CN103828078A - 半导体发光单元连接体 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种半导体发光单元连接体，该半导体发光单元连接体包括：第一发光单元，该第一发光单元的下部中形成有电流供应层；第二发光单元，该第二发光单元的下部中形成有电流供应层，该电流供应层与所述第二发光单元相连接；连接板，该连接板具有放置所述第一发光单元的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分；以及电气通道，该电气通道用于电连接所述第一发光单元和所述第二发光单元。

Description

半导体发光单元连接体
技术领域
本公开总体上涉及具有半导体发光单元的连接体，并且更具体地说，涉及一种串联和/或并联连接了多个半导体发光单元或部件的连接体。
背景技术
此部分提供了不必是现有技术的、与本公开有关的背景信息。
图1是例示了采用发光二极管的灯的示例的视图，其中，发光系统100具有整流器110、调节器120，以及灯部分，所述灯部分包括多个串联连接的发光二极管A和B。所施加的电力在被馈送至所述多个串联连接的发光二极管A和B之前经历整流和滤波操作。
图2是例示了发光二极管的串联连接的示例的视图，其中，设置了基板200（例如，蓝宝石基板）、发光部件或发光二极管A，以及发光部件或发光二极管B。发光二极管A和B中的每一个都包括n型半导体层210（例如，GaN）、有源层220（例如，InGaN）、p型半导体层230（例如，GaN）。该p型半导体层230设置有p侧电极240，而该n型半导体层设置有n侧电极250。对于发光部件A和B的串联连接来说，在电介质层280的顶部铺设的金属层270连接了发光部件A的p侧电极240和发光部件B的n侧电极250。
图3是例示了串联连接的发光二极管的另一示例的视图，其中，封装件或灯300具有发光部件A、发光部件B、施加在发光部件A和B上的荧光体（phosphor）膜310，以及形成在荧光体膜310上的透镜320。发光部件A和发光部件B可以通过导线330串联连接，而且它们可以借助于导线340和350电连接至外部。可能需要额外的导线330将具有相同构造的那些发光部件A和B连接在一起。
图4是例示了串联连接的发光二极管的又一示例的视图，其中，集成单片式发光二极管芯片400包括基板493和在基板493上方串联连接的发光部件A、B、C。发光部件A、B、C皆具有n型半导体层410、有源层420，以及p型半导体层430，但它们并不像图2的发光二极管那样具有绝缘基板200。n侧焊盘440、导电层491、淀积金属膜470，以及p侧焊盘450在发光部件A、B、C的串联连接中全部涉及。在尚未说明的其它部件当中，标号480指示电介质层，而标号490指示用于反射在有源层420中产生的光的反射膜。然而，制造如上所述构造的这种单片式发光二极管芯片400遭遇几个缺点，就是说，需要许多工艺来串联连接那些发光部件A、B、C，任何发光部件中的问题都可能导致针对整个单片式发光二极管芯片400的问题，制造工艺困难，无法确保工艺的可靠性等。
发明内容
技术问题
要通过本公开解决的问题将在用于执行本发明的具体实施方式的后面部分中进行描述。
解决方案
此部分提供了本公开的一般性概要，并且其全部范围或其所有特征的全面公开。
根据本公开的一个方面，提供了一种半导体发光单元连接体，该半导体发光单元连接体包括：第一发光单元，该第一发光单元包括第一导电类型的第一半导体层、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部的电流供应层；第二发光单元，该第二发光单元包括第一导电类型的第一半导体层、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部并延伸到所述第二发光单元中的电流供应层；连接板，所述第一发光单元和所述第二发光单元固定至该连接板，该连接板具有放置所述第一发光单元的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分；以及电气通道，该电气通道用于将所述第一发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个与所述第二发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个电连接，其中，被电连接的半导体层具有彼此不同的导电类型。
有利效果
本公开的有利效果将在用于执行本发明的具体实施方式的后面部分中进行描述。
附图说明
