JP2012018017A - Radiographic apparatus - Google Patents

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Haruyasu Nakatsugawa
晴康 中津川
Shoji Nariyuki
書史 成行
Naoto Iwakiri
直人 岩切
Yasuyoshi Ota
恭義 大田
Naoyuki Nishino
直行 西納
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation imaging apparatus capable of photographing various radiation images.SOLUTION: A temperature adjustment part 82 is controlled so that the temperature of a radiation detector 20 is within a temperature range where warpage of the radiation detector 20 caused by temperature change including the temperature when a TFT substrate 30 and a deposition layer 31 having a scintillator 8 are bonded is within a predetermined allowable amount allowing the influence on the radiation images.

Description

本発明は、放射線撮影装置に関する。   The present invention relates to a radiation imaging apparatus.

近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、X線等の放射線を直接デジタルデータに変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器を用いた放射線撮影装置は、従来のX線フィルムやイメージングプレートを用いた放射線撮影装置に比べて、即時に画像を確認でき、連続的に放射線画像の撮影を行う透視撮影(動画撮影)も行うことができるといったメリットがある。   2. Description of the Related Art In recent years, radiation detectors such as FPD (Flat Panel Detector) capable of directly converting radiation such as X-rays into digital data by arranging a radiation sensitive layer on a TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrate have been put into practical use. The radiography apparatus using this radiation detector can see images immediately, compared with conventional radiography apparatuses using X-ray film or imaging plate, and radiographic imaging (moving image) (Photographing) can also be performed.

この種の放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、放射線を一度CsI:Tl、GOS(Gd2O2S:Tb)などのシンチレータで光に変換し、変換した光をフォトダイオードなどのセンサ部で電荷に変換して蓄積する間接変換方式がある。放射線撮影装置では、放射線検出器に蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号をアンプで増幅した後にA/D(アナログ/デジタル)変換部でデジタルデータに変換している。   Various types of radiation detectors of this type have been proposed. For example, radiation is once converted into light by a scintillator such as CsI: Tl or GOS (Gd2O2S: Tb), and the converted light is a photodiode or the like. There is an indirect conversion method in which the sensor unit converts the charges into charges. In the radiation imaging apparatus, the electric charge accumulated in the radiation detector is read as an electric signal, and the read electric signal is amplified by an amplifier and then converted into digital data by an A / D (analog / digital) converter.

ところで、放射線検出器には、温度変化により反りが発生する場合がある。例えば、間接変換方式の放射線検出器は、TFTが形成されたTFT基板と、CsI等を蒸着させてシンチレータが形成された蒸着基板を貼り合わせて形成した場合、TFT基板と蒸着基板の熱膨張率の違いにより、温度変化により反りが発生する。   By the way, the radiation detector may be warped due to a temperature change. For example, the indirect conversion type radiation detector has a coefficient of thermal expansion between the TFT substrate and the vapor deposition substrate when the TFT substrate on which the TFT is formed and the vapor deposition substrate on which the scintillator is formed by vapor deposition of CsI or the like are bonded together. Due to the difference, warping occurs due to temperature change.

この放射線検出器の反りを抑制する技術として、特許文献1には、蛍光体基台/蛍光体/蛍光体保護層からなる蛍光板を、蛍光体保護層面側から光センサーに貼り合せてなる放射線撮像装置において、蛍光板を光センサーに貼り合せ後、蛍光体基台に切り込みを入れる技術が開示されている。   As a technique for suppressing the warpage of the radiation detector, Patent Document 1 discloses a radiation imaging in which a fluorescent plate made of a phosphor base / phosphor / phosphor protective layer is bonded to a photosensor from the phosphor protective layer surface side. In the apparatus, a technique is disclosed in which a fluorescent plate is bonded to an optical sensor and then a phosphor base is cut.

また、特許文献2には、放射線撮影装置内に配置したヒータに通電したり、回路の駆動周波数を変更したり、回路の電源電圧を変更することにより、電源投入直後の消費電力を、内部温度が安定した定常状態の場合よりも大きくすることにより、内部温度が安定するまでの時間を短縮する技術が提案されている。   Further, in Patent Document 2, the power consumption immediately after power-on is changed to the internal temperature by energizing a heater arranged in the radiation imaging apparatus, changing the drive frequency of the circuit, or changing the power supply voltage of the circuit. There has been proposed a technique for shortening the time until the internal temperature becomes stable by making the value larger than that in a stable steady state.

特開2003−270352号公報JP 2003-270352 A 特開2009−292974号公報JP 2009-292974 A

しかしながら、特許文献1の技術は、放射線検出器の反りの発生を抑制できるものの、温度変化により放射線検出器に反りが発生してしまい、撮影される放射線画像に影響がでてしまう。   However, although the technique of Patent Document 1 can suppress the occurrence of warping of the radiation detector, the radiation detector is warped due to a temperature change, and the captured radiographic image is affected.

