WO2013171863A1 - ダイボンダー装置 - Google Patents

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holding
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semiconductor element
wafer
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佳明 原
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上野精機株式会社
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    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases

Definitions

  • the present invention relates to a die bonder device that picks up a semiconductor element from a wafer, transfers it to a lead frame or a substrate, and mounts it.
  • the semiconductor elements separated from the wafer are sequentially taken out by a die bonder device. It is die-bonded to a lead frame or a substrate (hereinafter collectively referred to as a substrate).
  • the die bonder device includes a bonding head that moves the suction nozzle up and down and horizontally in a two-dimensional direction, and a substrate holding portion and a ring holder are disposed below the bonding head (see, for example, Patent Document 1).
  • the substrate holding part and the ring holder hold the substrate and the wafer ring, respectively.
  • the substrate holder and the ring holder have a substrate holding plane and a wafer ring holding plane parallel to a plane on which the suction nozzle moves horizontally.
  • This die bonder apparatus generally mounts a semiconductor element on a substrate through the following steps.
  • a semiconductor element pickup process is performed. That is, the suction nozzle is lowered from above the wafer ring, and the semiconductor element is sandwiched between the push-up pin and the suction nozzle that are present on the back side of the wafer ring. Then, after the semiconductor element is sucked by the suction nozzle, the semiconductor element is pushed up by the push-up pin while raising the suction nozzle.
  • the die bonder apparatus performs a semiconductor element movement process after the pickup process. That is, when the suction nozzle that sucks the semiconductor element is raised, the suction nozzle is moved two-dimensionally in the horizontal direction to be positioned on the mounting position of the substrate. The suction nozzle that sucks the semiconductor element is positioned on the mounting position of the substrate.
  • a semiconductor mounting process is performed. That is, the suction nozzle that sucks the semiconductor element is lowered, and the semiconductor element is pressed against the mounting location. An adhesive is applied in advance before the semiconductor element is pressed against the mounting location.
  • the wafer ring is moved horizontally to align the semiconductor element to be mounted next with the push-up pin.
  • the pick-up process from the wafer ring of the semiconductor element, the movement process of the semiconductor element, and the mounting process of the semiconductor element on the substrate are serially repeated in this time series. Further, the moving distance of the suction nozzle that sucks the semiconductor element changes according to the mounting location of the substrate.
  • a substrate holding part is arranged under the bonding head
  • a ring holder is arranged under the substrate holding part, and in order to minimize the horizontal movement of the suction nozzle, the substrate holding part and the ring holder are It is arranged overlapping.
  • the pick-up process, the semiconductor element moving process, and the mounting process are repeated at different timings in this chronological order. Therefore, in order to shorten the cycle time from picking up one semiconductor element to mounting it. There was a limit. This is because the cycle time can only be shortened by increasing the moving speed of the suction nozzle, and there is a limit to improving the moving speed.
  • the horizontal movement distance of the semiconductor element varies depending on the mounting location of the substrate. That is, when a semiconductor element is mounted at a mounting location away from the position of the push-up pin, the horizontal movement time of the semiconductor element becomes long. In particular, when the width of the substrate is increased, the horizontal movement time is significantly increased.
  • the substrate holder and the ring holder so as to overlap each other.
  • the raising / lowering distance of the suction nozzle for picking up the semiconductor element from the wafer ring extends by the thickness of the substrate holding part. That is, if the horizontal movement time is to be shortened, the lifting time for picking up the semiconductor element is extended.
  • the present invention has been proposed to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a die bonder device that can achieve higher-speed mounting processing.
  • a die bonder device for solving the above-described problems is a die bonder device that transfers a semiconductor element from a wafer ring to which a wafer made of a plurality of semiconductor elements is attached to the substrate and mounts the semiconductor element at each mounting location on the substrate.
  • a rotary type pickup means that rotates by a predetermined angle at the center of radiation, the pickup means interposed between the ring holder and the substrate transfer section, and a ring holding surface of the ring holder, the substrate transfer
  • the substrate holding surface of the part and the surface from which the holding part arranged in the pickup means extends are arranged so as to be orthogonal to each other,
  • the semiconductor device is picked up from the wafer by the holding portion facing the wafer ring by the rotation of the pickup means, and the semiconductor element is transferred to the substrate by the holding portion facing the substrate.
  • a ring moving mechanism for two-dimensional movement may be provided, and the semiconductor elements may be sequentially positioned in front of the push-up pin.
  • the substrate transport unit includes a substrate holding unit that two-dimensionally moves the substrate along its holding surface, and each mounting location of the substrate is sequentially positioned in front of the holding unit facing the substrate. Good.
  • the substrate transport unit further includes a conveyor unit that supplies the substrate to the substrate holding unit, and the conveyor unit moves differently from the substrate holding unit when the substrate holding unit is two-dimensionally moved.
  • the two-dimensional movement of the substrate holder may be made free.
  • the pick-up process for picking up the semiconductor element from the wafer ring and the mounting process for mounting the semiconductor element on the substrate are performed simultaneously, and high-speed mounting of the semiconductor element can be achieved.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a die bonder device 1 according to the present embodiment.
  • the die bonder apparatus 1 takes out the semiconductor element from the wafer ring R (see FIG. 11) to which the wafer is attached, transfers it to the substrate F, and mounts it.
  • the semiconductor element is, for example, an LED element.
  • the wafer is a disc in which individual pieces are arranged in an array by dicing, and each of the individual pieces is a semiconductor element.
  • substrate F is a lead frame, for example, and adhesives, such as a solder and a resin paste, are apply
  • the semiconductor element is mounted at each mounting location on the substrate F.
  • the die bonder device 1 includes a ring holder 2 that holds the wafer ring R, a substrate transfer device 3 that holds and transfers the substrate F, and a pickup device 4 that transfers semiconductor elements from the wafer ring R to the substrate F.
  • a rotary pickup device 4 is interposed between the ring holder 2 and the substrate transport device 3, and the ring holder 2, the substrate transport device 3, and the pickup device 4 are arranged so as to be orthogonal to each other.
  • the pick-up process for picking up the semiconductor element from the wafer ring R and the mounting process for mounting the semiconductor element on the substrate F are performed simultaneously.
  • the ring holder 2 has a ring holding surface so that the ring plane is perpendicular to the installation surface of the die bonder device 1 and holds the wafer ring R by leaning vertically.
  • the substrate transfer device 3 is provided so as to cross the lower end of the wafer ring held by the ring holder 2.
  • the substrate transport device 3 lays and holds the substrate F on a horizontal plane orthogonal to the ring holding surface and transports the substrate F in the horizontal direction as it is.
