WO2014034392A1 - 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 - Google Patents

有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 Download PDF

Info

Publication number
WO2014034392A1
WO2014034392A1 PCT/JP2013/071322 JP2013071322W WO2014034392A1 WO 2014034392 A1 WO2014034392 A1 WO 2014034392A1 JP 2013071322 W JP2013071322 W JP 2013071322W WO 2014034392 A1 WO2014034392 A1 WO 2014034392A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
general formula
group
represented
divalent linking
linking group
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/071322
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
北村　哲
高久　浩二
外山　弥
友樹 平井
正兒 木下
悠太 滋野井
Original Assignee
富士フイルム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士フイルム株式会社 filed Critical 富士フイルム株式会社
Priority to KR1020157007353A priority Critical patent/KR20150046260A/ko
Publication of WO2014034392A1 publication Critical patent/WO2014034392A1/ja
Priority to US14/632,741 priority patent/US9714253B2/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D493/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0834—Compounds having one or more O-Si linkage
    • C07F7/0838—Compounds with one or more Si-O-Si sequences
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/653—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only oxygen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L2031/0344—Organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions

Definitions

  • the present invention relates to an organic thin film transistor, an organic semiconductor thin film, and an organic semiconductor material. Specifically, the present invention uses an organic semiconductor material for a non-light-emitting organic semiconductor device containing a compound having a benzobisbenzofuran (hereinafter also referred to as BBBF) structure, an organic semiconductor thin film containing the material, and the thin film.
  • BBBF benzobisbenzofuran
  • the present invention relates to an organic thin film transistor.
  • Devices using organic semiconductor materials are attracting a great deal of interest because they are expected to have various advantages over conventional devices using inorganic semiconductor materials such as silicon.
  • Examples of a device using an organic semiconductor material include a photoelectric conversion element such as an organic thin film solar cell or a solid-state imaging device using the organic semiconductor material as a photoelectric conversion material, and a non-light emitting organic transistor.
  • a device using an organic semiconductor material may be capable of manufacturing a large-area element at a lower temperature and lower cost than a device using an inorganic semiconductor material.
  • the material characteristics can be easily changed by changing the molecular structure, there are a wide variety of materials, and it is possible to realize functions and elements that could not be achieved with inorganic semiconductor materials.
  • Patent Document 1 discloses a compound represented by the following general formula having a condensed ring as a partial structure in which five rings including an aromatic heterocycle are condensed (ring A and ring B are benzene rings or Represents a specific 5-membered aromatic heterocycle, T 1 and T 2 represent sulfur, selenium, tellurium, oxygen, phosphorus, boron or aluminum, R 1 to R 4 represent a hydrogen atom, an alkyl group, etc., and l and m represents 0 or 1).
  • a compound represented by the following general formula is capable of forming a semiconductor active layer and can be an organic semiconductor material capable of being coated and formed.
  • an organic thin film is formed using these compounds as an organic semiconductor material, but transistor characteristics and the like are not disclosed.
  • Patent Document 2 discloses an example in which a condensed ring compound containing an aromatic heterocycle having a structural feature defined from a viewpoint different from the above general formula is applied to an organic EL element. However, Patent Document 2 does not disclose an application as an organic transistor or an example showing transistor characteristics.
  • Non-Patent Document 1 suggests that some compounds having a BBBF skeleton are promising as materials for organic thin film transistors. However, the transistor characteristics of the organic thin film transistor are in the initial stage, and the mobility is low, and the practical level has not been reached.
  • Patent Documents 3 to 6 describe that a compound having a BBBF-based skeleton is useful for an organic semiconductor element, but has proved its usefulness as an organic semiconductor material for an organic thin film transistor. It ’s just that.
  • organic compound having high crystallinity is required as a semiconductor material for organic thin film transistors.
  • organic EL elements are required to have high luminous efficiency and uniform in-plane light emission.
  • an organic compound having high crystallinity causes light emission defects such as in-plane electric field strength non-uniformity, light emission non-uniformity, and light emission quenching. Therefore, the organic EL element material cannot increase the crystallinity. For this reason, even if the organic compound constituting the organic EL element material is directly transferred to the organic semiconductor material, good transistor characteristics cannot be obtained immediately.
  • an object is to obtain an organic thin film transistor having excellent transistor characteristics by obtaining a semiconductor material having high carrier mobility and small threshold voltage change after repeated driving and applying the material to the organic thin film transistor. did.
  • the present inventors have found that a BBBF derivative having a specific structure has high crystallinity and forms an organic thin film advantageous for carrier transport. Thereby, it succeeded in obtaining the organic thin-film transistor with high carrier mobility, and came to complete this invention. Furthermore, the present inventors have found that the organic thin film transistor obtained in the present invention has a small threshold voltage change after repeated driving, and succeeded in obtaining an organic thin film transistor that can be used stably over a long period of time. Specifically, the present invention has the following configuration.
  • R 1 to R 10 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. At least one of R 1 to R 4 and R 6 to R 9 is represented by the following General Formula (W). However, in the following general formula (W), when L is a divalent linking group represented by the following general formula (L-1) alone, R 1 to R 4 , R 6 to Two or more of R 9 are the substituents represented by the following general formula (W), and the substituents R 1 to R 4 and R 6 to R 9 do not form a condensed ring.
  • L represents a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) or two or more of the following general formulas (L-1) to ( L-13) represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any of the above is bonded
  • R is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more carbon atoms, and the number of repeating oxyethylene units is 2.
  • N in -1) represents an integer of 1 or more
  • m in the general formula (L-10) represents 4, and m in the general formulas (L-11) and (L-12) represents 2.
  • R ′ in (L-1), (L-2), (L-10), (L-11), (L-12) and (L-13) each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the compound represented by the general formula (1) is preferably a compound represented by the following general formula (1A).
  • R 1 to R 10 each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • At least two of R 1 to R 4 and R 6 to R 9 are represented by the following general formula (W).
  • L is a divalent linking group represented by any one of the general formulas (L-1) to (L-12) or two or more general formulas (L-1) to (L- 12) represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any of the above is bonded
  • R is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more carbon atoms, and the number of repeating oxyethylene units is 2 or more.
  • the compound represented by the general formula (1) is represented by the following general formula (2-1), (2-2), (2-3) or (2-4): It is preferable that it is a compound represented by either.
  • L a and L b are each independently a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) or two or more of the following Represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any one of the general formulas (L-1) to (L-13) is bonded, and R a and R b each independently have 2 or more carbon atoms A substituted or unsubstituted alkyl group, an oxyoligoethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units, an oligosiloxane group having 2 or more repeating siloxane units, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group.
  • R a and R b each represent a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group because R a or L b adjacent to R a or R b is a divalent group represented by the following general formula (L-3) Only if it is a linking group, R 11 and And R 12 each independently represents a substituent, and n11 and n12 each independently represents an integer of 0 to 3.)
  • L c and L d are each independently a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) or two or more of the following Represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any one of formulas (L-1) to (L-13) is bonded, and R c and R d each independently have 2 or more carbon atoms It represents a substituted or unsubstituted alkyl group, an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units, an oligosiloxane
  • R c and R d represent a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group because R c or L d adjacent to R c or R d is a divalent linkage represented by the following general formula (L-3) .R 21 and R 22 only if a group is Respectively independently represents a substituent (provided that, R 21 and R 21 are not a group represented by the general formula (W)) .N21 and n22 each independently represents an integer of 0-3.) (In the general formula (2-3), L e is the following general formula (L-2) ⁇ (L -13) 2 divalent linking group or two or more of the following general formula represented by any one of (L-1 ) To (L-13) represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any one is bonded (wherein Le is represented by a general formula (L-1) of 2 or more).
  • R e is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more carbon atoms, an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units, silicon the number of atoms is 2 or more oligosiloxane group, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group.
  • R e represents a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group is adjacent to R e L e Only when is a divalent linking group represented by the following general formula (L-3) .
  • R 31 and R 32 each independently represents a substituent (provided that, R 31 is not a group represented by the general formula (W)) .
  • n31 represents an integer of 0 to 4, n32 is 0 ⁇ Represents an integer of 3.
  • L f represents a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-2) to (L-13) or two or more of the following general formulas (L-1 )
  • To (L-13) represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any of the above is bonded (wherein L f is represented by a general formula (L-1) of 2 or more).
  • Rf is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more carbon atoms, an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units, silicon, and the like. the number of atoms is 2 or more oligosiloxane group, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group.
  • R f represents a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group is adjacent to R f L f Only when is a divalent linking group represented by the following general formula (L-3) .
  • R 41 and R 42 each independently represents a substituent (provided that, R 41 and R 42 is not a group represented by the general formula (W)) .
  • n41 represents an integer of 0 ⁇ 4,
  • n42 Represents an integer of 0 to 3.)
  • the wavy line indicates the bonding position with the benzobisbenzofuran skeleton, and * is independent Represents a bonding position with any of R a , R b , R c , R d , R e or R f adjacent to general formulas (L-1) to (L-13).
  • N in the formula represents an integer of 1 or more
  • m in the general formula (L-10) represents 4, and m in the general formulas (L-11) and (L-12) represents 2.
  • the general formula (L-1 ), (L-2), (L-10), (L-11), (L-12) and (L-13) each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • L a , L b , L c and L d are each independently represented by the general formula (L— 1), a divalent linking group represented by (L-3), (L-4), (L-5) or (L-13) or a divalent linking group in which two or more of these divalent linking groups are bonded.
  • the linking group is preferably.
  • L e and L f are each independently represented by the general formula (L-3), (L ⁇ 4)
  • a divalent linking group represented by (L-5) or (L-13) or a divalent linking group in which two or more of these divalent linking groups are bonded is preferable.
  • the organic thin film transistor according to any one of [3] to [5] is represented by the formula (2-1), (2-2), (2-3) or (2-4): It is preferable that each of a 1 , R b , R c , R d , R e and R f is independently an alkyl group.
  • the organic thin film transistor according to any one of [3] to [5] is represented by R in the general formula (2-1), (2-2), (2-3) or (2-4).
  • a and R b are each independently an alkyl group having 2 to 12 carbon atoms
  • R c and R d are each independently an alkyl group having 2 to 7 carbon atoms
  • R e is an alkyl group having 2 to 12 carbon atoms
  • R f is An alkyl group having 2 to 12 carbon atoms is preferable.
  • L a and L b are each independently a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) or two or more
  • a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) is bonded is represented by R a and R b each independently having 2 to 12 represents a substituted or unsubstituted alkyl group, an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene groups, an oligosiloxane group having 2 or more repeating siloxane units, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group
  • R a and R b each represent a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group because R a or L b adjacent to R a or R b is represented by the following general formula (L-3) limited to cases where the valence linking group .R 11 you Fine R 12 is .n
  • R c and R d represent a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group because R c or L d adjacent to R c or R d is a divalent group represented by the following general formula (L-3) .R 21 and R 22 only if a linking group Respectively independently represents a substituent (provided that, R 21 and R 21 are not a group represented by the general formula (W)) .N21 and n22 each independently represents an integer of 0-3.) (In the general formula (2-3 '), L e is the following general formula (L-2) ⁇ (L -13) 2 divalent linking group or two or more of the following general formula represented by any one of (L- 1) to a divalent linking group to which the divalent linking group represented by any one of (L-13) is bonded (wherein Le is represented by a general formula (L-1) of 2 or more).
  • R e is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units. Represents an oligosiloxane group having 2 or more silicon atoms, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group, provided that R e represents a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group adjacent to R e .
  • Le is a divalent linking group represented by the following general formula (L-3)
  • R 31 and R 32 each independently represent a substituent (wherein R 31 is not a group represented by the general formula (W)), n31 represents an integer of 0 to 4, and n32 represents 0 Represents an integer of ⁇ 3)
  • L e is the following general formula (L-2) ⁇ (L -13) 2 divalent linking group or two or more of the following general formula represented by any one of (L- 1) to a divalent linking group to which the divalent linking group represented by any one of (L-13) is bonded (wherein Le is represented by a general formula (L-1) of 2 or more).
  • R e is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units. Represents an oligosiloxane group having 2 or more silicon atoms, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group, provided that R e represents a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group adjacent to R e .
  • Le is a divalent linking group represented by the following general formula (L-3)
  • R 31 and R 32 each independently represent a substituent (wherein R 31 is not a group represented by the general formula (W)), n31 represents an integer of 0 to 4, and n32 represents 0 Represents an integer of ⁇ 3)
  • the wavy line indicates the bonding position with the benzobisbenzofuran skeleton, and *
  • N in 1) represents an integer of 1 or more
  • m in the general formula (L-10) represents 4, and m in the general formulas (L-11) and (L-12) represents 2.
  • An organic thin film transistor material containing the compound represented by the general formula (1) according to [1].
  • the organic semiconductor thin film according to [13] or [14] is preferably produced by a solution coating method.
  • the present invention it is possible to obtain a semiconductor material that forms an organic thin film having high crystallinity and advantageous for carrier transport. Thereby, an organic thin film transistor with high carrier mobility can be obtained.
  • an organic thin film transistor having a small threshold voltage change after repeated driving can be obtained. Accordingly, the organic thin film of the organic thin film transistor can have high chemical stability, film density, and the like, and can function effectively as a transistor for a long period of time.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of an example of the structure of the organic thin film transistor element of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the structure of an organic thin film transistor manufactured as a substrate for measuring FET characteristics in an example of the present invention.
  • a numerical range expressed using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
  • a hydrogen atom when used without being particularly distinguished in the description of each general formula represents that it also contains an isotope (such as a deuterium atom).
  • the atom which comprises a substituent represents that the isotope is also included.
  • Organic thin film transistor has a semiconductor active layer, and the semiconductor active layer contains a compound represented by the following general formula (1).
  • the semiconductor active layer includes a compound represented by the following general formula (1).
  • R 1 to R 10 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. At least one of R 1 to R 4 and R 6 to R 9 is represented by the following General Formula (W).
  • W General Formula
  • L is a divalent linking group represented by the following general formula (L-1) alone
  • R 1 to R 4 , R 6 to Two or more of R 9 are the substituents represented by the following general formula (W)
  • the substituents R 1 to R 4 and R 6 to R 9 do not form a condensed ring.
  • L represents a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) or two or more of the following general formulas (L-1) to ( L-13) represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any of the above is bonded
  • R is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more carbon atoms, and the number of repeating oxyethylene units is 2.
  • N in -1) represents an integer of 1 or more
  • m in the general formula (L-10) represents 4
  • m in the general formulas (L-11) and (L-12) represents 2.
  • R ′ in (L-1), (L-2), (L-10), (L-11), (L-12) and (L-13) each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the compound represented by the general formula (1) has preferable performance as an organic semiconductor material even after storage at high temperature and high humidity.
  • high carrier mobility can be obtained even after high-temperature and high-humidity storage, and the change in mobility can be reduced.
  • the organic thin-film transistor according to the present invention can function effectively as a transistor even under a severe environment.
  • the change in threshold voltage after repeated driving can be reduced.
  • the organic thin film transistor according to the present invention can exhibit good transistor characteristics over a long period of time.
  • an organic thin film with good film quality can be obtained by the above-described structure of the compound represented by the general formula (1). Since the compound represented by the general formula (1) has good crystallinity, a sufficient film thickness can be obtained, and the obtained film has a good quality. In the present invention, due to this good crystallinity, high carrier mobility can be obtained and excellent transistor characteristics can be exhibited.
  • the compound represented by the general formula (1) is preferably represented by any one of the following general formulas (2-1), (2-2), (2-3) or (2-4). Is preferably a compound represented by the following general formula (1A).
  • R 1 to R 10 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. At least two of R 1 to R 4 and R 6 to R 9 are represented by the following general formula (W).
  • L is a divalent linking group represented by any one of the general formulas (L-1) to (L-12) or two or more of the above general formulas).
