상기 포토레지스트에 상기 승화성 나노 입자를 분사하여 상기 포토레지스트를 상기 패턴부로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 웨이퍼에 형성된 패턴부모재의 표면에 형성된 것으로서,
    상기 포토레지스트에 상기 승화성 나노 입자를 분사하여 상기 포토레지스트를 상기 패턴부모재로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 웨이퍼에 형성된 패턴부모재의 표면에 형성된 것으로서,
    상기 포토레지스트에 상기 승화성 나노 입자를 분사하여 상기 포토레지스트의 일정면을 상기 패턴부모재로부터 선택적으로 박리하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 포토레지스트의 상부에 마스크를 마련하여 선택적으로 상기 포토레지스트의 일정면을 상기 패턴부모재로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 분사 및 박리 단계 이전에,
    상기 승화성 입자를 생성하는 고속 입자 빔 생성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 고속 입자 빔 생성 단계는,
    입자생성가스를 제1팽창부와 제2팽창부를 포함하는 노즐에 통과시켜 대상물에 분사하되, 상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 하는 것으로서,
    상기 입자생성가스가 상기 노즐의 노즐목에 마련된 오리피스를 통과하면서 급속 팽창되어 핵 생성이 이루어지는 핵생성단계
    상기 핵생성단계를 거친 후, 노즐목 출구로부터 이어지는 제1팽창부를 통과하면서 핵 성장이 이루어져 승화성 입자가 생성되는 입자생성단계 및
    상기 입자생성단계를 거친 후, 상기 제1팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제1팽창부의 팽창각보다 더 큰 평균 팽창각을 가지는 제2팽창부를 통과하면서 경계층의 성장을 상쇄하고 상기 승화성 입자의 분사속도가 상승되는 입자가속단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 입자생성가스는 이산화탄소로 이루어지며,
    상기 제1팽창각은 0°초과 30°미만의 팽창각을 가지고,
    상기 제2팽창각은 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 10°~ 45° 증가된 평균 팽창각을 가지는 것을 특징으로 하는 건식 박리 방법.
  10. 상기 고속 입자 빔 생성 단계는,
    상기 입자가속단계를 거친 후, 상기 제2팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제2팽창부의 평균 팽창각 보다 10°~ 45° 증가되되 최대 90°미만의 팽창각을 가지는 제3팽창부를 통과하면서 승화성 입자의 고속 코어를 노즐 외부로 형성시키는 유동조절단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 방법.
  11. 상기 고속 입자 빔 생성 단계는,
    상기 입자가속단계를 거친 후, 상기 제2팽창부의 출구로부터 이어지며 상기 제2팽창부의 평균 팽창각 보다 10°~ 45° 증가되되 최대 90°미만의 팽창각을 가지는 제3팽창부를 통과하면서 승화성 입자의 고속 코어를 노즐 외부로 형성시키는 유동조절단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 방법.
  12. 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리 장치로서,
    승화성 입자로 이루어진 고속 입자 빔을 생성하는 노즐을 포함하되,
    상기 노즐은,
    이산화탄소로 이루어진 입자생성가스를 통과시켜 초고속 균일 나노 입자를 생성하는 노즐로서,
    노즐의 출구측으로 갈수록 단면적이 넓어지는 형태의 팽창부를 포함하되,
    상기 팽창부는,
    제1팽창부 및 제2팽창부를 순차적으로 포함하여 이루어지며,
    상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 하는 건식 박리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 노즐은,
