WO2013094421A1 - 環状シロキサン化合物の製造方法、環状シロキサン化合物を用いる絶縁膜、およびジシロキサン化合物 - Google Patents

環状シロキサン化合物の製造方法、環状シロキサン化合物を用いる絶縁膜、およびジシロキサン化合物 Download PDF

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和久 河野
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    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a cyclic siloxane compound which can be produced efficiently, an insulating film using the cyclic siloxane compound, and a disiloxane compound which is an intermediate in the production method.
  • PECVD plasma chemical vapor deposition
  • the optimum ring size as a precursor for the PECVD method is a 6-membered ring or an 8-membered ring considering that a low k value can be achieved and the vapor pressure is taken into consideration.
  • a 6-membered ring having a small molecular weight is preferable, but an 8-membered ring is preferable in consideration of the size of an intramolecular pore contributing to a low k value.
  • Patent Document 1 describes a method of obtaining a 6-membered cyclic siloxane compound using a dialkoxyalkylvinylsilane compound as a raw material, but has found a method for producing an 8-membered cyclic siloxane compound that can be efficiently produced. Absent.
  • the present invention provides a method for efficiently producing an 8-membered cyclic siloxane, particularly a 2,4,6,8-tetraalkyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane, from a dialkoxyalkylvinylsilane compound. For the purpose.
  • the inventors of the present invention once produced a disiloxane compound by reacting a dialkoxyalkylvinylsilane compound with water in the presence of an acid or a base, and then removed the aqueous layer to obtain non-aqueous conditions. As a result, it was found that the target cyclotetrasiloxane compound can be efficiently obtained by adding and reacting, and the present invention has been completed.
  • R 1 and R 2 each independently represents a linear or branched alkyl group having 1 to 3 carbon atoms
  • R 1 is the same as in general formula (1).
  • R 3 and R 4 are each independently the same or a hydrogen atom as R 2 in general formula (1).
  • the reaction temperature when the dialkoxyalkylvinylsilane compound represented by the general formula (1) is reacted with water in the presence of an acid or a base is ⁇ 50 to 25 ° C.
  • the reaction time for reacting the disiloxane compound represented by the general formula (2) in the presence of an acid or a base is 30 minutes (that is, 0.5 hours) or longer and 1 month (that is, 720 hours).
  • R 1 is the same as that in the general formula (1).
  • R 3 and R 4 are each independently the same as R 2 in the general formula (1) or a hydrogen atom.
  • a 2,4,6,8-tetraalkyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane compound having an 8-membered ring structure can be efficiently produced using dialkoxyalkylvinylsilane as a raw material. Can be manufactured.
  • This cyclic siloxane compound having an 8-membered ring structure is useful as a precursor for an intramolecular pore precursor process.
  • FIG. 1 is a graph showing the change over time in the conversion rate to 2,4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane in Example 2.
  • FIG. 2 is a graph showing the change over time in the yield of 2,4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane in Example 2.
  • FIG. FIG. 3 is a graph showing the change over time in the conversion rate to 2,4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane in Example 3.
  • FIG. 4 is a graph showing the change over time in the yield of 2,4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane in Example 3.
  • FIG. FIG. 5 shows an apparatus for manufacturing the film of Example 4.
  • FIG. 6 shows the results of mass spectrum measurement of 1,3-dimethoxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane obtained in Example 5.
  • FIG. 7 shows the results of mass spectrum measurement of 1-methoxy-3-hydroxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane obtained in Example 5.
  • FIG. 8 shows the results of mass spectrum measurement of 1,3-dihydroxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane obtained in Example 5.
  • R 1 and R 2 in the general formula (1) each independently represent a linear or branched alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, specifically, for example, a methyl group, an ethyl group, A normal propyl group, an isopropyl group, etc. are mentioned.
  • R 3 and R 4 are each independently the same as R 2 or a hydrogen atom.
  • R 1 is preferably an isopropyl group
  • R 2 is a methyl group
  • R 3 and R 4 are each independent.
  • dialkoxyalkylvinylsilane compound represented by the general formula (1) include dimethoxymethylvinylsilane, dimethoxyethylvinylsilane, dimethoxypropylvinylsilane, dimethoxyisopropylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, diethoxyethylvinylsilane, and diethoxy.
  • Propyl vinyl silane, diethoxy isopropyl vinyl silane, dipropoxymethyl vinyl silane, dipropoxy ethyl vinyl silane, dipropoxy propyl vinyl silane, dipropoxy isopropyl vinyl silane, diisopropoxymethyl vinyl silane, diisopropoxy ethyl vinyl silane, diisopropoxypropyl vinyl silane, diisopropoxy propyl vinyl silane Vinyl silane etc. are mentioned.
  • dialkoxyalkylvinylsilane compound represented by the general formula (1) is reacted with water in the presence of an acid or a base to produce a disiloxane compound represented by the following general formula (2).
  • R 1 is the same as that in the general formula (1).
  • R 3 and R 4 are each independently the same as R 2 in the general formula (1) or a hydrogen atom.
