WO2014047964A1 - 有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备方法 - Google Patents

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organic electroluminescent
electroluminescent diode
active matrix
substrate
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吴元均
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Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to the field of organic electroluminescent diodes, and more particularly to an active matrix organic electroluminescent diode and a method of fabricating the same. Background technique
  • Organic Light Emitting Diode Display also known as organic electroluminescent diode
  • OLED Organic Light Emitting Diode Display
  • organic electroluminescent diode is a new display technology developed since the mid-20th century. Compared with liquid crystal displays, organic electroluminescent diodes have all solid state, active illumination, high brightness, high contrast, ultra-thin, low cost, low power consumption, fast response, wide viewing angle, wide operating temperature range, easy flexible display, etc. advantage.
  • the structure of an organic electroluminescent diode generally includes: a substrate, an anode, a cathode, and an organic functional layer.
  • the principle of light emission is a very thin multilayer organic material vapor-deposited between the anode and the cathode, and is injected into the organic semiconductor film by a positive carrier. The combination produces luminescence.
  • the organic functional layer of the organic electroluminescent diode is generally composed of three functional layers, namely a Hole Transmittion Layer (HTL), an Emissive Layer (EML), and an Electron Transmittion (Electron Transmittion). Layer, ETL).
  • Each functional layer may be one layer, or more than one layer, such as a hole transport functional layer, sometimes subdivided into a hole injection layer and a hole transport layer; an electron transport functional layer, which may be subdivided into an electron transport layer and an electron
  • the injection layer but its functions are similar, so it is collectively referred to as a hole transport functional layer and an electron transport functional layer.
  • the production method of full-color organic electroluminescent diode is mainly composed of red, green and blue (RGB) three-color parallel independent illumination method, white light plus color filter method and color conversion method, among which red, green and blue are juxtaposed.
  • the independent illuminating method has the most potential and is the most practical application.
  • the manufacturing method is that the red, green and blue light materials of different subjects and objects are selected.
  • Organic electroluminescent diodes can be classified into passive driving and active driving according to their driving methods. That is, direct addressing and thin film transistor (TFT) matrix addressing.
  • the active drive type organic electroluminescent diode is an active matrix organic light emitting device (AMOLED).
  • AMOLED active matrix organic light emitting device
  • the active matrix type organic electroluminescent diode display device includes: a TFT array 300 on which a substrate 100 is disposed on a substrate 100 , and is disposed on the TFT array 300 and electrically connected to the TFT array 300 .
  • the organic electroluminescent diode body 500 and the insulating layer 700 disposed between the TFT array 300 and the organic electroluminescent diode body 500 generally include an 8-12 layer structure, and the number of layers The more complicated the process, the more the number of masks used, the lower the production efficiency and product quality, and the higher the production cost. In addition, the area occupied by the storage capacitors is too small to reduce the opening of the pixel unit. rate. Therefore, the preparation method of the active matrix organic electroluminescent diode needs to be further improved. Summary of the invention
  • An object of the present invention is to provide an active matrix organic electroluminescent diode which is simple in process, low in cost, and has a large aperture ratio.
  • Another object of the present invention is to provide a method for preparing an active matrix organic electroluminescent diode which simplifies the production process, reduces production costs, and improves production efficiency and product quality.
  • the present invention provides an active matrix organic electroluminescent diode, comprising: an organic electroluminescent diode body and a thin film transistor electrically connected to the organic electroluminescent diode body, wherein the thin film transistor is formed on a substrate, comprising: a semiconductor layer formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the semiconductor layer, a gate formed on the gate insulating layer, a protective layer formed on the gate, and formed on the protective layer a source and a drain, the LED body includes an anode formed on the protective layer and electrically connected to the thin film transistor, an organic light emitting layer formed on the anode, and a cathode formed on the organic light emitting layer, the organic electricity
  • the light emitting diode bodies are staggered above the thin film transistor.
  • the gate is formed by a first metal layer through a mask process
  • the source and the drain are formed by a second metal layer through a mask process
  • an anode of the organic electroluminescent diode body passes through a mask through a transparent conductive layer.
