WO2012017631A1 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

プラズマディスプレイパネル Download PDF

Info

Publication number
WO2012017631A1
WO2012017631A1 PCT/JP2011/004309 JP2011004309W WO2012017631A1 WO 2012017631 A1 WO2012017631 A1 WO 2012017631A1 JP 2011004309 W JP2011004309 W JP 2011004309W WO 2012017631 A1 WO2012017631 A1 WO 2012017631A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
dielectric
silica particles
glass
layer
paste
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/004309
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
由士行 太田
覚 河瀬
伊藤　宏
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Publication of WO2012017631A1 publication Critical patent/WO2012017631A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space

Definitions

  • the technology disclosed herein relates to a plasma display panel used for a display device or the like.
  • Silver electrodes for ensuring conductivity are used for bus electrodes constituting display electrodes of a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP).
  • PDP plasma display panel
  • For the dielectric layer covering the bus electrode low melting point glass mainly composed of lead oxide is used.
  • a dielectric layer not containing a lead component has been used in consideration of the environment (for example, see Patent Document 1).
  • the PDP includes a front plate and a back plate disposed to face the front plate.
  • the front plate has a display electrode and a dielectric layer covering the display electrode.
  • the dielectric layer includes silica particles and a glass layer.
  • the softening point of the glass layer is 600 ° C. or less.
  • the softening point of the silica particles is 700 ° C. or higher.
  • the particle size of the silica particles is 100 nm or more and 1000 nm or less.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the structure of the PDP according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the front plate according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the particle size of silica particles and the haze value.
  • the PDP 1 of the present embodiment is an AC surface discharge type PDP.
  • a front plate 2 made of a front glass substrate 3 and the like and a back plate 10 made of a back glass substrate 11 and the like are arranged to face each other.
  • the outer peripheral portions of the front plate 2 and the back plate 10 are hermetically sealed with a sealing material made of glass frit or the like.
  • a discharge gas containing xenon (Xe) is sealed in the discharge space 16 inside the sealed PDP 1 at a pressure of 55 kPa to 80 kPa.
  • a pair of strip-shaped display electrodes 6 each composed of the scanning electrodes 4 and the sustaining electrodes 5 and a plurality of light shielding layers 7 are arranged in parallel to each other.
  • the scanning electrode 4 is composed of a black electrode 4a and a white electrode 4b stacked on the black electrode 4a.
  • the sustain electrode 5 includes a black electrode 5a and a white electrode 5b laminated on the black electrode 5a.
  • a dielectric layer 8 that covers the display electrode 6 and the light shielding layer 7 is formed on the front glass substrate 3.
  • the dielectric layer 8 functions as a capacitor.
  • a protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) or the like is formed on the surface of the dielectric layer 8.
  • a plurality of strip-like address electrodes 12 are arranged in parallel to each other in a direction orthogonal to the display electrodes 6. Further, a base dielectric layer 13 that covers the address electrodes 12 is formed. Further, on the base dielectric layer 13 formed between the address electrodes 12, barrier ribs 14 having a predetermined height are formed to divide the discharge space 16. Between the barrier ribs 14, a phosphor layer 15 that emits red light by ultraviolet rays, a phosphor layer 15 that emits blue light, and a phosphor layer 15 that emits green light are sequentially formed.
  • a discharge cell is formed at a position where the display electrode 6 and the address electrode 12 intersect.
  • a discharge cell having a phosphor layer 15 that emits red light, a discharge cell that has a phosphor layer 15 that emits blue light, and a discharge cell that has a phosphor layer 15 that emits green light form a pixel for color display.
  • Scan electrode 4, sustain electrode 5, and black stripe 7 are formed on front glass substrate 3 by photolithography.
  • Scan electrode 4 and sustain electrode 5 have white electrodes 4b and 5b containing silver (Ag) for ensuring conductivity.
  • Scan electrode 4 and sustain electrode 5 have black electrodes 4a and 5a containing a black pigment in order to improve the contrast of the image display surface.
  • the white electrode 4b is laminated on the black electrode 4a.
  • the white electrode 5b is laminated on the black electrode 5a.
  • a black paste containing a black pigment for securing blackness, a glass frit for binding the black pigment, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as the material of the black electrodes 4a and 5a.
  • a black paste is applied to the front glass substrate 3 by a screen printing method or the like.
  • the solvent in the black paste is removed by a drying furnace.
  • the black paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • a white paste containing silver (Ag), a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material for the white electrodes 4b and 5b.
  • a white paste containing silver (Ag), a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used.
  • a white paste is applied to the front glass substrate 3 on which the black paste is formed by a screen printing method or the like.
  • the solvent in the white paste is removed by a drying furnace.
  • the white paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the black paste and the white paste are developed to form a black electrode pattern and a white electrode pattern.
  • the black electrode pattern and the white electrode pattern are fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the black electrode pattern and the photosensitive resin in the white electrode pattern are removed. Further, the glass frit in the black electrode pattern is melted. The molten glass frit is vitrified again after firing. Further, the glass frit in the white electrode pattern is melted. The molten glass frit is vitrified again after firing.
  • the black stripe 7 is formed in the same manner as the black electrodes 4a and 5a.
  • the black stripe 7 may be formed simultaneously with the black electrodes 4a and 5a.
  • a sputtering method, a vapor deposition method, or the like can be used.
  • the dielectric layer 8 is formed. Details of the dielectric layer 8 will be described later.
  • a protective layer 9 containing MgO is formed on the dielectric layer 8.
  • the protective layer 9 is formed by an EB (Electron Beam) vapor deposition apparatus as an example.
  • the material of the protective layer 9 is a pellet made of single crystal MgO. Aluminum (Al), silicon (Si), or the like may be further added to the pellet as impurities.
  • an electron beam is irradiated to the pellets arranged in the film forming chamber of the EB vapor deposition apparatus.
  • the pellets that have received the energy of the electron beam evaporate.
  • the evaporated MgO adheres on the dielectric layer 8 disposed in the film forming chamber.
  • the film thickness of MgO is adjusted so as to be within a predetermined range by the intensity of the electron beam, the pressure in the film formation chamber, and the like.
  • the scanning electrode 4, the sustaining electrode 5, the black stripe 7, the dielectric layer 8, and the protective layer 9 are formed on the front glass substrate 3, and the front plate 2 is completed.
  • address electrodes 12 are formed on the back glass substrate 11 by photolithography.
  • an address electrode paste containing silver (Ag) for ensuring conductivity, a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as the material of the address electrode 12.
  • the address electrode paste is applied on the rear glass substrate 11 with a predetermined thickness by screen printing or the like.
  • the solvent in the address electrode paste is removed by a drying furnace.
  • the address electrode paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the address electrode paste is developed to form an address electrode pattern.
  • the address electrode pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the address electrode pattern is removed.
  • the glass frit in the address electrode pattern is melted.
  • the molten glass frit is vitrified again after firing.
  • the address electrode 12 is formed by the above process.
  • a sputtering method, a vapor deposition method, or the like can be used.
