WO2013015551A2 - 반도체 발광부 연결체 - Google Patents

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Definitions

  • the present disclosure generally relates to a semiconductor light emitting connector, and a plurality of semiconductor light emitting units are connected in series and / or in parallel.
  • the illumination 100 is a lamp unit 130 having a rectifier 110, a regulator 120 and a plurality of light emitting diodes (A, B) connected in series It includes.
  • the supplied power is supplied to the plurality of light emitting diodes A and B connected in series through rectification and smoothing.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a series connection of light emitting diodes, and includes a substrate 200 (for example, a sapphire substrate), a light emitting portion or a light emitting diode (A), and a light emitting portion or a light emitting diode (B).
  • a substrate 200 for example, a sapphire substrate
  • B a light emitting portion or a light emitting diode
  • Each of the light emitting parts A and B has an n-type semiconductor layer 210 (eg, GaN), an active layer 220 (eg, InGaN), and a p-type semiconductor layer 230 (eg, GaN).
  • the p-type semiconductor layer 230 is provided with a p-side electrode 240
  • the n-type semiconductor layer 210 is provided with an n-side electrode 250.
  • the metal film 270 passes over the insulating film 280 and the p-side electrode 240 of the light emitting unit A and the n-side electrode 250 of the light emitting unit B. ) Is connecting.
  • FIG 3 is a view showing another example of the series connection of the light emitting diodes, wherein the package or lamp 300 has a phosphor film 310 coated on the light emitting portion A, the light emitting portion B, and the light emitting portions A and B.
  • the lens 320 is formed on the phosphor film 310.
  • the light emitting unit A and the light emitting unit B may be connected in series by the wire 330, and may be electrically connected to the outside by the wires 340 and 350.
  • An additional wire 330 is required to connect the light emitting unit A and the light emitting unit B having the same structure.
  • the monolithic light emitting diode chip 400 includes a light emitting portion A and a light emitting portion (A) connected in series on the substrate 493 and the substrate 493. B) and the light emitting portion (C).
  • Each of the light emitting portions A, B, and C has an n-type semiconductor layer 410, an active layer 420, and a p-type semiconductor layer 430, but unlike the light emitting diode of FIG. 2, the insulating substrate 200 is formed. It is not equipped.
  • an n-side pad 440, a conductive film 491, a deposition metal film 470, and a p-side pad 450 are required.
  • the monolithic LED chip 400 having such a configuration requires many processes in which the light emitting units A, B, and C are connected in series, and when a problem occurs in one light emitting unit, the entire monolithic LED chip 400 400 may be a problem, not only difficult to manufacture, but also difficult to secure the reliability of the process.
  • a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor having a second conductivity different from the first conductivity, and the like A first light emitting portion having a layer and an active layer positioned between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, the first light emitting portion having a current supply layer formed thereunder; A second light emitting part having a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and an active layer located between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; A second light emitting part having a current supply layer connected to the second light emitting part below; A connecting plate having a first light emitting part and a second light emitting part fixed thereto, the connecting plate having a conductive part on which the first light emitting part is placed and a conductive part on which the second light emitting part is placed; An electric pass for electrically connecting one of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer of the first light emitting part to
  • FIG. 1 is a view showing an example of a lamp using a light emitting diode
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a series connection of a light emitting diode
  • FIG. 3 is a view showing another example of series connection of a light emitting diode
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a semiconductor light emitting connector according to the present disclosure
  • FIG. 6 is a view showing another example of a semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 7 is a view illustrating still another example of a semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 8 is a view showing still another example of a semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an example of an application of a semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 10 is a view showing another example of an application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 11 is a view showing another example of an application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 12 is a view showing still another example of an application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 13 is a view showing another example of an application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 14 is a view showing another example of an application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 15 is a view showing another example of an application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • 16 is a view showing another example of an application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • FIG. 17 is an equivalent circuit diagram of the application shown in FIG. 16.
  • FIG. 17 is an equivalent circuit diagram of the application shown in FIG. 16.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a semiconductor light emitting unit connector according to the present disclosure, in which a light emitting unit A and a light emitting unit B are connected in series by a connecting plate 30 to form a connecting unit.
  • the light emitting unit A and the light emitting unit B are separate chips manufactured by separate chip processes, unlike the light emitting units A and B of FIG. 4. Therefore, by simply attaching to the connecting plate 30 without a complicated process, it forms a connecting body.
  • the connecting plate 30 may electrically connect the light emitting portions A and B through the conductive film 31, but the conductive film 31 may be omitted when the connecting plate 30 is a conductive material.
  • the connecting plate 30 may be a PCB, and in the case of a package, may be a lead frame, a plate on which a conductive pattern is formed, a pattern may be formed by doping on a semiconductor such as silicon, and the conductive film 31 is formed.
  • a submount may be sufficient, and a submount may be provided between the electrically conductive film 31 and the connection plate 30 (this structure may be useful for the structure of FIG. 8).
  • it is not coupled at the same time, it may not be.
  • the conductive film 31 may be formed of Ag, Al, Au, Cu, Pd, Ni, Pt, Rh, as a material system characterized by having adhesiveness, thermal conductivity, optical reflectivity, and electrical conductivity.
  • the material system may be formed of Al, Cu, Si, C, Mo, Be, or an oxide, nitride, or carbide containing at least one of them.
  • the light emitting portion A is a so-called vertical structure light emitting diode.
