JP7235026B2 - インダクタ部品、ｄｃｄｃコンバータ及びインダクタ部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インダクタ部品、同インダクタ部品を備えるＤＣＤＣコンバータ、及び、インダクタ部品の製造方法に関する。

特許文献１には、磁性材料を含有する本体内にインダクタが設けられているインダクタ部品の一例が記載されている。このインダクタ部品では、ガラスなどの非磁性の材料を含有する非磁性体部を本体内に設けることにより、磁気飽和特性を向上させている。

特開２０１６－５１７５２号公報

インダクタ部品では、インダクタに交流電流が流れると、インダクタンスが発生する。例えば、ＤＣＤＣコンバータ用のパワーインダクタなどでは、直流電源からインダクタ部品へ供給される直流電流がオン、オフされることによって、矩形波が交流電流としてインダクタに入力される。インダクタに入力された矩形波は、インダクタで発生するインダクタンスによって、一定の直流バイアス電流にリップル電流が付加された三角波としてインダクタを流れる。この直流バイアス電流が一定以上大きくなると、インダクタ部品において磁気飽和が発生し、インダクタンスが極端に低下する。通常のインダクタ部品では、磁気飽和が発生するまでのインダクタンスは一定の範囲であり、公称されるインダクタンス値は１つである。

ここで、上記従来のインダクタ部品では、本体内に非磁性体部を設けることによって、磁気飽和する直流バイアス電流の値を高くし、大電流に対応している。しかし、この場合、本体の実効透磁率が低くなるため、非磁性体部を本体内に設けないインダクタ部品と比較し、インダクタンスが小さくなってしまう。

ＤＣＤＣコンバータでは、インダクタに流れる電流が小さい軽負荷の場合、リップル電流を抑えることで電圧変換の効率を向上させることができる。しかし、上記従来のインダクタ部品のようにインダクタンスが小さいと、リップル電流が大きくなるため、軽負荷時の電圧変換の効率が向上しない。このように、軽負荷時の高効率と大電流対応とを両立させることは困難である。

本開示の一態様に係るインダクタ部品は、鉄元素を含む金属磁性粉を含有する本体と、前記本体内に設けられ、両端が前記本体から露出しているインダクタと、を備えている。前記インダクタに「１００ＭＨｚ」の交流電流を流した場合に前記交流電流に重畳される直流バイアス電流に対する値として示した直流重畳特性曲線について、横軸を前記直流バイアス電流の値とし、縦軸を前記直流バイアス電流の値が「０Ａ」であるときに発生するインダクタンスの値を「１」とした際の前記インダクタンスの相対値とし、前記横軸における「０．３Ａ」以上の区間に渡って前記縦軸における変動が「０．１」以内である領域を定常領域とし、前記横軸における「０．３Ａ」未満の区間で前記縦軸における変動が「０．１」を超える領域を遷移領域とする。この場合、前記直流重畳特性曲線では、前記定常領域として第１定常領域及び第２定常領域が存在し、前記第１定常領域と前記第２定常領域との間に前記遷移領域が存在する。

上記の構成のインダクタ部品の直流重畳特性曲線には、第１定常領域と、第２定常領域と、第１定常領域と第２定常領域との間に位置する遷移領域とが存在する。これは、第１定常領域及び第２定常領域の一方の定常領域の後（遷移領域）と、他方の定常領域の後の少なくとも２段階で磁気飽和が発生することを意味している。すなわち、上記のインダクタ部品の直流重畳特性曲線は、一方の定常領域では、磁気飽和する直流バイアス電流の値は小さいがインダクタンスの値が高く、他方の定常領域では、インダクタンスの値は低いが、磁気飽和する直流バイアス電流の値が高い、というものになる。このような直流重畳特性曲線をもつインダクタ部品によれば、例えば、ＤＣＤＣコンバータのパワーインダクタとして用いられた際、軽負荷時には一方の定常領域により、リップルの発生を抑制し、電圧変換の効率を向上させ、他方の定常領域により、大電流に対応できる。

本開示の一態様に係るＤＣＤＣコンバータは、上記のインダクタ部品を備える。このＤＣＤＣコンバータによれば、軽負荷時の高効率と大電流対応を両立させることができる。
本開示の一態様に係るＤＣＤＣコンバータは、上記のインダクタ部品であって、上記インダクタである第１インダクタ配線に加え、前記本体内に設けられ、前記第１インダクタとは電気的に接続されていない第２インダクタをさらに備えるインダクタ部品と、直流電源に電気的に接続される入力端子と、前記入力端子と前記第１インダクタとを電気的に接続する配線に設けられている第１スイッチング素子と、前記入力端子と前記第２インダクタとを電気的に接続する配線に設けられている第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子のオン及びオフと、前記第２スイッチング素子のオン及びオフとの位相を「３６０°／Ｎ（Ｎは２以上の自然数）」ずらすことが可能に構成されているコントローラと、を備える。

上記ＤＣＤＣコンバータによれば、軽負荷時の高効率と大電流対応とを両立させることができるマルチフェーズ型のＤＣＤＣコンバータを実現できる。
本開示の一態様に係るインダクタ部品の製造方法は、鉄元素を含む金属磁性粉を含有する本体と、前記本体内に設けられ、両端が前記本体から露出するインダクタと、を備えるインダクタ部品を製造する方法である。前記インダクタに「１００ＭＨｚ」の交流電流を流した場合に前記交流電流に重畳される直流バイアス電流に対する値として示した直流重畳特性曲線について、横軸を前記直流バイアス電流の値とし、縦軸を前記直流バイアス電流の値が「０Ａ」であるときに発生するインダクタンスの値を「１」とした際の前記インダクタンスの相対値とし、前記横軸における「０．３Ａ」以上の区間に渡って前記縦軸における変動が「０．１」以内である領域を定常領域とし、前記横軸における「０．３Ａ」未満の区間で前記縦軸における変動が「０．１」を超える領域を遷移領域とする。当該製造方法では、前記鉄元素を含む金属磁性粉を第１磁性材料として含有する第１磁性部と、前記金属磁性粉とは別の第２磁性材料を含有する第２磁性部とを形成することにより、前記本体を形成する。前記第１磁性部と前記第２磁性部とについて、比透磁率、体積、前記インダクタとの位置関係、前記第１磁性部及び前記第２磁性部が含有する磁性材料の組成、前記磁性材料の粒径、前記磁性材料の含有量の少なくとも一つを異ならせることによって、前記直流重畳特性曲線に、前記定常領域として第１定常領域及び第２定常領域が存在し、前記第１定常領域と前記第２定常領域との間に前記遷移領域が存在するようにする。

上記の製造方法によって製造したインダクタ部品によれば、上記インダクタ部品と同等の作用及び効果を得ることができる。

第１実施形態におけるインダクタ部品を模式的に示す斜視図。 同インダクタ部品の断面図。 同インダクタ部品の断面図。 飽和磁束密度と透磁率との関係を説明するグラフ。 比較例のインダクタ部品の断面図。 インダクタ部品のインダクタにおける直流重畳特性曲線を示すグラフ。 第１実施形態において、インダクタ部品を備えるＤＣＤＣコンバータの概略を説明する回路図。 インダクタ部品の製造方法の一例を説明するフローチャート。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品を模式的に示す断面図。 同インダクタ部品の断面図。 図２０の一部分を拡大して模式的に示す図。 同インダクタ部品の製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 第３実施形態におけるインダクタ部品を模式的に示す断面図。 同インダクタ部品の断面図。 第３実施形態において、インダクタ部品を備えるＤＣＤＣコンバータの概略を説明する回路図。 変更例のインダクタ部品の断面図。 変更例のインダクタ部品の断面図。 変更例のインダクタ部品の断面図。

（第１実施形態）
以下、インダクタ部品、ＤＣＤＣコンバータ、及びインダクタ部品の製造方法の一実施形態を図１～図２０に従って説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。

図１及び図２に示すように、本実施形態のインダクタ部品１０は、本体２００と、本体２００内に設けられているインダクタ３００とを備えている。詳しくは後述するが、インダクタ３００の両端は、本体２００から露出している。

本例では、図１及び図２に示すように本体２００は直方体状をなしている。本体２００の形状は、直方体に限定されず、例えば、円柱状及び多角形状であってもよい。
本体２００は、表層１１を備えている。表層１１の表面、すなわち図３における上面が、インダクタ部品１０の主面１２となる。

なお、インダクタ部品１０の主面１２に沿う方向のうち、図２における左右方向を「第１方向Ｄ１」とし、図２における上下方向を「第２方向Ｄ２」とする。すなわち、第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と直交する方向である。また、主面１２に直交する方向である図３における上下方向を「第３方向Ｄ３」とする。

表層１１は非磁性の絶縁体である。本実施形態において、非磁性とは、比透磁率が「１」となることである。絶縁体とは、比抵抗が「１ＭΩ・ｃｍ」以上となるものである。表層１１は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーを含有している。表層１１の絶縁性能を高めるために、表層１１は、シリカフィラーなどの絶縁フィラーを含有していてもよい。

本体２００のうち表層１１を除いた部分を、規定部分２０とした場合、規定部分２０の側面のうち、図３における上面を、「第１規定主面２１」という。第１規定主面２１は、表層１１に接触している。また、規定部分２０の側面のうち、図３における下面であって且つ後述するインダクタ配線３０を挟んだ第１規定主面２１の反対側に位置する主面を、「第２規定主面２２」という。また、規定部分２０の側面のうち、第１規定主面２１及び第２規定主面２２以外の部分を、「規定非主面２３」という。すなわち、規定部分２０の側面は、第１規定主面２１、第２規定主面２２及び規定非主面２３を含んでいる。なお、図３は、図２に一点鎖線で示す線ＬＮ１でインダクタ部品１０を切断した場合の断面を示す図である。線ＬＮ１は、第２方向Ｄ２に延びる直線である。すなわち、図３に示す断面は、第１方向Ｄ１と直交する面である。図２は、図３に一点鎖線で示す線ＬＮ２でインダクタ部品１０を切断した場合の断面を示す図である。線ＬＮ２は、第２方向Ｄ２に延びる直線である。すなわち、図２に示す断面は、第３方向Ｄ３と直交する面である。