  • the pick-up apparatus 4 arrange
  • the pickup device 4 intermittently rotates the holding unit 41 by a predetermined angle around the radiation center, sucks the semiconductor element at the point A facing the wafer ring R, and separates the semiconductor element at the point B facing the substrate F.
  • FIG. 2 is a perspective view of the ring holder 2
  • FIG. 3 is a front view of the ring holder 2
  • FIG. 4 is a side view of the ring holder 2.
  • the ring holder 2 has a ring insertion portion 21 into which the wafer ring R is inserted on a vertical surface (hereinafter referred to as a front surface) with respect to the installation surface of the housing 10.
  • a ring moving mechanism 22 that allows the ring 10 to move along the front surface of the housing 10, a ring rotating mechanism 23 that rotates the ring insertion portion 21, a push-up pin 24 that is installed at a fixed point and pushes up the semiconductor element from the back side of the wafer ring R, It has.
  • the ring insertion portion 21 is composed of two donut plates 21a and 21b.
  • One donut plate 21 a is installed with its back face facing the front of the ring holder 2.
  • the other donut plate 21b is overlapped with the one donut plate 21a with a gap 21c.
  • the gap portion 21c is provided for inserting the wafer ring R.
  • the hole provided in the center of the donut plates 21a and 21b includes the entire wafer of the wafer ring R inserted into the gap portion 21c when the casing 10 of the ring holder 2 is viewed from the front.
  • the ring moving mechanism 22 includes a support plate 22a for fixing the donut plate 21a on the housing 10 side, and rails 22b and 22c.
  • a hole including the entire wafer of the wafer ring R inserted into the gap portion 21c is provided at the center of the support plate 22a.
  • the rails 22b and 22c are provided on the back surface of the support plate 22a.
  • the ring rotating unit 23 includes a timing pulley 23a fixed to the ring insertion unit 21, a belt 23b wound around the timing pulley 23a, and a motor 23c for running the belt 23b.
  • the timing pulley 23a has a ring shape that is concentric with the ring insertion portion 21, and a belt 23b is wound around the outer periphery thereof.
  • the ring rotating unit 23 rotates the motor 23c to cause the belt 23b to travel, and rotates the timing pulley 23a as the belt 23b travels.
  • the ring insertion portion 21 rotates in conjunction with the rotation of the timing pulley 23a.
  • the push-up pin 24 is a rod-like member that tapers toward the tip, and is installed in the housing 10 and protrudes toward the hole of the ring insertion portion 21.
  • the tip of the push-up pin 24 can be moved forward and backward along the extending direction by a drive mechanism, and at the time of forward movement, it advances until the sheet of the wafer ring R stretched by the expanding mechanism is pushed up.
  • FIG. 5 is a perspective view of the pickup device 4
  • FIG. 6 is a side view of the pickup device 4
  • FIG. 7 is a front view of the pickup device 4.
  • the pickup device 4 includes a plurality of holding portions 41.
  • the holding portions 41 extend radially outward from the periphery of the circular frame in the radial direction, and the holding portions 41 are located at equal circumferential positions.
  • the holding portion 41 extends so that a plane including the holding portion 41 is orthogonal to the installation plane of the ring insertion portion 21 and the plane passes through the tip of the push-up pin 24.
  • Each of the holding portions 41 holds the semiconductor element detachably at the tip.
  • 12 holding portions 41 extend radially.
  • Rotating shaft of the motor 42 is fitted in the radiation center of the holding part 41.
  • the holding part 41 is intermittently rotated by a certain angle in the circumferential direction by driving the motor 42.
  • the rotation angle of 1 pitch of the holding part 41 is equal to the installation angle with the adjacent holding part 41. Further, when the rotation of one pitch is stopped, any one of the holding portions 41 is located at a point B facing directly downward, and any one of the holding portions 41 is located at a point A facing right side, and the push-up pin 24 of the ring holder 2 is positioned. Facing each other. That is, 90 degrees is included in the integral multiple of the installation angle between the adjacent holding portions 41.
  • the holding unit 41 is a suction nozzle 41a.
  • the suction nozzle is pushed and pulled by a nozzle driving unit having an actuator 41b, a cam mechanism 41c, and a rod 41d.
  • the nozzle driving unit is provided on the back side of the holding unit 41 and at positions corresponding to the points A and B.
  • the suction nozzle 41a is a hollow pipe inside.
  • the inside of the pipe communicates with the pneumatic circuit of the vacuum generator through a tube.
  • the suction nozzle 41a sucks the semiconductor element by generating a negative pressure by the vacuum generator and releases the semiconductor element by vacuum break.
  • the actuator 41b is operated to push the rod 41d toward the suction nozzle 41a via the cam mechanism 41c, the suction nozzle 41a is pressed against the tip of the rod 41d at the rear end, and the tip of the nozzle protrudes. Move to.
  • the actuator 41b the contact between the suction nozzle 41a and the rod 41d is released, and the tip of the nozzle moves in a direction returning to the proximal end center side.
  • FIG. 8 is a perspective view of the substrate transfer apparatus 3.
  • the substrate transfer device 3 includes a pair of magazines 31 and 32 arranged on both sides of the ring holder 2 and a transfer line that bridges between the magazines 31 and 32 and passes directly below the pickup device 4. And.
  • One magazine 31 stores a plurality of substrates on which no semiconductor elements are mounted.
  • the other magazine 32 stores a substrate on which semiconductor elements are mounted.
  • the transfer line is composed of a conveyor unit 33 and a substrate holding unit 34.
  • the conveyor unit 33 and the substrate holding unit 34 are continuously arranged so as to fill the space between the magazines 31 and 32.
  • a magazine 31 for storing substrates on which no semiconductor elements are mounted, a conveyor unit 33, a substrate holding unit 34, and a magazine 32 for storing substrates on which semiconductor elements are mounted are arranged in this order.
  • the conveyor section 33 has two guide rails arranged in parallel, and has an endless belt inside each of the guide rails.
  • the conveyor unit 33 causes the belt to travel from one magazine 31 toward the substrate holding unit 34.
  • the conveyor unit 33 can be moved up and down by a drive mechanism (not shown) and matches the height of the substrate holding unit 34 at a predetermined height.
  • the length of the conveyor unit 33 is set so that the conveyor unit 33 and the substrate holding unit 34 are roughly connected when the height of the belt upper surface of the conveyor unit 33 matches the height of the mounting table of the substrate holding unit 34. ing.
  • the conveyor unit 33 is not limited to the belt conveyor system, and may convey two sheets simultaneously using a conveyance claw.
  • the substrate holding unit 34 is an XY stage having a width on which a single substrate F is placed, and is movable in a two-dimensional direction with a constant height by a driving mechanism (not shown).