    상기 팽창부의 입구에 마련되어 상기 입자생성가스를 급속 팽창시키는 오리피스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2팽창부의 상기 제1팽창부와의 연결부분은 제1팽창부 출구측의 팽창각과 동일한 팽창각을 가지도록 형성되되, 상기 제2팽창부의 중심부로 갈수록 팽창각이 증가되며, 상기 중심부에서 출구측으로 갈수록 팽창각이 감소되도록 형성된 것을 특징으로 하는 건식 박리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1팽창부는 0° 초과 30°이하의 팽창각을 가지며,
    상기 제2팽창부는 상기 제1팽창부의 팽창각에 비하여 10°~ 45°증가된 평균 팽창각을 가지는 것을 특징으로 하는 건식 박리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 노즐은,
    제2팽창부의 출구에 연결되는 제3팽창부를 더 포함하되,
    상기 제3팽창부는 상기 제2팽창부의 평균 팽창각에 비하여 10°~ 45°증가되되 최대 90° 미만의 팽창각을 가지는 것을 특징으로 하는 건식 박리 장치.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 노즐은,
    상기 노즐의 입구측에 마련되는 압축부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 박리 장치.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 팽창부의 출구는 상기 노즐이 대상물에 근접할 수 있도록 노즐축을 기준으로 비스듬히 절단된 형태인 것을 특징으로 하는 건식 박리 장치.
  19. 승화성 입자를 분사하여 포토레지스트를 애싱하는 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐로서,
    상기 노즐은,
    이산화탄소로 이루어진 입자생성가스를 통과시켜 초고속 균일 나노 입자를 생성하는 노즐로서,
    노즐의 출구측으로 갈수록 단면적이 넓어지는 형태의 팽창부
    상기 팽창부는,
    제1팽창부 및 제2팽창부를 순차적으로 포함하여 이루어지되,
    상기 제2팽창부의 평균 팽창각이 상기 제1팽창부의 팽창각 보다 큰 것을 특징으로 하는 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 팽창부의 입구에 마련되어 상기 입자생성가스를 급속 팽창시키는 오리피스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제2팽창부의 상기 제1팽창부와의 연결부분은 제1팽창부 출구측의 팽창각과 동일한 팽창각을 가지도록 형성되되, 상기 제2팽창부의 중심부로 갈수록 팽창각이 증가되며, 상기 중심부에서 출구측으로 갈수록 팽창각이 감소되도록 형성된 것을 특징으로 하는 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제1팽창부는 0° 초과 30°이하의 팽창각을 가지며,
    상기 제2팽창부는 상기 제1팽창부의 팽창각에 비하여 10°~ 45°증가된 평균 팽창각을 가지는 것을 특징으로 하는 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 노즐은,
    제2팽창부의 출구에 연결되는 제3팽창부를 더 포함하되,
    상기 제3팽창부는 상기 제2팽창부의 평균 팽창각에 비하여 10°~ 45°증가되되 최대 90° 미만의 팽창각을 가지는 것을 특징으로 하는 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐.
  24. 제19항에 있어서,
    상기 노즐은,
    상기 노즐의 입구측에 마련되는 압축부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐.
  25. 제19항에 있어서,
    상기 팽창부의 출구는 상기 노즐이 대상물에 근접할 수 있도록 노즐축을 기준으로 비스듬히 절단된 형태인 것을 특징으로 하는 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐.
PCT/KR2013/011843 2012-12-18 2013-12-18 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법. WO2014098487A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/652,110 US9865475B2 (en) 2012-12-18 2013-12-18 Dry separation method using high-speed particle beam