  • R 1 to R 10 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. At least one of R 1 to R 4 and R 6 to R 9 is a substituent represented by the following general formula (W). However, in the following general formula (W), when L is a divalent linking group represented by the following general formula (L-1) alone, two of R 1 to R 4 and R 6 to R 9 The above is a substituent represented by the following general formula (W). A condensed ring is not formed between the substituents R 1 to R 4 and R 6 to R 9 . In the compound represented by the general formula (1), at least one of R 1 to R 10 has a substituent represented by the general formula (W), so that the material is suitable for solution processing and in a film. The molecular arrangement is good. Thereby, the manufacturing efficiency of the organic thin film applicable to an organic thin-film transistor can be raised, and manufacturing cost can be suppressed. In addition, carrier transport properties such as carrier mobility and chemical and physical stability of the thin film are improved.
  • a divalent linking group represented by any one of the general formulas (L-1) to (L-13) or two or more of the following general formulas (L -1) to (L-13) represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any one is bonded, and R represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more carbon atoms, or an oxyethylene unit.
  • R represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more carbon atoms, or an oxyethylene unit.
  • R represents a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group only when L adjacent to R is a divalent linking group represented by the general formula (L-3).
  • R in the general formula (W) has 2 carbon atoms when the number of substituents represented by the general formula (W) contained in the compound represented by the general formula (1) is 2 or more.
  • the above substituted or unsubstituted alkyl group or substituted or unsubstituted trialkylsilyl group is preferable from the viewpoint of suppressing mobility change after storage under high temperature and high humidity.
  • R in the general formula (W) represents the number of carbon atoms when the number of substituents represented by the general formula (W) contained in the compound represented by the general formula (1) is one.
  • It is preferably a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more, an oligosiloxane group having 2 or more silicon atoms, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group, and a substituted or unsubstituted alkyl having 2 or more carbon atoms. More preferably, it is a group or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group.
  • R in the general formula (W) is an alkyl group
  • the number of carbon atoms is preferably 2 to 18, more preferably 2 to 12, still more preferably 2 to 10, and more preferably 2 to 7. Even more preferably. If the alkyl group has 2 to 7 carbon atoms, it is preferable in that the solubility in a solvent is higher than when the carbon number is 8 or more.
  • the alkyl group that R can take may be linear, branched, or cyclic, and a substituted or unsubstituted alkyl group can be employed. Examples of the substituent when R is an alkyl group having a substituent include a halogen atom, and a fluorine atom is preferable. In addition, when R is an alkyl group having a fluorine atom, all hydrogen atoms of the alkyl group may be substituted with a fluorine atom to form a perfluoroalkyl group.
  • R in the general formula (W) is an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene groups
  • the “oligooxyethylene group” represented by R is — (CH 2 CH 2 ) x in the present specification. It means a group represented by OY (the repeating number x of oxyethylene units represents an integer of 2 or more, and Y at the terminal represents a hydrogen atom or a substituent).
  • Y at the terminal of the oligooxyethylene group is a hydrogen atom, it becomes a hydroxy group.
  • the number of repeating oxyethylene units x is preferably 2 to 4, more preferably 2 to 3.
  • the terminal hydroxy group of the oligooxyethylene group is preferably sealed, that is, Y represents a substituent.
  • the hydroxy group is preferably sealed with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, that is, Y is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
  • the hydroxy group is preferably sealed with, for example, a methyl group or an ethyl group, and Y is more preferably a methyl group or an ethyl group.
  • R in the general formula (W) is an oligosiloxane group having 2 or more silicon atoms
  • the number of repeating siloxane units is preferably 2 to 4, and more preferably 2 to 3.
  • a hydrogen atom or an alkyl group is bonded to the Si atom.
  • the alkyl group preferably has 1 to 3 carbon atoms, and for example, a methyl group or an ethyl group is preferably bonded.
  • the same alkyl group may be bonded to the Si atom, or different alkyl groups or hydrogen atoms may be bonded thereto.
  • R in the general formula (W) can take a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group.
  • the alkyl group bonded to the Si atom preferably has 1 to 3 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, or isopropyl. It is preferred that the groups are bonded.
  • the same alkyl group may be bonded to the Si atom, or different alkyl groups may be bonded thereto. There is no restriction
  • L is a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) or any one of the following general formulas (L-1) to (L-13).
  • bonded represents.
  • any one of the general formulas (L-1) to (L-13) is further inserted between * and R, and the L It is also preferable that a divalent linking group represented by any one of formulas (L-1) to (L-13) is bonded to form a linking group.
  • N in the general formula (L-1) represents an integer of 1 or more, preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 6, and further preferably 1 to 3 Is an integer.
  • R ′ represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the substituent R ′ in the general formulas (L-1), (L-2), (L-10), (L-11), (L-12) and (L-13) includes a halogen atom, an alkyl A group (including a cycloalkyl group, a bicycloalkyl group and a tricycloalkyl group), an alkenyl group (including a cycloalkenyl group and a bicycloalkenyl group), an alkynyl group, an aryl group, and a heterocyclic group (which may be referred to as a heterocyclic group).
  • Cyano group hydroxy group, nitro group, carboxy group, alkoxy group, aryloxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group ( Anilino group), ammonio group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, Reeloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl and arylsulfinyl group, alkyl and arylsulfonyl group , Acyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbam
  • L in the general formula (W) is represented by the general formula (2) when the number of substituents represented by the general formula (W) contained in the compound represented by the general formula (1) is 2 or more.
  • L in the general formula (W) represents a general formula (L) when the number of substituents represented by the general formula (W) contained in the compound represented by the general formula (1) is one.
  • a divalent linking group in which two or more of these divalent linking groups are bonded to each other preferably represented by the general formulas (L-1) and (L-3) , (L-4), (L-5), (L-10), (L-12) and (L-13), or a divalent linking group represented by any of these, It is more preferably a divalent linking group in which two or more are bonded, and a divalent linking group represented by the general formula (L-3), (L-4), (L-5), or (L-13).
  • Group or these Particularly preferably valent linking group is a divalent linking group bonded 2 or more, and most preferably a divalent linking group represented by the general formula (L-3).
  • R 1 to R 10 in the general formula (1) may be a substituent having a structure other than the general formula (W).
  • substituents include those in the general formulas (L-1), (L-2), (L-10), (L-11), (L-12) and (L-13).
  • substituent R ′ in FIG. As the substituent having a structure other than the general formula (W) that can be taken by R 1 to R 10 , a halogen atom, an alkyl group, and an aryl group are preferable, and a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and a phenyl group Are more preferable, and a fluorine atom and a phenyl group are particularly preferable.
  • the number of substituents other than the substituent represented by the general formula (W) among R 1 to R 10 is preferably 0 to 4. 0 to 2 is more preferable. Furthermore, when the number of substituents represented by the general formula contained in the compound represented by the general formula (1) (W) is 1, the general formula of R 1 ⁇ R 10 (W The number of other substituents other than the substituent represented by) is preferably 0.
  • a compound having a BBBF skeleton containing an O atom as represented by the general formula (1) and a substituent having a specific structure is employed as the organic semiconductor material.
  • These organic semiconductor materials are considered to take a herringbone structure suitable for carrier transport in an organic thin film and easily form a two-dimensional orbital overlap (the herringbone structure is advantageous for carrier transport) For example, it is described in Adv.Matter.2011,23,4347-4370 etc.).
  • the compound according to the present invention can realize good film quality and high carrier mobility, and can be preferably used for an organic thin film transistor.
  • R 2 , R 3 , R 7 and R 8 is preferably a substituent represented by general formula (W).
  • W general formula (1) and general formula (1A)
  • These positions are preferred as the substitution positions in the general formula (1) because they are excellent in chemical stability of the compound and are suitable from the viewpoint of HOMO levels and packing of molecules in the film. It is done.
  • a high carrier concentration can be obtained by using two positions of R 3 and R 8 as substituents.
  • the compound represented by the general formula (1) is a compound represented by any one of the general formulas (2-1), (2-2), (2-3) or (2-4). It is preferable.
  • L a and L b are each independently a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) or two or more of the following Represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any one of the general formulas (L-1) to (L-13) is bonded, and R a and R b each independently have 2 or more carbon atoms A substituted or unsubstituted alkyl group, an oxyoligoethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units, an oligosiloxane group having 2 or more repeating siloxane units, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group.
  • R a and R b each represent a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group because R a or L b adjacent to R a or R b is a divalent group represented by the following general formula (L-3) Only if it is a linking group, R 11 and And R 12 each independently represents a substituent, and n11 and n12 each independently represents an integer of 0 to 3.)
  • L c and L d are each independently a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) or two or more of the following Represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any one of formulas (L-1) to (L-13) is bonded, and R c and R d each independently have 2 or more carbon atoms It represents a substituted or unsubstituted alkyl group, an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units, an oligosiloxane group having 2 or more silicon atoms, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group.
  • R c and R d represent a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group because R c or L d adjacent to R c or R d is a divalent linkage represented by the following general formula (L-3) .
  • R 21 and R 22 only if a group is Respectively independently represents a substituent (provided that, R 21 and R 21 are not a group represented by the general formula (W)) .N21 and n22 each independently represents an integer of 0-3.
  • L e is the following general formula (L-2) ⁇ (L -13) 2 divalent linking group or two or more of the following general formula represented by any one of (L-1 )
  • To (L-13) represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any one is bonded (wherein Le is represented by a general formula (L-1) of 2 or more).
  • R e is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more carbon atoms, an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units, silicon the number of atoms is 2 or more oligosiloxane group, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group.
  • R e represents a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group is adjacent to R e L e Only when is a divalent linking group represented by the following general formula (L-3) .
  • R 31 and R 32 each independently represents a substituent (provided that, R 31 is not a group represented by the general formula (W)) .
  • n31 represents an integer of 0 to 4, n32 is 0 ⁇ Represents an integer of 3.
  • L f represents a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-2) to (L-13) or two or more of the following general formulas (L-1 ) To (L-13) represents a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any of the above is bonded (wherein L f is represented by a general formula (L-1) of 2 or more).
  • Rf is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 or more carbon atoms, an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units, silicon, and the like.
  • R f represents a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group is adjacent to R f L f Only when is a divalent linking group represented by the following general formula (L-3) .
  • R 41 and R 42 each independently represents a substituent (provided that, R 41 and R 42 is not a group represented by the general formula (W)) .
  • n41 represents an integer of 0 ⁇ 4, n42 Represents an integer of 0 to 3.
  • L a , L b , L c and L d are each independently represented by the general formula (L— 1), a divalent linking group represented by (L-3), (L-4), (L-5) or (L-13) or a divalent linking group in which two or more of these divalent linking groups are bonded.
  • the linking group is preferably.
  • a preferable range of R a , R b , R c and R d is the above-described general formula contained in the compound represented by the general formula (1). This is the same as the preferable range of R when the number of substituents represented by formula (W) is 2 or more.
  • a preferable range of R 11 , R 12 , R 21 and R 12 and n11, n12, n21 and n22 in the general formula (2-1) or the general formula (2-2) is represented by the general formula (1). This is the same as the preferred range of R 1 to R 10 in the general formula (1) when the number of substituents represented by the general formula (W) contained in the compound is 2 or more.
  • the two —LR groups represented by the general formula (W) are contrasted in the BBBF skeleton. It is preferable to be provided at a position. Thereby, it is considered that a herringbone structure suitable for carrier transport can be taken in the organic thin film, and high carrier mobility can be obtained.
  • L e and L f are each independently represented by the general formulas (L-3), (L-4), (L-5 ) Or (L-13), or a divalent linking group in which two or more of these divalent linking groups are bonded.
  • R e and R f is represented by the general formula (W) contained in the compound represented by the general formula (1).
  • R a , R b , R c , R d , R e and R f It is preferred that all are alkyl groups. Chemical stability can be enhanced by using all of R a , R b , R c , R d , R e and R f as alkyl groups.
  • alkyl group a linear, branched, or cyclic substituted or unsubstituted alkyl group can be adopted.
  • the solubility of the compound obtained in the solvent can be enhanced by setting the carbon number of R c and R d to 2 to 7.
  • L a and L b are each independently a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) or two or more
  • a divalent linking group to which a divalent linking group represented by any one of the following general formulas (L-1) to (L-13) is bonded is represented by R a and R b each independently having 2 to 12 represents a substituted or unsubstituted alkyl group, an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene groups, an oligosiloxane group having 2 or more repeating siloxane units, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group
  • R a and R b each represent a substituted or unsubstituted trialkyl
  • R c and R d represent a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group because R c or L d adjacent to R c or R d is a divalent group represented by the following general formula (L-3) .R 21 and R 22 only if a linking group Respectively independently represents a substituent (provided that, R 21 and R 21 are not a group represented by the general formula (W)) .N21 and n22 each independently represents an integer of 0-3.) (In the general formula (2-3 '), L e is the following general formula (L-2) ⁇ (L -13) 2 divalent linking group or two or more of the following general formula represented by any one of (L- 1) to a divalent linking group to which the divalent linking group represented by any one of (L-13) is bonded (wherein Le is represented by a general formula (L-1) of 2 or more).
  • R e is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units. Represents an oligosiloxane group having 2 or more silicon atoms, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group, provided that R e represents a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group adjacent to R e .
  • Le is a divalent linking group represented by the following general formula (L-3)
  • R 31 and R 32 each independently represent a substituent (wherein R 31 is not a group represented by the general formula (W)), n31 represents an integer of 0 to 4, and n32 represents 0 Represents an integer of ⁇ 3)
  • L e is the following general formula (L-2) ⁇ (L -13) 2 divalent linking group or two or more of the following general formula represented by any one of (L- 1) to a divalent linking group to which the divalent linking group represented by any one of (L-13) is bonded (wherein Le is represented by a general formula (L-1) of 2 or more).
  • R e is a substituted or unsubstituted alkyl group having 2 to 12 carbon atoms, or an oligooxyethylene group having 2 or more repeating oxyethylene units. Represents an oligosiloxane group having 2 or more silicon atoms, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group, provided that R e represents a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group adjacent to R e .
  • Le is a divalent linking group represented by the following general formula (L-3)
  • R 31 and R 32 each independently represent a substituent (wherein R 31 is not a group represented by the general formula (W)), n31 represents an integer of 0 to 4, and n32 represents 0 Represents an integer of ⁇ 3)
  • the wavy line indicates the bonding position with the benzobisbenzofuran skeleton, and *
  • N in 1) represents an integer of 1 or more
  • m in the general formula (L-10) represents 4, and m in the general formulas (L-11) and (L-12) represents 2.
  • the preferred range of each group in the general formula (2-1 ′), (2-2 ′), (2-3 ′) or (2-4 ′) is the general formula (2-1), (2- The same as the preferred range of each group in 2), (2-3) or (2-4).
  • compounds having a partial structure are novel compounds.
  • the compound represented by the general formula (2-1 ') is a novel compound.
  • the compound represented by the general formula (2-2 ') is a novel compound.
  • the compound represented by the general formula (2-2 ') is a novel compound.
  • the compound represented by the general formula (2-3 ′) is a novel compound.
  • the compound represented by the general formula (2-4 ′) is a novel compound.
  • the compound represented by the general formula (1) preferably has a molecular weight of 3000 or less, more preferably 2000 or less, still more preferably 1000 or less, and particularly preferably 850 or less. It is preferable to make the molecular weight not more than the above upper limit value because the solubility in a solvent can be increased. On the other hand, from the viewpoint of film quality stability of the thin film, the molecular weight is preferably 400 or more, more preferably 450 or more, and further preferably 500 or more.
  • the compound represented by the general formula (1) can be synthesized by combining known reactions. For example, it can be synthesized with reference to the Journal of Applied Physics Society of Organic Molecules and Bioelectronics, 2011, 22, 9-12, International Publication WO2009 / 148016, and the like.
  • Any reaction conditions may be used in the benzobisbenzofuran ring formation reaction of the present invention.
  • Any solvent may be used as the reaction solvent.
  • Optimum reaction conditions vary depending on the structure of the target benzobisbenzofuran derivative, but can be set with reference to specific reaction conditions described in the above-mentioned documents.
  • Synthesis intermediates having various substituents can be synthesized by combining known reactions. Each substituent may be introduced at any intermediate stage. After the synthesis of the intermediate, it is preferable to purify by sublimation purification after purification by column chromatography, recrystallization or the like. By sublimation purification, not only can organic impurities be separated, but inorganic salts and residual solvents can be effectively removed.
  • the organic thin-film transistor of this invention has a semiconductor active layer containing the compound represented by the said General formula (1).
  • the organic thin film transistor of the present invention may further include other layers in addition to the semiconductor active layer.
  • the organic thin film transistor of the present invention is preferably used as an organic field effect transistor (FET), and more preferably used as an insulated gate FET in which a gate-channel is insulated.
  • FET organic field effect transistor
  • laminated structure There is no restriction
  • the electrode on the upper surface of the lowermost substrate is provided on a part of the substrate, and the insulator layer is disposed so as to be in contact with the substrate at a portion other than the electrode.
