WO2014091589A1 - 磁気デバイス、磁気バイアス印加用部材及び磁気バイアス印加用部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

　磁路の少なくとも一箇所に磁気飽和防止用の空隙１６を有する磁気コア本体１０及び磁気コア本体１０とは異なる材料からなり空隙１６に配設されている磁気バイアス印加用部材１４を有する磁気コア１０を備え、磁気バイアス印加用部材１４は、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを含有する複合磁性材料を平板状に成形することにより形成されたものであることを特徴とする磁気デバイス１。　本発明の磁気デバイスによれば、直流重畳特性が良好で、かつ、磁気特性のばらつきが小さい磁気デバイスとなる。

Description

磁気デバイス、磁気バイアス印加用部材及び磁気バイアス印加用部材の製造方法

　本発明は、磁気デバイス、磁気バイアス印加用部材及び磁気バイアス印加用部材の製造方法に関する。

　従来、磁路の一部に磁気飽和防止用の空隙（ギャップ）を有する磁気デバイス８００が知られている。

　図７は、従来の磁気デバイス８００を説明するために示す図である。図７（ａ）は磁気デバイス８００の断面図であり、図７（ｂ）は磁気コア８１０の斜視図である。

　図８は、従来の磁気デバイス８００を説明するために示す図である。図８（ａ）は磁気コア８１０内において導線に直流重畳電流が流れることによって発生する磁束の様子を示す図であり、図８（ｂ）は磁気デバイス８００の磁気曲線を模式的に示すグラフである。なお、図８（ａ）中、符号Ｄ１は導線８２０に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界の向きを示す。

　従来の磁気デバイス８００は、図７に示すように、磁路の一部に磁気飽和防止用の空隙８１６を有する磁気コア本体８１２を有する磁気コア８１０を備える。従来の磁気デバイス８００は、磁気コアに装着された導線８２０をさらに備える。従来の磁気デバイス８００において、磁気コア本体８１２は、２つのＥコアから構成され中心部に磁芯８１８が形成されている磁気コアであり、磁芯８１８に空隙８１６が形成されている。従来の磁気コア本体８１２としては、酸化鉄を主成分とした粉末を圧縮して成形した後に焼成したセラミック状のフェライトから形成されたものや、軟磁性材料粉末とバインダーとを圧縮成形することにより形成されたものを用いることができる。また、従来の磁気デバイス８００において、導線８２０は、磁気コア８１０に巻回されているコイルである。

　従来の磁気デバイス８００においては、所望の磁気特性（例えば、直流重畳特性や実効透磁率等）を得るために、ギャップ幅Ｌを数十μｍ～数百μｍ程度の範囲に設定するのが一般的である。

　なお、本明細書中、「直流重畳」とは、磁気デバイスの導線に流れる交流電流に直流電流を重畳することをいう。また、「直流重畳電流」とは、磁気デバイスの導線に流れる交流電流に直流電流が重畳された電流をいう。また、「直流重畳特性」とは、直流重畳電流が大きくなったときでも磁気コアが磁気飽和し難い特性をいう。従って、「直流重畳特性が良好である」とは、直流重畳電流が大きくなったときでも磁気コアが磁気飽和し難いことをいう。

　従来の磁気デバイス８００によれば、磁気コア本体８１２が、磁路の一部に磁気飽和防止用の空隙８１６を有することから、空隙がない磁気コアの実効透磁率よりも磁気コア８１０の実効透磁率が低くなる。このことは、図８(ｂ)において空隙がない磁気コアの場合のＢ－Ｈカーブ(点線)の傾きよりも、空隙がある従来の磁気コア８１０の場合のＢ－Ｈカーブ(実線)の傾きの方が小さいことからも理解することができる。このため、空隙がない磁気デバイスの磁気コアと比較して、直流重畳電流が大きくなったときでも磁気コアが磁気飽和し難くなり、空隙がない磁気デバイスよりも直流重畳特性が良好な磁気デバイスとなる。

　また、従来の磁気デバイス８００によれば、磁気コア本体８１２が、磁路の一部に磁気飽和防止用の空隙８１６を有することから、空隙８１６のギャップ幅Ｌを調整することによって磁気コア８１０の実効透磁率を調整することが可能となる。このため、導線８２０（コイル）の巻数や磁性コア８１０の材質を変更することなく所望の磁気特性を有する磁気デバイスとすることが可能となる。

　ところで、近年の磁気デバイスの技術の分野においては、電子機器の小型化の要請に伴って、小型化された磁気デバイスが求められている。しかしながら、磁気デバイスをそのまま小型化した場合には、磁気コア本体における空隙のギャップ幅Ｌも小さくなることから、磁気コアの実効透磁率が高くなり、小さな直流重畳電流によって磁気コアが磁気飽和しやすくなってしまう。このため、磁気デバイスをそのまま小型化した場合であっても、直流重畳特性が良好な磁気デバイスに対する要求が高まっている。

　上記した要求に対しては、一般的に、飽和磁化の高い磁気コアを用いることで直流重畳特性が良好な磁気デバイスを製造することが試みられてきた。しかしながら、磁気コアの飽和磁化は磁気コアの材料の種類や組成で決定されるが、種々の問題によりむやみに高くできるものではない。

　そこで、上記した要求を満たすために、従来、いわゆるマグネットバイアス方式を利用した磁気デバイス９００が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

　図９は、従来の他の磁気デバイス９００を説明するために示す図である。図９（ａ）は磁気デバイス９００の断面図であり、図９（ｂ）は磁気コア９１０の斜視図である。
　図１０は、従来の他の磁気デバイス９００を説明するために示す図である。図１０（ａ）は磁気コア９１０内において導線に直流重畳電流が流れることによって発生する磁束の様子を示す図であり、図１０（ｂ）は磁気デバイス９００の磁気曲線を模式的に示すグラフである。なお、図１０（ｂ）中、Ｂ軸と平行な点線は、従来の磁気コア８１０におけるＢ軸を示す。

