WO2012103823A2 - 一种移相器和耦合器及其制造方法 - Google Patents

一种移相器和耦合器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012103823A2
WO2012103823A2 PCT/CN2012/072298 CN2012072298W WO2012103823A2 WO 2012103823 A2 WO2012103823 A2 WO 2012103823A2 CN 2012072298 W CN2012072298 W CN 2012072298W WO 2012103823 A2 WO2012103823 A2 WO 2012103823A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
electro
waveguide
polymer material
cathode metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/CN2012/072298
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2012103823A3 (zh
Inventor
许牧
高磊
苏翼凯
李菲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Technologies Co Ltd
Shanghai Jiao Tong University
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Shanghai Jiao Tong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd, Shanghai Jiao Tong University filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Priority to PCT/CN2012/072298 priority Critical patent/WO2012103823A2/zh
Priority to CN201280000484.9A priority patent/CN102763264B/zh
Publication of WO2012103823A2 publication Critical patent/WO2012103823A2/zh
Publication of WO2012103823A3 publication Critical patent/WO2012103823A3/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/061—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on electro-optical organic material
    • G02F1/065—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on electro-optical organic material in an optical waveguide structure

Definitions

  • the present invention relates to the field of integrated silicon-based photonics, and more particularly to a phase shifter and coupler and a method of fabricating the same. Background technique
  • silicon-based phase shifter is the core device for realizing silicon-based high-speed modulation. It is of great significance in the field of integrated silicon-based photonics. Its research work has become academia and industry. hot spot.
  • the carrier dispersion effect is usually used to achieve the purpose of phase shifting due to the lack of linear electro-optic effect.
  • the change of refractive index mainly depends on the change of free carrier concentration.
  • the ordinary silicon-based waveguide has limited limitation on the optical field, and the modulation efficiency is not High, typically requiring waveguides of tens of microns to a few millimeters in length to phase shift, greatly limits the high density integration of silicon-based devices.
  • the free charge carriers dispersion (FCD) and free charge carrier absorption (FCA) effects associated with changes in carrier concentration cause delays in the response time of electro-optical conversion. The increase in the rate of the silicon based phase shifter is greatly limited.
  • Embodiments of the present invention provide a phase shifter and a coupler and a method of fabricating the same,
  • the gap between the metal upper electrode and the doped silicon dielectric fills the structure of the material having an electrooptic effect, which further miniaturizes the device and reduces the adverse effects of the carrier effect, thereby increasing the response speed of the device.
  • a phase shifter including:
  • the top silicon layer includes two isolation trenches, the two isolation trenches being separated by a common trench wall between the two isolation trenches, the common trench wall a waveguide, and the height of the waveguide is higher than an outer groove wall of the two isolation grooves;
  • first cathode metal layer and a second cathode metal layer respectively covering the two outer groove walls of the two isolation grooves
  • a coupler is provided, the output of the coupler being coincident with an input of the phase shifter, the coupler comprising:
  • the top silicon layer includes two isolation trenches, the two isolation trenches being separated by a common trench wall between the two isolation trenches, the common trench wall a coupler waveguide, wherein a height of the coupler waveguide is higher than an outer groove wall of the two isolation trenches, and a width of the input side of the coupler waveguide is greater than a width of the output side;
  • first cathode metal layer and a second cathode metal layer respectively covering the two outer groove walls of the two isolation grooves
  • Electro-optic polymer material layer Covering the first cathode metal layer, the second cathode metal layer, and the top silicon layer Electro-optic polymer material layer;
  • a method of fabricating a phase shifter comprising:
  • Pre-polarizing the electro-optic polymer material layer for a predetermined length of time by applying the first electric field strength to the polarized metal electrode as an anode and the first cathode metal layer and the second cathode metal layer as a cathode;
  • a method of manufacturing a coupler including:
  • Pre-polarizing the electro-optic polymer material layer for a predetermined length of time by applying the first electric field strength to the polarized metal electrode as an anode and the first cathode metal layer and the second cathode metal layer as a cathode;
  • Embodiments of the present invention provide a phase shifter and a coupler and a method of fabricating the same, which employ a structure in which a gap between a metal upper electrode and a doped silicon dielectric fills a material having an electrooptic effect, thereby making the device more compact and at the same time reducing The adverse effects of the carrier effect increase the response speed of the device.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of an end surface of a phase shifter according to an embodiment of the present invention
  • phase shifter A-A of FIG. 1 is a cross-sectional structural view of the phase shifter A-A of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic structural diagram of an end face surface of an output end of a coupler according to an embodiment of the present invention
  • 4 is a cross-sectional structural view of the coupler BB surface shown in FIG. 3 according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of an end surface of a phase shifter according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional structural view of a phase shifter A-A of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 7 is a schematic structural diagram of an end surface of an output end of a coupler according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the B-B surface of the coupler shown in FIG.
  • FIG. 9 is a schematic flow chart of a method for manufacturing a phase shifter according to an embodiment of the present invention.
  • 10a to 10g are schematic diagrams showing a manufacturing process of a phase shifter according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic flow chart of a method for manufacturing a coupler according to an embodiment of the present invention.
  • an embodiment of the present invention provides a phase shifter, including: an underlying silicon layer 1a and an insulating layer 2a covering the underlying silicon layer 1a; a top silicon layer covering the insulating layer 2a, and a top silicon layer including two An isolation groove 3a, the two isolation grooves 3a are separated by a common groove wall between the two isolation grooves, the common groove wall is the waveguide 4a, and the height of the waveguide 4a is higher than the outer groove walls of the two isolation grooves 3a; a first cathode metal layer 5a and a second cathode metal layer 6a covering the two outer groove walls of the two isolation grooves; and an electro-optical polymer material layer covering the first cathode metal layer 5a, the second cathode metal layer 6a and the top silicon layer 7a; an upper electrode 8a formed above the electro-optic polymer material layer 7a above the waveguide 4a, upper layer A slit filled with the electro-optic polymer material layer 7a
  • the phase shifter provided by the embodiment of the present invention adopts a structure in which a gap between a metal upper electrode and a doped silicon dielectric fills a material having an electrooptic effect, thereby making the device more compact and reducing the carrier effect.
  • the adverse effects increase the response speed of the device.
  • the upper electrode 8a is wider than the width of the waveguide 4a; the widths of the two isolation grooves are equal, and the thicknesses of the bottoms of the two isolation grooves are equal; the shape of the waveguide 4a is a rectangular parallelepiped.
