WO2014029804A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements Download PDF

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Definitions

  • An optoelectronic component is specified.
  • the component has at least one first semiconductor chip.
  • the component may have a second, third, fourth or further semiconductor chip.
  • the first semiconductor chip is preferably one based on a III-V semiconductor material
  • the first semiconductor chip is suitable for emitting electromagnetic radiation.
  • the first semiconductor chip is suitable for emitting electromagnetic radiation.
  • the first semiconductor chip emits light, for example.
  • the first semiconductor chip can also be ultraviolet (UV) or
  • the first semiconductor chip is preferably an LED chip.
  • the first semiconductor chip may be a high-performance semiconductor chip. That is, the first semiconductor chip may have a power consumption of at least 1W, in particular at least 3W.
  • the first semiconductor chip can be designed for direct illumination.
  • the first semiconductor chip can be used as a light-emitting chip for the flash function of a camera.
  • Semiconductor chip can also be used particularly well for the backlighting of displays in low light conditions.
  • the first semiconductor chip can also emit IR radiation for the flash function of a mobile phone or as an emitter for a distance sensor.
  • the first semiconductor chip may be
  • the semiconductor chip as an IR emitter for a
  • the semiconductor chip can emit colored, multicolored or white light, for example.
  • All semiconductor chips that is to say the first, the second, the third, the fourth and each further semiconductor chip, of the component can be identical in construction.
  • the device it is possible for the device to be of different types, in particular also based on different semiconductor materials
  • semiconductor chips which are preferably designed for emission in different spectral ranges. In this case, different semiconductor chips for different wavelengths.
  • the device further comprises a housing.
  • the component is preferably a surface-mountable device (SMD or surface mounted device).
  • the housing of the component is surface mountable.
  • the housing is designed to receive the first semiconductor chip.
  • the housing is designed to protect the semiconductor chip from external
  • the housing has at least one first recess.
  • the recess is formed as a recess, recess or cavity in a base body of the housing. In principle, any form of the
  • an opening of the recess in a plan view of the recess may have a round, angular or elliptical shape.
  • the recess is preferably funnel-shaped or cone-shaped.
  • the first semiconductor chip is arranged in the first recess.
  • the first semiconductor chip is attached to a bottom of the recess.
  • the semiconductor chip is gebonded to the ground, so in particular soldered or glued electrically conductive.
  • At the bottom of the recess can be a connection conductor or a connection point exposed, via which the semiconductor chip is electrically connected.
  • the first recess is formed at least in places, in particular completely as a first reflector.
  • the first recess or the first reflector is designed to reflect the radiation generated during operation of the first semiconductor chip.
  • the first recess or the first reflector has a surface. The surface is arranged around the first semiconductor chip. The surface is
  • the surface is for targeted adjustment of a radiation characteristic of the first Semiconductor chip formed in operation radiated radiation.
  • the device can be adapted exactly to the conditions required for its particular application.
  • the surface can be configured at least in places, in particular completely, such that the radiation emitted by the component is directed or specularly reflected.
  • the surface can do so
  • Focusing or directed reflection in this context means that the incident
  • Radiation is scattered by less than or equal to +/- 15 ° to the surface normal. This may prove to be particularly advantageous when the device is for radiating IR
  • IR radiation can be from one
  • an IR-emitting device which is used for example for the IR flash function of the mobile phone together with an IR camera, is not perceived as irritating, dazzling or disturbing.
  • the surface may be at least in places, in particular completely configured such that the radiation emitted by the component is diffuse, i. in several
  • Scattering and / or reflection in this context means that the incident radiation is up to +/- 60 ° to the
  • the device is provided for generating visible radiation in order not to dazzle or irritate a user by too focused radiation.
  • the surface may be configured to be both focused and diffused by the radiation emitted by the device. That is, in different places or
  • a lens for example, is required
  • the surface has at least one first and at least one second region.
  • the first region may have an extent, that of the extent of the second region
  • the first area may be larger than the second area or vice versa.
  • the first region of the surface may, for example, be arranged in a section of the recess which is arranged close to the semiconductor chip, ie, near the bottom of the recess.
  • the second area may be in a section of the recess
  • the first region of the surface is designed to diffuse and / or scatter the radiation emitted by the first semiconductor chip.
  • the first region can in particular optically expand the radiation.
  • the second area of the surface is designed to be more directionally aligned with the radiation emitted by the first semiconductor chip
  • the second area of the surface is designed to be from the
  • Semiconductor chip emitted radiation to focus. In other words, depending on the area of the surface encountered by the radiation, the radiation is reflected either diffusely or directionally. Radiation that hits the first area becomes, for example, in all directions,
  • the first area of the surface has a higher area
  • Roughness measurement of the first region is preferably greater than or equal to the wavelength of the first
  • the surface roughness and in particular the arithmetic mean of the absolute values is one
  • the average roughness Ra of the first range 1.0 to 2.0 times the wavelength of the radiation emitted by the first semiconductor chip radiation.
  • the styrene resin for example, at 1.5 ⁇ .
  • the styrene resin for example, at 1.5 ⁇ .
  • the surface roughness and in particular an arithmetic mean of the absolute values of a roughness measurement of the second region is preferably smaller than the wavelength of the radiation emitted by the first semiconductor chip. The smaller the surface roughness of the second region, the more
  • the incident on the second area radiation is reflected.
  • the incident on the second area radiation is reflected.
  • the average roughness Ra of the second region is preferably less than or equal to 0.1 ⁇ m, for example 0.09 ⁇ m, in order to produce a specular reflection of the radiation emitted by the semiconductor chip Radiation to reach through the second area.
  • ⁇ 0.4 ⁇ to 0.8 ⁇
  • Ra of the second region preferably less than or equal to 0.08 ⁇ , for example, 0.04 ⁇ or 0.01 ⁇ to a specular reflection of the radiated from the semiconductor chip radiation through the second region to reach.
  • the housing has at least one second recess.
  • the second recess is in particular as a second reflector
  • the housing may also have a third, fourth or further recess designed as a reflector.
  • the second or each further recess can be configured identically, like the first recess.
  • the second and / or each further recess may have a same diameter of its surface facing away from the bottom surfaces
  • the second and / or each further recess may have the same shape as the first recess.
  • the second and / or each further recess may have a smaller size or a smaller diameter than the first recess.
  • the second and / or each further recess may be less deep
  • the second and / or each further recess may have a different shape than the first recess.
  • the second and / or each further recess is oval or round.
  • a second semiconductor chip is arranged in the second recess.
  • the second semiconductor chip is bonded to a bottom of the second recess, ie
  • Reflector is designed to at least predominantly diffuse the radiation emitted by the first semiconductor chip
  • the second reflector and in particular the
  • the second reflector is designed to reflect the emitted radiation from the second semiconductor chip predominantly directed.
  • the second is
  • Reflector designed to reflect the emitted radiation from the second semiconductor chip directionally, as the first reflector reflects the radiation emitted by the first semiconductor chip radiation.
  • IR-emitted semiconductor chip For example, to combine an IR-emitted semiconductor chip and a semiconductor chip that emits visible radiation in a device.
  • radiation emitted by the semiconductor chip can preferably be reflected in a directionally directed manner (second semiconductor chip).
  • the visible radiation of the other (first) semiconductor chip is then preferably diffusely scattered and / or reflected.
  • the surface roughness of the first reflector is greater than the surface roughness of the second reflector.
  • the surface of the first reflector is preferably greater than or equal to the wavelength of the radiation emitted by the first semiconductor chip.
  • the surface of the first reflector is preferably greater than or equal to the wavelength of the radiation emitted by the first semiconductor chip.
  • Surface of the second reflector is preferably smaller than the wavelength of the second semiconductor chip
  • the surface roughness of the second reflector the more directed the radiation incident on the second reflector is reflected.
  • the surface roughness and in particular the arithmetic mean of the absolute values is one
  • the housing is formed from a plastic.
  • the housing is preferably in an injection molding process produced.
  • the method of the metal piated frame implementation is described in detail in the document WO 2011/157515 Al, the disclosure of which is hereby by
  • the surface of the first reflector at least partially has a metallic layer. This is particularly the case for components which are formed with the aid of MID technology. Preferably, the entire surface of the first reflector on the metallic layer.
  • the metallic layer allows a high yield of the semiconductor chip.
  • the metallic layer serves to reflect the radiation impinging on the surface.
  • the metallic layer can simultaneously act as an electrical connection conductor of the device.
  • the metallic layer may comprise, for example, aluminum (Al), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni) and / or gold (Au).
  • Al aluminum
  • Ag silver
  • Cu copper
  • Ni nickel
  • Au gold
  • Reflector or the first recess is preferably thicker than the metallic layer in the first region of the first reflector or the first recess.
  • the metallic layer in the first region has a thickness which corresponds to 10% to 90% of the thickness of the metallic view in the second region. Depending on the roughness of the
  • Plastic surface under the metallic layer, the metallic layer in the first region has a thickness of less than or equal to 1 ⁇ , for example 0.05 ⁇ on.
  • Metallic layer in the second region preferably has a thickness of greater than or equal to 10 ⁇ , for example, 15 ⁇ , on. Due to the thicker design of the metallic layer in the second region, the second region of the first
  • Reflector has a lower surface roughness, as the first region of the first reflector.
  • the surface of the second region is made smooth by the thicker metallic layer in the second region. This reflects radiation that hits the second area more directionally than radiation that strikes the first area.
  • the surface of the second reflector preferably has at least partially a metallic layer.
  • Layer of the first reflector is preferably thinner than the metallic layer of the second reflector.
  • the metallic layer of the first reflector has a thickness that corresponds to 10% to 90% of the thickness of the metallic view of the second reflector. Due to the thicker design of the metallic layer in the second reflector, the second reflector has a lower surface roughness, as the first reflector. In this way, radiation which is emitted by the second semiconductor chip and impinges on the second reflector is reflected more directly than radiation which is emitted by the first semiconductor chip and then impinges on the first reflector.
  • the targeted application and design of the metallic layer so that the emission characteristics of the device can be selectively adjusted and a particular
  • the following methods are made of a MID technology based device.
  • the component produced thereby preferably corresponds to the component described here. All disclosed for the device features are therefore also disclosed for the process and vice versa.
  • the method comprises the following steps:
  • the housing is provided.
  • the housing is preferably provided by an injection molding step.
  • the housing is preferably made of a
  • the housing has at least the above-described first recess.
  • the housing has a plurality, for example, two, three or four recesses.
  • the recesses are spatially separated from each other.
  • At least one semiconductor chip in particular the first semiconductor chip described above, is provided.
  • a plurality for example, two, three or four semiconductor chips
  • the metallic layer is formed at least in a region of the surface of the recess, preferably on the entire surface of the recess.
  • the metallic layer is formed by electroplating or electroless plating of the metallic layer at least in one area of the metal layer
  • Metallic layer on the surface of the recess or the reflector is a reflective surface
  • the formation of the metallic layer on the surface of the recess or the reflector also serves to selectively adjust the radiation characteristic of the radiated from the device during operation radiation.
  • the metallic layer is made to be thinner in the above-described first region than in the second region described above, and / or thinner in at least one reflector than in at least one other
  • the semiconductor chip is bonded to the bottom of the recess, so in particular soldered or glued electrically conductive.
  • the housing obtained by the injection molding step, and particularly the recess has one through the manufacturing process and the material used
  • the surface roughness can be adjusted specifically.
  • Surface roughness can be formed by applying a thinner metallic layer with which the incident radiation can be scattered diffused and / or reflected. Furthermore, areas / reflectors with
  • Abstrahl characterizing can be achieved by simply varying already required production steps and parameters, and no additional components are required, the device or its production is particularly cost.