  • the two electrodes provided on the upper surface of the semiconductor active layer are arranged separately from each other.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of an example of the structure of the organic thin film transistor of the present invention.
  • the organic thin film transistor of FIG. 1 has a substrate 11 disposed in the lowermost layer, an electrode 12 is provided on a part of the upper surface thereof, further covers the electrode 12 and is in contact with the substrate 11 at a portion other than the electrode 12. 13 is provided. Further, the semiconductor active layer 14 is provided on the upper surface of the insulator layer 13, and the two electrodes 15a and 15b are disposed separately on a part of the upper surface.
  • the electrode 12 is a gate, and the electrodes 15a and 15b are drains or sources, respectively.
  • the organic thin film transistor shown in FIG. 1 is an insulated gate FET in which a channel that is a current path between a drain and a source is insulated from a gate.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the structure of an organic thin film transistor manufactured as a substrate for measuring FET characteristics in an example of the present invention.
  • the substrate 31 is disposed in the lowermost layer, the electrode 32 is provided on a part of the upper surface thereof, and the insulator layer is further covered with the electrode 32 and in contact with the substrate 31 at a portion other than the electrode 32. 33 is provided.
  • the semiconductor active layer 35 is provided on the upper surface of the insulator layer 33, and the electrodes 34 a and 34 b are below the semiconductor active layer 35.
  • the electrode 32 is a gate
  • the electrode 34a and the electrode 34b are a drain or a source, respectively.
  • the organic thin film transistor shown in FIG. 2 is an insulated gate FET in which a channel which is a current path between a drain and a source is insulated from a gate.
  • a top gate / top contact type element having an insulator and a gate electrode on the semiconductor active layer, and a top gate / bottom contact type element can also be preferably used.
  • the thickness of the entire transistor is, for example, 0.1 to 0.5 ⁇ m.
  • the entire organic thin film transistor element is made of a metal sealing can, glass, an inorganic material such as silicon nitride, a polymer material such as parylene, It may be sealed with a low molecular material or the like.
  • a metal sealing can glass
  • an inorganic material such as silicon nitride, a polymer material such as parylene
  • It may be sealed with a low molecular material or the like.
  • the organic thin film transistor of the present invention preferably includes a substrate.
  • a well-known material can be used, for example, polyester films, such as a polyethylene naphthoate (PEN) and a polyethylene terephthalate (PET), a cycloolefin polymer film, a polycarbonate film, a triacetyl cellulose (TAC) film, polyimide film, and those obtained by bonding these polymer films to ultrathin glass, ceramic, silicon, quartz, glass, and the like can be mentioned, and silicon is preferred.
  • PEN polyethylene naphthoate
  • PET polyethylene terephthalate
  • TAC triacetyl cellulose
  • the organic thin film transistor of the present invention preferably includes an electrode.
  • the constituent material of the electrode include metal materials such as Cr, Al, Ta, Mo, Nb, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, In, Ni, and Nd, alloy materials thereof, carbon materials, and conductive materials. Any known conductive material such as a conductive polymer can be used without particular limitation.
  • the thickness of the electrode is not particularly limited, but is preferably 10 to 50 nm.
  • the gate width (or channel width) W and the gate length (or channel length) L are no particular limitation on the gate width (or channel width) W and the gate length (or channel length) L, but the ratio W / L is preferably 10 or more, more preferably 20 or more.
  • the material constituting the insulating layer is not particularly limited as long as the necessary insulating effect can be obtained.
  • fluorine polymer insulating materials such as silicon dioxide, silicon nitride, PTFE, CYTOP, polyester insulating materials, polycarbonate insulating materials, acrylic polymers Insulating material, epoxy resin insulating material, polyimide insulating material, polyvinylphenol resin insulating material, polyparaxylylene resin insulating material, and the like.
  • the upper surface of the insulating layer may be surface-treated.
  • an insulating layer whose surface is treated by applying hexamethyldisilazane (HMDS) or octadecyltrichlorosilane (OTS) to the silicon dioxide surface can be preferably used.
  • HMDS hexamethyldisilazane
  • OTS octadecyltrichlorosilane
  • the thickness of the insulating layer is not particularly limited, but when a thin film is required, the thickness is preferably 10 to 400 nm, more preferably 20 to 200 nm, and particularly preferably 50 to 200 nm. .
  • the organic thin film transistor of the present invention is characterized in that the semiconductor active layer contains a compound represented by the general formula (1).
  • the semiconductor active layer may be a layer composed of the compound represented by the general formula (1), and is a layer further including a polymer binder described later in addition to the compound represented by the general formula (1). There may be. Moreover, the residual solvent at the time of film-forming may be contained.
  • the content of the polymer binder in the semiconductor active layer is not particularly limited, but is preferably used in the range of 0 to 95% by mass, more preferably in the range of 10 to 90% by mass, It is preferably used in the range of 20 to 80% by mass, particularly preferably in the range of 30 to 70% by mass.
  • the thickness of the semiconductor active layer is not particularly limited, but when a thin film is required, the thickness is preferably 10 to 400 nm, more preferably 10 to 200 nm, and particularly preferably 10 to 100 nm. preferable.
  • Organic semiconductor materials for non-luminescent organic semiconductor devices This invention relates also to the organic-semiconductor material for nonluminous organic-semiconductor devices containing the compound represented by the said General formula (1).
  • Non-luminescent organic semiconductor devices In the present specification, the “non-light-emitting organic semiconductor device” means a device not intended to emit light.
  • the non-light-emitting organic semiconductor device is preferably a non-light-emitting organic semiconductor device using an electronic element having a thin film layer structure.
  • Non-luminescent organic semiconductor devices include organic thin-film transistors, organic photoelectric conversion elements (solid-state imaging elements for photosensors, solar cells for energy conversion, etc.), gas sensors, organic rectifying elements, organic inverters, information recording elements, etc.
  • the organic photoelectric conversion element can be used for both optical sensor applications (solid-state imaging elements) and energy conversion applications (solar cells).
  • an organic photoelectric conversion element and an organic thin film transistor are preferable, and an organic thin film transistor is more preferable. That is, the organic semiconductor material for a non-light-emitting organic semiconductor device of the present invention is preferably an organic thin film transistor material as described above.
  • organic semiconductor material refers to an organic material exhibiting semiconductor characteristics. Similar to semiconductors made of inorganic materials, there are p-type (hole-transporting) organic semiconductors that conduct holes as carriers and n-type (electron-transporting) organic semiconductors that conduct electrons as carriers.
  • the compound represented by the general formula (1) may be used as either a p-type organic semiconductor material or an n-type organic semiconductor material, but is more preferably used as a p-type.
  • the ease of carrier flow in the organic semiconductor is represented by carrier mobility ⁇ .
  • the carrier mobility ⁇ is preferably higher, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 cm 2 / Vs or more, more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 2 cm 2 / Vs or more, and more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 2 cm 2. / Vs or higher is particularly preferable, 1 ⁇ 10 ⁇ 1 cm 2 / Vs or higher is more preferable, and 1 cm 2 / Vs or higher is even more preferable.
  • the carrier mobility ⁇ can be obtained by characteristics when a field effect transistor (FET) element is manufactured or by a time-of-flight measurement (TOF) method.
  • FET field effect transistor
  • TOF time-of-flight measurement
  • Organic semiconductor thin film for non-luminescent organic semiconductor devices (material) This invention relates also to the organic-semiconductor thin film for nonluminous organic-semiconductor devices containing the compound represented by the said General formula (1).
  • the aspect in which the organic semiconductor thin film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention contains the compound represented by the general formula (1) and does not contain a polymer binder is also preferable.
  • the organic-semiconductor thin film for nonluminous organic-semiconductor devices of this invention may contain the compound represented by the said General formula (1), and a polymer binder.
  • polymer binder examples include insulating polymers such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyimide, polyurethane, polysiloxane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, cellulose, polyethylene, and polypropylene, and co-polymers thereof.
  • insulating polymers such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyimide, polyurethane, polysiloxane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, cellulose, polyethylene, and polypropylene, and co-polymers thereof.
  • examples thereof include a polymer, a photoconductive polymer such as polyvinyl carbazole and polysilane, a conductive polymer such as polythiophene, polypyrrole, polyaniline, and polyparaphenylene vinylene, and a semiconductor polymer.
  • the polymer binders may be used
  • the organic semiconductor material and the polymer binder may be uniformly mixed, or a part or all of them may be phase-separated, but from the viewpoint of charge mobility, A structure in which the binder and the binder are phase-separated is most preferable because the binder does not hinder the charge transfer of the organic semiconductor.
  • a polymer binder having a high glass transition temperature is preferable, and in consideration of charge mobility, a polymer binder, a photoconductive polymer, or a conductive polymer having a structure containing no polar group is preferable.
  • the amount of the polymer binder used is not particularly limited, but it is preferably used in the range of 0 to 95% by mass, more preferably 10 to 90% by mass in the organic semiconductor thin film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention. Is more preferably used within a range of 20 to 80% by mass, and particularly preferably within a range of 30 to 70% by mass.
  • an organic thin film with good film quality can be obtained by the compound having the structure described above. Specifically, since the compound obtained by the present invention has good crystallinity, a sufficient film thickness can be obtained, and the obtained organic semiconductor thin film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention has a good quality. Become.
  • any method may be used for forming the compound represented by the general formula (1) on the substrate.
  • the substrate may be heated or cooled, and the film quality and molecular packing in the film can be controlled by changing the temperature of the substrate.
  • the temperature of the substrate is not particularly limited, but is preferably between 0 ° C. and 200 ° C., more preferably between 15 ° C. and 100 ° C., and particularly between 20 ° C. and 95 ° C. preferable.
  • the compound represented by the general formula (1) is formed on the substrate, it can be formed by a vacuum process or a solution process, both of which are preferable.
  • film formation by a vacuum process include physical vapor deposition methods such as vacuum deposition, sputtering, ion plating, molecular beam epitaxy (MBE), and chemical vapor deposition (CVD) such as plasma polymerization. ) Method, and it is particularly preferable to use a vacuum deposition method.
  • film formation by a solution process refers to a method in which an organic compound is dissolved in a solvent that can be dissolved and a film is formed using the solution.
  • coating methods such as casting method, dip coating method, die coater method, roll coater method, bar coater method, spin coating method, ink jet method, screen printing method, gravure printing method, flexographic printing method, offset printing
  • Conventional printing methods such as various printing methods such as micro contact printing method, Langmuir-Blodgett (LB) method, casting method, spin coating method, ink jet method, gravure printing method, flexographic printing method, offset It is particularly preferable to use a printing method or a microcontact printing method.
  • the organic semiconductor thin film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention is preferably produced by a solution coating method. Further, when the organic semiconductor thin film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention contains a polymer binder, the material for forming the layer and the polymer binder are dissolved or dispersed in an appropriate solvent to form a coating solution. It is preferably formed by a coating method.
  • the coating solution for non-light-emitting organic semiconductor devices of the present invention that can be used for film formation by a solution process will be described.
  • This invention relates also to the coating solution for nonluminous organic-semiconductor devices containing the compound represented by the said General formula (1).
  • the material for forming the layer is selected from hydrocarbons such as hexane, octane, decane, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, decalin, and 1-methylnaphthalene.
  • Solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone and other ketone solvents such as dichloromethane, chloroform, tetrachloromethane, dichloroethane, trichloroethane, tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, chlorotoluene and the like
  • Solvent for example, ester solvent such as ethyl acetate, butyl acetate, amyl acetate, for example, methanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, cyclohexanol, methyl Alcohol solvents such as rosolve, ethyl cellosolve, ethylene glycol, for example, ether solvents such as dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, anisole, such
  • the liquid can be used to form a thin film by various coating methods.
  • a solvent may be used independently and may be used in combination of multiple. Among these, hydrocarbon solvents, halogenated hydrocarbon solvents or ether solvents are preferable, toluene, xylene, mesitylene, tetralin, dichlorobenzene or anisole are more preferable, and toluene, xylene, tetralin and anisole are particularly preferable.
  • the concentration of the compound represented by the general formula (1) in the coating solution is preferably 0.1 to 80% by weight, more preferably 0.1 to 10% by weight, and particularly preferably 0.5 to 10% by weight. By setting the ratio to%, a film having an arbitrary thickness can be formed.
  • the coating solution for non-light-emitting organic semiconductor devices of the present invention preferably includes an embodiment containing the compound represented by the general formula (1) and not containing a polymer binder.
  • the coating solution for nonluminous organic semiconductor devices of this invention may contain the compound represented by the said General formula (1), and a polymer binder.
  • the material for forming the layer and the polymer binder can be dissolved or dispersed in the aforementioned appropriate solvent to form a coating solution, and a thin film can be formed by various coating methods.
  • the polymer binder can be selected from those described above.
  • Example 1 ⁇ Forming a semiconductor active layer (organic semiconductor layer) with a compound alone>
  • the compound represented by the general formula (1) or the comparative compound (each 1 mg) and 1,2-dichlorobenzene (1 mL) were mixed and heated to 100 ° C.
  • This solution was cast on an FET characteristic measurement substrate heated to 100 ° C. in a nitrogen atmosphere to obtain an FET characteristic measurement element.
  • the substrate shown in FIG. 2 was used as the substrate for measuring FET characteristics.
  • FET characteristics were measured using a semiconductor parameter analyzer (Agilent, 4156C) connected with a semi-auto prober (Vector Semicon, AX-2000) under normal pressure and nitrogen atmosphere, and carrier mobility, mobility change after device heating, high Table 1 below shows the results of evaluation in terms of changes in threshold voltage after voltage driving.
  • C After ⁇ / before ⁇ ⁇ 0.1
  • Compounds 1-27 used as organic semiconductor materials have the following structures.
  • Comparative compounds 1 to 15 used as organic semiconductor materials for comparative examples have the following structures.
  • Example 2 ⁇ Forming a semiconductor active layer (organic semiconductor layer) with a compound alone>
  • the compound represented by the general formula (1) or the comparative compound (each 1 mg) and toluene (1 mL) were mixed and heated to 100 ° C.
  • This solution was cast on an FET characteristic measurement substrate heated to 90 ° C. in a nitrogen atmosphere to obtain an FET characteristic measurement element.
  • the substrate shown in FIG. 2 was used as the substrate for measuring FET characteristics.
  • FET characteristics were measured using a semiconductor parameter analyzer (Agilent, 4156C) connected with a semi-auto prober (Vector Semicon, AX-2000) under normal pressure and nitrogen atmosphere, and carrier mobility, mobility change after device heating, high Table 2 below shows the results of evaluation in terms of changes in threshold voltage after voltage driving.
  • the organic thin film transistor using the compound represented by the general formula (1) has high carrier mobility, small change in mobility after storage at high temperature and high humidity, and after high voltage driving. It was also found that the threshold voltage change after repeated driving was small.
  • Comparative Compounds 1 to 15 that do not satisfy the general formula (1) have low carrier mobility.
  • Comparative Compounds 1, 3 to 7, 10, and 14 have extremely low carrier mobility.
  • Comparative Compounds 2, 8-9, 11-13, and 15 had a large change in mobility after storage at high temperature and high humidity, and a large change in threshold voltage after high voltage driving and after repeated driving.
  • Comparative compounds 1 to 3 are compounds described in the Journal of Applied Physics Society of Organic Molecules and Bioelectronics, 2011, 22, p9-12, and Comparative Compound 4 is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-88222.
  • Comparative compound 5 is a compound described in JP 2009-515595 A.
  • Comparative compound 6 is a compound described in the pamphlet of International Publication No. 2006/122630
  • comparative compound 7 is a compound described in US 2012/0074396, and comparative compounds 8, 9, and 11 are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-147256. It is a compound described in the publication.
  • Comparative compounds 10 and 14 are compounds described in JP2008-81494A
  • comparative compound 12 is US2006 / 0128969
  • comparative compound 13 is US2006 / 012,5009
  • comparative compound 15 is described in JP2010-229048.
  • Example 4 ⁇ Semiconductor active layer (organic semiconductor layer) formation> A silicon wafer provided with SiO 2 (thickness: 370 nm) as a gate insulating film was used, and surface treatment was performed with octyltrichlorosilane. A non-luminescent organic semiconductor device coating solution was prepared by mixing the compound represented by the general formula (1) or the comparative compound (each 1 mg) and toluene (1 mL) and heating to 100 ° C. The coating solution was cast on an octylsilane surface-treated silicon wafer heated to 90 ° C. in a nitrogen atmosphere to form an organic semiconductor thin film for a non-light-emitting organic semiconductor device.
  • FIG. 1 shows a schematic diagram of the structure.
  • the FET characteristics of the organic thin-film transistor element of Example 4 are as follows. The carrier mobility was measured under normal pressure and nitrogen atmosphere using a semiconductor parameter analyzer (Agilent, 4156C) connected to a semi-auto prober (Vector Semicon, AX-2000). Evaluation was made in terms of changes in threshold voltage after repeated driving. The results obtained are shown in Table 4 below.
  • the organic thin film transistor element using the compound represented by the general formula (1) has high carrier mobility and small threshold voltage change after repeated driving. Therefore, it turned out that the compound represented by the said General formula (1) is preferably used as an organic-semiconductor material for nonluminous organic-semiconductor devices.
  • the organic thin film transistor element using the comparative compounds 3, 4, and 9 has a low carrier mobility and a large threshold voltage change after repeated driving.
  • Electrode 11 Substrate 12 Electrode 13 Insulator layer 14 Organic layer (semiconductor active layer) 15a, 15b Electrode 31 Substrate 32 Electrode 33 Insulator layer 34a, 34b Electrode 35 Organic layer (semiconductor active layer)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