図１及び図２に示すように、インダクタ３００は、インダクタ配線３０を備えている。インダクタ配線３０は、規定部分２０内に配置されている。インダクタ配線３０は、第１方向Ｄ１における第１端部３１と、第１方向Ｄ１における第２端部３２と、第１端部３１と第２端部３２とを繋ぐ配線本体３３とを有している。配線本体３３は、第１端部３１に接続されている第１接続部分３４と、第２端部３２に接続されている第２接続部分３５と、第１方向Ｄ１において第１接続部分３４と第２接続部分３５との間に配置されている中央部分３６とを有している。第１接続部分３４、第２接続部分３５及び中央部分３６は、それぞれ第１方向Ｄ１に延びている。また、配線本体３３は、第１接続部分３４と中央部分３６とを繋ぐ第１連結部分３７と、第２接続部分３５と中央部分３６とを繋ぐ第２連結部分３８とを有している。

図３に示すように、第３方向Ｄ３において第１規定主面２１と第２規定主面２２との間に位置する所定の配置平面Ｚ１上に、インダクタ配線３０が配置されている。配置平面Ｚ１は、図３に示すように第１規定主面２１及び第２規定主面２２と平行であってもよいし、第１規定主面２１及び第２規定主面２２と平行でなくてもよい。

インダクタ配線３０は、導電性材料を含有している。インダクタ配線３０は、例えば、銅、銀、金及びアルミニウムの少なくとも１つを導電性材料として含んでいる。また例えば、インダクタ配線３０は、銅、銀、金及びアルミニウムの少なくとも１つを含有する合金を導電性材料として含んでいてもよい。図３に示すように、インダクタ配線３０は、シード層４１と、シード層４１上に配置されている導電層４２とを備えている。シード層４１は、例えば、銅を導電性材料として含んでいる。シード層４１の第３方向Ｄ３の寸法は、導電層４２の第３方向Ｄ３の寸法よりも小さい。シード層４１は、層として、チタンを含む層、タングステンを含む層の少なくとも１つの層を含む構成であってもよい。

導電層４２は、例えば、銅及び硫黄を含んでいる。このように導電層４２が銅及び硫黄を含んでいる場合、導電層４２では、銅の比率を「９９ｗｔ％」以上とし、硫黄の比率を「０．１ｗｔ％」以上且つ「１．０ｗｔ％」未満とすることが好ましい。ここでいう比率とは、導電層４２全体の重量に対する比率である。なお、インダクタ配線３０は、シード層４１を備えない構成であってもよい。

図２に示すように、インダクタ配線３０には、所定の配置平面Ｚ１上に配置されているダミー配線が接続されている。具体的には、インダクタ配線３０の第１端部３１に接続されているダミー配線４３と、インダクタ配線３０の第２端部３２に接続されているダミー配線４３とが設けられている。これら各ダミー配線４３は、インダクタ配線３０との接続部分から、規定部分２０の規定非主面２３まで延びている。すなわち、各ダミー配線４３の端面は、外部に露出している。

インダクタ３００は、インダクタ配線３０に接続されている垂直配線を備えている。本例では、図１及び図２に示すように、インダクタ３００は、インダクタ配線３０の第１端部３１に接続されている垂直配線４５と、インダクタ配線３０の第２端部３２に接続されている垂直配線４６とを備えている。すなわち、第１端部３１及び第２端部３２の各々が、インダクタ配線３０における垂直配線４５，４６との接続部分となる。なお、各垂直配線４５，４６は、第１規定主面２１まで延びている。

インダクタ３００は、インダクタ配線３０の第１端部３１と電気的に接続されている外部端子である第１外部端子５１と、インダクタ配線３０の第２端部３２と電気的に接続されている外部端子である第２外部端子５２とを備えている。第１外部端子５１は、垂直配線４５を介して第１端部３１と電気的に接続されている。第２外部端子５２は、垂直配線４６を介して第２端部３２と電気的に接続されている。第１外部端子５１及び第２外部端子５２が、インダクタ３００の端に相当する。

各外部端子５１，５２は、表層１１から外部に露出している。すなわち、表層１１には、第１規定主面２１を外部に露出させる貫通孔１３が設けられている。そして、貫通孔１３を埋めるように各外部端子５１，５２が形成されている。各外部端子５１，５２は、垂直配線４５，４６の端面に加え、貫通孔１３の周壁、及び、表層１１の表面（すなわち、主面１２）に接触している。

例えば、各外部端子５１，５２は、複数の層を積層した積層体である。図３に示す例では、外部端子５１，５２は、３つの層５０ａ，５０ｂ，５０ｃを含む積層体である。積層体は、例えば、銅、ニッケル、金及び錫のうちの少なくとも１つの金属を含有している。また例えば、積層体は、銅、ニッケル、金及び錫のうちの少なくとも２つからなる合金を含有するものであってもよい。

例えば、複数の層５０ａ，５０ｂ，５０ｃのうち、最も外側の層５０ａは、はんだ濡れ性を向上させる親はんだ層である。親はんだ層には金や錫などを含有させるとよい。また、金を含む合金、及び、錫を含む合金の少なくとも一方の合金を親はんだ層が含んでいてもよい。

なお、最も外側の層５０ａは、外部端子５１，５２の酸化を抑制する層であってもよい。
また例えば、層５０ａと層５０ｃとの間に位置する層５０ｂは、腐食抑制層であってもよい。腐食抑制層は、例えばニッケルを含有させるとよい。また、ニッケルを含む合金を腐食抑制層が含んでいてもよい。

また例えば、層５０ｃは、導電性の向上を図る層である。こうした層は、銅などを含有させるとよい。また、銅を含む合金を当該層が含んでいてもよい。
規定部分２０は、第３方向Ｄ３に沿って複数の磁性層が積層された積層体である。本体２００は、規定部分２０に加えて表層１１も備えている。よって、本体２００は、複数の層が積層された部分を有しているといえる。すなわち、本例では、第３方向Ｄ３が、本体２００を構成する複数の層の積層方向である。

本例では、図３に示すように、規定部分２０は、第３方向Ｄ３に沿って積層されている第１磁性層２５及び第２磁性層２６を備えている。第３方向Ｄ３における表層１１と第２磁性層２６との間に第１磁性層２５が配置されるように、第１磁性層２５及び第２磁性層２６が積層されている。

本例では、図３に示すように、インダクタ配線３０及び各垂直配線４５，４６は、第１磁性層２５内に設けられている。ただし、インダクタ配線３０の図中下面は、第２磁性層２６と接触している。すなわち、第１磁性層２５と第２磁性層２６との境界を上記の配置平面Ｚ１が含んでいるといえる。そして、第２磁性層２６の両主面のうち、第１磁性層２５に接触する主面２６１に沿って、インダクタ配線３０が伸びている。さらに、第３方向Ｄ３において、第１磁性層２５と第２磁性層２６とにインダクタ配線３０が挟まれている。

第１磁性層２５の第３方向Ｄ３における寸法を「第１磁性層２５の厚みＴ１」とし、第２磁性層２６の第３方向Ｄ３における寸法を「第２磁性層２６の厚みＴ２」とした場合、本例では、図３に示すように、第１磁性層２５の厚みＴ１が第２磁性層２６の厚みＴ２よりも厚い。例えば、第２磁性層２６の厚みＴ２は、「４５μｍ」以上且つ「５５μｍ」以下である。第２磁性層２６のうち、第２磁性層２６と第１磁性層２５との境界から第２規定主面２２までの間隔が最大となる部分を「最大部分」とした場合、最大部分の第３方向Ｄ３における寸法を、第２磁性層２６の厚みＴ２とすればよい。例えば、第１方向Ｄ１における本体２００の中心を含む第１方向Ｄ１と直交する本体２００の断面において、第２磁性層２６と第１磁性層２５との境界から第２規定主面２２までの間隔が最大となる部分を「最大部分」とする。

第１磁性層２５のうち、第３方向Ｄ３における表層１１側（図中上側）を、表層側磁性部２５１とし、第３方向Ｄ３における第２磁性層２６側（図中下側）を、反表層側磁性部２５２とする。この場合、表層側磁性部２５１は、表層１１に接触している一方、第２磁性層２６には接触していない。一方、反表層側磁性部２５２は、第２磁性層２６には接触している一方、表層１１に接触していない。

インダクタ配線３０のうち、第３方向Ｄ３において最も表層１１に近い部分を含み、且つ第１規定主面２１と平行な面を、「境界主面」とする。本例では、図３に示すように、第１磁性層２５のうち、第３方向Ｄ３における境界主面と第１規定主面２１との間の部分が、表層側磁性部２５１に相当する。第１磁性層２５のうち、表層側磁性部２５１以外の部分が、反表層側磁性部２５２に相当する。そのため、表層側磁性部２５１内にはインダクタ配線３０が設けられていない一方、反表層側磁性部２５２内にはインダクタ配線３０が設けられていることになる。そして、表層側磁性部２５１の第３方向Ｄ３における寸法を表層側磁性部２５１の厚みＴ１１とした場合、厚みＴ１１は、第２磁性層２６の厚みＴ２と同程度である。すなわち、表層側磁性部２５１の厚みＴ１１は、「４５μｍ」以上且つ「５５μｍ」以下である。インダクタ配線３０の第３方向Ｄ３における寸法をインダクタ配線３０の厚みＴ５とした場合、表層側磁性部２５１の厚みはインダクタ配線３０の厚みＴ５と等しいと見なせる。そのため、インダクタ配線３０の厚みＴ５が厚いほど、第１磁性層２５の厚みＴ１が厚くなる。

第１磁性層２５は、鉄元素を含む金属磁性粉を含有する樹脂で構成されている。すなわち、第１磁性層２５は、鉄元素を含む金属磁性粉として、鉄の金属磁性粉、及び、鉄を含む合金の金属磁性粉のうち、少なくとも一方を含有している。鉄を含む合金としては、例えば、鉄とシリコンとクロムとを含む合金、鉄とニッケルとを含む合金、鉄とシリコンとアルミニウムとを含む合金を挙げることができる。また、鉄を含む合金としては、鉄コバルト系の合金であってもよい。以降の記載において、鉄元素を含む金属磁性粉を、「鉄系金属磁性粉」ともいう。

第１磁性層２５における鉄系金属磁性粉の充填率は、「５０ｗｔ％」以上且つ「９０ｗｔ％」以下である。ここでいう充填率とは、第１磁性層２５の全重量を分母とし、鉄系金属磁性粉の重量の合計を分子とした値である。第１磁性層２５に含まれる鉄系金属磁性粉の平均粒子径は、「１μｍ」以上且つ「１０μｍ」である。ここでいう平均粒子径とは、例えば、メディアン径「Ｄ５０」である。

