WO2012043053A1 - 基板処理システム - Google Patents

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WO2012043053A1
WO2012043053A1 PCT/JP2011/067411 JP2011067411W WO2012043053A1 WO 2012043053 A1 WO2012043053 A1 WO 2012043053A1 JP 2011067411 W JP2011067411 W JP 2011067411W WO 2012043053 A1 WO2012043053 A1 WO 2012043053A1
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gas
flow rate
unit
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PCT/JP2011/067411
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展雄 堀内
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東レエンジニアリング株式会社
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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    • G—PHYSICS
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing system for performing predetermined processing on a substrate, and relates to a substrate processing system for processing a substrate in a state where a chamber is filled with an inert gas.
  • various substrate processes that perform predetermined processing on a substrate, such as a coating device that coats a resist solution on a substrate, a substrate transport device, and a drying device that dries a coating film on the substrate.
  • the system is used.
  • these apparatuses are arranged in a simple sealed chamber, and a predetermined process is performed in this chamber.
  • a coating apparatus is disposed in the chamber, and a supply port for supplying an inert gas into the chamber and an atmosphere in the chamber are exhausted into the chamber. And an exhaust port.
  • the inert gas is supplied into the chamber from the supply port and exhausted from the exhaust port, thereby reducing the oxygen concentration in the chamber as much as possible, and discharging the resist solution onto the substrate to form the coating film. It is formed.
  • the dimensions of the supply port and the exhaust port of the chamber are designed so that the exhaust amount from the exhaust port is smaller than the supply amount of the inert gas from the supply port, and when the inert gas is supplied, Oxygen in the chamber is gradually replaced with newly supplied inert gas (inert gasification).
  • the chamber is kept at a slightly high pressure to prevent oxygen in the atmosphere from entering the chamber. Therefore, the oxygen concentration in the chamber is suppressed to a predetermined oxygen concentration or less, and the coating film formed on the substrate can be prevented from being oxidized.
  • the above substrate processing system has a problem that the oxygen concentration in the chamber cannot be suppressed to a predetermined oxygen concentration. That is, the supply source of the inert gas is set for each factory and is commonly used in various apparatuses. Therefore, in the substrate processing system in which the flow rate is adjusted according to the dimensions of the supply port and the exhaust port, the supply flow rate of the inert gas supplied from the supply port when the supply pressure temporarily decreases due to the use state of the inert gas. The exhaust flow rate exhausted from the exhaust port is lower. As a result, there is a problem that oxygen in the atmosphere easily enters the chamber due to the pressure in the chamber being lower than atmospheric pressure, which may increase the oxygen concentration in the chamber.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and can maintain a stable pressure in the chamber even when the supply flow rate of the inert gas varies.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing system capable of increasing the supply flow rate and reducing the time required for inert gasification.
  • a substrate processing system of the present invention includes a stage on which a substrate is mounted, a substrate processing unit that performs a predetermined process on the substrate mounted on the stage, and the stage and the substrate processing unit.
  • a chamber covered in a sealed state a gas supply unit that supplies an inert gas into the chamber, and a gas exhaust unit that exhausts the gas in the chamber, wherein the pressure inside the chamber is a pressure outside the chamber.
  • the supply flow rate of the inert gas in the gas supply unit and the exhaust flow rate of the gas exhaust unit are adjusted based on the pressure in the chamber so that a higher set pressure value in the chamber is obtained.
  • the inert gas supply flow rate of the gas supply unit and the exhaust flow rate of the gas exhaust unit are adjusted based on the pressure in the chamber, the pressure in the chamber is set to the chamber set pressure. Can be stably maintained. That is, even if the supply flow rate of the inert gas varies, the exhaust flow rate is adjusted according to the supply flow rate, so that the chamber is maintained at a constant chamber set pressure. Therefore, when the pressure inside the chamber becomes higher than that outside the chamber, oxygen can be prevented from entering the chamber from outside the chamber, and the oxygen concentration in the chamber can be prevented from rising. Further, even when the supply flow rate of the inert gas is increased, the exhaust flow rate can be increased according to the supply flow rate to maintain the chamber at the set pressure of the chamber. An inert gas can be supplied. Therefore, by supplying a large amount of an inert gas necessary for replacing oxygen in the chamber with an inert gas, it is possible to reduce the time required for the inert gasification in the initial operation.
  • an upper limit pressure value and a lower limit pressure value are set as the chamber set pressure, and the gas supply unit is configured so that the pressure in the chamber is maintained between the upper limit pressure value and the lower limit pressure value.
  • the supply flow rate of the inert gas and the exhaust flow rate of the gas exhaust unit may be adjusted.
  • the inside of the chamber can be maintained at the chamber set pressure with a simpler configuration.
  • An initial operation mode in which both the supply flow rate of the gas supply unit and the exhaust flow rate of the gas exhaust unit are increased to maintain the pressure in the chamber at a set pressure value; the supply flow rate of the gas supply unit and the gas exhaust unit A normal operation mode in which the pressure in the chamber is kept at the set pressure value by reducing both the exhaust flow rate of the chamber, and the initial operation mode is when the oxygen concentration in the chamber is lower than the set value. It is good also as a structure switched to normal operation mode.
  • the gas exhaust part has an exhaust pipe connected to the chamber, and the exhaust pipe has a buffer part whose volume can be changed according to pressure fluctuation in the pipe.
  • a configuration in which a sudden pressure fluctuation in the pipe is absorbed by changing the volume of the buffer portion may be adopted.
  • the chamber set pressure can be maintained by expanding the volume of the buffer section.
  • the pressure in the chamber can be stably maintained even when the supply flow rate of the inert gas varies, and during the initial operation, the supply flow rate of the inert gas is increased.
  • the time required for active gasification can be shortened.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate processing system 1 includes a substrate processing apparatus 10, a gas supply unit 20, and a gas exhaust unit 30, and supplies an inert gas from the gas supply unit 20 to the substrate processing apparatus 10.
  • the substrate processing apparatus 10 By exhausting the gas of the substrate processing apparatus 10 from the gas exhaust unit 30, the substrate processing apparatus 10 performs a predetermined process on the substrate while maintaining the substrate in a specific environment.
  • the substrate processing apparatus 10 has a substrate processing unit 40 on the base 11, and the substrate processing unit 40 is accommodated in the chamber 12.
  • the substrate processing unit 40 is a coating apparatus, and a coating film such as a resist solution is formed on the substrate by the coating apparatus.
  • the coating apparatus includes a stage 41 on which a substrate is placed and a coating unit 42 that coats a coating solution, and a coating film having a uniform thickness is formed on the substrate by discharging the coating solution from the coating unit 42. It is supposed to be formed.
  • the coating unit 42 is fixedly provided at a substantially central position on the base 11 and has a base 43 having a slit nozzle 43a extending in one direction.
  • the coating liquid supplied from the slit nozzle 43a is discharged from the slit nozzle 43a over the longitudinal direction.
  • the stage 41 is provided so that it can move in one direction with respect to the coating unit 42, and the moving stage 41 crosses the slit nozzle 43a. Accordingly, a coating film having a uniform thickness is formed on the substrate by discharging the coating liquid from the slit nozzle 43a while the stage 41 moves in one direction while the substrate is placed on the stage 41. It has come to be.
  • the substrate processing unit 40 (in this embodiment, a coating apparatus) is accommodated in the chamber 12.
  • the chamber 12 has a shape in which a rectangular parallelepiped 12a having a side surface portion and a convex top portion 12b in which a central portion where the coating unit 42 is located protrudes upward are combined.
  • the chamber 12 is formed by attaching a transparent acrylic plate to a metal frame so that the internal substrate processing unit 40 can be visually recognized from the outside.
  • a seal member is provided between the joint portion of each frame and between the frame and the acrylic plate, so that the substrate processing unit 40 is sealed in the chamber 12. That is, the inert gas supplied from the gas supply unit 20 is stored in the chamber 12 so that external oxygen or the like can be prevented from entering the chamber 12.
  • a connecting portion 13 with the gas supply unit 20 is provided on the convex top portion 12 b of the chamber 12, and an inert gas is supplied from the gas supply unit 20 through the connecting portion 13.