また、特許文献2の技術は、放射線撮影装置内の温度が安定するまでの時間を短縮できるものの、温度が安定した状態で放射線検出器に反りが発生している場合があり、撮影される放射線画像に影響がでてしまう。   In addition, although the technique of Patent Document 2 can shorten the time until the temperature in the radiation imaging apparatus is stabilized, the radiation detector may be warped in a state where the temperature is stable, and radiation to be imaged. The image will be affected.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる放射線撮像装置の提供を目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a radiation imaging apparatus capable of capturing a radiation image while suppressing the influence of warping.

上記目的を達成するために、請求項1記載の発明の放射線撮影装置は、熱膨張率の異なる平板状の2つの基板を貼り合わされて形成され、放射線画像の撮影を行う撮影パネルと、前記撮影パネルの温度を調整する温度調整手段と、前記撮影パネルの温度が、前記2つの基板の貼り合せ時の温度を含み温度変化による前記撮影パネルの反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量以内となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御する制御手段と、を備えている。   In order to achieve the above object, a radiation imaging apparatus according to claim 1 is formed by bonding two flat substrates having different coefficients of thermal expansion to each other, and an imaging panel for capturing a radiation image, and the imaging Temperature adjusting means for adjusting the temperature of the panel, and a temperature at which the imaging panel includes a temperature at the time of bonding of the two substrates, and warping of the imaging panel due to a temperature change is allowed to have an influence on a radiographic image Control means for controlling the temperature adjusting means so as to be within a temperature range within an allowable amount.

本発明によれば、熱膨張率の異なる平板状の2つの基板を貼り合わされて撮影パネルが形成され、当該撮影パネルにより放射線画像の撮影が行われるものとされており、温度調整手段により、撮影パネルの温度が調整可能とされている。   According to the present invention, two plate-like substrates having different thermal expansion coefficients are bonded together to form an imaging panel, and a radiographic image is taken by the imaging panel. The panel temperature is adjustable.

そして、制御手段により、撮影パネルの温度が、2つの基板の貼り合せ時の温度を含み温度変化による撮影パネルの反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量以内となる温度範囲内となるように温度調整手段が制御される。   Then, by the control means, the temperature of the imaging panel includes a temperature at the time of bonding of the two substrates, and the warping of the imaging panel due to the temperature change is within a predetermined allowable amount in which the influence on the radiation image is allowed. The temperature adjusting means is controlled so that

このように、請求項1に記載の発明によれば、撮影パネルの温度を、2つの基板の貼り合せ時の温度を含み温度変化による撮影パネルの反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量以内となる温度範囲内となるように制御するので、撮影パネルの反りが許容量以内に抑えられるため、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる
なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記撮影パネルを収容する筐体をさらに備え、前記制御手段が、放射線画像の撮影時、前記撮影パネルの反りが前記許容量以内となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御し、非撮影時、前記撮影パネルの反りが筐体に当接せず、筐体内に収まる範囲となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御してもよい。
Thus, according to the first aspect of the invention, the temperature of the imaging panel includes the temperature at the time of bonding of the two substrates, and the warp of the imaging panel due to the temperature change is allowed to have an influence on the radiation image. Since the warping of the imaging panel is suppressed within the allowable amount, the radiation image can be captured while suppressing the influence of the warping. As in the invention described in (1), the apparatus further includes a housing that accommodates the imaging panel, and the control unit is configured to be within a temperature range in which the warping of the imaging panel is within the allowable amount when radiographic images are captured. The temperature adjusting unit may be controlled to control the temperature adjusting unit so that the warp of the photographing panel does not contact the housing and falls within a temperature range within the housing when not photographing. .

また、本発明は、請求項3に記載の発明のように、前記制御手段が、放射線画像の撮影を行う際、前記撮影パネルの温度が前記撮影パネルの反りが前記許容量以内となる温度範囲内である場合、撮影を許可する制御を行ってもよい。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 3, when the control unit performs radiographic image capturing, the temperature of the imaging panel is within a temperature range in which the warp of the imaging panel is within the allowable amount. If it is within the range, control for permitting photographing may be performed.