下記一般式（１）で表される化合物を半導体活性層に用いた有機薄膜トランジスタは、キャリア移動度が高く、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さい（Ｒ１～Ｒ１０は水素原子または置換基；Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの少なくとも１つが一般式（Ｗ）で表される置換基；ただし、一般式（Ｗ）において、Ｌが一般式（Ｌ－１）単独で表される２価の連結基のときはＲ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの２つ以上が一般式（Ｗ）で表される置換基；Ｌは特定の２価の連結基；Ｒは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基或いは置換または無置換のトリアルキルシリル基）。

Description

有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
　本発明は、有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料に関する。具体的には、本発明は、ベンゾビスベンゾフラン（以下、ＢＢＢＦともいう）構造を有する化合物を含有した非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、該材料を含む有機半導体薄膜、該薄膜を用いた有機薄膜トランジスタに関する。
　有機半導体材料を用いたデバイスは、従来のシリコンなどの無機半導体材料を用いたデバイスと比較して、様々な優位性が見込まれているため、高い関心を集めている。有機半導体材料を用いたデバイスの例としては、有機半導体材料を光電変換材料として用いた有機薄膜太陽電池や固体撮像素子などの光電変換素子や、非発光性の有機トランジスタが挙げられる。有機半導体材料を用いたデバイスは、無機半導体材料を用いたデバイスと比べて低温、低コストで大面積の素子を作製できる可能性がある。さらに分子構造を変化させることで容易に材料特性を変化させることが可能であるため材料のバリエーションが豊富であり、無機半導体材料ではなし得なかったような機能や素子を実現することができる。
　例えば、特許文献１には、芳香族複素環を含む５つの環が縮合した縮合環を部分構造として持つ下記一般式で表される化合物が開示されている（環Ａおよび環Ｂはベンゼン環または特定の５員芳香族複素環を表し、Ｔ１およびＴ２は硫黄、セレン、テルル、酸素、リン、ホウ素またはアルミニウムを表し、Ｒ１～Ｒ４は水素原子、アルキル基等を表し、ｌおよびｍは０または１を表す）。特許文献１では、下記一般式で表される化合物は、半導体活性層形成が可能であり、塗布成膜が可能な有機半導体材料になり得るとされている。ここでは、これらの化合物を有機半導体材料に用いて有機薄膜を形成しているが、そのトランジスタ特性等は開示されていない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　上記一般式とは別の観点から構造的特徴を規定した芳香族複素環を含む縮合環化合物を、有機ＥＬ素子に応用している例が特許文献２に開示されている。しかしながら、特許文献２には有機トランジスタとしての用途やトランジスタ特性を示す実施例は開示されていない。
　芳香族複素環を含む多環縮合化合物を有機トランジスタに用いることについては、非特許文献１、特許文献３～６にも記載されている。非特許文献１ではＢＢＢＦ系骨格を有した化合物のうち、いくつかのものは有機薄膜トランジスタの材料として有望であることが示唆されている。しかし、この有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性は初期的な段階のものであり、移動度が低くて実用化レベルには至っていない。また、特許文献３～６においては、ＢＢＢＦ系骨格を有する化合物が有機半導体素子に有用である旨は記載されているものの、有機薄膜トランジスタ用有機半導体材料としての有用性は限られた化合物について証明されているに過ぎない。
特開２００８－８１４９４号公報 特開２０１０－４５２８１号公報 特開２００７－８８２２２号公報 特開２００９－５１９５９５号公報 国際公開２００６／１２２６３０号パンフレット 特開２００８－１４７２５６号公報
応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌、２０１１，２２，ｐ９－１２
　特許文献２に記載されているように、ＢＢＢＦ系骨格などの芳香族複素環を含む多環縮合化合物が有機ＥＬ素子材料として有用であることは従来から知られている。しかし、有機ＥＬ素子材料として有用なものが、ただちに有機薄膜トランジスタ用半導体材料として有用であると言うことはできない。これは、有機ＥＬ素子と有機薄膜トランジスタでは、有機化合物に求められる特性が異なるためである。すなわち、有機薄膜トランジスタでは、有機ＥＬ素子等の膜厚方向（通常数ｎｍ～数１００ｎｍ）に電荷を輸送するデバイスとは異なり、薄膜面方向の電極間（通常数μ～数１００ミクロン）の長距離を電荷輸送する必要があり、求められるキャリア移動度が格段に高い。そのため、有機薄膜トランジスタ用半導体材料としては、結晶性が高い有機化合物が求められている。一方、有機ＥＬ素子では、発光効率が高く、面内の発光が均一な素子が求められている。通常、結晶性の高い有機化合物は、面内の電界強度不均一、発光不均一、発光クエンチ等、発光欠陥を生じさせる原因となるため、有機ＥＬ素子用材料は結晶性を高めることができない。このため、有機ＥＬ素子材料を構成する有機化合物を有機半導体材料にそのまま転用しても、ただちに良好なトランジスタ特性を得ることができる訳ではない。
　一方、上記の特許文献において有機薄膜トランジスタに応用することが記載されている化合物を、本発明者らが実際に有機薄膜トランジスタに応用してみたところ、十分なトランジスタ特性を得ることができないという問題があることが判明した。具体的には、上記の特許文献に具体的に構造が記載されている化合物を有機半導体材料として有機薄膜トランジスタに応用した場合、高いキャリア移動度を得ることができないことが本発明者らの検討により明らかになった。また、これらの化合物を有機半導体材料として有機薄膜トランジスタに適用し、繰り返し駆動した場合、閾値電圧の変化が大きくなることも本発明者らの検討により明らかになった。閾値電圧の変化が大きくなると、トランジスタとしての信頼性が低下し、半導体として長期間使用することができなくなってしまうという問題がある。
　そこで本願発明者らは、このような従来技術の課題を解決するために、良好なトランジスタ特性を示す有機薄膜トランジスタを提供することを目的として検討を進めた。具体的には、キャリア移動度が高く、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さい半導体材料を得て、その材料を有機薄膜トランジスタに応用することで、トランジスタ特性に優れた有機薄膜トランジスタを得ることを目的とした。
　上記の課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本願発明者らは、特定の構造を有するＢＢＢＦ誘導体は結晶性が高く、キャリア輸送に有利な有機薄膜を形成することを見出した。これにより、キャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタを得ることに成功し、本願発明を完成するに至った。
　さらに、本願発明者らは、本発明で得られた有機薄膜トランジスタは繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さいことを見出し、長期間に渡って安定的に使用できる有機薄膜トランジスタを得ることに成功した。
　具体的に、本発明は、以下の構成を有する。
［１］　下記一般式（１）で表される化合物を半導体活性層に用いた有機薄膜トランジスタ。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 （一般式（１）において、Ｒ１～Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。ただし、下記一般式（Ｗ）において、Ｌが下記一般式（Ｌ－１）単独で表される２価の連結基のときは、Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの２つ以上が下記一般式（Ｗ）で表される置換基となる。Ｒ１～Ｒ４およびＲ６～Ｒ９の置換基同士で縮環は形成しない。）
－Ｌ－Ｒ　　　一般式（Ｗ）
（一般式（Ｗ）において、Ｌは下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒに隣接するＬが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 （一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、波線部分はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位置を示し、＊は一般式（Ｗ）のＲとの結合位置を示す。一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表す。一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）｝
［２］　［１］に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）で表される化合物が下記一般式（１Ａ）で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 （一般式（１Ａ）において、Ｒ１～Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの少なくとも２つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、Ｒ１～Ｒ４およびＲ６～Ｒ９の置換基同士で縮環は形成しない。）
－Ｌ－Ｒ　　　一般式（Ｗ）
（一般式（Ｗ）において、Ｌは一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１２）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１２）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、あるいは、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基を表す。）
［３］　［１］に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 （一般式（２－１）において、Ｌａ、Ｌｂはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ独立に炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオキシオリゴエチレン基、シロキサン単位の繰り返し数２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲａおよびＲｂが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲａまたはＲｂに隣接するＬａまたはＬｂが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立に置換基を表す。ｎ１１およびｎ１２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 （一般式（２－２）において、Ｌｃ、Ｌｄはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒｃ、Ｒｄはそれぞれ独立に炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲｃおよびＲｄが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲｃまたはＲｄに隣接するＬｃまたはＬｄが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ２１およびＲ２１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ２１およびｎ２２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 （一般式（２－３）において、Ｌｅは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｅは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｅは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｅが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｅに隣接するＬｅが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ３１およびＲ３２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ３１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ３１は０～４の整数を表し、ｎ３２は０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 （一般式（２－４）において、Ｌｆは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｆは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｆは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｆが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｆに隣接するＬｆが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ４１およびＲ４２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ４１およびＲ４２は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ４１は０～４の整数を表し、ｎ４２は０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 （一般式（２－１）～一般式（２－４）における一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、波線部分はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位置を示し、＊はそれぞれ独立に一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）に隣接するＲａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅまたはＲｆのいずれかとの結合位置を示す。一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表す。一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）｝
［４］　［３］に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（２－１）または一般式（２－２）において、Ｌａ、Ｌｂ、ＬｃおよびＬｄがそれぞれ独立に一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）または（Ｌ－１３）で表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましい。
［５］　［３］に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（２－３）または一般式（２－４）において、ＬｅおよびＬｆがそれぞれ独立に一般式（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）または（Ｌ－１３）で表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましい。
［６］　［３］～［５］のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）において、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅおよびＲｆがそれぞれ独立に全てアルキル基であることが好ましい。
［７］　［３］～［５］のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタは、一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）において、Ｒａ、Ｒｂがそれぞれ独立に炭素数２～１２のアルキル基、ＲｃおよびＲｄがそれぞれ独立に炭素数２～７のアルキル基、Ｒｅが炭素数２～１２のアルキル基、Ｒｆが炭素数２～１２のアルキル基であることが好ましい。
［８］　下記一般式（２－１’）、（２－２’）、（２－３’）または（２－４’）のいずれかで表される化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 （一般式（２－１’）において、Ｌａ、Ｌｂはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ独立に炭素数２～１２の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン単位の繰り返し数２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲａおよびＲｂが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲａまたはＲｂに隣接するＬａまたはＬｂが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立に置換基を表す。ｎ１１およびｎ１２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 （一般式（２－２’）において、Ｌｃ、Ｌｄはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒｃ、Ｒｄはそれぞれ独立に炭素数２～７の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲｃおよびＲｄが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲｃまたはＲｄに隣接するＬｃまたはＬｄが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ２１およびＲ２１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ２１およびｎ２２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 （一般式（２－３’）において、Ｌｅは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｅは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｅは炭素数２～１２の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｅが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｅに隣接するＬｅが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ３１およびＲ３２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ３１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ３１は０～４の整数を表し、ｎ３２は０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 （一般式（２－３’）において、Ｌｅは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｅは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｅは炭素数２～１２の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｅが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｅに隣接するＬｅが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ３１およびＲ３２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ３１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ３１は０～４の整数を表し、ｎ３２は０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 （一般式（２－１’）～一般式（２－４’）における一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、波線部分はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位置を示し、＊はそれぞれ独立に一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）に隣接するＲａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅまたはＲｆのいずれかとの結合位置を示す。一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表す。一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）｝
［９］　［１］に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料。