  • the structure of the phase shifter provided by the embodiment of the present invention strengthens the limiting effect of the slit of the electro-optic polymer material on the light field due to the characteristics of the surface plasmon polarization mode, and controls the narrowness by changing the voltage on the upper electrode and the waveguide.
  • the refractive index of the electro-optic polymer material in the slit further adjusts the phase of the light field, and finally achieves the purpose of phase shifting.
  • an embodiment of the present invention provides a coupler, the output end of which is matched with the input end of the phase shifter provided in FIG. 1, and the coupler includes: a bottom silicon layer lb and An insulating layer 2b covering the underlying silicon layer lb;
  • the top silicon layer comprises two isolation trenches 3b, the two isolation trenches 3b being separated by a common trench wall between the two isolation trenches 3b, the common trench walls being the coupler waveguides 4b, wherein The height of the coupler waveguide 4b is higher than the outer groove walls of the two isolation grooves 3b, and the width of the input side of the coupler waveguide 4b is larger than the width of the output side;
  • first cathode metal layer 5b and a second cathode metal layer 6b covering the two outer groove walls of the two isolation grooves, respectively;
  • An electro-optic polymer material layer 7b covering the first cathode metal layer 5b, the second cathode metal layer 6b and the top silicon layer;
  • a slit formed by the electro-optic polymer material layer 7b is formed between the upper electrode 8b, the upper electrode 8b and the coupler waveguide 4b waveguide formed above the electro-optic polymer material layer 7b above the coupler waveguide 4b;
  • the upper protective layer 9b covering the upper electrode 8b and the electro-optic polymer material layer 7b. Further, the upper electrode 8b is wider than the widest width of the coupler waveguide 7b; two isolations The widths of the slots are equal and the thicknesses of the bottoms of the two isolation slots are equal.
  • the coupler provided by the embodiment of the present invention is limited in shape and structure to be applied only to the redirector provided by the present invention, and the phase shifter provided by the present invention provides input light waves. Since the output of the coupler coincides with the input of the phase shifter and the layer structure is the same, the upper electrode of the coupler and the coupler waveguide can provide the same electric field strength as in the phase shifter slit, so when the light wave enters the coupler The coupler also plays a phase shifting effect on the light field.
  • the length of the coupler is relatively short compared to the phase shifter, the light wave enters the design of the phase shifter through the coupler provided by the embodiment of the present invention, to a certain extent
  • the effect of phase shifting is enhanced, that is, a good phase shifting effect can be achieved when a lower voltage change amount occurs, thereby reducing energy consumption.
  • the preferred embodiment of the phase shifter has a width of 1.5 micrometers and a thickness of 200 nanometers;
  • the isolation trenches are all 2 microns wide and the bottom of the isolation trenches are 50 nanometers thick.
  • the height of the waveguide is 150 nm, the width of the waveguide is 400 nm, the length of the phase shifter is 10 ⁇ m, and the height of the slit is 20 nm.
  • ⁇ 2 a can obtain the change of the phase with the voltage.
  • the wavelength of the light wave introduced into the phase shifter is electro-optic polymerization.
  • the second-order nonlinear coefficient of the material is the length of the phase shifter, which is the height of the polymer slit, ⁇ is the percentage of the light field energy in the slit, and S is the ratio of the phase velocity to the group velocity in the waveguide.
  • ⁇ is the amount of change in voltage value, ⁇ ⁇ phase change amount.
  • an embodiment of the present invention provides an example of a coupler.
  • the upper electrode of the coupler has a width of 1.5 ⁇ m and a thickness of 200 nm; both isolation slots have widths at the input end. 1.975 micron, 2 microns at the output, the thickness of the bottom of both isolation trenches is 50 nanometers; the height of the coupler waveguide is 150 nanometers, the width of the coupler waveguide at the input is 450 nanometers, the width at the output It is 400 nm; the coupler has a length of 500 nm and the slit has a height of 20 nm.
  • phase shifter and the coupler are given here, as long as those skilled in the art can easily think of the change or replacement of the parameters within the scope of the technology disclosed in the present invention, which should be covered by the scope of the present invention. .
  • the coupler provided by the embodiment of the present invention is limited in shape and structure to be applied only to the redirector provided by the present invention, and the phase shifter provided by the present invention provides input light waves.
  • a method for manufacturing a phase shifter according to an embodiment of the present invention includes the following steps in conjunction with FIGS. 10a-10g:
  • Two isolation trenches separated by an intermediate common trench wall are formed by etching on the top silicon layer of the silicon wafer having the underlying silicon layer, the intermediate insulating layer, and the top silicon layer.
  • the silicon wafer having the underlying silicon layer, the intermediate insulating layer and the top silicon layer is also referred to as an SOI (Silicon-On-Insulator) silicon wafer, wherein the intermediate insulating layer is a silicon oxide material, as shown in FIG. 10a.
  • SOI Silicon-On-Insulator
  • two isolation trenches separated by a central common trench wall are formed by an etch process.
  • S102a doping a low concentration N-type carrier to the intermediate common trench wall to form a waveguide.
  • S 103 a Doping a high concentration of N-type carriers to the bottom of the two isolation trenches and the two outer trench walls to form a waveguide cathode.
  • steps S 102 and S 103 shown in Figure 10b, the intermediate groove wall common low doping concentration N-type carriers, 10 1 6 ⁇ 10 1 8 cm_ 3, the waveguide is formed; two isolation trenches The bottom and the two outer groove walls are doped with a high concentration of N-type carriers, and the concentration is preferably
  • a first cathode metal layer and a second cathode metal layer may be formed on the outer groove walls of the two isolation trenches by evaporation and lift-off methods, wherein the first cathode metal layer and the second cathode metal layer In the case of silver or gold, the first cathode metal layer and the second cathode metal layer are electrically conductive and simultaneously serve as cathode electrodes of the waveguide when energized.
  • electro-optic polymer material layer covering the first cathode metal layer, the second cathode metal layer, and the top silicon layer.
  • a layer of electro-optic polymer material is prepared by spin coating, wherein the electro-optic polymer material layer is AJLS 103 cross-linked with poly(mercapto acrylate) PMMA, and optionally, the refractive index is 1.63.
  • the nonlinear coefficient is 100 ⁇ 200pm/V.
  • the molecular formula of AJLS 103 is as shown in the following formula 1:
  • a first protective layer is also formed by spin coating, the first protective layer being a silicon dioxide material; a polarized metal electrode is formed on the first protective layer by evaporation.
  • the first electric field intensity used in the pre-polarization process is 100 V/um, and the predetermined duration is 10 min.