また、本発明は、請求項4に記載の発明のように、前記2つの基板の一方を入射される放射線を光に変換するシンチレータが形成された基板とし、他方を前記シンチレータで変換された光を検出するセンサ部が形成された基板であることが好ましい。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 4, one of the two substrates is a substrate on which a scintillator that converts incident radiation into light is formed, and the other is light converted by the scintillator. It is preferable that the substrate has a sensor portion for detecting

また、本発明は、請求項5に記載の発明のように、前記撮影パネルが、撮影で使用可能な使用温度範囲の上限又は下限付近で反り量が前記許容量以内となるように形成されてもよい。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 5, the photographing panel is formed so that a warpage amount is within the allowable amount near an upper limit or a lower limit of a usable temperature range usable for photographing. Also good.

また、請求項5記載の発明は、請求項6に記載の発明のように、前記撮影パネルが、前記使用温度範囲の上限付近で反り量が前記許容量以内となり、前記温度調整手段を、前記撮影パネルを加熱する加熱手段としてもよい。   According to a fifth aspect of the present invention, as in the sixth aspect of the present invention, the photographing panel has a warpage amount within the allowable amount near an upper limit of the operating temperature range, and the temperature adjusting means is It may be a heating means for heating the imaging panel.

また、請求項5記載の発明は、請求項7に記載の発明のように、前記撮影パネルが、前記使用温度範囲の下限付近で反り量が前記許容量以内となり、前記温度調整手段を、前記撮影パネルを冷却する冷却手段としてもよい。   According to a fifth aspect of the present invention, as in the seventh aspect of the present invention, the photographing panel has a warpage amount within the allowable amount near a lower limit of the operating temperature range, and the temperature adjusting means is A cooling means for cooling the imaging panel may be used.

また、本発明は、請求項8に記載の発明のように、前記2つの基板の少なくとも一方が、プラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバ、可撓性を有するガラス基板の何れかにより構成されてもよい。   In the present invention, as in the invention described in claim 8, at least one of the two substrates may be formed of any one of plastic resin, aramid, bionanofiber, and a flexible glass substrate. .

本発明の放射線撮影装置は、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる、という優れた効果を有する。   The radiation imaging apparatus of the present invention has an excellent effect that radiographic images can be captured while suppressing the influence of warpage.

実施の形態に係る放射線検出器の構成を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the structure of the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の薄膜トランジスタ及びコンデンサの構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the thin-film transistor and capacitor | condenser of the radiation detector which concern on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the electronic cassette concerning embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the electronic cassette concerning embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器に設けられたコネクタの配置を示す平面図である。It is a top view which shows arrangement | positioning of the connector provided in the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electric system of the electronic cassette concerning embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の温度変化と反り量との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the temperature change of the radiation detector which concerns on embodiment, and the amount of curvature. (A)及び(B)は実施の形態に係る放射線検出器が沿った状態を示す断面図である。(A) And (B) is sectional drawing which shows the state along which the radiation detector which concerns on embodiment followed. 実施の形態に係る放射線検出器に温度センサ及び温度調整部を配置した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which has arrange | positioned the temperature sensor and the temperature adjustment part to the radiation detector which concerns on embodiment. 第2の実施の形態に係る温度制御切替処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the temperature control switching process program which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施の形態に係る放射線検出器の温度変化と反り量との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the temperature change of the radiation detector which concerns on 3rd Embodiment, and curvature amount. 第3の実施の形態に係る放射線検出器に温度センサ及びヒータを配置した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which has arrange | positioned the temperature sensor and the heater to the radiation detector which concerns on 3rd Embodiment. 他の形態に係る放射線検出器に温度センサ、及び温度調整部又はヒータを配置した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which has arrange | positioned the temperature sensor and the temperature adjustment part, or the heater to the radiation detector which concerns on another form. 他の実施の形態に係る放射線検出器の温度変化と反り量との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the temperature change and curvature amount of the radiation detector which concerns on other embodiment. 他の形態に係る放射線検出器に温度センサ、及び冷却機構を配置した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which has arrange | positioned the temperature sensor and the cooling mechanism to the radiation detector which concerns on another form.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、放射線検出器を用いて照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する可搬型放射線画像撮影装置(以下、「電子カセッテ」ともいう。)を用いて放射線画像を撮影する放射線画像撮影システムに本発明を適用した形態例について説明する。
[第1の実施の形態]
まず、本実施の形態に係る放射線検出器20の構成について説明する。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, a radiographic image obtained by imaging a radiographic image using a portable radiographic imaging device (hereinafter also referred to as “electronic cassette”) that captures a radiographic image represented by radiation irradiated using a radiation detector. An example in which the present invention is applied to a photographing system will be described.
[First Embodiment]
First, the configuration of the radiation detector 20 according to the present embodiment will be described.

図1には、本実施形態に係る放射線検出器20の構成を模式的に示した断面図が示されており、図2には、放射線検出器20の構成を示す平面図が示されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the radiation detector 20 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the radiation detector 20. .

