WO2012026367A1 - 液晶装置 - Google Patents

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WO2012026367A1 PCT/JP2011/068566 JP2011068566W WO2012026367A1 WO 2012026367 A1 WO2012026367 A1 WO 2012026367A1 JP 2011068566 W JP2011068566 W JP 2011068566W WO 2012026367 A1 WO2012026367 A1 WO 2012026367A1
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pixel
electrode
liquid crystal
sub
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豪 鎌田
昇平 勝田
誠二 大橋
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal device.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2010-191124 filed in Japan on August 27, 2010, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • FIG. 20 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal device using a multi-pixel method in the prior art.
  • the liquid crystal device is formed such that the size (size) of the TFT main of the sub-pixel sp main is different from the size (size) of the TFT sub of the sub-pixel sp sub .
  • an auxiliary capacitance Cst main is formed in parallel to the liquid crystal capacitance Clc main of the sub-pixel sp main
  • an auxiliary capacitance Cst sub is formed in parallel to the liquid crystal capacitance Clc sub of the sub-pixel sp sub .
  • the liquid crystal capacitance Clc main liquid crystal capacitor Clc sub are capacitively coupled by coupling capacitance C x.
  • the gate electrode of the TFT main and the gate electrode of the TFT sub are connected to the common gate bus line 100.
  • the TFT main and the TFT sub are simultaneously turned on by a signal from the gate bus line 100.
  • a display signal is supplied from the source bus line 200, and the potential difference generated in each liquid crystal capacitor corresponds to the capacitance difference of each part and the size (size) of the TFT.
  • the TFT main is generated in the pixel electrode forming the liquid crystal capacitance Clc main.
  • the potential is substantially equal to the potential written from the source bus line 200.
  • the potential difference of the liquid crystal capacitance Clc sub is the source bus line 200.
  • a potential corresponding to the ratio of the liquid crystal capacitor Clc sub , the auxiliary capacitor Cst sub, and the coupling capacitor Cx is written via the TFT main with respect to the potential written from the TFT main .
  • a current flows through the TFT sub , and the potential is determined within the period in which the gate electrode is on.
  • the liquid crystal device can perform gradation expression. Thereby, in the liquid crystal device, the viewing angle in display can be improved as compared with the case where the pixels are not divided.
  • the liquid crystal in the case of a VA (Vertical Alignment) liquid crystal alignment mode, the liquid crystal has a wavelength dependency of the transmittance, and thus the TV characteristics (transmission-voltage characteristics) vary greatly for each RGB. For this reason, a general liquid crystal device is designed so that XYZ values, which are tristimulus values for gradation, are aligned when viewed from the front.
  • VA Vertical Alignment
  • Patent Document 1 a technique described in Patent Document 1 is known for a liquid crystal device using a multi-pixel method.
  • the electrodes of the two sub-pixels are arranged so that the luminance ratio with respect to the RGB component gradation when viewed from the front is the same as the luminance ratio with respect to the RGB component gradation when viewed from the side.
  • the ratio of the applied voltage is made different, or the area of each electrode of the two sub-pixels is made different for each RGB.
  • a method for improving the viewing angle by adjusting the potential difference between the two sub-pixels by changing the capacitance ratio of capacitive coupling has been proposed.
  • a general liquid crystal device is designed so that XYZ values, which are tristimulus values for gradation, are aligned when viewed from the front. For this reason, in the liquid crystal device, when an image that changes from black to white is displayed from end to end of the liquid crystal device and the liquid crystal device in the display state is viewed obliquely, as shown in FIG. Certain XYZ values differ greatly. This figure shows that the characteristic of the Z value is significantly different from the characteristic of the X value and the Y value. In other words, in the liquid crystal device, a large color shift occurs between an image viewed from an oblique direction and an image viewed from the front.
  • FIG. 21 is a diagram showing the relationship of XYZ values of Local ⁇ with respect to gradation.
  • the vertical axis represents the local ⁇ (local gamma) value
  • the horizontal axis represents the gradation
  • the broken line 901 represents the X value
  • the broken line 902 represents the Y value
  • the broken line 903 represents the Z value.
  • Local ⁇ is an index that takes a logarithm of the normalized transmittance with respect to gradation and further represents a local ⁇ value, and is defined as in the following equation (1).
  • T GS1 is a normalized transmittance corresponding to the gradation GS1
  • T GS2 is a normalized transmittance corresponding to the gradation GS2.
  • Patent Document 1 when the capacitance coupling capacity is changed for each RGB, the aperture ratio is different for each RGB, so that there is a problem that the color balance is lost, that is, color misregistration occurs. . Further, when the liquid crystal device in the display state is viewed from an oblique direction, there is a problem that color misregistration occurs, that is, the viewing angle cannot be widened.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a liquid crystal device that improves viewing angle characteristics in a liquid crystal device having a multi-pixel structure.
  • the liquid crystal device includes a plurality of pixels each including at least first and second subpixels and a color filter, and the first subpixel includes a first switching element and a first switching element.
  • Sub-picture Said the electrode second subpixel electrode is capacitively coupled, the size of the second switching element, among the plurality of pixels, different between at least two pixels corresponding to different color areas of the color filter.
  • the color filter includes at least a red region, a green region, and a blue region, and the second switching element in the pixel corresponding to the blue region of the color filter.
  • the ratio (W / L) of the channel width W to the channel length L is compared with the ratio W / L of the channel width W to the channel length L of the second switching element in the pixel corresponding to the color filter in the other color region. It may be made large.
  • the color filter includes at least a red region, a green region, and a blue region, and the second switching element in the pixel corresponding to the green region of the color filter.
  • the ratio W / L of the channel width W to the channel length L is made larger than the ratio of the channel width W to the channel length L of the second switching element in the pixel corresponding to the color filter in the red region. It may be.
  • the color filter includes at least a red region, a green region, a blue region, and a cyan region, and the first pixel in the pixel corresponding to the cyan region of the color filter.
  • the ratio W / L of the channel width W to the channel length L of the two switching elements is a channel width with respect to the channel length L of each of the second switching elements in the pixel corresponding to the red region and the pixel corresponding to the green region. It may be made larger than the ratio W / L of W.
  • At least one of the plurality of pixels further includes a third sub-pixel, and the third sub-pixel includes a third switching element and a third switching element.
  • the third switching element includes a third gate electrode connected to the gate bus line, a third source electrode connected to the source bus line, and the first switching electrode.
  • a third drain electrode connected to the third subpixel electrode capacitively coupled to the subpixel electrode may be provided.
  • a liquid crystal device includes a color filter, a first pixel corresponding to the first color region of the color filter, and a second pixel corresponding to the second color region of the color filter.
  • the first pixel has at least first and second sub-pixels, and the first sub-pixel includes a first switching element and a first switching element engaged with the first switching element.
  • the second subpixel includes a second switching element and a second subpixel electrode engaged with the second switching element, and the first subpixel electrode and the second subpixel electrode are provided.
  • a subpixel electrode is capacitively coupled, and the second pixel includes at least a third and a fourth subpixel, and the third subpixel is associated with a third switching element and a third switching element.
  • a third sub-pixel electrode The fourth sub-pixel includes a fourth switching element and a fourth sub-pixel electrode engaged with the fourth switching element, and the third sub-pixel electrode and the fourth sub-pixel electrode are connected to each other. Capacitively coupled, the second switching element and the fourth switching element are different in size.
  • the first pixel further includes a fifth sub-pixel
  • the fifth sub-pixel includes a fifth switching element and a fifth sub-pixel electrode.
  • the gate electrode of the fifth switching element is connected to a gate bus line to which the same signal as the gate bus line is supplied, and the source electrode of the fifth switching element is connected to the source bus line,
  • the drain electrode of the fifth switching element may be connected to the fifth subpixel electrode that is capacitively coupled to the first subpixel electrode.
  • the liquid crystal device includes a first pixel corresponding to the first color region of the color filter, and a second pixel corresponding to the second color region of the color filter.
  • the pixel has at least first and second sub-pixels, and the first sub-pixel includes a first switching element and a first sub-pixel electrode, and the gate electrode of the first switching element is Connected to a gate bus line, a source electrode of the first switching element is connected to a source bus line, a drain electrode of the first switching element is connected to the first sub-pixel electrode, and the second sub-pixel electrode is connected.
  • the pixel includes a second switching element and a second sub-pixel electrode, and the gate electrode of the second switching element is connected to a gate bus line to which the same signal as the gate bus line is supplied
  • the source electrode of the second switching element is connected to the source bus line
  • the drain electrode of the second switching element is connected to the second subpixel electrode
  • the first subpixel electrode and the A second subpixel electrode is capacitively coupled
  • the second pixel includes at least a third and a fourth subpixel
  • the third subpixel includes a third switching element and a third subpixel.
  • a pixel electrode; a gate electrode of the third switching element is connected to a gate bus line; a source electrode of the third switching element is connected to a source bus line; and a drain electrode of the third switching element is
  • the fourth sub-pixel is connected to a third sub-pixel electrode, and the fourth sub-pixel includes a fourth switching element and a fourth sub-pixel electrode, and a gate of the fourth switching element.
  • the electrode is connected to a gate bus line to which the same signal as the gate bus line is supplied, the source electrode of the fourth switching element is connected to the source bus line, and the drain electrode of the fourth switching element is 4, the third subpixel electrode and the fourth subpixel electrode are capacitively coupled, and the second switching element and the fourth switching element are different in size.
  • the first pixel further includes a fifth sub-pixel
  • the fifth sub-pixel includes a fifth switching element and a fifth sub-pixel electrode.
  • the gate electrode of the fifth switching element is connected to a gate bus line to which the same signal as the gate bus line is supplied, and the source electrode of the fifth switching element is connected to the source bus line,
  • the drain electrode of the fifth switching element may be connected to the fifth subpixel electrode that is capacitively coupled to the first subpixel electrode.
  • a liquid crystal device capable of improving display viewing angle characteristics can be provided.
  • FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of an equivalent circuit of a liquid crystal device in which one pixel according to the embodiment is divided into two sub-pixels.
  • FIG. 3 is a circuit diagram in which an equivalent circuit of a sub-pixel in one pixel according to the embodiment is simplified.
  • FIG. It is the figure which looked at the layout of the switching element etc. which are formed in the TFT array 4 arrange
  • FIG. 5 is a characteristic diagram of XYZ values with respect to gradation viewed from an angle of 60 degrees when red pixels, green pixels, and blue pixels have the same configuration.
  • FIG. 5 is a characteristic diagram of chromaticity with respect to a gradation viewed from an angle of 60 degrees when red, green, and blue pixels have the same configuration.
  • FIG. 5 is a characteristic diagram of chromaticity with respect to a gradation viewed from an angle of 60 degrees when red, green, and blue pixels have the same configuration.
  • FIG. 11 is a characteristic diagram of XYZ values with respect to a gray level viewed from 60 degrees when only the blue pixel capacity is changed.
  • FIG. 5 is a characteristic diagram of chromaticity with respect to a gradation viewed from an oblique angle of 60 degrees when only the blue pixel capacity is changed. It is an example of the equivalent circuit of the liquid crystal device which divided
  • FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an example of another equivalent circuit of the liquid crystal device in which one pixel according to the embodiment is divided into three sub-pixels.
  • FIG. 1 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a liquid crystal device according to one embodiment of the present invention.
  • the liquid crystal device includes a backlight 1, a first polarizing plate 2, a first glass substrate 3, a TFT (thin film transistor) array 4, a liquid crystal 5, a common electrode (counter electrode) 6, A color filter 7, a second glass substrate 8, and a second polarizing plate 9 are provided.
  • the backlight 1 emits light from below the first glass substrate 3.
  • the first polarizing plate 2 controls light input / output to / from the first glass substrate 3 by polarization.
  • the TFT array 4 has switching elements, pixel electrodes, and the like formed thereon and is disposed on the first glass substrate 3.
  • the liquid crystal 5 is sealed between the pixel electrode of the TFT array 4 and the common electrode 6.
  • the color filter 7 is disposed on the common electrode 6, and filters each of RGB and applies light based on the light reflectance or light transmittance of the liquid crystal corresponding to each controlled pixel as RGB colors on the liquid crystal device. Is displayed.
  • the second glass substrate 8 is disposed on the color filter 7.
  • the second polarizing plate 9 is disposed in crossed Nicols (crossed Nicols) with the first polarizing plate 2 and is disposed on the second glass substrate 8.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the liquid crystal device according to the present embodiment.
  • M display signal lines (source bus lines) 13, N scanning lines (gate bus lines) 15, and N ⁇ M pixels (p (1, 1) to p (1, M), p (2,1) to p (2, M)... P (N, 1) to p (N, M)).
  • control unit 12 controls the luminance (gradation expression) by controlling the light transmittance of each sub-pixel.
  • control unit 12 controls the luminance by controlling the light reflectance of each sub-pixel.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a matrix configuration of liquid crystal capacitors in the present embodiment.
  • a plurality of pixels p (1,1), p (1,2), p (1,3)... P (2,1), p (2,2), p (2, 3) are arranged in a matrix, and each pixel includes two sub-pixels.
  • the pixel p (1, 1) includes a sub pixel sp (1, 1, 1) and a sub pixel sp (1, 2, 1).
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of an equivalent circuit of a liquid crystal device in which one pixel in this embodiment is divided into two sub-pixels.
  • the red pixel (R) in FIG. 4 corresponds to the pixel p (1, 1) in FIG.
  • the green pixel (G) in FIG. 4 corresponds to the pixel p (1,2) in FIG.
  • the blue pixel (B) in FIG. 4 corresponds to the pixel p (1, 3) in FIG.
  • the gate electrode of the switching element TFT R1 (first switching element) is connected to the scanning line 15 (gate bus line).
  • the source electrode of the switching element TFT R1 is connected to the display signal line 13-1 (source bus line).
  • the drain electrode of the switching element TFT R1 is connected to a pixel electrode which is one electrode of the liquid crystal capacitance Clc R1 made of liquid crystal.
  • the common electrode 6 that is the other electrode of the liquid crystal capacitor Clc R1 is grounded.
  • the configuration of the sub pixel sp (1, 2, 1) (second sub pixel) of the red pixel (R) will be described.
  • a gate electrode of the switching element TFT R2 (second switching element) is connected to the scanning line 15.
  • the source electrode of the switching element TFT R2 is connected to the display signal line 13-1.
  • the drain electrode of the switching element TFT R2 is connected to a pixel electrode which is one electrode of the liquid crystal capacitance Clc R2 made of liquid crystal.
  • the common electrode 6 which is the other electrode of the liquid crystal capacitor Clc R2 is grounded.
  • the liquid crystal capacitance Clc R1 and the liquid crystal capacitor Clc R2 are capacitively coupled by coupling capacitor C CR.