  • a connecting portion 14 to the gas exhaust portion 30 is provided at a side portion of the chamber 12, and the gas in the chamber 12 is exhausted from the gas exhaust portion 30 through the connecting portion 14.
  • a glove box 15 is provided on the side surface of the chamber 12.
  • the glove box 15 is for maintaining the substrate processing unit 40 from the outside of the chamber 12, and is formed by attaching a rubber glove to the chamber 12.
  • two through holes are formed in the side surface of the chamber 12, and rubber gloves are attached so as to close the through holes. That is, the fingertips of rubber gloves are attached so as to extend toward the inside of the chamber 12. Accordingly, during maintenance such as wiping of the slit nozzle 43a, an operator puts his hand in the rubber glove and performs a predetermined maintenance process on the substrate processing unit 40, whereby the gas environment (oxygen in the chamber 12) Maintenance work can be performed without changing the density.
  • an oxygen concentration meter 16 and a pressure gauge 17 are attached to the chamber 12 so that the oxygen concentration and pressure in the chamber 12 can be measured.
  • the oxygen concentration meter 16 and the pressure gauge 17 are each electrically connected to a control device 90 described later, and the respective measurement results are input to the control device 90.
  • a gas supply unit 20 is provided on the convex top portion 12 b of the chamber 12, and an inert gas such as nitrogen is supplied from the gas supply unit 20 into the chamber 12.
  • the gas supply unit 20 includes a supply pipe 21 connected to the connecting part 13 of the convex top portion 12 b and a regulator 22 provided on the supply pipe 21.
  • the supply pipe 21 is connected to an inert gas cylinder such as nitrogen, and the flow rate of the inert gas supplied into the chamber 12 can be controlled by adjusting the regulator 22.
  • the regulator 22 is an electropneumatic regulator 22, and the open / close state is controlled steplessly by an electrical signal from the control device 90. Therefore, the supply flow rate of the inert gas in the chamber 12 can be increased or decreased by the control device 90.
  • the supply pipe 21 is provided with a flow meter 23.
  • the flow meter 23 is electrically connected to the control device 90, and the measured exhaust flow rate can be input to the control device 90.
  • the side surface portion of the chamber 12 is connected to the gas exhaust unit 30 via the connection unit 14 so that the gas in the chamber 12 can be discharged out of the chamber 12 through the gas exhaust unit 30.
  • the gas exhaust unit 30 includes an exhaust pipe 31 connected in communication with the side surface of the chamber 12 and a blower 32 provided in the exhaust pipe 31.
  • exhaust pipes 31 are connected to two places on the side surface, and these two exhaust pipes 31 are joined and connected to a predetermined exhaust gas treatment device (not shown).
  • a blower 32 is provided at a confluence portion of the exhaust pipe 31, and the gas in the chamber 12 is exhausted through the exhaust pipe 31 by operating the blower 32.
  • the rotational speed of the blower 32 is controlled by the control device 90, and the rotational speed of the blower 32 is steplessly controlled by an electric signal from the control device 90.
  • the exhaust flow rate of the gas in the chamber 12 is adjusted by controlling the rotation speed of the blower 32.
  • the pressure in the chamber 12 can be controlled by the gas supply unit 20 and the gas exhaust unit 30. That is, the pressure in the chamber 12 can be kept high by reducing the exhaust flow rate of the gas exhaust unit 30 as compared with the supply flow rate of the inert gas from the gas supply unit 20.
  • the regulator 22 and the blower 32 are adjusted as appropriate so that a pressure slightly higher than the atmospheric pressure outside the chamber 12 can be maintained. Thereby, the inside of the chamber 12 is filled with an inert gas, and oxygen can be prevented from entering from the outside of the chamber 12.
  • the exhaust pipe 31 is provided with a buffer section 33.
  • the buffer unit 33 suppresses a rapid pressure increase in the chamber 12. Thereby, it is possible to prevent the chamber 12 from being damaged by high pressure.
  • the buffer portion 33 is a bag-like member formed of an elastically deformable material such as rubber or resin. When the inside of the bag-like member reaches a predetermined pressure, the buffer portion 33 is elastically expanded. ing. That is, the chamber 12 is formed of a material that expands at a pressure that does not break due to an increase in pressure.
  • the buffer unit 33 has an inlet / outlet, and an exhaust pipe 31 is connected to each of the inlet / outlet. Thereby, it can suppress that the pressure in the chamber 12 rises rapidly.
  • the exhaust pipe 31 is provided with a flow meter 34.
  • the flow meter 34 is electrically connected to the control device 90 so that the measured exhaust flow rate can be input to the control device 90.
  • an air supply pipe 51 for supplying air is separately connected to the supply pipe 21 so that air can be supplied into the chamber 12.
  • the air supply pipe 51 is connected to an air cylinder, and the air supply pipe 51 is provided with a regulator 52 electrically connected to the control device 90. The air can be supplied into the chamber 12 by controlling the opening / closing operation of the regulator 52.
  • an open pipe 54 is connected to the chamber 12 so that the inert gas in the chamber 12 can be exhausted at once. That is, an open pipe 54 connected to a vacuum pump is connected to the chamber 12, and an open valve 55 whose opening / closing operation is controlled is provided in the control device 90.
  • the release valve 55 is opened, the inside of the chamber 12 is sucked by the vacuum pump, and the gas in the chamber 12 is exhausted at once.
  • the open pipe 54 and the air supply pipe 51 can prevent the inert gas from being filled outside the chamber 12 when a problem occurs in the substrate processing apparatus 10.
  • the open valve 55 of the open pipe 54 is opened and the regulator 52 is also opened, the inside of the chamber 12 is exhausted and air is supplied from the air supply pipe 51. Thereby, since the inert gas in the chamber 12 is replaced with air at a stretch, it is possible to prevent the inert gas from being filled outside the chamber 12.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a control system of the control device 90 provided in the substrate processing apparatus 10.
  • the substrate processing apparatus 10 is provided with a control device 90 that comprehensively controls driving of the various units described above.
  • the control device 90 includes a control main body 91, a drive control unit 92, a pressure detection unit 93, an oxygen concentration detection unit 94, and a flow rate detection unit 95.
  • the control main-body part 91 has the main control part 91a, the determination part 91b, the setting part 91c, and the memory
  • the main control unit 91a drives and controls driving devices such as motors and regulators 22 and 52 of each unit and the substrate processing operation through the drive control unit 92 so as to execute a series of coating operations according to a program stored in advance.
  • driving devices such as motors and regulators 22 and 52 of each unit and the substrate processing operation through the drive control unit 92 so as to execute a series of coating operations according to a program stored in advance.
  • Various operations necessary for the above are performed. Specifically, in order to control the coating apparatus which is the substrate processing unit 40, the coating liquid is discharged from the coating unit 42 and the movement of the stage 41 is driven and controlled. Then, the open / close state of each regulator 22 and the rotational speed of the blower 32 are controlled, and the inside of the chamber 12 is set to a pressure slightly higher than the outside of the chamber 12 (chamber set pressure).
  • the determination unit 91b determines whether the pressure, oxygen concentration, and blower rotation speed in the chamber 12 are predetermined set values. For example, it is determined whether or not the pressure in the chamber 12 is a set pressure (chamber set pressure). Specifically, an upper limit value and a lower limit value of the chamber set pressure are stored as threshold values in the storage unit 91d described later, and it is determined whether or not the pressure in the chamber 12 is within the range of these threshold values. Is done. If the upper limit value of the chamber set pressure is exceeded, the rotational speed of the blower 32 is increased through the drive control unit 92 to increase the exhaust flow rate of the gas in the chamber 12 so that the pressure in the chamber 12 is within the threshold value. Adjust to enter.
  • the supply flow rate is reduced by adjusting the regulator 22 of the gas supply unit 20 to increase the pressure in the chamber 12. To be within the threshold.
  • the rotational speed of the blower 32 is decreased through the drive control unit 92. If the rotational speed of the blower 32 does not fall within the threshold value, the supply flow rate is increased by adjusting the regulator 22 of the gas supply unit 20 so that the pressure in the chamber 12 falls within the threshold value. adjust. In this way, the pressure in the chamber 12 is adjusted to be the chamber set pressure.