  • the vertical structure light emitting diode grows (eg, MOCVD) the semiconductor layers 11, 12, and 13 on a suitable substrate (e.g., sapphire, SiC, Si, AlN, AlGaN, GaN), and then the substrate is laser or wet. It refers to a light emitting diode that is removed through etching and has electrodes 14 and 15 formed on both sides of the semiconductor layers 11 and 13.
  • the active layer 13 generates light using recombination of electrons and holes.
  • Group III nitride semiconductors are mainly used as materials of the active layer 13 to emit ultraviolet, blue, and green light.
  • the semiconductor layer 13 on the side emitting light is mainly n-type, and the semiconductor layer 11 on the opposite side is a p layer, but may be formed on the contrary.
  • the electrode 15 functions to diffuse a current into the semiconductor layer 11, may be light transmissive, or may function as a reflective film. May be omitted.
  • the supporting substrate 16 is used to protect the device in the process of removing the substrate or the like.
  • the electrode 15 is made of Ag, Al, Pd, Cu, Pt, Ni, Au, In 2 O 3 : (Sn, Mo, Ti, F, Zn), ZnO: (Al, In, Ga), SnO 2 : (Sb, F), NiO, CuAlO 2
  • the support substrate 16 may be Si, Ge, GaAs wafer, or W, Mo, Al, Ag, Cu, Ni, Au, Si, C component It may be a laminate material system including at least one of an electrically conductive alloy, a composite, a solid solution, and a multilayer structure.
  • a material (layer) having an adhesive property between the electrode 15 and the support substrate 16 and a material (layer) for preventing diffusion movement between materials are preferably applied.
  • the light emitting unit B is a light emitting diode in which, unlike the light emitting unit A, the substrate 27 used for growth is not removed.
  • the semiconductor layer 23 corresponds to the semiconductor layer 13
  • the semiconductor layer 22 corresponds to the semiconductor layer 12.
  • the electrode 25 functions to diffuse current into the semiconductor layer 21 and may be omitted. However, since the function of the element is greatly reduced when omitted, most of the elements currently used include the electrode 25.
  • the electrode 25 is formed of a light transmissive material such as ITO.
  • the electrode 24 is connected to the semiconductor layer 23 through the substrate 27.
  • the semiconductor layer 28 is generally provided to improve crystallinity of the substrate 27 and the semiconductor layers 21, 22, and 23. Considering the current semiconductor layer growth technology (it is not easy to grow the p-type semiconductor layer directly on the substrate 27).
  • the semiconductor layer 13 becomes n-type in the light emitting portion A, and the light emitting portion ( In B), the semiconductor layer 21 becomes p-type.
  • the semiconductor layer 23 is n-type.
  • the light emitting portions A and B are mainly light emitting diodes, but may be laser diodes.
  • the conduction region of the conductive film 31 and the connecting plate 30 under the light emitting portion A is referred to as the conductive portion a
  • the conductive film 31 and the connecting plate 30 under the light emitting portion B The conduction region is referred to as the conductive portion b.
  • two independent light emitting units A and B can be connected in series without connecting the light emitting units A and B with the wires 330 as in the light emitting device shown in FIG. 3.
  • FIG. 6 is a view illustrating another example of a semiconductor light emitting unit connector according to the present disclosure.
  • the semiconductor layer 21, 22, and 23 is etched and exposed to expose a region of the electrode 24. 27 penetrates through it, and the electrode 29 is formed here.
  • the electrode 29 is formed here.
  • FIG. 7 is a view showing another example of a semiconductor light emitting part connector according to the present disclosure, in which the light emitting part B has the same epi structure 11, 12, and 13 as the light emitting part A. Different structure.
  • an electrode 14 for supplying electricity to the semiconductor layer 13 is formed on the semiconductor layer 13, but in the light emitting portion B, the electrode 14 is electrically connected to the semiconductor layer 11. It is located between the electrode 15 and the support substrate 16 for supplying the. Insulation between the electrode 14 and the electrode 16, and for supplying electricity to the semiconductor layer 13 through the epi structures 11, 12, 13, the insulating film 18 (eg SiO 2 , SiNx, or Al). 2 O 3 ) is formed.
  • the electrode 17 functions as a pad for wire bonding to the electrode 15.
  • the electrode 15 may function as a reflecting film
  • the support substrate 16 may function as a reflecting film
  • the conductive film 31 may function as a reflecting film, between the support substrate 16 and the conductive film 31.
  • An additional metal layer, Bragg reflector DBR, or omnidirectional reflector ODR may be formed in the reflective film.
  • the electrical connection using the metal film 270 in the chip process between the light emitting units A and B is performed. 3 does not require additional wire 330 bonding unlike the configuration shown in FIG. 3, and, unlike the configuration shown in FIG. 4, is a complex chip process between the epi structures 410, 420, 430 and the substrate 493.
  • FIG. 8 is a view illustrating another example of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure, and the connection plate 30 includes a conductive film 31A and a conductive film 31B electrically separated from each other.
  • the series connection of the light emitting parts A and B is made by the wire 32.
  • the conductive region of the conductive film 31A under the light emitting portion A and the connecting plate 30 is referred to as the conductive portion a
  • the conductive film 31B under the light emitting portion B and the connecting plate 30 The conduction region is referred to as the conductive portion b.
  • FIG. 9 is a view showing an example of the application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure
  • the semiconductor light emitting connector (A, B, 30) is placed on the lower plate 41, the sealing agent ( 50; for example, an epoxy resin containing phosphors).
  • the lower plate 41 may be provided with a positive (+) terminal and a negative terminal, and a lower heat sink 42 may be provided below the lower plate 41.
  • the lower plate 41 may include electrical wiring and function as a reflecting plate.
  • a typical example of such a lower plate 41 is a PCB.