図1に示すように、放射線検出器20は、絶縁性基板1に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)10、及びコンデンサ9が形成されたTFTアクティブマトリクス基板(以下、「TFT基板」という)30を備えている。   As shown in FIG. 1, the radiation detector 20 includes a TFT active matrix substrate (hereinafter referred to as “TFT substrate”) 30 in which a thin film transistor (TFT) 10 and a capacitor 9 are formed on an insulating substrate 1. I have.

このTFT基板30上には、入射される放射線を光に変換するシンチレータ8が配置される。   A scintillator 8 that converts incident radiation into light is disposed on the TFT substrate 30.

シンチレータ8としては、例えば、CsI:Tl、GOS(GdS:Tb)を用いることができる。なお、シンチレータ8は、これらの材料に限られるものではない。 As the scintillator 8, for example, CsI: Tl, GOS (Gd 2 O 2 S: Tb) can be used. The scintillator 8 is not limited to these materials.

絶縁性基板1としては、光透過性を有し且つ放射線の吸収が少ないものであれば何れでもよく、例えば、ガラス基板、透明セラミック基板、光透過性の樹脂基板を用いることができる。なお、絶縁性基板1は、これらの材料に限られるものではない。   The insulating substrate 1 may be any substrate as long as it is light transmissive and absorbs little radiation. For example, a glass substrate, a transparent ceramic substrate, or a light transmissive resin substrate can be used. The insulating substrate 1 is not limited to these materials.

TFT基板30には、シンチレータ8によって変換された光が入射されることにより電荷を発生するセンサ部13が形成されている。また、TFT基板30には、TFT基板30上を平坦化するための平坦化層5が形成されている。また、TFT基板30とシンチレータ8との間であって、平坦化層5上には、シンチレータ8をTFT基板30に接着するための接着層7が、形成されている。   The TFT substrate 30 is formed with a sensor unit 13 that generates charges when light converted by the scintillator 8 is incident thereon. Further, a planarizing layer 5 for planarizing the TFT substrate 30 is formed on the TFT substrate 30. An adhesive layer 7 for bonding the scintillator 8 to the TFT substrate 30 is formed between the TFT substrate 30 and the scintillator 8 and on the planarizing layer 5.

センサ部13は、上部電極6、下部電極2、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜4を有している。   The sensor unit 13 includes an upper electrode 6, a lower electrode 2, and a photoelectric conversion film 4 disposed between the upper and lower electrodes.

光電変換膜4は、シンチレータ8から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光電変換膜4は、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができる。アモルファスシリコンを含む光電変換膜4であれば、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ8による発光を吸収することができる。有機光電変換材料を含む光電変換膜4であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ8による発光以外の電磁波が光電変換膜4に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜4で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。   The photoelectric conversion film 4 absorbs light emitted from the scintillator 8 and generates electric charges according to the absorbed light. The photoelectric conversion film 4 may be formed of a material that generates charges when irradiated with light. For example, the photoelectric conversion film 4 can be formed of amorphous silicon, an organic photoelectric conversion material, or the like. The photoelectric conversion film 4 containing amorphous silicon has a wide absorption spectrum and can absorb light emitted by the scintillator 8. If the photoelectric conversion film 4 includes an organic photoelectric conversion material, it has a sharp absorption spectrum in the visible range, and electromagnetic waves other than light emitted by the scintillator 8 are hardly absorbed by the photoelectric conversion film 4, and radiation such as X-rays. Can be effectively suppressed noise generated by the absorption by the photoelectric conversion film 4.

本実施の形態では、光電変換膜4に有機光電変換材料を含んで構成する。有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ8の材料としてCsI(Ti)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜4で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。この光電変換膜4として適用可能な有機光電変換材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   In the present embodiment, the photoelectric conversion film 4 includes an organic photoelectric conversion material. Examples of the organic photoelectric conversion material include quinacridone organic compounds and phthalocyanine organic compounds. For example, since the absorption peak wavelength in the visible region of quinacridone is 560 nm, if quinacridone is used as the organic photoelectric conversion material and CsI (Ti) is used as the material of the scintillator 8, the difference in peak wavelength can be made within 5 nm. Thus, the amount of charge generated in the photoelectric conversion film 4 can be substantially maximized. Since an organic photoelectric conversion material applicable as the photoelectric conversion film 4 is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

図2には、薄膜トランジスタ10、及びコンデンサ9の構成が概略的に示されている。   FIG. 2 schematically shows the configuration of the thin film transistor 10 and the capacitor 9.

