WO2012014251A1 - Two-dimensional image detector - Google Patents

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吉牟田 利典
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株式会社島津製作所
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Abstract

In the disclosed two-dimensional image detector, a heat-conducting plate (21) is provided on a base plate (7), end Peltier units (39) are provided for external-circuit use, and center Peltier units (29) are provided for an active matrix substrate (11) and a conversion layer (13), taking care of cooling and isothermalization respectively, thereby increasing isothermalization and cooling efficiency with a comparatively simple structure. Furthermore, external air brought in via an air intake (51) in a cover (5) efficiently passes through cooling fans (35 and 45) in the Peltier elements (33 and 43), thereby efficiently removing heat from said Peltier elements (33 and 43).

Description

二次元画像検出器2D image detector
 この発明は、医療分野、工業分野、原子力分野などで用いられる光または放射線を検出する二次元画像検出器に関する。 The present invention relates to a two-dimensional image detector for detecting light or radiation used in the medical field, industrial field, nuclear field and the like.
 従来、この種の装置(第1の装置)として、図9に示すものが挙げられる。
 この第1の装置は、半導体からなる変換層101と、変換層101に付設された蓄積・読み出し回路103と、変換層101と蓄積・読み出し回路103とを積層して保持する保持部材105と、保持部材105に埋設された冷却管107と、保持部材105の下面に配置された前段回路109と、前段回路109に接続された後段回路111と、前段回路109と蓄積・読み出し回路103とを接続したフレキシブルケーブル113と、ケース内の空気を攪拌するファン115とを備えている。
Conventionally, as this type of device (first device), there is the one shown in FIG.
This first device includes a conversion layer 101 made of a semiconductor, an accumulation / read circuit 103 attached to the conversion layer 101, a holding member 105 that holds the conversion layer 101 and the accumulation / read circuit 103 in a stacked manner, The cooling pipe 107 embedded in the holding member 105, the pre-stage circuit 109 disposed on the lower surface of the holding member 105, the post-stage circuit 111 connected to the pre-stage circuit 109, the pre-stage circuit 109 and the accumulation / read circuit 103 are connected. The flexible cable 113 and the fan 115 for stirring the air in the case are provided.
 このように構成された第1の装置は、変換層101で検出された電荷を蓄積・読み出し回路103で信号として読み出し、前段回路109で信号を増幅した後、後段回路111で信号を処理しやすい信号に変換する。なお、冷却管107に冷媒を流通させ、ファン115で空気を攪拌させることにより、変換層101の恒温化と、主としてアンプ回路109の冷却を行う。 In the first device configured as described above, the charge detected by the conversion layer 101 is read as a signal by the storage / readout circuit 103, the signal is amplified by the pre-stage circuit 109, and then the signal is easily processed by the post-stage circuit 111. Convert to signal. It should be noted that the refrigerant is circulated through the cooling pipe 107 and the air is stirred by the fan 115, thereby making the conversion layer 101 constant temperature and mainly cooling the amplifier circuit 109.
 また、他の従来装置(第2の装置)として、変換層と蓄積・読み出し回路とを積層し、これらをスペーサにより筐体に対して空間を隔てて配置し、さらに、スペーサにより蓄積・読み出し回路から離間させて前段回路等を配置しておき、筐体の内部または筐体の外部にペルチェ素子を付設し、ファンにより外気を取り込むとともに筐体内の空気を排出するように構成したものがある(例えば、特許文献1参照)。 Further, as another conventional device (second device), a conversion layer and a storage / readout circuit are stacked, and these are arranged with a spacer spaced from the casing, and further, a storage / readout circuit is provided by the spacer. There is a configuration in which a pre-stage circuit or the like is arranged apart from the outside, a Peltier element is attached inside or outside the housing, and outside air is taken in by a fan and air in the housing is discharged ( For example, see Patent Document 1).
 このように構成された第2の装置は、発熱源である前段回路が変換層と分離されており、それらの間の空気をペルチェ素子で温調することにより、変換層を恒温化し、アンプ回路を冷却する。
特開2003-14860号公報(段落「0012」、「0013」、図2,図3)
In the second device configured in this way, the previous circuit, which is a heat source, is separated from the conversion layer, and the temperature of the air between them is controlled by the Peltier element, thereby making the conversion layer constant temperature, and the amplifier circuit Cool down.
JP 2003-14860 (paragraphs “0012” and “0013”, FIGS. 2 and 3)
 しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
 すなわち、従来の第1の装置は、冷媒を流通させるので、冷媒漏れの恐れがある。その上、冷媒を冷却したり循環させたりするための構成が必要で、装置が複雑化するという問題もある。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, since the conventional first apparatus distributes the refrigerant, there is a risk of refrigerant leakage. In addition, a configuration for cooling or circulating the refrigerant is necessary, and there is a problem that the apparatus becomes complicated.
 また、従来の第2の装置は、ペルチェ素子を用いた冷却ではあるものの、変換層と蓄積・読み出し回路と、前段回路等との隙間の空気を入れ換えることによるもので、空冷に等しい。したがって、恒温化及び冷却効率が悪いという問題がある。 In addition, the second conventional apparatus is a cooling using a Peltier element, but is by replacing the air in the gap between the conversion layer, the storage / readout circuit, the previous circuit, etc., and is equivalent to air cooling. Therefore, there is a problem that the constant temperature and cooling efficiency are poor.
 さらに、従来装置は、温調に係る構成が主として一つであり、二次元画像検出器内における温度分布に大きな偏りが生じるという問題もある。 Furthermore, the conventional apparatus has only one configuration related to temperature control, and there is a problem that a large deviation occurs in the temperature distribution in the two-dimensional image detector.
 この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、冷媒漏れ等の不都合がなく、比較的簡単な構成で、恒温化及び冷却効率を高くできつつ温度分布の偏りを小さくすることができる二次元画像検出器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and there is no inconvenience such as refrigerant leakage, and the temperature distribution and cooling efficiency can be increased with a relatively simple configuration while reducing the temperature distribution bias. An object of the present invention is to provide a two-dimensional image detector capable of
 この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
 すなわち、この発明は、光または放射線を電荷信号に変換する変換層と、前記変換層で変換された電荷信号を蓄積して読み出す蓄積・読み出し基板と、前記蓄積・読み出し基板及び前記変換層を一方面に積層して保持するベース板と、前記蓄積・読み出し基板と電気的に接続され、前記ベース板の他方面に配置された外部回路と、前記ベース板との間で熱交換が可能な状態で、前記ベース板の他方面に配置された熱伝導板と、前記熱伝導板に配設され、前記外部回路に対応する位置に配置された第1のペルチェ素子と、前記第1のペルチェ素子で発生する熱を誘導するための第1のダクトと、前記熱伝導板に配設され、前記外部回路が配置されていない領域に配置された第2のペルチェ素子と、前記第2のペルチェ素子で発生する熱を誘導するための第2のダクトと、前記第1のダクト及び前記第2のダクトの熱を排出するためのファンと、を備えていることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the present invention includes a conversion layer that converts light or radiation into a charge signal, a storage / readout substrate that stores and reads out the charge signal converted by the conversion layer, and the storage / readout substrate and the conversion layer. A state in which heat exchange is possible between the base plate and the base plate that is stacked and held in the direction, the external circuit disposed on the other surface of the base plate and electrically connected to the storage / readout substrate. The heat conduction plate disposed on the other surface of the base plate, the first Peltier element disposed on the heat conduction plate and disposed at a position corresponding to the external circuit, and the first Peltier element A first duct for inducing heat generated in the first Peltier element; a second Peltier element disposed on the heat conductive plate and disposed in a region where the external circuit is not disposed; and the second Peltier element. Induces heat generated in A second duct for, and is characterized in that it comprises a and a fan for discharging heat from the first duct and the second duct.
 [作用・効果]この発明によれば、第1のペルチェ素子は、熱伝導板を介して主として外部回路の冷却を受け持つ。また、第2のペルチェ素子は、熱伝導板を介して主として変換層の恒温化を受け持つ。第1のペルチェ素子と第2のペルチェ素子において発生した熱は、第1のダクトと第2のダクトにより誘導されてファンにより効率的に排気される。したがって、冷媒漏れ等の不都合を回避しつつも、比較的簡単な構成で、変換層の恒温化と、外部回路の冷却効率を高めることができる。また、主として外部回路の冷却化を図る第1のペルチェ素子と、主として変換層の恒温化を図る第2のペルチェ素子とで温調を分担しているので、温度分布の偏りを従来に比較して小さくすることができる。 [Operation / Effect] According to the present invention, the first Peltier element is mainly responsible for cooling the external circuit via the heat conducting plate. In addition, the second Peltier element is mainly responsible for the constant temperature of the conversion layer via the heat conductive plate. The heat generated in the first Peltier element and the second Peltier element is induced by the first duct and the second duct and efficiently exhausted by the fan. Therefore, the temperature of the conversion layer and the cooling efficiency of the external circuit can be increased with a relatively simple configuration while avoiding inconvenience such as refrigerant leakage. In addition, since temperature control is shared by the first Peltier element that mainly cools the external circuit and the second Peltier element that mainly keeps the temperature of the conversion layer, the bias in temperature distribution is compared with the conventional one. Can be made smaller.
 また、この発明において、前記外部回路は、発生熱量が多い前段回路と、前記前段回路より発生熱量が少ない後段回路とを備え、前記ベース板は、他方面の周辺部に厚さが薄い段部を備え、前記前段回路は、前記熱伝導板との間に伝熱部材を介在して前記段部に配置されていることが好ましい。外部回路のうち蓄積・読み出し基板に接続されている前段回路をベース板の段部に配置するので、前段回路と蓄積・読み出し基板との配線長を短くすることができる。したがって、低ノイズ化を図ることができる。 In the present invention, the external circuit includes a pre-stage circuit that generates a large amount of heat and a post-stage circuit that generates less heat than the pre-stage circuit, and the base plate has a thin step portion at the periphery of the other surface. Preferably, the pre-stage circuit is disposed in the step portion with a heat transfer member interposed between the pre-stage circuit and the heat conducting plate. Of the external circuits, the pre-stage circuit connected to the storage / read-out substrate is arranged in the step portion of the base plate, so that the wiring length between the pre-stage circuit and the storage / read-out substrate can be shortened. Therefore, noise can be reduced.
 また、この発明において、前記前段回路は、前記ベース板との間に熱絶縁材料を介して配置されていることが好ましい。前段回路からベース板への熱伝導を抑制することができ、熱分布の偏りを抑制することができる。 In the present invention, it is preferable that the pre-stage circuit is disposed between the base plate and a heat insulating material. Heat conduction from the previous circuit to the base plate can be suppressed, and uneven distribution of heat can be suppressed.
 また、この発明において、前記後段回路は、前記ベース板との間に熱絶縁材料を介して配置されていることが好ましい。後段回路は前段回路に比較して発熱量が少ないが、ベース板との間に熱絶縁材料を介して配置することにより、温度分布の偏りを抑制することができる。 In the present invention, it is preferable that the post-stage circuit is disposed between the base plate and a heat insulating material. Although the latter circuit generates less heat than the former circuit, it is possible to suppress an uneven temperature distribution by arranging a heat insulating material between the latter circuit and the base plate.
 また、この発明において、前記熱伝導板は、前記ベース板の中央部に位置する中央部熱伝導板と、前記外部回路の位置に相当する端部熱伝導板とを備え、互いに分離可能に構成されていることが好ましい。ベース板に中央部熱伝導板だけを取り付けた状態で、外部回路に対する調整や配線の接続を行うことができる。したがって、組み立てやメンテナンスを容易に行うことができる。 In the present invention, the heat conduction plate includes a center heat conduction plate located at the center of the base plate and an end heat conduction plate corresponding to the position of the external circuit, and can be separated from each other. It is preferable that With only the central heat conduction plate attached to the base plate, adjustment to external circuits and connection of wiring can be performed. Therefore, assembly and maintenance can be easily performed.
 この発明に係る二次元画像検出器によれば、第1のペルチェ素子は、熱伝導板を介して主として外部回路の冷却を受け持ち、第2のペルチェ素子は、熱伝導板を介して主として変換層の恒温化を受け持つ。第1のペルチェ素子と第2のペルチェ素子において発生した熱は、第1のダクトと第2のダクトにより誘導されてファンにより効率的に排気される。したがって、変換層と外部回路に冷媒漏れ等の不都合を回避しつつも、比較的簡単な構成で、変換層の恒温化と、外部回路の冷却効率を高めることができる。また、主として外部回路の冷却化を図る第1のペルチェ素子と、主として変換層の恒温化を図る第2のペルチェ素子とで温調を分担しているので、温度分布の偏りを従来に比較して小さくすることができる。 According to the two-dimensional image detector according to the present invention, the first Peltier element is mainly responsible for cooling the external circuit via the heat conductive plate, and the second Peltier element is mainly converted through the heat conductive plate. Responsible for constant temperature. The heat generated in the first Peltier element and the second Peltier element is induced by the first duct and the second duct and efficiently exhausted by the fan. Therefore, while avoiding inconveniences such as refrigerant leakage between the conversion layer and the external circuit, the temperature of the conversion layer and the cooling efficiency of the external circuit can be increased with a relatively simple configuration. In addition, since temperature control is shared by the first Peltier element that mainly cools the external circuit and the second Peltier element that mainly keeps the temperature of the conversion layer, the bias in temperature distribution is compared with the conventional one. Can be made smaller.
実施例に係るフラットパネル型X線検出器の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of the flat panel type | mold X-ray detector which concerns on an Example. アクティブマトリクス基板と外部回路との接続関係を示す図である。It is a figure which shows the connection relation of an active matrix substrate and an external circuit. アクティブマトリクス基板の要部を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the principal part of an active matrix substrate. 外部回路の配置状態を示す側面図である。It is a side view which shows the arrangement | positioning state of an external circuit. 恒温化・冷却を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows constant temperature and cooling. ベース板の変形例を示す側面図である。It is a side view which shows the modification of a base board. 熱伝導板の変形例を示す側面図である。It is a side view which shows the modification of a heat conductive board. 熱伝導板の他の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other modification of a heat conductive board. 従来例に係る二次元画像検出器の概略構成を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows schematic structure of the two-dimensional image detector which concerns on a prior art example.
 1 … フラットパネル型X線検出器(FPD)
 3 … 検出器部
 5 … カバー
 7 … ベース板
 9 … バックライト
 11 … アクティブマトリクス基板
 13 … 変換層
 15 … アンプ回路
 17 … AD基板
 19 … フレキシブルケーブル
 21 … 熱伝導板
 23 … 中央部熱伝導板
 27 … 連結部材
 29 … 中央部ペルチェユニット
 39 … 端部ペルチェユニット
 31,41 … ペルチェユニット
 33,43 … ペルチェ素子
 35,45 … 冷却フィン
 37,47 … ダクト
 49 … ファン
 51 … 吸気口
 53 … 排気口
1 ... Flat panel X-ray detector (FPD)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Detector part 5 ... Cover 7 ... Base board 9 ... Backlight 11 ... Active matrix board | substrate 13 ... Conversion layer 15 ... Amplifier circuit 17 ... AD board | substrate 19 ... Flexible cable 21 ... Thermal conduction board 23 ... Central part thermal conduction board 27 ... Connecting member 29 ... Central Peltier unit 39 ... End Peltier unit 31, 41 ... Peltier unit 33, 43 ... Peltier element 35, 45 ... Cooling fins 37, 47 ... Duct 49 ... Fan 51 ... Inlet 53 ... Exhaust
 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
 図1は、実施例に係るフラットパネル型X線検出器の概略構成を示す斜視図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a flat panel X-ray detector according to an embodiment.
 この発明の二次元画像検出器として、フラットパネル型X線検出器1(以下、FPD1と称する)を例にとって説明する。FPD1は、例えば、被検体を透過したX線を検出する直接変換型の検出器である。 As a two-dimensional image detector of the present invention, a flat panel X-ray detector 1 (hereinafter referred to as FPD 1) will be described as an example. The FPD 1 is, for example, a direct conversion type detector that detects X-rays transmitted through a subject.
 FPD1は、検出器部3と、カバー5とを備えている。検出器部3は、ベース板7と、バックライト9と、アクティブマトリクス基板11と、変換層13とを備えている。ベース板7は、一方面に相当する下面にバックライト9を備え、その下面にアクティブマトリクス基板11を備え、さらにその下面に変換層13を積層して備えている。変換層13は、例えば、アモルファスセレン(a-Se)で構成され、平面視で280mm~500mm角程度の大きさを有する。変換層13は、放電防止のために、例えば、モールド構造により絶縁物等で覆われている。変換層13を構成する材料としては、この他に、テルル化カドミウム(CdTe)や、テルル化カドミウム亜鉛(CdZnTe)が挙げられる。バックライト9は、変換層13での検出ラグを改善するために備えられている。 The FPD 1 includes a detector unit 3 and a cover 5. The detector unit 3 includes a base plate 7, a backlight 9, an active matrix substrate 11, and a conversion layer 13. The base plate 7 includes a backlight 9 on a lower surface corresponding to one surface, an active matrix substrate 11 on the lower surface, and a conversion layer 13 stacked on the lower surface. The conversion layer 13 is made of amorphous selenium (a-Se), for example, and has a size of about 280 mm to 500 mm square in plan view. For example, the conversion layer 13 is covered with an insulator or the like by a mold structure in order to prevent discharge. In addition, examples of the material constituting the conversion layer 13 include cadmium telluride (CdTe) and cadmium zinc telluride (CdZnTe). The backlight 9 is provided to improve the detection lag in the conversion layer 13.
 ベース板7は、熱伝導性が高い材料で構成された板状の部材である。但し、上述したバックライト9、アクティブマトリクス基板11、変換層13を保持するとともに、後述する部材を保持するので、それらを保持できる程度の強度が求められる。ここでは、一例として、熱伝導率が高く剛性も高いアルミニウムを採用しているが、各部材を保持することができ、十分な熱伝導率があれば他の材料を採用してもよい。 The base plate 7 is a plate-like member made of a material having high thermal conductivity. However, since the backlight 9, the active matrix substrate 11, and the conversion layer 13 described above are held and members to be described later are held, a strength that can hold them is required. Here, as an example, aluminum having high thermal conductivity and high rigidity is employed, but other materials may be employed as long as each member can be held and sufficient thermal conductivity is provided.
 ベース板7の他方面に相当する上面には、外部回路の一部であるアンプ回路15と、その後段に接続されるAD基板17とが配置されている。ここでは、一例として、図1における左右にアンプ回路15とAD基板17が配置されている。アンプ回路15は、アクティブマトリクス基板11に対してフレキシブルケーブル19で電気的に接続されている。図示省略しているが、後述するゲート駆動回路は、図1における前後位置に配置されている。 On the upper surface corresponding to the other surface of the base plate 7, an amplifier circuit 15 which is a part of an external circuit and an AD substrate 17 connected to the subsequent stage are arranged. Here, as an example, the amplifier circuit 15 and the AD board 17 are arranged on the left and right in FIG. The amplifier circuit 15 is electrically connected to the active matrix substrate 11 with a flexible cable 19. Although not shown, gate drive circuits described later are arranged at the front and rear positions in FIG.
 なお、上述したアクティブマトリクス基板11がこの発明における「蓄積・読み出し基板」に相当し、アンプ回路15がこの発明における「前段回路」に相当し、AD基板17がこの発明における「後段回路」に相当する。また、アンプ回路15とAD基板17とがこの発明における「外部回路」に相当する。 The above-described active matrix substrate 11 corresponds to the “storage / readout substrate” in the present invention, the amplifier circuit 15 corresponds to the “previous circuit” in the present invention, and the AD substrate 17 corresponds to the “follower circuit” in the present invention. To do. The amplifier circuit 15 and the AD board 17 correspond to the “external circuit” in the present invention.
 ベース板7の上面には、熱伝導板21が配置されている。この熱伝導板21は、ベース板7の中央部に配置された中央部熱伝導板23と、ベース板7の左右端部に配置された二つの端部熱伝導板25とを備えている。二つの端部熱伝導板25は、上述したアンプ回路15とAD基板17がベース板7に配置されている位置に対応する。中央部熱伝導板23と端部熱伝導板25とは、連結部材27で伝熱可能に接続されている。より詳細には、中央部熱伝導板23の左右両端部の上面に連結部材27が取り付けられ、連結部材27の上面に端部熱伝導板25が取り付けられている。換言すると、中央部熱伝導板23を中心として、端部熱伝導板25が羽を広げたような外観形状を呈する。中央部熱伝導板23と端部熱伝導板25とは、例えば、アルミニウムで構成され、連結部材27は、例えば、銅で構成されている。熱伝導率はアルミニウムより銅の方が高いので構成材料としては好ましい。しかし、中央部熱伝導板23と端部熱伝導板25は、その上面に後述する構成を取り付ける必要があるので、加工上の都合によりアルミニウムを採用している。 The heat conduction plate 21 is disposed on the upper surface of the base plate 7. The heat conductive plate 21 includes a central heat conductive plate 23 disposed at the central portion of the base plate 7 and two end heat conductive plates 25 disposed at the left and right end portions of the base plate 7. The two end heat conductive plates 25 correspond to the positions where the amplifier circuit 15 and the AD substrate 17 described above are arranged on the base plate 7. The central part heat conduction plate 23 and the end part heat conduction plate 25 are connected to each other by a connecting member 27 so that heat can be transferred. More specifically, the connecting members 27 are attached to the upper surfaces of the left and right ends of the central heat conducting plate 23, and the end heat conducting plates 25 are attached to the upper surface of the connecting member 27. In other words, the end portion heat conductive plate 25 has an appearance shape in which the wings are spread around the center portion heat conductive plate 23. The center part heat conduction plate 23 and the end part heat conduction plate 25 are made of, for example, aluminum, and the connecting member 27 is made of, for example, copper. Since copper has a higher thermal conductivity than aluminum, it is preferable as a constituent material. However, since it is necessary to attach the structure mentioned later to the upper surface, the center part heat conductive plate 23 and the edge part heat conductive plate 25 employ | adopt aluminum for the convenience on a process.
 中央部熱伝導板23の上面には、中央部ペルチェユニット29が取り付けられている。中央部ペルチェユニット29は、二つのペルチェユニット31から構成されている。二つのペルチェユニット31は、排熱時の空気の流れを考慮して、中央部を空けて前後に配置されている。各ペルチェユニット31は、ペルチェ素子33と、冷却フィン35と、ダクト37とを備えている。ペルチェ素子33は、異種金属間における熱移動を利用した薄板状の温調デバイスである。冷却フィン35は、ペルチェ素子33の上面に付設されており、ペルチェ素子33で発生した熱を放熱する。ダクト37は、冷却フィン35が配列されている方向とは直交する方向の両端部を開放したまま、冷却フィン35を覆うように構成されている。このダクト37は、空気とともに、冷却フィン35の熱を冷却フィン35の隙間方向にだけ誘導する。 A central Peltier unit 29 is attached to the upper surface of the central thermal conductive plate 23. The central Peltier unit 29 is composed of two Peltier units 31. The two Peltier units 31 are arranged at the front and back with a central portion in consideration of the air flow during exhaust heat. Each Peltier unit 31 includes a Peltier element 33, a cooling fin 35, and a duct 37. The Peltier element 33 is a thin plate-like temperature control device using heat transfer between different metals. The cooling fin 35 is attached to the upper surface of the Peltier element 33 and radiates heat generated by the Peltier element 33. The duct 37 is configured to cover the cooling fins 35 with both ends in a direction orthogonal to the direction in which the cooling fins 35 are arranged open. The duct 37 guides the heat of the cooling fin 35 together with the air only in the gap direction of the cooling fin 35.
 各端部熱伝導板25の上面には、端部ペルチェユニット39がそれぞれ取り付けられている。端部ペルチェユニット39は、上述した中央部ペルチェユニット29と同様に構成されている。つまり、二つのペルチェユニット41から構成され、排熱効率を考慮して、中央部を空けて配置されている。各ペルチェユニット41は、ペルチェ素子43と、冷却フィン45と、ダクト47とを備えている。 The end Peltier unit 39 is attached to the upper surface of each end heat conduction plate 25. The end Peltier unit 39 is configured in the same manner as the central Peltier unit 29 described above. That is, it is composed of two Peltier units 41 and is arranged with a central portion in consideration of exhaust heat efficiency. Each Peltier unit 41 includes a Peltier element 43, a cooling fin 45, and a duct 47.
 端部ペルチェユニット39の中央部には、ファン49が取り付けられている。このファン49は、横方向の四方から空気を吸い込み、上方へと排気する。ファン49は、逆に、上方から空気を吸い込んで、横方向の四方へ外気を排出するものであってもよい。ファン49は、収集信号に悪影響を与えない低ノイズタイプや低回転タイプが好ましい。この位置にファン49が配置されているのは、発熱量が多いアンプ回路15側の排熱を効率的に行うためである。中央部ペルチェユニット29を構成するペルチェユニット31間には、ファン49が配置されていないのは、中央部ペルチェユニット29の役割が冷却よりも恒温化にあるからである。但し、中央部熱伝導板23には、電源用の三端子レギュレータが取り付けられることがある。この部品は、発熱量が比較的多いので、この部品の発熱を考慮して、ペルチェユニット31間にもファン49を配置するようにしてもよい。 A fan 49 is attached to the center of the end Peltier unit 39. The fan 49 sucks air from four sides in the lateral direction and exhausts it upward. Conversely, the fan 49 may be configured to suck air from above and discharge outside air in four lateral directions. The fan 49 is preferably a low noise type or a low rotation type that does not adversely affect the collected signal. The reason why the fan 49 is disposed at this position is to efficiently exhaust heat on the side of the amplifier circuit 15 that generates a large amount of heat. The reason why the fan 49 is not disposed between the Peltier units 31 constituting the central Peltier unit 29 is that the role of the central Peltier unit 29 is more constant than cooling. However, a power supply three-terminal regulator may be attached to the central heat conduction plate 23. Since this component generates a relatively large amount of heat, the fan 49 may be disposed between the Peltier units 31 in consideration of the heat generated by this component.
 中央部ペルチェユニット29及び端部ペルチェユニット39は、ペルチェ素子33,43ごとに独立して温調制御される。その制御は、変換層13の側面や、端部熱伝導板25に取り付けられた温度センサ(不図示)の温度信号に基づいて行われるのが好ましい。 The central Peltier unit 29 and the end Peltier unit 39 are temperature-controlled independently for each Peltier element 33, 43. The control is preferably performed based on a temperature signal of a temperature sensor (not shown) attached to the side surface of the conversion layer 13 or the end heat conductive plate 25.
 なお、上述した端部ペルチェユニット39がこの発明における「第1のペルチェ素子」に相当し、中央部ペルチェユニット29がこの発明における「第2のペルチェ素子」に相当する。また、ダクト47がこの発明における「第1のダクト」に相当し、ダクト37がこの発明における「第2のダクト」に相当する。 The end Peltier unit 39 described above corresponds to the “first Peltier element” in the present invention, and the central Peltier unit 29 corresponds to the “second Peltier element” in the present invention. The duct 47 corresponds to a “first duct” in the present invention, and the duct 37 corresponds to a “second duct” in the present invention.
 カバー5は、上述した検出器部3の上部を覆うように取り付けられる。カバー5の前後方向の側面には、吸気口51が形成されている。各吸気口51は、中央部ペルチェユニット29のダクト37と、端部ペルチェユニット39のダクト47との配置位置に対応している。また、カバー5の上面には、排気口53が形成されている。各排気口53は、ファン49に対応する位置に形成されている。上述したファン49が作動すると、各吸気口51を通して外気が吸い込まれ、各ダクト37,47を通してペルチェ素子33,43の熱が排気口53を通して排気される。 The cover 5 is attached so as to cover the upper part of the detector unit 3 described above. An intake port 51 is formed on the side surface of the cover 5 in the front-rear direction. Each intake port 51 corresponds to the arrangement position of the duct 37 of the central Peltier unit 29 and the duct 47 of the end Peltier unit 39. An exhaust port 53 is formed on the upper surface of the cover 5. Each exhaust port 53 is formed at a position corresponding to the fan 49. When the above-described fan 49 is operated, the outside air is sucked through the intake ports 51, and the heat of the Peltier elements 33 and 43 is exhausted through the exhaust ports 53 through the ducts 37 and 47.
 ここで図2及び図3を参照する。なお、図2は、アクティブマトリクス基板と外部回路との接続関係を示す図であり、図3は、アクティブマトリクス基板の要部を示す縦断面図である。 Refer to FIG. 2 and FIG. 3 here. 2 is a diagram showing a connection relationship between the active matrix substrate and an external circuit, and FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a main part of the active matrix substrate.
 アクティブマトリクス基板11は、検出素子DUが二次元マトリクス状に配置されて、ガラス等の絶縁基板55にパターン形成されている。また、アクティブマトリクス基板11は、収集電極57と、コンデンサCaと、薄膜トランジスタTrとを備えている。収集電極57は、変換層13で変換された電荷信号を収集する。コンデンサCaは、収集電極57で収集された電荷信号を蓄積する。薄膜トランジスタTrは、外部信号によりオンオフに切り換えられ、コンデンサCaに蓄積された電荷信号を読み出すスイッチング素子である。一つの検出素子DUは、収集電極57と、コンデンサCaと、薄膜トランジスタTrと、これらに応じた領域の変換層13及び印加電極59の一組で構成されている。印加電極59には、バイアス電圧Vaが印加される。ここでは、説明の便宜上、アクティブマトリクス基板11の二次元マトリクスが10×10個で構成されているものとする。 The active matrix substrate 11 has detection elements DU arranged in a two-dimensional matrix and is patterned on an insulating substrate 55 such as glass. The active matrix substrate 11 includes a collection electrode 57, a capacitor Ca, and a thin film transistor Tr. The collection electrode 57 collects the charge signal converted by the conversion layer 13. The capacitor Ca accumulates the charge signal collected by the collecting electrode 57. The thin film transistor Tr is a switching element that is turned on and off by an external signal and reads a charge signal accumulated in the capacitor Ca. One detection element DU is composed of a collection electrode 57, a capacitor Ca, a thin film transistor Tr, and a set of a conversion layer 13 and an application electrode 59 in a region corresponding thereto. A bias voltage Va is applied to the application electrode 59. Here, for convenience of explanation, it is assumed that 10 × 10 two-dimensional matrices of the active matrix substrate 11 are configured.
 また、アクティブマトリクス基板11は、ゲートラインG1~G10とデータラインD1~D10とを備えている。ゲートラインG1~G10は、検出素子DUの行ごとに薄膜トランジスタTrのゲートに電気的に接続されている。データラインD1~D10は、検出素子DUの列ごとに薄膜トランジスタTrの読み出し側に電気的に接続されている。なお、以下の説明において、ゲートラインG1~G10及びデータラインD1~D10を特に区別しない場合には、ゲートラインG及びデータラインDと称する。 The active matrix substrate 11 includes gate lines G1 to G10 and data lines D1 to D10. The gate lines G1 to G10 are electrically connected to the gate of the thin film transistor Tr for each row of the detection elements DU. The data lines D1 to D10 are electrically connected to the reading side of the thin film transistor Tr for each column of the detection elements DU. In the following description, the gate lines G1 to G10 and the data lines D1 to D10 are referred to as the gate line G and the data line D unless particularly distinguished.
 ゲートラインG1~G10には、ゲート駆動回路61が接続されている。また、データラインD1~D10には、電荷電圧変換アンプ63と、マルチプレクサ65と、A/D変換器67とがその順に接続されている。なお、電荷電圧変換アンプ63は、上述したアンプ回路15に搭載され、マルチプレクサ65とA/D変換器67とは、上述したAD基板17に搭載されている。 A gate drive circuit 61 is connected to the gate lines G1 to G10. Further, a charge / voltage conversion amplifier 63, a multiplexer 65, and an A / D converter 67 are connected to the data lines D1 to D10 in that order. The charge / voltage conversion amplifier 63 is mounted on the amplifier circuit 15 described above, and the multiplexer 65 and the A / D converter 67 are mounted on the AD substrate 17 described above.
 ゲート駆動回路61は、ゲートラインGに電圧を印加することで、薄膜トランジスタTrをオンにさせ、コンデンサCaに蓄積された電荷信号をデータラインDから電荷電圧変換アンプ63に出力させる。電荷電圧変換アンプ63は、受け取った電荷信号を電圧信号に変換する。マルチプレクサ65は、複数の電圧信号を一つの電圧信号にして出力する。A/D変換器67は、マルチプレクサ65からの電圧信号をデジタル信号に変換する。これらの回路のうち、電荷電圧変換アンプ63(アンプ回路15)は、他の回路に比較して発生熱量が大きいものであるとともに、検出素子DUからの微妙な電荷信号を受け取るので、ノイズ対策が求められる部分でもある。 The gate drive circuit 61 applies a voltage to the gate line G to turn on the thin film transistor Tr and output the charge signal accumulated in the capacitor Ca from the data line D to the charge voltage conversion amplifier 63. The charge-voltage conversion amplifier 63 converts the received charge signal into a voltage signal. The multiplexer 65 outputs a plurality of voltage signals as one voltage signal. The A / D converter 67 converts the voltage signal from the multiplexer 65 into a digital signal. Among these circuits, the charge-voltage conversion amplifier 63 (amplifier circuit 15) generates a larger amount of heat than other circuits and receives a delicate charge signal from the detection element DU. It is also a required part.
 ここで図4を参照する。なお、図4は、外部回路の配置状態を示す側面図である。
 また、発熱量が多いアンプ回路15は、ベース板7にスポンジ材71を介して配置され、上面に伝熱ゲル材73を介して伝熱部材75を配置されていることが好ましい。伝熱部材75は、端部伝熱部材25の下面に当接されている。スポンジ材71は、例えば、シリコン樹脂であり、熱をベース板7に伝えるのを抑制する。伝熱部材75は、例えば、銅で構成されている。アンプ回路15は、下面にスポンジ材71を介して配置され、上面に伝熱部材75を介して配置されているので、発生した熱がベース部材7へ伝わるのを抑制されるとともに、発生した熱が伝熱部材75を介して端部伝熱部材25に伝わる。また、発熱量がアンプ回路15よりは少ないものの、ある程度の発熱が生じるAD基板17は、薄板状の樹脂板77を介してベース板7に取り付けられていることが好ましい。この樹脂板77は、例えば、ポリカーボネートなどの断熱材料である。
Reference is now made to FIG. FIG. 4 is a side view showing an arrangement state of the external circuit.
In addition, it is preferable that the amplifier circuit 15 having a large amount of heat generation is disposed on the base plate 7 via the sponge material 71 and the heat transfer member 75 is disposed on the upper surface via the heat transfer gel material 73. The heat transfer member 75 is in contact with the lower surface of the end heat transfer member 25. The sponge material 71 is, for example, silicon resin, and suppresses heat from being transmitted to the base plate 7. The heat transfer member 75 is made of copper, for example. Since the amplifier circuit 15 is disposed on the lower surface via the sponge material 71 and disposed on the upper surface via the heat transfer member 75, the generated heat is suppressed from being transmitted to the base member 7 and the generated heat is generated. Is transmitted to the end heat transfer member 25 through the heat transfer member 75. In addition, the AD substrate 17 that generates a certain amount of heat although having a smaller amount of heat generation than the amplifier circuit 15 is preferably attached to the base plate 7 via a thin resin plate 77. The resin plate 77 is a heat insulating material such as polycarbonate.
 ところで、変換層13は、モールド構造でアクティブマトリクス基板11に取り付けられており、0℃以下の低温下になると、絶縁基板55のガラスとの膨張率の違いに起因して剥離や割れを生じる恐れがある。また、40℃以上の高温下では、アモルファスセレン(a-Se)の場合、結晶化という現象が生じて物性の変質が起きることがある。そのため、変換層13及びアクティブマトリクス基板11の恒温化を図ることが重要である。この実施例では、上述したように、ベース板7に熱伝導板21を設け、さらに、中央部ペルチェユニット29を設けている。したがって、中央部ペルチェユニット29を制御して吸熱または加熱を行わせることにより、変換層13及びアクティブマトリクス基板11の恒温化を図ることができる。 By the way, the conversion layer 13 is attached to the active matrix substrate 11 in a mold structure. When the conversion layer 13 is at a low temperature of 0 ° C. or lower, peeling or cracking may occur due to a difference in expansion coefficient from the glass of the insulating substrate 55. There is. In the case of amorphous selenium (a-Se) at a high temperature of 40 ° C. or higher, the phenomenon of crystallization may occur and the physical properties may be altered. Therefore, it is important to make the conversion layer 13 and the active matrix substrate 11 constant in temperature. In this embodiment, as described above, the heat conductive plate 21 is provided on the base plate 7, and the central Peltier unit 29 is further provided. Therefore, by controlling the central Peltier unit 29 to absorb heat or heat, the conversion layer 13 and the active matrix substrate 11 can be kept at a constant temperature.
 また、発熱するアンプ回路15で発生した熱は、伝熱部材75を介して端部熱伝導板25に伝達され、端部ペルチェユニット39により冷却される。また、発熱量は少ないものの発熱するAD基板17で発生した熱は、端部伝熱部材25に伝達され、端部ペルチェユニット39により冷却される。 Further, the heat generated in the amplifier circuit 15 that generates heat is transmitted to the end heat conduction plate 25 via the heat transfer member 75 and cooled by the end Peltier unit 39. Further, although the heat generation amount is small, the heat generated in the AD substrate 17 that generates heat is transmitted to the end heat transfer member 25 and cooled by the end Peltier unit 39.
 図5を参照する。なお、図5は、恒温化・冷却を示す模式図である。
 上述したように構成されたFPD1は、ファン49により、図5に二点鎖線矢印で示すような空気の流れを生じる。なお、図5における奥側については、図示の都合上、空気の流れを省略してあるが、手前側と同様の流れが生じる。特に、各ペルチェ素子33,43は、ダクト37,47を備えているので、図示しないカバー5の吸気口51から吸引された外気が効率的にペルチェ素子33,43の冷却フィン35,45を通過するようになっている。これにより効率的にペルチェ素子33,43の熱が排出される。
Please refer to FIG. FIG. 5 is a schematic diagram showing constant temperature / cooling.
The FPD 1 configured as described above generates an air flow as indicated by a two-dot chain line arrow in FIG. In addition, about the back side in FIG. 5, although the flow of air is abbreviate | omitted on account of illustration, the flow similar to a near side arises. In particular, since the Peltier elements 33 and 43 are provided with ducts 37 and 47, the outside air sucked from the intake port 51 of the cover 5 (not shown) efficiently passes through the cooling fins 35 and 45 of the Peltier elements 33 and 43. It is supposed to be. Thereby, the heat of the Peltier elements 33 and 43 is efficiently discharged.
 このように冷媒等を用いることなく、アンプ回路15等の外部回路用に端部ペルチェユニット39を備え、アクティブマトリクス基板11及び変換層13用に中央部ペルチェユニット29を備え、冷却と恒温化をそれぞれが受け持つことにより、比較的簡単な構成で、恒温化と冷却効率を高めることができる。因みに、変換層13における面内における温度の偏りは、従来で約5℃であるが、この実施例の構成によると、約2℃にすることができる。 Thus, without using a refrigerant or the like, an end Peltier unit 39 is provided for an external circuit such as an amplifier circuit 15, and a central Peltier unit 29 is provided for the active matrix substrate 11 and the conversion layer 13, thereby cooling and isothermalizing. By taking charge of each, a constant temperature and cooling efficiency can be improved with a relatively simple configuration. Incidentally, the in-plane temperature deviation in the conversion layer 13 is conventionally about 5 ° C., but according to the configuration of this embodiment, it can be about 2 ° C.
 次に、図6を参照する。なお、図6は、ベース板の変形例を示す側面図である。
 上述したベース板7に代えて、図6に示すベース板7Aを採用してもよい。このベース板7Aは、ベース板7Aの他方面である上面の周辺部に段部81が形成されている。この段部81は、ベース板7Aの中央部より厚さが薄く形成されている。そして、その段部81にアンプ回路15がスポンジ材71とともに配置されている。但し、段部81に配置されているアンプ回路15とAD基板17とを電気的に接続する必要があるので、ベース板7Aの中央部側上面と段部81との段差が極端に大きくならないことが好ましい。また、ベース板7Aは、上述した各部材を載置した状態でベース板7Aごとネジ止めされるので、剛性を極端に低下させない程度の段部81とするのが好ましい。このように構成すると、アンプ回路15とアクティブマトリクス基板11との距離を短縮することができる。したがって、フレキシブルケーブル19の長さを短縮することができ、低ノイズ化を図ることができる。
Reference is now made to FIG. FIG. 6 is a side view showing a modification of the base plate.
Instead of the base plate 7 described above, a base plate 7A shown in FIG. 6 may be employed. In the base plate 7A, a stepped portion 81 is formed in the peripheral portion of the upper surface which is the other surface of the base plate 7A. The step portion 81 is formed thinner than the central portion of the base plate 7A. The amplifier circuit 15 is disposed along with the sponge material 71 at the step portion 81. However, since it is necessary to electrically connect the amplifier circuit 15 disposed in the step portion 81 and the AD substrate 17, the step between the upper surface on the center side of the base plate 7A and the step portion 81 does not become extremely large. Is preferred. Further, since the base plate 7A is screwed together with the base plate 7A in a state where the above-described members are placed, it is preferable that the base plate 7A has a stepped portion 81 that does not extremely reduce the rigidity. With this configuration, the distance between the amplifier circuit 15 and the active matrix substrate 11 can be shortened. Therefore, the length of the flexible cable 19 can be shortened, and noise reduction can be achieved.
 ここで図7を参照する。図7は、熱伝導板の変形例を示す側面図である。
 上述した熱伝導板21は、図7の熱伝導板21Aのように構成するのが好ましい。この熱伝導板21Aは、中央部熱伝導板23と、端部熱伝導板25とが互いに分離可能に構成されている。これらは、例えば、端部熱伝導板25の連結部材27に形成されているネジ穴(不図示)にネジを挿通し、ネジで端部熱伝導板25を中央部熱伝導板23に止め付ける。このように構成することにより、図7のように、中央部熱伝導板23だけをベース板7Aに取り付けた状態で、AD基板17やアンプ回路15へのアクセスを容易に行うことができる。したがって、調整や配線の接続を容易に行うことができ、FPD1の組み立てやメンテナンスを容易に行うことができる。
Reference is now made to FIG. FIG. 7 is a side view showing a modification of the heat conducting plate.
The above-described heat conductive plate 21 is preferably configured like the heat conductive plate 21A of FIG. The heat conductive plate 21A is configured such that the central heat conductive plate 23 and the end heat conductive plate 25 are separable from each other. For example, a screw is inserted into a screw hole (not shown) formed in the connecting member 27 of the end heat conductive plate 25, and the end heat conductive plate 25 is fastened to the central heat conductive plate 23 with a screw. . With this configuration, it is possible to easily access the AD board 17 and the amplifier circuit 15 with only the central heat conduction plate 23 attached to the base plate 7A as shown in FIG. Therefore, adjustment and wiring connection can be easily performed, and assembly and maintenance of the FPD 1 can be easily performed.
 また、熱伝導板21の端部熱伝導板25を図8のように構成するのが好ましい。なお、図8は、熱伝導板の他の変形例を示す斜視図である。 Further, it is preferable that the end heat conductive plate 25 of the heat conductive plate 21 is configured as shown in FIG. FIG. 8 is a perspective view showing another modification of the heat conductive plate.
 この熱伝導板21は、端部熱伝導板25Aに切り欠き部83が形成されている。この切り欠き部83は、中央部熱伝導板23の端部に沿って細長形状を呈する。また、これに伴い、連結部材27が二つの連結部材27Aに分割されている。このような切り欠き部83を設ける構成にすることにより、端部熱伝導板25Aを取り外すことなく、AD基板17やアンプ回路15へのアクセスを容易に行うことができ、メンテナンス等を容易に行うことができる。 This heat conductive plate 21 has a notch 83 formed in the end heat conductive plate 25A. The notch 83 has an elongated shape along the end of the central heat conductive plate 23. Accordingly, the connecting member 27 is divided into two connecting members 27A. By providing such a notch 83, it is possible to easily access the AD board 17 and the amplifier circuit 15 without removing the end heat conductive plate 25A, and to easily perform maintenance and the like. be able to.
 この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.
 (1)上述した実施例では、第1のペルチェ素子として二つのペルチェ素子43を備え、第2のペルチェ素子として二つのペルチェ素子33を備えているが、この発明はそのようなペルチェ素子の個数に限定されるものではない。つまり、面内均一性を確保し、十分な冷却及び恒温化を図ることができるだけのペルチェ素子を配置すればよい。 (1) In the above-described embodiment, the two Peltier elements 43 are provided as the first Peltier elements, and the two Peltier elements 33 are provided as the second Peltier elements. It is not limited to. That is, it is only necessary to arrange Peltier elements that can ensure in-plane uniformity and achieve sufficient cooling and constant temperature.
 (2)上述した実施例では、FPD1がバックライト9を備えているが、この発明のFPD1はバックライト9を備えている必要はない。 (2) In the embodiment described above, the FPD 1 includes the backlight 9, but the FPD 1 of the present invention does not need to include the backlight 9.
 (3)上述した実施例では、FPD1がベース板7の下面にアクティブマトリクス基板11と変換層13とを備えているが、FPD1がベース板7の上面にアクティブマトリクス基板11と変換層13とを備える形態であってもよい。 (3) In the above-described embodiment, the FPD 1 includes the active matrix substrate 11 and the conversion layer 13 on the lower surface of the base plate 7, but the FPD 1 includes the active matrix substrate 11 and the conversion layer 13 on the upper surface of the base plate 7. It may be a form provided.
 以上のように、この発明は、光または放射線を検出する二次元画像検出器に適している。 As described above, the present invention is suitable for a two-dimensional image detector that detects light or radiation.

Claims (5)

  1.  光または放射線を電荷信号に変換する変換層と、
     前記変換層で変換された電荷信号を蓄積して読み出す蓄積・読み出し基板と、
     前記蓄積・読み出し基板及び前記変換層を一方面に積層して保持するベース板と、
     前記蓄積・読み出し基板と電気的に接続され、前記ベース板の他方面に配置された外部回路と、
     前記ベース板との間で熱交換が可能な状態で、前記ベース板の他方面に配置された熱伝導板と、
     前記熱伝導板に配設され、前記外部回路に対応する位置に配置された第1のペルチェ素子と、
     前記第1のペルチェ素子で発生する熱を誘導するための第1のダクトと、
     前記熱伝導板に配設され、前記外部回路が配置されていない領域に配置された第2のペルチェ素子と、
     前記第2のペルチェ素子で発生する熱を誘導するための第2のダクトと、
     前記第1のダクト及び前記第2のダクトの熱を排出するためのファンと、
     を備えていることを特徴とする二次元画像検出器。
    A conversion layer that converts light or radiation into a charge signal;
    An accumulation / readout substrate for accumulating and reading out charge signals converted by the conversion layer;
    A base plate for laminating and holding the storage / readout substrate and the conversion layer on one surface;
    An external circuit electrically connected to the storage / readout substrate and disposed on the other surface of the base plate;
    A heat conducting plate disposed on the other surface of the base plate in a state in which heat exchange is possible with the base plate;
    A first Peltier element disposed on the heat conducting plate and disposed at a position corresponding to the external circuit;
    A first duct for inducing heat generated in the first Peltier element;
    A second Peltier element disposed on the heat conducting plate and disposed in a region where the external circuit is not disposed;
    A second duct for inducing heat generated in the second Peltier element;
    A fan for exhausting heat from the first duct and the second duct;
    A two-dimensional image detector.
  2.  請求項1に記載の二次元画像検出器において、
     前記外部回路は、発生熱量が多い前段回路と、前記前段回路より発生熱量が少ない後段回路とを備え、
     前記ベース板は、他方面の周辺部に厚さが薄い段部を備え、
     前記前段回路は、前記熱伝導板との間に伝熱部材を介在して前記段部に配置されていることを特徴とする二次元画像検出器。
    The two-dimensional image detector according to claim 1,
    The external circuit includes a front circuit that generates a large amount of heat and a rear circuit that generates less heat than the front circuit.
    The base plate includes a stepped portion having a small thickness at the periphery of the other surface,
    The two-dimensional image detector, wherein the pre-stage circuit is disposed at the step portion with a heat transfer member interposed between the pre-stage circuit and the heat conduction plate.
  3.  請求項2に記載の二次元画像検出器において、
     前記前段回路は、前記ベース板との間に熱絶縁材料を介して配置されていることを特徴とする二次元画像検出器。
    The two-dimensional image detector according to claim 2,
    The two-dimensional image detector, wherein the pre-stage circuit is disposed between the base plate via a heat insulating material.
  4.  請求項2または3に記載の二次元画像検出器において、
     前記後段回路は、前記ベース板との間に熱絶縁材料を介して配置されていることを特徴とする二次元画像検出器。
    The two-dimensional image detector according to claim 2 or 3,
    The two-dimensional image detector, wherein the post-stage circuit is disposed between the base plate and a heat insulating material.
  5.  請求項1から4のいずれかに記載の二次元画像検出器において、
     前記熱伝導板は、前記ベース板の中央部に位置する中央部熱伝導板と、前記外部回路の位置に相当する端部熱伝導板とを備え、互いに分離可能に構成されていることを特徴とする二次元画像検出器。
    The two-dimensional image detector according to any one of claims 1 to 4,
    The heat conductive plate includes a central heat conductive plate located at a central portion of the base plate and an end heat conductive plate corresponding to the position of the external circuit, and is configured to be separable from each other. A two-dimensional image detector.
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