  • the determination unit 91b also determines the oxygen concentration in the chamber 12, and determines whether or not the inside of the chamber 12 has an oxygen concentration suitable for product manufacture. Specifically, it is determined whether or not the oxygen concentration in the chamber 12 has reached the oxygen concentration stored in the storage unit 91d.
  • the setting unit 91c sets the chamber set pressure, the opening / closing degree of the regulator 22, and the rotation speed of the blower 32.
  • the initial operation mode is a mode used in the initial operation of the apparatus, and is a mode whose main purpose is to quickly reduce the oxygen concentration in the chamber 12.
  • the regulator 22 of the gas supply unit 20 is largely opened (throttle is reduced), and the rotation speed of the blower 32 is set. Enlarge. Thereby, the oxygen in the chamber 12 is replaced with the inert gas as soon as possible.
  • the normal operation mode is a mode for operating the coating apparatus while suppressing the amount of inert gas used while maintaining the oxygen concentration in the chamber 12 below the set oxygen concentration.
  • the regulator 22 of the gas supply unit 20 is set to a smaller open state (larger throttle) than in the initial operation mode, and the blower 32 rotates. Set the number smaller. Thereby, consumption of an inert gas can be suppressed, maintaining the pressure in the chamber 12 at a chamber setting pressure.
  • the degree of opening and closing of the regulator 22 and the rotation speed of the blower 32 according to the initial operation mode and the normal operation mode can be set through the drive control unit 92. Switching between the initial operation mode and the normal operation mode is switched according to the oxygen concentration in the chamber 12. That is, when the inside of the chamber 12 is in the atmosphere, the opening / closing degree of the regulator 22 and the blower rotation speed are set to the initial operation mode, and the pressure in the chamber 12 is maintained at the chamber setting pressure. When the inside of the chamber 12 reaches the set oxygen concentration stored in the storage unit 91d, the pressure in the chamber 12 is set to the opening / closing degree and the blower rotation speed of the regulator 22 in the normal operation mode while maintaining the chamber set pressure.
  • the inside of the chamber 12 can be replaced early with the inert gas in the initial operation mode, and the supply of unnecessary inert gas can be suppressed in the normal operation mode.
  • an auto-tuning function is provided so that the chamber set pressure is adjusted to an optimum value.
  • the threshold region of the chamber setting pressure becomes small. Set the upper and lower limits again.
  • the threshold region for the chamber setting pressure is set to an upper limit value and a lower limit value that become smaller.
  • the storage unit 91d stores various data and temporarily stores calculation results and the like. Specifically, the threshold data of the chamber set pressure, the threshold holding time, the set oxygen concentration, the regulator open / close rate, the blower rotation speed, and the like in the initial operation mode and the normal operation mode are stored. A plurality of sets of upper limit values and lower limit values are prepared for the threshold value data of the chamber set pressure, and an upper limit value P1 and a lower limit value P2 are set as the largest threshold regions, and an upper limit value P3 as an intermediate threshold region. The lower limit value P4 is set, and the upper limit value P5 and the lower limit value P6 are finally set as the smallest threshold region (see FIG. 3).
  • the blower rotation speed is set as Ra in the initial operation mode and Rb in the normal operation mode, and Ra in the initial operation mode is set to a larger value than Rb in the normal operation mode.
  • the degree of opening and closing of the regulator 22 is set so that the throttle amount in the initial operation mode is smaller than the throttle amount in the normal operation mode, and the supply flow rate in the initial operation mode is larger than the supply flow rate in the normal operation mode. It is like that.
  • the drive control unit 92 controls the drive of each motor, drive device, and the like based on a control signal from the control main body unit 91. Specifically, the degree of opening and closing of each regulator 22, the number of rotations of the blower 32, and the like are controlled.
  • the pressure detector 93 detects the pressure in the chamber 12. Specifically, the pressure in the chamber 12 is detected by a signal input from a pressure gauge 17 attached to the chamber 12. The detected pressure is stored in the storage unit 91 d of the control main body 91.
  • the oxygen concentration detector 94 detects the oxygen concentration in the chamber 12. Specifically, the oxygen concentration in the chamber 12 is detected by a signal input from the oxygen concentration meter 16 attached to the chamber 12. The detected oxygen concentration is stored in the storage unit 91 d of the control main body 91.
  • the flow rate detector 95 detects the gas flow rate in the supply pipe 21 and the exhaust pipe 31. Specifically, in the supply pipe 21 and the exhaust pipe 31, the signal input from the flow meter 23 attached to the supply pipe 21 and the signal input from the flow meter 34 attached to the exhaust pipe 31. The gas flow rate is detected. The detected gas flow rate is stored in the storage unit 91 d of the control main body 91.
  • step S1 an initial operation is performed (initial operation mode). That is, since the chamber 12 is filled with the atmosphere, the initial operation is performed until the oxygen concentration in the chamber 12 becomes equal to or lower than the set oxygen concentration.
  • the chamber set pressure is set to the combination having the largest threshold region, that is, the upper limit value P1 and the lower limit value P2.
  • the regulator 22 is set to the opening / closing degree of the initial operation mode, and the blower rotation speed is set to Ra. Then, the pressure in the chamber 12 is converged to the chamber set pressure while maintaining a balance between the supply flow rate of the inert gas and the gas exhaust flow rate in the chamber 12 at a large flow rate.
  • the inert gas supply flow rate is maintained slightly higher than the gas exhaust flow rate.
  • the blower rotational speed is adjusted. That is, when the upper limit is exceeded, the blower rotational speed is slightly increased to decrease the pressure in the chamber 12. If the lower limit is exceeded, the blower rotational speed is slightly decreased to increase the pressure in the chamber 12. Thereby, the oxygen concentration in the chamber 12 can be rapidly reduced by supplying a large amount of inert gas into the chamber 12 while the pressure in the chamber 12 maintains the chamber set pressure.
  • step S2 normal operation mode
  • the chamber set pressure is set to the upper limit value P1 and the lower limit value P2, which are the combinations having the largest threshold value region, and the regulator 22 is set to the degree of opening and closing of the normal operation mode and the blower rotation speed is set to Rb.
  • the opening / closing degree in the normal operation mode is larger than the opening / closing degree in the initial operation mode, so that the supply flow rate can be suppressed.
  • the blower rotation speed Rb in the normal operation mode is smaller than the blower rotation speed Ra in the initial operation mode, the exhaust flow rate can be suppressed.
  • the supply flow rate and the exhaust flow rate are kept at a small flow rate as compared with the initial operation mode, and the pressure in the chamber 12 is converged to the chamber set pressure. Thereby, the consumption amount of the inert gas is suppressed in the normal operation mode compared to the initial operation mode.
  • the blower rotation speed is adjusted. That is, when the upper limit is exceeded, the blower rotational speed is slightly increased to decrease the pressure in the chamber 12. If the lower limit is exceeded, the blower rotational speed is slightly decreased to increase the pressure in the chamber 12. In this way, when the pressure in the chamber 12 is within the threshold value of the chamber set pressure for a predetermined time, the threshold value of the chamber set pressure is changed to a narrower threshold range. That is, the upper limit value is changed from P1 to P3, and the lower limit value is changed from P2 to P4.
  • the pressure in the chamber 12 is adjusted so as to fall within the threshold region by increasing or decreasing the blower rotational speed in the same manner as before.
  • the upper limit value P5 and the lower limit value P6 that are the narrowest threshold regions are finally set, and the chamber set pressure is maintained within this range.
  • the chamber set pressure is adjusted to an optimum value (auto tuning function).
  • step S4 it is determined whether or not to stop the apparatus. Specifically, when the processing on the substrate is finished and the substrate is taken out, or when the substrate processing apparatus 10 is forcibly stopped, the process proceeds to YES in step S4, and the operation of the substrate processing apparatus 10 is finished. . Further, in the case where the processing for the substrate is continued, in step S4, the process proceeds in the NO direction, and the operation of the substrate processing apparatus 10 is continued.