图1是例示采用发光二极管的灯的示例的视图。
图2是例示串联连接的发光二极管的一示例的视图。
图3是例示串联连接的发光二极管的另一示例的视图。
图4是例示串联连接的发光二极管的又一示例的视图。
图5是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的一实施例的视图。
图6是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的另一实施例的视图。
图7是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的又一实施例的视图。
图8是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的又一实施例的视图。
图9是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的一实施例的视图。
图10是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的另一实施例的视图。
图11是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。
图12是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。
图13是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。
图14是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。
图15是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。
图16是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图。
图17是图16的应用的等价电路图。
具体实施方式
下面，参照附图对本公开进行详细描述。
图5是例示根据本公开的半导体发光单元连接体的一实施例的视图，其中，发光单元或部件A和发光单元或部件B串联连接，以形成连接体或连接组件。与图4中的发光部件A和B不同，该实施例中的发光部件A和发光部件B是通过分离芯片工艺制备的单个芯片。同样地，发光部件简单地附接至连接板30并一起形成连接组件，而不需要经历任何复杂工艺。
尽管连接板30可能涉及导电层310以电连接发光部件A和B，但是可以在连接板30由导电材料制成的情况下省略导电层31。连接板30可以是PCB，封装件情况下的引线框，上面形成有导电图案的板，具有通过掺杂形成的图案的诸如硅酮的半导体，或者具有导电层31的次载片（submount），或者还可以包括导电层31与连接板30之间的次载片（这种构造可以有用于图8中的构造）。同时，不太可能的是，发光部件A和B在它们的制造工艺期间都被焊接至连接板30，而且一个也不可能。例如，导电层31是表征附着力、热传递、光反射以及电导率的特性的材料体系，其可以由从Ag、Al、Au、Cu、Pd、Ni、Pt、Rh、Mo、Si、Ge、Sn以及In中选择的材料形成，或者由包含这些材料中的至少一种的任何合金、复合体或固溶体形成。导电层30是表征热传递、结构稳定性以及附着力的特性的材料体系，其可以由从Al、Cu、Si、Mo，以及Be中选择的材料形成，或者由包含这些材料中的至少一种的任何氧化物、氮化物或碳化物形成。
发光部件A是所谓的垂直发光二极管。垂直发光二极管在此指示通过以下工艺获得的发光二极管：在例如通过MOCVD在合适基板（例如，蓝宝石、SiC、Si、AlN、AlGaN、GaN）上生长半导体层11、12以及13，接着通过激光或湿蚀刻去除该基板，跟着是在半导体层11和13的任一侧上形成电极14、15。有源层13经由电子-空穴复合而产生光。为发射UV、蓝光或绿光，III族氮化物（例如，InGaN、GaN、AlGaInN）通常被用作有源层13的材料。在光发射中涉及的半导体层13通常成为n型半导体层，而相对侧上的半导体层11则成为p型半导体层，但这可以反过来。电极15用于向半导体层11扩散电流，并且其本性可以透光或者充当反射膜。其同样可以省略。支承基板16被用于在基板去除工艺期间保护该装置。例如，电极15可以是Ag、Al、Pd、Cu、Pt、Ni、Au、In2O3：（Sn、Mo、Ti、F、Zn）、ZnO：（Al、In、Ga）、SnO2：（Sb、F）、NiO或CuAlO2，而支承基板16可以是Si、Ge或GaAs晶片；或者导电合金、复合体、固溶体或多层层压材料体系（包含从W、Mo、Al、Ag、Cu、Ni、Au、Si以及C中选择的至少一种元素）。虽然图5中未示出，但还优选地在电极15与支承基板16之间涂覆了用于防止材料之间的任何扩散的附着材料（层）和扩散阻挡材料（层）。