  • the liquid crystal capacitance Clc R1 is connected to an auxiliary capacitor CS R1 in parallel with it, the liquid crystal capacitance Clc R2 auxiliary capacitance CS R2 in parallel therewith are connected.
  • a gate electrode of the switching element TFT G1 (first switching element) is connected to the scanning line 15 (gate bus line).
  • the source electrode of the switching element TFT G1 is connected to the display signal line 13-2 (source bus line).
  • the drain electrode of the switching element TFT G1 is connected to a pixel electrode that is one electrode of a liquid crystal capacitor Clc G1 formed of liquid crystal.
  • the common electrode 6 which is the other electrode of the liquid crystal capacitor Clc G1 is grounded.
  • the gate electrode of the switching element TFT G2 (second switching element) is connected to the scanning line 15.
  • the source electrode of the switching element TFT G2 is connected to the display signal line 13-2.
  • the drain electrode of the switching element TFT G2 is connected to a pixel electrode which is one electrode of a liquid crystal capacitor Clc G2 made of liquid crystal.
  • the common electrode 6 which is the other electrode of the liquid crystal capacitor Clc G2 is grounded.
  • the liquid crystal capacitance Clc G1 and the liquid crystal capacitor Clc G2 are capacitively coupled by coupling capacitance C CG.
  • the auxiliary capacitance CS G1 is connected in parallel to the liquid crystal capacitance Clc G1
  • the auxiliary capacitance CS G2 is connected in parallel to the liquid crystal capacitance Clc G2 .
  • the gate electrode of the switching element TFT B1 (first switching element) is connected to the scanning line 15 (gate bus line).
  • the source electrode of the switching element TFT B1 is connected to the display signal line 13-3 (source bus line).
  • the drain electrode of the switching element TFT B1 is connected to the pixel electrode which is one electrode of the liquid crystal capacitance Clc B1 made of liquid crystal.
  • the common electrode 6 which is the other electrode of the liquid crystal capacitor Clc B1 is grounded.
  • a gate electrode of the switching element TFT B2 (second switching element) is connected to the scanning line 15.
  • the source electrode of the switching element TFT B2 is connected to the display signal line 13-3.
  • the drain electrode of the switching element TFT B2 is connected to the pixel electrode which is one electrode of the liquid crystal capacitance Clc B2 made of liquid crystal.
  • the common electrode 6 that is the other electrode of the liquid crystal capacitor Clc B2 is grounded.
  • the liquid crystal capacitance Clc B1 and the liquid crystal capacitor Clc B2 are capacitively coupled by coupling capacitance C CB.
  • an auxiliary capacitor CS B1 is connected in parallel with the liquid crystal capacitor Clc B1
  • an auxiliary capacitor CS B2 is connected in parallel with the liquid crystal capacitor Clc B2 .
  • Each RGB pixel is a pixel formed at a position corresponding to the color filter 7 corresponding to each color region.
  • FIG. 5 is a circuit diagram in which an equivalent circuit of a sub-pixel in one pixel is simplified.
  • the liquid crystal capacitor Clc 1 is a combined capacitance of a liquid crystal capacitor Clc R1 and the auxiliary capacitance CS R1
  • the liquid crystal capacitance Clc 2 is a combined capacitance of a liquid crystal capacitor Clc R2 and the auxiliary capacitance CS R2.
  • the switching element TFT 1 is a switching element TFT R1
  • the switching element TFT 2 is a switching element TFT R2 .
  • V B C C1 / (Clc 2 + C C1 ) ⁇ V A (2)
  • FIG. 6 is a top view of the layout of switching elements and the like formed on the TFT array 4 disposed on the first glass substrate 3 of FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the switching element TFT 1 and the switching element TFT 2 shown along the line AA ′ in FIG. 6 and 7, the switching element TFT 1 is connected to the switching element TFT R1 of the red pixel (R) of the sub-pixel sp1, the switching element TFT G1 of the green pixel (G), and the switching element TFT B1 of the blue pixel (B).
  • the TFT 2 corresponds to the switching element TFT R2 of the red pixel (R) of the sub-pixel sp2, the switching element TFT G2 of the green pixel (G), and the switching element TFT B2 of the blue pixel (B).
  • a source electrode 101 of the switching element TFT 1, and the drain electrode 102 of the switching element TFT 1 is shown.
  • the source electrode 111 of the switching element TFT 2 is shown.
  • the source electrode 101 of the switching element TFT 1, the source electrode 111 of the switching element TFT 2, is constructed are shared.
  • the width indicated by W1 represents the channel width of the switching element TFT 1
  • the length indicated by L1 indicates a channel length of the switching element TFT 1.
  • the width indicated by W2 denotes the channel width of the switching element TFT 2
  • the length indicated by L2 shows the channel length of the switching element TFT 2.
  • the size (size) of the switching element TFT 1 or the switching element TFT 2 is channel width W1 / channel length L1 or channel width W2 / channel length L2.
  • an amorphous silicon layer (a-Si) 121 is shown.
  • a source electrode 101 of the switching element TFT 1 the drain electrode 102 of the switching element TFT 1 is shown.
  • a portion to which the source electrode 101, the drain electrode 102, the source electrode 111, and the drain electrode 112 are attached is a metal electrode constituting the source / drain electrode, and a high-concentration n-type semiconductor between the amorphous silicon layer 121 and the portion.
  • An ohmic contact is realized by sandwiching an amorphous silicon film (n + a-Si).
  • the size (size) of TFT 1 and the size (size) of TFT 2 are different. Towards the channel width W1 of the TFT 1 is larger than the channel width W2 of the TFT 2, towards the channel length L2 of the TFT 2 is longer than the channel length L1 of the TFT 1.
  • the gate insulating film 131 is made of silicon nitride (SiN) or the like.
  • FIG. 8 shows the calculation result of the voltage ratio between the sub-pixels (ratio between the voltage V B and the voltage V A ) when the channel width W2 is varied when the channel lengths L1 and L2 are fixed.
  • FIG. 8 shows the result of calculating the ratio of the voltage V B generated in the liquid crystal capacitance of the sub-pixel sp2 to the voltage V A generated in the liquid crystal capacitance of the sub-pixel sp1.
  • the curve in FIG. 8 is a calculation result of the voltage ratio between the sub-pixels when the channel width W1 of the switching element TFT 1 in FIG. 6 is 20 [ ⁇ m] and the channel length L1 is 8 [ ⁇ m].
  • the channel length L2 of the switching element TFT 2 is fixed to 8 [[mu] m], the calculation results in the case where only the channel width W2 of the switching element TFT 2 variable.
  • the liquid crystal capacitance Clc 1 of the sub-pixel sp1 is 300 [fF (femto-Farad)]
  • the liquid crystal capacitance Clc 2 of the sub-pixel sp2 is 600 [fF]
  • the coupling capacitance C C1 that couples the liquid crystal capacitance Clc 2 of 1 and sp2 is 600 [fF].
  • the voltage ratio V B / V A between the sub-pixels can be adjusted by adjusting the ratio of the channel width W2 and the channel length L1 of the switching element TFT 2 in one pixel. That is, by adjusting the size (size) of the switching element between the sub-pixels, a potential difference can be generated between the liquid crystal capacitance of the sub-pixel sp1 and the liquid crystal capacitance of the sub-pixel sp2 in one pixel. As a result, it is possible to cause a difference between the sub-pixels in the light transmittance or light reflectance of the liquid crystal between the sub-pixels sp1 and sp2, and it is possible to realize a multi-pixel structure with a wide viewing angle.
  • a curve 301 represents a signal (hereinafter referred to as a display signal 301) supplied from the display signal line 13-1.
  • a curve 302 represents a signal supplied from the scanning line 15 (hereinafter referred to as a signal 302).
  • Curve 303 is the change in the voltage V A generated at one end of the liquid crystal capacitance Clc 1 of the sub-pixel sp1 (hereinafter, referred to as signal 303) it represents.
  • Curve 304 is the change in the voltage V B generated at one end of the liquid crystal capacitance Clc 2 sub-pixel sp2 (hereinafter, referred to as signal 304) it represents.
  • liquid crystal capacitance Clc 1 of the sub-pixel sp1 is 300 [fF].
  • the liquid crystal capacitance Clc 2 of the sub-pixel sp2 is 600 [fF].
  • a coupling capacitance C C1 that couples the liquid crystal capacitance Clc 1 of the sub-pixel sp1 and the liquid crystal capacitance Clc 2 of sp2 is 600 [fF].
  • the display signal is 10 [V] as a reference voltage (common electrode voltage), the maximum voltage for positive writing is 15 [V], and the maximum voltage for negative writing is 5 [V]. Is described below. That is, the display signal of 15 [V] is a voltage application of +5 [V] with respect to the reference voltage 10 [V], and the display signal of 5 V is ⁇ 5 [V with respect to the reference voltage 10 [V]. V] is applied.
  • a display signal of H level (15 [V]) is supplied from the display signal line 13-1 to each of the sub-pixels sp1 and sp2 will be described with reference to FIGS.
  • the current such as to compensate for the potential difference between the liquid crystal capacitance Clc 1 and Clc 2 flows from the switching element TFT 2 to the liquid crystal capacitance Clc 2.
  • the resistor R1 has a large resistance value because the size (size) of the switching element TFT 2 is small, and as a result, the time constant becomes large, indicating that current does not flow easily. That is, the resistance R1 indicates that the resistance of the switching element TFT 2 is larger than the resistance of the switching TFT 1 by the resistance R1.
  • the H level signal 302 is supplied from the scanning line 15 to the gate electrodes of the switching elements TFT 1 and TFT 2 during the period of time t11 to t13, and the switching elements TFT 1 and TFT 2 are turned on.
  • a display signal of 5 [V] (curve 301, hereinafter referred to as signal 301) is supplied from the display signal line 13-1.
  • the voltages V A and V B at one end of the liquid crystal capacitors Clc 1 and Clc 2 of each sub-pixel start to change toward 5 [V] of the display signal.
  • the size (size) of the TFT 2 is sufficiently small, the charge due to capacitive coupling becomes dominant, and the voltages V A and V depend on the capacitance ratio of the liquid crystal capacitance Clc 1 , the liquid crystal capacitance Clc 2, and the coupling capacitance Cc 1. A potential difference from B occurs.
  • FIG. 11 and FIG. 12 are used. I will explain. 11 and 12, when the display signal is 10 [V] as a reference voltage (common electrode voltage), the maximum voltage for positive writing is 15 [V], and the maximum voltage for negative writing is 5 [V]. Is described below. That is, the display signal of 15 [V] is a voltage application of +5 [V] with respect to the reference voltage 10 [V], and the display signal of 5 V is ⁇ 5 [V with respect to the reference voltage 10 [V]. V] is applied.
  • the size of one TFT 2 (size) of half the size of the TFT 1 (size) (TFT 2: TFT 1 1: 2) in the case of, when supplying the display signal L level It is a figure which shows the waveform of each part.
  • the vertical axis represents the voltage value, and the horizontal axis represents time.
  • a curve 301 represents a signal (display signal 301) supplied from the display signal line 13-1.
  • a curve 302 represents a signal (signal 302) supplied from the scanning line 15.
  • a curve 313 represents the voltage VA generated at one end of the liquid crystal capacitance Clc 1 of the sub-pixel sp1.
  • a curve 314 represents the voltage V B generated at one end of the liquid crystal capacitance Clc 2 of the sub-pixel sp2.
  • an H level (15 [V]) signal is output from the display signal line 13-1 to each of the subpixels sp1 and sp2.
  • the H level signal 302 is supplied from the scanning line 15 to the gate electrodes of the switching elements TFT 1 and TFT 2 during the period of time t21 to t23, and the switching elements TFT 1 and TFT 2 are turned on.
  • a display signal 301 of 15 [V] is supplied from the display signal lines 13-1.
  • the voltages V A and V B at one end of the liquid crystal capacitors Clc 1 and Clc 2 of each sub-pixel start to change toward 15 [V] of the display signal.
  • the size (size) of the TFT 2 is sufficiently small, the charge due to capacitive coupling becomes dominant, and the voltages V A and V depend on the capacitance ratio of the liquid crystal capacitance Clc 1 , the liquid crystal capacitance Clc 2, and the coupling capacitance Cc 1. A potential difference from B occurs.
  • a current flows from the TFT 2 to the liquid crystal capacitor Clc 1 so as to compensate for the potential difference between the liquid crystal capacitors Clc 1 and Clc 2 .
  • the size (size) of the switching element TFT 2 is half that of the TFT 1 , it is possible to supply a sufficient current as compared with the examples of FIGS.
  • signal 302 of the scanning line 15 becomes L level, the switching element TFT 1 and TFT 2 is turned off.
  • one end of the liquid crystal capacitance Clc 1 of the sub-pixel sp1 is 15 [V]
  • one end of the liquid crystal capacitance Clc 2 of the sub-pixel sp2 is 14.8 [V].
  • the charge due to capacitive coupling becomes dominant, and the voltages V A and V B depend on the capacitance ratio of the liquid crystal capacitance Clc 1 , the liquid crystal capacitance Clc 2, and the coupling capacitance Cc 1. And a potential difference occurs.
  • a current flows from the TFT 2 to the liquid crystal capacitor Clc 1 so as to compensate for the potential difference between the liquid crystal capacitors Clc 1 and Clc 2 .
  • the size (size) of the switching element TFT 2 is half that of the TFT 1 , a sufficient current can be supplied.
  • signal 302 of the scanning line 15 becomes L level, the switching element TFT 1 and TFT 2 is turned off.
  • one end of the liquid crystal capacitance Clc 1 of the sub-pixel sp1 is 5 [V]
  • one end of the liquid crystal capacitance Clc 2 of the sub-pixel sp2 is 5.2 [V].
  • a potential difference can be generated between the sub-pixels sp1 and sp2 by adjusting the size (size) of the switching element between the sub-pixels. As a result, it is possible to cause a difference between the sub-pixels in the light transmittance or light reflectance of the liquid crystal, and to perform gradation expression.
  • the size (size) of the switching element TFT 1 (TFT R1 , TFT G1 , TFT B1 ) of each RGB pixel is made the same, and each of the RGB pixels
  • the switching elements TFT 2 (TFT R 2 , TFT G 2 , TFT B 2 ) are formed so as to have the same size (size), for example, a color shift occurs when the liquid crystal device is viewed obliquely from 60 degrees. This color shift is caused by, for example, different wavelength dispersion characteristics of blue pixels.
  • the size (size) of the switching element TFT B2 of the sub-pixel of the blue pixel (B) having different wavelength dispersion characteristics among the RGB pixels is set.
  • the size is different from the size (size) of the switching element TFT R2 of the other red pixel (R) and the size (size) of the switching element TFT G2 of the green pixel (G).
  • the Z value of the broken line 903 in FIG. 21 is corrected to approach the XY value. This corrects the ⁇ value with respect to the gray level of the blue pixel (B), so that color misregistration when the liquid crystal device is viewed obliquely can be improved.