  • the movable range of the substrate holder 34 is set so that each mounting location of the substrate held by the substrate holder 34 can pass directly under the holder 41 facing downward.
  • the conveyor unit 33 is raised in advance, and there is no physical contact between the substrate holding unit 34 and the conveyor unit 33.
  • the substrate holder 34 is provided with a position sensor for the substrate F and a positioning mechanism for the substrate F.
  • the position sensor outputs a detection signal when one substrate F transported by the conveyor unit 33 is located at a specified location.
  • the positioning mechanism is, for example, a hole that opens on the mounting surface and is connected to the vacuum generation device, and adsorbs the held substrate so that it is not misaligned.
  • the magazine 31 stores a plurality of substrates F on which no semiconductor elements are mounted.
  • the conveyor unit 33 runs the belt endlessly from the magazine 31 toward the substrate holding unit 34. As the belt travels, the substrate F1 stored in the magazine 31 is aligned and conveyed on the belt toward the substrate holder 34.
  • the conveyor unit 33 is moved to the raised position.
  • the conveyor unit 33 stops with the board F1 placed. During this stop, the adhesive is applied to the substrate F1 on the conveyor unit 33.
  • the conveyor unit 33 is configured so that the upper surface of the belt of the conveyor unit 33 and the height of the substrate holding unit 34 coincide with each other. 33 moves to the lowered position. After the alignment of the conveyor unit 33 and the substrate holding unit 34, by aligning and transporting the substrates F, one substrate F 1 that has been transferred to the conveyor unit 33 rides on the substrate holding unit 34, and the previous substrate F is transferred to the magazine 32. Extrude.
  • a sensor provided on the substrate holding unit 34 outputs a detection signal.
  • the conveyor unit 33 temporarily stops the alignment conveyance.
  • maintenance part 34 adsorb
  • the conveyor part 33 rises until there is no overlap in the thickness direction with the substrate holding part 34, as shown in FIG.
  • the two-dimensional movement of the substrate holding part 34 becomes free by the rise by the conveyor part 33.
  • a wafer ring R to which the wafer W is attached is vertically set in the ring holder 2 in advance.
  • the wafer ring R is inserted into a gap portion 21c between the two donut plates 21a and 21b of the ring insertion portion 21.
  • the ring moving mechanism 22 and the ring rotating unit 23 displace the wafer ring R in the vertical and horizontal directions and the ⁇ direction, and position the piece of semiconductor element D in front of the push-up pins 24.
  • the holding portion 41A located at the position A facing the push-up pin 24 picks up the semiconductor element D1 located in the front. That is, first, the suction nozzle 41a of the holding part 41A advances toward the semiconductor element D1 by the nozzle driving part and comes into contact with the semiconductor element D1. Note that the suction nozzle 41a may be advanced to the extent that the semiconductor element D1 is slightly pushed.
  • the suction nozzle 41a When the suction nozzle 41a is brought into contact with the semiconductor element D1, the push-up pin 24 is advanced toward the wafer ring R, and the semiconductor element D1 is sandwiched between the suction nozzle 41a and the push-up pin 24. At this time, the suction nozzle 41a sucks the sandwiched semiconductor element D1 by the generation of the negative pressure by the vacuum generator. Then, while the semiconductor element D1 is pushed up by the push-up pin 24, the suction nozzle 41a is moved backward while the semiconductor element D1 is sucked.
  • the pickup device 4 rotates the holding unit 41 one pitch at a time so that the new holding unit 41 faces the push-up pin 24. Move. In the figure, the holding portion 41A that has previously adsorbed the semiconductor element D1 moves toward the substrate holding portion 34 by one pitch, and the next holding portion 41B faces the push-up pin 24.
  • the ring moving mechanism 22 moves the ring insertion portion 21 along the rails 22b and 22c through the support plate 22a, thereby positioning the semiconductor element D2 to be picked up next in front of the push-up pin 24.
  • the holding portion 41 ⁇ / b> A holding the semiconductor element D ⁇ b> 1 is moved to a position directly below by the intermittent rotation by the pickup device 4 and faces the substrate F ⁇ b> 1 placed on the substrate holding portion 34.
  • the nozzle drive unit pushes out the suction nozzle 41a of the holding unit 41A, and the semiconductor element D1 sucked at the tip is pressed against the substrate F1 and joined to the substrate F1 by an adhesive.
  • the pickup device 4 rotates the holding portion 41 by one pitch and positions the new holding portion 41 directly below.
  • the holding portion 41A that has previously transferred the semiconductor element D1 to the substrate F1 moves again by one pitch toward the wafer ring R, and is positioned directly below so that one holding portion 41B faces the substrate F1.
  • maintenance part 34 moves the board
  • any one holding part 41 When one holding part 41 picks up the semiconductor element D from the wafer ring R, any one holding part 41 simultaneously mounts the semiconductor element D on the substrate F1.
  • the mounting process is performed at the same timing.
  • the intermittent rotation of the holding unit 41 after the pickup process and the intermittent rotation of the holding unit 41 after the mounting process are the same process.
  • the substrate holding part 34 When the semiconductor element D is completely mounted on the substrate F1, the substrate holding part 34 is returned to the original position. Furthermore, the conveyor part 33 descends until the height matches the board holding part 34. If the height of the conveyor part 33 and the board
  • the substrate F 1 that has been in the substrate holding unit 34 is pushed out by the substrate F that is about to newly ride on the substrate holding unit 34 and is stored in the magazine 32.
  • the pickup device 4 is interposed between the ring holder 2 and the substrate transfer device 3, and the ring holding surface of the ring holder 2 and the substrate holding device of the substrate transfer device 3.
  • the surface and the surface from which the holding portion 41 disposed in the pickup device 4 extends are arranged so as to be orthogonal to each other.
  • the wafer ring R is held vertically by the ring holder 2. Further, the substrate F is held and transported while lying on the horizontal plane perpendicular to the holding surface of the wafer ring R held by the ring holder 2 by the substrate transport device 3.
  • a rotary pickup device 4 is interposed between the ring holder 2 and the substrate transport device 3, and the pickup device 4 is held by the holding surface of the wafer ring R held by the ring holder 2 and the substrate transport device 3.
  • the holding portions 41 are arranged radially along a surface orthogonal to the holding surface of the substrate F thus formed.
  • the semiconductor element D is picked up from the wafer W by the holding part 41 facing the wafer ring R, and the semiconductor element D is transferred to the substrate F by the holding part 41 facing the substrate F.
  • the semiconductor element D was taken out from the wafer ring R held vertically, and the semiconductor element D was transferred to the surface of the laid substrate F.