  • the method comprises the following steps: In a first step, an injection mold or an injection mold for producing the housing of the component is provided by means of an injection molding process. In a next step, at least one polishing takes place
  • the surface roughness of the injection mold determines the roughness of the
  • Surface roughness of the respective plastic surface of the housing can be modified or adjusted. The stronger or longer the surface or the area of the surface of the injection molding tool is polished, the lower is the
  • the area of the surface of the injection molding tool which is provided for forming the first recess is thereby, for example, shorter and / or less polished than the area of the surface of the injection molding tool which for
  • Forming a further recess is provided.
  • the surface roughness of the surface of the further recess is more reduced or less than the surface roughness of the surface of the first recess.
  • the area of the surface of the first recess is provided.
  • Injection tool which is provided for forming the above-described second region and / or the second reflector is polished smoother than the area of the surface of the Injection tool which is provided for forming the above-described first region and / or the first reflector.
  • the housing described above is provided by an injection molding step.
  • the housing has at least the above-described first recess.
  • the housing has a plurality, for example, two, three or four recesses.
  • the recesses are spatially separated from each other.
  • the respective recess has a surface.
  • Surface has a surface roughness on which is targeted by the targeted polishing of the surface of the injection mold.
  • at least one semiconductor chip in particular the first semiconductor chip described above, is provided.
  • a plurality is provided.
  • the number of semiconductor chips corresponds to the number of recesses formed in the housing.
  • the metallic layer is applied over the entire surface.
  • the application is carried out by sputtering or thermal evaporation. In this way, a reflective
  • the metallic layer is included preferably so thin that by polishing the
  • the metallic layer does not affect the roughness of the surface.
  • the metallic layer for example, conforms to the underlying surface.
  • the metallic layer has a thickness of about 100 nm.
  • the semiconductor chip is bonded to the bottom of the recess.
  • the recess as described above, one through the manufacturing process, by polishing the
  • the surface roughness of the individual areas of the housing can be adjusted specifically.
  • areas / reflectors with higher surface roughness can be formed by shorter and / or weaker polishing of the associated areas of the injection molding tool. These areas / reflectors scatter and / or reflect the incident radiation diffusely.
  • the emission characteristic can be achieved by simply varying production steps and parameters which are required in any case, and no additional components are required, the component or its production is particularly cost-effective.
  • FIG. 1 shows a perspective view of a
  • Optoelectronic component according to at least one embodiment,
  • FIG. 2 shows a top view of the optoelectronic device
  • FIG. 3A shows a cross section of at least one part of the optoelectronic component from FIG. 1,
  • FIG. 3B shows a radiation characteristic of the FIG.
  • FIG. 4A shows a cross section of at least one part of the optoelectronic component from FIG. 1,
  • FIG. 4B shows a radiation characteristic of the FIG Optoelectronic component of Figure 4A.
  • FIG. 1 shows an optoelectronic component 1.
  • Component 1 has a housing 2.
  • the housing 2 is made of a plastic, preferably by means of an injection molding process.
  • the component 1 is preferably a surface-mountable component.
  • the housing 2 of the component 1 is surface mountable
  • the housing 2 has four recesses 3, 3A.
  • the housing has a first recess 3A and three further recesses 3.
  • the housing 2 can also have fewer than four recesses 3, 3A, for example one, two or three recesses 3, 3A (not explicitly shown).
  • the housing 2 can also have more than four recesses 3, 3A
  • the recesses 3, 3A are formed in a base body 2A of the housing 2.
  • the recesses 3, 3A ask
  • the recesses 3, 3A are formed differently.
  • the first recess 3A has a greater extent than the other three
  • the first recess 3A has a larger one Diameter, as the three other recesses 3.
  • the first recess 3A may also be formed deeper than the three further recesses 3.
  • the recesses 3, 3A but also have an identical size.
  • the recesses 3, 3A have a different shape.
  • the first recess 3A is funnel-shaped. But also every other shape is for the first recess 3A
  • the first recess 3A may be angular, round, or elliptical.
  • the further recesses 3 have a rounder shape than the first recess 3A.
  • the first recess 3A and each further recess 3 can also have the same shape.
  • a semiconductor chip 4, 4A is arranged in the respective recess 3, 3A.
  • the semiconductor chips 4, 4A are bonded to a bottom of the recess 3, 3A.
  • a first semiconductor chip 4A is arranged in the first recess 3A.
  • the first semiconductor chip 4A is preferably a high-performance semiconductor chip.
  • the first semiconductor chip 4A is designed for illumination.
  • the first semiconductor chip 4A emits electromagnetic radiation, preferably light or IR radiation.
  • the first semiconductor chip 4A emits electromagnetic radiation, preferably light or IR radiation.
  • Semiconductor chip 4A as a light-emitting chip for the
  • Flash function of a camera can be used.
  • Semiconductor chip 4A can also use IR radiation for the
  • a further semiconductor chip 4 is arranged in each case.
  • the semiconductor chips 4 are preferably low-energy semiconductor chips.
  • the further semiconductor chips 4 are designed for illumination.
  • the semiconductor chips 4 emit electromagnetic
  • Radiation preferably light or IR radiation.
  • the respective recess 3, 3A is designed as a reflector.
  • the respective recess 3, 3A serves to
  • the radiation characteristic depends on the characteristics of the respective reflector, as detailed below
  • the recesses 3, 3A or reflectors have a
  • the surface 5 is the respective
  • the reflective surface 5 is coated with a metallic layer.
  • Metallic layer may have, for example, Al, Ag, Cu, Ni and / or Au.
  • the first reflector formed by the first recess 3A has a reflecting surface 5 with a high
  • the surface roughness of the reflective surface 5 of the first reflector is higher than the surface roughness of the respective reflective surface 5 of the further reflectors formed by the further recesses 3 are (see Figure 3A).
  • the surface roughness of the reflective surface 5 can be influenced by various factors. In one embodiment, the surface roughness is of a thickness of
  • the surface roughness of the respective recess 3, 3A can be influenced by a targeted polishing of the area of the surface of the injection mold, which is provided in the manufacturing process for forming the respective recess 3, 3A, as will be described in detail below.
  • Reflective surface 5 of the first reflector is greater than or equal to the wavelength of the emitted radiation from the first semiconductor chip 4A.
  • the first semiconductor chip 4A the wavelength of the emitted radiation from the first semiconductor chip 4A.
  • Semiconductor chip 4A emitted radiation.
  • Reflectors formed by the further recesses 3 are smaller than the respective wavelength of the radiation emitted by the further semiconductor chips 4.
  • the surface roughness and in particular the arithmetic mean of the absolute values is one
  • the first reflector formed by the first recess 3A reflects and / or diffuses diffusely the radiation emitted by the first semiconductor chip 4A. The bigger the
  • incident radiation from the reflective surface 5 is reflected and / or scattered.
  • Abstrahl decisionizing 6 of the first semiconductor chip 4A can be set specifically. Under diffuse reflection, the reflection of the incident radiation in all
  • Diffuse scattering and / or reflection means, in particular in this context, that the incident radiation is up to +/- 60 ° to the
  • the first semiconductor chip 4A is provided for generating visible radiation in order not to irritate or disturb a user of the component 1.
  • the radiation of the further semiconductor chips 4 is reflected more directionally than the radiation of the first semiconductor chip 4A. The smaller the
  • Focusing or directed Reflection in this context means that the
  • incident radiation is scattered by less than or equal to +/- 15 ° to the surface normal (see radiation characteristic 6 in Figure 3B). This can prove to be particularly advantageous if the respective semiconductor chip 4 is provided for the emission of IR radiation. IR radiation can not be provided by a user, such as a cell phone owner
  • an IR emitting device that, for example, for the flash function of the phone
  • the first reflector (formed by the first recess 3A) can also have a smaller surface roughness than the other reflectors, so that the radiation emitted by the first semiconductor chip 4A is reflected in a more directed manner than the radiation emitted by the further semiconductor chips 4 ,
  • the first reflector or the reflective surface 5 of the first reflector may have different areas.
  • a first area can be a higher
  • Recesses 3 formed) reflectors or the respective reflective surface 5 each have the first and second regions described above.
  • the reflective surface 5 of the first reflector and at least one of the further reflectors may have the first and second regions described above.
  • the component 1 described above is produced according to a first embodiment as follows (see also FIG. 2).
  • the manufacturing process is geared in particular to the Molded Interconnect Device (MID)
  • the housing 2 is provided.
  • the provision of the housing 2 is effected by a
  • the respective recess 3, 3A has in particular a surface made of plastic. Due to the injection molding process and the material used, the surface of the respective recess 3, 3A has a certain surface roughness.
  • the semiconductor chips 4, 4A described above are provided.
  • the reflective surface 5 of the respective recess is formed. This is done by galvanic or electroless deposition of the metallic layer on the surface of the respective reflector. In this case, the deposition of the metallic layer takes place in such a way that the metallic layer of the reflective surface 5 of the first reflector is thinner than the metallic layer of the reflective surface of the further reflectors, ie the reflectors formed by the further recesses 3.
  • the reflective surface 5 of the other reflectors thus has a lower
  • the reflective surface 5 of the first reflector has a surface roughness approximately equal to the surface roughness of the underlying reflector
  • Plastic surface corresponds, since the metallic layer of the reflective surface 5 of the first reflector, the roughness of the plastic surface due to their only small thickness not or at least not completely
  • Semiconductor chips 4 reflects reflected as the radiation of the first semiconductor chip 4A.
  • reflective surface 5 at least one of the four
  • Reflectors having the first and second regions described above a thinner metallic layer is applied in the first region, as in the second region. In this way, the first area has a higher one
  • the respective semiconductor chip 4, 4A is arranged in the respective recess 3, 3A.
  • the first semiconductor chip 4A is arranged in the first recess 3A, preferably bonded to the bottom of the first recess 3A.
  • the further semiconductor chips 4 are each arranged in a further recess 3, preferably bonded to the bottom of the respective further recess 3.
  • the respective reflector can still with a
  • Embodiment prepared as follows (see also Figure 2).
  • the manufacturing process is geared in particular to the Metal Piated Frame Implementation
  • the housing 2 described above is provided.
  • the provision of the housing 2 is also effected by an injection molding process. That by the Injection molding resulting housing 2 is made
  • the respective recess 3, 3A each has a surface made of plastic.
  • the surface roughness of the injection mold determines, after the injection molding of the housing 2, the roughness of the surface of the housing 2 and in particular of the recesses 3, 3A.
  • Injection molding step for forming the first recess 3A is provided, it is shorter and / or less polished than the surface of the injection mold, which is provided for forming the further recesses 3. In this way, the surface roughness of the surfaces of the further recesses 3 after production of the housing 2 is less than the surface roughness of the surface of the first recess 3.
  • the surface of the first recess 3A has a higher surface roughness, as the respective surface of the further recesses.
  • Injection tool and the material used has the Surface of the respective recess 3, 3A consequently to a specific or set surface roughness.
  • the reflective surface 5 of the respective recess 3, 3A is formed. This is done by sputtering or thermal vapor deposition of the metallic layer on the respective plastic surface. With the help of a mask can be obtained a desired structuring of the metallic layer.
  • the metallic layer produced thereby is thinner than the metallic layer produced in the MID technology based method described above.
  • a MID technology-based method is described in the publication US2007 / 0269927, the disclosure of which is hereby expressly incorporated by reference.
  • the metallic layer produced here has a thickness of about 100 nm.
