WO2013129124A1

WO2013129124A1 - 荷電粒子線装置

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Publication number: WO2013129124A1
Application number: PCT/JP2013/053607
Authority: WO
Inventors: 西原　誠; 修小室; 源川野
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2012-02-28
Filing date: 2013-02-15
Publication date: 2013-09-06
Anticipated expiration: 2014-08-28
Also published as: JP2013178876A

Abstract

　本発明の荷電粒子線装置は、荷電粒子源（１０１）と、加速電極（１１３）と、一次荷電粒子線（１０２）を調整する光学素子（１０６，９０２，９０３，９０５）と、対物レンズ（１０６）の温度変化を測定する温度計（９０１）と、前記加速電極及び前記光学素子を制御する制御装置（１２８）を備える。　前記制御装置は、（ア）一次荷電粒子線の加速電圧が所定の値より高い場合は、第１の温度変化を検出したときに、（イ）一次荷電粒子線の加速電圧が所定の値以下の場合は前記第１の温度変化より小さな第２の温度変化を検出したときに、光学素子の調整を行う。　これにより、一次荷電粒子線の加速電圧を変化させたときの光学条件への影響の抑制と、装置の高スループット化の両立を実現できる。

Description

荷電粒子線装置

　本発明は荷電粒子線装置に係り、特に温度変化による光学条件への影響を効果的に抑制し得る荷電粒子線装置に関する。

　半導体デバイス等を測定、検査する走査電子顕微鏡に代表される荷電粒子線装置では、測定等の対象となる試料を装置内に搬入した後、測定する試料に応じ最適な光学条件に設定し試料の測定を行う。これは電子線を照射によりパターンが収縮するような電子線に耐性のない試料には加速電圧を低く設定する必要があり、一方、アスペクト比の高いホールなどの試料を測定するには高い加速電圧を設定する必要があるためである。

　特許文献１には、設定された加速電圧に応じて対物レンズの励磁電流を設定すると共に、当該励磁電流の変化に応じて対物レンズの温度調整を、冷却水を用いて行う走査電子顕微鏡が開示されている。

特開平１１－２３８４８３号公報

　特許文献１に開示の手法によれば、加速電圧の変化に応じて、対物レンズの温度を制御することができるが、実際には冷却水を用いて、温度が変化する部分を選択的に、且つ精密に温度調整することは困難である。高精度なフォーカス条件を長時間に亘って維持するためには、その温度変化に応じて対物レンズのレンズ条件を制御する必要がある。しかしながら、対物レンズの励磁状態を適正化するために、高頻度でフォーカス調整を行うと、光学条件調整に時間がかかり、装置のスループットが低下する。

　以下に、ビームの加速電圧を変化させたときの光学条件への影響の抑制と、装置の高スループット化の両立を目的とする荷電粒子線装置について説明する。

　上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される荷電粒子を加速する加速電極と、当該加速電極によって加速された荷電粒子線を調整する光学素子と、当該加速電極及び光学素子を制御する制御装置を備えた荷電粒子線装置において、当該制御装置は、所定の加速電圧より高い加速電圧が設定されている場合には、第１の温度変化を検出したときに、前記光学素子の調整を行い、所定の加速電圧以下の加速電圧が設定されている場合には、前記第１の温度変化より小さな第２の温度変化を検出したときに、前記光学素子の調整を行う荷電粒子線装置を提案する。

　また、上記目的を達成するための他の一態様として、上記制御装置が、前記加速電圧に印加する電圧を高電圧から低電圧に変化させたときと比較して、低電圧から高電圧に変化させたときに、前記光学素子による前記荷電粒子線の光学条件の調整頻度を少なくするように、前記光学素子を制御する荷電粒子線装置を提案する。