絶縁性基板1上には、下部電極2に対応して、下部電極2に移動した電荷を蓄積するコンデンサ9と、コンデンサ9に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する薄膜トランジスタ10が形成されている。コンデンサ9及び薄膜トランジスタ10の形成された領域は、平面視において下部電極2と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部におけるコンデンサ9及び薄膜トランジスタ10とセンサ部13とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器20(画素部)の平面積を最小にするために、コンデンサ9及び薄膜トランジスタ10の形成された領域が下部電極2によって完全に覆われていることが望ましい。   On the insulating substrate 1, a capacitor 9 that accumulates the charges transferred to the lower electrode 2 corresponding to the lower electrode 2, and a thin film transistor 10 that converts the charges accumulated in the capacitor 9 into an electric signal and outputs the electric signal is formed. Has been. The region in which the capacitor 9 and the thin film transistor 10 are formed has a portion that overlaps the lower electrode 2 in plan view. With such a configuration, the capacitor 9 and the thin film transistor 10 in each pixel unit, the sensor unit 13, Will have an overlap in the thickness direction. In order to minimize the plane area of the radiation detector 20 (pixel portion), it is desirable that the region where the capacitor 9 and the thin film transistor 10 are formed is completely covered by the lower electrode 2.

コンデンサ9は、絶縁性基板1と下部電極2との間に設けられた絶縁膜11を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極2と電気的に接続されている。これにより、下部電極2で捕集された電荷をコンデンサ9に移動させることができる。   The capacitor 9 is electrically connected to the corresponding lower electrode 2 through a wiring made of a conductive material formed through an insulating film 11 provided between the insulating substrate 1 and the lower electrode 2. . Thereby, the electric charge collected by the lower electrode 2 can be moved to the capacitor 9.

薄膜トランジスタ10は、ゲート電極15、ゲート絶縁膜16、及び活性層(チャネル層)17が積層され、さらに、活性層17上にソース電極18とドレイン電極19が所定の間隔を開けて形成されている。また、放射線検出器20では、活性層17が非晶質酸化物により形成されている。活性層17を構成する非晶質酸化物としては、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、Ga及びZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO(ZnO)(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnOがより好ましい。 In the thin film transistor 10, a gate electrode 15, a gate insulating film 16, and an active layer (channel layer) 17 are stacked, and a source electrode 18 and a drain electrode 19 are formed on the active layer 17 at a predetermined interval. . In the radiation detector 20, the active layer 17 is formed of an amorphous oxide. The amorphous oxide constituting the active layer 17 is preferably an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn (for example, In—O-based), and at least two of In, Ga, and Zn. An oxide containing In (for example, In—Zn—O, In—Ga, or Ga—Zn—O) is more preferable, and an oxide containing In, Ga, and Zn is particularly preferable. As the In—Ga—Zn—O-based amorphous oxide, an amorphous oxide whose composition in a crystalline state is represented by InGaO 3 (ZnO) m (m is a natural number less than 6) is preferable, and InGaZnO is particularly preferable. 4 is more preferable.

薄膜トランジスタ10の活性層17を非晶質酸化物で形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。   If the active layer 17 of the thin film transistor 10 is formed of an amorphous oxide, it does not absorb radiation such as X-rays, or even if it is absorbed, it remains extremely small, so that the generation of noise is effectively suppressed. be able to.

ここで、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物や、光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板1としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。なお、絶縁性基板1には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。   Here, both the amorphous oxide constituting the active layer 17 of the thin film transistor 10 and the organic photoelectric conversion material constituting the photoelectric conversion film 4 can be formed at a low temperature. Therefore, the insulating substrate 1 is not limited to a substrate having high heat resistance such as a semiconductor substrate, a quartz substrate, and a glass substrate, and a flexible substrate such as plastic, aramid, or bio-nanofiber can also be used. Specifically, flexible materials such as polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), etc. A conductive substrate can be used. If such a plastic flexible substrate is used, it is possible to reduce the weight, which is advantageous for carrying around, for example. The insulating substrate 1 includes an insulating layer for ensuring insulation, a gas barrier layer for preventing permeation of moisture and oxygen, an undercoat layer for improving flatness or adhesion to electrodes, etc. May be provided.

アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITO(indium tin oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して絶縁性基板1を形成してもよい。   Since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce the resistance, and can also be used for automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (indium tin oxide) or a glass substrate, warping after production is small and it is difficult to crack. In addition, aramid can form a substrate thinner than a glass substrate or the like. The insulating substrate 1 may be formed by laminating an ultrathin glass substrate and aramid.

バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60−70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3−7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く絶縁性基板1を形成できる。   Bionanofiber is a composite of cellulose microfibril bundles (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60-70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. A thin insulating substrate 1 can be formed.

