WO2013179862A1

WO2013179862A1 - フロートガラスの成形装置、及びフロートガラスの製造方法

Info

Publication number: WO2013179862A1
Application number: PCT/JP2013/062928
Authority: WO
Inventors: 伊賀　元一; 信之伴
Original assignee: 旭硝子株式会社
Priority date: 2012-05-28
Filing date: 2013-05-08
Publication date: 2013-12-05
Also published as: TW201350448A; KR20150022747A; JPWO2013179862A1; CN104245607A

Abstract

【解決手段】溶融スズを収容する浴槽を備え、前記溶融スズ上に連続的に供給される溶融ガラスを前記溶融スズ上で流動させて成形するフロートガラスの成形装置において、前記溶融スズの上面は、前記溶融ガラスで覆われていない露出部分を含み、該露出部分の上方の空間を複数の空間に仕切る仕切り壁が設けられており、該仕切り壁は、前記露出部分との間に空間を形成する天井部と、前記溶融ガラスの側縁の少なくとも一部に沿って前記露出部分の上方から前記溶融スズに挿入される側壁部とを含むフロートガラスの成形装置。

Description

フロートガラスの成形装置、及びフロートガラスの製造方法

　本発明は、フロートガラスの成形装置、及びフロートガラスの製造方法に関する。

　フロートガラスの成形装置は、溶融スズを収容する浴槽を備え、溶融スズ上に連続的に供給される溶融ガラスを溶融スズ上で流動させてガラスリボンに成形する。成形されたガラスリボンは、溶融スズから斜め上方に引き上げられ、徐冷炉に送られる。徐冷炉内で徐冷されたガラスリボンは、切断装置によって所定の寸法形状に切断され、製品である板ガラスが得られる。

　溶融スズの上方の空間は、溶融スズの酸化を防止するため、還元性ガスで満たされる。還元性ガスとしては、一般的に、窒素ガスと水素ガスとを含む混合ガスが用いられる。還元性ガスは、溶融スズと間隔をおいて配置される天井の孔から供給される。

　溶融スズの上方の空間は、溶融スズから揮発したスズ蒸気と、外部から混入した酸素とを僅かに含んでいる。スズ蒸気が酸化されると、酸化スズ粒子が生じ、酸化スズ粒子が溶融ガラスの上面に落下し、板ガラスの品質が損なわれることがある。

　そこで、板ガラスの品質向上等を目的として、溶融スズの上方の空間を複数の空間に仕切る隔壁を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。隔壁は、溶融スズの上面のうち溶融ガラスで覆われている部分と、溶融ガラスで覆われていない露出部分との境界に沿って形成される。溶融スズの露出部分から揮発したスズ蒸気の酸化によって生じる酸化スズ粒子は、露出部分に落下し、溶融ガラスの上面に落下しないので、板ガラスの品質が良くなる。

日本国特開昭５０－３４１４号公報

　溶融スズには、溶融スズの上方の空間に外部から混入した酸素が溶け込む。そのため、溶融スズは不純物として酸素を含んでおり、溶融スズの温度が低くなると、溶融スズ中に酸化スズ粒子が析出する。浴槽のサイド煉瓦は溶融スズよりも低温になるので、浴槽のサイド煉瓦付近で酸化スズ粒子が析出しやすい。酸化スズ粒子は、溶融スズよりも軽いので、溶融スズ上に浮上する。酸化スズ粒子が溶融ガラスの下面に付着することがあった。

　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、品質の良い板ガラスが得られるフロートガラスの成形装置の提供を目的とする。

　上記課題を解決するため、本発明の一態様によるフロートガラスの成形装置は、
　溶融スズを収容する浴槽を備え、前記溶融スズ上に連続的に供給される溶融ガラスを前記溶融スズ上で流動させて成形するフロートガラスの成形装置において、
　前記溶融スズの上面は、前記溶融ガラスで覆われていない露出部分を含み、
　該露出部分の上方の空間を複数の空間に仕切る仕切り壁が設けられており、
　該仕切り壁は、前記露出部分との間に空間を形成する天井部と、前記溶融ガラスの側縁の少なくとも一部に沿って前記露出部分の上方から前記溶融スズに挿入される側壁部とを含む。