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide layer.
  • the substrate is a glass or plastic substrate.
  • the reticle process includes an exposure, development, and etching process.
  • the present invention also provides an active matrix organic electroluminescent diode, comprising: an organic electroluminescent diode body and a thin film transistor electrically connected to the organic electroluminescent diode body, the thin film transistor being formed on a substrate, The semiconductor layer formed on the substrate, the gate insulating layer formed on the semiconductor layer, the gate formed on the gate insulating layer, the protective layer formed on the gate, and the source formed on the protective layer a drain electrode, the LED body includes an anode formed on the protective layer and electrically connected to the thin film transistor, an organic light emitting layer formed on the anode, and a cathode formed on the organic light emitting layer, the organic electroluminescent diode body Interleaved over the thin film transistor;
  • the gate is formed by a first metal layer through a mask process, and the source and the drain are
  • the second metal layer is formed by a photomask process, and an anode of the organic electroluminescent diode body is formed by a transparent conductive layer through a photomask process;
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide layer
  • the substrate is a glass or plastic substrate
  • the photomask process comprises an exposure, development and etching process.
  • the invention also provides a preparation method of an active matrix organic electroluminescent diode, comprising the following steps:
  • Step 1 Providing a substrate
  • Step 2 forming a semiconductor layer on the substrate
  • Step 3 forming a gate insulating layer on the semiconductor layer
  • Step 4 forming a first metal layer on the gate insulating layer, and forming a gate through a photomask process;
  • Step 5 forming a protective layer on the gate
  • Step 6 sequentially forming a transparent conductive layer and a second metal layer on the protective layer, and defining a metal conductive region and a light emitting region by a mask process, wherein the second metal layer forms a source and a drain located in the metal conductive region
  • the transparent conductive layer forms an anode of the organic electroluminescent diode body of the light emitting region, and the anode is electrically connected to the drain;
  • Step 7 Forming an illuminating layer and a cathode of the organic electroluminescent diode body on the anode of the organic electroluminescent diode body, thereby preparing an active matrix organic electroluminescent diode.
  • the substrate is a glass or plastic substrate.
  • the reticle process includes an exposure, development, and etching process.
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide layer.
  • the production efficiency reduces the production cost; and effectively increases the aperture ratio, thereby improving the quality of the active matrix organic electroluminescent diode.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a conventional active matrix organic electroluminescent diode
  • FIG. 2 is a plan view of the active matrix organic electroluminescent diode shown in FIG. 1
  • FIG. 3 is an active matrix organic
  • FIG. 4 is a plan view of the active matrix organic electroluminescent diode shown in FIG. 3
  • FIG. 5 is a flow chart of a method for fabricating the active matrix organic electroluminescent diode of the present invention.
  • the present invention provides an active matrix organic electroluminescent diode, comprising: an organic electroluminescent diode body 20 and a thin film transistor 40 electrically connected to the organic electroluminescent diode body 20,
  • the organic electroluminescent diode body 20 is staggered above the thin film transistor 40, thereby increasing the aperture ratio and improving the quality of the active matrix organic electroluminescent diode.
  • the thin film transistor 40 is formed on the substrate 42 and includes a semiconductor layer 43 formed on the substrate 42 , a gate insulating layer 44 formed on the semiconductor layer 43 , and a gate electrode 45 formed on the gate insulating layer 44 .
  • the substrate 20 is a transparent substrate. In the embodiment, the substrate 20 is a glass or plastic substrate.
  • the LED body 20 includes an anode 22 formed on the protective layer 46 and electrically connected to the thin film transistor 40, an organic light emitting layer 24 formed on the anode 22, and a cathode 26 formed on the organic light emitting layer 24,
  • the organic electroluminescent diode body 20 is staggered above the thin film transistor 40, thereby enabling the thin film transistor 40 to provide active driving for the organic electroluminescent diode body 20.