平均粒子径の測定手法としては、例えば以下のような手法を挙げることができる。図３に示すような第１磁性層２５の断面において、互いに位置の異なる３箇所で、３０個以上の鉄系金属磁性粉を含む第１磁性層２５の断面の画像が取得される。断面の画像は、倍率が適切な大きさ（例えば、１０００倍）に調整されたＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によって取得される。そして、それらの画像から鉄系金属磁性粉の粒子径が、面積からの換算値として算出される。各粒子径のうち、昇順で並べた際に中央に位置する値（累積５０％値）が、平均粒子径とされる。

鉄系金属磁性粉を含む樹脂としては、エポキシ樹脂などの樹脂材料を挙げることができる。絶縁性や成形性を考慮すると、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂を、当該樹脂として採用することが好ましい。

第２磁性層２６は、鉄系金属磁性粉を含有していない。すなわち、第２磁性層２６は、鉄系金属磁性粉とは別の磁性材料を含有している。なお、金属磁性粉同士であっても、成分、組成比率、粒径及び含有量のうち少なくとも１つを変えることにより、別の磁性材料とすることができる。

さらに、第２磁性層２６は、樹脂を含有していない。本例では、第２磁性層２６は、磁性材料を焼結によって固めた焼結体である。
第２磁性層２６に含まれる磁性材料として、例えば、フェライトを用いることができる。この場合、フェライトの焼結体を第２磁性層２６とすることができる。このように焼結体を第２磁性層２６とした場合、第２磁性層２６は樹脂を含有していない。

フェライトとしては、例えば、ニッケル亜鉛フェライト、マンガン亜鉛フェライトを挙げることができる。ニッケル亜鉛フェライトやマンガン亜鉛フェライトといったフェライトは、金属磁性粉と比較して比透磁率が高く、且つ損失が小さいという特徴を有している。そのため、フェライトを規定部分２０に含有させることにより、インダクタ部品１０のインダクタンスの取得効率を高くできる。

なお、フェライトは、酸化鉄をベースにした材料である。すなわち、フェライトは、酸化物であり、金属ではない。
ここで、鉄系金属磁性粉を「第１磁性材料」と定義し、規定部分２０のうち、第１磁性材料を含有する部分を「第１磁性部」と定義する。また、フェライトを「第２磁性材料」と定義し、規定部分２０のうち、第２磁性材料を含有する部分を「第２磁性部」と定義する。この場合、本例では、第１磁性層２５が第１磁性部に相当し、第２磁性層２６が第２磁性部に相当する。すなわち、規定部分２０では、第１磁性部及び第２磁性部が層状をなしているといえる。

図４には、鉄系金属磁性粉とフェライトとにおける、磁気飽和密度と透磁率との関係が図示されている。磁性材料単体で見た場合、図４に示すように、鉄系金属磁性粉の比透磁率は、フェライトの比透磁率よりも低い。例えば、フェライトの比透磁率が「１０^３」以上であるのに対し、鉄系金属磁性粉の比透磁率は「１０^３」未満である。具体的には、鉄系金属磁性粉の一例である鉄の比透磁率は「５０００」程度である。

本例では、鉄系金属磁性粉を含有する第１磁性層２５は、比透磁率が「１０」程度となるように構成されている。また、フェライトを含有する第２磁性層２６は、比透磁率が「７５０」程度となるように構成されている。すなわち、第２磁性層２６の比透磁率は、「４００」以上であるとともに、第１磁性層２５の比透磁率の「１０倍」以上である。第１磁性層２５と第２磁性層２６とで比透磁率が「１０倍」以上異なっているため、第１磁性層２５の飽和磁束密度を、第２磁性層２６の飽和磁束密度よりも所定値程度大きくできる。所定値とは、「０．５（Ｔ）」以上且つ「０．８（Ｔ）」以下である。なお、ここで説明した比透磁率は、比透磁率の測定時の周波数を「１（ＭＨｚ）」とした場合の測定結果である。

次に、インダクタ部品１０の特性について説明する。
まずはじめに、図５を参照し、比較例のインダクタ部品１０Ｈについて説明する。
図５に示すように、比較例のインダクタ部品１０Ｈの規定部分２０Ｈは、第１磁性部を備えている一方で第２磁性部を備えていない。すなわち、規定部分２０Ｈの第２磁性層２６に相当する位置には、第２磁性材料を含有するものの第１磁性材料を含有しない第２磁性部が存在せず、第１磁性部が存在している。

図６には、本例のインダクタ部品１０のインダクタ３００の直流重畳特性曲線と、比較例のインダクタ部品１０Ｈのインダクタ３００Ｈの直流重畳特性曲線とが図示されている。直流重畳特性曲線とは、直流バイアス電流ＩＬの値とインダクタンスＬの相対値ΔＬとの関係を示す線である。すなわち、直流重畳特性曲線は、インダクタに「１００（ＭＨｚ）」の交流電流を流した場合に当該交流電流に重畳される直流バイアス電流ＩＬに対する値として示したものである。直流バイアス電流ＩＬとは、インダクタに入力される電流のうち、交流成分を除いた一定電流（すなわち、直流電流）の成分のことである。また、上記の交流電流は、本例のインダクタ部品１０及び比較例のインダクタ部品１０Ｈの何れもが磁気飽和しない程度の十分に小さい一定振幅を有する交流電流である。直流重畳特性曲線においては、横軸を直流バイアス電流ＩＬの値とし、縦軸をインダクタンスＬの相対値ΔＬとしている。

インダクタンスＬの相対値ΔＬとは、直流バイアス電流ＩＬの値が「０Ａ」である場合のインダクタンスＬの値を「１」としたとき、すなわち相対値ΔＬの基準値としたときのインダクタンスの相対値である。また、横軸である直流バイアス電流ＩＬにおける「０．３Ａ」以上の区間に渡って縦軸である相対値ΔＬにおける変動が「０．１」以内である領域を「定常領域」という。また、横軸における「０．３Ａ」未満の区間で縦軸における変動が「０．１」を超える領域を「遷移領域」という。

なお、図６における実線Ｓ３１は、本例のインダクタ部品１０のインダクタ３００における直流重畳特性曲線を示す。図６における破線Ｓ３２は、比較例のインダクタ部品１０Ｈのインダクタ３００Ｈにおける直流重畳特性曲線を示す。また、縦軸がインダクタンスＬの相対値ΔＬであるため、図６では表現されないが、インダクタ３００の直流重畳特性曲線において、直流バイアス電流ＩＬの値が「０Ａ」であるときのインダクタンスＬの値は、インダクタ３００Ｈの直流バイアス電流ＩＬの値が「０Ａ」であるときのインダクタンスＬの値よりも大きい。

図６に示すように、比較例のインダクタ部品１０Ｈのインダクタ３００Ｈにおける直流重畳特性曲線は、直流バイアス電流ＩＬの値が低い領域から値が高い領域の広範囲に亘る一つの定常領域ＲＳＨを有している。一方、本例のインダクタ部品１０のインダクタ３００における直流重畳特性曲線は、複数の定常領域ＲＳ１，ＲＳ２を有している。すなわち、インダクタ部品１０の複数の定常領域のうち、第１定常領域ＲＳ１は、直流バイアス電流ＩＬの値が比較的小さいときの定常領域であり、第２定常領域ＲＳ２は、直流バイアス電流ＩＬの値が比較的大きいときの定常領域である。第２定常領域ＲＳ２の下限となる直流バイアス電流ＩＬの値は、第１定常領域ＲＳ１の上限となる直流バイアス電流ＩＬの値よりも大きい。

そして、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１及び第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２は、それぞれ「０．３Ａ」以上である。定常領域の横軸における区間の幅とは、定常領域の下限となる直流バイアス電流ＩＬの値と当該定常領域の上限となる直流バイアス電流ＩＬの値との差である。なお、実際の直流重畳特性曲線では、定常領域の上下限の直流バイアス電流ＩＬの値を明確に設定することが難しい場合はあるが、区間の幅を厳密に求める必要はなく、区間の幅が「０．３Ａ」以上であるかどうか、他の定常領域と比較して区間の幅が広いか狭いかを判別できればよい。

本例では、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１は、第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２よりも広い。すなわち、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１は「０．５Ａ」以上であるのに対し、第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２は「０．５Ａ」未満である。

また例えば、第１定常領域ＲＳ１の下限となる直流バイアス電流ＩＬの値は「０」である。すなわち、第１定常領域ＲＳ１は、横軸における「０（Ａ）」を含む領域である。
また、本例のインダクタ部品１０のインダクタ３００の直流重畳特性曲線には、第１定常領域ＲＳ１と第２定常領域ＲＳ２との間に介在する遷移領域ＲＴが存在する。遷移領域ＲＴとは、横軸における「０．３（Ａ）」未満の区間で縦軸における変動が「０．１」を超える領域である。

第１定常領域ＲＳ１及び第２定常領域ＲＳ２のうち、横軸における区間の幅の広い方を「幅広定常領域」と定義した場合、遷移領域ＲＴの横軸における区間の幅ＷＴは、幅広定常領域の横軸における区間の幅よりも狭い。具体的には、遷移領域ＲＴの横軸における区間の幅ＷＴは、幅広定常領域の横軸における区間の幅の「１／３」以下である。本例では、図６からも明らかなように第１定常領域ＲＳ１が幅広定常領域に該当する。そのため、遷移領域ＲＴの横軸における区間の幅ＷＴは、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１の「１／３」以下となる。

次に、図７を参照し、本例のインダクタ部品１０を備えるＤＣＤＣコンバータ７０について説明する。
図７に示すように、ＤＣＤＣコンバータ７０は、インダクタ部品１０と、直流電源８０とインダクタ部品１０とを電気的に接続する配線７１に設けられるスイッチング素子７２を備えている。配線７１には、グランドに接続される配線７３が接続されており、当該配線７３にはスイッチング素子７４が配置されている。また、インダクタ部品１０と負荷抵抗８１とを繋ぐ配線７５には、グランドに接続される配線７６が接続されており、当該配線７６にはコンデンサ７７が配置されている。各スイッチング素子７２，７４としては、例えば、ＭＯＳ－ＦＥＴを挙げることができる。

この場合、各スイッチング素子７２，７４のオン・オフを制御することにより、直流電源８０からＤＣＤＣコンバータ７０のインダクタ部品１０に入力される直流電圧の大きさを調整して出力できる。

