WO2013084629A1 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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WO2013084629A1
WO2013084629A1 PCT/JP2012/078291 JP2012078291W WO2013084629A1 WO 2013084629 A1 WO2013084629 A1 WO 2013084629A1 JP 2012078291 W JP2012078291 W JP 2012078291W WO 2013084629 A1 WO2013084629 A1 WO 2013084629A1
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WO
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layer
display device
electrode
light emitting
insulating layer
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PCT/JP2012/078291
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French (fr)
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野田　真
真央 勝原
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ソニー株式会社
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    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Definitions

  • the present technology relates to a display device and an electronic apparatus including a self-luminous element such as an organic EL (ElectroLuminescence) element.
  • a self-luminous element such as an organic EL (ElectroLuminescence) element.
  • an organic EL (ElectroLuminescence) element is a self-luminous display element and is excellent in terms of wide viewing angle, contrast, and response speed (for example, Patent Document 1).
  • Such a self-luminous element such as an organic EL element has a first electrode, a functional layer including a light-emitting layer, and a second electrode on a substrate in this order, and adjacent elements are insulated layers (pixel division layers). ) Are separated from each other.
  • a display device includes an insulating layer having an opening, a functional layer including a light emitting layer between the first electrode and the second electrode, and a light emitting element provided in the opening of the insulating layer.
  • the insulating layer includes a low refractive index layer made of a constituent material having a lower refractive index than that of the functional layer close to the insulating layer.
  • An electronic apparatus includes the display device.
  • the insulating layer includes the low refractive index layer
  • the light emitted from the light emitting layer is the wall surface of the opening (insulating layer including the low refractive index layer). It becomes easy to be totally reflected.
  • the insulating layer includes the low refractive index layer, the light that is totally reflected by the insulating layer out of the light emitted from the light emitting layer.
  • the amount of light can be increased. Therefore, light extraction efficiency is improved, and power consumption can be suppressed.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a display device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. It is the schematic showing the whole structure of the display apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel drive circuit illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 1 in order of steps.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 7 in the order of steps. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 8A. It is sectional drawing showing the structure of the display apparatus which concerns on a modification.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 9 in the order of steps. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 10A. It is a top view showing schematic structure of the module containing the display apparatus of the said embodiment. It is a perspective view showing the external appearance of the application example 1 of the display apparatus of the said embodiment. 10 is a perspective view illustrating an appearance of Application Example 2 viewed from the front side.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 7 in the order of steps. It is sectional drawing showing the process of following FIG. 8A. It is sectional drawing showing the structure of the display apparatus which concerns on a modification.
  • FIG. 14 is a perspective view illustrating an appearance of Application Example 2 viewed from the back side.
  • FIG. 12 is a perspective view illustrating an appearance of application example 3.
  • FIG. 14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 4.
  • FIG. It is a figure showing the closed state of the example 5 of application. It is a figure showing the open state of the example 5 of application.
  • First embodiment an example in which the insulating layer is composed of a low refractive index layer
  • Second embodiment an example in which the insulating layer is composed of a low refractive index layer and a black layer
  • Modification example in which the insulating layer is composed of a low refractive index layer and a black layer, and the wall surface of the opening of the insulating layer is covered by the low refractive index layer
  • FIG. 1 illustrates a cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 1) according to a first embodiment of the present technology.
  • the display device 1 is a self-luminous display device including a plurality of organic light emitting elements 10, and includes a pixel drive circuit forming layer L1 and an organic light emitting element 10 on a support substrate 11 (first substrate).
  • the element forming layer L2 and the counter substrate 18 (second substrate) are provided in this order.
  • the display device 1 is a so-called top emission type display device having a light extraction direction on the counter substrate 18 side.
  • the pixel drive circuit formation layer L1 includes, for example, a signal line drive circuit for image display and a scanning line drive circuit (see FIG. Not shown). Details of each component will be described later.
  • FIG. 2 shows the overall configuration of the display device 1.
  • the display device 1 has a display region 110 on a support substrate 11 and is used as an ultra-thin organic light emitting color display device or the like.
  • a signal line driving circuit 120, a scanning line driving circuit 130, and a power supply line driving circuit 140 which are drivers for displaying images are provided.
  • a plurality of organic light emitting elements 10 (10R, 10G, 10B) arranged two-dimensionally in a matrix and a pixel drive circuit 150 for driving them are formed.
  • the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B mean the organic light emitting elements 10 that emit red, green, and blue, respectively.
  • a plurality of signal lines 120A 120A1, 120A2,..., 120Am, etc.
  • a plurality of power supply lines 140A 140A1,..., 140An,. ... Are arranged, and a plurality of scanning lines 130A (130A1,..., 130An,...) Are arranged in the row direction (X direction).
  • any one of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B is provided corresponding to each intersection of each signal line 120A and each scanning line 130A.
  • Each signal line 120A has both ends connected to the signal line drive circuit 120
  • each scanning line 130A has both ends connected to the scanning line drive circuit 130
  • each power supply line 140A has both ends connected to the power supply line drive circuit 140. It is connected.
  • the signal line driving circuit 120 supplies a signal voltage of a video signal corresponding to luminance information supplied from a signal supply source (not shown) to the selected organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B via the signal line 120A. To do. A signal voltage from the signal line driver circuit 120 is applied to the signal line 120A from both ends thereof.
  • the scanning line driving circuit 130 includes a shift register that sequentially shifts (transfers) the start pulse in synchronization with the input clock pulse.
  • the scanning line driving circuit 130 scans them in units of rows when writing video signals to the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and sequentially supplies the scanning signals to the scanning lines 130A.
  • a scanning signal from the scanning line driving circuit 130 is supplied to the scanning line 130A from both ends thereof.
  • the power supply line driving circuit 140 includes a shift register that sequentially shifts (transfers) the start pulse in synchronization with the input clock pulse.
  • the power supply line driving circuit 140 applies any one of the first potential and the second potential different from each other to each power supply line 140A in synchronization with the scanning in units of columns by the signal line driving circuit 120 as appropriate. Supply. Thereby, the conduction state or non-conduction state of the drive transistor Tr1 described later is selected.
  • the pixel driving circuit 150 is provided in a layer between the substrate 11 and the organic light emitting element 10, that is, the pixel driving circuit forming layer L1.
  • FIG. 3 shows a configuration example of the pixel driving circuit 150.
  • the pixel driving circuit 150 is an active driving circuit having a driving transistor Tr1 and a writing transistor Tr2, a capacitor (holding capacity) Cs therebetween, and the organic light emitting element 10.
  • the organic light emitting element 10 is connected in series with the drive transistor Tr1 between the power supply line 140A and the common power supply line (GND).
  • the driving transistor Tr1 and the writing transistor Tr2 are configured by a general thin film transistor (TFT (Thin Film Transistor)), and the configuration may be, for example, an inverted staggered structure (so-called bottom gate type) or a staggered structure (top gate type). Well not particularly limited.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the drain electrode of the writing transistor Tr2 is connected to the signal line 120A, and the video signal from the signal line driving circuit 120 is supplied. Further, the gate electrode 2G of the writing transistor Tr2 is connected to the scanning line 130A, and a scanning signal is supplied from the scanning line driving circuit 130. Further, the source electrode 2S of the write transistor Tr2 is connected to the gate electrode 1G of the drive transistor Tr1.
  • the drain electrode 1D is connected to the power supply line 140A and the drive transistor Tr1 is set to either the first potential or the second potential by the power supply line drive circuit 140.
  • the source electrode 1S of the drive transistor Tr1 is connected to the organic light emitting element 10.
  • the storage capacitor Cs is formed between the gate electrode 1G of the drive transistor Tr1 (source electrode 2S of the write transistor Tr2) and the drain electrode 1D of the drive transistor Tr1.
  • the support substrate 11 is made of, for example, glass or plastic material that can block the permeation of moisture (water vapor) and oxygen. Since light is extracted from the counter substrate 18 in the top emission type, the support substrate 11 may be formed of either a transmissive material or a non-transmissive material. When the display device 1 is a flexible display, the support substrate 11 is preferably made of a flexible material such as a plastic material.
  • the pixel drive circuit formation layer L1 has a laminated structure of the gate insulating film 12 and the planarization layer 13.
  • a drive transistor Tr1 and a write transistor Tr2 constituting the pixel drive circuit 150 are formed, and further, a signal line 120A, a scanning line 130A, and a power supply line 140A (not shown) are also formed. Buried.
  • the gate electrodes 1G and 2G of the drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2 are formed on the support substrate 11 and are collectively covered with the gate insulating film 12.
  • semiconductor layers SC1 and SC2 source electrodes 1S and 2S, and drain electrodes 1D and 2D in the drive transistor Tr1 and the write transistor Tr2 are formed, respectively.
  • the gate electrodes 1G and 2G are formed of, for example, one or more of metal materials, inorganic conductive materials, organic conductive materials, and carbon materials.
  • metal materials include aluminum (Al), copper (Cu), molybdenum (Mo), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), palladium (Pd), gold (Au), and silver (Ag). Platinum (Pt) or an alloy containing them.
  • the inorganic conductive material include indium oxide (In 2 O 3 ), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and zinc oxide (ZnO).
  • the organic conductive material is, for example, polyethylene dioxythiophene (PEDOT) or polystyrene sulfonic acid (PSS).
  • the carbon material is, for example, graphite. Note that the gate electrodes 1G and 2G may be formed by stacking two or more layers of the various materials described above.
  • the gate insulating film 12 is formed of one or more of an inorganic insulating material and an organic insulating material.
  • the inorganic material include silicon oxide (SiO X ), silicon nitride (SiN X ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), hafnium oxide (HfO X ), and barium titanate (BaTiO 3 ).
  • Etc examples of the organic insulating material include polyvinylphenol (PVP), polyimide, polymethacrylic acid acrylate, photosensitive polyimide, photosensitive novolak resin, and polyparaxylylene. Note that the gate insulating film 12 may be formed by stacking two or more layers of the various materials described above.
  • the semiconductor layers SC1 and SC2 are formed of one or more of inorganic semiconductor materials and organic semiconductor materials.
  • the inorganic semiconductor material is, for example, amorphous silicon.
  • As the organic semiconductor material for example, acene or a derivative thereof can be used.
  • the acene is, for example, naphthacene, pentacene, hexacene, heptacene, dibenzopentacene, tetrabenzopentacene, pyrene, dibenzopyrene, chrysene, perylene, coronene, terylene, overene, quaterylene, or circumanthracene.
  • the semiconductor layers SC1 and SC2 are preferably made of an organic semiconductor material.
  • the source electrodes 1S, 2S and the drain electrodes 1D, 2D are made of, for example, the same material as the gate electrodes 1G, 2G described above, and are preferably in ohmic contact with the semiconductor layers SC1, SC2.
  • the planarization layer 13 is provided mainly for planarizing the surface of the pixel drive circuit formation layer L1, and is formed of, for example, an insulating resin material such as polyimide.
  • the source electrode and the drain electrode may be covered with a passivation layer made of a fluorinated polymer or the like, and the planarization layer 13 may be provided on the passivation layer.
  • the organic light emitting element 10 and the insulating layer 19 and a sealing layer 17 covering them are provided.
  • the organic light emitting element 10 includes a first electrode 14 as an anode electrode, an organic layer 15 (functional layer) including a light emitting layer 15C (described later), and a second electrode 16 as a cathode electrode from the support substrate 11 side. They are stacked in order. The organic layer 15 and the first electrode 14 are separated for each organic light emitting element 10 by the insulating layer 19. On the other hand, the second electrode 16 is provided in common to all the organic light emitting elements 10.
  • the first electrode 14 is an electrode that injects holes into the organic layer 15 (specifically, the hole transport layer 15A described later), and is formed on the planarizing layer 13 for each of the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B. Is provided.
  • the first electrode 14 has a reflective surface on the surface facing the organic layer 15, and reflects the light emitted from the light emitting layer 15C toward the display surface side (second electrode 16 side). For this reason, it is preferable that the first electrode 14 has as high a reflectance as possible in order to increase the luminous efficiency.
  • the first electrode 14 is made of a single element or alloy of a metal element such as silver (Ag), aluminum (Al), molybdenum (Mo), or chromium (Cr).
  • the 1st electrode 14 as the laminated structure of the above-mentioned metal film and a transparent conductive film.
  • the transparent conductive film include an oxide of indium and tin (ITO), indium zinc oxide (InZnO), an alloy of zinc oxide (ZnO) and aluminum (Al), and the like.
  • the organic layer 15 is made of an organic material, and as shown in FIG. 4, from the first electrode 14 side, a hole injection layer 15A, a hole transport layer 15B, a light emitting layer 15C, an electron transport layer 15D, and an electron injection layer 15E. Are stacked in order. However, layers other than the light emitting layer may be provided as necessary.
  • the hole injection layer 15A is a buffer layer for increasing hole injection efficiency and preventing leakage.
  • the hole transport layer 15B is for increasing the efficiency of transporting holes to the light emitting layer 15C.
  • the light emitting layer 15C generates light by applying an electric field to recombine electrons and holes.
  • the electron transport layer 15D is provided to increase the electron transport efficiency to the light emitting layer 15C, and the electron injection layer 15E is provided to increase the electron injection efficiency.
  • the electron injection layer 15E is made of, for example, LiF or Li 2 O.
  • the hole injection layer 15A of the organic light emitting device 10R includes, for example, 4,4 ′, 4 ′′ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA), 4,4 ′, 4 ′′ -tris (2 -Naphthylphenylamino) triphenylamine (2-TNATA), bis [(N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine ( ⁇ -NPD), poly (3-hexylthiophene) (P3HT) or poly (3,4- Ethylenedioxythiophene): composed of poly (styrene sulfonate) (PEDOT-PSS).
  • m-MTDATA 4,4 ′, 4 ′′ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine
  • 2-TNATA 4,4 ′, 4 ′′ -tris (2 -Naphthylphenylamino) triphen
  • the hole transport layer 15B of the organic light emitting element 10R is made of, for example, ⁇ -NPD.
  • the light emitting layer 15C of the organic light emitting device 10R includes, for example, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene-1, 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ), It is composed of 40% by volume of 5-dicarbonitrile (BSN-BCN).
  • the electron transport layer 15D of the organic light emitting element 10R is made of, for example, Alq 3 .
  • the hole injection layer 15A of the organic light emitting element 10G is made of, for example, m-MTDATA, 2-TNATA, ⁇ -NPD, P3HT, or PEDOT-PSS.
  • the hole transport layer 15B of the organic light emitting device 10G is made of, for example, ⁇ -NPD.
  • the light emitting layer 15C of the organic light emitting element 10G is made of, for example, Alq 3 mixed with 3% by volume of coumarin 6 (Coumarin 6).
  • the electron transport layer 15D of the organic light emitting device 10G is made of, for example, Alq 3 .
  • the hole injection layer 15A of the organic light emitting device 10B is made of, for example, m-MTDATA, 2-TNATA, ⁇ -NPD, P3HT, or PEDOT-PSS.
  • the hole transport layer 15B of the organic light emitting device 10B is made of, for example, ⁇ -NPD.
  • the light emitting layer 15C of the organic light emitting element 10B is composed of, for example, spiro 6 ⁇ .
  • the electron transport layer 15D of the organic light emitting element 10B is made of, for example, Alq 3 .
  • the second electrode 16 is provided on the organic layer 15 in a state insulated from the first electrode 14 in common to the organic EL elements 10R, 10G, and 10B.
  • the second electrode 16 is made of a light transmissive transparent material, for example, indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), alumina doped zinc oxide (AZO), gallium doped zinc oxide (GZO), indium zinc oxide. (IZO), indium titanium oxide (ITiO), indium tungsten oxide (IWO), or the like.
  • the insulating layer 19 has an opening 19M, and the first electrode 14, the organic layer 15, and the second electrode 16 are in contact with each other in the opening 19M to form a stacked structure thereof. That is, the organic light emitting device 10 (organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B) is provided in the opening 19M, and the light emitting region is defined by the opening 19M. A part of the insulating layer 19 is in contact with the surface of the first electrode 14, and the wall surface (side surface) of the opening 19 ⁇ / b> M is inclined (inclination angle ⁇ ) with respect to the surface of the first electrode 14.
  • the tilt angle ⁇ is arbitrary and may be any of acute, right angle, and obtuse, but in the display device 1 in which the second electrode 16 side is in the light extraction direction, the tilt angle ⁇ is preferably an acute angle. This is because if the inclination angle ⁇ is an acute angle, the opening 19M widens toward the second electrode 16 and the light extraction efficiency is improved.
  • the organic layer 15 is provided along the wall surface and bottom surface of the opening 19M of the insulating layer 19, and the lowermost layer (hole injection layer 15A) of the organic layer 15 is in contact with the wall surface of the opening 19M.
  • the planar shape of the opening 19M is, for example, a square shape, but the shape of the opening 19M is arbitrary, and may be, for example, a slit shape or a U-shape.
  • the insulating layer 19 is composed of a layer closest to the insulating layer 19 in the organic layer 15, that is, a low refractive index layer made of a material having a refractive index lower than that of the constituent material of the hole injection layer 15A.
  • the insulating layer 19 only needs to be at least partially constituted by a low refractive index layer, and it is preferable that the low refractive index layer and the hole injection layer 15A are in contact with each other.
  • the insulating layer 19 is composed of only a low refractive index layer.
  • the refractive index of the constituent material of the insulating layer 19 is n1
  • the refractive index of the constituent material of the hole injection layer 15A is n2, n1 ⁇ n2.
  • the insulating layer 19 it is preferable to adjust the refractive index n1 and the inclination angle ⁇ of the constituent material so that most of the light generated in the light emitting layer 15C is totally reflected by the wall surface of the opening 19M.
  • the hole injection layer 15A is made of NPD (MoO 3 co-deposited film (20% doped)), P3HT, or PEDOT / PSS
  • the insulating layer 19 is made of fluorinated polyimide.
  • the refractive index of ⁇ -NPD is 1.8
  • the refractive index of P3HT is 1.95.
  • the insulating layer 19 made of polyimide is preferably adjusted to a refractive index of less than 1.5 by controlling the refractive index by fluorination.
  • the sealing layer 17 is formed of an insulating resin material such as polyimide, for example, similarly to the planarization layer 13.
  • the counter substrate 18 seals the organic light emitting element 10 together with the sealing layer 17 and an adhesive layer (not shown) such as a thermosetting resin, and is generated in the light emitting layer 15 ⁇ / b> C included in the organic layer 15. It is made of transparent glass or plastic material that transmits light.
  • the counter substrate 18 is preferably made of a flexible material such as a plastic material. This is because such a counter substrate 18 is harder to break than a case where it is made of glass or the like, and can increase the resistance to impact. Further, since the counter substrate 18 made of a flexible material can be provided with a barrier film having a barrier property against oxygen and water, the reliability of the display device 1 can be improved.
  • the display device 1 can be manufactured as follows, for example.
  • the pixel drive circuit formation layer L1 and the first electrode 14 are formed on the support substrate 11. Specifically, first, a metal film made of a constituent material of the gate electrodes 1G and 2G is formed on the support substrate 11 by, for example, vapor deposition. Thereafter, the metal film is patterned by, for example, photolithography, dry etching, or wet etching, thereby forming the gate electrodes 1G and 2G and the signal line 120A on the support substrate 11. Next, the gate insulating film 12 is formed by spin coating or the like using the above material so as to cover the entire surface of the support substrate 11.
  • the semiconductor layers SC1 and SC2, the drain electrodes 1D and 2D, and the source electrodes 1S and 2S are sequentially formed on the gate insulating film 12 using a vapor deposition method and a photolithography method, for example, in a predetermined shape. .
  • a connecting portion for connecting the gate electrode 1G and the source electrode 2S is formed in the gate insulating film 12 in advance.
  • the scanning line 130A and the power supply line 140A are formed. At that time, necessary connection portions for connecting each wiring and each electrode are appropriately formed.
  • the pixel drive circuit formation layer L1 is completed by covering the entire surface with the planarization layer 13 by spin coating or the like (by further performing a photolithography process if necessary).
  • a connection hole for forming a connection portion with the first electrode 14 is formed at a predetermined position on the metal layer 1S in the planarization layer 13 by dry etching or the like.
  • the first electrode 14 made of the predetermined material described above is formed. Specifically, for example, a metal film made of the above-described material is formed on the entire surface by, for example, vapor deposition, and then a resist pattern (not shown) having a predetermined shape is formed on the metal film using a predetermined mask. Using the resist pattern as a mask, the metal film is selectively etched. At that time, the first electrode 14 is formed so as to cover the surface of the planarization layer 13 and fill the connection hole.
  • the insulating layer 19 is formed by patterning as shown in FIG. 5B. Specifically, the constituent material of the insulating layer 19 is applied to the entire surface of the substrate 11 (on the planarizing layer 13 and the first electrode 14) by a spin coating method. Thereafter, baking, selective exposure, and development are sequentially performed, so that patterning into a predetermined shape having the opening 19M can be performed.
  • the hole injection layer 15A, the hole transport layer 15B, the light emitting layer 15C, the electron transport layer 15D, and the electron injection layer 15E having the predetermined materials and thicknesses described above so as to completely cover the opening 19M are formed by, for example, vapor deposition.
  • the organic layer 15 is formed by sequentially laminating.
  • the second electrode 16 is formed over the entire surface so as to face the first electrode 14 with the organic layer 15 in between, for example, using an evaporation method. Thereby, the organic light emitting element 10 is formed.
  • the organic layer 15 and the second electrode 16 are preferably formed by a method excellent in film thickness control, for example, a vapor deposition method. By accurately controlling the film thicknesses of the organic layer 15 and the second electrode 16, multiple interference of the organic light emitting element 10 between the first electrode 14 and the second electrode 16 can be used. And the color filter can be omitted.
  • the sealing layer 17 is formed on the entire surface of the substrate 11. Finally, the counter substrate 18 is bonded to the sealing layer 17 with, for example, a vacuum lamination method with an adhesive layer interposed therebetween, and the display device 1 is completed.
  • each organic light emitting element 10 is supplied with a scanning signal from the scanning line driving circuit 130 via the gate electrode 2 G of the writing transistor Tr 2, and an image signal is written from the signal line driving circuit 120 to the writing transistor. It is held in the holding capacitor Cs via Tr2. That is, the driving transistor Tr1 is controlled to be turned on / off according to the signal held in the holding capacitor Cs, whereby a driving current is injected into the organic light emitting element 10, and holes and electrons are recombined to emit light. This light passes through the second electrode 16, the sealing layer 17 and the counter substrate 18 and is extracted.
  • the refractive index n1 of the constituent material of the insulating layer 19 is made smaller than the refractive index n2 of the constituent material of the hole injection layer 15A (n1 ⁇ n2), as shown in FIG.
  • the generated light is easily totally reflected by the wall surface of the opening 19M of the insulating layer 19. That is, among the light emitted from the light emitting layer 15C, the amount of light transmitted through the insulating layer 19 in the X-axis direction is reduced, and the amount of light emitted toward the counter substrate 18 (Z-axis direction) is increased. Therefore, the light extraction efficiency can be improved.
  • the refractive index n1 of the insulating layer 19 is made smaller than the refractive index n2 of the hole injection layer 15A, the light extraction efficiency can be improved and the power consumption can be suppressed. It becomes possible.
  • FIG. 7 illustrates a cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 2) according to the second embodiment of the present technology.
  • the insulating layer 29 has a laminated structure of a low refractive index layer 29A and a black layer 29B. Except for this point, the display device 2 has the same configuration as the display device 1 of the first embodiment, and the operation and effect thereof are also the same.
  • the insulating layer 29 has a low refractive index layer 29A and a black layer 29B in this order from the first electrode 14 side.
  • an opening 29 ⁇ / b> M is provided in the same manner as the insulating layer 19 of the display device 1.
  • the low refractive index layer 29A is made of the same constituent material (refractive index n1) as that of the insulating layer 19.
  • the black layer 29B is made of, for example, a material that exhibits black color by dispersing black pigment, dye, and pigment in an insulating resin material such as polyimide, that is, a material that absorbs visible light and reduces reflection. Yes.
  • substrate 18 side is absorbed by the black layer 29B, reflection by the 1st electrode 14 of this external light, ie, external light reflection, can be suppressed. Therefore, the light extraction efficiency can be increased by the low refractive index layer 29A, and the visibility of the display image of the display device 2 can be improved by the black layer 29B.
  • the external light reflectance in the organic light emitting device 10 can be further reduced by a combination with a retardation plate or a polarizing plate (not shown).
  • the pixel separation is performed by the insulating layer 29 including the black layer 29B, it is possible to avoid mixing (mixing of colors) image light of different colors from the adjacent organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. .
  • the black layer 29B can realize a high-definition and high-contrast display image without performing such alignment.
  • the counter substrate 18 is made of a flexible substrate such as plastic, the alignment work becomes difficult from the viewpoint of dimensional stability, flatness, handling property (handling property), and the like. Instead of this, it is preferable to increase the contrast with the black layer 29B.
  • the black pigment contained in the black layer 29B for example, at least one of the following organic pigments and inorganic pigments is used.
  • the organic pigment include azo lake, insoluble azo, condensed azo, phthalocyanine, quinacridone, dioxazine, isoindolinone, anthraquinone, perinone, thioindico, and perylene.
  • the inorganic pigment include carbon black, titanium oxide, miloli blue, cobalt violet, manganese violet, ultramarine blue, bitumen, cobalt blue, cerulean blue, and viridian. These pigments can be used alone or in admixture of two or more.
  • black dyes examples include nigrosine (for example, NUbian BLACK (registered trademark) series manufactured by Orient Chemical Industries) and BONJET BLACK (registered trademark) (produced by Orient Chemical Industries), which are azine compounds condensed with aniline and nitrobenzene.
  • nigrosine for example, NUbian BLACK (registered trademark) series manufactured by Orient Chemical Industries
  • BONJET BLACK registered trademark
  • the low-refractive index layer 29A and the black layer 29B are formed using a photosensitive resin material that can be molded by photopatterning or reflowing, etc., in order to simplify the forming process and enable molding into a desired shape. Is preferred.
  • the display device 2 first, after the pixel drive circuit formation layer L 1 and the first electrode 14 are formed on the support substrate 11 in the same manner as the display device 1 (FIG. 8A), as shown in FIG. 29 is formed.
  • the insulating layer 29 is formed by depositing the constituent material of the low refractive index layer 29A and the constituent material of the black layer 29B in this order on the entire surface of the substrate 11 (on the first electrode 14 and the gate insulating layer 13) by, for example, spin coating. Thereafter, patterning is performed. At this time, for example, when a positive type black resist containing a black pigment is used for the black layer 29B, this is formed on the entire surface of the substrate 11, then baked (for example, at 100 ° C.
  • the insulating layer 29 has a laminated structure of the low refractive index layer 29A and the black layer 29B, it can be formed by a single lithography process similar to the insulating layer 19.
  • the organic layer 15, the second electrode 16, and the sealing layer 17 are formed in the same manner as the display device 1.
  • the pixel drive circuit formation layer L1 and the light emitting element formation layer L2 are formed on the support substrate 11.
  • the display device 2 is completed by bonding the support substrate 11 provided with the pixel drive circuit formation layer L1 and the light emitting element formation layer L2 and the counter substrate 18 together.
  • the conventionally used black matrix is not necessary, so that the number of manufacturing steps can be reduced and the cost can be reduced.
  • the constituent material of the light emitting layer 15C is common to the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, light of the same color (for example, white) is emitted from the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B.
  • different colors of light are extracted from each pixel by providing different color filters for the respective organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B.
  • such a color filter can be provided in the light emitting element formation layer L2.
  • a protective layer made of, for example, SiN x , SiO x, or AlO is formed on the entire surface of the second electrode 16 by a sputtering method or a vacuum process such as CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • the protective layer may be formed by laminating the inorganic film, or may be laminated with an organic film.
  • a color filter is formed on the protective layer so as to correspond to each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and then a sealing layer 17 is formed. That is, since it is not necessary to form a color filter on the counter substrate 18, the counter substrate 18 can be bonded to the support substrate 11 without performing a precise alignment operation.
  • FIG. 9 illustrates a cross-sectional configuration of a main part of a display device (display device 2A) according to a modification of the second embodiment.
  • the wall surface of the opening 39M of the insulating layer 39 is covered with the low refractive index layer 39A. Except for this point, the display device 2A has the same configuration as the display device 2, and the operation and effect thereof are also the same.
  • the insulating layer 39 has a black layer 39B and a low refractive index layer 39A in this order from the first electrode 14 side, and the wall surface of the opening 39M is covered with the low refractive index layer 39A.
  • Layer 39 is formed.
  • the insulating layer 39 is formed by first applying the constituent material of the black layer 39B to the entire surface of the substrate 11 (on the first electrode 14 and the gate insulating layer 13) and then patterning to form the black layer 39B.
  • the low refractive index layer 39A is formed so as to cover the black layer 39B.
  • the display devices 1, 2, and 2A according to the above-described embodiments are generated from an externally input video signal, such as a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, or a video camera.
  • This video signal can be applied to display devices of electronic devices in all fields that display images or videos.
  • the display device of the above-described embodiment or the like is incorporated into various electronic devices such as application examples 1 to 5 described later, for example, as a module shown in FIG.
  • a region 210 exposed from the sealing layer 17 and the counter substrate 18 is provided on one side of the support substrate 11, and wirings of the signal line driving circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 are provided in the exposed region 210.
  • An external connection terminal (not shown) is formed by extending.
  • the external connection terminal may be provided with a flexible printed circuit (FPC) 220 for signal input / output.
  • FPC flexible printed circuit
  • FIG. 12 illustrates an appearance of a television device to which the display device of the above-described embodiment or the like is applied.
  • This television apparatus has, for example, a video display screen unit 300 including a front panel 310 and a filter glass 320, and the video display screen unit 300 is configured by the display device according to the above embodiment.
  • FIG. 13A and 13B show the appearance of a digital camera to which the display device of the above-described embodiment or the like is applied.
  • the digital camera includes, for example, a flash light emitting unit 410, a display unit 420, a menu switch 430, and a shutter button 440, and the display unit 420 is configured by the display device according to the above embodiment. .
  • FIG. 14 illustrates an appearance of a notebook personal computer to which the display device of the above-described embodiment or the like is applied.
  • the notebook personal computer has, for example, a main body 510, a keyboard 520 for inputting characters and the like, and a display unit 530 for displaying an image.
  • the display unit 530 is a display device according to the above embodiment. It is comprised by.
  • FIG. 15 shows the appearance of a video camera to which the display device of the above embodiment is applied.
  • This video camera has, for example, a main body 610, a subject photographing lens 620 provided on the front side surface of the main body 610, a start / stop switch 630 at the time of photographing, and a display 640.
  • Reference numeral 640 denotes the display device according to the above embodiment.
  • 16A, 16B, 16C, 16D, 16E, 16F, and 16G represent the appearance of a mobile phone to which the display device of the above embodiment is applied.
  • the mobile phone is obtained by connecting an upper housing 710 and a lower housing 720 with a connecting portion (hinge portion) 730, and includes a display 740, a sub-display 750, a picture light 760, and a camera 770.
  • the display 740 or the sub-display 750 is configured by the display device according to the above embodiment.
  • the present technology has been described with the embodiment and the modification, the present technology is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made.
  • a display device using a top emission type organic light emitting element has been described.
  • the present technology is a bottom emission type organic material having a light extraction direction on the first electrode 14 (support substrate 11 side) side. It can also be applied to a display device.
  • a display device having an active matrix method as a driving method has been described, but a display device having a passive matrix method may be used.
  • the display device using the organic light emitting element has been exemplified.
  • the present technology can also be applied to a display device using another light emitting element such as an inorganic light emitting element.
  • the lowermost layer on the first electrode 14 side in the organic layer 15 is the hole injection layer 15A
  • the lowermost layer on the first electrode 14 side that is, the insulating layer
  • the layer in contact with the layer 19 may be a layer other than the hole injection layer 15A.
  • the insulating layers 19, 29, and 39 may have other shapes.
  • the material and thickness of each layer described in the above embodiment, the film formation method and the film formation conditions are not limited, and other materials and thicknesses may be used, or other film formation methods. Alternatively, film forming conditions may be used.
  • the display device according to (6) wherein a wall surface of the opening is covered with the low refractive index layer.
  • the black layer is made of a photosensitive resin in which a black pigment, a dye, and a pigment are dispersed.
  • the light-emitting element is provided between a first substrate on the first electrode side and a second substrate on the second electrode side, and the second substrate is made of a flexible material. ).
  • the functional layer is made of an organic material.
  • a display device is provided, and the display device includes an insulating layer having an opening and a functional layer including a light emitting layer between the first electrode and the second electrode, and is provided in the opening of the insulating layer.
  • the electronic device includes a light emitting element, and the insulating layer includes a low refractive index layer made of a constituent material having a lower refractive index than a layer of the functional layer adjacent to the insulating layer.

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Abstract

　開口（１９Ｍ）を有する絶縁層（１９）と、第１電極（１４）と第２電極（１６）との間に発光層を含む機能層（１５）を有すると共に前記絶縁層の開口に設けられた発光素子（１０）とを備え、前記絶縁層は、前記機能層のうち当該絶縁層に近接する層（１５Ａ）よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含む表示装置（１）。

Description

表示装置および電子機器
　本技術は、例えば有機ＥＬ（ElectroLuminescence）素子等の自発光素子を備えた表示装置および電子機器に関する。
　情報通信産業の発達が加速するのに伴い、高性能な表示素子が要求されている。例えば有機ＥＬ（ElectroLuminescence）素子は、自発光型表示素子であり、視野角の広さ、コントラスト、応答速度の点で優れている（例えば、特許文献１）。
　このような有機ＥＬ素子等の自発光型素子は、基板上に第１電極，発光層を含む機能層および第２電極をこの順に有しており、隣り合う素子同士は絶縁層（画素分割層）により互いに分離されている。
特開２００９－５９８０９号公報
　このような自発光型表示素子では、発光層から出射された光を、より効率良く表示面側に取り出し、消費電力を抑えることが望まれる。
　したがって、より高い光取り出し効率を有する表示装置およびこの表示装置を備えた電子機器を提供することが望ましい。
　本技術の一実施の形態の表示装置は、開口を有する絶縁層と、第１電極と第２電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に絶縁層の開口に設けられた発光素子とを備え、絶縁層は、機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含むものである。本技術の一実施の形態の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
　本技術の一実施の形態の表示装置または電子機器では、絶縁層が低屈折率層を含んでいるので、発光層から出射された光は、開口の壁面（低屈折率層を含む絶縁層）で全反射され易くなる。
　本技術の一実施の形態の表示装置および電子機器によれば、絶縁層が低屈折率層を含むようにしたので、発光層から出射された光のうち、絶縁層で全反射される光の光量を増加させることができる。よって、光取り出し効率が向上し、消費電力を抑えることが可能となる。
本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の全体構成を表す概略図である。 図２に示した画素駆動回路の一例を表す回路図である。 図１に示した有機層の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図５Ａに続く工程を表す断面図である。 図１に示した有機層から出射された光の経路について説明するための図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図７に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図８Ａに続く工程を表す断面図である。 変形例に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図９に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図１０Ａに続く工程を表す断面図である。 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例２の裏側からみた外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 適用例５の閉じた状態を表す図である。 適用例５の開いた状態を表す図である。
　以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（絶縁層が低屈折率層により構成された例）
２．第２の実施の形態（絶縁層が低屈折率層と黒色層により構成された例）
３．変形例（絶縁層が低屈折率層と黒色層により構成され、絶縁層の開口の壁面が低屈折率層により覆われた例）
＜第１の実施の形態＞
［表示装置の全体構成］
　図１は、本技術の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の要部断面構成を表したものである。この表示装置１は、複数の有機発光素子１０を備えた自発光型の表示装置であり、支持基板１１（第１基板）の上に、画素駆動回路形成層Ｌ１、有機発光素子１０を含む発光素子形成層Ｌ２および対向基板１８（第２基板）をこの順に有している。表示装置１は対向基板１８側に光取り出し方向を有する、所謂トップエミッション型の表示装置であり、画素駆動回路形成層Ｌ１には、例えば映像表示用の信号線駆動回路や走査線駆動回路（図示せず）が含まれている。各構成要素の詳細については後述する。
　図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、支持基板１１の上に表示領域１１０を有し、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。支持基板１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が設けられている。
　表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、赤色、緑色、青色を発光する有機発光素子１０を意味する。画素駆動回路１５０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置され、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａはその両端が電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
　信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。信号線１２０Ａには、その両端から信号線駆動回路１２０からの信号電圧が印加される。
　走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。走査線１３０Ａには、その両端から走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給される。
　電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、信号線駆動回路１２０による列単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し、各々の両端から、互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
　画素駆動回路１５０は、基板１１と有機発光素子１０との間の階層、すなわち画素駆動回路形成層Ｌ１に設けられている。図３に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。画素駆動回路１５０は、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０とを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０は、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
　書込トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極２Ｇは走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタＴｒ２のソース電極２Ｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極１Ｇと接続されている。
　駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極１Ｄが電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極１Ｓは、有機発光素子１０と接続されている。
　保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極１Ｇ（書込トランジスタＴｒ２のソース電極２Ｓ）と、駆動トランジスタＴｒ１のドレイン電極１Ｄとの間に形成されるものである。
[表示装置の要部構成]
　次に、再び図１を参照して、支持基板１１、画素駆動回路形成層Ｌ１、発光素子形成層Ｌ２および対向基板１８などの詳細な構成について説明する。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、互いに有機層１５（後出）の構成が一部異なることを除き、他は共通の構成であるので、以下では、まとめて説明する。
　支持基板１１は、例えば、水分（水蒸気）および酸素の透過を遮断可能なガラスまたはプラスチック材料などにより形成されている。トップエミッション型では対向基板１８から光が取り出されるため、支持基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。表示装置１をフレキシブルディスプレイとする場合には、可撓性を有する材料、例えばプラスチック材料によって支持基板１１を構成することが好ましい。
　画素駆動回路形成層Ｌ１は、ゲート絶縁膜１２と平坦化層１３との積層構造を有している。画素駆動回路形成層Ｌ１には、画素駆動回路１５０を構成する駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２が形成されており、さらに、信号線１２０Ａ、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａ（図示せず）も埋設されている。詳細には、支持基板１１の上に、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２のゲート電極１Ｇ，２Ｇがそれぞれ形成され、ゲート絶縁膜１２によって一括して覆われている。そのゲート絶縁膜１２の上には、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２における、半導体層ＳＣ１，ＳＣ２、ソース電極１Ｓ，２Ｓおよびドレイン電極１Ｄ，２Ｄがそれぞれ形成されている。
　ゲート電極１Ｇ，２Ｇは、例えば、金属材料、無機導電性材料、有機導電性材料または炭素材料のいずれか１種類または２種類以上により形成されている。金属材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）またはそれらを含む合金などである。無機導電性材料は、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などである。有機導電性材料は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）またはポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）などである。炭素材料は、例えば、グラファイトなどである。なお、ゲート電極１Ｇ，２Ｇは、上記した各種材料の層が２層以上積層されたものでもよい。
　ゲート絶縁膜１２は、例えば、無機絶縁性材料または有機絶縁性材料のいずれか１種類または２種類以上により形成されている。無機材料は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯＸ）、窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯＸ）またはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などである。有機絶縁性材料は、例えば、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリイミド、ポリメタクリル酸アクリレート、感光性ポリイミド、感光性ノボラック樹脂またはポリパラキシリレンなどである。なお、ゲート絶縁膜１２は、上記した各種材料の層が２層以上積層されたものでもよい。
　半導体層ＳＣ１，ＳＣ２は、無機半導体材料または有機半導体材料のいずれか１種類または２種類以上により形成されている。無機半導体材料は、例えばアモルファスシリコンなどである。また、有機半導体材料としては、例えばアセンまたはその誘導体などを用いることができる。アセンは、例えば、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレンまたはサーカムアントラセンなどである。表示装置１がフレキシブルディスプレイである場合、半導体層ＳＣ１，ＳＣ２を有機半導体材料により構成することが好ましい。
　ソース電極１Ｓ，２Ｓおよびドレイン電極１Ｄ，２Ｄは、例えば、上記したゲート電極１Ｇ，２Ｇと同様の材料により形成されており、半導体層ＳＣ１，ＳＣ２にオーミック接触していることが好ましい。
　平坦化層１３は、主に画素駆動回路形成層Ｌ１の表面を平坦化するために設けられるものであり、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されている。ソース電極およびドレイン電極をフッ素化ポリマー等からなるパッシベーション層で覆い、このパッシベーション層上に平坦化層１３を設けるようにしてもよい。
　発光素子形成層Ｌ２には、有機発光素子１０および絶縁層１９と、それらを覆う封止層１７とが設けられている。
　有機発光素子１０は、支持基板１１の側から、アノード電極としての第１電極１４、発光層１５Ｃ（後出）を含む有機層１５（機能層）、およびカソード電極としての第２電極１６が各々順に積層されたものである。有機層１５および第１電極１４は、絶縁層１９によって有機発光素子１０ごとに分離されている。一方、第２電極１６は、全ての有機発光素子１０に共通して設けられている。
　第１電極１４は、有機層１５（具体的には、後出の正孔輸送層１５Ａ）に正孔を注入する電極であり、平坦化層１３上にそれぞれ有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに設けられている。第１電極１４は、有機層１５との対向面に反射面を有しており、発光層１５Ｃから出射された光を表示面側（第２電極１６側）へと反射する。このため、できるだけ第１電極１４が高い反射率を備えていることが、発光効率を高めるうえで、好ましい。第１電極１４は、例えば銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはクロム（Ｃｒ）などの金属元素の単体または合金からなる。あるいは、第１電極１４を上述の金属膜と透明導電膜との積層構造としてもよい。透明導電膜としては、例えば、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩｎＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金などが挙げられる。
　有機層１５は、有機材料からなり、図４に表したように、第１電極１４の側から正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂ、発光層１５Ｃ、電子輸送層１５Ｄおよび電子注入層１５Ｅが順に積層された構成を有する。但し、発光層以外の層は、必要に応じて設ければよい。
　正孔注入層１５Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１５Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１５Ｄは発光層１５Ｃへの電子輸送効率を高めるため、電子注入層１５Ｅは電子注入効率を高めるために、それぞれ設けられている。電子注入層１５Ｅは、例えばＬｉＦまたはＬｉ2Ｏ等からなる。
　有機層１５の各層の構成材料の一部は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ異なっている。有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａは、例えば４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ），４，４’，４”－トリス（２－ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２－ＴＮＡＴＡ），ビス［（Ｎ－ナフチル）－Ｎ－フェニル］ベンジジン（α－ＮＰＤ），ポリ（３－ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）あるいはポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）:ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１５Ｂは、例えばα－ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃは、例えば８－キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）に２，６－ビス［４－［Ｎ－（４－メトキシフェニル）－Ｎ－フェニル］アミノスチリル］ナフタレン－１，５－ジカルボニトリル（ＢＳＮ－ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１５Ｄは、例えばＡｌｑ3により構成されている。
　有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１５Ａは、例えばｍ－ＭＴＤＡＴＡ，２－ＴＮＡＴＡ，α－ＮＰＤ，Ｐ３ＨＴあるいはＰＥＤＯＴ－ＰＳＳにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１５Ｂは、例えばα－ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃは、例えばＡｌｑ3にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１５Ｄは、例えばＡｌｑ3により構成されている。
　有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１５Ａは、例えばｍ－ＭＴＤＡＴＡ，２－ＴＮＡＴＡ，α－ＮＰＤ，Ｐ３ＨＴあるいはＰＥＤＯＴ－ＰＳＳにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１５Ｂは、例えばα－ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃは、例えばスピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１５Ｄは、例えばＡｌｑ3により構成されている。
　第２電極１６は、第１電極１４と絶縁された状態で有機層１５の上に、それぞれの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通して設けられている。第２電極１６は、光透過性の透明材料からなり、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等により構成されている。
　絶縁層１９は開口１９Ｍを有し、この開口１９Ｍ内では第１電極１４、有機層１５および第２電極１６が互いに接してこれらの積層構造が形成されている。即ち、有機発光素子１０（有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）は開口１９Ｍ内に設けられ、その発光領域が開口１９Ｍにより画定されている。絶縁層１９の一部は第１電極１４の表面に接しており、開口１９Ｍの壁面（側面）は第１電極１４の表面に対して傾斜（傾斜角θ）している。傾斜角θは任意であり、鋭角、直角あるいは鈍角のいずれであってもよいが、第２電極１６側が光取り出し方向となる表示装置１では傾斜角θは鋭角であることが好ましい。傾斜角θが鋭角であれば第２電極１６側に向かって開口１９Ｍが広がり、光取り出し効率が向上するためである。有機層１５は、この絶縁層１９の開口１９Ｍの壁面および底面に沿って設けられており、開口１９Ｍの壁面には有機層１５の最下層（正孔注入層１５Ａ）が接している。開口１９Ｍの平面形状は例えば四角状であるが、開口１９Ｍの形状は任意であり、例えばスリット状やコの字型状等であってもよい。
　本実施の形態では、この絶縁層１９が有機層１５のうち絶縁層１９に最も近接する層、即ち、正孔注入層１５Ａの構成材料よりも屈折率の低い材料からなる低屈折率層により構成されている。絶縁層１９は少なくともその一部が低屈折率層により構成されていればよく、低屈折率層と正孔注入層１５Ａとが接していることが好ましい。ここでは、絶縁層１９が低屈折率層のみにより構成されている。絶縁層１９の構成材料の屈折率をｎ１、正孔注入層１５Ａの構成材料の屈折率をｎ２とするとｎ１＜ｎ２である。これにより、発光層１５Ｃで発生した光は、開口１９Ｍの壁面（絶縁層１９と正孔注入層１５Ａとの接触面または界面）で全反射されて対向基板１８側に射出され易くなり、光の取り出し効率が向上する。
　絶縁層１９では、その構成材料の屈折率ｎ１および傾斜角θを、発光層１５Ｃで発生した光の多くが開口１９Ｍの壁面で全反射されるように調整することが好ましい。例えば、正孔注入層１５ＡがＮＰＤ（ＭｏＯ3共蒸着膜（２０％ドープ）），Ｐ３ＨＴあるいはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなるとき、絶縁層１９はフッ素化がなされたポリイミドにより構成される。α－ＮＰＤの屈折率は１．８、Ｐ３ＨＴの屈折率は１．９５である。このとき、ポリイミドからなる絶縁層１９はフッ素化によりその屈折率を制御して、屈折率１．５未満に調整しておくことが好ましい。
　封止層１７は、平坦化層１３と同様に、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されている。
　対向基板１８は、封止層１７、および熱硬化型樹脂などの接着層（図示せず）などと共に有機発光素子１０を封止するものであり、有機層１５に含まれる発光層１５Ｃにおいて発生した光を透過する透明なガラスまたはプラスチック材料により構成されている。対向基板１８は、例えばプラスチック材料等の可撓性材料により構成されていることが好ましい。このような対向基板１８は、ガラス等により構成した場合と比較して割れにくく、衝撃への耐性を高めることができるためである。また、可撓性材料からなる対向基板１８には、酸素や水に対するバリア性を有する、バリア膜を設けることが可能であるため、表示装置１の信頼性を向上させることもできる。
[表示装置の製造方法]
　この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
　まず、図５Ａに表したように、支持基板１１上に画素駆動回路形成層Ｌ１および第１電極１４を形成する。具体的には、まず、支持基板１１上に例えば蒸着法によりゲート電極１Ｇ，２Ｇの構成材料からなる金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングすることで、支持基板１１上にゲート電極１Ｇ，２Ｇおよび信号線１２０Ａを形成する。次いで、支持基板１１の全面を覆うように、上記の材料を用いてスピンコート法などによりゲート絶縁膜１２を形成する。続いて、ゲート絶縁膜１２の上に、例えば、蒸着法およびフォトリソグラフィ法を用いて半導体層ＳＣ１，ＳＣ２、ドレイン電極１Ｄ，２Ｄおよびソース電極１Ｓ，２Ｓを順に、所定形状となるように形成する。その際、ゲート電極１Ｇとソース電極２Ｓとを接続する接続部を予めゲート絶縁膜１２に形成しておく。また、ドレイン電極１Ｄ，２Ｄおよびソース電極１Ｓ，２Ｓの形成と併せて、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａを各々形成する。その際、各配線と各電極とを繋ぐ必要な接続部を適宜形成しておく。そののち、スピンコート法などにより全体を平坦化層１３で覆うことにより（必要に応じてさらにフォトリソグラフィ処理を施すことにより）、画素駆動回路形成層Ｌ１を完成させる。その際、平坦化層１３における金属層１Ｓ上の所定位置に、ドライエッチングなどにより第１電極１４との接続部を形成するための接続孔を形成しておく。
　画素駆動回路形成層Ｌ１を形成した後、上述した所定の材料よりなる第１電極１４を形成する。具体的には、例えば蒸着法などによって上述の材料からなる金属膜を全面成膜したのち、その金属膜上に所定のマスクを用いて所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成し、さらにそのレジストパターンをマスクとして用い、金属膜の選択的なエッチングを行う。その際、第１電極１４を、平坦化層１３の表面を覆うと共に上記の接続孔を充填するように形成する。
　第１電極１４を形成したのち、図５Ｂに表したように、絶縁層１９をパターン化して形成する。具体的には、上述の絶縁層１９の構成材料をスピンコート法によって基板１１（平坦化層１３および第１電極１４上）の全面に塗布する。そののち、焼成、選択的露光および現像を順次行うことにより、開口１９Ｍを有する所定形状にパターニングすることができる。
　続いて、開口１９Ｍを完全に覆うように上述した所定の材料および厚みの正孔注入層１５Ａ、正孔輸送層１５Ｂ、発光層１５Ｃ、電子輸送層１５Ｄおよび電子注入層１５Ｅを、例えば蒸着法によって順に積層することで有機層１５を形成する。さらに、有機層１５を挟んで第１電極１４と対向するように、全面に亘り、例えば蒸着法を用いて第２電極１６を形成する。これにより、有機発光素子１０が形成される。有機層１５および第２電極１６は、膜厚制御に優れた方法、例えば蒸着法により形成することが好ましい。有機層１５および第２電極１６の膜厚を精確に制御することにより、第１電極１４および第２電極１６間での有機発光素子１０の多重干渉を利用することができるため、有機発光素子１０の色域が広がり、カラーフィルタの省略が可能となる。
　有機発光素子１０を形成した後、基板１１の全面に封止層１７を形成する。最後に、封止層１７の上に接着層を間にして例えば真空ラミネート法により対向基板１８を貼り合わせ、表示装置１が完成する。
[表示装置の動作]
　この表示装置１では、各々の有機発光素子１０に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極２Ｇを介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機発光素子１０に駆動電流が注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６、封止層１７および対向基板１８を透過して取り出される。
[表示装置の作用効果]
　ここでは、絶縁層１９の構成材料の屈折率ｎ１を、正孔注入層１５Ａの構成材料の屈折率ｎ２よりも小さくしたので（ｎ１＜ｎ２）、図６に表したように、発光層１５Ｃで発生した光は絶縁層１９の開口１９Ｍの壁面で全反射され易くなる。つまり、発光層１５Ｃから出射された光のうち、絶縁層１９をＸ軸方向に透過する光の光量が減り、対向基板１８側（Ｚ軸方向）へ射出される光の光量が増加する。よって、光取り出し効率を向上させることができる。
　以上のように、本実施の形態では、絶縁層１９の屈折率ｎ１を正孔注入層１５Ａの屈折率ｎ２よりも小さくなるようにしたので、光取り出し効率を向上させ、消費電力を抑えることが可能となる。
　以下、本実施の形態の他の実施の形態および変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
＜第２の実施の形態＞
　図７は、本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の要部断面構成を表したものである。この表示装置２では、絶縁層２９が、低屈折率層２９Ａおよび黒色層２９Ｂの積層構造を有している。その点を除き、表示装置２は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
　絶縁層２９は、第１電極１４側から低屈折率層２９Ａおよび黒色層２９Ｂをこの順に有している。この絶縁層２９には、表示装置１の絶縁層１９と同様に、開口２９Ｍが設けられている。低屈折率層２９Ａは、上記絶縁層１９と同じ構成材料（屈折率ｎ１）からなる。黒色層２９Ｂは、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料に黒色の顔料、染料および色素が分散されることで黒色を呈するもの、すなわち、可視光を吸収して反射を低減する材料によって構成されている。これにより、対向基板１８側から入射する外光が黒色層２９Ｂに吸収されるため、この外光の第１電極１４での反射、即ち外光反射を抑えることができる。よって、低屈折率層２９Ａにより光取り出し効率を高めると共に、黒色層２９Ｂにより表示装置２の表示画像の視認性を向上させることができる。また、位相差板や偏光板（図示せず）との組み合わせにより、有機発光素子１０における外光反射率をよりいっそう低減することも可能である。
　更に、黒色層２９Ｂを含む絶縁層２９によって画素分離がなされているので、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂからの異なる色の画像光同士が混ざり合うこと（混色）を回避することもできる。
　加えて、対向基板１８を、支持基板１１上に設けられた画素駆動回路形成層Ｌ１および発光素子形成層Ｌ２と貼り合わせる際に、特段の位置合わせ作業が不要となる。
　これまで、高コントラストな表示画像を得るため、対向基板側にブラックマトリクスを設ける方法が提案されていた。しかしながら、この方法では、有機発光素子を形成した支持基板と対向基板とを貼り合わせる際に精密な位置合わせが必要となる。表示装置２では、黒色層２９Ｂにより、このような位置合わせを行うことなく、高精細・高コントラストな表示画像を実現することができる。特に、対向基板１８がプラスチックなどの可撓性基板により構成されている場合には、寸法安定性、平坦性および取り扱い性（ハンドリング性）等の点から位置合わせ作業が困難となるため、ブラックマトリクスに代えて、黒色層２９Ｂによりコントラストを高めることが好ましい。
　黒色層２９Ｂに含まれる黒色の顔料には、例えば以下のような有機顔料および無機顔料のうちの少なくとも１種が使用されている。有機顔料としては、アゾレーキ系、不溶性アゾ系、縮合アゾ系、フタロシアニン系、キナクリドン系、ジオキサジン系、イソインドリノン系、アントラキノン系、ペリノン系、チオインジコ系、ペリレン系などが挙げられる。無機顔料としては、カーボンブラック、酸化チタン、ミロリブルー、コバルト紫、マンガン紫、群青、紺青、コバルトブルー、セルリアンブルー、ビリジアンなどが挙げられる。これらの顔料は各々単独で、もしくは２種以上を混合して使用することができる。また、黒色の染料としては、例えばアニリン・ニトロベンゼンを縮合したアジン系化合物であるニグロシン（例えばオリエント化学工業製のＮＵＢＩＡＮ　ＢＬＡＣＫ（登録商標）シリーズ）やＢＯＮＪＥＴ　ＢＬＡＣＫ（登録商標）（オリエント化学工業製）などが挙げられる。低屈折率層２９Ａおよび黒色層２９Ｂは、形成工程を簡略化すると共に所望の形状に成形可能にするために、光パターニングまたはリフローなどにより成形可能な感光性樹脂材料を用いて形成されていることが好ましい。
　この表示装置２は、まず、表示装置１と同様にして支持基板１１上に画素駆動回路形成層Ｌ１および第１電極１４を形成した後（図８Ａ）、図８Ｂに表したように、絶縁層２９を形成する。絶縁層２９は、低屈折率層２９Ａの構成材料および黒色層２９Ｂの構成材料をこの順に基板１１（第１電極１４上およびゲート絶縁層１３上）の全面に例えば、スピンコート法により成膜した後、パターニングして形成する。このとき、例えば黒色層２９Ｂに黒色顔料を含むポジ型のブラックレジストを用いると、これを基板１１の全面に成膜した後、焼成（例えば、１００℃で２分間程度）、選択的露光（１５０ｍＪ／ｃｍ２）および現像をこの順に行って、開口２９Ｍを形成することができる。現像を行った後、１５０℃程度まで加熱し、保持することでブラックレジストに含まれる有機溶媒を除去する。この際、例えば真空のオーブン内で加熱を行うと、効果的に乾燥を行うことができる。このように、絶縁層２９は、低屈折率層２９Ａおよび黒色層２９Ｂの積層構造であっても、絶縁層１９と同様の一度のリソグラフィー工程により形成することができる。
　絶縁層２９を形成した後、表示装置１と同様にして、有機層１５、第２電極１６および封止層１７を形成する。これにより、支持基板１１上に画素駆動回路形成層Ｌ１および発光素子形成層Ｌ２が形成される。最後に、この画素駆動回路形成層Ｌ１および発光素子形成層Ｌ２が設けられた支持基板１１と対向基板１８を貼り合わせることで、表示装置２が完成する。このような表示装置２では、従来使用されていたブラックマトリクスが不要となるため、製造工程数を抑えて低コスト化することが可能となる。
　発光層１５Ｃの構成材料が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで共通する場合、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂからは互いに同一色の光（例えば、白色）が出射される。このとき、それぞれの有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに異なる色のカラーフィルタを設けることにより、各画素から異なる色の光が取り出される。表示装置２では、このようなカラーフィルタを発光素子形成層Ｌ２に設けることが可能である。具体的には、第２電極１６を形成した後、第２電極１６上の全面に、例えばＳｉＮＸ,ＳｉＯＸあるいはＡｌＯからなる保護層をスパッタリング法あるいはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の真空プロセスにより形成する。保護層は上記無機膜を積層させて構成するようにしてもよく、あるいは有機膜と積層させるようにしてもよい。この保護層上に各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応させてカラーフィルタを形成した後、封止層１７を形成する。即ち、対向基板１８へのカラーフィルタの形成が不要となるため、精密な位置合わせ作業を行うことなく、対向基板１８を支持基板１１に貼り合わせることができる。
＜変形例＞
　図９は、上記第２の実施の形態の変形例に係る表示装置（表示装置２Ａ）の要部断面構成を表したものである。この表示装置２Ａでは、絶縁層３９の開口３９Ｍの壁面が、低屈折率層３９Ａで覆われている。その点を除き、表示装置２Ａは表示装置２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
　絶縁層３９は、第１電極１４側から黒色層３９Ｂおよび低屈折率層３９Ａをこの順に有し、その開口３９Ｍの壁面は、低屈折率層３９Ａで覆われている。これにより、表示装置２Ａでは、表示装置２に比べて、光取り出し効率を向上させることができる。
　この表示装置２Ａは、上記表示装置１，２と同様にして支持基板１１上に画素駆動回路形成層Ｌ１および第１電極１４を形成した後（図１０Ａ）、図１０Ｂに表したように、絶縁層３９を形成する。絶縁層３９の形成は、まず、黒色層３９Ｂの構成材料を基板１１（第１電極１４上およびゲート絶縁層１３上）の全面に塗布した後、パターニングして黒色層３９Ｂを形成し、次いで、この黒色層３９Ｂを覆うように低屈折率層３９Ａを形成することにより行う。
＜モジュールおよび適用例＞
　以下、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置１，２，２Ａは、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
（モジュール）
　上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図１１に示したようなモジュールとして、後述する適用例１～５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、支持基板１１の一辺に、封止層１７および対向基板１８から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
（適用例１）
　図１２は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
（適用例２）
　図１３Ａ，１３Ｂは、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
（適用例３）
　図１４は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
（適用例４）
　図１５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
（適用例５）
　図１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ，１６Ｆ，１６Ｇは、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
　以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、トップエミッション型の有機発光素子を用いた表示装置について説明したが、本技術は第１電極１４（支持基板１１側）側に光取り出し方向を有するボトムエミッション型の有機表示装置にも適用可能である。
　また、例えば、上記実施の形態では、駆動方式がアクティブマトリクス方式の表示装置について説明したが、パッシブマトリクス方式の表示装置としてもよい。
　更に、上記実施の形態では、有機発光素子を用いた表示装置を例示したが、本技術は、例えば無機発光素子等の他の発光素子を用いた表示装置にも適用可能である。
　加えて、上記実施の形態等では、有機層１５のうち、第１電極１４側の最下層が正孔注入層１５Ａである場合を例示したが、第１電極１４側の最下層、即ち、絶縁層１９に接する層は、正孔注入層１５Ａ以外の層であってもよい。
　また更に、上記実施の形態等では、絶縁層１９，２９，３９がテーパ形状である場合を例示したが、絶縁層１９，２９，３９は他の形状であってもよい。
　加えて、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
　なお、本技術は以下のような構成をとることも可能である。
（１）開口を有する絶縁層と、第１電極と第２電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に前記絶縁層の開口に設けられた発光素子とを備え、前記絶縁層は、前記機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含む表示装置。
（２）前記低屈折率層と前記機能層とが接している前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記絶縁層の開口の壁面は前記第１電極の表面に対して傾斜（傾斜角θ）している前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記傾斜角θは鋭角であり、前記第２電極側が光取り出し方向である前記（３）に記載の表示装置。
（５）前記絶縁層の前記開口では前記第１電極と前記機能層とが接している前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（６）前記絶縁層は、前記低屈折率層と共に、黒色の顔料、染料あるいは色素を含有する黒色層を含む前記（１）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置
（７）前記絶縁層は、前記第１電極側から前記低屈折率層および前記黒色層をこの順に有する前記（６）に記載の表示装置。
（８）前記開口の壁面は前記低屈折率層により覆われている前記（６）に記載の表示装置。
（９）前記黒色層は、黒色の顔料、染料および色素を分散した感光性樹脂からなる前記（６）乃至（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記発光素子は、第１電極側の第１基板と第２電極側の第２基板との間に設けられ、前記第２基板は可撓性材料からなる前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）前記機能層は有機材料により構成されている前記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）表示装置を備え、前記表示装置は、開口を有する絶縁層と、第１電極と第２電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に前記絶縁層の前記開口に設けられた発光素子とを備え、前記絶縁層は、前記機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含む電子機器。
　本出願は、日本国特許庁において２０１１年１２月９日に出願された日本特許出願番号第２０１１－２６９９８７号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
 

Claims (12)

  1. 　開口を有する絶縁層と、
    　第１電極と第２電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に前記絶縁層の開口に設けられた発光素子とを備え、
    　前記絶縁層は、前記機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含む
    　表示装置。
  2. 　前記低屈折率層と前記機能層とが接している
    　請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記絶縁層の開口の壁面は前記第１電極の表面に対して傾斜（傾斜角θ）している
    　請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記傾斜角θは鋭角であり、
    　前記第２電極側が光取り出し方向である
    　請求項３に記載の表示装置。
  5. 　前記絶縁層の前記開口では前記第１電極と前記機能層とが接している
    　請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記絶縁層は、前記低屈折率層と共に、黒色の顔料、染料あるいは色素を含有する黒色層を含む
    　請求項１に記載の表示装置
  7. 　前記絶縁層は、前記第１電極側から前記低屈折率層および前記黒色層をこの順に有する
    　請求項６に記載の表示装置。
  8. 　前記開口の壁面は前記低屈折率層により覆われている
    　請求項６に記載の表示装置。
  9. 　前記黒色層は、黒色の顔料、染料および色素を分散した感光性樹脂からなる
    　請求項６に記載の表示装置。
  10. 　前記発光素子は、前記第１電極側の第１基板と前記第２電極側の第２基板との間に設けられ、
    　前記第２基板は可撓性材料からなる
    　請求項１に記載の表示装置。
  11. 　前記機能層は有機材料により構成されている
    　請求項１に記載の表示装置。
  12. 　表示装置を備え、
    　前記表示装置は、
    　開口を有する絶縁層と、
    　第１電極と第２電極との間に発光層を含む機能層を有すると共に前記絶縁層の前記開口に設けられた発光素子とを備え、
    　前記絶縁層は、前記機能層のうち当該絶縁層に近接する層よりも低屈折率の構成材料からなる低屈折率層を含む
    　電子機器。
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