  • the following merits can be achieved at the same time, and the mounting speed of the semiconductor element D can be dramatically increased. That is, first, a pick-up process for picking up the semiconductor element D from the wafer ring R and a mounting process for mounting the semiconductor element D on the substrate F can be performed simultaneously. Secondly, since the holding part 41 only needs to move the same movement distance in one direction at all times, the transport time of the semiconductor element D can be shortened as a whole. Third, since it is no longer necessary to overlap the installation area of the substrate holder 31 and the ring holder 2, even if a positioning mechanism for maintaining the position of the substrate F is provided, the movement distance of the holder 41 is not affected. . Fourth, since the ring holder 2, the substrate transfer device 3, and the pickup device 4 are arranged so as to be orthogonal to each other, the transfer distance of the semiconductor element D itself is reduced.
  • replacement of the substrate requires 1 second, and a minimum of 0.18 seconds and a maximum of 0. Since 22 seconds and an average of 0.2 seconds were required, it took 41 seconds in total.
  • replacement of the substrate F requires 6 seconds, but since it takes 0.1 second to mount one semiconductor element D, it is completed in a total of 26 seconds. .
  • the equipment size of the die bonder device 1 can be reduced by arranging the ring holder 2, the substrate transfer device 3, and the pickup device 4 so as to be orthogonal to each other.
  • the push-up pins 24 and the pickup devices 4 may be associated with each other in a plurality of rows, and a plurality of semiconductor elements D may be picked up and mounted simultaneously.
  • a mechanical clamping method may be adopted regardless of the adsorption method.
  • FIGS. 13 to 15 when the holding unit 41 is rotated 90 degrees, the rotation direction is defined so as to move from the wafer ring R to the substrate F1, but it may be rotated in the opposite direction.
  • a discarding unit for recognizing the posture of the semiconductor element by the camera while moving it at 270 degrees, correcting the holding position by the position correcting unit, and discarding the semiconductor element determined to be defective may be provided.
  • a heating mechanism may be disposed in the substrate holder 34. Even if this heating mechanism is arranged, conventionally, the thickness of the substrate holding part 34 is increased, and the amount of raising and lowering of the mechanism for holding the semiconductor element is increased. However, in the die bonder device according to this embodiment, the raising and lowering of the holding part 41 is performed. The amount does not increase and does not hinder the superiority in speeding up.

Abstract

　更に高速な実装処理を達成することのできるダイボンダー装置１を提供する。リングホルダ２はウェハリングＲを垂直に保持する。基板搬送装置３は、ウェハリングＲの保持面に直交する水平面上に基板Ｆを寝かして保持及び搬送する。ピックアップ装置４は、ロータリー方式であり、ウェハリングＲの保持面及び基板Ｆの保持面に直交する面に沿って保持部４１を放射状に配置し、保持部４１を放射中心で所定角度ずつ回転させる。ピックアップ装置４による回転により、ウェハリングＲと向かい合った保持部４１で半導体素子ＤをウェハＷから取り上げるとともに、基板Ｆと向かい合った保持部４１で半導体素子Ｄを基板Ｆに移送する。

Description