  • R 1 in the general formula (2) is the same as that in the general formula (1), and R 3 and R 4 each independently represent the same or a hydrogen atom as R 2 in the general formula (1), preferably R 1 Is an isopropyl group, R 3 and R 4 are each independently a methyl group or a hydrogen atom.
  • the compound represented by the general formula (2) include 1,3-dihydroxy-1,3-dimethyl-1,3-divinyldisiloxane, 1-hydroxy-3-methoxy-1,3- Dimethyl-1,3-divinyldisiloxane, 1-ethoxy-3-hydroxy-1,3-dimethyl-1,3-divinyldisiloxane, 1-hydroxy-3-propoxy-1,3-dimethyl-1,3- Divinyldisiloxane, 1-hydroxy-3-isopropoxy-1,3-dimethyl-1,3-divinyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,3-dimethyl-1,3-divinyldisiloxane, 1,3 -Diethoxy-1,3-dimethyl-1,3-divinyldisiloxane, 1,3-dipropoxy-1,3-dimethyl-1,3-divinyldisiloxane, 1,3-diiso Roxy-1,3--
  • the concentration of the dialkoxyalkylvinylsilane compound represented by the general formula (1) in the reaction solvent is not particularly limited, and is 0.01 mol / in consideration of the separation property with the aqueous layer and the production efficiency. L or more is preferable, and 0.1 to 10 mol / L is particularly preferable.
  • the acid or base to be used is not particularly limited.
  • inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid and nitric acid
  • organic acids such as toluenesulfonic acid
  • inorganic bases such as potassium hydroxide and sodium hydroxide
  • organic bases such as diethylamine
  • an inorganic acid is preferable, and sulfuric acid is particularly preferable.
  • the amount of acid or base added is not particularly limited, and is preferably from 0.01 to 10 mol equivalent, particularly preferably from 0.1 to 1 mol equivalent, based on 1 mol of the dialkoxyalkylvinylsilane compound from the viewpoint of yield.
  • the reaction temperature is not particularly limited because it depends on the concentration of the dialkoxyalkylvinylsilane compound represented by the general formula (1), and is preferably in the range of ⁇ 50 to 25 ° C., and in the range of ⁇ 20 to 0 ° C. Is particularly preferred.
  • the reaction time is not particularly limited depending on the balance between the amount of acid or base added and the reaction temperature, and is preferably 0.5 to 10 hours, particularly preferably 0.5 to 6 hours.
  • a reaction solvent may be used, or a solventless system may be used without using it.
  • the kind thereof is not particularly limited, and examples thereof include saturated hydrocarbons such as n-pentane, i-pentane, n-hexane, cyclohexane, n-heptane, n-decane; Unsaturated hydrocarbons such as xylene and decene; ethers such as diethyl ether, dipropyl ether, tert-butyl methyl ether, dibutyl ether, and cyclopentyl methyl ether; or a mixed solvent thereof can also be used.
  • saturated hydrocarbons are desirable in view of the layer separation with the aqueous layer.
  • the disiloxane compound represented by the general formula (2) is reacted in the presence of an acid or a base.
  • a cyclic siloxane compound represented by the following general formula (3) is produced.
  • R 1 is the same as in general formula (1).
  • R 1 in the general formula (3) is the same as that in the general formula (1), and preferably R 1 is an isopropyl group.
  • Specific examples of the compound represented by the general formula (3) include 2,4,6,8-tetramethyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane, 2,4,6,8, and the like. -Tetraethyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane, 2,4,6,8-tetrapropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane, 2,4,6,8- And tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane.
  • the concentration of the compound represented by the general formula (2) is preferably 0.01 mol / L or more, particularly preferably 0.1 to 10 mol / L.
  • the acid or base used can be exemplified by the same acid or base used for the production of the disiloxane compound represented by the general formula (2).
  • the concentration of the acid or base is not particularly limited, and is preferably from 0.01 to 10 mol equivalent, particularly preferably from 0.1 to 0.5 mol equivalent based on 1 mol of the dialkoxyalkylvinylsilane compound from the viewpoint of yield.
  • the reaction temperature is preferably in the range of 10 to 200 ° C., and the reaction time is preferably 30 minutes (ie 0.5 hours) or more and 1 month (ie 720 hours), particularly preferably 1 hour or more and 24 hours. It is as follows.
  • reaction solvent examples include the same solvents as those used in the production of the disiloxane compound represented by the general formula (2).
  • the cyclic siloxane compound thus obtained is suitable as an intramolecular pore precursor process precursor for an insulating film or the like.
  • a thin film can be produced on a substrate using a cyclic siloxane compound as a raw material by a CVD method.
  • a method for supplying the cyclic siloxane compound an inert carrier gas is introduced into the heated cyclic siloxane compound, and the carrier gas is entrained in the reaction vessel where the substrate is placed.
  • a solution in which a cyclic siloxane compound is dissolved is sent to a vaporizer, gasified in the vaporizer, and led to a reaction vessel on which a substrate is placed.