  • the base dielectric layer 13 is formed.
  • a base dielectric paste containing a dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used as a material for the base dielectric layer 13.
  • a base dielectric paste is applied by a screen printing method or the like so as to cover the address electrodes 12 on the rear glass substrate 11 on which the address electrodes 12 are formed with a predetermined thickness.
  • the solvent in the base dielectric paste is removed by a drying furnace.
  • the base dielectric paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the base dielectric paste is removed. Further, the dielectric glass frit is melted. The molten dielectric glass frit is vitrified again after firing.
  • the base dielectric layer 13 is formed.
  • a die coating method, a spin coating method, or the like can be used.
  • a film that becomes the base dielectric layer 13 can be formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like without using the base dielectric paste.
  • the barrier ribs 14 are formed by photolithography.
  • a partition paste containing a filler, a glass frit for binding the filler, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material for the partition wall 14.
  • the barrier rib paste is applied on the underlying dielectric layer 13 with a predetermined thickness by a die coating method or the like.
  • the solvent in the partition wall paste is removed by a drying furnace.
  • the barrier rib paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the barrier rib paste is developed to form a barrier rib pattern.
  • the partition pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the partition pattern is removed.
  • the partition wall 14 is formed by the above process.
  • a sandblast method or the like can be used.
  • the phosphor layer 15 is formed.
  • a phosphor paste containing phosphor particles, a binder, a solvent, and the like is used as the material of the phosphor layer 15.
  • the phosphor paste is applied with a predetermined thickness on the base dielectric layer 13 between the adjacent barrier ribs 14 and the side surfaces of the barrier ribs 14 by a dispensing method or the like.
  • the solvent in the phosphor paste is removed by a drying furnace.
  • the phosphor paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the phosphor paste is removed.
  • the phosphor layer 15 is formed by the above steps.
  • a screen printing method or the like can be used.
  • the back plate 10 is formed.
  • a sealing material (not shown) is formed around the back plate 10 by the dispensing method.
  • a sealing paste containing glass frit, a binder, a solvent, and the like is used.
  • the solvent in the sealing paste is removed by a drying furnace.
  • the front plate 2 and the back plate 10 are arranged to face each other so that the display electrodes 6 and the address electrodes 12 are orthogonal to each other.
  • the periphery of the front plate 2 and the back plate 10 is sealed with glass frit.
  • a discharge gas containing 15 vol% or more and 30 vol% or less of Xe is sealed in the discharge space 16. As described above, the PDP 1 is formed.
  • the dielectric layer In order to suppress the capacity of the discharge cell, it is conceivable to form the dielectric layer with a material having a low relative dielectric constant.
  • conventionally used low melting point glass mainly composed of dibismuth trioxide (Bi 2 O 3 ) or zinc oxide (ZnO) has been difficult to lower the dielectric constant.
  • low-melting glass mainly composed of silicon dioxide (SiO 2 ) or diboron trioxide (B 2 O 3 ) has a relative dielectric constant of about 5 to 7.
  • the relative dielectric constant is further reduced to 5 or less, the melting point becomes high. As the melting point increases, it is required to increase the firing temperature. That is, sufficient heat treatment becomes difficult at the firing temperature of the firing step in a general PDP manufacturing method.
  • the relative dielectric constant of the silica particles is about 4. Therefore, the relative dielectric constant can be reduced as compared with the conventional dielectric layer.
  • the haze value is an index indicating the degree of cloudiness of a substance. The smaller the haze value, the higher the transparency. The greater the haze value, the greater the degree of haze.
  • the haze value is calculated by the ratio of transmitted light and scattered light.
  • silica particles are not uniformly dispersed during paste preparation, it has been found that silica particles are aggregated when a dielectric paste is fired, and voids are generated at the interface with the low-melting glass material.
  • the low-melting glass material powder At a temperature of about 600 ° C. at which the dielectric layer is fired, the low-melting glass material powder is very reactive and shrinks while being bonded one after another.
  • the silica particles have low reactivity and are difficult to bond with not only the silica particles but also the low-melting glass material powder. Therefore, it is considered that the voids between the powders already existing in the stage before firing expand after firing. Since the transmitted light is scattered at the location where the void exists, the haze value is increased. Furthermore, the presence of voids causes a reduction in dielectric strength.
  • the dielectric layer 8 includes silica particles 20 and a glass layer 21 as shown in FIG.
  • the dielectric constant of the dielectric layer 8 is 5 or less.
  • the particle size of the silica particles 20 is 100 nm or more and 1000 nm or less.
  • the relative dielectric constant is a value when the frequency is 1 kHz.
  • the silica particles 20 are more evenly dispersed during paste preparation, and voids are generated at the interface with the glass layer 21 even when the dielectric layer 8 is formed by firing. Hateful. Therefore, it can suppress that the haze value of the dielectric material layer 8 deteriorates and a dielectric strength voltage falls.
  • the particle size of the silica particles 20 to 1000 nm or less, the difference in refractive index between the silica particles 20 and the dielectric glass layer 21 that is a glass layer can be minimized. Therefore, the deterioration of the haze value due to the refractive index difference can be suppressed.
  • the particle diameter of the silica particle 20 is 400 nm or more and 700 nm or less. It is because it can further suppress that the haze value of the dielectric material layer 8 deteriorates and a dielectric strength voltage falls.
  • the dielectric layer 8 according to the present embodiment contains an additive having a composition different from that of the silica particles 20 in the dielectric glass layer 21 as another means for suppressing the generation of voids.
  • the reason why the voids are generated is that the surface of the silica particles 20 is not in an active state, and thus does not become compatible with other glass materials. If an additive having a composition different from that of the silica particles 20 is present around the silica particles 20, a part of the tetrahedral structure of the silica particles 20 is destroyed. That is, generation
  • B 2 O 3 , ZnO, MgO, calcium oxide (CaO), potassium oxide (K 2 O) or lithium oxide (Li 2 O) which is an oxide of an alkali metal is formed on the dielectric glass layer 21. Or at least one of sodium oxide (Na 2 O) is added.
  • the addition amount is preferably 0.1 mol% or more and less than 20 mol% with respect to the dielectric glass layer 21. If it is lower than 0.1 mol%, the effect cannot be obtained. On the other hand, at 20 mol% or more, other harmful effects such as coloration of the dielectric layer occur.
  • the dielectric layer 8 includes silica particles 20 and a dielectric glass layer 21 that is a glass layer, and the silica particles 20 are dispersed in the dielectric layer 8.
  • the size and number of silica particles 20 shown in FIG. 2 are different from the actual product.
  • the dielectric glass in order to enable firing at about 450 ° C. to about 600 ° C., the dielectric glass contains 20% by weight or more of lead oxide.
  • the dielectric glass layer 21 does not contain lead oxide for environmental consideration. That is, the dielectric layer 8 does not contain lead oxide.
  • the dielectric paste includes a dielectric glass slurry in which dielectric glass particles are dispersed, a silica particle slurry in which silica particles 20 are dispersed, and a vehicle.
  • the main component of the dielectric glass fine particles is Bi 2 O 3 .
  • At least one or more of B 2 O 3 , ZnO, MgO, CaO, alkali metal oxides K 2 O, Li 2 O, and Na 2 O are added to the dielectric glass fine particles.
  • the addition amount is 0.1 mol% or more and 20 mol% or less with respect to the dielectric glass layer 21.