  • the gate electrode 45 is formed by a first metal layer through a mask process
  • the source electrode 47 and the drain electrode 48 are formed by a second metal layer through a mask process
  • the organic electroluminescent diode body is formed.
  • the anode 22 of 20 is formed by a transparent conductive layer through a mask process.
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide (ITO) layer.
  • the source 47, the drain 48 and the anode 22 of the organic electroluminescent diode body 20 are formed by a mask process.
  • the mask process includes an exposure, development, and etching process, the source 47, the drain 48, and the organic electroluminescent diode
  • the anode 22 of the body 20 may be formed by sequentially forming a transparent conductive layer and a second metal layer on the protective layer 46. After being exposed by a mask, the source 47 and the drain 48 are formed by a yellow etching.
  • the anode 22 of the organic electroluminescent diode body 20 is formed by a yellow photolithography. It saves a mask process, effectively shortens production time, reduces production costs, and saves a layer of insulation, further reducing production costs.
  • the present invention further provides a method for preparing an active matrix organic electroluminescent diode, comprising the following steps:
  • Step 1 Provide a substrate 42.
  • the substrate 42 is a transparent substrate.
  • the substrate 42 is a glass or plastic substrate.
  • Step 2 A semiconductor layer 43 is formed on the substrate 42.
  • An amorphous silicon layer is formed on the substrate 42 by chemical vapor deposition, and the amorphous silicon layer is converted into a polysilicon layer by an annealing process, and a predetermined pattern is formed on the polysilicon layer by a photomask process, thereby forming a semiconductor layer 43.
  • the reticle process includes processes such as exposure, development, and etching, which can employ any of the prior art.
  • Step 3 A gate insulating layer 44 is formed on the semiconductor layer 43.
  • Step 4 Form a first metal layer on the gate insulating layer 44, and form a gate 45 by a photomask process.
  • the first metal layer is copper (Cu), aluminum (A1), molybdenum (Mo), titanium (Ti) or a laminated structure thereof.
  • Step 5 A protective layer 46 is formed on the gate electrode 45.
  • Step 6 sequentially forming a transparent conductive layer and a second metal layer on the protective layer 46, and defining a metal conductive region and a light emitting region by a mask process, wherein the second metal layer forms a source 47 and a drain 48, which are transparent
  • the conductive layer forms the anode 22 of the organic electroluminescent diode body 20, and the anode 22 is electrically connected to the drain 48.
  • the transparent conductive layer and the second metal layer are sequentially formed, exposed through a mask, and then formed by a yellow etching process to form a source 47 and a drain 48, thereby defining a metal conduction region, and then defining a metal conduction region.
  • the anode 22 of the organic electroluminescent diode body 20 defines a light-emitting region by a yellow etching process.
  • the present invention saves a mask process, effectively shortens production time, reduces production cost, and eliminates An insulating layer further reduces production costs.
  • the light-emitting regions are staggered above the metal conduction region to effectively increase the aperture ratio. Improve the quality of active matrix organic electroluminescent diodes.
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide (ITO) layer.
  • ITO indium tin oxide
  • Step 7 The light-emitting layer 24 and the cathode 26 of the organic electroluminescent diode body 20 are formed on the anode 22 of the organic electroluminescent diode body 20, thereby producing an active matrix organic electroluminescent diode.
  • the anode of the body of the organic electroluminescent diode thereby defining a metal conduction region and a light-emitting region, reducing the use of an insulating layer, reducing the number of masks used, and improving the production of an active matrix organic electroluminescent diode display device Efficiency, reducing production costs; and effectively increasing the aperture ratio, improving the quality of active matrix organic electroluminescent diodes.

