WO2012108334A1 - アクティブマトリクス基板、ｘ線センサ装置、表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス基板、ｘ線センサ装置、表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012108334A1
WO2012108334A1 PCT/JP2012/052419 JP2012052419W WO2012108334A1 WO 2012108334 A1 WO2012108334 A1 WO 2012108334A1 JP 2012052419 W JP2012052419 W JP 2012052419W WO 2012108334 A1 WO2012108334 A1 WO 2012108334A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
active matrix
matrix substrate
line
substrate according
signal line
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/052419
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
芳啓 浅井
智 堀内
一順 光本
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US13/982,569 priority Critical patent/US8941185B2/en
Priority to CN201280007217.4A priority patent/CN103348474B/zh
Priority to JP2012556850A priority patent/JP5542973B2/ja
Publication of WO2012108334A1 publication Critical patent/WO2012108334A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Definitions

  • the present invention relates to an active matrix substrate having two signal lines extending in the same direction and arranged in this direction.
  • signal lines (reading lines or data lines) corresponding to the same pixel column may be divided into two to achieve high speed driving and load reduction (Patent Literature). 1).
  • the gap is reduced.
  • the gap is reduced, there is a problem that the two signal lines are easily short-circuited in the manufacturing process.
  • An object of the present invention is to suppress the occurrence of a short circuit between signal lines extending in the same direction in an active matrix substrate and arranged in this direction.
  • first and second signal lines extending in the column direction are arranged in the column direction, and the first signal line is connected to the first electrode through a first transistor, and the second signal line
  • the line is an active matrix substrate connected to the second electrode through the second transistor, and the first end located on the second signal line side of the both ends of the first signal line is the second signal line. It is characterized by including a tapered portion that becomes thinner as it approaches. With the above configuration, occurrence of a short circuit between the first and second signal lines can be suppressed.
  • the present invention it is possible to suppress the occurrence of a short circuit between signal lines extending in the same direction on the active matrix substrate and arranged in this direction.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line X-X ′ of FIG. 3.
  • FIG. 4 is a sectional view taken along line Y-Y ′ of FIG. 3.
  • It is a top view which shows the specific shape of a 1st and 2nd edge part.
  • It is a top view which shows the structural example (The periphery of both the 1st and 2nd edge part is a broken line) of a 1st and 2nd edge part.
  • FIG. 1 It is a top view which shows the structural example (The periphery of both the 1st and 2nd edge part is a curve) of the 1st and 2nd edge part. It is a top view which shows the modification of FIG. It is a top view which shows another modification of FIG. It is a top view which shows the structural example (only one peripheral edge of a 1st and 2nd edge part is a broken line) of a 1st and 2nd edge part. It is a top view which shows the structural example (only one peripheral edge of a 1st and 2nd edge part is a curve) of a 1st and 2nd edge part. It is a schematic diagram which shows the structure of the liquid crystal display device concerning this invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line X-X ′ of FIG. 15.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line Y-Y ′ of FIG. 15.
  • It is a top view which shows the modification of FIG. It is a top view which shows another modification of FIG. It is a top view which shows another modification of FIG.
  • Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 20 as follows.
  • the term “column direction (the direction perpendicular to the column direction is the row direction)” is used for convenience of description, and an X-ray sensor device or a liquid crystal display device is used.
  • the “column direction” may be the vertical direction or the horizontal direction.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the X-ray sensor device of Example 1
  • FIG. 2 is a plan view showing the configuration of a portion (part of the active matrix substrate) surrounded by a broken line in FIG. 3 is an enlarged view of a part of FIG. 2
  • FIG. 4 is a sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 3
  • FIG. 5 is a sectional view taken along the line YY ′ of FIG.
  • the X-ray sensor device 1s includes an active matrix substrate 3s, a gate driver GD, a first readout driver RD, a second readout driver rd, and a sensor control circuit SCC.
  • the active matrix substrate 3s is provided with a first region 10a on the upstream side in the scanning direction and a second region 10b on the downstream side in the scanning direction.
  • a plurality of readout lines including readout lines 14a
  • a plurality of scanning lines including the scanning line 16a
  • extending in the direction are arranged in the column direction (vertical direction in the figure), and extend in the column direction (scanning direction, vertical direction in the figure) in the second region 10b.
  • a plurality of readout lines (including the readout line 14b) are arranged in the row direction (horizontal direction in the figure), and a plurality of scanning lines (including the scanning line 16b) extending in the row direction are arranged in the column direction (vertical direction in the figure). Are lined up.
  • readout lines 14a and 14b provided corresponding to the same pixel column are arranged in the column direction (up and down in the figure), and the readout line 14a is a sensing pixel via a transistor 12a.
  • the readout line 14b is connected to the electrode 17a (first electrode) and the pixel line 17b (second electrode) for sensing via the transistor 12b.
  • the gate electrode 16ag of the transistor 12a is connected to the scanning line 16a (the most downstream scanning line of the first region 10a), and the source electrode 6a of the transistor 12a is connected to the readout line 14a.
  • the drain electrode 7a of the transistor 12a is connected to a drain lead electrode 27a that overlaps the storage capacitor line 18a, and the drain lead electrode 27a is connected to the pixel electrode 17a through the contact hole 11a.
  • the gate electrode 16bg of the transistor 12b is connected to the scanning line 16b (the uppermost scanning line in the second region 10b), the source electrode 6b of the transistor 12b is connected to the readout line 14b, and the drain electrode 7b of the transistor 12b is
  • the drain lead electrode 27b overlaps the storage capacitor line 18b, and the drain lead electrode 27b is connected to the pixel electrode 17b through the contact hole 11b.
  • a gate metal including the storage capacitor wiring 18b and the gate electrode 16bg of the transistor 12b is formed on the glass substrate 31, and the gate insulating film covers the gate metal. 21 are formed, and semiconductor layers 24b, 24A, and 24B, read lines 14a and 14b, a drain lead electrode 27b, and a source metal including a source electrode and a drain electrode of the transistor 12b are stacked on the gate insulating film 21.
  • an inorganic interlayer insulating film 25 and an organic interlayer insulating film 26 thicker than the inorganic interlayer insulating film 25 are stacked on the source metal, and a pixel electrode layer including the pixel electrode 17b is formed on the organic interlayer insulating film 26.
  • a charge conversion layer 35 (a laminated structure of an antimony trisulfide layer 33 and a selenium layer 34) is formed on the pixel electrode layer.
  • the inorganic interlayer insulating film 25 and the organic interlayer insulating film 26 are removed, and the pixel electrode 17b and the drain lead electrode 27b are in contact (contact).
  • the charge conversion layer 35 supplies charges corresponding to the X-ray irradiation amount to the pixel electrode 17b.
  • the gate driver GD drives the scanning lines (including the scanning lines 16a) in the first region 10a and the scanning lines (including the scanning lines 16b) in the second region 10b based on a command from the sensor control circuit SCC.
  • the first read driver RD drives the read lines (including the read line 14a) of the first region 10a based on the command of the sensor control circuit SCC, and the second read driver rd receives the command of the sensor control circuit SCC. Based on this, the readout line (including the readout line 14b) in the second region 10b is driven.
  • the charge accumulated in the pixel electrode 17a (charge corresponding to the amount of X-ray irradiation to the pixel electrode 17a) passes through the transistor 12a and the readout line 14a.
  • the charge accumulated in the pixel electrode 17b (charge corresponding to the amount of X-ray irradiation to the pixel electrode 17b) is the transistor 12b and the read line.
  • the data is read to the second read driver rd via 14b.
  • the end 30a located on the side of the readout line 14b among the both ends of the readout line 14a has a symmetrical shape with respect to the row direction, and a part of the peripheral edge is convex in a direction approaching the readout line 14b.
  • a tapered portion 40a (a portion that becomes narrower as it approaches the readout line 14b) formed by forming the shape of the three sides excluding the bottom of the isosceles trapezoid.
  • the end 30b positioned on the side of the readout line 14a among the both ends of the readout line 14b has a symmetrical shape with respect to the row direction, and a part of the periphery thereof is a bent line that protrudes toward the readout line 14a.