  • step S5 it is determined whether or not the pressure in the chamber 12 is maintained at the chamber set pressure. That is, when the pressure in the chamber 12 is maintained at the chamber set pressure, the process proceeds to YES in step S5, and the normal operation mode is continuously executed. If it is out of the chamber set pressure range due to maintenance work or the like, the process proceeds in the NO direction in step S5, and the rotation speed of the blower 32 is increased. Specifically, there is a wiping operation of the base 43 as a maintenance operation of the present embodiment. Since the wiping operation is performed by wiping the cap 43 while putting the hand in the glove of the glove box 15, the pressure in the chamber 12 increases by the amount of the hand put in the glove and exceeds the upper limit value of the chamber setting pressure. It will be.
  • the buffer unit 33 expands and tries to relieve the increased pressure. If the upper limit value of the chamber set pressure is still exceeded, it is determined that the chamber set pressure is not maintained, the process proceeds to NO in step S5, and the blower rotational speed is increased in step S6.
  • step S6 when the blower rotational speed is increased, the pressure in the chamber 12 is decreased.
  • step S7 it is determined whether or not the pressure in the chamber 12 falls within the chamber set pressure. That is, when the pressure in the chamber 12 falls within the range of the threshold value (upper limit value and lower limit value) of the chamber set pressure, it is determined that the pressure has fallen within the chamber set pressure, and the process proceeds to YES in step S7. Is reduced. Then, the normal operation mode is executed again, and the chamber set pressure is adjusted to the optimum value by the auto tuning function described above.
  • step S7 If it is determined in step S7 that the pressure in the chamber 12 is not within the chamber set pressure, the process proceeds in the NO direction in step S7, and the supply amount of the inert gas is suppressed in step S9. Specifically, the degree of opening and closing is adjusted by enlarging the restriction of the regulator 22 of the gas supply unit 20.
  • step S10 it is determined whether or not the pressure in the chamber 12 falls within the chamber set pressure. That is, it is determined whether or not the pressure in the chamber 12 falls within the range of the threshold value (upper limit value and lower limit value) of the chamber set pressure. If the pressure does not fall within the threshold range, the process proceeds to NO in step S10. The regulator 22 is adjusted.
  • step S10 If it is determined that the pressure in the chamber 12 has entered the threshold range, the process proceeds in the direction of YES in step S10, the normal operation mode is executed, and the chamber setting pressure is set to the optimum value by the auto tuning function described above. It is adjusted to become.
  • the pressure in the chamber 12 is set to the chamber set pressure. Can be stably maintained. That is, even if the supply flow rate of the inert gas varies, the exhaust flow rate is adjusted according to the supply flow rate, so that the inside of the chamber 12 is maintained at a constant chamber set pressure, and at the initial operation, The time required to increase the supply flow rate of the active gas to make the inside of the chamber 12 an inert gas can be shortened.
  • the oxygen concentration is measured as a condition for operating the substrate processing apparatus 10
  • the dew point temperature is measured together with the oxygen concentration, and both the oxygen concentration and the dew point temperature are measured in the substrate processing apparatus 10. You may make it the conditions to operate.
  • a dew point thermometer is installed in the chamber 12 and is configured to switch from the initial operation mode to the normal operation mode based on the data obtained by the dew point thermometer and the data obtained by the oxygen concentration meter 16. Also good.
  • blower 32 is provided in the gas exhaust unit 30
  • a vacuum pump or a process pump may be used. Even in these cases, the gas in the chamber 12 can be exhausted sufficiently.
  • Substrate processing system 10 Substrate processing apparatus 12 Chamber 20 Gas supply part 21 Supply piping 22 Regulator 30 Gas exhaust part 31 Exhaust pipe 32 Blower 33 Buffer part 40 Substrate processing part 90 Control apparatus

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Abstract