  • examples of the organic solvent include alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, and isoamyl acetate; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol mono Glycol ethers such as ethyl ether and ethylene glycol monobutyl ether; ethers such as glyme, diglyme, triglyme and tetrahydrofuran; methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethyl butyl ketone, dipropyl ketone, diisobutyl ketone, methyl amyl ketone, cyclohexanone, etc. Ketones; hydrocarbons such as hexane, cyclohexane, heptane, octane, toluene, xylene
  • the CVD method is not particularly limited as long as it is a commonly used CVD method such as thermal CVD, plasma CVD, or photo CVD.
  • the raw material coating method of the coating pyrolysis method include a spin coating method, a dip method, a spraying method, and the like.
  • a heating method an oven, a hot plate, or the like can be used, and a coating method, a heating method, and a combination thereof. Is not particularly limited.
  • the insulating film thus obtained is excellent as an interlayer insulating film (Low-k film), and the k value is preferably 2 to 3, particularly preferably 2.5 to 2.9.
  • Example 1 [Synthesis of 1,3-dialkoxydisiloxane] Under an inert atmosphere, a 100 mL three-necked flask equipped with a stirrer and a thermometer was charged with 5.0 g (31.4 mmol) of dimethoxyisopropylvinylsilane (compound of general formula (1)) and 25 mL of hexane, and dried ice The internal temperature was cooled to ⁇ 15 ° C. with ethanol. 3.1 g (31.4 mmol) of sulfuric acid and 1.7 g (94.4 mmol) of water were added dropwise while maintaining the internal temperature at ⁇ 10 ° C.
  • 1,3-dimethoxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane C 12 H 26 O 3 Si 2 ) m / z: 231 (isopropyl group elimination), 1-methoxy-3-hydroxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane (C 11 H 24 O 3 Si 2 ) m / z: 217 (isopropyl group elimination), 1,3-dihydroxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane (C 10 H 22 O 3 Si 2 ) m / z: 203 (isopropyl group elimination) 1,3-dimethoxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane, 1-methoxy-3-hydroxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane, and 1,3-dihydroxy
  • Example 1 2,4,6,8 tetraisopropyl 2,4,6,8 tetravinylcyclotetrasiloxane (C 20 H 40 O 4 Si 4) m / z: 370 (2 pieces leaving isopropyl)
  • Distilled purified product (liquid) has a yield of 2.6 g
  • Example 2 [Improvement of cyclotetrasiloxane selectivity]
  • Example 1 the same experiment as in Example 1 was performed except that the reaction in the synthesis process of cyclotetrasiloxane was changed to stirring for 6 hours under reflux conditions. The change over time in the conversion rate to the desired 2,4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane was confirmed by GC analysis. After completion of the reaction, the same treatment as in Example 1 was performed. The yield of the compound of general formula (3) was 69.2%. The results are shown in FIG. 1 and FIG.
  • Example 3 [Improvement of cyclotetrasiloxane selectivity, room temperature (25 ° C.) 1 month (720 hours)]
  • the same experiment as in Example 1 was performed except that the reaction in the synthesis process of cyclotetrasiloxane in Example 1 was changed to stirring for 1 month at room temperature after stirring for 30 minutes under reflux conditions.
  • the change over time in the conversion rate to the desired 2,4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane was confirmed by GC analysis.
  • the same treatment as in Example 1 was performed.
  • the yield of the compound of general formula (3) was 77.0%.
  • the results are shown in FIG. 3 and FIG.
  • Example 4 [Production of insulating film using 2,4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane] 2,4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane (compound of general formula (3)) obtained in Example 1 was purified by distillation. Using 4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane as a raw material, using the apparatus of FIG.
  • the raw material temperature is 120 ° C.
  • the carrier gas (He) flow rate is 100 sccm
  • the inside of the raw material container A film was formed on the Si substrate for 2 minutes by PECVD with a pressure of 22 Torr, a substrate temperature of 150 ° C., a reaction chamber pressure of 100 Pa, and an RF power output of 13.56 MHz set to 25 W.
  • the film thickness of the formed insulating film was measured using an ellipsometer (model: MEL-30S) manufactured by JASCO Corporation, and it was about 150 nm. After forming an aluminum electrode on this insulating film by a vapor deposition method, the capacitance and dielectric loss at 25 ° C.
  • Example 5 [1,3-dimethoxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane, 1-methoxy-3-hydroxy-1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane, and 1,3-dihydroxy- Synthesis of 1,3-diisopropyl-1,3-divinyldisiloxane]
  • a 200 mL three-necked flask equipped with a stirrer and a thermometer was charged with 15.0 g (93.6 mmol) of dimethoxyisopropylvinylsilane and 90 mL of hexane, and the internal temperature was ⁇ 20 ° C.
  • the raw material temperature is 83 ° C.
  • the carrier gas (He) flow rate is 100 sccm
  • the raw material container internal pressure is 22 Torr.
  • the film was formed on the Si substrate for 3 minutes by PECVD with a substrate temperature of 150 ° C. and a pressure in the reaction chamber of 100 Pa and an RF power output of 13.56 MHz set to 25 W.
  • the film thickness of the formed insulating film was measured using an ellipsometer (model: MEL-30S) manufactured by JASCO Corporation, it was about 210 nm. After forming an aluminum electrode on this insulating film by a vapor deposition method, the capacitance and dielectric loss at 25 ° C.