  • FIG. 13 is a characteristic diagram of XYZ values with respect to the gradation viewed from 60 degrees when the red pixel, the green pixel, and the blue pixel have the same configuration.
  • FIG. 14 is a characteristic diagram of chromaticity with respect to a gradation viewed from an oblique direction of 60 degrees when the red pixel, the green pixel, and the blue pixel have the same configuration.
  • FIG. 15 is a characteristic diagram of the XYZ values with respect to the gradation viewed from 60 degrees when only the size (size) of the switching element TFT 2 of the blue pixel is changed.
  • FIG. 14 is a characteristic diagram of chromaticity with respect to a gradation viewed from an oblique direction of 60 degrees when the red pixel, the green pixel, and the blue pixel have the same configuration.
  • FIG. 15 is a characteristic diagram of the XYZ values with respect to the gradation viewed from 60 degrees when only the size (size) of the switching element TFT 2 of
  • 16 is a characteristic diagram of the chromaticity with respect to the gradation viewed from 60 degrees obliquely when only the size (size) of the switching element TFT 2 of the blue pixel is changed.
  • the vertical axis represents XYZ values
  • the horizontal axis represents gradation.
  • the vertical axis represents chromaticity (xy) and the horizontal axis represents gradation. 13 to 16, the X value is indicated by a solid line, the Y value is indicated by a broken line, and the Z value is indicated by an alternate long and short dash line.
  • the combined capacitance of the liquid crystal capacitance Clc R1 and the auxiliary capacitor CS R1 of the sub-pixel sp (1, 1, 1) of the red pixel (R) is 300 [fF].
  • Combined capacitance of the liquid crystal capacitance Clc R2 and the auxiliary capacitor CS R2 of the sub-pixel sp (1,2,1) is 600 [fF].
  • Coupling capacitor C CR bound the liquid crystal capacitance Clc R2 of the liquid crystal capacitance Clc R1 and sp (1,2,1) of the sub-pixel sp (1, 1, 1) is 600 [fF].
  • the combined capacitance of the liquid crystal capacitor Clc G1 and the auxiliary capacitor CS G1 of the sub-pixel sp ( 1 , 1 , 2) of the green pixel (G) is 300 [fF].
  • the combined capacitance of the liquid crystal capacitor Clc G2 and the auxiliary capacitor CS G2 of the sub-pixel sp (1, 2, 2) is 600 [fF].
  • a coupling capacitance C CG that couples the liquid crystal capacitance Clc G1 of the sub-pixel sp (1, 1, 2) and the liquid crystal capacitance Clc G2 of sp (1, 2, 2) is 600 [fF].
  • the combined capacitance of the liquid crystal capacitance Clc B1 and the auxiliary capacitance CS B1 of the sub pixel sp (1, 1, 3) of the blue pixel (B) is 300 [fF]
  • the liquid crystal of the sub pixel sp (1, 2, 3) is 300 [fF]
  • the combined capacity of the capacity Clc B2 and the auxiliary capacity CS B2 is 600 [fF].
  • the coupling capacitance C CB that couples the liquid crystal capacitance Clc B1 of the sub-pixel sp (1, 1, 3) and the liquid crystal capacitance Clc B2 of sp (1, 2, 3) is 600 [fF].
  • the Z value 203 has a large difference of about 5000 with respect to the XY values 201 and 202 at the gradation of about 150 to 200.
  • the chromaticity due to the xy values 211 and 212 among the tristimulus values XYZ values locally changes in the gradations of about 150 to 200.
  • the RGB different from the switching element TFT 2 of the switching element TFT 2 and the green pixels and blue pixels (B) a switching element red pixel channel width W2 and channel length L2 of the TFT 2 of the (R) (G)
  • FIG. 13 the Z value 203 has a large difference of about 5000 with respect to the XY values 201 and 202 at the gradation of about 150 to 200.
  • the change in the XY values 221 and 222 of the Z value 223 generated at the gradations of about 150 to 200 in the XYZ values for the gradations is improved.
  • the local change due to the xy values 231 and 232 generated at the gradations of about 150 to 200 is also improved in the chromaticity with respect to the gradations.
  • the channel length L of the switching element TFT R2 is 8 [ ⁇ m] and the channel width W is 3.5 [ ⁇ m] in the red pixel (R), and the channel length L of the switching element TFT G2 is formed in the green pixel (R). Is 8 [ ⁇ m] and the channel width W is 3.5 [ ⁇ m], the voltage ratio between the sub-pixels is about 0.7. Further, when the channel length L of the switching element TFT B2 of the blue pixel (B) is 8 [ ⁇ m] and the channel width W is 6 [ ⁇ m], the voltage ratio between the sub-pixels is about 0.85.
  • the oblique direction is used.
  • the halftone color shift when viewed can be improved.
  • the example in which 15 [V] and 5 [V] are supplied from the display signal line 13-1 as the display signal has been described.
  • the voltage supplied from the display signal line 13-1 is not limited to this. Alternatively, other voltages may be used depending on the characteristics of the liquid crystal.
  • the size (size) of the switching element TFT 2 of the blue pixel (B) is changed to other color pixels (red pixel, green pixel).
  • An example in which the switching element TFT 2 is formed to be different from the size (size) is described.
  • the size (size) of the switching element TFT 2 of the red pixel (R) is also different from the size (size) of the switching element TFT 2 of the green pixel (G). You may form as follows.
  • FIG. 17 is a circuit diagram showing an example of an equivalent circuit of a liquid crystal device in which one pixel in this embodiment is divided into three sub-pixels.
  • one pixel includes three subpixels sp11 to sp13.
  • the gate electrode of the switching element TFT 11 (first switching element) is connected to the scanning line 15.
  • the source electrode of the switching element TFT 11 is connected to the display signal line 13-1.
  • the drain electrode of the switching element TFT 11 is connected to a pixel electrode which is one electrode of the liquid crystal capacitor Clc 11 composed of a liquid crystal.
  • the common electrode which is the other electrode of the liquid crystal capacitor Clc 11 is grounded. Further, the drain electrode of the switching element TFT 11 is grounded via the auxiliary capacitor CS 11 .
  • the gate electrode of the switching element TFT 12 (second switching element) is connected to the scanning line 15.
  • the source electrode of the switching element TFT 12 is connected to the display signal line 13-1.
  • the drain electrode of the switching element TFT 12 is connected to a pixel electrode which is one electrode of the liquid crystal capacitance Clc 12 composed of liquid crystal.
  • the common electrode which is the other electrode of the liquid crystal capacitor Clc 12 is grounded. Further, the drain electrode of the switching element TFT 12 is grounded via the auxiliary capacitor CS 12 .
  • one end of the liquid crystal capacitor Clc 11 of the sub-pixel SP11, and one end of the liquid crystal capacitance Clc 12 of the sub-pixel SP12 are coupled via a coupling capacitor C C11.
  • the gate electrode of the switching element TFT 13 (second switching element) is connected to the scanning line 15.
  • the source electrode of the switching element TFT 13 is connected to the display signal line 13-1.
  • the drain electrode of the switching element TFT 13 is connected to a pixel electrode which is one electrode of the liquid crystal capacitor Clc 13 made of liquid crystal.
  • the common electrode which is the other electrode of the liquid crystal capacitor Clc 13 is grounded. Further, the drain electrode of the switching element TFT 13 is grounded via the auxiliary capacitor CS 13 .
  • one end of the liquid crystal capacitance Clc 13 of the sub-pixel SP13, and one end of the liquid crystal capacitor Clc 11 of the sub-pixel SP11 are coupled via a coupling capacitor C C12.
  • one pixel in the present embodiment includes the first sub-pixel sp11 and the plurality of second sub-pixels sp12 and sp13.
  • the RGB liquid crystal device includes the equivalent circuit of FIG. 17 for each RGB pixel.
  • a switching element TFT 12 of the blue pixel (B) the size of the switching element TFT 13 (size)
  • a switching element TFT 12 of other color pixels RG
  • the size of the switching element TFT 13 By forming it differently from the size (size), it is possible to improve color misregistration when viewed obliquely.
  • a current flows from the switching element TFT 12 to the liquid crystal capacitor Clc 12 of the sub-pixel sp 12 so as to compensate for the potential difference between the liquid crystal capacitors Clc 11 and Clc 12 .
  • a current flows from the switching element TFT 13 to the liquid crystal capacitance Clc 13 of the sub-pixel sp13 so as to compensate for the potential difference between the liquid crystal capacitances Clc 11 and Clc 13 during the period when the H level signal is supplied from the scanning line 15. .
  • the size (size) of the switching element TFT 11 is larger than the size (size) of the switching element TFT 12
  • the size (size) of the switching element TFT 12 is the switching element TFT.
  • the size is larger than 13 (size). For this reason, a potential difference is generated between the liquid crystal capacitors of the three sub-pixels. As a result, gradation expression can be performed.
  • the size (size) of the switching element TFT 12 of the blue pixel (B) and the size (size) of the switching element TFT 13 are set as follows:
  • the size (size) of the switching element TFT 12 of the other color pixels (red pixel and green pixel) is different from the size (size) of the switching element TFT 13 .
  • the size (size) of the switching element TFT 12 of the blue pixel (B) and the size (size) of the switching element TFT 13 are set as follows: An example in which the size (size) of the switching element TFT 12 of other color pixels (red pixel and green pixel) is different from the size (size) of the switching element TFT 13 is described. However, based on the characteristics of the liquid crystal used in the liquid crystal device, for example, the size (size) of the switching element TFT 12 of the red pixel (R) and the size (size) of the switching element TFT 13 are also the switching elements of the green pixel (G). the size of the TFT 12 (size) and the size of the switching element TFT 13 may be formed to be different from the (size).
  • a circuit portion composed of the switching element TFT 13 and the liquid crystal capacitance Clc 13 and the auxiliary capacitance CS 13 and the sub-pixel sp11 capacitively coupled to that coupling capacitance Cc 12 constituting the sub-pixel sp13 Increase according to the number of pixels.
  • the size (size) of the switching element TFT n (n is a natural number of 2 or more) of the blue pixel (B) is different from the size (size) of the switching element TFT n of the other color pixels.
  • FIG. 18 is a circuit diagram illustrating an example of another equivalent circuit in the case where one pixel includes three sub-pixels.
  • the first sub-pixel (A pixel) includes a switching element T1, a liquid crystal capacitor ClcA, and an auxiliary capacitor CstA1.
  • the second sub-pixel (B pixel) includes a switching element T2, a liquid crystal capacitor ClcB, an auxiliary capacitor CstB1, and an auxiliary capacitor CstB2.
  • the third sub-pixel includes a switching element T3, a liquid crystal capacitor ClcC, an auxiliary capacitor CstC1, and an auxiliary capacitor CstC2.
  • one end of the liquid crystal capacitor ClcA of the first sub-pixel and one end of the liquid crystal capacitor ClcC of the third sub-pixel are capacitively coupled by a coupling capacitor CcAC.
  • FIG. 19 is an example of an equivalent circuit of a liquid crystal device in which one pixel by the RGBC method is divided into two sub-pixels.
  • the RGBC method is a liquid crystal device having a configuration in which color filters 7 corresponding to cyan (C) pixels are added to RGB three primary color pixels. Since the configuration of each pixel of the RBG is the same as that of the first embodiment, the same reference numerals are given to the portions corresponding to the respective portions in FIG. 4 and description thereof is omitted.
  • the difference from the first embodiment is the cyan pixel (C) portion.
  • Each RGBC pixel is a pixel formed at a position corresponding to the color filter 7 corresponding to each color region.
  • the configuration of the sub pixel sp (1, 1, 4) of the cyan pixel (C) will be described.
  • the gate electrode of the switching element TFT C1 is connected to the scanning line 15.
  • the source electrode of the switching element TFT C1 is connected to the display signal line 13-4.
  • the drain electrode of the switching element TFT C1 is connected to one of liquid crystal capacitors Clc C1 having a capacitive component via a pixel electrode.
  • the other end of the liquid crystal capacitor Clc C1 is grounded via the common electrode 6.
  • the gate electrode of the switching element TFT C2 is connected to the scanning line 15.
  • the source electrode of the switching element TFT C2 is connected to the display signal line 13-4.
  • the drain electrode of the switching element TFT C2 is connected to one of the liquid crystal capacitors Clc C2 having a capacitive component via the pixel electrode.
  • the other end of the liquid crystal capacitor Clc C2 is grounded through the common electrode 6.
  • the liquid crystal capacitor Clc C1 a liquid crystal capacitor Clc C2 are capacitively coupled by coupling capacitance C CC.
  • the size (size) of the switching element TFT C2 of the cyan pixel (C) is set to other color pixels (red pixel, green pixel, blue pixel) based on the characteristics of the liquid crystal material used in the liquid crystal device.
  • the switching elements TFT R2 , TFT G2 , and TFT B2 are formed differently in size (size). As a result, it is possible to improve color misregistration when viewed obliquely.
  • one pixel may include three sub-pixels as in the second embodiment. May include four or more sub-pixels.
  • the example of the RGBC method has been described, it may be used for other methods.
  • the second switching element TFT in the sub-pixel of at least one color pixel is matched with the characteristics of the liquid crystal material. The same effect can be obtained by forming the size (size) to be different from the size (size) of the second switching element TFT of the switching element of the other color pixel.
  • the example in which the gate electrode of the switching element that controls the subpixel is connected to one gate bus line is described with reference to FIGS. 4, 17, and 18.
  • the electrodes may be connected to separate gate bus lines.
  • a signal for switching the switching element between the on state and the off state may be supplied at the same timing as the timing signal supplied to the gate electrode of each switching element.
  • the embodiment has been described with reference to the configuration diagram of the transmissive liquid crystal device in FIG. 1, but the size (size) of the switching element of each sub-pixel also in the reflective liquid crystal measure.
  • the liquid crystal does not control the light transmittance but controls the light reflectance.
  • a program for realizing the function of the control unit 12 in FIG. 2 of the embodiment is recorded on a computer-readable recording medium, and the program recorded on the recording medium is read into a computer system and executed. You may perform the process of each part.
  • the “computer system” includes an OS and hardware such as peripheral devices. Further, the “computer system” includes a homepage providing environment (or display environment) if a WWW system is used.
  • the “computer-readable recording medium” refers to a storage device such as a flexible medium, a magneto-optical disk, a portable medium such as a ROM or a CD-ROM, and a hard disk incorporated in a computer system.
  • the “computer-readable recording medium” dynamically holds a program for a short time like a communication line when transmitting a program via a network such as the Internet or a communication line such as a telephone line.
  • a volatile memory in a computer system serving as a server or a client in that case and a program that holds a program for a certain period of time are also included.
  • the program may be a program for realizing a part of the functions described above, and may be a program capable of realizing the functions described above in combination with a program already recorded in a computer system.