  • a dielectric glass material composed of the exemplified composition components is pulverized by a wet jet mill or a ball mill so as to have an average particle size of 0.5 ⁇ m to 3.0 ⁇ m to produce dielectric glass fine particles.
  • the softening point of these glass fine particles is 600 ° C. or less.
  • the dielectric glass slurry contains 10% to 65% by weight of dielectric glass particles and 35% to 90% by weight of solvent.
  • solvent for example, an alcohol type, a glycol type, or an aqueous type is used.
  • a lubricant or a dispersant may be added to the dielectric glass slurry.
  • the dielectric glass slurry having such a configuration improves dispersibility.
  • silica particle slurry In the silica particle slurry, 1 to 20% by weight of silica particles 20 are dispersed in a solvent of 80 to 99% by weight.
  • the main component of the silica particles 20 is SiO 2 .
  • aluminum oxide (Al 2 O 3 ), ZnO, gallium oxide (Ga 2 O 3 ), or a composite oxide thereof can also be used.
  • the softening point of the silica particles 20 is 700 ° C. or higher.
  • the solvent for example, an alcohol type, a glycol type, or an aqueous type is used.
  • the particle size of the silica particles is 100 nm or more and 1000 nm or less. Desirably, it is 400 nm or more and 700 nm or less.
  • a particle size means a volume accumulation average diameter (D50).
  • D50 volume accumulation average diameter
  • a laser diffraction particle size distribution analyzer MT-3300 manufactured by Nikkiso Co., Ltd. was used. A lubricant or a dispersant may be added to the silica particle slurry. Dispersibility of the silica particle slurry having such a configuration is improved.
  • the dielectric glass slurry and the silica particle slurry are produced separately.
  • the dielectric paste according to the present embodiment is obtained by mixing and dispersing a dielectric glass slurry and a silica particle slurry. Before applying the dielectric paste to the front glass substrate 3, the dielectric glass slurry and the silica particle slurry are mixed and dispersed. Furthermore, a binder component such as a vehicle is mixed and dispersed as necessary.
  • the binder component is terpineol or butyl carbitol acetate containing 1% to 20% by weight of ethyl cellulose or acrylic resin.
  • dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, triphenyl phosphate, and tributyl phosphate may be added to the dielectric paste as a plasticizer.
  • Printability may be improved by adding glycerol monooleate, sorbitan sesquioleate, homogenol (product name of Kao Corporation), phosphate ester of alkylallyl group or the like as a dispersant.
  • the timing of mixing and dispersing the binder component is not limited to when the dielectric glass slurry and the silica particle slurry are mixed and dispersed. That is, the dielectric glass slurry or the silica particle slurry may be produced at the time.
  • the dielectric glass fine particles and the silica particles 20 are more uniformly dispersed in the dielectric paste.
  • the content of the silica particles 20 in the dielectric layer 8 is preferably 5% by volume or more and 20% by volume or less.
  • the content of the silica particles 20 is less than 5% by volume, it is difficult to reduce the relative dielectric constant of the dielectric layer 8.
  • the content of the silica particles 20 exceeds 20% by volume, the haze value of the dielectric layer 8 is deteriorated.
  • the content and particle size of the silica particles 20 are appropriately defined within the above ranges so that the dielectric constant of the dielectric layer 8 is, for example, 5 or less. Thereby, the reduction effect of the power consumption of PDP is acquired.
  • the dielectric glass slurry and the silica particle slurry may be mixed and dispersed according to the specified ratio.
  • the content of the silica particles 20 in the silica particle slurry may fall within a predetermined range at the production stage of the silica particle slurry.
  • a screen printing method, a die coating method, or the like is used as a method for forming the dielectric layer 8.
  • a dielectric paste is applied on the front glass substrate 3.
  • the applied dielectric paste constitutes a dielectric paste film.
  • the coating thickness of the dielectric paste film is appropriately set in consideration of the rate of shrinkage due to firing.
  • the dielectric paste film is dried in a temperature range of 100 ° C. to 200 ° C.
  • the dielectric paste film is baked.
  • the firing temperature is preferably in the range of 450 ° C to 600 ° C. A more preferable firing temperature range is 550 ° C to 590 ° C.
  • the dielectric layer 8 composed of the silica particles 20 and the dielectric glass layer 21 is formed by firing.
  • the firing temperature is higher than the softening point of the dielectric glass fine particles and lower than the softening point of the silica particles 20. Therefore, the dielectric glass fine particles are melted by firing and vitrified again after firing.
  • Dielectric glass layer 21 is formed by vitrification again.
  • the softening point of the dielectric glass layer 21 is equal to the softening point of the dielectric glass fine particles. That is, the softening point of the dielectric glass layer 21 is 600 ° C. or lower which is lower than the firing temperature.
  • the softening point of the dielectric glass particles is preferably 300 ° C. or higher. This is because if it is less than 300 ° C., it lacks stability. Therefore, the softening point of the dielectric glass layer 21 is preferably 300 ° C. or higher.
  • the silica particles 20 are not softened. That is, the initial shape of the silica particles 20 is maintained.
  • the following method is also used. First, a sheet obtained by applying and drying a dielectric paste on a film is used. Next, the dielectric paste formed on the sheet is transferred to the front glass substrate 3. Next, the dielectric layer 8 composed of the silica particles 20 and the dielectric glass layer 21 is formed by firing in a temperature range of 450 ° C. to 600 ° C., more preferably 550 ° C. to 590 ° C.
  • the luminance of the PDP 1 is improved as the thickness of the dielectric layer 8 is reduced. Further, the discharge voltage of the PDP 1 decreases as the thickness of the dielectric layer 8 decreases. Therefore, it is preferable that the thickness of the dielectric layer 8 is as small as possible within a range where the withstand voltage does not decrease.
  • the film thickness of the dielectric layer 8 is not less than 10 ⁇ m and not more than 30 ⁇ m from both the viewpoint of dielectric strength and the viewpoint of visible light transmittance.
  • the PDP 1 includes a front plate 2 and a back plate 10 disposed to face the front plate 2.
  • the front plate 2 includes a display electrode 6 and a dielectric layer 8 that covers the display electrode 6.
  • the dielectric layer 8 includes silica particles 20 and a dielectric glass layer 21 that is a glass layer.
  • the softening point of the dielectric glass layer 21 is 600 ° C. or less.
  • the softening point of the silica particles 20 is 700 ° C. or higher.
  • the particle size of the silica particles 20 is 100 nm or more and 1000 nm or less.
  • FIG. 3 shows a change in the haze value of the dielectric layer 8 with respect to the particle size of the silica particles 20.
  • FIG. 3 shows the respective samples when the particle size of the silica particles 20 is 5000 nm (5 ⁇ m) and the haze value of the sample in which the silica particle content in the dielectric layer 8 is 50% by volume is 1. The haze value of is shown. The content is 4 levels of 5%, 10%, 20% and 30% by volume.
  • the particle size of the silica particles 20 is 100 nm (0.1 ⁇ m) or more and 1000 nm (1.0 ⁇ m) or less, the haze value is greatly reduced.
  • the particle size of the silica particles 20 is 400 nm (0.4 ⁇ m) or more and 700 nm (0.7 ⁇ m) or less, the haze value is more stable because it is more preferable. Moreover, the effect that a haze value falls by the content rate of the silica particle 20 in the dielectric material layer 8 being 20 volume% or less appears.
  • a haze / transmittance meter “HM-150” manufactured by Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd.
  • the light transmittance visible light transmittance
  • the light transmittance when light having a single wavelength of 550 nm is incident on the front glass substrate 3 on which the dielectric layer 8 is formed from a direction orthogonal to the front glass substrate 3.
  • haze values were measured.
  • the technology disclosed in the present embodiment realizes a low power consumption PDP and is useful for a large screen display device.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