本実施形態によれば、以下に示す作用及び効果を得ることができる。
（１－１）インダクタ部品１０のインダクタ３００の直流重畳特性曲線には、第１定常領域ＲＳ１と、第２定常領域ＲＳ２と、遷移領域ＲＴとが存在する。これは、直流バイアス電流ＩＬの値を「０」から徐々に大きくした場合、２段階で磁気飽和が発生することを意味している。すなわち、インダクタ３００の直流重畳特性曲線は、第１定常領域ＲＳ１及び第２定常領域ＲＳ２のうち、第１定常領域ＲＳ１では、磁気飽和する直流バイアス電流ＩＬの値は小さいがインダクタンスＬの値が高く、第２定常領域ＲＳ２では、インダクタンスＬの値は低いが、磁気飽和する直流バイアス電流ＩＬの値が高い、というものになる。インダクタ３００がこのような直流重畳特性曲線をもつようにインダクタ部品１０を構成することにより、例えば、ＤＣＤＣコンバータ７０のパワーインダクタとしてインダクタ部品１０が用いられた際、軽負荷時には第１定常領域ＲＳ１により、リップルの発生を抑制し、電圧変換の効率を向上させ、第２定常領域ＲＳ２により、大電流に対応できる。

（１－２）インダクタ部品１０のインダクタ３００の直流重畳特性曲線では、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１が「０．５Ａ」以上となっている。このように第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１を広くすることにより、直流バイアス電流ＩＬの値が第１定常領域ＲＳ１に含まれている状態で直流バイアス電流ＩＬの値が変動したとしても、直流バイアス電流ＩＬの値が第１定常領域ＲＳ１外に逸脱することの抑制効果を高くできる。なお、第１磁性層２５の鉄系金属磁性粉の含有率を調整することによって、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１の広さを調整できる。

（１－３）インダクタ部品１０のインダクタ３００の直流重畳特性曲線では、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１を第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２よりも広くしている。インダクタ部品１０を搭載するＤＣＤＣコンバータ７０の効率を考えた場合、直流バイアス電流ＩＬの値が大きい電流領域では、ＤＣＤＣコンバータ７０の効率に対するインダクタンスＬの寄与度が低い。そのため、インダクタンスＬの変動に起因する影響は、直流バイアス電流ＩＬの値が小さい場合におけるインダクタンスＬの変動に起因する影響よりも少ない。一方、直流バイアス電流ＩＬの値が小さい電流領域では、ＤＣＤＣコンバータ７０の効率に対するインダクタンスＬの寄与度が高い。そのため、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１を第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２よりも広くすることにより、インダクタ部品１０の性能を高くできる。

（１－４）インダクタ部品１０のインダクタ３００の直流重畳特性曲線では、遷移領域ＲＴの横軸における区間の幅ＷＴを、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１の「１／３」以下としている。このように遷移領域ＲＴの横軸における区間の幅ＷＴを狭くすることにより、インダクタ部品１０の性能を低下させるような直流バイアス電流ＩＬの値の領域を狭くできる。言い換えると、インダクタ部品１０を使用できる直流バイアス電流ＩＬの値の領域を広くできる。

（１－５）本体２００の規定部分２０に、比透磁率が「４００」以上となる磁性層を設けることにより、磁気飽和を発生しやすくすることができる。その結果、インダクタ部品１０のインダクタ３００の直流重畳特性曲線において、遷移領域ＲＴの幅ＷＴを狭くできる。

（１－６）インダクタ部品１０は、第１磁性材料を含有する第１磁性部と、第２磁性材料を含有する第２磁性部とを有している。インダクタ部品１０にあっては、鉄系金属磁性粉を含む第１磁性層２５が第１磁性部に該当し、フェライトを含む第２磁性層２６が第２磁性部に該当する。このような第１磁性部と第２磁性部とを規定部分２０が備えている場合、第１磁性部と第２磁性部との比率を調整することでインダクタ３００の直流重畳特性曲線を調整できる。その結果、インダクタ３００の直流重畳特性曲線に、直流バイアス電流ＩＬの値の領域の異なる複数の定常領域ＲＳ１，ＲＳ２を存在させることができる。

（１－７）本体２００の規定部分２０に、鉄系金属磁性粉を含む第１磁性層２５を設けることにより、インダクタ部品１０の重畳特性を良好なものとすることができる。
（１－８）本体２００の規定部分２０は、比透磁率が「１０倍」以上異なる複数の磁性層２５，２６を有している。これにより、第１磁性層２５の飽和磁束密度を、第２磁性層２６の飽和磁束密度よりも「０．５（Ｔ）」～「０．８（Ｔ）」程度大きくできる。このように比透磁率の差の大きい複数の磁性材料を規定部分２０に含有させることにより、インダクタンスＬの大きさ、各定常領域ＲＳ１，ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ１，ＷＳ２、及び、遷移領域ＲＴの横軸における区間の幅ＷＴをそれぞれ調整できる。

（１－９）インダクタ部品１０では、比透磁率の低い第１磁性層２５の厚みＴ１が、比透磁率の高い第２磁性層２６の厚みＴ２よりも厚い。これにより、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１を広くできる。

（１－１０）インダクタ部品１０では、第１磁性層２５に含まれる鉄系金属磁性粉の平均粒子が「１（μｍ）」以上且つ「１０（μｍ）」である。また、当該鉄系金属磁性粉の充填率は、「５０（ｗｔ％）」以上且つ「９０（ｗｔ％）」以下である。インダクタ部品１０のインダクタ３００に上記の交流電流が入力された場合に、インダクタ部品１０のインダクタンスＬの値を小さくでき、ひいてはインダクタ部品１０の大型化を抑制できる。

次に、図８～図１８を参照し、上記のインダクタ部品１０の製造方法の一例について説明する。ここで説明する製造方法は、インダクタ配線３０の形成にセミアディティブ法を利用する方法である。

図８に示すように、最初のステップＳＴ１１では、製造時シード層１０５が基板１００上に形成される。図９に示すように、基板１００は、板状をなしている。基板１００は、フェライトを焼結した焼結体である。詳しくは後述するが、基板１００によって、インダクタ部品１０の第２磁性層２６を構成できる。図９において、基板１００の上面を表面１０１とし、基板１００の下面を裏面１０２とする。そして、基板１００の表面１０１全体を覆うように、基板１００上に製造時シード層１０５が形成される。例えば、スパッタリングによって、銅を含む製造時シード層１０５が形成される。例えば、「２００ｎｍ」程度の厚みの製造時シード層１０５が形成される。詳しくは後述するが、製造時シード層１０５の一部が、インダクタ配線３０のシード層４１となる。

製造時シード層１０５の形成が完了すると、次のステップＳＴ１２が実行される。ステップＳＴ１２では、例えばフォトリソグラフィによって、図１０に示すように製造時シード層１０５上に第１保護膜１１０が形成される。この場合、製造時シード層１０５の表面全体にフォトレジストが塗布される。例えば、スピンコートによってフォトレジストが製造時シード層１０５上に塗布される。続いて、露光装置を用いた露光が実行される。これにより、フォトレジストのうち、導電層４２を形成する位置に対応する部分は後述する現像処理によって除去可能となり、それ以外の部分は硬化する。なお、フォトレジストとしてネガ型のレジストを採用する場合、当該フォトレジストのうち、露光された部分が硬化し、それ以外の部分が除去可能になる。一方、フォトレジストとしてポジ型のレジストを採用する場合、当該フォトレジストのうち、露光された部分が除去可能となり、それ以外の部分が硬化する。フォトレジストのうち、露光される部分を制御することにより、製造時シード層１０５上に付着している部分の一部分を硬化させることができる。続いて、現像液を用いた現像処理によって、図１０に示すように、フォトレジストのうち、導電層４２を形成する位置に対応する部分が除去される。また、フォトレジストのうち、硬化した部分は、第１保護膜１１０として製造時シード層１０５上に残る。このように第１保護膜１１０を製造時シード層１０５上にパターニングすることにより、配線パターンＰＴ１が形成される。配線パターンＰＴ１は、インダクタ部品１０のインダクタ配線３０の形状に応じた開口形状をなす。

第１保護膜１１０の形成が完了すると、次のステップＳＴ１３が実行される。ステップＳＴ１３では、配線パターンＰＴ１内に導電性材料を供給することによって、図１１に示すような導電層４２が形成される。例えば、硫酸銅水溶液を用いた電解銅めっきを行うことにより、製造時シード層１０５のうち露出している部分に主に銅が析出する。これにより、導電層４２が形成される。硫酸銅水溶液を用いるため、導電層４２には微量の硫黄が含まれることになる。製造時シード層１０５のうちの導電層４２が接触する部分と、導電層４２とにより、インダクタ配線３０が形成される。この際、インダクタ配線３０とともにダミー配線４３も形成される。なお、製造時シード層１０５のうち、導電層４２が接触する部分が、インダクタ配線３０のシード層４１となる。

表面上にインダクタ配線３０が形成される磁性層を「ベース磁性層」と定義した場合、基板１００がベース磁性層に相当する。そして、ステップＳＴ１１～ＳＴ１３の各処理が、「ベース磁性層上にインダクタ配線を形成する工程」に相当する。

導電層４２の形成が完了すると、次のステップＳＴ１４が実行される。ステップＳＴ１４では、例えばフォトリソグラフィによって、図１２に示すように第２保護膜１１５が形成される。この場合、第１保護膜１１０及び導電層４２を被覆するようにフォトレジストが塗布される。続いて、露光装置を用いた露光が実行される。これにより、フォトレジストのうち、インダクタ３００の垂直配線４５，４６を形成する位置に対応する部分は後述する現像処理によって除去可能となり、それ以外の部分は硬化する。続いて、現像液を用いた現像処理によって、フォトレジストのうち、硬化していない部分が除去され、硬化した部分が第２保護膜１１５として残る。このように第２保護膜１１５を第１保護膜１１０及び導電層４２上にパターニングすることにより、垂直パターンＰＴ２が形成される。垂直パターンＰＴ２は、垂直配線４５，４６の形状に応じた開口形状をなす。

第２保護膜１１５の形成が終了すると、次のステップＳＴ１５が実行される。ステップＳＴ１５では、図１３に示すように垂直配線４５，４６が形成される。例えば、硫酸銅水溶液を用いた電解銅めっきを行うことにより、垂直パターンＰＴ２内に導電性材料が供給されるため、垂直配線４５，４６を形成できる。この場合、ダミー配線４３を介してインダクタ配線３０に給電することにより、垂直パターンＰＴ２内に、導電性材料である銅が供給される。このように硫酸銅水溶液を用いる場合、垂直配線４５，４６には微少の硫黄が含まれることになる。