  • the polygonal line includes a tapered portion 40b (a portion that becomes narrower as it approaches the readout line 14a) formed by forming a shape of three sides excluding the bottom of the isosceles trapezoid. That is, the end portion 30b has a shape that is symmetrical with the end portion 30a about the line extending in the row direction through the center of the gap between the end portion 30a and the end portion 30b.
  • the end portion 30a of the readout line 14a has a shape including the tapered portion 40a
  • the end portion 30b of the readout line 14b has a shape including the tapered portion 40b, so that each readout line is formed.
  • light from the opening of the photomask easily enters the gap region between the readout line 14a and the readout line 14b, and resist residue due to insufficient exposure amount or the like hardly occurs in the gap region.
  • resist residue due to insufficient exposure amount or the like hardly occurs in the gap region.
  • each of the tapered portions 40a and 40b has a periphery of three sides excluding the lower base of the isosceles trapezoidal shape, so that the angle is 4 with respect to the gap region between the readout line 14a and the readout line 14b. The light spills from the direction, and the generation of the resist residue is effectively suppressed.
  • Example 1 the length of the portion along the readout line 14a in the edge of the pixel electrode 17b is made shorter than the length of the portion along the readout line 14b in the edge of the pixel electrode 17b. In addition, the influence of the parasitic capacitance between the readout lines 14a is reduced.
  • FIG. 6 is a plan view showing the shapes of the end portions 30a and 30b.
  • L1 to L5 are the peripheral edges of the end portion 30a.
  • the minimum distance between the lines 14a and 14b is preferably greater than or equal to the distance between the source electrode 6b and the drain electrode 7b of the transistor 12b.
  • the gap area between the readout line 14a and the readout line 14b receives a reflected light from the gate electrode 16bg, and the exposure amount is smaller than the gap area between the source electrode 6b and the drain electrode 7b. This is because it is easy to.
  • the width of the tip of each of the tapered portions 40a and 40b (d2 in FIG. 6) is 11 ⁇ m or less when the width (d3 in FIG. 6) other than the ends of the read line 14a and the read line 14b is 13 ⁇ m.
  • a short-circuit suppressing effect can be obtained by reducing one side (d4 in FIG. 6) by 1 ⁇ m or more.
  • the distance (d5 in FIG. 6) between the original portion of the tapered portion 40a and the original portion of the tapered portion 40b is the width (d3 in FIG. 6) other than the end portions of the read line 14a and the read line 14b. ) Or more.
  • the ends 30a and 30b in FIG. 3 may have the shapes shown in FIGS. That is, the end portion 30a includes a tapered portion 40a formed by forming a part of the peripheral edge into a polygonal line that protrudes in a direction approaching the readout line 14b, and the polygonal line forms a shape of two sides of a triangle. Further, the end portion 30b includes a tapered portion 40b that is formed by forming a part of the peripheral edge thereof into a bent line that protrudes toward the readout line 14a, and the bent line forms a shape of two sides of a triangle.
  • This configuration is particularly suitable when the size of the pixel electrode is large (when the influence of the parasitic capacitance is unlikely to be different between the pixel electrode 17b and the other pixel electrodes). Compared to the shape of FIG. More light from the photomask opening from the sneak around, and the short-circuit suppressing effect is high.
  • the end portion 30a includes a tapered portion 40a formed by forming a part of the peripheral edge into a polygonal line that protrudes in a direction away from the readout line 14b, and the polygonal line forms a shape of two sides of a triangle.
  • the end portion 30b includes a tapered portion 40b that is formed by forming a part of the peripheral edge thereof as a bent line that protrudes in a direction away from the readout line 14a, and the bent line forms a shape of two sides of a triangle.
  • edge part 30a * 30b is the shape of FIG.7 (e). That is, the end 30a is formed by forming a part of the peripheral edge into a polygonal line that protrudes away from the readout line 14b, and the polygonal line has a shape of three sides excluding the bottom of the isosceles trapezoid.
  • the taper part 40a is included.
  • the end portion 30b is formed by forming a part of its peripheral edge into a polygonal line that protrudes away from the readout line 14a, and this polygonal line has a shape of three sides excluding the bottom of the isosceles trapezoid.
  • the taper part 40b is included.
  • the end portion 30a includes a tapered portion 40a that is formed such that a part of the periphery of the end portion 30a is convex in a direction approaching the readout line 14b, and the curved line forms an arc shape.
  • the end portion 30b includes a tapered portion 40b that is formed such that a part of the peripheral edge thereof is a curve that protrudes toward the readout line 14a, and this curve forms an arc shape.
  • the end portions 30a and 30b may have the shapes shown in FIGS.
  • the end portion 30a includes a tapered portion 40a formed by forming a part of the periphery of the end portion 30a into a convex curve in a direction approaching the readout line 14b and forming a quadratic curve.
  • the end portion 30b includes a tapered portion 40b that is formed by a part of the periphery of the end portion 30b being a curve that is convex in a direction approaching the readout line 14a, and this curve forms a quadratic curve.
  • the end portion 30a includes a tapered portion 40a that is formed such that a part of the periphery of the end portion 30a is convex in a direction away from the readout line 14b, and the curved line forms an arc shape.
  • the end portion 30b includes a tapered portion 40b that is formed such that a part of the periphery thereof is a curve that protrudes in a direction away from the readout line 14a, and this curve forms an arc shape.
  • the end portions 30a and 30b may have the shapes shown in FIGS. That is, the end portion 30a includes a tapered portion 40a formed by forming a part of the peripheral edge into a curve that protrudes in a direction away from the readout line 14b, and this curve forms a quadratic curve.
  • the end portion 30b includes a tapered portion 40b that is formed by a part of the periphery of the end portion 30b being a curve that protrudes in a direction away from the readout line 14a, and this curve forms a quadratic curve.
  • the gap between the readout line 14a and the readout line 14b is formed close to the scanning line 16a side, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 9, this gap can be formed close to the scanning line 16b side (formed in the vicinity of the transistor 12b).
  • the end portions 30a and 30b are provided with tapered portions, but the present invention is not limited to this.
  • a tapered portion 40a (a portion that becomes narrower as it approaches the readout line 14b) can be provided only in the end portion 30a.
  • the tapered portion 40a has a part of the periphery of the end 30a as a fold line that protrudes toward the readout line 14b, and this fold line has a shape of three sides excluding the lower base of the isosceles trapezoid. It is formed. This configuration is particularly suitable when the size of the pixel electrode is small (when the influence of parasitic capacitance is likely to be different between the pixel electrode 17b and other pixel electrodes).
  • a tapered portion 40a can be provided only at the end 30a, and the configuration can be configured as shown in FIGS. 11A to 11E. Further, in FIGS. 8A to 8F, a tapered portion 40a may be provided only at the end 30a, and the configuration as shown in FIGS. 12A to 12F may be employed.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing the configuration of the liquid crystal display device of Example 3, and FIG. 14 is a plan view showing the configuration of a portion (part of the active matrix substrate) surrounded by a broken line in FIG. 15 is an enlarged view of a part of FIG. 14, FIG. 16 is an xx ′ sectional view of FIG. 15, and FIG. 17 is a yy ′ sectional view of FIG.
  • the liquid crystal display device 1d includes an active matrix substrate 3d, a gate driver GD, a first source driver SD, a second source driver sd, and a display control circuit DCC.
  • the active matrix substrate 3d is provided with a first region 10a on the upstream side in the scanning direction and a second region 10b on the downstream side in the scanning direction.
  • a plurality of data lines including the data lines 15a
  • a plurality of scanning lines including the scanning line 16a
  • the column direction vertical direction in the figure
  • a plurality of data lines are arranged in the row direction (horizontal direction in the figure), and a plurality of scanning lines (including scanning lines 16b) extending in the row direction are arranged in the column direction (vertical direction in the figure). Are lined up.
  • the data lines 15a and 15b provided corresponding to the same pixel column are arranged in the column direction (up and down in the figure), and the data line 15a is a display pixel via the transistor 12a.
  • the data line 15b is connected to the electrode 17a (first electrode), and the data line 15b is connected to the display pixel electrode 17b (second electrode) via the transistor 12b.
  • the gate electrode 16ag of the transistor 12a is connected to the scanning line 16a (the most downstream scanning line of the first region 10a), and the source electrode 6a of the transistor 12a is connected to the data