　本発明によれば、品質の良い板ガラスが得られるフロートガラスの成形装置が提供される。

本発明の一実施形態によるフロートガラス製造装置の概略を示す断面図である。一実施形態による成形装置の詳細を示す断面図である。一実施形態による成形装置の下部構造を示す平面図である。図３のIV－IV断面図である。図４の変形例を示す断面図である。図４の別の変形例を示す断面図である。図３の変形例を示す平面図である。図４のさらに別の変形例を示す断面図である。

　以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、以下の図面において、同一のまたは対応する構成には、同一のまたは対応する符号を付して、説明を省略する。

　図１は、本発明の一実施形態によるフロートガラス製造装置の概略を示す断面図である。

　フロートガラス製造装置１００は、ガラス原料１０を溶解し溶融ガラス１２とする溶解装置２００と、溶解装置２００から供給される溶融ガラス１２を帯状に成形してガラスリボン１４とする成形装置３００と、成形装置３００で成形されたガラスリボン１４を徐冷する徐冷装置４００とを備える。

　溶解装置２００は、溶融ガラス１２を収容する溶解槽２１０と、溶解槽２１０内に収容される溶融ガラス１２の上方に火炎を形成するバーナ２２０とを備える。溶解槽２１０内に投入されたガラス原料１０は、バーナ２２０が形成する火炎からの輻射熱によって溶融ガラス１２に徐々に溶け込む。溶融ガラス１２は、溶解槽２１０から成形装置３００に連続的に供給される。

　成形装置３００は、溶融スズ３１０を収容する浴槽３２０を備える。成形装置３００は、溶融スズ３１０上に連続的に供給される溶融ガラス１２を溶融スズ３１０上で所定方向に流動させることにより帯状に成形し、ガラスリボン１４とする。ガラスリボン１４は、所定方向に流動しながら冷却され、浴槽３２０の下流域で溶融スズ３１０から引き上げられる。溶融スズ３１０から引き上げられたガラスリボン１４は、リフトアウトロール５１０によって徐冷装置４００に搬送される。

　徐冷装置４００は、成形装置３００で成形されたガラスリボン１４を徐冷する。徐冷装置４００は、例えば、断熱構造の徐冷炉（レア）４１０と、徐冷炉４１０内に配設され、ガラスリボン１４を所定方向に搬送する複数の搬送ロール４２０とを含む。徐冷炉４１０内の雰囲気温度は、徐冷炉４１０の入口から出口に向かうほど低温となっている。徐冷炉４１０内の雰囲気温度は、徐冷炉４１０内に設けられるヒータ４４０等で調整される。徐冷炉４１０の出口から搬出されたガラスリボン１４は、切断機で所定のサイズに切断され、製品である板ガラスが得られる。

　図２は、一実施形態による成形装置の詳細を示す断面図である。図３は、一実施形態による成形装置の下部構造を示す平面図である。図３において、Ｘ方向は溶融ガラスの流動方向と平行な方向、Ｙ方向は溶融ガラスの幅方向と平行な方向である。Ｘ方向及びＹ方向は互いに直交する。図４は、図３のIV－IV断面図である。

　成形装置３００は、図２及び図４に示すように、溶融スズ３１０を収容する浴槽３２０、浴槽３２０の外周上縁に沿って設置される環状の上部側壁３２４、及び上部側壁３２４の上側開口部を覆う天井３２６等で構成される。天井３２６には、天井３２６と、溶融スズ３１０や溶融ガラス１２との間に形成される空間（以下、「成形装置３００の上部空間」という）に還元性ガスを供給するガス供給路３３０（図２参照）が設けられている。また、ガス供給路３３０には、加熱源としてのヒータ３３２が挿通されている。

　ガス供給路３３０は、溶融スズ３１０の酸化を防止するため、成形装置３００の上部空間に還元性ガスを供給する。還元性ガスは、例えば、水素ガスを１体積％～１５体積％、窒素ガスを８５体積％～９９体積％含んでいる。