　上記構成によれば、ビームの加速電圧を変化させたときの光学条件への影響の抑制と、装置の高スループット化の両立が可能となる。

走査電子顕微鏡の構成図。高さ検出器と対物レンズの励磁電流の関係を示すグラフ。対物レンズの温度とワーキングディスタンス（ＷＤ）の関係を示すグラフ。加速電圧によりワーキングディスタンス変化の許容値が異なることを示すグラフ。ワーキングディスタンス変化の許容値を温度変化の許容値に置き換える概念図。加速電圧により温度変化の許容値が異なることを示すグラフ。加速電圧を変更したときの対物レンズの温度変化を表す概念図。計測温度に応じて異なる頻度で光学条件調整を行う工程を示すフローチャート。走査電子顕微鏡と走査電子顕微鏡を制御する制御装置の概要を示す図。計測温度に応じて異なる頻度で光学条件調整を行う工程を示すフローチャート。計測温度に応じて異なる頻度で光学条件調整を行う工程を示すフローチャート。光学条件の調整頻度と加速電圧の変化条件との関係を記憶するテーブルの一例を示す図。

　走査電子顕微鏡は電子銃から放出された電子線を試料に焦点合わせして照射するために磁界型対物レンズが備えられている。対物レンズの励磁電流は、加速電圧の変更や試料高さの変更など、観察条件の変更に合わせて増減される。対物レンズに励磁電流を流すと熱が発生する。加速電圧の変更や試料高さの変更などで励磁電流が増減すると、対物レンズから発生する熱は変化し、一般的に加速電圧が低い場合、発熱量は少なく低温となり、加速電圧が高い場合、発熱量は大きく高温となる。

　対物レンズの温度が変化すると、対物レンズが膨張あるいは収縮する。対物レンズが膨張あるいは収縮することで対物レンズと試料との距離であるワーキングディスタンス（ＷＤ）が変化する。

　一般的にフォーカス調整はオートフォーカスにより行われるが、時間がかかりスループットが低下する。フォーカス調整に必要な時間を短縮するため、ウェハ表面高さを光学式の高さ検出器、いわゆるＺセンサで検出し、その表面高さを元にフォーカスを合わせる方式が用いられる。Ｚセンサによってフォーカスをあわせるには、あらかじめＺセンサにより得られる高さ情報と対物レンズでの焦点位置の関係を調整しておく必要があるが、対物レンズの温度が変化し、ＷＤが変化すると、Ｚセンサと対物レンズでの焦点位置の関係が変化するため再び調整が必要になる。

　加速電圧の変更により対物レンズの温度が変化し、温度が安定するまでには長時間を要する。そのため、温度が安定するまでは定期的に調整が必要となり、スループットが低下する。

　以下に説明する実施例では、例えば装置の稼動中、温度計によりモニタした温度が安定するまで、あるいは所定時間中、フォーカス調整などの補正頻度を適正化する荷電粒子線装置を説明する。具体的には、加速電圧を高加速電圧から低加速電圧に変化させる場合と、低加速電圧から高加速電圧に変化させる場合とでは、後者の方が温度変化に伴うフォーカスずれに対する耐性があるため、調整頻度は前者よりも少なく設定するなど、加速電圧の切り替え方に応じた適切な調整頻度を設定する荷電粒子線装置を説明する。

　上記構成によれば、光学条件の調整状態の維持と、調整頻度の適正化によるスループット低下の抑制の両立を実現できる。特に加速電圧変更時の調整頻度の適正化を実現することが可能となる。
（実施例１）
　図１は、走査電子顕微鏡の構成の１例を示す図である。電子源１０１から発生した電子は、一次電子加速電源１１２から電圧が印加された一次電子加速電極１１３によって加速されたのちに、リターディング電源１１０から試料１０７に印加されたリターディング電圧により減速され、かつ対物レンズ１０６により集束されて試料ステージ１１１上の試料１０７上に照射される。試料１０７に一次電子線１０２が照射されると、試料１０７から二次電子１０８が発生し、二次電子１０８はリターディング電圧によって形成される電界により電子源側に加速される。二次電子１０８は反射板１０４にあたり、反射板１０４で発生した二次電子１０８が二次電子検出器１０９で捕捉され、二次電子検出器１０９に入射する電子の量に応じて二次電子検出器１０９の出力が変化する。

　試料１０７の表面高さの変化をモニタリングするために、高さセンサ１１２が設けられている。高さの変化は、焦点のずれに影響するため、高さセンサ１１２で計測された試料１０７の表面の高さに焦点を合わせるように、対物レンズ１０６の励磁強度を変えて焦点距離を調整する。