  • a film made of 2,4,6,8-tetraisopropyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane which is a cyclic 8-membered ring of Example 4, is a cyclic 6-membered ring of Reference Example 2 , 4,6-triisopropyl-2,4,6-trivinylcyclotrisiloxane has a smaller k value and is suitable as an insulating film.
  • a 2,4,6,8-tetraalkyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane compound having an 8-membered ring structure can be efficiently produced using dialkoxyalkylvinylsilane as a raw material. Can be manufactured.
  • This cyclic siloxane compound having an 8-membered ring structure is useful as a precursor for an intramolecular pore precursor process. Therefore, the industrial value of the present invention is remarkable.

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Abstract

　本発明は、下記一般式（１）で表されるジアルコキシアルキルビニルシラン化合物を、酸または塩基の共存下、水と反応させて、下記一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を製造し、次いで、いったん水層を除去した後、一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を酸または塩基の共存下、反応させて、下記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物を製造することに係る。 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４については明細書の記載に同じ。

Description

環状シロキサン化合物の製造方法、環状シロキサン化合物を用いる絶縁膜、およびジシロキサン化合物
　本発明は、効率よく製造できる環状シロキサン化合物の製造方法、該環状シロキサン化合物を用いる絶縁膜、および該製造方法における中間体であるジシロキサン化合物に関するものである。
　近年の半導体素子の高集積化に伴い、ＬＳＩ配線として従来のＡｌから低抵抗でマイグレーション耐性に優れるＣｕが用いられるようになり、一方で層間絶縁膜としては従来の酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）から、より低誘電率の層関絶縁膜（Ｌｏｗ－ｋ膜）が検討されている。
　現在、層間絶縁膜の形成方法としては、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）が主に用いられている。これまでに環状シロキサンを、分子内ポアを有する前駆体（プレカーサー）として用いて、低ｋ値の膜を成膜する検討がなされている。例えば、蒸気圧が低い環状シロキサン化合物に、重合性基であるビニル基を結合させることで、成膜速度を速くすることに成功している（例えば、特許文献１参照）。
　前述の環状シロキサン化合物において、ＰＥＣＶＤ法のプレカーサーとして最適な環サイズは、低ｋ値を達成できること、および蒸気圧を考慮すると、６員環または８員環である。蒸気圧の面では分子量の小さい６員環が好ましいが、低ｋ値に寄与する分子内ポアの大きさを考慮すると８員環が好ましい。特許文献１においてジアルコキシアルキルビニルシラン化合物を原料とし、６員環の環状シロキサン化合物を得る方法は記載されているが、効率よく製造できる８員環の環状シロキサン化合物の製造方法については見出されていない。
日本国特開２００５－５１１９２号公報
　本発明はジアルコキシアルキルビニルシラン化合物から８員環環状シロキサン、特に２，４，６，８－テトラアルキル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンを効率的に製造する方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、ジアルコキシアルキルビニルシラン化合物を酸または塩基共存下、水と反応させることで一旦ジシロキサン化合物を製造し、次いで水層を除去して非水条件下としたのち、酸または塩基を添加し反応させることで、目的のシクロテトラシロキサン化合物が効率的に得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
　即ち、本発明の要旨は、下記[１]～[７]に存する。
［１］下記一般式（１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
（式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して炭素数１～３の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示す。）で表されるジアルコキシアルキルビニルシラン化合物を、酸または塩基の共存下、水と反応させることにより、下記一般式（２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
（式中、Ｒ１は一般式（１）に同じ。Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して一般式（１）のＲ２に同じかまたは水素原子を示す。）で表されるジシロキサン化合物を製造し、次いで、いったん水層を除去した後、一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を酸または塩基の共存下、反応させることを特徴とする、下記一般式（３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
（式中、Ｒ１は一般式（１）に同じ。）で表される環状シロキサン化合物の製造方法。
［２］好ましくは、一般式（１）で表されるジアルコキシアルキルビニルシラン化合物を酸または塩基の共存下、水と反応させる際の反応温度が－５０～２５℃であることを特徴とする上述の［１］に記載の製造方法。
［３］好ましくは、一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を酸または塩基の共存下、反応させる反応時間が３０分（即ち、０．５時間）以上、１ヶ月（即ち、７２０時間）以下であることを特徴とする上述の［１］または［２］に記載の製造方法。
［４］好ましくは、酸として硫酸の共存下に反応を行うことを特徴とする上述の［１］～［３］のいずれかに記載の製造方法。
［５］好ましくは、Ｒ１がイソプロピル基、Ｒ２がメチル基、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ独立してメチル基または水素原子であることを特徴とする上述の［１］～［４］のいずれかに記載の製造方法。
［６］上述の［１］～［５］のいずれかに記載の製造方法により製造された環状シロキサン化合物を材料として用いることを特徴とする絶縁膜。
［７］下記一般式（２）で表されることを特徴とするジシロキサン化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
（式中、Ｒ１は一般式（１）に同じ。Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して一般式（１）のＲ２に同じかまたは水素原子を示す。）
