WO2014006873A1 - 光モジュール用パッケージ - Google Patents

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WO2014006873A1
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ceramic wiring
package
longitudinal direction
optical module
wiring substrate
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PCT/JP2013/004074
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小川　育生
笠原　亮一
寿樹 西澤
祐司 三橋
Original Assignee
日本電信電話株式会社
Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社
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    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
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    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10121—Optical component, e.g. opto-electronic component

Definitions

  • the present invention relates to an optical module package.
  • a receiving optical front end module for example, one described in Patent Document 1 is known.
  • a package used in such a module has a standardized shape, pin arrangement, etc., and 20 DC leads / one side are arranged at 1.27 mm intervals on both sides of the package.
  • Optical input terminals are arranged on one of the side surfaces orthogonal to it, and 20 RF leads with a 1 mm interval are arranged on the other.
  • the receiving optical front end module is configured by mounting a waveguide optical element 20, an optical component 30, an optical semiconductor, an electronic circuit 40, and the like inside a package 10.
  • a ceramic wiring substrate 50 for connecting a plurality of DC leads 60 is provided on both side surfaces of the package 10, and a fiber F and an output terminal 70 are provided on the side surfaces orthogonal to the ceramic wiring substrate 50.
  • the optical lens 31 of the optical component 30 is aligned and gripped in the bathtub-shaped package 10 and is fixed to the lens carrier 32 by YAG laser welding L. Because there is no, there is no choice but to weld at an angle from the top. However, in YAG laser welding, there is a problem that fixing accuracy is deteriorated when welding is performed at an angle from the top. Therefore, in the package as shown in FIG. 1B, it is necessary to secure a sufficient space inside the bathtub, and it is difficult to arrange optical components at high density.
  • FIGS. 2A and 2B a package base having a flat plate rather than a bathtub shape has been proposed.
  • the flat package base 80 By adopting the flat package base 80, it becomes easy to mount the optical component 30, and as a result, the optical components 30 can be arranged at high density as shown in FIGS. 3A and 3B.
  • a digital coherent reception front-end module corresponding to 100 Gbit is standardized by OIF (the optical internetworking forum), but it requires a large number of components and high density arrangement.
  • OIF optical internetworking forum
  • the flat package base 80 is employed, a digital coherent reception front-end module standardized by the OIF can be configured. Even in a high-density arrangement, YAG laser welding L can be easily performed as shown in FIG. 3B.
  • the ceramic wiring board 90 provided with the SMT lead is provided with a pad for biasing an optical semiconductor and an electronic circuit and supplying a DC voltage together with a wiring pattern for routing an input from the lead.
  • the pad portion 92 of the ceramic wiring board needs to be disposed on both sides of these components for bonding connection with the optical semiconductor and the electronic circuit 40 disposed on the output side in the package. Since the region 40 in which the optical semiconductor and the electronic circuit are arranged requires an area determined by the restrictions of the high-frequency wiring, the width of the pad portion 92 of the ceramic wiring substrate 90 on both sides of the region 40 is required depending on the case. .
  • the portion (the routing portion) 91 other than the portion where the pad is provided is configured to be wide or multilayer.
  • the ceramic wiring board does not have a certain shape in the longitudinal direction.
  • the rigidity is lower than that of a bathtub shape having a monocoque structure. Therefore, as shown in FIG. 3B, the ceramic wiring board has a shaded region, that is, the entire back surface. Bonded to the package base 80. However, if one surface of the ceramic wiring board 90 for electrical wiring is bonded to the entire package base 80, if thermal expansion occurs during brazing and bonding during board mounting, the lead portion 91 and the pad portion 92 of the ceramic wiring substrate 90 are There is a possibility that stress concentrates on the boundary portion and cracks or the like occur in the ceramic wiring substrate 90.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to enable high-density arrangement and to prevent the occurrence of cracks by relaxing stress concentration in the ceramic wiring board during thermal expansion. It is to provide an optical module package with high reliability.
  • a first aspect of the present invention is directed to a flat metal base, and a ceramic wiring board in which a plurality of terminals are arranged in the longitudinal direction and brazed to the upper surface of the metal base.
  • the ceramic wiring board has a shape changing portion whose shape changes along the longitudinal direction, and a region not including the shape changing portion is brazed to the metal base. This is an optical module package.
  • the shape changing portion of the ceramic wiring board is a portion whose width changes along the longitudinal direction.
  • the shape changing portion of the ceramic wiring board is a portion where the thickness along the longitudinal direction changes.
  • the brazing material used for the brazing is AuSn solder.
  • FIG. 1A is a diagram showing an optical module employing a conventional optical module package.
  • 1B is a cross-sectional view taken along the line IB-IB in FIG. 1A.
  • FIG. 2A is a diagram showing an optical module employing a conventional optical module package.
  • 2B is a cross-sectional view taken along the line IIB-IIB of FIG. 2A.
  • FIG. 3A is a diagram showing an optical module employing a conventional optical module package.
  • 3B is a cross-sectional view taken along the line IIIB-IIIB of FIG. 3A.
  • FIG. 4A is a diagram showing an optical module employing the optical module package of the first embodiment. 4B is a cross-sectional view taken along the line IVB-IVB in FIG. 4A.
  • FIG. 4C is a sectional view taken along the line IVC-IVC in FIG. 4A.
  • FIG. 5A is a diagram illustrating an optical module employing the optical module package of the second embodiment.
  • 5B is a VB-VB cross-sectional view of FIG. 5A.
  • FIG. 4A to 4C are diagrams showing an optical module employing the optical module package of the present embodiment.
  • 4A is a top view
  • FIG. 4B is a sectional view taken along IVB-IVB
  • FIG. 4C is a sectional view taken along IVC-IVC.
  • the optical module is configured by mounting a waveguide optical element 20, an optical component 30, an optical semiconductor, an electronic circuit 40, and the like on an upper surface of a flat package base 80.
  • a ceramic wiring board 90 for connecting a plurality of DC leads 60 is provided on both sides of the upper surface of the package base 80, and a fiber F serving as an optical input terminal and an output are provided on the upper surfaces of both sides orthogonal to this.
  • Terminal 70 is arranged.
  • the package base 80 is configured as an optical module by being covered and packaged with a box-shaped lid (not shown) from the upper surface.
  • the package base 80 may be a metal housing such as Kovar whose surface is Ni-plated.
  • the flat shape means that there is no side wall that becomes an obstacle when performing YAG laser welding in the periphery, and is not limited to being flat, and may have a concavo-convex structure.
  • the plurality of DC leads 60 are terminals for inputting electric signals for driving and controlling the components mounted in the package 80.
  • the plurality of DC leads 60 are provided at one end of the ceramic wiring substrate 90 along the longitudinal direction thereof.
  • the ceramic wiring board 90 supplies a wiring pattern portion 91 in which wiring patterns for routing signals input from the plurality of DC leads 60 are formed, and the routed input signals to the optical semiconductor and the electronic circuit 40 together with the wiring patterns.
  • a pad portion 92 provided with a pad serving as a connecting portion.
  • the pad portion 92 is disposed on both sides of the optical semiconductor and the electronic circuit 40 in order to be bonded to the optical semiconductor and the electronic circuit 40.
  • the width W1 of the pad portion 92 cannot be set so large.
  • the wiring pattern portion 91 is set to have a large width W2 in order to perform necessary wiring routing.
  • the width of the ceramic wiring board 90 along the longitudinal direction changes at the boundary portion between the wiring pattern portion 91 and the pad portion 92. That is, the ceramic wiring board 90 has a shape changing portion whose shape changes along the longitudinal direction.
  • the region of the ceramic wiring substrate 90 that does not include the shape change portion that is, the region that does not include the boundary portion between the wiring pattern portion 91 and the pad portion 92 is brazed to the package base 80 that is a metal base. It is fixed by.
  • FIGS. 4A and 4C only the wiring pattern portion 91 is joined.
  • FIG. 4A the shaded portion of the ceramic wiring board 90 is shown as a joining region
  • FIG. 4C shows the brazing material P provided in the joining region.
  • the region to be joined may be a region smaller than the region shown in FIG. 4A or only the pad portion 92 as long as it does not include the boundary portion between the wiring pattern portion 91 and the pad portion 92. Good. A larger bonding area is preferable because the bonding force is improved. With this configuration, even if the metal base after brazing is distorted with the bottom surface convex, the ceramic wiring board 90 is not likely to be damaged due to tensile stress.
  • the brazing material P used for brazing joining AuSn solder joining which is a low temperature brazing material can be adopted. It is preferable to use AuSn, which is a low-temperature brazing material, because only the ceramic wiring substrate 90 can be pre-plated with gold, and the gold plating removal process on the upper surface of the metal base 80 necessary for mounting the optical component 30 can be reduced.