　制御装置１２８は、以下に示す各制御部の電気的制御を行う。一次電子線１０２のビームは、偏向（走査）コイル１０５により試料上にて走査され、走査に同期して二次電子検出器１０９の出力が電気信号として増幅器１２１で増幅される。増幅された電気信号は演算部１２２によって演算され、画像の濃淡などの輝度情報に変換されて撮像画像として画像メモリ１２３に格納される。格納された画像は、試料表面の形状の二次元画像として取得されたのち、もしくは後述する演算装置１２４にて演算されたのち、表示装置１２５に表示される。

　演算装置１２４では、ＣＰＵ等の画像処理ハードウェアによって、目的に応じた画像処理が行われる。また、演算装置１２４は、画像メモリ１２３に格納された画像の輝度情報に基づいて、ラインプロファイルを作成し、プロファイルのピーク間の寸法を測定する機能をも備えている。当該処理により得られた結果は、演算装置１２４に接続された外部ディスプレイ等の表示装置１２５に表示される。表示装置１２５には、操作者に対して画像や検査結果等を表示するＧＵＩ等の機能を有する。

　制御装置１２８は、測長や検査等に必要とされる電子デバイスの座標、位置決めに利用するパターンマッチング用のテンプレート、撮影条件等を含む撮像レシピを作成する撮像レシピを作成する装置とネットワークまたはパス等を介して接続することもできる。また、制御装置１２８には、当然のことながら図示しない制御部も含まれている。また、制御装置１２８に含まれる各制御部はハード実装されてもソフト実装されてもよく、装置条件に応じて複数の制御部がまとめて実装されていてもよい。

　高さセンサ１１３に関して図２を使用して簡単に説明する。走査電子顕微鏡による検査、測定位置でのフォーカス合わせはウェハ表面高さを光学式の高さ検出器、Ｚセンサで検出し、その表面高さを元にフォーカスを合わせる方式が用いられる。これは、あらかじめ高さの異なる試料を使用してＺセンサにより得られる高さと対物レンズで焦点が合う励磁電流の関係を求めておき、実際の測定時にはＺセンサにより得られた高さを対物レンズの電流値に変換し、電子線のフォーカスを高速に合わせる方式である。

　加速電圧を変更した場合、対物レンズの励磁電流を変更する必要がある。一般的に加速電圧を高く設定すると、１次電子のエネルギーが強くなるため、電子を収束させるには励磁電流を増やし磁界を強くする。反対に加速電圧を低く設定する場合は励磁電流を減らし磁界を弱くする。このように使用する加速電圧に応じて、対物レンズの励磁電流は増減する必要があるが、励磁電流を増減することで対物レンズからの発熱量が変化する。つまり、加速電圧が高い場合は対物レンズの温度は高く、加速電圧が低い場合は対物レンズの温度は低くなる。対物レンズの温度が変化すると、対物レンズが膨張あるいは収縮する。対物レンズが膨張あるいは収縮することで対物レンズと試料との距離（ＷＤ）が変化する。ＷＤが変化すると、Ｚセンサにより得られる高さと対物レンズでの焦点位置の関係が変わるため、Ｚセンサから求めた高さから、対物レンズでフォーカスを合わせてもフォーカスは合わない。Ｚセンサによりフォーカスが合うようにするには再度、Ｚセンサにより得られる高さと対物レンズでの焦点位置の関係を調整する必要があるが、対物レンズの温度は安定するまでに数時間を要するため、その間は定期的に調整を行う必要がある。

　図３は対物レンズの温度に対する試料との距離（ＷＤ）の関係を示しており、対物レンズの温度が変化するとＷＤが変化することを示している。ＷＤが変わるとＺセンサで検出する高さとの相関が変化し、フォーカスがずれる。

　ＷＤの変化によるフォーカスのずれは図４に示すとおり、使用する加速電圧により異なり、一般的に低加速電圧ではフォーカスずれによる影響は大きく、高加速電圧では影響は少なくなる。つまりフォーカスずれの許容値は加速電圧によらず一定であるため、許容できるＷＤの変化量は低加速電圧では少なく、高加速電圧では大きくなる。

　許容できるＷＤの変化量を許容できる温度変化量に換算すると、図５に示すように、低加速電圧ではＷＤ変化の許容値が少ないため、温度変化の許容値も少なく、高加速電圧ではＷＤ変化の許容値が大きいため、温度変化の許容値も大きくなる。

　加速電圧と温度変化の許容値の関係を求めると図６のような関係が得られ、使用する加速電圧により、許容できる温度変化量は異なる。

　一方、図７に示すとおり、加速電圧を低加速電圧から高加速電圧に切り替えたときに変化する温度Δｔ１と、高加速電圧から低加速電圧に切り替えたときに変化する温度Δｔ２はΔｔ１＝－Δｔ２の関係が成り立ち、符号が変転するが変化量は同じである。

　つまり、加速電圧を変更した際に生じる温度変化量は同じであるが、低加速電圧から高加速電圧に変化させる場合の方が温度変化に伴うフォーカスずれに対する耐性があるため、調整頻度は高加速電圧から低加速電圧に変化させる場合よりも低く設定することができる。このように加速電圧の切り替え方に応じて適切な調整頻度を設定することにより、スループットの低下を防ぐことができる。

　図８は光学条件の調整タイミングを決定する工程を示すフローチャートである。図９は走査電子顕微鏡の制御装置をより詳細に説明する図である。制御装置１２８には、加速電圧電源１１２を制御する加速電圧設定部、非点補正器９０２を制御し、ビームの非点補正を行う非点補正部、非点補正器９０２の中心（理想光軸）にビームの軸合わせを行うための非点アライナー９０５を制御する非点アライナー制御部、対物レンズ１０６の中心にビームの軸合わせを行うための対物アライナー９０３を制御する対物アライナー制御部、対物レンズの温度を測定する温度計９０１を用いて対物レンズの温度変化を検出する対物レンズ温度制御部、Ｚセンサの高さ測定に基づいて、対物レンズ１０６を制御する対物レンズ制御部、及びＺセンサ（高さセンサ１１３）を用いて試料面の高さ測定を行う試料高さ計測部等が含まれている。

　まず、ある加速電圧から、他の加速電圧に切り換えたときに、光学条件を調整し、対物レンズの基準温度ｔ１を計測する（ステップ８０１）。光学条件の１つである対物レンズ条件は。試料の高さに応じて適正な条件が変化するため、Ｚセンサを用いて高さ計測を行い、当該計測された高さに焦点が合うように、対物レンズの条件を設定する。Ｚセンサの計測値（試料高さ）と対物レンズ条件（励磁電流）との関係は予め制御装置内のメモリ等に、テーブル、或いは関係式として記憶されており、この情報に基づいて対物レンズ制御部は対物レンズ１０６の励磁電流を制御する。なお、本実施例では温度計９０１が対物レンズ９０１に直に取り付けられている例を説明するが、これに限られることはなく、対物レンズの形状変化を同定するのに好適な位置であればその位置は問わない。測定された温度ｔ１はメモリに記憶される（ステップ８０２）。

　次に、対物レンズの温度変化を同定するために、基準温度ｔ１の取得後に温度ｔ２を測定する（ステップ８０３）。本実施例では、対物レンズの温度を常時モニタし、当該温度に所定の変化が現れた場合に、後述するような制御を行う例について説明するが、所定の時間単位で温度計測を行うようにしても良い。

　以上のようにして計測された温度から求められる｜ｔ２－ｔ１｜が第１の閾値Ｔｈ１である場合には、大きな温度変化がなく、対物レンズの変形量も許容できる範囲であるため、温度計測を継続する。一方、｜ｔ２－ｔ１｜が第１の閾値Ｔｈ１より大きく、第２の閾値Ｔｈ２より小さい場合には、そのときに設定されている加速電圧の大きさによって、その後の処理を変化させる。加速電圧が所定の閾値より大きい場合は、上述したように温度変化に対する耐性があるため、スループットを優先して光学条件を調整することなく、現状の光学条件を維持する。一方、加速電圧が所定値以下の場合、上述のように温度変化によるフォーカスずれの影響が顕著に発生するため、装置条件の適正化を優先して、光学条件の調整を行う（ステップ８０４）。

　このように、装置条件に応じて光学条件の調整頻度を変化させているため、高頻度で調整を行うことによるスループットの低下を抑制することができ、更に適正なタイミングで光学条件を調整することになるため、装置のコンディションを安定に保つことが可能となる。

　なお、温度変化が第２の閾値Ｔｈ2を越えた場合には、光学条件が大きく変動している可能性があるため、加速電圧に関らず一様に光学条件を調整する。図８のフローチャートは、温度変化に応じて、「光学条件を調整しない」、「加速電圧に応じて光学条件を調整するか否か選択する」、及び「光学条件を調整する」の内の１つを選択する例を説明したものであるが、これに限られることはなく、加速電圧の値や加速電圧の変化の大きさに応じて、調整頻度をリニアに変化させるようにしても良い。結果として「低加速電圧から高加速電圧」に変化させたときの光学条件の調整頻度を、「高加速電圧から低加速電圧」に変化させたときの調整頻度より少なくするようにすれば、適正な調整頻度で光学条件の調整を行うことができる。

　図１０は、対物レンズの温度が下降しているのか、上昇しているのかによって、光学条件の調整頻度を調整する工程を示すフローチャートである。温度が下降しているということは、対物レンズの励磁電流を弱めている、即ち加速電圧を高い状態から低い状態に変化させた後の状態であるため、逆の場合と比較して相対的に調整頻度を増加させる。一方、温度が上昇しているということは、対物レンズの励磁電流を強めている、即ち加速電圧を低い状態から高い状態に変化させた状態の後で後の状態であるため、相対的に調整頻度を減少させる。このような判断工程によっても適正な調整頻度で光学条件の調整を行うことができる。

　図１１は、更に他の光学条件調整頻度決定工程を示すフローチャートである。測定する試料に応じて加速電圧を設定する（Ｓ０１）。加速電圧の設定後、電子線の軸調整およびＺセンサにより得られる高さと対物レンズでの焦点位置の関係を調整する（Ｓ０２）。このとき対物レンズ部の温度を合わせて記憶する（Ｓ０２）。レシピ処理によりパターン寸法などの測定を行う（Ｓ０３）。レシピの処理中は定期的に対物レンズの温度を測定し（Ｓ０４）、Ｓ０２で記録した温度との比較を行う（Ｓ０６）。温度変化がある場合、現在使用中の加速電圧の問い合わせを行い（Ｓ０６）、許容温度変化量を超えている場合は、電子線の軸調整およびＺセンサにより得られる高さと対物レンズでの焦点位置の関係を調整する（Ｓ０２）。

　この場合、加速電圧に応じて異なる許容量を設定しておき、結果として「低加速電圧から高加速電圧」に変化させたときの光学条件の調整頻度を、「高加速電圧から低加速電圧」に変化させたときの調整頻度より少なくする。

　許容温度変化量に達していない場合は測長などの処理を行う（Ｓ０８）。これらをレシピ処理が終了するまで繰り返し行う。
（実施例２）
　実施例１では定期的に対物レンズの温度を測定し、加速電圧ごとに温度変化の許容値を設け、調整頻度の最適化を行ったが、加速電圧を変化させたときの温度変化量が実験などで知見が得られているのであれば、温度を測定しなくても、使用している加速電圧と図６の加速電圧に対する許容温度変化量から調整の頻度を最適化することができる。

　例えば図１２に例示するように、加速電圧の変化の種類（低加速電圧から高加速電圧への変化（Ｌｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ）、或いは高加速電圧から低加速電圧への変化（Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ））に応じて、異なる調整頻度を予めテーブルとして記憶しておき、加速電圧の設定に基づいて、調整頻度を読み出して、装置の設定を行うようにすると良い。図１２に例示するテーブルでは、“Ｌｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ”に記憶された調整頻度は、“Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ”に記憶された調整頻度に比べて相対的に、低頻度に設定されている。

　また、制御装置１２８に加速電圧の調整前後の加速電圧の差分（ΔＶａｃｃ）を演算する演算式を記憶させておき、加速電圧の設定に応じて、自動的に調整頻度を設定するようにしても良い。