プラズマディスプレイパネルは前面板と、前面板と対向配置される背面板とを備える。前面板は、表示電極と表示電極を覆う誘電体層とを有する。誘電体層は、シリカ粒子と誘電体ガラス層とを含む。誘電体ガラス層の軟化点は、６００℃以下である。シリカ粒子の軟化点は、７００℃以上である。シリカ粒子の粒径は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

Description

プラズマディスプレイパネル
　ここに開示された技術は、表示デバイスなどに用いられるプラズマディスプレイパネルに関する。
　プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）の表示電極を構成するバス電極には、導電性を確保するための銀電極が用いられている。バス電極を覆う誘電体層には、酸化鉛を主成分とする低融点ガラスが用いられている。近年、環境への配慮から、鉛成分を含まない誘電体層が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３－１２８４３０号公報
　ＰＤＰは、前面板と、前面板と対向配置される背面板とを備える。前面板は、表示電極と表示電極を覆う誘電体層とを有する。誘電体層は、シリカ粒子とガラス層とを含む。ガラス層の軟化点は、６００℃以下である。シリカ粒子の軟化点は、７００℃以上である。シリカ粒子の粒径は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
図１は実施の形態にかかるＰＤＰの構造を示す斜視図である。 図２は実施の形態にかかる前面板の断面を示す概略図である。 図３はシリカ粒子の粒径とヘイズ値との関係を示す図である。
　［１．ＰＤＰ１の構成］
　本実施の形態のＰＤＰ１は、交流面放電型ＰＤＰである。図１に示すように、ＰＤＰ１は前面ガラス基板３などよりなる前面板２と、背面ガラス基板１１などよりなる背面板１０とが対向して配置される。前面板２と背面板１０の外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが５５ｋＰａ～８０ｋＰａの圧力で封入される。
　前面ガラス基板３上には、走査電極４および維持電極５よりなる一対の帯状の表示電極６と遮光層７が互いに平行にそれぞれ複数列配置される。走査電極４は、黒色電極４ａと、黒色電極４ａ上に積層された白色電極４ｂとから構成されている。維持電極５は、黒色電極５ａと、黒色電極５ａ上に積層された白色電極５ｂとから構成されている。さらに、前面ガラス基板３上には、表示電極６と遮光層７とを被覆する誘電体層８が形成されている。誘電体層８は、コンデンサとして機能する。さらに、誘電体層８の表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層９が形成されている。
　背面ガラス基板１１上には、表示電極６と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極１２が互いに平行に配置される。さらに、アドレス電極１２を被覆する下地誘電体層１３が形成されている。さらに、アドレス電極１２の間に形成された下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成されている。隔壁１４の間には、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層１５と、青色に発光する蛍光体層１５および緑色に発光する蛍光体層１５が順番に形成される。
　表示電極６とアドレス電極１２とが交差する位置に放電セルが形成される。赤色に発光する蛍光体層１５を有する放電セルと、青色に発光する蛍光体層１５を有する放電セルと、緑色に発光する蛍光体層１５を有する放電セルとによりカラー表示をする画素が形成される。
　［２．ＰＤＰ１の製造方法］
　［２－１．前面板２の製造方法］
　フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板３上に、走査電極４および維持電極５とブラックストライプ７とが形成される。走査電極４および維持電極５は、導電性を確保するための銀（Ａｇ）を含む白色電極４ｂ、５ｂを有する。また、走査電極４および維持電極５は、画像表示面のコントラストを向上するため黒色顔料を含む黒色電極４ａ、５ａを有する。白色電極４ｂは、黒色電極４ａに積層される。白色電極５ｂは、黒色電極５ａに積層される。
　黒色電極４ａ、５ａの材料には、黒色度を確保するための黒色顔料と黒色顔料を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む黒色ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、黒色ペーストが前面ガラス基板３に塗布される。次に、乾燥炉によって、黒色ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、黒色ペーストが露光される。
　白色電極４ｂ、５ｂの材料には、銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む白色ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、白色ペーストが、黒色ペーストが形成された前面ガラス基板３に塗布される。次に、乾燥炉によって、白色ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、白色ペーストが露光される。
　次に、黒色ペーストおよび白色ペーストが現像され、黒色電極パターンおよび白色電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、黒色電極パターンおよび白色電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、黒色電極パターン中の感光性樹脂および白色電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、黒色電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは焼成後に再びガラス化する。また、白色電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、黒色電極４ａ、５ａおよび白色電極４ｂ、５ｂが形成される。
　ブラックストライプ７は、黒色電極４ａ、５ａと同様に形成される。なお、ブラックストライプ７は、黒色電極４ａ、５ａと同時に形成されてもよい。ここで、黒色電極ペーストおよび白色電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
　次に、誘電体層８が形成される。誘電体層８の詳細は、後述される。