  • the drain electrode 7a of the transistor 12a connected to the line 15a is connected to a drain lead electrode 27a that overlaps the storage capacitor line 18a, and the drain lead electrode 27a is connected to the pixel electrode 17a through the contact hole 11a.
  • the gate electrode 16bg of the transistor 12b is connected to the scanning line 16b (the most upstream scanning line in the second region 10b), the source electrode 6b of the transistor 12b is connected to the data line 15b, and the drain electrode 7b of the transistor 12b is The drain lead electrode 27b overlaps the storage capacitor line 18b, and the drain lead electrode 27b is connected to the pixel electrode 17b through the contact hole 11b.
  • the gate metal including the storage capacitor wiring 18b and the gate electrode 16bg of the transistor 12b is formed on the glass substrate 31, and the gate insulating film covers the gate metal. 21 are formed, and semiconductor layers 24b, 24A, and 24B, data lines 15a and 15b, a drain lead electrode 27b, and a source metal including a source electrode and a drain electrode of the transistor 12b are stacked on the gate insulating film 21.
  • an inorganic interlayer insulating film 25 and an organic interlayer insulating film 26 thicker than the inorganic interlayer insulating film 25 are stacked on the source metal, and a transparent electrode layer (for example, ITO) including the pixel electrode 17b is formed on the organic interlayer insulating film 26. ) And an alignment film (not shown) is formed on the transparent electrode layer.
  • the contact hole 11b the inorganic interlayer insulating film 25 and the organic interlayer insulating film 26 are removed, and the pixel electrode 17b and the drain lead electrode 27b are in contact (contact).
  • the gate driver GD drives the scanning lines (including the scanning lines 16a) in the first region 10a and the scanning lines (including the scanning lines 16b) in the second region 10b based on a command from the display control circuit DCC.
  • the first source driver SD drives the data lines (including the data line 15a) of the first region 10a based on the command from the display control circuit DCC, and the second source driver sd receives the command from the display control circuit DCC. Based on this, the data lines (including the data line 15b) in the second region 10b are driven.
  • a data signal is written from the first source driver SD to the pixel electrode 17a via the transistor 12a and the data line 15a, and the scanning line 16b is selected.
  • the data signal is written from the second source driver sd to the pixel electrode 17b via the transistor 12b and the data line 15b. Since the first and second regions 10a and 10b are independently driven, double speed driving is possible.
  • the end 30a located on the data line 15b side among the both ends of the data line 15a has a symmetrical shape with respect to the row direction, and a part of the peripheral edge is convex in a direction approaching the data line 15b. And includes a tapered portion 40a (a portion that becomes narrower as it approaches the data line 15b) formed by forming the shape of the three sides excluding the lower base of the isosceles trapezoid.
  • the end 30b located on the data line 15a side of both ends of the data line 15b has a symmetrical shape with respect to the row direction, and a part of the periphery of the end 30b is a bent line that protrudes toward the data line 15a.
  • the polygonal line includes a tapered portion 40b (a portion that becomes narrower as it approaches the data line 15a) formed by forming a shape of three sides excluding the bottom of the isosceles trapezoid. That is, the end portion 30b has a shape that is symmetrical with the end portion 30a about the line extending in the row direction through the center of the gap between the end portion 30a and the end portion 30b.
  • the end 30a of the data line 15a has a shape including the tapered portion 40a
  • the end 30b of the data line 15b has a shape including the tapered portion 40b, so that each data line is formed.
  • each of the tapered portions 40a and 40b has a periphery of three sides excluding the lower base of the isosceles trapezoid, so that it is oblique to the gap region between the data line 15a and the data line 15b. The light spills from the direction, and the generation of the resist residue is effectively suppressed.
  • the length of the portion along the data line 15a in the edge of the pixel electrode 17b is made shorter than the length of the portion along the data line 15b in the edge of the pixel electrode 17b. The influence of the parasitic capacitance between the data lines 15a is reduced.
  • Example 4 The end portions 30a and 30b in FIG. 14 can also be configured as shown in FIGS.
  • the gap between the data line 15a and the data line 15b is formed close to the scanning line 16a side, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 18, this gap can be formed close to the scanning line 16b side (formed in the vicinity of the transistor 12b).
  • the transistor 12b is covered (light-shielded) with a black matrix formed on the counter substrate (color filter substrate)
  • the gap between the data line 15a and the data line 15b is overlapped with the black matrix covering the transistor 12b. (The gap is covered with a black matrix and shielded from light).
  • the end portions 30a and 30b are each provided with a tapered portion, but the present invention is not limited to this.
  • a tapered portion 40a (a portion that becomes narrower as it approaches the data line 15b) can be provided only in the end portion 30a.
  • the tapered portion 40a is formed as a polygonal line in which a part of the periphery of the end 30a is convex toward the data line 15b, and this polygonal line has a shape of three sides excluding the lower base of the isosceles trapezoid. It is formed.
  • the end portions 30a and 30b can be configured as shown in FIGS.
  • the edge of the pixel electrode 17b is overlapped with the data lines 15a and 15b and the scanning line 16b in order to increase the aperture ratio, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 20, the edge of the pixel electrode 17b can be formed along the data lines 15a and 15b and the scanning line 16b.
  • the first and second signal lines extending in the column direction are arranged in the column direction, and the first signal line is connected to the first electrode through the first transistor.
  • the second signal line is an active matrix substrate connected to the second electrode through a second transistor, and the first end located on the second signal line side of both ends of the first signal line is The taper part which becomes thin as it approaches the 2nd signal line is characterized.
  • a part of the edge of the second electrode may be formed along the gap between the first and second signal lines, or may be formed so as to overlap the gap.
  • a part of the edge of the second electrode may be formed along the first signal line, or may be formed so as to overlap the first signal line.
  • the present active matrix substrate may be configured such that the minimum distance between the first and second signal lines is equal to or greater than the distance between the source electrode and the drain electrode of the first transistor.
  • the active matrix substrate may have a configuration in which the first end is symmetric with respect to the row direction.
  • the tapered portion may be formed by forming a part of the periphery of the first end portion into a polygonal line shape that protrudes toward the second signal line.
  • the tapered portion may be formed by forming a part of the peripheral edge of the first end portion into a polygonal line shape that protrudes away from the second signal line.
  • the polygonal line shape may be a shape of three sides excluding the bottom of the isosceles trapezoid.
  • the polygonal line shape may be a shape of two sides of a triangle.
  • the tapered portion may be formed by forming a part of the peripheral edge of the first end portion into a curved shape that protrudes toward the second signal line.
  • the tapered portion may be formed by forming a part of the periphery of the first end portion into a curved shape that protrudes away from the second signal line.
  • the curved shape may be an arc shape.
  • the curve shape may be a quadratic curve shape.
  • the second end portion located on the first signal line side of both end portions of the second signal line may include a tapered portion that becomes narrower as it approaches the first signal line.
  • the second end portion may have a shape that is symmetrical with the first end portion with a line extending in the row direction passing through the gap between the first and second end portions as an axis. it can.
  • the first and second electrodes may be configured for sensing. In the present active matrix substrate, the first and second electrodes may be configured for display.
  • the X-ray sensor device includes the active matrix substrate.
  • This display device includes the active matrix substrate.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and those obtained by appropriately modifying the above-described embodiments based on common general technical knowledge and those obtained by combining them are also included in the embodiments of the present invention.
  • the present display device is suitable for a radiation detector (for example, an X-ray sensor device) and a large-sized / high-definition display device (for example, a television receiver, a digital signage, a medical monitor).
  • a radiation detector for example, an X-ray sensor device
  • a large-sized / high-definition display device for example, a television receiver, a digital signage, a medical monitor.

Abstract

　本アクティブマトリクス基板は、列方向に延伸する第１および第２信号線が列方向に並べられ、上記第１信号線は第１トランジスタを介して第１電極に接続されるともに、上記第２信号線は第２トランジスタを介して第２電極に接続されたアクティブマトリクス基板であって、上記第１信号線の端部のうち第２信号線側に位置する第１端部は、第２信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含む。これにより、延伸方向に並べられた２本の信号線間のリーク不良を抑制することができる。

Description

アクティブマトリクス基板、Ｘ線センサ装置、表示装置
　本発明は、同じ方向に延伸し、かつこの方向に並ぶ２本の信号線を備えたアクティブマトリクス基板に関する。
　Ｘ線センサ装置や表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板では、同一画素列に対応する信号線（読み取り線あるいはデータ線）を２本に分割して高速駆動や負荷低減を図る場合がある（特許文献１参照）。
特開２００２－２８７７２１号公報
　この場合、分割された２本の信号線（同じ方向に延伸し、かつこの方向に並ぶ２本の信号線）の間隙近傍でのセンシングや表示の不具合を抑制するためには、上記間隙を小さくすることが望まれるが、上記間隙を小さくすると、製造工程で２本の信号線が短絡し易くなるという問題がある。
　本発明の目的は、アクティブマトリクス基板において同じ方向に延伸し、かつこの方向に並ぶ信号線同士の短絡の発生を抑えることにある。
　本アクティブマトリクス基板は、列方向に延伸する第１および第２信号線が列方向に並べられ、上記第１信号線は第１トランジスタを介して第１電極に接続されるとともに、上記第２信号線は第２トランジスタを介して第２電極に接続されたアクティブマトリクス基板であって、上記第１信号線の両端部のうち第２信号線側に位置する第１端部は、第２信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含むことを特徴とする。上記構成によって、第１および第２信号線間の短絡の発生を抑えることができる。
　本発明によれば、アクティブマトリクス基板において同じ方向に延伸し、かつこの方向に並ぶ信号線同士の短絡の発生を抑えることができる。
本発明にかかるＸ線センサ装置の構成を示す模式図である。 図１の破線で囲んだ部分（アクティブマトリクス基板の一部）の構成を示す平面図である。 図２の一部の拡大図である。 図３のＸ－Ｘ’断面図である。 図３のＹ－Ｙ’断面図である。 第１および第２端部の具体的な形状を示す平面図である。 第１および第２端部の構成例（第１および第２端部双方の周縁が折れ線）を示す平面図である。 第１および第２端部の構成例（第１および第２端部双方の周縁が曲線）を示す平面図である。 図２の変形例を示す平面図である。 図２の別の変形例を示す平面図である。 第１および第２端部の構成例（第１および第２端部の一方の周縁のみが折れ線）を示す平面図である。 第１および第２端部の構成例（第１および第２端部の一方の周縁のみが曲線）を示す平面図である。 本発明にかかる液晶表示装置の構成を示す模式図である。 図１３の破線で囲んだ部分（アクティブマトリクス基板の一部）の構成を示す平面図である。 図１４の一部の拡大図である。 図１５のＸ－Ｘ’断面図である。 図１５のＹ－Ｙ’断面図である。 図１４の変形例を示す平面図である。 図１４の別の変形例を示す平面図である。 図１４のさらに別の変形例を示す平面図である。
　本発明の実施の形態を、図１～２０を用いて説明すれば、以下のとおりである。なお、アクティブマトリクス基板の説明で「列方向（この列方向に直交する方向が行方向）」との文言を用いるが、これは説明の便宜のためであって、Ｘ線センサ装置や液晶表示装置の使用状態において上記「列方向」が縦方向になっても横方向になってもよいものとする。
　〔実施例１〕
　図１は、実施例１のＸ線センサ装置の構成を示す模式図であり、図２は、図１の破線で囲んだ部分（アクティブマトリクス基板の一部）の構成を示す平面図であり、図３は、図２の一部の拡大図である、また、図４は、図３のＸ－Ｘ’断面図であり、図５は図３のＹ－Ｙ’断面図である。
　図１に示すように、Ｘ線センサ装置１ｓは、アクティブマトリクス基板３ｓと、ゲートドライバＧＤと、第１読み出しドライバＲＤと、第２読み出しドライバｒｄと、センサ制御回路ＳＣＣとを備える。
　図１に示すように、アクティブマトリクス基板３ｓには、走査方向上流側となる第１領域１０ａと、走査方向下流側となる第２領域１０ｂとが設けられる。そして、第１領域１０ａには、列方向（走査方向、図中では縦方向）に延伸する複数の読み出し線（読み出し線１４ａを含む）が行方向（図中横方向）に並べられるとともに、行方向に延伸する複数の走査線（走査線１６ａを含む）が列方向（図中縦方向）に並べられ、第２領域１０ｂには、列方向（走査方向、図中では縦方向）に延伸する複数の読み出し線（読み出し線１４ｂを含む）が行方向（図中横方向）に並べられるとともに、行方向に延伸する複数の走査線（走査線１６ｂを含む）が列方向（図中縦方向）に並べられる。
　図２に示すように、同一の画素列に対応して設けられる読み出し線１４ａ・１４ｂは、列方向に並び（図中、上下に並び）、読み出し線１４ａはトランジスタ１２ａを介してセンシング用の画素電極１７ａ（第１電極）に接続され、読み出し線１４ｂはトランジスタ１２ｂを介してセンシング用の画素電極１７ｂ（第２電極）に接続されている。
　より具体的には、図３に示すように、トランジスタ１２ａのゲート電極１６ａｇは、走査線１６ａ（第１領域１０ａの最下流の走査線）に接続され、トランジスタ１２ａのソース電極６ａは読み出し線１４ａに接続され、トランジスタ１２ａのドレイン電極７ａは、保持容量配線１８ａと重なるドレイン引き出し電極２７ａに接続され、ドレイン引き出し電極２７ａは、コンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続されている。また、トランジスタ１２ｂのゲート電極１６ｂｇは、走査線１６ｂ（第２領域１０ｂの最上流の走査線）に接続され、トランジスタ１２ｂのソース電極６ｂは読み出し線１４ｂに接続され、トランジスタ１２ｂのドレイン電極７ｂは、保持容量配線１８ｂと重なるドレイン引き出し電極２７ｂに接続され、ドレイン引き出し電極２７ｂは、コンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続されている。
　アクティブマトリクス基板３ｓでは、図３・４に示すように、ガラス基板３１上に、保持容量配線１８ｂとトランジスタ１２ｂのゲート電極１６ｂｇとを含むゲートメタルが形成され、ゲートメタルを覆うようにゲート絶縁膜２１が形成され、ゲート絶縁膜２１上に、半導体層２４ｂ・２４Ａ・２４Ｂと、読み出し線１４ａ・１４ｂ、ドレイン引き出し電極２７ｂ、トランジスタ１２ｂのソース電極およびドレイン電極を含むソースメタルとが積層される。また、ソースメタル上に、無機層間絶縁膜２５と無機層間絶縁膜２５よりも厚い有機層間絶縁膜２６とが積層され、有機層間絶縁膜２６上に画素電極１７ｂを含む画素電極層が形成され、画素電極層上に電荷変換層３５（三硫化アンチモン層３３とセレン層３４との積層構造）が形成される。なお、コンタクトホール１１ｂでは、無機層間絶縁膜２５と有機層間絶縁膜２６とが除去されており、画素電極１７ｂとドレイン引き出し電極２７ｂとが接触（コンタクト）されている。また、電荷変換層３５は、Ｘ線照射量に応じた電荷を画素電極１７ｂに供給する。
　図１に戻って、ゲートドライバＧＤは、センサ制御回路ＳＣＣの指令に基づいて、第１領域１０ａの走査線（走査線１６ａ含む）および第２領域１０ｂの走査線（走査線１６ｂ含む）を駆動し、第１読み出しドライバＲＤは、センサ制御回路ＳＣＣの指令に基づいて第１領域１０ａの読み出し線（読み出し線１４ａを含む）を駆動し、第２読み出しドライバｒｄは、センサ制御回路ＳＣＣの指令に基づいて第２領域１０ｂの読み出し線（読み出し線１４ｂを含む）を駆動する。より具体的には、走査線１６ａが選択されたときに、画素電極１７ａに蓄積された電荷（画素電極１７ａへのＸ線照射量に応じた電荷）が、トランジスタ１２ａおよび読み出し線１４ａを介して第１読み出しドライバＲＤに読み出され、走査線１６ｂが選択されたときに、画素電極１７ｂに蓄積された電荷（画素電極１７ｂへのＸ線照射量に応じた電荷）が、トランジスタ１２ｂおよび読み出し線１４ｂを介して第２読み出しドライバｒｄに読み出される。
　実施例１では、読み出し線１４ａの両端部のうち読み出し線１４ｂ側に位置する端部３０ａは、行方向に関して対称な形状であり、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａ（読み出し線１４ｂに近づくにつれて細くなる部分）を含む。また、読み出し線１４ｂの両端部のうち読み出し線１４ａ側に位置する端部３０ｂは、行方向に関して対称な形状であり、その周縁の一部が、読み出し線１４ａに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂ（読み出し線１４ａに近づくにつれて細くなる部分）を含む。すなわち、端部３０ｂは、端部３０ａおよび端部３０ｂの間隙の中央を通り、行方向に延伸する線を軸として端部３０ａと線対称となる形状を有する。
　実施例１では、読み出し線１４ａの端部３０ａが先細り部４０ａを含む形状とされ、読み出し線１４ｂの端部３０ｂが先細り部４０ｂを含む形状とされているため、各読み出し線を形成するためのフォトリソグラフィ工程において、読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの間隙領域にフォトマスク開口部からの光がまわり込み易くなり、この間隙領域に露光量不足等によるレジスト残りが発生し難くなる。これにより、レジスト残りに起因する読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの短絡の発生を抑制することができる（レジスト残りがあると、間隙領域のメタルが除去されず、両線が短絡する）。このメリットは、図１・２のように、画素電極１７ｂのエッジの一部が、読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの間隙に沿って形成され、間隙を大きくすることができない場合（大きくすると、画素電極１７ｂと他の画素電極とで寄生容量の影響が大きく異なるため）に顕著である。
　また、実施例１では、先細り部４０ａ・４０ｂそれぞれの周縁を、等脚台形の下底を除く３辺の形状としているため、読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの間隙領域に対して、斜め４方向から光がまわり込み、レジスト残りの発生が効果的に抑制されている。
　さらに、実施例１では、画素電極１７ｂのエッジのうち読み出し線１４ａに沿う部分の長さを、画素電極１７ｂのエッジのうち読み出し線１４ｂに沿う部分の長さよりも短くすることで、画素電極１７ｂおよび読み出し線１４ａ間の寄生容量の影響を小さくしている。
　図６は端部３０ａ・３０ｂの形状を示す平面図である。なお、Ｌ１～Ｌ５は端部３０ａの周縁である。図６のｄ１で示される、先細り部４０ａの先端（周縁のうち等脚台形の上底に当たる部分）と先細り部４０ｂの先端（周縁のうち等脚台形の上底に当たる部分）との距離（読み出し線１４ａ・１４ｂの最小距離）は、トランジスタ１２ｂのソース電極６ｂおよびドレイン電極７ｂ間の距離以上とすることが好ましい。これは、フォトリソグラフィ工程において、読み出し線１４ａおよび読み出し線１４ｂの間隙領域は、ゲート電極１６ｂｇでの反射光を受ける、ソース電極６ｂおよびドレイン電極７ｂの間隙領域よりも露光量が小さく（アンダー露光に）なり易いからである。
　また、先細り部４０ａ・４０ｂそれぞれの先端の幅（図６のｄ２）は、読み出し線１４ａおよび読み出し線１４ｂそれぞれの端部以外での幅（図６のｄ３）が１３μｍであるときに１１μｍ以下とする、すなわち片側（図６のｄ４）を１μｍ以上小さくすることで短絡抑制効果が得られるが、好ましくはｄ２をｄ３の１／２未満とする（ｄ３＝１３μｍであれば、例えばｄ２＝５μｍとする）。また、先細り部４０ａの元となる部分と先細り部４０ｂの元となる部分との距離（図６のｄ５）は、読み出し線１４ａおよび読み出し線１４ｂそれぞれの端部以外での幅（図６のｄ３）以上とすることが好ましい。
　〔実施例２〕
　図３の端部３０ａ・３０ｂを図７（ａ）～（ｃ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が三角形の２辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が三角形の２辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。この構成は、特に、画素電極のサイズが大きい場合（画素電極１７ｂと他の画素電極とで寄生容量の影響が異なり難い場合）に好適であり、図６の形状と比較して、斜め４方向からのフォトマスク開口部の光がより多くまわり込み、短絡抑制効果が高い。
　端部３０ａ・３０ｂを図７（ｄ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂから離れる向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が三角形の２辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａから離れる向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が三角形の２辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
　端部３０ａ・３０ｂを図７（ｅ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂから離れる向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａから離れる向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
　端部３０ａ・３０ｂを図８（ａ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる曲線とされ、この曲線が円弧状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａに近づく向きに凸となる曲線とされ、この曲線が円弧状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
　端部３０ａ・３０ｂを図８（ｂ）～（ｃ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる曲線とされ、この曲線が二次曲線状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａに近づく向きに凸となる曲線とされ、この曲線が二次曲線状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
　端部３０ａ・３０ｂを図８（ｄ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂから離れる向きに凸となる曲線とされ、この曲線が円弧状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａから離れる向きに凸となる曲線とされ、この曲線が円弧状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
　端部３０ａ・３０ｂを図８（ｅ）～（ｆ）の形状としてもよい。すなわち、端部３０ａは、その周縁の一部が、読み出し線１４ｂから離れる向きに凸となる曲線とされ、この曲線が二次曲線状をなすことで形成される先細り部４０ａを含む。また、端部３０ｂは、その周縁の一部が、読み出し線１４ａから離れる向きに凸となる曲線とされ、この曲線が二次曲線状をなすことで形成される先細り部４０ｂを含む。
　図２では、読み出し線１４ａと読み出し線１４ｂとの間隙を走査線１６ａ側に近づけて形成しているがこれに限定されない。図９に示すように、この間隙を、走査線１６ｂ側に近づけて形成する（トランジスタ１２ｂの近傍に形成する）こともできる。
　また、図２では、端部３０ａ・３０ｂそれぞれに先細り部を設けているがこれに限定されない。図１０に示すように、端部３０ａのみに先細り部４０ａ（読み出し線１４ｂに近づくにつれて細くなる部分）を設けることもできる。なお、先細り部４０ａは、端部３０ａの周縁の一部が、読み出し線１４ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される。この構成は、特に、画素電極のサイズが小さい場合（画素電極１７ｂと他の画素電極とで寄生容量の影響が異なり易い場合）に好適である。同様に、図７（ａ）～（ｅ）において、端部３０ａのみに先細り部４０ａを設け、図１１（ａ）～（ｅ）参照のように構成することもできる。また、図８（ａ）～（ｆ）において、端部３０ａのみに先細り部４０ａを設け、図１２（ａ）～（ｆ）のように構成することもできる。
　〔実施例３〕
　図１３は、実施例３の液晶表示装置の構成を示す模式図であり、図１４は、図１３の破線で囲んだ部分（アクティブマトリクス基板の一部）の構成を示す平面図であり、図１５は、図１４の一部の拡大図である、また、図１６は、図１５のｘ－ｘ’断面図であり、図１７は図１５のｙ－ｙ’断面図である。
　図１３に示すように、液晶表示装置１ｄは、アクティブマトリクス基板３ｄと、ゲートドライバＧＤと、第１ソースドライバＳＤと、第２ソースドライバｓｄと、表示制御回路ＤＣＣとを備える。
　図１３に示すように、アクティブマトリクス基板３ｄには、走査方向上流側となる第１領域１０ａと、走査方向下流側となる第２領域１０ｂとが設けられる。そして、第１領域１０ａには、列方向（走査方向、図中では縦方向）に延伸する複数のデータ線（データ線１５ａを含む）が行方向（図中横方向）に並べられるとともに、行方向に延伸する複数の走査線（走査線１６ａを含む）が列方向（図中縦方向）に並べられ、第２領域１０ｂには、列方向（走査方向、図中では縦方向）に延伸する複数のデータ線（データ線１５ｂを含む）が行方向（図中横方向）に並べられるとともに、行方向に延伸する複数の走査線（走査線１６ｂを含む）が列方向（図中縦方向）に並べられる。
　図１４に示すように、同一の画素列に対応して設けられるデータ線１５ａ・１５ｂは、列方向に並び（図中、上下に並び）、データ線１５ａはトランジスタ１２ａを介して表示用の画素電極１７ａ（第１電極）に接続され、データ線１５ｂはトランジスタ１２ｂを介して表示用の画素電極１７ｂ（第２電極）に接続されている。
　より具体的には、図１４・１５に示すように、トランジスタ１２ａのゲート電極１６ａｇは、走査線１６ａ（第１領域１０ａの最下流の走査線）に接続され、トランジスタ１２ａのソース電極６ａはデータ線１５ａに接続され、トランジスタ１２ａのドレイン電極７ａは、保持容量配線１８ａと重なるドレイン引き出し電極２７ａに接続され、ドレイン引き出し電極２７ａは、コンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続されている。また、トランジスタ１２ｂのゲート電極１６ｂｇは、走査線１６ｂ（第２領域１０ｂの最上流の走査線）に接続され、トランジスタ１２ｂのソース電極６ｂはデータ線１５ｂに接続され、トランジスタ１２ｂのドレイン電極７ｂは、保持容量配線１８ｂと重なるドレイン引き出し電極２７ｂに接続され、ドレイン引き出し電極２７ｂは、コンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続されている。
　アクティブマトリクス基板３ｄでは、図１６・１７に示すように、ガラス基板３１上に、保持容量配線１８ｂとトランジスタ１２ｂのゲート電極１６ｂｇとを含むゲートメタルが形成され、ゲートメタルを覆うようにゲート絶縁膜２１が形成され、ゲート絶縁膜２１上に、半導体層２４ｂ・２４Ａ・２４Ｂと、データ線１５ａ・１５ｂ、ドレイン引き出し電極２７ｂ、トランジスタ１２ｂのソース電極およびドレイン電極を含むソースメタルとが積層される。また、ソースメタル上に、無機層間絶縁膜２５と無機層間絶縁膜２５よりも厚い有機層間絶縁膜２６とが積層され、有機層間絶縁膜２６上に画素電極１７ｂを含む透明電極層（例えば、ＩＴＯ）が形成され、透明電極層上に配向膜（図示せず）が形成される。なお、コンタクトホール１１ｂでは、無機層間絶縁膜２５と有機層間絶縁膜２６とが除去されており、画素電極１７ｂとドレイン引き出し電極２７ｂとが接触（コンタクト）されている。
　図１３に戻って、ゲートドライバＧＤは、表示制御回路ＤＣＣの指令に基づいて、第１領域１０ａの走査線（走査線１６ａ含む）および第２領域１０ｂの走査線（走査線１６ｂ含む）を駆動し、第１ソースドライバＳＤは、表示制御回路ＤＣＣの指令に基づいて第１領域１０ａのデータ線（データ線１５ａを含む）を駆動し、第２ソースドライバｓｄは、表示制御回路ＤＣＣの指令に基づいて第２領域１０ｂのデータ線（データ線１５ｂを含む）を駆動する。より具体的には、走査線１６ａが選択されたときに、データ信号が、第１ソースドライバＳＤからトランジスタ１２ａおよびデータ線１５ａを介して画素電極１７ａに書き込まれ、走査線１６ｂが選択されたときに、データ信号が、第２ソースドライバｓｄからトランジスタ１２ｂおよびデータ線１５ｂを介して画素電極１７ｂに書き込まれる。第１および第２領域１０ａ・１０ｂは独立駆動されるため、倍速駆動が可能となる。
　実施例３では、データ線１５ａの両端部のうちデータ線１５ｂ側に位置する端部３０ａは、行方向に関して対称な形状であり、その周縁の一部が、データ線１５ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ａ（データ線１５ｂに近づくにつれて細くなる部分）を含む。また、データ線１５ｂの両端部のうちデータ線１５ａ側に位置する端部３０ｂは、行方向に関して対称な形状であり、その周縁の一部が、データ線１５ａに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される先細り部４０ｂ（データ線１５ａに近づくにつれて細くなる部分）を含む。すなわち、端部３０ｂは、端部３０ａおよび端部３０ｂの間隙の中央を通り、行方向に延伸する線を軸として端部３０ａと線対称となる形状を有する。
　実施例３では、データ線１５ａの端部３０ａが先細り部４０ａを含む形状とされ、データ線１５ｂの端部３０ｂが先細り部４０ｂを含む形状とされているため、各データ線を形成するためのフォトリソグラフィ工程において、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙領域に光がまわり込み易くなり、この間隙領域にレジスト残りが発生し難くなる。これにより、レジスト残りに起因するデータ線１５ａとデータ線１５ｂとの短絡の発生を抑制することができる（レジスト残りがあると、間隙領域のメタルが除去されず、両線が短絡する）。このメリットは、図１４・１５のように、画素電極１７ｂのエッジの一部が、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙に沿って形成され、間隙を大きくすることができない場合（大きくすると、画素電極１７ｂと他の画素電極とで寄生容量の影響が大きく異なるため）に顕著である。
　また、実施例３では、先細り部４０ａ・４０ｂそれぞれの周縁を、等脚台形の下底を除く３辺の形状としているため、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙領域に対して、斜め４方向から光がまわり込み、レジスト残りの発生が効果的に抑制されている。
　さらに、実施例３では、画素電極１７ｂのエッジのうちデータ線１５ａに沿う部分の長さを、画素電極１７ｂのエッジうちデータ線１５ｂに沿う部分の長さよりも短くすることで、画素電極１７ｂおよびデータ線１５ａ間の寄生容量の影響を小さくしている。
　〔実施例４〕
　図１４の端部３０ａ・３０ｂは、図７および図８のように構成することもできる。
　図１４では、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙を走査線１６ａ側に近づけて形成しているがこれに限定されない。図１８に示すように、この間隙を、走査線１６ｂ側に近づけて形成する（トランジスタ１２ｂの近傍に形成する）こともできる。なお、対向基板（カラーフィルタ基板）に形成されるブラックマトリクスでトランジスタ１２ｂを覆う（遮光する）場合には、データ線１５ａとデータ線１５ｂとの間隙を、このトランジスタ１２ｂを覆うブラックマトリクスに重なるように配置する（間隙をブラックマトリクスで覆い、遮光する）こともできる。
　図１４では、端部３０ａ・３０ｂそれぞれに先細り部を設けているがこれに限定されない。図１９に示すように、端部３０ａのみに先細り部４０ａ（データ線１５ｂに近づくにつれて細くなる部分）を設けることもできる。なお、先細り部４０ａは、端部３０ａの周縁の一部が、データ線１５ｂに近づく向きに凸となる折れ線とされ、この折れ線が等脚台形の下底を除く３辺の形状をなすことで形成される。同様に、端部３０ａ・３０ｂを、図１１および図１２のように構成することもできる。
　また、図１４～１７では、開口率を高めるために、画素電極１７ｂのエッジをデータ線１５ａ・１５ｂおよび走査線１６ｂに重ねているがこれに限定されない。図２０に示すように、画素電極１７ｂのエッジをデータ線１５ａ・１５ｂおよび走査線１６ｂに沿って形成することもできる。
　以上のように、本アクティブマトリクス基板は、列方向に延伸する第１および第２信号線が列方向に並べられ、上記第１信号線は第１トランジスタを介して第１電極に接続されるとともに、上記第２信号線は第２トランジスタを介して第２電極に接続されたアクティブマトリクス基板であって、上記第１信号線の両端部のうち第２信号線側に位置する第１端部は、第２信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含むことを特徴とする。
　上記構成によれば、第１および第２信号線間の短絡の発生を抑えることができる。
　本アクティブマトリクス基板では、第２電極のエッジの一部が、第１および２信号線の間隙に沿うように形成されているか、あるいは上記間隙に重なるように形成されている構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、第２電極のエッジの一部が、第１信号線に沿うように形成されているか、あるいは第１信号線に重なるように形成されている構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、第１および第２信号線の最小距離が、第１トランジスタのソース電極およびドレイン電極の距離以上とされている構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記第１端部が行方向に関して対称な形状となっている構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線に近づく向きに凸となる折れ線形状とすることで形成される構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線から離れる向きに凸となる折れ線形状とすることで形成される構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記折れ線形状が等脚台形の下底を除く３辺の形状である構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記折れ線形状が三角形の２辺の形状である構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線に近づく向きに凸となる曲線形状とすることで形成される構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線から離れる向きに凸となる曲線形状とすることで形成される構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記曲線形状が円弧形状である構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記曲線形状が二次曲線形状である構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記第２信号線の両端部のうち第１信号線側に位置する第２端部は、第１信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含む構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記第２端部は、第１および第２端部の間隙を通り行方向に延伸する線を軸として第１端部と線対称となる形状を有する構成とすることもできる。
　本アクティブマトリクス基板では、上記第１および第２電極はセンシング用である構成とすることもできる。
本アクティブマトリクス基板では、上記第１および第２電極は表示用である構成とすることもできる。
　本Ｘ線センサ装置は、上記アクティブマトリクス基板を含むことを特徴とする。
　本表示装置は、上記アクティブマトリクス基板を含むことを特徴とする。
　本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態を技術常識に基づいて適宜変更したものやそれらを組み合わせて得られるものも本発明の実施の形態に含まれる。
　本表示装置は、放射線検出器（例えば、Ｘ線センサ装置）や大型・高精細表示装置（例えば、テレビジョン受像機、デジタルサイネージ、医療用モニター）などに好適である。
　１ｓ　Ｘ線センサ装置
　１ｄ　液晶表示装置
　３ｓ　３ｄ　アクティブマトリクス基板
　１６ａ　走査線（第１走査線）
　１６ｂ　走査線（第２走査線）
　１７ａ　画素電極（第１電極）
　１７ｂ　画素電極（第２電極）
　１２ａ　トランジスタ（第１トランジスタ）
　１２ｂ　トランジスタ（第２トランジスタ）
　１４ａ　読み出し線（第１信号線）
　１４ｂ　読み出し線（第２信号線）
　１５ａ　データ線（第１信号線）
　１５ｂ　データ線（第２信号線）
　３０ａ　（読み出し線１４ａあるいはデータ線１５ａの）端部
　３０ｂ　（読み出し線１４ｂあるいはデータ線１５ｂの）端部
　４０ａ　（端部３０ａの）先細り部
　４０ｂ　（端部３０ｂの）先細り部

