WO2012126735A1 - Licht emittierendes halbleiterbauteil - Google Patents

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semiconductor
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Matthias Sabathil
Andreas PLÖSSL
Hans-Jürgen LUGAUER
Alexander Linkov
Patrick Rode
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Definitions

  • the light-emitting device comprises
  • the first semiconductor body is deposited epitaxially on a growth carrier.
  • the first semiconductor body is based, for example, on a nitride compound semiconductor material.
  • the first semiconductor body comprises at least one active zone in which the light-emitting device is in operation
  • the electromagnetic radiation generated in the at least one active zone leaves the first
  • the radiation exit surface is
  • the first semiconductor body for example, around at least a part of a main surface of the first semiconductor body.
  • Semiconductor component is mounted, is arranged facing away.
  • the first one is
  • the light-emitting device comprises
  • Radiation exit surface leaves, at least partially in electromagnetic radiation of larger wavelength
  • the second semiconductor body is suitable for so-called “down-conversion".
  • the second semiconductor body acts due to its natural
  • the second semiconductor body has at least one pn junction
  • the second semiconductor body can also be produced, for example, by means of epitaxial growth of the second semiconductor body onto a growth carrier.
  • the first semiconductor body and the second semiconductor body are produced separately from one another. That is, the second semiconductor body is not in particular epitaxially grown on the radiation exit surface of the first semiconductor body. Instead, the first semiconductor body and the second semiconductor body can be produced separately from one another, for example epitaxially, and then connected to one another.
  • a feature according to which the first semiconductor body and the second semiconductor body are manufactured separately from one another is an objective feature that can be detected on the finished light-emitting semiconductor component. That is, the semiconductor light-emitting device is uniquely susceptible to a semiconductor light-emitting device
  • the second semiconductor body is electrically inactive. That is, the generation of the converted
  • Electromagnetic radiation in the second semiconductor body is not due to an electrical pumping of the second semiconductor body, but the second semiconductor body is optically pumped by the electromagnetic radiation generated by the first semiconductor body during operation.
  • the light-emitting semiconductor device is therefore, for example, free of electrical connections, by means of which the second
  • Semiconductor body is contacted.
  • the second semiconductor body and the first semiconductor body are in direct contact
  • the second semiconductor body is, for example, in direct contact with the second semiconductor body
  • “Luting agent-free” means that no bonding agent such as an adhesive or a so-called “index matching gel” is disposed between the first semiconductor body and the second semiconductor body.
  • the adhesion between the first semiconductor body and the second semiconductor body is in particular by hydrogen bonding and / or van der Waals interaction in the region of the interface between the first semiconductor body and the second semiconductor body
  • connection between the first semiconductor body and the second semiconductor body is mechanically stable. If necessary, it is possible that the connection can not be solved nondestructively. That is, upon release of the connection, at least one of the two semiconductor bodies would be damaged or destroyed. This is the case, for example, when the compound is a strong chemical bond
  • the light-emitting device comprises
  • Electromagnetic radiation at least partially passes through a radiation exit surface.
  • emitting semiconductor device further comprises a second Semiconductor body, which is suitable for the conversion of electromagnetic radiation into converted electromagnetic radiation of a larger wavelength.
  • the first semiconductor body and the second semiconductor body are manufactured separately, the second semiconductor body is electrically inactive and the second semiconductor body is in direct contact with the semiconductor body
  • Radiation exit surface of the pump source is formed. This allows the light coupling in the converter and the
  • the semiconductor light-emitting device is suitable for highly efficient conversion and thus for the production of polychromatic or monochromatic light.
  • the high efficiency results in particular from a minimization of Stokes losses
  • the second semiconductor body is used as the converter. Since a semiconductor body has a high
  • the semiconductor body can very be thin.
  • the light-emitting semiconductor component described here is therefore characterized by a particularly small height and is therefore particularly well suited for the direct backlighting of image-giving elements such as LCD panels.
  • connection between the first semiconductor body and the second semiconductor body may be covalent or ionic.
  • the removal of the heat loss from the second semiconductor body by the first semiconductor body is by minimizing the thermal resistances between the first
  • Semiconductor body maximizes the heat transfer from the second semiconductor body to the first semiconductor body. Since the first semiconductor body can be connected, for example, to a heat sink, the heat loss that is generated during the conversion can be optimally dissipated from the second semiconductor body.
  • the direct connection between the first semiconductor body and the second semiconductor body can even take place at room temperature, so that it is ensured that the strains do not lead to damage to the layer when the first and second semiconductor bodies are not thermally matched to one another.
  • the second semiconductor body as a converter further preferably has a significantly lower half-width than conventional, for example, ceramic converter, which may cause inter alia, lower Stokes losses.
  • a higher conversion efficiency for the production of warm white light is possible because in particular the required conversion of blue light to red light can be very narrowband.
  • the light-emitting semiconductor device described here can be further improved due to the improved heat dissipation
  • the light-emitting semiconductor component described here can produce colored light during operation, such as, for example, green, yellow or red light. Furthermore, it is possible for the light-emitting semiconductor component to generate white light during operation.
  • the first semiconductor body and the second semiconductor body can already be connected to one another at the wafer level, so that the simultaneous production of a multiplicity of light-emitting semiconductor components is possible. Furthermore, a coupling of light or
  • Semiconductor body can be maximized by, for example roughening the outer surface of the second semiconductor body facing away from the first semiconductor body.
  • the radiation exit surface and the outer surface of the second semiconductor body facing the radiation exit surface each have a mean roughness of at most 2 nm, in particular less than or equal to 1 nm, preferably less than or equal to 0.5 nm.