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Description

有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备方法 技术领域
本发明涉及有机电致发光二极管领域， 尤其涉及一种有源矩阵式有机 电致发光二极管及其制备方法。 背景技术
有机发光二极管或有机发光显示器 （Organic Light Emitting Diode Display, OLED ) 又称为有机电致发光二极管， 是自 20世纪中期发展起来 的一种新型显示技术。 与液晶显示器相比， 有机电致发光二极管具有全固 态、 主动发光、 高亮度、 高对比度、 超薄、 低成本、 低功耗、 快速响应、 宽视角、 工作温度范围宽、 易于柔性显示等诸多优点。 有机电致发光二极 管的结构一般包括： 基板、 阳极、 阴极和有机功能层， 其发光原理是通过 阳极和阴极间蒸镀的非常薄的多层有机材料， 由正负载流子注入有机半导 体薄膜后复合产生发光。 有机电致发光二极管的有机功能层， 一般由三个 功能层构成， 分別为空穴传输功能层 （Hole Transmittion Layer, HTL ) 、 发光功能层 （ Emissive Layer , EML ) 、 电子传输功能层 （ Electron Transmittion Layer, ETL ) 。 每个功能层可以是一层， 或者一层以上， 例 如空穴传输功能层， 有时可以细分为空穴注入层和空穴传输层； 电子传输 功能层， 可以细分为电子传输层和电子注入层， 但其功能相近， 故统称为 空穴传输功能层， 电子传输功能层。
目前， 全彩有机电致发光二极管的制作方法以红绿蓝 （RGB )三色并 列独立发光法、 白光加彩色滤光片法、 色转换法三种方式为主， 其中红绿 藍三色并列独立发光法最有潜力， 实际应用最多， 其制作方法是红绿蓝选 用不同主体和客体的发光材料。
有机电致发光二极管， 根据其驱动方式， 可以分为无源驱动和有源驱 动两大类。 即直接寻址和薄膜晶体管 （TFT ) 矩阵寻址两类。 所述有源驱 动类有机电致发光二极管即是有源矩阵式有机电致发光二极管 （ Active Matrix Organic Light Emitting Device, AMOLED ) 。 请参阅图 1及图 2, 所述有源矩阵式有机电致发光二极管显示装置包括： 基板 100设于基板 100上的 TFT阵列 300、 设于 TFT阵列 300上并电性连接于该 TFT阵列 300的有机电致发光二极管本体 500及设于该 TFT阵列 300与有机电致发 光二极管本体 500之间的绝缘层 700， 其一般包括 8-12层结构， 而层数越 多， 制程也就越复杂， 所用的掩模板数量也就越多， 其生产效率及产品质 量也就越低， 且生产成本也较高； 此外， 存储电容所占面积过大会降低像 素单元的开口率。 因此有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法有待进 一步改进。 发明内容
本发明的目的在于提供有源矩阵式有机电致发光二极管， 其制程简 单， 成本低， 且具有较大的开口率。
本发明的另一目的在于提供一种有源矩阵式有机电致发光二极管的制 备方法， 其简化了生产制程， 降低了生产成本， 提高生产效率及产品质 量。
为实现上述目的， 本发明提供一种有源矩阵式有机电致发光二极管， 包括： 有机电致发光二极管本体及电性连接于该有机电致发光二极管本体 的薄膜晶体管， 所述薄膜晶体管形成于基板上， 其包括形成于基板上的半 导体层、 形成于半导体层上的栅极绝缘层、 形成于栅极绝缘层上的栅极、 形成于栅极上的保护层、 及形成于保护层上的源极与漏极， 该发光二极管 本体包括形成于保护层上并电性连接于薄膜晶体管的阳极、 形成于阳极上 的有机发光层、 及形成于有机发光层上的阴极， 所述有机电致发光二极管 本体交错设置于该薄膜晶体管的上方。
所述栅极由第一金属层通过光罩制程形成， 所述源极与漏极由第二金 属层通过光罩制程形成， 所述有机电致发光二极管本体的阳极由透明导电 层通过光罩制程形成。