Claims (19)

  1. 　列方向に延伸する第１および第２信号線が列方向に並べられ、上記第１信号線は第１トランジスタを介して第１電極に接続されるとともに、上記第２信号線は第２トランジスタを介して第２電極に接続されたアクティブマトリクス基板であって、
    　上記第１信号線の両端部のうち第２信号線側に位置する第１端部は、第２信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含むアクティブマトリクス基板。
  2. 　第２電極のエッジの一部が、第１および２信号線の間隙に沿うように形成されているか、あるいは上記間隙に重なるように形成されている請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  3. 　第２電極のエッジの一部が、第１信号線に沿うように形成されているか、あるいは第１信号線に重なるように形成されている請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  4. 　第１および第２信号線の最小距離が、第１トランジスタのソース電極およびドレイン電極の距離以上とされている請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  5. 　上記第１端部が行方向に関して対称な形状となっている請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  6. 　上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線に近づく向きに凸となる折れ線形状とすることで形成される請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  7. 　上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線から離れる向きに凸となる折れ線形状とすることで形成される請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  8. 　上記折れ線形状が等脚台形の下底を除く３辺の形状である請求項６または７記載のアクティブマトリクス基板。
  9. 　上記折れ線形状が三角形の２辺の形状である請求項６または７記載のアクティブマトリクス基板。
  10. 　上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線に近づく向きに凸となる曲線形状とすることで形成される請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  11. 　上記先細り部は、第１端部の周縁の一部を、第２信号線から離れる向きに凸となる曲線形状とすることで形成される請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  12. 　上記曲線形状が円弧形状である請求項１０または１１記載のアクティブマトリクス基板。
  13. 　上記曲線形状が二次曲線形状である請求項１０または１１記載のアクティブマトリクス基板。
  14. 　上記第２信号線の両端部のうち第１信号線側に位置する第２端部は、第１信号線に近づくにつれて細くなる先細り部を含む請求項１～１３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
  15. 　上記第２端部は、第１および第２端部の間隙を通り行方向に延伸する線を軸として第１端部と線対称となる形状を有する請求項７記載のアクティブマトリクス基板。
  16. 　上記第１および第２電極はセンシング用である請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  17. 　上記第１および第２電極は表示用である請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
  18. 　請求項１６記載のアクティブマトリクス基板を含むＸ線センサ装置。
  19. 　請求項１７記載のアクティブマトリクス基板を含む表示装置。
PCT/JP2012/052419 2011-02-09 2012-02-02 アクティブマトリクス基板、ｘ線センサ装置、表示装置 WO2012108334A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/982,569 US8941185B2 (en) 2011-02-09 2012-02-02 Active matrix substrate, x-ray sensor device, display device
CN201280007217.4A CN103348474B (zh) 2011-02-09 2012-02-02 有源矩阵基板、x射线传感装置、显示装置
JP2012556850A JP5542973B2 (ja) 2011-02-09 2012-02-02 アクティブマトリクス基板、ｘ線センサ装置、表示装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-026403 2011-02-09
JP2011026403 2011-02-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012108334A1 true WO2012108334A1 (ja) 2012-08-16

Family

ID=46638550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/052419 WO2012108334A1 (ja) 2011-02-09 2012-02-02 アクティブマトリクス基板、ｘ線センサ装置、表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8941185B2 (ja)
JP (1) JP5542973B2 (ja)
CN (1) CN103348474B (ja)
WO (1) WO2012108334A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020045297A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9461072B2 (en) * 2013-12-25 2016-10-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display array substrates and a method for manufacturing the same
JP6523803B2 (ja) * 2015-06-10 2019-06-05 キヤノン電子管デバイス株式会社 アレイ基板、および放射線検出器
CN112234088B (zh) * 2017-04-21 2023-04-18 群创光电股份有限公司 显示装置
CN110619825B (zh) * 2019-10-31 2022-01-04 錼创显示科技股份有限公司 电极结构、微型发光元件以及显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07253593A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
JPH08286213A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH1195406A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Nec Corp 露光パターン及びその発生方法
JP2004296654A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Canon Inc 放射線撮像装置
WO2007102382A1 (ja) * 2006-03-06 2007-09-13 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板、表示装置及びテレビジョン受像機

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100733879B1 (ko) 2000-12-30 2007-07-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
JP3818176B2 (ja) * 2002-03-06 2006-09-06 株式会社村田製作所 Ｒｆｍｅｍｓ素子
US7291923B1 (en) * 2003-07-24 2007-11-06 Xilinx, Inc. Tapered signal lines
KR101430639B1 (ko) * 2008-03-17 2014-08-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR100955339B1 (ko) * 2008-04-22 2010-04-29 주식회사 애트랩 접촉 및 접근을 감지할 수 있는 디스플레이 패널과디스플레이 장치 및 이 패널을 이용하는 접촉 및 접근 감지방법
TWI391768B (zh) * 2009-05-20 2013-04-01 Au Optronics Corp 液晶顯示裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07253593A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
JPH08286213A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH1195406A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Nec Corp 露光パターン及びその発生方法
JP2004296654A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Canon Inc 放射線撮像装置
WO2007102382A1 (ja) * 2006-03-06 2007-09-13 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板、表示装置及びテレビジョン受像機

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020045297A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ

Also Published As

Publication number Publication date
US20130307085A1 (en) 2013-11-21
CN103348474A (zh) 2013-10-09
JPWO2012108334A1 (ja) 2014-07-03
US8941185B2 (en) 2015-01-27
JP5542973B2 (ja) 2014-07-09
CN103348474B (zh) 2016-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3683463B2 (ja) アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
US6724443B1 (en) Active matrix type display device
TWI572958B (zh) 顯示器
JP4197016B2 (ja) 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
JP5542973B2 (ja) アクティブマトリクス基板、ｘ線センサ装置、表示装置
WO2011030583A1 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP5091355B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP4784382B2 (ja) 液晶表示装置
US9235091B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP5157319B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
TW201911433A (zh) 畫素結構
JP5067756B2 (ja) 液晶表示パネル
JP5428141B2 (ja) 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
US8975638B2 (en) High-performance active matrix substrate with high signal quality
JP5076372B2 (ja) 薄膜トランジスタパネルおよび液晶表示装置
JP2009053479A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2009053477A (ja) 電気光学装置及び電子機器
US11624954B2 (en) Display device
JP5605051B2 (ja) 電気泳動表示装置
JP5070743B2 (ja) 薄膜トランジスタパネルおよび液晶表示装置
JP2012003164A5 (ja)
JP3618339B2 (ja) 液晶表示装置
TWI417623B (zh) Display the pixel structure of the panel
JP4973820B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2005037763A (ja) 液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201280007217.4

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12745178

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012556850

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13982569

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12745178

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1