TFT基板30には、図3に示すように、上述のセンサ部13、コンデンサ9、薄膜トランジスタ10と、を含んで構成される画素32が一定方向(図3の行方向)及び一定方向に対する交差方向(図3の列方向)に2次元状に複数設けられている。   As shown in FIG. 3, the TFT substrate 30 includes pixels 32 including the sensor unit 13, the capacitor 9, and the thin film transistor 10 described above. A plurality of two-dimensional shapes are provided (in the column direction in FIG. 3).

また、放射線検出器20には、一定方向(行方向)に延設され各薄膜トランジスタ10をオン・オフさせるための複数本のゲート配線34と、交差方向(列方向)に延設されオン状態の薄膜トランジスタ10を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線36が設けられている。   Further, the radiation detector 20 has a plurality of gate wirings 34 extending in a certain direction (row direction) for turning on / off each thin film transistor 10 and a crossing direction (column direction) extending in an on state. A plurality of data wirings 36 for reading out charges through the thin film transistor 10 are provided.

放射線検出器20は、平板状で平面視において外縁に4辺を有する四辺形状をしている。具体的には矩形状に形成されている。   The radiation detector 20 is flat and has a quadrilateral shape with four sides at the outer edge in plan view. Specifically, it is formed in a rectangular shape.

本実施形態に係る放射線検出器20は、図1に示すように、このようなTFT基板30の表面にシンチレータ8が形成される。   In the radiation detector 20 according to this embodiment, the scintillator 8 is formed on the surface of the TFT substrate 30 as shown in FIG.

シンチレータ8は、例えば、CsI:Tl等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板31への蒸着によって形成される。このように蒸着によってシンチレータ8を形成する場合、蒸着基板31は、X線の透過率、コストの面からAlの板がよく使用され、蒸着の際のハンドリング性、自重による反り防止、輻射熱による変形等からある程度(数mm程度)の厚みが必要となる。   For example, the scintillator 8 is formed by vapor deposition on the vapor deposition substrate 31 when it is intended to be formed of a columnar crystal such as CsI: Tl. Thus, when the scintillator 8 is formed by vapor deposition, the vapor deposition substrate 31 is often an Al plate in terms of X-ray transmittance and cost, handling properties during vapor deposition, prevention of warpage due to its own weight, and deformation due to radiant heat. Therefore, a certain thickness (about several mm) is required.

放射線検出器20は、TFT基板30上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ8が形成された蒸着基板31を貼り付けることにより形成される。具体的には、TFT基板30とシンチレータ8が形成された蒸着基板31とを恒温槽内に配置し、温度などの環境を管理した状態でTFT基板30とシンチレータ8を貼り合わせる。   The radiation detector 20 is formed by attaching a vapor deposition substrate 31 on which the scintillator 8 is formed on the TFT substrate 30 using an adhesive resin having low light absorption. Specifically, the TFT substrate 30 and the vapor deposition substrate 31 on which the scintillator 8 is formed are placed in a constant temperature bath, and the TFT substrate 30 and the scintillator 8 are bonded together in a state where the environment such as temperature is controlled.

次に、このような放射線検出器20を内蔵し、放射線画像を撮影する可搬型の放射線撮影装置(以下、電子カセッテという)40の構成について説明する。   Next, the configuration of a portable radiation imaging apparatus (hereinafter referred to as an electronic cassette) 40 that incorporates such a radiation detector 20 and captures a radiation image will be described.

図4には、電子カセッテ40の構成を示す斜視図が示されており、図5には、電子カセッテ40の断面図が示されている。   4 is a perspective view showing the configuration of the electronic cassette 40, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the electronic cassette 40. As shown in FIG.

電子カセッテ40は、放射線を透過させる材料からなる平板状の筐体41を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。電子カセッテ40は、筐体41の内部に放射線検出器20および各種の制御用の集積回路が設けられた制御基板42が順に設けられている。筐体41は、平板状の一方の面の放射線検出器20の配設位置に対応する領域が撮影時に放射線が照射される撮影領域41Aとされている。   The electronic cassette 40 includes a flat housing 41 made of a material that transmits radiation, and has a waterproof and airtight structure. In the electronic cassette 40, a control board 42 in which a radiation detector 20 and various control integrated circuits are provided in a housing 41 is sequentially provided. In the case 41, an area corresponding to the arrangement position of the radiation detector 20 on one flat surface is an imaging area 41A to which the radiation is irradiated during imaging.

筐体41の内部には、図5に示すように、平板状の基台64が設けられている。基台64は支持脚64により筐体41に固定されている。放射線検出器20は基台64の撮影領域41A側の面に配置され、制御基板42は基台64の撮影領域41Aの反対側の面に配置されている。   As shown in FIG. 5, a flat base 64 is provided inside the housing 41. The base 64 is fixed to the housing 41 by support legs 64. The radiation detector 20 is disposed on the surface of the base 64 on the imaging region 41A side, and the control board 42 is disposed on the surface of the base 64 opposite to the imaging region 41A.