ダイボンダー装置
　本発明は、半導体素子をウェハからピックアップし、リードフレームや基板に移送して実装するダイボンダー装置に関する。
　従来、半導体の製造工程においては、ウェハをリングに貼り付けるマウンティング工程、半導体素子に分割個片化するダイシング工程を経た後、ダイボンダー装置によって、このウェハから個片化された半導体素子を順次取り出し、リードフレームや基板（以下、これらを纏めて基板という）にダイボンディングしている。
　ダイボンダー装置は、吸着ノズルを昇降及び２次元方向に水平移動させるボンディングヘッドを備え、その下方に基板保持部とリングホルダとを配置している（例えば、特許文献１参照。）。基板保持部とリングホルダは、それぞれ基板とウェハリングを保持している。基板保持部とリングホルダは、吸着ノズルが水平移動する平面と平行な基板の保持平面とウェハリングの保持平面を有する。
　このダイボンダー装置は、次のような工程を経て基板に半導体素子を実装することが一般的である。まず、半導体素子のピックアップ工程を行う。すなわち、ウェハリングの上方から吸着ノズルを下降させて、ウェハリングの裏面側に存在する突き上げピンと吸着ノズルとで半導体素子を挟み込む。そして、吸着ノズルで半導体素子を吸着した上で、該吸着ノズルを上昇させつつ、突上げピンで半導体素子を突き上げる。
　次に、ダイボンダー装置は、ピックアップ工程の後、半導体素子の移動工程を行う。すなわち、半導体素子を吸着した吸着ノズルを上昇させると、この吸着ノズルを水平方向に２次元移動させ、基板の実装箇所上に位置させる。半導体素子を吸着した吸着ノズルを基板の実装箇所上に位置させる。
　次に、半導体の実装工程を行う。すなわち、半導体素子を吸着した吸着ノズルを降下させ、実装箇所に半導体素子を押し付ける。半導体素子を実装箇所に押し付ける前には、予め接着剤が塗布されている。
　尚、基板に半導体素子を実装している間には、ウェハリングを水平移動させて、次に実装する半導体素子と突上げピンとの位置合わせを行っている。
　つまり、従来のダイボンダー装置では、半導体素子のウェハリングからのピックアップ工程、半導体素子の移動工程、半導体素子の基板への実装工程をこの時系列順にシリアルに繰り返している。また、基板の実装箇所に応じて、半導体素子を吸着した吸着ノズルの移動距離が変化する。また、一般的に、ボンディングヘッドの下に基板保持部が配置され、基板保持部の下にリングホルダが配置され、吸着ノズルの水平移動を極力短くするために、基板保持部とリングホルダとはオーバーラップして配置されている。
特開２００９－５９９６１公報
　従来のダイボンダー装置では、ピックアップ工程、半導体素子の移動工程、及び実装工程をこの時系列順に別タイミングで繰り返しているため、一個の半導体素子をピックアップしてから実装するまでのサイクルタイムの短縮には限界があった。サイクルタイムの短縮には吸着ノズルの移動速度を上げるしかなく、その移動速度の向上には限界が存在するためである。
　また、基板の実装箇所に応じて半導体素子の水平移動距離は異なる。すなわち、突上げピンの位置から離れた実装箇所に半導体素子を実装する場合には、半導体素子の水平移動時間が長くなってしまう。特に基板の幅が広くなると、水平移動時間が大幅に伸びてしまう。
　半導体素子の水平移動時間を短縮させるためには、基板保持部とリングホルダとをオーバーラップして配置することが考えられる。しかしながら、ウェハリングから半導体素子をピックアップするための吸着ノズルの昇降距離は、基板保持部の厚み分だけ延びてしまう。すなわち、水平移動時間を短縮しようとすると、半導体素子をピックアップするための昇降時間が延びてしまう。
　以上のように、従来のダイボンダー装置では、一個の半導体素子をピックアップしてから実装するまでの時間を短縮しようとする試みにも限界が生じており、更なる高速実装処理の実現が困難となっていた。
　本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたもので、更に高速な実装処理を達成することのできるダイボンダー装置を提供することを目的とする。
　上記のような課題を解決するためのダイボンダー装置は、複数の半導体素子からなるウェハが貼り付けられたウェハリングから当該半導体素子を基板に移送して当該基板上の各実装箇所に実装するダイボンダー装置であって、前記ウェハリングを保持するリングホルダと、前記基板を寝かして保持及び搬送する基板搬送部と、前記半導体素子を着脱可能な保持部を放射状に配置して構成され、当該保持部を放射中心で所定角度ずつ回転させるロータリー方式のピックアップ手段と、を備え、前記ピックアップ手段は、前記リングホルダと前記基板搬送部との間に介在し、且つ前記リングホルダのリング保持面、前記基板搬送部の基板保持面、及び前記ピックアップ手段に配置される前記保持部が延びる面が互いに直交するように配置され、前記ピックアップ手段による回転により、前記ウェハリングと向かい合った前記保持部で前記半導体素子を前記ウェハから取り上げるとともに、前記基板と向かい合った前記保持部で前記半導体素子を前記基板に移送すること、を特徴とする。
　前記ウェハリングと向かい合った前記保持部と対向する位置に設けられ、前記ウェハリングから一片の半導体素子を突き上げる突上げピンを更に備え、前記リングホルダは、前記ウェハリングを其の保持面に沿って２次元移動させるリング移動機構を備え、前記突上げピンの正面に各半導体素子を順次位置させるようにしてもよい。
　前記基板搬送部は、前記基板を其の保持面に沿って２次元移動させる基板保持部を備え、前記基板と向かい合う前記保持部の正面に前記基板の各実装箇所を順次位置させるようにしてもよい。
　前記基板搬送部は、前記基板保持部に対して前記基板を供給するコンベア部を更に備え、前記コンベア部は、前記基板保持部の２次元移動時には前記基板保持部と高さを違えるように移動し、前記基板保持部の２次元移動を自由にするようにしてもよい。
　本発明によれば、ウェハリングから半導体素子を取り上げるピックアップ工程と基板に半導体素子を実装する実装工程とが同時に行われることになり、半導体素子の高速実装を達成することができる。
本実施形態に係るダイボンダー装置の全体構成を示す斜視図である。 リングホルダの斜視図である。 リングホルダの正面図である。 リングホルダの側面図である。 ピックアップ装置の斜視図である。 ピックアップ装置の側面図である。 ピックアップ装置の正面図である。 基板搬送装置の斜視図である。 基板搬送装置による基板の搬送過程を示す図である。 コンベア部の移動動作を示す正面図である。 リングホルダにウェハリングが保持されている状態を示す斜視図（ａ）及び突上げピンが見えるように破断した正面図（ｂ）である。 半導体素子の取り上げを示す側面図である。 保持部の回転を示す側面図である。 半導体素子の実装を示す側面図である。 保持部の更なる回転を示す側面図である。
　（全体構成）
　以下、本発明に係るダイボンダー装置の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