  • This application may be a package, chips on board (COB), lighting lamps and the like.
  • COB chips on board
  • the semiconductor light-emitting connector (A, B, 30) is attached to the lower plate 41, and then simply connected to the (+) terminal and (-) terminal, as shown in FIG.
  • the same serial connection can be achieved.
  • the connecting plate 30 may be used as the lower plate 41, and the connecting plate 30 corresponds to the conductive layer 31.
  • the phosphor Prior to applying the encapsulant 50, the phosphor may be conformal coated. This has the advantage of reducing the phosphor consumption and process time.
  • FIG. 10 is a view showing another example of the application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure, using the semiconductor light emitting connector (A, B, 30, 31A, 31B, 32) shown in FIG. As a result, a package, a lamp, or the like may be implemented using only one wire 32. Description of the same reference numerals will be omitted.
  • FIG. 11 is a view illustrating another example of an application of a semiconductor light emitting connector according to the present disclosure.
  • the connectors A, B, 30, and 31 shown in FIG. 8 and the connector shown in FIG. (A, B, 30, 31A, 31B, 32) is applied together to implement a package, a lamp, and the like.
  • This configuration allows three independent chips to be connected in series using only two wires. If the connectors A, B, 30 and 31 are regarded as one independent component, two independent chips can be placed on the lower plates 41 and 42 to connect three independent chips in series.
  • FIG. 12 is a view showing another example of the application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure, wherein one light emitting unit B is placed on the conductive film 31B, and three independent chips A, B, A) can be connected in series. Description of the same reference numerals will be omitted.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating another example of an application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure, and illustrates an example in which four chips are connected in series.
  • FIG. 14 is a view illustrating another example of an application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure. Through this configuration, four independent chips may be connected in series using only two wires 32 and 32. .
  • FIG. 15 is a view illustrating another example of the application of the semiconductor light emitting connector according to the present disclosure, in which a plurality of light emitting parts A and B are placed on the conductive film 31A and the conductive film 31B.
  • an array of light emitting portions can be formed in each of the conductive films 31A and 31B.
  • FIG. 16 is a view showing another example of an application of a semiconductor light emitting connector according to the present disclosure, in which a light emitting portion A and a light emitting portion B are disposed on a conductive layer 31, and have separate conductive wires.
  • a conducting line 39
  • Each of the conductive line 39, the light emitting portion A, and the light emitting portion B is connected by wires 32 and 32, respectively.
  • the conductive wire 39 By introducing the conductive wire 39, the light emitting portion A and the light emitting portion B are maintained between the light emitting portions A and A, or the light emitting portions B and B, while maintaining the basic structure connected by the conductive film 31. You can make parallel connections between them.
  • the light emitting parts A and A When connected to the AC power supply 60, the light emitting parts A and A are connected to the (-) side of the AC power supply 60 when the waveform is positive, and the light emitting parts B and B are connected to the AC power supply ( 60) is connected to the (+) side.
  • the waveform When the waveform is negative, the light emitting units A and A are connected to the (+) side of the AC power supply 60, and the light emitting units B and B are connected to the (-) side of the AC power source 60. .
  • This configuration makes it possible to use both waveforms of alternating current without using a bridge diode.
  • a semiconductor light emitting part connector comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and located between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
  • a first light emitting unit having an active layer, the first light emitting unit having a current supply layer formed thereunder;
  • a second light emitting part having a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and an active layer located between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer;
  • a connecting plate having a first light emitting part and a second light emitting part fixed thereto, the connecting plate having a conductive part on which the first light emitting part is placed and a conductive part on which the second light emitting part is placed;
  • An electric pass for electrically connecting one of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer of the first light emitting part to one of the first and
  • the semiconductor light emitting unit connector comprising a.
  • the first conductivity is n-type
  • the second conductivity is p-type.
  • the first conductivity is p-type
  • the second conductivity is n-type.
  • the light emitting unit may be a light emitting diode or a laser diode.
  • the current supply layer may be formed by the electrode 14, the electrode 15, the support substrate 16, and the electrode 24, and if sufficient current can be supplied to the light emitting portion, the current supply layer must be formed on the entire lower surface of the light emitting portion. It is not.
  • a semiconductor light emitting part connector wherein the conductive part of the second light emitting part is extended to the bottom of the active layer. This configuration is well illustrated in FIGS. 5 and 6.
  • a semiconductor light emitting part connector wherein the first light emitting part and the second light emitting part of the connecting plate are electrically insulated. This configuration is well illustrated in FIG.
  • a semiconductor light emitting part connector wherein the second light emitting part includes an electrode to which the wire is bonded under the active layer. This configuration is well illustrated in FIGS. 7 and 8.
  • a semiconductor light emitting part connector wherein the first light emitting part and the second light emitting part are electrically connected to the outside by two wires. This configuration is well illustrated in FIG.
  • a semiconductor light emitting part connector wherein the first light emitting part and the second light emitting part are electrically connected to the outside through the conductive part of the first light emitting part and the conductive part of the second light emitting part. This configuration is well illustrated in FIG.
  • a third light emitting part having the same structure as that of the first light emitting part, wherein the third light emitting part is electrically connected to the second light emitting part by a wire. This configuration is well illustrated in FIG.
  • a third light emitting unit having the same structure as the second light emitting unit; wherein the third light emitting unit is electrically connected to the first light emitting unit by a wire. . This configuration is well illustrated in FIG.
  • a fourth light emitting part having the same structure as that of the second light emitting part, wherein the fourth light emitting part is electrically connected to the conductive part of the third light emitting part. This configuration is well illustrated in FIG.