放射線検出器20は、図6に示すように、データ配線36方向の一端側に結線用のコネクタ33が複数個並んで設けられ、ゲート配線34方向の一端側にコネクタ35が複数個並んで設けられている。各信号配線24はコネクタ33に接続され、各走査配線22はコネクタ35に接続されている。   As shown in FIG. 6, the radiation detector 20 is provided with a plurality of connection connectors 33 arranged at one end side in the direction of the data wiring 36 and a plurality of connectors 35 arranged at one end side in the direction of the gate wiring 34. It has been. Each signal wiring 24 is connected to a connector 33, and each scanning wiring 22 is connected to a connector 35.

コネクタ33には、フレキシブルケーブル44の一端が電気的に接続され、コネクタ35には、フレキシブルケーブル45の一端が電気的に接続されている。   One end of a flexible cable 44 is electrically connected to the connector 33, and one end of a flexible cable 45 is electrically connected to the connector 35.

制御基板42には、複数個のコネクタ46及びコネクタ48が設けられており、コネクタ46にフレキシブルケーブル44の他端が電気的に接続され、コネクタ48に、フレキシブルケーブル45の他端が電気的に接続されている。   The control board 42 is provided with a plurality of connectors 46 and 48, the other end of the flexible cable 44 is electrically connected to the connector 46, and the other end of the flexible cable 45 is electrically connected to the connector 48. It is connected.

この制御基板42には、後述するゲート線ドライバ52、信号処理部54、画像メモリ56、カセッテ制御部58、無線通信部60等が設けられている。   The control board 42 is provided with a gate line driver 52, a signal processing unit 54, an image memory 56, a cassette control unit 58, a wireless communication unit 60, and the like, which will be described later.

図7には、本実施の形態に係る電子カセッテ40の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。   FIG. 7 is a block diagram showing a main configuration of the electric system of the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment.

TFT基板30の個々のゲート配線34は、フレキシブルケーブル45を介してゲート線ドライバ52に接続され、TFT基板30の個々のデータ配線36は、フレキシブルケーブル44を介して信号処理部54に接続されている。   Each gate wiring 34 of the TFT substrate 30 is connected to the gate line driver 52 via the flexible cable 45, and each data wiring 36 of the TFT substrate 30 is connected to the signal processing unit 54 via the flexible cable 44. Yes.

TFT基板30の各薄膜トランジスタ10は、ゲート線ドライバ52からゲート配線34を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ10によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線36を伝送されて信号処理部54に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。   Each thin film transistor 10 of the TFT substrate 30 is sequentially turned on in a row unit by a signal supplied from the gate line driver 52 via the gate wiring 34, and the electric charge read by the thin film transistor 10 in the on state is converted into an electric signal. The data wiring 36 is transmitted and input to the signal processing unit 54. As a result, the charges are sequentially read out in units of rows, and a two-dimensional radiation image can be acquired.

図示は省略するが、信号処理部54は、個々のデータ配線36毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路及びサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線36を伝送された電気信号は増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。   Although not shown, the signal processing unit 54 includes an amplification circuit and a sample hold circuit for amplifying an input electric signal for each data wiring 36, and the electric signal transmitted through the individual data wiring 36. Is amplified by the amplifier circuit and then held in the sample hold circuit. Further, a multiplexer and an A / D (analog / digital) converter are connected in order to the output side of the sample and hold circuit, and the electric signals held in the individual sample and hold circuits are sequentially (serially) input to the multiplexer. The digital image data is converted by an A / D converter.

信号処理部54には画像メモリ56が接続されており、信号処理部54のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ56に順に記憶される。画像メモリ56は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ56に順次記憶される。   An image memory 56 is connected to the signal processing unit 54, and image data output from the A / D converter of the signal processing unit 54 is sequentially stored in the image memory 56. The image memory 56 has a storage capacity capable of storing a predetermined number of image data, and image data obtained by imaging is sequentially stored in the image memory 56 each time a radiographic image is captured.

画像メモリ56はカセッテ制御部58と接続されている。カセッテ制御部58はマイクロコンピュータによって構成され、CPU(中央処理装置)58A、ROMおよびRAMを含むメモリ58B、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部58Cを備えており、電子カセッテ40全体の動作を制御する。   The image memory 56 is connected to the cassette control unit 58. The cassette control unit 58 includes a microcomputer (CPU) 58A, a memory 58B including a ROM and a RAM, a nonvolatile storage unit 58C including a flash memory, and the like, and operates the entire electronic cassette 40. Control.