　次に、誘電体層８上にＭｇＯを含む保護層９が形成される。保護層９は、一例として、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）蒸着装置により形成される。保護層９の材料は、単結晶のＭｇＯからなるペレットである。ペレットには、さらに不純物としてアルミニウム（Ａｌ）、珪素（Ｓｉ）などが添加されていてもよい。
　まず、ＥＢ蒸着装置の成膜室に配置されたペレットに電子ビームが照射される。電子ビームのエネルギーを受けたペレットは蒸発する。蒸発したＭｇＯは、成膜室内に配置された誘電体層８上に付着する。ＭｇＯの膜厚は、電子ビームの強度、成膜室の圧力などによって、所定の範囲に収まるように調整される。
　以上の工程により前面ガラス基板３上に走査電極４、維持電極５、ブラックストライプ７、誘電体層８、保護層９が形成され、前面板２が完成する。
　［２－２．背面板１０の製造方法］
　図１に示すように、背面ガラス基板１１上に、アドレス電極１２、下地誘電体層１３、隔壁１４および蛍光体層１５が形成される。
　まず、フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板１１上に、アドレス電極１２が形成される。アドレス電極１２の材料には、導電性を確保するための銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むアドレス電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、アドレス電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板１１上に塗布される。次に、乾燥炉によって、アドレス電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、アドレス電極ペーストが露光される。次に、アドレス電極ペーストが現像され、アドレス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、アドレス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、アドレス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、アドレス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、アドレス電極１２が形成される。ここで、アドレス電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
　次に、下地誘電体層１３が形成される。下地誘電体層１３の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでアドレス電極１２が形成された背面ガラス基板１１上にアドレス電極１２を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融した誘電体ガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層１３が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、下地誘電体層１３となる膜を形成することもできる。
　次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁１４が形成される。隔壁１４の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層１３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、隔壁１４が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。
　次に、蛍光体層１５が形成される。蛍光体層１５の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが、隣接する隔壁１４間の下地誘電体層１３上および隔壁１４の側面に、所定の厚みで塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層１５が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。
　以上の工程により、背面板１０が形成される。
　［２－３．前面板２と背面板１０との組立方法］
　まず、ディスペンス法によって、背面板１０の周囲に封着材（図示せず）が形成される。封着材（図示せず）の材料には、ガラスフリットとバインダと溶剤などを含む封着ペーストが用いられる。次に乾燥炉によって、封着ペースト中の溶剤が除去される。次に、表示電極６とアドレス電極１２とが直交するように、前面板２と背面板１０とが対向配置される。次に、前面板２と背面板１０の周囲がガラスフリットで封着される。最後に、放電空間１６にＸｅを１５体積％以上３０体積％以下含む放電ガスが封入される。以上のように、ＰＤＰ１が形成される。
　［３．誘電体層８の詳細］
　近年、ＰＤＰは高精細化にともなって、走査線数が増加している。つまり、表示電極の数が増加することにより、表示電極間隔がより小さくなっている。さらに、消費電力が増大する傾向にある。ＰＤＰの消費電力を低減するためには、放電開始時の放電電流量を低減させることが有効である。従来の誘電体層における比誘電率は６以上であった。比誘電率が上がると放電セルの容量が大きくなる。放電セルの容量が大きくなると、発光１回当たりに放電セルに流れる放電電流量が増加する。放電電流量の増加は、ＰＤＰの消費電力の増加をもたらす。
　放電セルの容量を抑制するため、誘電体層を比誘電率の低い材料などにて形成することが考えられる。しかしながら、従来使用されていた三酸化二ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）が主成分の低融点ガラスは、比誘電率を下げることが難しかった。
　一方、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）や三酸化二ホウ素（Ｂ２Ｏ３を）が主成分の低融点ガラスは、比誘電率が５～７程度のものもある。しかし、さらに比誘電率を５以下にしようとすると融点が高くなる。融点が高くなると、焼成温度を上げることが求められる。つまり、一般的なＰＤＰの製造方法における焼成工程の焼成温度では、十分な熱処理が困難になる。
　誘電体層の比誘電率を下げる試みとして、低融点ガラス材料とＳｉＯ２フィラー粒子（シリカ粒子）を混合することが考えられる。シリカ粒子の比誘電率は、４程度である。よって、従来の誘電体層より比誘電率を低下させることができる。しかしながら、単に誘電体層にシリカ粒子を混合しただけでは、誘電体層の光学特性（特にヘイズ値）が悪化し、また、絶縁耐圧が低下するという弊害が発生する。ヘイズ値とは、物質の曇り度合いを示す指標である。ヘイズ値が小さいほど、透明性が高い。ヘイズ値が大きいほど、曇り度合いが大きい。ヘイズ値は、透過光と散乱光の比率で算出される。
　発明者らは、上述の弊害が生じる原因を検討した。ペースト作製時にシリカ粒子が均一に分散しないため、誘電体ペーストを焼成する際にシリカ粒子が凝集し、低融点ガラス材料との界面に空隙が生じていることが判明した。
　誘電体層を焼成する６００℃前後の温度では、低融点ガラス材料粉末は非常に反応性が高いため次々に結合しながら収縮していく。一方、シリカ粒子は反応性が低くシリカ粒子同士だけでなく低融点ガラス材料粉末とも結合しにくい。よって、焼成前の段階で既に存在している粉末同士の空隙が、焼成後に拡大すると考えられる。空隙が存在する箇所では透過光が散乱するので、ヘイズ値が大きくなる。さらに、空隙の存在が、絶縁耐圧の低下をもたらす。
　これに対し本実施の形態では、図２に示すように、誘電体層８は、シリカ粒子２０とガラス層２１とを含む。誘電体層８の比誘電率は、一例として、５以下である。シリカ粒子２０の粒径は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　なお、比誘電率の測定にはＬＣＲメーターが用いられた。比誘電率は、周波数が１ｋＨｚのときの値である。
　シリカ粒子２０の粒径を１００ｎｍ以上とすることにより、ペースト作製時にシリカ粒子２０がより均一に分散し、焼成によって誘電体層８を形成する際にも、ガラス層２１との界面に空隙が生じにくい。よって誘電体層８のヘイズ値が悪化し、また、絶縁耐圧が低下すること、を抑制できる。
　また、シリカ粒子２０の粒径を１０００ｎｍ以下とすることにより、シリカ粒子２０とガラス層である誘電体ガラス層２１との屈折率差を最小限にとどめることができる。よって、屈折率差に起因したヘイズ値の悪化を抑制できる。
　なお、シリカ粒子２０の粒径を４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下とすることがより好ましい。誘電体層８のヘイズ値が悪化し、また、絶縁耐圧が低下すること、をさらに抑制できるからである。
　本実施の形態にかかる誘電体層８は、空隙発生を抑制する別の手段として、誘電体ガラス層２１にシリカ粒子２０とは異なる組成の添加物を含有している。
　空隙が生じる原因としては、シリカ粒子２０の表面が活性状態でないために、他のガラス材料となじまないためと考えられる。シリカ粒子２０の周囲にシリカ粒子２０とは異なる組成の添加物が存在すると、シリカ粒子２０の正四面体構造の一部が破壊される。つまり、シリカ粒子２０が活性状態になることにより、空隙の発生が抑制される。
　本実施の形態では、誘電体ガラス層２１に、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、酸化カルシウム（ＣａＯ）、アルカリ金属の酸化物である酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）や酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）や酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）のうち少なくとも１種以上が添加されている。添加量は、誘電体ガラス層２１に対して、０．１モル％以上２０モル％未満が好ましい。０．１モル％より低ければ効果が得られない。一方、２０モル％以上では、誘電体層が有色になるなど、他の弊害が発生する。
　図２に示すように、誘電体層８は、シリカ粒子２０とガラス層である誘電体ガラス層２１とを含み、シリカ粒子２０は、誘電体層８中に分散している。なお、説明の便宜のため、図２に示されるシリカ粒子２０の大きさおよび数は、実際の製品とは異なる。
　なお、従来、４５０℃から６００℃程度での焼成を可能にするために、誘電体ガラスは、２０重量％以上の酸化鉛を含有していた。しかし、本実施の形態においては、環境への配慮のため、誘電体ガラス層２１は、酸化鉛を含有しない。すなわち、誘電体層８は、酸化鉛を含有しない。
　［３－１．誘電体ペーストの製造］
　誘電体ペーストは、誘電体ガラス微粒子が分散した誘電体ガラススラリーとシリカ粒子２０が分散したシリカ粒子スラリーとビヒクルから構成される。
　［３－１－１．誘電体ガラススラリー］
　誘電体ガラス微粒子の主成分は、一例としてＢｉ２Ｏ３である。誘電体ガラス微粒子に、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、アルカリ金属の酸化物であるＫ２Ｏ、Ｌｉ２ＯおよびＮａ２Ｏのうち少なくとも１種以上が添加されている。添加量は誘電体ガラス層２１に対して、０．１モル％以上２０モル％以下である。
　まず、例示した組成成分からなる誘電体ガラス材料が、湿式ジェットミルやボールミルにより平均粒径が０．５μｍ～３．０μｍとなるように粉砕されて誘電体ガラス微粒子が作製される。これらガラス微粒子の軟化点は６００℃以下である。
　誘電体ガラススラリーは、１０重量％以上６５重量％以下の誘電体ガラス微粒子と３５重量％以上９０重量％以下の溶媒とを含む。溶媒は、一例として、アルコール系またはグリコール系または水系などが用いられる。
　誘電体ガラススラリーには、滑剤や分散剤などが添加されてもよい。このような構成の誘電体ガラススラリーは分散性が向上する。
　［３－１－２．シリカ粒子スラリー］
　シリカ粒子スラリーは、１重量％以上２０重量％以下のシリカ粒子２０が、８０重量％以上９９重量％以下の溶媒中に分散している。シリカ粒子２０の主成分は、ＳｉＯ２である。しかしながら、シリカ粒子の他に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ＺｎＯ、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、または、これらの複合酸化物なども用いることができる。シリカ粒子２０の軟化点は７００℃以上である。溶媒は、一例として、アルコール系またはグリコール系または水系などが用いられる。
　シリカ粒子の粒径は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。望ましくは４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である。なお、粒径とは、体積累積平均径（Ｄ５０）を意味する。粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置ＭＴ－３３００（日機装株式会社製）が用いられた。シリカ粒子スラリーには滑剤や分散剤などが添加されてもよい。このような構成のシリカ粒子スラリーは分散性が向上する。
　［３－１－３．誘電体ペースト］