  • a conducting line for electrically connecting the other of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer of the first light emitting part to the other of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer of the second light emitting part; It includes, wherein the electrical path is connected to one of the (+) side and (-) side of the AC power supply, the conducting wire is connected to the other of the (+) side and (-) side of the AC power supply sieve. This configuration is well illustrated in FIG.
  • the other one of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer of the first light emitting part is connected by a wire, and the other of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer of the second light emitting part is connected to the conductive wire.
  • a semiconductor light emitting device connector characterized in that connected by a wire (a wire). This configuration is well illustrated in FIG.
  • a semiconductor light emitting device connector in which a plurality of connection structures shown in FIGS. 7 to 14 are used. It is particularly suitable for COBs and LED modules for lighting.

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Abstract

본 개시는 그 하부에 전류 공급층이 형성되어 있는 제1 발광부; 그 하부에 제2 발광부 내로 이어져 있는 전류 공급층이 형성되어 있는 제2 발광부; 제1 발광부가 놓이는 도전부와 제2 발광부가 놓이는 도전부를 가지는 연결판; 그리고, 제1 발광부와 제2 발광부를 전기적으로 연결하는 전기적 패스;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체가 제공된다.

Description

반도체 발광부 연결체
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광부 연결체에 관한 것으로, 복수의 반도체 발광부가 직렬 및/또는 병렬 연결된 연결체에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 발광 다이오드를 이용하는 램프의 일 예를 나타내는 도면으로서, 조명(100)은 정류기(110), 레귤레이터(120) 및 직렬로 연결된 복수의 발광 다이오드(A,B)를 가지는 램프부(130)를 포함한다. 공급된 전원은 정류 및 평활화를 거쳐 직렬로 연결된 복수의 발광 다이오드(A,B)로 공급된다.
도 2는 발광 다이오드의 직렬 연결의 일 예를 나타내는 도면으로서, 기판(200; 예: 사파이어 기판), 발광부 또는 발광 다이오드(A)와 발광부 또는 발광 다이오드(B)가 구비되어 있다. 각각의 발광부(A,B)는 n형 반도체층(210; 예: GaN), 활성층(220; 예: InGaN), p형 반도체층(230; 예: GaN)을 가진다. p형 반도체층(230)에는 p측 전극(240)이 구비되어 있고, n형 반도체층(210)에는 n측 전극(250)이 마련되어 있다. 발광부(A,B)의 직렬 연결을 위해, 금속막(270)이 절연막(280) 위를 거쳐 발광부(A)의 p측 전극(240)과 발광부(B)의 n측 전극(250)을 연결하고 있다.
도 3은 발광 다이오드의 직렬 연결의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 패키지 또는 램프(300)는 발광부(A)와 발광부(B), 발광부(A,B) 위에 도포된 형광체 막(310) 그리고, 형광체막(310) 위에 형성된 렌즈(320)를 포함한다. 발광부(A)와 발광부(B)는 와이어(330)에 의해 직렬 연결되어 있고, 와이어(340,350)에 의해 외부와 전기적으로 연결될 수 있다. 동일 구조의 발광부(A)와 발광부(B)를 연결하기 위해서는 추가의 와이어(330)가 필요하다.
도 4는 발광 다이오드의 직렬 연결의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 일체형인 모노리식 발광 다이오드 칩(400)은, 기판(493)과 기판(493) 위에서 직렬 연결된 발광부(A), 발광부(B) 및 발광부(C)를 포함한다. 각각의 발광부(A,B,C)는 n형 반도체층(410), 활성층(420) 및 p형 반도체층(430)을 가지지만, 도 2의 발광 다이오드와 달리, 절연성 기판(200)을 구비하지 않는다. 발광부(A,B,C)의 직렬 연결을 위해, n측 패드(440), 도전막(491), 증착 금속막(470) 그리고 p측 패드(450)를 필요로 한다. 미설명 부호 480은 절연막이며, 490은 활성층(420)에서 생성된 빛을 반사하는 반사막이다. 이러한 구성의 모노리식 발광 다이오드 칩(400)을 구성하는 데는 발광부(A,B,C)를 직렬 연결하는 많은 공정을 필요로 하며, 하나의 발광부에 문제가 발생시 전체 모노리식 발광 다이오드 칩(400)에 문제가 발생할 수 있으며, 제작이 어려울 뿐만 아니라, 공정의 신뢰성을 확보하기도 어렵다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광부 연결체에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 가지는 제1 발광부;로서, 그 하부에 전류 공급층이 형성되어 있는 제1 발광부; 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 가지는 제2 발광부;로서, 그 하부에 제2 발광부 내로 이어져 있는 전류 공급층이 형성되어 있는 제2 발광부; 제1 발광부와 제2 발광부가 고정되는 연결판;으로서, 제1 발광부가 놓이는 도전부와 제2 발광부가 놓이는 도전부를 가지는 연결판; 그리고, 제1 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 하나와, 이와 다른 도전성을 가지는 제2 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중의 하나를 전기적으로 연결하는 전기적 패스(a electric pass);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 발광 다이오드를 이용하는 램프의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 발광 다이오드의 직렬 연결의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 발광 다이오드의 직렬 연결의 다른 예를 나타내는 도면,
도 4는 발광 다이오드의 직렬 연결의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면,
도 17은 도 16에 도시된 적용의 등가회로도.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 일 예를 나타내는 도면으로서, 발광부(A)와 발광부(B)가 연결판(30)에 의해 직렬 연결되어 연결체를 형성하고 있다. 여기서 발광부(A)와 발광부(B)는 도 4의 발광부(A,B)와 달리 별개의 칩 공정을 통해 제조되는 개별의 칩이다. 따라서 복잡한 공정없이 단순히 연결판(30)에 부착함으로써, 연결체를 이루게 된다.