　成形装置３００の上部空間は、上部側壁３２４を構成する煉瓦同士の隙間等から大気が混入するのを制限するため、大気圧よりも高い気圧となっている。成形装置３００の上部空間に供給された還元性ガスは、上部側壁３２４に形成される排出口等から外部に放出される。

　ヒータ３３２は、溶融ガラス１２の温度分布を調節するため、例えば、溶融ガラス１２の流動方向（Ｘ方向）及び幅方向（Ｙ方向）に間隔をおいて複数設けられる。ヒータ３３２の出力は、上流側から下流に向かうほど溶融ガラス１２の温度が低くなるように制御される。また、ヒータ３３２の出力は、溶融ガラス１２の厚さが幅方向に均一になるように制御される。

　浴槽３２０は、上方に開放された箱状の金属ケース３２１、並びに金属ケース３２１内に設置されるボトム煉瓦３２２及びサイド煉瓦３２３で構成される。金属ケース３２１は、浴槽３２０内に側方や下方から大気が混入するのを防止する。複数のボトム煉瓦３２２は、２次元的に配列されており、環状に並ぶ複数のサイド煉瓦３２３で囲まれている。

　浴槽３２０内の溶融スズ３１０の上面は、図３に示すように、幅の広いワイド域Ｚ１と、幅が徐々に狭くなる中間域Ｚ２と、幅の狭いナロー域Ｚ３とを上流側からこの順で備える。ワイド域Ｚ１の温度は、アルカリ含有ガラスの場合、７００℃以上に設定される。また、ワイド域Ｚ１の温度は、無アルカリガラスの場合、９００℃以上に設定される。

　浴槽３２０内の溶融スズ３１０の上面は、図３及び図４に示すように、溶融ガラス１２で覆われていない露出部分３１１と、溶融ガラス１２で覆われている部分３１２（図４参照）とを含む。露出部分３１１は、図３に示すように溶融ガラス１２の幅方向両側にある。

　成形装置３００は、図３及び図４に示すように、露出部分３１１の上方空間３２７を複数の空間３２８、３２９（図４参照）に仕切る仕切り壁３４０、３５０をさらに備えている。仕切り壁３４０、３５０は、溶融ガラス１２の流れを妨げないように溶融ガラス１２から離間して配置され、溶融ガラス１２を挟んで対称に配置される。仕切り壁３４０、３５０は略同じ構造であるので、以下、代表的に一方の仕切り壁３４０について説明する。

　仕切り壁３４０は、図４に示すように、例えば下方に開放された箱形状であって、溶融スズ３１０の露出部分３１１の一部を覆っている。仕切り壁３４０は、溶融スズ３１０の露出部分３１１から揮発したスズ蒸気の拡散を抑制し、酸化スズ粒子の生成を低減する。また、仕切り壁３４０は、上部側壁３２４を構成する煉瓦同士の隙間等から混入した酸素ガスと溶融スズ３１０との接触を制限し、溶融スズ３１０中の酸素濃度の増加を抑制する。また、仕切り壁３４０は、溶融スズ３１０の上方から溶融スズ３１０に挿入されており、ヒータ３３２からの受熱を溶融スズ３１０に伝熱する。

　仕切り壁３４０は、溶融スズ３１０の露出部分３１１との間に空間３２８（以下、「処理空間３２８」ともいう）を形成する天井部３４１と、溶融ガラス１２の側縁の少なくとも一部に沿って形成される側壁部３４２とを含む。また、仕切り壁３４０は、側壁部３４２と略対向する対向壁部３４３と、処理空間３２８の上流側の開口部を閉塞する蓋部３４４と、処理空間３２８の下流側の開口部を閉塞する蓋部３４５とを含む。

　天井部３４１は、上部側壁３２４の上側開口部を覆う天井３２６から離間して配置され、浴槽３２０のサイド煉瓦３２３から浴槽３２０の内側に延びている。天井部３４１は、上方から落下する酸化スズ粒子３１４を受け止め、溶融スズ３１０の汚染を抑制する。