　従来の他の磁気デバイス９００は、図９に示すように、磁路の一部に磁気飽和防止用の空隙９１６を有する磁気コア本体９１２及び空隙９１６に配設されている磁気バイアス印加用部材９１４を有する磁気コア９１０を備える。従来の他の磁気デバイス９００において、磁気バイアス印加用部材９１４は、磁気コア本体９１２とは異なる材料からなる。従来の他の磁気デバイス９００は、磁気コア９１０に装着された導線９２０をさらに備える。磁気バイアス印加用部材９１４は、硬磁性材料より形成されている。

　従来の他の磁気デバイス９００においては、図１０（ａ）に示すように、磁気バイアス印加用部材９１４による磁界の向きＤ２が、導線９２０に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界の向きＤ１とは逆向きになるように（すなわち、導線９２０に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界とは逆方向に磁気バイアスを印加するように）、磁気バイアス印加用部材９１４が配置されている。

　従来の他の磁気デバイス９００によれば、磁気コア９１０が磁気バイアス印加用部材９１４を有するため、磁気コア９１０において導線９２０に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界を、磁気バイアス印加用部材９１４の磁界によって打ち消すことが可能となる。このため、図１０（ｂ）に示すように、磁気コア９１０内において導線に直流重畳電流が流れていない場合（すなわち、磁化Ｈ＝０の場合）に相当するＢ軸が、従来の磁気コア８１０のＢ軸よりも左側になり、飽和磁束密度に達しない磁束密度の範囲△Ｂ（活用可能な磁束密度の範囲）が従来の磁気コア８１０より大きい磁気コアとなる。その結果、直流重畳電流が大きくなったときでも、従来の磁気コア８１０よりも磁気飽和し難くなり、直流重畳特性が良好な磁気デバイスとなる。

特開昭５０－１３３４５３号公報

　ところで、従来の他の磁気デバイス９００においては、従来の磁気デバイス８００と同様の所望の磁気特性を得るためには、磁気バイアス印加用部材９１４の比透磁率が従来の磁気デバイス８００のギャップ８１６間に存在する物質（空気）とほぼ同じ１であることから、従来の磁気デバイス８００の場合と同様に、ギャップ幅Ｌを数十μｍ～数百μｍの範囲内に設定するのが一般的である。

　しかしながら、従来の他の磁気デバイス９００においては、上記したギャップ幅Ｌに対応した厚さの磁気バイアス印加用部材９１４を厚さばらつきの小さい状態で製造することが困難となる場合がある。例えば、平均粒径１５０μｍ程度の比較的大きな磁性粉末を原料として押圧成形法で３００μｍ程度以下の比較的薄い磁気バイアス印加用部材を製造しようとした場合、厚さばらつきの小さい磁気バイアス印加用部材を製造することが困難であることから、厚さばらつきの大きい磁気バイアス印加用部材が製造されることとなる。

　その結果、そのように厚さばらつきの大きい磁気バイアス印加用部材を用いて製造される磁気デバイスの磁気特性のばらつきを小さくすることが困難となる。言い換えると、従来の他の磁気デバイス９００においては、磁気特性のばらつきが小さい磁気デバイスとすることが困難であるという問題がある。

　そこで、本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、直流重畳特性が良好で、かつ、磁気特性のばらつきが小さい磁気デバイスを提供することを目的とする。また、このような磁気デバイスに用いるバイアス印加用部材を提供することを目的とする。さらに、このような磁気バイアス印加用部材を製造する磁気バイアス印加用部材の製造方法を提供することを目的とする。

［１］本発明の磁気デバイスは、磁路の少なくとも一箇所に磁気飽和防止用の空隙を有する磁気コア本体及び前記磁気コア本体とは異なる材料からなり前記空隙に配設されている磁気バイアス印加用部材を有する磁気コアを備え、前記磁気バイアス印加用部材は、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを含有する複合磁性材料を平板状に成形することにより形成されたものであることを特徴とする。

［２］本発明の磁気デバイスは、前記複合磁性材料は、前記硬磁性材料粉末及び前記軟磁性材料粉末を合計したものに対する前記軟磁性材料粉末の割合が１０ｗｔ％～８０ｗｔ％の範囲内にあることが好ましい。

［３］本発明の磁気デバイスは、前記磁気コア本体における前記空隙のギャップ幅は、前記硬磁性材料粉末及び前記軟磁性材料粉末のうち、大きいほうの平均粒径をＤとした場合に以下に示す式（１）を満たすことが好ましい。

［４］本発明の磁気デバイスは、前記磁気バイアス印加用部材は、ボンド磁石からなることが好ましい。

［５］本発明の磁気デバイスは、前記磁気バイアス印加用部材は、永久磁石からなることが好ましい。

［６］本発明の磁気デバイスは、前記磁気バイアス印加用部材は、前記磁気バイアス印加用部材の比透磁率が１よりも高くなるように構成されていることが好ましい。

［７］本発明の磁気デバイスは、前記軟磁性材料粉末は、絶縁処理が施されていることが好ましい。

［８］本発明の磁気デバイスは、前記磁気バイアス印加用部材は、前記複合磁性材料を押圧成形、射出成形又はグリーンシート法により形成されたものであることが好ましい。

［９］本発明の磁気デバイスは、前記磁気コアに装着された導線をさらに備えることが好ましい。

［１０］本発明の磁気デバイスは、前記磁気コア本体は、フェライトにより形成されたものであるか、又は軟磁性材料粉末及びバインダーを含有する磁性材料により形成されたものであることが好ましい。

［１１］本発明の磁気バイアス印加用部材は、[１]～［１０］のいずれかに記載の磁気デバイスに用いる磁気バイアス印加用部材であって、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを含有する複合磁性材料を平板状に成形することにより形成されていることが好ましい。