　本発明により、特に８員環構造を有する２，４，６，８－テトラアルキル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン化合物を、ジアルコキシアルキルビニルシランを原料に用いて、効率的に製造することができる。この８員環構造を有する環状シロキサン化合物は、分子内ポア前駆体プロセスのプレカーサーとして有用である。
図１は、実施例２における２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンへの転換率の経時変化を示す図である。 図２は、実施例２における２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンの収率の経時変化を示す図である。 図３は、実施例３における２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンへの転換率の経時変化を示す図である。 図４は、実施例３における２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンの収率の経時変化を示す図である。 図５は、実施例４の膜を製造した装置。 図６は、実施例５で得られた１，３－ジメトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンのマススペクトル測定結果である。 図７は、実施例５で得られた１－メトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンのマススペクトル測定結果である。 図８は、実施例５で得られた１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンのマススペクトル測定結果である。
　以下、本発明をさらに詳細に説明する。
　本発明において、一般式（１）におけるＲ１及びＲ２はそれぞれ独立して炭素数１～３の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。また、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して上記Ｒ２と同じかまたは水素原子を示す。これらの中でも、最終目的物である一般式（３）で表される環状シロキサン化合物の収率の観点から、好ましくはＲ１がイソプロピル基、Ｒ２がメチル基、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立してメチル基または水素原子である。
　具体的な一般式（１）で表されるジアルコキシアルキルビニルシラン化合物としては、例えば、ジメトキシメチルビニルシラン、ジメトキシエチルビニルシラン、ジメトキシプロピルビニルシラン、ジメトキシイソプロピルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシエチルビニルシラン、ジエトキシプロピルビニルシラン、ジエトキシイソプロピルビニルシラン、ジプロポキシメチルビニルシラン、ジプロポキシエチルビニルシラン、ジプロポキシプロピルビニルシラン、ジプロポキシイソプロピルビニルシラン、ジイソプロポキシメチルビニルシラン、ジイソプロポキシエチルビニルシラン、ジイソプロポキシプロピルビニルシラン、ジイソプロポキシイソプロピルビニルシラン等が挙げられる。
　上記一般式（１）で表されるジアルコキシアルキルビニルシラン化合物を酸または塩基の共存下、水と反応させて、下記一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
（式中、Ｒ１は一般式（１）に同じ。Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して一般式（１）のＲ２に同じかまたは水素原子を示す。）
　一般式（２）におけるＲ１は一般式（１）に同じであり、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して一般式（１）のＲ２に同じかまたは水素原子を示し、好ましくはＲ１がイソプロピル基、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立してメチル基または水素原子である。
　具体的な一般式（２）で表される化合物としては、例えば、１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジメチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－メトキシ－１，３－ジメチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－エトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジメチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－プロポキシ－１，３－ジメチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－イソプロポキシ－１，３－ジメチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジメトキシ－１，３－ジメチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジエトキシ－１，３－ジメチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジプロポキシ－１，３－ジメチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジイソプロポキシ－１，３－ジメチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジエチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－メトキシ－１，３－ジエチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－エトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジエチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－プロポキシ－１，３－ジエチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－イソプロポキシ－１，３－ジエチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジメトキシ－１，３－ジエチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジエトキシ－１，３－ジエチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジプロポキシ－１，３－ジエチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジイソプロポキシ－１，３－ジエチル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－メトキシ－１，３－ジプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－エトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－プロポキシ－１，３－ジ－ｎ－プロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－イソプロポキシ－１，３－ジプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジメトキシ－１，３－ジプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジエトキシ－１，３－ジプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジプロポキシ－１，３－ジプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジイソプロポキシ－１，３－ジプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－メトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－エトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－プロポキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－ヒドロキシ－３－イソプロポキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジメトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジエトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジプロポキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１，３－ジイソプロポキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン等が挙げられる。
　反応の際、一般式（１）で表されるジアルコキシアルキルビニルシラン化合物の反応溶媒中の濃度は特に限定されるものではなく、水層との分層性および製造効率を考慮すると０．０１ｍｏｌ／L以上が好ましく、０．１～１０ｍｏｌ／Lが特に好ましい。
　用いる酸または塩基は特に限定されるものではなく、例えば、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸；トルエンスルホン酸等の有機酸；水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の無機塩基；ジエチルアミン等の有機塩基を用いることができる。これらの中でも、最終目的物である一般式（３）で表される環状シロキサン化合物の収率の観点から、無機酸が好ましく特に硫酸が好ましい。
　酸または塩基の添加量は、特に限定されるものではなく、収率の観点からジアルコキシアルキルビニルシラン化合物１ｍｏｌに対し０．０１～１０ｍｏｌ当量が好ましく、０．１～１ｍｏｌ当量が特に好ましい。
　反応温度は、一般式（１）で表されるジアルコキシアルキルビニルシラン化合物の濃度との兼ね合いによるので特に限定されるものではなく、－５０～２５℃の範囲が好ましく、－２０～０℃の範囲が特に好ましい。
　反応時間は上述の酸または塩基の添加量および反応温度との兼ね合いにより、特に限定されるものではなく、０．５～１０時間が好ましく、０．５～６時間が特に好ましい。
　反応の際に、反応溶媒を使用してもよく、または使用せずに無溶媒系でもよい。反応溶媒を使用する場合、その種類は特に限定されるものではなく、例えば、ｎ－ペンタン、ｉ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ－ヘプタン、ｎ－デカン等の飽和炭化水素類；トルエン、キシレン、デセン等の不飽和炭化水素類；ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル類；またはこれらの混合溶媒も使用することができる。これらの中でも水層との分層性を考慮すると飽和炭化水素類が望ましい。
　次に、一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を製造した後、いったん水層を除去した後、一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を酸または塩基の共存下、反応させ下記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物を製造する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
（式中、Ｒ１は一般式（１）に同じ。）
　一般式（３）におけるＲ１は一般式（１）に同じであり、好ましくはＲ１がイソプロピル基である。
　具体的な一般式（３）で表される化合物としては、例えば、２，４，６，８－テトラメチル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８－テトラエチル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８－テトラプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
　一般式（２）で表される化合物の濃度は、０．０１ｍｏｌ／L以上が好ましく、０．１～１０ｍｏｌ／Lが特に好ましい。
　用いられる酸または塩基は、前述の一般式（２）で表されるジシロキサン化合物製造に用いられる酸または塩基と同様のものを例示することができる。
　酸または塩基の濃度は、特に限定されるものではなく、収率の観点からジアルコキシアルキルビニルシラン化合物１ｍｏｌに対し０．０１～１０ｍｏｌ当量が好ましく、０．１～０．５ｍｏｌ当量が特に好ましい。
　また、反応温度は１０～２００℃の範囲が好ましく、反応時間は３０分（即ち、０．５時間）以上、１ヶ月（即ち、７２０時間）以下が好ましく、特に好ましくは１時間以上、２４時間以下である。
　反応溶媒は前述の一般式（２）で表されるジシロキサン化合物製造に用いられる溶媒と同様のものを例示することができる。
　このようにして得られた環状シロキサン化合物は、絶縁膜等の分子内ポア前駆体プロセスプリカーサーとして好適である。
　絶縁膜の製造方法としては、例えば、ＣＶＤ法により環状シロキサン化合物を原料として基板上に薄膜を製造することができる。その場合、環状シロキサン化合物の供給方法としては、加熱した環状シロキサン化合物に不活性キャリアガスを導入し、キャリアガスに同伴させて基板の置かれた反応槽に導く方法、環状シロキサン化合物または有機溶媒に環状シロキサン化合物を溶かした溶液を気化器に送って気化器内でガス化して基板の置かれた反応槽に導く方法等がある。
　有機溶媒に溶かして溶液として用いる場合、有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノ－ル等のアルコール類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類；グライム、ジグライム、トリグライム、テトラヒドロフラン等のエーテル類；メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチルブチルケトン、ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレン等の炭化水素類；等が挙げられ、特に限定されるものではない。
　また、ＣＶＤ法としては熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等一般に使用されるＣＶＤ法であれば特に限定されない。塗布熱分解法の原料塗布方法としては、例えば、スピンコート法、ディップ法、噴霧法等が挙げられ、加熱方法としては、オーブン、ホットプレート等が使用でき、塗布方法、加熱方法、およびその組み合せは特に限定されない。
　このように得られた絶縁膜は、層間絶縁膜（Ｌｏｗ－ｋ膜）として優れたものであり、ｋ値は２～３が好ましく、特に好ましくは２．５～２．９である。
　以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　（実施例１）
　［１，３－ジアルコキシジシロキサンの合成］
　不活性雰囲気下、攪拌装置、及び温度計を備えた１００ｍＬの３つ口フラスコに、ジメトキシイソプロピルビニルシラン（一般式（１）の化合物）５．０ｇ（３１．４ｍｍｏｌ）とヘキサン２５ｍLを仕込み、ドライアイス／エタノールにより内温を－１５℃に冷却した。硫酸３．１ｇ（３１．４ｍｍｏｌ）および水１．７ｇ（９４．４ｍｍｏｌ）を、内温を－１０℃以下に保ったまま滴下し、その後３０分間撹拌し、目的の１，３－ジメトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－メトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンおよび１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン（一般式（２）の化合物）が生成していることをＧＣ／ＭＳ（ＥＩ）で確認した。反応液をＧＣ／ＭＳ（ＥＩ）で分析した結果は以下の通りであった。
