WO2013021548A1 - 蛍光体および蛍光体ペースト - Google Patents

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WO2013021548A1
WO2013021548A1 PCT/JP2012/004500 JP2012004500W WO2013021548A1 WO 2013021548 A1 WO2013021548 A1 WO 2013021548A1 JP 2012004500 W JP2012004500 W JP 2012004500W WO 2013021548 A1 WO2013021548 A1 WO 2013021548A1
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WO
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phosphor
paste
fluorine compound
compound particles
electrode
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PCT/JP2012/004500
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純久 長崎
幸彦 杉尾
杉本　和彦
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パナソニック株式会社
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    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/42—Fluorescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/22—Applying luminescent coatings
    • H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines

Definitions

  • the technology of the present disclosure relates to a phosphor and a phosphor paste used as a light emitter such as a display device.
  • Patent Document 1 uses a phosphor composition composed of an inorganic phosphor that emits blue light when irradiated with ultraviolet light, copper or a copper compound, and phosphorus or a phosphorous compound in order to suppress a decrease in luminance due to firing during phosphor formation.
  • the conventional plasma display panel hereinafter referred to as PDP.
  • the phosphor of the present disclosure includes phosphor particles and fluorine compound particles.
  • the temperature at which decomposition of the fluorine compound particles begins is 200 ° C. or more and 500 ° C. or less.
  • the phosphor paste of the present disclosure includes phosphor particles, fluorine compound particles, and a solvent.
  • the pressure range of 10 ⁇ 2 Pa to 10 5 Pa the temperature at which decomposition of the fluorine compound particles begins is 200 ° C. or more and 500 ° C. or less.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a PDP.
  • FIG. 2 is a front view of the PDP as viewed from the front plate side.
  • FIG. 3 is a diagram showing a part of a section 3-3 in FIG.
  • FIG. 4 is a manufacturing flowchart of the PDP according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a manufacturing flow diagram of the phosphor layer according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a phosphor according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating the phosphor paste according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the back plate according to the embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the back plate according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the back plate according to the embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a schematic cross-section of the PDP according to the embodiment.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a PDP.
  • FIG. 2 is a front view of the PDP as viewed from the front plate side.
  • FIG. 3 is a diagram showing a part of a section 3-3 in FIG.
  • the PDP 1 according to the present embodiment is an AC surface discharge type PDP.
  • the front plate 2 and the back plate 10 are arranged to face each other.
  • the front plate 2 includes a front glass substrate 3.
  • the back plate 10 includes a back glass substrate 11.
  • a plurality of display electrodes 6 are arranged on the surface of the front glass substrate 3. Each display electrode 6 is arranged parallel to the long side of the front glass substrate 3.
  • Each display electrode 6 has one scan electrode 4 and one sustain electrode 5.
  • a discharge gap is formed between scan electrode 4 and sustain electrode 5.
  • Scan electrode 4 includes a transparent electrode 4a disposed on front glass substrate 3 and a bus electrode 4b stacked on transparent electrode 4a.
  • Sustain electrode 5 includes a transparent electrode 5a disposed on front glass substrate 3, and a bus electrode 5b stacked on transparent electrode 5a.
  • the front plate 2 includes a dielectric layer 8 that covers the display electrodes 6.
  • the front plate 2 includes a protective layer 9 that covers the dielectric layer 8.
  • a plurality of address electrodes 12 are arranged on the surface of the rear glass substrate 11. Each address electrode 12 is arranged in parallel with the short side of the rear glass substrate 11. In other words, each address electrode 12 is arranged in a direction orthogonal to the display electrode 6.
  • the back plate 10 includes a base dielectric layer 13 that covers the plurality of address electrodes 12. On the base dielectric layer 13, barrier ribs 14 that divide the discharge space 16 (see FIG. 3) are disposed.
  • the barrier ribs 14 include vertical barrier ribs 24 arranged in parallel with the address electrodes 12 and horizontal barrier ribs 26 arranged in parallel with the display electrodes 6.
  • the vertical barrier ribs 24 are disposed between the address electrodes 12 and the address electrodes 12.
  • the back plate 10 includes a phosphor layer 15.
  • the phosphor layer 15 is disposed on the surface of the base dielectric layer 13 and the side surfaces of the barrier ribs 14.
  • the phosphor layer 15 includes a red phosphor layer 151 that emits red light, a blue phosphor layer 152 that emits blue light, and a green phosphor layer 153 that emits green light.
  • the red phosphor layer 151, the blue phosphor layer 152, and the green phosphor layer 153 have emission centers that are excited by ultraviolet rays.
  • the PDP 1 includes a sealing member 22.
  • the sealing member 22 seals the periphery of the front plate 2 and the periphery of the back plate 10. That is, the PDP 1 is hermetically sealed by the sealing member 22.
  • the sealing member 22 is disposed outside the display area in the PDP 1.
  • the sealing member 22 is, for example, a glass frit mainly composed of dibismuth trioxide (Bi 2 O 3 ), diboron trioxide (B 2 O 3 ), divanadium pentoxide (V 2 O 5 ), or the like.
  • Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —RO—MO glass is used.
  • R is any one of barium (Ba), strontium (Sr), calcium (Ca), and magnesium (Mg).
  • M is any one of copper (Cu), antimony (Sb), and iron (Fe).
  • V 2 O 5 —BaO—TeO—WO glass is used.
  • the sealing member 22 a material obtained by adding a filler made of an oxide such as dialuminum trioxide (Al 2 O 3 ), silicon dioxide (SiO 2 ) or cordierite to the first glass member is used. it can.
  • the softening point of the glass frit is about 460 ° C to 480 ° C.
  • a discharge gas containing xenon (Xe) is sealed in the discharge space 16 at a pressure of 55 kPa to 80 kPa.
  • FIG. 4 is a manufacturing flowchart of the PDP according to the embodiment.
  • the method for manufacturing the PDP 1 includes a step of forming the front plate 2 (S10), a step of forming the back plate 10 (S20), and a step of assembling the front plate 2 and the back plate 10 (S30).
  • S10 includes a step of forming the display electrode 6 (S11), a step of forming the dielectric layer 8 (S12), and a step of forming the protective layer 9 (S13).
  • S20 includes a step of forming the address electrode 12 (S21), a step of forming the base dielectric layer 13 (S22), a step of forming the partition wall 14 (S23), and a step of forming the phosphor layer 15 (S24).
  • S30 includes a sealing step (S31), an exhausting step (S32), and a discharge gas introducing step (S33).
  • bus electrodes 4b and 5b are formed.
  • an electrode paste containing silver (Ag), a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material for the bus electrodes 4b and 5b.
  • an electrode paste is applied to the front glass substrate 3 on which the transparent electrodes 4a and 5a are formed by a screen printing method or the like.
  • the electrode paste is dried in a temperature range of, for example, 100 ° C. to 250 ° C. in a drying furnace. By drying, the solvent in the electrode paste is removed.
  • the electrode paste is exposed through a photomask in which a plurality of rectangular patterns are formed.
  • the electrode paste is developed.
  • a positive photosensitive resin is used, the exposed part is removed.
  • the remaining electrode paste is an electrode pattern.
  • the electrode pattern is fired in a temperature range of, for example, 400 ° C. to 550 ° C. in a firing furnace.
  • the photosensitive resin in the electrode pattern is removed by baking.
  • the glass frit in the electrode pattern is melted.
  • the melted glass frit is vitrified again after firing.
  • Bus electrodes 4b and 5b are formed by the above steps.
  • a method of forming a metal film by sputtering, vapor deposition, or the like and then patterning can be used.
  • the dielectric layer 8 is formed.
  • a dielectric paste containing a dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used as a material for the dielectric layer 8.
  • a dielectric paste is applied on the front glass substrate 3 with a predetermined thickness by a die coating method or the like.
  • the applied dielectric paste covers scan electrode 4 and sustain electrode 5.
  • the dielectric paste is dried in a temperature range of, for example, 100 ° C. to 250 ° C. by a drying furnace.
  • the solvent in the dielectric paste is removed by drying.
  • the dielectric paste is baked in a temperature range of, for example, 400 ° C. to 550 ° C. in a baking furnace. By baking, the resin in the dielectric paste is removed.
  • the dielectric glass frit is melted by firing.
  • the melted dielectric glass frit is vitrified again after firing.
  • the dielectric layer 8 is formed.
  • a film that becomes the dielectric layer 8 can be formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like without using the dielectric paste.
  • the protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) or the like is formed on the dielectric layer 8.
  • the protective layer 9 is formed by an EB (Electron Beam) vapor deposition apparatus.
  • the material of the protective layer 9 is a pellet made of single crystal MgO. Aluminum (Al), silicon (Si), or the like may be further added to the pellet as impurities.
  • an electron beam is irradiated to the pellets arranged in the film forming chamber of the EB vapor deposition apparatus.
  • the pellet surface that receives the energy of the electron beam evaporates.
  • MgO evaporated from the pellets adheres to the dielectric layer 8 disposed in the deposition chamber.
  • the film thickness of MgO is adjusted so as to be within a predetermined range by the intensity of the electron beam, the pressure in the film formation chamber, and the like.
  • the protective layer 9 may be a mixed film with CaO in addition to MgO.
  • the protective layer 9 may be a film containing a metal oxide such as SrO, BaO, Al 2 O 3 .
  • the protective layer 9 may be a film containing a plurality of types of metal oxides.
  • the address electrode 12 is formed on the rear glass substrate 11 by photolithography.
  • an address electrode paste containing silver (Ag) particles as a conductor, a glass frit that binds the silver particles, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used.
  • the address electrode paste is applied on the rear glass substrate 11 with a predetermined thickness by screen printing or the like.
  • the address electrode paste is dried in a temperature range of, for example, 100 ° C. to 250 ° C. by a drying furnace. The solvent in the address electrode paste is removed by drying.
  • the address electrode paste is exposed through a photomask in which a plurality of rectangular patterns are formed.
  • the address electrode paste is developed.
  • the exposed part is removed.
  • the remaining address electrode paste is an address electrode pattern.
  • the address electrode pattern is fired in a temperature range of 400 ° C. to 550 ° C., for example, in a firing furnace.
  • the photosensitive resin in the address electrode pattern is removed by baking. By baking, the glass frit in the address electrode pattern is melted. The melted glass frit is vitrified again after firing.
  • the address electrode 12 is formed by the above process.
  • a method of forming a metal film by sputtering, vapor deposition, or the like and then patterning can be used.
  • the base dielectric layer 13 is formed.
  • a base dielectric paste containing a base dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used as a material for the base dielectric layer 13.
  • the base dielectric paste is applied on the rear glass substrate 11 with a predetermined thickness by screen printing or the like.
  • the applied base dielectric paste covers the address electrodes 12.
  • the base dielectric paste is dried in a temperature range of, for example, 100 ° C. to 250 ° C. in a drying furnace.
  • the solvent in the base dielectric paste is removed by drying.
  • the base dielectric paste is baked in a baking furnace in a temperature range of 400 ° C.
  • the base dielectric layer 13 is formed.
  • a film to be the base dielectric layer 13 can be formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like without using the base dielectric paste.
  • the partition wall 14 is formed by a photolithography method.
  • a partition paste containing a filler, a glass frit for binding the filler, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material for the partition wall 14.
  • the barrier rib paste is applied on the underlying dielectric layer 13 with a predetermined thickness by a die coating method or the like.
  • the partition paste is dried in a temperature range of, for example, 100 ° C. to 250 ° C. by a drying furnace.
  • the solvent in the barrier rib paste is removed by drying.
  • the barrier rib paste is exposed through, for example, a photomask having a cross pattern.
  • the barrier rib paste is developed.
  • the exposed part is removed.
  • the remaining barrier rib paste is a barrier rib pattern.
  • the barrier rib pattern is fired in a temperature range of 400 ° C. to 550 ° C., for example, in a firing furnace.
  • the photosensitive resin in the partition wall pattern is removed by baking.
  • the glass frit in the barrier rib pattern is melted.
  • the filler in the partition wall pattern does not dissolve even by firing.
  • the melted glass frit is vitrified again after firing.
  • the partition wall 14 is formed by the above process.
  • a sand blast method or the like can be used.
  • FIG. 5 is a manufacturing flow diagram of the phosphor layer according to the embodiment.
  • the phosphor layer 15 includes a step of creating a phosphor paste (S241), a step of forming a phosphor paste film (S242), a step of drying the phosphor paste film (S243), and a phosphor. It is formed by the step (S244) of baking the paste film.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a phosphor according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating the phosphor paste according to the embodiment.
  • a phosphor 27 containing the phosphor particles 28 and the fluorine compound particles 30, a phosphor paste 29 containing the organic binder 40 and the solvent 41 is created.
  • a phosphor paste containing a phosphor emitting blue light, a phosphor paste containing a phosphor emitting green light, and a phosphor paste containing a phosphor emitting red light are separately prepared.
  • the dried phosphor paste 29 preferably has 40 to 95 wt% phosphor 27 and 5 to 60 wt% organic binder 40. More preferably, the dried phosphor paste 29 has 70 to 90 wt% phosphor 27 and 10 to 30 wt% organic binder 40.
  • the dry state is a state in which almost all the solvent 41 has been removed from the phosphor paste 29. If the organic binder 40 is small, dispersion of the phosphor particles 28 in the phosphor paste 29 may become unstable. In addition, when the organic binder 40 is small, the viscosity and fluidity of the phosphor paste 29 may be insufficient. As a result, the film thickness at the time of applying the phosphor paste 29 tends to become unstable. Moreover, when there are many organic binders 40, the residue of an organic component may generate
  • the blue phosphor is an Eu 2+ activated blue phosphor having a main emission peak in a wavelength region of 420 nm or more and less than 500 nm.
  • the blue phosphor using Eu 2+ as an activator emits light based on the 4f 6 5d 1 ⁇ 4f 7 electron energy transition of Eu 2+ ions. Therefore, blue light emission with an afterglow time of less than 1 msec can be realized.
  • the blue phosphor is BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ (BAM phosphor), CaMgSi 2 O 6 : Eu 2+ (CMS phosphor), Sr 3 MgSi 2 O 8 : Eu 2+ (SMS phosphor) Such as phosphor particles.
  • the green phosphor has an emission peak in a wavelength region of 500 nm or more and less than 560 nm and an afterglow time of more than 2 msec and less than 5 msec, and an Mn 2+ activated short afterglow green phosphor and a wavelength region of 490 nm or more and less than 560 nm
  • a phosphor containing Ce 3+ activated green phosphor or Eu 2+ activated green phosphor having a light emission peak at the same time.
  • the green phosphor is specifically phosphor particles such as Zn 2 SiO 4 : Mn 2+ (ZSM phosphor) and Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ (YAG phosphor).
  • the red phosphor is an Eu 3+ activated red phosphor having a main emission peak in a wavelength region of 610 nm or more and less than 630 nm.
  • the red phosphors are Y 2 O 3 : Eu 3+ (YOX phosphor), (Y, Gd) 2 O 3 : Eu 3+ (YGX phosphor) and Y (P, V) O 4 : Eu. Phosphor particles such as 3+ (YPV phosphor).
  • the average particle diameter of each phosphor particle 28 is preferably 0.1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. A more preferable average particle diameter of the phosphor particles 28 is 0.5 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less. This is for suppressing aggregation in the phosphor paste.
  • an average particle diameter means a volume accumulation average diameter (D50).
  • a laser diffraction particle size distribution measuring device MT-3300 manufactured by Nikkiso Co., Ltd. was used for measurement of the average particle size.
  • the phosphor 27 includes fluorine compound particles 30.
  • the fluorine compound particles 30 may be lithium fluoride (LiF), sodium fluoride (NaF), potassium fluoride (KF), rubidium fluoride (RbF), cesium fluoride (CsF), magnesium fluoride (MgF 2). ), Calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride (BaF 2 ), yttrium fluoride (YF 3 ), and aluminum fluoride (AlF 3 ).
  • the temperature at which decomposition of the fluorine compound particles 30 starts is 200 ° C. or more and 500 ° C. or less. The reason for this will be described in detail later.
  • the average particle diameter of the fluorine compound particles 30 is preferably 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. More preferable average particle diameter of the fluorine compound particles 30 is 3 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less. This is for suppressing aggregation in the phosphor paste 29.
  • the phosphor 27 is obtained by mixing and dispersing phosphor particles 28 and fluorine compound particles 30.
  • solvent 41 a solvent hardly soluble in water such as ⁇ -terpineol, butyl carbitol and the like is used.
  • Polyhydric alcohol derivatives include ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxy-3-methylbutanol, allyl Alcohol, isopropyl alcohol, ethanol, glycidol, tetrahydrofurphylyl alcohol, t-butanol, furfuryl alcohol, propargyl alcohol, 1-propanol, methanol, 3-methyl-1-butyn-3-ol, 15-crown-5, 18-crown-6, propylene oxide, 1,4-dioxane, dipropyl ether, dimethyl ether, tetrahydrafuran, acetaldehyde , Diace
  • organic binder 40 hydroxypropyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, ethyl hydroxyethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, polyvinyl alcohol, polyvinyl ether, ethyl cellulose, an acrylic resin, or the like having an average molecular weight of 30,000 to 200,000 is used.
  • polymers such as PMA (propylene glycol monomethyl ether acetate) and PVA (polyvinyl alcohol) can be added.
  • the phosphor paste can be obtained by mixing and dispersing the above materials. Specifically, the method of mixing using various mixers, such as a ball mill, a blender mill, and 3 rolls, is mentioned.
  • the phosphor paste 29 can also be obtained by mixing and dispersing the phosphor particles 28, the fluorine compound particles 30, the solvent 41 and the organic binder 40.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the back plate according to the embodiment.
  • a phosphor paste film 32 is formed.
  • the phosphor paste film 32 is a phosphor paste 29 applied in the discharge cell.
  • a screen printing method, an inkjet method, a dispensing method, or the like is used for applying the phosphor paste 29.
  • the dispensing method is a method in which the phosphor paste 29 is ejected from the tip of a nozzle having a plurality of nozzles, and the phosphor paste 29 is applied between the barrier ribs 14 and 14.
  • a phosphor paste 29 having a red phosphor is applied in a predetermined range.
  • a phosphor paste 29 having a green phosphor is applied in a predetermined range.
  • a phosphor paste 29 having a blue phosphor is applied in a predetermined range. That is, application is repeated for each color.
  • the order of application is not limited to the above.
  • the dispensing method has a higher material use efficiency than the photosensitive paste method in which about two-thirds of the phosphor paste 29 is discarded by development.
  • the phosphor paste 29 exists in an open system. Therefore, it is necessary to consider the effect of volatilization of organic components.
  • the phosphor paste 29 exists in a closed system. Therefore, the phosphor paste 29 is characterized in that the change in viscosity is small and the coating amount is constant and stable.
  • a nozzle having a nozzle tip diameter of 150 ⁇ m was used.
  • the discharge pressure, the running speed of the nozzle, etc. were adjusted.
  • the phosphor paste 29 was applied up to the height of the vertical barrier ribs 24.
  • a plurality of fluorine compound particles 30 are dispersed in the phosphor paste film 32. 8 to 11, the phosphor particles 28 are omitted for convenience of explanation.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the back plate according to the embodiment.
  • the phosphor paste film 32 is dried.
  • the solvent 41 contained in the phosphor paste film 32 is removed by drying.
  • the volume of the phosphor paste film 32 decreases.
  • Some fluorine compound particles 30 appear on the surface of the phosphor paste film 32.
  • As the drying apparatus an infrared heating furnace, a heater heating furnace, or the like is used.
  • the drying temperature depends on the vapor pressure of the solvent 41 and the like, but is in the range of 100 ° C. to 150 ° C.
  • the drying time ranges from 5 minutes to 20 minutes.
  • the atmosphere of the heating furnace is air, nitrogen or the like.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the back plate according to the embodiment.
  • the phosphor paste film 32 is baked.
  • organic components such as the organic binder 40 are decomposed into water and carbon dioxide. Water and carbon dioxide are discharged out of the baking apparatus.
  • the phosphor layer 15 is formed by further reducing the volume of the phosphor paste film 32.
  • Some fluorine compound particles 30 are decomposed by firing. The decomposed fluorine compound particles 30 are detached from the phosphor paste film 32 and discharged out of the baking apparatus.
  • Some fluorine compound particles 30 exist on the surface of the phosphor layer 15.
  • the baking apparatus a heater heating furnace or the like is used.
  • the firing temperature is preferably in the range of 300 ° C to 500 ° C.
  • the pressure during firing is atmospheric pressure (about 10 5 Pa).
  • the firing time is preferably in the range of 10 minutes to 60 minutes.
  • the firing temperature is less than 300 ° C.
  • firing is insufficient and it is difficult to sufficiently remove organic components.
  • the firing temperature exceeds 500 ° C., the phosphor particles may be deteriorated due to thermal history. In this case, there is a concern that the luminance is lowered. Furthermore, there is a concern that a defective product is generated due to distortion in the rear glass substrate 11.
  • a phosphor layer 15 having a thickness of 5 to 20 ⁇ m was formed on the side wall of the partition wall 14 and on the underlying dielectric layer 13 between the partition walls 14.
  • the back plate 10 having a predetermined configuration is completed on the back glass substrate 11.
  • a sealing paste is applied to the periphery of the back plate 10 by a dispensing method or the like.
  • the sealing paste includes a glass member, a binder, a solvent, and the like.
  • the applied sealing paste forms a sealing paste layer (not shown).
  • the solvent in the sealing paste layer is removed by a drying furnace.
  • the sealing paste layer is temporarily fired at a temperature of about 350 ° C. in a heater heating furnace or the like.
  • the pressure at the time of pre-baking is atmospheric pressure (about 10 5 Pa).
  • the resin component etc. in the sealing paste layer are removed by temporary baking.
  • the front plate 2 and the back plate 10 are arranged to face each other so that the display electrodes 6 and the address electrodes 12 are orthogonal to each other. Further, the peripheral portions of the front plate 2 and the back plate 10 are held in a state of being pressed by a clip or the like.
  • sealing is performed. First, the temperature rises from room temperature to the softening point (for example, 470 ° C.) of the glass member. Next, the temperature rises from the softening point of the glass member to the sealing temperature (for example, 490 ° C.). The sealing temperature is maintained for a certain time. The pressure at the time of sealing is atmospheric pressure (about 10 5 Pa).
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a schematic cross-section of the PDP according to the embodiment.
  • the discharge space 16 is exhausted.
  • the temperature drops to the exhaust temperature (eg, 440 ° C.) and is held for a certain time.
  • the pressure during exhaust is about 10 ⁇ 2 Pa.
  • the discharge space 16 is exhausted during the period in which the exhaust temperature is maintained.
  • some of the fluorine compound particles 30 are decomposed.
  • a part of the fluorine component 34 generated by the decomposition of the fluorine compound particles 30 adheres to the protective layer 9.
  • the PDP 1 is completed through the above steps. In addition, you may insert the aging process which performs forced discharge in order to stabilize a discharge voltage after S33.
  • the inventors prototyped various PDPs 1 by the manufacturing method described above. Next, the performance of PDP1 was evaluated.
  • the prototype PDP 1 is suitable for a 42-inch class high-definition television.
  • the PDP 1 includes a front plate 2 and a back plate 10 disposed to face the front plate 2. The periphery of the front plate 2 and the back plate 10 is sealed with a sealing material.
  • the front plate 2 has a display electrode 6, a dielectric layer 8, and a protective layer 9.
  • the back plate 10 includes address electrodes 12, a base dielectric layer 13, barrier ribs 14, and a phosphor layer 15.
  • PDP 1 was filled with a neon (Ne) -xenon (Xe) -based mixed gas having a xenon (Xe) content of 15% by volume at an internal pressure of 60 kPa.
  • the interelectrode distance between the display electrode 6 and the display electrode 6 was 0.06 mm.
  • the height of the vertical partition wall 24 was 0.15 mm, and the distance (cell pitch) between the vertical partition wall 24 and the vertical partition wall 24 was 0.15 mm.
  • the height of the horizontal partition wall 26 was 0.13 mm, and the distance between the horizontal partition wall 26 and the horizontal partition wall 26 was 0.45 mm.
  • Table 1 shows a list of PDP 1 prototyped.
  • YPV was used as the red phosphor.
  • the green phosphor a mixture of ZSM and YAG at a ratio of 1: 1 was used. BAM was used as the blue phosphor.
  • the green phosphor contains AlF 3 as the fluorine compound particles. Note that the green phosphor of Sample 1 as a reference sample does not contain fluorine compound particles.
  • Green phosphor sample 2 contains 500ppm of AlF 3.
  • Green phosphor sample 3 includes 1000ppm and AlF 3.
  • concentration of AlF 3 is the weight ratio of fluorine to the entire green phosphor.
  • the sustain voltage and the write voltage were measured by driving the PDP 1 in a subfield.
  • one field is composed of a plurality of subfields.
  • One subfield has an initialization period, an address period, and a sustain period.
  • the initialization period is a period in which the initialization discharge is generated in the discharge cell.
  • the address period is a period for generating an address discharge for selecting a discharge cell to emit light after the initialization period.
  • the address voltage is a voltage applied to the address electrode 12 in order to generate an address discharge.
  • the address voltage means the lowest voltage necessary for generating a normal address discharge.
  • the sustain period is a period in which a sustain discharge is generated in the discharge cell selected in the address period.
  • the sustain voltage is a voltage applied to the display electrode 6 in order to generate a sustain discharge.
  • the sustain voltage means the lowest voltage necessary for generating a normal sustain discharge.
  • Sample 2 had a maintenance voltage higher than Sample 1 by 0.5V. However, the write voltage was 3V lower.
  • Sample 3 was 1.0 V higher in sustain voltage than sample 1. However, the write voltage was 3V lower.
  • the inventors analyzed the concentration of F on the surface of the protective layer 9 of Samples 1, 2 and 3 using XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy). As a result, about twice as much F as in sample 1 was detected from sample 2 and sample 3. F in the protective layer 9 is considered to enter lattice defects existing in MgO constituting the protective layer 9. Therefore, the defect density of MgO decreases. Lattice defects function as electron emission sites. Therefore, MgO having a reduced defect density has improved charge retention capability. Therefore, it is considered that the writing voltage of Sample 2 and Sample 3 is lower than that of Sample 1.
  • XPS X-ray Photoelectron Spectroscopy
  • the present disclosure provides a phosphor and a phosphor paste that can solve the above problems.
  • the phosphor 27 in the present embodiment includes phosphor particles 28 and fluorine compound particles 30.
  • the temperature at which decomposition of the fluorine compound particles 30 starts is 200 ° C. or more and 500 ° C. or less.
  • the phosphor paste 29 in the present embodiment includes phosphor particles 28, fluorine compound particles 30, and a solvent 41.
  • the temperature at which decomposition of the fluorine compound particles 30 starts is 200 ° C. or more and 500 ° C. or less.
  • the fluorine component generated by the decomposition of the fluorine compound particles adheres to the protective layer in the PDP manufacturing process. Therefore, as described above, the write voltage is reduced in driving the PDP.
  • Fluorine compound particles 30 it is beneficial to include the LiF, NaF, KF, RbF, CsF, at least one selected from the group consisting of MgF 2, CaF 2, SrF 2 , BaF 2, YF 3 and AlF 3. That is, any compound that decomposes the fluorine component and adheres to the protective layer in the manufacturing process of the PDP may be used.
  • the fluorine compound particles 30 contain AlF 3 and the base material of the phosphor particles 28 contains Al 2 O 3 , the influence on the characteristics of the phosphor becomes smaller.
  • AlF 3 is oxidized to Al 2 O 3 after the fluorine component is desorbed. That is, the same compound as the base material is generated.
  • the technology of the present disclosure is useful for large screen display devices and the like because it can reduce the power consumption of the plasma display panel.

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Abstract

　プラズマディスプレイパネルにおける蛍光体層用材料として用いられる蛍光体(２７)は、蛍光体粒子(２８)と、フッ素化合物粒子(３０)と、を備える。フッ素化合物粒子(３０)は、１０－２Ｐａ以上１０５Ｐａ以下の圧力範囲において、分解が始まる温度が２００℃以上５００℃以下である。

Description

蛍光体および蛍光体ペースト
　本開示の技術は、表示装置などの発光体として用いられる蛍光体および蛍光体ペーストに関する。
　特許文献１は、蛍光体形成の際の焼成による輝度低下を抑制するために、紫外線照射により青色に発光する無機蛍光体、銅または銅化合物、およびリンまたはリン化合物からなる蛍光体組成物を用いたプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）を開示している。
特開２００１－４９２４８号公報
　本開示の蛍光体は、蛍光体粒子と、フッ素化合物粒子と、を備える。フッ素化合物粒子は、１０－２Ｐａ以上１０５Ｐａ以下の圧力範囲において、分解が始まる温度が２００℃以上５００℃以下である。
　本開示の蛍光体ペーストは、蛍光体粒子と、フッ素化合物粒子と、溶媒と、を備える。フッ素化合物粒子は、１０－２Ｐａ以上１０５Ｐａ以下の圧力範囲において、分解が始まる温度が２００℃以上５００℃以下である。
図１は、ＰＤＰの分解斜視図である。 図２は、ＰＤＰを前面板側から見た正面図である。 図３は、図２における３－３断面の一部を示す図である。 図４は、実施の形態にかかるＰＤＰの製造フロー図である。 図５は、実施の形態にかかる蛍光体層の製造フロー図である。 図６は、実施の形態にかかる蛍光体を示す図である。 図７は、実施の形態にかかる蛍光体ペーストを示す図である。 図８は、実施の形態にかかる背面板の概略断面を示す図である。 図９は、実施の形態にかかる背面板の概略断面を示す図である。 図１０は、実施の形態にかかる背面板の概略断面を示す図である。 図１１は、実施の形態にかかるＰＤＰの概略断面を示す図である。
　以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
　なお、発明者らは、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するのであって、これらによって請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
　（実施の形態）
　［１．ＰＤＰ１の構成］
　図１は、ＰＤＰの分解斜視図である。図２は、ＰＤＰを前面板側から見た正面図である。図３は、図２における３－３断面の一部を示す図である。本実施の形態にかかるＰＤＰ１は、交流面放電型ＰＤＰである。図１に示すように、前面板２と背面板１０とが、互いに向き合って配置されている。前面板２は、前面ガラス基板３を含む。背面板１０は、背面ガラス基板１１を含む。複数の表示電極６が、前面ガラス基板３の表面に配置されている。それぞれの表示電極６は、前面ガラス基板３の長辺と平行に配置されている。それぞれの表示電極６は、一つの走査電極４と一つの維持電極５とを有する。走査電極４と維持電極５との間が放電ギャップである。走査電極４は、前面ガラス基板３上に配置された透明電極４ａと、透明電極４ａ上に積層されたバス電極４ｂとを含む。維持電極５は、前面ガラス基板３上に配置された透明電極５ａと、透明電極５ａ上に積層されたバス電極５ｂとを含む。前面板２は、表示電極６を被覆する誘電体層８を含む。前面板２は、誘電体層８を被覆する保護層９を含む。
　複数のアドレス電極１２が背面ガラス基板１１の表面に配置されている。それぞれのアドレス電極１２は、背面ガラス基板１１の短辺と平行に配置されている。言い換えると、それぞれのアドレス電極１２は、表示電極６と直交する方向に配置されている。背面板１０は、複数のアドレス電極１２を被覆する下地誘電体層１３を含む。下地誘電体層１３上には放電空間１６（図３参照）を区切る隔壁１４が配置されている。隔壁１４は、アドレス電極１２と平行に配置された縦隔壁２４と、表示電極６と平行に配置された横隔壁２６とを含む。縦隔壁２４は、アドレス電極１２とアドレス電極１２との間に配置されている。背面板１０は、蛍光体層１５を含む。蛍光体層１５は、下地誘電体層１３の表面および隔壁１４の側面に配置されている。蛍光体層１５は、赤色光を発する赤色蛍光体層１５１、青色光を発する青色蛍光体層１５２および緑色光を発する緑色蛍光体層１５３を含む。赤色蛍光体層１５１、青色蛍光体層１５２および緑色蛍光体層１５３は、紫外線によって励起される発光中心を有する。
　図２に示すように、ＰＤＰ１は、封着部材２２を備える。封着部材２２は、前面板２の周縁と背面板１０の周縁とを封着する。つまりＰＤＰ１は、封着部材２２によって気密封着されている。ＰＤＰ１における表示領域の外側に封着部材２２が配置される。
　封着部材２２は、一例として、三酸化二ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、三酸化二硼素（Ｂ２Ｏ３）、五酸化二バナジウム（Ｖ２Ｏ５）などを主成分としたガラスフリットが用いられる。例えば、Ｂｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＲＯ－ＭＯ系ガラスが用いられる。ここでＲは、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびマグネシウム（Ｍｇ）のいずれかである。Ｍは、銅（Ｃｕ）、アンチモン（Ｓｂ）および鉄（Ｆｅ）のいずれかである。他にも、例えば、Ｖ２Ｏ５－ＢａＯ－ＴｅＯ－ＷＯ系のガラスが用いられる。さらに、封着部材２２としては、第１のガラス部材に三酸化二アルミニウム（Ａｌ2Ｏ３）、二酸化珪素（ＳｉＯ2）、コージライトなどの酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。ガラスフリットの軟化点は、４６０℃から４８０℃程度である。
　さらに、放電空間１６には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが５５ｋＰａ～８０ｋＰａの圧力で封入される。
　［２．ＰＤＰ１の製造方法］
　図４は、実施の形態にかかるＰＤＰの製造フロー図である。図４に示すように、ＰＤＰ１の製造方法は前面板２を形成するステップ（Ｓ１０）、背面板１０を形成するステップ（Ｓ２０）および前面板２と背面板１０とを組立てるステップ（Ｓ３０）を含む。Ｓ１０は、表示電極６を形成するステップ（Ｓ１１）、誘電体層８を形成するステップ（Ｓ１２）および保護層９を形成するステップ（Ｓ１３）を含む。Ｓ２０は、アドレス電極１２を形成するステップ（Ｓ２１）、下地誘電体層１３を形成するステップ（Ｓ２２）、隔壁１４を形成するステップ（Ｓ２３）および蛍光体層１５を形成するステップ（Ｓ２４）を含む。また、Ｓ３０は、封着を行うステップ（Ｓ３１）、排気するステップ（Ｓ３２）および放電ガスを導入するステップ（Ｓ３３）を含む。
　［２－１．前面板２の製造］
　［２－１－１．表示電極６の形成］
　Ｓ１１では、フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板３上に、走査電極４および維持電極５が形成される。まず、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などからなる透明電極４ａ、５ａが形成される。
　次に、バス電極４ｂ、５ｂが形成される。バス電極４ｂ、５ｂの材料には、銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、透明電極４ａ、５ａが形成された前面ガラス基板３に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペーストが、例えば１００℃から２５０℃の温度範囲で乾燥される。乾燥によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、例えば、複数の矩形パターンが形成されたフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。
　次に、電極ペーストが現像される。ポジ型の感光性樹脂が用いられた場合は、露光された部分が除去される。残存した電極ペーストが電極パターンである。最後に、焼成炉によって、例えば４００℃から５５０℃の温度範囲で、電極パターンが焼成される。焼成によって、電極パターン中の感光性樹脂が除去される。焼成によって、電極パターン中のガラスフリットが溶ける。溶けたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、バス電極４ｂ、５ｂが形成される。
　上述の方法の他、スパッタ法、蒸着法などにより、金属膜を形成し、その後パターニングする方法なども用いることができる。
　［２－１－２．誘電体層８の形成］
　Ｓ１２では、誘電体層８が形成される。誘電体層８の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで前面ガラス基板３上に塗布される。塗布された誘電体ペーストは、走査電極４および維持電極５を被覆する。次に、乾燥炉によって、誘電体ペーストが、例えば１００℃から２５０℃の温度範囲で乾燥される。乾燥によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、例えば４００℃から５５０℃の温度範囲で、誘電体ペーストが焼成される。焼成によって、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。焼成によって、誘電体ガラスフリットが溶ける。溶けた誘電体ガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、誘電体層８が形成される。
　上述の方法の他、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、誘電体ペーストを用いずに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、誘電体層８となる膜を形成することもできる。
　［２－１－３．保護層９の形成］
　Ｓ１３では誘電体層８上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層９が形成される。保護層９は、一例として、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）蒸着装置により形成される。保護層９の材料は、単結晶のＭｇＯからなるペレットである。ペレットには、さらに不純物としてアルミニウム（Ａｌ）、珪素（Ｓｉ）などが添加されていてもよい。
　まず、ＥＢ蒸着装置の成膜室に配置されたペレットに電子ビームが照射される。電子ビームのエネルギーを受けたペレットの表面は蒸発していく。ペレットから蒸発したＭｇＯは、成膜室内に配置された誘電体層８上に付着する。ＭｇＯの膜厚は、電子ビームの強度、成膜室の圧力などによって、所定の範囲に収まるように調整される。
　なお、保護層９は、ＭｇＯの他にもＣａＯとの混合膜であってもよい。あるいは、保護層９は、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ａｌ２Ｏ３などの金属酸化物を含む膜であってもよい。また、保護層９は、複数の種類の金属酸化物を含む膜であってもよい。
　［２－２．背面板１０の製造］
　［２－２－１．アドレス電極１２の形成］
　Ｓ２１では、フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板１１上に、アドレス電極１２が形成される。アドレス電極１２の材料には、導電体としての銀（Ａｇ）粒子と銀粒子同士を結着させるガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むアドレス電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、アドレス電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板１１上に塗布される。次に、乾燥炉によって、例えば１００℃から２５０℃の温度範囲でアドレス電極ペーストが乾燥される。乾燥によって、アドレス電極ペースト中の溶剤が除去される。例えば、複数の矩形パターンが形成されたフォトマスクを介して、アドレス電極ペーストが露光される。次に、アドレス電極ペーストが現像される。ポジ型の感光性樹脂が用いられた場合は、露光された部分が除去される。残存したアドレス電極ペーストがアドレス電極パターンである。最後に、焼成炉によって、例えば４００℃から５５０℃の温度範囲で、アドレス電極パターンが焼成される。焼成によって、アドレス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。焼成によって、アドレス電極パターン中のガラスフリットが溶ける。溶けたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、アドレス電極１２が形成される。
　上述の方法の他、スパッタ法、蒸着法などにより、金属膜を形成し、その後パターニングする方法なども用いることができる。
　［２－２－２．下地誘電体層１３の形成］
　Ｓ２２では、下地誘電体層１３が形成される。下地誘電体層１３の材料には、下地誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板１１上に塗布される。塗布された下地誘電体ペーストは、アドレス電極１２を被覆する。次に、乾燥炉によって、例えば１００℃から２５０℃の温度範囲で下地誘電体ペーストが乾燥される。乾燥によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、例えば４００℃から５５０℃の温度範囲で、下地誘電体ペーストが焼成される。焼成によって、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。焼成によって、ガラスフリットが溶ける。溶けた下地誘電体ガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層１３が形成される。
　上述の方法の他、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、下地誘電体層１３となる膜を形成することもできる。
　［２－２－３．隔壁１４の形成］
　Ｓ２３では、フォトリソグラフィ法によって、隔壁１４が形成される。隔壁１４の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層１３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、例えば１００℃から２５０℃の温度範囲で隔壁ペーストが乾燥される。乾燥によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、例えば井桁パターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像される。ポジ型の感光性樹脂が用いられた場合は、露光された部分が除去される。残存した隔壁ペーストが隔壁パターンである。最後に、焼成炉によって、例えば４００℃から５５０℃の温度範囲で隔壁パターンが焼成される。焼成によって、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。焼成によって、隔壁パターン中のガラスフリットが溶ける。焼成によっても、隔壁パターン中のフィラーは溶けない。溶けたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、隔壁１４が形成される。
　上述の方法の他、サンドブラスト法などを用いることができる。
　［２－２－４．蛍光体層１５の形成］
　図５は、実施の形態にかかる蛍光体層の製造フロー図である。図５に示すように、蛍光体層１５は、蛍光体ペーストを作成するステップ（Ｓ２４１）、蛍光体ペースト膜を形成するステップ（Ｓ２４２）、蛍光体ペースト膜を乾燥するステップ（Ｓ２４３）および蛍光体ペースト膜を焼成するステップ（Ｓ２４４）によって形成される。
　　（蛍光体ペースト）
　図６は、実施の形態にかかる蛍光体を示す図である。図７は、実施の形態にかかる蛍光体ペーストを示す図である。Ｓ２４１では、図６および図７に示すように蛍光体粒子２８とフッ素化合物粒子３０とを含む蛍光体２７、有機バインダ４０および溶媒４１を含む蛍光体ペースト２９が作成される。青色に発光する蛍光体を含む蛍光体ペースト、緑色に発光する蛍光体を含む蛍光体ペーストおよび赤色に発光する蛍光体を含む蛍光体ペーストが別々に作成される。
　乾燥状態の蛍光体ペースト２９は、４０～９５ｗｔ％の蛍光体２７および５～６０ｗｔ％の有機バインダ４０を有することが好ましい。乾燥状態の蛍光体ペースト２９は、７０～９０ｗｔ％の蛍光体２７および１０～３０ｗｔ％の有機バインダ４０を有するとより好ましい。なお乾燥状態とは、蛍光体ペースト２９からほとんど全ての溶媒４１が除去された状態である。有機バインダ４０が少ないと、蛍光体ペースト２９中の蛍光体粒子２８の分散が不安定になる場合がある。その他にも、有機バインダ４０が少ないと、蛍光体ペースト２９の粘度や流動性が不十分になる場合がある。その結果、蛍光体ペースト２９の塗布時における膜厚が不安定になる傾向がある。また、有機バインダ４０が多いと、焼成後においても有機成分の残渣が発生する場合がある。有機成分の残渣は蛍光体層１５の表面に付着するので、発光強度が低下する場合がある。
　　（蛍光体）
　青色蛍光体は、一例として、４２０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長領域に主発光ピークを有するＥｕ２＋付活青色蛍光体である。Ｅｕ２＋を付活剤とする青色蛍光体は、Ｅｕ２＋イオンの４ｆ６５ｄ１→４ｆ７電子エネルギー遷移に基づいて発光する。そのために、１ｍｓｅｃ未満の残光時間の青色発光が実現できる。
　青色蛍光体は、具体的には、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋（ＢＡＭ蛍光体）、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６：Ｅｕ２＋（ＣＭＳ蛍光体）、Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋（ＳＭＳ蛍光体）などの蛍光体粒子である。
　緑色蛍光体は、一例として、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有し残光時間が２ｍｓｅｃを超え５ｍｓｅｃ未満のＭｎ２＋付活短残光緑色蛍光体と、４９０ｎｍ以上５６０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有するＣｅ３＋付活緑色蛍光体またはＥｕ２＋付活緑色蛍光体を含む蛍光体である。
　緑色蛍光体は、具体的には、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ２＋（ＺＳＭ蛍光体）およびＹ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋（ＹＡＧ蛍光体）などの蛍光体粒子である。
　赤色蛍光体は、一例として、６１０ｎｍ以上６３０ｎｍ未満の波長領域に主発光ピークを有するＥｕ３＋付活赤色蛍光体である。
　赤色蛍光体は、具体的には、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ３＋（ＹＯＸ蛍光体）、（Ｙ，Ｇｄ）２Ｏ３：Ｅｕ３＋（ＹＧＸ蛍光体）およびＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ３＋（ＹＰＶ蛍光体）などの蛍光体粒子である。
　それぞれの蛍光体粒子２８の平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。より好ましい蛍光体粒子２８の平均粒径は、０．５μｍ以上３μｍ以下である。蛍光体ペーストにおいて凝集を抑制するためである。なお、平均粒径とは、体積累積平均径（Ｄ５０）を意味する。また、平均粒径の測定には、日機装株式会社製レーザ回折式粒度分布測定装置ＭＴ－３３００が用いられた。
　さらに、蛍光体２７はフッ素化合物粒子３０を含む。フッ素化合物粒子３０は、一例として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）、フッ化ルビジウム（ＲｂＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）、フッ化イットリウム（ＹＦ３）およびフッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）の群から選ばれる少なくとも一種を含む。フッ素化合物粒子３０は、１０－２Ｐａ以上１０５Ｐａ以下の圧力範囲において、分解が始まる温度が２００℃以上５００℃以下である。この理由は、後に詳細に述べられる。
　フッ素化合物粒子３０の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。より好ましいフッ素化合物粒子３０の平均粒径は、３μｍ以上８μｍ以下である。蛍光体ペースト２９において凝集を抑制するためである。
　蛍光体２７は、蛍光体粒子２８とフッ素化合物粒子３０とを混合分散することによって得られる。
　　（溶媒）
　溶媒４１として、α－ターピネオール、ブチルカービトールなどの水に対して難溶性の溶剤が用いられる。また、多価アルコール誘導体として、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセタート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセタート、３－メトキシ－３－メチルブタノール、アリルアルコール、イソプロピルアルコール、エタノール、グリシドール、テトラヒドロフルフィリルアルコール、ｔ－ブタノール、フリフリルアルコール、プロパルギルアルコール、１－プロパノール、メタノール、３－メチル－１－ブチン－３－オール、１５－クラウン－５、１８－クラウン－６、酸化プロピレン、１，４－ジオキサン、ジプロピルエーテル、ジメチルエーテル、テトラヒドラフラン、アセトアルデヒド、ジアセトンアルコール、乳酸メチル、γ－ブチロラクトン、グリセリン、グリセリン１，２－ジメチルエーテル、グリセリン１，３－ジメチルエーテル、グリセリン１－アセタート、２－クロロ－１，３－プロパンジオール、３－クロロ－１，２－プロパンジオール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールクロロヒドリン、ジエチレングリコールジアセタート、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールなどのような水に対して自由混合できる溶剤を用いることができる。
　　（有機バインダ）
　有機バインダ４０として、平均分子量３万から２０万の、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、エチルセルロース、アクリル樹脂などが用いられる。また、ＰＭＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）やＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などの高分子を添加することもできる。
　また、必要に応じて、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ－ｎ－オクチル、フタル酸ジ－２－エチルヘキシル、フタル酸オクチルデシル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ブチルベンジル、オレイン酸ブチル、ジエチレングリコールジベンゾエート、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチル、アビエチン酸メチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸－２－エチルヘキシン、２－ニトロビフェニル、ジノニルナフタリン、アゼライン酸ジ－２－エチルヘキシルのいずれか１つ以上の可塑剤が添加されてもよい。
　蛍光体ペーストは、上述の材料を混合分散することにより得られる。具体的には、ボールミル、ブレンダーミル、３本ロールなどの各種混合機を用いて混合する方法が挙げられる。
　なお、蛍光体粒子２８と、フッ素化合物粒子３０とを個別に準備してもよい。つまり、蛍光体粒子２８、フッ素化合物粒子３０、溶媒４１および有機バインダ４０を混合分散することによって、蛍光体ペースト２９を得ることもできる。
　　（蛍光体ペースト膜の形成）
　図８は、実施の形態にかかる背面板の概略断面を示す図である。Ｓ２４２では、図８に示すように、蛍光体ペースト膜３２が形成される。蛍光体ペースト膜３２は、放電セル内に塗布された蛍光体ペースト２９である。蛍光体ペースト２９の塗布には、具体的には、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンス法などが用いられる。特に、ディスペンス法は、複数のノズルを有する口金の吐出ノズル先端から蛍光体ペースト２９を吐出して、隔壁１４と隔壁１４との間に蛍光体ペースト２９を塗布する方法である。
　まず、赤色蛍光体を有する蛍光体ペースト２９が、所定の範囲に塗布される。次に、緑色蛍光体を有する蛍光体ペースト２９が、所定の範囲に塗布される。最後に青色蛍光体を有する蛍光体ペースト２９が、所定の範囲に塗布される。つまり、各色について塗布が繰り返される。なお、塗布の順番は、上述の限りではない。ディスペンス法は、現像によって３分の２程度の蛍光体ペースト２９を廃棄する感光性ペースト法などに比べると、材料の使用効率が高い。
　また、スクリーン印刷法は、蛍光体ペースト２９が開放系で存在する。よって、有機成分の揮発などの影響を考慮する必要が生じる。
　一方、ディスペンス法では蛍光体ペースト２９が閉鎖系で存在する。よって、蛍光体ペースト２９において粘度の変化が少なく塗布量が一定で安定するという特徴を有する。
　本実施の形態においては、ノズル先端径が１５０μｍの口金が用いられた。塗布に際して、吐出圧、ノズルの走行速度などが調整された。その結果、図７に示すように、縦隔壁２４の高さまで蛍光体ペースト２９が塗布された。図８に示すように、蛍光体ペースト膜３２には、複数のフッ素化合物粒子３０が分散している。なお、図８から図１１では、説明の便宜のため、蛍光体粒子２８は省略されている。
　　（乾燥）
　図９は、実施の形態にかかる背面板の概略断面を示す図である。Ｓ２４３では、蛍光体ペースト膜３２が乾燥される。乾燥によって、蛍光体ペースト膜３２に含まれていた溶媒４１が除去される。その結果、図９に示すように、蛍光体ペースト膜３２の体積は減少する。いくつかのフッ素化合物粒子３０は、蛍光体ペースト膜３２の表面に現れる。乾燥装置としては、赤外線加熱炉、ヒータ加熱炉などが用いられる。乾燥温度は溶媒４１の蒸気圧などにも依存するが、１００℃～１５０℃の範囲である。乾燥時間は５分～２０分の範囲である。加熱炉の雰囲気は、大気、窒素などが用いられる。
　なお、真空乾燥装置などを用いることにより、加熱せずに溶媒４１を除去することも可能である。
　　（焼成）
　図１０は、実施の形態にかかる背面板の概略断面を示す図である。Ｓ２４４では、蛍光体ペースト膜３２が焼成される。焼成によって、有機バインダ４０などの有機成分が、水と二酸化炭素に分解される。水と二酸化炭素は、焼成装置外に排出される。図１０に示すように、蛍光体ペースト膜３２の体積がさらに減少することにより、蛍光体層１５が形成される。いくつかのフッ素化合物粒子３０は、焼成によって分解する。分解されたフッ素化合物粒子３０は、蛍光体ペースト膜３２から脱離して、焼成装置外に排出される。いくつかのフッ素化合物粒子３０は、蛍光体層１５の表面に存在する。
　焼成装置としては、ヒータ加熱炉などが用いられる。焼成温度は、３００℃以上５００℃以下の範囲が好ましい。焼成時の圧力は、大気圧（１０５Ｐａ程度）である。焼成時間は１０分～６０分の範囲が好ましい。焼成温度が３００℃未満では、焼成が不充分であり有機成分を十分に除去することが難しい。焼成温度が５００℃を越えると、蛍光体粒子が熱履歴により劣化する場合がある。この場合、輝度が低下する懸念がある。さらには、背面ガラス基板１１に歪が生じることにより、不良品が発生する懸念がある。
　図１に示すように焼成によって、隔壁１４の側面に厚さ５～２０μｍ、隔壁１４間の下地誘電体層１３上には厚さ５～１５μｍの蛍光体層１５が形成された。
　以上の工程により、背面ガラス基板１１上に、所定の構成を有する背面板１０が完成する。
　［２－３．前面板２と背面板１０との組立］
　［２－３－１．封着工程］
　Ｓ３１では、ディスペンス法などによって、背面板１０の周縁に封着ペーストが塗布される。封着ペーストは、ガラス部材とバインダと溶剤などを含む。塗布された封着ペーストは、封着ペースト層（図示せず）を形成する。次に乾燥炉によって、封着ペースト層中の溶剤が除去される。その後、封着ペースト層は、ヒータ加熱炉などにより、約３５０℃の温度で仮焼成される。仮焼成時の圧力は、大気圧（１０５Ｐａ程度）である。仮焼成によって、封着ペースト層中の樹脂成分などが除去される。次に、表示電極６とアドレス電極１２とが直交するように、前面板２と背面板１０とが対向配置される。さらに、前面板２と背面板１０の周縁部が、クリップなどにより押圧した状態で保持される。
　次に、封着が行われる。まず、温度は、室温からガラス部材の軟化点（例えば、４７０℃）まで上昇する。次に、温度は、ガラス部材の軟化点から封着温度（例えば４９０℃）まで上昇する。封着温度は、一定時間保持される。封着時の圧力は、大気圧（１０５Ｐａ程度）である。
　［２－３－２．排気工程］
　図１１は、実施の形態にかかるＰＤＰの概略断面を示す図である。Ｓ３２では、放電空間１６が排気される。温度は、排気温度（例えば４４０℃）まで下降し、さらに、一定時間保持される。排気時の圧力は、１０－２Ｐａ程度である。排気温度に保持されている期間において、放電空間１６内が排気される。Ｓ３１およびＳ３２の熱処理を経ることによって、図１１に示すように、いくつかのフッ素化合物粒子３０は、分解する。フッ素化合物粒子３０が分解することによって生成されるフッ素成分３４の一部は、保護層９に付着する。
　［２－３－３．放電ガス導入工程］
　Ｓ３３では、放電空間１６内に放電ガスが導入される。ＰＤＰ１の温度が室温程度に下がった後に放電ガスが導入される。
　以上の工程によって、ＰＤＰ１が完成する。なお、Ｓ３３の後に、放電電圧を安定させるために強制放電をさせるエージング工程を挿入してもよい。
　［３．実施例］
　発明者らは、上述の製造方法によって種々のＰＤＰ１を試作した。次に、ＰＤＰ１の性能が評価された。試作されたＰＤＰ１は、４２インチクラスのハイビジョンテレビに適合するものである。ＰＤＰ１は、前面板２と、前面板２と対向配置された背面板１０と、を備える。また、前面板２と背面板１０の周囲は、封着材で封着されている。前面板２は、表示電極６と誘電体層８と保護層９とを有する。背面板１０は、アドレス電極１２と、下地誘電体層１３と、隔壁１４と、蛍光体層１５とを有する。ＰＤＰ１には、キセノン（Ｘｅ）の含有量が１５体積％のネオン（Ｎｅ）－キセノン（Ｘｅ）系の混合ガスが、６０ｋＰａの内圧で封入された。また、表示電極６と表示電極６との電極間距離は、０．０６ｍｍであった。縦隔壁２４の高さは０．１５ｍｍ、縦隔壁２４と縦隔壁２４との間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍであった。横隔壁２６の高さは０．１３ｍｍ、横隔壁２６と横隔壁２６との間隔は０．４５ｍｍであった。表１に試作されたＰＤＰ１の一覧が示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、試作されたＰＤＰ１において、赤色蛍光体にはＹＰＶが用いられた。緑色蛍光体にはＺＳＭとＹＡＧを１：１の割合で混合したものが用いられた。青色蛍光体はＢＡＭが用いられた。また、緑色蛍光体は、フッ素化合物粒子としてＡｌＦ３を含む。なお、基準試料であるサンプル１の緑色蛍光体は、フッ素化合物粒子を含まない。
　サンプル２の緑色蛍光体は、ＡｌＦ３を５００ｐｐｍ含む。
　サンプル３の緑色蛍光体は、ＡｌＦ３を１０００ｐｐｍ含む。サンプル２およびサンプル３において、ＡｌＦ３の濃度は、緑色蛍光体全体に対する、フッ素の重量割合である。
　維持電圧および書き込み電圧は、ＰＤＰ１をサブフィールド駆動することにより測定された。サブフィールド駆動法は、１フィールドを複数のサブフィールドにより構成する。一つのサブフィールドは、初期化期間と、書込み期間と、維持期間とを有する。初期化期間は放電セルにおいて初期化放電を発生させる期間である。書込み期間は、初期化期間のあと、発光させる放電セルを選択する書込み放電を発生させる期間である。書込み電圧は、書込み放電を発生させるためにアドレス電極１２に印加される電圧である。本実施の形態において、書込み電圧とは、正常な書込み放電を発生させるために必要な最も低い電圧を意味する。維持期間は、書込み期間において選択された放電セルに維持放電を発生させる期間である。維持電圧は、維持放電を発生させるために表示電極６に印加される電圧である。本実施の形態において、維持電圧とは、正常な維持放電を発生させるために必要な最も低い電圧を意味する。
　サンプル２は、サンプル１と比較して、維持電圧が０．５Ｖ高かった。しかし、書込み電圧が３Ｖ低かった。
　サンプル３は、サンプル１と比較して、維持電圧が１．０Ｖ高かった。しかし、書込み電圧が３Ｖ低かった。
　発明者らは、ＸＰＳ（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて、サンプル１、サンプル２およびサンプル３の保護層９表面におけるＦの濃度を分析した。その結果、サンプル２およびサンプル３からは、サンプル１の約２倍のＦが検出された。保護層９におけるＦは、保護層９を構成するＭｇＯに存在する格子欠陥に入り込んでいると考えられる。そのため、ＭｇＯの欠陥密度が減少する。格子欠陥は、電子放出サイトとして機能する。したがって、欠陥密度が減少したＭｇＯは、電荷保持能力が向上する。よって、サンプル２およびサンプル３は、サンプル１と比較して書込み電圧が低下したと考えられる。
　［４．効果等］
　本開示は、上記の課題を解決しうる蛍光体および蛍光体ペーストを提供する。
　本実施の形態における蛍光体２７は、蛍光体粒子２８と、フッ素化合物粒子３０と、を備える。フッ素化合物粒子３０は、１０－２Ｐａ以上１０５Ｐａ以下の圧力範囲において、分解が始まる温度が２００℃以上５００℃以下である。
　本実施の形態における蛍光体ペースト２９は、蛍光体粒子２８と、フッ素化合物粒子３０と、溶媒４１と、を備える。フッ素化合物粒子３０は、１０－２Ｐａ以上１０５Ｐａ以下の圧力範囲において、分解が始まる温度が２００℃以上５００℃以下である。
　上記の蛍光体および蛍光体ペーストによれば、ＰＤＰの製造工程において、フッ素化合物粒子が分解することによって生成されたフッ素成分が、保護層に付着する。よって上述のように、ＰＤＰの駆動において書込み電圧が低減される。
　なお、実施例において、フッ素化合物粒子３０のとして、ＡｌＦ３を例示した。しかし本開示の蛍光体および蛍光体ペーストは、これに限られない。フッ素化合物粒子３０が、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＹＦ３およびＡｌＦ３の群から選ばれる少なくとも一種を含むことが有益である。つまり、ＰＤＰの製造工程において、フッ素成分が分解し、保護層に付着する化合物であればよい。
　さらに、フッ素化合物粒子３０がＡｌＦ３を含み、蛍光体粒子２８の母材がＡｌ２Ｏ３を含めば、蛍光体の特性に与える影響が、より小さくなる。ＡｌＦ３はフッ素成分が脱離した後、酸化してＡｌ２Ｏ３になる。つまり、母材と同じ化合物が生成されるからである。
　以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
　したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。
　また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
　本開示の技術は、プラズマディスプレイパネルの消費電力削減を実現できるので、大画面の表示デバイスなどに有用である。
　１　　ＰＤＰ
　２　　前面板
　３　　前面ガラス基板
　４　　走査電極
　４ａ，５ａ　　透明電極
　４ｂ，５ｂ　　バス電極
　５　　維持電極
　６　　表示電極
　８　　誘電体層
　９　　保護層
　１０　　背面板
　１１　　背面ガラス基板
　１２　　アドレス電極
　１３　　下地誘電体層
　１４　　隔壁
　１５　　蛍光体層
　１６　　放電空間
　２２　　封着部材
　２４　　縦隔壁
　２６　　横隔壁
　２７　　蛍光体
　２８　　蛍光体粒子
　２９　　蛍光体ペースト
　３０　　フッ素化合物粒子
　３２　　蛍光体ペースト膜
　３４　　フッ素成分
　４０　　有機バインダ
　４１　　溶媒
　１５１　　赤色蛍光体層
　１５２　　青色蛍光体層
　１５３　　緑色蛍光体層

Claims (6)

  1. 蛍光体粒子と、
    フッ素化合物粒子と、を備え、
    　前記フッ素化合物粒子は、１０－２Ｐａ以上１０５Ｐａ以下の圧力範囲において、分解が始まる温度が２００℃以上５００℃以下である、
    蛍光体。
  2. 前記フッ素化合物粒子は、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＹＦ３およびＡｌＦ３の群から選ばれる少なくとも一種を含む、
    請求項１に記載の蛍光体。
  3. 前記フッ素化合物粒子は、ＡｌＦ３を含み、
    前記蛍光体粒子の母材は、Ａｌ２Ｏ３を含む、
    請求項２に記載の蛍光体。
  4. 蛍光体粒子と、
    フッ素化合物粒子と、
    溶媒と、を備え、
    　前記フッ素化合物粒子は、１０－２Ｐａ以上１０５Ｐａ以下の圧力範囲において、分解が始まる温度が２００℃以上５００℃以下である、
    蛍光体ペースト。
  5. 前記フッ素化合物粒子は、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＹＦ３およびＡｌＦ３の群から選ばれる少なくとも一種を含む、
    請求項４に記載の蛍光体ペースト。
  6. 前記フッ素化合物粒子は、ＡｌＦ３を含み、
    前記蛍光体粒子の母材は、Ａｌ２Ｏ３を含む、
    請求項５に記載の蛍光体ペースト。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5222579A (en) * 1975-08-14 1977-02-19 Fujitsu Ltd Production process of fluorescent substance for gas discharge panel
JPS52156188A (en) * 1976-06-21 1977-12-26 Sony Corp Fluorescent substance
JP2000243302A (ja) * 1998-05-20 2000-09-08 Mitsubishi Materials Corp 蛍光体膜構造、この蛍光体膜を形成するためのペースト及びこの蛍光体膜を用いたプラズマディスプレイパネル
JP2003292946A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Toray Ind Inc 蛍光体ペーストならびにプラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ
JP2005068343A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Nichia Chem Ind Ltd 真空紫外線励起蛍光体およびプラズマディスプレイパネル
JP2006117876A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 蛍光体ペースト及びプラズマディスプレイパネル
JP2009252531A (ja) * 2008-04-07 2009-10-29 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
JP2011256313A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Shinoda Plasma Kk 蛍光体、プラズマ・チューブ・アレイ型表示装置、及び平面光源

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5222579A (en) * 1975-08-14 1977-02-19 Fujitsu Ltd Production process of fluorescent substance for gas discharge panel
JPS52156188A (en) * 1976-06-21 1977-12-26 Sony Corp Fluorescent substance
JP2000243302A (ja) * 1998-05-20 2000-09-08 Mitsubishi Materials Corp 蛍光体膜構造、この蛍光体膜を形成するためのペースト及びこの蛍光体膜を用いたプラズマディスプレイパネル
JP2003292946A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Toray Ind Inc 蛍光体ペーストならびにプラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ
JP2005068343A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Nichia Chem Ind Ltd 真空紫外線励起蛍光体およびプラズマディスプレイパネル
JP2006117876A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 蛍光体ペースト及びプラズマディスプレイパネル
JP2009252531A (ja) * 2008-04-07 2009-10-29 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
JP2011256313A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Shinoda Plasma Kk 蛍光体、プラズマ・チューブ・アレイ型表示装置、及び平面光源

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