연결판(30)은 도전막(31)을 통해 발광부(A,B)를 전기적으로 연결해도 좋지만, 연결판(30)이 전도성 물질인 경우에 도전막(31)이 생략되어도 좋다. 연결판(30)은 PCB일 수 있으며, 패키지인 경우에, 리드 프레임일 수 있고, 도전 패턴이 형성된 판이어도 좋고, 실리콘과 같은 반도체에 도핑으로 패턴을 형성해도 좋고, 도전막(31)이 형성된 서브마운트여도 좋고, 도전막(31)과 연결판(30) 사이에 서브마운트가 구비되어도 좋다(이 구성은 도 8의 구성에 유용할 수 있다.). 그렇지만, 연결판(30)의 양 발광부(A,B)의 제조 공정에서 동시에 결합되는 것은 아니며, 그럴 수도 없다. 예를 들어 도전막(31)은 접착성, 열전도성, 광학적 반사성, 및 전기전도성을 구비하는 것을 특징으로 하는 물질계(material system)로서 Ag, Al, Au, Cu, Pd, Ni, Pt, Rh, Mo, Si, Ge, Sn, In;로 구성된 물질 또는 이들 중 적어도 하나를 포함한 합금, 복합체, 고용체로 형성될 수 있으며, 연결판(30)은 열전도성, 구조적 안정성, 접착성을 구비하는 것을 특징으로 하는 물질계(material system)로서 Al, Cu, Si, C, Mo, Be로 구성된 물질 또는 이들 중 적어도 하나를 포함한 산화물(Oxide), 질화물(Nitride), 탄화물(Carbide)로 형성될 수 있다.
발광부(A)는 소위 수직 구조 발광 다이오드이다. 여기서, 수직 구조 발광 다이오드는 반도체층(11,12,13)을 적절한 기판(예: 사파이어, SiC, Si, AlN, AlGaN, GaN) 위에 성장(예: MOCVD법)시킨 다음, 기판을 레이저 또는 습식 식각을 통해 제거하고, 반도체층(11,13)의 양측에 전극(14,15)을 형성한 발광 다이오드를 말한다. 활성층(13)은 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성한다. 자외선, 청색, 녹색의 발광을 위해 활성층(13)의 물질로 주로 3족 질화물 반도체(예: InGaN, GaN, AlGaInN)가 사용된다. 빛을 방출하는 측인 반도체층(13)이 주로 n형이 되고, 반대측인 반도체층(11)이 p층이 되지만, 그 반대로 형성되어도 좋다. 전극(15)은 반도체층(11)으로 전류를 확산하는 기능을 하며, 투광성이여도 좋고, 반사막으로 기능하여도 좋다. 생략될 수도 있다. 기판을 제거하는 공정 등에 소자를 보호하기 위해 지지 기판(16)이 사용된다. 예를 들어, 전극(15)은 Ag, Al, Pd, Cu, Pt, Ni, Au, In2O3:(Sn, Mo, Ti, F, Zn), ZnO:(Al, In, Ga), SnO2:(Sb, F), NiO, CuAlO2 일 수 있으며, 지지 기판(16)은 Si, Ge, GaAs 웨이퍼, 또는 W, Mo, Al, Ag, Cu, Ni, Au, Si, C 성분 중 적어도 하나를 포함하고 있는 전기전도성 합금, 복합체, 고용체, 다층 구조인 라미네이트(Laminate) 물질계일 수 있다. 또한 도 5에 미도시 되었지만, 전극(15)과 지지 기판(16) 사이에 접착성을 갖는 물질(층)과 물질간 확산 이동을 방지하는 물질(층)이 적용되는 것이 바람직하다.
발광부(B)는 발광부(A)와 달리, 성장에 사용되는 기판(27)이 제거되지 않은 형태의 발광 다이오드이다. 반도체층(23)이 반도체층(13)에 대응하고, 반도체층(22)이 반도체층(12)에 대응한다. 전극(25)은 반도체층(21)으로 전류를 확산하는 기능을 하며, 생략될 수도 있다. 그렇지만, 생략 시 소자의 기능이 많이 저하되므로, 현재 사용되고 있는 대부분의 소자는 전극(25)을 구비한다. 전극(25)은 ITO와 같은 투광성 물질로 형성된다. 전극(24)은 기판(27)을 관통하여 반도체층(23)에 연결되어 있다. 반도체층(28)은 기판(27)과 반도체층(21,22,23)의 결정성 향상을 위해 일반적으로 구비된다. 현재 반도체층 성장 기술을 고려할 때(p형 반도체층을 기판(27)에 위에 바로 성장시키는 것이 쉽지 않다.) 일반적으로 발광부(A)에서 반도체층(13)이 n형이 되며, 발광부(B)에서 반도체층(21)이 p형이 된다. 이때, 발광부(A,B)의 직렬 연결을 위해, 반도체층(23)은 n형이 된다.
발광부(A,B)는 주로 발광 다이오드이지만, 레이저 다이오드여도 좋다.
여기서 발광부(A) 아래의 도전막(31)과 연결판(30)의 도통 영역을 도전부(a)라 하고, 발광부(B) 아래의 도전막(31)과 연결판(30)의 도통 영역을 도전부(b)라 한다.