１，３－ジメトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン（Ｃ１２Ｈ２６Ｏ３Ｓｉ２）　ｍ／ｚ：２３１（イソプロピル基脱離）、
１－メトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン（Ｃ１１Ｈ２４Ｏ３Ｓｉ２）　ｍ／ｚ：２１７（イソプロピル基脱離）、
１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン（Ｃ１０Ｈ２２Ｏ３Ｓｉ２）　ｍ／ｚ：２０３（イソプロピル基脱離）
　１，３－ジメトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－メトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、および１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンは単離せず、次工程へ進んだ。
　［シクロテトラシロキサンの合成］
　上記反応液を分層して水層を除去したのち、硫酸１．５ｇ（０．１６ｍｏｌ）を加え、還流条件で１時間撹拌した。反応終了後、硫酸層を除去し、得られた有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液で中和し硫酸マグネシウムで乾燥した。ロータリーエバポレーターで溶媒留去したのち、減圧蒸留にて目的の２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン（一般式（３）の化合物）が主成分（ＧＣ面積％：５４．０％）の液体が２．６ｇ（２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンの収量：１．４ｇ＝２．６ｇ×０．５４）得られた。一般式（３）の化合物の収率は３９．７％であった。この蒸留精製物をＧＣ／ＭＳ（ＥＩ）で分析した結果は以下の通りであった。
　２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン（Ｃ２０Ｈ４０Ｏ４Ｓｉ４）　ｍ／ｚ：３７０（イソプロピル基２個脱離）
　（比較例１）
　実施例１において、シクロテトラシロキサンの合成工程で分層及び水層除去作業を行わないこと以外は、実施例１と同様の実験を行った。蒸留精製物（液体）は、収量２．６ｇ、目的の２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンは、ＧＣ面積％が２．４％であり、極微量しか（２．６ｇ×０．０２４＝０．０６２ｇ、収率１．７％）生成しなかった。
　（実施例２）
　［シクロテトラシロキサン選択率の向上］
　実施例１において、シクロテトラシロキサンの合成工程での反応を、還流条件で６時間撹拌に変更した以外は、実施例１と同様の実験を行った。目的の２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンへの転換率の経時変化をＧＣ分析により確認した。反応終了後、実施例１と同様に処理を行った。一般式（３）の化合物の収率は６９．２％であった。結果を図１および図２に示す。
　（実施例３）
　［シクロテトラシロキサン選択率の向上、室温（２５℃）１ヶ月（７２０時間）］
　実施例１において、シクロテトラシロキサンの合成工程での反応を、還流条件で３０分撹拌後さらに室温で１ヶ月撹拌に変更した以外は、実施例１と同様の実験を行った。目的の２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンへの転換率の経時変化をＧＣ分析により確認した。反応終了後、実施例１と同様に処理を行った。一般式（３）の化合物の収率は７７．０％であった。結果を図３および図４に示す。
　（実施例４）
　［２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンを用いた絶縁膜の製造］
　実施例１で得た２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン（一般式（３）の化合物）が主成分の液体を蒸留精製した２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンを原料として、図５の装置を用いて、原料温度１２０℃、キャリアガス（Ｈｅ）流量１００ｓｃｃｍ、原料容器内圧力２２Ｔｏｒｒ、基板温度１５０℃、及び反応室内圧力１００Ｐａで、電源周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源の出力を２５Ｗに設定したＰＥＣＶＤ法により、Ｓｉ基板上に２分成膜を行った。成膜した絶縁膜について日本分光株式会社製のエリプソメーター（型式：ＭＥＬ－３０Ｓ）を用いて膜厚を測定したところ約１５０ｎｍであった。この絶縁膜上に、アルミ電極を蒸着法によって成膜した後、Ａｇｉｌｅｎｔ社製の４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータにより２５℃及び周波数１ｋＨｚの静電容量と誘電損失を測定し、比誘電率を計算したところ、ｋ　２．６９及びｔａｎδ＝０．０００４であった。測定部分の誘電体の面積は１．０１×１０－８ｍ２であった。また、直流電流＋４０Ｖの条件でのリーク電流を測定したところ、８．８×１０－１０Ａ／ｃｍ２の電流密度であった。
　（実施例５）
　［１，３－ジメトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－メトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、および１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンの合成］
　不活性雰囲気下、攪拌装置、及び温度計を備えた２００ｍＬの３つ口フラスコに、ジメトキシイソプロピルビニルシラン１５．０ｇ（９３．６ｍｍｏｌ）及びヘキサン９０ｍLを仕込み、ドライアイス／エタノールにより内温を－２０℃に冷却した。硫酸０．９７ｇ（９．９ｍｍｏｌ）を添加し、水３．５１ｇ（１９５ｍｍｏｌ）を内温－１５℃以下に保ち３０分かけて滴下した。内温を－１０℃に保持したまま５時間撹拌後、トリエチルアミン２．７ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）を添加し、水層を除去し有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ロータリーエバポレーターで溶媒留去したのち、減圧蒸留にて目的の１，３－ジメトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン、１－メトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンおよび１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンの混合物である液体２．７ｇが得られた。この混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝９／１（容量％））により精製し、目的化合物である１，３－ジメトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンを０．５１ｇ、収率４．０％、１－メトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンを１．７８ｇ、収率１４．６％、及び１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサンを０．３１ｇ、収率２．７％で得た。それぞれの化合物をＧＣ／ＭＳ（ＥＩ）（図６－８）および１Ｈ－ＮＭＲで分析した結果は以下の通りであった。