　天井部３４１と露出部分３１１との間に形成される空間３２８は、溶融スズ３１０を浄化処理するための処理空間であってよい。浄化処理は、詳しくは後述するが、溶融スズ３１０中の不純物である酸素を取り除く処理である。浄化処理は、溶融スズ３１０から揮発した酸化スズ蒸気から、酸素を含むガス（例えば水蒸気又は一酸化炭素ガス）とスズ液滴とを生成し、酸素を含むガスを処理空間３２８の外部に排出する処理を含む。

　側壁部３４２は、溶融ガラス１２の流動を妨げないように、溶融ガラス１２から離間して配置される。側壁部３４２は、溶融スズ３１０の上面の露出部分３１１に上方から挿入されている。側壁部３４２は、浴槽３２０内の溶融スズ３１０が対流によって均質になるように、浴槽３２０のボトム煉瓦３２２から離れていてよい。

　対向壁部３４３は、サイド煉瓦３２３の凹部に固定されている。対向壁部３４３は、露出部分３１１に上方から挿入されている。対向壁部３４３の溶融スズ３１０との接触面は、サイド煉瓦３２３の溶融スズ３１０との接触面と面一となっている。

　蓋部３４４、３４５は、露出部分３１１に上方から挿入されている。

　ところで、溶融スズ３１０には、成形装置３００の上部空間に外部から混入した酸素が溶け込む。そのため、溶融スズ３１０は不純物として酸素を含んでおり、溶融スズ３１０の温度が低くなると、酸化スズ粒子が析出する。浴槽３２０のサイド煉瓦３２３は溶融スズ３１０よりも低温になるので、浴槽３２０のサイド煉瓦３２３付近で酸化スズ粒子３１４が析出しやすい。酸化スズ粒子３１４は、溶融スズ３１０よりも軽いので、溶融スズ３１０上に浮上する。

　本実施形態では、側壁部３４２が、溶融ガラス１２の側縁の少なくとも一部に沿って形成されており、溶融スズ３１０の上面の露出部分３１１に上方から挿入されている。側壁部３４２は、溶融スズ３１０上に浮上した酸化スズ粒子を堰き止め、溶融ガラス１２の下面への回り込みを抑制する。よって、板ガラスの品質が良くなる。

　仕切り壁３４０には、処理空間３２８の外部から内部に還元性ガスを供給する供給口３４７が貫通形成される。供給口３４７に供給管３４６が接続されている。供給管３４６の還元性ガスは、例えば水素ガス（Ｈ_２）又はアセチレンガス（Ｃ_２Ｈ_２）を含む。アセチレンガスは、水素ガスよりも還元力が高く、浄化作用が強いので好ましい。供給管３４６の還元性ガスは、処理空間３２８の温度低下を防止するため、処理空間３２８に供給される前に温められた高温のガスであってもよく、供給管３４６にはバンドヒータが巻かれていてもよい。供給管３４６から処理空間３２８に供給された還元性ガスは、仕切り壁３４０に貫通形成される排気口を通り、排気口に接続される排気管３４８（図３参照）から成形装置３００の外部に排気されてよい。排気は、成形装置３００の外部と、処理空間３２８との気圧差を利用して行ってもよいし、排気管３４８に接続される真空ポンプなどの吸気源を用いて行ってもよい。供給口３４７および排気口の設置位置は、図示の位置に限定されない。

　供給管３４６の還元性ガスは、窒素ガス（Ｎ_２）等の不活性ガスを含む混合ガスであってもよく、この場合、アセチレンガスを含むことが好ましい。アセチレンガスは、水素ガスよりも比重が高く、不活性ガスとの比重差が小さいので、処理空間３２８の下方に行き渡りやすく、処理空間３２８の下方にある溶融スズ３１０の浄化に適している。尚、供給管３４６の還元性ガスは、コスト削減のため、ガス供給路３３０の還元性ガスと同じ種類のガスが使用されてもよい。