  • the mean roughness Rq is the root mean square of all profile values of the
  • RMS Roughness.
  • average roughness value RMS is also used for the average roughness value.
  • the first semiconductor body is based on a nitride compound semiconductor material.
  • “Based on nitride compound semiconductor material” means in
  • Nitride compound semiconductor material preferably
  • the first semiconductor body is for example
  • An electrical contacting of the first semiconductor body can, for example, of the second
  • At least one contact for connecting the first semiconductor body is arranged between the first semiconductor body and the second semiconductor body, or the second semiconductor body has at least one recess in which the at least one contact is on the outer surface of the first semiconductor body facing the second semiconductor body
  • Semiconductor body is arranged.
  • the second semiconductor body is based on an I I-VI compound semiconductor material.
  • Compound semiconductor material comprises at least one element of the second main group or the second subgroup such as Be, Mg, Ca, Sr, Zn, Cd, or Hg and
  • a II / VI compound semiconductor material comprises a binary, ternary or quaternary
  • Main group and at least one element from the sixth Main group includes.
  • quaternary compound may also include, for example, one or more dopants as well as additional ingredients
  • the II / VI compound semiconductor materials include: ZnO, ZnMgO, CdS, ZnCdS, MgBeO.
  • the material for the second semiconductor body may be, for example, the material system (ZnCdMg) (SSe). This material system is characterized by a very high radiant efficiency. Furthermore, a second
  • the second semiconductor body is based on an I I I-V compound semiconductor material.
  • the second semiconductor body is based on the material system (AlGaln) (NAsP).
  • a second semiconductor body of this material system is characterized by a high radiant efficiency and can be epitaxially deposited with atomically smooth surfaces over a large area on a growth carrier, for example of GaAs or InP.
  • the second semiconductor body has a thickness of at most 6 ⁇ , in particular at most 3 ⁇ , preferably at most 1.5 ⁇ . Such a small thickness is especially possible because of the high absorption constants of semiconductor conversion layers. In this way, the overall height of the finished light-emitting
  • the first semiconductor body is formed
  • the growth carrier can consist of silicon.
  • the growth carrier is a layer of
  • Silicon comprises, wherein an outer surface of this layer forms the growth surface.
  • polish quality exploited by silicon surfaces After the wet-chemical detachment of the growth carrier, ie in particular the silicon surface, from the first semiconductor body, the outer surface of the first semiconductor body originally facing the growth carrier can be used directly for connection to the second semiconductor body, since this outer surface of the semiconductor body first semiconductor body as a replica of the very smooth
  • Silicon surface is to be considered. That is, the atomically smooth silicon surface is transferred by means of the method on the outer surface of the first semiconductor body, which then for joining the first and the second
  • Semiconductor body at its the wax surface originally facing outer surface which comprises the radiation exit surface, connected to the second semiconductor body.
  • the growth surface of the growth support preferably itself has a mean roughness of at most 2 nm, in particular at most 1 nm, preferably at most 0.5 nm, which is transferred to the outer surface of the first semiconductor body.
  • the second semiconductor body is deposited epitaxially on a growth carrier by means of molecular beam epitaxy (MBE) and is connected to the first semiconductor body with its outer surface facing away from the growth carrier.
  • MBE molecular beam epitaxy
  • the growth carrier for the second semiconductor body may be
  • the growth support is formed with one of these materials.
  • Molecular beam epitaxy can produce smooth outer surfaces. Furthermore, it is possible that the outer surface is smoothed prior to joining the two semiconductor body, for example, by polishing or chemical polishing.
  • the growth carrier for the second semiconductor body has an average roughness of at most 2 nm, in particular at most 1 nm, preferably at most 0.5 nm, at its outer surface facing the second semiconductor body.
  • Growing surface of GaAs, Ge or InP can be used.
  • Semiconductor body preferably in an inert atmosphere or in a vacuum, in particular in the ultra-high vacuum.
  • FIGS. 1A to 1G show different method steps of one here
  • the figure IG shows a
  • FIG. 2 shows a schematic diagram for explaining the invention.
  • a first method step is one here
  • the first semiconductor body 1 is based on a nitride compound semiconductor material, in particular on an indium-containing nitride compound semiconductor material.
  • the growth support 10 comprises a growth surface 10a formed with silicon. That is, the first one
  • Semiconductor body 1 is epitaxially deposited on a silicon surface.
  • the growth surface 10a is characterized by its smooth surface and has a
  • the active zone 11 is suitable for generating electromagnetic radiation in the spectral range between UV radiation and blue light.
  • the semiconductor body 1 with its side facing away from the growth carrier 10 is applied to a carrier 12 and fastened there, for example, with the connection means 13, for example a solder.
  • the carrier 12 may be
  • the carrier 12 for example, be a metallic, ceramic or semiconductive carrier.
  • the carrier 12 is formed with copper, a ceramic material such as alumina, or a semiconductive material such as germanium.
  • the carrier 12 can also be a connection carrier such as a printed circuit board.
  • Peeling is preferably carried out wet-chemically by means of etching.
  • the topography of the very smooth growth surface 10a is due to this method facing away from the carrier 12
  • a second semiconductor body 2 is provided in addition to the semiconductor body 1 prepared in this way.
  • the second semiconductor body 2 is
  • the growth support 20 is, for example, a substrate having a growth surface 20a formed with GaAs, Ge or InP.
  • the second semiconductor body 2 is grown, for example, by MBE.