　不活性ガスの供給流量にばらつきが生じてもチャンバー内を圧力を安定して保つことができ、初期動作時、不活性ガスの供給流量を増やして不活性ガス化に必要な時間を短縮させることができる基板処理システムを提供するために、基板に対し所定の処理を行う基板処理部と、前記基板処理部を密封状態に収容するチャンバーと、チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給部と、チャンバー内のガスを排気するガス排気部と、を備えており、前記チャンバー内の圧力がチャンバー外の圧力よりも高いチャンバー設定圧力になるように、前記ガス供給部の不活性ガスの供給流量と前記ガス排気部の排気流量とが調整される構成とする。

Description

基板処理システム
　本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、チャンバー内を不活性ガスで満たした状態で基板の処理を行う基板処理システムに関するものである。
　一般に、半導体デバイスやマスク等の製作には、基板上にレジスト液を塗布する塗布装置、基板搬送装置、基板上の塗布膜を乾燥させる乾燥装置等、基板に所定の処理を行う様々な基板処理システムが用いられている。通常、レジスト液で形成された基板上の塗布膜は酸化を非常に嫌うため、これらの装置は、簡易的な密閉チャンバー内に配置されており、このチャンバー内で所定の処理が行われる。
　具体的には、下記特許文献１に示されるように、チャンバー内に塗布装置が配置されており、チャンバーには、チャンバー内に不活性ガスを供給する供給口と、チャンバ内の雰囲気を排気する排気口とが設けられている。そして、装置の稼働時には、供給口からチャンバ内に不活性ガスを供給しながら排気口から排気することで、チャンバー内の酸素濃度を極力減少させ、基板上にレジスト液を吐出して塗布膜が形成される。すなわち、チャンバーの供給口と排気口の寸法は、供給口からの不活性ガスの供給量よりも排気口からの排気量が少なくなるように設計されており、不活性ガスが供給されると、チャンバー内の酸素が新たに供給される不活性ガスと徐々に置き換わる（不活性ガス化）。そして、チャンバー内が僅かに高圧に保たれることにより、大気中の酸素がチャンバー内に侵入しないようになっている。したがって、チャンバー内の酸素濃度が所定の酸素濃度以下に抑えられ、基板上に形成された塗布膜が酸化するのを防止することができるようになっている。
特開２００５－２１１７３４号公報
　しかし、上記基板処理システムでは、チャンバー内の酸素濃度を所定の酸素濃度に抑えることができないという問題があった。すなわち、不活性ガスの供給源は、工場ごとに設定されており、様々な装置で共通に使用されている。そのため、供給口と排気口との寸法で流量調整される上記基板処理システムでは、不活性ガスの使用状況により供給圧力が一時的に低下した場合、供給口から供給される不活性ガスの供給流量が排気口から排気される排気流量が下回る。その結果、チャンバー内が大気圧以下になることによりチャンバー内に大気中の酸素が侵入しやすくなりチャンバー内の酸素濃度が上昇する虞があるという問題があった。
　また、供給源の圧力が十分である場合には、チャンバー内に不活性ガスを供給する初期動作時において、不活性ガスの供給流量を増やしてチャンバー内の不活性ガス化に必要な時間を短縮させたいという要望がある。しかし、不活性ガスの供給流量を増加させると、排気口の排気流量がほぼ一定であるため、チャンバー内の圧力が過度に上昇し、チャンバーから不活性ガスが漏れたり、チャンバー自体が破壊されてしまう虞があるという問題があった。
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、不活性ガスの供給流量にばらつきが生じてもチャンバー内を圧力を安定して保つことができ、初期動作時、不活性ガスの供給流量を増やして不活性ガス化に必要な時間を短縮させることができる基板処理システムを提供することを目的としている。
　上記課題を解決するために本発明の基板処理システムは、基板を載置するステージと、前記ステージに載置された基板に対し所定の処理を行う基板処理ユニットと、前記ステージ及び基板処理ユニットを密封状態に覆うチャンバーと、前記チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記チャンバー内のガスを排気するガス排気部と、を備えており、前記チャンバー内の圧力がチャンバー外の圧力よりも高いチャンバー内設定圧力値になるように、前記チャンバー内の圧力に基づいて前記ガス供給部の不活性ガスの供給流量と前記ガス排気部の排気流量とが調整されることを特徴としている。
　上記基板処理システムによれば、前記ガス供給部の不活性ガスの供給流量と前記ガス排気部の排気流量とがチャンバー内の圧力に基づいて調整されるため、前記チャンバー内の圧力をチャンバー設定圧力に安定して維持することができる。すなわち、不活性ガスの供給流量にばらつきが生じても、その供給流量に応じて排気流量が調節されることにより、チャンバ内を一定のチャンバー設定圧力に維持される。したがって、チャンバー内がチャンバー外よりも高圧になることにより、チャンバ外からチャンバ内に酸素が侵入するのを抑えることができ、チャンバ内の酸素濃度が上昇するのを抑えることができる。また、不活性ガスの供給流量を増加させた場合でも、その供給流量に応じて排気流量を増大させてチャンバ内をチャンバ設定圧力に維持することができるため、初期動作時においてチャンバ内に大量の不活性ガスを供給することができる。したがって、チャンバー内の酸素を不活性ガスと置き換えるために必要な不活性ガスを大量に供給することにより、初期動作時における不活性ガス化に必要な時間を短縮させることができる。
　また、前記チャンバー設定圧力には、上限圧力値と下限圧力値とが設定されており、チャンバー内の圧力が上限圧力値と下限圧力値との間に維持されるように、前記ガス供給部の不活性ガスの供給流量と前記ガス排気部の排気流量とが調整される構成としてもよい。
　この構成によれば、上限圧力値と下限圧力値を閾値として設定することで、より簡単な構成でチャンバー内をチャンバー設定圧力に維持することができる。
　また、前記ガス供給部の供給流量と前記ガス排気部の排気流量とを共に大きくしてチャンバー内の圧力を設定圧力値に維持する初期運転モードと、前記ガス供給部の供給流量と前記ガス排気部の排気流量とを共に小さくしてチャンバー内の圧力を設定圧力値に維持する通常運転モードとを有しており、前記初期運転モードは、チャンバー内の酸素濃度が設定値以下になった場合に通常運転モードに切替えられる構成としてもよい。
　この構成によれば、初期運転モードによりチャンバー設定圧力を維持した状態で、初期運転時におけるチャンバー内の酸素濃度を素早く低下させることができる。また、通常運転モードによりチャンバー設定圧力を維持した状態で、不活性ガスの供給量を抑えて無駄に不活性ガスが消費されるのを抑えることができる。
　また、前記ガス排気部には、チャンバーに連通して接続される排気配管を有しており、この排気配管には配管内の圧力変動に応じて容積を変えることのできるバッファー部を有しており、このバッファー部の容積が変化することにより、配管内の急な圧力変動が吸収される構成としてもよい。
　この構成によれば、チャンバー内の圧力が一時的に急激に上昇した場合であっても、バッファー部の容積が膨張することによりチャンバー設定圧力を維持することができる。
　本発明の基板処理システムによれば、不活性ガスの供給流量にばらつきが生じてもチャンバー内を圧力を安定して保つことができ、初期動作時では、不活性ガスの供給流量を増やして不活性ガス化に必要な時間を短縮させることができる。
本発明の基板処理システムを示す概略図である。 上記基板処理システムの制御系の構成を示すブロック図である。 チャンバー内の圧力の変化を示す図である。 上記基板処理システムの動作を示すフローチャートである。
　次に、本発明の基板処理システムについて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態における基板処理システムを概略的に示す図である。
　図１に示すように、基板処理システム１は、基板処理装置１０とガス供給部２０とガス排気部３０とを有しており、ガス供給部２０から基板処理装置１０に不活性ガスを供給し、基板処理装置１０のガスをガス排気部３０から排気することにより、基板処理装置１０において基板を特定の環境下に維持しつつ、基板に所定の処理を行うようになっている。
　基板処理装置１０は、基台１１上に基板処理部４０を有しており、この基板処理部４０がチャンバー１２内に収容されている。本実施形態では、基板処理部４０は塗布装置であり、この塗布装置により基板上にレジスト液等の塗布膜が形成されるようになっている。塗布装置は、基板を載置するステージ４１と、塗布液を塗布する塗布ユニット４２とを有しており、塗布ユニット４２から塗布液が吐出されることにより基板上に均一厚さの塗布膜が形成されるようになっている。具体的には、塗布ユニット４２は、基台１１上のほぼ中央位置に固定されて設けられており、一方向に延びるスリットノズル４３ａを有する口金４３を有している。すなわち、このスリットノズル４３ａから供給された塗布液がスリットノズル４３ａから長手方向に亘って吐出されるようになっている。また、ステージ４１が塗布ユニット４２に対して一方向に移動できるように設けられており、移動するステージ４１がスリットノズル４３ａを横切るようになっている。したがって、ステージ４１上に基板が載置された状態でステージ４１が一方向に移動しつつ、スリットノズル４３ａから塗布液が吐出されることにより、基板上には、均一厚さの塗布膜が形成されるようになっている。
　この基板処理部４０（本実施形態では塗布装置）はチャンバー１２内に収容されている。チャンバー１２は、側面部を有する直方体１２ａと、塗布ユニット４２が位置する中央部分が上方に突出した凸頂部１２ｂとが組み合わされた形状を有している。このチャンバー１２は、金属製のフレームに透明性のアクリル板を取付けて形成されており、外部から内部の基板処理部４０を視認できるようになっている。そして、各フレームの継ぎ手部分およびフレームとアクリル板との間には、それぞれシール部材が設けられており、基板処理部４０がチャンバー１２内に密封されるようになっている。すなわち、ガス供給部２０から供給された不活性ガスはチャンバー１２内に貯留され、外部の酸素等がチャンバー１２内に侵入するのを防止できるようになっている。