所述透明导电层为氧化铟锡层。
所述基板为玻璃或塑胶基板。
所述光罩制程包括曝光、 显影及蚀刻工艺。
本发明还提供一种有源矩阵式有机电致发光二极管， 包括： 有机电致 发光二极管本体及电性连接于该有机电致发光二极管本体的薄膜晶体管， 所述薄膜晶体管形成于基板上， 其包括形成于基板上的半导体层、 形成于 半导体层上的栅极绝缘层、 形成于栅极绝缘层上的栅极、 形成于栅极上的 保护层、 及形成于保护层上的源极与漏极， 该发光二极管本体包括形成于 保护层上并电性连接于薄膜晶体管的阳极、 形成于阳极上的有机发光层、 及形成于有机发光层上的阴极， 所述有机电致发光二极管本体交错设置于 该薄膜晶体管的上方；
其中， 所述栅极由第一金属层通过光罩制程形成， 所述源极与漏极由 第二金属层通过光罩制程形成， 所述有机电致发光二极管本体的阳极由透 明导电层通过光罩制程形成；
其中， 所述透明导电层为氧化铟锡层；
其中， 所述基板为玻璃或塑胶基板；
其中， 所述光罩制程包括曝光、 显影及蚀刻工艺。
本发明还提供一种有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法， 包括 以下步骤：
步骤 1、 提供基板；
步骤 2、 在基板上形成半导体层；
步骤 3、 在半导体层上形成栅极绝缘层；
步骤 4、 在栅极绝缘层上形成第一金属层， 并通过光罩制程形成栅 极；
步骤 5、 在栅极上形成保护层；
步骤 6、 在保护层上依次形成透明导电层及第二金属层， 并通过光罩 制程定义金属传导区域及发光区域， 其中， 所述第二金属层形成位于金属 传导区域的源极与漏极， 透明导电层形成发光区域的有机电致发光二极管 本体的阳极， 该阳极电性连接于漏极；
步驟 7、 在有机电致发光二极管本体的阳极上形成有机电致发光二极 管本体的发光层及阴极， 进而制得有源矩阵式有机电致发光二极管。
所述基板为玻璃或塑胶基板。
所述光罩制程包括曝光、 显影及蚀刻工艺。
所述透明导电层为氧化铟锡层。
本发明的有益效杲： 本发明有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备 方法， 其将透明导电层与第二金属层进行连续镀膜， 然后通过两道光罩制 程分别形成 TFT阵列的源极、 漏极及有机电致发光二极管本体的阳极， 从 而定义出金属传导区域和发光区域， 减少一层绝缘层的使用， 降低掩模板 的使用数量， 提高有源矩阵式有机电致发光二极管显示装置的生产效率， 降低生产成本； 且有效增大开口率， 提升了有源矩阵式有机电致发光二极 管的品质。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容， 请参阅以下有关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明 下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图 1为现有的有源矩阵式有机电致发光二极管的结构示意图； 图 2为图 1所示的有源矩阵式有机电致发光二极管的俯视图； 图 3为本发明有源矩阵式有机电致发光二极管的结构示意图； 图 4为图 3所示的有源矩阵式有机电致发光二极管的俯视图； 图 5 为本发明的有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法的流程 图。 具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图 3 及图 4， 本发明提供一种有源矩阵式有机电致发光二极 管， 包括： 有机电致发光二极管本体 20及电性连接于该有机电致发光二 极管本体 20的薄膜晶体管 40 , 所述有机电致发光二极管本体 20交错设置 于该薄膜晶体管 40 的上方， 进而增大了开口率， 提升了有源矩阵式有机 电致发光二极管的品质。