［１０］　［１］に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する有機薄膜トランジスタ用材料。
［１１］　［１］に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液。
［１２］　［１］に記載の一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液。
［１３］　［１］に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する有機半導体薄膜。
［１４］　［１］に記載の一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有する有機半導体薄膜。
［１５］　［１３］または［１４］に記載の有機半導体薄膜は、溶液塗布法により作製されたことが好ましい。
　本発明によれば、結晶性が高く、キャリア輸送に有利な有機薄膜を形成する半導体材料を得ることができる。これにより、キャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを得ることができる。
　さらに、本発明によれば、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さい有機薄膜トランジスタを得ることができる。これにより、有機薄膜トランジスタの有機薄膜は高い化学的安定性や膜密度等を有することができ、長期間に渡ってトランジスタとして有効に機能し得る。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタ素子の一例の構造の断面を示す概略図である。 図２は、本発明の実施例でＦＥＴ特性測定用基板として製造した有機薄膜トランジスタの構造の断面を示す概略図である。
　以下において、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、代表的な実施形態や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は「～」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
　本発明において、各一般式の説明において特に区別されずに用いられている場合における水素原子は同位体（重水素原子等）も含んでいることを表す。さらに、置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
［有機薄膜トランジスタ］
　本発明の有機薄膜トランジスタは、半導体活性層を有し、この半導体活性層には、下記一般式（１）で表される化合物が含有される。
（ベンゾビスベンゾフラン誘導体）
　本発明では、上記の半導体活性層が下記一般式（１）で表される化合物を含むことを特徴とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
 （一般式（１）において、Ｒ１～Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。ただし、下記一般式（Ｗ）において、Ｌが下記一般式（Ｌ－１）単独で表される２価の連結基のときは、Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの２つ以上が下記一般式（Ｗ）で表される置換基となる。Ｒ１～Ｒ４およびＲ６～Ｒ９の置換基同士で縮環は形成しない。）
－Ｌ－Ｒ　　　一般式（Ｗ）
（一般式（Ｗ）において、Ｌは下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒに隣接するＬが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 （一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、波線部分はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位置を示し、＊は一般式（Ｗ）のＲとの結合位置を示す。一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表す。一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）｝
　前記一般式（１）で表される化合物は、高温多湿保管後においても有機半導体材料として好ましい性能を有する。例えば、高温多湿保管後においても高いキャリア移動度が得られ、その移動度変化を小さくすることができる。これにより、本発明に係る有機薄膜トランジスタは過酷環境下においても、トランジスタとして有効に機能することができる。
　また、本発明では、繰り返し駆動後の閾値電圧変化を小さくすることができる。これにより、本発明に係る有機薄膜トランジスタは長期間に渡って、良好なトランジスタ特性を示すことができる。
　さらに、本発明では、前記一般式（１）で表される化合物が上述した構造をとることにより、膜質の良い有機薄膜を得ることができる。前記一般式（１）で表される化合物は、結晶性が良いため、十分な膜厚を得ることができ、得られた膜は良質なものとなる。本発明では、この良好な結晶性のため、高いキャリア移動度を得ることができ、優れたトランジスタ特性を示すことができる。
　前記一般式（１）で表される化合物は、後述の一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）のいずれかで表されることが好ましいが、下記一般式（１Ａ）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 （一般式（１Ａ）において、Ｒ１～Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの少なくとも２つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、Ｒ１～Ｒ４およびＲ６～Ｒ９の置換基同士で縮環は形成しない。）
－Ｌ－Ｒ　　　一般式（Ｗ）
（一般式（１Ａ）に含まれる一般式（Ｗ）において、Ｌは前記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１２）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の前記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１２）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、あるいは、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基を表す。）
　前記一般式（１）において、Ｒ１～Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。ただし、下記一般式（Ｗ）において、Ｌが下記一般式（Ｌ－１）単独で表される２価の連結基のときは、Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの２つ以上が下記一般式（Ｗ）で表される置換基となる。Ｒ１～Ｒ４およびＲ６～Ｒ９の置換基同士で縮環は形成しない。
　前記一般式（１）で表される化合物は、Ｒ１～Ｒ１０のうち少なくとも１つが前記一般式（Ｗ）で表される置換基を有することで、材料の溶液プロセス適性および膜中での分子配列が良好である。これにより有機薄膜トランジスタに適用できる有機薄膜の製造効率を上げ、製造コストを抑制することができる。また、キャリア移動度をはじめとするキャリア輸送特性や薄膜の化学的、物理的安定性も向上する。
　前記一般式（１）における前記一般式（Ｗ）において、前記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒに隣接するＬが前記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。
　前記一般式（Ｗ）におけるＲは、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が２個以上である場合、炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基であることが、高温多湿下保管後の移動度変化を抑制する観点から好ましい。
　一方、前記一般式（Ｗ）におけるＲは、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が１個である場合、炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基であることが好ましく、炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基であることがより好ましい。
　前記一般式（Ｗ）におけるＲがアルキル基の場合、炭素数は２～１８であることが好ましく、２～１２であることがより好ましく、２～１０であることがさらに好ましく、２～７であることがよりさらに好ましい。アルキル基の炭素数が２～７であれば、炭素数が８以上の場合に比べて溶媒に対する溶解性が高くなる点で好ましい。Ｒが採りうるアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、また置換もしくは無置換のアルキル基を採用することができる。Ｒが置換基を有するアルキル基である場合の該置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、Ｒがフッ素原子を有するアルキル基である場合は該アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。
　前記一般式（Ｗ）におけるＲがオキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基の場合、Ｒが表す「オリゴオキシエチレン基」とは本明細書中、－（ＣＨ２ＣＨ２）ｘＯＹで表される基のことを言う（オキシエチレン単位の繰り返し数ｘは２以上の整数を表し、末端のＹは水素原子または置換基を表す）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｘは２～４であることが好ましく、２～３であることがさらに好ましい。オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１～３のアルキル基で封止されること、すなわちＹが炭素数１～３のアルキル基であることが好ましい。ヒドロキシ基は、例えば、メチル基やエチル基で封止されることが好ましく、Ｙがメチル基やエチル基であることがより好ましい。
　前記一般式（Ｗ）におけるＲがケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２～４であることが好ましく、２～３であることがさらに好ましい。また、Ｓｉ原子には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１～３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子には、同一のアルキル基が結合しても良く、異なるアルキル基または水素原子が結合しても良い。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。
　Ｒに隣接するＬが前記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限り、前記一般式（Ｗ）におけるＲが置換または無置換のトリアルキルシリル基をとり得る。前記一般式（Ｗ）におけるＲが置換または無置換のトリアルキルシリル基の場合、Ｓｉ原子に結合するアルキル基の炭素数は１～３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。Ｓｉ原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。Ｒが置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の該置換基としては、特に制限はない。
　Ｌは、下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　上記の（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、～（波線部分）はＢＢＢＦ骨格との結合位置を示し、＊は前記一般式（Ｗ）のＲとの結合位置を示す。但し、上記の（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）においては、＊と前記一般式（Ｗ）のＲの間にさらに（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかが挿入されても良い。前記Ｌが一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した連結基を形成する場合、一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基の結合数は２～４であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。特に、上記の一般式（Ｌ－１０）～（Ｌ－１３）においては、＊とＲの間にさらに一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかが挿入されて、前記Ｌが一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した連結基を形成することも好ましい。
　一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表し、好ましくは１～１０のいずれかの整数であり、より好ましくは１～６のいずれかの整数であり、さらに好ましくは１～３のいずれかの整数である。
　また、一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’は水素原子または置換基を表す。
　一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）中の置換基Ｒ’としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といっても良い）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよびヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（－Ｂ（ＯＨ）２）、ホスファト基（－ＯＰＯ（ＯＨ）２）、スルファト基(－ＯＳＯ３Ｈ)、その他の公知の置換基が挙げられる。
　一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。
　前記一般式（Ｗ）におけるＬは、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が２個以上である場合、一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）、（Ｌ－６）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましく、一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることがより好ましく、一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）、または（Ｌ－１３）で表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが特に好ましい。
　前記一般式（Ｗ）におけるＬは、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が１個である場合、一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）、（Ｌ－６）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましく、一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）、（Ｌ－１０）（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることがより好ましく、一般式（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）、または（Ｌ－１３）で表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが特に好ましく、一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基であることが最も好ましい。
　一般式（１）におけるＲ１～Ｒ１０は、一般式（Ｗ）以外の構造を有する置換基であってもよい。そのような置換基の具体例として、上記の一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）中の置換基Ｒ’の具体例を挙げることができる。これらの中でもＲ１～Ｒ１０がとり得る一般式（Ｗ）以外の構造を有する置換基としてはハロゲン原子、アルキル基およびアリール基が好ましく、フッ素原子、炭素数１～３のアルキル基およびフェニル基がより好ましく、フッ素原子およびフェニル基が特に好ましい。
　前記一般式（１）で表される化合物中において、Ｒ１～Ｒ１０のうち前記一般式（Ｗ）で表される置換基以外のその他の置換基の個数は０～４であることが好ましく、０～２であることがより好ましい。さらに、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が１個である場合、Ｒ１～Ｒ１０のうち前記一般式（Ｗ）で表される置換基以外のその他の置換基の個数は０であることが好ましい。
　従来、ＢＢＢＦ類似構造を有する化合物は、カルコゲン（Ｓ、Ｓｅ）含有のものが多かったが、カルコゲン（Ｓ、Ｓｅ）含有化合物からは、良質な膜質で、かつ、キャリア輸送に有利なパッキングをした有機薄膜を得ることが難しかった。
　そこで、本発明では、有機半導体材料として、一般式（１）で表されるようにＯ原子を含むＢＢＢＦ骨格を有し、特定の構造を有する置換基を持った化合物を採用した。これらの有機半導体材料は、有機薄膜の膜中でキャリア輸送に適したヘリンボーン構造をとり、二次元的な軌道の重なりを形成しやすいものと考えられる（ヘリンボーン構造がキャリア輸送に有利であることは、例えばＡｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０１１，２３，４３４７－４３７０等に記載されている）。これにより、本発明に係る化合物は、良質な膜質と高いキャリア移動度を実現することができ、有機薄膜トランジスタに好ましく用いられ得るものとなったと考えられる。
　本発明では、一般式（１）および一般式（１Ａ）において、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７およびＲ８のうち少なくとも１つが上記一般式（Ｗ）で表される置換基であることが好ましい。
　一般式（１）および一般式（１Ａ）において、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７およびＲ８のうち少なくとも２つが上記一般式（Ｗ）で表される置換基である場合、Ｒ２またはＲ３のいずれか、およびＲ７またはＲ８のいずれかの２箇所であることがさらに好ましく、Ｒ３およびＲ８の２箇所であることが特に好ましい。
　一般式（１）における置換位置として、これらの位置が好ましいのは、化合物の化学的安定性に優れ、ＨＯＭＯ準位、分子の膜中でのパッキングの観点からも好適であるためであると考えられる。特に、一般式（１）において、Ｒ３およびＲ８の２箇所を置換基とすることにより、高いキャリア濃度を得ることができる。
　本発明では、一般式（１）で表される化合物が一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
 （一般式（２－１）において、Ｌａ、Ｌｂはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ独立に炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオキシオリゴエチレン基、シロキサン単位の繰り返し数２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲａおよびＲｂが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲａまたはＲｂに隣接するＬａまたはＬｂが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立に置換基を表す。ｎ１１およびｎ１２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 （一般式（２－２）において、Ｌｃ、Ｌｄはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒｃ、Ｒｄはそれぞれ独立に炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲｃおよびＲｄが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲｃまたはＲｄに隣接するＬｃまたはＬｄが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ２１およびＲ２１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ２１およびｎ２２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