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120148974A KR101272785B1 (ko) 2012-12-18 2012-12-18 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법
KR1020120148975A KR101305256B1 (ko) 2012-12-18 2012-12-18 초고속 균일 나노 입자 생성 노즐, 생성 장치 및 생성 방법
KR10-2012-0148974 2012-12-18
KR10-2012-0148975 2012-12-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014098487A1 true WO2014098487A1 (ko) 2014-06-26

Family

ID=50978720

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2013/011843 WO2014098487A1 (ko) 2012-12-18 2013-12-18 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법.
PCT/KR2013/011844 WO2014098488A1 (ko) 2012-12-18 2013-12-18 건식 식각 장치, 건식 식각을 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 식각 방법.

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2013/011844 WO2014098488A1 (ko) 2012-12-18 2013-12-18 건식 식각 장치, 건식 식각을 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 식각 방법.

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9865475B2 (ko)
WO (2) WO2014098487A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101272785B1 (ko) * 2012-12-18 2013-06-11 포항공과대학교 산학협력단 고속 입자 빔을 이용한 액막 제거 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100359339B1 (ko) * 1999-12-28 2002-11-01 (주)케이.씨.텍 반도체 장비 세정 장치 및 방법
KR20040101948A (ko) * 2004-05-31 2004-12-03 (주)케이.씨.텍 표면세정용 승화성 고체입자 분사용 노즐 및 이를 이용한 세정방법
JP2006130406A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Kagawa Industry Support Foundation 亜臨界あるいは超臨界流体噴射用ノズル及び微粒子の作製方法
KR20090050707A (ko) * 2007-11-16 2009-05-20 포항공과대학교 산학협력단 초음속 노즐을 이용한 나노입자 세정장치 및 그 세정방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6764385B2 (en) * 2002-07-29 2004-07-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and cleaning surfaces substantially free of contaminants
KR100544889B1 (ko) 2003-05-15 2006-01-24 주식회사 엘지화학 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP2006072083A (ja) 2004-09-03 2006-03-16 Mitsubishi Electric Corp レジスト除去用組成物
KR20060024478A (ko) 2004-09-13 2006-03-17 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물
KR100662241B1 (ko) 2005-11-17 2006-12-28 주식회사 케이씨텍 건식 세정장치
JP2009066983A (ja) 2007-09-14 2009-04-02 Fujifilm Corp 溶液製膜方法及び洗浄装置
JP4915812B2 (ja) 2007-09-26 2012-04-11 富士フイルム株式会社 溶液製膜方法及び洗浄装置
KR101025300B1 (ko) 2009-06-16 2011-03-29 포항공과대학교 산학협력단 이중구조 나노입자 빔 생성방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100359339B1 (ko) * 1999-12-28 2002-11-01 (주)케이.씨.텍 반도체 장비 세정 장치 및 방법
KR20040101948A (ko) * 2004-05-31 2004-12-03 (주)케이.씨.텍 표면세정용 승화성 고체입자 분사용 노즐 및 이를 이용한 세정방법
JP2006130406A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Kagawa Industry Support Foundation 亜臨界あるいは超臨界流体噴射用ノズル及び微粒子の作製方法
KR20090050707A (ko) * 2007-11-16 2009-05-20 포항공과대학교 산학협력단 초음속 노즐을 이용한 나노입자 세정장치 및 그 세정방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9865475B2 (en) 2018-01-09
US20150325429A1 (en) 2015-11-12
WO2014098488A1 (ko) 2014-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4845936B2 (ja) 液相エッチング装置
US7666479B2 (en) Apparatus and method of gas injection sequencing
TW501168B (en) Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system
KR101305256B1 (ko) 초고속 균일 나노 입자 생성 노즐, 생성 장치 및 생성 방법
JP4763575B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4576122B2 (ja) シリコンに高アスペクト比の異方性エッチングを行う方法および機器
JP2003324072A (ja) 半導体製造装置
US10475628B2 (en) Plasma beam penetration of millimeter scale holes with high aspect ratios
WO2014199705A1 (ja) 一成分極低温微細固体粒子連続生成装置、および、その一成分極低温微細固体粒子連続生成方法
WO2014098487A1 (ko) 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법.
KR101429732B1 (ko) 건식 박리 장치, 건식 박리를 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 박리 방법.
KR101429728B1 (ko) 건식 식각 장치, 건식 식각을 위한 고속 입자 빔을 생성하는 노즐 및 고속 입자 빔을 이용한 건식 식각 방법.
US11402759B2 (en) Dry separation apparatus, nozzle for generating high-speed particle beam for dry separation
JP6347189B2 (ja) 膜の製造装置、及び膜の製造方法
CN102754194B (zh) 基板的配线方法和半导体制造装置
KR20110121484A (ko) 실리콘 나노분말 제조장치 및 방법
JP4180896B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2011171691A (ja) マイクロ・ナノソリッド利用型半導体洗浄システム
US10090135B2 (en) Methods of forming coating layers
JP2004031924A (ja) エアロゾル洗浄方法及び装置
TW202224014A (zh) 氣體團簇輔助電漿處理
CN101623680A (zh) 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备
JPH09306695A (ja) プラズマ発生装置およびこれを用いた表面処理装置
JP2005012197A (ja) エアロゾル洗浄方法及び装置
US11473200B2 (en) Fine and micro feature cold spray deposition of semiconductors, magnetic and other brittle functional materials

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13865091

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14652110

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13865091

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1