　また、チャンバー１２の凸頂部１２ｂには、ガス供給部２０との連結部１３が設けられており、ガス供給部２０からこの連結部１３を通じて不活性ガスが供給される。チャンバー１２の側方部分には、ガス排気部３０との連結部１４が設けられており、ガス排気部３０からこの連結部１４を通じてチャンバー１２内のガスが排気される。
　また、チャンバー１２の側面部には、グローブボックス１５が設けられている。このグローブボックス１５は、基板処理部４０をチャンバー１２の外部からメンテナンスするものであり、チャンバー１２にゴム製の手袋が取付けられることによって形成されている。具体的には、チャンバー１２の側面部に２カ所貫通穴が形成されており、この貫通穴を塞ぐようにゴム製の手袋が取付けられている。すなわち、ゴム製の手袋の指先がチャンバー１２内部に向かって延びるように取付けられている。したがって、スリットノズル４３ａの拭取りなどのメンテナンス時には、このゴム製の手袋に作業者が手を入れて基板処理部４０に対して所定のメンテナンス処理を行うことにより、チャンバー１２内のガス環境（酸素濃度）を変えることなくメンテナンス作業を行うことができる。
　また、チャンバー１２には、酸素濃度計１６及び圧力計１７が取付けられており、チャンバー１２内の酸素濃度と圧力とが計測できるようになっている。そして、酸素濃度計１６及び圧力計１７は、それぞれ後述の制御装置９０に電気的に接続されており、それぞれの計測結果が制御装置９０に入力されるようになっている。
　また、チャンバー１２の凸頂部１２ｂにガス供給部２０が設けられており、ガス供給部２０から窒素等の不活性ガスがチャンバー１２内に供給される。ガス供給部２０は、凸頂部１２ｂの連結部１３に接続される供給配管２１と、この供給配管２１に設けられたレギュレータ２２とを有している。そして、供給配管２１は、窒素等の不活性ガスボンベと接続されており、レギュレータ２２を調節することにより、チャンバー１２内に供給される不活性ガスの流量を制御できるようになっている。このレギュレータ２２は電空レギュレータ２２であり、制御装置９０からの電気信号によって開閉状態を無段階に制御される。したがって、制御装置９０により、チャンバー１２内の不活性ガスの供給流量を増加又は減少させることができる。
　また、供給配管２１には流量計２３が設けられている。そして、この流量計２３が制御装置９０に電気的に接続されており、計測された排気流量が制御装置９０に入力できるようになっている。
　また、チャンバー１２の側面部は、連結部１４を介してガス排気部３０と連結されており、チャンバー１２内のガスがガス排気部３０を通じてチャンバー１２外に排出できるようになっている。ガス排気部３０は、チャンバー１２の側面部に連通して接続される排気配管３１と、この排気配管３１に設けられたブロワ３２とを有している。図１の例では、側面部の２カ所に排気配管３１が連結されており、これら２カ所の排気配管３１が合流し所定の排ガス処理装置（不図示）に連結されている。そして、排気配管３１の合流部分にブロワ３２が設けられ、このブロワ３２を作動させることにより、チャンバー１２内のガスが排気配管３１を通じて排気されるようになっている。このブロワ３２は制御装置９０によりその回転数が制御されるようになっており、制御装置９０からの電気信号によってブロワ３２の回転数が無段階に制御される。このようにブロワ３２の回転数が制御されることにより、チャンバー１２内のガスの排気流量が調節される。
　このガス供給部２０とガス排気部３０とによってチャンバー１２内の圧力を制御することができる。すなわち、ガス供給部２０からの不活性ガスの供給流量に比べて、ガス排気部３０の排気流量を小さくすることにより、チャンバー１２内の圧力を高く保つことができる。本実施形態では、レギュレータ２２とブロワ３２とを適宜調節することにより、チャンバー１２外の大気圧よりも僅かに高い圧力を保つことができるように調節されている。これにより、チャンバー１２内を不活性ガスで満たし、チャンバー１２外から酸素が侵入するのを抑えることができるようになっている。
　また、排気配管３１には、バッファー部３３が設けられている。このバッファー部３３は、チャンバー１２内の急激な圧力上昇を抑えるものである。これにより、チャンバー１２が高圧により破損されるのを防止することができる。具体的には、バッファー部３３は、ゴム又は樹脂等の弾性変形可能な材料で形成された袋状部材であり、この袋状部材内が所定の圧力に達すると弾性的に膨張するようになっている。すなわち、チャンバー１２が圧力上昇により破損しない圧力で膨張する材料で形成されている。そして、バッファー部３３は入出口を有しており、この入出口それぞれに排気配管３１が接続されている。これにより、チャンバー１２内の圧力が急に上昇するのを抑えることができる。すなわち、チャンバー１２内の圧力が急に上昇すると、これに伴って排気配管３１内の圧力も上昇するが、バッファー部３３に必要以上の圧力がかかるとバッファー部が膨張することにより、排気配管３１内の圧力を低下させ、ひいてはチャンバー１２内の圧力を低下させる。これにより、チャンバー１２内の急激な圧力上昇を抑え、チャンバー１２の破損を防止できるようになっている。
　また、排気配管３１には、流量計３４が設けられている。そして、この流量計３４が制御装置９０に電気的に接続されており、計測された排気流量が制御装置９０に入力できるようになっている。
　なお、供給配管２１には、空気を供給する空気供給配管５１が別途連結されており、チャンバー１２内に空気を供給できるようになっている。具体的には、空気供給配管５１がエアボンベと連結されており、空気供給配管５１には制御装置９０に電気的に接続されたレギュレータ５２が設けられている。そして、このレギュレータ５２の開閉動作を制御することにより、チャンバー１２内にエアを供給することができる。
　また、チャンバー１２には、開放配管５４が接続されており、チャンバー１２内の不活性ガスを一気に排気できるようになっている。すなわち、真空ポンプに接続された開放配管５４がチャンバー１２に接続されており、制御装置９０に開閉動作が制御される開放弁５５が設けられている。そして、開放弁５５が開放されると真空ポンプによりチャンバー１２内が吸気され、チャンバー１２内のガスが一気に排気される。これにより、この開放配管５４と空気供給配管５１とによって、基板処理装置１０に何らかの不具合が生じた場合、不活性ガスがチャンバー１２外に充満するのを防止することができる。具体的には、開放配管５４の開放弁５５が開放されるとともに、レギュレータ５２も開状態にされることにより、チャンバー１２内が排気されるとともに、空気供給配管５１から空気が供給される。これにより、チャンバー１２内の不活性ガスが一気に空気と入れ替わるため、チャンバー１２外に不活性ガスが充満するのを抑えることができる。
　次に、上記基板処理装置１０の制御系の構成について図２に示すブロック図を用いて説明する。
　図２は、この基板処理装置１０に設けられた制御装置９０の制御系を示すブロック図である。図２に示すように、この基板処理装置１０には、上述した各種ユニットの駆動等を統括的に制御する制御装置９０が設けられている。この制御装置９０は、制御本体部９１、駆動制御部９２、圧力検知部９３、酸素濃度検知部９４、流量検知部９５とを有している。そして、制御本体部９１は、主制御部９１ａ、判定部９１ｂ、設定部９１ｃ、記憶部９１ｄとを有している。
　主制御部９１ａは、予め記憶されたプログラムに従って一連の塗布動作を実行すべく、駆動制御部９２を介して各ユニットのモータ類、レギュレータ２２、５２等の駆動機器を駆動制御するとともに基板処理動作に必要な各種演算を行うものである。具体的には、基板処理部４０である塗布装置を制御すべく、塗布ユニット４２から塗布液を吐出させるとともに、ステージ４１の移動を駆動制御する。そして、各レギュレータ２２の開閉状態及びブロワ３２の回転数を制御し、チャンバー１２内がチャンバー１２外より僅かに高い圧力（チャンバー設定圧力）に設定される。
　判定部９１ｂは、チャンバー１２内の圧力、酸素濃度、ブロワ回転数が所定の設定値であるかを判定するものである。例えば、チャンバー１２内の圧力が設定された圧力（チャンバー設定圧力）になっているか否かが判定される。具体的には、後述の記憶部９１ｄには、チャンバー設定圧力の上限値と下限値とが閾値として記憶されており、チャンバー１２内の圧力がこれらの閾値の範囲内にあるか否かが判定される。仮にチャンバー設定圧力の上限値を超えている場合には、駆動制御部９２を通じてブロワ３２の回転数を増加させてチャンバー１２内のガスの排気流量を増大させることによりチャンバー１２内の圧力が閾値内に入るように調整する。そして、ブロワ３２の回転数を増加させてもチャンバー１２内の圧力が閾値内に入らない場合には、ガス供給部２０のレギュレータ２２を調節することにより供給流量を減少させてチャンバー１２内の圧力が閾値内に入るように調整する。同様に、チャンバー設定圧力の下限値を超えている場合には、駆動制御部９２を通じてブロワ３２の回転数を減少させる。そして、ブロワ３２の回転数を減少させても閾値内に入らない場合は、ガス供給部２０のレギュレータ２２を調節することにより供給流量を増加させてチャンバー１２内の圧力が閾値内に入るように調整する。このようにして、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力になるように調整される。
　また、判定部９１ｂは、チャンバー１２内の酸素濃度についても判定し、チャンバー１２内が製品製造に適した酸素濃度であるか否かを判定する。具体的には、チャンバー１２内の酸素濃度が記憶部９１ｄに記憶された酸素濃度に達しているか否かが判定される。
　設定部９１ｃは、チャンバー設定圧力、レギュレータ２２の開閉度、ブロワ３２の回転数の設定を行うものである。本実施形態の基板処理装置１０では、装置の稼働環境に応じて２つのモードが用意されている。すなわち、初期運転モードと通常運転モードである。初期運転モードは、装置の稼働初期に用いるモードであり、チャンバー１２内の酸素濃度を早急に低下させることを主目的とするモードである。具体的には、初期運転モードは、チャンバー設定圧力の上限値及び下限値を維持しつつ、ガス供給部２０のレギュレータ２２を大きく開状態（絞りを小さく）とするとともに、ブロワ３２の回転数を大きくする。これにより、チャンバー１２内の酸素をできるだけ早く不活性ガスと置換する。また、通常運転モードは、チャンバー１２内の酸素濃度が設定酸素濃度以下の状態を維持しつつ、不活性ガスの使用量を抑えて塗布装置を稼働させるためのモードである。具体的には、チャンバー設定圧力の上限値及び下限値を維持した状態で、初期運転モードに比べてガス供給部２０のレギュレータ２２を小さい開状態（絞りを大きく）とするとともに、ブロワ３２の回転数を小さく設定する。これにより、チャンバー１２内の圧力をチャンバー設定圧力に維持しつつ、不活性ガスの消費を抑えることができる。