［１２］本発明の磁気バイアス印加用部材の製造方法は、[１]～［１０］のいずれかに記載の磁気デバイスに用いる磁気バイアス印加用部材の製造方法であって、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを所定の割合で混錬して複合磁性材料を作製する複合磁性材料作製工程と、前記複合磁性材料を平板状に成形することにより成形体を作製する成形工程と、前記成形体に含まれるバインダーを硬化する硬化工程と、前記成形体を着磁して磁気バイアス印加用部材とする着磁工程とをこの順序で含むことを特徴とする。

　本発明の磁気デバイスによれば、磁気コアが磁気バイアス印加用部材を有するため、従来の他の磁気デバイス９００と同様に、磁気コアにおいて導線に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界を、磁気バイアス印加用部材の磁界によって打ち消すことが可能となる。このため、飽和磁束密度に達しない磁束密度の範囲△Ｂ（活用可能な磁束密度の範囲）が従来の磁気コアよりも大きい磁気コアとなる。その結果、直流重畳電流が大きくなったときでも磁気コアが磁気飽和し難くなり、直流重畳特性が良好な磁気デバイスとなる。

　また、本発明の磁気デバイスによれば、磁気バイアス印加用部材が硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、磁気バイアス印加用部材の比透磁率を１より高くすることが可能となるため、ギャップ幅に対応した厚さの磁気バイアス印加用部材を厚さばらつきの小さい状態で製造することが可能となる。その結果、厚さばらつきの小さい磁気バイアス印加用部材を用いて製造される磁気デバイスの磁気特性のばらつきを小さくすることが可能となる。

　また、本発明の磁気デバイスによれば、磁気バイアス印加用部材が、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、硬磁性材料と軟磁性材料との割合を調整して所望の磁気特性を有する磁気バイアス印加用部材を製造することが可能となる。その結果、本発明の磁気デバイスは、所望の磁気特性を有する磁気デバイスとなる。

　また、本発明の磁気デバイスによれば、磁気バイアス印加用部材が、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであるため、磁気バイアス印加用部材の比透磁率を高くすることが可能であることから空隙（空隙に配設されている磁気バイアス印加用部材）における磁界強度を低くすることが可能となる。その結果、コアロスの少ない高性能の磁気デバイスとすることが可能となる。また、磁気バイアス印加用部材の比透磁率を高くすることが可能であることから、磁気コア全体の実効透磁率が高くなるため、磁気コアに装着された導線の巻数が少なくてすみ、このことからもコアロスの少ない高性能の磁気デバイスとすることが可能となる。

　本発明の磁気バイアス印加用部材によれば、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、従来の他の磁気デバイス９００と同様に、磁気コアにおいて導線に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界を、磁気バイアス印加用部材の磁界によって打ち消すことが可能となる。このため、飽和磁束密度に達しない磁束密度の範囲△Ｂ（活用可能な磁束密度の範囲）が従来の磁気コアよりも大きい磁気コアとなる。その結果、直流重畳電流が大きくなった場合であっても磁気コアが磁気飽和し難くなり、直流重畳特性が良好な磁気デバイスを製造することが可能となる。

　また、本発明の磁気バイアス印加用部材によれば、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、磁気バイアス印加用部材の比透磁率を１より高くすることが可能となり、ギャップ幅に対応した厚さの磁気バイアス印加用部材を厚さばらつきの小さい状態で製造することが可能となる。その結果、厚さばらつきの小さい磁気バイアス印加用部材を用いて製造される磁気デバイスの磁気特性のばらつきを小さくすることが可能となる。

　また、本発明の磁気バイアス印加用部材によれば、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、硬磁性材料と軟磁性材料との割合を調整して所望の磁気特性を有する磁気バイアス印加用部材とすることが可能となる。その結果、所望の磁気特性を有する磁気デバイスを製造することが可能となる。

　また、本発明の磁気バイアス印加用部材によれば、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであるため、磁気バイアス印加用部材の比透磁率を高くすることが可能となり、空隙（空隙に配設されている磁気バイアス印加用部材）における磁界強度を低くすることが可能となる。その結果、コアロスの少ない高性能の磁気デバイスを製造することが可能となる。また、磁気バイアス印加用部材の比透磁率を高くすることが可能であることから、磁気コア全体の実効透磁率が高くなり、導線の巻数が少なくてすみ、このことからもコアロスの少ない高性能の磁気デバイスを製造することが可能となる。

　本発明の磁気バイアス印加用部材の製造方法によれば、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを混錬して作製された複合磁性材料を用いて磁気バイアス印加用部材を製造することから、上記した効果を有する磁気バイアス印加用部材を製造することが可能となる。その結果、上記した効果を有する磁気デバイスを製造することが可能となる。

実施形態１に係る磁気デバイス１を説明するために示す図である。 実施形態１に係る磁気デバイス１を説明するために示す図である。 実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材の製造方法を説明するために示すフローチャートである。 実施形態２に係る磁気デバイス２を説明するために示す図である。 実施形態３に係る磁気デバイス３を説明するために示す図である。 試料１～３の直流重畳特性を示すグラフである。 従来の磁気デバイス８００を説明するために示す図である。 従来の磁気デバイス８００を説明するために示す図である。 従来の他の磁気デバイス９００を説明するために示す図である。 従来の他の磁気デバイス９００を説明するために示す図である。

　以下、本発明の磁気デバイス、磁気バイアス印加用部材及び磁気バイアス印加用部材の製造方法について、図に示す実施形態に基づいて説明する。

［実施形態１］
１．実施形態１に係る磁気デバイス１の構成
　まず、実施形態１に係る磁気デバイス１の構成を、実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材１４の構成とともに説明する。
　図１は、実施形態１に係る磁気デバイス１を説明するために示す図である。図１（ａ）は磁気デバイス１の斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ－Ａ断面図であり、図１（ｃ）は磁気コア１０の斜視図である。
　図２は、実施形態１に係る磁気デバイス１を説明するために示す図である。図２（ａ）は導線２０に電流を流したときの磁気コア内の磁束の様子を示す図であり、図２（ｂ）は磁気デバイス１の磁気曲線を模式的に示すグラフである。なお、図２（ａ）中、符号Ｄ１は導線２０に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界の向きを示し、符号Ｄ２は、磁気バイアス印加用部材１４による磁界の向きを示す。

　実施形態１に係る磁気デバイス１は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、磁気コア１０と、磁気コア１０に装着された導線２０とを備える。導線２０に直流重畳電流が流れると、磁気コア１０には、図２（ａ）に示すように、導線２０を囲んで１周するように磁界が発生する（図２における実線Ｄ１参照。）。磁気コア１０には、後述する磁芯１８を含むように２つの閉じた磁路が形成される。

　磁気コア１０は、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、磁路の一箇所に磁気飽和防止用の空隙１６を有する磁気コア本体１２と、磁気コア本体１２とは異なる材料からなり空隙１６に配設された磁気バイアス印加用部材１４とを有する。

　磁気コア本体１２は、中心部に磁芯１８が形成されるように組み合わされた２つのＥコアから構成され、磁路の一部（一箇所）に磁気飽和防止用の空隙を有する。実施形態１においては、磁芯１８に磁気飽和防止用の空隙１６が形成されている。磁気コア本体１２は、酸化鉄を主成分とした粉末を圧縮して成形した後に、焼成したセラミック状のフェライトから形成されたものを用いるが、軟磁性材料粉末とバインダーとを圧縮成形することにより形成されたものを用いてもよい。軟磁性材料粉末としては、ＦｅＳｉＣｒ粉末、ＦｅＳｉ粉末、カルボニル鉄粉末、センダスト粉末、パーマロイ粉末又はアモルファス材粉末等、適宜のものを用いることができる。磁気コア本体１２の寸法は適宜調整することが可能である。

　磁気飽和防止用の空隙１６のギャップ幅Ｌは、後述する磁気バイアス印加用部材１４の材料である硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末のうち，大きいほうの平均粒径をＤとした場合，以下に示す式（１）を満たす。例えば、平均粒径Ｄが１５０μｍのとき、ギャップ幅Ｌはおよそ３９５μｍ以上である。

　具体的には、空隙１６のギャップ幅Ｌは、例えば、５００μｍである。空隙１６のギャップ幅Ｌは、製造予定の磁気デバイスの磁気特性（インダクタンス値等）に合わせて設定することができる。

　磁気バイアス印加用部材１４は、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを含有する複合磁性材料を平板状に成形することにより形成されたものであり、具体的には、複合磁性材料を圧縮成形（例えば、押圧成形）することにより形成されたものである。磁気バイアス印加用部材１４は、永久磁石からなるボンド磁石である。また、磁気バイアス印加用部材１４の厚さは、磁気コア本体１２における空隙１６のギャップ幅Ｌに対応した厚さを有しており、実施形態１においては５００μｍである。磁気バイアス印加用部材１４は、磁気バイアス印加用部材の比透磁率が１よりも高くなるように形成されている。磁気バイアス印加用部材１４の製造方法については後述する。

　磁気バイアス印加用部材１４は、磁気バイアス印加用部材１４による磁界の向きＤ２を、導線２０に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界の向きＤ１とは逆向きになるように（すなわち、導線２０に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界とは逆方向に磁気バイアスを印加するように）配置されている。

　複合磁性材料は、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを含有する。なお、複合磁性材料には、放熱のための添加剤としてアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）粉末や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末等を含んでもよい。

　また、複合磁性材料は、磁気バイアス印加用部材１４の比透磁率が下記（２）の式を満たすように、複合磁性材料における硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーのそれぞれの含有量が調整されている。このような複合磁性材料から形成された磁気バイアス印加用部材１４は、逆向きのパルス電流によって減磁されてしまうことを防ぐことが可能となる。
　μ’＞（Ｂｓ－Ｊ）／（μ_０－Ｈｃ）　　　…（２）
　なお、式（２）において、μ’は、磁気バイアス印加用部材１４の比透磁率を示し、Ｂｓは磁気コア本体１２の飽和磁束密度を示し、Ｊは磁気コア本体１２の磁化を示し、μ_０は真空の透磁率を示し、Ｈｃは磁気バイアス印加用部材１４の保磁力を示す。

　また、複合磁性材料においては、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を合計したものに対する硬磁性材料粉末の割合が２０ｗｔ％～９０ｗｔ％の範囲内にあり、好ましくは、５０ｗｔ％～９０ｗｔ％の範囲内にあり、例えば８０ｗｔ％である。硬磁性材料粉末の平均粒径は、数十μｍ～数百μｍの範囲内にあり、例えば、１５０μｍ程度である。硬磁性材料粉末として、サマリウムコバルト（ＳｍＣｏ）粉末を用いるが、保磁力の大きい性質を有する磁性材料粉末であればよく、他にも、例えば、サマリウム鉄窒素（ＳｍＦｅＮ）粉末、ネオジム鉄ボロン（ＮｄＦｅＢ）粉末又はフェライト粉末等の硬磁性材料粉末を用いることができる。

　なお、複合磁性材料においては、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を合計したものに対する硬磁性材料粉末の割合が２０ｗｔ％未満の場合には、硬磁性材料粉末の割合が小さすぎるため、磁気バイアス印加用部材として十分な磁力を得ることが出来ない。また、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を合計したものに対する硬磁性材料粉末の割合が９０ｗｔ％を超える場合には、硬磁性材料粉末の割合が大きくなるため、他の従来の磁気バイアス印加用部材の場合と同様、比較的薄い磁気バイアス印加用部材を製造しようとした場合、厚さばらつきの小さい磁気バイアス印加用部材を製造することが困難となる。