  • Outer surface of the second semiconductor body 2 is therefore formed very smooth and has a center roughness of at most 0, 5 nm.
  • an intermediate layer 21 can be arranged between the growth carrier 20 and the second semiconductor body 2, which serves, for example, as an etching stop layer or sacrificial layer and is also produced epitaxially. Further, it is possible that in this process step under a protective atmosphere or in a vacuum cleaning and thus passivation of the exposed outer surfaces of the first
  • first semiconductor body 1 and the second semiconductor body 2 are mechanically fixed to one another
  • the second semiconductor body 2 is in direct contact with the radiation exit surface 1a of the first semiconductor body 1 and the connection between the two semiconductor bodies is free of connecting means, for
  • Example mediated by ionic forces or Van der Waals interaction In a further method step, FIG. 1F, the growth carrier 20 and optionally the intermediate layer 21 are detached from the second semiconductor body 2. A roughening of the outer surface of the second semiconductor body 2 facing away from the first semiconductor body 1 to a roughened surface 2a can take place during this detachment or subsequently, see FIG. By this structuring, the later light-emitting semiconductor device has an improved
  • Singulation along the dashed lines into individual light-emitting semiconductor components may take place from the side of the carrier 12 or from the side of the second semiconductor body 2.
  • Semiconductor component is characterized, inter alia, by the fact that the refractive index jump between the first
  • Semiconductor body 1 and second semiconductor body 2 can be selected relatively small. This leads to an increased
  • Refractive index of the first semiconductor body is 2.4 and the light-emitting semiconductor device in silicone
  • the left part of the column shows the efficiency for a cold white semiconductor device. As the figure 2 can be seen, the efficiency increases with increasing refractive index n2 of the second semiconductor body 2.
  • n2 2.4 and one

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Abstract

Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.

Description

Beschreibung
Licht emittierendes Halbleiterbauteil Die Druckschrift EP 0486052 AI beschreibt ein Licht
emittierendes Halbleiterbauteil.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Licht
emittierendes Halbleiterbauteil anzugeben, das eine
verbesserte Effizienz der Lichterzeugung aufweist.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils umfasst das Licht emittierende
Halbleiterbauteil einen ersten Halbleiterkörper. Der erste Halbleiterkörper ist beispielsweise epitaktisch auf einen Aufwachsträger abgeschieden. Der erste Halbleiterkörper basiert dabei beispielsweise auf einem Nitrid-Verbindungs- Halbleitermaterial . Der erste Halbleiterkörper umfasst zumindest eine aktive Zone, in der im Betrieb des Licht emittierenden
Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Bei der elektromagnetischen Strahlung kann es sich
beispielsweise um UV-Strahlung und/oder sichtbares Licht handeln. Die in der zumindest einen aktiven Zone erzeugte elektromagnetische Strahlung verlässt den ersten
Halbleiterkörper zumindest teilweise durch eine
Strahlungsaustrittsfläche . Bei der Strahlungsaustrittsfläche handelt es sich
beispielsweise um zumindest einen Teil einer Hauptfläche des ersten Halbleiterkörpers. Beispielsweise ist die
Strahlungsaustrittsfläche durch diejenige Außenfläche des Halbleiterkörpers gebildet, welche einem Anschlussträger oder einer Leiterplatte, auf der das Licht emittierende
Halbleiterbauteil montiert ist, abgewandt angeordnet ist. Beispielsweise handelt es sich bei dem ersten
Halbleiterkörper um eine Leuchtdiode.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils umfasst das Licht emittierende
Halbleiterbauteil einen zweiten Halbleiterkörper, der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung, welche in der zumindest einen aktiven Zone des ersten Halbleiterkörpers erzeugt wird, geeignet ist. Dabei wird die elektromagnetische Strahlung, welche den ersten Halbleiterkörper durch die
Strahlungsaustrittsfläche verlässt, zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung größerer Wellenlänge
konvertiert. Das heißt, der zweite Halbleiterkörper ist zur so genannten "down-conversion" geeignet. Beispielsweise wirkt der zweite Halbleiterkörper aufgrund seiner natürlichen
Bandlücke als Konverter. Es ist jedoch auch möglich, dass der zweite Halbleiterkörper zumindest einen pn-Übergang,
zumindest eine Quantentopfstruktur oder zumindest eine
Mehrfachquantentopfstruktur umfasst, welche von der im ersten Halbleiterkörper erzeugten elektromagnetischen Strahlung optisch gepumpt wird.
Auch der zweite Halbleiterkörper kann beispielsweise mittels epitaktischen Aufwachsens des zweiten Halbleiterkörpers auf einen Aufwachsträger hergestellt sein. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils sind der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper getrennt voneinander gefertigt. Das heißt, der zweite Halbleiterkörper wird insbesondere nicht epitaktisch auf die Strahlungsaustrittsfläche des ersten Halbleiterkörpers aufgewachsen. Vielmehr können der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper getrennt voneinander, beispielsweise epitaktisch, hergestellt werden und anschließend miteinander verbunden werden. Bei dem
Merkmal, wonach der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper getrennt voneinander gefertigt sind, handelt es sich um ein gegenständliches Merkmal, das am fertigen Licht emittierenden Halbleiterbauteil nachweisbar ist. Das heißt, das Licht emittierende Halbleiterbauteil ist eindeutig von einem Licht emittierenden Halbleiterbauteil zu
unterscheiden, bei dem der zweite Halbleiterkörper
epitaktisch auf dem ersten Halbleiterkörper aufgewachsen ist. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils ist der zweite Halbleiterkörper elektrisch inaktiv. Das heißt, die Erzeugung der konvertierten
elektromagnetischen Strahlung im zweiten Halbleiterkörper erfolgt nicht aufgrund eines elektrischen Pumpens des zweiten Halbleiterkörpers, sondern der zweite Halbleiterkörper wird durch die vom ersten Halbleiterkörper im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung optisch gepumpt. Das Licht emittierende Halbleiterbauteil ist daher beispielsweise frei von elektrischen Anschlüssen, mittels denen der zweite
Halbleiterkörper kontaktiert wird.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils befinden sich der zweite Halbleiterkörper und der erste Halbleiterkörper in direktem Kontakt
miteinander. Das heißt, der zweite Halbleiterkörper befindet sich beispielsweise in direktem Kontakt mit der
Strahlungsaustrittsfläche des ersten Halbleiterkörpers und ist dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper befestigt .
"Verbindungsmittelfrei" heißt, dass kein Verbindungsmittel wie beispielsweise ein Klebstoff oder ein so genanntes "Index Matching Gel" zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet ist. Die Haftung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper wird insbesondere durch Wasserstoffbrücken und/oder Van-der- Waals-Wechselwirkung im Bereich der Schnittstelle zwischen erstem Halbleiterkörper und zweitem Halbleiterkörper
vermittelt. Mit anderen Worten sind der erste
Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper über so genanntes "direktes Bonden" aneinander befestigt.
Die Verbindung zwischen erstem Halbleiterkörper und zweitem Halbleiterkörper ist mechanisch stabil. Gegebenenfalls ist es möglich, dass die Verbindung nicht zerstörungsfrei gelöst werden kann. Das heißt, bei einem Lösen der Verbindung würde zumindest einer der beiden Halbleiterkörper beschädigt oder zerstört werden. Dies ist zum Beispiel der Fall, wenn es sich bei der Verbindung um eine starke chemische Bindung
beziehungsweise eine primäre chemische Bindung handelt. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils umfasst das Licht emittierende
Halbleiterbauteil einen ersten Halbleiterkörper, der eine aktive Zone umfasst, in der im Betrieb des Licht
emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Die im ersten Halbleiterkörper erzeugte
elektromagnetische Strahlung tritt zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche hindurch. Das Licht
emittierende Halbleiterbauteil umfasst weiter einen zweiten Halbleiterkörper, der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung größerer Wellenlänge geeignet ist. Bei einem Licht
emittierenden Halbleiterbauteil dieser Aus führungs form sind der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper getrennt voneinander gefertigt, der zweite Halbleiterkörper ist elektrisch inaktiv und der zweite Halbleiterkörper befindet sich in direktem Kontakt mit der
Strahlungsaustrittsfläche und ist dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper befestigt.
Beim vorliegenden Licht emittierenden Halbleiterbauteil ist es insbesondere möglich, dass keine Zwischenschicht vorhanden ist, welche die optische, thermische und mechanische
Verbindung zwischen der Pumpquelle, also dem ersten
Halbleiterkörper, und dem Konverter, also dem zweiten
Halbleiterkörper, vermittelt. Vielmehr wird der Konverter direkt auf die Pumpquelle derart aufgebracht, dass dadurch eine chemische Bindung zwischen dem Konverter und der
Strahlungsaustrittsfläche der Pumpquelle entsteht. Dadurch können die Lichteinkopplung in den Konverter sowie die
Wärmeanbindung zwischen Konverter und Pumpquelle deutlich verbessert werden. Auf diese Weise ist das Licht emittierende Halbleiterbauteil zur hocheffizienten Konversion und damit zur Erzeugung von polychromatischem oder monochromatischem Licht geeignet. Die hohe Effizienz ergibt sich insbesondere durch eine Minimierung von Stokes-Verlusten,
Konverterüberhitzung und Ein- beziehungsweise
AuskoppelVerlusten .
Vorliegend kommt als Konverter der zweite Halbleiterkörper zum Einsatz. Da ein Halbleiterkörper eine hohe
Absorptionskonstante aufweist, kann der Halbleiterkörper sehr dünn ausgebildet sein. Das hier beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauteil zeichnet sich daher auch durch eine besonders kleine Bauhöhe aus und eignet sich daher besonders gut zur direkten Hinterleuchtung von Bild gebenden Elementen wie beispielsweise LCD-Panels.
Die Verbindung zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper kann kovalent oder ionisch sein. Das Abführen der Verlustwärme aus dem zweiten Halbleiterkörper durch den ersten Halbleiterkörper ist durch eine Minimierung der thermischen Widerstände zwischen dem ersten
Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper minimiert. Die unmittelbare Ankopplung durch starke chemische Bindungen zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten
Halbleiterkörper maximiert den Wärmeübergang vom zweiten Halbleiterkörper zum ersten Halbleiterkörper. Da der erste Halbleiterkörper beispielsweise an eine Wärmesenke angebunden sein kann, kann die Verlustwärme, welche bei der Konversion erzeugt wird, optimal aus dem zweiten Halbleiterkörper abgeführt werden.
Die direkte Verbindung zwischen erstem Halbleiterkörper und zweitem Halbleiterkörper kann dabei sogar bei Raumtemperatur erfolgen, sodass gewährleistet ist, dass die Verspannungen bei thermisch nicht aneinander angepassten erstem und zweitem Halbleiterkörper nicht zur Schichtschädigung führen.
Ferner ermöglicht die Verwendung eines zweiten
Halbleiterkörpers als Konverter den Einsatz von Konvertern, welche im Wesentlichen den gleichen optischen Brechungsindex wie der erste Halbleiterkörper aufweisen. Damit erfolgt die Konversion hocheffizient durch direkte Einkopplung der elektromagnetischen Strahlung in den Konverter ohne zwischenliegende, Verlust behaftete
Verbindungsmittelschichten, welche keine Konversionswirkung aufweisen .
Der zweite Halbleiterkörper als Konverter weist ferner bevorzugt eine deutlich geringere Halbwertsbreite als herkömmliche, zum Beispiel keramische Konverter, auf, was unter anderem geringere Stokes-Verluste bewirken kann. Damit ist beispielsweise eine höhere Konversionseffizienz für die Erzeugung von warmweißem Licht möglich, da insbesondere die dazu erforderliche Konversion von blauem Licht zu rotem Licht sehr schmalbandig erfolgen kann. Der in der Regel
verlustreiche langwellige Anteil des konvertierten Lichts wird damit minimiert.
Das hier beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauteil kann aufgrund der verbesserten Wärmeabfuhr ferner
hochstromtauglich sein, da thermisch schlecht leitende
Matrixmaterialien, in welchen Konversionsmaterialien
üblicherweise angeordnet sind, entfallen.
Das hier beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauteil kann dabei im Betrieb farbiges Licht, wie beispielsweise grünes, gelbes oder rotes Licht, erzeugen. Ferner ist es möglich, dass das Licht emittierende Halbleiterbauteil im Betrieb weißes Licht erzeugt.
Der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper können beispielsweise bereits auf Waferebene miteinander verbunden werden, sodass die gleichzeitige Herstellung einer Vielzahl von Licht emittierenden Halbleiterbauteilen möglich ist . Ferner kann eine Auskopplung von Licht oder
elektromagnetischer Strahlung aus dem zweiten
Halbleiterkörper durch beispielsweise Aufrauung der dem ersten Halbleiterkörper abgewandten Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers maximiert werden.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils weisen die Strahlungsaustrittsfläche und die der Strahlungsaustrittsfläche zugewandte Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers jeweils einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere kleiner gleich 1 nm, bevorzugt kleiner gleich 0,5 nm auf. Der Mittenrauwert Rq ist dabei der quadratische Mittelwert aller Profilwerte des
Rauheitsprofils. Für den Mittenrauwert wird dabei auch die Bezeichnung RMS verwendet. Vorliegend sind die beiden
Außenflächen des ersten Halbleiterkörpers und des zweiten Halbleiterkörpers, an denen der erste Halbleiterkörper und der zweite Halbleiterkörper miteinander verbunden werden, also besonders glatt ausgebildet. Vorzugsweise ist der
Mittenrauwert zumindest einer der beiden zugewandten
Oberflächen wesentlich kleiner als 0,5 nm, zum Beispiel 0,2 nm oder kleiner.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils basiert der erste Halbleiterkörper auf einem Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial . "Auf Nitrid- Verbindungs-Halbleitermaterial basierend" bedeutet im
vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest die aktive Zone und/oder der Aufwachssubstratwafer, ein
Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial , vorzugsweise
AlnGamIn]__n_mN aufweist oder aus diesem besteht, wobei 0 < n < 1, 0 < m < 1 und n+m < 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile
aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (AI, Ga, In, N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Der erste Halbleiterkörper ist dabei beispielsweise
epitaktisch hergestellt, wobei das Aufwachssubstrat vom ersten Halbleiterkörper entfernt ist.
Eine elektrische Kontaktierung des ersten Halbleiterkörpers kann dabei beispielsweise von der dem zweiten
Halbleiterkörper abgewandten Seite her erfolgen. Ferner ist es möglich, dass zumindest ein Kontakt zum Anschließen des ersten Halbleiterkörpers zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet ist oder der zweite Halbleiterkörper zumindest eine Aussparung aufweist, in welcher der zumindest eine Kontakt auf der dem zweiten Halbleiterkörper zugewandten Außenfläche des ersten
Halbleiterkörpers angeordnet ist.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils basiert der zweite Halbleiterkörper auf einem I I-VI-Verbindungs-Halbleitermaterial . Ein II/VI-
Verbindungs-Halbleitermaterial weist wenigstens ein Element aus der zweiten Hauptgruppe oder der zweiten Nebengruppe, wie beispielsweise Be, Mg, Ca, Sr, Zn, Cd, oder Hg und ein
Element aus der sechsten Hauptgruppe, wie beispielsweise 0, S, Se, Te auf. Insbesondere umfasst ein II/VI-Verbindungs- Halbleitermaterial eine binäre, ternäre oder quaternäre
Verbindung, die wenigstens ein Element aus der zweiten
Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der sechsten Hauptgruppe umfasst. Eine solche binäre, ternäre oder
quaternäre Verbindung kann zudem beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile
aufweisen. Beispielsweise gehören zu den II/VI-Verbindungs- Halbleitermaterialien: ZnO, ZnMgO, CdS, ZnCdS, MgBeO.
Beim Material für den zweiten Halbleiterkörper kann es sich beispielsweise um das Materialsystem (ZnCdMg) (SSe) handeln. Dieses Materialsystem zeichnet sich durch eine sehr hohe strahlende Effizienz aus. Ferner kann ein zweiter
Halbleiterkörper aus diesem Material epitaktisch mit atomar glatten Oberflächen auf ein Aufwachssubstrat abgeschieden werden. Ein Konverter, der auf diesem Materialsystem basiert, ist beispielsweise in der Druckschrift Appl . Phys . Lett. 96, 231116, 2010 beschrieben. Diese Druckschrift wird hiermit ausdrücklich durch Rückbezug mit aufgenommen.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils basiert der zweite Halbleiterkörper auf einem I I I-V-Verbindungs-Halbleitermaterial . Beispielsweise basiert der zweite Halbleiterkörper auf dem Materialsystem (AlGaln) (NAsP) .
Auch ein zweiter Halbleiterkörper aus diesem Materialsystem zeichnet sich durch eine hohe strahlende Effizienz aus und kann epitaktisch mit atomar glatten Oberflächen großflächig auf einem Aufwachsträger, beispielsweise aus GaAs oder InP, abgeschieden werden. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Licht emittierenden Halbleiterbauteils weist der zweite Halbleiterkörper eine Dicke von höchstens 6 μπι, insbesondere höchstens 3 μπι, bevorzugt höchstens 1,5 μπι auf. Eine so geringe Dicke ist insbesondere aufgrund der hohen Absorptionskonstanten von Halbleiterkonversionsschichten möglich. Auf diese Weise kann die Bauhöhe des fertigen Licht emittierenden
Halbleiterbauteils sehr gering ausfallen, da der zweite
Halbleiterkörper diese Bauhöhe kaum erhöht.
Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils angegeben.
Vorzugsweise kann mittels des Verfahrens ein hier
beschriebenes Licht emittierendes Halbleiterbauteil
hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das Licht emittierende Halbleiterbauteil beschriebenen Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens wird in einem Verfahrensschritt der erste Halbleiterkörper
epitaktisch auf eine mit Silizium gebildete Aufwachsfläche eines Aufwachsträgers abgeschieden. Beispielsweise kann der Aufwachsträger dabei aus Silizium bestehen. Es ist jedoch auch möglich, dass der Aufwachsträger eine Schicht aus
Silizium umfasst, wobei eine Außenfläche dieser Schicht die Aufwachsfläche bildet.
Gemäß einem weiteren Verfahrensschritt wird der
Aufwachsträger mittels Ätzens vom ersten Halbleiterkörper abgelöst. Das heißt, ein Ablösen des Aufwachsträgers erfolgt insbesondere nasschemisch. Dabei wird die sehr gute
Politurqualität von Silizium-Oberflächen ausgenutzt. Nach dem nasschemischen Ablösen des Aufwachsträgers, also insbesondere der Silizium-Oberfläche, vom ersten Halbleiterkörper kann die dem Aufwachsträger ursprünglich zugewandte Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers direkt zum Verbinden mit dem zweiten Halbleiterkörper benutzt werden, da diese Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers als Replika der sehr glatten
Silizium-Oberfläche anzusehen ist. Das heißt, die atomar glatte Silizium-Oberfläche wird mittels des Verfahrens auf die Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers übertragen, welche dann zum Fügen des ersten und des zweiten
Halbleiterkörpers zur Verfügung steht.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird der erste
Halbleiterkörper an seiner der Aufwachsfläche ursprünglich zugewandten Außenfläche, welche die Strahlungsaustrittsfläche umfasst, mit dem zweiten Halbleiterkörper verbunden.
Bei dem Verfahren ist es daher ohne weitere
Verfahrensschritte zur Behandlung der Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers möglich, dass die Strahlungsaustrittsfläche einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere
höchstens 1 nm, bevorzugt höchstens 0,5 nm aufweist. Dazu weist die Aufwachsfläche des Aufwachsträgers vorzugsweise selbst einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere höchstens 1 nm, bevorzugt höchstens 0,5 nm auf, der auf die Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers übertragen wird.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens ist der zweite Halbleiterkörper mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) epitaktisch auf einen Aufwachsträger abgeschieden und wird mit seiner dem Aufwachsträger abgewandten Außenfläche mit dem ersten Halbleiterkörper verbunden. Bei dem Aufwachsträger für den zweiten Halbleiterkörper kann es sich dabei
beispielsweise um einen Aufwachsträger mit einer
Aufwachsfläche aus GaAs, Ge oder InP handeln. Zum Beispiel ist der Aufwachsträger mit einem dieser Materialien gebildet. Bei der Molekularstrahlepitaxie können glatte Außenflächen erzeugt werden. Ferner ist es möglich, dass die Außenfläche vor dem Fügen der beiden Halbleiterkörper beispielsweise durch Polieren oder chemisches Polieren geglättet wird.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Verfahrens weist der Aufwachsträger für den zweiten Halbleiterkörper an seiner dem zweiten Halbleiterkörper zugewandten Außenfläche einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere höchstens 1 nm, bevorzugt höchstens 0,5 nm auf. Der Aufwachsträger wird nach dem Abscheiden des zweiten Halbleiterkörpers vom zweiten Halbleiterkörper abgelöst und der zweite Halbleiterkörper wird mit seiner dem Aufwachsträger zugewandten Außenfläche mit dem ersten Halbleiterkörper verbunden. Dabei kann
beispielsweise die sehr gute Politurqualität einer
Aufwachsfläche aus GaAs, Ge oder InP genutzt werden.
Die zum Fügen von erstem und zweitem Halbleiterkörper
benötigte saubere Oberfläche kann in situ, also
beispielsweise im Epitaxiereaktor, erzeugt werden.
Zum Beispiel kann ein Zerstäuben von Adsorbat und
Kontaminationsschichten auf den zum Fügen bestimmten
Oberflächen durch Sputtern oder Ionenbeschuss , insbesondere mit Argon-Ionen, erfolgen. Ferner ist eine Reinigung durch thermische Desorption und/oder durch UV-induzierte Desorption möglich. Um die mittels des Reinigungsschrittes aktivierten Oberflächen vor Repassivierung zu schützen, erfolgt das Fügen zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten
Halbleiterkörper vorzugsweise in inerter Atmosphäre oder im Vakuum, insbesondere im Ultrahoch-Vakuum.
Es kann zusätzlich noch eine Mesa-Ätzung oder Texturierung der dem ersten Halbleiterkörper abgewandten Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers erfolgen, was zu einer verbesserten Auskoppeleffizienz führt.
Im Folgenden werden das hier beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauteil sowie das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen mit zugehörigen Figuren erläutert .
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Die schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 1A bis IG zeigen verschiedene Verfahrensschritte eines hier
beschriebenen Verfahrens. Die Figur IG zeigt eine
schematische Schnittdarstellung einer Vielzahl von hier beschriebenen Licht emittierenden Halbleiterbauteilen.
Die Figur 2 zeigt eine schematische grafische Darstellung zur Erläuterung der Erfindung.
In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 1A ist ein erster Verfahrensschritt eines hier
beschriebenen Verfahrens näher erläutert. In diesem ersten Verfahrensschritt wird ein erster Halbleiterkörper 1
epitaktisch auf die Aufwachsfläche 10a eines Aufwachsträgers 10 abgeschieden. Der erste Halbleiterkörper 1 basiert auf einem Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial , insbesondere auf einem indiumhaltigen Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial . Der Aufwachsträger 10 umfasst eine Aufwachsfläche 10a, die mit Silizium gebildet ist. Das heißt, der erste
Halbleiterkörper 1 wird epitaktisch auf eine Silizium- Oberfläche abgeschieden. Die Aufwachsfläche 10a zeichnet sich durch ihre glatte Oberfläche auf und weist einen
Mittenrauwert von höchstens 2 nm, insbesondere höchstens 1 nm, bevorzugt höchstens 0,5 nm auf.
Im Betrieb des herzustellenden Licht emittierenden
Halbleiterbauteils ist die aktive Zone 11 zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung im Spektralbereich zwischen UV- Strahlung und blauem Licht geeignet.
In einem nachfolgenden Verfahrensschritt, siehe Figur 1B, wird der Halbleiterkörper 1 mit seiner dem Aufwachsträger 10 abgewandten Seite auf einen Träger 12 aufgebracht und dort beispielsweise mit dem Verbindungsmittel 13, zum Beispiel einem Lot, befestigt. Bei dem Träger 12 kann es sich
beispielsweise um einen metallischen, keramischen oder halbleitenden Träger handeln. Zum Beispiel ist der Träger 12 mit Kupfer, einem keramischen Material wie Aluminiumoxid oder einem halbleitenden Material wie Germanium gebildet. Ferner kann es sich beim Träger 12 auch um einen Anschlussträger wie eine Leiterplatte handeln.
Im nächsten Verfahrensschritt, Figur IC, wird der
Aufwachsträger 10 vom Halbleiterkörper 1 abgelöst. Das
Ablösen erfolgt vorzugsweise nasschemisch mittels Ätzen. Die Topografie der sehr glatten Aufwachsfläche 10a ist bedingt durch dieses Verfahren auf die dem Träger 12 abgewandte
Außenfläche des ersten Halbleiterkörpers 1 übertragen. Diese Außenfläche bildet später die Strahlungsaustrittsfläche la des Halbleiterkörpers 1. Im nächsten Verfahrensschritt wird zusätzlich zum derart präparierten Halbleiterkörper 1 ein zweiter Halbleiterkörper 2 bereitgestellt. Der zweite Halbleiterkörper 2 ist
beispielsweise epitaktisch auf die Aufwachsfläche 20a eines Aufwachsträgers 20 aufgebracht. Bei dem Aufwachsträger 20 handelt es sich beispielsweise um ein Substrat mit einer Aufwachsfläche 20a, die mit GaAs, Ge oder InP gebildet ist. Der zweite Halbleiterkörper 2 ist beispielsweise mittels MBE aufgewachsen. Die dem Aufwachsträger 20 abgewandte
Außenfläche des zweiten Halbleiterkörper 2 ist daher sehr glatt ausgebildet und weist einen Mittenrauwert von höchstens 0 , 5 nm auf . Optional kann zwischen dem Aufwachsträger 20 und dem zweiten Halbleiterkörper 2 eine Zwischenschicht 21 angeordnet sein, die beispielsweise als Ätzstoppschicht oder Opferschicht dient und ebenfalls epitaktisch hergestellt ist. Weiter ist es möglich, dass in diesem Verfahrensschritt unter Schutzatmosphäre oder im Vakuum eine Reinigung und damit Passivierung der freiliegenden Außenflächen vom ersten
Halbleiterkörper 1 und zweiten Halbleiterkörper 2 erfolgt. In Verbindung mit der Figur IE ist ein Fügeschritt
beschrieben, bei dem der erste Halbleiterkörper 1 und der zweite Halbleiterkörper 2 mechanisch fest miteinander
verbunden werden. Der zweite Halbleiterkörper 2 steht dabei in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittsfläche la des ersten Halbleiterkörpers 1 und die Verbindung zwischen den beiden Halbleiterkörpern ist verbindungsmittelfrei, zum
Beispiel vermittelt durch ionische Kräfte oder Van-der-Waals- WechselWirkung . In einem weiteren Verfahrensschritt, Figur 1F, werden der Aufwachsträger 20 und gegebenenfalls die Zwischenschicht 21 von dem zweiten Halbleiterkörper 2 abgelöst. Ein Aufrauen der dem ersten Halbleiterkörper 1 abgewandten Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers 2 zu einer aufgerauten Oberfläche 2a kann während dieses Ablösens oder nachfolgend erfolgen, siehe Figur IG. Durch diese Strukturierung weist das spätere Licht emittierende Halbleiterbauteil eine verbesserte
Lichtauskoppelkoeffizienz auf.
In einem nachfolgenden Verfahrensschritt erfolgt eine
Vereinzelung entlang der gestrichelten Linien in einzelne Licht emittierende Halbleiterbauteile. Eine Kontaktierung (nicht gezeigt) kann von der Seite des Trägers 12 her oder von der Seite des zweiten Halbleiterkörpers 2 her erfolgen.
Ein derart hergestelltes Licht emittierendes
Halbleiterbauteil zeichnet sich unter anderem dadurch aus, dass der Brechungsindexsprung zwischen erstem
Halbleiterkörper 1 und zweitem Halbleiterkörper 2 relativ klein gewählt werden kann. Dies führt zu einer erhöhten
Effizienz des Bauteils. Unter der Annahme, dass der
Brechungsindex des ersten Halbleiterkörpers 2,4 beträgt und das Licht emittierende Halbleiterbauteil in Silikon
verkapselt ist, das einen Brechungsindex von 1,5 aufweist, ist die relative Effizienz in der Figur 2 für
unterschiedliche Werte des Brechungsindex n2 des zweiten Halbleiterkörpers 2 grafisch aufgetragen. Der rechte Teil der Säulen zeigt dabei jeweils die Effizienz für ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil, das warmweißes Licht
emittiert, der linke Teil der Säule zeigt die Effizienz für ein kaltweißes Halbleiterbauteil. Wie der Figur 2 zu entnehmen ist, steigt die Effizienz mit steigendem Brechungsindex n2 des zweiten Halbleiterkörpers 2 an.
Beispielsweise für einen zweiten Halbleiterkörper, der mit ZnCdMgSe gebildet ist, ergibt sich n2=2,4 und eine
Effizienzsteigerung zwischen 8 und 10 %, je nachdem, ob kaltweißes oder warmweißes Licht erzeugt werden soll.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102011014845.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Licht emittierendes Halbleiterbauteil mit
- einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden
Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (la) hindurch verlässt, und
- einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte
elektromagnetische Strahlung größerer Wellenlänge geeignet ist, wobei
- der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite
Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und
- der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (la) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1)
befestigt ist.
2. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach dem
vorherigen Anspruch,
bei dem die Strahlungsaustrittsfläche (la) und die der
Strahlungsaustrittsfläche (la) zugewandte Außenfläche des zweiten Halbleiterkörpers (2) jeweils einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm aufweisen.
3. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der erste Halbleiterkörper (1) auf einen Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial basiert .
4. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der zweite Halbleiterkörper (2) auf einem II-VI Verbindungshalbleitermaterial basiert .
5. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach dem
vorherigen Anspruch,
bei dem der zweite Halbleiterkörper (2) auf dem
Materialsystem (ZnCdMg) (SSeTeO) basiert.
6. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der zweite Halbleiterkörper (2) auf einem III-V
Verbindungshalbleitermaterial basiert .
7. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach dem
vorherigen Anspruch,
bei dem der zweite Halbleiterkörper (2) auf dem
Materialsystem (AlGaln) (NAsP) basiert.
8. Licht emittierendes Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der zweite Halbleiterkörper (2) eine Dicke von höchstens 6 μπι aufweist.
9. Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei
- der erste Halbleiterkörper (1) epitaktisch auf eine mit Silizium gebildete Aufwachsfläche (10a) eines Aufwachsträgers (10) abgeschieden wird,
- der Aufwachsträger (10) mittels Ätzen vom ersten
Halbleiterkörper (1) abgelöst wird, und - der erste Halbleiterkörper (1) an seiner der Aufwachsfläche (10a) ursprünglich zugewandten Außenfläche, welche die
Strahlungsaustrittsfläche (la) umfasst, mit dem zweiten
Halbleiterkörper (2) verbunden wird.
10. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
wobei die Aufwachsfläche (10a) einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm aufweist.
11. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch,
wobei der zweite Halbleiterkörper (2), insbesondere mittels MBE, epitaktisch auf einen Aufwachsträger (20) abgeschieden wird und mit seiner dem Aufwachsträger (20) abgewandten
Außenfläche mit dem ersten Halbleiterkörper (1) verbunden wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11,
wobei der zweite Halbleiterkörper (2) auf einen mit GaAs, Ge oder InP gebildeten Aufwachsträger (20) epitaktisch
abgeschieden wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12,
wobei
- der Aufwachsträger (20) für den zweiten Halbleiterkörper (2) an seiner dem zweiten Halbleiterkörper (2) zugewandten
Außenfläche (20a) einen Mittenrauwert von höchstens 2 nm aufweist,
- der Aufwachsträger (20) nach dem Abscheiden des zweiten Halbleiterkörpers (2) vom zweiten Halbleiterkörper (2) abgelöst wird, und
- der zweite Halbleiterkörper (2) mit seiner dem
Aufwachsträger (20) zugewandten Außenfläche mit dem ersten Halbleiterkörper (1) verbunden wird.
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