  • the metallic layer in this embodiment can not compensate for the surface roughness of the plastic surface of the respective recess 3, 3A. Balancing the surface roughness of the
  • Plastic surface of the first recess 3A has the reflective surface 5 of the first recess has a higher surface roughness than the reflective ones
  • reflective surface 5 at least one of the four
  • the first region is formed by the targeted polishing of the injection molding tool less smooth than the second region. In this way, the first region has a higher surface roughness than the second region.
  • the respective semiconductor chip 4, 4A is arranged in the respective recess 3, 3A.
  • the first semiconductor chip 4A is arranged in the first recess 3A, preferably bonded to the bottom of the first recess 3A.
  • the further semiconductor chips 4 are each arranged in a further recess 3, preferably bonded to the bottom of the respective further recess 3.
  • the respective reflector can still with a

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das ein Gehäuse (2) aufweist, wobei das Gehäuse (2) wenigstens eine erste Ausnehmung (3A) aufweist. Das Bauelement weist ferner wenigstens einen ersten Halbleiterchip (4A) auf, wobei der erste Halbleiterchip (4A) in der ersten Ausnehmung (3A) angeordnet ist, wobei die erste Ausnehmung (3A) als Reflektor ausgebildet ist zur Reflexion der im Betrieb des ersten Halbleiterchips (4A) erzeugten Strahlung. Der Reflektorweist eine Oberfläche, wobei die Oberfläche zur gezielten Einstellung einer Abstrahlcharakteristik (6) der vom ersten Halbleiterchip (4A) im Betrieb abgestrahlten Strahlung ausgebildet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines
optoelektronischen Bauelements angegeben.
Es ist eine zu lösende Aufgabe der vorliegenden Anmeldung ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, das besonders effizient und kostengünstig ist. Ferner ist es eine zu lösende Aufgabe der vorliegenden Anmeldung ein Verfahren zur Herstellung eines besonders effizienten und kostengünstigen optoelektronischen Bauelements abzugeben.
Diese Aufgabe wird durch das optoelektronische Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und durch das Verfahren mit den Merkmalen der Ansprüche 11 und 13 gelöst.
Gemäß einem Aspekt weist das Bauelement wenigstens einen ersten Halbleiterchip auf. Das Bauelement kann einen zweiten, dritten, vierten oder noch weitere Halbleiterchips aufweisen. Bei dem ersten Halbleiterchip handelt es sich vorzugsweise um einen auf einem III-V-Halbleitermaterial basierenden
Halbleiterchip. Der erste Halbleiterchip ist zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung geeignet. Der erste
Halbleiterchip strahlt beispielsweise Licht ab. Der erste Halbleiterchip kann aber auch ultraviolette (UV) oder
infrarote (IR) Strahlung abstrahlen. Der erste Halbleiterchip ist vorzugsweise ein LED Chip. Der erste Halbleiterchip kann ein Hochleistungs- Halbleiterchip sein. Das heißt, der erste Halbleiterchip kann eine Leistungsaufnahme von wenigstens 1W, insbesondere wenigstens 3W aufweisen. Der erste Halbleiterchip kann zur direkten Beleuchtung ausgestaltet sein. Beispielsweise kann der erste Halbleiterchip als Licht emittierender Chip für die Blitzfunktion einer Kamera eingesetzt werden. Der
Halbleiterchip kann auch besonders gut zur Hinterleuchtung von Displays bei schlechten Lichtverhältnissen eingesetzt werden. Der erste Halbleiterchip kann auch IR Strahlung für die Blitzfunktion eines Handys oder als Emitter für einen Entfernungssensor abstrahlen.
Alternativ kann der erste Halbleiterchip ein
niederenergetischer Halbleiterchip sein. Auch in diesem Fall kann der Halbleiterchip als IR Emitter für einen
Entfernungssensor fungieren. Alternativ kann der
Halbleiterchip zur Abstrahlung verschiedener Farben
ausgebildet sein. Der Halbleiterchip kann beispielsweise farbiges, mehrfarbiges oder weißes Licht abstrahlen.
Es können alle Halbleiterchips, also der erste, der zweite der dritte, der vierte und jeder weitere Halbleiterchip, des Bauelements baugleich sein. Alternativ ist es möglich, dass das Bauelement verschiedenartige, insbesondere auch auf verschiedenen Halbleitermaterialien basierende
Halbleiterchips beinhaltet, die bevorzugt zur Emission in verschiedenen Spektralbereichen ausgebildet sind. Dabei können verschiedene Halbleiterchips für verschiedene
Funktionen, beispielsweise für eine direkte Beleuchtung oder für eine indirekte Beleuchtung, vorgesehen sein. Das Bauelement weist ferner ein Gehäuse auf. Das Bauelement ist vorzugsweise ein oberflächenmontierbares Bauelement (SMD oder surface mounted device) . Insbesondere ist das Gehäuse des Bauelements oberflächenmontierbar . Das Gehäuse ist zur Aufnahme des ersten Halbleiterchips ausgebildet. Das Gehäuse ist dazu ausgebildet den Halbleiterchip vor äußeren
Einflüssen zu schützen. Das Gehäuse weist wenigstens eine erste Ausnehmung auf. Die Ausnehmung ist als Aussparung, Vertiefung oder Aushöhlung in einem Grundkörper des Gehäuses ausgebildet. Prinzipiell ist jede beliebige Form der
Ausnehmung denkbar. Beispielsweise kann eine Öffnung der Ausnehmung in einer Draufsicht auf die Ausnehmung eine runde, eckige oder elliptische Form aufweisen. Die Ausnehmung ist vorzugsweise trichter- oder kegelförmig ausgebildet. Der erste Halbleiterchip ist in der ersten Ausnehmung angeordnet. Vorzugsweise ist der erste Halbleiterchip an einem Boden der Ausnehmung befestigt. Beispielsweise ist der Halbleiterchip auf den Boden gebonded, also insbesondere gelötet oder elektrisch leitend geklebt. Am Boden der Ausnehmung kann dabei ein Anschlussleiter oder eine Anschlussstelle frei liegen, über die der Halbleiterchip elektrisch anschließbar ist .
Die erste Ausnehmung ist zumindest stellenweise, insbesondere vollständig als ein erster Reflektor ausgebildet. Die erste Ausnehmung bzw. der erste Reflektor ist zur Reflexion der im Betrieb des ersten Halbleiterchips erzeugten Strahlung ausgebildet. Die erste Ausnehmung bzw. der erste Reflektor weist eine Oberfläche auf. Die Oberfläche ist um den ersten Halbleiterchip herum angeordnet. Die Oberfläche ist
reflektierend ausgebildet. Die Oberfläche ist zur gezielten Einstellung einer Abstrahlcharakteristik der vom ersten Halbleiterchip im Betrieb abgestrahlten Strahlung ausgebildet .
Durch eine gezielte Ausgestaltung der Oberfläche des ersten Reflektors, und insbesondere durch eine gezielte Wahl von Eigenschaften der Oberfläche, kann das Bauelement genau an die zu seinem bestimmten Einsatz erforderlichen Bedingungen angepasst werden. Beispielsweise kann die Oberfläche zumindest stellenweise, insbesondere vollständig so ausgestaltet sein, dass die vom Bauelement emittierte Strahlung gerichtet oder spekular reflektiert wird. Insbesondere kann die Oberfläche so
ausgestaltet sein, dass sie die vom Halbleiterchip emittierte Strahlung fokussiert. Fokussierung bzw. gerichtete Reflexion bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die einfallende
Strahlung um weniger oder gleich +/- 15° zur Flächennormalen gestreut wird. Dies kann sich als besonders vorteilhaft erweisen, wenn das Bauelement zur Abstrahlung von IR
Strahlung vorgesehen ist. IR Strahlung kann von einem
Benutzer, beispielsweise einem Handybesitzer, nicht
wahrgenommen werden, so dass ein IR emittierendes Bauelement, dass beispielsweise für die IR Blitzfunktion des Handys zusammen mit einer IR Kamera eingesetzt wird, nicht als irritierend, blendend oder störend wahrgenommen wird.
Alternativ dazu kann die Oberfläche zumindest stellenweise, insbesondere vollständig so ausgestaltet sein, dass die vom Bauelement emittierte Strahlung diffus, d.h. in mehrere
Richtungen, gestreut und/oder reflektiert wird. Diffuse
Streuung und/oder Reflexion bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die einfallende Strahlung um bis zu +/- 60° zur
Flächennormalen gestreut wird. Dies ist beispielsweise besonders vorteilhaft, wenn das Bauelement zur Erzeugung von sichtbarer Strahlung vorgesehen ist, um einen Benutzer durch ein zu stark fokussierte Strahlung nicht zu blenden oder zu irritieren .
Alternativ dazu kann die Oberfläche so ausgestaltet sein, dass sie die vom Bauelement emittierte Strahlung sowohl gerichtet bzw. fokussiert als auch diffus reflektieren kann. Das heißt, an unterschiedlichen Stellen oder
unterschiedlichen Bereichen der Oberfläche kann die
Oberfläche in unterschiedlicher Weise ausgebildet sein.
Durch die gezielte Ausbildung der Oberfläche kann damit die Abstrahlcharakteristik des Bauelements abhängig von den optischen Anforderungen an das Bauelement gezielt eingestellt werden. Auf diese Weise wird ein besonders effizientes
Bauelement bereitgestellt. Da zur Einstellung der
Abstrahlcharakteristik lediglich die Oberfläche entsprechend ausgestaltet wird und keine weiteren Komponenten,
beispielsweise eine Linse, erforderlich sind, ist das
Bauelement besonders kostengünstig.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist die Oberfläche wenigstens einen ersten und wenigstens einen zweiten Bereich auf. Der erste Bereich kann eine Ausdehnung aufweisen, die der Ausdehnung des zweiten Bereichs
entspricht. Alternativ dazu kann der erste Bereich auch größer sein als der zweite Bereich oder umgekehrt. Der erste Bereich der Oberfläche kann beispielsweise in einem Abschnitt der Ausnehmung angeordnet sein, der nahe am Halbleiterchip angeordnet ist, also nahe zum Boden der Ausnehmung. Der zweite Bereich kann in einem Abschnitt der Ausnehmung
angeordnet sein, der weiter vom Halbleiterchip entfernt ist, also beispielsweise im Bereich einer Auskoppelfläche des Bauelements. Prinzipiell ist jede räumliche Anordnung des ersten und zweiten Bereiches in der Ausnehmung möglich. Der erste Bereich der Oberfläche ist dazu ausgebildet, die vom ersten Halbleiterchip emittierte Strahlung diffus zu reflektieren und/oder zu streuen. Der erste Bereich kann die Strahlung dabei insbesondere optisch aufweiten. Der zweite Bereich der Oberfläche ist dazu ausgebildet die vom ersten Halbleiterchip emittierte Strahlung gerichteter zu
reflektieren als der erste Bereich. Insbesondere ist der zweite Bereich der Oberfläche dazu ausgebildet, die vom
Halbleiterchip emittierte Strahlung zu fokussieren. Mit anderen Worten, abhängig von dem Bereich der Oberfläche, auf den die Strahlung trifft, wird die Strahlung entweder diffus oder gerichtet reflektiert. Strahlung, die auf den ersten Bereich trifft, wird, zum Beispiel in alle Richtungen,
(diffus) gestreut und trifft damit, zumindest teilweise, sicher auch auf den zweiten Bereich, durch den die Strahlung dann gerichtet weiter reflektiert wird.