与发光部件A不同，发光部件B是一种保留生长基板27的发光二极管。半导体23对应于半导体层13，而半导体层22对应于半导体层12。用以向半导体层21扩散电流的电极可以省略。然而，因为装置的性能在没有电极的情况下显著劣化，所以大多数买得到装置现在都有电极25。电极25由诸如ITO的透光材料形成。电极24穿过基板29，并且连接至半导体层23。为增加基板27上的半导体层21、22以及23的结晶度，通常设置有半导体层28。考虑到用于生长半导体层的当前技术，可能不容易直接在基板27上生长p型半导体层。一般来说，发光部件A中的半导体层13成为n型半导体层，而发光部件B中的半导体层21成为p型半导体层。这里，半导体层23成为用于发光部件A和B的串联连接的n型半导体层。
发光部件A和B通常是发光二极管，但也可以是激光二极管。
发光部件A下面的导电层31和连接板30的导电区域被称为导电部分a，而发光部件B下面的导电层31和连接板30的导电区域被称为导电部分b。
这种构造使得能够串联连接两个独立的发光部件A和B，而不需要像图3中的发光二极管中的用于连接发光部件A和B的导线330。
图6是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的另一实施例的视图。在该发光部件B中，电极24穿过基板27，到达通过蚀刻半导体层21、22以及23而暴露的区域，接着在暴露区域上形成电极29。电极29的存在可以有助于向半导体层23提供更多的电流。
图7是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的又一实施例的视图，其中，发光部件B具有和发光部件A相同的外延结构，但具有不同的电极构造。就是说，在发光部件A中，向半导体层13供电的电极14形成在半导体层13上；在发光部件B中，电极14形成在支承基板16与向半导体层11供电的电极15之间。设置了电介质层18（例如，SiO2、SiNx，或Al2O3），以对电极14和16进行绝缘，并且用于经过外延结构11、12以及13向半导体层13供电。电极17充当用于将导线焊接至电极15的焊盘。对于反射膜来说，可接受下列中的任一个：电极15、支承基板16、导电层31，或者设置在支承基板16与导电层31之间的分离金属层、分布式布拉格反射镜（DBR）或全向反射镜（ODR）。就获取如图1中的发光部件A与B之间的串联连接而言，这种构造的有利之处在于，不需要如图2中的发光部件A与B之间的、通过芯片工艺中的金属层270的电气连接、如图3中的额外导线330焊接，以及如图4中的基板493与外延结构410、420以及430之间的复杂芯片工艺。与图5和图6所示的构造相比，基板27的缺乏使能通过连接板30实现卓越的散热能力，并且还防止了电极25和26吸收光。而且，在发光部件B中，由于将用于导线焊接的电极17定位在有源层12下面，所以还可以防止导线吸收光。
图8是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的又一实施例的视图，其中，连接板30具有彼此电隔离的导电层31A和导电层31B。发光部件A和B的串联连接通过导线32来实现。利用该构造，可以获得具有通过一个单一导线32焊接的串联连接半导体发光部件的连接组件。图7所示的连接组件的所有这些优点也在这种构造中发现。这里，发光部件A下面的导电层31A和连接板30的导电区域被称为导电部分a，而发光部件B下面的导电层31B和连接板30的导电区域被称为导电部分b。
图9是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的一实施例的视图，其中，半导体发光单元连接体A、B以及30放置在下板41的顶部上并且包围有密封囊（encapsulant）50（例如，含荧光体的环氧树脂）。在下板41的顶部上设置有（+）端子和（-）端子，而分离散热片42可以定位在下板41下面。下板41具有电气图案并且可以用作反射镜。下板41的典型例是PCB。这种特定应用可以在封装件、COB（板上芯片）、照明灯等中发现。这种构造易于通过简单地将发光单元连接体A、B以及30粘附至下板41，接着将（+）和（-）端子连接在上面而获得如图1中的串联连接。连接板30可以被用作下板41，在这种情况下，连接板30对应于导电层31。在应用封装囊50之前，可以统一地涂覆荧光体。这提供了诸如荧光体消耗减少以及加工时间缩短的益处。