 （一般式（２－３）において、Ｌｅは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｅは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｅは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｅが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｅに隣接するＬｅが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ３１およびＲ３２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ３１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ３１は０～４の整数を表し、ｎ３２は０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 （一般式（２－４）において、Ｌｆは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｆは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｆは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｆが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｆに隣接するＬｆが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ４１およびＲ４２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ４１およびＲ４２は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ４１は０～４の整数を表し、ｎ４２は０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
 （一般式（２－１）～一般式（２－４）における一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、波線部分はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位置を示し、＊はそれぞれ独立に一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）に隣接するＲａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅまたはＲｆのいずれかとの結合位置を示す。一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表す。一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）｝
　一般式（２－１）または一般式（２－２）において、Ｌａ、Ｌｂ、ＬｃおよびＬｄの好ましい範囲は、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が２個以上である場合におけるＬの好ましい範囲と同様であり、特にＬａ、Ｌｂ、ＬｃおよびＬｄがそれぞれ独立に一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）または（Ｌ－１３）で表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましい。
　一般式（２－１）または一般式（２－２）において、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄの好ましい範囲は、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が２個以上である場合におけるＲの好ましい範囲と同様である。
　一般式（２－１）または一般式（２－２）におけるＲ１１、Ｒ１２、Ｒ２１およびＲ１２とｎ１１、ｎ１２、ｎ２１およびｎ２２の好ましい範囲は、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が２個以上である場合における前記一般式（１）におけるＲ１～Ｒ１０の好ましい範囲と同様である。
　また、上記一般式（２－１）および一般式（２－２）に表されているように、２つの前記一般式（Ｗ）で表される－Ｌ－Ｒ基はＢＢＢＦ骨格において対照的な位置に設けられることが好ましい。これにより、有機薄膜の膜中でキャリア輸送に適したヘリンボーン構造をとることができ、高いキャリア移動度を得ることができるものと考えられる。
　一般式（２－３）または一般式（２－４）において、ＬｅおよびＬｆの好ましい範囲は、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が１個である場合におけるＬの好ましい範囲と同様であり、特にＬｅおよびＬｆがそれぞれ独立に一般式（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）または（Ｌ－１３）で表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基であることが好ましい。
　一般式（２－３）または一般式（２－４）において、ＲｅおよびＲｆの好ましい範囲は、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が１個である場合におけるＲの好ましい範囲と同様である。
　一般式（２－３）または一般式（２－４）において、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３およびＲ３４とｎ３１、ｎ３２、ｎ４１およびｎ４２の好ましい範囲は、前記一般式（１）で表される化合物中に含まれる前記一般式（Ｗ）で表される置換基の個数が１個である場合におけるＲ１～Ｒ１０の好ましい範囲と同様である。
　本発明では、上記一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）において、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅおよびＲｆの全てがアルキル基であることが好ましい。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅおよびＲｆの全てをアルキル基とすることにより、化学的安定性を高めることができる。
　アルキル基としては、直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を採用することができる。
　また、本発明では、上記一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）において、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅおよびＲｆの全てが炭素数２～１２のアルキル基であることがさらに好ましい。
　また、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅおよびＲｆの全てを炭素数２～７のアルキル基とすることも好ましい。炭素数を２～７とすることにより、得られる化合物の溶媒に対する溶解性を高めることができる。特に一般式（２－２）においては、ＲｃおよびＲｄの炭素数を２～７とすることにより得られる化合物の溶媒に対する溶解性を高めることができる。これにより有機薄膜トランジスタに適用できる有機薄膜の製造効率を上げ、製造コストを抑制することができる。
　一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）のいずれかで表される化合物は、下記一般式（２－１’）、（２－２’）、（２－３’）または（２－４’）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
 （一般式（２－１’）において、Ｌａ、Ｌｂはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ独立に炭素数２～１２の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン単位の繰り返し数２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲａおよびＲｂが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲａまたはＲｂに隣接するＬａまたはＬｂが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立に置換基を表す。ｎ１１およびｎ１２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
 （一般式（２－２’）において、Ｌｃ、Ｌｄはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒｃ、Ｒｄはそれぞれ独立に炭素数２～７の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲｃおよびＲｄが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲｃまたはＲｄに隣接するＬｃまたはＬｄが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ２１およびＲ２１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ２１およびｎ２２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
 （一般式（２－３’）において、Ｌｅは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｅは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｅは炭素数２～１２の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｅが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｅに隣接するＬｅが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ３１およびＲ３２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ３１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ３１は０～４の整数を表し、ｎ３２は０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
 （一般式（２－３’）において、Ｌｅは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｅは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｅは炭素数２～１２の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｅが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｅに隣接するＬｅが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ３１およびＲ３２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ３１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ３１は０～４の整数を表し、ｎ３２は０～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
 （一般式（２－１’）～一般式（２－４’）における一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、波線部分はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位置を示し、＊はそれぞれ独立に一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）に隣接するＲａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅまたはＲｆのいずれかとの結合位置を示す。一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表す。一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）｝
　前記一般式（２－１’）、（２－２’）、（２－３’）または（２－４’）における各基の好ましい範囲は、前記一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）における各基の好ましい範囲と同様である。
　一般式（１）で表される化合物のうち、一部の構造の化合物は新規化合物である。具体的には、前記一般式（２－１）で表される化合物のうち、上記一般式（２－１’）で表される化合物は新規化合物である。さらに、前記一般式（２－２）で表される化合物のうち、上記一般式（２－２’）で表される化合物は新規化合物である。前記一般式（２－３）で表される化合物のうち、上記一般式（２－３’）で表される化合物は新規化合物である。前記一般式（２－４）で表される化合物のうち、上記一般式（２－４’）で表される化合物は新規化合物である。
　以下に上記一般式（１）で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明で用いることができる前記一般式（１）で表される化合物は、これらの具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　上記一般式（１）で表される化合物は、分子量が３０００以下であることが好ましく、２０００以下であることがより好ましく、１０００以下であることがさらに好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができるため好ましい。
　一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は４００以上であることが好ましく、４５０以上であることがより好ましく、５００以上であることがさらに好ましい。
（合成法）
　一般式（１）で表される化合物は、公知の反応を組み合わせることで合成することができる。例えば、応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌，２０１１，２２，９－１２、国際公報ＷＯ２００９／１４８０１６等を参考に合成できる。
　本発明のベンゾビスベンゾフラン環形成反応において、いかなる反応条件を用いても良い。反応溶媒としては、いかなる溶媒を用いても良い。また、環形成反応促進のために、酸または塩基を用いることが好ましく、特に塩基を用いることが好ましい。最適な反応条件は、目的とするベンゾビスベンゾフラン誘導体の構造により異なるが、上記の文献に記載された具体的な反応条件を参考に設定することができる。
　各種置換基を有する合成中間体は公知の反応を組み合わせて合成することができる。また、各置換基はいずれの中間体の段階で導入しても良い。中間体の合成後は、カラムクロマトグラフィー、再結晶等による精製を行った後、昇華精製により精製する事が好ましい。昇華精製により、有機不純物を分離できるだけでなく、無機塩や残留溶媒等を効果的に取り除くことができる。
＜有機薄膜トランジスタの構造＞
　本発明の有機薄膜トランジスタは、前記一般式（１）で表される化合物を含む半導体活性層を有する。
　本発明の有機薄膜トランジスタは、さらに前記半導体活性層以外にその他の層を含んでいてもよい。
　本発明の有機薄膜トランジスタは、有機電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＦＥＴ）として用いられることが好ましく、ゲート－チャンネル間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴとして用いられることがより好ましい。
　以下、本発明の有機薄膜トランジスタの好ましい構造の態様について、図面を用いて詳しく説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。
（積層構造）
　有機電界効果トランジスタの積層構造としては特に制限はなく、公知の様々な構造のものとすることができる。
　本発明の有機薄膜トランジスタの構造の一例としては、最下層の基板の上面に、電極、絶縁体層、半導体活性層（有機半導体層）、２つの電極を順に配置した構造（ボトムゲート・トップコンタクト型）を挙げることができる。この構造では、最下層の基板の上面の電極は基板の一部に設けられ、絶縁体層は、電極以外の部分で基板と接するように配置される。また、半導体活性層の上面に設けられる２つの電極は、互いに隔離して配置される。
　ボトムゲート・トップコンタクト型素子の構成を図１に示す。図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一例の構造の断面を示す概略図である。図１の有機薄膜トランジスタは、最下層に基板１１を配置し、その上面の一部に電極１２を設け、さらに該電極１２を覆い、かつ電極１２以外の部分で基板１１と接するように絶縁体層１３を設けている。さらに絶縁体層１３の上面に半導体活性層１４を設け、その上面の一部に２つの電極１５ａと１５ｂとを隔離して配置している。
　図１に示した有機薄膜トランジスタは、電極１２がゲートであり、電極１５ａと電極１５ｂはそれぞれドレインまたはソースである。また、図１に示した有機薄膜トランジスタは、ドレイン－ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴである。
　本発明の有機薄膜トランジスタの構造の一例としては、ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子を挙げることができる。
　ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の構成を図２に示す。図２は本発明の実施例でＦＥＴ特性測定用基板として製造した有機薄膜トランジスタの構造の断面を示す概略図である。図２の有機薄膜トランジスタは、最下層に基板３１を配置し、その上面の一部に電極３２を設け、さらに該電極３２を覆い、かつ電極３２以外の部分で基板３１と接するように絶縁体層３３を設けている。さらに絶縁体層３３の上面に半導体活性層３５を設け、電極３４ａと３４ｂが半導体活性層３５の下部にある。
　図２に示した有機薄膜トランジスタは、電極３２がゲートであり、電極３４ａと電極３４ｂはそれぞれドレインまたはソースである。また、図２に示した有機薄膜トランジスタは、ドレイン－ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴである。
　本発明の有機薄膜トランジスタの構造としては、その他、絶縁体、ゲート電極が半導体活性層の上部にあるトップゲート・トップコンタクト型素子や、トップゲート・ボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。
（厚さ）
　本発明の有機薄膜トランジスタは、より薄いトランジスタとする必要がある場合には、例えばトランジスタ全体の厚さを０．１～０．５μｍとすることが好ましい。
（封止）
　有機薄膜トランジスタ素子を大気や水分から遮断し、有機薄膜トランジスタ素子の保存性を高めるために、有機薄膜トランジスタ素子全体を金属の封止缶やガラス、窒化ケイ素などの無機材料、パリレンなどの高分子材料や、低分子材料などで封止してもよい。
　以下、本発明の有機薄膜トランジスタの各層の好ましい態様について説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。
＜基板＞
（材料）
　本発明の有機薄膜トランジスタは、基板を含むことが好ましい。
　前記基板の材料としては特に制限はなく、公知の材料を用いることができ、例えば、ポリエチレンナフトエート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステルフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム、ポリイミドフィルム、およびこれらポリマーフィルムを極薄ガラスに貼り合わせたもの、セラミック、シリコン、石英、ガラス、などを挙げることができ、シリコンが好ましい。
＜電極＞
（材料）
　本発明の有機薄膜トランジスタは、電極を含むことが好ましい。
　前記電極の構成材料としては、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、ＮｉあるいはＮｄなどの金属材料やこれらの合金材料、あるいはカーボン材料、導電性高分子などの既知の導電性材料であれば特に制限することなく使用できる。
（厚さ）
　電極の厚さは特に制限はないが、１０～５０ｎｍとすることが好ましい。
　ゲート幅（またはチャンネル幅）Ｗとゲート長（またはチャンネル長）Ｌに特に制限はないが、これらの比Ｗ／Ｌが１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましい。
＜絶縁層＞
（材料）
　絶縁層を構成する材料は必要な絶縁効果が得られれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＰＴＦＥ、ＣＹＴＯＰ等のフッ素ポリマー系絶縁材料、ポリエステル絶縁材料、ポリカーボネート絶縁材料、アクリルポリマー系絶縁材料、エポキシ樹脂系絶縁材料、ポリイミド絶縁材料、ポリビニルフェノール樹脂系絶縁材料、ポリパラキシリレン樹脂系絶縁材料などが挙げられる。
　絶縁層の上面は表面処理がなされていてもよく、例えば、二酸化ケイ素表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）やオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の塗布により表面処理した絶縁層を好ましく用いることができる。
（厚さ）
　絶縁層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを１０～４００ｎｍとすることが好ましく、２０～２００ｎｍとすることがより好ましく、５０～２００ｎｍとすることが特に好ましい。
＜半導体活性層＞
（材料）
　本発明の有機薄膜トランジスタは、前記半導体活性層が前記一般式（１）で表される化合物を含むことを特徴とする。
　前記半導体活性層は前記一般式（１）で表される化合物からなる層であってもよく、前記一般式（１）で表される化合物に加えて後述のポリマーバインダーがさらに含まれた層であってもよい。また、成膜時の残留溶媒が含まれていてもよい。
　前記半導体活性層中における前記ポリマーバインダーの含有量は、特に制限はないが、好ましくは０～９５質量％の範囲内で用いられ、より好ましくは１０～９０質量％の範囲内で用いられ、さらに好ましくは２０～８０質量％の範囲内で用いられ、特に好ましくは３０～７０質量％の範囲内で用いられる。