　このような初期運転モード及び通常運転モードに応じたレギュレータ２２の開閉度、ブロワ３２の回転数を駆動制御部９２を通じて設定することができる。この初期運転モードと通常運転モードとの切替は、チャンバー１２内の酸素濃度によって切替えられる。すなわち、チャンバー１２内が大気の状態では、レギュレータ２２の開閉度及びブロワ回転数を初期運転モードに設定され、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力に維持される。そして、チャンバー１２内が記憶部９１ｄに記憶された設定酸素濃度に到達すると、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力に維持されつつ、通常運転モードのレギュレータ２２の開閉度及びブロワ回転数に設定される。これにより、チャンバー１２内がチャンバー設定圧力に維持された状態で、初期運転モードでチャンバー１２内を不活性ガスに早期に置換し、通常運転モードで不要な不活性ガスの供給を抑えることができる。
　また、本実施形態では、オートチューニング機能を有しており、これによりチャンバー設定圧力が最適値になるように調整される。具体的には、図３に示すように、チャンバー１２内の圧力が最初に設定したチャンバー設定圧力の閾値内に所定時間（閾値保持時間）維持されると、チャンバー設定圧力の閾値領域が小さくなる上限値及び下限値に再度設定する。そして、再度設定した閾値領域にチャンバー１２内の圧力が閾値保持時間維持されると、さらにチャンバー設定圧力の閾値領域が小さくなる上限値及び下限値に設定される。これを繰り返すことにより、チャンバー設定圧力を最適値に収束させて維持できることととなり、通常運転モードにおける不活性ガスのムダな使用を抑えることができる。
　記憶部９１ｄは、様々な各種データが格納されているとともに、演算結果等を一時的に格納するためのものである。具体的には、初期運転モード及び通常運転モードにおけるチャンバー設定圧力の閾値データ、閾値保持時間、設定酸素濃度、レギュレータの開閉度、ブロワ回転数等が記憶されている。チャンバー設定圧力の閾値データには、上限値と下限値とが複数セット用意されており、最も大きい閾値領域として、上限値Ｐ１、下限値Ｐ２が設定され、中間的な閾値領域として、上限値Ｐ３、下限値Ｐ４が設定され、最終的に最も小さい閾値領域として、上限値Ｐ５、下限値Ｐ６が設定されている（図３参照）。また、ブロワ回転数は、初期運転モードがＲａ、通常運転モードがＲｂとして設定されており、初期運転モードのＲａは通常運転モードのＲｂに比べて大きい値に設定されている。また、レギュレータ２２の開閉度についても、初期運転モードにおける絞り量が通常運転モードの絞り量に比べて小さく設定されており、初期運転モードにおける供給流量が通常運転モードの供給流量に比べて大きくなるようになっている。
　駆動制御部９２は、制御本体部９１からの制御信号に基づいて、各モータ類、駆動機器等を駆動制御するものである。具体的には、各レギュレータ２２の開閉度、ブロワ３２の回転数等が制御されるようになっている。
　圧力検知部９３は、チャンバー１２内の圧力を検知するものである。具体的には、チャンバー１２に取付けられた圧力計１７から入力される信号により、チャンバー１２内の圧力が検知される。検知された圧力は制御本体部９１の記憶部９１ｄに記憶される。
　酸素濃度検知部９４は、チャンバー１２内の酸素濃度を検知するものである。具体的には、チャンバー１２に取付けられた酸素濃度計１６から入力される信号により、チャンバー１２内の酸素濃度が検知される。検知された酸素濃度は制御本体部９１の記憶部９１ｄに記憶される。
　流量検知部９５は、供給配管２１内及び排気配管３１内のガス流量を検知するものである。具体的には、供給配管２１に取付けられた流量計２３から入力される信号、及び、排気配管３１に取付けられた流量計３４から入力される信号により、供給配管２１内及び排気配管３１内のガス流量が検知される。検知されたガス流量は制御本体部９１の記憶部９１ｄに記憶される。
　次にこの基板処理装置１０における動作について、フローチャートを参照しながら説明する。
　まず、ステップＳ１において、初期運転が行われる（初期運転モード）。すなわち、チャンバー１２は大気で満たされているため、チャンバー１２内の酸素濃度を設定酸素濃度以下になるまで初期運転が行われる。具体的には、チャンバー設定圧力を最も閾値領域の大きい組合わせ、すなわち上限値Ｐ１、下限値Ｐ２に設定される。また、レギュレータ２２を初期運転モードの開閉度に設定されるとともにブロワ回転数をＲａに設定される。そして、不活性ガスの供給流量とチャンバー１２内のガス排気流量とが共に大流量で釣り合いを保ちつつ、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力に収束される。すなわち、不活性ガスの供給流量がガス排気流量よりも僅かに上回る状態に維持される。ここで、仮にチャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力の上限値又は下限値を超えた場合には、ブロワ回転数の調節が行われる。すなわち、上限値を超えた場合には、ブロワ回転数を僅かに上昇させてチャンバー１２内の圧力を低下させる。また、下限値を超えた場合には、ブロワ回転数を僅かに低下させてチャンバー１２内の圧力を増加させる。これにより、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力を維持しつつ、大流量の不活性ガスがチャンバー１２内に供給されることで、チャンバー１２内の酸素濃度を早急に低下させることができる。
　そして、初期運転モードは、チャンバー１２内の酸素濃度が設定酸素濃度に到達するまで行われる（ステップＳ２でＮＯの方向）。そして、チャンバー１２内の酸素濃度が設定酸素濃度に到達すると、ステップＳ２によりＹＥＳの方に進み、ステップＳ３により通常運転が行われる（通常運転モード）。
　具体的には、チャンバー設定圧力を最も閾値領域の大きい組合わせである上限値Ｐ１、下限値Ｐ２に設定され、また、レギュレータ２２を通常運転モードの開閉度に設定されるとともにブロワ回転数をＲｂに設定される。その結果、通常運転モードの開閉度は、初期運転モードの開閉度よりも絞りが大きいため、供給流量は抑えられる。また、通常運転モードのブロワ回転数Ｒｂは、初期運転モードのブロワ回転数Ｒａよりも小さいため、排気流量も抑えられる。すなわち、通常運転モードは、初期運転モードに比べて供給流量及び排気流量が小流量で釣り合いが保たれ、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力に収束される。これにより、通常運転モードは、初期運転モードに比べて不活性ガスの消費量が抑えられる。
　ここで、仮にチャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力の上限値又は下限値を超えた場合には、ブロワ回転数の調節が行われる。すなわち、上限値を超えた場合には、ブロワ回転数を僅かに上昇させてチャンバー１２内の圧力を低下させる。また、下限値を超えた場合には、ブロワ回転数を僅かに低下させてチャンバー１２内の圧力を増加させる。このようにして、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力の閾値内に所定時間入っている場合には、チャンバー設定圧力の閾値がより狭い範囲の閾値領域に変更される。すなわち、上限値がＰ１からＰ３に変更され、下限値がＰ２からＰ４に変更される。そして、上限値又は下限値を超えた場合には、先ほどと同様にして、ブロワ回転数を増減させてチャンバー１２内の圧力が閾値領域内に入るように調節される。これを繰り返すことにより、最終的に最も狭い閾値領域である上限値Ｐ５、下限値Ｐ６に設定され、この範囲内にチャンバー設定圧力が維持される。これによりチャンバー設定圧力が最適値になるように調整される（オートチューニング機能）。
　次に、ステップＳ４により、装置を停止させるか否かが判断される。具体的には、基板に対する処理が終了し基板を取り出す場合、又は、強制的に基板処理装置１０を停止させる場合には、ステップＳ４においてＹＥＳの方向に進み、基板処理装置１０の動作が終了する。また、基板に対する処理を継続して行う場合には、ステップＳ４において、ＮＯの方向に進み、基板処理装置１０の動作が継続される。
　次に、ステップＳ５により、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力に保たれているか否かが判断される。すなわち、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力に保たれている場合には、ステップＳ５でＹＥＳに進み、通常運転モードが継続して実行される。仮に、メンテナンス作業を行うなどして、チャンバー設定圧力の範囲外になっている場合には、ステップＳ５でＮＯの方向に進み、ブロア３２の回転数を増加させる。具体的には、本実施形態のメンテナンス作業として口金４３の拭取り作業がある。拭取り作業は、グローブボックス１５の手袋に手を入れつつ口金４３の拭取り作業を行うため、手袋に手を入れた分だけチャンバー１２内の圧力が上昇し、チャンバー設定圧力の上限値を超えることとなる。このように、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力の上限値を急激に超えようとすると、バッファー部３３が膨張し、上昇した圧力を緩和しようとする。それでも、チャンバー設定圧力の上限値を超えている場合には、チャンバー設定圧力が保たれていないと判断し、ステップＳ５においてＮＯの方向に進み、ステップＳ６においてブロワ回転数が増大される。
　ステップＳ６において、ブロワ回転数が増大されると、チャンバー１２内の圧力が低下する。そして、ステップＳ７において、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力に収まったか否かが判断される。すなわち、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力の閾値（上限値と下限値）の範囲に入ると、チャンバー設定圧力に収まったと判断され、ステップＳ７においてＹＥＳの方向に進み、ステップＳ８によりブロワ回転数が減少される。そして、再度、通常運転モードが実行され、上述したオートチューニング機能によりチャンバー設定圧力が最適値になるように調整される。
