WO2013021581A1 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

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WO2013021581A1
WO2013021581A1 PCT/JP2012/004855 JP2012004855W WO2013021581A1 WO 2013021581 A1 WO2013021581 A1 WO 2013021581A1 JP 2012004855 W JP2012004855 W JP 2012004855W WO 2013021581 A1 WO2013021581 A1 WO 2013021581A1
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WO
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gas
discharge space
manufacturing
reducing organic
organic gas
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PCT/JP2012/004855
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French (fr)
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小塩　千春
秀司 河原崎
堀河　敬司
大河　政文
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パナソニック株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/50—Filling, e.g. selection of gas mixture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space

Definitions

  • the technology of the present disclosure relates to a method for manufacturing a plasma display panel used for a display device or the like.
  • a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) which is one of display devices has a protective layer.
  • PDP plasma display panel
  • Si silicon
  • Al aluminum
  • the manufacturing method of the present disclosure is a method for manufacturing a PDP having a discharge space provided between a front plate and a back plate.
  • the periphery of the front plate and the back plate is sealed with a sealing material, the discharge space is exhausted, the first gas is then introduced into the discharge space, and then the first space is discharged from the discharge space. Discharging one gas.
  • the manufacturing method includes introducing the first gas into the discharge space and discharging the first gas from the discharge space a plurality of times.
  • the first gas includes a reducing organic gas.
  • Another manufacturing method of the present disclosure is a method for manufacturing a PDP having a discharge space provided between a front plate and a back plate.
  • the manufacturing method includes sealing the periphery of the front plate and the back plate with a sealing material, exhausting the discharge space during the period of sealing the periphery of the front plate and the back plate with the sealing material, and then discharging Introducing a first gas into the space and then discharging the first gas from the discharge space. Further, the manufacturing method includes introducing the first gas into the discharge space and discharging the first gas from the discharge space a plurality of times.
  • the first gas includes a reducing organic gas.
  • Another manufacturing method of the present disclosure is a method for manufacturing a PDP having a discharge space provided between a front plate and a back plate.
  • the periphery of the front plate and the back plate is sealed with a sealing material, the discharge space is exhausted, the first gas is then introduced into the discharge space, and then the first space is discharged from the discharge space.
  • Discharging one gas then introducing a second gas into the discharge space, and then discharging the second gas from the discharge space.
  • the first gas is a reducing organic gas.
  • the second gas is a gas different from the reducing organic gas.
  • Another manufacturing method of the present disclosure is a method for manufacturing a PDP having a discharge space provided between a front plate and a back plate.
  • the manufacturing method includes sealing the periphery of the front plate and the back plate with a sealing material, exhausting the discharge space during the period of sealing the periphery of the front plate and the back plate with the sealing material, and then discharging Introducing a first gas into the space, then discharging the first gas from the discharge space, then introducing a second gas into the discharge space, and then introducing a second gas from the discharge space Exhausting the gas.
  • the first gas is a reducing organic gas.
  • the second gas is a gas different from the reducing organic gas.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a PDP.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a manufacturing flow of the PDP according to the embodiment.
  • FIG. 3A is a diagram illustrating a first temperature profile example.
  • FIG. 3B is a diagram illustrating a first pressure profile example.
  • FIG. 4A is a diagram illustrating a second temperature profile example.
  • FIG. 4B is a diagram illustrating a second pressure profile example.
  • FIG. 5A is a diagram illustrating a third temperature profile example.
  • FIG. 5B is a diagram illustrating a third pressure profile example.
  • FIG. 6A is a diagram illustrating a fourth temperature profile example.
  • FIG. 6B is a diagram illustrating a fourth pressure profile example.
  • FIG. 6A is a diagram illustrating a fourth pressure profile example.
  • FIG. 7A is a diagram illustrating a modification of the fourth temperature profile example.
  • FIG. 7B is a diagram illustrating a modification of the fourth pressure profile example.
  • FIG. 8A is a diagram illustrating a fifth temperature profile example.
  • FIG. 8B is a diagram illustrating a fifth pressure profile example.
  • the basic structure of the PDP is a general AC surface discharge type PDP.
  • the PDP 1 includes a front plate 2 made of a front glass substrate 3 and a back plate 10 made of a back glass substrate 11 and the like.
  • the front plate 2 and the back plate 10 are hermetically sealed with a sealing material whose outer peripheral portion is made of glass frit or the like.
  • the discharge space 16 inside the sealed PDP 1 is filled with discharge gas such as neon (Ne) and xenon (Xe) at a pressure of 53 kPa to 80 kPa.
  • a pair of strip-shaped display electrodes 6 each consisting of a scanning electrode 4 and a sustain electrode 5 and a plurality of black stripes 7 are arranged in parallel to each other.
  • a dielectric layer 8 that functions as a capacitor is formed on the front glass substrate 3 so as to cover the display electrodes 6 and the black stripes 7.
  • a protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) or the like is formed on the surface of the dielectric layer 8. The protective layer 9 will be described later in detail.
  • Scan electrode 4 and sustain electrode 5 are each formed by laminating a bus electrode made of Ag on a transparent electrode made of a conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). Has been.
  • ITO indium tin oxide
  • SnO 2 tin oxide
  • ZnO zinc oxide
  • a plurality of data electrodes 12 made of a conductive material mainly composed of silver (Ag) are arranged in parallel to each other in a direction orthogonal to the display electrodes 6.
  • the data electrode 12 is covered with a base dielectric layer 13. Further, a partition wall 14 having a predetermined height is formed on the underlying dielectric layer 13 between the data electrodes 12 to divide the discharge space 16.
  • a phosphor layer 15 that emits red light by ultraviolet rays, a phosphor layer 15 that emits green light, and a phosphor layer 15 that emits blue light are sequentially applied and formed for each data electrode 12. Yes.
  • a discharge cell is formed at a position where the display electrode 6 and the data electrode 12 intersect. Discharge cells having red, green, and blue phosphor layers 15 arranged in the direction of the display electrode 6 serve as pixels for color display.
  • the discharge gas sealed in the discharge space 16 contains 10% by volume to 30% by volume of Xe.
  • the manufacturing method of the PDP 1 includes a front plate manufacturing step A1, a back plate manufacturing step B1, a frit coating step B2, a sealing step C1, a reducing gas introduction step C2, and an exhaust. It has process C3 and discharge gas supply process C4.
  • Front plate manufacturing process A1 In front plate manufacturing step A1, scan electrodes 4, sustain electrodes 5, and black stripes 7 are formed on front glass substrate 3 by photolithography. Scan electrode 4 and sustain electrode 5 have metal bus electrodes containing silver (Ag) for ensuring conductivity. Scan electrode 4 and sustain electrode 5 have transparent electrodes. The metal bus electrode is laminated on the transparent electrode.
  • ITO indium tin oxide
  • a transparent electrode having a predetermined pattern is formed by lithography.
  • an electrode paste containing silver (Ag), a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as the metal bus electrode material.
  • an electrode paste is applied on the front glass substrate 3 by a screen printing method or the like.
  • the solvent in the electrode paste is removed by a drying furnace.
  • the electrode paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • a metal bus electrode pattern is formed by developing the electrode paste. Finally, the metal bus electrode pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the metal bus electrode pattern is removed. Further, the glass frit in the metal bus electrode pattern is melted. The molten glass frit is vitrified after firing. A metal bus electrode is formed by the above process.
  • the black stripe 7 is formed of a material containing a black pigment.
  • the dielectric layer 8 is formed.
  • a dielectric paste containing a dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used.
  • a dielectric paste is applied on the front glass substrate 3 by a die coating method or the like so as to cover the scan electrodes 4, the sustain electrodes 5 and the black stripes 7 with a predetermined thickness.
  • the solvent in the dielectric paste is removed by a drying furnace.
  • the dielectric paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the dielectric paste is removed. Further, the dielectric glass frit is melted. The molten dielectric glass frit is vitrified after firing.
  • the dielectric layer 8 is formed.
  • a screen printing method, a spin coating method, or the like can be used.
  • the material of the dielectric layer 8 is at least one selected from bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO), molybdenum oxide (MoO 3 ), and oxide. And at least one selected from tungsten (WO 3 ), cerium oxide (CeO 2 ), and manganese dioxide (MnO 2 ).
  • the binder component is ethyl cellulose, or terpineol containing 1% to 20% by weight of acrylic resin, or butyl carbitol acetate.
  • dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, triphenyl phosphate, and tributyl phosphate may be added to the dielectric paste as a plasticizer as necessary.
  • glycerol monooleate, sorbitan sesquioleate, homogenol (product name of Kao Corporation), phosphate ester of alkylallyl group, or the like may be added as a dispersant. This is because the printing characteristics are improved.