（厚さ）
　半導体活性層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを１０～４００ｎｍとすることが好ましく、１０～２００ｎｍとすることがより好ましく、１０～１００ｎｍとすることが特に好ましい。
［非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料］
　本発明は、前記一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料にも関する。
（非発光性有機半導体デバイス）
　なお、本明細書において、「非発光性有機半導体デバイス」とは、発光することを目的としないデバイスを意味する。非発光性有機半導体デバイスは、薄膜の層構造を有するエレクトロニクス要素を用いた非発光性有機半導体デバイスとすることが好ましい。非発光性有機半導体デバイスには、有機薄膜トランジスタ、有機光電変換素子（光センサ用途の固体撮像素子、エネルギー変換用途の太陽電池等）、ガスセンサ、有機整流素子、有機インバータ、情報記録素子などが包含される。有機光電変換素子は光センサ用途（固体撮像素子）、エネルギー変換用途（太陽電池）のいずれにも用いることができる。好ましくは、有機光電変換素子、有機薄膜トランジスタであり、さらに好ましくは有機薄膜トランジスタである。すなわち、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料は、上述のとおり有機薄膜トランジスタ用材料であることが好ましい。
（有機半導体材料）
　本明細書において、「有機半導体材料」とは、半導体の特性を示す有機材料のことである。無機材料からなる半導体と同様に、正孔をキャリアとして伝導するｐ型（ホール輸送性）有機半導体と、電子をキャリアとして伝導するｎ型（電子輸送性）有機半導体がある。
　前記一般式（１）で表される化合物はｐ型有機半導体材料、ｎ型の有機半導体材料のどちらとして用いてもよいが、ｐ型として用いることがより好ましい。有機半導体中のキャリアの流れやすさはキャリア移動度μで表される。キャリア移動度μは高い方がよく、１×１０－３ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましく、１×１０－２ｃｍ２／Ｖｓ以上であることがより好ましく、１×１０－２ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが特に好ましく、１×１０－１ｃｍ２／Ｖｓ以上であることがより特に好ましく、１ｃｍ２／Ｖｓ以上であることがよりさらに特に好ましい。キャリア移動度μは電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子を作製したときの特性や飛行時間計測（ＴＯＦ）法により求めることができる。
［非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜］
（材料）
　本発明は、上記一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜にも関する。
　本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜は、前記一般式（１）で表される化合物を含有し、ポリマーバインダーを含有しない態様も好ましい。
　また、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜は、前記一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有してもよい。
　前記ポリマーバインダーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの絶縁性ポリマー、およびこれらの共重合体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどの光伝導性ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレンなどの導電性ポリマー、半導体ポリマーを挙げることができる。
　前記ポリマーバインダーは、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
　また、有機半導体材料と前記ポリマーバインダーとは均一に混合していてもよく、一部または全部が相分離していてもよいが、電荷移動度の観点では、膜中で膜厚方向に有機半導体とバインダーが相分離した構造が、バインダーが有機半導体の電荷移動を妨げず最も好ましい。
　薄膜の機械的強度を考慮するとガラス転移温度の高いポリマーバインダーが好ましく、電荷移動度を考慮すると極性基を含まない構造のポリマーバインダーや光伝導性ポリマー、導電性ポリマーが好ましい。
　ポリマーバインダーの使用量は、特に制限はないが、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜中、好ましくは０～９５質量％の範囲内で用いられ、より好ましくは１０～９０質量％の範囲内で用いられ、さらに好ましくは２０～８０質量％の範囲内で用いられ、特に好ましくは３０～７０質量％の範囲内で用いられる。
　さらに、本発明では、化合物が上述した構造をとることにより、膜質の良い有機薄膜を得ることができる。具体的には、本発明で得られる化合物は、結晶性が良いため、十分な膜厚を得ることができ、得られた本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜は良質なものとなる。
（成膜方法）
　前記一般式（１）で表される化合物を基板上に成膜する方法はいかなる方法でもよい。
　成膜の際、基板を加熱または冷却してもよく、基板の温度を変化させることで膜質や膜中での分子のパッキングを制御することが可能である。基板の温度としては特に制限はないが、０℃から２００℃の間であることが好ましく、１５℃～１００℃の間であることがより好ましく、２０℃～９５℃の間であることが特に好ましい。
　前記一般式（１）で表される化合物を基板上に成膜するとき、真空プロセスあるいは溶液プロセスにより成膜することが可能であり、いずれも好ましい。
　真空プロセスによる成膜の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法などの物理気相成長法あるいはプラズマ重合などの化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が挙げられ、真空蒸着法を用いることが特に好ましい。
　溶液プロセスによる成膜とは、ここでは有機化合物を溶解させることができる溶媒中に溶解させ、その溶液を用いて成膜する方法をさす。具体的には、キャスト法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法などの塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソグラフィー印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などの各種印刷法、Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）法などの通常の方法を用いることができ、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、グラビア印刷法、フレキソグラフィー印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法を用いることが特に好ましい。
　本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜は、溶液塗布法により作製されたことが好ましい。また、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜がポリマーバインダーを含有する場合、層を形成する材料とポリマーバインダーとを適当な溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により形成されることが好ましい。
　以下、溶液プロセスによる成膜に用いることができる、本発明の非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液について説明する。
［非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液］
　本発明は、前記一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液にも関する。
　溶液プロセスを用いて基板上に成膜する場合、層を形成する材料を適当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、１－メチルナフタレンなどの炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、１－メチル－２－ピロリドン、１－メチル－２－イミダゾリジノン等のアミド・イミド系溶媒、ジメチルスルフォキサイドなどのスルホキシド系溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒）および／または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により薄膜を形成することができる。溶媒は単独で用いてもよく、複数組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒またはエーテル系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジクロロベンゼンまたはアニソールがより好ましく、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソールが特に好ましい。その塗布液中の一般式（１）で表される化合物の濃度は、好ましくは、０．１～８０質量％、より好ましくは０．１～１０質量％、特に好ましくは０．５～１０重量％とすることにより、任意の厚さの膜を形成できる。
　溶液プロセスで成膜するためには、上記で挙げた溶媒などに材料が溶解することが必要であるが、単に溶解するだけでは不十分である。通常、真空プロセスで成膜する材料でも、溶媒にある程度溶解させることができる。しかし、溶液プロセスでは、材料を溶媒に溶解させて塗布した後で、溶媒が蒸発して薄膜が形成する過程があり、溶液プロセス成膜に適さない材料は結晶性が高いものが多いため、この過程で不適切に結晶化（凝集）してしまい良好な薄膜を形成させることが困難である。一般式（１）で表される化合物は、このような結晶化（凝集）が起こりにくい点でも優れている。
　本発明の非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液は、前記一般式（１）で表される化合物を含み、ポリマーバインダーを含有しない態様も好ましい。
　また、本発明の非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液は、前記一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有してもよい。この場合、層を形成する材料とポリマーバインダーとを前述の適当な溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により薄膜を形成することができる。ポリマーバインダーとしては、上述したものから選択することができる。
　以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
＜合成例＞
　応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌，２０１１，２２，９－１２、国際公報ＷＯ２００９／１４８０１６等を参考に化合物１～２７を合成した。
＜素子作製・評価＞
　素子作製に用いた材料は全て昇華精製を行い、高速液体クロマトグラフィー（東ソーＴＳＫｇｅｌ　ＯＤＳ－１００Ｚ）により純度（２５４ｎｍの吸収強度面積比）が９９．５％以上であることを確認した。
［実施例１］
＜化合物単独で半導体活性層（有機半導体層）を形成＞
　前記一般式（１）で表される化合物または比較化合物（各１ｍｇ）と１，２－ジクロロベンゼン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱した。この溶液を窒素雰囲気下、１００℃に加熱したＦＥＴ特性測定用基板上にキャストすることでＦＥＴ特性測定用素子を得た。ＦＥＴ特性測定用基板としては、図２に示したものを使用した。ソースおよびドレイン電極としてくし型に配置されたクロム／金（ゲート幅Ｗ＝１００ｍｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）、絶縁膜としてＳｉＯ２（膜厚２００ｎｍ）を備えたボトムゲート・ボトムコンタクト構造のシリコン基板を用いた。ＦＥＴ特性はセミオートプローバー（ベクターセミコン製、ＡＸ－２０００）を接続した半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ製、４１５６Ｃ）を用いて常圧・窒素雰囲気下で、キャリア移動度、素子加熱後の移動度変化、高電圧駆動後の閾値電圧変化の観点で評価した結果を下記表１に示す。
（ａ）キャリア移動度
　各ＦＥＴ素子のソース電極－ドレイン電極間に－１００Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を２０Ｖ～－１００Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉｄを表わす式Ｉｄ＝（ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ－Ｖｔｈ）２（式中、Ｌはゲート長、Ｗはゲート幅、Ｃｉは絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔｈは閾値電圧）を用いてキャリア移動度μを算出した。なお、キャリア移動度が１×１０－５ｃｍ２／Ｖｓを下回るものに関しては特性が低過ぎるため、後の（ｂ）、（ｃ）の評価は行っていない。
（ｂ）高温多湿下保管後の移動度変化
　各素子を温度４０℃、相対湿度８０％で２４時間保管した後、（ａ）と同様の方法でキャリア移動度を測定し、保管前の移動度μ前と保管後の移動度μ後の比（μ後／μ前）を以下の３段階で評価した。この値は大きいほど素子の高温多湿下での安定性が高く、好ましい。実用上、高温多湿下保管後の移動度変化はＢ評価以上であることが求められる。
　Ａ：μ後／μ前≧０．５
　Ｂ：０．１≦μ後／μ前＜０．５
　Ｃ：μ後／μ前＜０．１
（ｃ）繰り返し駆動後の閾値電圧変化
　ソース電極－ドレイン電極間に－１００Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を＋２０Ｖ～－１００Ｖの範囲で１００回繰り返して（ａ）と同様の測定を行い、繰り返し前の閾値電圧Ｖ前と繰り返し後の閾値電圧Ｖ後の差（｜Ｖ後－Ｖ前｜）を以下の３段階で評価した。この値は小さいほど素子の繰り返し駆動安定性が高く、好ましい。実用上、高温多湿下保管後の移動度変化はＢ評価以上であることが求められる。
　Ａ：｜Ｖ後－Ｖ前｜≦５Ｖ
　Ｂ：５Ｖ≦｜Ｖ後－Ｖ前｜＜１０Ｖ
　Ｃ：｜Ｖ後－Ｖ前｜＞１０Ｖ
　有機半導体材料として用いた化合物１～２７は以下の構造である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
　比較例用の有機半導体材料として用いた比較化合物１～１５は以下の構造である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000052
［実施例２］
＜化合物単独で半導体活性層（有機半導体層）を形成＞
　前記一般式（１）で表される化合物または比較化合物（各１ｍｇ）とトルエン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱した。この溶液を窒素雰囲気下、９０℃に加熱したＦＥＴ特性測定用基板上にキャストすることでＦＥＴ特性測定用素子を得た。ＦＥＴ特性測定用基板としては、図２に示したものを使用した。ソースおよびドレイン電極としてくし型に配置されたクロム／金（ゲート幅Ｗ＝１００ｍｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）、絶縁膜としてＳｉＯ２（膜厚２００ｎｍ）を備えたボトムゲート・ボトムコンタクト構造のシリコン基板を用いた。ＦＥＴ特性はセミオートプローバー（ベクターセミコン製、ＡＸ－２０００）を接続した半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ製、４１５６Ｃ）を用いて常圧・窒素雰囲気下で、キャリア移動度、素子加熱後の移動度変化、高電圧駆動後の閾値電圧変化の観点で評価した結果を下記表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000053
［実施例３］
＜バインダーとともに一般式（１）で表される化合物を用いて半導体活性層（有機半導体層）を形成＞
　前記一般式（１）で表される化合物または比較化合物（各０．５ｍｇ）、ＰａＭＳ（ポリ（α－メチルスチレン）、Ｍｗ＝３００,０００、Ａｌｄｒｉｃｈ製）０．５ｍｇ、１，２－ジクロロベンゼン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱したものを塗布溶液として用いる以外は実施例１と同様にしてＦＥＴ特性測定用素子を作製し、実施例１と同様の評価を行った結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000054
　上記表１～表３の結果より、前記一般式（１）で表される化合物を用いた有機薄膜トランジスタは、キャリア移動度が高く、高温多湿化保管後の移動度変化が小さく、高電圧駆動後および繰り返し駆動後の閾値電圧変化も小さいことがわかった。
　一方、前記一般式（１）を満たさない比較化合物１～１５では、キャリア移動度が低いことがわかった。特に、比較化合物１、３～７、１０、１４ではキャリア移動度が極体に低いことがわかった。また、比較化合物２、８～９、１１～１３、１５では、高温多湿化保管後の移動度変化が大きく、高電圧駆動後および繰り返し駆動後の閾値電圧変化が大きいことがわかった。
　尚、比較化合物１～３は、応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌、２０１１，２２，ｐ９－１２に記載された化合物であり、比較化合物４は、特開２００７－８８２２２号公報に記載された化合物であり、比較化合物５は、特開２００９－５１９５９５号公報に記載された化合物である。比較化合物６は、国際公開２００６／１２２６３０号パンフレットに記載された化合物であり、比較化合物７はＵＳ２０１２／００７４３９６に記載された化合物であり、比較化合物８、９、１１は、特開２００８－１４７２５６号公報に記載された化合物である。比較化合物１０、１４は特開２００８－８１４９４号公報に記載された化合物であり、比較化合物１２はＵＳ２００６／０１２８９６９、比較化合物１３はＵＳ２００６／０１２５００９、比較化合物１５は特開２０１０－２２９０４８号公報に記載された化合物である。
　光学顕微鏡観察および原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）観察を行ったところバインダーとしてＰａＭＳを用いた薄膜はいずれも膜の平滑性・均一性が非常に高いことが分かった。素子２と素子１４を比較すると、素子１４の方が膜の平滑性・均一性が高かった。以上より、比較素子ではバインダーとの複合系でキャリア移動度が非常に低くなるのに対し、前記一般式（１）で表される化合物はバインダーとともに用いても良好なキャリア移動度を示し、高温多湿下保管後の移動度変化が小さく、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さく、膜の平滑性・均一性が非常に高い素子を得ることができることが分かった。
［実施例４］
＜半導体活性層（有機半導体層）形成＞
　ゲート絶縁膜としてＳｉＯ２（膜厚３７０ｎｍ）を備えたシリコンウエハーを用い、オクチルトリクロロシランで表面処理をおこなった。
　前記一般式（１）で表される化合物または比較化合物（各１ｍｇ）とトルエン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱したものを、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液とした。この塗布溶液を窒素雰囲気下、９０℃に加熱したオクチルシラン表面処理シリコンウエハー上にキャストすることで、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体薄膜を形成した。
　更にこの薄膜表面にマスクを用いて金を蒸着することで、ソースおよびドレイン電極を作製し、ゲート幅Ｗ＝５ｍｍ、ゲート長Ｌ＝８０μｍのボトムゲート・トップコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ素子を得た（図１に構造の概略図を示した）。
　実施例４の有機薄膜トランジスタ素子のＦＥＴ特性は、セミオートプローバー（ベクターセミコン製、ＡＸ－２０００）を接続した半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ製、４１５６Ｃ）を用いて常圧・窒素雰囲気下で、キャリア移動度、繰り返し駆動後の閾値電圧変化の観点で評価した。
　得られた結果を下記表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000055
　上記表４より、前記一般式（１）で表される化合物を用いた有機薄膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が高く、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さいことがわかった。そのため、前記一般式（１）で表される化合物は非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料として好ましく用いられることがわかった。
　一方、比較化合物３、４、９を用いた有機薄膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が低く、かつ繰り返し駆動後の閾値電圧変化が大きいものであった。
１１　　基板
１２　　電極
１３　　絶縁体層
１４　　有機物層（半導体活性層）
１５ａ、１５ｂ　電極
３１　　基板
３２　　電極
３３　　絶縁体層
３４ａ、３４ｂ　電極
３５　　有機物層（半導体活性層）