  • the polarized metal electrode and the first protective layer may be directly peeled off.
  • S 1 10a forming an upper electrode on the layer of electro-optic polymer material above the waveguide.
  • an upper electrode is formed on the electro-optic polymer material layer by evaporation and lift-off.
  • S l l l a forming a second protective layer covering the upper electrode and the electro-optic polymer material layer.
  • a direct spin-on silica material is used as a second protective layer to cover the upper electrode and electro-optic polymer material layers.
  • the phase shifter manufacturing method provided by the embodiment of the present invention adopts a structure in which a gap between a metal upper electrode and a doped silicon dielectric material fills a material having an electrooptic effect, thereby making the device more compact and reducing the carrier effect band.
  • the adverse effects of the device increase the response speed of the device.
  • phase change formula of the phase shifter is: ⁇ 2 a where is the wavelength, "is the refractive index of the electro-optic material, the second-order nonlinear coefficient of the polymer, and z is the length of the phase shifter, which is the polymerization.
  • the thickness of the object slit ⁇ is the percentage of the light field energy in the slit, which is the ratio of the phase velocity to the group velocity in the waveguide, ⁇ is the voltage value change amount, ⁇ ⁇ phase change amount.
  • a method for manufacturing a coupler according to an embodiment of the present invention includes the following steps:
  • the silicon wafer having the underlying silicon layer, the intermediate insulating layer, and the top silicon layer is also referred to as an SOI (Silicon-On-Insulator) silicon wafer, wherein the intermediate insulating layer is a silicon oxide material.
  • SOI Silicon-On-Insulator
  • steps S 102 and S 103 of low concentration of 10 16 ⁇ 10 18 cm_ 3 a high concentration of S104b, forming a first cathode metal layer and a second cathode metal layer on the outer groove walls of the two isolation trenches.
  • the first cathode metal layer and the second cathode metal layer may be formed on the outer groove walls of the two isolation trenches by evaporation and lift-off methods, wherein the first cathode metal layer and the second cathode metal layer are silver or gold, When energized, the first cathode metal layer and the second cathode metal layer are conductive and simultaneously serve as cathode electrodes for the coupler waveguide.
  • a layer of electro-optic polymer material is prepared by spin coating, wherein the electro-optic polymer material layer is AJLS 103 which is cross-linked with polyacrylic acid decyl acrylate PMMA, optionally, having a refractive index of 1.63, a nonlinear coefficient It is 100 ⁇ 200pm/V.
  • the first protective layer can also be formed by spin coating, which is a silicon dioxide material.
  • a polarized metal electrode is formed on the first protective layer by evaporation.
  • the first electric field intensity used in the pre-polarization process is 100 V/um, and the predetermined duration is 10 min.
  • the polarized metal electrode and the first protective layer may be directly peeled off.
  • An upper electrode is formed on the electro-optic polymer material layer by evaporation and lift-off.
  • the coupler provided by the embodiment of the present invention limits the shape and structure to the direction shifter provided by the present invention, and provides the input light wave for the phase shifter provided by the present invention.