图10是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的另一实施例的视图。其示出了封装件、灯等可以仅利用用于发光单元连接体A、B、30、31A、31B以及32的一条导线32来获得（参见图8）。为避免冗余的解释，贯穿这些视图用相同标号指定的相同或相似部件将不再说明。
图11是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图，其中，图8所示的连接组件A、B、30以及31与图9所示的连接组件A、B、30、31A、31B以及32相组合，以获得封装件、灯等。根据这种构造，可以仅利用两条导线串联连接三个独立芯片。通过将连接组件A、B、30以及31作为一个独立组件，在下板41、42的顶部上放置了两个组件，由此使能实现三个独立芯片的串联连接。
图12是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图，其中，将一个发光部件B放置在导电层31B的顶部上，由此，使能实现三个独立芯片A、B、A的串联连接。为避免冗余的解释，贯穿视图用相同标号指定的相同或相似部件将不再说明。
图13是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图，其中，将四个芯片串联连接。
图14是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图，其中，仅利用两条导线32就将四个独立芯片串联连接。
图15是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图，其中，将多个发光部件A和B放置在导电层31A和导电层31B的顶部上，由此，在导电层31A和31B中的每一个上形成发光部件阵列。
图16是例示了根据本公开的半导体发光单元连接体的应用的又一实施例的视图，其中，将发光部件A和发光部件B放置在导电层31的顶部上，并且设置了额外导电线路39。该导电线路39和发光部件A和B分别通过导线32连接。通过引入导电线路39，能够获得发光部件A之间的并联连接和发光部件B之间的并联连接，同时保持发光部件A和B通过导电层31连接的基本构造。当该连接组件连接至AC电源60并且产生（+）波形时，发光部件A接着连接至AC电源60的（-）侧，而发光部件B连接至AC电源60的（+）侧。当产生（-）波形时，发光部件A连接至AC电源60的（+）侧，而发光部件B连接至AC电源60的（-）侧。即使不利用桥式二级管，这种构造也使得可以使用两种AC波形。
下面对本发明的不同示例性实施方式进行描述。
（1）一种半导体发光单元连接体，其特征在于包括：第一发光单元，该第一发光单元包括第一导电类型的第一半导体层、与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部的电流供应层；第二发光单元，该第二发光单元包括第一导电类型的第一半导体层、与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在第一半导体层与第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部并延伸到第二发光单元中的电流供应层；连接板，第一发光单元和所述第二发光单元固定至该连接板，该连接板具有放置第一发光单元的导电部分和放置第二发光单元的导电部分；以及电气通道，该电气通道用于将第一发光单元中的第一半导体层和第二半导体层中的一个与第二发光单元中的第一半导体层和第二半导体层中的一个电连接，其中，被电连接的半导体层具有彼此不同的导电类型。如果第一导电性为n型，则第二导电性为p型。类似的是，如果第一导电性为p型，则第二导电性为n型。发光单元可以是发光二极管或激光二极管。该电流供应层可以由电极14、电极15、支承基板16以及电极24形成。当可以将充足的电流提供给发光单元时，在发光单元的整个下表面上形成电流供应层并不是绝对必要的。
（2）一种半导体发光单元连接体，其中，第二发光单元的导电部分在有源层下面延伸。图5和6中例示了这种构造的良好示例。
（3）一种半导体发光单元连接体，其中，电气通道形成在连接板处。图5至7中例示了这种构造的良好示例。
（4）一种半导体发光单元连接体，其中，第二发光单元的导电部分在有源层上面延伸。图5和6中例示了这种构造的良好示例。
（5）一种半导体发光单元连接体，其中，电气通道由导线形成。图8中例示了这种构造的良好示例。