　図１は、本実施形態に係るダイボンダー装置１の全体構成を示す斜視図である。ダイボンダー装置１は、ウェハが貼り付けられたウェハリングＲ（図１１参照）から半導体素子を取り出して基板Ｆに移送して実装する。半導体素子は、例えばＬＥＤ素子等である。ウェハは、ダイシングされることで其の個片がアレイ状に並べられた円板であり、個片のそれぞれが半導体素子である。基板Ｆは、例えばリードフレームであり、予め、はんだや樹脂ペースト等の接着剤が塗布されている。半導体素子は基板Ｆ上の各実装箇所に実装される。
　このダイボンダー装置１は、ウェハリングＲを保持するリングホルダ２と、基板Ｆを保持及び搬送する基板搬送装置３と、半導体素子をウェハリングＲから基板Ｆに移送するピックアップ装置４とを備える。このダイボンダー装置１では、リングホルダ２と基板搬送装置３との間にロータリー方式のピックアップ装置４が介在し、且つリングホルダ２と基板搬送装置３とピックアップ装置４とが互いに直交するように配置したため、ウェハリングＲから半導体素子を取り上げるピックアップ工程と基板Ｆに半導体素子を実装する実装工程とが同時に行われる。
　すなわち、リングホルダ２は、ダイボンダー装置１の設置面に対してリング平面が垂直になるようにリング保持面を有し、ウェハリングＲを垂直に立て掛けて保持する。また、基板搬送装置３は、リングホルダ２に保持されているウェハリングの下端部を横切るように設けられている。この基板搬送装置３は、リング保持面に直交する水平面に基板Ｆを寝かして保持し、そのまま水平方向に搬送する。
　そして、ピックアップ装置４は、半導体素子を着脱可能な保持部４１を放射状に配置しており、保持部４１は、リング保持面及び基板保持面に直交する面に沿って放射状に配置されている。ピックアップ装置４は、保持部４１を放射中心で所定角度ずつ間欠回転させ、ウェハリングＲと向かい合う地点Ａで半導体素子を吸着させ、基板Ｆと向かい合う地点Ｂで半導体素子を離脱させる。
　（ウェハ保持装置）
　図２は、リングホルダ２の斜視図、図３は、リングホルダ２の正面図、図４は、リングホルダ２の側面図である。
　図２乃至４に示すように、リングホルダ２は、ウェハリングＲが挿入されるリング挿入部２１を筐体１０の設置面に対する垂直面（以下、正面という）に有し、またリング挿入部２１を筐体１０の正面に沿って可動にするリング移動機構２２と、リング挿入部２１を回転させるリング回転機構２３と、定点設置されてウェハリングＲの裏側から半導体素子を突き上げる突上げピン２４とを備えている。
　リング挿入部２１は、２枚のドーナツ板２１ａ、２１ｂで構成されている。一方のドーナツ板２１ａは、その背面がリングホルダ２の正面に向かい合わせて設置されている。他方のドーナツ板２１ｂは、その一方のドーナツ板２１ａと隙間部２１ｃを設けて重ね合わせられている。隙間部２１ｃは、ウェハリングＲを挿入するために設けられている。ドーナツ板２１ａ、２１ｂの中心に設けられた穴は、リングホルダ２の筐体１０を正面から見ると、隙間部２１ｃに挿入されたウェハリングＲのウェハ全体を包含している。
　リング移動機構２２は、筐体１０側のドーナツ板２１ａを固定する支持板２２ａとレール２２ｂ、２２ｃとを有する。支持板２２ａの中心には、リングホルダ２の筐体１０を正面から見ると、隙間部２１ｃに挿入されたウェハリングＲのウェハ全体を包含する穴が設けられている。レール２２ｂ、２２ｃは、支持板２２ａの背面に設けられている。レール２２ｂ、２２ｃは２種類存在し、リングホルダ２の筐体１０の正面の横方向及び縦方向に沿って延びている。支持板２２ａがレール２２ｂ、２２ｃに沿って摺動すると、支持板２２ａに固定されたリング挿入部２１は、筐体１０の正面との平行面上を２次元移動する。
　リング回転部２３は、リング挿入部２１に固定されたタイミングプーリ２３ａと、タイミングプーリ２３ａに巻回するベルト２３ｂと、ベルト２３ｂを走行させるモータ２３ｃとを備えている。タイミングプーリ２３ａは、リング挿入部２１と同心円のリング形状を有し、外周にベルト２３ｂが巻き付けられている。このリング回転部２３は、モータ２３ｃを回転させることで、ベルト２３ｂを走行させ、ベルト２３ｂの走行に伴ってタイミングプーリ２３ａを回転させる。リング挿入部２１は、タイミングプーリ２３ａの回転に連動して回転する。
　突上げピン２４は、先端に行くに従って先細りした棒状部材であり、筐体１０に設置されてリング挿入部２１の穴に向けて突き出している。この突上げピン２４の先端は、駆動機構によって延び方向に沿って前進及び後退が可能となっており、前進時には、エキスパンド機構によって張られたウェハリングＲのシートを押し上げるまで前進する。
　（ピックアップ装置）
　図５は、ピックアップ装置４の斜視図、図６は、ピックアップ装置４の側面図、図７は、ピックアップ装置４の正面図である。
　図５乃至７に示すように、ピックアップ装置４は、複数の保持部４１を備えている。保持部４１は、円形フレームの周縁から外方へ半径方向に放射状に延び、各保持部４１は円周等配位置になっている。また、保持部４１は、当該保持部４１を含む平面がリング挿入部２１の設置平面と直交し、且つ該平面が突上げピン２４の先端を通るように延びている。この保持部４１は、それぞれ半導体素子を先端で着脱可能に保持し、例えば１２本の保持部４１が放射状に延びている。
　保持部４１の放射中心には、モータ４２の回転軸が嵌め込まれている。保持部４１は、モータ４２の駆動によって円周方向に一定角度ずつ間欠的に回動する。保持部４１の１ピッチの回転角度は、隣り合う保持部４１との設置角度に等しい。また、１ピッチの回動停止時には、何れかの保持部４１が真下に向く地点Ｂに位置し、何れかの保持部４１が真横に向く地点Ａに位置してリングホルダ２の突上げピン２４と向かい合う。すなわち、隣り合う保持部４１との設置角度の整数倍には、９０度が含まれる。
　図７に示すように、例えば、保持部４１は、吸着ノズル４１ａである。この吸着ノズルは、アクチュエータ４１ｂとカム機構４１ｃとロッド４１ｄを有するノズル駆動部によって押し引きされる。ノズル駆動部は、保持部４１の裏側であって地点Ａ及びＢに対応する位置に設けられている。
　吸着ノズル４１ａは、内部が中空のパイプである。パイプ内部は、真空発生装置の空気圧回路とチューブを介して連通している。この吸着ノズル４１ａは、真空発生装置による負圧の発生によって半導体素子を吸着し、真空破壊によって半導体素子を離脱させる。また、アクチュエータ４１ｂを作動させてカム機構４１ｃを介してロッド４１ｄを吸着ノズル４１ａに向けて押し出すと、吸着ノズル４１ａは、後端でロッド４１ｄの先端と当接して押圧され、ノズル先端が飛び出す方向に移動する。アクチュエータ４１ｂによりロッド４１ｄが引き込まれると、吸着ノズル４１ａとロッド４１ｄとの当接は解除され、ノズル先端は基端中心側へ戻る方向に移動する。
　（基板搬送装置）
　図８は、基板搬送装置３の斜視図である。図８に示すように、基板搬送装置３は、リングホルダ２の両脇に配置された一対のマガジン３１、３２と、マガジン３１、３２間を架橋し、ピックアップ装置４の真下を通過する搬送ラインとを備えている。一方のマガジン３１には半導体素子が未実装の基板が複数重ねて収納される。他方のマガジン３２には半導体素子が実装済みの基板が収納される。