Claims (15)

  1. 　下記一般式（１）で表される化合物を半導体活性層に用いた有機薄膜トランジスタ。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （一般式（１）において、Ｒ１～Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの少なくとも１つが下記一般式（Ｗ）で表される置換基である。ただし、下記一般式（Ｗ）において、Ｌが下記一般式（Ｌ－１）単独で表される２価の連結基のときは、Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの２つ以上が下記一般式（Ｗ）で表される置換基となる。Ｒ１～Ｒ４およびＲ６～Ｒ９の置換基同士で縮環は形成しない。）
    －Ｌ－Ｒ　　　一般式（Ｗ）
    （一般式（Ｗ）において、Ｌは下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒに隣接するＬが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、波線部分はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位置を示し、＊は前記一般式（Ｗ）のＲとの結合位置を示す。一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表す。一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）｝
  2. 　前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（１Ａ）で表される化合物である、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （一般式（１Ａ）において、Ｒ１～Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ１～Ｒ４、Ｒ６～Ｒ９のうちの少なくとも２つは下記一般式（Ｗ）で表される置換基を表し、Ｒ１～Ｒ４およびＲ６～Ｒ９の置換基同士で縮環は形成しない。）
    －Ｌ－Ｒ　　　一般式（Ｗ）
    （一般式（Ｗ）において、Ｌは前記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１２）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の前記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１２）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、あるいは、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基を表す。）
  3. 　前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）のいずれかで表される化合物である、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （一般式（２－１）において、Ｌａ、Ｌｂはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ独立に炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオキシオリゴエチレン基、シロキサン単位の繰り返し数２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲａおよびＲｂが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲａまたはＲｂに隣接するＬａまたはＬｂが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立に置換基を表す。ｎ１１およびｎ１２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     （一般式（２－２）において、Ｌｃ、Ｌｄはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒｃ、Ｒｄはそれぞれ独立に炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲｃおよびＲｄが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲｃまたはＲｄに隣接するＬｃまたはＬｄが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ２１およびＲ２１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ２１およびｎ２２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
     （一般式（２－３）において、Ｌｅは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｅは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｅは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｅが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｅに隣接するＬｅが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ３１およびＲ３２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ３１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ３１は０～４の整数を表し、ｎ３２は０～３の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
     （一般式（２－４）において、Ｌｆは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｆは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｆは炭素数２以上の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｆが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｆに隣接するＬｆが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ４１およびＲ４２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ４１およびＲ４２は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ４１は０～４の整数を表し、ｎ４２は０～３の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
     （一般式（２－１）～一般式（２－４）における一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、波線部分はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位置を示し、＊はそれぞれ独立に一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）に隣接するＲａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅまたはＲｆのいずれかとの結合位置を示す。一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表す。一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）｝
  4. 　前記一般式（２－１）または前記一般式（２－２）において、Ｌａ、Ｌｂ、ＬｃおよびＬｄがそれぞれ独立に前記一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）または（Ｌ－１３）で表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基である請求項３に記載の有機薄膜トランジスタ。
  5. 　前記一般式（２－３）または前記一般式（２－４）において、ＬｅおよびＬｆがそれぞれ独立に前記一般式（Ｌ－３）、（Ｌ－４）、（Ｌ－５）または（Ｌ－１３）で表される２価の連結基またはこれらの２価の連結基が２以上結合した２価の連結基である請求項３に記載の有機薄膜トランジスタ。
  6. 　前記一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）において、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅおよびＲｆがそれぞれ独立に全てアルキル基である請求項３～５のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  7. 　前記一般式（２－１）、（２－２）、（２－３）または（２－４）において、Ｒａ、Ｒｂがそれぞれ独立に炭素数２～１２のアルキル基、ＲｃおよびＲｄがそれぞれ独立に炭素数２～７のアルキル基、Ｒｅが炭素数２～１２のアルキル基、Ｒｆが炭素数２～１２のアルキル基である請求項３～５のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
  8. 　下記一般式（２－１’）、（２－２’）、（２－３’）または（２－４’）のいずれかで表される化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
     （一般式（２－１’）において、Ｌａ、Ｌｂはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ独立に炭素数２～１２の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン単位の繰り返し数２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲａおよびＲｂが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲａまたはＲｂに隣接するＬａまたはＬｂが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立に置換基を表す。ｎ１１およびｎ１２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
     （一般式（２－２’）において、Ｌｃ、Ｌｄはそれぞれ独立に下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表し、Ｒｃ、Ｒｄはそれぞれ独立に炭素数２～７の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、ＲｃおよびＲｄが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、ＲｃまたはＲｄに隣接するＬｃまたはＬｄが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ２１およびＲ２２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ２１およびＲ２１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ２１およびｎ２２はそれぞれ独立に０～３の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
     （一般式（２－３’）において、Ｌｅは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｅは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｅは炭素数２～１２の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｅが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｅに隣接するＬｅが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ３１およびＲ３２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ３１は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ３１は０～４の整数を表し、ｎ３２は０～３の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
     （一般式（２－４’）において、Ｌｆは下記一般式（Ｌ－２）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基または２以上の下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）のいずれかで表される２価の連結基が結合した２価の連結基を表す（ただし、Ｌｆは、２以上の一般式（Ｌ－１）で表される２価の連結基のみが結合した２価の連結基ではない）。Ｒｆは炭素数２～１２の置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。ただし、Ｒｆが置換または無置換のトリアルキルシリル基を表すのは、Ｒｆに隣接するＬｆが下記一般式（Ｌ－３）で表される２価の連結基である場合に限る。Ｒ４１およびＲ４２はそれぞれ独立に置換基を表す（ただし、Ｒ４１およびＲ４２は、前記一般式（Ｗ）で表される基ではない）。ｎ４１は０～４の整数を表し、ｎ４２は０～３の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
     （一般式（２－１’）～一般式（２－４’）における一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）において、波線部分はベンゾビスベンゾフラン骨格との結合位置を示し、＊はそれぞれ独立に一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－１３）に隣接するＲａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、ＲｅまたはＲｆのいずれかとの結合位置を示す。一般式（Ｌ－１）におけるｎは１以上の整数を表す。一般式（Ｌ－１０）におけるｍは４を表し、一般式（Ｌ－１１）および（Ｌ－１２）におけるｍは２を表す。一般式（Ｌ－１）、（Ｌ－２）、（Ｌ－１０）、（Ｌ－１１）、（Ｌ－１２）および（Ｌ－１３）におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）｝
  9. 　請求項１に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料。
  10. 　請求項１に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する有機薄膜トランジスタ用材料。
  11. 　請求項１に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液。
  12. 　請求項１に記載の一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有する非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液。
  13. 　請求項１に記載の一般式（１）で表される化合物を含有する有機半導体薄膜。
  14. 　請求項１に記載の一般式（１）で表される化合物とポリマーバインダーを含有する有機半導体薄膜。
  15. 　溶液塗布法により作製された、請求項１３または１４に記載の有機半導体薄膜。
PCT/JP2013/071322 2012-08-27 2013-08-07 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 WO2014034392A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020157007353A KR20150046260A (ko) 2012-08-27 2013-08-07 유기 박막 트랜지스터, 유기 반도체 박막 및 유기 반도체 재료
US14/632,741 US9714253B2 (en) 2012-08-27 2015-02-26 Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012187058 2012-08-27
JP2012-187058 2012-08-27
JP2013019584A JP5896935B2 (ja) 2012-08-27 2013-02-04 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP2013-019584 2013-02-04

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/632,741 Continuation US9714253B2 (en) 2012-08-27 2015-02-26 Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014034392A1 true WO2014034392A1 (ja) 2014-03-06

Family

ID=50183210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/071322 WO2014034392A1 (ja) 2012-08-27 2013-08-07 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9714253B2 (ja)
JP (1) JP5896935B2 (ja)
KR (1) KR20150046260A (ja)
TW (1) TWI573798B (ja)
WO (1) WO2014034392A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015133372A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ
WO2015133373A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ
WO2016052254A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法
WO2016052056A1 (ja) * 2014-09-29 2016-04-07 富士フイルム株式会社 有機半導体組成物、及び、有機半導体素子
JP2017212458A (ja) * 2017-07-18 2017-11-30 富士フイルム株式会社 有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物、パターン形成方法
JP2018064101A (ja) * 2014-03-26 2018-04-19 富士フイルム株式会社 非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、有機トランジスタの製造方法および有機半導体膜の製造方法の提供
US10270044B2 (en) 2014-03-26 2019-04-23 Fujifilm Corporation Coating solution for non-light-emitting organic semiconductor device, organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-light-emitting organic semiconductor device, material for organic transistor, method for manufacturing organic transistor, and method for manufacturing organic semiconductor film

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016009890A1 (ja) * 2014-07-18 2016-01-21 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法
WO2016024484A1 (ja) * 2014-08-13 2016-02-18 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用の組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用インク、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜および有機トランジスタ
JP6484700B2 (ja) 2015-03-13 2019-03-13 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイス
US9997725B2 (en) * 2015-06-25 2018-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US20200274077A1 (en) * 2017-11-08 2020-08-27 Sony Corporation Photoelectric conversion element and imaging apparatus
US20220223792A1 (en) * 2019-05-27 2022-07-14 Organo Science Co., Ltd. Organic transistor material and organic transistor
US11877508B2 (en) 2021-07-05 2024-01-16 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
KR102412986B1 (ko) * 2021-07-05 2022-06-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012515733A (ja) * 2009-01-20 2012-07-12 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンスデバイス用材料

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060125009A1 (en) 2004-12-14 2006-06-15 Xerox Corporation Thin film transistors including indolocarbazoles
US7173140B2 (en) 2004-12-14 2007-02-06 Xerox Corporation Process to form compound with indolocarbazole moieties
EP1986247A1 (en) * 2005-05-12 2008-10-29 MERCK PATENT GmbH Polyacene and semiconductor Formulation
DE102005023437A1 (de) 2005-05-20 2006-11-30 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
JP2007088222A (ja) 2005-09-22 2007-04-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
WO2007068618A1 (en) 2005-12-12 2007-06-21 Ciba Holding Inc. Organic semiconductors and their manufacture
WO2008026602A1 (fr) * 2006-08-28 2008-03-06 Tosoh Corporation Dérivé hétéroacène, dérivé tétrahalotérphényle, et leurs procédés de production
JP5272345B2 (ja) 2006-08-28 2013-08-28 東ソー株式会社 ヘテロアセン誘導体、テトラハロターフェニル誘導体及びそれらの製造方法
JP5160078B2 (ja) 2006-12-06 2013-03-13 国立大学法人広島大学 電界効果トランジスタ
US8115200B2 (en) 2007-12-13 2012-02-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8057919B2 (en) 2008-06-05 2011-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
WO2009148016A1 (ja) 2008-06-05 2009-12-10 出光興産株式会社 ハロゲン化合物、多環系化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5493309B2 (ja) * 2008-08-18 2014-05-14 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2010229048A (ja) 2009-03-26 2010-10-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機半導体材料

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012515733A (ja) * 2009-01-20 2012-07-12 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンスデバイス用材料

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ABDEL-MEGUID OSMAN: "Reactions Between Chloro-p-benzoquinones and beta-Naphthol", JOURNAL OF ORGANIC CHEMISTRY, vol. 22, no. ISSUE, 1 March 1957 (1957-03-01), pages 342 - 344 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9755160B2 (en) 2014-03-07 2017-09-05 Fujifilm Corporation Thin film transistor
WO2015133373A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ
JP2015170759A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ
JP2015170758A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ
WO2015133372A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ
US10276806B2 (en) 2014-03-26 2019-04-30 Fujifilm Corporation Coating solution for non-light-emitting organic semiconductor device, organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-light-emitting organic semiconductor device, material for organic transistor, method for manufacturing organic transistor, and method for manufacturing organic semiconductor film
US10270044B2 (en) 2014-03-26 2019-04-23 Fujifilm Corporation Coating solution for non-light-emitting organic semiconductor device, organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-light-emitting organic semiconductor device, material for organic transistor, method for manufacturing organic transistor, and method for manufacturing organic semiconductor film
JP2018064101A (ja) * 2014-03-26 2018-04-19 富士フイルム株式会社 非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、有機トランジスタの製造方法および有機半導体膜の製造方法の提供
JPWO2016052056A1 (ja) * 2014-09-29 2017-04-27 富士フイルム株式会社 有機半導体組成物、及び、有機半導体素子
WO2016052056A1 (ja) * 2014-09-29 2016-04-07 富士フイルム株式会社 有機半導体組成物、及び、有機半導体素子
JPWO2016052254A1 (ja) * 2014-09-30 2017-04-27 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法
WO2016052254A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法
JP2017212458A (ja) * 2017-07-18 2017-11-30 富士フイルム株式会社 有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物、パターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201412748A (zh) 2014-04-01
US9714253B2 (en) 2017-07-25
KR20150046260A (ko) 2015-04-29
JP5896935B2 (ja) 2016-03-30
US20150166561A1 (en) 2015-06-18
JP2014063969A (ja) 2014-04-10
TWI573798B (zh) 2017-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5896935B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP5896863B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP6091151B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP5975834B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP6061888B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
WO2014156878A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ
JP5897050B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP6091442B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
TWI627176B (zh) 有機電晶體、雜稠環化合物、非發光性有機半導體元件用有機半導體材料、有機電晶體用材料、非發光性有機半導體元件用塗布溶液、非發光性有機半導體元件用有機半導體膜及非發光性有機半導體元件用有機半導體膜的製造方法
WO2014123214A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP6247560B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
WO2015111604A1 (ja) 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜
JP6321965B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
WO2015098604A1 (ja) 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜
WO2015119045A1 (ja) 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液および非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜
WO2015016344A1 (ja) 化合物、有機トランジスタ及びその応用
JP6159188B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP6174404B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP6184234B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13833699

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157007353

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13833699

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1