　誘電体ガラススラリーとシリカ粒子スラリーは、別々に製造される。本実施の形態にかかる誘電体ペーストは、誘電体ガラススラリーとシリカ粒子スラリーとが混合分散されたものである。誘電体ペーストを前面ガラス基板３に塗布する前に、誘電体ガラススラリーとシリカ粒子スラリーとが混合分散される。さらに、必要に応じてビヒクルなどのバインダ成分が混合分散される。
　バインダ成分は、エチルセルロースあるいはアクリル樹脂を１重量％～２０重量％含むターピネオールあるいはブチルカルビトールアセテートである。また、誘電体ペーストには、可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルが添加されてもよい。分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーション社製品名）、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加して印刷性を向上させてもよい。なお、バインダ成分は、ガラス粒子粉砕時に用いられる溶媒と合わせてもよい。なお、バインダ成分を混合分散するタイミングは、誘電体ガラススラリーとシリカ粒子スラリーとが混合分散されるときに限られない。つまり、誘電体ガラススラリーあるいはシリカ粒子スラリーそれぞれの製造時でもよい。
　本実施の形態にかかる誘電体ペーストの製造方法によれば、誘電体ペースト中に誘電体ガラス微粒子とシリカ粒子２０とがより均一に分散する。
　誘電体層８におけるシリカ粒子２０の含有量は、５体積％以上２０体積％以下であることが好ましい。シリカ粒子２０の含有量が５体積％未満では、誘電体層８の比誘電率を小さくすることが難しい。一方、シリカ粒子２０の含有量が２０体積％を超えると、誘電体層８のヘイズ値が悪化する。また本実施の形態では、誘電体層８の比誘電率が、例えば５以下となるようにシリカ粒子２０の含有量、粒径とを上記範囲内で適宜規定する。これによりＰＤＰの消費電力の低減効果が得られる。
　誘電体層８におけるシリカ粒子２０の含有量を所定の範囲に収めるためには、誘電体ペースト中のシリカ粒子２０の含有量を所定の範囲に収めることが好ましい。すなわち、規定された比率にしたがって、誘電体ガラススラリーとシリカ粒子スラリーとが混合分散されればよい。あるいは、シリカ粒子スラリーの製造段階で、シリカ粒子スラリーにおけるシリカ粒子２０の含有量を所定の範囲に収めてもよい。
　［３－２．誘電体層８の形成方法］
　誘電体層８を形成する方法として、スクリーン印刷法やダイコート法などが用いられる。まず、誘電体ペーストが、前面ガラス基板３上に塗布される。塗布された誘電体ペーストは、誘電体ペースト膜を構成する。誘電体ペースト膜の塗布膜厚は、焼成によって収縮する割合が考慮された上で、適宜設定される。次に、１００℃から２００℃の温度範囲で誘電体ペースト膜が乾燥される。次に、誘電体ペースト膜が焼成される。焼成温度は、４５０℃から６００℃の範囲が好ましい。より好ましい焼成温度の範囲は、５５０℃から５９０℃である。焼成によって、シリカ粒子２０と誘電体ガラス層２１とからなる誘電体層８が形成される。
　つまり、焼成温度は、誘電体ガラス微粒子の軟化点より高く、シリカ粒子２０の軟化点より低い。よって、誘電体ガラス微粒子は、焼成によって溶融し、焼成後に再びガラス化する。再びガラス化することによって、誘電体ガラス層２１が形成される。誘電体ガラス層２１の軟化点は、誘電体ガラス微粒子の軟化点に等しい。つまり、誘電体ガラス層２１の軟化点は、焼成温度より低い６００℃以下である。誘電体ガラス微粒子の軟化点は、３００℃以上が好ましい。３００℃未満では、安定性に欠けるからである。したがって、誘電体ガラス層２１の軟化点は、３００℃以上が好ましい。
　一方、シリカ粒子２０は、軟化しない。つまり、シリカ粒子２０は、当初の形状が保たれている。
　また、誘電体層８を形成する方法として、以下の方法も用いられる。まず、誘電体ペーストをフィルム上に塗布、乾燥させたシートが用いられる。次に、シートに形成された誘電体ペーストが前面ガラス基板３に転写される。次に、４５０℃から６００℃、より好ましくは５５０℃から５９０℃の温度範囲で焼成されることにより、シリカ粒子２０と誘電体ガラス層２１とからなる誘電体層８が形成される。
　なお、誘電体層８の膜厚が小さいほどＰＤＰ１の輝度が向上する。また、誘電体層８の膜厚が小さいほどＰＤＰ１の放電電圧が低減する。よって、絶縁耐圧が低下しない範囲で、できるだけ誘電体層８の膜厚が小さいことが好ましい。絶縁耐圧の観点と、可視光透過率の観点との両方から、本実施の形態では、一例として、誘電体層８の膜厚は１０μｍ以上３０μｍ以下である。
　［４．まとめ］
　本実施の形態のＰＤＰ１は、前面板２と、前面板２と対向配置される背面板１０と、を備える。前面板２は、表示電極６と表示電極６を覆う誘電体層８とを有する。誘電体層８は、シリカ粒子２０とガラス層である誘電体ガラス層２１とを含む。誘電体ガラス層２１の軟化点は、６００℃以下である。シリカ粒子２０の軟化点は、７００℃以上である。シリカ粒子２０の粒径は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　図３に、シリカ粒子２０の粒径に対する誘電体層８のヘイズ値の変化が示される。図３には、シリカ粒子２０の粒径が５０００ｎｍ（５μｍ）であって、誘電体層８におけるシリカ粒子の含有率が５０体積％である試料のヘイズ値を１としたときの、それぞれのサンプルのヘイズ値が示されている。含有率は、５体積％、１０体積％、２０体積％および３０体積％の４水準である。シリカ粒子２０の粒径が１００ｎｍ（０．１μｍ）以上１０００ｎｍ（１．０μｍ）以下のとき、ヘイズ値は大幅に低下している。さらに、シリカ粒子２０の粒径が４００ｎｍ（０．４μｍ）以上７００ｎｍ（０．７μｍ）以下のときヘイズ値は安定して低いのでより好ましい。また、誘電体層８におけるシリカ粒子２０の含有率を２０体積％以下とすることで、ヘイズ値が低下する効果が現れる。
　なお、ヘイズ値の測定には、ヘイズ・透過率計「ＨＭ－１５０」（株式会社　村上色彩研究所製）が用いられた。実施例において、誘電体層８が形成された前面ガラス基板３に対して、波長５５０ｎｍの単波長の光を前面ガラス基板３と直交する方向から入射させた時の光線透過率（可視光線透過率）およびヘイズ値が測定された。
　以上のように本実施の形態に開示された技術は、低消費電力のＰＤＰを実現して、大画面の表示デバイスなどに有用である。
　１　　ＰＤＰ
　２　　前面板
　３　　前面ガラス基板
　４　　走査電極
　４ａ，５ａ　　黒色電極
　４ｂ，５ｂ　　白色電極
　５　　維持電極
　６　　表示電極
　７　　ブラックストライプ（遮光層）
　８　　誘電体層
　９　　保護層
　１０　　背面板
　１１　　背面ガラス基板
　１２　　アドレス電極
　１３　　下地誘電体層
　１４　　隔壁
　１５　　蛍光体層
　１６　　放電空間
　２０　　シリカ粒子
　２１　　誘電体ガラス層