　図１２の例では、ΔＶａｃｃの大きさに応じて、異なる調整頻度（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｏｆ　ａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ）とこのテーブルに記憶されたデータに基づく調整期間（Ａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ　Ｐｅｒｉｏｄ）が記憶されている例を示している。

　本実施例の手法によれば、温度計測を行わなくても、温度変化条件によって変化する適正な調整頻度を選択することが可能となり、更に、所定のデータベースに基づいて調整を行うため、装置の稼働時間を正確に管理することも可能となる。
（実施例３）
　実施例１では対物レンズの温度変化により発生するフォーカスずれに関して例をあげたが、同様に対物レンズの温度変化により発生する電子線の軸ずれ、非点収差のずれに関しても同様に電子線の軸調整頻度の最適化を行うことができる。この場合、対物アライナー９０３や非点補正器９０２を用いた調整頻度を、実施例１や実施例２のように設定する。
（実施例４）
　実施例３では対物レンズの温度変化により発生する電子線の軸ずれ、非点収差のずれに関して例をあげたが、同様にコンデンサレンズの温度変化により発生する電子線の軸ずれ、非点補正器９０２に対する軸ずれに関しても、コンデンサレンズ部の温度をモニタし、許容温度変化量を求めることで、電子線の軸調整頻度の最適化を行うことができる。この場合、非点アライナー９０５等を用いた調整頻度を、実施例１や実施例２のように設定する。

１０１　電子源
１０２　一次電子線
１０３　コンデンサレンズ
１０４　反射板
１０５　偏向（走査）コイル
１０６　対物レンズ
１０７　ウェハ（試料）
１０８　二次電子
１０９　二次電子検出器
１１０　リターディング電源
１１１　試料ステージ
１１２　加速電源
１１３　高さセンサ
１２１　増幅器
１２２　演算部
１２３　画像メモリ
１２４　演算装置
１２５　表示装置
１２８　制御装置

Claims

　荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される荷電粒子を加速する加速電極と、当該加速電極によって加速された荷電粒子線を調整する光学素子と、当該加速電極及び光学素子を制御する制御装置を備えた荷電粒子線装置において、
　当該制御装置は、所定の加速電圧より高い加速電圧が設定されている場合には、第１の温度変化を検出したときに、前記光学素子の調整を行い、所定の加速電圧以下の加速電圧が設定されている場合には、前記第１の温度変化より小さな第２の温度変化を検出したときに、前記光学素子の調整を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
　請求項１において、
　前記制御装置は、設定される加速電圧に応じて異なる調整頻度で上記光学素子の調整を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
　請求項１において、
　前記光学素子は対物レンズであることを特徴とする荷電粒子線装置。
　請求項３において、
　前記荷電粒子線が照射される試料の高さを計測する高さ計測装置を備え、前記制御装置は、前記加速電圧に応じて異なる頻度で、前記試料高さ計測に応じて、前記対物レンズの調整を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
　請求項１において、
　前記光学素子は、非点補正器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
　請求項１において、
　前記光学素子は、光軸調整用のアライナーであることを特徴とする荷電粒子線装置。
　荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される荷電粒子を加速する加速電極と、当該加速電極によって加速された荷電粒子線を調整する光学素子と、当該加速電極及び光学素子を制御する制御装置を備えた荷電粒子線装置において、
　前記制御装置は、前記加速電圧に印加する電圧を高電圧から低電圧に変化させたときと比較して、低電圧から高電圧に変化させたときに、前記光学素子による前記荷電粒子線の光学条件の調整頻度を少なくするように、前記光学素子を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。
　請求項７において、
　前記光学素子は対物レンズであることを特徴とする荷電粒子線装置。
　請求項８において、
　前記荷電粒子線が照射される試料の高さを計測する高さ計測装置を備え、前記制御装置は、前記加速電圧に応じて異なる頻度で、前記試料高さ計測に応じて、前記対物レンズの調整を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
　請求項７において、
　前記光学素子は、非点補正器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
　請求項７において、
　前記光学素子は、光軸調整用のアライナーであることを特徴とする荷電粒子線装置。