  • the protective layer 9 is composed of at least two kinds selected from the group consisting of magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO).
  • MgO magnesium oxide
  • CaO calcium oxide
  • SrO strontium oxide
  • BaO barium oxide
  • the protective layer 9 is formed by an electron beam evaporation method.
  • the front glass substrate 3 on which the dielectric layer 8 is formed is placed in a vacuum chamber.
  • the ultimate vacuum of the vacuum chamber is about 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa.
  • the front glass substrate 3 is heated to about 180 ° C. to 320 ° C.
  • the vapor deposition atmosphere is introduced into the vacuum chamber so that the pressure in the vacuum chamber is about 4.0 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa.
  • the vapor deposition material is composed of at least two kinds of metal oxides.
  • a metal oxide processed into a tablet shape is used. Processing into the tablet shape is performed as follows. First, each metal oxide is processed into a powder and then mixed. Next, the mixed metal oxide powder is sintered under high temperature and high pressure. The shape after sintering is about 5 mm in diameter and about 2 mm in thickness.
  • each metal oxide crystal may be pulverized to a size of about 10 mm to 15 mm and then mixed.
  • the vapor deposition material is placed in a grounded container (hearth) in a vacuum chamber.
  • Hearth is made of copper or carbon. Haas is cooled.
  • the electron gun that generates an electron beam for example, a piercing electron gun is used.
  • the generated electron beam is guided to the hearth by a deflection coil or the like.
  • the electron beam is irradiated onto the vapor deposition material.
  • the film formation rate of the protective layer 9 is monitored by a film thickness meter equipped with a crystal resonator.
  • the thickness of the protective layer 9 is, for example, about 500 nm to 1000 nm.
  • the front glass substrate 3 may be a fixed type or a transport type.
  • magnesium oxide crystal particles may be further adhered to the protective layer 9 on the metal oxide film.
  • the magnesium oxide crystal particles are produced by a vapor phase method.
  • the front plate 2 having predetermined constituent members on the front glass substrate 3 is completed.
  • the data electrode 12 is formed on the rear glass substrate 11 by photolithography.
  • a data electrode paste containing silver (Ag) for ensuring conductivity, a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material of the data electrode 12.
  • the data electrode paste is applied on the rear glass substrate 11 with a predetermined thickness by a screen printing method or the like.
  • the solvent in the data electrode paste is removed by a drying furnace.
  • the data electrode paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the data electrode paste is developed to form a data electrode pattern.
  • the data electrode pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace.
  • the data electrode 12 is formed by the above process.
  • a sputtering method, a vapor deposition method, or the like can be used.
  • the base dielectric layer 13 is formed.
  • a base dielectric paste containing a dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used as a material for the base dielectric layer 13.
  • a base dielectric paste is applied by a screen printing method or the like so as to cover the data electrode 12 on the rear glass substrate 11 on which the data electrode 12 is formed with a predetermined thickness.
  • the solvent in the base dielectric paste is removed by a drying furnace.
  • the base dielectric paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the base dielectric paste is removed. Further, the dielectric glass frit is melted. The molten dielectric glass frit is vitrified after firing.
  • the base dielectric layer 13 is formed.
  • a die coating method, a spin coating method, or the like can be used.
  • the barrier ribs 14 are formed by photolithography.
  • a partition paste containing a filler, a glass frit for binding the filler, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material for the partition wall 14.
  • the barrier rib paste is applied on the underlying dielectric layer 13 with a predetermined thickness by a die coating method or the like.
  • the solvent in the partition wall paste is removed by a drying furnace.
  • the barrier rib paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the barrier rib paste is developed to form a barrier rib pattern.
  • the partition pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the partition pattern is removed.
  • the partition wall 14 is formed by the above process.
  • a sandblast method or the like can be used.
  • the phosphor layer 15 is formed.
  • a phosphor paste containing phosphor particles, a binder, a solvent, and the like is used as the material of the phosphor layer 15.
  • a phosphor paste is applied on the base dielectric layer 13 between adjacent barrier ribs 14 and on the side surfaces of the barrier ribs 14 by a dispensing method or the like.
  • the solvent in the phosphor paste is removed by a drying furnace.
  • the phosphor paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the phosphor paste is removed.
  • the phosphor layer 15 is formed by the above steps.
  • a screen printing method or the like can be used.
  • the back plate 10 having predetermined constituent members on the back glass substrate 11 is completed.
  • a frit containing vanadium oxide as a main component for example, a filler made of an oxide such as Al 2 O 3 , SiO 2 or cordierite is added to a V 2 O 5 —BaO—TeO—WO glass material. Things can be used.
  • the front plate 2 and the back plate 10 are arranged to face each other.
  • the peripheral portions of the front plate 2 and the back plate 10 are sealed with a sealing material.
  • the inside of the discharge space 16 is exhausted.
  • a discharge gas is sealed in the discharge space 16.
  • the present embodiment includes a sealing step C1, a reducing gas introduction step C2, an exhaust step C3, and a discharge gas supply step C4.
  • the sealing process C1 the reducing gas introduction process C2, the exhaust process C3, and the discharge gas supply process C4, the temperature profile and the pressure profile shown in the figure are processed in the same apparatus.
  • the primary exhaust process E1 for exhausting the discharge space 16 of the PDP 1 is performed after the completion of the sealing process C1 or during the sealing process C1.
  • the temperature is maintained at the exhaust temperature.
  • the temperature decreases.
  • the completion of the sealing is considered to be a state in which no gas passes between the inside of the PDP 1 and the outside of the PDP 1. That is, the sealing material is softened and the front plate 2 and the back plate 10 are bonded with the sealing material. In the sealing step C1, the sealing material softens when the temperature rises.
  • the transition point of the sealing material is T ° C.
  • the sealing is completed at about T + 150 ° C.
  • the above-described sealing material is used.
  • the temperature at which sealing is completed (T + 150 ° C.) is in the range of 450 ° C. to 500 ° C.
  • the protective layer 9 in the present embodiment is easily altered by the atmosphere. That is, hydroxylation or carbonation of the metal oxide occurs easily. In particular, when carbonation occurs, the discharge start voltage of the PDP 1 may increase. Therefore, the carbonation of the protective layer 9 is suppressed by performing the primary exhaust process E1 before the reducing gas introduction process C2 as in the present embodiment.
  • the processing time of the primary exhaust process E1 is long. However, in consideration of production efficiency, it is desirable to maintain the ultimate vacuum at 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa for 10 to 20 minutes.
  • the ultimate vacuum is a value measured on the exhaust device side.
  • the ultimate vacuum in the PDP 1 is one digit or more higher than the above numerical value.
  • the reducing gas introduction process C2 is performed.
  • the reducing gas introduction step C2 is performed in the period cd.
  • the temperature is maintained at the exhaust temperature.
  • a gas containing a reducing organic gas is introduced into the discharge space 16.
  • the protective layer 9 is exposed to a gas containing a reducing organic gas.
  • the exposure time to the reducing organic gas is longer. However, considering production efficiency, about 20 to 60 minutes is desirable. Further, as a result of investigations by the inventors, it has been found that the effect is higher when the ultimate pressure of the reducing organic gas in the PDP 1 in the period cd is higher.
  • the gas to be introduced contains 1.5% by volume to 6.5% by volume of reducing organic gas (gas species will be described later).
  • reducing organic gas gas species will be described later.
  • neon (Ne) is used as the base gas.
  • the total pressure of the introduced gas is about 80 kPa to atmospheric pressure.
  • the base gas at least one kind of discharge gas sealed in the PDP 1 may be used. This is because even if the introduced gas remains in the discharge space 16, the influence on the discharge characteristics of the PDP 1 is reduced.
  • the temperature is maintained at the exhaust temperature in the period de. Thereafter, the temperature drops to about room temperature. In the period de, the discharge space 16 is exhausted, whereby a gas containing a reducing organic gas is exhausted.
  • the primary exhaust period E1 starts before the period ab. However, it may be started during the period ab during which the sealing temperature is maintained.
  • the second profile example is different from the first profile example in that the reducing gas introduction step C2 (period cd) is performed in the period ad that is maintained at the sealing temperature.
  • the reducing gas introduction step C2 is performed at a higher temperature. Therefore, the effect of reducing the discharge voltage by the reducing organic gas is further increased.
  • the exhaust process C3 is performed after the reducing gas introduction process C2. Other steps are the same as those in the first profile example.
  • the third profile example is different from the first profile example at the start of the primary exhaust process E1.
  • the primary exhaust process E1 was started when the sealing of the front plate 2 and the back plate 10 was completed.
  • the primary exhaust process E1 is started before the sealing is completed.
  • the primary exhaust process E1 was started when the temperature of the PDP 1 was 450 ° C. to 490 ° C. However, the carbonation of the protective layer 9 has begun in a small amount in the above temperature range. Therefore, in the third profile example, the primary exhaust process E1 is started from a temperature at which the carbonation of the protective layer 9 does not occur. In the third profile example, the primary exhaust process E1 is started in the range of 150 ° C. to 400 ° C. That is, the primary exhaust of the discharge space 16 is started in the range of 150 ° C. or higher and the sealing material transition point + 150 ° C. or lower. As a result, the effect of suppressing the carbonation of the protective layer 9 is further increased.
  • the gas outside the PDP 1 is exhausted at the start of the primary exhaust process E1.
  • the ultimate vacuum in the primary exhaust process E1 equal to that in the first profile example, it becomes easy for the reducing organic gas to be evenly distributed throughout the PDP 1 inside. That is, it is easy to make the effect of the reducing organic gas on the protective layer 9 uniform in the plane of the PDP 1.
  • the fourth profile example is different from the first profile example in the pressure of the reducing gas introduction process C2.
  • the pressure in the reducing gas introduction step C2 is equal to or higher than atmospheric pressure.
  • the pressure in the reducing gas introduction step C2 is 110 kPa to 120 kPa.
  • the pressure inside the PDP 1 is equal to or higher than the atmospheric pressure during the entire period of the reducing gas introduction step C2.
  • the pressure inside the PDP 1 may be temporarily set to atmospheric pressure or higher.
  • the front plate 2 and the back plate 10 return to their original shapes.
  • the same effect as in the fourth profile example can be obtained.
  • the time during which the inside of the PDP 1 is equal to or higher than the atmospheric pressure is shorter than that in the fourth profile example. Therefore, the probability that the PDP 1 is destroyed is reduced.
  • the fifth profile example is different from the first profile example in the temperature at which the reducing organic gas is introduced in the reducing gas introduction step C2.
  • the gas is introduced into the PDP 1 in which the front plate 2 and the back plate 10 are sealed, the gas is introduced from an exhaust pipe or the like. Therefore, the entire region of the protective layer 9 and the phosphor layer 15 in the PDP 1 is not exposed to the gas at the same time. That is, the gas is sequentially exposed from a region close to the exhaust pipe.
  • the temperature of the PDP 1 when the reducing organic gas is introduced in the reducing gas introduction step C2 is lower than the temperature at which the reducing organic gas and the protective layer 9 start to react.
  • the temperature when the reducing organic gas is introduced is T1.
  • a phenomenon in which the protective layer 9 reacts from a region exposed to the reducing organic gas is suppressed. That is, it becomes easy for the reducing organic gas to spread throughout the PDP 1.
  • the degree of vacuum in the PDP 1 before introducing the reducing organic gas in the first profile example is P1 (Pa)
  • the degree of vacuum in the PDP 1 before introducing the reducing organic gas in the fifth profile example is P2. If (Pa), then P2 ⁇ P1.
  • the temperature when the reducing organic gas is introduced is T1.
  • T1 is a temperature at which the reaction between the reducing organic gas and the protective layer 9 does not start.
  • T1 varies depending on the type of reducing organic gas used.
  • the reaction between the reducible organic gas and the protective layer 9 can be suppressed by setting T1 to 300 ° C. or lower.
  • T1 is 300 ° C. or lower and 100 ° C. or higher. This facilitates the reaction between the reducing organic gas and the protective layer 9 uniformly within the surface of the PDP 1. Therefore, an effect of suppressing the fluctuation of the discharge voltage in the plane of the PDP 1 can be obtained.
  • the reducing organic gas is preferably a CH-based organic gas having a molecular weight of 58 or less and a large reducing power.
  • a gas containing the reducing organic gas is produced.
  • column C means the number of carbon atoms contained in one molecule of organic gas.
  • the column of H means the number of hydrogen atoms contained in one molecule of the organic gas.
  • “A” is attached to a gas having a vapor pressure of 100 kPa or higher at 0 ° C. Furthermore, “C” is given to the gas whose vapor pressure at 0 ° C. is smaller than 100 kPa.
  • a gas having a boiling point of 0 ° C. or less at 1 atm is marked with “A”. Furthermore, “C” is attached to a gas having a boiling point of greater than 0 ° C. at 1 atmosphere.
  • “A” is given to the gas that is easily decomposed.
  • “B” is attached to a gas that is easily decomposed.
  • “A” is given to the gas having sufficient reducing power.
  • a reducing organic gas that can be supplied in a gas cylinder is desirable. Also, considering the ease of handling in the manufacturing process of PDP, a reducing organic gas having a vapor pressure at 0 ° C. of 100 kPa or higher, a reducing organic gas having a boiling point of 0 ° C. or lower, or a reducing organic gas having a low molecular weight is desirable.
  • the reducing organic gas has a characteristic that it is easily decomposed.
  • Reducing organic gas is a carbon that does not contain oxygen selected from acetylene, ethylene, methylacetylene, propadiene, propylene and cyclopropane, taking into consideration the ease of handling in the manufacturing process and the property of being easily decomposed. Hydrogen gas is desirable. At least one selected from these reducing organic gases may be mixed with a rare gas or nitrogen gas.
  • the sustain voltage could be reduced by about 10V. Further, when acetylene gas was used as the reducing organic gas, the sustain voltage could be reduced by about 20V.
  • the lower limit of the mixing ratio of the rare gas or nitrogen gas and the reducing organic gas is determined according to the combustion ratio of the reducing organic gas used.
  • the upper limit is about several volume%. If the mixing ratio of the reducing organic gas is too high, the organic component is likely to be polymerized to become a polymer. In this case, the polymer remains in the discharge space and affects the characteristics of the PDP. Therefore, it is preferable to appropriately adjust the mixing ratio according to the component of the reducing organic gas to be used.
  • [2-5. Preferred modification] [2-5-1. First modification] As described above, a mode in which the reducing organic gas is introduced into the discharge space 16 once is shown. A further preferred first modification is shown below.
  • the reducing organic gas is introduced into and discharged from the discharge space 16 a plurality of times. Specifically, the reducing organic gas is retained in the discharge space 16 for about 5 minutes after being introduced into the discharge space 16. Next, reducing organic gas is exhausted from the discharge space 16. Thereafter, reducing organic gas is again introduced into the discharge space 16. The reducing organic gas is retained in the discharge space 16 for about 5 minutes. Next, the reducing organic gas is exhausted from the discharge space 16 again. Thus, after introduction and exhaust of reducing organic gas are repeated a plurality of times, reducing organic gas is further introduced.
  • the time during which the protective layer 9 is exposed to the reducing organic gas is 20 minutes to 60 minutes.
  • the protective layer 9 is exposed to the reducing organic gas a plurality of times. That is, the degree of the influence of the reducing organic gas on the protective layer 9 increases. Therefore, in the reducing gas introduction step C2, the form in which the reducing organic gas is introduced and exhausted a plurality of times provides the same effect as when the reducing organic gas concentration of the introduced gas is increased.
  • the configuration (protective layer 9, phosphor layer 15, etc.) facing the discharge space 16 is washed with a gas different from the reducing organic gas.
  • the gas different from the reducing organic gas include oxygen gas, particularly low oxygen concentration gas, inert gas, hydrogen gas, dimethyl ether (DME) and the like.
  • dimethyl ether (DME) 3 volume%, N 2 gas or H 2 gas (3 volume%) / N 2 gas (97 volume%) are preferred.
  • This facilitates the exhaustion of CO 2 and / or CH-based components that may remain in the discharge space 16 after the reducing gas introduction step C2. Therefore, the residual amount of undesired components in the discharge space 16 is reduced.
  • the reaction that contributes to the exhaust of CO 2 and / or CH-based components is decomposition or combustion.
  • the manufacturing method of the present disclosure is a manufacturing method of the PDP 1 having the discharge space 16 provided between the front plate 2 and the back plate 10.
  • the manufacturing method includes sealing the periphery of the front plate 2 and the back plate 10 with a sealing material, then exhausting the discharge space 16, and then introducing the first gas into the discharge space 16. Next, the first gas is discharged from the discharge space 16. Further, the manufacturing method includes introducing the first gas into the discharge space 16 and discharging the first gas from the discharge space 16 a plurality of times.
  • the first gas is a reducing organic gas.
  • Oxygen deficiency occurs in the protective layer 9 exposed to the reducing organic gas. It is considered that the generation of oxygen vacancies improves the secondary electron emission ability of the protective layer 9. Therefore, PDP 1 manufactured according to the present embodiment can reduce the sustain voltage. Furthermore, the same effect as that obtained when the reducing organic gas concentration is increased can be obtained.
  • Another manufacturing method of the present disclosure is a manufacturing method of the PDP 1 having the discharge space 16 provided between the front plate 2 and the back plate 10.
  • the manufacturing method includes sealing the periphery of the front plate 2 and the back plate 10 with a sealing material, exhausting the discharge space 16 during the period of sealing the periphery of the front plate 2 and the back plate 10 with the sealing material, Next, the first gas is introduced into the discharge space 16, and then the first gas is discharged from the discharge space 16. Further, the manufacturing method includes introducing the first gas into the discharge space 16 and discharging the first gas from the discharge space 16 a plurality of times.
  • the first gas is a reducing organic gas.
  • Oxygen deficiency occurs in the protective layer 9 exposed to the reducing organic gas. It is considered that the generation of oxygen vacancies improves the secondary electron emission ability of the protective layer 9. Therefore, PDP 1 manufactured according to the present embodiment can reduce the sustain voltage. Furthermore, the same effect as that obtained when the reducing organic gas concentration is increased can be obtained.
  • Another manufacturing method of the present disclosure is a manufacturing method of the PDP 1 having the discharge space 16 provided between the front plate 2 and the back plate 10.
  • the manufacturing method includes sealing the periphery of the front plate 2 and the back plate 10 with a sealing material, exhausting the discharge space 16, then introducing the first gas into the discharge space 16, Discharging the first gas from the discharge space 16, then introducing the second gas into the discharge space 16, and then discharging the second gas from the discharge space 16.
  • the first gas includes a reducing organic gas.
  • the second gas is a gas different from the reducing organic gas.
  • Oxygen deficiency occurs in the protective layer 9 exposed to the reducing organic gas. It is considered that the generation of oxygen vacancies improves the secondary electron emission ability of the protective layer 9. Therefore, PDP 1 manufactured according to the present embodiment can reduce the sustain voltage. Furthermore, the residual amount of undesired components in the discharge space 16 is reduced. Therefore, a phenomenon that image display quality deteriorates such as an afterimage is suppressed.
  • Another manufacturing method of the present disclosure is a manufacturing method of the PDP 1 having the discharge space 16 provided between the front plate 2 and the back plate 10.
  • the manufacturing method includes sealing the periphery of the front plate 2 and the back plate 10 with a sealing material, exhausting the discharge space 16 during a period in which the periphery of the front plate 2 and the back plate 10 is sealed with a sealing material, Next, introducing a first gas into the discharge space 16, then discharging the first gas from the discharge space 16, then introducing a second gas into the discharge space 16, And discharging the second gas from the discharge space 16.
  • the first gas includes a reducing organic gas.
  • the second gas is a gas different from the reducing organic gas.
  • Oxygen deficiency occurs in the protective layer 9 exposed to the reducing organic gas. It is considered that the generation of oxygen vacancies improves the secondary electron emission ability of the protective layer 9. Therefore, PDP 1 manufactured according to the present embodiment can reduce the sustain voltage. Furthermore, the residual amount of undesired components in the discharge space 16 is reduced. Therefore, a phenomenon that image display quality deteriorates such as an afterimage is suppressed.
  • the discharge space 16 it is preferable to start exhausting the discharge space 16 in a range of 150 ° C. or higher and a transition point of the sealing material + 150 ° C. or lower. This is because the effect of suppressing the carbonation of the protective layer 9 is further increased.
  • the reducing organic gas is preferably a hydrocarbon-based gas that does not contain oxygen. This is because the reduction ability is enhanced by not containing oxygen.
  • the reducing organic gas is preferably at least one selected from acetylene, ethylene, methylacetylene, propadiene, propylene, cyclopropane, propane and butane. This is because the reducing organic gas is easy to handle in the manufacturing process. Furthermore, it is because said reducing organic gas is easy to decompose
  • the second gas preferably contains at least one selected from the group consisting of oxygen gas, inert gas, hydrogen gas, and dimethyl ether. This is because the exhaust of CO 2 and / or CH components that may remain in the discharge space 16 is promoted.
  • MgO is exemplified as the metal oxide crystal particles.
  • the metal oxide crystal particles are not limited to MgO.
  • constituent elements described in the accompanying drawings and the detailed description may include constituent elements that are not essential for solving the problem. This is to illustrate the above technique.
  • the non-essential components are described in the accompanying drawings and the detailed description, so that the non-essential components should not be recognized as essential.
  • the technology of the present disclosure is useful for a large screen display device.

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Abstract

プラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面板と背面板の周囲を封着材によって封着すること、次に、放電空間を排気すること、次に、放電空間に第１のガスを導入すること、次に、放電空間から第１のガスを排出すること、を有する。さらに、製造方法は、放電空間に第１のガスを導入することと放電空間から第１のガスを排出すること、を複数回繰り返すこと、を含む。第１のガスは、還元性有機ガスを含む。

Description

プラズマディスプレイパネルの製造方法
　本開示の技術は、表示デバイスなどに用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
　表示装置の一つであるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）は、保護層を有する。保護層からの初期電子放出数を増加させるために、たとえば保護層のＭｇＯに珪素（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）を添加するなどの試みが行われている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２－２６０５３５号公報
　本開示の製造方法は、前面板と背面板との間に設けられた放電空間を有するＰＤＰの製造方法である。製造方法は、前面板と背面板の周囲を封着材によって封着すること、放電空間を排気すること、次に、放電空間に第１のガスを導入すること、次に、放電空間から第１のガスを排出すること、を有する。さらに、製造方法は、放電空間に第１のガスを導入することと放電空間から第１のガスを排出すること、を複数回繰り返すこと、を含む。第１のガスは、還元性有機ガスを含む。
　本開示の他の製造方法は、前面板と背面板との間に設けられた放電空間を有するＰＤＰの製造方法である。製造方法は、前面板と背面板の周囲を封着材によって封着すること、前面板と背面板の周囲を封着材によって封着する期間に、放電空間を排気すること、次に、放電空間に第１のガスを導入すること、次に、放電空間から第１のガスを排出すること、を有する。さらに、製造方法は、放電空間に第１のガスを導入することと放電空間から第１のガスを排出すること、を複数回繰り返すこと、を含む。第１のガスは、還元性有機ガスを含む。
　本開示の他の製造方法は、前面板と背面板との間に設けられた放電空間を有するＰＤＰの製造方法である。製造方法は、前面板と背面板の周囲を封着材によって封着すること、放電空間を排気すること、次に、放電空間に第１のガスを導入すること、次に、放電空間から第１のガスを排出すること、次に、放電空間に第２のガスを導入すること、次に、放電空間から第２のガスを排出すること、を有する。第１のガスは、還元性有機ガスである。第２のガスは、還元性有機ガスと異なるガスである。
　本開示の他の製造方法は、前面板と背面板との間に設けられた放電空間を有するＰＤＰの製造方法である。製造方法は、前面板と背面板の周囲を封着材によって封着すること、前面板と背面板の周囲を封着材によって封着する期間に、放電空間を排気すること、次に、放電空間に第１のガスを導入すること、次に、放電空間から第１のガスを排出すること、次に、放電空間に第２のガスを導入すること、次に、放電空間から第２のガスを排出すること、を有する。第１のガスは、還元性有機ガスである。第２のガスは、還元性有機ガスと異なるガスである。
図１は、ＰＤＰの構造を示す斜視図である。 図２は、実施の形態にかかるＰＤＰの製造フローを示す図である。 図３Ａは、第１の温度プロファイル例を示す図である。 図３Ｂは、第１の圧力プロファイル例を示す図である。 図４Ａは、第２の温度プロファイル例を示す図である。 図４Ｂは、第２の圧力プロファイル例を示す図である。 図５Ａは、第３の温度プロファイル例を示す図である。 図５Ｂは、第３の圧力プロファイル例を示す図である。 図６Ａは、第４の温度プロファイル例を示す図である。 図６Ｂは、第４の圧力プロファイル例を示す図である。 図７Ａは、第４の温度プロファイル例の変形例を示す図である。 図７Ｂは、第４の圧力プロファイル例の変形例を示す図である。 図８Ａは、第５の温度プロファイル例を示す図である。 図８Ｂは、第５の圧力プロファイル例を示す図である。
　以下に、実施の形態が詳細に説明される。実施の形態の説明には、適宜図面が参照される。但し、必要以上に詳細な説明は、省略される場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細な説明や、実質的に同一の構成についての重複した説明は、省略される場合がある。説明が冗長になることを避け、当業者の理解を容易にするためである。
　なお、発明者らは、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供する。発明者らは、特許請求の範囲に記載された主題が本開示によって限定されることを意図しない。
　［１．ＰＤＰ１の構造］
　ＰＤＰの基本構造は、一般的な交流面放電型ＰＤＰである。図１に示されるように、ＰＤＰ１は前面ガラス基板３などよりなる前面板２と、背面ガラス基板１１などよりなる背面板１０とが対向して配置されている。前面板２と背面板１０とは、外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）などの放電ガスが５３ｋＰａ～８０ｋＰａの圧力で封入されている。
　前面ガラス基板３上には、走査電極４および維持電極５よりなる一対の帯状の表示電極６とブラックストライプ７が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板３上には表示電極６とブラックストライプ７とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成される。さらに誘電体層８の表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層９が形成されている。なお、保護層９については、後に詳細に述べられる。
　走査電極４および維持電極５は、それぞれインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性金属酸化物からなる透明電極上にＡｇからなるバス電極が積層されている。
　背面ガラス基板１１上には、表示電極６と直交する方向に、銀（Ａｇ）を主成分とする導電性材料からなる複数のデータ電極１２が、互いに平行に配置されている。データ電極１２は、下地誘電体層１３に被覆されている。さらに、データ電極１２間の下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成されている。隔壁１４間の溝には、データ電極１２毎に、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層１５、緑色に発光する蛍光体層１５および青色に発光する蛍光体層１５が順次塗布して形成されている。表示電極６とデータ電極１２とが交差する位置に放電セルが形成されている。表示電極６方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層１５を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。
　なお、本実施の形態において、放電空間１６に封入する放電ガスは、１０体積％以上３０体積％以下のＸｅを含む。
　［２．ＰＤＰ１の製造方法］
　図２に示されるように、本実施の形態に係るＰＤＰ１の製造方法は、前面板作製工程Ａ１、背面板作製工程Ｂ１、フリット塗布工程Ｂ２、封着工程Ｃ１、還元性ガス導入工程Ｃ２、排気工程Ｃ３および放電ガス供給工程Ｃ４を有する。
　［２－１．前面板作製工程Ａ１］
　前面板作製工程Ａ１においては、フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板３上に、走査電極４および維持電極５とブラックストライプ７とが形成される。走査電極４および維持電極５は、導電性を確保するための銀（Ａｇ）を含む金属バス電極を有する。また、走査電極４および維持電極５は、透明電極を有する。金属バス電極は、透明電極上に積層される。
　透明電極の材料には、透明度と電気伝導度を確保するためインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などが用いられる。まず、スパッタ法などによって、ＩＴＯ薄膜が前面ガラス基板３上に形成される。次にリソグラフィ法によって所定のパターンの透明電極が形成される。
　金属バス電極の材料には、銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、前面ガラス基板３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。
　次に、電極ペーストが現像されることによって、金属バス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、金属バス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、金属バス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、金属バス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、金属バス電極が形成される。
　ブラックストライプ７は、黒色顔料を含む材料により、形成される。
　次に、誘電体層８が形成される。誘電体層８の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで走査電極４、維持電極５およびブラックストライプ７を覆うように前面ガラス基板３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、誘電体層８が形成される。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。
　誘電体層８の材料は、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも１種と、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）から選ばれる少なくとも１種とを含む。バインダ成分は、エチルセルロース、またはアクリル樹脂１重量％～２０重量％を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、誘電体ペーストには、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルが添加されてもよい。誘電体ペーストには、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーション社製品名）、アルキルアリル基のリン酸エステルなどが添加されてもよい。印刷特性が向上するからである。
　保護層９は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）および酸化バリウム（ＢａＯ）の群から選ばれる少なくとも二種により構成される。これらの金属酸化物は、保護層９のＸ線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在する。
　本実施の形態では、保護層９は電子ビーム蒸着法によって形成される。具体的には、誘電体層８までが形成された前面ガラス基板３が、真空チャンバー内に設置される。真空チャンバーの到達真空度は、１．０×１０－４Ｐａ程度である。前面ガラス基板３は、１８０℃～３２０℃程度まで加熱される。真空チャンバーの圧力が４．０×１０－３Ｐａ程度となるように、蒸着雰囲気が真空チャンバー内に導入される。
　蒸着材料は、上記の少なくとも二種の金属酸化物によって構成される。本実施の形態では、タブレット形状に加工された金属酸化物が用いられた。タブレット形状への加工は、以下のように行われる。まず、それぞれの金属酸化物が粉末に加工された後、混合される。次に、混合された金属酸化物の粉末が高温、高圧下で焼結される。焼結後の形状は、直径約５ｍｍ、厚さ約２ｍｍである。
　上記の方法に限らず、それぞれの金属酸化物の結晶体が１０ｍｍ～１５ｍｍ程度の大きさになるまで粉砕された後、混合されてもよい。
　蒸着材料は、真空チャンバー内に接地された容器（ハース）内に置かれる。ハースは、銅製あるいは炭素製である。ハースは、冷却されている。
　電子ビームを発生する電子銃としては、例えば、ピアス式電子銃が用いられる。発生した電子ビームは、偏向コイルなどによって、ハースへ誘導される。電子ビームは、蒸着材料へ照射される。
　保護層９の成膜レートは水晶振動子を備えた膜厚計等によって監視される。保護層９の膜厚は、例えば、５００ｎｍ～１０００ｎｍ程度である。蒸着に際して前面ガラス基板３は、固定式であっても、搬送式であってもよい。
　なお、保護層９には、さらに金属酸化物の膜上に、酸化マグネシウム結晶粒子を付着させても良い。酸化マグネシウム結晶粒子は、一例として気相法により作製される。
　以上の工程により前面ガラス基板３上に所定の構成部材を有する前面板２が完成する。
　［２－２．背面板作製工程Ｂ１］
　まず、フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板１１上に、データ電極１２が形成される。データ電極１２の材料には、導電性を確保するための銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むデータ電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、データ電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板１１上に塗布される。次に、乾燥炉によって、データ電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、データ電極ペーストが露光される。次に、データ電極ペーストが現像され、データ電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、データ電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、データ電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、データ電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、データ電極１２が形成される。ここで、データ電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
　次に、下地誘電体層１３が形成される。下地誘電体層１３の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでデータ電極１２が形成された背面ガラス基板１１上にデータ電極１２を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層１３が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。
　次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁１４が形成される。隔壁１４の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層１３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後にガラス化する。以上の工程によって、隔壁１４が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。
　次に、蛍光体層１５が形成される。蛍光体層１５の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁１４間の下地誘電体層１３上および隔壁１４の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層１５が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。
　以上の工程により、背面ガラス基板１１上に所定の構成部材を有する背面板１０が完成する。
　［２－３．フリット塗布工程Ｂ２］
　次に、背面板作製工程Ｂ１により作製した背面板１０の画像表示領域外に封着材であるガラスフリットを塗布する。その後、ガラスフリットの樹脂成分等を除去するために３５０℃程度の温度で仮焼成するフリット塗布工程Ｂ２を行う。
　ここで、封着材としては、酸化ビスマスや酸化バナジウムを主成分としたフリットが望ましい。この酸化ビスマスを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｂｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ－ＭＯ系（ここでＲは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのいずれかであり、Ｍは、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｆｅのいずれかである。）のガラス材料に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。また、酸化バナジウムを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｖ２Ｏ５－ＢａＯ－ＴｅＯ－ＷＯ系のガラス材料に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。
　［２－４．封着工程Ｃ１から放電ガス供給工程Ｃ４まで］
　次に、前面板２と背面板１０が対向配置される。前面板２と背面板１０それぞれの周辺部が封着材により封着される。その後、放電空間１６内が排気される。この後、放電空間１６に放電ガスが封入される。本実施の形態では、前面板２と背面板１０とを封着する期間、または封着した後に、放電空間内を排気するステップと、放電空間１６に還元性有機ガスを導入するステップと、還元性有機ガスを排気するステップと、を有する。本実施の形態は、封着工程Ｃ１、還元性ガス導入工程Ｃ２、排気工程Ｃ３および放電ガス供給工程Ｃ４を含む。
　封着工程Ｃ１、還元性ガス導入工程Ｃ２、排気工程Ｃ３および放電ガス供給工程Ｃ４では、同一の装置において、図示された温度プロファイルと圧力プロファイルの処理が行われる。そして本実施の形態では、封着工程Ｃ１完了後、あるいは封着工程Ｃ１中において、ＰＤＰ１の放電空間１６内を排気する一次排気工程Ｅ１が実施される。
　本実施の形態における封着温度とは、前面板２と背面板１０とが封着材であるフリットにより封着されるときの温度である。本実施の形態における封着温度は、例えば約４９０℃である。また、排気温度とは、ＰＤＰ１内に放電ガスを入れるためにＰＤＰ１内のガスを排気する時の温度である。本実施の形態における排気温度は、例えば約４００℃である。
　［２－４－１．第１のプロファイル例］
　図３Ａに示されるように、温度は、室温から封着温度まで上昇する。次に、期間ａ－ｂにおいて、温度は、封着温度に維持される。次に、期間ｂ－ｃにおいて、温度は、封着温度から排気温度に下降する。開始から時間ｃまでが、封着工程Ｃ１である。
　次に、期間ｃ－ｅにおいて、温度は、排気温度に維持される。そして、期間ｅ－ｆにおいて、温度は、下降する。
　封着の完了は、ＰＤＰ１の内部とＰＤＰ１の外部とで気体が通過しなくなった状態と考えられる。つまり、封着材が軟化し、前面板２と背面板１０とが封着材で接着された状態である。封着工程Ｃ１においては、温度が上昇すると封着材が軟化する。発明者らが検討した結果、封着材の転移点がＴ℃とすると、Ｔ＋１５０℃程度で封着が完了する。本実施の形態では、上述の封着材が用いられた。本実施の形態では、封着が完了する温度（Ｔ＋１５０℃）は、４５０℃～５００℃の範囲であった。
　図３Ｂに示されるように、本実施の形態では、封着が完了した温度から、一次排気工程Ｅ１が行われる。具体的には、背面板１０に設けられた排気管から放電空間１６内が排気される。放電空間１６は、真空状態になる。一次排気工程Ｅ１によって、後に行われる還元性ガス導入工程Ｃ２において、還元性有機ガスがＰＤＰ１内部に導入されやすくなる。より好ましくは、還元性有機ガスがＰＤＰ１内部全域に均等に行き渡ることによって、還元性有機ガスによる保護層９への効果がＰＤＰ１の面内において均一になることである。
　また、本実施の形態における保護層９は、雰囲気によって変質しやすい。つまり、金属酸化物の水酸化または炭酸化が、容易に生じる。特に炭酸化が生じた場合には、ＰＤＰ１の放電開始電圧が高くなる場合がある。そこで、本実施の形態のように還元性ガス導入工程Ｃ２の前に一次排気工程Ｅ１を行うことによって、保護層９の炭酸化が抑制される。
　一次排気工程Ｅ１の処理時間は長い方が望ましい。しかし、生産効率を考慮すると、到達真空度が１．０×１０－４Ｐａの状態で１０分から２０分保持することが望ましい。なお、上記の到達真空度は排気装置側にて測定した数値である。一方、ＰＤＰ１内の到達真空度は、上記数値に対して一桁以上高くなる。
　一次排気工程Ｅ１が終了した後、還元性ガス導入工程Ｃ２が行われる。還元性ガス導入工程Ｃ２工程は、期間ｃ－ｄにおいて行われる。期間ｃ－ｄにおいて温度は、排気温度に維持される。期間ｃ－ｄにおいて、放電空間１６内に還元性有機ガスを含むガスが導入される。期間ｃ－ｄにおいて、保護層９は、還元性有機ガスを含むガスに曝される。還元性ガス導入工程Ｃ２においても、還元性有機ガスへの曝露時間はより長い方が好ましい。しかし、生産効率を考慮すると、２０分～６０分程度が望ましい。また、発明者らが検討した結果、期間ｃ－ｄにおけるＰＤＰ１内の還元性有機ガスの到達圧力が高い方が、より効果が高くなることが判明した。これは保護層９と接する還元性有機ガスの絶対量が多いことで、保護層９の反応絶対量が増加することに起因していると考えられる。同様に還元性有機ガスの濃度が高くても、より効果が高くなる。
　還元性ガス導入工程Ｃ２において、導入されるガスは、還元性有機ガス（ガス種は後述される）を１．５体積％～６．５体積％、含有する。ベースガスには、例えばネオン（Ｎｅ）が用いられる。導入されるガスの全圧は、８０ｋＰａ～大気圧程度である。ベースガスは、ＰＤＰ１に封入される放電ガスの少なくとも一種を用いてもよい。導入したガスが放電空間１６に残留したとしてもＰＤＰ１の放電特性に与える影響が小さくなるからである。
　その後、排気工程Ｃ３（図３ＢではＥ２で示される）では、期間ｄ－ｅにおいて、温度は、排気温度に維持される。その後、温度は、室温程度まで下降する。期間ｄ－ｅにおいて、放電空間１６が排気されることにより、還元性有機ガスを含むガスが排出される。
　次に、放電ガス供給工程Ｃ４において、放電空間１６に放電ガスが導入される。つまり、温度が室温程度に下がったｆ以降の期間に放電ガスが導入される。
　なお、本実施の形態では、一次排気期間Ｅ１を期間ａ－ｂ以前に開始している。しかし、封着温度に保持されている期間ａ－ｂの途中で開始しても構わない。
　また、本実施の形態では、還元性ガス導入工程Ｃ２を排気温度に降温した直後に開始している。しかし、排気温度に保持されている期間ｄ－ｅの途中で開始しても構わない。
　［２－４－２．第２のプロファイル例］
　第２のプロファイル例において、第１のプロファイル例と異なる点は、還元性ガス導入工程Ｃ２（期間ｃ－ｄ）が、封着温度に保持される期間ａ－ｄに行われる点である。
　これによって、還元性ガス導入工程Ｃ２がより高温で行われる。したがって、還元性有機ガスによる放電電圧を低下させる効果がより大きくなる。還元性ガス導入工程Ｃ２の後に排気工程Ｃ３が行われる。他の工程については第１のプロファイル例と同じである。
　［２－４－３．第３のプロファイル例］
　第３のプロファイル例において、第１のプロファイル例と異なる点は、一次排気工程Ｅ１の開始時である。
　第１のプロファイル例では、前面板２と背面板１０との封着が完了した時点で、一次排気工程Ｅ１を開始していた。第３のプロファイル例においては、封着が完了する前に一次排気工程Ｅ１を開始する。
　第１のプロファイル例では、ＰＤＰ１の温度が４５０℃～４９０℃にて一次排気工程Ｅ１を開始していた。しかし、上記温度範囲では少量ではあるが保護層９の炭酸化は始まっている。そこで第３のプロファイル例では保護層９の炭酸化が生じていない温度から一次排気工程Ｅ１が開始される。第３のプロファイル例では、１５０℃～４００℃の範囲で一次排気工程Ｅ１が開始される。つまり、放電空間１６の一次排気は、１５０℃以上、封着材の転移点＋１５０℃以下、の範囲で開始される。これによって、保護層９の炭酸化を抑制する効果がより大きくなる。
　なお、上述したように第３のプロファイル例においては、前面板２と背面板１０との封着が完了していないため、一次排気工程Ｅ１開始時においてＰＤＰ１外の気体を排気することになる。しかし、一次排気工程Ｅ１での到達真空度を第１のプロファイル例と同等にすることによって、還元性有機ガスがＰＤＰ１内部全域に均等に行き渡らせることが容易になる。つまり、還元性有機ガスによる保護層９への効果がＰＤＰ１の面内において均一になることを容易にする。
　［２－４－４．第４のプロファイル例］
　第４のプロファイル例において、第１のプロファイル例と異なる点は、還元性ガス導入工程Ｃ２の圧力である。第４のプロファイル例では、還元性ガス導入工程Ｃ２の圧力は大気圧以上である。
　これによって、還元性ガス導入工程Ｃ２において、還元性有機ガスをＰＤＰ１の面内中央部まで到達させることが容易になる。結果としてＰＤＰ１の保護層９全域において、均一に還元性ガスを曝すことが容易になる。よってＰＤＰ１の放電電圧を低下させる効果がより均一になる。
　第４のプロファイル例においては、還元性ガス導入工程Ｃ２の圧力は１１０ｋＰａ～１２０ｋＰａである。
　（第４のプロファイル例の変形例）
　第４のプロファイル例では還元性ガス導入工程Ｃ２の全期間においてＰＤＰ１内部の圧力は、大気圧以上である。しかし、図７Ａ、図７Ｂに示されるように、ＰＤＰ１内部の圧力を一時的に大気圧以上としてもよい。ＰＤＰ１内部の圧力が大気圧まで降下すると、前面板２および背面板１０は元の形状に戻る。変形例においても第４のプロファイル例と同等の効果が得られる。さらに、第４のプロファイル例の変形例は、ＰＤＰ１の内部が大気圧以上になっている時間が、第４のプロファイル例と比較して短い。よってＰＤＰ１が破壊される確率が低減される。
　［２－４－５．第５のプロファイル例］
　第５のプロファイル例において、第１のプロファイル例と異なる点は、還元性ガス導入工程Ｃ２において、還元性有機ガスが導入される時の温度である。
　一般に前面板２と背面板１０が封着されたＰＤＰ１内にガスを導入する場合、排気管などからガスが導入される。よって、ＰＤＰ１内の保護層９および蛍光体層１５の全領域は同時にガスに曝されるわけではない。つまり、排気管に近い領域から順次ガスに曝されることになる。
　このため、還元性有機ガスをＰＤＰ１内に導入する際においても、還元性有機ガスが保護層９と反応する温度以上であった場合、還元性有機ガスが保護層９に接した領域から順次反応が開始されてしまう。この結果、ＰＤＰ１の面内において保護層９と還元性有機ガスとの反応程度に依存したムラが生じる。よって、ＰＤＰ１の面内で放電電圧が低下する効果の程度にも差が生じる。
　そこで、第５のプロファイル例では、還元性ガス導入工程Ｃ２の還元性有機ガスが導入される際のＰＤＰ１の温度は、還元性有機ガスと保護層９とが反応を開始する温度より低い。図８Ａに示されるように、還元性有機ガスが導入される際の温度は、Ｔ１である。第５のプロファイル例においては、保護層９が還元性有機ガスに曝された領域から反応する現象が抑制される。つまり、ＰＤＰ１内全体に還元性有機ガスが行き渡ることが容易になる。還元性有機ガスが導入される際の温度を下げることによって、還元性有機ガス導入前におけるＰＤＰ１内の真空度がさらに上がる。つまり、ＰＤＰ１内の圧力が下がる。具体的には、第１のプロファイル例における還元性有機ガス導入前のＰＤＰ１内の真空度をＰ１（Ｐａ）として、第５のプロファイル例における還元性有機ガス導入前のＰＤＰ１内の真空度をＰ２（Ｐａ）とすると、Ｐ２＜Ｐ１となる。
　そして、ＰＤＰ１内全体に還元性有機ガスが行き渡る時間（４２インチサイズＰＤＰで１０分程度）保持した後、再度ＰＤＰ１の温度を、還元性有機ガスと保護層９が反応する温度以上まで昇温する。これによりＰＤＰ１の面内でほぼ同時に還元性有機ガスと保護層９とが反応を開始する。さらに、ＰＤＰ１の面内でより均一に反応が進行する。よって、ＰＤＰ１面内で均一に放電電圧が低下する効果が得ることが容易になる。
　ここで、第５のプロファイル例では、還元性有機ガスが導入される際の温度は、Ｔ１である。Ｔ１は、還元性有機ガスと保護層９との反応が開始しない温度である。Ｔ１は、使用する還元性有機ガスの種類によって異なる。本開示における還元性有機ガス（後に表１で示される）では、Ｔ１を３００℃以下とすることによって、還元性有機ガスと保護層９との反応が開始することを抑制できる。
　また、第５のプロファイル例では、Ｔ１を低くすることによって、還元性有機ガスと保護層９との反応が開始することを抑制する効果は得られる。一方、Ｔ１を低くしすぎることで弊害も発生することが判明した。Ｔ１が低い場合、表面積が大きい蛍光体層１５や隔壁１４などに還元性有機ガスが吸着する。後に昇温したとしても、還元性有機ガスと保護層９との反応が生じない領域が存在することが明らかとなった。発明者らは、本開示の還元性有機ガス（後に表１で示される）においては、Ｔ１の下限値を５０℃～１００℃とすることによって、還元性有機ガスの蛍光体層１５などへの吸着を抑制できることを確認した。
　以上の結果から、第５のプロファイル例において、Ｔ１は、３００℃以下、１００℃以上である。これによって還元性有機ガスと保護層９との反応をＰＤＰ１面内均一に行うことが容易になる。よって、ＰＤＰ１の面内で放電電圧が変動することを抑制する効果が得られる。
　［２－４－６．還元性有機ガスの詳細］
　表１に示されるように、還元性有機ガスとしては、分子量が５８以下の還元力の大きいＣＨ系有機ガスが望ましい。種々の還元性有機ガスの中から選ばれる少なくとも一つが希ガスや窒素ガスなどに混合されることにより、還元性有機ガスを含むガスが製造される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１において、Ｃの列は、有機ガスの一分子に含まれる炭素原子数を意味する。Ｈの列は、有機ガスの一分子に含まれる水素原子数を意味する。
　蒸気圧の列において、０℃での蒸気圧が１００ｋＰａ以上のガスには、「Ａ」が付されている。さらに、０℃での蒸気圧が１００ｋＰａより小さいガスには、「Ｃ」が付されている。沸点の列において、１気圧での沸点が０℃以下のガスには、「Ａ」が付されている。さらに、１気圧での沸点が０℃より大きいガスには、「Ｃ」が付されている。分解しやすさの列において、分解しやすいガスには、「Ａ」が付されている。分解しやすさが普通のガスには、「Ｂ」が付されている。還元力の列において、還元力が十分であるガスには、「Ａ」が付されている。
　表１において、「Ａ」は良い特性であることを意味する。「Ｂ」は普通の特性であることを意味する。「Ｃ」は不十分な特性であることを意味する。
　ＰＤＰの製造工程における有機ガスの取扱い易さの観点から考えると、ガスボンベに入れて供給できる還元性有機ガスが望ましい。また、ＰＤＰの製造工程における取扱い易さから考えると、０℃での蒸気圧が１００ｋＰａ以上の還元性有機ガス、または沸点が０℃以下の還元性有機ガス、または分子量が小さい還元性有機ガスが望ましい。
　さらに、排気工程Ｃ３の後にも還元性有機ガスを含むガスの一部が放電空間内に残留する可能性がある。よって、還元性有機ガスは、分解しやすい特性を有することが望ましい。
　還元性有機ガスは、製造工程上での取扱い易さや、分解しやすい特性などの点を考慮して、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレンおよびシクロプロパンの中から選ばれる酸素を含まない炭化水素系ガスが望ましい。これらの還元性有機ガスの中から選ばれる少なくとも一種を希ガスや窒素ガスに混合して用いればよい。
　還元性有機ガスとしてプロピレンガスまたはシクロプロパンガスを使用した場合は、維持電圧を約１０Ｖ低下させることができた。また、還元性有機ガスとしてアセチレンガスを使用した場合は、維持電圧を約２０Ｖ低下させることができた。
　なお、希ガスや窒素ガスと還元性有機ガスの混合比率は、使用する還元性有機ガスの燃焼割合に応じて下限が決定される。上限は、数体積％程度である。還元性有機ガスの混合比率が高すぎると、有機成分が重合して高分子となりやすい。この場合、高分子が放電空間に残留し、ＰＤＰの特性に影響を与えてしまう。よって、使用する還元性有機ガスの成分に応じて、混合比率を適宜調整することが好ましい。
　［２－５．好ましい変形例］
　［２－５－１．第1の変形例］
　上述のように、還元性有機ガスを放電空間１６に１回導入する形態が示された。さらに好ましい第１の変形例が以下に示される。
　具体的には、放電空間１６に、複数回、還元性有機ガスを導入、排気する形態である。詳細には、還元性有機ガスは、放電空間１６に導入された後、５分程度、放電空間１６に留め置かれる。次に、放電空間１６から還元性有機ガスが排気される。その後、再度、還元性有機ガスが、放電空間１６に導入される。また、還元性有機ガスは、５分程度、放電空間１６に留め置かれる。次に、再度、放電空間１６から還元性有機ガスが排気される。このように還元性有機ガスの導入および排気が複数回繰り返された後、さらに還元性有機ガスが導入される。
　ここで、保護層９が還元性有機ガスに曝される時間は、２０分～６０分である。保護層９は、複数回にわたって、還元性有機ガスに曝されている。つまり、還元性有機ガスによる保護層９への影響の度合いが増加する。したがって、還元性ガス導入工程Ｃ２において、複数回、還元性有機ガスを導入、排気する形態は、導入されるガスの還元性有機ガス濃度を高くした場合と同様の効果が得られる。
　［２－５－２．第２の変形例］
　上述のように、還元性ガス導入工程Ｃ２、排気工程Ｃ３および放電ガス供給工程Ｃ４を続けて実施する形態が示された。さらに好ましい第２の変形例が以下に示される。
　具体的には、還元性ガス導入工程Ｃ２後、還元性有機ガスとは異なるガスによって放電空間１６に面した構成（保護層９、蛍光体層１５など）を洗浄する形態である。還元性有機ガスとは異なるガスとしては、酸素ガス、特に低酸素濃度ガス、不活性ガス、水素ガス、ジメチルエーテル（ＤＭＥ）などが挙げられる。例えば、ジメチルエーテル（ＤＭＥ）３体積％、Ｎ２ガスあるいはＨ２ガス（３体積％）／Ｎ２ガス（９７体積％）などが好ましい。これによって、還元性ガス導入工程Ｃ２の後に、放電空間１６に残留している可能性があるＣＯ２および／またはＣＨ系成分の排気が促進される。したがって、放電空間１６における、望まれない成分の残留量が低減される。なお、ＣＯ２および／またはＣＨ系成分の排気に貢献する反応は、分解あるいは燃焼である。
　［３．効果等］
　本開示の製造方法は、前面板２と背面板１０との間に設けられた放電空間１６を有するＰＤＰ１の製造方法である。製造方法は、前面板２と背面板１０の周囲を封着材によって封着すること、次に、放電空間１６を排気すること、次に、放電空間１６に第１のガスを導入すること、次に、放電空間１６から第１のガスを排出すること、を有する。さらに、製造方法は、放電空間１６に第１のガスを導入することと放電空間１６から第１のガスを排出すること、を複数回繰り返すこと、を含む。第１のガスは、還元性有機ガスである。
　還元性有機ガスに曝された保護層９には、酸素欠損が生じる。酸素欠損が生じることにより、保護層９の二次電子放出能力が向上すると考えられる。したがって、本実施の形態によって製造されたＰＤＰ１は、維持電圧を低減することができる。さらに、還元性有機ガス濃度を高くした場合と同様の効果が得られる。
　本開示の他の製造方法は、前面板２と背面板１０との間に設けられた放電空間１６を有するＰＤＰ１の製造方法である。製造方法は、前面板２と背面板１０の周囲を封着材によって封着すること、前面板２と背面板１０の周囲を封着材によって封着する期間に放電空間１６を排気すること、次に、放電空間１６に第１のガスを導入すること、次に、放電空間１６から第１のガスを排出すること、を有する。さらに、製造方法は、放電空間１６に第１のガスを導入することと放電空間１６から第１のガスを排出すること、を複数回繰り返すこと、を含む。第１のガスは、還元性有機ガスである。
　還元性有機ガスに曝された保護層９には、酸素欠損が生じる。酸素欠損が生じることにより、保護層９の二次電子放出能力が向上すると考えられる。したがって、本実施の形態によって製造されたＰＤＰ１は、維持電圧を低減することができる。さらに、還元性有機ガス濃度を高くした場合と同様の効果が得られる。
　本開示の他の製造方法は、前面板２と背面板１０との間に設けられた放電空間１６を有するＰＤＰ１の製造方法である。製造方法は、前面板２と背面板１０の周囲を封着材によって封着すること、放電空間１６を排気すること、次に、放電空間１６に第１のガスを導入すること、次に、放電空間１６から第１のガスを排出すること、次に、放電空間１６に第２のガスを導入すること、次に、放電空間１６から第２のガスを排出すること、を有する。第１のガスは、還元性有機ガスを含む。第２のガスは、還元性有機ガスと異なるガスである。
　還元性有機ガスに曝された保護層９には、酸素欠損が生じる。酸素欠損が生じることにより、保護層９の二次電子放出能力が向上すると考えられる。したがって、本実施の形態によって製造されたＰＤＰ１は、維持電圧を低減することができる。さらに、放電空間１６における、望まれない成分の残留量が低減される。よって、残像など画像表示の品位が悪化する現象が抑制される。
　本開示の他の製造方法は、前面板２と背面板１０との間に設けられた放電空間１６を有するＰＤＰ１の製造方法である。製造方法は、前面板２と背面板１０の周囲を封着材によって封着すること、前面板２と背面板１０の周囲を封着材によって封着する期間に放電空間１６を排気すること、次に、放電空間１６に第１のガスを導入すること、次に、放電空間１６から第１のガスを排出すること、次に、放電空間１６に第２のガスを導入すること、次に、放電空間１６から第２のガスを排出すること、を有する。第１のガスは、還元性有機ガスを含む。第２のガスは、還元性有機ガスと異なるガスである。
　還元性有機ガスに曝された保護層９には、酸素欠損が生じる。酸素欠損が生じることにより、保護層９の二次電子放出能力が向上すると考えられる。したがって、本実施の形態によって製造されたＰＤＰ１は、維持電圧を低減することができる。さらに、放電空間１６における、望まれない成分の残留量が低減される。よって、残像など画像表示の品位が悪化する現象が抑制される。
　さらに放電空間１６の排気を１５０℃以上、前記封着材の転移点＋１５０℃以下、の範囲で開始することが好ましい。保護層９の炭酸化を抑制する効果がより大きくなるからである。
　さらに、還元性有機ガスは、酸素を含まない炭化水素系ガスであることが好ましい。酸素を含まないことによって、還元能力が高まるからである。
　さらに、還元性有機ガスは、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレン、シクロプロパン、プロパンおよびブタンの中から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。上記の還元性有機ガスは、製造工程上での取扱いが容易だからである。さらに、上記の還元性有機ガスは、分解が容易だからである。
　また、第２のガスは、酸素ガス、不活性ガス、水素ガスおよびジメチルエーテルの群から選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。放電空間１６に残留している可能性があるＣＯ２および／またはＣＨ系成分の排気が促進されるからである。
　また、本実施の形態では、金属酸化物の結晶粒子としてＭｇＯが例示された。しかし、この他の単結晶粒子でも、ＭｇＯ同様に高い電子放出性能を持つＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌなどの金属酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができる。よって、金属酸化物の結晶粒子としてはＭｇＯに限定されるものではない。
　以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態が説明された。そのために、添付図面および詳細な説明が提供された。
　したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。上記技術を例示するためである。必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることによって、それら必須ではない構成要素が必須であるとの認定がなされるべきではない。
　また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものである。よって、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
　本開示の技術は、大画面の表示デバイスなどに有用である。
　１　　ＰＤＰ
　２　　前面板
　３　　前面ガラス基板
　４　　走査電極
　５　　維持電極
　６　　表示電極
　８　　誘電体層
　９　　保護層
　１０　　背面板
　１１　　背面ガラス基板
　１２　　データ電極
　１３　　下地誘電体層
　１４　　隔壁
　１５　　蛍光体層
　１６　　放電空間

Claims (8)

  1. 前面板と背面板の間に設けられた放電空間を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    　前記前面板と前記背面板の周囲を封着材によって封着すること、
    　次に、前記放電空間を排気すること、
    　次に、前記放電空間に第１のガスを導入すること、
    　次に、前記放電空間から前記第１のガスを排出すること、を有し、
    　さらに、前記放電空間に前記第１のガスを導入することと前記放電空間から前記第１のガスを排出すること、を複数回繰り返すこと、を含み、
    　前記第１のガスは、還元性有機ガスを含む、
    プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  2. 前面板と背面板の間に設けられた放電空間を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    　前記前面板と前記背面板の周囲を封着材によって封着すること、
    　前記前面板と前記背面板の周囲を封着材によって封着する期間に、前記放電空間を排気すること、
    　次に、前記放電空間に第１のガスを導入すること、
    　次に、前記放電空間から前記第１のガスを排出すること、を有し、
    　さらに、前記放電空間に前記第１のガスを導入することと前記放電空間から前記第１のガスを排出すること、を複数回繰り返すこと、を含み、
    　前記第１のガスは、還元性有機ガスを含む、
    プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  3. 前面板と背面板の間に設けられた放電空間を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    　前記前面板と前記背面板の周囲を封着材によって封着すること、
    　次に、前記放電空間を排気すること、
    　次に、前記放電空間に第１のガスを導入すること、
    　次に、前記放電空間から前記第１のガスを排出すること、
    　次に、前記放電空間に第２のガスを導入すること、
    　次に、前記放電空間から前記第２のガスを排出すること、を有し、
    　　　前記第１のガスは、還元性有機ガスを含み、
    　　　前記第２のガスは、前記還元性有機ガスと異なるガスである、
    プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  4. 前面板と背面板の間に設けられた放電空間を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    　前記前面板と前記背面板の周囲を封着材によって封着すること、
    　前記前面板と前記背面板の周囲を封着材によって封着する期間に、前記放電空間を排気すること、
    　次に、前記放電空間に第１のガスを導入すること、
    　次に、前記放電空間から前記第１のガスを排出すること、
    　次に、前記放電空間に第２のガスを導入すること、
    　次に、前記放電空間から前記第２のガスを排出すること、を有し、
    　　　前記第１のガスは、還元性有機ガスを含み、
    　　　前記第２のガスは、前記還元性有機ガスと異なるガスである、
    プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  5. 前記放電空間の排気を１５０℃以上、前記封着材の転移点＋１５０℃以下、の範囲で開始する、
    請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  6. 前記還元性有機ガスは、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレン、シクロプロパン、プロパンおよびブタンの群から選ばれる少なくとも一種である、
    請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  7. 前記還元性有機ガスは、酸素を含まない炭化水素系ガスである、
    請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  8. 前記第２のガスは、酸素ガス、不活性ガス、水素ガスおよびジメチルエーテルの群から選ばれる少なくとも一種を含む、
    請求項３または請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
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