　搬送ラインは、コンベア部３３と基板保持部３４とから構成される。コンベア部３３と基板保持部３４は、マガジン３１、３２間を埋めるように連続して配置される。半導体素子が未実装の基板を収納するマガジン３１、コンベア部３３、基板保持部３４、及び半導体素子を実装済みの基板が収納されるマガジン３２がこの順番で連接して配置される。
　コンベア部３３は、２本のガイドレールを平行に配し、両ガイドレールの内側に無端状のベルトを備えている。このコンベア部３３は、一方のマガジン３１から基板保持部３４に向けてベルトを走行させる。このコンベア部３３は、図示しない駆動機構によって上下動が可能となっており、所定の高さで基板保持部３４の高さと合致する。コンベア部３３のベルト上面の高さと基板保持部３４の載置台の高さとが合致したときには、コンベア部３３と基板保持部３４とが概略接続されるように、コンベア部３３の長さが設定されている。尚、コンベア部３３は、ベルトコンベア方式に限らず、搬送爪による２枚同時搬送を行うようにしてもよい。
　基板保持部３４は、一枚の基板Ｆが載置される広さのＸＹステージであり、図示しない駆動機構によって高さ一定の２次元方向に移動可能となっている。基板保持部３４の移動可能範囲は、基板保持部３４に保持された基板の各実装箇所が真下に向いた保持部４１の直下を通れるように設定されている。基板保持部３４の２次元移動の際には、コンベア部３３は予め上昇し、基板保持部３４とコンベア部３３との物理的接触がない状態となっている。
　この基板保持部３４には、基板Ｆの位置センサと、基板Ｆの位置決め機構が設けられている。位置センサは、コンベア部３３によって搬送された一枚の基板Ｆが規定箇所に位置している場合に検知信号を出力する。位置決め機構は、例えば、載置面に開口し、真空発生装置に繋がった穴であり、保持している基板が位置ズレしないように吸着している。
　（動作）
　このダイボンダー装置１の動作を説明する。まず、図９に示すように、マガジン３１には半導体素子が未実装の基板Ｆが複数収納されている。コンベア部３３は、マガジン３１から基板保持部３４に向けてベルトを無端状に走行させる。ベルトの走行により、マガジン３１に収納されていた基板Ｆ１は、基板保持部３４に向けてベルト上を整列搬送される。
　図９の（ａ）に示すように、基板搬送時において、マガジン３１からコンベア部３３へ基板Ｆ１を移載するときには、コンベア部３３は上昇位置に移動している。前の基板Ｆが実装中の場合には、コンベア部３３は基板Ｆ１を載せたまま停止する。この停止中には、コンベア部３３上の基板Ｆ１に対する接着剤の塗布が行われる。
　図９の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、前の基板Ｆに対する半導体素子の実装が終了すると、コンベア部３３のベルト上面と基板保持部３４の高さが合致するように、コンベア部３３は降下位置に移動する。コンベア部３３と基板保持部３４の位置合わせ後、基板Ｆの整列搬送により、コンベア部３３に移載されていた一枚の基板Ｆ１が基板保持部３４に乗り上げ、前の基板Ｆをマガジン３２へ押し出す。
　図９の（ｃ）に示すように、基板Ｆ１が基板保持部３４上の規定箇所に位置すると、基板保持部３４に設けられたセンサが検出信号を出力する。この検出信号を受けて、コンベア部３３は整列搬送を一時停止する。基板保持部３４に乗り上げた基板Ｆ１は、位置決め機構による負圧によって載置面に吸着し、規定位置を維持する。
　基板Ｆ１が基板保持部３４に保持されると、図１０に示すように、コンベア部３３は、基板保持部３４との厚み方向の重なりがなくなるまで上昇する。このコンベア部３３による上昇によって、基板保持部３４の２次元移動は自由になる。
　一方、図１１の（ａ）及び（ｂ）に示すように、リングホルダ２には、ウェハＷが貼り付けられたウェハリングＲを縦にして予めセットしておく。ウェハリングＲは、リング挿入部２１の２枚のドーナツ板２１ａ、２１ｂの間の隙間部２１ｃに挿入される。ウェハリングＲが支持されると、リング移動機構２２とリング回転部２３は、ウェハリングＲを上下左右及びθ方向に変位させて、突上げピン２４の正面に一片の半導体素子Ｄを位置させる。
　ウェハリングＲの位置合わせが終了すると、図１２に示すように、突上げピン２４と向かい合う位置Ａに位置している保持部４１Ａが正面に位置する半導体素子Ｄ１を取り上げる。すなわち、まず、保持部４１Ａの吸着ノズル４１ａは、ノズル駆動部によって半導体素子Ｄ１に向けて進出して半導体素子Ｄ１と当接する。尚、吸着ノズル４１ａで半導体素子Ｄ１を若干押し込む程度まで進出させてもよい。
　吸着ノズル４１ａを半導体素子Ｄ１に当接させると、突上げピン２４をウェハリングＲに向けて前進させ、半導体素子Ｄ１を吸着ノズル４１ａと突上げピン２４とで挟み込む。このとき、吸着ノズル４１ａは、真空発生装置による負圧の発生によって、挟み込まれた半導体素子Ｄ１を吸着する。そして、突上げピン２４で半導体素子Ｄ１を突き上げつつ、半導体素子Ｄ１を吸着させたまま吸着ノズル４１ａを後退させる。
　図１３に示すように、ピックアップ装置４は、保持部４１が半導体素子Ｄを吸着する度に、保持部４１を１ピッチずつ回転させて、新たな保持部４１を突上げピン２４と向かい合う位置に移動させる。図中においては、先に半導体素子Ｄ１を吸着した保持部４１Ａが１ピッチ分だけ基板保持部３４側へ向かい、一つ後段の保持部４１Ｂが突上げピン２４と向かい合う。
　また、リング移動機構２２は、支持板２２ａを介してリング挿入部２１をレール２２ｂ、２２ｃに沿って移動させることで、次に取り上げられる半導体素子Ｄ２を突上げピン２４の正面に位置させる。
　図１４に示すように、ピックアップ装置４による間欠回転によって、半導体素子Ｄ１を保持した保持部４１Ａは、真下に向く位置に移動し、基板保持部３４に載置された基板Ｆ１と向かい合う。ノズル駆動部は、保持部４１Ａの吸着ノズル４１ａを押し出し、先端に吸着されている半導体素子Ｄ１は、基板Ｆ１に押し付けられ、接着剤によって基板Ｆ１と接合する。
　このように、ピックアップ装置４は、半導体素子Ｄの基板Ｆ１への実装が終了する度に、保持部４１を１ピッチ回転させて、新たな保持部４１を真下に位置させる。図１５においては、先に半導体素子Ｄ１を基板Ｆ１に移送した保持部４１Ａが再びウェハリングＲへ向けて１ピッチ分移動し、一つ後段の保持部４１Ｂが基板Ｆ１に向かい合うように真下に位置する。このとき、基板保持部３４は、次に実装される半導体素子Ｄ２の実装箇所が保持部４１Ｂの真下に位置するように、基板Ｆ１を移動させる。
　尚、一本の保持部４１がウェハリングＲから半導体素子Ｄを取り上げているときには、同時に他の何れか一本の保持部４１が基板Ｆ１に半導体素子Ｄを実装しているので、ピックアップ工程と実装工程とは同一タイミングで行われることになる。そして、ピックアップ工程後の保持部４１の間欠回転と実装工程後の保持部４１の間欠回転とは同じ工程である。
　半導体素子Ｄを基板Ｆ１に実装し終えると、基板保持部３４は元の位置に戻される。更に、コンベア部３３は基板保持部３４と高さが合致するまで下降する。コンベア部３３と基板保持部３４の高さが一致すると、コンベア部３３はベルトの走行を再開させる。基板保持部３４にあった基板Ｆ１は、新たに基板保持部３４に乗り上げようとする基板Ｆによって押し出されて、マガジン３２に収納される。
　（作用効果）