　また、ステップＳ７において、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力に収まっていないと判断されると、ステップＳ７においてＮＯの方向に進み、ステップＳ９において不活性ガスの供給量が抑えられる。具体的には、ガス供給部２０のレギュレータ２２の絞りを大きくして開閉度の調節が行われる。そして、ステップＳ１０により、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力に収まったか否かが判断される。すなわち、チャンバー１２内の圧力がチャンバー設定圧力の閾値（上限値と下限値）の範囲に入るか否かが判断され、閾値の範囲に入らない場合には、ステップＳ１０においてＮＯの方向に進み、レギュレータ２２の調節が行われる。また、チャンバー１２内の圧力が閾値の範囲に入ったと判断された場合には、ステップＳ１０においてＹＥＳの方向に進み、通常運転モードが実行され、上述したオートチューニング機能によりチャンバー設定圧力が最適値になるように調整される。
　上記実施形態における基板処理システム１によれば、前記ガス供給部２０の不活性ガスの供給流量と前記ガス排気部３０の排気流量とが調整されるため、前記チャンバー１２内の圧力をチャンバー設定圧力に安定して維持することができる。すなわち、不活性ガスの供給流量にばらつきが生じても、その供給流量に応じて排気流量が調節されることにより、チャンバー１２内を一定のチャンバー設定圧力に維持されるとともに、初期動作時、不活性ガスの供給流量を増やしてチャンバー１２内を不活性ガス化にするのに必要な時間を短縮させることができる。
　上記実施形態では、基板処理装置１０を稼働させる条件として、酸素濃度を計測する例について説明したが、酸素濃度と合わせて露点温度を計測し、酸素濃度と露点温度の両方を基板処理装置１０を稼働させる条件してもよい。具体的には、チャンバー１２に露点温度計を設置し、露点温度計により得られたデータと酸素濃度計１６より得られたデータとにより、初期運転モードから通常運転モードに切替えるように構成してもよい。
　上記実施形態では、ガス排気部３０にブロワ３２を設ける例について説明したが、真空ポンプやプロセスポンプを用いるものであってもよい。これらであってもチャンバー１２内のガスを十分に排気することができる。
　１　基板処理システム
　１０　基板処理装置
　１２　チャンバー
　２０　ガス供給部
　２１　供給配管
　２２　レギュレータ
　３０　ガス排気部
　３１　排気配管
　３２　ブロワ
　３３　バッファー部
　４０　基板処理部
　９０　制御装置

Claims (4)

  1. 　基板に対し所定の処理を行う基板処理部と、
    　前記基板処理部を密封状態に収容するチャンバーと、
    　チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給部と、
    　チャンバー内のガスを排気するガス排気部と、
    を備えており、
    　前記チャンバー内の圧力がチャンバー外の圧力よりも高いチャンバー設定圧力になるように、前記チャンバー内の圧力に基づいて、前記ガス供給部の不活性ガスの供給流量と前記ガス排気部の排気流量とが調整されることを特徴とする基板処理システム。
  2. 　前記チャンバー設定圧力には、上限圧力値と下限圧力値とが設定されており、チャンバー内の圧力が上限圧力値と下限圧力値との間に維持されるように、前記ガス供給部の不活性ガスの供給流量と前記ガス排気部の排気流量とが調整されることを特徴とする基板処理システム。
  3. 　前記ガス供給部の供給流量と前記ガス排気部の排気流量とを共に大きくしてチャンバー内の圧力をチャンバー設定圧力に維持する初期運転モードと、
    　前記初期運転モードよりも前記ガス供給部の供給流量と前記ガス排気部の排気流量とを共に小さくしてチャンバー内の圧力をチャンバー設定圧力に維持する通常運転モードとを有しており、
    　前記初期運転モードは、チャンバー内の酸素濃度が設定値以下になった場合に通常運転モードに切替えられることを特徴とする基板処理システム。
  4. 　前記ガス排気部には、チャンバーに連通して接続される排気配管を有しており、この排気配管には排気配管内の圧力変動に応じて容積を変えることのできるバッファー部を有しており、このバッファー部の容積が変化することにより、チャンバー内の急な圧力変動が吸収されることを特徴とする基板処理システム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160351427A1 (en) * 2014-02-07 2016-12-01 Murata Machinery, Ltd. Purge device and purge method

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6017396B2 (ja) * 2012-12-18 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
WO2014119735A1 (ja) * 2013-01-31 2014-08-07 株式会社ニコン 処理装置、噴射処理方法および電極材料の製造方法
JP6403431B2 (ja) * 2013-06-28 2018-10-10 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム
JP2015025623A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置用のチャンバ、および、熱処理装置
CN104281007A (zh) * 2014-08-06 2015-01-14 深圳市华星光电技术有限公司 光刻胶供给装置及涂布机
JP6645009B2 (ja) * 2015-01-07 2020-02-12 岩崎電気株式会社 紫外線硬化処理システム
JP6626322B2 (ja) * 2015-11-27 2019-12-25 Ckd株式会社 気体圧駆動機器、及びその制御方法
JP7030414B2 (ja) * 2017-02-14 2022-03-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及びその装置
KR20200022682A (ko) * 2018-08-23 2020-03-04 세메스 주식회사 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06216000A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Canon Inc 露光装置
JPH08262699A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Canon Inc レジスト組成物、レジスト処理方法及び装置
JPH10135128A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Canon Inc 投影露光装置
JP2000200743A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Canon Inc 露光装置、鏡筒および筐体ならびにそれらの運送方法
JP2008085263A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Tohoku Univ 膜塗布装置および膜塗布方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2825172B2 (ja) * 1992-07-10 1998-11-18 東京エレクトロン株式会社 減圧処理装置および減圧処理方法
JP4088374B2 (ja) * 1998-09-08 2008-05-21 ダイニック株式会社 くるみ表紙用ブッククロス
KR100452318B1 (ko) * 2002-01-17 2004-10-12 삼성전자주식회사 압력조절시스템 및 이를 이용하는 압력조절방법
JP2005211734A (ja) 2004-01-28 2005-08-11 Toppan Printing Co Ltd 有機材料塗布装置及びその装置を用いた有機材料塗布方法
JP2008053532A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP5270251B2 (ja) * 2008-08-06 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06216000A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Canon Inc 露光装置
JPH08262699A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Canon Inc レジスト組成物、レジスト処理方法及び装置
JPH10135128A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Canon Inc 投影露光装置
JP2000200743A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Canon Inc 露光装置、鏡筒および筐体ならびにそれらの運送方法
JP2008085263A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Tohoku Univ 膜塗布装置および膜塗布方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160351427A1 (en) * 2014-02-07 2016-12-01 Murata Machinery, Ltd. Purge device and purge method
US10438829B2 (en) * 2014-02-07 2019-10-08 Murata Machinery, Ltd. Purge device and purge method

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