　供給管３４６の還元性ガス（例えばＨ_２）は、処理空間３２８内において、溶融スズ３１０から揮発した酸化スズ蒸気（ＳｎＯ）と反応し、スズ蒸気（Ｓｎ）と水蒸気（Ｈ_２Ｏ）とを生成する。処理空間３２８内のスズの蒸気量が飽和蒸気量を超えると、新たに生成したスズ蒸気はスズ液滴となり、浴槽３２０内の溶融スズ３１０上に落下する。溶融スズ３１０からの酸化スズ蒸気（ＳｎＯ）の揮発は、７００℃以上で生じやすく、８００℃以上で顕著であり、１０００℃以上で特に顕著である。

　また、供給管３４６から処理空間３２８に供給された還元性ガスは、溶融スズ３１０中の酸素と反応し、水蒸気を生成する。この水蒸気は、還元性ガスと共に排気管３４８から成形装置３００の外部に排気される。処理空間３２８の気圧は、残りの空間３２９の気圧よりも高く設定されてよい。残りの空間３２９に混入した酸素ガスの処理空間３２８への流入が制限される。

　供給管３４６から処理空間３２８に供給される還元性ガス中の水素ガス濃度（体積％）は、ガス供給路３３０から成形装置３００の上部空間に供給される還元性ガス中の水素ガス濃度（体積％）よりも高いことが好ましい。供給管３４６が設けられない場合に比べて、処理空間３２８の雰囲気の還元力が高くなる。供給管３４６から処理空間３２８に供給される還元性ガスは、実質的に水素ガスのみで構成されてもよく、９９体積％以上の水素ガス濃度を有してよい。供給管３４６から処理空間３２８に供給される還元性ガス中のアセチレンガス濃度（体積％）は、ガス供給路３３０から成形装置３００の上部空間３０４に供給される還元性ガス中の水素ガス濃度（体積％）よりも低くてもよい。供給管３４６が設けられない場合に比べて、処理空間３２８の雰囲気の還元力が高くなればよい。

　仕切り壁３４０は、溶融ガラス１２の流動方向（Ｘ方向）に沿って連続的に配置される複数のブロック３６１～３６８で構成されてよい。ブロック３６１～３６８毎の設置が可能であるので、設置作業が容易である。

　仕切り壁３４０は、カーボン（Ｃ）で形成されてよい。カーボンは、還元力を有し、酸素濃度の低い環境下で一酸化炭素ガス（ＣＯ）を生じさせる。例えば、カーボンは、処理空間３２８内の酸化スズ蒸気（ＳｎＯ）と反応し、スズ蒸気（Ｓｎ）と、一酸化炭素ガス（ＣＯ）とを生成する。処理空間３２８内のスズの蒸気量が飽和蒸気量を超えると、新たに生成したスズ蒸気はスズ液滴となり、浴槽３２０内の溶融スズ３１０上に落下する。また、カーボンは、溶融スズ３１０中の酸素と反応し、一酸化炭素ガスを生成する。この一酸化炭素ガスは、還元性ガスと共に排気管３４８を通って成形装置３００の外部に排気される。カーボンによる還元反応は、４５０℃以上で進みやすい。

　カーボンは、溶融ガラス１２との濡れ性がよいので、溶融ガラス１２の流れの変化によって溶融ガラス１２が仕切り壁３４０と接触した場合に、溶融ガラス１２の流れを妨げにくい。

　このようにして、処理空間３２８内で、溶融スズ３１０の酸素を取り除く（１）～（３）の浄化処理が行われる。（１）溶融スズ３１０から揮発した酸化スズ蒸気（ＳｎＯ）と還元性ガスとの反応によりスズ蒸気及び水蒸気が生じ、スズ蒸気から液化したスズ液滴が溶融スズ３１０に戻り、水蒸気が外部に排出される。（２）溶融スズ３１０中の酸素と還元性ガスとの反応により水蒸気が生じ、水蒸気が外部に排出される。（３）溶融スズ３１０から揮発した酸化スズ蒸気（ＳｎＯ）とカーボンとの反応によりスズ蒸気及び一酸化炭素ガスが生じ、スズ蒸気から液化したスズ液滴が溶融スズ３１０に戻り、一酸化炭素ガスが外部に排出される。尚、上記の（１）～（３）の浄化処理のうち、少なくともいずれか１つの浄化処理が行われればよく、全部の浄化処理が行われなくてもよい。