Abstract

　液晶装置は、各々が、少なくとも第１及び第２のサブ画素を含む複数の画素と、カラーフィルタを有し、前記第１のサブ画素は、第１のスイッチング素子と第１のサブ画素電極とを含み、前記第２のサブ画素は、第２のスイッチング素子と第２のサブ画素電極とを含み、前記第１のサブ画素電極と前記第２のサブ画素電極とが容量結合され、前記第２のスイッチング素子のサイズは、前記複数の画素のうち、前記カラーフィルタの異なる色領域に対応する少なくとも２つの画素間で異なる。

Description

液晶装置
　本発明は、液晶装置に関する。
　本願は、２０１０年８月２７日に、日本に出願された特願２０１０－１９１１２４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　液晶装置は、近年、表示における視野角を広くする改善が求められている。これに対し、液晶装置では、１画素を２つのサブ画素に分割し、サブ画素単位で階調をコントロールするマルチ画素方式が用いられている。サブ画素単位で階調をコントロールする手法として、図２０のようなサブ画素とサブ画素間とが容量結合され、サブ画素間に電位差を生じさせるために各々のサブ画素にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が接続されている構成の液晶装置が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。図２０は、従来技術におけるマルチ画素方式を用いた液晶装置の等価回路図である。
　図２０において、液晶装置は、サブ画素ｓｐｍａｉｎのＴＦＴｍａｉｎの大きさ（サイズ）とサブ画素ｓｐｓｕｂのＴＦＴｓｕｂの大きさ（サイズ）が異なるように形成されている。また、サブ画素ｓｐｍａｉｎの液晶容量Ｃｌｃｍａｉｎには、並列に補助容量Ｃｓｔｍａｉｎが形成され、サブ画素ｓｐｓｕｂの液晶容量Ｃｌｃｓｕｂには、並列に補助容量Ｃｓｔｓｕｂが形成されている。また、液晶容量Ｃｌｃｍａｉｎと液晶容量Ｃｌｃｓｕｂとは、結合容量Ｃｘにより容量結合している。また、ＴＦＴｍａｉｎのゲート電極とＴＦＴｓｕｂのゲート電極は、共通のゲートバスライン１００に接続されている。ゲートバスライン１００からの信号によりＴＦＴｍａｉｎとＴＦＴｓｕｂは、同時にオン状態になる。このとき、ソースバスライン２００から表示信号が供給され、各液晶容量に発生する電位差は、各部の容量差およびＴＦＴの大きさ（サイズ）に応じたものになる。例えば、ＴＦＴｍａｉｎの大きさ（サイズ）が液晶容量Ｃｌｃｍａｉｎと補助容量Ｃｓｔｍａｉｎの和に対して書き込みに十分な大きさを有している場合、液晶容量Ｃｌｃｍａｉｎを形成する画素電極に発生する電位はソースバスライン２００から書き込まれる電位にほぼ等しくなる。一方、ＴＦＴｓｕｂの大きさ（サイズ）が液晶容量Ｃｌｃｓｕｂと補助容量Ｃｓｔｓｕｂの和に対して書き込みに不十分な大きさしか有していない場合、液晶容量Ｃｌｃｓｕｂの電位差はソースバスライン２００から書き込まれる電位に対して液晶容量Ｃｌｃｓｕｂと補助容量Ｃｓｔｓｕｂおよび結合容量Ｃｘの比率に応じた電位がＴＦＴｍａｉｎを介して書き込まれる。同時にソースバスライン２００との電位差を埋めるべく、ＴＦＴｓｕｂに電流が流れ、ゲート電極のオン状態の期間内で電位が決まる。この場合、ＴＦＴｓｕｂの大きさ（サイズ）が十分に小さいと、電位を等しくするのに十分な電流をＴＦＴｓｕｂから供給できないため、結果として、液晶容量Ｃｌｃｍａｉｎに発生する電位差と、液晶容量Ｃｌｃｓｕｂに発生する電位差とに差が生じる。つまり、サブ画素間で液晶の透過率が異なるため、液晶装置では、階調表現を行うことできる。これにより、液晶装置では、画素が分割されていない場合に比べ、表示における視野角の改善が行える。
　例えばＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶配向モードの場合、液晶には透過率の波長依存性があるため、ＲＧＢ毎にＴ－Ｖ特性（透過率－電圧特性）が大きく異なる。このため、一般的な液晶装置では、正面から見たときに階調に対する三刺激値であるＸＹＺ値が揃うように設計されている。
　また、マルチ画素方式を用いた液晶装置において、特許文献１に記載の技術が知られている。この場合、正面から見られた場合のＲＧＢ成分の階調に対する輝度の比率と側面から見た場合のＲＧＢ成分の階調に対する輝度の比率が同一になるように、２つのサブ画素の各電極に印加される電圧の比率を異ならせるか、または、２つのサブ画素の各電極の面積をＲＧＢ毎に異なるように構成する。そして、容量結合の容量比を変えることで２つのサブ画素間の電位差を調整し、視野角を改善する手法が提案されている。
特開２００６－４８０５５号公報
Ｙｉ－Ｐａｉ　Ｈｕａｎｇ，　Ａｄｄｉｔｉｏｎａｌ　Ｒｅｆｒｅｓｈ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　（ＡＲＴ）　ｏｆ　Ａｄｖａｎｃｅｄ-ＭＶＡ（ＡＭＶＡ）　Ｍｏｄｅ　ｆｏｒ　Ｈｉｇｈ　Ｑｕａｌｉｔｙ　ＬＣＤ，　ＳＩＤ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　Ｄｉｇｅｓｔ　２００７　ＤＩＧＥＳＴ，１０１０-１０１３， ２００７
　しかしながら、一般的な液晶装置では、階調に対する三刺激値であるＸＹＺ値が正面から見たときに揃うように設計されている。このため、液晶装置では、液晶装置の端から端に黒から白に変化する画像を表示させ、表示状態の液晶装置を斜めから見た場合、図２１のように、階調に対する３刺激値であるＸＹＺ値が大きく異なる。この図は、Ｚ値の特性が、Ｘ値及びＹ値の特性と比較して、大きく異なることを示している。つまり、液晶装置では、斜めから見られた画像と、正面から見られた画像とで、大きな色ずれが生じてしまう。
　このため、表示状態の液晶装置を斜めから見た場合、中間調の表示において、中間調が黄色にシフトするイエローバンド（ｙｅｌｌｗｉｓｈ）と呼ばれる現象が生じる。この結果、非特許文献１の従来技術では、サブ画素間の電位差によって生じる輝度差がＲＧＢ毎に異なるため、斜めから見た画像は、正面から見た場合の画像に対して大きな色ずれが生じてしまうと言う問題点があった。
　図２１は、階調に対するＬｏｃａｌ　γのＸＹＺ値の関係を示す図である。図２１において、縦軸はｌｏｃａｌ　γ（ローカル・ガンマ）値、横軸は階調を表し、破線９０１はＸ値、破線９０２はＹ値、破線９０３はＺ値を表している。なお、Ｌｏｃａｌ　γとは、階調に対する正規化した透過率について両対数をとり、さらに局所的なγ値を表す指標であり、次式（１）のように定義する。
Ｌｏｃａｌ　γ＝（ｌｏｇＴＧＳ２－ｌｏｇＴＧＳ１）／（ｌｏｇＧＳ２－ｌｏｇＧＳ１）・・・（１）
　式（１）において、ＴＧＳ１は、階調ＧＳ１に対応する正規化された透過率であり、ＴＧＳ２は、階調ＧＳ２に対応する正規化された透過率である。
　また、特許文献１の従来技術では、ＲＧＢ毎に容量結合の容量を変えた場合、ＲＧＢ毎に開口率が異なるため、色のバランスが崩れ、すなわち色ずれが生じてしまうという問題点があった。また、斜めから表示状態の液晶装置が見られた場合、色ずれが発生し、すなわち、視野角を広くできないという問題があった。
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、マルチ画素構造の液晶装置において視野角特性を改善する液晶装置を提供することを目的としている。
　本発明の一態様における液晶装置は、各々が、少なくとも第１及び第２のサブ画素を含む複数の画素と、カラーフィルタを有し、前記第１のサブ画素は、第１のスイッチング素子と第１のサブ画素電極とを含み、前記第２のサブ画素は、第２のスイッチング素子と第２のサブ画素電極とを含み、前記第１のスイッチング素子は、ゲートバスラインに接続された第１のゲート電極と、ソースバスラインに接続された第１のソース電極と、前記第１のサブ画素電極に接続された第１のドレイン電極とを含み、前記第２のスイッチング素子は、前記ゲートバスラインに接続された第２のゲート電極と、前記ソースバスラインに接続された第２のソース電極と、前記第２のサブ画素電極に接続された第２のドレイン電極とを含み、前記第１のサブ画素電極と前記第２のサブ画素電極とが容量結合され、前記第２のスイッチング素子のサイズは、前記複数の画素のうち、前記カラーフィルタの異なる色領域に対応する少なくとも２つの画素間で異なる。
　また、本発明の一態様における液晶装置において、前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とを有し、前記カラーフィルタの前記青色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比（Ｗ／Ｌ）が、他の色領域の前記カラーフィルタに対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きいようにするようにしてもよい。
　また、本発明の一態様における液晶装置において、前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とを有し、前記カラーフィルタの前記緑色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、前記赤色領域の前記カラーフィルタに対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比に比べて大きいようにするようにしてもよい。
　また、本発明の一態様における液晶装置において、前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とシアン色領域とを有し、前記カラーフィルタの前記シアン色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、前記赤色領域に対応する画素および前記緑色領域に対応する画素における各々の前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きいようにするようにしてもよい。
　また、本発明の一態様における液晶装置において、前記複数の画素のうち少なくとも一つは、さらに第３のサブ画素を有し、前記第３のサブ画素は、第３のスイッチング素子と、第３のサブ画素電極を有し、前記第３のスイッチング素子は、前記ゲートバスラインに接続された第３のゲート電極と、前記ソースバスラインに接続された第３のソース電極と、前記第１のサブ画素電極と容量結合されている前記第３のサブ画素電極に接続された第３のドレイン電極とを備えるようにしてもよい。
　本発明の一態様における液晶装置は、カラーフィルタと、前記カラーフィルタの第１の色領域と対応する第１の画素と、前記カラーフィルタの第２の色領域と対応する第２の画素とを有し、前記第１の画素は、少なくとも第１および第２のサブ画素を有し、前記第１のサブ画素は、第１のスイッチング素子と、第１のスイッチング素子と係合した第１のサブ画素電極を備え、前記第２のサブ画素は、第２のスイッチング素子と第２のスイッチング素子と係合した第２のサブ画素電極を備え、前記第１のサブ画素電極と前記第２のサブ画素電極とが容量結合され、前記第２の画素は、少なくとも第３および第４のサブ画素を有し、前記第３のサブ画素は、第３のスイッチング素子と第３のスイッチング素子と係合した第３のサブ画素電極を備え、前記第４のサブ画素は、第４のスイッチング素子と第４のスイッチング素子と係合した第４のサブ画素電極を備え、前記第３のサブ画素電極と前記第４のサブ画素電極とが容量結合され、前記第２のスイッチング素子と、前記第４のスイッチング素子のサイズが異なる。
　また、本発明の一態様における液晶装置において、前記第１の画素は、さらに第５のサブ画素を有し、前記第５のサブ画素は、第５のスイッチング素子と、第５のサブ画素電極を有し、前記第５のスイッチング素子のゲート電極が前記ゲートバスラインと同じ信号が供給されるゲートバスラインに接続され、前記第５のスイッチング素子のソース電極が前記ソースバスラインに接続され、前記第５のスイッチング素子のドレイン電極が前記第１のサブ画素電極と容量結合されている前記第５のサブ画素電極に接続されていてもよい。
　　本発明の一態様における液晶装置は、カラーフィルタの第１の色領域と対応する第１の画素と、カラーフィルタの第２の色領域と対応する第２の画素とを有し、前記第１の画素は、少なくとも第１および第２のサブ画素を有し、前記第１のサブ画素は、第１のスイッチング素子と第１のサブ画素電極を備え、前記第１のスイッチング素子のゲート電極がゲートバスラインに接続され、前記第１のスイッチング素子のソース電極がソースバスラインに接続され、前記第１のスイッチング素子のドレイン電極が前記第１のサブ画素電極に接続され、前記第２のサブ画素は、第２のスイッチング素子と第２のサブ画素電極を備え、前記第２のスイッチング素子のゲート電極が該ゲートバスラインと同じ信号が供給されるゲートバスラインに接続され、前記第２のスイッチング素子のソース電極が前記ソースバスラインに接続され、前記第２のスイッチング素子のドレイン電極が前記第２のサブ画素電極に接続され、前記第１のサブ画素電極と前記第２のサブ画素電極とが容量結合され、前記第２の画素は、少なくとも第３および第４のサブ画素を有し、前記第３のサブ画素は、第３のスイッチング素子と第３のサブ画素電極を備え、前記第３のスイッチング素子のゲート電極がゲートバスラインに接続され、前記第３のスイッチング素子のソース電極がソースバスラインに接続され、前記第３のスイッチング素子のドレイン電極が前記第３のサブ画素電極に接続され、前記第４のサブ画素は、第４のスイッチング素子と第４のサブ画素電極を備え、前記第４のスイッチング素子のゲート電極が該ゲートバスラインと同じ信号が供給されるゲートバスラインに接続され、前記第４のスイッチング素子のソース電極が前記ソースバスラインに接続され、前記第４のスイッチング素子のドレイン電極が前記第４のサブ画素電極に接続され、前記第３のサブ画素電極と前記第４のサブ画素電極とが容量結合され、前記第２のスイッチング素子と、前記第４のスイッチング素子のサイズが異なる。
　　また、本発明の一態様における液晶装置において、前記第１の画素は、さらに第５のサブ画素を有し、前記第５のサブ画素は、第５のスイッチング素子と、第５のサブ画素電極を有し、前記第５のスイッチング素子のゲート電極が前記ゲートバスラインと同じ信号が供給されるゲートバスラインに接続され、前記第５のスイッチング素子のソース電極が前記ソースバスラインに接続され、前記第５のスイッチング素子のドレイン電極が前記第１のサブ画素電極と容量結合されている前記第５のサブ画素電極に接続されていてもよい。
　本発明の一態様によれば、表示の視野角特性を改善することができる液晶装置を提供することができる。
本発明に係る液晶装置の概略構成を示す斜視図である。 本発明に係る液晶装置の一例の構成図である。 第１実施形態に係る液晶容量のマトリックス構成を説明する図である。 同実施形態に係る１画素を２つのサブ画素に分割した液晶装置の等価回路の一例を示す回路図である。 同実施形態に係る１画素におけるサブ画素の等価回路を簡略化した回路図である。 同実施形態に係る図１の第１ガラス基板３の上に配置されたＴＦＴアレイ４に形成されるスイッチング素子等のレイアウトを上から見た図である。 同実施形態に係る図６のＡ－Ａ’線に沿って示すスイッチング素子ＴＦＴ１とスイッチング素子ＴＦＴ２の断面図である。 同実施形態に係るチャンネル長Ｌ固定時、チャンネル幅Ｗ２を可変した場合のサブ画素間の電圧比の計算結果である。 ＴＦＴ２の大きさがＴＦＴ１の大きさの１０分の１（ＴＦＴ２：ＴＦＴ１＝１：１０）の場合のＨレベルの表示信号を供給時の各部の波形を示す図である。 ＴＦＴ２の大きさがＴＦＴ１の大きさの１０分の１（ＴＦＴ２：ＴＦＴ１＝１：１０）の場合のＬレベルの表示信号を供給時の各部の波形を示す図である。 ＴＦＴ２の大きさがＴＦＴ１の大きさの２分の１（ＴＦＴ２：ＴＦＴ１＝１：２）の場合のＨレベルの表示信号を供給時の各部の波形を示す図である。 ＴＦＴ２の大きさがＴＦＴ１の大きさの２分の１（ＴＦＴ２：ＴＦＴ１＝１：２）の場合のＬレベルの表示信号を供給時の各部の波形を示す図である。 赤色画素、緑色画素、青色画素の構成が同一の場合、斜め６０度から見た階調に対するＸＹＺ値の特性図である。 赤色画素、緑色画素、青色画素の構成が同一の場合、斜め６０度から見た階調に対する色度の特性図である。 青色画素の容量のみ変更した場合、斜め６０度から見た階調に対するＸＹＺ値の特性図である。 青色画素の容量のみ変更した場合、斜め６０度から見た階調に対する色度の特性図である 第２実施形態に係る１画素を３つのサブ画素に分割した液晶装置の等価回路の一例である。 同実施形態に係る１画素を３つのサブ画素に分割した液晶装置の他の等価回路の一例を示す回路図である。 第３実施形態に係るＲＧＢＹ方式による１画素を２つのサブ画素に分割した液晶装置の等価回路の一例を示す回路図である。 従来技術に係るマルチ画素方式を用いた液晶装置の等価回路図である。 従来技術に係る階調に対するＬｏｃａｌ　γのＸＹＺ値の関係を示す図である。
　以下、図面を用いて本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は斯かる実施形態に限定されず、その技術思想の範囲内で種々の変更が可能である。
　図１は、本発明の一態様における液晶装置の概略構成を示す斜視図である。図１のように、液晶装置は、バックライト１と、第１偏光板２と、第１ガラス基板３と、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ４と、液晶５と、共通電極（対向電極）６と、カラーフィルタ７と、第２ガラス基板８と、第２偏光板９とを備えている。
　バックライト１は、第１ガラス基板３の下から光を照射する。第１偏光板２は、第１ガラス基板３に入出力される光を偏光によりコントロールする。ＴＦＴアレイ４は、スイッチング素子や画素電極等が形成され、第１ガラス基板３の上に配置されている。液晶５は、ＴＦＴアレイ４の画素電極と共通電極６との間に封入されている。カラーフィルタ７は、共通電極６の上に配置され、ＲＧＢについてそれぞれのフィルターをかけて、制御された各画素に相当する液晶の光反射率または光透過率に基づく光をＲＧＢ各色として液晶装置上で表示する。第２ガラス基板８は、カラーフィルタ７の上に配置されている。第２偏光板９は、第１偏光板２とクロスニコル（直交ニコル）に配置され、第２ガラス基板８の上に配置されている。
　図２は、本実施形態に係る液晶装置の概略的構成図である。図２のように、液晶装置では、表示信号線（ソースバスライン）１３をＭ本、走査線（ゲートバスライン）１５をＮ本、画素をＮ×Ｍ個（ｐ（１，１）～ｐ（１，Ｍ），ｐ（２，１）～ｐ（２，Ｍ）・・・ｐ（Ｎ，１）～ｐ（Ｎ，Ｍ））を備えている。例えば、Ｆｕｌｌ－ＨＤの解像度の液晶装置の場合、ソースバスラインは、Ｍ＝１９２０×３（３はＲＧＢ分）＝５７６０本、ゲートバスラインは、Ｎ＝１０８０本である。なお、一例として、バックライト１が配置された透過型の液晶装置では、制御部１２により、各サブ画素の光透過率を制御することで輝度（階調表現）が制御される。または、反射型の液晶装置では、制御部１２により、各サブ画素の光反射率を制御することで輝度が制御される。
［第１実施形態］
　第１実施形態について、図３～図１６を用いて説明する。
　図３は、本実施形態における液晶容量のマトリックス構成を説明する図である。図３のように、複数の画素ｐ（１，１）、ｐ（１，２）、ｐ（１，３）・・・ｐ（２，１）、ｐ（２，２）、ｐ（２，３）・・・がマトリクス状に配置され、各画素は２つのサブ画素を備える。例えば画素ｐ（１，１）は、サブ画素ｓｐ（１，１，１）とサブ画素ｓｐ（１，２，１）を備えている。
　図４は、本実施形態における１画素を２つのサブ画素に分割した液晶装置の等価回路の一例を示す回路図である。図４の一例では、赤色画素（Ｒ）のサブ画素ｓｐ（１，１，１）、サブ画素ｓｐ（１，２，１）、それに隣接する緑色画素（Ｇ）のサブ画素ｓｐ（１，１，２）、サブ画素ｓｐ（１，２，２）、それに隣接する青色画素（Ｂ）のサブ画素ｓｐ（１，１，３）、サブ画素ｓｐ（１，２，３）についての等価回路を示す。また、例えば、図４の赤色画素（Ｒ）は図３の画素ｐ（１，１）に対応している。図４の緑色画素（Ｇ）は図３の画素ｐ（１，２）に対応している。図４の青色画素（Ｂ）は図３の画素ｐ（１，３）に対応している。
　まず、赤色画素（Ｒ）のサブ画素ｓｐ（１，１，１）（第１のサブ画素）の構成を説明する。スイッチング素子ＴＦＴＲ１（第１のスイッチング素子）のゲート電極は、走査線１５（ゲートバスライン）に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＲ１のソース電極は、表示信号線１３－１（ソースバスライン）に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＲ１のドレイン電極は、液晶により構成される液晶容量ＣｌｃＲ１の一方の電極である画素電極に接続されている。液晶容量ＣｌｃＲ１の他方の電極である共通電極６は、接地されている。
　赤色画素（Ｒ）のサブ画素ｓｐ（１，２，１）（第２のサブ画素）の構成を説明する。
　スイッチング素子ＴＦＴＲ２（第２のスイッチング素子）のゲート電極は、走査線１５に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＲ２のソース電極は、表示信号線１３－１に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＲ２のドレイン電極は、液晶により構成される液晶容量ＣｌｃＲ２の一方の電極である画素電極に接続されている。液晶容量ＣｌｃＲ２の他方の電極である共通電極６は、接地されている。
　また、液晶容量ＣｌｃＲ１と液晶容量ＣｌｃＲ２とは、結合容量ＣＣＲにより容量結合されている。また、液晶容量ＣｌｃＲ１にはそれと並列に補助容量ＣＳＲ１が接続され、液晶容量ＣｌｃＲ２にはそれと並列に補助容量ＣＳＲ２が接続されている。
　次に、緑色画素（Ｇ）のサブ画素ｓｐ（１，１，２）（第１のサブ画素）の構成を説明する。スイッチング素子ＴＦＴＧ１（第１のスイッチング素子）のゲート電極が走査線１５（ゲートバスライン）に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＧ１のソース電極は、表示信号線１３－２（ソースバスライン）に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＧ１のドレイン電極は、液晶により構成される液晶容量ＣｌｃＧ１の一方の電極である画素電極に接続されている。液晶容量ＣｌｃＧ１の他方の電極である共通電極６は、接地されている。
　緑色画素（Ｇ）のサブ画素ｓｐ（１，２，２）（第２のサブ画素）の構成を説明する。
　スイッチング素子ＴＦＴＧ２（第２のスイッチング素子）のゲート電極は、走査線１５に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＧ２のソース電極は、表示信号線１３－２に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＧ２のドレイン電極は、液晶により構成される液晶容量ＣｌｃＧ２の一方の電極である画素電極に接続されている。液晶容量ＣｌｃＧ２の他方の電極である共通電極６は、接地されている。
　また、液晶容量ＣｌｃＧ１と液晶容量ＣｌｃＧ２とは、結合容量ＣＣＧにより容量結合されている。また、液晶容量ＣｌｃＧ１にはそれと並列に補助容量ＣＳＧ１が接続され、液晶容量ＣｌｃＧ２にはそれと並列に補助容量ＣＳＧ２が接続されている。
　次に、青色画素（Ｂ）のサブ画素ｓｐ（１，１，３）（第１のサブ画素）の構成を説明する。スイッチング素子ＴＦＴＢ１（第１のスイッチング素子）のゲート電極は、走査線１５（ゲートバスライン）に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＢ１のソース電極は、表示信号線１３－３（ソースバスライン）に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＢ１のドレイン電極は、液晶により構成される液晶容量ＣｌｃＢ１の一方の電極である画素電極に接続されている。液晶容量ＣｌｃＢ１の他方の電極である共通電極６は、接地されている。
　青色画素（Ｂ）のサブ画素ｓｐ（１，２，３）（第２のサブ画素）の構成を説明する。
　スイッチング素子ＴＦＴＢ２（第２のスイッチング素子）のゲート電極は、走査線１５に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＢ２のソース電極は、表示信号線１３－３に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＢ２のドレイン電極は、液晶により構成される液晶容量ＣｌｃＢ２の一方の電極である画素電極に接続されている。液晶容量ＣｌｃＢ２の他方の電極である共通電極６は、接地されている。
　また、液晶容量ＣｌｃＢ１と液晶容量ＣｌｃＢ２とは、結合容量ＣＣＢにより容量結合されている。また、液晶容量ＣｌｃＢ１にはそれと並列に補助容量ＣＳＢ１が接続され、液晶容量ＣｌｃＢ２にはそれと並列に補助容量ＣＳＢ２が接続されている。
　なお、各ＲＧＢ画素は、ぞれぞれの色領域に対応したカラーフィルタ７に対応した位置に形成されている画素である。
　図５は、１画素におけるサブ画素の等価回路を簡略化した回路図である。例えば、図５の画素が、図４の赤色画素（Ｒ）である場合には、次のような対応となる。液晶容量Ｃｌｃ１は、液晶容量ＣｌｃＲ１と補助容量ＣＳＲ１との合成容量であり、液晶容量Ｃｌｃ２は、液晶容量ＣｌｃＲ２と補助容量ＣＳＲ２との合成容量である。また、スイッチング素子ＴＦＴ１は、スイッチング素子ＴＦＴＲ１であり、スイッチング素子ＴＦＴ２は、スイッチング素子ＴＦＴＲ２である。
　図５において、ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）が無視できるほど小さい場合、サブ画素ｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２に発生する電圧ＶＢとサブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１に発生する電圧ＶＡとの関係は、次式（２）のように表される。
ＶＢ＝ＣＣ１／（Ｃｌｃ２＋ＣＣ１）×ＶＡ・・・（２）
　なお、図５では、スイッチング素子ＴＦＴ２のドレイン電極には抵抗Ｒ１が直列に挿入されるように描かれているが、この抵抗Ｒ１については後述する。
　図６は、図１の第１ガラス基板３の上に配置されたＴＦＴアレイ４に形成されるスイッチング素子等のレイアウトを上から見た図である。図７は、図６のＡ－Ａ’線に沿って示すスイッチング素子ＴＦＴ１とスイッチング素子ＴＦＴ２の断面図である。
　図６と図７において、スイッチング素子ＴＦＴ１は、サブ画素ｓｐ１の赤色画素（Ｒ）のスイッチング素子ＴＦＴＲ１、緑色画素（Ｇ）のスイッチング素子ＴＦＴＧ１、青色画素（Ｂ）のスイッチング素子ＴＦＴＢ１に相当する。また、ＴＦＴ２は、サブ画素ｓｐ２の赤色画素（Ｒ）のスイッチング素子ＴＦＴＲ２、緑色画素（Ｇ）のスイッチング素子ＴＦＴＧ２、青色画素（Ｂ）のスイッチング素子ＴＦＴＢ２に相当する。
　図６と図７には、スイッチング素子ＴＦＴ１のソース電極１０１と、スイッチング素子ＴＦＴ１のドレイン電極１０２が示されている。
　同様に、スイッチング素子ＴＦＴ２のソース電極１１１と、スイッチング素子ＴＦＴ２のドレイン電極１１２が示されている。また、図６のように、スイッチング素子ＴＦＴ１のソース電極１０１と、スイッチング素子ＴＦＴ２のソース電極１１１とは、兼用されて構成されている。
　さらに、Ｗ１で示す幅は、スイッチング素子ＴＦＴ１のチャンネル幅を示し、Ｌ１で示す長さは、スイッチング素子ＴＦＴ１のチャンネル長を示す。同様に、Ｗ２で示す幅は、スイッチング素子ＴＦＴ２のチャンネル幅を示し、Ｌ２で示す長さは、スイッチング素子ＴＦＴ２のチャンネル長を示す。なお、スイッチング素子ＴＦＴ１またはスイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）とは、チャンネル幅Ｗ１／チャンネル長Ｌ１またはチャンネル幅Ｗ２／チャンネル長Ｌ２である。
　図７には、アモルファス・シリコン層（ａ－Ｓｉ）１２１が示されている。また、スイッチング素子ＴＦＴ１のソース電極１０１と、スイッチング素子ＴＦＴ１のドレイン電極１０２が示されている。また、ソース電極１０１、ドレイン電極１０２、ソース電極１１１およびドレイン電極１１２を付した部分は、ソース・ドレイン電極を構成するメタル電極であり、アモルファス・シリコン層１２１との間に高濃度のｎ型半導体のアモルファス・シリコン膜（ｎ＋ａ－Ｓｉ）を挟むことでオーミックコンタクトを実現している。図６と図７のように、ＴＦＴ１の大きさ（サイズ）とＴＦＴ２の大きさ（サイズ）は異なる。ＴＦＴ１のチャンネル幅Ｗ１の方がＴＦＴ２のチャンネル幅Ｗ２より大きく、ＴＦＴ２のチャンネル長Ｌ２の方がＴＦＴ１のチャンネル長Ｌ１より長い。
　また、ゲート絶縁膜１３１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなる。
　次に、図５の等価回路の動作原理について、図５～図８を用いて説明する。図８は、チャンネル長Ｌ１およびＬ２の固定時、チャンネル幅Ｗ２を可変した場合のサブ画素間の電圧比（電圧ＶＢと電圧ＶＡとの比）の計算結果である。具体的に、図８では、サブ画素ｓｐ１の液晶容量に発生する電圧ＶＡに対するサブ画素ｓｐ２の液晶容量に発生する電圧ＶＢとの比を計算した結果である。
　図８の曲線は、図６におけるスイッチング素子ＴＦＴ１のチャンネル幅Ｗ１を２０［μｍ］、チャンネル長Ｌ１を８［μｍ］とした場合のサブ画素間の電圧比の計算結果である。また、この曲線は、スイッチング素子ＴＦＴ２のチャンネル長Ｌ２を８［μｍ］に固定し、スイッチング素子ＴＦＴ２のチャンネル幅Ｗ２のみを可変にした場合の計算結果である。なお、計算では、サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１を３００［ｆＦ（ｆｅｍｔｏ－Ｆａｒａｄ；ヘムト・ファラド）］、サブ画素ｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２を６００［ｆＦ］とし、サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１とｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２を結合している結合容量ＣＣ１を６００［ｆＦ］とした。
　図８において、チャンネル幅Ｗ２／チャンネル幅Ｗ１が１に近づく場合、スイッチング素子ＴＦＴ２のチャンネル幅Ｗ２が、スイッチング素子ＴＦＴ１のチャンネル幅Ｗ１と同じ幅に近づく。
　この場合、結合容量ＣＣ１の効果がなくなり、サブ画素間の電圧比ＶＢ／ＶＡは１（１００％）に近づく。一方、チャンネル幅Ｗ２／チャンネル幅Ｗ１が０に近づく場合、スイッチング素子ＴＦＴ２のチャンネル幅Ｗ２が小さくなり、チャンネル幅Ｗ２に対するチャンネル幅Ｗ１の比が小さくなる。この場合、スイッチング素子ＴＦＴ２の効果がなくなり、サブ画素間の電圧比ＶＢ／ＶＡは容量比＝ＣＣ１／（Ｃｌｃ２＋ＣＣ１）＝６００ｆＦ／（６００ｆＦ＋６００ｆＦ）＝０．５（５０％）に近づく。
　このように、１つの画素において、スイッチング素子ＴＦＴ２のチャンネル幅Ｗ２とチャンネル長Ｌ１の比を調整することで、サブ画素間の電圧比ＶＢ／ＶＡを調整することができる。すなわち、サブ画素間のスイッチング素子の大きさ（サイズ）を調整することで、１つの画素において、サブ画素ｓｐ１の液晶容量とサブ画素ｓｐ２の液晶容量との間に電位差を生じさせることができる。この結果、サブ画素ｓｐ１とｓｐ２との間に、液晶の光透過率または光反射率にサブ画素間で差を生じさせることができ、広視野角得られるマルチ画素構造を実現することができる。
　以下に、ＲＧＢの画素の中で、青色画素（Ｂ）のＴＦＴ２の大きさ（サイズ）をＴＦＴ１の大きさ（サイズ）の１０分の１にした場合について、図９と図１０を用いて説明する。
　図９は、ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）がＴＦＴ１の大きさ（サイズ）の１０分の１（ＴＦＴ２：ＴＦＴ１＝１：１０）の場合において、Ｈレベルの表示信号を供給した時の波形を示す図である。図１０は、ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）がＴＦＴ１の大きさ（サイズ）の１０分の１（ＴＦＴ２：ＴＦＴ１＝１：１０）の場合において、Ｌレベルの表示信号を供給した時の各部の波形を示す図である。図９と図１０において、縦軸は電圧値、横軸は時間を表している。
　また、図９と図１０において、曲線３０１は、表示信号線１３－１から供給される信号（以下、表示信号３０１という）を表している。曲線３０２は、走査線１５から供給される信号（以下、信号３０２という）を表している。曲線３０３は、サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１の一端に発生する電圧ＶＡの変化（以下、信号３０３という）を表している。曲線３０４は、サブ画素ｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２の一端に発生する電圧ＶＢの変化（以下、信号３０４という）を表している。
　なお、サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１は３００［ｆＦ］である。サブ画素ｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２は６００［ｆＦ］である。サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１とｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２を結合している結合容量ＣＣ１は６００［ｆＦ］である。
　なお、図９と図１０において、表示信号は１０［Ｖ］を基準電圧（共通電極電圧）とし、正書き込みの最大電圧を１５［Ｖ］、負書き込みの最大電圧を５［Ｖ］とした場合について以下に説明する。すなわち、表示信号が１５［Ｖ］とは、基準電圧１０［Ｖ］に対して＋５［Ｖ］の電圧印加であり、表示信号が５Ｖとは、基準電圧１０［Ｖ］に対して－５［Ｖ］の電圧印加である。
　まず、表示信号線１３－１から、各サブ画素ｓｐ１とｓｐ２にＨレベル（１５［Ｖ］）の表示信号が供給された場合について、図５と図９を用いて説明する。
　時刻ｔ１～ｔ３の期間、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２のゲート電極に、Ｈレベルの信号３０２が供給され、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２がオン状態になる。時刻ｔ２の時、表示信号線１３－１から１５［Ｖ］の表示信号３０１が供給される。同時に、各サブ画素の液晶容量Ｃｌｃ１とＣｌｃ２の一端の電圧ＶＡとＶＢは、表示信号の１５［Ｖ］に向かって変化し始める。
　ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）が十分に小さい場合、容量結合によるチャージが支配的となり、液晶容量Ｃｌｃ１と液晶容量Ｃｌｃ２と結合容量Ｃｃ１との容量比に応じて、電圧ＶＡとＶＢとの電位差が発生する。
　時刻ｔ２～ｔ３の期間、液晶容量Ｃｌｃ１とＣｌｃ２との電位差を補うような電流が、スイッチング素子ＴＦＴ２から液晶容量Ｃｌｃ２に流れる。しかしながら、スイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）がＴＦＴ１の１０分の１のため、十分に電流を供給することができない。抵抗Ｒ１は、スイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）が小さいためにその抵抗値が大きな値となり、その結果時定数が大きくなって電流が流れにくいことを表している。すなわち、抵抗Ｒ１は、スイッチング素子ＴＦＴ２の抵抗分がスイッチングＴＦＴ１の抵抗分より抵抗Ｒ１だけ大きいことを表している。
　時刻ｔ３の時、走査線１５の信号３０２がＬレベルになり、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２とがオフ状態になる。この結果、サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１の一端は１５［Ｖ］になるが、サブ画素ｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２の一端は１３［Ｖ］である。そして、時刻ｔ３以降、各スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２がオフ状態のため、次の走査線３からのＨレベルの信号が供給されるまで、この１５［Ｖ］が電圧ＶＡとして、１３［Ｖ］が電圧ＶＢとして保持される。この場合、サブ画素間の電圧比ＶＢ／ＶＡは、（１３－１０）/（１５－１０）＝０．６となる。
　次に、表示信号線１３－１から、各サブ画素ｓｐ１とｓｐ２にＬレベル（５［Ｖ］）の表示信号が供給された場合について、図５と図１０を用いて説明する。
　図１０において、時刻ｔ１１～ｔ１３の期間、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２のゲート電極に、走査線１５からＨレベルの信号３０２が供給され、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２がオン状態になる。
　時刻ｔ１２の時、表示信号線１３－１から５［Ｖ］の表示信号（符号３０１の曲線、以下、信号３０１という）が供給される。同時に、各サブ画素の液晶容量Ｃｌｃ１とＣｌｃ２の一端の電圧ＶＡとＶＢは、表示信号の５［Ｖ］に向かって変化し始める。ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）が十分に小さい場合、容量結合によるチャージが支配的となり、液晶容量Ｃｌｃ１と液晶容量Ｃｌｃ２と結合容量Ｃｃ１との容量比に応じて、電圧ＶＡとＶＢとの電位差が発生する。
　時刻ｔ１２～ｔ１３の期間、液晶容量Ｃｌｃ１とＣｌｃ２との電位差を補うように、ＴＦＴ２から液晶容量Ｃｌｃ２に電流が流れる。しかしながら、スイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）がＴＦＴ１の１０分の１のため、十分に電流を供給することができない。時刻ｔ１３において、走査線１５の信号３０２がＬレベルになり、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２とがオフ状態になる。この結果、サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１の一端は５［Ｖ］になるが、サブ画素ｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２の一端は７［Ｖ］である。そして、時刻ｔ１３以降、各スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２がオフ状態のため、次の走査線３からのＨレベルの信号が供給されるまで、この５［Ｖ］と７［Ｖ］とが保持される。
この場合、サブ画素間の電圧比ＶＢ／ＶＡは、（７－１０）／（５－１０）＝０．６となる。
　以下に、ＲＧＢの画素の中で、青色画素（Ｂ）のＴＦＴ２の大きさ（サイズ）がＴＦＴ１の大きさ（サイズ）の２分の１にした場合について、図１１と図１２を用いて説明する。
　なお、図１１と図１２において、表示信号は１０［Ｖ］を基準電圧（共通電極電圧）とし、正書き込みの最大電圧を１５［Ｖ］、負書き込みの最大電圧を５［Ｖ］とした場合について以下に説明する。すなわち、表示信号が１５［Ｖ］とは、基準電圧１０［Ｖ］に対して＋５［Ｖ］の電圧印加であり、表示信号が５Ｖとは、基準電圧１０［Ｖ］に対して－５［Ｖ］の電圧印加である。
　図１１は、ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）がＴＦＴ１の大きさ（サイズ）の２分の１（ＴＦＴ２：ＴＦＴ１＝１：２）の場合において、Ｈレベルの表示信号を供給した時の波形を示す図である。図１２は、ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）がＴＦＴ１の大きさ（サイズ）の２分の１（ＴＦＴ２：ＴＦＴ１＝１：２）の場合において、Ｌレベルの表示信号を供給した時の各部の波形を示す図である。図１１と図１２において、縦軸は電圧値、横軸は時間を表している。
　また、図１１と図１２において、曲線３０１は、表示信号線１３－１から供給される信号（表示信号３０１）を表している。曲線３０２は、走査線１５から供給される信号（信号３０２）を表している。曲線３１３は、サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１の一端に発生する電圧ＶＡを表している。曲線３１４は、サブ画素ｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２の一端に発生する電圧ＶＢを表している。
　次に、ＴＦＴ１とＴＦＴ２のチャンネル幅Ｗ／チャンネル長Ｌの値が１：２において、表示信号線１３－１から、各サブ画素ｓｐ１とｓｐ２にＨレベル（１５［Ｖ］）の信号が供給された場合について、図５と図１１を用いて説明する。
　図１１において、時刻ｔ２１～ｔ２３の期間、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２のゲート電極に、走査線１５からＨレベルの信号３０２が供給され、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２がオン状態になる。時刻ｔ２２の時、表示信号線１３－１から１５［Ｖ］の表示信号３０１が供給される。同時に、各サブ画素の液晶容量Ｃｌｃ１とＣｌｃ２の一端の電圧ＶＡとＶＢは、表示信号の１５［Ｖ］に向かって変化し始める。ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）が十分に小さい場合、容量結合によるチャージが支配的となり、液晶容量Ｃｌｃ１と液晶容量Ｃｌｃ２と結合容量Ｃｃ１との容量比に応じて、電圧ＶＡとＶＢとの電位差が発生する。
　時刻ｔ２２～ｔ２３の期間、液晶容量Ｃｌｃ１とＣｌｃ２との電位差を補うように、ＴＦＴ２から液晶容量Ｃｌｃ１に電流が流れる。この場合、スイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）がＴＦＴ１の２分の１であるため、図９と図１０の例に比べて、十分に電流を供給することができる。
　時刻ｔ２３の時、走査線１５の信号３０２がＬレベルになり、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２とがオフ状態になる。この結果、サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１の一端は１５［Ｖ］になり、サブ画素ｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２の一端は１４．８［Ｖ］である。そして、時刻ｔ３以降、各スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２がオフ状態のため、次の走査線３からのＨレベルの信号が供給されるまで、この１５［Ｖ］と１４．８［Ｖ］が保持される。この場合、結合容量ＣＣ１の効果が少なくなり、サブ画素間の電圧比ＶＢ／ＶＡは（１４．８－１０）／（１５－１０）＝０．９６と１に近づく。すなわち、電圧ＶＡとＶＢの電位差が小さくなる。
　次に、表示信号線１３－１から、各サブ画素ｓｐ１とｓｐ２にＬレベル（５［Ｖ］）の信号が供給された場合について、図５と図１２を用いて説明する。
　図１２において、時刻ｔ３１～ｔ３３の期間、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２のゲート電極に、走査線１５からＨレベルの信号３０２が供給され、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２がオン状態になる。
　時刻ｔ３２の時、表示信号線１３－１から５［Ｖ］の表示信号が供給される。同時に、各サブ画素の液晶容量Ｃｌｃ１とＣｌｃ２の電圧ＶＡとＶＢは、表示信号の５［Ｖ］に向かって変化し始める。ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）が十分に小さい場合、容量結合によるチャージが支配的となり、液晶容量Ｃｌｃ１と液晶容量Ｃｌｃ２と結合容量Ｃｃ１との容量比に応じて、電圧ＶＡとＶＢとの電位差が発生する。
　時刻ｔ３２～ｔ３３の期間、液晶容量Ｃｌｃ１とＣｌｃ２との電位差を補うように、ＴＦＴ２から液晶容量Ｃｌｃ１に電流が流れる。この場合、スイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）がＴＦＴ１の２分の１であるため、十分に電流を供給することができる。
　時刻ｔ２３において、走査線１５の信号３０２がＬレベルになり、スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２とがオフ状態になる。この結果、サブ画素ｓｐ１の液晶容量Ｃｌｃ１の一端は５［Ｖ］になり、サブ画素ｓｐ２の液晶容量Ｃｌｃ２の一端は５．２［Ｖ］である。そして、時刻ｔ３３以降、各スイッチング素子ＴＦＴ１とＴＦＴ２がオフ状態のため、次の走査線３からのＨレベルの信号が供給されるまで、この５［Ｖ］と５．２［Ｖ］が保持される。この場合、結合容量ＣＣ１の効果が少なくなり、サブ画素間の電圧比ＶＢ／ＶＡは（５．２－１０）／（５－１０）＝０．９６と１に近づく。すなわち、電圧ＶＡとＶＢの電位差が小さくなる。
　以上のように、サブ画素間のスイッチング素子の大きさ（サイズ）を調整することで、サブ画素ｓｐ１とｓｐ２との間に電位差を生じさせることができる。この結果、液晶の光透過率または光反射率にサブ画素間で差を生じさせることができ、階調表現を行うことができる。
　しかしながら、このような構成の液晶装置において、ＲＧＢの各画素のスイッチング素子ＴＦＴ１（ＴＦＴＲ１，ＴＦＴＧ１，ＴＦＴＢ１）の大きさ（サイズ）が同じになるように形成し且つＲＧＢの各画素のスイッチング素子ＴＦＴ２（ＴＦＴＲ２，ＴＦＴＧ２，ＴＦＴＢ２）の大きさ（サイズ）が同じになるように形成した場合、例えば、液晶装置を斜め６０度から見たときに色ずれが発生する。この色ずれは、例えば、青色画素の波長分散特性が異なることが原因になっている。
　本実施形態では、斜めから見たときの色ずれを改善するために、ＲＧＢ画素のなかで、波長分散特性が異なる青色画素（Ｂ）のサブ画素のスイッチング素子ＴＦＴＢ２の大きさ（サイズ）を、他の赤色画素（Ｒ）のスイッチング素子ＴＦＴＲ２の大きさ（サイズ）および緑色画素（Ｇ）のスイッチング素子ＴＦＴＧ２の大きさ（サイズ）と異なるように形成する。スイッチング素子ＴＦＴＲ２の大きさ（サイズ）を変えることで、結果的に、サブ画素ｓｐ（１，１，３）との液晶容量と、ｓｐ（１，２，３）の液晶容量の電位差を調整することができる。そして、他の赤色画素（Ｒ）における各サブ画素の液晶容量の電位差、および緑色画素（Ｇ）における各サブ画素の液晶容量間の電位差と、青色画素（Ｂ）の各サブ画素の液晶容量の電位差を異なるようにすることで、図２１における破線９０３のＺ値を補正し、ＸＹ値に近づける。このことは、青色画素（Ｂ）の階調に対するγ値を補正していることになるため、斜めから液晶装置を見た場合の色ずれを改善することができる。
　図１３は、赤色画素、緑色画素、青色画素の構成が同一の場合、斜め６０度から見た階調に対するＸＹＺ値の特性図である。図１４は、赤色画素、緑色画素、青色画素の構成が同一の場合、斜め６０度から見た階調に対する色度の特性図である。図１５は、青色画素のスイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）のみ変更した場合、斜め６０度から見た階調に対するＸＹＺ値の特性図である。図１６は、青色画素のスイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）のみ変更した場合、斜め６０度から見た階調に対する色度の特性図である。図１３と図１５において、縦軸はＸＹＺ値、横軸は階調である。図１４と図１６において、縦軸は色度（ｘｙ）、横軸は階調である。図１３から１６において、Ｘ値は実線で示し、Ｙ値は破線で示し、Ｚ値は一点鎖線で示す。
　図１３と図１４において、赤色画素（Ｒ）のサブ画素ｓｐ（１，１，１）の液晶容量ＣｌｃＲ１と補助容量ＣＳＲ１の合成容量は３００［ｆＦ］である。サブ画素ｓｐ（１，２，１）の液晶容量ＣｌｃＲ２と補助容量ＣＳＲ２の合成容量は６００［ｆＦ］である。サブ画素ｓｐ（１，１，１）の液晶容量ＣｌｃＲ１とｓｐ（１，２，１）の液晶容量ＣｌｃＲ２を結合している結合容量ＣＣＲは６００［ｆＦ］である。
　同様に、緑色画素（Ｇ）のサブ画素ｓｐ（１，１，２）の液晶容量ＣｌｃＧ１と補助容量ＣＳＧ１の合成容量は３００［ｆＦ］である。サブ画素ｓｐ（１，２，２）の液晶容量ＣｌｃＧ２と補助容量ＣＳＧ２の合成容量は６００［ｆＦ］である。サブ画素ｓｐ（１，１，２）の液晶容量ＣｌｃＧ１とｓｐ（１，２，２）の液晶容量ＣｌｃＧ２を結合している結合容量ＣＣＧは６００［ｆＦ］である。
　同様に、青色画素（Ｂ）のサブ画素ｓｐ（１，１，３）の液晶容量ＣｌｃＢ１と補助容量ＣＳＢ１の合成容量は３００［ｆＦ］、サブ画素ｓｐ（１，２，３）の液晶容量ＣｌｃＢ２と補助容量ＣＳＢ２の合成容量は６００［ｆＦ］である。サブ画素ｓｐ（１，１，３）の液晶容量ＣｌｃＢ１とｓｐ（１，２，３）の液晶容量ＣｌｃＢ２を結合している結合容量ＣＣＢは６００［ｆＦ］である。
　この場合、図１３のように、階調１５０～２００程度において、Ｚ値２０３がＸＹ値２０１と２０２に対して５０００程度の大きな差が生じている。また、図１４のように、階調１５０～２００程度において、３刺激値ＸＹＺ値のうちｘｙ値２１１と２１２による色度が局所的に変化している。
　一方、ＲＧＢの中で、青色画素（Ｂ）のスイッチング素子ＴＦＴ２のチャンネル幅Ｗ２とチャンネル長Ｌ２を赤色画素（Ｒ）のスイッチング素子ＴＦＴ２と緑色画素（Ｇ）のスイッチング素子ＴＦＴ２とは異なるように変更した結果、図１５のように、階調に対するＸＹＺ値において階調１５０～２００程度で発生していたＺ値２２３のＸＹ値２２１と２２２に対する変化が改善されている。さらに図１６のように、階調に対する色度においても、階調１５０～２００程度で発生していたｘｙ値２３１と２３２による局所的な変化が改善されている。
　例えば、赤色画素（Ｒ）においてスイッチング素子ＴＦＴＲ２のチャンネル長Ｌを８［μｍ］、チャンネル幅Ｗを３．５［μｍ］で形成し、緑色画素（Ｒ）においてスイッチング素子ＴＦＴＧ２のチャンネル長Ｌを８［μｍ］、チャンネル幅Ｗを３．５［μｍ］で形成した場合、サブ画素間の電圧比は約０．７になる。さらに、青色画素（Ｂ）のスイッチング素子ＴＦＴＢ２のチャンネル長Ｌを８［μｍ］、チャンネル幅Ｗを６［μｍ］に形成した場合、サブ画素間の電圧比は約０．８５になる。
　以上のように、斜め方向から見た場合の階調に対するＸＹＺ値特性を合わせるように、第２のサブ画素の第２のスイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）を変えることで、斜め方向から見た時の中間調の色ずれを改善することができる。
　また、本実施形態では、表示信号線１３－１から表示信号として１５［Ｖ］と５［Ｖ］を供給する例を説明したが、表示信号線１３－１から供給される電圧はこの限りではなく、液晶の特性等に応じて他の電圧でも良い。
　また、本実施形態では、斜めから見たときの色ずれを改善するために、青色画素（Ｂ）のスイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）を、他の色画素（赤色画素、緑色画素）のスイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）と異なるように形成する例を説明している。しかし、液晶装置に用いる液晶材料の特性に基づき、例えば、赤色画素（Ｒ）のスイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）も緑色画素（Ｇ）のスイッチング素子ＴＦＴ２の大きさ（サイズ）と異なるように形成しても良い。
［第２実施形態］
　次に、第２実施形態について、図１７と図１８を用いて説明する。第２実施形態は、１つの画素が３つのサブ画素を備える液晶装置に、本発明の一態様を適用したものである。図１７は、本実施形態における１画素を３つのサブ画素に分割した液晶装置の等価回路の一例を示す回路図である。
　図１７のように、１画素は、３つのサブ画素ｓｐ１１～サブ画素ｓｐ１３を備えている。
　サブ画素ｓｐ１１（第１のサブ画素）において、スイッチング素子ＴＦＴ１１（第１のスイッチング素子）のゲート電極は、走査線１５に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴ１１のソース電極は、表示信号線１３－１に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴ１１のドレイン電極は、液晶により構成される液晶容量Ｃｌｃ１１の一方の電極である画素電極に接続されている。液晶容量Ｃｌｃ１１の他方の電極である共通電極は、接地されている。また、スイッチング素子ＴＦＴ１１のドレイン電極は、補助容量ＣＳ１１を介して接地されている。
　サブ画素ｓｐ１２（第２のサブ画素）において、スイッチング素子ＴＦＴ１２（第２のスイッチング素子）のゲート電極は、走査線１５に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴ１２のソース電極は、表示信号線１３－１に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴ１２のドレイン電極は、液晶により構成される液晶容量Ｃｌｃ１２の一方の電極である画素電極に接続されている。液晶容量Ｃｌｃ１２の他方の電極である共通電極は、接地されている。また、スイッチング素子ＴＦＴ１２のドレイン電極は、補助容量ＣＳ１２を介して接地されている。
　さらに、サブ画素ｓｐ１１の液晶容量Ｃｌｃ１１の一端と、サブ画素ｓｐ１２の液晶容量Ｃｌｃ１２の一端とは、結合容量ＣＣ１１を介して結合されている。
　サブ画素ｓｐ１３（第２のサブ画素）において、スイッチング素子ＴＦＴ１３（第２のスイッチング素子）のゲート電極は、走査線１５に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴ１３のソース電極は、表示信号線１３－１に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴ１３のドレイン電極は、液晶により構成される液晶容量Ｃｌｃ１３の一方の電極である画素電極に接続されている。液晶容量Ｃｌｃ１３の他方の電極である共通電極は、接地されている。また、スイッチング素子ＴＦＴ１３のドレイン電極は、補助容量ＣＳ１３を介して接地されている。
　さらに、サブ画素ｓｐ１３の液晶容量Ｃｌｃ１３の一端と、サブ画素ｓｐ１１の液晶容量Ｃｌｃ１１の一端とは、結合容量ＣＣ１２を介して結合されている。
　なお、図１７のように、サブ画素ｓｐ１２とサブ画素１３の構成は同様である。すなわち、本実施形態における１つの画素は、第１のサブ画素ｓｐ１１と、複数の第２のサブ画素ｓｐ１２、ｓｐ１３を備えていることになる。
　図１７では、１つの画素の等価回路のみを示したが、第１実施形態と同様に、ＲＧＢ方式の液晶装置においては、図１７の等価回路をＲＧＢの画素毎に備えている。この場合においても、例えば青色画素（Ｂ）のスイッチング素子ＴＦＴ１２と、スイッチング素子ＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）を、他の色画素（ＲＧ）のスイッチング素子ＴＦＴ１２と、スイッチング素子ＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）と異なるように形成することで、斜めから見た場合の色ずれを改善できる。
　次に、図１７の等価回路の動作の概要について説明する。
　スイッチング素子ＴＦＴ１１～ＴＦＴ１３のゲート電極に、走査線１５からＨレベルの信号が供給され、スイッチング素子ＴＦＴ１１～ＴＦＴ１３がオン状態になる。次に、表示信号線１３－１～１３－３からＶｓ［Ｖ］の信号が供給される。同時に、各サブ画素の液晶容量Ｃｌｃ１１～Ｃｌｃ１３の一端の電圧ＶＡ１１、ＶＢ１１およびＶＣ１１は、表示信号のＶｓ［Ｖ］に向かって変化し始める。ＴＦＴ１２およびＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）が十分に小さい場合、容量結合によるチャージが支配的となり、各サブ画素の各液晶容量Ｃｌｃ１１～Ｃｌｃ１３に発生する電位差は、各液晶容量と、これらに接続されている補助容量ＣＳ１１～ＣＳ１３の容量と結合容量Ｃｃ１１、Ｃｃ１２の大きさの差に基づいた値である。
　走査線１５からＨレベルの信号が供給されている期間、液晶容量Ｃｌｃ１１とＣｌｃ１２との電位差を補うように、スイッチング素子ＴＦＴ１２からサブ画素ｓｐ１２の液晶容量Ｃｌｃ１２に電流が流れる。同様に、走査線１５からＨレベルの信号が供給されている期間、液晶容量Ｃｌｃ１１とＣｌｃ１３との電位差を補うように、スイッチング素子ＴＦＴ１３からサブ画素ｓｐ１３の液晶容量Ｃｌｃ１３に電流が流れる。
　本実施形態においては、各画素において、例えば、スイッチング素子ＴＦＴ１１の大きさ（サイズ）はスイッチング素子ＴＦＴ１２の大きさ（サイズ）より大きく、スイッチング素子ＴＦＴ１２の大きさ（サイズ）はスイッチング素子ＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）より大きく形成されている。このため、３つのサブ画素の液晶容量間に電位差が発生し、この結果、階調表現を行うことができる。
　本実施形態では、斜めから見たときの色ずれを改善するために、例えば、青色画素（Ｂ）のスイッチング素子ＴＦＴ１２の大きさ（サイズ）とスイッチング素子ＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）を、他の色画素（赤色画素、緑色画素）のスイッチング素子ＴＦＴ１２の大きさ（サイズ）とスイッチング素子ＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）とは異なるように形成する。この結果、第１実施形態と同様に斜めから見たときの色ずれを改善することができる。
　また、本実施形態では、斜めから見たときの色ずれを改善するために、青色画素（Ｂ）のスイッチング素子ＴＦＴ１２の大きさ（サイズ）とスイッチング素子ＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）を、他の色画素（赤色画素、緑色画素）のスイッチング素子ＴＦＴ１２の大きさ（サイズ）とスイッチング素子ＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）と異なるように形成する例を説明している。しかし、液晶装置に用いる液晶の特性に基づき、例えば、赤色画素（Ｒ）のスイッチング素子ＴＦＴ１２の大きさ（サイズ）とスイッチング素子ＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）も緑色画素（Ｇ）のスイッチング素子ＴＦＴ１２の大きさ（サイズ）とスイッチング素子ＴＦＴ１３の大きさ（サイズ）と異なるように形成しても良い。
　また、本実施形態では、１つの画素が３つのサブ画素を備える例を説明したが、４つ以上のサブ画素を備える場合にも同様に構成することで、同様の効果が得られる。例えば、図１７において、サブ画素ｓｐ１３を構成しているスイッチング素子ＴＦＴ１３と液晶容量Ｃｌｃ１３と補助容量ＣＳ１３およびサブ画素ｓｐ１１と容量結合している結合容量Ｃｃ１２で構成される回路部分をサブ画素数に応じて増やしていく。そして、この場合においても、青色画素（Ｂ）のスイッチング素子ＴＦＴｎ（ｎは２以上の自然数）の大きさ（サイズ）を、他の色画素のスイッチング素子ＴＦＴｎの大きさ（サイズ）と異なるように形成することで、斜めから見たときの色ずれを改善できる。
　また、本実施形態では、図１７の等価回路を用いて説明したが、等価回路の構成はこれに限られない。図１８は、１つの画素が３つのサブ画素を備える場合の他の等価回路の例を示す回路図である。図１８のように、第１のサブ画素（Ａ画素）は、スイッチング素子Ｔ１と液晶容量ＣｌｃＡと補助容量ＣｓｔＡ１を備えている。第２のサブ画素（Ｂ画素）は、スイッチング素子Ｔ２と液晶容量ＣｌｃＢと補助容量ＣｓｔＢ１と補助容量ＣｓｔＢ２を備えている。また、第１のサブ画素の液晶容量ＣｌｃＡの一端と第２のサブ画素の液晶容量ＣｌｃＢの一端とは、結合容量ＣｃＡＢにより容量結合されている。第３のサブ画素（Ｃ画素）は、スイッチング素子Ｔ３と液晶容量ＣｌｃＣと補助容量ＣｓｔＣ１と補助容量ＣｓｔＣ２を備えている。また、第１のサブ画素の液晶容量ＣｌｃＡの一端と第３のサブ画素の液晶容量ＣｌｃＣの一端とは、結合容量ＣｃＡＣにより容量結合されている。
［第３実施形態］
　次に、第３実施形態について、図１９を用いて説明する。図１９は、ＲＧＢＣ方式による１画素を２つのサブ画素に分割した液晶装置の等価回路の一例である。なお、ＲＧＢＣ方式とは、ＲＧＢの３原色の画素に、さらにシアン色（Ｃ）の画素に対応するカラーフィルタ７を加えた構成の液晶装置である。ＲＢＧの各画素の構成は、第１実施形態と同じため、図４の各部に対応する部分に同様の符号を付し、その説明を省略する。第１実施形態との差異は、シアン色画素（Ｃ）部分である。
　なお、各ＲＧＢＣ画素は、ぞれぞれの色領域に対応したカラーフィルタ７に対応した位置に形成されている画素である。
　シアン色画素（Ｃ）のサブ画素ｓｐ（１，１，４）の構成を説明する。スイッチング素子ＴＦＴＣ１のゲート電極は、走査線１５に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＣ１のソース電極は、表示信号線１３－４に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＣ１のドレイン電極は、画素電極を介して容量成分を有する液晶容量ＣｌｃＣ１の一方に接続されている。また、液晶容量ＣｌｃＣ１の他方は、共通電極６を介して接地されている。
　次に、シアン色画素（Ｃ）のサブ画素ｓｐ（１，２，４）の構成を説明する。スイッチング素子ＴＦＴＣ２のゲート電極は、走査線１５に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＣ２のソース電極が表示信号線１３－４に接続されている。スイッチング素子ＴＦＴＣ２のドレイン電極は、画素電極を介して容量成分を有する液晶容量ＣｌｃＣ２の一方に接続されている。また、液晶容量ＣｌｃＣ２の他方は、共通電極６を介して接地されている。また、液晶容量ＣｌｃＣ１と液晶容量ＣｌｃＣ２とは、結合容量ＣＣＣにより容量結合されている。
　本実施形態においては、液晶装置に用いる液晶材料の特性に基づき、シアン色画素（Ｃ）のスイッチング素子ＴＦＴＣ２の大きさ（サイズ）を、他の色画素（赤色画素、緑色画素、青色画素）のスイッチング素子ＴＦＴＲ２、ＴＦＴＧ２、ＴＦＴＢ２の大きさ（サイズ）と異なるように形成する。この結果、斜めから見たときの色ずれを改善することができる。
　また、本実施形態では、１つの画素が２つのサブ画素を備えるＲＧＢＣ方式の例を説明したが、第２実施形態のように１つの画素が３つのサブ画素を備えるようにしてもよく、さらには４つ以上のサブ画素を備えるようにしてもよい。また、ＲＧＢＣ方式についての例を説明したが、他の方式に用いてもよく、この場合においても、液晶材料の特性に合わせて、少なくとも１つの色画素のサブ画素における第２のスイッチング素子ＴＦＴの大きさ（サイズ）を、他の色画素のスイッチング素子の第２のスイッチング素子ＴＦＴの大きさ（サイズ）と異なるように形成することで同様の効果を得ることができる。
　また、本実施形態では、図４、図１７および図１８で、１本のゲートバスラインにサブ画素を制御するスイッチング素子のゲート電極が接続されている例を説明したが、各スイッチング素子のゲート電極は、別々のゲートバスラインに接続されていてもよい。この場合において、各スイッチング素子のゲート電極に供給されるタイミング信号が同一のタイミングで、スイッチング素子をオン状態とオフ状態に切り替えるような信号を供給するようにしてもよい。
　また、本実施形態では、図１の透過型の液晶装置の構成図を用いて実施形態の説明を行ったが、反射型の液晶措置においても、各サブ画素のスイッチング素子の大きさ（サイズ）を本実施形態の方法で調整することで、同様の効果を得ることができる。この場合、液晶は、光透過率を制御するのではなく、光反射率を制御することになる。
　なお、実施形態の図２の制御部１２の機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することにより各部の処理を行ってもよい。なお、ここでいう「コンピュータシステム」とは、ＯＳや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。
　　また、「コンピュータシステム」は、ＷＷＷシステムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）も含むものとする。
　　また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ－ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムを送信する場合の通信線のように、短時間の間、動的にプログラムを保持するもの、その場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリのように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。また上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良く、さらに前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるものであっても良い。
　マルチ画素構造の液晶装置において視野角特性を改善する液晶装置を提供することができる。
１・・・バックライト　２・・・第１偏光板　３・・・第１ガラス基板　４・・・ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ　５・・・液晶　６・・・共通電極（対向電極）　７・・・カラーフィルタ　８・・・第２ガラス基板　９・・・第２偏光板　１２・・・制御部　１３－１～１３－ｍ・・・表示信号線　１５－１～１５－ｎ・・・走査線　２０・・・画素部　ＴＦＴＲ１、ＴＦＴＧ１、ＴＦＴＢ１、ＴＦＴ１、ＴＦＴ１１、ＴＦＴＹ１・・・第１のスイッチング素子　ＴＦＴＲ２、ＴＦＴＧ２、ＴＦＴＢ２、ＴＦＴ２、ＴＦＴ１２～ＴＦＴ１３、ＴＦＴＹ２・・・第２のスイッチング素子　ＣｌｃＲ１、ＣｌｃＲ２、ＣｌｃＧ１、ＣｌｃＧ２、ＣｌｃＢ１、ＣｌｃＢ２、Ｃｌｃ１、Ｃｌｃ２、Ｃｌｃ１１、Ｃｌｃ１２、Ｃｌｃ１３、ＣｌｃＣ１、ＣｌｃＣ２・・・液晶容量　ＣＳＲ１、ＣＳＲ２、ＣＳＧ１、ＣＳＧ２、ＣＳＢ１、ＣＳＢ２、ＣＳ１１～ＣＳ１３、ＣＳＣ１、ＣＳＣ２・・・補助容量　ＣＣＲ、ＣＣＧ、ＣＣＢ、ＣＣ１、ＣＣ１１、ＣＣ１２、ＣＣＣ・・・結合容量　ｓｐ（１，１，１）、ｓｐ（１，１，２）、ｓｐ（１，１，３）、ｓｐ１、ｓｐ１１、ｓｐ（１，１，４）・・・第１のサブ画素　ｓｐ（１，２，１）、ｓｐ（１，２，２）、ｓｐ（１，２，３）、ｓｐ２、ｓｐ１２、ｓｐ１３、ｓｐ（１，２，４）・・・第２のサブ画素　Ｗ１～Ｗ２・・・スイッチング素子のチャンネル幅　Ｌ１～Ｌ２・・・スイッチング素子のチャンネル長

Claims (15)

  1. 　各々が、少なくとも第１及び第２のサブ画素を含む複数の画素と、カラーフィルタを有し、
    前記第１のサブ画素は、第１のスイッチング素子と第１のサブ画素電極とを含み、
    前記第２のサブ画素は、第２のスイッチング素子と第２のサブ画素電極とを含み、
    　前記第１のスイッチング素子は、ゲートバスラインに接続された第１のゲート電極と、ソースバスラインに接続された第１のソース電極と、前記第１のサブ画素電極に接続された第１のドレイン電極とを含み、
    　前記第２のスイッチング素子は、前記ゲートバスラインに接続された第２のゲート電極と、前記ソースバスラインに接続された第２のソース電極と、前記第２のサブ画素電極に接続された第２のドレイン電極とを含み、
    　前記第１のサブ画素電極と前記第２のサブ画素電極とが容量結合され、
    　前記第２のスイッチング素子のサイズは、前記複数の画素のうち、前記カラーフィルタの異なる色領域に対応する少なくとも２つの画素間で異なる液晶装置。
  2. 　前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とを有し、
    　前記カラーフィルタの前記青色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、他の色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きい請求項１に記載の液晶装置。
  3. 　前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とを有し、
    　前記カラーフィルタの前記緑色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、前記赤色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きい請求項１に記載の液晶装置。
  4. 　前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とシアン色領域とを有し、
    　前記カラーフィルタの前記シアン色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、前記赤色領域に対応する画素および前記緑色領域に対応する画素における各々の前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きい請求項１に記載の液晶装置。
  5. 　前記複数の画素のうち少なくとも一つは、さらに第３のサブ画素を有し、
    　前記第３のサブ画素は、第３のスイッチング素子と、第３のサブ画素電極を有し、
    　前記第３のスイッチング素子は、前記ゲートバスラインに接続された第３のゲート電極と、前記ソースバスラインに接続された第３のソース電極と、前記第１のサブ画素電極と容量結合されている前記第３のサブ画素電極に接続された第３のドレイン電極とを含む請求項１に記載の液晶装置。
  6. 　カラーフィルタと、
    　前記カラーフィルタの第１の色領域と対応する第１の画素と、
    　前記カラーフィルタの第２の色領域と対応する第２の画素とを有し、
    　前記第１の画素は、少なくとも第１および第２のサブ画素を有し、
    　前記第１のサブ画素は、第１のスイッチング素子と、第１のスイッチング素子と係合した第１のサブ画素電極を備え、
    　前記第２のサブ画素は、第２のスイッチング素子と第２のスイッチング素子と係合した第２のサブ画素電極を備え、
    　前記第１のサブ画素電極と前記第２のサブ画素電極とが容量結合され、
    　前記第２の画素は、少なくとも第３および第４のサブ画素を有し、
    　前記第３のサブ画素は、第３のスイッチング素子と第３のスイッチング素子と係合した第３のサブ画素電極を備え、
    　前記第４のサブ画素は、第４のスイッチング素子と第４のスイッチング素子と係合した第４のサブ画素電極を備え、
    　前記第３のサブ画素電極と前記第４のサブ画素電極とが容量結合され、
    　前記第２のスイッチング素子と、前記第４のスイッチング素子のサイズが異なる液晶装置。
  7. 　前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とを有し、
    　前記カラーフィルタの前記青色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、他の色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きい請求項６に記載の液晶装置。
  8. 　前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とを有し、
    　前記カラーフィルタの前記緑色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、前記赤色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きい請求項６に記載の液晶装置。
  9. 　前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とシアン色領域とを有し、
    　前記カラーフィルタの前記シアン色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、前記赤色領域に対応する画素および前記緑色領域に対応する画素における各々の前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きい請求項６に記載の液晶装置。
  10. 　前記第１の画素は、さらに第５のサブ画素を有し、
    　前記第５のサブ画素は、第５のスイッチング素子と、第５のサブ画素電極を有し、
    　前記第５のスイッチング素子のゲート電極が前記ゲートバスラインと同じ信号が供給されるゲートバスラインに接続され、前記第５のスイッチング素子のソース電極が前記ソースバスラインに接続され、前記第５のスイッチング素子のドレイン電極が前記第１のサブ画素電極と容量結合されている前記第５のサブ画素電極に接続されている請求項６に記載の液晶装置。
  11. 　カラーフィルタと、
    　前記カラーフィルタの第１の色領域と対応する第１の画素と、
    　前記カラーフィルタの第２の色領域と対応する第２の画素とを有し、
    　前記第１の画素は、少なくとも第１および第２のサブ画素を有し、
    　前記第１のサブ画素は、第１のスイッチング素子と第１のサブ画素電極を備え、
    　前記第１のスイッチング素子のゲート電極がゲートバスラインに接続され、前記第１のスイッチング素子のソース電極がソースバスラインに接続され、前記第１のスイッチング素子のドレイン電極が前記第１のサブ画素電極に接続され、
    　前記第２のサブ画素は、第２のスイッチング素子と第２のサブ画素電極を備え、
    　前記第２のスイッチング素子のゲート電極が該ゲートバスラインと同じ信号が供給されるゲートバスラインに接続され、前記第２のスイッチング素子のソース電極が前記ソースバスラインに接続され、前記第２のスイッチング素子のドレイン電極が前記第２のサブ画素電極に接続され、
    　前記第１のサブ画素電極と前記第２のサブ画素電極とが容量結合され、
    　前記第２の画素は、少なくとも第３および第４のサブ画素を有し、
    　前記第３のサブ画素は、第３のスイッチング素子と第３のサブ画素電極を備え、
    　前記第３のスイッチング素子のゲート電極がゲートバスラインに接続され、前記第３のスイッチング素子のソース電極がソースバスラインに接続され、前記第３のスイッチング素子のドレイン電極が前記第３のサブ画素電極に接続され、
    　前記第４のサブ画素は、第４のスイッチング素子と第４のサブ画素電極を備え、
    　前記第４のスイッチング素子のゲート電極が該ゲートバスラインと同じ信号が供給されるゲートバスラインに接続され、前記第４のスイッチング素子のソース電極が前記ソースバスラインに接続され、前記第４のスイッチング素子のドレイン電極が前記第４のサブ画素電極に接続され、
    　前記第３のサブ画素電極と前記第４のサブ画素電極とが容量結合され、
    　前記第２のスイッチング素子と、前記第４のスイッチング素子のサイズが異なる液晶装置。
  12. 　前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とを有し、
    　前記カラーフィルタの前記青色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、他の色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きい請求項１１に記載の液晶装置。
  13. 　前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とを有し、
    　前記カラーフィルタの前記緑色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、前記赤色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きい請求項１１に記載の液晶装置。
  14. 　前記カラーフィルタは、少なくとも赤色領域と緑色領域と青色領域とシアン色領域とを有し、
    　前記カラーフィルタの前記シアン色領域に対応する画素における前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌが、前記赤色領域に対応する画素および前記緑色領域に対応する画素における各々の前記第２のスイッチング素子のチャンネル長Ｌに対するチャンネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌに比べて大きい請求項１１に記載の液晶装置。
  15. 　前記第１の画素は、さらに第５のサブ画素を有し、
    　前記第５のサブ画素は、第５のスイッチング素子と、第５のサブ画素電極を有し、
    　前記第５のスイッチング素子のゲート電極が前記ゲートバスラインと同じ信号が供給されるゲートバスラインに接続され、前記第５のスイッチング素子のソース電極が前記ソースバスラインに接続され、前記第５のスイッチング素子のドレイン電極が前記第１のサブ画素電極と容量結合されている前記第５のサブ画素電極に接続されている請求項１１に記載の液晶装置。
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