  • the phase shifter and the coupler provided by the embodiments of the present invention can also be integrally prepared, that is, the coupler provided by the present invention can be directly prepared by the present invention, because the processing process of the layers in the manufacturing process and the entire preparation steps are the same.
  • the input of the phase shifter further enhances the precision of the device.
  • the upper electrode of the coupler and the coupler waveguide can provide the same electric field strength as in the phase shifter slit, so the light wave enters the coupler.
  • the time coupler can also achieve the phase shifting effect on the light field.
  • the length of the coupler is relatively short compared to the phase shifter, the light wave enters the design of the phase shifter through the coupler provided by the embodiment of the present invention, to a certain extent.
  • the effect of phase shifting can be enhanced, that is, a good phase shifting effect can be achieved when a lower voltage change amount occurs, thereby reducing energy consumption.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

一种移相器和耦合器及其制造方法 技术领域
本发明涉及集成硅基光子学领域， 尤其涉及一种移相器和耦合 器及其制造方法。 背景技术
硅基移相器作为实现电信号-光信号转换的关键， 是实现硅基高 速调制的核心器件， 在集成硅基光子学领域具有十分重要的意义， 其研究工作已成为学术界和工业界的热点。 对于硅材料， 由于其本 身缺乏线性电光效应， 通常采用载流子色散效应来实现对折射率的 调制以达到移相的目 的。 总体上看， 在硅基器件中， 折射率的改变 主要依赖于自由载流子浓度的变化， 它主要存在两方面问题： 第一， 普通硅基波导对光场的限制作用有限， 调制效率不高， 通常需要几 十微米到几毫米长度级别的波导进行移相， 极大地限制了硅基器件 的高密度集成。 第二， 伴随载流子浓度变化而产生的 自由载流子色 散 ( FCD , free charge carriers dispersion )和自由载流子吸收 ( FCA , free charge carriers absorption )效应会对电光转换的响应时间造成延 迟， 极大地限制了硅基移相器速率的提升。
近年来， 随着对表面等离子体效应研究的深入， 出现了一些基 于表面等离子体波导结构的移相器设计方案。 然而， 这些新型表面 等离子体移相调制器的工作性能并不令人满意， 主要原因可以归结 于以下几个方面： 第一， 波导结构设计存在缺陷， 加工工艺要求高， 由等离子体效应带来的损耗较大， 性能不稳定。 第二， 严重依赖硅 基载流子效应， 调制信号延迟大， 畸变严重。 发明内容
本发明的实施例提供一种移相器和耦合器及其制造方法， 采用 在金属上电极和掺杂硅电介质之间的缝隙填充具有电光效应的材料 的结构， 使得器件更加小型化、 同时降低了载流子效应带来的不利 影响提高了器件的响应速度。
为达到上述目 的， 本发明的实施例采用如下技术方案： 一方面， 提供一种移相器， 包括：
底层硅层和覆盖所述底层硅层的绝缘层；
覆盖所述绝缘层的顶层硅层， 所述顶层硅层包括两个隔离槽， 所述两个隔离槽被位于所述两个隔离槽之间的公共槽壁隔开， 所述 公共槽壁即波导， 且所述波导的高度高于所述两个隔离槽的外侧槽 壁；
分别覆盖所述两个隔离槽的两个外侧槽壁的第一阴极金属层和 第二阴极金属层；
覆盖第一阴极金属层、 所述第二阴极金属层和所述顶层硅层的 电光聚合物材料层；
形成在所述波导上方的所述电光聚合物材料层上方的上层电 极， 所述上层电极和所述波导之间形成有被所述电光聚合物材料层 填充的狭缝；
覆盖所述上层电极和所述电光聚合物材料层的第二保护层。 另一方面， 提供一种耦合器， 所述耦合器的输出端与所述移相 器的输入端相吻合， 所述耦合器包括：
底层硅层和覆盖所述底层硅层的绝缘层；
覆盖所述绝缘层的顶层硅层， 所述顶层硅层包括两个隔离槽， 所述两个隔离槽被位于所述两个隔离槽之间的公共槽壁隔开， 所述 公共槽壁即耦合器波导， 其中所述耦合器波导的高度高于所述两个 隔离槽的外侧槽壁， 所述耦合器波导输入侧的宽度大于输出侧的宽 度；
分别覆盖所述两个隔离槽的两个外侧槽壁的第一阴极金属层和 第二阴极金属层；
覆盖第一阴极金属层、 所述第二阴极金属层和所述顶层硅层的 电光聚合物材料层；
形成在所述耦合器波导上方的所述电光聚合物材料层上方的上 层电极， 所述上层电极和所述波导之间形成有被所述电光聚合物材 料层填充的狭缝；
覆盖所述上层电极和所述电光聚合物材料层的第二保护层。 在一方面， 提供一种移相器的制造方法， 包括：
在具有底层硅层、 中间绝缘层和顶层硅层的硅片的顶层硅层上 通过刻蚀形成被中间公共槽壁隔开的两个隔离槽；
对所述中间公共槽壁掺杂低浓度 N型载流子， 形成波导； 对所述两个隔离槽的底部和两个外侧槽壁掺杂高浓度 N型载流 子， 形成波导阴极；
在所述两个隔离槽的外侧槽壁上制作第一阴极金属层和第二阴 极金属层；
制作覆盖所述第一阴极金属层、 所述第二阴极金属层、 所述顶 层硅层的电光聚合物材料层；
制作覆盖所述电光聚合物材料层上的第一保护层；
制作覆盖所述第一保护层的极化金属电极；
以所述极化金属电极作为阳极、 以所述第一阴极金属层和第二 阴极金属层作为阴极施加第一电场强度对所述电光聚合物材料层进 行预定时长的预极化；
去除所述极化金属电极和所述第一保护层；
在所述波导上方的所述电光聚合物材料层上形成上层电极； 制作覆盖所述上层电极和所述电光聚合物材料层的第二保护 层。
又一方面， 提供一种耦合器的制造方法， 包括：
在具有底层硅层、 中间绝缘层和顶层硅层的硅片的顶层硅层上 通过刻蚀形成被中间公共槽壁隔开的两个隔离槽；
对所述中间公共槽壁掺杂低浓度 N型载流子，形成耦合器波导； 对所述两个隔离槽的底部和两个外侧槽壁掺杂高浓度 N型载流 子， 形成耦合器波导阴极；
在所述两个隔离槽的外侧槽壁上制作第一阴极金属层和第二阴 极金属层；
制作覆盖所述第一阴极金属层、 所述第二阴极金属层、 所述顶 层硅层的电光聚合物材料层；
制作覆盖所述电光聚合物材料层上的第一保护层；
制作覆盖所述第一保护层的极化金属电极；
以所述极化金属电极作为阳极、 以所述第一阴极金属层和第二 阴极金属层作为阴极施加第一电场强度对所述电光聚合物材料层进 行预定时长的预极化；
去除所述极化金属电极和所述第一保护层；