　ここで、仮に側壁部３４２が溶融スズ３１０に挿入されておらず、側壁部３４２と溶融スズ３１０との間に隙間が形成される場合、本実施形態の場合と比べて、処理空間３２８内に還元性ガスが貯まりにくく、上記（１）の浄化処理の効果、及び上記（２）の浄化処理の効果が得られにくい。また、溶融スズ３１０上に浮上した酸化スズ粒子を堰き止める効果が得られない。そこで、本実施形態では、側壁部３４２を溶融スズ３１０に挿入している。

　仕切り壁３４０のＸ方向寸法Ｌ１（図３参照）は、溶融スズ３１０のＸ方向寸法Ｌ２（図３参照）の５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。５０％以上であれば、溶融スズ３１０上に浮上した酸化スズ粒子を堰き止める効果が十分に得られる。尚、仕切り壁３４０のＸ方向寸法Ｌ１は、溶融スズ３１０のＸ方向寸法Ｌ２の１００％以下である。

　仕切り壁３４０のサイド煉瓦３２３から突出する部分のＹ方向寸法Ｙ１と、当該サイド煉瓦３２３と溶融ガラス３１０との間のＹ方向寸法Ｙ２との比（Ｙ１／Ｙ２）の平均値は１／２以上であることが好ましく、７／１０以上であることがより好ましい。また、上記比（Ｙ１／Ｙ２）の平均値は、９／１０以下であることが好ましい。

　仕切り壁３４０は、高温のワイド域Ｚ１に設けられてよい。ワイド域Ｚ１の温度は一般的に酸化スズ蒸気（ＳｎＯ）の揮発が始まる７００℃以上であるので、酸化スズ蒸気から、酸素を含むガス（例えば水蒸気又は一酸化炭素ガス）とスズ液滴とを生成する反応が進む。

　天井部３４１と、露出部分３１１との間の間隔Ｈ（図４参照）は、好ましくは２ｍｍ～３５ｍｍ、より好ましくは５ｍｍ～２５ｍｍ、さらに好ましくは５ｍｍ～１０ｍｍである。間隔Ｈが２ｍｍ以上であると、浄化処理のための還元性ガスの量を十分に確保できる。また、間隔Ｈが３５ｍｍ以下であると、処理空間３２８の換気効率が良く、また、仕切り壁３４０の剛性が良い。

　処理空間３２８の１時間当たりの換気回数は、少なすぎると浄化処理が十分に行われず、多すぎるとコストがかさむので、好ましくは３回～２０回、より好ましくは８回～１０回である。ここで、換気回数は、１時間の間に処理空間３２８に供給される還元性ガスの標準状態（１気圧、２５℃）での体積（Ｎｍ^３）と、処理空間３２８の体積との比で算出される。

　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

　例えば、上記実施形態の仕切り壁３４０には、供給管３４６及び排気管３４８が接続されているとしたが、接続されていなくてもよい。供給管３４６が接続されていなくても、少なくとも（１）溶融スズ３１０の露出部分３１１から揮発したスズ蒸気の拡散の抑制、（２）上部側壁３２４の隙間等から混入する酸素ガスと溶融スズ３１０との接触の制限、（３）溶融スズ３１０中で生じた酸化スズ粒子の溶融ガラスへの付着の制限を図ることができる。また、供給管３４６及び排気管３４８が接続されていなくても、例えば図７に示すように仕切り壁３４０に開口部３４９が穿設されていれば、仕切り壁３４０で仕切られた処理空間３２８と、残りの空間３２９との間で還元性ガスが往き来できるので、処理空間３２８内での還元性ガスによる浄化処理が行われる。開口部３４９は、仕切り壁３４０の天井部３４１に穿設されてよい。尚、開口部３４９の穿設位置は図示の位置に限定されない。また、仕切り壁３４０が多孔質であって通気性を有していれば、仕切り壁３４０に開口部が穿設されていなくてもよい。仕切り壁３４０に開口部３４９が穿設される場合、仕切り壁３４０が多孔質であって通気性を有している場合、仕切り壁３４０の内壁面の開口率は１％～１５％であることが好ましい。開口率が１％より小さいと、還元性ガスの往き来が不十分となる。開口率が１５％よりも大きいと、上部側壁３２４の隙間等から混入する酸素ガスが処理空間３２８内に入り込みやすく、上記（２）の効果が十分に得られない。