所述薄膜晶体管 40形成于基板 42上， 其包括形成于基板 42上的半 导体层 43、 形成于半导体层 43上的栅极绝缘层 44、 形成于栅极绝缘层 44 上的栅极 45、 形成于栅极 45上的保护层 46、 形成于保护层 46上的源极 47与漏极 48。 其中， 所述基板 20为透明基板， 在本实施例中， 所述基板 20为玻璃或塑胶基板。
所述发光二极管本体 20包括形成于保护层 46上并电性连接于薄膜晶 体管 40的阳极 22、 形成于阳极 22上的有机发光层 24、 及形成于有机发 光层 24上的阴极 26， 所述有机电致发光二极管本体 20交错设置于该薄膜 晶体管 40的上方， 进而使得薄膜晶体管 40为有机电致发光二极管本体 20 提供有源驱动。
在本实施例中， 所述栅极 45 由第一金属层通过光罩制程形成， 所述 源极 47与漏极 48由第二金属层通过光罩制程形成， 所述有机电致发光二 极管本体 20的阳极 22由透明导电层通过光罩制程形成， 优选的， 所述透 明导电层为氧化铟锡（ITO )层。 其中， 所述源极 47、 漏极 48 与有机电 致发光二极管本体 20的阳极 22通过一道光罩制程形成。 所述光罩制程包 括曝光、 显影及蚀刻工艺， 该源极 47、 漏极 48与有机电致发光二极管本 体 20的阳极 22的具体形成方式可为， 在保护层 46上依次形成透明导电 层与第二金属层， 通过一次掩膜曝光后， 再通过一次黄光蚀刻形成源极 47 与漏极 48， 再通过一次黄光蚀刻形成有机电致发光二极管本体 20 的阳极 22。 其省去一道光罩制程， 有效缩短生产时间， 降低生产成本， 且省去一 层绝缘层， 进一步降^^了生产成本。
请参阅图 5 , 同时参阅图 3 及图 4, 本发明还提供一种有源矩阵式有 机电致发光二极管的制备方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 提供基板 42。
所述基板 42为透明基板， 在本实施例中， 所述基板 42为玻璃或塑胶 基板。
步骤 2、 在基板 42上形成半导体层 43。
通过化学气相沉积在基板 42 上形成非晶硅层， 并通过退火工艺将该 非晶硅层转化为多晶硅层， 并通过光罩制程在该多晶硅层上形成预定图 案， 进而形成半导体层 43。
所述光罩制程包括曝光、 显影及蚀刻等工艺， 其可釆用现有技术中的 任何一种。
步驟 3、 在半导体层 43上形成栅极绝缘层 44。
所述栅极绝缘层 44为氧化硅（SiOx )或氮化硅（SiNx )层， 其通过化 学气相沉积形成于半导体层 43上。
步骤 4、 在栅极绝缘层 44上形成第一金属层， 并通过光罩制程形成栅 极 45。
所述第一金属层为铜 （Cu ) 、 铝 （A1 ) 、 钼 （Mo ) 、 钛（Ti )或其 层叠结构。
步骤 5、 在栅极 45上形成保护层 46。
步骤 6、 在保护层 46上依次形成透明导电层及第二金属层， 并通过光 罩制程定义金属传导区域及发光区域， 其中， 所述第二金属层形成源极 47 与漏极 48， 透明导电层形成有机电致发光二极管本体 20的阳极 22， 该阳 极 22电性连接于漏极 48上。
在本实施例中， 所述透明导电层与第二金属层依次形成， 经过一次掩 膜曝光， 再通过一黄光蚀刻制程， 形成源极 47 与漏极 48， 进而定义出金 属传导区域， 再通过一黄光蚀刻制程， 形成有机电致发光二极管本体 20 的阳极 22 定义出发光区域， 相比现有技术， 本发明省去一道光罩制程， 有效缩短生产时间， 降低生产成本， 且省去一层绝缘层， 进一步降低了生 产成本。 所述发光区域交错设置于金属传导区域上方， 有效增大开口率， 提升有源矩阵式有机电致发光二极管的品质。
所述透明导电层为氧化铟锡（ITO )层。
步骤 7、 在有机电致发光二极管本体 20的阳极 22上形成有机电致发 光二极管本体 20的发光层 24及阴极 26， 进而制得有源矩阵式有机电致发 光二极管。