Claims (3)

  1. 前面板と、前記前面板と対向配置される背面板とを備え、
    　前記前面板は、表示電極と前記表示電極を覆う誘電体層とを有し、
    　　前記誘電体層は、シリカ粒子とガラス層とを含み、
    　　　前記ガラス層の軟化点は、６００℃以下であり、
    　　　前記シリカ粒子の軟化点は、７００℃以上であり、
    　　　前記シリカ粒子の粒径は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、
    プラズマディスプレイパネル。
  2. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルであって、
    　前記シリカ粒子の粒径は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である、
    プラズマディスプレイパネル。
  3. 請求項１または請求項２のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネルであって、
    　前記誘電体層における前記シリカ粒子の含有量は、５体積％以上２０体積％以下である、
    プラズマディスプレイパネル。
PCT/JP2011/004309 2010-08-05 2011-07-29 プラズマディスプレイパネル WO2012017631A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-175953 2010-08-05
JP2010175953 2010-08-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012017631A1 true WO2012017631A1 (ja) 2012-02-09

Family

ID=45559153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/004309 WO2012017631A1 (ja) 2010-08-05 2011-07-29 プラズマディスプレイパネル

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2012017631A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012147250A1 (ja) * 2011-04-27 2012-11-01 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001220177A (ja) * 2000-02-01 2001-08-14 Toray Ind Inc 誘電体ペーストならびにそれを用いたディスプレイ用部材およびその製造方法
JP2002083544A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd Ａｃ型プラズマディスプレイパネル
JP2004238247A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ガラスセラミック組成物および厚膜ガラスペースト組成物
JP2006269261A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Lintec Corp 誘電体層又は絶縁体層形成用組成物、グリーンシート及びフラットパネルディスプレイ基板
JP2007277016A (ja) * 2004-08-02 2007-10-25 Asahi Glass Co Ltd 平面蛍光ランプ電極被覆用無鉛ガラス
JP2009037890A (ja) * 2007-08-02 2009-02-19 Toray Ind Inc プラズマディスプレイ用部材の製造方法
JP2010159198A (ja) * 2008-12-09 2010-07-22 Nippon Electric Glass Co Ltd プラズマディスプレイパネル用誘電体材料

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001220177A (ja) * 2000-02-01 2001-08-14 Toray Ind Inc 誘電体ペーストならびにそれを用いたディスプレイ用部材およびその製造方法
JP2002083544A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd Ａｃ型プラズマディスプレイパネル
JP2004238247A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ガラスセラミック組成物および厚膜ガラスペースト組成物
JP2007277016A (ja) * 2004-08-02 2007-10-25 Asahi Glass Co Ltd 平面蛍光ランプ電極被覆用無鉛ガラス
JP2006269261A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Lintec Corp 誘電体層又は絶縁体層形成用組成物、グリーンシート及びフラットパネルディスプレイ基板
JP2009037890A (ja) * 2007-08-02 2009-02-19 Toray Ind Inc プラズマディスプレイ用部材の製造方法
JP2010159198A (ja) * 2008-12-09 2010-07-22 Nippon Electric Glass Co Ltd プラズマディスプレイパネル用誘電体材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012147250A1 (ja) * 2011-04-27 2012-11-01 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101143656B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR101137594B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR101143733B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
WO2012011232A1 (ja) プラズマディスプレイパネル用ガラスペーストおよびプラズマディスプレイパネル
WO2012017631A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2012017630A1 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
WO2009113139A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP5105002B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2012176356A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2012147250A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
US8164261B2 (en) Plasma display panel
CN101681766A (zh) 等离子显示面板
KR101137568B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
JP2012028104A (ja) 誘電体ペーストの製造方法および当該ペーストを用いたプラズマディスプレイパネル
WO2012081219A1 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2012038485A (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2013021590A1 (ja) 誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイパネル
US8513888B2 (en) Plasma display panel
JP2012212557A (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2013080579A (ja) プラズマディスプレイパネル用誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイパネル
JP2013080581A (ja) プラズマディスプレイパネル用誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイパネル
JP2013080582A (ja) プラズマディスプレイパネル用誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイパネル
JP2013080580A (ja) プラズマディスプレイパネル用誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイパネル
JP2012033303A (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2012028102A (ja) プラズマディスプレイパネル

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11814268

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11814268

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP