WO2013180204A1 - 発光素子の保護膜の作製方法及び装置 - Google Patents

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WO2013180204A1
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protective film
film
chamber
emitting element
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西森　年彦
松田　竜一
嶋津　正
吉田　和人
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三菱重工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a protective film of a light emitting element.
  • LED Light Emitting Diode
  • FIG. 10 illustrates a cross-sectional view of the LED element.
  • reference numeral 81 is a sapphire substrate
  • 82 is an n-type GaN layer
  • 83 is a light emitting layer
  • 84 is a p-type GaN layer
  • 85 is a transparent conductive film
  • 86 is a p electrode
  • 87 is a p electrode pad
  • 88 is an n electrode.
  • 89 are n-electrode pads
  • 90 is a protective film.
  • a protective film 90 is formed so as to cover the periphery of the element except for the bump portions of the p-electrode pad 87 and the n-electrode pad 89. Is protecting.
  • the formation of the protective film described above is performed using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, and is conventionally performed by the manufacturing method of the flowchart shown in FIG.
  • the substrate on which the above-described LED element on which the protective film is formed is referred to as an LED substrate, and the manufacturing method of FIG. 11 will be described.
  • step S31 The LED substrate is carried into the film formation chamber of the plasma CVD apparatus.
  • step S32 The plasma is turned on in the film formation chamber to start the formation of the protective film.
  • step S33 The plasma is extinguished in the film forming chamber to finish the film forming.
  • step S34 The LED substrate is unloaded from the film forming chamber.
  • the impedance of the plasma generating electrode is high during plasma ignition. For this reason, a high voltage is applied between the plasma generating electrodes until plasma ignition. The electrons existing between the electrodes are accelerated to a high voltage, and high energy electrons are generated until the plasma is turned on. The high-energy electrons are ionized in the same manner until the source gas is ionized and plasma ignited, and high-energy ions are generated. It has been found that ions having high energy deteriorate the characteristics of the LED (see, for example, Non-Patent Document 1). Therefore, in the conventional manufacturing method described above, so-called plasma damage occurs, and the LED characteristics are reduced. Was deteriorated.
  • the substrate temperature at the time of film formation is low, the density of the protective film decreases and the protective performance (waterproofness) deteriorates. Since the deterioration of the performance of the protective film leads to a decrease in the reliability of the LED, it is important that the substrate temperature at the time of film formation is equal to or higher than a predetermined temperature at which a highly stable protective film having a high density is formed.
  • the substrate can be heated using plasma such as an inert gas (plasma heating), and before the above-described protective film is formed in the film formation chamber, the substrate temperature is set to a predetermined value by the plasma heating. It is conceivable to heat above the temperature. However, as described above, it has been found that ions of high energy are generated during plasma ignition to deteriorate the characteristics of the LED, for example, the transmittance of the transparent conductive film used in the LED is reduced. As a heating means, plasma heating in the film formation chamber is not suitable. For example, when heated to 230 ° C.
  • plasma heating in the film formation chamber is not suitable. For example, when heated to 230 ° C.
  • the transmittance (measurement wavelength: 380 to 480 nm) of a transparent conductive film such as ITO (indium tin oxide) decreased by about 30 to 40%.
  • the processing time per substrate becomes longer and the productivity (throughput) is reduced. Better.
  • heat transfer heating is performed from the back side of the substrate in the film formation chamber.
  • the substrate is surely electrostatically attracted to the heated electrostatic chuck, and heat transfer is performed.
  • the inside of the substrate A temperature difference will occur.
  • a sapphire substrate used in an LED is more likely to break due to thermal stress when a temperature difference of 100 ° C. or more occurs inside the substrate, so it is better to avoid heating due to heat transfer in the film formation chamber.
  • the substrate temperature is heated to a predetermined temperature or higher by heating the substrate in the atmosphere before forming the above-described protective film.
  • a heater or the like for heating the substrate in the middle of the transport path in the atmosphere.
  • the transmittance of the transparent conductive film used in the LED is lowered due to the influence of oxygen, and the performance of the LED is lowered.
  • the transmittance (measurement wavelength: 380 to 480 nm) of a transparent conductive film such as ITO decreased by about 3%.
  • the substrate when the substrate is heated in the atmosphere, it is necessary to heat the substrate to a temperature (for example, 300 ° C.) higher than the above-described predetermined temperature in consideration of natural cooling during the substrate transfer time to the film formation chamber.
  • a temperature for example, 300 ° C.
  • ITO deteriorates by heating above 230 ° C.
  • the substrate temperature is cooled to below the predetermined temperature described above. Therefore, it is practically impossible to heat in the atmosphere.
  • the sapphire substrate used in the LED is likely to be damaged by thermal stress when a temperature difference of 100 ° C. or more is generated inside the substrate. For this reason, it is necessary to heat the substrate as uniformly as possible regardless of the heating means.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing a protective film of a light-emitting element that constitutes a light-emitting element having high luminance and excellent reliability.
  • An apparatus for manufacturing a protective film for a light-emitting element according to the first invention for solving the above-described problems is as follows.
  • a heating chamber for heating the sapphire substrate in vacuum A film forming chamber for forming the protective film by performing plasma treatment in vacuum on the sapphire substrate heated in the heating chamber;
  • the heating chamber has two far-infrared heaters arranged close to the upper and lower surfaces of the sapphire substrate, and heats the upper and lower surfaces of the sapphire substrate in vacuum by radiation from the two far-infrared heaters. It is a thing to do.
  • the heating chamber includes one far-infrared heater disposed close to one of the upper surface and the lower surface of the sapphire substrate, and a heat reflecting plate that surrounds the periphery of the sapphire substrate and the far-infrared heater and is disposed in layers
  • the upper surface and the lower surface of the sapphire substrate are heated in vacuum by radiation from the one far infrared heater and reflection of the radiation by the heat reflecting plate.
  • the heating chamber has one heater arranged close to one of the upper surface or the lower surface of the sapphire substrate, and gas supply means for supplying an inert gas or nitrogen gas to the heating chamber. Supplying the inert gas or the nitrogen gas to a pressure higher than the pressure in the molecular flow region, and transferring the temperature of the heater to the sapphire substrate by convection heat transfer of the inert gas or the nitrogen gas. It is characterized by heating.
  • An apparatus for manufacturing a protective film for a light-emitting element according to a fifth invention for solving the above-described problems In the device for manufacturing a protective film of a light-emitting element according to any one of the first to fourth inventions,
  • the plasma is turned on before the first sapphire substrate is transferred to the film formation chamber, and the last sapphire substrate The plasma is maintained until film formation is completed.
  • An apparatus for manufacturing a protective film for a light-emitting element according to a sixth invention for solving the above-described problems is
  • the film forming chamber continuously forms a film on a plurality of the sapphire substrates
  • the plasma is turned on before each sapphire substrate is transferred to the film forming chamber, and each sapphire substrate is turned on. The plasma is extinguished when the film formation is completed.
  • a manufacturing method of a protective film of a light emitting element according to a seventh invention for solving the above-described problems is as follows.
  • Using a transfer robot that vacuum transfers the sapphire substrate to the heating chamber and the film formation chamber Before performing film formation in the film formation chamber, the sapphire substrate is heated to a predetermined temperature or higher in the heating chamber, Before the sapphire substrate is transferred by the transfer robot, turn on the plasma in the film formation chamber,
  • the protective film is formed in the film forming chamber by transferring the sapphire substrate heated to a predetermined temperature or higher by the transfer robot from the heating chamber to the film forming chamber and subjecting the sapphire substrate to plasma treatment. It is characterized by doing.
  • a method for manufacturing a protective film for a light-emitting element according to an eighth aspect of the present invention for solving the above problems is as follows.
  • the heating chamber has two far-infrared heaters arranged close to the upper and lower surfaces of the sapphire substrate, and heats the upper and lower surfaces of the sapphire substrate in vacuum by radiation from the two far-infrared heaters. It is characterized by doing.
  • a manufacturing method of a protective film of a light emitting element according to a ninth invention for solving the above-described problems is as follows.
  • the heating chamber includes one far-infrared heater arranged close to one of the upper surface or the lower surface of the sapphire substrate, and a heat reflecting plate that surrounds the periphery of the sapphire substrate and the far-infrared heater and is arranged in a plurality of layers.
  • the upper surface and the lower surface of the sapphire substrate are heated in vacuum by radiation from the one far-infrared heater and reflection of the radiation by the heat reflecting plate.
  • a manufacturing method of a protective film of a light emitting element according to a tenth invention for solving the above problem is as follows.
  • the heating chamber has one heater arranged close to one of the upper surface or the lower surface of the sapphire substrate, and gas supply means for supplying an inert gas or nitrogen gas to the heating chamber. Supplying the inert gas or the nitrogen gas to a pressure higher than the pressure in the molecular flow region, and transferring the temperature of the heater to the sapphire substrate by convection heat transfer of the inert gas or the nitrogen gas. It is characterized by heating.
  • a manufacturing method of a protective film of a light emitting element according to an eleventh invention for solving the above-described problems is as follows.
  • the plasma is turned on before the first sapphire substrate is transferred to the film formation chamber, and the last sapphire substrate The plasma is maintained until film formation is completed.
  • a method for manufacturing a protective film for a light-emitting element according to a twelfth aspect of the present invention for solving the above problem is as follows.
  • the plasma is turned on before each sapphire substrate is transferred to the film forming chamber, and each sapphire substrate is turned on. The plasma is extinguished when the film formation is completed.
  • the sapphire substrate before starting the film formation in the film forming chamber, the sapphire substrate is heated to a predetermined temperature or higher in the heating chamber, and the sapphire substrate heated to the predetermined temperature or higher is formed from the heating chamber by the transfer robot.
  • Protect the sapphire substrate by transferring it to the film chamber and turning on the plasma before the sapphire substrate heated to a predetermined temperature or higher is transported to the film formation chamber. Since the film is formed, it is possible to suppress the plasma damage caused by the plasma ignition and to form the protective film at a substrate temperature equal to or higher than a predetermined temperature, thereby forming a protective film having a low element damage and a good film quality. be able to. As a result, a light-emitting element with high luminance and excellent reliability can be manufactured.
  • FIG. 1 is an example (Example 1) of the manufacturing method of the protective film of the light emitting element according to the present invention.
  • 7 is a flowchart showing another example of the manufacturing method in the apparatus for manufacturing the protective film of the light emitting element shown in FIG. 1 as another example (Example 2) of the method for manufacturing the protective film of the light emitting element according to the present invention. is there.
  • It is the schematic which shows another example of the heating chamber shown in FIG. 2, as another example (Example 3) of embodiment of the manufacturing apparatus of the protective film of the light emitting element which concerns on this invention.
  • It is the schematic which shows another example of the heating chamber shown in FIG. 2, as another example (Example 4) of embodiment of the manufacturing apparatus of the protective film of the light emitting element which concerns on this invention.
  • It is sectional drawing which shows a LED element structure.
  • It is a flowchart which shows the preparation methods of the protective film of the conventional light emitting element.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a manufacturing apparatus of this embodiment
  • FIG. 2 is a schematic view showing a heating chamber in the manufacturing apparatus
  • FIG. 3 shows a film forming chamber of the manufacturing apparatus.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the surface temperature of the far-infrared heater used in the heating chamber shown in FIG. 2 and the radiation energy density of the wavelength absorbed by sapphire
  • FIG. 5 shows the characteristics shown in FIG. It is a graph which shows the relationship between the heating time of the board
  • the manufacturing apparatus 10 includes a load lock 20, a transfer chamber 30, a heating chamber 40A, a film forming chamber 50, and a cooling chamber 70.
  • the load lock 20 is connected to the transfer chamber 30 via the gate valve d1, and the load lock 20 and the transfer chamber 30 are brought into communication with each other by opening and closing the gate valve d1, or the load lock 20 is connected to the transfer chamber 30 from the transfer chamber 30. It is in a closed state.
  • the heating chamber 40A is also connected to the transfer chamber 30 via the gate valve d2, and the heating chamber 40A and the transfer chamber 30 are brought into communication with each other by opening and closing the gate valve d2, or the heating chamber 40A is transferred.
  • the chamber 30 is closed.
  • the film formation chamber 50 is also connected to the transfer chamber 30 via the gate valve d3. By opening and closing the gate valve d3, the film formation chamber 50 and the transfer chamber 30 are in communication with each other, or the film formation chamber 50 is connected. Is closed from the transfer chamber 30.
  • the cooling chamber 70 is also connected to the transfer chamber 30 via the gate valve d4. By opening and closing the gate valve d4, the cooling chamber 70 and the transfer chamber 30 are brought into communication with each other, or the cooling chamber 70 is connected to the transfer chamber. 30 is closed.
  • the substrate W is preferably a transparent substrate such as sapphire.
  • a plurality of small-diameter substrates are placed on a circular tray having the same size as the substrate W, and a plurality of the trays are accommodated in the cassette 21.
  • a small-diameter substrate may be transported.
  • the tray has a structure in which, for example, a plurality of through holes having a countersink (concave portion) on which a small-diameter substrate is placed or a holding portion that holds the small-diameter substrate are provided.
  • the description will be made using the substrate W.
  • the substrate W may be read as a tray on which a plurality of small-diameter substrates are placed.
  • a transfer robot 31 is disposed in the center portion thereof. Then, using the robot hand 31b provided on the arm 31a of the transfer robot 31, one substrate W is held and transferred to the load lock 20, the heating chamber 40A, the film forming chamber 50, and the cooling chamber 70. .
  • the gate valve d1 is opened, the arm 31a is extended to the load lock 20, the substrate W is placed on the robot hand 31b, and the substrate W is pulled out from the cassette 21.
  • the gate valve d2, the gate valve d3, or the gate valve d4 is opened, the arm 31a is extended to the heating chamber 40A, the film forming chamber 50, or the cooling chamber 70, and the substrate W is placed in the heating chamber 40A, the film forming chamber 50, or the cooling chamber 70. It will be transported inside.
  • the heating chamber 40A is arranged in the middle of the vacuum transfer path (bold arrow) from the load lock 20 to the film forming chamber 50, and the heating chamber is provided on the side surface of the transfer chamber 30 via the gate valve d2. 40A is provided separately. Then, before the film formation in the film formation chamber 50, the substrate W is heated in advance in the heating chamber 40A, and then the substrate W heated to a predetermined temperature or more is transferred to the film formation chamber 50. A protective film is formed thereon.
  • the heating chamber 40A is partitioned by a gate valve d2 as shown in FIG.
  • the inside of the heating chamber 40A is always kept in a high vacuum ( ⁇ 1 mTorr) and is a molecular flow region where convective heat conduction does not occur.
  • the substrate W is supported by support pins (not shown).
  • a far infrared heater 41 that radiates and heats the upper surface of the substrate W with far infrared rays is provided on the ceiling side of the heating chamber 40A, and the lower surface (back surface) of the substrate W is radiantly heated with far infrared rays.
  • a far-infrared heater 42 is provided on the bottom side of the heating chamber 40A.
  • the far-infrared heaters 41 and 42 are disposed in close contact with the upper and rear surfaces of the substrate W, and the both surfaces of the substrate W are removed by the far-infrared radiation from the far-infrared heaters 41 and 42. It is the structure which heats.
  • the far-infrared heaters 41 and 42 are, for example, disk-shaped, and the circular substrate W to be heated is disposed at the center of the far-infrared heaters 41 and 42.
  • a tray on which a plurality of small-diameter substrates are placed may be radiantly heated.
  • the tray preferably has a structure in which a plurality of through-holes having a holding portion for holding a small-diameter substrate are provided. In this case, the back surface of the small-diameter substrate can be efficiently radiantly heated through the through-hole.
  • the inner wall of the heating chamber 40A is mirror-polished so as to efficiently reflect heat.
  • the valve body of the gate valve d2 is also mirror-polished so that heat can be reflected efficiently. With such a configuration, radiant heat from the far-infrared heaters 41 and 42 is confined in the heating chamber 40A to efficiently heat the substrate W.
  • the heating chamber 40A has a structure in which the substrate W is radiantly heated from both sides. This is because by heating the substrate W from both sides, the substrate W can be heated at a high speed (short time) and the substrate W can be heated uniformly. As a result, the substrate W can be heated without causing a temperature difference, and deformation and breakage of the substrate W due to thermal stress can be avoided. In particular, as described above, when a temperature difference of 100 ° C. or more occurs in the substrate W as described above, the sapphire substrate is likely to be damaged by thermal stress. it can.
  • sapphire has infrared light absorption characteristics at wavelengths of 5-8, 15-18, and 32 ⁇ m and beyond.
  • An apparatus for heating a silicon substrate in vacuum by a halogen lamp has been known in the past. However, since the quartz tube of this halogen lamp does not pass a wavelength longer than 5 ⁇ m, a lamp heating apparatus for a silicon substrate is used. The sapphire substrate cannot be radiantly heated in a vacuum.
  • far infrared heaters 41 and 42 that radiate far infrared rays (for example, infrared rays having a wavelength of 3 ⁇ m or more) are used in consideration of radiation heating of the sapphire substrate.
  • a heat generating coil is provided inside a SUS (stainless steel) pipe and a heat generating insulating material (for example, MgO; magnesium oxide) is filled to form an integrated heating element,
  • a surface coated with a far-infrared film for example, carbon ceramics
  • the radiant energy density of the wavelength that sapphire absorbs has an efficiency close to that of blackbody radiation, as shown in FIG.
  • the surface temperature of the far infrared heater is 600 ° C.
  • an energy density of 0.4 to 0.5 W / cm 2 can be obtained as shown in FIG.
  • the sapphire substrate (diameter 150 mm, thickness 1.3 mm) can be heated from room temperature to 300 ° C. in about 130 seconds, and the heating time of the sapphire substrate can be shortened.
  • a predetermined temperature for forming a highly stable protective film having a high density is set to at least 200 ° C. at the start of film formation.
  • the heating chamber 40A the sapphire substrate is heated to 210 to 220 ° C., and the substrate W is taken out at that temperature.
  • the sapphire substrate can be heated from room temperature to 220 ° C. in about 90 seconds.
  • This heating time needs to be shorter than the time required for film formation in the film forming chamber 50, and when it is desired to shorten the heating time in the heating chamber 40A, the surface temperature of the far infrared heaters 41 and 42 may be set higher. . If the substrate W is taken out at the saturation temperature as the timing for taking out the substrate W, the temperature management is reliable, but it is necessary to wait until the saturation temperature, which takes time. For this reason, it is desirable to take out the substrate W at the timing of heating to 210 to 220 ° C. as described above.
  • the surface temperature of the far-infrared heaters 41 and 42 may be set so that the saturation temperature of the sapphire substrate due to the heating of the far-infrared heaters 41 and 42 is higher than 210 to 220 ° C. Then, before the sapphire substrate reaches the saturation temperature, the sapphire substrate is heated to a desired temperature range of 210 to 220 ° C., and the heating time can be shortened.
  • the heating chamber 40A having such a configuration to preheat the substrate W before the film formation process, high productivity can be obtained, and the film formation is started with the temperature of the substrate W being equal to or higher than a predetermined temperature. It is possible to form a protective film with good film quality (high film density and low etching rate). For example, when heated to 230 ° C., a decrease in transmittance (measurement wavelength: 380 to 480 nm) of a transparent conductive film such as ITO was not observed.
  • the film forming chamber 50 may be a known plasma CVD apparatus, but in the case of this embodiment, in consideration of the manufacturing method described later, one having an ICP (Inductively-Coupled-Plasma) type plasma generation mechanism. Good.
  • ICP Inductively-Coupled-Plasma
  • the film forming chamber 50 includes a cylindrical container 52 that serves as a vacuum container 51 and a ceiling plate 53, and an upper opening of the cylindrical cylindrical container 52 is provided.
  • a ceramic disk-shaped ceiling board 53 is disposed so as to be closed.
  • the cylindrical container 52 is connected to a vacuum device 54 for making the inside in a vacuum state, and the inside of the vacuum container 51 can be maintained at a high degree of vacuum.
  • a high-frequency antenna 55 made up of a plurality of circular rings is disposed above (directly above) the ceiling plate 53, and a high-frequency power source 57 is connected to the high-frequency antenna 55 via a matching unit 56.
  • the high-frequency power source 57 can supply a high oscillation frequency (for example, 13.56 MHz) to the high-frequency antenna 55 than the low-frequency power source 67 described later, and transmits the plasma P through the ceiling plate 53 serving as an entrance window.
  • a high frequency electromagnetic wave (RF) for generation can be incident into the vacuum vessel 51. This is a configuration of a so-called ICP type plasma generation mechanism.
  • a plurality of gas nozzles 58 are provided on the side wall portion of the cylindrical container 52 at a position lower than the ceiling plate 53 and higher than a mounting table 62 described later, and a desired flow rate is provided from the gas nozzle 58 to the inside of the vacuum container 51.
  • the desired gas can be supplied.
  • the supplied gas is changed according to the process, and SiH 4 , N 2 , O 2 or the like serving as a source gas is used for the process of the protective film (for example, silicon oxide film, silicon nitride film).
  • a support base 61 is installed at the lower part of the cylindrical container 52, and on the support base 61, a mounting base 62 for mounting the substrate W to be deposited is installed.
  • a heater 63 for heating is installed inside the mounting table 62, and the temperature of the heater 63 is adjusted by a control device (control means; not shown). Thereby, the substrate W during plasma processing can be maintained and controlled at a predetermined temperature or higher.
  • the mounting table 62 is provided with an electrode 64, and a low frequency power source 67 is connected to the electrode 64 via a capacitor 65 and a matching unit 66.
  • the low frequency power supply 67 can apply a bias power to the substrate W by applying an oscillation frequency (for example, 4 MHz) lower than that of the high frequency power supply 57 to the electrode 64.
  • a DC electrostatic power supply 68 that electrostatically attracts the substrate W is connected to the electrode 64 described above, and the substrate W can be attracted and held on the mounting table 62.
  • the electrostatic power source 68 is connected via a low-pass filter (LPF) 69 so that the power of the high-frequency power source 57 and the low-frequency power source 67 does not wrap around.
  • LPF low-pass filter
  • the substrate W can be transferred onto the mounting table 62 by using a gate valve d3 provided on the side wall of the cylindrical container 52.
  • a gate valve d3 provided on the side wall of the cylindrical container 52.
  • a cooling chamber 70 for cooling the substrate W to a temperature lower than the heat resistance temperature of the cassette 21 is provided in the middle of the vacuum transfer path (thick arrow) from the film formation chamber 50 to the load lock 20. May be installed.
  • the cooling chamber 70 is separately provided on the side surface of the transfer chamber 30 via the gate valve d4.
  • the cooling chamber 70 can also be radiatively cooled from both sides of the substrate W by supporting the substrate W with support pins, for example, so as not to generate a temperature difference inside the substrate W during cooling. It has a structure like this. Other structures may be used as long as the substrate W can be uniformly cooled.
  • the manufacturing apparatus 10 having the above-described configuration, an example of a method for manufacturing a protective film for a light-emitting element, which is performed using a control device, will be described with reference to a flowchart of FIG.
  • the manufacturing method of the present Example shown below is applicable also to Example 3 and 4 mentioned later.
  • the substrate W is an LED substrate as an example.
  • a plurality of LED substrates (substrates on which the LED elements in the previous stage on which the protective film is formed) are accommodated in the cassette 21, and the cassette 21 is set in the load lock 20 (step S1).
  • the load lock 20 is depressurized (evacuated), and then the gate valve d1 is opened, and the LED substrate is pulled out from the cassette 21 using the transfer robot 31. Thereafter, the gate valve d2 is opened, and the LED substrate is carried into the heating chamber 40A (step S2).
  • the LED substrate is heated by radiation heating of the far infrared heaters 41 and 42 (step S3).
  • the arrival temperature of the LED substrate is measured in advance from the relationship between the surface temperature of the far-infrared heaters 41 and 42 and the heating time, and a scheduled time during which heating can be performed to a predetermined temperature or more suitable for the film forming process is obtained.
  • the surface temperature of the far-infrared heaters 41 and 42 is set so that the saturation temperature of the LED substrate due to the heating of the far-infrared heaters 41 and 42 is higher than a desired temperature in the heating chamber 40A.
  • the LED substrate is heated to the desired temperature.
  • the scheduled time which can be heated to desired temperature is calculated
  • the gate valve d2 is opened and the LED substrate is carried out of the heating chamber 40A (step S4).
  • a radiation thermometer is used to check whether the temperature of the LED substrate is within a desired temperature range. You may do it.
  • the desired temperature range is preferably 210 to 220 ° C.
  • an inert gas, a rare gas, or the like is used, and the plasma P is already turned on before the LED substrate is carried in (step S5).
  • the timing of plasma lighting it may be turned on at any timing as long as it is before the first LED board is carried in.
  • the LED board housed in the cassette 21 is turned on. The lighting of the plasma P is maintained until all the processes are completed.
  • the gate valve d3 is opened, and the LED substrate is carried onto the mounting table 62 of the film forming chamber 50 in the state where the plasma P is lit (step S6). Thereafter, the gate valve d3 is closed and the source gas is supplied to form the film. A protective film is formed in the chamber 50 (step S7). In this film formation process, the film formation is performed at a predetermined temperature or higher, so that the film quality (etching rate, transmittance, etc.) of the film to be formed is stabilized and the device yield is improved.
  • the LED substrate is taken out from the film forming chamber 50 in a state where the plasma P is turned on, and then cooled directly or in the cooling chamber 70, and then the LED substrate is returned to the cassette 21 (step S8).
  • Steps S2 to S8 Such a procedure of Steps S2 to S8 is performed on all the LED substrates accommodated in the cassette 21, and in all the LED substrates, the plasma P in the film forming chamber 50 is lit in advance, and a predetermined temperature is set. Thus, the film forming process is started.
  • the plasma P in the film formation chamber 50 is lit in advance, and plasma ignition is not performed after the LED substrate is installed in the film formation chamber 50 as in the prior art, thus preventing characteristic deterioration. can do. As a result, it is possible to suppress degradation of LED characteristics due to plasma damage.
  • a protective film having ESD (Electrostatic Discharge) resistance of 1000 to 1700 V is formed, and a substrate is placed on the protective film in the film forming chamber in the same manner as in the conventional manufacturing method (see FIG. 11).
  • ESD Electrostatic Discharge
  • the change in ESD resistance was compared between the case where the plasma was turned on and the case where the substrate was placed in the film formation chamber after the plasma was previously turned on in the film formation chamber, as in the manufacturing method of this example.
  • This ESD resistance is determined by electrostatic testing (JIS C 61340-3-1: deliberation by the Japan Industrial Standards Committee, “Static-Part 3-1: Method of simulating the effect of static electricity-Static discharge of human body model (HBM)) Evaluation was performed using “Test Waveform”, Japanese Standards Association, revised on February 22, 2010.
  • the ESD resistance of the protective film by the conventional manufacturing method is reduced to about 0 to 600 V, whereas the ESD resistance of the protective film by the manufacturing method of this example is 1000 to 1700 V, which is the initial state. It did not change.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating another example of a method for manufacturing a protective film of a light-emitting element, which is performed using the control device in the manufacturing apparatus 10 described in Example 1.
  • the manufacturing method of the present Example shown below is applicable also to Example 3 and 4 mentioned later.
  • the substrate W is an LED substrate as an example.
  • step S11 a plurality of LED boards are accommodated in the cassette 21, and the cassette 21 is set in the load lock 20 (step S11).
  • the load lock 20 is depressurized (evacuated), and then the gate valve d1 is opened, and the LED substrate is pulled out from the cassette 21 using the transfer robot 31. Thereafter, the gate valve d2 is opened, and the LED substrate is carried into the heating chamber 40A (step S12).
  • the LED substrate is heated by radiation heating of the far infrared heaters 41 and 42 in the heating chamber 40A (step S13).
  • a scheduled time during which heating can be performed to a predetermined temperature or more suitable for the film forming process is obtained.
  • the gate valve d2 is opened, and the LED substrate is unloaded from the heating chamber 40A (step S14). At this time, as in the first embodiment, it may be confirmed whether the temperature of the LED substrate is in a desired temperature range.
  • an inert gas, a rare gas, or the like is used to bring the plasma P into a state of being lit before carrying in the LED substrate (step S15).
  • the plasma P is kept turned on until all the processing of the LED substrates accommodated in the cassette 21 is completed.
  • the plasma P is extinguished. Therefore, before each LED substrate is carried in, the plasma P is generated in the film forming chamber 50. Is already lit. The timing of plasma lighting is after the previous LED substrate is unloaded from the film forming chamber 50 and before the next LED substrate is loaded. If it is immediately before, the plasma irradiation time can be shortened, and the power consumption can be further reduced.
  • the gate valve d3 is opened, and the LED substrate is carried onto the mounting table 62 of the film forming chamber 50 in a state where the plasma P is turned on (step S16). Thereafter, the gate valve d3 is closed, the source gas is supplied, and the film forming chamber is supplied. In 50, a protective film is formed (step S17). In this film formation process, the film formation is performed at a predetermined temperature or higher, so that the film quality (etching rate, transmittance, etc.) of the film to be formed is stabilized and the device yield is improved.
  • the plasma is extinguished (step S18), the LED substrate is taken out from the film forming chamber 50 in a state where the plasma is extinguished, and then cooled directly or in the cooling chamber 70, and then the LED substrate is returned to the cassette 21. (Step S19).
  • Steps S12 to S19 Such a procedure of Steps S12 to S19 is performed on all LED substrates accommodated in the cassette 21, and in all LED substrates, the plasma P in the film forming chamber 50 is lit in advance, and a predetermined temperature is set. Thus, the film forming process is started.
  • the plasma P in the film formation chamber 50 is lit in advance, and plasma ignition is not performed after the LED substrate is installed in the film formation chamber 50 as in the prior art, thus preventing characteristic deterioration. can do. As a result, it is possible to suppress degradation of LED characteristics due to plasma damage.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating another example of the heating chamber in the manufacturing apparatus 10 described in the first embodiment.
  • symbol is attached
  • the heating chamber 40B is arranged in the middle of the vacuum transfer path from the load lock 20 to the film forming chamber 50. Specifically, as in the first embodiment, a heating chamber 40B is separately provided on the side surface of the transfer chamber 30 via the gate valve d2. Then, before film formation in the film formation chamber 50, the substrate W is heated in advance in the heating chamber 40B, and then the substrate W heated to a predetermined temperature or more is transferred to the film formation chamber 50, and the substrate W A protective film is formed thereon.
  • the heating chamber 40B is also partitioned by the gate valve d2, and the inside thereof is always kept in a high vacuum ( ⁇ 1 mTorr), which is a molecular flow region in which convective heat conduction does not occur.
  • a high vacuum ⁇ 1 mTorr
  • the substrate W is supported by support pins (not shown).
  • a far infrared heater 41 that radiates and heats the upper surface of the substrate W with far infrared rays is provided on the ceiling side of the heating chamber 40B, and the far infrared heater 41 is provided on the upper surface of the substrate W. Proximity and non-contact arrangement.
  • a heater for radiantly heating the back surface of the substrate W is not provided, but instead, surrounding the substrate W and the far infrared heater 41, The heat reflecting plates 43 are arranged in a plurality of layers.
  • This heat reflecting plate 43 is made of a thin mirror-polished metal (for example, a SUS304 sheet buffed with a thickness of 0.1 mm), does not conduct heat in the layer direction of the layered heat reflecting plate 43, and has a low emissivity. It has a surface.
  • a heat reflecting plate 43 By disposing such a heat reflecting plate 43, the structure is configured such that the radiant heat from one far infrared heater 41 is reflected and confined inside the heat reflecting plate 43. Since the heat reflecting plate 43 cannot be provided on the transport path (see the dotted arrow) of the substrate W, only the portion of the transport path is opened to minimize the range in which the heat reflecting plate 43 cannot be installed. desirable.
  • the far-infrared radiation from the far-infrared heater 41 is used to heat both surfaces of the substrate W by one far-infrared heater 41 and the heat reflecting plate 43 surrounding the substrate W and the far-infrared heater 41. .
  • the heating chamber 40B has a structure in which the substrate W is radiatively heated from both sides by radiation from the far-infrared heater 41 and reflection of the radiation by the heat reflecting plate 43. And like Example 1, by heating the board
  • the substrate W is heated in advance before the film formation process, so that high productivity can be obtained, and the temperature of the substrate W is set to a predetermined temperature or more to start film formation. Therefore, a protective film with good film quality (high film density and low etching rate) can be formed.
  • one far infrared heater 41 that radiates and heats the upper surface of the substrate W is provided, but instead, one far infrared heater 42 that radiates and heats the back surface of the substrate W is provided. Also good. In any case, since the heat reflecting plate 43 is provided on the opposite surface of the far infrared heater 41 or the far infrared heater 42, the substrate W can be sufficiently heated. In addition, since only one heater is required, the configuration can be lower, simpler, and lighter than the heating chamber 40A shown in the first embodiment.
  • the back surface of the substrate faces the tray, and thus it is necessary to heat from both sides as in the heating chamber 40A of the first embodiment.
  • heating from one side, particularly heating from the upper surface is sufficient, and in this case, the tray is not inadvertently heated.
  • FIG. 9 is a schematic diagram illustrating still another example of the heating chamber in the manufacturing apparatus 10 described in the first embodiment.
  • symbol is attached
  • the heating chamber 40C is disposed in the middle of the vacuum transfer path from the load lock 20 to the film forming chamber 50. Specifically, as in the first embodiment, a heating chamber 40C is separately provided on the side surface of the transfer chamber 30 via the gate valve d2. Before the film formation in the film formation chamber 50, the substrate W is heated in advance in the heating chamber 40C, and then the substrate W heated to a predetermined temperature or more is transferred to the film formation chamber 50. A protective film is formed thereon.
  • the heating chamber 40C is also partitioned by the gate valve d2.
  • the inside of the heating chamber 40C can be evacuated to a vacuum ( ⁇ 1 Pa).
  • a gas nozzle 44 gas supply means
  • N 2 is supplied to the inside of the heating chamber 40C, and the degree of vacuum is set to a pressure higher than the pressure in the molecular flow region, that is, a pressure capable of convective heat conduction (for example, a pressure of 1 mTorr or more with convection).
  • a heater 45 is provided on the bottom surface side of the heating chamber 40 ⁇ / b> C, and the heater 45 is disposed in close contact with the back surface of the substrate W in a non-contact manner.
  • the heater 45 may be radiantly heated by far-infrared rays as in the first embodiment.
  • the heater 45 is heated to a temperature of about 300 ° C. Any heater may be used. Further, it is not necessary to mirror-polish the inner wall as in the heating chamber 40A of the first embodiment, or to arrange the heat reflecting plate 43 as in the heating chamber 40B of the second embodiment.
  • the heating chamber 40C has a structure in which the substrate W is heated by convection heat transfer from the surroundings. Then, by heating the substrate W from the surroundings, the substrate W can be heated at a high speed (short time), and the substrate W can be uniformly heated. As a result, the substrate W can be heated without causing a temperature difference, and deformation and breakage of the substrate W due to thermal stress can be avoided. For example, when heating was performed in an N 2 atmosphere and a pressure of 1 Torr, it was possible to heat to 230 ° C. in about 90 seconds. At this time, the transmittance of the transparent conductive film such as ITO (measurement wavelength: 380 to 480 nm) was not decreased.
  • ITO measurement wavelength: 380 to 480 nm
  • the substrate W is preheated before the film forming process, so that high productivity can be obtained, and the temperature of the substrate W is set to a predetermined temperature or more to start film formation. Therefore, a protective film with good film quality (high film density and low etching rate) can be formed.
  • one heater 45 is provided on the bottom side of the heating chamber 40C, but one heater may be provided on the ceiling side of the heating chamber 40C.
  • the substrate W since the substrate W is heated by convection heat transfer from the surroundings, the substrate W can be sufficiently heated.
  • the configuration can be lower, simpler, and lighter than the heating chamber 40A shown in the first embodiment.
  • the back surface of the substrate faces the tray, and thus it is necessary to heat from both sides as in the heating chamber 40A of the first embodiment.
  • heating from one side, particularly heating from the upper surface is sufficient, and in this case, the tray is not inadvertently heated.
  • the atmosphere used for convective heat conduction is in direct contact with the back side of the substrate.
  • the back surface of the small-diameter substrate can be efficiently convection heat-transfer heated. Also in this case, it is not necessary to heat from both sides like the heating chamber 40A of Example 1, and heating from one side, particularly heating from the back side is sufficient.
  • the present invention is suitable as a method and apparatus for manufacturing a protective film of a light emitting element.

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Abstract

高輝度で信頼性に優れた発光素子を構成する発光素子の保護膜の作製方法及び装置を提供する。そのため、発光素子の保護膜の作製装置（１０）において、成膜室（５０）での成膜を行う前に、加熱室（４０Ａ）でサファイア基板（Ｗ）を所定の温度以上に加熱し、サファイア基板（Ｗ）が搬送される前に成膜室（５０）でプラズマを点灯しておき、所定の温度以上に加熱したサファイア基板（Ｗ）を加熱室（４０Ａ）から成膜室（５０）へ搬送し、当該サファイア基板（Ｗ）に、プラズマ処理を施すことにより、成膜室（５０）で保護膜を成膜する。

Description

発光素子の保護膜の作製方法及び装置
　本発明は、発光素子の保護膜の作製方法及び装置に関する。
　省エネで長寿命を実現できるＬＥＤ（Light Emitting Diode）が、新しい発光素子として期待されている。
国際公開第２００７／０９４４１６号パンフレット 特開２００８－０４７６２０号公報
　ＬＥＤ素子においては、通常、素子を保護するための絶縁膜、例えば、ＳｉＯ（酸化珪素）やＳｉＮ（窒化珪素）を保護膜として形成している。図１０に、ＬＥＤ素子の断面図を図示する。図１０において、符号８１はサファイア基板、８２はｎ型ＧａＮ層、８３は発光層、８４はｐ型ＧａＮ層、８５は透明導電膜、８６はｐ電極、８７はｐ電極パッド、８８はｎ電極、８９はｎ電極パッド、９０は保護膜である。図１０に示すＬＥＤ素子においては、ｐ電極パッド８７、ｎ電極パッド８９のバンプ部分を除いて、素子の周囲を被覆するように、保護膜９０が形成されており、この保護膜９０により、素子を保護している。
　一般的に、上述した保護膜の形成は、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を用いて行われ、従来は、図１１に示すフローチャートの作製方法で実施されている。ここで、上述した保護膜が形成される前段階のＬＥＤ素子が形成された基板を、ＬＥＤ基板と呼んで、図１１の作製方法の説明を行う。
（１）ＬＥＤ基板をプラズマＣＶＤ装置の成膜室へ搬入する（ステップＳ３１）。
（２）成膜室でプラズマを点灯して保護膜の成膜を開始する（ステップＳ３２）。
（３）成膜室でプラズマを消して成膜を終了する（ステップＳ３３）。
（４）ＬＥＤ基板を成膜室から搬出する（ステップＳ３４）。
　プラズマＣＶＤ装置では、プラズマ点火時において、プラズマ発生用電極のインピーダンスが高い。このため、プラズマ点火するまでは、高い電圧がプラズマ発生用電極間に印加される。この電極間に存在する電子は、高い電圧に加速されて、プラズマ点灯するまで、高エネルギー電子が発生する。高エネルギー電子は、原料ガスをイオン化し、プラズマ点火するまで、イオンも同様に加速されて、エネルギーが高いイオンが発生する。高いエネルギーを持つイオンは、ＬＥＤの特性を劣化させることが分かっており（例えば、非特許文献１参照）、このため、上述した従来の作製方法では、所謂、プラズマダメージが発生して、ＬＥＤ特性が劣化していた。
　加えて、上述した保護膜を形成する際に、成膜時の基板温度が低いと、保護膜の密度が低下し、保護性能（防水性）が劣化する。保護膜の性能の劣化は、ＬＥＤの信頼性の低下に繋がるため、成膜時の基板温度を、安定性が高い密度の保護膜を形成する所定の温度以上とすることが重要である。
　プラズマＣＶＤ装置では、不活性ガス等のプラズマを用いて、基板を加熱可能であり（プラズマ加熱）、成膜室において、上述した保護膜を形成する前に、当該プラズマ加熱により基板温度を所定の温度以上に加熱することが考えられる。しかしながら、上述したように、プラズマ点火時に高いエネルギーのイオンが発生して、ＬＥＤの特性を劣化させること、例えば、ＬＥＤに使用される透明導電膜の透過率が低下することが分かっており、基板の加熱手段として、成膜室でのプラズマ加熱は適していない。例えば、プラズマ加熱で２３０℃まで加熱した場合には、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）などの透明導電膜の透過率（測定波長３８０～４８０ｎｍ）が３０～４０％程低下した。又、成膜室で成膜と共に基板のプラズマ加熱も行うと、基板１枚当たりの処理時間が長くなり、生産性（スループット）が低下してしまうため、このことも考慮すると、プラズマ加熱は避けた方がよい。
　又、成膜室において、基板裏面から伝熱加熱することも考えられる。この場合、加熱した静電チャックに基板を確実に静電吸着して、伝熱加熱することになるが、静電吸着により、基板が室温から急激に加熱されることになるため、基板の内部で温度差が生じてしまう。ＬＥＤに使用されるサファイア基板は、基板内部に１００℃以上の温度差が発生すると熱応力により破損し易くなるため、成膜室における伝熱による加熱も避けた方がよい。
　このように、基板を成膜室の外で加熱した方がよく、その場合、成膜室では成膜処理に専念でき、生産性が向上するため、成膜室での基板の加熱は避けるべきである。
　そこで、上述した保護膜を形成する前に、大気中で基板を加熱して、基板温度を所定の温度以上に加熱することも考えられる。例えば、大気中の搬送経路の途中に、基板を加熱するヒータなどを設けることが考えられる。しかしながら、大気中で基板を加熱すると、酸素の影響により、ＬＥＤに使用される透明導電膜の透過率が低下し、ＬＥＤの性能低下が起こる。例えば、大気中で２３０℃まで加熱した場合には、ＩＴＯなどの透明導電膜の透過率（測定波長３８０～４８０ｎｍ）が３％程低下した。
　又、大気中で基板を加熱する場合、成膜室までの基板搬送時間中の自然冷却を考慮して、上述した所定の温度より高い温度（例えば、３００℃）まで加熱する必要がある。しかしながら、ＬＥＤに使用される透明導電膜、例えば、ＩＴＯは、２３０℃を越える加熱で劣化するため、２３０℃を越えて加熱することは好ましくない。仮に、大気中で基板を２３０℃に加熱したとしても、基板の搬送時間、そして、真空排気の時間を考慮すると、成膜室に搬送するときには、基板温度が上述した所定の温度未満まで冷却してしまうため、現実的に、大気中での加熱は不可能である。
　更に、上述したように、ＬＥＤに使用されるサファイア基板は、基板内部に１００℃以上の温度差が発生すると熱応力により破損し易くなる。そのため、どのような加熱手段で加熱するにしても、極力均一に基板を加熱することが必要である。
　このように、ＬＥＤ素子の保護膜を成膜する際には、プラズマダメージを抑制すると共に、所定の温度以上の基板温度で保護膜の成膜を行う必要があり、これらの条件を同時に満たせないと、高輝度で信頼性に優れたＬＥＤを製造することは難しい。
　本発明は上記課題に鑑みなされたもので、高輝度で信頼性に優れた発光素子を構成する発光素子の保護膜の作製方法及び装置を提供することを目的とする。
　上記課題を解決する第１の発明に係る発光素子の保護膜の作製装置は、
　サファイア基板上に形成された発光素子を保護する保護膜を作製する発光素子の保護膜の作製装置において、
　前記サファイア基板を真空中で加熱する加熱室と、
　前記加熱室で加熱された前記サファイア基板に、真空中でプラズマ処理を施すことにより、前記保護膜を成膜する成膜室と、
　前記加熱室及び前記成膜室へ前記サファイア基板を真空搬送する搬送ロボットと、
　前記加熱室、前記成膜室及び前記搬送ロボットを制御する制御手段とを有し
　前記制御手段は、
　前記加熱室を用いて、前記成膜室での成膜を行う前に、前記サファイア基板を所定の温度以上に加熱し、
　前記搬送ロボットを用いて、所定の温度以上に加熱した前記サファイア基板を前記加熱室から前記成膜室へ搬送し、
　前記成膜室を用いて、前記サファイア基板が当該成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、所定の温度以上に加熱した前記サファイア基板に、プラズマ処理を施すことにより、前記保護膜を成膜することを特徴とする。
　上記課題を解決する第２の発明に係る発光素子の保護膜の作製装置は、
　上記第１の発明に記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面及び下面に近接して配置した２つの遠赤外線ヒータを有し、前記２つの遠赤外線ヒータからの輻射により、前記サファイア基板の上面及び下面を真空中で加熱するものであることを特徴とする。
　上記課題を解決する第３の発明に係る発光素子の保護膜の作製装置は、
　上記第１の発明に記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面又は下面の一方に近接して配置した１つの遠赤外線ヒータと、前記サファイア基板と前記遠赤外線ヒータの周囲を囲み、かつ、層状に複数配置した熱反射板とを有し、前記１つの遠赤外線ヒータからの輻射と当該輻射の前記熱反射板での反射により、前記サファイア基板の上面及び下面を真空中で加熱するものであることを特徴とする。
　上記課題を解決する第４の発明に係る発光素子の保護膜の作製装置は、
　上記第１の発明に記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面又は下面の一方に近接して配置した１つのヒータと、当該加熱室に不活性ガス又は窒素ガスを供給するガス供給手段とを有し、当該加熱室に前記不活性ガス又は前記窒素ガスを供給して、分子流領域の圧力より高い圧力とすると共に、前記不活性ガス又は前記窒素ガスの対流伝熱により、前記ヒータの温度を前記サファイア基板に伝熱して加熱するものであることを特徴とする。
　上記課題を解決する第５の発明に係る発光素子の保護膜の作製装置は、
　上記第１～第４のいずれか１つの発明に記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
　前記成膜室は、複数枚の前記サファイア基板に連続的に成膜を行う場合、最初の前記サファイア基板が前記成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、最後の前記サファイア基板への成膜が終了するまで、前記プラズマを維持しておくものであることを特徴とする。
　上記課題を解決する第６の発明に係る発光素子の保護膜の作製装置は、
　上記第１～第４のいずれか１つの発明に記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
　前記成膜室は、複数枚の前記サファイア基板に連続的に成膜を行う場合、各々の前記サファイア基板が前記成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、各々の前記サファイア基板への成膜が終了するとき、前記プラズマを消灯するものであることを特徴とする。
　上記課題を解決する第７の発明に係る発光素子の保護膜の作製方法は、
　サファイア基板上に形成された発光素子を保護する保護膜を作製する発光素子の保護膜の作製方法において、
　前記サファイア基板を真空中で加熱する加熱室と、
　前記加熱室で加熱された前記サファイア基板に、真空中でプラズマ処理を施すことにより、前記保護膜を成膜する成膜室と、
　前記加熱室及び前記成膜室へ前記サファイア基板を真空搬送する搬送ロボットとを用い、
　前記成膜室での成膜を行う前に、前記加熱室で前記サファイア基板を所定の温度以上に加熱し、
　前記搬送ロボットにより前記サファイア基板が搬送される前に、前記成膜室でプラズマを点灯しておき、
　前記搬送ロボットにより所定の温度以上に加熱した前記サファイア基板を前記加熱室から前記成膜室へ搬送し、当該サファイア基板に、プラズマ処理を施すことにより、前記成膜室で前記保護膜を成膜することを特徴とする。
　上記課題を解決する第８の発明に係る発光素子の保護膜の作製方法は、
　上記第７の発明に記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面及び下面に近接して配置した２つの遠赤外線ヒータを有し、前記２つの遠赤外線ヒータからの輻射により、前記サファイア基板の上面及び下面を真空中で加熱することを特徴とする。
　上記課題を解決する第９の発明に係る発光素子の保護膜の作製方法は、
　上記第７の発明に記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面又は下面の一方に近接して配置した１つの遠赤外線ヒータと、前記サファイア基板と前記遠赤外線ヒータの周囲を囲み、かつ、層状に複数配置した熱反射板とを有し、前記１つの遠赤外線ヒータからの輻射と当該輻射の前記熱反射板での反射により、前記サファイア基板の上面及び下面を真空中で加熱することを特徴とする。
　上記課題を解決する第１０の発明に係る発光素子の保護膜の作製方法は、
　上記第７の発明に記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面又は下面の一方に近接して配置した１つのヒータと、当該加熱室に不活性ガス又は窒素ガスを供給するガス供給手段とを有し、当該加熱室に前記不活性ガス又は前記窒素ガスを供給して、分子流領域の圧力より高い圧力とすると共に、前記不活性ガス又は前記窒素ガスの対流伝熱により、前記ヒータの温度を前記サファイア基板に伝熱して加熱することを特徴とする。
　上記課題を解決する第１１の発明に係る発光素子の保護膜の作製方法は、
　上記第７～第１０のいずれか１つの発明に記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
　前記成膜室は、複数枚の前記サファイア基板に連続的に成膜を行う場合、最初の前記サファイア基板が前記成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、最後の前記サファイア基板への成膜が終了するまで、前記プラズマを維持しておくことを特徴とする。
　上記課題を解決する第１２の発明に係る発光素子の保護膜の作製方法は、
　上記第７～第１０のいずれか１つの発明に記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
　前記成膜室は、複数枚の前記サファイア基板に連続的に成膜を行う場合、各々の前記サファイア基板が前記成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、各々の前記サファイア基板への成膜が終了するとき、前記プラズマを消灯することを特徴とする。
　本発明によれば、成膜室での成膜の開始前に、加熱室でサファイア基板を所定の温度以上に加熱し、所定の温度以上に加熱したサファイア基板を、搬送ロボットで加熱室から成膜室へ搬送し、所定の温度以上に加熱したサファイア基板が成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、加熱室で加熱されたサファイア基板に、プラズマ処理を施すことにより、保護膜を成膜するので、プラズマ点火に伴うプラズマダメージを抑制すると共に、所定の温度以上の基板温度で保護膜の成膜を行うことができ、素子ダメージが低く、膜質の良い保護膜を形成することができる。その結果、高輝度で信頼性に優れた発光素子を製造することができる。
本発明に係る発光素子の保護膜の作製装置の実施形態の一例（実施例１）を示す概略図である。 図１に示した発光素子の保護膜の作製装置における加熱室を示す概略図である。 図１に示した発光素子の保護膜の作製装置における成膜室を示す概略図である。 遠赤外線ヒータの表面温度とサファイアが吸収する波長の輻射エネルギー密度との関係を示すグラフである。 基板の加熱時間と到達温度との関係を示すグラフである。 本発明に係る発光素子の保護膜の作製方法の実施形態の一例（実施例１）として、図１に示した発光素子の保護膜の作製装置における作製方法の一例を示すフローチャートである。 本発明に係る発光素子の保護膜の作製方法の実施形態の他の一例（実施例２）として、図１に示した発光素子の保護膜の作製装置における作製方法の他の一例を示すフローチャートである。 本発明に係る発光素子の保護膜の作製装置の実施形態の他の一例（実施例３）として、図２に示した加熱室の他の一例を示す概略図である。 本発明に係る発光素子の保護膜の作製装置の実施形態の他の一例（実施例４）として、図２に示した加熱室の他の一例を示す概略図である。 ＬＥＤ素子構造を示す断面図である。 従来の発光素子の保護膜の作製方法を示すフローチャートである。
　本発明に係る発光素子の保護膜の作製方法及び装置の実施形態について、図１～図９を参照して、その説明を行う。
（実施例１）
　最初に、本実施例の発光素子の保護膜の作製装置（以降、作製装置と呼ぶ。）の装置構成について説明を行う。ここで、図１は、本実施例の作製装置を示す概略図であり、図２は、その作製装置における加熱室を示す概略図であり、図３は、その作製装置の成膜室を示す概略図である。又、図４は、図２に示した加熱室に用いる遠赤外線ヒータの表面温度とサファイアが吸収する波長の輻射エネルギー密度との関係を示すグラフであり、図５は、図４に示した特性を有する遠赤外線ヒータによる基板の加熱時間と基板の到達温度との関係を示すグラフである。
　本実施例において、作製装置１０は、ロードロック２０、搬送室３０、加熱室４０Ａ、成膜室５０及び冷却室７０を有する。ロードロック２０は、ゲート弁ｄ１を介して、搬送室３０と接続されており、ゲート弁ｄ１の開閉により、ロードロック２０と搬送室３０とを連通状態にしたり、ロードロック２０を搬送室３０から閉鎖した状態にしたりしている。
　同様に、加熱室４０Ａも、ゲート弁ｄ２を介して、搬送室３０と接続されており、ゲート弁ｄ２の開閉により、加熱室４０Ａと搬送室３０とを連通状態にしたり、加熱室４０Ａを搬送室３０から閉鎖した状態にしたりしている。同じく、成膜室５０も、ゲート弁ｄ３を介して、搬送室３０と接続されており、ゲート弁ｄ３の開閉により、成膜室５０と搬送室３０とを連通状態にしたり、成膜室５０を搬送室３０から閉鎖した状態にしたりしている。同じく、冷却室７０も、ゲート弁ｄ４を介して、搬送室３０と接続されており、ゲート弁ｄ４の開閉により、冷却室７０と搬送室３０とを連通状態にしたり、冷却室７０を搬送室３０から閉鎖した状態にしたりしている。
　ロードロック２０において、カセット２１には、円形状の基板Ｗを複数収容しており、このカセット２１をロードロック２０の内部にセットしている。本実施例の場合、基板Ｗとしては、サファイアなどの透明基板が好適である。
　なお、基板Ｗに代えて、基板Ｗと同じ大きさの円形状のトレイに複数の小径の基板（例えば、直径１００ｍｍ以下の基板）を載置し、当該トレイをカセット２１に複数収容し、トレイと共に小径の基板を搬送するようにしてもよい。この場合、トレイは、例えば、小径の基板を載置する座繰り（凹部）、又は、小径の基板を保持する保持部を有する貫通孔を複数設けた構造である。
　以降の説明においては、基板Ｗを用いて説明を行うが、上述したように、基板Ｗに代えて、小径の基板を複数載置したトレイの場合にも適用可能であるので、その場合には、基板Ｗを小径の基板を複数載置したトレイと読み替えればよい。
　搬送室３０において、その中央部分には、搬送ロボット３１が配設されている。そして、搬送ロボット３１のアーム３１ａに設けられたロボットハンド３１ｂを用いて、１枚の基板Ｗを保持し、ロードロック２０、加熱室４０Ａ、成膜室５０及び冷却室７０に対する搬送を行っている。例えば、ゲート弁ｄ１を開け、ロードロック２０へアーム３１ａを伸ばし、基板Ｗをロボットハンド３１ｂ上に乗せて、基板Ｗをカセット２１から引き出す。その後、ゲート弁ｄ２又はゲート弁ｄ３又はゲート弁ｄ４を開け、加熱室４０Ａ又は成膜室５０又は冷却室７０へアーム３１ａを伸ばし、基板Ｗを加熱室４０Ａ又は成膜室５０又は冷却室７０の内部に搬送することになる。
　本実施例の場合、ロードロック２０から成膜室５０までの真空搬送経路（太線矢印）の途中に加熱室４０Ａを配置しており、ゲート弁ｄ２を介して、搬送室３０の側面に加熱室４０Ａを別途設けている。そして、成膜室５０での成膜の前に、予め、加熱室４０Ａで基板Ｗを加熱し、その後、所定の温度以上に加熱された基板Ｗを成膜室５０へ搬送し、その基板Ｗ上に保護膜を成膜するようにしている。
　加熱室４０Ａは、図２に示すように、ゲート弁ｄ２により仕切られている。加熱室４０Ａの内部は、常に高真空（≦１ｍＴｏｒｒ）に保たれており、対流熱伝導が起きない分子流領域となっている。真空状態の加熱室４０Ａの内部において、基板Ｗは、支持ピン（図示省略）により支持されている。そして、図２に示すように、基板Ｗの上面を遠赤外線により輻射加熱する遠赤外線ヒータ４１が、加熱室４０Ａの天井側に設けられ、基板Ｗの下面（裏面）を遠赤外線により輻射加熱する遠赤外線ヒータ４２が、加熱室４０Ａの底面側に設けられている。このように、遠赤外線ヒータ４１、４２は、基板Ｗの上面及び裏面に近接して、非接触に配置されており、遠赤外線ヒータ４１、４２からの遠赤外線の輻射により、基板Ｗの両面を加熱する構成である。
　遠赤外線ヒータ４１、４２は、例えば、円盤型であり、被加熱対象となる円形状の基板Ｗは、遠赤外線ヒータ４１、４２の中央に配置する。なお、前述したように、基板Ｗの代わり、小径の基板を複数載置したトレイを輻射加熱するようにしてもよい。この場合、トレイは、小径の基板を保持する保持部を有する貫通孔を複数設けた構造がよく、その場合、貫通孔を通して、小径の基板の裏面を効率的に輻射加熱することができる。
　加熱室４０Ａの内壁は、効率的に熱反射できるように鏡面研磨されている。又、ゲート弁ｄ２の弁体も、効率的に熱反射できるように鏡面研磨されている。このような構成により、遠赤外線ヒータ４１、４２からの輻射熱を加熱室４０Ａの内部に閉じ込めて、基板Ｗを効率的に加熱するようにしている。
　前述したように、加熱室４０Ａは、基板Ｗを両面から輻射加熱する構造となっている。これは、両面から基板Ｗを加熱することにより、基板Ｗを高速（短時間）で加熱することができると共に、基板Ｗを均一に加熱することができるためである。その結果、基板Ｗの内部に温度差を発生させずに加熱することができ、熱応力による基板Ｗの変形、破損を回避することができる。特に、サファイア基板は、前述したように、基板Ｗの内部に１００℃以上の温度差が発生すると、熱応力により破損し易くなるため、上記構成により、サファイア基板の変形、破損を回避することができる。
　又、サファイアは、波長５～８、１５～１８、３２μｍ以降に赤外光吸収特性がある。ハロゲンランプによりシリコン基板を真空中でランプ加熱する装置は従来から知られているが、このハロゲンランプの石英管は、５μｍよりも長い波長を通さないため、シリコン基板用のランプ加熱装置を用いて、サファイア基板を真空中で輻射加熱することはできない。
　そこで、本実施例においては、サファイア基板を輻射加熱することを考慮して、遠赤外線（例えば、波長３μｍ以上の赤外線）を輻射する遠赤外線ヒータ４１、４２を用いている。例えば、遠赤外線ヒータ４１、４２としては、ＳＵＳ（ステンレススチール）パイプに内部に発熱コイルを設けると共に、耐熱絶縁材（例えば、ＭｇＯ；酸化マグネシウム）を充填して一体化した発熱体を形成し、その表面に遠赤外線を放出する遠赤外線被膜（例えば、カーボン系セラミクス）をコーティングしたものなどが使用可能である。このような遠赤外線ヒータを用いた場合、サファイアが吸収する波長の輻射エネルギー密度は、図４に示すように、黒体放射に近い効率である。例えば、その遠赤外線ヒータの表面温度が６００℃の場合、図４に示すように、エネルギー密度０．４～０．５Ｗ／ｃｍ2を得ることができる。その場合、図５に示すように、室温から３００℃まで１３０秒程度でサファイア基板（直径１５０ｍｍ、厚さ１．３ｍｍ）を加熱可能であり、サファイア基板の加熱時間の短縮が可能である。
　サファイア基板上のＬＥＤ素子に成膜室５０で保護膜を成膜するとき、安定性が高い密度の保護膜を形成する所定の温度としては、成膜開始時においてサファイア基板を少なくとも２００℃としておく必要がある。そのため、加熱室４０Ａにおいては、サファイア基板を２１０～２２０℃まで加熱し、その温度で基板Ｗを取り出すようにしている。この場合、例えば、図５に示すように、９０秒程度でサファイア基板を室温から２２０℃まで加熱可能である。この加熱時間は、成膜室５０で成膜する時間より短い必要があり、加熱室４０Ａでの加熱時間を短くしたい場合には、遠赤外線ヒータ４１、４２の表面温度をより高く設定すればよい。基板Ｗを取り出すタイミングとしては、飽和温度で基板Ｗを取出すこととすると、温度管理は確実となるが、飽和温度まで待つ必要があり、時間がかかってしまう。そのため、前述した２１０～２２０℃に加熱されたタイミングで基板Ｗを取出すことが望ましい。例えば、加熱室４０Ａにおいて、遠赤外線ヒータ４１、４２の加熱によるサファイア基板の飽和温度が、２１０～２２０℃より高くなるように、遠赤外線ヒータ４１、４２の表面温度を設定しておけばよい。そうすると、サファイア基板が飽和温度に到達する前に、所望の温度範囲２１０～２２０℃に加熱されて、加熱時間の短縮を図ることができる。
　このような構成の加熱室４０Ａを用いて、成膜処理前に基板Ｗを予め加熱することにより、高い生産性が得られ、又、基板Ｗの温度を所定の温度以上として成膜開始するので、膜質の良い（膜密度が高く、エッチングレートの低い）保護膜が形成可能となる。例えば、２３０℃まで加熱した場合、ＩＴＯなどの透明導電膜の透過率（測定波長３８０～４８０ｎｍ）の低下は見られなかった。
　一方、成膜室５０は、公知のプラズマＣＶＤ装置でよいが、本実施例の場合、後述する作製方法を考慮すると、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma；誘導結合プラズマ）型のプラズマ発生機構を有するものがよい。
　具体的には、図３に示すように、成膜室５０は、真空容器５１となる筒状容器５２と天井板５３とを有しており、円筒状の筒状容器５２の上部開口部を塞ぐように、セラミクス製の円板状の天井板５３が配設されている。筒状容器５２には、内部を真空状態にする真空装置５４が接続されており、真空容器５１の内部を高い真空度に維持可能である。
　天井板５３の上方（直上）には、複数の円形リングからなる高周波アンテナ５５が配置されており、高周波アンテナ５５には整合器５６を介して高周波電源５７が接続されている。この高周波電源５７は、後述する低周波電源６７より高い発振周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）を高周波アンテナ５５に給電可能となっており、入射窓となる天井板５３を透過して、プラズマＰを生成するための高周波電磁波（ＲＦ）を真空容器５１内へ入射可能となっている。これは、所謂、ＩＣＰ型のプラズマ発生機構の構成である。
　又、筒状容器５２の側壁部分には、天井板５３より低く、後述する載置台６２より高い位置に複数のガスノズル５８が設けられており、ガスノズル５８から真空容器５１の内部に、所望の流量の所望のガスを供給可能となっている。供給されるガスは、プロセスに応じて変更され、保護膜（例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜）のプロセスには、原料ガスとなるＳｉＨ4、Ｎ2、Ｏ2などが使用される。
　又、筒状容器５２の下部には、支持台６１が設置されており、この支持台６１の上に、成膜対象である基板Ｗを載置する載置台６２が設置されている。載置台６２の内部には加熱のためのヒータ６３が設置されており、このヒータ６３は制御装置（制御手段；図示省略）により温度が調整されている。これにより、プラズマ処理中の基板Ｗを所定の温度以上に維持、制御することができる。
　又、載置台６２には、電極６４が設けられており、この電極６４には、コンデンサ６５、整合器６６を介して低周波電源６７が接続されている。低周波電源６７は、高周波電源５７より低い発振周波数（例えば、４ＭＨｚ）を電極６４に印加し、基板Ｗにバイアスパワーを印加できるようになっている。
　更に、上述した電極６４には、基板Ｗを静電吸着する直流の静電電源６８が接続されており、載置台６２上に基板Ｗを吸着保持可能としている。この静電電源６８は、高周波電源５７や低周波電源６７のパワーが回り込まないように、ローパスフィルター（ＬＰＦ）６９を介して接続されている。
　基板Ｗは、筒状容器５２の側壁に設けたゲート弁ｄ３を用いて、載置台６２上に搬送可能となっており、載置台６２上に基板Ｗを載置することで、基板Ｗが真空容器５１に収容される。その後、ゲート弁ｄ３を閉め、制御装置により、後述する作製方法が実施される。
　又、成膜室５０での成膜の後、成膜室５０からロードロック２０までの真空搬送経路（太線矢印）の途中に、カセット２１の耐熱温度以下まで基板Ｗを冷却する冷却室７０を設置してもよい。本実施例の場合、冷却室７０は、ゲート弁ｄ４を介して、搬送室３０の側面に別途設けられている。冷却室７０も、加熱室４０Ａと同様に、冷却時における基板Ｗの内部に温度差を発生させないようにするため、例えば、支持ピンにより基板Ｗを支持して、基板Ｗの両面から放射冷却できるような構造としている。なお、基板Ｗを均一に冷却できれば、他の構造でもよい。
　以上説明した構成を有する作製装置１０において、制御装置を用いて実施する発光素子の保護膜の作製方法の一例を、図６のフローチャートを参照して説明する。なお、以下に示す本実施例の作製方法は、後述する実施例３、４にも適用可能である。又、ここでは、基板Ｗは、一例として、ＬＥＤ基板とする。
　最初に、ＬＥＤ基板（保護膜が形成される前段階のＬＥＤ素子が形成された基板）をカセット２１に複数収容し、そのカセット２１をロードロック２０にセットする（ステップＳ１）。
　次に、ロードロック２０を減圧（真空引き）し、その後、ゲート弁ｄ１を開け、搬送ロボット３１を用いて、ＬＥＤ基板をカセット２１から引き出す。その後、ゲート弁ｄ２を開け、加熱室４０ＡへＬＥＤ基板を搬入する（ステップＳ２）。
　次に、ゲート弁ｄ２を閉めた後、加熱室４０Ａにおいて、遠赤外線ヒータ４１、４２の輻射加熱により、ＬＥＤ基板を加熱する（ステップＳ３）。ここでは、遠赤外線ヒータ４１、４２の表面温度と加熱時間との関係からＬＥＤ基板の到達温度を予め計測しておき、成膜処理に適した所定の温度以上に加熱できる予定時間を求めておく。前述したように、加熱室４０Ａにおいて、遠赤外線ヒータ４１、４２の加熱によるＬＥＤ基板の飽和温度が、所望の温度より高くなるように、遠赤外線ヒータ４１、４２の表面温度を設定しておけば、飽和温度に到達する前に、ＬＥＤ基板が所望の温度に加熱される。そして、予め、所望の温度に加熱できる予定時間を求めておけば、適切な時間でＬＥＤ基板を取り出すことができ、加熱時間の短縮を図ることができる。
　求めた予定時間を経過後に、ゲート弁ｄ２を開け、ＬＥＤ基板を加熱室４０Ａから搬出する（ステップＳ４）。加熱室４０ＡからＬＥＤ基板を引き出したとき、又は、成膜室５０へＬＥＤ基板を搬入する前に、例えば、放射温度計などを用いて、ＬＥＤ基板の温度が所望の温度範囲であるか確認するようにしてもよい。例えば、サファイア基板の場合、所定の温度が２００℃であるので、所望の温度範囲としては、２１０～２２０℃の範囲がよい。
　成膜室５０において、不活性ガスや希ガスなどを用いて、ＬＥＤ基板を搬入する前に、プラズマＰが既に点灯している状態としておく（ステップＳ５）。プラズマ点灯のタイミングとしては、最初のＬＥＤ基板が搬入される前であれば、どのタイミングで点灯してもよく、本実施例の場合、一度点灯した後は、カセット２１に収容されたＬＥＤ基板の処理が全て終了するまで、プラズマＰの点灯を維持しておく。このように、プラズマＰを維持することにより、プラズマ点灯時に発生するプラズマダメージによるＬＥＤ特性の劣化を抑制することができ、又、プラズマ点灯、消灯の制御の手間を省略することもできる。
　ゲート弁ｄ３を開け、プラズマＰが点灯した状態の成膜室５０の載置台６２上へＬＥＤ基板を搬入し（ステップＳ６）、その後、ゲート弁ｄ３を閉め、原料ガスを供給して、成膜室５０で保護膜の成膜処理を実施する（ステップＳ７）。この成膜処理の際には、所定の温度以上で成膜が行われるので、成膜される膜の膜質（エッチングレート、透過率など）が安定し、デバイスの歩留まりが向上することになる。
　成膜処理の終了後、プラズマＰが点灯した状態の成膜室５０からＬＥＤ基板を取り出し、その後、直接又は冷却室７０で冷却した後、ＬＥＤ基板をカセット２１へ戻す（ステップＳ８）。
　このようなステップＳ２～Ｓ８の手順が、カセット２１に収容された全てのＬＥＤ基板に対して実施され、全てのＬＥＤ基板において、成膜室５０のプラズマＰが予め点灯した状態で、所定の温度で成膜処理が開始されることになる。
　このようにして、成膜室５０のプラズマＰを予め点灯した状態としており、従来のように、ＬＥＤ基板を成膜室５０に設置した後、プラズマ点火をすることはないので、特性劣化を防止することができる。その結果、プラズマダメージによるＬＥＤ特性の劣化を抑制することができる。
　例えば、１０００～１７００ＶのＥＳＤ（Electrostatic Discharge）耐性を有する保護膜を形成し、この保護膜に対して、従来の作製方法（図１１参照）と同じように、成膜室内に基板を設置した後にプラズマを点灯した場合と、本実施例の作製方法と同じように、成膜室で予めプラズマを点灯した後に成膜室内に基板を設置した場合について、ＥＳＤ耐性の変化を比較した。なお、このＥＳＤ耐性は、静電気試験（ＪＩＳ　Ｃ　６１３４０－３－１：日本工業標準調査会　審議、「静電気－第３－１部：静電気の影響をシミュレーションする方法－人体モデル（ＨＢＭ）の静電気放電試験波形」、日本規格協会、平成２２年２月２２日改正）を用いて評価した。従来の作製方法による保護膜のＥＳＤ耐性が、０～６００Ｖ程度まで低下するのに対して、本実施例の作製方法による保護膜のＥＳＤ耐性は、１０００～１７００Ｖであり、これは、当初の状態と変わらなかった。
（実施例２）
　図７は、実施例１で説明した作製装置１０において、制御装置を用いて実施する発光素子の保護膜の作製方法の他の一例を示すフローチャートである。なお、以下に示す本実施例の作製方法は、後述する実施例３、４にも適用可能である。又、ここでも、基板Ｗは、一例として、ＬＥＤ基板とする。
　最初に、ＬＥＤ基板をカセット２１に複数収容し、そのカセット２１をロードロック２０にセットする（ステップＳ１１）。
　次に、ロードロック２０を減圧（真空引き）し、その後、ゲート弁ｄ１を開け、搬送ロボット３１を用いて、ＬＥＤ基板をカセット２１から引き出す。その後、ゲート弁ｄ２を開け、加熱室４０ＡへＬＥＤ基板を搬入する（ステップＳ１２）。
　次に、ゲート弁ｄ２を閉めた後、加熱室４０Ａにおいて、遠赤外線ヒータ４１、４２の輻射加熱により、ＬＥＤ基板を加熱する（ステップＳ１３）。ここでは、実施例１と同様に、成膜処理に適した所定の温度以上に加熱できる予定時間を求めておく。
　求めた予定時間を経過後に、ゲート弁ｄ２を開け、ＬＥＤ基板を加熱室４０Ａから搬出する（ステップＳ１４）。このとき、実施例１と同様に、ＬＥＤ基板の温度を所望の温度範囲であるか確認するようにしてもよい。
　成膜室５０において、不活性ガスや希ガスなどを用いて、ＬＥＤ基板を搬入する前に、プラズマＰが既に点灯している状態としておく（ステップＳ１５）。実施例１では、プラズマＰを一度点灯した後は、カセット２１に収容されたＬＥＤ基板の処理が全て終了するまで、プラズマＰの点灯を維持していた。一方、本実施例では、後述するように、１枚のＬＥＤ基板に対する成膜処理が終了すると、プラズマＰを消灯するので、各々のＬＥＤ基板を搬入する前に、成膜室５０において、プラズマＰが既に点灯している状態としておく。プラズマ点灯のタイミングとしては、前のＬＥＤ基板を成膜室５０から搬出した後であり、次のＬＥＤ基板が搬入される前であれば、どのタイミングで点灯してもよいが、ＬＥＤ基板を搬入する直前とすると、プラズマ照射時間をより短くすることができ、電力消費量をより低減することができる。
　ゲート弁ｄ３を開け、プラズマＰが点灯した状態の成膜室５０の載置台６２上へＬＥＤ基板を搬入し（ステップＳ１６）、その後、ゲート弁ｄ３を閉め、原料ガスを供給し、成膜室５０で保護膜の成膜処理を実施する（ステップＳ１７）。この成膜処理の際には、所定の温度以上で成膜が行われるので、成膜される膜の膜質（エッチングレート、透過率など）が安定し、デバイスの歩留まりが向上することになる。
　成膜処理の終了後、プラズマを消し（ステップＳ１８）、プラズマが消えた状態の成膜室５０からＬＥＤ基板を取り出し、その後、直接又は冷却室７０で冷却した後、ＬＥＤ基板をカセット２１へ戻す（ステップＳ１９）。
　このようなステップＳ１２～Ｓ１９の手順が、カセット２１に収容された全てのＬＥＤ基板に対して実施され、全てのＬＥＤ基板において、成膜室５０のプラズマＰが予め点灯した状態で、所定の温度で成膜処理が開始されることになる。
　このようにして、成膜室５０のプラズマＰを予め点灯した状態としており、従来のように、ＬＥＤ基板を成膜室５０に設置した後、プラズマ点火をすることはないので、特性劣化を防止することができる。その結果、プラズマダメージによるＬＥＤ特性の劣化を抑制することができる。
（実施例３）
　図８は、実施例１で説明した作製装置１０における加熱室の他の一例を示す概略図である。なお、本実施例において、図２に示した実施例１の加熱室４０Ａと同等の構成には同じ符号を付して説明を行う。
　本実施例の場合も、ロードロック２０から成膜室５０までの真空搬送経路の途中に加熱室４０Ｂを配置する。具体的には、実施例１と同様に、ゲート弁ｄ２を介して、搬送室３０の側面に加熱室４０Ｂを別途設けている。そして、成膜室５０での成膜の前に、予め、加熱室４０Ｂで基板Ｗを加熱し、その後、所定の温度以上に加熱された基板Ｗを成膜室５０へ搬送し、その基板Ｗ上に保護膜を成膜するようにしている。
　加熱室４０Ｂも、ゲート弁ｄ２により仕切られており、その内部は、常に高真空（≦１ｍＴｏｒｒ）に保たれており、対流熱伝導が起きない分子流領域となっている。真空状態の加熱室４０Ｂの内部において、基板Ｗは、支持ピン（図示省略）により支持されている。そして、図８に示すように、基板Ｗの上面を遠赤外線により輻射加熱する遠赤外線ヒータ４１が、加熱室４０Ｂの天井側に設けられており、この遠赤外線ヒータ４１が、基板Ｗの上面に近接して、非接触に配置されている。一方、加熱室４０Ｂの底面側には、実施例１と異なり、基板Ｗの裏面を輻射加熱するヒータは設けられていないが、代わりに、基板Ｗ及び遠赤外線ヒータ４１の周囲を囲むように、熱反射板４３が複数の層状に配置されている。
　この熱反射板４３は、薄く鏡面研磨された金属（例えば、０．１ｍｍ厚でバフ研磨したＳＵＳ３０４シート）からなり、層状の熱反射板４３の層方向には熱伝導せず、輻射率の低い表面を持つものである。このような熱反射板４３を配置することにより、１つの遠赤外線ヒータ４１からの輻射熱を反射して熱反射板４３の内側に閉じ込める構造としている。なお、基板Ｗの搬送経路（点線矢印参照）上に熱反射板４３を設けることはできないため、この搬送経路の部分のみ開口して、熱反射板４３を設置できない範囲を最小限にすることが望ましい。このように、１つの遠赤外線ヒータ４１と基板Ｗ及び遠赤外線ヒータ４１を囲む熱反射板４３により、遠赤外線ヒータ４１からの遠赤外線の輻射を用いて、基板Ｗの両面を加熱する構成である。
　このようにして、加熱室４０Ｂは、遠赤外線ヒータ４１からの輻射と当該輻射の熱反射板４３での反射により、基板Ｗを両面から輻射加熱する構造となっている。そして、実施例１と同様に、両面から基板Ｗを加熱することにより、基板Ｗを高速（短時間）で加熱することができると共に、基板Ｗを均一に加熱することができる。その結果、基板Ｗの内部に温度差を発生させずに加熱することができ、熱応力による基板Ｗの変形、破損を回避することができる。
　又、このような構成の加熱室４０Ｂを用いて、成膜処理前に基板Ｗを予め加熱することにより、高い生産性が得られ、又、基板Ｗの温度を所定の温度以上として成膜開始するので、膜質の良い（膜密度が高く、エッチングレートの低い）保護膜が形成可能となる。
　本実施例の場合、基板Ｗの上面を輻射加熱する遠赤外線ヒータ４１を１つ設けた構成としているが、代わりに、基板Ｗの裏面を輻射加熱する遠赤外線ヒータ４２を１つ設けた構成としてもよい。いずれの場合でも、遠赤外線ヒータ４１又は遠赤外線ヒータ４２の反対側の面には、熱反射板４３が設置されているため、基板Ｗを十分に加熱することができる。又、１つのヒータでよいため、実施例１に示した加熱室４０Ａより低コスト、簡易、軽量な構成とすることができる。
　特に、小径の基板を載置する座繰り（凹部）を複数設けた構造のトレイを用いる場合、基板の裏面はトレイに面するので、実施例１の加熱室４０Ａのように両面から加熱する必要はなく、片面からの加熱、特に上面から加熱で十分であり、この場合、トレイを不用意に加熱することもなくなる。
（実施例４）
　図９は、実施例１で説明した作製装置１０における加熱室の更なる他の一例を示す概略図である。なお、本実施例において、図２に示した実施例１の加熱室４０Ａと同等の構成には同じ符号を付して説明を行う。
　本実施例の場合も、ロードロック２０から成膜室５０までの真空搬送経路の途中に加熱室４０Ｃを配置する。具体的には、実施例１と同様に、ゲート弁ｄ２を介して、搬送室３０の側面に加熱室４０Ｃを別途設けている。そして、成膜室５０での成膜の前に、予め、加熱室４０Ｃで基板Ｗを加熱し、その後、所定の温度以上に加熱された基板Ｗを成膜室５０へ搬送し、その基板Ｗ上に保護膜を成膜するようにしている。
　加熱室４０Ｃも、ゲート弁ｄ２により仕切られている。加熱室４０Ｃの内部は、真空（＜１Ｐａ）に排気可能であるが、本実施例の場合、加熱室４０Ｃにガスノズル４４（ガス供給手段）を設け、このガスノズル４４を用いて、不活性ガス又はＮ2を加熱室４０Ｃの内部に供給し、その真空度を、分子流領域の圧力より高い圧力、つまり、対流熱伝導が可能な圧力（例えば、対流がある１ｍＴｏｒｒ以上の圧力）としている。
　このような不活性ガス又はＮ2雰囲気の加熱室４０Ｃの内部において、基板Ｗは、支持ピン（図示省略）により支持されている。そして、図９に示すように、加熱室４０Ｃの底面側にヒータ４５が設けられており、このヒータ４５が、基板Ｗの裏面に近接して、非接触に配置されている。このヒータ４５は、実施例１と同様に、遠赤外線により輻射加熱するものでもよいが、本実施例の場合、雰囲気による対流熱伝導を利用しているので、ヒータ４５が３００℃程度の温度になるものであれば、どのようなヒータでもよい。又、実施例１の加熱室４０Ａのように、内壁を鏡面研磨したり、実施例２の加熱室４０Ｂのように、熱反射板４３を配置したりする必要もない。
　このようにして、加熱室４０Ｃは、基板Ｗを周囲から対流伝熱加熱する構造となっている。そして、周囲から基板Ｗを加熱することにより、基板Ｗを高速（短時間）で加熱することができると共に、基板Ｗを均一に加熱することができる。その結果、基板Ｗの内部に温度差を発生させずに加熱することができ、熱応力による基板Ｗの変形、破損を回避することができる。例えば、Ｎ2雰囲気、圧力１Ｔｏｒｒで加熱した場合、９０秒程度で２３０℃まで加熱することができた。又、このとき、ＩＴＯなどの透明導電膜の透過率（測定波長３８０～４８０ｎｍ）の低下も見られなかった。
　又、このような構成の加熱室４０Ｃを用いて、成膜処理前に基板Ｗを予め加熱することにより、高い生産性が得られ、又、基板Ｗの温度を所定の温度以上として成膜開始するので、膜質の良い（膜密度が高く、エッチングレートの低い）保護膜が形成可能となる。
　本実施例の場合、加熱室４０Ｃの底面側にヒータ４５を１つ設けているが、加熱室４０Ｃの天井側にヒータを１つ設けてもよい。いずれの場合でも、基板Ｗを周囲から対流伝熱加熱するので、基板Ｗを十分に加熱することができる。又、１つのヒータでよいため、実施例１に示した加熱室４０Ａより低コスト、簡易、軽量な構成とすることができる。
　特に、小径の基板を載置する座繰り（凹部）を複数設けた構造のトレイを用いる場合、基板の裏面はトレイに面するので、実施例１の加熱室４０Ａのように両面から加熱する必要はなく、片面からの加熱、特に上面から加熱で十分であり、この場合、トレイを不用意に加熱することもなくなる。
　又、小径の基板を保持する保持部を有する貫通孔を複数設けた構造のトレイを用いる場合、基板の裏面側に貫通孔があり、基板の裏面に対流熱伝導に利用する雰囲気が直接触れるので、小径の基板の裏面を効率的に対流伝熱加熱することができる。この場合も、実施例１の加熱室４０Ａのように両面から加熱する必要はなく、片面からの加熱、特に裏面から加熱でも十分である。
　本発明は、発光素子の保護膜の作製方法及び装置として好適なものである。
　３１　搬送ロボット
　４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ　加熱室
　４１、４２　遠赤外線ヒータ
　４３　熱反射板
　４４　ガスノズル
　４５　ヒータ
　５０　成膜室

Claims (12)

  1. 　サファイア基板上に形成された発光素子を保護する保護膜を作製する発光素子の保護膜の作製装置において、
    　前記サファイア基板を真空中で加熱する加熱室と、
    　前記加熱室で加熱された前記サファイア基板に、真空中でプラズマ処理を施すことにより、前記保護膜を成膜する成膜室と、
    　前記加熱室及び前記成膜室へ前記サファイア基板を真空搬送する搬送ロボットと、
    　前記加熱室、前記成膜室及び前記搬送ロボットを制御する制御手段とを有し
    　前記制御手段は、
    　前記加熱室を用いて、前記成膜室での成膜を行う前に、前記サファイア基板を所定の温度以上に加熱し、
    　前記搬送ロボットを用いて、所定の温度以上に加熱した前記サファイア基板を前記加熱室から前記成膜室へ搬送し、
    　前記成膜室を用いて、前記サファイア基板が当該成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、所定の温度以上に加熱した前記サファイア基板に、プラズマ処理を施すことにより、前記保護膜を成膜することを特徴とする発光素子の保護膜の作製装置。
  2. 　請求項１に記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
    　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面及び下面に近接して配置した２つの遠赤外線ヒータを有し、前記２つの遠赤外線ヒータからの輻射により、前記サファイア基板の上面及び下面を真空中で加熱するものであることを特徴とする発光素子の保護膜の作製装置。
  3. 　請求項１に記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
    　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面又は下面の一方に近接して配置した１つの遠赤外線ヒータと、前記サファイア基板と前記遠赤外線ヒータの周囲を囲み、かつ、層状に複数配置した熱反射板とを有し、前記１つの遠赤外線ヒータからの輻射と当該輻射の前記熱反射板での反射により、前記サファイア基板の上面及び下面を真空中で加熱するものであることを特徴とする発光素子の保護膜の作製装置。
  4. 　請求項１に記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
    　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面又は下面の一方に近接して配置した１つのヒータと、当該加熱室に不活性ガス又は窒素ガスを供給するガス供給手段とを有し、当該加熱室に前記不活性ガス又は前記窒素ガスを供給して、分子流領域の圧力より高い圧力とすると共に、前記不活性ガス又は前記窒素ガスの対流伝熱により、前記ヒータの温度を前記サファイア基板に伝熱して加熱するものであることを特徴とする発光素子の保護膜の作製装置。
  5. 　請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
    　前記成膜室は、複数枚の前記サファイア基板に連続的に成膜を行う場合、最初の前記サファイア基板が前記成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、最後の前記サファイア基板への成膜が終了するまで、前記プラズマを維持しておくものであることを特徴とする発光素子の保護膜の作製装置。
  6. 　請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の発光素子の保護膜の作製装置において、
    　前記成膜室は、複数枚の前記サファイア基板に連続的に成膜を行う場合、各々の前記サファイア基板が前記成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、各々の前記サファイア基板への成膜が終了するとき、前記プラズマを消灯するものであることを特徴とする発光素子の保護膜の作製装置。
  7. 　サファイア基板上に形成された発光素子を保護する保護膜を作製する発光素子の保護膜の作製方法において、
    　前記サファイア基板を真空中で加熱する加熱室と、
    　前記加熱室で加熱された前記サファイア基板に、真空中でプラズマ処理を施すことにより、前記保護膜を成膜する成膜室と、
    　前記加熱室及び前記成膜室へ前記サファイア基板を真空搬送する搬送ロボットとを用い、
    　前記成膜室での成膜を行う前に、前記加熱室で前記サファイア基板を所定の温度以上に加熱し、
    　前記搬送ロボットにより前記サファイア基板が搬送される前に、前記成膜室でプラズマを点灯しておき、
    　前記搬送ロボットにより所定の温度以上に加熱した前記サファイア基板を前記加熱室から前記成膜室へ搬送し、当該サファイア基板に、プラズマ処理を施すことにより、前記成膜室で前記保護膜を成膜することを特徴とする発光素子の保護膜の作製方法。
  8. 　請求項７に記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
    　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面及び下面に近接して配置した２つの遠赤外線ヒータを有し、前記２つの遠赤外線ヒータからの輻射により、前記サファイア基板の上面及び下面を真空中で加熱することを特徴とする発光素子の保護膜の作製方法。
  9. 　請求項７に記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
    　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面又は下面の一方に近接して配置した１つの遠赤外線ヒータと、前記サファイア基板と前記遠赤外線ヒータの周囲を囲み、かつ、層状に複数配置した熱反射板とを有し、前記１つの遠赤外線ヒータからの輻射と当該輻射の前記熱反射板での反射により、前記サファイア基板の上面及び下面を真空中で加熱することを特徴とする発光素子の保護膜の作製方法。
  10. 　請求項７に記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
    　前記加熱室は、前記サファイア基板の上面又は下面の一方に近接して配置した１つのヒータと、当該加熱室に不活性ガス又は窒素ガスを供給するガス供給手段とを有し、当該加熱室に前記不活性ガス又は前記窒素ガスを供給して、分子流領域の圧力より高い圧力とすると共に、前記不活性ガス又は前記窒素ガスの対流伝熱により、前記ヒータの温度を前記サファイア基板に伝熱して加熱することを特徴とする発光素子の保護膜の作製方法。
  11. 　請求項７から請求項１０のいずれか１つに記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
    　前記成膜室は、複数枚の前記サファイア基板に連続的に成膜を行う場合、最初の前記サファイア基板が前記成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、最後の前記サファイア基板への成膜が終了するまで、前記プラズマを維持しておくことを特徴とする発光素子の保護膜の作製方法。
  12. 　請求項７から請求項１０のいずれか１つに記載の発光素子の保護膜の作製方法において、
    　前記成膜室は、複数枚の前記サファイア基板に連続的に成膜を行う場合、各々の前記サファイア基板が前記成膜室へ搬送される前にプラズマを点灯しておき、各々の前記サファイア基板への成膜が終了するとき、前記プラズマを消灯することを特徴とする発光素子の保護膜の作製方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110616406A (zh) * 2018-11-29 2019-12-27 爱发科豪威光电薄膜科技(深圳)有限公司 磁控溅射镀膜机

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09307141A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
JP2008140872A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子、およびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6245692B1 (en) * 1999-11-23 2001-06-12 Agere Systems Guardian Corp. Method to selectively heat semiconductor wafers
EP1986224A4 (en) * 2006-02-16 2012-01-25 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US8034691B2 (en) * 2008-08-18 2011-10-11 Macronix International Co., Ltd. HDP-CVD process, filling-in process utilizing HDP-CVD, and HDP-CVD system
JP5648289B2 (ja) * 2010-01-14 2015-01-07 豊田合成株式会社 スパッタリング装置および半導体発光素子の製造方法
JP2011233784A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 半導体発光素子、半導体発光素子の保護膜及びその作製方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09307141A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
JP2008140872A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子、およびその製造方法

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