　ＧＣ／ＭＳ（ＥＩ）
　１，３－ジメトキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン（Ｃ１２Ｈ２６Ｏ３Ｓｉ２）　ｍ／ｚ：２３１（イソプロピル基脱離）
　１－メトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン（Ｃ１１Ｈ２４Ｏ３Ｓｉ２）　ｍ／ｚ：２１７（イソプロピル基脱離）
　１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン（Ｃ１０Ｈ２２Ｏ３Ｓｉ２）　ｍ／ｚ：２０３（イソプロピル基脱離）
　１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δｐｐｍ）
　１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン
　６．１３－５．９２（ｍ，６Ｈ）、３．５３（ｓ，６Ｈ）、１．０１（ｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，１２Ｈ）、０．９４－０．８７（ｍ，２Ｈ）
　１－メトキシ－３－ヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン
　６．１３－５．９０（ｍ，６Ｈ）、３．５２（ｓ，３Ｈ）、２．３１（ｓ，１Ｈ）、１．００（ｄｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，６Ｈ）、１．０３（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，６Ｈ）、０．９６－０．８８（ｍ，２Ｈ）
　１，３－ジヒドロキシ－１，３－ジイソプロピル－１，３－ジビニルジシロキサン
　６．１０－５．９１（ｍ，６Ｈ）、２．４０（ｓ，２Ｈ）、１．０１（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１２Ｈ）、０．９７－０．８９（ｍ，２Ｈ）
　（参考例１）
　［２，４，６－トリイソプロピル－２，４，６－トリビニルシクロトリシロキサンを用いた絶縁膜の製造］
　２，４，６－トリイソプロピル－２，４，６－トリビニルシクロトリシロキサンを原料として、図５の装置を用いて、原料温度８３℃、キャリアガス（Ｈｅ）流量１００ｓｃｃｍ、原料容器内圧力２２Ｔｏｒｒ、基板温度１５０℃、及び反応室内圧力１００Ｐａで、電源周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源の出力を２５Ｗに設定したＰＥＣＶＤ法により、Ｓｉ基板上に３分成膜を行った。成膜した絶縁膜について日本分光株式会社製のエリプソメーター（型式：ＭＥＬ－３０Ｓ）を用いて膜厚を測定したところ約２１０ｎｍであった。この絶縁膜上に、アルミ電極を蒸着法によって成膜した後、Ａｇｉｌｅｎｔ社製の４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータにより２５℃及び周波数１ｋＨｚの静電容量と誘電損失を測定し、比誘電率を計算したところ、ｋ　２．７４及びｔａｎδ＝０．０１であった。測定部分の誘電体の面積は９．８８×１０－７ｍ２であった。また、直流電流＋４０Ｖの条件でのリーク電流を測定したところ、２．０×１０－９Ａ／ｃｍ２の電流密度であった。
　実施例４の環状８員環である２，４，６，８－テトライソプロピル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサンからなる膜は、参考例１の環状６員環である２，４，６－トリイソプロピル－２，４，６－トリビニルシクロトリシロキサンからなる膜よりも、よりｋ値が小さく、絶縁膜として好適である。
　本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
　本出願は、２０１１年１２月２２日出願の日本国特許出願（特願２０１１－２８１３８２）及び２０１２年０９月１０日出願の日本国特許出願（特願２０１２－１９８６１５）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　本発明により、特に８員環構造を有する２，４，６，８－テトラアルキル－２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン化合物を、ジアルコキシアルキルビニルシランを原料に用いて、効率的に製造することができる。この８員環構造を有する環状シロキサン化合物は、分子内ポア前駆体プロセスのプレカーサーとして有用である。よって、本発明の工業的価値は顕著である。
　１．ＰＥＣＶＤチャンバー
　２．基板
　３．上部電極
　４．下部電極
　５．恒温槽
　６．原料容器
　７．真空ポンプ
　８．マッチング回路
　９．ＲＦ電源
　１０．アース
　１１．ヒーター
　１２．マスフローコントローラー
　１３．ヘリウムガス

Claims (7)

  1. 下記一般式（１）で表されるジアルコキシアルキルビニルシラン化合物を、酸または塩基の共存下、水と反応させることにより、下記一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を製造し、次いで、いったん水層を除去した後、一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を酸または塩基の共存下、反応させることを特徴とする、下記一般式（３）で表される環状シロキサン化合物の製造方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    一般式（１）において、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に炭素数１～３の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    一般式（２）において、Ｒ１は一般式（１）に同じ。Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に一般式（１）のＲ２に同じかまたは水素原子を示す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    一般式（３）において、Ｒ１は一般式（１）に同じ。
  2. 一般式（１）で表されるジアルコキシアルキルビニルシラン化合物を酸または塩基の共存下、水と反応させる際の反応温度が－５０～２５℃であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
  3. 一般式（２）で表されるジシロキサン化合物を酸または塩基の共存下、反応させる反応時間が３０分以上、即ち、０．５時間以上、１ヶ月以下、即ち、７２０時間以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
  4. 酸として硫酸の共存下に反応を行うことを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の製造方法。
  5. Ｒ１がイソプロピル基、Ｒ２がメチル基、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ独立にメチル基または水素原子であることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の製造方法。
  6. 請求項１～５のいずれかに記載の製造方法により製造された環状シロキサン化合物を材料として用いることを特徴とする絶縁膜。
  7. 下記一般式（２）で表されることを特徴とするジシロキサン化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    式中、Ｒ１は一般式（１）に同じ。Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に一般式（１）のＲ２に同じかまたは水素原子を示す。
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