이러한 구성을 통해, 도 3에 도시된 발광소자에서와 같이 발광부(A,B)를 와이어(330)로 연결하지 않고도, 독립된 2개의 발광부(A,B)를 직렬 연결할 수 있게 된다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광부(B)에서, 반도체층(21,22,23)이 식각되어 노출된 영역으로 전극(24)이 기판(27)을 관통하여 이어져 있고, 여기에 전극(29)이 형성되어 있다. 전극(29)을 구비함으로써, 반도체층(23)으로 전류 공급이 더욱 원활해질 수 있다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광부(B)가 발광부(A)와 동일한 에피 구조(11,12,13)를 가지지만, 전극 형성의 구조를 달리한다. 발광부(A)에서, 반도체층(13)에 전기를 공급하는 전극(14)이 반도체층(13) 위에 형성되어 있지만, 발광부(B)에서 전극(14)이 반도체층(11)에 전기를 공급하는 전극(15)과 지지 기판(16) 사이에 위치한다. 전극(14)과 전극(16)의 절연과, 에피 구조(11,12,13)를 관통하여 반도체층(13)에 전기를 공급하기 위하여, 절연막(18; 예: SiO2, SiNx, 또는 Al2O3)이 형성되어 있다. 전극(17)은 전극(15)에 와이어 본딩을 위한 패드로 기능한다. 전극(15)이 반사막으로 기능하여도 좋고, 지지 기판(16)이 반사막으로 기능하여도 좋으며, 도전막(31)이 반사막으로 기능하여도 좋고, 지지 기판(16)과 도전막(31) 사이에 별도의 금속층, 브래그 리플렉터(DBR) 또는 전방위 리플렉터(ODR)를 반사막을 형성하여도 좋다. 이러한 구성은 도 1과 같은 발광부(A,B) 간의 직렬 연결을 구성함에 있어, 도 2에 도시된 구성과 달리 발광부(A,B)간의 칩 공정에서 금속막(270)을 이용한 전기적 연결을 필요로 하지 않으며, 도 3에 도시된 구성과 달리 추가의 와이어(330) 본딩을 필요로 하지 않고, 도 4에 도시된 구성과 달리 에피 구조(410,420,430)와 기판(493) 사이에서 복잡한 칩 공정을 필요로 하지 않는 이점을 가진다. 도 5 및 도 6에 도시된 구성과 비교할 때, 기판(27)이 제거되어 있으므로, 연결판(30)을 통한 열방출 능이 뛰어날 뿐만 아니라, 전극(26)에 의한 빛 흡수를 제거할 수 있으며, 전극(25)에 의한 빛 흡수를 제거할 수 있는 구조가 가능하다. 또한 발광부(B)에서, 활성층(12) 아래에 와이어 본딩을 위한 전극(17)이 위치하므로, 와이어에 의한 빛의 흡수도 제거하는 구조가 가능하다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 연결판(30)이 서로 전기적으로 분리된 도전막(31A)과 도전막(31B)을 구비한다. 발광부(A,B)의 직렬 연결은 와이어(32)에 의해 이루어진다. 이러한 구성을 통해, 하나의 와이어(32) 본딩에 의해 직렬 연결된 반도체 발광부 연결체를 구성할 수 있게 된다. 이러한 구성은 도 7에 도시된 연결체의 장점을 그대로 가진다. 여기서 발광부(A) 아래의 도전막(31A)과 연결판(30)의 도통 영역을 도전부(a)라 하고, 발광부(B) 아래의 도전막(31B)과 연결판(30)의 도통 영역을 도전부(b)라 한다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광부 연결체(A,B,30)가 하판(41) 위에 놓여 있고, 이를 봉지제(50; 예: 형광체가 함유된 에폭시 수지)가 둘러싸고 있다. 하판(41)의 상부에는 (+)단자와 (-)단자가 구비되어 있으며, 하판(41)의 하부에는 별도의 히트싱크(42)가 구비될 수 있다. 하판(41)은 전기 배선을 포함하는 한편, 반사판으로 기능할 수 있다. 이러한 하판(41)의 전형적인 예는 PCB이다. 이 적용예는 패키지, COB(Chips on Board), 조명용 램프 등일 수 있다. 이러한 구성을 통해, 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체(A,B,30)를 하판(41)에 붙인 후, 단순히 (+)단자와 (-)단자에 연결함으로써, 도 1에 도시된 것과 같은 직렬 연결을 구현해 낼 수 있게 된다. 연결판(30)이 하판(41)으로 이용될 수 있으며, 이때 연결판(30)이 도전막(31)에 해당하게 된다. 봉지제(50)를 적용하기에 앞서 형광체가 컨포멀 코팅(conformal coating)될 수 있다. 이는 형광체 소모량 감소 및 공정 시간 단축 등의 이점을 가진다.
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 8에 도시된 반도체 발광부 연결체(A,B,30,31A,31B,32)를 이용하여, 하나의 와이어(32) 만으로 패키지, 램프 등을 구현할 수 있게 된다. 미설명 동일 부호에 대한 설명은 생략한다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 8에 도시된 연결체(A,B,30,31)와 도 9에 도시된 연결체(A,B,30,31A,31B,32)가 함께 적용되어 패키지, 램프 등이 구현되어 있다. 이러한 구성을 통해, 두 개의 와이어만으로 3개의 독립된 칩을 직렬 연결할 수 있게 된다. 연결체(A,B,30,31)를 하나의 독립된 부품(component)으로 본다면, 두 개의 부품을 하판(41,42)에 올려 놓음으로써, 3개의 독립된 칩을 직렬 연결할 수 있게 된다.