在所述波导上方的所述电光聚合物材料层上形成上层电极； 制作覆盖所述上层电极和所述电光聚合物材料层的第二保护 层。
本发明的实施例提供一种移相器和耦合器及其制造方法， 采用 在金属上电极和掺杂硅电介质之间的缝隙填充具有电光效应的材料 的结构， 使得器件更加小型化、 同时降低了载流子效应带来的不利 影响提高了器件的响应速度。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案， 下 面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例， 对于 本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以 根据这些附图获得其他的附图。
图 1 为本发明实施例提供的移相器端面结构示意图；
图 2为本发明实施例提供的图 1所示的移相器 A-A面的剖面结 构示意图；
图 3为本发明实施例提供的耦合器输出端端面面结构示意图； 图 4为本发明实施例提供的图 3所示的耦合器 B-B面的剖面结 构示意图；
图 5为本发明另一实施例提供的移相器端面结构示意图； 图 6为本发明实施例提供的图 5所示的移相器 A-A面的剖面结 构示意图；
图 7 为本发明另一实施例提供的耦合器输出端端面结构示意 图；
图 8为本发明实施例提供的图 Ί所示的耦合器 B-B面的剖面结 构示意图；
图 9 为本发明实施例提供的一种移相器的制造方法流程示意 图；
图 10a〜10g为本发明实施例提供的一种移相器的制造过程示意 图；
图 11 为本发明实施例提供的一种耦合器的制造方法流程示意 图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术 方案进行清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明 一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本 领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例， 都属于本发明保护的范围。
结合图 1、 2所示， 本发明实施例提供一种移相器， 包括： 底层硅层 la 和覆盖底层硅层 la 的绝缘层 2a; 覆盖绝缘层 2a 的顶层硅层， 顶层硅层包括两个隔离槽 3a, 两个隔离槽 3a被位于两 个隔离槽之间的公共槽壁隔开， 公共槽壁即波导 4a, 且波导 4a的高 度高于两个隔离槽 3a的外侧槽壁； 分别覆盖两个隔离槽的两个外侧 槽壁的第一阴极金属层 5a和第二阴极金属层 6a;覆盖第一阴极金属 层 5a、 第二阴极金属层 6a和顶层硅层的电光聚合物材料层 7a; 形 成在波导 4a上方的电光聚合物材料层 7a上方的上层电极 8a, 上层 电极 8a和波导 4a之间形成有被电光聚合物材料层 7a填充的狭缝； 覆盖上层电极 8a和电光聚合物材料层 7a的第二保护层 9a。
本发明的实施例提供的种移相器， 采用在金属上电极和掺杂硅 电介质之间的缝隙填充具有电光效应的材料的结构， 使得器件更加 小型化、 同时降低了载流子效应带来的不利影响提高了器件的响应 速度。
需要说明的是， 上层电极 8a宽于波导 4a的宽度； 两个隔离槽 的宽度相等、 两个隔离槽的底部的厚度相等； 波导 4a的形状为长方 体。
本发明实施例提供的移相器的结构中由于表面等离子体极化模 式的特性， 强化了电光聚合物材料狭缝对光场的限制作用， 通过通 过改变上层电极和波导上的电压来控制狭缝中电光聚合物材料的折 射率进而实现对光场相位的调节， 最终达到移相的目 的。
结合图 3、 4所示， 本发明实施例提供一种耦合器， 该耦合器的 输出端与图 1、 2提供的移相器的输入端相吻合， 该耦合器包括： 底层硅层 l b和覆盖底层硅层 l b的绝缘层 2b ;
覆盖绝缘层 2b 的顶层硅层， 顶层硅层包括两个隔离槽 3b , 两 个隔离槽 3b被位于两个隔离槽 3b之间的公共槽壁隔开， 公共槽壁 即耦合器波导 4b , 其中耦合器波导 4b的高度高于两个隔离槽 3b的 外侧槽壁， 耦合器波导 4b输入侧的宽度大于输出侧的宽度；
分别覆盖两个隔离槽的两个外侧槽壁的第一阴极金属层 5b 和 第二阴极金属层 6b ;
覆盖第一阴极金属层 5b、 第二阴极金属层 6b 和顶层硅层的电 光聚合物材料层 7b ;
形成在耦合器波导 4b上方的电光聚合物材料层 7b上方的上层 电极 8b , 上层电极 8b和耦合器波导 4b波导之间形成有被电光聚合 物材料层 7b填充的狭缝；
覆盖上层电极 8b和电光聚合物材料层 7b的第二保护层 9b。 此外， 上层电极 8b宽于耦合器波导 7b的最宽宽度； 两个隔离 槽的宽度相等、 两个隔离槽的底部的厚度相等。
这里， 本发明实施例提供的耦合器从形状和结构上限制了只能 配合应用于本发明所提供的移向器， 为本发明提供的移相器提供输 入光波。 由于耦合器输出端和移相器的输入端相吻合， 且层结构相 同， 耦合器的上层电极和耦合器波导可以提供与移相器狭缝中相同 的电场强度， 因此在光波进入耦合器时耦合器也起到了对光场的移 相作用， 虽然耦合器的长度相对移相器来说比较短， 但是光波通过 本发明实施例提供的耦合器进入移相器的设计， 在一定程度上可以 增强移相的效果， 即可以在更低的电压改变量发生时便能达到良好 的移相效果， 从而降低了能耗。
具体的，结合图 5、 6所示本发明实施例给出一种移相器的实例， 其中， 优选的该移相器的上层电极的宽度为 1 .5 微米、 厚度为 200 纳米； 两个隔离槽的宽度均为 2微米， 隔离槽底部的厚度均为 50纳 米。 波导的高度为 150纳米， 波导的宽度为 400纳米； 移相器的长 度为 10微米； 狭缝的高度为 20纳米。
这时根据移相器的相位改变公式： λ 2 a 可以得到相位随电压的改变量， 在上述公式中， 为导入移相 器的光波波长， "为电光聚合物材料的折射率， 为电光聚合物材料 的二阶非线性系数， 为移相器的长度， 为聚合物狭缝的高度， Γ为 狭缝中的光场能量所占的百分比， S为波导中相速度与群速度的比 值， △ 为电压值改变量， Δ^相位改变量。
结合图 7、 8所述， 本发明实施例给出一种耦合器的实例， 优选 的该耦合器上层电极宽度为 1 .5 微米、 厚度为 200 纳米； 两个隔离 槽在输入端宽度均为 1 .975 微米， 在输出端宽度均为 2微米， 两个 隔离槽底部的厚度均为 50纳米； 耦合器波导的高度为 150纳米， 耦 合器波导在输入端宽度为 450纳米、 在输出端宽度为 400纳米； 耦 合器的的长度为 500纳米， 狭缝的高度为 20纳米。 当然这里给出的只是移相器和耦合器的优选参数， 只要本领域 技术人员在本发明揭露的技术范围内， 可轻易想到参数的变化或替 换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。
这里， 本发明实施例提供的耦合器从形状和结构上限制了只能 配合应用于本发明所提供的移向器， 为本发明提供的移相器提供输 入光波。
如图 9所示为本发明实施例提供的移相器的制造方法， 结合图 10a〜10g包括以下步骤：
S 101 a、 在具有底层硅层、 中间绝缘层和顶层硅层的硅片的顶层 硅层上通过刻蚀形成被中间公共槽壁隔开的两个隔离槽。
这里， 具有底层硅层、 中间绝缘层和顶层硅层的硅片也称作 SOI ( Silicon-On-Insulator , 绝缘衬底上的硅）硅片， 其中中间绝缘层为 氧化硅材料， 如图 10a所示， 通过刻蚀工艺形成被中间公共槽壁隔开 的两个隔离槽。
S 102a、 对中间公共槽壁掺杂低浓度 N型载流子， 形成波导。 S 103 a、 对两个隔离槽的底部和两个外侧槽壁掺杂高浓度 N 型 载流子， 形成波导阴极。
具体的， 步骤 S 102和 S 103 , 如图 10b所示， 对中间公共槽壁 掺杂低浓度 N型载流子， 101 6〜101 8cm_3 , 形成波导； 对两个隔离槽 的底部和两个外侧槽壁掺杂高浓度 N 型载流子， 此浓度优选
1020cm-3。
S 104 a、在两个隔离槽的外侧槽壁上制作第一阴极金属层和第二 阴极金属层。
这里， 如图 10c所示， 可以采用蒸镀和剥离法在两个隔离槽的 外侧槽壁上制作第一阴极金属层和第二阴极金属层， 其中第一阴极 金属层和第二阴极金属层为银或金， 在通电时第一阴极金属层和第 二阴极金属层为导通的并同时作为波导的阴极电极。
S 105 a、 制作覆盖第一阴极金属层、 第二阴极金属层、 顶层硅层 的电光聚合物材料层。 如图 10d所示， 这里采用旋涂的方式制作电光聚合物材料层， 其中电光聚合物材料层为与聚曱基丙烯酸曱酯 PMMA 发生交联的 AJLS 103 , 可选的， 其折射率为 1.63 , 非线性系数为 100〜200pm/V。 其中 AJLS 103 的分子式为如以下式 1 所示：
Figure imgf000011_0001
式 1
S 106a、 制作覆盖所述电光聚合物材料层上的第一保护层。
S 107a、 制作覆盖第一保护层的极化金属电极。
如图 10e所示， 同样采用旋涂的方式制作第一保护层， 该第一 保护层为二氧化硅材料； 采用蒸镀的方法在第一保护层上制作极化 金属电极。
S 108a、 以极化金属电极作为阳极、 以第一阴极金属层和第二阴 极金属层作为阴极施加第一电场强度对电光聚合物材料层进行预定 时长的预极化。
可选的，这里的预极化过程所采用的第一电场强度为 100V/um , 预定时长为 10min。
S 109a、 去除极化金属电极和第一保护层。
这里直接将极化金属电极和第一保护层剥离即可。 S 1 10a、 在波导上方的电光聚合物材料层上形成上层电极。
如图 10f 所示， 通过蒸镀和剥离法在电光聚合物材料层上形成 上层电极。
S l l l a、 制作覆盖上层电极和电光聚合物材料层的第二保护层。 如图 10g所示， 直接旋涂二氧化硅材料作为第二保护层覆盖上 层电极和电光聚合物材料层。
本发明的实施例提供的移相器制造方法， 采用在金属上电极和 掺杂硅电介质之间的缝隙填充具有电光效应的材料的结构， 使得器 件更加小型化、 同时降低了载流子效应带来的不利影响提高了器件 的响应速度。
需要说明的是， 移相器的相位改变公式为： λ 2 a 其中， 为波长， "为电光材料的折射率， 为聚合物的二阶非 线性系数， z为移相器的长度， 为聚合物狭缝的厚度， Γ为狭缝中 的光场能量所占的百分比， 为波导中相速度与群速度的比值， △ 为 电压值改变量， Δ^相位改变量。
如图 10所示， 为本发明实施例提供的耦合器的制造方法， 包括 以下步骤：
S 101b、 在具有底层硅层、 中间绝缘层和顶层硅层的硅片的顶层 硅层上通过刻蚀形成被中间公共槽壁隔开的两个隔离槽。
这里， 具有底层硅层、 中间绝缘层和顶层硅层的硅片也称作 SOI ( Silicon-On-Insulator , 绝缘衬底上的硅）硅片， 其中中间绝缘层为 氧化硅材料。
S 102b、 对中间公共槽壁掺杂低浓度 N 型载流子， 形成耦合器 波导。
S 103b、 对两个隔离槽的底部和两个外侧槽壁掺杂高浓度 N 型 载流子， 形成耦合器波导阴极。
可选的， 步骤 S 102和 S 103 中低浓度为 1016〜1018cm_3,高浓度为 S 104 b、在两个隔离槽的外侧槽壁上制作第一阴极金属层和第二 阴极金属层。
这里， 可以采用蒸镀和剥离法在两个隔离槽的外侧槽壁上制作 第一阴极金属层和第二阴极金属层， 其中第一阴极金属层和第二阴 极金属层为银或金， 在通电时第一阴极金属层和第二阴极金属层为 导通的并同时作为耦合器波导的阴极电极。
S 105b、 制作覆盖第一阴极金属层、 第二阴极金属层、 顶层硅层 的电光聚合物材料层。
这里采用旋涂的方式制作电光聚合物材料层， 其中电光聚合物 材料层为与聚曱基丙烯酸曱酯 PMMA发生交联的 AJLS 103 ,可选的， 其折射率为 1 .63 , 非线性系数为 100〜200pm/V。
S 106b、 制作覆盖电光聚合物材料层上的第一保护层。
同样可以采用旋涂的方式制作第一保护层， 该第一保护层为二 氧化硅材料。
S 107b、 制作覆盖第一保护层的极化金属电极。
采用蒸镀的方法在第一保护层上制作极化金属电极。
S 108b、 以极化金属电极作为阳极、 以第一阴极金属层和第二阴 极金属层作为阴极施加第一电场强度对电光聚合物材料层进行预定 时长的预极化。
可选的，这里的预极化过程所采用的第一电场强度为 100V/um , 预定时长为 10min。
S 109b、 去除极化金属电极和第一保护层。
这里直接将极化金属电极和第一保护层剥离即可。
S 1 10b、 在波导上方的电光聚合物材料层上形成上层电极。
通过蒸镀和剥离法在电光聚合物材料层上形成上层电极。
S l l lb、 制作覆盖上层电极和电光聚合物材料层的第二保护层。 直接旋涂二氧化硅材料作为第二保护层覆盖上层电极和电光聚 合物材料层。 这里， 本发明实施例提供的耦合器从形状和结构上限制了只能 配合应用于本发明所提供的移向器， 为本发明提供的移相器提供输 入光波。 且由于在制作工艺上各层的处理工艺及整个制备步骤相同 因此本发明实施例所提供的移相器和耦合器也可以一体制备， 即直 接将本发明提供的耦合器制备在本发明提供的移相器的输入端， 从 而进一步增强器件的精密性。 此外由于耦合器输出端和移相器的输 入端相吻合， 且层结构相同， 耦合器的上层电极和耦合器波导可以 提供与移相器狭缝中相同的电场强度， 因此在光波进入耦合器时耦 合器也能到了对光场的移相作用， 虽然耦合器的长度相对移相器来 说比较短， 但是光波通过本发明实施例提供的耦合器进入移相器的 设计， 在一定程度上可以增强移相的效果， 即可以在更低的电压改 变量发生时便能达到良好的移相效果， 从而降低了能耗。
以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围 并不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技 术范围内， 可轻易想到变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围 之内。 因此， 本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims

权 利 要 求 书
1、 一种移相器， 其特征在于， 包括：
底层硅层和覆盖所述底层硅层的绝缘层；
覆盖所述绝缘层的顶层硅层， 所述顶层硅层包括两个隔离槽， 所 述两个隔离槽被位于所述两个隔离槽之间的公共槽壁隔开， 所述公共 槽壁即波导， 且所述波导的高度高于所述两个隔离槽的外侧槽壁； 分别覆盖所述两个隔离槽的两个外侧槽壁的第一阴极金属层和 第二阴极金属层；
覆盖第一阴极金属层、所述第二阴极金属层和所述顶层硅层的电 光聚合物材料层；
形成在所述波导上方的所述电光聚合物材料层上方的上层电极， 所述上层电极和所述波导之间形成有被所述电光聚合物材料层填充 的狭缝；
覆盖所述上层电极和所述电光聚合物材料层的第二保护层。
2、 根据权利要求 1 所述的移相器， 其特征在于， 所述上层电极 宽于所述波导的宽度。
3、 根据权利要求 2所述的移相器， 其特征在于， 所述上层电极 的宽度为 1 .5微米、 厚度为 200纳米。
4、 根据权利要求 1 所述的移相器， 其特征在于， 所述两个隔离 槽的宽度相等且所述两个隔离槽的底部的厚度相等。
5、 根据权利要求 4所述的移相器， 其特征在于， 所述两个隔离 槽的宽度均为 2微米， 所述隔离槽底部的厚度均为 50纳米。
6、 根据权利要求 1 所述的移相器， 其特征在于， 所述波导的形 状为长方体。
7、 根据权利要求 6所述的移相器， 其特征在于， 所述波导的高 度为 150纳米， 所述波导的宽度为 400纳米。
8、 根据权利要求 1 所述的移相器， 所述移相器的的长度为 10 微米。
9、 根据权利要求 1所述的移相器， 所述狭缝的高度为 20纳米。
10、 一种耦合器， 其特征在于， 所述耦合器的输出端与所述移相 器的输入端相吻合， 所述耦合器包括：
底层硅层和覆盖所述底层硅层的绝缘层；
覆盖所述绝缘层的顶层硅层， 所述顶层硅层包括两个隔离槽， 所 述两个隔离槽被位于所述两个隔离槽之间的公共槽壁隔开， 所述公共 槽壁即耦合器波导， 其中所述耦合器波导的高度高于所述两个隔离槽 的夕卜侧槽壁， 所述耦合器波导输入侧的宽度大于输出侧的宽度；
分别覆盖所述两个隔离槽的两个外侧槽壁的第一阴极金属层和 第二阴极金属层；
覆盖第一阴极金属层、所述第二阴极金属层和所述顶层硅层的电 光聚合物材料层；
形成在所述耦合器波导上方的所述电光聚合物材料层上方的上 层电极， 所述上层电极和所述耦合器波导之间形成有被所述电光聚合 物材料层填充的狭缝；
覆盖所述上层电极和所述电光聚合物材料层的第二保护层。
1 1、 根据权利要求 10所述的耦合器， 其特征在于， 所述上层电 极宽于所述耦合器波导的最宽宽度。
12、 根据权利要求 1 1 所述的耦合器， 其特征在于， 所述上层电 极宽度为 1 .5微米、 厚度为 200纳米。
13、 根据权利要求 10所述的耦合器， 其特征在于， 在所述两个 隔离槽的宽度相等且所述两个隔离槽的底部的厚度相等。
14、 根据权利要求 13 所述的耦合器， 其特征在于， 所述两个隔 离槽在输入端宽度均为 1 .975微米， 在输出端宽度均为 2微米， 所述 两个隔离槽底部的厚度均为 50纳米。
15、 根据权利要求 10所述的耦合器， 其特征在于， 所述波导的 高度为 150纳米， 所述波导在输入端宽度为 450纳米、 在输出端宽度 为 400纳米。
16、根据权利要求 10所述的耦合器，所述耦合器的的长度为 500 纳米。
17、根据权利要求 10所述的耦合器，所述狭缝的高度为 20纳米。
18、 一种移相器的制造方法， 其特征在于， 包括：
在具有底层硅层、中间绝缘层和顶层硅层的硅片的顶层硅层上通 过刻蚀形成被中间公共槽壁隔开的两个隔离槽；
对所述中间公共槽壁掺杂低浓度 N型载流子， 形成波导； 对所述两个隔离槽的底部和两个外侧槽壁掺杂高浓度 N 型载流 子， 形成波导阴极；
在所述两个隔离槽的外侧槽壁上制作第一阴极金属层和第二阴 极金属层；
制作覆盖所述第一阴极金属层、 所述第二阴极金属层、 所述顶层 硅层的电光聚合物材料层；
制作覆盖所述电光聚合物材料层上的第一保护层；
制作覆盖所述第一保护层的极化金属电极；
以所述极化金属电极作为阳极、以所述第一阴极金属层和第二阴 极金属层作为阴极施加第一电场强度对所述电光聚合物材料层进行 预定时长的预极化；
去除所述极化金属电极和所述第一保护层；
在所述波导上方的所述电光聚合物材料层上形成上层电极； 制作覆盖所述上层电极和所述电光聚合物材料层的第二保护层。
19、 根据权利要求 1 8所述的方法， 其特征在于， 上层金属、 第 一阴极金属层、 第二阴极金属层和极化金属电极为银、 金。
20、 根据权利要求 1 8所述的方法， 其特征在于， 所述电光聚合 物材料层为与聚曱基丙烯酸曱酯 PMMA发生交联的 AJLS 103 , 其中 所述电光聚合物材料的折射率为 1 .63 , 非线性系数为 100〜200pm/V。
21、 根据权利要求 1 8所述的方法， 其特征在于， 所述低浓度为 1016〜1018cm-3,所述高浓度为 102°cm—3。
22、 根据权利要求 18 所述的方法， 其特征在于， 通电时所述第 一阴极金属层与所述第二阴极金属层连通。
23、 根据权利要求 18 所述的方法， 其特征在于， 所述绝缘层为 Si02,所述第一保护层为 Si02, 所述第二保护层为 Si02。
24、 根据权利要求 18 所述的方法， 其特征在于， 所述第一电场 强度为 100V/um , 所述预定时长为 10min。
25、 根据权利要求 1 8所述的方法， 其特征在于， 所述移相器的 相位改变公式为： λ 2 a 其中， 为波长， 《为电光材料的折射率， 为聚合物的二阶非 线性系数， /为移相器的长度， ^ /为聚合物狭缝的厚度， Γ为狭缝中的 光场能量所占的百分比， S为波导中相速度与群速度的比值， 为电 压值改变量， 相位改变量。
26、 一种耦合器的制造方法， 其特征在于， 包括：
在具有底层硅层、中间绝缘层和顶层硅层的硅片的顶层硅层上通 过刻蚀形成被中间公共槽壁隔开的两个隔离槽；
对所述中间公共槽壁掺杂低浓度 Ν型载流子， 形成耦合器波导； 对所述两个隔离槽的底部和两个外侧槽壁掺杂高浓度 Ν 型载流 子， 形成耦合器波导阴极；
在所述两个隔离槽的外侧槽壁上制作第一阴极金属层和第二阴 极金属层；
制作覆盖所述第一阴极金属层、 所述第二阴极金属层、 所述顶层 硅层的电光聚合物材料层；
制作覆盖所述电光聚合物材料层上的第一保护层；
制作覆盖所述第一保护层的极化金属电极；
以所述极化金属电极作为阳极、以所述第一阴极金属层和第二阴 极金属层作为阴极施加第一电场强度对所述电光聚合物材料层进行 预定时长的预极化；
去除所述极化金属电极和所述第一保护层；
在所述波导上方的所述电光聚合物材料层上形成上层电极； 制作覆盖所述上层电极和所述电光聚合物材料层的第二保护层。
27、 根据权利要求 26所述的方法， 其特征在于， 上层金属、 第 一阴极金属层、 第二阴极金属层和极化金属电极为银、 金。
28、 根据权利要求 26所述的方法， 其特征在于， 所述电光聚合 物材料层为与聚曱基丙烯酸曱酯 PMMA发生交联的 AJLS 103 , 其中 所述电光聚合物材料的折射率为 1.63 , 非线性系数为 100〜200pm/V。
29、 根据权利要求 26所述的方法， 其特征在于， 所述低浓度为 1016〜1018cm-3,所述高浓度为 102°cm—3。
30、 根据权利要求 26所述的方法， 其特征在于， 通电时所述第 一阴极金属层与所述第二阴极金属层连通。
3 1、 根据权利要求 26所述的方法， 其特征在于， 所述绝缘层为 Si02,第一保护层为 Si02, 所述第二保护层为 Si02。
32、 根据权利要求 26所述的方法， 其特征在于， 所述第一电场 强度为 100V/um , 所述预定时长为 10min。
PCT/CN2012/072298 2012-03-14 2012-03-14 一种移相器和耦合器及其制造方法 Ceased WO2012103823A2 (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2012/072298 WO2012103823A2 (zh) 2012-03-14 2012-03-14 一种移相器和耦合器及其制造方法
CN201280000484.9A CN102763264B (zh) 2012-03-14 2012-03-14 一种移相器和耦合器及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2012/072298 WO2012103823A2 (zh) 2012-03-14 2012-03-14 一种移相器和耦合器及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2012103823A2 true WO2012103823A2 (zh) 2012-08-09
WO2012103823A3 WO2012103823A3 (zh) 2013-02-28

Family

ID=46603126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2012/072298 Ceased WO2012103823A2 (zh) 2012-03-14 2012-03-14 一种移相器和耦合器及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN102763264B (zh)
WO (1) WO2012103823A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2884331A1 (en) * 2013-12-10 2015-06-17 Institute of Solid State Physics, University of Latvia Electro-optic modulator and method of fabricating same
US12422700B2 (en) * 2020-08-28 2025-09-23 Polariton Technologies Ag Plasmonic device and a method for fabricating a plasmonic device

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8923660B2 (en) * 2013-05-24 2014-12-30 Futurewei Technologies, Inc. System and method for an optical phase shifter
CN103698847B (zh) * 2013-12-27 2016-01-20 南京邮电大学 一种匹配性增强长链分子型聚合物光波导双折射性的方法
CN109581696A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 北京万集科技股份有限公司 一种波导移相器及其制备方法
CN111458909B (zh) * 2020-04-22 2023-12-26 中国计量大学 一种基于等离子体结构与有机材料的硅基复合波导的电光调制器
WO2022088180A1 (zh) * 2020-11-02 2022-05-05 深圳市速腾聚创科技有限公司 一种移相器、光相控阵以及光相控阵的制备方法
CN112666726B (zh) * 2020-12-23 2024-02-06 联合微电子中心有限责任公司 一种热光移相器及其制备方法
CN116953960A (zh) * 2022-04-16 2023-10-27 华为技术有限公司 移相器、电光器件、光通信系统及移相器的制造方法
CN116990988B (zh) * 2022-04-25 2026-03-24 华为技术有限公司 一种电光调制波导、偏振控制器和移相器
WO2023221146A1 (zh) * 2022-05-20 2023-11-23 北京小米移动软件有限公司 移相单元、天线模组以及移动终端
CN117850075A (zh) * 2022-09-30 2024-04-09 华为技术有限公司 电光聚合物器件、光器件以及光集成电路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4448479A (en) * 1981-11-16 1984-05-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Traveling wave, electrooptic devices with effective velocity matching
JPH0954291A (ja) * 1995-08-11 1997-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光位相シフタ及びこれを用いた光スイッチ
US7079714B2 (en) * 2002-11-27 2006-07-18 Lucent Technologies Inc. Electro-optic devices having flattened frequency response with reduced drive voltage
WO2005060043A2 (en) * 2003-12-11 2005-06-30 University Of Washington Techtransfer Invention Licensing Phase shifters, such as for a multiple antenna wireless communication system
CN100472279C (zh) * 2004-08-16 2009-03-25 卢森特技术有限公司 高速半导体波导移相器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2884331A1 (en) * 2013-12-10 2015-06-17 Institute of Solid State Physics, University of Latvia Electro-optic modulator and method of fabricating same
US12422700B2 (en) * 2020-08-28 2025-09-23 Polariton Technologies Ag Plasmonic device and a method for fabricating a plasmonic device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102763264B (zh) 2014-04-30
WO2012103823A3 (zh) 2013-02-28
CN102763264A (zh) 2012-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012103823A2 (zh) 一种移相器和耦合器及其制造方法
US9632335B2 (en) Electro-optical modulator with a vertical capacitor structure
JP6622228B2 (ja) 光変調器及びその製造方法
JP5577909B2 (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JP6330041B2 (ja) 光変調器、及びその製造方法
WO2009058470A1 (en) Method for fabricating butt-coupled electro-absorptive modulators
WO2019049681A1 (ja) 光変調器及びその製造方法
JP2019008163A (ja) 電界吸収型光変調器
CN112363331B (zh) 一种硅基铌酸锂混合电光调制器
CN108963752B (zh) 基于圆环形光子晶体纳米梁谐振腔的电驱动激光器
TWI810493B (zh) 介電光電相移器
CN115145057A (zh) 多掺杂平板硅光学调制器
JP4653391B2 (ja) 光制御素子の製造方法
JP2010185966A (ja) 接続路および光通信システムとそれらの製造方法
CN207895208U (zh) 一种波长无关高消光比的硅光子调制器
CN113805364B (zh) 一种光子晶体微腔-石墨烯电光调制器
JP2013025011A (ja) 光半導体素子及びその製造方法
KR100825723B1 (ko) 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자
US7539358B2 (en) SOI-based opto-electronic device including corrugated active region
CN105629379A (zh) 基于插指型mos结构的硅基电光调谐波导结构
WO2020245618A2 (zh) 种电光调制器、光器件及光模块
CN108051972B (zh) 一种波长无关高消光比的硅光子调制器
CN108538785B (zh) 基于浮栅充放电的状态非易失光开关及其制备方法
CN114217459B (zh) 微环调制器及其制备方法
JP7276452B2 (ja) 光変調器

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201280000484.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12742237

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12742237

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2