Dies ermöglicht eine gezielte Einstellung der
Abstrahlcharakteristik des Bauelements in Übereinstimmung mit den optischen Anforderungen, die an das Bauelement gestellt werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist der erste Bereich der Oberfläche eine höhere
Oberflächenrauhigkeit auf, als der zweite Bereich der
Oberfläche. Die Oberflächenrauhigkeit und insbesondere ein arithmetisches Mittel der Absolutwerte einer
Rauhigkeitsmessung des ersten Bereichs ist vorzugsweise größer oder gleich zu der Wellenlänge der vom ersten
Halbleiterchip emittierten Strahlung. Je größer die Oberflächenrauhigkeit ist, desto diffuser wird dabei die auftreffende Strahlung von dem ersten Bereich reflektiert.
Vorzugsweise ist die Oberflächenrauhigkeit und insbesondere das arithmetische Mittel der Absolutwerte einer
Rauhigkeitsmessung, also der Mittenrauwert Ra, des ersten Bereichs 1.0 bis 2.0 mal so groß wie die Wellenlänge der vom ersten Halbleiterchip emittierten Strahlung. Vorzugsweise liegt der Mittenrauwert Ra des ersten Bereichs für einen Halbleiterchip der Strahlung im sichtbaren Bereich (λ = 0.4 μιη bis 0.8 μιη) abstrahlt zwischen 1 μιη und 2μιη,
beispielsweise bei 1.5 μιη. Vorzugsweise liegt der
Mittenrauwert Ra des ersten Bereichs für einen Halbleiterchip der Strahlung im IR Bereich (λ = ca. 1 μιη) abstrahlt bei größer oder gleich 2 μιτι, beispielsweise bei 2.5 μιη. Bei diesen Mittenrauwerten wird die von dem Halbleiterchip abgestrahlte Strahlung diffus vom ersten Bereich reflektiert.
Die Oberflächenrauhigkeit und insbesondere ein arithmetisches Mittel der Absolutwerte einer Rauhigkeitsmessung des zweiten Bereichs ist vorzugsweise kleiner als die Wellenlänge der vom ersten Halbleiterchip emittierten Strahlung. Je kleiner die Oberflächenrauhigkeit des zweiten Bereichs ist, desto
gerichteter wird die auf den zweiten Bereich auftreffende Strahlung reflektiert. Vorzugsweise ist die
Oberflächenrauhigkeit und insbesondere das arithmetische Mittel der Absolutwerte einer Rauhigkeitsmessung des zweiten Bereichs 0.1 bis 0.9 mal so groß wie die Wellenlänge der vom ersten Halbleiterchip emittierten Strahlung. Für einen IR Strahlung abstrahlenden Halbleiterchip (λ = ca. 1 μιη) beträgt der Mittenrauwert Ra des zweiten Bereichs vorzugsweise kleiner oder gleich 0.1 μιτι, beispielsweise 0.09 μιτι, um eine spekulare Reflektion der von dem Halbleiterchip abgestrahlten Strahlung durch den zweiten Bereich zu erreichen. Für einen sichtbare Strahlung abstrahlenden Halbleiterchip (λ = 0.4 μιη bis 0.8 μιη) beträgt der Mittenrauwert Ra des zweiten Bereichs vorzugsweise kleiner oder gleich 0.08 μιτι, beispielsweise 0.04 μιη oder 0.01 μιη, um eine spekulare Reflektion der von dem Halbleiterchip abgestrahlten Strahlung durch den zweiten Bereich zu erreichen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist das Gehäuse wenigstens eine zweite Ausnehmung auf. Die zweite Ausnehmung ist insbesondere als ein zweiter Reflektor
ausgebildet. Das Gehäuse kann auch eine dritte, vierte oder weitere als Reflektor ausgebildete Ausnehmung aufweisen.
Die zweite bzw. jede weitere Ausnehmung kann identisch ausgestaltet sein, wie die erste Ausnehmung. Insbesondere kann die zweite und/oder jede weitere Ausnehmung einen gleichen Durchmesser ihrer der Bodenflächen abgewandten
Öffnung und/oder eine gleiche Tiefe wie die erste Ausnehmung aufweisen. Die zweite und/oder jede weitere Ausnehmung kann die gleiche Form aufweisen, wie die erste Ausnehmung.
Alternativ dazu kann die zweite und/oder jede weitere
Ausnehmung eine andere Größe aufweisen als die erste
Ausnehmung. Beispielsweise kann die zweite und/oder jeder weitere Ausnehmung eine kleinere Größe bzw. einen kleineren Durchmesser haben, als die erste Ausnehmung. Ebenso kann die zweite und/oder jede weitere Ausnehmung weniger tief
ausgebildet sein, als die erste Ausnehmung. Die zweite und/oder jeder weitere Ausnehmung kann eine andere Form aufweisen, als die erste Ausnehmung. Vorzugsweise ist die zweite und/oder jede weitere Ausnehmung oval oder rund geformt . Ein zweiter Halbleiterchip ist in der zweiten Ausnehmung angeordnet. Vorzugsweise ist der zweite Halbleiterchip auf einen Boden der zweiten Ausnehmung gebonded, also
insbesondere gelötet oder elektrisch leitend geklebt. Der erste Reflektor und insbesondere die Oberfläche des ersten
Reflektors ist dazu ausgebildet die vom ersten Halbleiterchip emittierte Strahlung zumindest überwiegend diffus zu
reflektieren. Der zweite Reflektor und insbesondere die
Oberfläche des zweiten Reflektors ist dazu ausgebildet die vom zweiten Halbleiterchip emittierte Strahlung überwiegend gerichtet zu reflektieren. Insbesondere ist der zweite
Reflektor dazu ausgebildet die vom zweiten Halbleiterchip emittierte Strahlung gerichteter zu reflektieren, als der erste Reflektor die vom ersten Halbleiterchip emittierte Strahlung reflektiert.
Diese Ausgestaltung ist besonders vorteilhaft um
beispielsweise einen IR emittierten Halbleiterchip und einen Halbleiterchip, der sichtbare Strahlung emittiert, in einem Bauelement zu kombinieren. Die vom IR emittierenden
Halbleiterchip abgestrahlte Strahlung kann dabei vorzugsweise gerichtet reflektiert werden (zweiter Halbleiterchip). Die sichtbare Strahlung des anderen (ersten) Halbleiterchips wird dann bevorzugt diffus gestreut und/oder reflektiert. Eine Kombination einer Vielzahl von Halbleiterchips die in
unterschiedlichen Spektralbereichen abstrahlen ist so in einem Bauelement möglich.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist die Oberflächenrauhigkeit des ersten Reflektors größer als die Oberflächenrauhigkeit des zweiten Reflektors. Die
Oberflächenrauhigkeit und insbesondere ein arithmetisches Mittel der Absolutwerte einer Rauhigkeitsmessung der Oberfläche des ersten Reflektors ist vorzugsweise größer oder gleich zu der Wellenlänge der vom ersten Halbleiterchip emittierten Strahlung. Je größer die Oberflächenrauhigkeit, desto diffuser wird dabei die auftreffende Strahlung von dem ersten Reflektor bzw. der Oberfläche des ersten Reflektors reflektiert und/oder gestreut. Vorzugsweise ist die
Oberflächenrauhigkeit und insbesondere das arithmetische Mittel der Absolutwerte einer Rauhigkeitsmessung der
Oberfläche des ersten Reflektors 1.0 bis 2.0 mal so groß wie die Wellenlänge der vom ersten Halbleiterchip emittierten Strahlung .
Die Oberflächenrauhigkeit und insbesondere ein arithmetisches Mittel der Absolutwerte einer Rauhigkeitsmessung der
Oberfläche des zweiten Reflektors ist vorzugsweise kleiner als die Wellenlänge der vom zweiten Halbleiterchip
emittierten Strahlung. Je kleiner die Oberflächenrauhigkeit des zweiten Reflektors ist, desto gerichteter wird die auf den zweiten Reflektor auftreffende Strahlung reflektiert. Vorzugsweise ist die Oberflächenrauhigkeit und insbesondere das arithmetische Mittel der Absolutwerte einer
Rauhigkeitsmessung der Oberfläche des zweiten Reflektors 0.1 bis 0.9 mal so groß wie die Wellenlänge der vom zweiten
Halbleiterchip emittierten Strahlung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist das Gehäuse aus einem Kunststoff ausgebildet. Das Bauelement kann beispielsweise mit Hilfe der so genannten Molded Interconnect Device (MID) Technologie gebildet sein. Dabei wird das
Gehäuse in einem Spritzgussverfahren hergestellt. Alternativ dazu kann das Bauelement mittels der so genannten Metal
Piated Frame Implementation ausgebildet sein. Auch hier wird das Gehäuse vorzugsweise in einem Spritzgussverfahren hergestellt. Das Verfahren der Metal Piated Frame Implementation ist ausführlich in dem Dokument WO 2011/157515 AI beschrieben, dessen Offenbarungsgehalt hiermit durch
Rückbezug aufgenommen wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist die Oberfläche des ersten Reflektors zumindest teilweise eine metallische Schicht auf. Dies ist insbesondere der Fall für Bauelemente welche mit Hilfe der MID Technologie ausgebildet sind. Vorzugsweise weist die gesamte Oberfläche des ersten Reflektors die metallische Schicht auf. Die metallische
Schicht ermöglicht eine hohe Ausbeute des Halbleiterchips. Die metallische Schichte dient dazu, die auf die Oberfläche auftreffende Strahlung zu reflektieren. Die metallische
Schicht kann gleichzeitig als elektrischer Anschlussleiter des Bauelements fungieren. Die metallische Schicht kann beispielsweise Aluminium (AI) , Silber (Ag) , Kupfer (Cu) , Nickel (Ni) und/oder Gold (Au) aufweisen. Die metallische Schicht im zweiten Bereich des ersten
Reflektors bzw. der ersten Ausnehmung ist vorzugsweise dicker als die metallische Schicht im ersten Bereich des ersten Reflektors bzw. der ersten Ausnehmung. Vorzugsweise weist die metallische Schicht im ersten Bereich eine Dicke auf, die 10 % bis 90% der Dicke der metallischen Sicht im zweiten Bereich entspricht. In Abhängigkeit von der Rauhigkeit der
KunststoffOberfläche unter der metallischen Schicht weist die metallische Schicht im ersten Bereich eine Dicke von kleiner oder gleich 1 μιτι, beispielsweise 0.05 μιτι, auf. Die
metallische Schicht im zweiten Bereich weist vorzugsweise eine Dicke von größer oder gleich 10 μιτι, beispielsweise 15 μιη, auf. Durch die dickere Ausgestaltung der metallischen Schicht im zweiten Bereich weist der zweite Bereich des ersten
Reflektors eine geringere Oberflächenrauhigkeit auf, als der erste Bereich des ersten Reflektors. Insbesondere ist die Oberfläche des zweiten Bereichs durch die dickere metallische Schicht im zweiten Bereich glatt ausgebildet. Damit wird Strahlung, die auf den zweiten Bereich trifft gerichteter reflektiert als Strahlung, die auf den ersten Bereich trifft. Durch das gezielte Aufbringen und Ausgestalten der
metallischen Schicht kann damit die Abstrahlcharakteristik des Bauelements gezielt eingestellt und ein besonders
effizientes Bauelement bereit gestellt werden. Auch die Oberfläche des zweiten Reflektors weist vorzugsweise zumindest teilweise eine metallische Schicht auf.
Vorzugsweise weist die gesamte Oberfläche des zweiten
Reflektors die metallische Schicht auf. Die metallische
Schicht des ersten Reflektors ist vorzugsweise dünner als die metallische Schicht des zweiten Reflektors. Vorzugsweise weist die metallische Schicht des ersten Reflektors eine Dicke auf, die 10 % bis 90% der Dicke der metallischen Sicht des zweiten Reflektors entspricht. Durch die dickere Ausgestaltung der metallischen Schicht im zweiten Reflektor weist der zweite Reflektor eine geringere Oberflächenrauhigkeit auf, als der erste Reflektor. Damit wird Strahlung, die vom zweiten Halbleiterchip emittiert wird und auf den zweiten Reflektor trifft gerichteter reflektiert als Strahlung, die vom ersten Halbleiterchip emittiert wird und dann auf den ersten Reflektor trifft. Durch das gezielte Aufbringen und Ausgestalten der metallischen Schicht kann damit die Abstrahlcharakteristik des Bauelements gezielt eingestellt und ein besonders
effizientes Bauelement bereit gestellt werden.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zur
Herstellung eines optoelektronischen Bauelements,
vorzugsweise des oben beschriebenen optoelektronischen
Bauelements, beschrieben. Vorzugsweise wird durch das
folgende Verfahren ein auf der MID-Technologie basierendes Bauelement hergestellt. Insbesondere entspricht das dabei hergestellte Bauelement vorzugsweise dem hier beschriebenen Bauelement. Sämtliche für das Bauelement offenbarten Merkmale sind demnach auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf:
In einem ersten Schritt wird das Gehäuse bereitgestellt. Das Gehäuse wird vorzugsweise durch einen Spritzgussschritt bereitgestellt. Des Gehäuse ist vorzugsweise aus einem
Kunststoff ausgebildet.
Das Gehäuse weist wenigstens die oben beschriebene erste Ausnehmung auf. Vorzugsweise weist das Gehäuse eine Mehrzahl, beispielsweise zwei, drei oder vier Ausnehmungen auf. Die Ausnehmungen sind räumlich voneinander separiert. Die
jeweilige Ausnehmung weist eine Oberfläche auf. Die
Oberfläche weist eine Verfahrens- und materialbedingte
Oberflächenrauhigkeit auf. Beispielsweise beträgt die
Rauhigkeit der Oberfläche etwa 10 μιη.
In einem weiteren Schritt wird wenigstens ein Halbleiterchip, insbesondere der oben beschriebene erste Halbleiterchip bereitgestellt. Vorzugsweise wird eine Mehrzahl, beispielsweise zwei, drei oder vier Halbleiterchips
bereitgestellt. Die Zahl der Halbleiterchips entspricht dabei der Anzahl an Ausnehmungen, die im Gehäuse ausgebildet sind. In einem weiteren Schritt wird die metallische Schicht zumindest in einem Bereich der Oberfläche der Ausnehmung, vorzugsweise auf der gesamten Oberfläche der Ausnehmung, ausgebildet. Das Ausbilden der metallischen Schicht erfolgt dabei durch galvanisches oder stromloses Abscheiden (engl. auch „electroless plating" oder „chemical plating) der metallischen Schicht zumindest in einem Bereich der
Oberfläche der Ausnehmung. Durch das Ausbilden der
metallischen Schicht auf der Oberfläche der Ausnehmung bzw. des Reflektors wird eine reflektierenden Oberfläche
ausgebildet. Das Ausbilden der metallischen Schicht auf der Oberfläche der Ausnehmung bzw. des Reflektors dient ferner zur gezielten Einstellung der Abstrahlcharakteristik der vom Bauelement im Betrieb abgestrahlten Strahlung. Beispielsweise wird die metallische Schicht so ausgestaltet, dass sie im oben beschriebenen ersten Bereich dünner ist als im oben beschriebenen zweiten Bereich, und/oder in wenigstens einem Reflektor dünner ist als in wenigstens einem weiteren
Reflektor . In einem nächsten Schritt wird der Halbleiterchip in der
Ausnehmung angeordnet. Vorzugsweise wird der Halbeiterchip auf den Boden der Ausnehmung gebonded, also insbesondere gelötet oder elektrisch leitend geklebt. Wie oben beschrieben weist das durch den Spritzgussschritt gewonnene Gehäuse und insbesondere die Ausnehmung, eine durch den Herstellungsprozess und das verwendete Material
vorgegebene Oberflächenrauhigkeit auf. Durch die gezielte Ausbildung der metallischen Beschichtung kann die Oberflächenrauhigkeit gezielt eingestellt werden.
Insbesondere können Bereiche/Reflektoren mit höherer
Oberflächenrauhigkeit durch Aufbringen einer dünneren metallischen Schicht ausgebildet werden, mit denen die auftreffende Strahlung diffus gestreut und/oder reflektiert werden kann. Ferner können Bereiche/Reflektoren mit
geringerer Oberflächenrauhigkeit durch Aufbringen einer dickeren metallischen Schicht ausgebildeten werden durch die die auftreffende Strahlung gerichtet reflektiert werden kann bzw. gerichteter als durch die Bereiche/Reflektoren mit höherer Oberflächenrauhigkeit. So kann das Reflexions- bzw. Streuverhalten des jeweiligen Bereichs/Reflektors und damit die Abstrahlcharakteristik des Bauelements gezielt
eingestellt werden. Dadurch wird ein besonders effizientes Bauelement bereitgestellt. Dadurch dass die
Abstrahlcharakteristik durch einfaches Variieren von ohnehin erforderlichen Herstellungsschritten und -parametern erzielt werden kann, und keine zusätzlichen Komponenten erforderlich sind, ist das Bauelement bzw. dessen Herstellung besonders kostengünstig .
Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zur
Herstellung eines optoelektronischen Bauelements,
vorzugsweise des oben beschriebenen optoelektronischen
Bauelements, beschrieben. Vorzugsweise wird durch das folgende Verfahren ein auf der Metal Piated Frame
Implementation - Technologie basierendes Bauelement
hergestellt. Insbesondere entspricht das dabei hergestellte Bauelement vorzugsweise dem hier beschriebenen Bauelement. Sämtliche für das Bauelement offenbarten Merkmale sind demnach auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: In einem ersten Schritt wird ein Spritzwerkzeug bzw. einer Spritzgussform zur Herstellung des Gehäuses des Bauelements mittels eines Spritzgussverfahrens bereitgestellt. In einem nächsten Schritt erfolgt ein Polieren wenigstens eines
Bereichs einer Oberfläche des Spritzwerkzeugs zur gezielten Einstellung der Abstrahlcharakteristik der von dem Bauelement im Betrieb abgestrahlten Strahlung. Die Oberflächenrauhigkeit des Spritzwerkzeugs determiniert die Rauhigkeit der
Oberfläche des im weiteren Verlauf hergestellten Gehäuses und insbesondere die Oberflächenrauhigkeit der Ausnehmung. Durch die Länge und/oder die Stärke und/oder den gewählten Bereich des Polierens des Spritzwerkzeugs kann folglich die
Oberflächenrauhigkeit der jeweiligen KunststoffOberfläche des Gehäuses modifiziert bzw. eingestellt werden. Je stärker bzw. länger die Oberfläche bzw. der Bereich der Oberfläche des Spritzwerkzeugs poliert wird, umso geringer ist die
Oberflächenrauhigkeit des Bereichs des Gehäuses, welcher in einem nächsten Schritt durch den betreffenden Bereich des Spritzwerkzeugs im Verlauf des Spritzgussverfahrens
ausgebildet wird.
Der Bereich der Oberfläche des Spritzwerkzeugs welcher zur Ausformung der ersten Ausnehmung vorgesehen ist, wird dabei beispielsweise kürzer und/oder weniger stark poliert, als der Bereich der Oberfläche des Spritzwerkzeugs welcher zur
Ausformung einer weiteren Ausnehmung vorgesehen ist. Auf diese Weise ist die Oberflächenrauhigkeit der Oberfläche der weiteren Ausnehmung stärker reduziert bzw. geringer als die Oberflächenrauhigkeit der Oberfläche der ersten Ausnehmung. Vorzugsweise ist der Bereich der Oberfläche des
Spritzwerkzeugs welcher zur Ausbildung des oben beschriebenen zweiten Bereichs und/oder des zweiten Reflektors vorgesehen ist glatter poliert als der Bereich der Oberfläche des Spritzwerkzeugs welcher zur Ausbildung des oben beschriebenen ersten Bereichs und/oder des ersten Reflektors vorgesehen ist. Der Bereich der Oberfläche des Spritzwerkzeugs welcher zur Ausbildung des oben beschriebenen ersten Bereichs
und/oder des ersten Reflektors vorgesehen ist kann
beispielsweise auch unpoliert verbleiben.
In einem nächsten Schritt wird das oben beschriebene Gehäuse durch einen Spritzgussschritt bereitgestellt. Das Gehäuse weist wenigstens die oben beschriebene erste Ausnehmung auf. Vorzugsweise weist das Gehäuse eine Mehrzahl, beispielsweise zwei, drei oder vier Ausnehmungen auf. Die Ausnehmungen sind räumlich voneinander separiert. Die jeweilige Ausnehmung weist eine Oberfläche auf. Die
Oberfläche weist eine Oberflächenrauhigkeit auf welche durch das gezielte Polieren der Oberfläche des Spritzwerkzeugs gezielt eingestellt ist. In einem weiteren Schritt wird wenigstens ein Halbleiterchip, insbesondere der oben beschriebene erste Halbleiterchip bereitgestellt. Vorzugsweise wird eine Mehrzahl,
beispielsweise zwei, drei oder vier Halbleiterchips
bereitgestellt. Die Zahl der Halbleiterchips entspricht dabei der Anzahl an Ausnehmungen, die im Gehäuse ausgebildet sind.
In einem weiteren Schritt wird die oben beschriebene
metallischen Schicht zumindest in einem Bereich der
Oberfläche der Ausnehmung aufgebracht. Vorzugsweise wird die metallische Schicht auf der gesamten Oberfläche aufgebracht. Das Aufbringen erfolgt dabei durch Sputtern oder thermisches Aufdampfen. Auf diese Weise wird eine reflektierenden
Oberfläche ausgebildet. Die metallische Schicht ist dabei vorzugsweise so dünn, dass die durch das Polieren der
Oberfläche des Spritzwerkzeugs eingestellte
Oberflächenrauhigkeit von Bereichen eines Reflektors bzw. von verschiedenen Reflektoren nicht durch die metallische Schicht ausgeglichen wird. Insbesondere wirkt sich die metallische Schicht nicht auf die Rauhigkeit der Oberfläche aus. Die metallische Schicht bildet die unter ihr liegenden Oberfläche zum Beispiel konform ab. Vorzugsweise weist die metallische Schicht eine Dicke von etwa 100 nm auf.
In einem letzten Schritt wird der Halbleiterchip in der
Ausnehmung angeordnet. Vorzugsweise wird der Halbeiterchip auf den Boden der Ausnehmung gebonded. Das durch den Spritzgussschritt gewonnene Gehäuse und
insbesondere die Ausnehmung, weist wie oben beschrieben, eine durch den Herstellungsprozess , durch das Polieren des
Spritzwerkzeugs, und durch das Material vorgegebene
Oberflächenrauhigkeit auf. Insbesondere durch das gezielte Behandeln bzw. durch das gezielte Polieren der Oberfläche von Bereichen des Spritzwerkzeugs kann die Oberflächenrauhigkeit der einzelnen Bereiche des Gehäuses gezielt eingestellt werden. Insbesondere können Bereiche/Reflektoren mit höherer Oberflächenrauhigkeit durch kürzeres und/oder schwächeres Polieren der zugehörigen Bereiche des Spritzwerkzeugs ausgebildet werden. Diese Bereiche/Reflektoren streuen und/oder reflektieren die auftreffende Strahlung diffus.
Ferner können Bereiche/Reflektoren mit geringerer
Oberflächenrauhigkeit durch längeres und/oder stärkeres Polieren der zugehörigen Bereiche des Spritzwerkzeugs ausgebildeten werden. Diese Bereiche/Reflektoren reflektieren die auftreffende Strahlung gerichtet bzw. gerichteter als die Bereiche mit höherer Oberflächenrauhigkeit. So kann das Reflexions- bzw. Streuverhalten des jeweiligen Reflektors und damit die Abstrahlcharakteristik des Bauelements gezielt eingestellt werden. Dadurch wird ein besonders effizientes Bauelement bereitgestellt, bei dem die erzeugte Strahlung im Hinblick auf die Einsatzerfordernisse optimal genutzt wird.
Dadurch dass die Abstrahlcharakteristik durch einfaches Variieren von ohnehin erforderlichen Herstellungsschritten und -parametern erzielt werden kann, und keine zusätzlichen Komponenten erforderlich sind, ist das Bauelement bzw. dessen Herstellung besonders kostengünstig.
Im Folgenden werden das optoelektronische Bauelement und das Verfahren an Hand von Ausführungsbeispielen und den
dazugehörigen Figuren näher erläutert.
Die Figur 1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines
optoelektronisches Bauelements gemäß zumindest einer Ausführungsform,
Die Figur 2 zeigt eine Draufsicht des optoelektronischen
Bauelements aus Figur 1,
Die Figur 3A zeigt einen Querschnitt zumindest eines Teils des optoelektronischen Bauelements aus Figur 1,
Die Figur 3B zeigt eine Abstrahlcharakteristik des
optoelektronischen Bauelements aus Figur 3A, Die Figur 4A zeigt einen Querschnitt zumindest eines Teils des optoelektronischen Bauelements aus Figur 1,
Die Figur 4B zeigt eine Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauelements aus Figur 4A.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Figur 1 zeigt ein optoelektronisches Bauelement 1. Das
Bauelement 1 weist ein Gehäuse 2 auf. Das Gehäuse 2 ist, vorzugsweise mittels eines Spritzgussverfahrens, aus einem Kunststoff hergestellt. Das Bauelement 1 ist vorzugsweise ein oberflächenmontierbares Bauelement. Insbesondere ist das Gehäuse 2 des Bauelements 1 oberflächenmontierbar
ausgebildet .
Das Gehäuse 2 weist vier Ausnehmungen 3, 3A auf. Insbesondere weist das Gehäuse eine erste Ausnehmung 3A und drei weitere Ausnehmungen 3 auf. Das Gehäuse 2 kann auch weniger als vier Ausnehmungen 3, 3A aufweisen, beispielsweise ein, zwei oder drei Ausnehmungen 3, 3A (nicht explizit dargestellt) . Das Gehäuse 2 kann auch mehr als vier Ausnehmungen 3, 3A
aufweisen, beispielsweise fünf, sechs oder sieben
Ausnehmungen (nicht explizit dargestellt) .
Die Ausnehmungen 3, 3A sind in einem Grundkörper 2A des Gehäuses 2 gebildet. Die Ausnehmungen 3, 3A stellen
Vertiefungen in dem Grundkörper 2A dar. Die Ausnehmungen 3, 3A sind unterschiedlich ausgebildet. Die erste Ausnehmung 3A weist eine größere Ausdehnung auf als die drei weiteren
Ausnehmungen 3. Die erste Ausnehmung 3A weist einen größeren Durchmesser auf, als die drei weiteren Ausnehmungen 3. Die erste Ausnehmung 3A kann auch tiefer ausgebildet sein, als die drei weiteren Ausnehmungen 3. In einem alternativen
Ausführungsbeispiel (nicht explizit dargestellt) , können die Ausnehmungen 3, 3A aber auch eine identische Größe aufweisen.
Die Ausnehmungen 3, 3A haben eine unterschiedliche Form. Die erste Ausnehmung 3A ist trichterförmig ausgebildet. Aber auch jede weitere Form ist für die erste Ausnehmung 3A
vorstellbar. Beispielsweise kann die erste Ausnehmung 3A eckig, rund, oder elliptisch ausgebildet sein. Die weiteren Ausnehmungen 3 weisen einen rundere Form auf, als die erste Ausnehmung 3A. In einem alternativen Ausführungsbeispiel (nicht explizit dargestellt) können die erste Ausnehmung 3A und jede weitere Ausnehmung 3 aber auch die gleiche Form aufweisen .
In der jeweiligen Ausnehmung 3, 3A ist ein Halbleiterchip 4, 4A angeordnet. Vorzugsweise sind die Halbleiterchips 4, 4A an einen Boden der Ausnehmung 3, 3A gebonded.
In der ersten Ausnehmung 3A ist ein erster Halbleiterchip 4A angeordnet. Der erste Halbleiterchip 4A ist vorzugsweise ein Hochleistungs-Halbleiterchip . Der erste Halbleiterchip 4A ist zur Beleuchtung ausgebildet. Der erste Halbleiterchip 4A emittiert elektromagnetische Strahlung, vorzugsweise Licht oder IR Strahlung. Beispielsweise kann der erste
Halbleiterchip 4A als Licht emittierender Chip für die
Blitzfunktion einer Kamera eingesetzt werden. Der erste
Halbleiterchip 4A kann auch IR Strahlung für die
Blitzfunktion eines Handys mit IR Kamera oder als Emitter für einen Entfernungssensor abstrahlen. In den drei weiteren Ausnehmungen 3 ist jeweils ein weiterer Halbleiterchip 4 angeordnet. Die Halbleiterchips 4 sind vorzugsweise niederenergetische Halbleiterchips. Auch die weiteren Halbleiterchips 4 sind zur Beleuchtung ausgebildet. Die Halbleiterchips 4 emittieren elektromagnetische
Strahlung, vorzugsweise Licht oder IR Strahlung.
In einem alternativen Ausführungsbeispiel können alle
Halbleiterchips 4, 4A des Bauelements 1 baugleich sein.
Die jeweilige Ausnehmung 3, 3A ist als Reflektor ausgebildet. Insbesondere dient die jeweilige Ausnehmung 3, 3A dazu,
Strahlung, die von dem jeweiligen Halbleiterchip 4, 4A emittiert wird, gerichtet bzw. fokussiert oder diffus bzw. gestreut zu reflektieren. Die jeweilige
Abstrahlcharakteristik hängt dabei von den Eigenschaften des jeweiligen Reflektors ab, wie weiter unten im Detail
beschrieben wird.
Die Ausnehmungen 3, 3A bzw. Reflektoren weisen eine
reflektierende Oberfläche 5 auf (siehe insbesondere Figuren 3A und 4A) . Die Oberfläche 5 ist dem jeweiligen
Halbleiterchip 4, 4A zugewandt. Die reflektierende Oberfläche 5 ist mit einer metallischen Schicht beschichtet. Die
metallische Schicht kann beispielsweise AI, Ag, Cu, Ni und/oder Au aufweisen.
Der erste, von der ersten Ausnehmung 3A gebildete Reflektor weist eine reflektierende Oberfläche 5 mit einer hohen
Oberflächenrauhigkeit auf (siehe Figur 4A) . Insbesondere ist die Oberflächenrauhigkeit der reflektierenden Oberfläche 5 des ersten Reflektors höher, als die Oberflächenrauhigkeit der jeweiligen reflektierenden Oberfläche 5 der weiteren Reflektoren, die von den weiteren Ausnehmungen 3 gebildet sind (siehe hierzu Figur 3A) . Die Oberflächenrauhigkeit der reflektierenden Oberfläche 5 kann dabei durch verschiedene Faktoren beeinflusst werden. In einem Ausführungsbeispiel wird die Oberflächenrauhigkeit von einer Dicke der
metallischen Schicht die zur Ausbildung der reflektierenden Oberfläche 5 aufgebracht wird, beeinflusst. In einem weiteren Ausführungsbeispiel kann die Oberflächenrauhigkeit der jeweiligen Ausnehmung 3, 3A durch ein gezieltes Polieren des Bereichs der Oberfläche des Spritzwerkzeugs beeinflusst werden, welcher bei dem Herstellungsprozess zur Ausbildung der jeweiligen Ausnehmung 3, 3A vorgesehen ist, wie weiter unten im Detail beschrieben wird.
Die Oberflächenrauhigkeit und insbesondere ein arithmetisches Mittel der Absolutwerte einer Rauhigkeitsmessung der
reflektierenden Oberfläche 5 des ersten Reflektors ist größer oder gleich zu der Wellenlänge der vom ersten Halbleiterchip 4A emittierten Strahlung. Vorzugsweise ist die
Oberflächenrauhigkeit und insbesondere das arithmetische Mittel der Absolutwerte einer Rauhigkeitsmessung der
reflektierenden Oberfläche 5 des ersten Reflektors 1.0 bis 2.0 mal so groß wie die Wellenlänge der vom ersten
Halbleiterchip 4A emittierten Strahlung. Die Oberflächenrauhigkeit und insbesondere ein arithmetisches Mittel der Absolutwerte einer Rauhigkeitsmessung der
jeweiligen reflektierenden Oberfläche 5 der weiteren
Reflektoren, die von den weiteren Ausnehmungen 3 gebildet werden, ist kleiner als die jeweilige Wellenlänge der von den weiteren Halbleiterchips 4 emittierten Strahlung.
Vorzugsweise ist die Oberflächenrauhigkeit und insbesondere das arithmetische Mittel der Absolutwerte einer
Rauhigkeitsmessung der reflektierenden Oberfläche 5 der weiteren Reflektoren Reflektors 0.1 bis 0.9 mal so groß wie die Wellenlänge der von dem jeweiligen weiteren
Halbleiterchip 4 emittierten Strahlung. Der erste, von der ersten Ausnehmung 3A gebildete Reflektor, reflektiert und/oder zu streut die vom ersten Halbleiterchip 4A emittierte Strahlung diffus. Je größer die
Oberflächenrauhigkeit der reflektierenden Oberfläche 5 des ersten Reflektors dabei ist, desto diffuser wird die
auftreffende Strahlung von der reflektierenden Oberfläche 5 reflektiert und/oder gestreut. Durch eine gezielte Ausbildung der Oberfläche des Reflektors kann also eine
Abstrahlcharakteristik 6 des ersten Halbleiterchips 4A gezielt eingestellt werden. Unter diffuser Reflexion soll dabei die Reflexion der einfallenden Strahlung in alle
Raumrichtungen verstanden werden. Diffuse Streuung und/oder Reflexion bedeutet insbesondere in diesem Zusammenhang, dass die einfallende Strahlung um bis zu +/- 60° zur
Flächennormalen gestreut wird (siehe Abstrahlcharakteristik 6 in Figur 4B) . Dies ist beispielsweise besonders vorteilhaft, wenn der erste Halbleiterchip 4A zur Erzeugung von sichtbarer Strahlung vorgesehen ist, um einen Benutzer des Bauelements 1 nicht zu irritieren bzw. zu stören. Die weiteren Reflektoren, die von den weiteren Ausnehmungen 3 gebildet werden, reflektieren die Strahlung gerichtet bzw. fokussiert. Insbesondere wird die Strahlung der weiteren Halbleiterchips 4 gerichteter reflektiert, als die Strahlung des ersten Halbleiterchips 4A. Je kleiner die
Oberflächenrauhigkeit der reflektierenden Oberfläche 5 der weiteren Reflektoren dabei ist, desto gerichteter wird die auftreffende Strahlung von der jeweiligen reflektierenden Oberfläche 5 reflektiert. Fokussierung bzw. gerichtete Reflexion bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die
einfallende Strahlung um weniger oder gleich +/- 15° zur Flächennormalen gestreut wird (siehe Abstrahlcharakteristik 6 in Figur 3B) . Dies kann sich als besonders vorteilhaft erweisen, wenn der jeweilige Halbleiterchip 4 zur Abstrahlung von IR Strahlung vorgesehen ist. IR Strahlung kann von einem Benutzer, beispielsweise einem Handybesitzer, nicht
wahrgenommen werden, so dass ein IR emittierendes Bauelement, dass beispielsweise für die Blitzfunktion des Handys
eingesetzt wird, nicht als irritierend oder störend
wahrgenommen wird.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel (nicht explizit
dargestellt) kann der erste (durch die erste Ausnehmung 3A gebildete) Reflektor auch eine kleinere Oberflächenrauhigkeit aufweisen, als die weiteren Reflektoren, so dass die vom ersten Halbleiterchip 4A emittierte Strahlung gerichteter reflektiert wird, als die Strahlung, die von den weiteren Halbleiterchips 4 emittiert wird.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel (nicht explizit
dargestellt) kann der erste Reflektor bzw. die reflektierende Oberfläche 5 des ersten Reflektors verschieden Bereiche aufweisen. Ein erster Bereich kann dabei eine höhere
Oberflächenrauhigkeit aufweisen, als ein zweiter Bereich. Auf diese Weise wird die vom ersten Halbleiterchip 4A emittierte Strahlung, die auf den ersten Bereich trifft, diffuser reflektiert, als die Strahlung, die auf den zweiten Bereich der reflektierenden Oberfläche 5 trifft. So kann die
Abstrahlcharakteristik des ersten Halbleiterchips 4A ganz gezielt eingestellt werden. In einem weiteren Ausführungsbeispiel (nicht explizit dargestellt) können die weiteren (von den weiteren
Ausnehmungen 3 gebildeten) Reflektoren bzw. die jeweilige reflektierende Oberfläche 5 jeweils den oben beschriebenen ersten und zweiten Bereich aufweisen.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel (nicht explizit dargestellt) kann die reflektierende Oberfläche 5 des ersten Reflektors und wenigstens eines der weiteren Reflektoren den oben beschrieben ersten und zweiten Bereich aufweisen.
Das oben beschriebene Bauelement 1 wird gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels wie folgt hergestellt (siehe hierzu auch Figur 2). Das Herstellungsverfahren orientiert sich dabei insbesondere an der Molded Interconnect Device (MID)
Technologie .
In einem ersten Schritt wird das Gehäuse 2 bereitgestellt. Die Bereitstellung des Gehäuses 2 erfolgt durch ein
Spritzgussverfahren. Mittels dieser Herstellungstechnik lassen sich beliebig gestaltete Gehäuse 2 und beliebig gestaltete Reflektoren bzw. Ausnehmungen 3, 3A auf einfache Weise herstellen. Das resultierende Gehäuse 2 ist aus
Kunststoff ausgebildet. Die jeweilige Ausnehmung 3, 3A weist insbesondere eine Oberfläche aus Kunststoff auf. Bedingt durch das Spritzgussverfahren und das verwendete Material weist die Oberfläche der jeweiligen Ausnehmung 3, 3A eine gewisse Oberflächenrauhigkeit auf. Diese
Oberflächenrauhigkeit ist zunächst für alle Ausnehmungen 3, 3A gleich.
In einem weiteren Schritt werden die oben beschriebenen Halbleiterchips 4, 4A bereitgestellt. In einem nächsten Schritt wird die reflektierende Oberfläche 5 der jeweiligen Ausnehmung ausgebildet. Dies geschieht durch Galvanisches oder stromloses Abscheiden der metallischen Schicht auf der Oberfläche des jeweiligen Reflektors. Dabei erfolgt das Abscheiden der metallischen Schicht derart, dass die metallische Schicht der reflektierenden Oberfläche 5 des ersten Reflektors dünner ist, als die metallische Schicht der reflektierenden Oberfläche der weiteren Reflektoren, also der Reflektoren, die durch die weiteren Ausnehmungen 3 gebildet werden.
Durch die dickere metallische Schicht auf der
KunststoffOberfläche der weiteren Ausnehmungen 3 wird die
Oberflächenrauhigkeit der KunststoffOberfläche der weiteren Ausnehmungen 3 ausgeglichen. Die reflektierende Oberfläche 5 der weiteren Reflektoren weist damit eine geringere
Oberflächenrauhigkeit auf, als die reflektierende Oberfläche 5 des ersten Reflektors. Die reflektierende Oberfläche 5 des ersten Reflektors weist eine Oberflächenrauhigkeit auf, die in etwa der Oberflächenrauhigkeit der darunter liegenden
KunststoffOberfläche entspricht, da die metallische Schicht der reflektierenden Oberfläche 5 des ersten Reflektors die Rauhigkeit der KunststoffOberfläche auf Grund ihrer nur geringen Dicke nicht oder zumindest nicht vollständig
ausgleichen kann. Folglich wird, sobald das Bauelement 1 fertig gestellt ist, die Strahlung der weiteren
Halbleiterchips 4 gerichteter reflektiert, als die Strahlung des ersten Halbleiterchips 4A. Durch gezielte Wahl der Dicke des metallischen Schicht der jeweiligen reflektierenden Oberfläche 5 kann damit die
Abstrahlcharakteristik 6 des jeweiligen Halbleiterchips 4, 4A gezielt eingestellt werden (siehe Figuren 3B und 4B) . Die metallische Schicht dient als elektrischer Kontakt 8 des Bauelements 1, wie in Figur 2 dargestellt ist.
In Bezug auf das Ausführungsbeispiel, in dem die
reflektierende Oberfläche 5 wenigstens einer der vier
Reflektoren den oben beschriebenen ersten und zweiten Bereich aufweist, wird in dem ersten Bereich eine dünnere metallische Schicht aufgebracht, als in dem zweiten Bereich. Auf diese Weise weist der erste Bereich eine höhere
Oberflächenrauhigkeit auf, als der zweite Bereich.
In einem letzten Schritt wird der jeweilige Halbleiterchip 4, 4A in der jeweiligen Ausnehmung 3, 3A angeordnet.
Insbesondere wird der erste Halbleiterchip 4A in der ersten Ausnehmung 3A angeordnet, vorzugsweise auf den Boden der ersten Ausnehmung 3A gebonded. Die weiteren Halbleiterchips 4 werden jeweils in einer weiteren Ausnehmung 3 angeordnet, vorzugsweise auf den Boden der jeweiligen weiteren Ausnehmung 3 gebonded. Letztlich kann der jeweilige Reflektor noch mit einem
transparenten Vergussmaterial aufgefüllt werden, welches den jeweiligen Halbleiterchip 4, 4A vollständig umgibt (nicht explizit dargestellt) . Das oben beschriebene Bauelement 1 wird gemäß eines zweiten
Ausführungsbeispiels wie folgt hergestellt (siehe hierzu auch Figur 2). Das Herstellungsverfahren orientiert sich dabei insbesondere an der Metal Piated Frame Implementation
Technologie .
In einem ersten Schritt wird das oben beschriebene Gehäuse 2 bereitgestellt. Die Bereitstellung des Gehäuses 2 erfolgt auch hier durch ein Spritzgussverfahren. Das durch das Spritzgussverfahren resultierende Gehäuse 2 ist aus
Kunststoff ausgebildet und weist die oben beschriebenen
Ausnehmungen 3, 3A auf. Die jeweilige Ausnehmung 3, 3A weist jeweils eine Oberfläche aus Kunststoff auf.
Vor dem Spritzgießen des Gehäuses 2 erfolgt in diesem
Verfahren ein Polieren der Oberfläche des Spritzwerkzeugs bzw. der Spritzgussform (nicht explizit dargestellt). Die Oberflächenrauhigkeit des Spritzwerkzeugs determiniert nach dem Spritzgießen des Gehäuses 2 die Rauhigkeit der Oberfläche des Gehäuses 2 und insbesondere der Ausnehmungen 3, 3A.
Durch die Länge und/oder die Stärke des Polierens der
Oberfläche des Spritzwerkzeugs kann folglich die
Oberflächenrauhigkeit der jeweiligen KunststoffOberfläche des Gehäuses 2 modifiziert bzw. eingestellt werden.
Die Oberfläche des Spritzwerkzeugs welche bei dem
Spritzgussschritt zur Ausformung der ersten Ausnehmung 3A vorgesehen ist, wird dabei kürzer und/oder weniger stark poliert, als die Oberfläche des Spritzwerkzeugs, welche zur Ausformung der weiteren Ausnehmungen 3 vorgesehen ist. Auf diese Weise ist die Oberflächenrauhigkeit der Oberflächen der weiteren Ausnehmungen 3 nach Herstellung des Gehäuses 2 geringer als die Oberflächenrauhigkeit der Oberfläche der ersten Ausnehmung 3. Mit anderen Worten, nach dem
Poliervorgang des Spritzwerkzeugs und dem anschließenden Spritzgießen weist die Oberfläche der ersten Ausnehmung 3A eine höhere Oberflächenrauhigkeit auf, als die jeweilige Oberfläche der weiteren Ausnehmungen 3.
Bedingt durch das Spritzgussverfahren, das Polieren des
Spritzwerkzeugs und das verwendete Material weist die Oberfläche der jeweiligen Ausnehmung 3, 3A folglich eine bestimmte bzw. eingestellte Oberflächenrauhigkeit auf.
In einem weiteren Schritt werden die oben beschriebenen
Halbleiterchips 4, 4A bereitgestellt.
In einem weiteren Schritt wird die reflektierende Oberfläche 5 der jeweiligen Ausnehmung 3, 3A ausgebildet. Dies geschieht durch Sputtern oder thermisches Aufdampfen der metallischen Schicht auf der jeweiligen KunststoffOberfläche . Mit Hilfe einer Maske kann dabei eine gewünschte Strukturierung der metallischen Schicht erwirkt werden. Die hierbei erzeugte metallische Schicht ist dünner als die metallische Schicht, die in dem oben beschriebenen, auf der MID-Technologie basierenden Verfahren erzeugt wird. Ein MID-Technologie basierendes Verfahren ist in der Druckschrift US2007/0269927 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hiermit ausdrücklich durch Rückbezug mit aufgenommen wird. Vorzugsweise weist die hier erzeugte metallische Schicht eine Dicke von ca. 100 nm auf.
Auf Grund der nur geringen Dicke kann die metallische Schicht in diesem Ausführungsbeispiel nicht die Oberflächenrauhigkeit der KunststoffOberfläche der jeweiligen Ausnehmung 3, 3A ausgleichen. Das Ausgleichen der Oberflächenrauhigkeit der
KunststoffOberfläche erfolgt in diesem Herstellungsverfahren daher durch das oben beschriebene Polieren des
Spritzwerkzeugs bzw. der einzelnen Bereiche des
Spritzwerkzeugs. Die Dicke der metallischen Schicht der reflektierenden Oberflächen 5 der vier Ausnehmungen 3, 3A ist dann annähernd gleich. Da die KunststoffOberflächen der weiteren Ausnehmungen 3 glatter sind, als die
KunststoffOberfläche der ersten Ausnehmung 3A, weist die reflektierende Oberfläche 5 der ersten Ausnehmung eine höhere Oberflächenrauhigkeit auf, als die reflektierenden
Oberflächen 5 der weiteren Ausnehmungen 3. Folglich wird, sobald das Bauelement 1 fertig gestellt ist, die Strahlung der weiteren Halbleiterchips 4 gerichteter reflektiert, als die Strahlung des ersten Halbleiterchips 4A.
In Bezug auf das Ausführungsbeispiel, in dem die
reflektierende Oberfläche 5 wenigstens einer der vier
Reflektoren den oben beschriebenen ersten und zweiten Bereich aufweist, ist der erste Bereich durch das gezielte Polieren des Spritzwerkzeugs weniger glatt ausgebildet, als der zweite Bereich. Auf diese Weise weist der erste Bereich eine höhere Oberflächenrauhigkeit auf, als der zweite Bereich.
In einem letzten Schritt wird der jeweilige Halbleiterchip 4, 4A in der jeweiligen Ausnehmung 3, 3A angeordnet.
Insbesondere wird der erste Halbleiterchip 4A in der ersten Ausnehmung 3A angeordnet, vorzugsweise auf den Boden der ersten Ausnehmung 3A gebonded. Die weiteren Halbleiterchips 4 werden jeweils in einer weiteren Ausnehmung 3 angeordnet, vorzugsweise auf den Boden der jeweiligen weiteren Ausnehmung 3 gebonded. Letztlich kann der jeweilige Reflektor noch mit einem
transparenten Vergussmaterial aufgefüllt werden, welches den jeweiligen Halbleiterchip 4, 4A vollständig umgibt (nicht explizit dargestellt) . Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der
Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102012107829.7, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (1) aufweisend
- ein Gehäuse (2), wobei das Gehäuse (2) wenigstens eine erste Ausnehmung (3A) aufweist,
- wenigstens einen ersten Halbleiterchip (4A) , wobei der erste Halbleiterchip (4A) in der ersten Ausnehmung (3A) angeordnet ist, wobei die erste Ausnehmung (3A) als erster Reflektor ausgebildet ist zur Reflexion der im Betrieb des ersten Halbleiterchips (4A) erzeugten Strahlung,
wobei der erste Reflektor eine Oberfläche aufweist und wobei die Oberfläche zur gezielten Einstellung einer
Abstrahlcharakteristik (6) der vom ersten Halbleiterchip (4A) im Betrieb abgestrahlten Strahlung ausgebildet ist.
2. Optoelektronisches Bauelement (1) nach Anspruch 1,
wobei das Gehäuse (2) wenigstens eine zweite als zweiter Reflektor ausgebildete Ausnehmung (3) aufweist und wobei ein zweiter Halbleiterchip (4) in der zweiten Ausnehmung (3) angeordnet ist,
wobei
- der erste Reflektor dazu ausgebildet ist die vom ersten Halbleiterchip (4A) emittierte Strahlung diffus zu reflektieren, und wobei der zweite Reflektor dazu ausgebildet ist die vom zweiten Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung gerichtet zu reflektieren, und wobei
- die Oberflächenrauhigkeit des ersten Reflektors größer ist als die Oberflächenrauhigkeit des zweiten Reflektors und/oder die jeweilige Oberfläche des ersten und zweiten
Reflektors zumindest teilweise eine metallische Schicht aufweist, und wobei die metallische Schicht des ersten Reflektors dünner ist als die metallische Schicht des zweiten Reflektors.
3. Optoelektronisches Bauelement (1) nach Anspruch 1, wobei das Gehäuse (2) wenigstens eine zweite als zweiter
Reflektor ausgebildete Ausnehmung (3) aufweist und wobei ein zweiter Halbleiterchip (4) in der zweiten Ausnehmung (3) angeordnet ist, wobei
der erste Reflektor dazu ausgebildet ist die vom ersten
Halbleiterchip (4A) emittierte Strahlung diffus zu
reflektieren, und wobei der zweite Reflektor dazu ausgebildet ist die vom zweiten Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung gerichtet zu reflektieren.
4. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei die Oberfläche des ersten Reflektors wenigstens einen ersten und wenigstens einen zweiten Bereich aufweist, und wobei der erste Bereich der Oberfläche des ersten Reflektors dazu ausgebildet ist die vom ersten Halbleiterchip (4A) emittierte Strahlung diffus zu reflektieren, und wobei der zweite Bereich der Oberfläche des ersten Reflektors dazu ausgebildet ist die vom ersten Halbleiterchip (4A) emittierte Strahlung gerichteter zu reflektieren als der erste Bereich.
5. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche,
wobei der erste Bereich der Oberfläche des ersten Reflektors eine höhere Oberflächenrauhigkeit aufweist als der zweite Bereich der Oberfläche des ersten Reflektors.
6. Optoelektronisches Bauelement (1) nach Anspruch 5, wobei die Oberflächenrauhigkeit des ersten Bereichs größer oder gleich zu der Wellenlänge der vom ersten Halbleiterchip (4A) emittierten Strahlung ist, und wobei die
Oberflächenrauhigkeit des zweiten Bereichs kleiner als die Wellenlänge der vom ersten Halbleiterchip (4A) emittierten Strahlung ist.
7. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche,
wobei die Oberflächenrauhigkeit des ersten Reflektors größer ist als die Oberflächenrauhigkeit des zweiten Reflektors.
8. Optoelektronisches Bauelement (1) nach Anspruch 7, wobei die Oberflächenrauhigkeit des ersten Reflektors größer oder gleich zu der Wellenlänge der von dem ersten
Halbleiterchip (4A) emittierten Strahlung ist, und wobei die Oberflächenrauhigkeit des zweiten Reflektors kleiner als die Wellenlänge der von dem zweiten Halbleiterchip (4)
emittierten Strahlung ist.
9. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche,
wobei das Gehäuse (2) aus einem Kunststoff ausgebildet ist.
10. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche,
wobei die Oberfläche des ersten Reflektors zumindest
teilweise eine metallische Schicht aufweist, und wobei die metallische Schicht im zweiten Bereich dicker ist als die metallische Schicht im ersten Bereich.
11. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der
vorherigen Ansprüche, wobei die jeweilige Oberfläche des ersten und zweiten
Reflektors zumindest teilweise eine metallische Schicht aufweist, und wobei die metallische Schicht des ersten
Reflektors dünner ist als die metallische Schicht des zweiten Reflektors.
12. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements (1) nach einem der vorigen Ansprüche aufweisend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen des Gehäuses (2) wobei das Gehäuse (2) aus einem Kunststoff ausgebildet ist, wobei die wenigstens eine Ausnehmung (3A) im Gehäuse (2) ausgebildet ist, und wobei die Ausnehmung (3A) eine Oberfläche aufweist;
- Bereitstellen des wenigstens einen Halbleiterchips (4A) ; - Galvanisches oder stromloses Abscheiden der metallischen
Schicht zumindest in einem Bereich der Oberfläche der
Ausnehmung (3A) zur Ausbildung einer reflektierenden
Oberfläche (5) und zur gezielten Einstellung der
Abstrahlcharakteristik (6) der vom Bauelement (1) im Betrieb abgestrahlten Strahlung;
- Anordnen des Halbleiterchips (4A) in der Ausnehmung (3A) .
13. Verfahren nach Anspruch 12,
wobei die metallische Schicht im ersten Bereich dünner ist als im zweiten Bereich, und/oder wobei die metallische
Schicht in dem wenigstens eine Reflektor dünner ist als in wenigstens einem weiteren Reflektor.
14. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
aufweisend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen des Gehäuses (2), wobei das Gehäuse (2) aus einem Kunststoff mittels eines Spritzgussverfahrens ausgebildet ist, wobei die wenigstens eine Ausnehmung (3A) im Gehäuse (2) ausgebildet ist, wobei die Ausnehmung (3A) eine Oberfläche aufweist, und wobei vor dem Spritzgießen des Gehäuses (2) ein Polieren wenigstens eines Bereichs einer Oberfläche eines Spritzwerkzeugs erfolgt zur gezielten
Einstellung der Abstrahlcharakteristik (6) der vom Bauelement (1) im Betrieb abgestrahlten Strahlung;
- Bereitstellen des wenigstens einen Halbleiterchips (4A) ;
- Aufbringen der metallischen Schicht durch Sputtern oder thermisches Aufdampfen zumindest in einem Bereich der
Oberfläche der Ausnehmung (3A) zur Ausbildung einer
reflektierenden Oberfläche (5) ;
- Anordnen des Halbleiterchips (4A) in der Ausnehmung (3A) .
15. Verfahren nach Anspruch 14,
wobei die Oberfläche im zweiten Bereich durch das Polieren der Oberfläche des Spritzwerkzeugs glatter ist als im ersten Bereich, und/oder wobei die Oberfläche in dem wenigstens einen Reflektor durch das Polieren der Oberfläche des
Spritzwerkzeugs glatter ist als in wenigstens einem weiteren Reflektor .
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JP2015527904A JP5969706B2 (ja) 2012-08-24 2013-08-21 光電部品および光電部品の製造方法
US14/420,961 US9356211B2 (en) 2012-08-24 2013-08-21 Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component
CN201380055822.3A CN104756266B (zh) 2012-08-24 2013-08-21 光电器件和用于制造光电器件的方法

Applications Claiming Priority (2)

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DE102012107829.7 2012-08-24

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WO (1) WO2014029804A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013114345A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
KR102170218B1 (ko) * 2014-08-05 2020-10-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN105977360B (zh) * 2016-06-17 2018-08-14 东莞市国瓷新材料科技有限公司 具有良好气密性的led支架的制作工艺
JP6729254B2 (ja) 2016-09-30 2020-07-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
KR102632274B1 (ko) * 2016-10-31 2024-02-05 주식회사 아모센스 센서용 발광 다이오드 모듈
KR102513882B1 (ko) * 2016-12-07 2023-03-27 루미리즈 홀딩 비.브이. 원격 통신 기능을 갖는 플래시 라이트 방출기
TWI820026B (zh) * 2017-06-21 2023-11-01 荷蘭商露明控股公司 具有改善的熱行為的照明組件
DE102020112969B4 (de) * 2020-05-13 2024-02-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender halbleiterchip, rücklicht für ein kraftfahrzeug und kraftfahrzeug

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070030675A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Oon Su L Light-emitting diode module for flash and auto-focus application
US20070269927A1 (en) * 2003-02-28 2007-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body
DE102007060202A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Polarisierte Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement
US20090244903A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Illumination Assembly With Diffusive Reflector Cup
US20100210045A1 (en) * 2009-02-13 2010-08-19 Hymite A/S Opto-electronic device package with a semiconductor-based sub-mount having smd metal contacts

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4603368B2 (ja) * 2003-02-28 2010-12-22 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構造化された金属被覆を施されたパッケージボディを有するオプトエレクトロニクス素子、この種の素子を製作する方法、およびプラスチックを含むボディに、構造化された金属被覆を施す方法
JP4773048B2 (ja) 2003-09-30 2011-09-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
KR200373718Y1 (ko) * 2004-09-20 2005-01-21 주식회사 티씨오 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드
DE102005028748A1 (de) 2004-10-25 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse
JP2007157805A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄパッケージ、発光装置及びｌｅｄパッケージの製造方法
DE102006048592A1 (de) 2006-10-13 2008-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls
KR20120089567A (ko) 2009-06-24 2012-08-13 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 광반도체 장치용 리드 프레임, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법, 및 광반도체 장치
DE102010012712A1 (de) 2010-03-25 2011-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauteil
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
DE102010023955A1 (de) 2010-06-16 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070269927A1 (en) * 2003-02-28 2007-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body
US20070030675A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Oon Su L Light-emitting diode module for flash and auto-focus application
DE102007060202A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Polarisierte Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement
US20090244903A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Illumination Assembly With Diffusive Reflector Cup
US20100210045A1 (en) * 2009-02-13 2010-08-19 Hymite A/S Opto-electronic device package with a semiconductor-based sub-mount having smd metal contacts

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