（6）一种半导体发光单元连接体，其中，在连接板中，第一发光单元和第二发光单元彼此电绝缘。图8中例示了这种构造的良好示例。
（7）一种半导体发光单元连接体，其中，第二发光单元包括电极，导线在有源层下面焊接至该电极。图7和8中例示了这种构造的良好示例。
（8）一种半导体发光单元连接体，其中，第一发光单元和第二发光单元通过两条导线电连接至外部。图9中例示了这种构造的良好示例。
（9）一种半导体发光单元连接体，其中，第一发光单元和第二发光单元通过第一发光单元的导电部分和第二发光单元的导电部分电连接至外部。图10中例示了这种构造的良好示例。
（10）一种半导体发光单元连接体，其包括第三发光单元，该第三发光单元具有和第一发光单元相同的构造，并且该第三发光单元通过导线电连接至第二发光单元。图11中例示了这种构造的良好示例。
（11）一种半导体发光单元连接体，其包括第三发光单元，该第三发光单元具有和第二发光单元相同的构造，并且该第三发光单元通过导线电连接至第一发光单元。图12中例示了这种构造的良好示例。
（12）一种半导体发光单元连接体，其包括第四发光单元，该第四发光单元具有和第二发光单元相同的构造，并且该第四发光单元通过导线电连接至第三发光单元。图13中例示了这种构造的良好示例。
（13）一种半导体发光单元连接体，其包括第四发光单元，该第四发光单元具有和第一发光单元相同的构造，并且该第四发光单元通过导线电连接至第二发光单元。图14中例示了这种构造的良好示例。
（14）一种半导体发光单元连接体，其包括导电线路，该导电线路用于将第一发光单元中的第一半导体层和第二半导体层中的另一个与第二发光单元中的第一半导体层和第二半导体层中的另一个电连接，其中，电气通道连接至AC电源的（+）侧和（-）侧中的一个，而导电线路连接至AC电源的（+）侧和（-）侧中的另一个。图16中例示了这种构造的良好示例。
（15）一种半导体发光单元连接体，其中，第一发光单元中的第一半导体层和第二半导体层中的另一个通过导线与导电线路连接，并且其中，第二发光单元中的第一半导体层和第二半导体层中的另一个通过导线与导电线路连接。图16中例示了这种构造的良好示例。
（16）一种半导体发光单元连接体，其中，多次使用了图7至14中的连接构造。这特别适于照明装置和COB的LED模块。
利用根据本公开的半导体发光单元连接体，容易对发光部件进行串联连接。
而且，利用根据本公开的半导体发光单元连接体，容易对发光部件进行并联连接。
而且，利用根据本公开的半导体发光单元连接体，能够生产出高电流、高功率的发光二极管或激光二极管封装件、COB、灯等。
而且，根据本公开制造出的半导体发光单元连接体的特征在于增强的散热能力。

Claims (20)

1.一种半导体发光单元连接体，该半导体发光单元连接体包括：
第一发光单元，该第一发光单元包括第一导电类型的第一半导体层，与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部的电流供应层；
第二发光单元，该第二发光单元包括第一导电类型的第一半导体层、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层、插设在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，以及形成在底部并延伸到所述第二发光单元中的电流供应层；
连接板，所述第一发光单元和所述第二发光单元固定至该连接板，该连接板具有放置所述第一发光单元的导电部分和放置所述第二发光单元的导电部分；以及
电气通道，该电气通道用于将所述第一发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个与所述第二发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个电连接，其中，被电连接的半导体层具有彼此不同的导电类型。
2.根据权利要求1所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第二发光单元的所述导电部分在所述有源层的下面延伸。
3.根据权利要求2所述的半导体发光单元连接体，其中，所述电气通道形成在所述连接板处。
4.根据权利要求1所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第二发光单元的所述导电部分在所述有源层的上面延伸。
5.根据权利要求4所述的半导体发光单元连接体，其中，所述电气通道形成在所述连接板处。
6.根据权利要求4所述的半导体发光单元连接体，其中，所述电气通道由导线形成。