　このように、本実施形態に係るダイボンダー装置１では、ピックアップ装置４は、リングホルダ２と基板搬送装置３との間に介在し、且つリングホルダ２のリング保持面、基板搬送装置３の基板保持面、及びピックアップ装置４に配置される保持部４１が延びる面が互いに直交するように配置されるようにした。
　すなわち、ウェハリングＲは、リングホルダ２によって垂直に保持される。また、基板Ｆは、基板搬送装置３によってリングホルダ２に保持されたウェハリングＲの保持面に直交する水平面上に基板Ｆを寝かして保持及び搬送される。そして、ロータリー方式のピックアップ装置４をリングホルダ２と基板搬送装置３との間に介在させ、このピックアップ装置４は、リングホルダ２に保持されたウェハリングＲの保持面及び基板搬送装置３に保持された基板Ｆの保持面に直交する面に沿って保持部４１を放射状に配置する。
　そして、ピックアップ装置４による回転により、ウェハリングＲと向かい合った保持部４１で半導体素子ＤをウェハＷから取り上げるとともに、基板Ｆと向かい合った保持部４１で半導体素子Ｄを基板Ｆに移送する。垂直に保持されたウェハリングＲから半導体素子Ｄを取り出して、寝かされた基板Ｆの表面に当該半導体素子Ｄを移送するようにした。
　これにより、以下のメリットを同時に達成することができ、半導体素子Ｄの実装を飛躍的に高速化できる。すなわち、第１に、ウェハリングＲから半導体素子Ｄを取り上げるピックアップ工程と基板Ｆに半導体素子Ｄを実装する実装工程とを同時に行うことができる。第２に、保持部４１は常に一方向に同一移動距離だけ移動すればよいために半導体素子Ｄの搬送時間を全体的に短縮することができる。第３に、基板保持部３１とリングホルダ２の設置領域をオーバーラップさせて配置する必要はなくなったため、基板Ｆの位置を保つ位置決め機構を設けても、保持部４１の移動距離に影響はない。第４に、リングホルダ２と基板搬送装置３とピックアップ装置４とがそれぞれの設置面に対して互いに直交するように配置するために、半導体素子Ｄの搬送距離自体が縮まる。
　例えば、一枚の基板上に２００個の半導体素子Ｄを実装する場合、従来は基板の入れ替えに１秒必要とし、一枚の半導体素子Ｄを実装するのに最小０．１８秒、最大０．２２秒、平均０．２秒必要とするため、合計４１秒かかっていた。しかしながら、本実施形態のダイボンダー装置１によると、基板Ｆの入れ替えには６秒必要とするが、一枚の半導体素子Ｄを実装するのに０．１秒で済むため、合計２６秒で完了する。
　尚、基板保持部３４とリングホルダ２の設置領域をオーバーラップさせて配置する必要がなくなることは、基板保持部３４の厚みを十分に確保できるという利点に繋がり、高剛性の基板保持が可能となる上、基板Ｆの位置を保つ位置決めや実装時の加熱等を行い易い基板搬送系が実現できる。
　また、リングホルダ２と基板搬送装置３とピックアップ装置４とがそれぞれの設置面に対して互いに直交するように配置したことにより、ダイボンダー装置１の設備サイズを小さくすることもできる。
　（他の実施形態）
　以上のように本発明の実施形態を説明したが、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。そして、この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
　例えば、突上げピン２４とピックアップ装置４とを対応づけて複数列配するようにし、半導体素子Ｄのピックアップ及び実装を複数同時に行うようにしてもよい。また、保持部４１の半導体素子を保持する機構としては、吸着方式によらず、機械的なクランプ方式を採用しても良い。また、図１３乃至１５においては、保持部４１を９０度回転させると、ウェハリングＲから基板Ｆ１へ移動するように回転方向を規定しているが、逆方向に回転させるようにしてもよく、２７０度移動させる間にカメラによって半導体素子の姿勢を認識し、位置補正手段によって保持位置を補正し、製品不良と判断された半導体素子を廃棄する廃棄手段を設けるようにしても良い。
　また、共晶接合等の加熱が必要な接合プロセスを採用する場合には、基板保持部３４に加熱機構を配置してもよい。この加熱機構を配置しても、従来は、基板保持部３４の厚みが増え、半導体素子を保持する機構の昇降量が増えてしまうが、この実施形態に係るダイボンダー装置では、保持部４１の昇降量が増えることはなく、高速化における優位性を阻害することはない。
１　ダイボンダー装置
１０　筐体
２　リングホルダ
２１　リング挿入部
２１ａ　ドーナツ板
２１ｂ　ドーナツ板
２１ｃ　隙間部
２２　リング移動機構
２２ａ　支持板
２２ｂ　レール
２２ｃ　レール
２３　リング回転部
２３ａ　タイミングプーリ
２３ｂ　ベルト
２３ｃ　モータ
２４　突上げピン
３　基板搬送装置
３１　マガジン
３２　マガジン
３３　コンベア部
３４　基板保持部
４　ピックアップ装置
４１　保持部
４１ａ　吸着ノズル
４１ｂ　アクチュエータ
４１ｃ　カム機構
４１ｄ　ロッド
４２　モータ
Ｗ　ウェハ
Ｒ　ウェハリング
Ｄ　半導体素子
Ｆ　基板

Claims (4)

  1. 　複数の半導体素子からなるウェハが貼り付けられたウェハリングから当該半導体素子を基板に移送して当該基板上の各実装箇所に実装するダイボンダー装置であって、
    　前記ウェハリングを保持するリングホルダと、
    　前記基板を寝かして保持及び搬送する基板搬送部と、
    　前記半導体素子を着脱可能な保持部を放射状に配置して構成され、当該保持部を放射中心で所定角度ずつ回転させるロータリー方式のピックアップ手段と、
    　を備え、
    　前記ピックアップ手段は、前記リングホルダと前記基板搬送部との間に介在し、且つ前記リングホルダのリング保持面、前記基板搬送部の基板保持面、及び前記ピックアップ手段に配置される前記保持部が延びる面が互いに直交するように配置され、
    　前記ピックアップ手段による回転により、前記ウェハリングと向かい合った前記保持部で前記半導体素子を前記ウェハから取り上げるとともに、前記基板と向かい合った前記保持部で前記半導体素子を前記基板に移送すること、
    　を特徴とするダイボンダー装置。
  2. 　前記ウェハリングと向かい合った前記保持部と対向する位置に設けられ、前記ウェハリングから一片の半導体素子を突き上げる突上げピンを更に備え、
    　前記リングホルダは、
    　前記ウェハリングを其の保持面に沿って２次元移動させるリング移動機構を備え、前記突上げピンの正面に各半導体素子を順次位置させること、
    　を特徴とする請求項１記載のダイボンダー装置。
  3. 　前記基板搬送部は、
    　前記基板を其の保持面に沿って２次元移動させる基板保持部を備え、前記基板と向かい合う前記保持部の正面に前記基板の各実装箇所を順次位置させること、
    　を特徴とする請求項１又は２記載のダイボンダー装置。
  4. 　前記基板搬送部は、
    　前記基板保持部に対して前記基板を供給するコンベア部を更に備え、
    　前記コンベア部は、前記基板保持部の２次元移動時には前記基板保持部と高さを違えるように移動し、前記基板保持部の２次元移動を自由にすること、
    　を特徴とする請求項３記載のダイボンダー装置。
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