　また、複合磁性材料においては、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を合計したものに対する軟磁性材料粉末の割合が１０ｗｔ％～８０ｗｔ％の範囲内にあり、好ましくは、１０ｗｔ％～５０ｗｔ％の範囲内にあり、例えば、２０ｗｔ％である。軟磁性材料粉末としては、表面がシリカ膜で覆われた（絶縁処理が施された）軟磁性材料粉末を用いる。軟磁性材料粉末の平均粒径は、数十μｍ～数百μｍの範囲内にあり、例えば、１５０μｍ程度である。軟磁性材料粉末として、ＦｅＳｉＣｒ粉末を用いるが、透磁率が大きい性質を有する磁性材料粉末であればよく、例えば、ＦｅＳｉ粉末、フェライト粉末、カルボニル鉄粉末、センダスト粉末、パーマロイ粉末又はアモルファス材粉末等を用いることができる。

　なお、複合磁性材料においては、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を合計したものに対する軟磁性材料粉末の割合が１０ｗｔ％未満の場合には、硬磁性材料粉末の割合が大きくなるため、他の従来の磁気バイアス印加用部材の場合と同様、比較的薄い磁気バイアス印加用部材を製造しようとした場合、厚さばらつきの小さい磁気バイアス印加用部材を製造することが困難となる。また、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を合計したものに対する軟磁性材料粉末の割合が８０ｗｔ％を超える場合には、硬磁性材料粉末の割合が小さすぎるため、磁気バイアス印加用部材として十分な磁力を得ることが出来ない。

　複合磁性材料におけるバインダーは、ポリマーからなり、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を接合する機能を有する。複合磁性材料におけるバインダーの含有量は、磁気バイアス印加用部材の製造方法によっても異なる。例えば、複合磁性材料を押圧成形することによって磁気バイアス印加用部材１４を製造する場合には、１ｗｔ％～５ｗｔ％の範囲内にあることが好ましく、例えば、３ｗｔ％である。バインダーとして、エポキシ樹脂を用いるが、他にも、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂又はフェノール樹脂等、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂であれば適宜のものを用いることができる。

　なお、複合磁性材料を押圧成形することによって磁気バイアス印加用部材１４を形成する場合において、複合磁性材料におけるバインダーの含有量が１ｗｔ％未満である場合には、バインダーの割合が小さすぎて硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末の間を接合することが難しい。また、複合磁性材料におけるバインダーの含有量が５ｗｔ％を超える場合には、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末の含有量が少なくなるため、磁気バイアス印加用部材１４の比透磁率が低くなり、飽和磁束密度に達しない磁束密度の範囲△Ｂが他の従来の磁気コアよりも小さくなるおそれがある。

　導線２０は、磁芯１８を中心に銅線を巻回することで磁気コア１０に装着されたコイルである。

２．実施形態１に係る磁気デバイスの製造方法
　次に、実施形態１に係る磁気デバイスの製造方法を、「磁気コア本体の準備」、「磁気バイアス印加用部材の製造」及び「磁気バイアス印加用部材の装着」に分けて説明する。
　図３は、実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材の製造方法を説明するために示すフローチャートである。

２－１．磁気コア本体の準備
　まず、中心部に磁芯１８が形成されるように組み合わされた２つのＥコアから構成され、磁路の一箇所に磁気飽和防止用の空隙を有する磁気コア本体１２を準備する。なお、磁気コア本体１２においては、空隙のない磁気コア本体を形成した後に空隙１６を形成しても良いし、あらかじめ空隙１６を考慮したＥコアを成形し、当該Ｅコアを組み合わせることで空隙１６も形成されるようにしてもよい。

２－２．磁気バイアス印加用部材の製造
　磁気バイアス印加用部材の製造方法は、図３に示すように、「複合磁性材料作製工程」と、「成形工程」と、「硬化工程」と、「着磁工程」とをこの順序で含む。

（１）複合磁性材料作製工程
　まず、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを所定の割合で均一に混錬した後に造粒し複合磁性材料を作製する。次に、複合磁性材料をバインダー中の溶媒成分を揮発させるために乾燥させる。次に、複合磁性材料をふるいにかけ、成形に適した粒度（数十μｍ～数百μｍの範囲内）の複合磁性材料のみを回収する。

（２）成形工程
　次に、複合磁性材料を平板状に成形することにより成形体を作製する。具体的には、複合磁性材料を成形空間に堆積させて押圧成形することにより成形体を作製する。押圧成形における押圧圧力は、例えば３ｔｏｎ／ｃｍ^２～１０ｔｏｎ／ｃｍ^２の範囲内とする。押圧成形の際の温度は、常温とする。

（３）硬化工程
　次に、成形体を加熱してバインダーを硬化させる。成形体を加熱する温度及び時間は、バインダーの種類にもよるが、例えば、１５０℃で１時間とする。

（４）着磁工程
　次に、バインダーを硬化させた成形体を着磁して磁気バイアス印加用部材とする。具体的には、バインダーを硬化させた成形体に対してパルス着磁装置を用いて着磁をする。
　このようにして磁気バイアス印加用部材１４を製造することができる。

２－３．磁気バイアス印加用部材の装着
　次に、磁気バイアス印加用部材１４を磁気コア本体１２における空隙１６に配設することで磁気コア１０を作製する。このように作製された磁気コア１０に導線２０を装着することで実施形態１に係る磁気デバイス１を製造することができる。

３．実施形態１の効果（実施形態１に係る磁気デバイス１、実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材１４及び実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材の製造方法の効果）
　次に、実施形態１に係る磁気デバイス１、実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材１４及び実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材の製造方法の効果を説明する。

　実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気コア１０が磁気バイアス印加用部材１４を有するため、従来の他の磁気デバイス９００と同様に、磁気コア１０において導線２０に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界を、磁気バイアス印加用部材１４の磁界によって打ち消すことが可能となる。このため、飽和磁束密度に達しない磁束密度の範囲△Ｂ（活用可能な磁束密度の範囲）が従来の磁気コアよりも大きい磁気コアとなる。その結果、直流重畳電流が大きくなった場合であっても磁気コア１０が磁気飽和し難くなり、直流重畳特性が良好な磁気デバイスとなる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気バイアス印加用部材１４が硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、磁気バイアス印加用部材１４の比透磁率を１より高くすることが可能となるため、ギャップ幅Ｌに対応した厚さの磁気バイアス印加用部材１４を厚さばらつきの小さい状態で製造することが可能となる。その結果、厚さばらつきの小さい磁気バイアス印加用部材を用いて製造される磁気デバイスの磁気特性のばらつきを小さくすることが可能となる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気バイアス印加用部材１４が、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、硬磁性材料と軟磁性材料との割合を調整して所望の磁気特性を有する磁気バイアス印加用部材を製造することが可能となる。その結果、実施形態１に係る磁気デバイス１は、所望の磁気特性を有する磁気デバイスとなる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気バイアス印加用部材１４が、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであるため、磁気バイアス印加用部材１４の比透磁率を高くすることが可能であることから空隙１６（空隙１６に配設されている磁気バイアス印加用部材１４）における磁界強度を低くすることが可能となる。その結果、コアロスの少ない高性能の磁気デバイスとすることが可能となる。なお、磁気コア全体の実効透磁率が高くなることから、導線の巻数が少なくてすみ、このことからもコアロスの少ない高性能の磁気デバイスとなる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１には以下のような効果も得られる。

　実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、複合磁性材料は、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を合計したものに対する軟磁性材料粉末の割合が１０ｗｔ％～８０ｗｔ％の範囲内にあることから、上記した効果を有する磁気デバイスとなる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気コア本体１２における空隙１６のギャップ幅Ｌは、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末のうち，大きいほうの平均粒径をＤとした場合，以下に示す式（１）を満たすことから、ギャップ幅Ｌに対応した厚さの磁気バイアス印加用部材を厚さばらつきの小さい状態で製造することが可能となる。その結果、厚さばらつきの小さい磁気バイアス印加用部材を用いて製造される磁気デバイスの磁気特性のばらつきを小さくすることが可能となる。

　なお、ギャップ幅Ｌを式（１）の右辺の値以上としたのは以下の理由による。すなわち、粒子を最密六方構造で３列以上配列させて構造物を構成した場合には当該構造物の厚さばらつきを比較的小さくできることから、平均粒径Ｄの粒子を最密六方構造で３列以上配列させて磁気バイアス印加用部材を構成した場合（このとき磁気バイアス印加用部材は式（１）の右辺の値以上になる）にも磁気バイアス印加用部材の厚さばらつきを比較的小さくできる。従って、磁気バイアス印加用部材が式（１）の右辺の値以上となるためには、ギャップ幅Ｌを式（１）の右辺の値以上とすればよいからである。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気バイアス印加用部材１４がボンド磁石からなることから、磁気バイアス印加用部材１４は柔軟性を有し、空隙１６に磁気バイアス印加用部材１４を配設する際に磁気コア本体１２の端部や磁気バイアス印加用部材１４の端部が欠けてしまうことを防ぐことが可能となる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気バイアス印加用部材１４が永久磁石からなることから、磁気バイアス印加用部材１４の磁界を比較的長期間にわたって保持し続けることが可能となる。このため、寿命の長い磁気デバイスとなる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気バイアス印加用部材１４が、磁気バイアス印加用部材１４の比透磁率が１よりも高くなるように形成されているため、上記した効果を有する磁気デバイスとなる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、軟磁性材料粉末が、絶縁処理が施されているため、磁気バイアス印加用部材１４に渦電流が発生しにくくなる。そのため、渦電流損を減少させることが可能となり、ひいてはコアロスを軽減することが可能となる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気バイアス印加用部材１４が、複合磁性材料を押圧成形することにより形成されたものであることから、複合磁性材料に含まれる材料の種類によらないで容易に磁気バイアス印加用部材１４を形成することが可能となる。

　また、実施形態１に係る磁気デバイス１によれば、磁気コア１０に装着された導線２０をさらに備えることから、導線２０を流れる電流によって動作する磁気デバイスとなる。

　実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材１４によれば、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、従来の他の磁気デバイス９００における磁気バイアス印加用部材９１４と同様に、磁気コア１０において導線２０に直流重畳電流が流れることによって発生する磁界を、磁気バイアス印加用部材１４の磁界によって打ち消すことが可能となる。このため、飽和磁束密度に達しない磁束密度の範囲△Ｂ（活用可能な磁束密度の範囲）が従来の磁気コアよりも大きい磁気コアとなる。その結果、直流重畳電流が大きくなった場合であっても磁気コア１０が磁気飽和し難くなり、直流重畳特性が良好な磁気デバイスを製造することが可能となる。

　また、実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材１４によれば、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、磁気バイアス印加用部材１４の比透磁率を１より高くすることが可能となり、ギャップ幅Ｌに対応した厚さの磁気バイアス印加用部材１４を厚さばらつきの小さい状態で製造することが可能となる。その結果、厚さばらつきの小さい磁気バイアス印加用部材を用いて製造される磁気デバイスの磁気特性のばらつきを小さくすることが可能となる。

　また、実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材１４によれば、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、硬磁性材料と軟磁性材料との割合を調整して所望の磁気特性を有する磁気バイアス印加用部材とすることが可能となる。その結果、所望の磁気特性を有する磁気デバイスを製造することが可能となる。

　また、実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材１４によれば、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであるため、磁気バイアス印加用部材１４の比透磁率を高くすることが可能となり、空隙１６（空隙１６に配設されている磁気バイアス印加用部材１４）における磁界強度を低くすることが可能となる。その結果、コアロスの少ない高性能の磁気デバイスを製造することが可能となる。なお、磁気コア１０全体の実効透磁率が高くなることから、導線２０の巻数が少なくてすみ、このことからもコアロスの少ない高性能の磁気デバイスを製造することが可能となる。

　実施形態１に係る磁気バイアス印加用部材の製造方法によれば、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを混錬して作製された複合磁性材料を用いて磁気バイアス印加用部材１４を製造することから、上記した効果を有する磁気バイアス印加用部材１４を製造することが可能となる。その結果、上記した効果を有する磁気デバイス１を製造することが可能となる。

［実施形態２］
　図４は、実施形態２に係る磁気デバイス２を説明するために示す図である。図４（ａ）は磁気デバイス２の斜視図であり、図４（ｂ）は磁気コア１０ａの斜視図である。

　実施形態２に係る磁気デバイス２は、磁気コアが、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成された磁気バイアス印加用部材を有する点で実施形態１に係る磁気デバイス１と同様の構成を有するが、磁気コア本体の構成が実施形態１に係る磁気デバイス１の場合とは異なる。すなわち、実施形態２に係る磁気デバイス２において、磁気コア本体１２ａは、図４に示すように、リングコアから構成されている。

　実施形態２に係る磁気デバイス２においては、導線２０ａに直流重畳電流が流れると、磁気コア１０ａを１周するように磁界が発生する。すなわち、磁気コア１０ａには、１つの閉じた磁路が形成される。

　実施形態２に係る磁気デバイス２において、導線２０ａは、銅線からなり、図４（ａ）に示すように、磁気コア１０ａを中心にらせん状に巻回されることで磁気コア１０ａに装着されている。

　このように、実施形態２に係る磁気デバイス２は、磁気コア本体の構成が実施形態１に係る磁気デバイス１の場合とは異なるが、実施形態１に係る磁気デバイス１の場合と同様に、磁気バイアス印加用部材１４ａが、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、直流重畳特性が良好で、かつ、磁気特性のばらつきが小さい磁気デバイスとなる。

　なお、実施形態２に係る磁気デバイス２は、磁気コア本体の構成以外の点においては実施形態１に係る磁気デバイス１と同様の構成を有するため、実施形態１に係る磁気デバイス１が有する効果のうち該当する効果を有する。

［実施形態３］
　図５は、実施形態３に係る磁気デバイス３を説明するために示す図である。図５（ａ）は磁気デバイス３の斜視図であり、図５（ｂ）は磁気コア１０ｂの斜視図である。

　実施形態３に係る磁気デバイス３は、磁気コアが、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成された磁気バイアス印加用部材を有する点で実施形態２に係る磁気デバイス２と同様の構成を有するが、磁気コア本体の構成及び導線の構成が実施形態２に係る磁気デバイス２の場合とは異なる。すなわち、実施形態３に係る磁気デバイス３において、磁気コア１０ｂは、図５に示すように、リング形状となるように組み合わされた２つのＵコアから構成されており、導線２０ｂは、細長い平板形状の銅線からなる。

　磁気コア本体１２ｂにおいて、２つの空隙１６ｂは２つのＵコアの接合部分に相当する位置に設けられている。このため、空隙１６ｂに配設されている磁気バイアス印加用部材１４ｂは、それぞれ２つのＵコアに挟まれるような位置に配設されている。

　導線２０ｂは、図５（ａ）に示すように、磁気コア１０ｂの中心をまっすぐに貫くように装着されている。

　このように、実施形態３に係る磁気デバイス３は、磁気コア本体の構成及び導線の構成が実施形態２に係る磁気デバイス２の場合とは異なるが、実施形態２に係る磁気デバイス２の場合と同様に、磁気バイアス印加用部材１４ｂが、硬磁性材料粉末及び軟磁性材料粉末を含有する複合磁性材料より形成されたものであることから、直流重畳特性が良好で、かつ、磁気特性のばらつきが小さい磁気デバイスとなる。

　なお、実施形態３に係る磁気デバイス３は、磁気コア本体の構成及び導線の構成以外の点においては実施形態２に係る磁気デバイス２と同様の構成を有するため、実施形態２に係る磁気デバイス２が有する効果のうち該当する効果を有する。

［試験例］
　試験例は、本発明の磁気デバイスが、「直流重畳特性が良好な磁気デバイス」であることを示す試験例である。

１．試料の調製
（１）試料１（実施例）
　２箇所に空隙を有する点以外の構成が実施形態２に係る磁気デバイス２と同じ磁気デバイスを作製し、試料１とした。但し、試料１において、リングコアの外径を３１ｍｍとし、リングコアの内径を１９ｍｍとし、リングコアの高さを８ｍｍとした。また、リングコアの平均実効磁路長を７８．５ｍｍとし、実効断面積を４８ｍｍ^２とし、実効体積は３７６９．９ｍｍ^３とした。さらにまた、空隙のギャップ幅Ｌを０．５ｍｍとした。

（２）試料２（比較例１）
　空隙のギャップ幅Ｌを０．３ｍｍとした点及び空隙には磁気バイアス印加用部材を配設しない点以外の構成は試料１に係る磁気デバイスと同じ磁気デバイスを作製し、試料２とした。

（３）試料３（比較例２）
　空隙のギャップ幅Ｌを０．３ｍｍとした点及び空隙には磁気バイアス印加用部材として、硬磁性材料粉末及びバインダーを含有する複合磁性材料を圧縮成形することにより形成された磁気バイアス印加用部材を配設する点以外の構成は試料１に係る磁気デバイスと同じ磁気デバイスを作製し、試料３とした。

２．評価方法
　各試料の導線に所定の直流重畳電流を流した状態で各試料のインダクタンスを測定した。その後、重畳電流を大きくしながら、各重畳電流値におけるインダクタンスを測定してグラフにプロットした。

３．評価結果
　図６は、試料１～３の直流重畳特性を示すグラフである。
　図６からも分かるように、試料２においては、重畳電流値が７Ａあたりからインダクタンス値が低下を始め、重畳電流値が１２Ａのときにはインダクタンス値がおよそ８μＨにまで低下しており、重畳電流値が７～８Ａあたりで磁気バイアス印加用部材が磁気飽和したことが確認できた。これに対して、試料１及び試料３においては、重畳電流値が１４Ａあたりまで、インダクタンス値が４０μＨを維持しており磁気バイアスが印加されていることがわかった。試料１及び試料３は、このことから、試料２よりも直流重畳特性が良好な磁気デバイスであることがわかった。

　なお、試料３においては、磁気バイアス印加用部材を製造する際、圧縮成形法のみでは０．３ｍｍの厚さの磁気バイアス印加用部材を製造することができなかった。このため、磁気バイアス印加用部材をいったん厚く（例えば１ｍｍ程度に）作製しておき、厚く作製された磁気バイアス印加用部材を所定の厚さまで研削して薄くすることで試料３に係る磁気バイアス印加用部材を製造した。しかし、試料３に係る磁気バイアス印加用部材を０．３ｍｍの厚さまで研削して薄くすることは容易ではなく、割れなどにより不良品が発生したり試料３に係る磁気バイアス印加用部材の厚さの誤差が大きくなったりするため、実用できるものはごく僅かであった。

　以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。

（１）上記各実施形態における各構成要素の数、位置関係、大きさは例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。

（２）上記実施形態１においては、磁気コア本体が２つのＥコアから構成された場合を、実施形態２においては磁気コア本体がリングコアから構成された場合を、実施形態３においてはリング形状となるように組み合わされた２つのＵコアから構成されている場合を例にとってそれぞれ本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、磁気コアとして、Ｅ型コアとＩ型コアを組み合わせたＥＩコアや、一方向に延在している棒のような形状をした棒状コアその他のコアを用いた場合であっても本発明を適用可能である。

（３）上記各実施形態においては、磁気バイアス印加用部材が、複合磁性材料を押圧成形することにより形成されたものである場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、磁気バイアス印加用部材が、複合磁性材料を射出成形する場合やグリーンシート法を用いる場合及びその他の方法を用いる場合であっても平板状に形成可能な工法であれば本発明を適用可能である。なお、この場合、バインダーの含有量を適宜調整しても良い。

　１，２，３…磁気デバイス、１０，１０ａ，１０ｂ…磁気コア、１２，１２ａ、１２ｂ…磁気コア本体、１４，１４ａ，１４ｂ…磁気バイアス印加用部材、１６，１６ａ，１６ｂ…空隙、１８…磁芯、２０，２０ａ，２０ｂ…導線

Claims (12)

1. 　磁路の少なくとも一箇所に磁気飽和防止用の空隙を有する磁気コア本体及び前記磁気コア本体とは異なる材料からなり前記空隙に配設されている磁気バイアス印加用部材を有する磁気コアを備え、
   　前記磁気バイアス印加用部材は、硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを含有する複合磁性材料を平板状に成形することにより形成されたものであることを特徴とする磁気デバイス。
2. 　請求項１に記載の磁気デバイスにおいて、
   　前記複合磁性材料においては、前記硬磁性材料粉末及び前記軟磁性材料粉末を合計したものに対する前記軟磁性材料粉末の割合が１０ｗｔ％～８０ｗｔ％の範囲内にあることを特徴とする磁気デバイス。
3. 　請求項１又は２に記載の磁気デバイスにおいて、
   　前記磁気コア本体における前記空隙のギャップ幅Ｌは、前記硬磁性材料粉末及び前記軟磁性材料粉末のうち，大きいほうの平均粒径をＤとした場合，以下に示す式（１）を満たすことを特徴とする磁気デバイス。
   

   
4. 　請求項１～３のいずれかに記載の磁気デバイスにおいて、
   　前記磁気バイアス印加用部材は、ボンド磁石からなることを特徴とする磁気デバイス。
5. 　請求項１～４のいずれかに記載の磁気デバイスにおいて、
   　前記磁気バイアス印加用部材は、永久磁石からなることを特徴とする磁気デバイス。
6. 　請求項１～５のいずれかに記載の磁気デバイスにおいて、
   　前記磁気バイアス印加用部材は、前記磁気バイアス印加用部材の比透磁率が１よりも高くなるように構成されていることを特徴とする磁気デバイス。
7. 　請求項１～６のいずれかに記載の磁気デバイスにおいて、
   　前記軟磁性材料粉末は、絶縁処理が施されていることを特徴とする磁気デバイス。
8. 　請求項１～７のいずれかに記載の磁気デバイスにおいて、
   　前記磁気バイアス印加用部材は、前記複合磁性材料を押圧成形、射出成形又はグリーンシート法により形成されたものであることを特徴とする磁気デバイス。
9. 　請求項１～８のいずれかに記載の磁気デバイスにおいて、
   　前記磁気コアに装着された導線をさらに備えることを特徴とする磁気デバイス。
10. 　請求項１～９のいずれかに記載の磁気デバイスにおいて、
    　前記磁気コア本体は、フェライトによって形成されたものであるか、又は軟磁性材料粉末及びバインダーを含有する磁性材料を成形することにより形成されたものであることを特徴とする磁気デバイス。
11. 　請求項１～１０のいずれかに記載の磁気デバイスに用いる磁気バイアス印加用部材であって、
    　硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを含有する複合磁性材料を平板状に成形することにより形成されていることを特徴とする磁気バイアス印加用部材。
12. 　請求項１～１０のいずれかに記載の磁気デバイスに用いる磁気バイアス印加用部材の製造方法であって、
    　硬磁性材料粉末、軟磁性材料粉末及びバインダーを所定の割合で混錬して複合磁性材料を作製する複合磁性材料作製工程と、
    　前記複合磁性材料を平板状に成形することにより成形体を作製する成形工程と、
    　前記成形体に含まれるバインダーを硬化する硬化工程と、
    　前記成形体を着磁して磁気バイアス印加用部材とする着磁工程とをこの順序で含むことを特徴とする磁気バイアス印加用部材の製造方法。

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