7.根据权利要求6所述的半导体发光单元连接体，其中，在所述连接板中，所述第一发光单元和所述第二发光单元彼此电绝缘。
8.根据权利要求6所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第二发光单元包括电极，所述导线在所述有源层的下面焊接至该电极。
9.根据权利要求4所述的半导体发光单元连接体，
其中，在所述第一发光单元中，所述第二半导体层位于所述电流供应层的与所述有源层相对的相对侧上，
其中，在所述第二发光单元中，所述第二半导体层位于所述电流供应层的与所述有源层相对的相对侧上，并且
其中，所述第一发光单元的所述第一半导体层和所述第二发光单元的所述第一半导体层在去除生长基板之后与相应电流供应层电连接。
10.根据权利要求9所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第一发光单元的所述第二半导体层和所述第二发光单元的所述第二半导体层具有n型导电性。
11.根据权利要求5所述的半导体发光单元连接体，
其中，在所述第一发光单元中，所述第二半导体层位于所述电流供应层的与所述有源层相对的相对侧上，并且所述第二半导体层具有n型导电性，
其中，在所述第二发光单元中，所述第二半导体层位于所述电流供应层的与所述有源层相对的相对侧上，所述第二半导体层具有n型导电性，
其中，所述第一发光单元的所述第一半导体层和所述第二发光单元的所述第一半导体层在去除生长基板之后与相应电流供应层电连接，并且
其中，所述第二发光单元包括电极，导线在所述有源层的下面焊接至该电极。
12.根据权利要求7所述的半导体发光单元连接体，
其中，在所述第一发光单元中，所述第二半导体层位于所述电流供应层的与所述有源层相对的相对侧上，并且所述第二半导体层具有n型导电性，
其中，在所述第二发光单元中，所述第二半导体层位于所述电流供应层的与所述有源层相对的相对侧上，所述第二半导体层具有n型导电性，
其中，所述第一发光单元的所述第一半导体层和所述第二发光单元的所述第一半导体层在去除生长基板之后与相应电流供应层电连接，并且
其中，所述第二发光单元包括电极，所述导线在所述有源层的下面焊接至该电极。
13.根据权利要求5所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元通过两条导线电连接至外部。
14.根据权利要求6所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元通过所述第一发光单元的所述导电部分和所述第二发光单元的所述导电部分电连接至外部。
15.根据权利要求13所述的半导体发光单元连接体，所述半导体发光单元连接体还包括：
第三发光单元，该第三发光单元具有和所述第一发光单元相同的构造，并且该第三发光单元通过导线电连接至所述第二发光单元。
16.根据权利要求14所述的半导体发光单元连接体，所述半导体发光单元连接体还包括：
第三发光单元，该第三发光单元具有和所述第二发光单元相同的构造，并且该第三发光单元通过导线电连接至所述第一发光单元。
17.根据权利要求15所述的半导体发光单元连接体，所述半导体发光单元连接体还包括：
第四发光单元，该第四发光单元具有和所述第二发光单元相同的构造，并且该第四发光单元通过导线电连接至所述第三发光单元。
18.根据权利要求16所述的半导体发光单元连接体，所述半导体发光单元连接体还包括：
第四发光单元，该第四发光单元具有和所述第一发光单元相同的构造，并且该第四发光单元通过导线电连接至所述第二发光单元。
19.根据权利要求5所述的半导体发光单元连接体，所述半导体发光单元连接体还包括：
导电线路，该导电线路用于将所述第一发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的另一个与所述第二发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的另一个电连接，
其中，所述电气通道连接至AC电源的（+）侧和（-）侧中的一个，而所述导电线路连接至所述AC电源的（+）侧和（-）侧中的另一个。
20.根据权利要求19所述的半导体发光单元连接体，其中，所述第一发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的所述另一个通过导线与所述导电线路连接，并且其中，所述第二发光单元中的所述第一半导体层和所述第二半导体层中的所述另一个通过导线与所述导电线路连接。
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