垂直配線４５，４６の形成が完了すると、次のステップＳＴ１６が実行される。ステップＳＴ１６では、図１４に示すように、除去処理が実行される。まずはじめに、剥離液を用いた処理によって、第１保護膜１１０及び第２保護膜１１５がそれぞれ除去される。各保護膜１１０，１１５の除去が完了すると、製造時シード層１０５のうち、第１保護膜１１０に接触していた部分が除去される。例えば、ウェットエッチングによって、製造時シード層１０５のうち、第１保護膜１１０に接触していた部分が除去される。これにより、製造時シード層１０５のうち、インダクタ配線３０のシード層４１となる部分のみが残ることになる。

除去処理が完了すると、次のステップＳＴ１７が実行される。ステップＳＴ１７では、第１磁性層２５が形成される。すなわち、図１５に示すように、基板１００に対して図中上方から磁性シート１２０が押し付けられる。このとき、基板１００に、図中上下方向に複数の磁性シート１２０を押し付けてもよい。磁性シート１２０を基板１００に押し付けた状態では、各垂直配線４５，４６の端面が磁性シート１２０に被覆されている。そのため、図１６に示すように各垂直配線４５，４６の端面が外部に露出するまで、磁性シート１２０が研削される。これにより、第１磁性層２５が形成される。

上述したように第１磁性層２５の比透磁率は、ベース磁性層に相当する基板１００（第２磁性層２６）の比透磁率と異なる。そして、ベース磁性層上に形成される磁性層のうち、ベース磁性層とは比透磁率が異なる磁性層を「載置磁性層」と定義した場合、第１磁性層２５が載置磁性層に相当する。また、ステップＳＴ１７では、ベース磁性層に相当する基板１００上に載置磁性層である第１磁性層２５を形成することにより、インダクタ配線３０が被覆される。よって、ステップＳＴ１７が、「載置磁性層をベース磁性層上に形成することによってインダクタ配線を被覆する工程」に相当する。

第１磁性層２５の形成が完了すると、次のステップＳＴ１８が実行される。ステップＳＴ１８では、図１７に示すように第１磁性層２５上に表層１１が形成される。例えば、トリフルオロメチル基とシルセスキオキサンとを含むポリイミドワニスをスピンコートによって第１磁性層２５上に塗布することにより、表層１１を形成できる。この状態では、各垂直配線４５，４６も表層１１で覆われた状態となる。そこで、表層１１のうち、外部端子５１，５２が形成される位置の各々に、貫通孔１３が形成される。例えば、レーザを表層１１に照射することによって、貫通孔１３を形成できる。なお、表層１１を形成する場合、フォトリソグラフィによって図中上面に上記ポリイミドワニスをパターニングすることにより、表層１１を形成してもよい。この場合、フォトリソグラフィによって貫通孔１３を有する表層１１を形成できるため、レーザを用いて貫通孔１３を形成する工程を省略できる。

表層１１の形成が完了すると、次のステップＳＴ１９が実行される。ステップＳＴ１９では、図１７に示すように、各外部端子５１，５２が形成される。すなわち、ステップＳＴ１９が、「インダクタ配線と電気的に接続される外部端子を形成する工程」に相当する。

外部端子５１，５２の形成が完了すると、次のステップＳＴ２０が実行される。ステップＳＴ２０では、図１８に示すように、ステップＳＴ１１～ＳＴ１９までの処理で作成した製造物が、ダイシングなどによって個片化される。これにより、複数のインダクタ部品１０が製造される。そして、インダクタ部品１０の製造方法を構成する一連の処理が終了される。

すなわち、本製造方法によれば、第１磁性層２５と第２磁性層２６とを形成することにより、本体２００の規定部分２０が形成される。そして、規定部分２０に表層１１を形成することにより、本体２００が形成される。

本製造方法では、第１磁性層２５及び第２磁性層２６を形成するに際し、以下の項目（Ａ１）～（Ａ７）のうち少なくとも１つを異ならせる。これにより、インダクタ３００の直流重畳特性曲線に、定常領域として第１定常領域ＲＳ１及び第２定常領域ＲＳ２を存在させ、第１定常領域ＲＳ１と第２定常領域ＲＳ２との間に遷移領域ＲＴを存在させることができる。
（Ａ１）第１磁性層２５の比透磁率と第２磁性層２６の比透磁率。
（Ａ２）第１磁性層２５の体積と第２磁性層２６の体積。
（Ａ３）第１磁性層２５とインダクタ３００（特に、インダクタ配線３０）との位置関係と、第２磁性層２６とインダクタ３００（特に、インダクタ配線３０）との位置関係。
（Ａ４）第１磁性層２５が含有する磁性材料の組成と、第２磁性層２６が含有する磁性材料の組成。
（Ａ５）第１磁性層２５が含有する磁性材料の粒径と、第２磁性層２６が含有する磁性材料の粒径。
（Ａ６）第１磁性層２５が含有する磁性材料の組成と、第２磁性層２６が含有する磁性材料の組成。
（Ａ７）第１磁性層２５における磁性材料の含有量と、第２磁性層２６における磁性材料の含有量。

（第２実施形態）
次に、インダクタ部品及び製造方法の第２実施形態を図１９～図２６に従って説明する。以下の説明においては、第１実施形態と相違している部分について主に説明するものとし、第１実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

図１９は、第３方向Ｄ３と直交する方向で各垂直配線４５，４６を切断した場合のインダクタ部品１０Ａの断面を示す図である。図２０は、図１９に一点鎖線で示す線ＬＮ３でインダクタ部品１０Ａを切断した場合の断面を示す図である。線ＬＮ３は、第１方向Ｄ１に延びる直線である。すなわち、図２０に示す断面は、第２方向Ｄ２と直交する面である。

図１９及び図２０に示すように、インダクタ部品１０Ａは、本体２００Ａと、インダクタ３００とを備えている。本体２００Ａは、規定部分２０Ａと、表層１１とを有している。インダクタ３００は、インダクタ配線３０、各垂直配線４５，４６及び各外部端子５１，５２を有している。

規定部分２０Ａは、第３方向Ｄ３と直交する第１方向Ｄ１に配列されている第１領域部７１０及び第２領域部７２０を有している。第１領域部７１０内に、インダクタ配線３０のうち、配線本体３３の一部分と、第１端部３１とが位置している。第２領域部７２０内に、インダクタ配線３０のうち、配線本体３３の残りの部分と、第２端部３２とが位置している。

第１領域部７１０は、第３方向Ｄ３に積層されている複数の層を有している。複数の層のうち、第１磁性層７１１は、インダクタ配線３０及び垂直配線４５を内包している。また、第１磁性層７１１は、表層１１に接触している。複数の層のうち、第１磁性層７１２は、第１磁性層７１１を挟んで表層１１の反対側に配置されている。複数の層のうち、第１絶縁層７１３は、第１磁性層７１１と第１磁性層７１２との間に配置されている。本例では、第１絶縁層７１３は、図２０におけるインダクタ配線３０の下面に接触している。

第２領域部７２０は、第３方向Ｄ３に積層されている複数の層を有している。複数の層のうち、第２磁性層７２１は、インダクタ配線３０及び垂直配線４６を内包している。また、第２磁性層７２１は、表層１１に接触している。また、第２磁性層７２１は、第１領域部７１０の第１磁性層７１１に接触している。複数の層のうち、第２磁性層７２２は、第２磁性層７２１を挟んで表層１１の反対側に配置されている。また、第２磁性層７２２は、第１領域部７１０の第１磁性層７１２に接触している。複数の層のうち、第２絶縁層７２３は、第２磁性層７２１と第２磁性層７２２との間に配置されている。また、第２絶縁層７２３は、第１領域部７１０の第１絶縁層７１３と接触している。詳しくは、第２絶縁層７２３は第１絶縁層７１３と一体化しており、第２絶縁層７２３と第１絶縁層７１３とにより、一つの絶縁層を構成している。なお、本例では、第２絶縁層７２３は、図２０におけるインダクタ配線３０の下面に接触している。

各第１磁性層７１１，７１２は、第１磁性材料を含有する一方で、第２磁性材料を含有していない。各第２磁性層７２１，７２２は、第２磁性材料を含有する一方で、第１磁性材料を含有していない。

各第１磁性層７１１，７１２は、鉄系金属磁性粉を第１磁性材料として含有している。すなわち、各第１磁性層７１１，７１２は、鉄系金属磁性粉を含む樹脂で構成されている。

各第２磁性層７２１，７２２は、鉄系金属磁性粉とは別の磁性粉を第２磁性材料として含有している。すなわち、各第２磁性層７２１，７２２は、鉄系金属磁性粉とは別の磁性粉を含む樹脂で構成されている。鉄系金属磁性粉とは別の磁性粉としては、例えば、ニッケル、クロム、銅、アルミニウム、並びにこれらの合金を挙げることができる。また、各第２磁性層７２１，７２２は、金属磁性粉の代わりにフェライト粉を第２磁性材料として含有する樹脂で構成されたものであってもよい。

すなわち、本体２００Ａの規定部分２０Ａのうち、第１磁性材料を含有する部分を第１磁性部と定義し、第２磁性材料を含有する部分を第２磁性部と定義する。本例では、第１磁性層７１１，７１２が第１磁性部に対応し、第２磁性層７２１，７２２が第２磁性部に対応する。したがって、インダクタ部品１０Ａでは、第１磁性材料を含有する部分である第１磁性部と、第２磁性材料を含有する部分である第２磁性部とが、第３方向Ｄ３と直交する方向である第１方向Ｄ１で互いに接触している。

図２１には、図２０において一点鎖線で囲んだ部分Ｍを拡大した模式図である。図２１に示すように、第１磁性層７１１と第２磁性層７２１との境界では、第１磁性層７１１が含有する磁性粉Ｐ１が第２磁性層７２１内に入り込んだり、第２磁性層７２１が含有する磁性粉Ｐ２が第１磁性層７１１内に入り込んだりしている。そのため、第１磁性層７１１と第２磁性層７２１との境界が凹凸形状となる。

同様に、第１磁性層７１２と第２磁性層７２２との境界では、第１磁性層７１２が含有する磁性粉が第２磁性層７２２内に入り込んだり、第２磁性層７２２が含有する磁性粉が第１磁性層７１２内に入り込んだりしている。そのため、第１磁性層７１２と第２磁性層７２２との境界が凹凸形状となる。

第１絶縁層７１３及び第２絶縁層７２３は、非磁性の絶縁体である。第１絶縁層７１３及び第２絶縁層７２３は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーを含有している。第１絶縁層７１３及び第２絶縁層７２３の絶縁性能を高めるために、第１絶縁層７１３及び第２絶縁層７２３は、シリカフィラーなどの絶縁フィラーを含有していてもよい。