综上所述， 本发明有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备方法， 其 将透明导电层与第二金属层进行连续镀膜， 然后通过两道光罩制程分别形 成 TFT阵列的源极、 漏极及有机电致发光二极管本体的阳极， 从而定义出 金属传导区域和发光区域， 减少一层绝缘层的使用， 降低掩模板的使用数 量， 提高有源矩阵式有机电致发光二极管显示装置的生产效率， 降低生产 成本； 且有效增大开口率， 提升了有源矩阵式有机电致发光二极管的品 质。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims

权 利 要 求
1、 一种有源矩阵式有机电致发光二极管， 包括： 有机电致发光二极 管本体及电性连接于该有机电致发光二极管本体的薄膜晶体管， 所述薄膜 晶体管形成于基板上， 其包括形成于基板上的半导体层、 形成于半导体层 上的栅极绝缘层、 形成于栅极绝缘层上的栅极、 形成于栅极上的保护层、 及形成于保护层上的源极与漏极， 该发光二极管本体包括形成于保护层上 并电性连接于薄膜晶体管的阳极、 形成于阳极上的有机发光层、 及形成于 有机发光层上的阴极， 所述有机电致发光二极管本体交错设置于该薄膜晶 体管的上方。
2、 如权利要求 1 所述的有源矩阵式有机电致发光二极管， 其中， 所 述栅极由第一金属层通过光罩制程形成， 所述源极与漏极由第二金属层通 过光罩制程形成， 所述有机电致发光二极管本体的阳极由透明导电层通过 光罩制程形成。
3、 如权利要求 2 所述的有源矩阵式有机电致发光二极管， 其中， 所 述透明导电层为氧化铟锡层。
4、 如权利要求 1 所述的有源矩阵式有机电致发光二极管， 其中， 所 述基板为玻璃或塑胶基板。
5、 如权利要求 1 所述的有源矩阵式有机电致发光二极管， 其中， 所 述光罩制程包括曝光、 显影及蚀刻工艺。
6、 一种有源矩阵式有机电致发光二极管， 包括： 有机电致发光二极 管本体及电性连接于该有机电致发光二极管本体的薄膜晶体管， 所述薄膜 晶体管形成于基板上， 其包括形成于基板上的半导体层、 形成于半导体层 上的栅极绝缘层、 形成于栅极绝缘层上的栅极、 形成于栅极上的保护层、 及形成于保护层上的源极与漏极， 该发光二极管本体包括形成于保护层上 并电性连接于薄膜晶体管的阳极、 形成于阳极上的有机发光层、 及形成于 有机发光层上的阴极， 所述有机电致发光二极管本体交错设置于该薄膜晶 体管的上方；
其中， 所述栅极由第一金属层通过光罩制程形成， 所述源极与漏极由 第二金属层通过光罩制程形成， 所述有机电致发光二极管本体的阳极由透 明导电层通过光罩制程形成；
其中， 所述透明导电层为氧化铟锡层；
其中， 所述基板为玻璃或塑胶基板； 其中， 所述光罩制程包括曝光、 显影及蚀刻工艺。
7、 一种有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法， 包括以下步 骤：
步骤 1、 提供基板；
步骤 2、 在基板上形成半导体层；
步骤 3、 在半导体层上形成栅极绝缘层；
步骤 4、 在栅极绝缘层上形成第一金属层， 并通过光罩制程形成栅 极；
步骤 5、 在栅极上形成保护层；
步骤 6、 在保护层上依次形成透明导电层及第二金属层， 并通过光罩 制程定义金属传导区域及发光区域， 其中， 所述第二金属层形成位于金属 传导区域的源极与漏极， 透明导电层形成发光区域的有机电致发光二极管 本体的阳极， 该阳极电性连接于漏极；
步骤 7、 在有机电致发光二极管本体的阳极上形成有机电致发光二极 管本体的发光层及阴极， 进而制得有源矩阵式有机电致发光二极管。
8、 如权利要求 7 所述的有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方 法， 其中， 所述基板为玻璃或塑胶基板。
9、 如权利要求 7 所述的有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方 法， 其中， 所述光罩制程包括曝光、 显影及蚀刻工艺。
10、 如权利要求 7 所述的有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方 法， 其中， 所述透明导电层为氧化铟锡层。
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