  • SnCu is used as the brazing material
  • the brazing joining becomes a high temperature, and therefore a gold plating process including the metal base is necessary after the joining.
  • gold-tin solder bonding is performed, the gold plating treatment of the ceramic can be processed independently of the base metal, so that the optical mounting can be made easier.
  • the base metal side is distorted in a convex shape, which causes a tensile stress on the ceramic during board mounting, and there is a high risk of cracking, but it ensures reliability by joining only a part of the area. It is particularly effective because it can.
  • the package base 80 is subjected to Ni plating on the surface of a metal housing such as Kovar and the gold plating is patterned on the bonding surface with the ceramic wiring board 90.
  • the AuSn solder joint was soldered using a 50 ⁇ m thick gold-tin solder sheet.
  • optical module package of this embodiment high-density arrangement is possible, and even during thermal expansion or when board mounting stress is applied, stress concentration in the ceramic wiring board is alleviated to prevent cracks from occurring. By doing so, an optical module package with high reliability can be provided.
  • the thickness of the ceramic wiring board 100 changes in the longitudinal direction instead of the form in which the ceramic wiring board 90 of the first embodiment forms the shape changing portion by changing the width in the longitudinal direction. In this manner, the shape changing portion is formed. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, the description thereof is omitted.
  • the ceramic wiring substrate 100 has a constant width along the longitudinal direction, the wiring pattern portion 101 is formed of a plurality of layers, and therefore the thickness D1 of the wiring pattern portion 101 is larger than the thickness D2 of the pad portion 102. It is configured. Therefore, since the thickness of the region with the pad portion 102 in the width direction changes in the longitudinal direction, bonding is not performed, and only the region without the pad portion 102 in the width direction is bonded. As shown in FIG. 5A, the shaded portion of the ceramic wiring substrate 100 is shown as a bonding region.
  • optical module package of this embodiment even when a ceramic wiring board whose thickness varies in the longitudinal direction is used, a high-density arrangement is possible, and when thermal expansion or board mounting stress is applied. In addition, it is possible to provide an optical module package with high reliability by relaxing the stress concentration in the ceramic wiring substrate and preventing the occurrence of cracks.
  • the width and the thickness along the longitudinal direction change at the boundary between the wiring pattern portions 91 and 101 and the pad portions 92 and 102 has been described as an example. There may be boundaries where the width and thickness change in the portions 91 and 101 and the pad portions 92 and 102. In that case, a region including a boundary whose width and thickness change in the longitudinal direction is not set as a bonding region.
  • the reception module has been described.
  • the transmission module can also be adopted by changing a component to be mounted to a component for transmission.

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Abstract

　高密度配置が可能であり、熱膨張時におけるセラミック配線基板における応力集中を緩和してクラックの発生を防止することにより、信頼性も高い光モジュールパッケージを提供すること。平板状の金属ベースと、複数の端子が長手方向に配列され、前記金属ベースの上面にろう付け接合されたセラミック配線基板とを備え、前記セラミック配線基板は長手方向に沿って形状が変化する形状変化部を有し、該形状変化部を含まない領域が前記金属ベースに対してろう付け接合されている光モジュール用パッケージ。前記セラミック配線基板の形状変化部は、前記長手方向に沿った幅が変化する部分または前記長手方向に沿った厚みが変化する部分である。

Description

光モジュール用パッケージ
　本発明は光モジュール用パッケージに関する。
　近年、デジタルコヒーレント受信用光フロントエンドモジュールの開発が進められている。受信用光フロントエンドモジュールとしては例えば特許文献１に記載されたものが知られている。このようなモジュールで用いられるパッケージは形状、ピン配置等が標準化されており、パッケージ両側面に１．２７ｍｍ間隔で２０本／片側のＤＣリードが配置される。それと直交する側面の一方に光入力端子、別の一方に１ｍｍ間隔２０本のＲＦリードが配置される。
　上記モジュールに用いられるパッケージとして、ＳＭＴリードを備えたセラミック配線基板を側壁面に埋め込む形で接合された金属パッケージが用いられることが多い。例えば図１Ａおよび図１Ｂに示すように、従来のパッケージでは、バスタブ形状のパッケージベース１０に平板リッドの蓋（図示せず）をシーム溶接することで気密シールをとることが多い。受信用光フロントエンドモジュールは、図１Ａに示すとおり、パッケージ１０内部に導波路型光学素子２０と光学部品３０と光半導体や電子回路４０等を実装して構成されている。さらにパッケージ１０の両側面には複数のＤＣリード６０を接続するセラミック配線基板５０が設けられ、それと直交する側面にはファイバＦと出力端子７０とが設けられている。
特許第４９３４７３３号明細書
　しかしながら、図１Ｂに示すバスタブ形状のパッケージ１０では、パッケージ１０内部に光学部品３０を実装するのが、容易ではない。図１Ｂに示すように光学部品３０の光学レンズ３１をバスタブ形状のパッケージ１０内で調心し、把持しながら、ＹＡＧレーザ溶接Ｌでレンズキャリア３２に固定することになるが、周囲に十分なスペースがないため上部から角度をつけて溶接せざるを得ない。ところが、ＹＡＧレーザ溶接では、上部から角度をつけて溶接すると固定精度を劣化させるという問題を生じる。したがって、図１Ｂのようなパッケージではバスタブ内部に十分なスペースを確保する必要があり、高密度に光学部品を配置することが困難であった。
　そこで図２Ａおよび図２Ｂに示すように、パッケージベースをバスタブ形状ではなく平板にしたものも提案されている。平板状のパッケージベース８０を採用することで、光学部品３０の実装が容易になり、その結果、図３Ａおよび図３Ｂに示すように光学部品３０を高密度に配置することができる。たとえばＯＩＦ（ｔｈｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｉｎｔｅｒｎｅｔｗｏｒｋｉｎｇ　Ｆｏｒｕｍ）で１００Ｇｂｉｔ対応したデジタルコヒーレント用受信フロントエンドモジュールが標準化されているが、部品点数が多く、高密度配置することが必要となる。平板状のパッケージベース８０を採用すれば、このＯＩＦで標準化されているデジタルコヒーレント用受信フロントエンドモジュールを構成することもできる。高密度配置した場合でも、図３Ｂに示すように、ＹＡＧレーザ溶接Ｌが容易に行える。
　ＳＭＴリードを備えたセラミック配線基板９０は、リードからの入力を引き回す配線パタンとともに光半導体や電子回路にバイアスをかけたりＤＣ電圧を供給するためのパッドが設けられている。セラミック配線基板のパッド部９２は、パッケージ内の出力側に配置される光半導体や電子回路４０とボンディング接続するためにこれらの部品の両脇に配置される必要がある。光半導体や電子回路が配置される領域４０は、高周波配線の制約から決まる面積を必要とするので、場合によってはその両脇にあるセラミック配線基板９０のパッド部９２は幅を狭くする必要がある。一方で、配線パタンを引き回すためにはある程度の面積が必要となるため、パッドが設けられた部分以外の部分（引き回し部分）９１では、幅広または多層に構成されることとなる。このように、高密度配置に伴い、セラミック配線基板は、長手方向に一定の形状を有さなくなる。
　このような平板状のパッケージベース８０では、モノコック構造を有するバスタブ形状と比べると剛性が低くなるため、図３Ｂに示すように、セラミック配線基板は、網掛けで示された領域、すなわち裏面全体をパッケージベース８０に接合している。しかしながら、電気配線のためのセラミック配線基板９０の一面をパッケージベース８０に全面接合すると、ボード実装時にろう付け接合する際に熱膨張を生ずるとセラミック配線基板９０の引き回し部分９１とパッド部９２との境界部分に応力が集中して、セラミック配線基板９０にクラック等が発生する恐れがある。
　本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、高密度配置が可能であり、熱膨張時におけるセラミック配線基板における応力集中を緩和してクラックの発生を防止することにより、信頼性も高い光モジュールパッケージを提供することにある。
　上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、平板状の金属ベースと、複数の端子が長手方向に配列され、前記金属ベースの上面にろう付け接合されたセラミック配線基板とを備え、前記セラミック配線基板は長手方向に沿って形状が変化する形状変化部を有し、該形状変化部を含まない領域が前記金属ベースに対してろう付け接合されていることを特徴とする光モジュール用パッケージである。
　請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光モジュール用パッケージにおいて、前記セラミック配線基板の形状変化部は、前記長手方向に沿った幅が変化する部分であることを特徴とする。
　請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の光モジュール用パッケージにおいて、前記セラミック配線基板の形状変化部は、前記長手方向に沿った厚みが変化する部分である。
　請求項４に記載の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の光モジュール用パッケージにおいて、前記ろう付けに用いられるろう材はＡｕＳｎ半田である。
図１Ａは従来の光モジュール用パッケージを採用した光モジュールを示す図である。 図１Ｂは図１ＡのＩＢ－ＩＢ断面図である。 図２Ａは従来の光モジュール用パッケージを採用した光モジュールを示す図である。 図２Ｂは図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ断面図である。 図３Ａは従来の光モジュール用パッケージを採用した光モジュールを示す図である。 図３Ｂは図３ＡのＩＩＩＢ－ＩＩＩＢ断面図である。 図４Ａは第１の実施形態の光モジュール用パッケージを採用した光モジュールを示す図である。 図４Ｂは図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ断面図である。 図４Ｃは図４ＡのＩＶＣ－ＩＶＣ断面図である。 図５Ａは第２の実施形態の光モジュール用パッケージを採用した光モジュールを示す図である。 図５Ｂは図５ＡのＶＢ－ＶＢ断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
（第１の実施形態）
　図４Ａ乃至図４Ｃは本実施形態の光モジュール用パッケージを採用した光モジュールを示す図である。図４Ａは上面図であり、図４ＢはＩＶＢ－ＩＶＢ断面図であり、図４ＣはＩＶＣ－ＩＶＣ断面図である。光モジュールは図４Ａに示すように、平板状のパッケージベース８０の上面に導波路型光学素子２０と光学部品３０と光半導体や電子回路４０等を実装して構成されている。また、パッケージベース８０の上面の両側部には、複数のＤＣリード６０を接続するセラミック配線基板９０が設けられ、これと直交する両側部の上面には、光入力端子となるファイバＦと、出力端子７０とが配置されている。また、パッケージベース８０は、上面から箱状の蓋（図示せず）で覆われてパッケージングされることにより光モジュールとして構成される。
　パッケージベース８０は、Ｋｏｖａｒ等の金属製の躯体の表面にＮｉメッキを施したものを用いることができる。平板状とは、図４Ｂに示すように、周囲にＹＡＧレーザ溶接を行う際に障害となる側壁がないことを意味し、平坦であることに限定されず、凹凸構造物があってもよい。
　複数のＤＣリード６０は、パッケージ８０内に実装された部品を駆動制御するための電気信号を入力するための端子である。これらの複数のＤＣリード６０は、セラミック配線基板９０の一端に、その長手方向に沿って設けられている。
　セラミック配線基板９０は、複数のＤＣリード６０から入力された信号を引き回す配線パタンが形成されている配線パタン部９１と、配線パタンとともに、引き回された入力信号を光半導体や電子回路４０に供給するための接続部となるパッドが設けられたパッド部９２とを有している。パッド部９２は、光半導体や電子回路４０に対してボンディング接続されるために、光半導体や電子回路４０の両脇に配置されている。この実施形態では、光半導体や電子回路４０は、幅広の領域に亘って配置されているので、パッド部９２の幅Ｗ１はあまり大きく設定できない。一方、配線パタン部９１は、必要な配線引き回しを行うためにその幅Ｗ２が大きく設定されている。
　このように、セラミック配線基板９０は、配線パタン部９１とパッド部９２との境界部分で長手方向に沿った幅が変化している。すなわちセラミック配線基板９０は、長手方向に沿って形状が変化する形状変化部を有している。本実施形態では、セラミック配線基板９０の形状変化部を含まない領域、すなわち、配線パタン部９１とパッド部９２との境界部分を含まない領域が金属ベースであるパッケージベース８０に対してろう付け接合により固定されている。図４Ａ、図４Ｃに示す例では、配線パタン部９１のみが接合されている。図４Ａでは、セラミック配線基板９０において網掛け部分が接合領域として示されており、図４Ｃでは接合領域に設けられたろう材Ｐが示されている。接合される領域は、配線パタン部９１とパッド部９２との境界部分を含まない領域であれば、図４Ａに示す領域よりも小さい領域であってもよいし、パッド部９２のみであってもよい。接合面積が大きいほうが、接合力が向上するので好ましい。このように構成することによって、ろう付け接合後の金属ベースが底面を凸にした歪を生じても、セラミック配線基板９０が引っ張り応力を受けて破壊するおそれがない。
　ろう付け接合に用いられるろう材Ｐは、低温ろう材であるＡｕＳｎ半田接合を採用することができる。低温ろう材であるＡｕＳｎを用いると、予めセラミック配線基板９０のみを金メッキ処理することが可能であり、光学部品３０の実装に必要となる金属ベース８０の上面の金メッキ除去工程を削減できるから好ましい。ちなみに、ろう材としてＳｎＣｕを用いると、ろう付け接合が高温となるため、接合後に金属ベースを含めて金メッキ処理が必要である。また、金スズ半田接合を行えば、セラミックの金メッキ処理をベースメタルとは独立に加工できるので、光学実装をより容易にすることが可能である。その際、金スズ半田接合後、ベースメタル側が凸状に歪を生じるので、ボード実装時にセラミックに引っ張り応力が生じ、クラックの危険が大きいが、一部領域のみを接合することで信頼性を確保できるため、特に有効である。
　ＡｕＳｎ半田接合するため、パッケージベース８０は、Ｋｏｖａｒ等の金属製の躯体の表面にＮｉメッキを施し、セラミック配線基板９０との接合面に金メッキをパタン化している。ＡｕＳｎ半田接合は、５０μｍ厚の金スズ半田シートを用いて半田付けした。
　この実施形態の光モジュール用パッケージによれば、高密度配置が可能であり、熱膨張時、またはボード実装応力が加えられた場合にもセラミック配線基板における応力集中を緩和してクラックの発生を防止することにより、信頼性も高い光モジュールパッケージを提供することができる。
（第２の実施形態）
　この実施形態は、第１の実施形態のセラミック配線基板９０が長手方向に幅が変化することによって形状変化部を形成している態様に代えて、セラミック配線基板１００が長手方向に厚みが変化することによって形状変化部を形成する態様である。その他の構成は第１の実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
　セラミック配線基板１００は、長手方向に沿った幅は一定であるが、複数の層で配線パタン部１０１を形成しているので、配線パタン部１０１の厚みＤ１はパッド部１０２の厚みＤ２よりも大きく構成されている。したがって、幅方向にパッド部１０２がある領域は長手方向に厚みが変化するので、接合は行わず、幅方向にパッド部１０２がない領域のみを接合する。図５Ａに示すように、セラミック配線基板１００において網掛け部分が接合領域として示されている。
　この実施形態の光モジュール用パッケージによれば、長手方向に厚みが変化するセラミック配線基板を用いた場合でも、高密度配置が可能であり、熱膨張時、またはボード実装応力が加えられた場合にもセラミック配線基板における応力集中を緩和してクラックの発生を防止することにより、信頼性も高い光モジュールパッケージを提供することができる。
　以上の実施形態では、配線パタン部９１、１０１とパッド部９２、１０２との境界において長手方向に沿った幅や厚みが変化する場合を例に挙げて説明したが、これに限らず、配線パタン部９１、１０１やパッド部９２、１０２の中に幅や厚みが変化する境界があってもよい。その場合は、長手方向に幅や厚みが変化する境界を含む領域を接合領域としない。
　また、以上の実施形態では、受信モジュールについて説明しているが、実装する部品を送信用の部品に変更することで送信モジュールについても採用できる。
　１０　バスタブ形状のパッケージ
　２０　導波路型光学素子
　３０　光学部品
　４０　光半導体や電子回路
　６０　ＤＣリード
　７０　出力端子
　８０　パッケージベース
　９０、１００　セラミック配線基板
　９１、１０１　配線パタン部
　９２、１０２　パッド部
　Ｆ　ファイバ

Claims (4)

  1. 　平板状の金属ベースと、
    　複数の端子が長手方向に配列され、前記金属ベースの上面にろう付け接合されたセラミック配線基板とを備え、
    　前記セラミック配線基板は長手方向に沿って形状が変化する形状変化部を有し、該形状変化部を含まない領域が前記金属ベースに対してろう付け接合されていることを特徴とする光モジュール用パッケージ。
  2. 　前記セラミック配線基板の形状変化部は、前記長手方向に沿った幅が変化する部分であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール用パッケージ。
  3. 　前記セラミック配線基板の形状変化部は、前記長手方向に沿った厚みが変化する部分であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール用パッケージ。
  4. 　前記ろう付けに用いられるろう材はＡｕＳｎ半田であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光モジュール用パッケージ。
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