本例のインダクタ部品１０Ａのインダクタ３００Ａにおける直流重畳特性曲線には、複数の定常領域が存在している。複数の定常領域のうち、第１定常領域ＲＳ１は、直流バイアス電流ＩＬの値が比較的小さいときの定常領域であり、第２定常領域ＲＳ２は、直流バイアス電流ＩＬの値が比較的大きいときの定常領域である。第２定常領域ＲＳ２の下限となる直流バイアス電流ＩＬの値は、第１定常領域ＲＳ１の上限となる直流バイアス電流ＩＬの値よりも大きい。そのため、インダクタ部品１０Ａによれば、上記第１実施形態と同等の効果を得ることができる。

次に、図２２～図２６を参照し、上記のインダクタ部品１０Ａの製造方法の一例の一部について説明する。
図８におけるステップＳＴ１１～ＳＴ１６までの処理を実行することにより、図２２に示すように、基板１００Ａ上にインダクタ配線３０が形成され、インダクタ配線３０に接続される各垂直配線４５，４６が形成される。本実施形態では、基板１００Ａとして、例えば、セラミックス板を挙げることができる。

各垂直配線４５，４６の形成が完了すると、次のステップでは、図２３に示すように、第１端部３１を含むインダクタ配線３０の一部及び垂直配線４５が被覆されるように、第１磁性材料を含有するペーストが基板１００Ａ上に塗布される。そして、当該ペーストが硬化する。当該ペーストの硬化物１３１が、第１磁性層７１１を構成する。続いて、図２４に示すように、第２端部３２を含むインダクタ配線３０の一部及び垂直配線４６が被覆されるように、第２磁性材料を含有するペーストが基板１００Ａ上に塗布される。そして、当該ペーストが硬化する。当該ペーストの硬化物１３２が、第２磁性層７２１を構成する。また、これにより、インダクタ配線３０が被覆される。

図２４に示す状態では、各垂直配線４５，４６の端面が外部に露出していない。そのため、図２５に示すように各垂直配線４５，４６の端面が外部に露出するように、各硬化物１３１，１３２が研削される。研削が完了すると、研削によって基板１００Ａが除去され、中間生成物１４０が形成される。

基板１００Ａの除去が完了すると、次のステップでは、第１絶縁層７１３及び第２絶縁層７２３が形成される。例えば、トリフルオロメチル基とシルセスキオキサンとを含むポリイミドワニスをスピンコートによって中間生成物１４０に塗布することにより、第１絶縁層７１３及び第２絶縁層７２３を形成できる。これにより、インダクタ配線３０の図２５における下面が第１絶縁層７１３及び第２絶縁層７２３によって被覆される。

次のステップでは、第１磁性層７１２が形成される。例えば、第１絶縁層７１３上に第１磁性材料を含有するペーストが塗布される。当該ペーストは、硬化物１３１を形成したものと同じである。ここで塗布したペーストが硬化したものが硬化物１４１となる。そして、硬化物１４１の形状を整えることによって第１磁性層７１２が形成される。これにより、図２６に示すように、第１磁性層７１１，第１絶縁層７１３及び第１磁性層７１２を含む第１領域部７１０が形成される。

続いて、第２磁性層７２２が形成される。例えば、第２絶縁層７２３上に第２磁性材料を含有するペーストが塗布される。当該ペーストは、硬化物１３２を形成したものと同じである。ここで塗布したペーストが硬化したものが硬化物１４２となる。そして、硬化物１４２の形状を整えることによって第２磁性層７２２が形成される。これにより、図２６に示すように、第２磁性層７２１，第２絶縁層７２３及び第２磁性層７２２を含む第２領域部７２０が形成される。

その後、図２６に示すように表層１１が形成され、その後に各外部端子５１，５２が形成される。表層１１の形成手法及び各外部端子５１，５２の形成手法は、上記第１実施形態で説明した手法と同じである。

（第３実施形態）
次に、インダクタ部品及びＤＣＤＣコンバータの第３実施形態を図２７～図２９に従って説明する。以下の説明においては、第１実施形態と相違している部分について主に説明するものとし、第１実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。

図２７は、第３方向Ｄ３と直交する方向で各垂直配線４５，４６を切断した場合のインダクタ部品１０Ｂの断面を示す図である。図２８は、図２７に一点鎖線で示す線ＬＮ４でインダクタ部品１０Ｂを切断した場合の断面を示す図である。線ＬＮ４は第２方向Ｄ２に延びる直線である。すなわち、図２８に示す断面は、第１方向Ｄ１と直交する面である。

図２７及び図２８に示すように、インダクタ部品１０Ｂは、本体２００Ｂ内で互いに電気的に接続されていない複数のインダクタ３００１，３００２を有するアレイ型のインダクタ部品である。

各インダクタ３００１，３００２のうち、第１インダクタ３００１は、第１インダクタ配線３０１を有している。第１インダクタ配線３０１は、垂直配線４５が接続されている第１端部３１１と、垂直配線４６が接続されている第２端部３２１と、第１端部３１１と第２端部３２１とを繋ぐ配線本体３３１を有している。

各インダクタ３００１，３００２のうち、第２インダクタ３００２は、第２インダクタ配線３０２を有している。第２インダクタ配線３０２は、垂直配線４５が接続されている第１端部３１２と、垂直配線４６が接続されている第２端部３２２と、第１端部３１２と第２端部３２２とを繋ぐ配線本体３３２を有している。

なお、図２７では、インダクタ配線３０１に接続されているダミー配線、及び、インダクタ配線３０２に接続されているダミー配線の図示を省略している。
図２８に示すように、本体２００Ｂは、規定部分２０Ｂと、表層１１とを有している。規定部分２０Ｂは、第３方向Ｄ３に積層される複数の磁性層を有している。すなわち、規定部分２０Ｂは、表層１１に接触する第１磁性層２５Ｂ、第１磁性層２５Ｂを挟んで表層１１の反対側に位置する第２磁性層２６Ｂと、第１磁性層２５Ｂと第２磁性層２６Ｂとの間に介在する第３磁性層２７Ｂとを有している。第１磁性層２５Ｂ内に、各インダクタ配線３０１，３０２が設けられている。また、第１磁性層２５Ｂ内には、インダクタ配線３０１と第３磁性層２７Ｂとの間に介在する絶縁層５５１と、インダクタ配線３０２と第３磁性層２７Ｂとの間に介在する絶縁層５５２とが設けられている。各絶縁層５５１，５５２は、インダクタ配線３０１，３０２と第３磁性層２７Ｂとの双方に接触している。

第１磁性層２５Ｂは、鉄系金属磁性粉を第１磁性材料として含有している。例えば、第１磁性層２５Ｂは、鉄系金属磁性粉を含む樹脂によって構成されている。
第２磁性層２６Ｂは、鉄系金属磁性粉を含有していない一方で、第２磁性材料を含有している。例えば、第２磁性層２６Ｂは、フェライトを第２磁性材料として含有している。樹脂を含有しないものを第２磁性層２６Ｂとして採用してもよい。この場合、フェライトを焼結した焼結体を第２磁性層２６Ｂとして採用するとよい。

第３磁性層２７Ｂは、鉄系金属磁性粉及びフェライトを含有していない一方で、第３磁性材料を含有している。第３磁性材料としては、例えば、鉄や鉄合金以外の金属磁性粉を挙げることができる。本例では、第３磁性層２７Ｂは、比透磁率が「１」以上且つ「２」以下となるように構成されている。

規定部分２０Ｂのうち、第１磁性材料を含有する部分を「第１磁性部」と定義し、第２磁性材料を含有する部分を「第２磁性部」と定義し、第３磁性材料を含有する部分を「第３磁性部」と定義する。この場合、本例では、第１磁性層２５Ｂが第１磁性部に相当し、第２磁性層２６Ｂが第２磁性部に相当する。そして、第３磁性層２７Ｂが第３磁性部に相当する。すなわち、第３磁性層２７Ｂは、層状をなす第３磁性部である。

第１磁性層２５Ｂは、表層側磁性部２５１と、反表層側磁性部２５２とに区分できる。主面１２と平行な平面のうち、各インダクタ配線３０１，３０２と垂直配線４５との境界を含む平面を境界平面とした場合、第１磁性層２５Ｂのうち、境界平面よりも表層１１側の部分が表層側磁性部２５１である。第１磁性層２５Ｂのうち、境界平面よりも第３磁性層２７Ｂ側の部分が反表層側磁性部２５２である。表層側磁性部２５１の厚みＴ１１を、第２磁性層２６Ｂの厚みＴ２と同等とすることが好ましい。これにより、各インダクタ配線３０１，３０２の厚みＴ５が厚いほど、第１磁性層２５Ｂの厚みＴ１が厚くなる。なお、第１磁性層２５Ｂの厚みＴ１を第２磁性層２６Ｂの厚みＴ２よりも厚くできるのであれば、表層側磁性部２５１の厚みＴ１１は、第２磁性層２６Ｂの厚みＴ２よりも厚くてもよいし、厚みＴ２よりも薄くてもよい。

第３磁性層２７Ｂの第３方向Ｄ３における寸法を第３磁性層２７Ｂの厚みＴ３とした場合、第３磁性層２７Ｂの厚みＴ３は、第１磁性層２５Ｂの厚みＴ１及び第２磁性層２６Ｂの厚みＴ２の何れよりも薄い。

インダクタ部品１０Ｂのうち、第１インダクタ３００１を含む領域を第１インダクタ部品６０１と定義し、第２インダクタ３００２を含む領域を第２インダクタ部品６０２と定義したとする。上記構成によれば、第１インダクタ３００１の直流重畳特性曲線及び第２インダクタ３００２の直流重畳特性曲線の何れにも、第１定常領域ＲＳ１と、第２定常領域ＲＳ２と、遷移領域ＲＴとが存在している。そのため、インダクタ部品１０Ｂによれば、上記第１実施形態と同等の効果を得ることができる。