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 도전막(31B)에 하나의 발광부(B)를 올려서 3개의 독립된 칩(A,B,A)을 직렬 연결할 수 있게 된다. 미설명 동일 부호에 대한 설명은 생략한다.
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 4개의 칩을 직렬 연결한 예를 도시하고 있다.
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 이러한 구성을 통해, 두 개의 와이어(32,32)만으로 4개의 독립된 칩을 직렬 연결할 수 있게 된다.
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 도전막(31A)과 도전막(31B)에 복수의 발광부(A,B)를 올려 놓음으로써, 각각의 도전막(31A,31B)에서 발광부의 어레이(array)를 형성할 수 있게 된다.
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광부 연결체의 적용(application)의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광부(A)와 발광부(B)가 도전막(31) 위에 놓여 있으며, 별도의 도선(a conducting line; 39)이 구비되어 있다. 도선(39)과 발광부(A) 및 발광부(B) 각각이 각각의 와이어(32,32)에 의해 연결되어 있다. 도선(39)을 도입함으로써, 발광부(A)와 발광부(B)가 도전막(31)에 의해 연결된 기본 구성을 유지하면서, 발광부(A,A)들 사이 내지는 발광부(B,B)들 사이에는 병렬 연결을 만들 수 있게 된다. 교류 전원(60)에 연결되면, (+) 파형을 일 때, 발광부(A,A)들이 교류 전원(60)의 (-)측에 연결되고, 발광부(B,B)들이 교류 전원(60)의 (+)측에 연결된다. (-) 파형일 때, 발광부(A,A)들이 교류 전원(60)의 (+)측에 연결되고, 발광부(B,B)들이 교류 전원(60)의 (-)측에 연결된다. 이러한 구성을 통해, 브릿지 다이오드를 이용하지 않고도 교류의 양 파형에서 사용이 가능해진다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광부 연결체에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 가지는 제1 발광부;로서, 그 하부에 전류 공급층이 형성되어 있는 제1 발광부; 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 가지는 제2 발광부;로서, 그 하부에 제2 발광부 내로 이어져 있는 전류 공급층이 형성되어 있는 제2 발광부; 제1 발광부와 제2 발광부가 고정되는 연결판;으로서, 제1 발광부가 놓이는 도전부와 제2 발광부가 놓이는 도전부를 가지는 연결판; 그리고, 제1 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 하나와, 이와 다른 도전성을 가지는 제2 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중의 하나를 전기적으로 연결하는 전기적 패스(a electric pass);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 제1 도전성이 n형인 경우에, 제2 도전성이 p형이 된다. 제1 도전성이 p형인 경우에, 제2 도전성이 n형이 된다. 발광부는 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드일 수 있다. 전류 공급층은 전극(14), 전극(15), 지지 기판(16), 전극(24)에 의해 형성될 수 있으며, 발광부에 충분한 전류 공급이 가능하다면, 반드시 발광부의 하면 전체에 형성되어야 하는 것은 아니다.
(2) 제2 발광부의 도전부가 활성층의 아래까지 이어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 5 및 도 6에 잘 나타나 있다.
(3) 전기적 패스가 연결판에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 5, 도 6 및 도 7에 잘 나타나 있다.
(4) 제2 발광부의 도전부가 활성층의 위까지 이어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 7 및 도 8에 잘 나타나 있다.
(5) 전기적 패스가 와이어에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 8에 잘 나타나 있다.
(6) 연결판에서 제1 발광부와 제2 발광부는 전기적으로 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 8에 잘 나타나 있다.
(7) 제2 발광부가 활성층 아래에서 와이어(the wire)가 본딩되는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 7 및 도 8에 잘 나타나 있다.
(8) 제1 발광부와 제2 발광부가 두 개의 와이어에 의해 외부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 9에 잘 나타나 있다.
(9) 제1 발광부와 제2 발광부가 제1 발광부의 도전부와 제2 발광부의 도전부를 통해 외부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 10에 잘 나타나 있다.
(10) 제1 발광부와 동일한 구조의 제3 발광부;를 포함하며, 제3 발광부가 제2 발광부와 와이어(a wire)에 의해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 11에 잘 나타나 있다.
(11) 제2 발광부와 동일한 구조의 제3 발광부;를 포함하며, 제3 발광부가 제1 발광부와 와이어(a wire)에 의해 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 12에 잘 나타나 있다.
(12) 제2 발광부와 동일한 구조의 제4 발광부;를 포함하며, 제4 발광부가 제3 발광부의 도전부와 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 13에 잘 나타나 있다.
(13) 제1 발광부와 동일한 구조의 제4 발광부;를 포함하며, 제4 발광부가 제2 발광부와 와이어(a wire)에 의해 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체. 이러한 구성은 도 14에 잘 나타나 있다.
(14) 제1 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 나머지 하나와, 제2 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중의 나머지 하나를 전기적으로 연결하는 도선(a conducting line);을 포함하며, 전기적 패스가 교류 전원의 (+)측 및 (-)측 중의 하나로 연결되고, 도선이 교류 전원의 (+)측 및 (-)측 중의 나머지 하나로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 연결체. 이러한 구성은 도 16에 잘 나타나 있다.
(15) 제1 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 나머지 하나는 도선과 와이어(a wire)로 연결되며, 제2 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중의 나머지 하나는 도선과 와이어(a wire)로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 연결체. 이러한 구성은 도 16에 잘 나타나 있다.
(16) 도 7 내지는 도 14에 도시된 연결 구조가 복수 개 사용된 반도체 발광소자 연결체. 이는 COB 및 조명용 LED 모듈 등에 특히 적합하다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광부 연결체에 의하면, 용이하게 발광부의 직렬 연결이 가능하다.