　また、仕切り壁３４０上には、仕切り壁３４０の焼失を抑制するため、例えば図８に示すように酸化防止膜３７１が形成されていてもよい。酸化防止膜３７１は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等のセラミックスで形成される。酸化防止膜３７１の形成方法としては、例えば溶射法等がある。酸化防止膜３７１は、仕切り壁３４０の表面全体を覆っていてよい。

　また、上記実施形態の仕切り壁３４０は、下方に開放された箱形状であって、対向壁部３４３でサイド煉瓦３２３に固定されているが、対向壁部３４３はなくてもよい。例えば、図５に示すように仕切り壁３４０Ａは、天井部３４１Ａでサイド煉瓦３２３に固定されていてもよい。また、図６に示すように仕切り壁３４０Ｂは、天井部３４１Ｂと溶融スズ３１０との間の間隔Ｈ（図４参照）を狭めるため、天井部３４１Ｂに段差が形成されている。

　本出願は、２０１２年５月２８日に日本国特許庁に出願された特願２０１２－１２１３４８号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１２－１２１３４８号の全内容を本国際出願に援用する。

１００　フロートガラス製造装置
２００　溶解装置
３００　成形装置
３１０　溶融スズ
３１１　露出部分
３２０　浴槽
３２７　空間（露出部分の上方の空間）
３２８　空間（処理空間）
３４０　仕切り壁
３４１　天井部
３４２　側壁部
３４６　供給管
３４８　排気管
３６１～３６８　ブロック
３７１　酸化防止膜
４００　徐冷装置

Claims

　溶融スズを収容する浴槽を備え、前記溶融スズ上に連続的に供給される溶融ガラスを前記溶融スズ上で流動させて成形するフロートガラスの成形装置において、
　前記溶融スズの上面は、前記溶融ガラスで覆われていない露出部分を含み、
　該露出部分の上方の空間を複数の空間に仕切る仕切り壁が設けられており、
　該仕切り壁は、前記露出部分との間に空間を形成する天井部と、前記溶融ガラスの側縁の少なくとも一部に沿って前記露出部分の上方から前記溶融スズに挿入される側壁部とを含むフロートガラスの成形装置。
　前記仕切り壁には、前記天井部と前記露出部分との間に形成される空間の外部から内部に還元性ガスを供給する供給管が接続されている請求項１に記載のフロートガラスの成形装置。
　前記仕切り壁には、前記天井部と前記露出部分との間に形成される空間のガスを前記成形装置の外部に排気する排気管が接続されている請求項１又は２に記載のフロートガラスの成形装置。
　前記還元性ガスは、水素ガス（Ｈ_２）を含む請求項２に記載のフロートガラスの成形装置。
　前記仕切り壁は、カーボンで形成されている請求項１～４のいずれか一項に記載のフロートガラスの成形装置。
　前記仕切り壁上には、酸化防止膜が形成されている請求項５に記載のフロートガラスの成形装置。
　前記仕切り壁は、多孔質であって通気性を有する、又は前記仕切り壁で仕切られる前記複数の空間を連通する開口部を有する請求項１～６のいずれか一項に記載のフロートガラスの成形装置。
　請求項１～７のいずれか一項に記載のフロートガラスの成形装置を用いて板ガラスを製造するフロートガラスの製造方法。