次に、図２９を参照し、上記のインダクタ部品１０Ｂを搭載するマルチフェーズ方式のＤＣＤＣコンバータ７０Ｂについて説明する。
ＤＣＤＣコンバータ７０Ｂは、ＶＲＭ９１と、スイッチング回路９２とを備えている。ＶＲＭとは、「Voltage Regulator Module」の略記である。ＶＲＭ９１とスイッチング回路９２とを繋ぐ配線９５には、入力端子９６が設けられている。すなわち、直流電源であるＶＲＭ９１に、入力端子９６が電気的に接続されている。ＤＣＤＣコンバータ７０Ｂでは、ＶＲＭ９１からの出力信号（電流）が入力端子９６及びスイッチング回路９２を介してインダクタ部品１０Ｂに入力される。スイッチング回路９２は、インダクタ部品１０Ｂにおけるインダクタ３００１，３００２と同数のスイッチング素子９２ａ，９２ｂを有している。各スイッチング素子９２ａ，９２ｂは並列に配置されている。スイッチング素子９２ａ，９２ｂとして、例えば、ＭＯＳ－ＦＥＴを挙げることができる。そして、インダクタ部品１０Ｂのインダクタ３００１，３００２には、各スイッチング素子９２ａ，９２ｂのうち、電気的に接続されているスイッチング素子を通じて信号（電流）が入力される。すなわち、スイッチング素子９２ａは、入力端子９６とインダクタ３００１とを電気的に接続する配線９７に設けられている。スイッチング素子９２ｂは、入力端子９６とインダクタ３００２とを電気的に接続する配線９８に設けられている。

第１インダクタ３００１に電気的に接続されているスイッチング素子を「第１スイッチング素子」と定義し、第２インダクタ３００２に電気的に接続されているスイッチング素子を「第２スイッチング素子」と定義する。この場合、スイッチング素子９２ａが第１スイッチング素子に相当し、スイッチング素子９２ｂが第２スイッチング素子に相当する。

ＤＣＤＣコンバータ７０Ｂには、インダクタ部品１０Ｂから出力された電流の大きさを基に、各スイッチング素子９２ａ，９２ｂのオン・オフを制御するコントローラ９３が設けられている。すなわち、コントローラ９３によって、各インダクタ３００１，３００２のうち、電流を入力するインダクタが選択される。

例えば、コントローラ９３は、スイッチング素子９２ａのオン及びオフと、スイッチング素子９２ｂのオン及びオフの位相を「３６０°／Ｎ（Ｎは２以上の自然数）」ずらすことが可能に構成されている。

（変更例）
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

・第１実施形態において、本体２００の規定部分２０は、複数の層を第３方向Ｄ３に積層した構成であれば、絶縁層を備える構成であってもよい。この場合、規定部分２０では、第１磁性層２５と第２磁性層２６との間に絶縁層が配置していてもよい。また、絶縁層は、インダクタ配線３０に接触していてもよいし、インダクタ配線３０に接触していなくてもよい。

なお、インダクタ配線３０に接触する絶縁層を規定部分２０内に設けた場合、絶縁層の一部分が第１磁性層２５内に位置するのであれば、絶縁層の残りの部分が第２磁性層２６内に位置していてもよい。

・第１実施形態及び第２実施形態において、インダクタ部品１０，１０Ａは、絶縁膜で被覆されたインダクタ配線３０を規定部分２０，２０Ａ内に設けた構成であってもよい。この場合、垂直配線は、当該絶縁膜を貫通するビアと、規定部分２０，２０Ａ内に位置する柱状配線とを有することになる。

・第１実施形態において、規定部分２０は、３つ以上の磁性層を積層した積層体であってもよい。この場合、各磁性層が、互いに異なる磁性材料を含有する構成とすることにより、インダクタの直流重畳特性曲線に３つ以上の定常領域が存在するようにインダクタ部品１０を構成することも可能である。この場合、横軸において互いに隣り合う各定常領域の間に遷移領域が介在することになる。

・第２実施形態において、本体２００Ａの規定部分２０Ａは、第１方向Ｄ１に配列される３つ以上の磁性部を有する構成であってもよい。この場合、各磁性部が、互いに異なる磁性材料を含有する構成とすることにより、インダクタ３００の直流重畳特性曲線に３つ以上の定常領域が存在するインダクタ部品１０Ａを構成することも可能である。

・第２実施形態において、本体２００Ａの規定部分２０Ａは、第２方向Ｄ２に配列される複数の磁性部を有する構成であってもよい。この場合、各磁性部が、互いに異なる磁性材料を含有する構成とすることにより、インダクタ３００Ａの直流重畳特性曲線に複数の定常領域を存在させることができる。

・第２実施形態において、本体２００Ａの規定部分２０Ａを、第２領域部７２０と第１領域部７１０との境界が図３０に示すような状態となる構成としてもよい。すなわち、第１磁性層７１１と第２磁性層７２１との境界と、第１磁性層７１２と第２磁性層７２２との境界とが、第１方向Ｄ１でずれていてもよい。

・第２実施形態において、本体２００Ａの規定部分２０Ａ内には、第１絶縁層７１３及び第２絶縁層７２３を設けなくてもよい。
・第２実施形態において、第１磁性層７１２及び第２磁性層７２２を、同じ材料で構成してもよい。この場合、第１磁性層７１２と第２磁性層７２２との区別がなくなる。

・第３実施形態において、本体２００Ｂの規定部分２０Ｂ内には、図３１に示すように、インダクタ配線３０１，３０２に接触する絶縁層５５１，５５２を設けなくてもよい。
・第３実施形態において、第１磁性層２５Ｂと第２磁性層２６Ｂとの間に位置する第３磁性層２７Ｂの比透磁率は、「２」よりも大きくてもよい。

・第３実施形態において、第１磁性層２５Ｂと第２磁性層２６Ｂとの間には、第３磁性層２７Ｂの代わりに絶縁層を介在させてもよい。
・第３実施形態において、本体２００Ｂの規定部分２０Ｂは、４つ以上の磁性層を積層した積層体であってもよい。この場合、図３１に示すように、第１磁性層２５Ｂと第２磁性層２６Ｂ以外の残りの各磁性層２８Ｂ，２９Ｂの厚みを、第２磁性層２６の厚みＴ２と同程度としてもよい。また、残りの各磁性層２８Ｂ，２９Ｂの厚みを、第２磁性層２６の厚みＴ２よりも厚くしてもよい。

・第３実施形態において、本体２００Ｂの規定部分２０Ｂは、複数の磁性部を有する構成であれば、複数の磁性層を積層した構成以外の他の構成であってもよい。例えば、図３２に示すように、各インダクタ配線３０１，３０２が載置された基板２６Ｂ１と、基板２６Ｂ１、各インダクタ配線３０１，３０２及び各垂直配線４５，４６を封止する封止体２５Ｂ１とにより、規定部分２０Ｂを構成してもよい。この場合、例えば、フェライトの焼結体を基板２６Ｂ１として採用し、鉄系金属磁性粉を含む樹脂で封止体２５Ｂ１を構成する。これにより、各インダクタ３００１，３００２の直流重畳特性曲線に、第１定常領域ＲＳ１と第２定常領域ＲＳ２とを存在させることができる。この場合、封止体２５Ｂ１が第１磁性部に該当し、基板２６Ｂ１が第２磁性部に相当する。

・各実施形態において、外部端子は、積層体でなくてもよい。
・各実施形態において、インダクタ配線は、上記各実施形態で説明した形状とは異なる形状であってもよい。インダクタ配線は、電流が流れた場合に周囲に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与できるものであれば、その構造、形状、材料などに特に限定はない。インダクタ配線は、「１ターン」以上のスパイラル状、「１．０ターン」未満の曲線状、蛇行するミアンダ状などの公知の様々な配線形状の配線であってもよい。

ここで、インダクタ配線のターン数は、仮想ベクトルに基づいて定められる。仮想ベクトルの始点は、インダクタ配線の配線幅中央を通ってインダクタ配線の延伸方向に延びる仮想中心線上に配置されている。そして、仮想ベクトルは、第３方向Ｄ３から見たときにインダクタ配線の延伸方向に延びる仮想中心線に接している。仮想ベクトルの始点を仮想中心線の一方の端に配置した状態から、始点を仮想中心線の他方の端まで移動させたときに、仮想ベクトルの向きが回転した角度が「３６０°」のときに、ターン数は「１．０ターン」として定められている。したがって、例えば「１８０°」巻回されると、ターン数は「０．５ターン」となる。

・第１実施形態において、インダクタ部品１０のインダクタ３００の直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、第２磁性層２６は、フェライトの焼結体でなくてもよい。例えば、第２磁性層２６は、フェライトを含有する樹脂で構成したものであってもよい。また、第２磁性層２６は、鉄や鉄合金以外の他の金属磁性粉を含有する磁性層であってもよい。

・第１磁性層の組成と第２磁性層の組成とが実質的に同じであってもよい。この場合であっても、上記項目（Ａ１）～（Ａ５）及び（Ａ７）のうち少なくとも１つを調整することにより、インダクタの直流重畳特性曲線の形状を調整できる。

・第２実施形態において、インダクタ部品１０Ａのインダクタ３００の直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、第２磁性層７２１，７２２は、フェライト以外の磁性材料を含有するものであってもよい。例えば、第２磁性層７２１，７２２は、鉄や鉄合金以外の他の金属を磁性粉として含有するものであってもよい。

・第１実施形態及び第３実施形態において、インダクタ部品のインダクタの直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、比透磁率の低い第１磁性層２５，２５Ｂの厚みＴ１を、比透磁率の高い第２磁性層２６，２６Ｂの厚みＴ２よりも厚くしなくてもよい。例えば、第１磁性層２５，２５Ｂの厚みＴ１を第２磁性層２６，２６Ｂの厚みＴ２と同程度としてもよいし、第１磁性層２５，２５Ｂの厚みＴ１を第２磁性層２６，２６Ｂの厚みＴ２よりも薄くしてもよい。

・第１実施形態及び第３実施形態において、インダクタ部品のインダクタの直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、第１磁性層２５，２５Ｂの比透磁率と、第２磁性層２６，２６Ｂの比透磁率との乖離が「１０倍」未満であってもよい。

・第１実施形態及び第３実施形態において、インダクタ部品のインダクタの直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、規定部分２０，２０Ｂは、比透磁率が「４００」以上となる磁性層を有していなくてもよい。

・第１実施形態及び第３実施形態において、インダクタ部品のインダクタの直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、規定部分２０，２０Ｂを構成する全ての磁性層の比透磁率が「４００」以上であってもよい。

・第１実施形態及び第３実施形態において、インダクタ部品のインダクタの直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、第１磁性層２５，２５Ｂに含まれる鉄系金属磁性粉の平均粒子径は、「１（μｍ）」以下であってもよいし、「１０（μｍ）」以上であってもよい。

・第１実施形態及び第３実施形態において、インダクタ部品のインダクタの直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、第１磁性層２５，２５Ｂにおける鉄系金属磁性粉の充填率は、「５０（ｗｔ％）」未満であってもよいし、「９０（ｗｔ％）」以上であってもよい。

・第１実施形態及び第３実施形態において、インダクタ部品のインダクタの直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、第２磁性層２６，２６Ｂは、鉄系金属磁性粉も含んでいてもよい。

・第１実施形態及び第３実施形態において、インダクタ部品のインダクタの直流重畳特性曲線に複数の定常領域が存在するのであれば、第１磁性層２５，２５Ｂを、鉄系金属磁性粉を含まない磁性層とし、第２磁性層２６，２６Ｂを、鉄系金属磁性粉を含む磁性層としてもよい。

・各実施形態において、インダクタ部品では、第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２が第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１よりも狭くなくてもよい。例えば、第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２が第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１と同等であってもよい。また例えば、第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２が第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１よりも広くてもよい。そして、第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２が第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１よりも広い場合、第１定常領域ＲＳ１と第２定常領域ＲＳ２との間に介在する遷移領域ＲＴの横軸における区間の幅ＷＴを、第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２よりも狭くするとよい。より好ましくは、遷移領域ＲＴの横軸における区間の幅ＷＴを、第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２の「１／３」以下とする。

・各実施形態において、第２定常領域ＲＳ２の横軸における区間の幅ＷＳ２が「０．５Ａ」以上であってもよい。また、この場合、第１定常領域ＲＳ１の横軸における区間の幅ＷＳ１は、「０．３Ａ」以上且つ「０．５Ａ」未満であってもよい。

・各実施形態において、第１定常領域ＲＳ１は、横軸における「０Ａ」を含まない領域であってもよい。
・各実施形態において、インダクタ部品の本体は、表層１１を備えていなくてもよい。

・第３実施形態において、インダクタ部品は、３つ以上のインダクタを備える構成であってもよい。
・第３実施形態において、インダクタ部品は、第３方向Ｄ３に複数のインダクタ配線が配列された構成であってもよい。

・インダクタ部品１０を搭載するＤＣＤＣコンバータは、第１実施形態で説明したＤＣＤＣコンバータ７０とは別の構成であってもよい。
・インダクタ部品１０Ｂを搭載するマルチフェーズ方式のＤＣＤＣコンバータは、第３実施形態で説明したＤＣＤＣコンバータ７０Ｂとは別の構成であってもよい。

・上記インダクタ部品は、ＤＣＤＣコンバータ以外の他の電子機器に搭載してもよい。
・インダクタ部品は、セミアディティブ法を利用しない他の製造方法で製造したものであってもよい。例えば、インダクタ部品は、シート積層工法、印刷積層工法などを用いて製造したものであってもよい。インダクタ配線は、スパッタリング、蒸着などの薄膜法、印刷・塗布などの厚膜法、フルアディティブ、サブトラクティブなどのめっき工法で形成したものであってもよい。

１０，１０Ａ，１０Ｂ…インダクタ部品
１１…表層
１２…主面
２０，２０Ａ，２０Ｂ…規定部分
２１…第１規定主面
２２…第２規定主面
２３…規定非主面
２５，２５Ｂ，７１１，７１２…第１磁性層
２５Ｂ１…封止体
２６，２６Ｂ，７２１，７２２…第２磁性層
２６１…主面
２６Ｂ１…基板
２７Ｂ…第３磁性層
２８Ｂ…磁性層
２９Ｂ…磁性層
３０，３０１，３０２…インダクタ配線
４１…シード層
４２…導電層
４５，４６…垂直配線
５１，５２…外部端子
７０，７０Ｂ…ＤＣＤＣコンバータ
７１，７３，７５，７６…配線
７２，７４…スイッチング素子
７７…コンデンサ
８０…直流電源
８１…負荷抵抗
９１…ＶＲＭ
９２…スイッチング回路
９２ａ，９２ｂ…スイッチング素子
９３…コントローラ
９５，９７，９８…配線
９６…入力端子
２００，２００Ａ，２００Ｂ…本体
３００，３００１，３０００２，３００Ａ…インダクタ
７１３…第１絶縁層
７２３…第２絶縁層

Claims (19)

1. 鉄元素を含む金属磁性粉を含有する本体と、前記本体内に設けられ、両端が前記本体から露出しているインダクタと、を備え、
   前記インダクタに「１００ＭＨｚ」の交流電流を流した場合に前記交流電流に重畳される直流バイアス電流に対する値として示した直流重畳特性曲線について、横軸を前記直流バイアス電流の値とし、縦軸を前記直流バイアス電流の値が「０Ａ」であるときに発生するインダクタンスの値を「１」とした際の前記インダクタンスの相対値とし、前記横軸における「０．３Ａ」以上の区間に渡って前記縦軸における変動が「０．１」以内である領域を定常領域とし、前記横軸における「０．３Ａ」未満の区間で前記縦軸における変動が「０．１」を超える領域を遷移領域とした場合、
   前記直流重畳特性曲線では、前記定常領域として第１定常領域及び第２定常領域が存在し、前記第１定常領域と前記第２定常領域との間に前記遷移領域が存在する
   インダクタ部品。
2. 前記第１定常領域は、前記横軸における「０Ａ」を含む領域である
   請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記第１定常領域及び前記第２定常領域のうちの少なくとも一方の前記横軸における区間の幅は、「０．５Ａ」以上である
   請求項１に記載のインダクタ部品。
4. 前記第１定常領域の前記横軸における区間の幅は、前記第２定常領域の前記横軸における区間の幅よりも長い
   請求項１～請求項３のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
5. 前記遷移領域の前記横軸における区間の幅は、前記第１定常領域の前記横軸における区間の幅の「１／３」以下である
   請求項４に記載のインダクタ部品。
6. 前記本体は、第１磁性材料を含有する第１磁性部と、前記第１磁性材料とは別の第２磁性材料を含有する第２磁性部と、を有し、
   前記第１磁性材料は前記鉄元素を含む金属磁性粉を含有する
   請求項１～請求項５のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
7. 前記第１磁性部及び前記第２磁性部は、層状である
   請求項６に記載のインダクタ部品。
8. 前記鉄元素を含む金属磁性粉の平均粒子径は、「１μｍ」以上且つ「１０μｍ」以下であり、
   前記第１磁性部は、前記鉄元素を含む金属磁性粉を「５０ｗｔ％」以上且つ「９０ｗｔ％」以下含む樹脂である
   請求項６又は請求項７に記載のインダクタ部品。
9. 前記本体は、前記第１磁性部及び前記第２磁性部を含む複数の層を積層した部分を有し、
   前記インダクタは、前記本体内で、複数の前記層のうちの１つの層の主面に沿って伸びるインダクタ配線を有し、
   前記第１磁性部は、前記インダクタ配線に接触しており、
   複数の前記層の積層方向において、前記インダクタ配線は、前記第１磁性部と前記第２磁性部とに挟まれている
   請求項７に記載のインダクタ部品。
10. 前記第２磁性部は、磁性材料を焼結した焼結体である
    請求項６～請求項９のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
11. 前記本体は、前記層として第３磁性部を有しており、
    前記第３磁性部は、前記第１磁性部が含有する第１磁性材料、及び、前記第２磁性部が含有する第２磁性材料とは別の第３磁性材料を含有する
    請求項９に記載のインダクタ部品。
12. 複数の前記層のうち、少なくとも一つの層の比透磁率は、「４００」以上である
    請求項９又は請求項１１に記載のインダクタ部品。
13. 複数の前記層のうち、少なくとも一つの層の比透磁率が「１」以上且つ「２」以下である
    請求項９、請求項１１及び請求項１２のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
14. 複数の前記層は、比透磁率が互いに「１０倍」以上異なる複数の層を含む
    請求項９及び請求項１１～請求項１３のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
15. 複数の前記層は、比透磁率が互いに異なる２つの層を含み、当該２つの層のうち、比透磁率の低い前記層は、比透磁率の高い前記層よりも厚い
    請求項９及び請求項１１～請求項１４のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
16. 前記インダクタを第１インダクタとした場合、
    前記本体内に設けられ、前記第１インダクタとは電気的に接続されていない第２インダクタをさらに備える
    請求項１～請求項１５のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
17. 請求項１～請求項１６のうち何れか一項に記載のインダクタ部品を備える
    ＤＣＤＣコンバータ。
18. 請求項１６に記載のインダクタ部品と、
    直流電源に電気的に接続される入力端子と、
    前記入力端子と前記第１インダクタとを電気的に接続する配線に設けられている第１スイッチング素子と、
    前記入力端子と前記第２インダクタとを電気的に接続する配線に設けられている第２スイッチング素子と、
    前記第１スイッチング素子のオン及びオフと、前記第２スイッチング素子のオン及びオフとの位相を「３６０°／Ｎ（Ｎは２以上の自然数）」ずらすことが可能に構成されているコントローラと、を備える
    ＤＣＤＣコンバータ。
19. 鉄元素を含む金属磁性粉を含有する本体と、前記本体内に設けられ、両端が前記本体から露出するインダクタと、を備えるインダクタ部品を製造するに際し、
    前記インダクタに「１００ＭＨｚ」の交流電流を流した場合に前記交流電流に重畳される直流バイアス電流に対する値として示した直流重畳特性曲線について、横軸を前記直流バイアス電流の値とし、縦軸を前記直流バイアス電流の値が「０Ａ」であるときに発生するインダクタンスの値を「１」とした際の前記インダクタンスの相対値とし、前記横軸における「０．３Ａ」以上の区間に渡って前記縦軸における変動が「０．１」以内である領域を定常領域とし、前記横軸における「０．３Ａ」未満の区間で前記縦軸における変動が「０．１」を超える領域を遷移領域とした場合、
    前記鉄元素を含む金属磁性粉を第１磁性材料として含有する第１磁性部と、前記金属磁性粉とは別の第２磁性材料を含有する第２磁性部とを形成することにより、前記本体を形成し、
    前記第１磁性部と前記第２磁性部とについて、比透磁率、体積、前記インダクタとの位置関係、前記第１磁性部及び前記第２磁性部が含有する磁性材料の組成、前記磁性材料の粒径、前記磁性材料の含有量の少なくとも一つを異ならせることによって、前記直流重畳特性曲線に、前記定常領域として第１定常領域及び第２定常領域が存在し、前記第１定常領域と前記第２定常領域との間に前記遷移領域が存在するようにする
    インダクタ部品の製造方法。

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