또한 본 개시에 따른 하나의 반도체 발광부 연결체에 의하면, 용이하게 발광부의 병렬 연결이 가능하다.
또한 본 개시에 따른 다른 반도체 발광부 연결체에 의하면, 고전류, 고전력 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드 패키지, COB, 램프의 제조가 가능해진다.
또한 본 개시에 따른 또다른 반도체 발광부 연결체에 의하면, 열방출 능이 향상된 반도체 발광부 연결체의 제조가 가능하다.

Claims (20)

  1. 반도체 발광부 연결체에 있어서,
    제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 가지는 제1 발광부;로서, 그 하부에 전류 공급층이 형성되어 있는 제1 발광부;
    제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 가지는 제2 발광부;로서, 그 하부에 제2 발광부 내로 이어져 있는 전류 공급층이 형성되어 있는 제2 발광부;
    제1 발광부와 제2 발광부가 고정되는 연결판;으로서, 제1 발광부가 놓이는 도전부와 제2 발광부가 놓이는 도전부를 가지는 연결판; 그리고,
    제1 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 하나와, 이와 다른 도전성을 가지는 제2 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중의 하나를 전기적으로 연결하는 전기적 패스(a electric pass);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    제2 발광부의 도전부는 활성층의 아래까지 이어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  3. 청구항 2에 있어서,
    전기적 패스는 연결판에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  4. 청구항 1에 있어서,
    제2 발광부의 도전부는 활성층의 위까지 이어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  5. 청구항 4에 있어서,
    전기적 패스는 연결판에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  6. 청구항 4에 있어서,
    전기적 패스는 와이어에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  7. 청구항 6에 있어서,
    연결판에서 제1 발광부와 제2 발광부는 전기적으로 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  8. 청구항 6에 있어서,
    제2 발광부는 활성층 아래에서 와이어(the wire)가 본딩되는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  9. 청구항 4에 있어서,
    제1 발광부에서 제2 반도체층이 활성층을 기준으로 전류 공급층의 반대 측에 위치하며,
    제2 발광부에서 제2 반도체층이 활성층을 기준으로 전류 공급층의 반대 측에 위치하고,
    제1 발광부의 제1 반도체층과 제2 발광부의 제1 반도체층은 성장에 이용되는 기판이 제거되어 각각의 전류 공급층과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  10. 청구항 9에 있어서,
    제1 발광부의 제2 반도체층과 제2 발광부의 제2 반도체층은 n형 도전성을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  11. 청구항 5에 있어서,
    제1 발광부에서 제2 반도체층이 활성층을 기준으로 전류 공급층의 반대 측에 위치하며, 제2 반도체층은 n형 도전성을 가지고,
    제2 발광부에서 제2 반도체층이 활성층을 기준으로 전류 공급층의 반대 측에 위치하며, 제2 반도체층은 n형 도전성을 가지고,
    제1 발광부의 제1 반도체층과 제2 발광부의 제1 반도체층은 성장에 이용되는 기판이 제거되어 각각의 전류 공급층과 전기적으로 연결되어 있으며,
    제2 발광부는 활성층 아래에서 와이어(a wire)가 본딩되는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  12. 청구항 7에 있어서,
    제1 발광부에서 제2 반도체층이 활성층을 기준으로 전류 공급층의 반대 측에 위치하며, 제2 반도체층은 n형 도전성을 가지고,
    제2 발광부에서 제2 반도체층이 활성층을 기준으로 전류 공급층의 반대 측에 위치하며, 제2 반도체층은 n형 도전성을 가지고,
    제1 발광부의 제1 반도체층과 제2 발광부의 제1 반도체층은 성장에 이용되는 기판이 제거되어 각각의 전류 공급층과 전기적으로 연결되어 있으며,
    제2 발광부는 활성층 아래에서 와이어(the wire)가 본딩되는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  13. 청구항 5에 있어서,
    제1 발광부와 제2 발광부는 두 개의 와이어에 의해 외부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  14. 청구항 6에 있어서,
    제1 발광부와 제2 발광부는 제1 발광부의 도전부와 제2 발광부의 도전부를 통해 외부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  15. 청구항 13항에 있어서,
    제1 발광부와 동일한 구조의 제3 발광부;를 포함하며,
    제3 발광부가 제2 발광부와 와이어(a wire)에 의해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  16. 청구항 14에 있어서,
    제2 발광부와 동일한 구조의 제3 발광부;를 포함하며,
    제3 발광부는 제1 발광부와 와이어(a wire)에 의해 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  17. 청구항 15에 있어서,
    제2 발광부와 동일한 구조의 제4 발광부;를 포함하며,
    제4 발광부는 제3 발광부의 도전부와 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  18. 청구항 16항에 있어서,
    제1 발광부와 동일한 구조의 제4 발광부;를 포함하며,
    제4 발광부는 제2 발광부와 와이어(a wire)에 의해 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광부 연결체.
  19. 청구항 5에 있어서,
    제1 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 나머지 하나와, 제2 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중의 나머지 하나를 전기적으로 연결하는 도선(a conducting line);을 포함하며,
    전기적 패스가 교류 전원의 (+)측 및 (-)측 중의 하나로 연결되고, 도선이 교류 전원의 (+)측 및 (-)측 중의 나머지 하나로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 연결체.
  20. 청구항 19에 있어서,
    제1 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 나머지 하나는 도선과 와이어(a wire)로 연결되며, 제2 발광부의 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중의 나머지 하나는 도선과 와이어(a wire)로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 연결체.
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