また、カセッテ制御部58には無線通信部60が接続されている。無線通信部60は、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部58は、無線通信部60を介して、放射線撮影全体を制御するコンソールなど外部装置と無線通信が可能とされており、コンソールとの間で各種情報の送受信が可能とされている。   A wireless communication unit 60 is connected to the cassette control unit 58. The wireless communication unit 60 corresponds to a wireless local area network (LAN) standard represented by IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.11a / b / g, etc. Control transmission of various information. The cassette control unit 58 can wirelessly communicate with an external device such as a console for controlling the entire radiation imaging via the wireless communication unit 60, and can transmit and receive various types of information to and from the console.

また、電子カセッテ40には、電源部70が設けられており、上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ52、信号処理部54、画像メモリ56、無線通信部60やカセッテ制御部58として機能するマイクロコンピュータ)は、電源部70から供給された電力によって作動する。電源部70は、電子カセッテ40の可搬性を損なわないように、バッテリ(充電可能な二次電池)を内蔵しており、充電されたバッテリから各種回路・素子へ電力を供給する。なお、図7では、電源部70と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。   In addition, the electronic cassette 40 is provided with a power supply unit 70, which functions as the above-described various circuits and elements (gate line driver 52, signal processing unit 54, image memory 56, wireless communication unit 60, and cassette control unit 58). The microcomputer that operates is operated by the power supplied from the power supply unit 70. The power supply unit 70 incorporates a battery (a rechargeable secondary battery) so as not to impair the portability of the electronic cassette 40, and supplies power from the charged battery to various circuits and elements. In FIG. 7, the power supply unit 70, various circuits, and wirings for connecting each element are omitted.

カセッテ制御部58は、ゲート線ドライバ52の動作を制御しており、TFT基板30から放射線画像を示す画像情報の読み出しを制御できる。   The cassette control unit 58 controls the operation of the gate line driver 52 and can control reading of image information indicating a radiation image from the TFT substrate 30.

ところで、放射線検出器20は、絶縁性基板1と蒸着基板31の熱膨張率の違いによって、温度変化により図8に示すように反りが発生する場合がある。   Incidentally, the radiation detector 20 may be warped as shown in FIG. 8 due to a temperature change due to a difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate 1 and the vapor deposition substrate 31.

例えば、絶縁性基板1を厚さが0.7mm、熱膨張率が3ppmのガラスとし、蒸着基板31を厚さが0.5〜0.7mm、熱膨張率が30ppmのAlとした場合、低温の場合、図9(A)に示すように絶縁性基板1側が凸となるように反り、高温の場合、図9(B)に示すように蒸着基板31側が凸となるように反りが発生する。   For example, when the insulating substrate 1 is made of glass having a thickness of 0.7 mm and a thermal expansion coefficient of 3 ppm, and the vapor deposition substrate 31 is made of Al having a thickness of 0.5 to 0.7 mm and a thermal expansion coefficient of 30 ppm, the temperature is low. In the case of FIG. 9A, the insulating substrate 1 side warps so as to be convex, and in the case of a high temperature, the deposition substrate 31 side warps as shown in FIG. 9B. .

そこで、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線検出器20の反りを抑えて放射線画像の撮影を行うため、図10に示すように、放射線検出器20に温度を検出する温度センサ80、及び放射線検出器20の温度を調整する温度調整部82を放射線検出器20のほぼ全面に重ねて設けている。   Therefore, the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment captures a radiographic image while suppressing the warp of the radiation detector 20, and therefore, as shown in FIG. 10, a temperature sensor 80 that detects the temperature on the radiation detector 20, In addition, a temperature adjustment unit 82 that adjusts the temperature of the radiation detector 20 is provided so as to overlap almost the entire surface of the radiation detector 20.

この温度調整部82は、例えば、ペルチェ素子により構成した場合、ペルチェ素子を構成する2種類の金属間に流す電流の方向を変えることにより、放射線検出器20を加熱及び冷却できる。なお、温度調整部82としてヒータや冷却機構をそれぞれ設けて放射線検出器20を加熱及び冷却してもよい。温度調整部82は、放射線検出器20がTFT基板30と蒸着基板31を貼り付けて形成している場合、少なくとも熱膨張率が高い方の基板側に設けることが好ましい。   For example, when the temperature adjusting unit 82 is configured by a Peltier element, the radiation detector 20 can be heated and cooled by changing the direction of a current flowing between two types of metals that configure the Peltier element. Note that a heater or a cooling mechanism may be provided as the temperature adjustment unit 82 to heat and cool the radiation detector 20. When the radiation detector 20 is formed by attaching the TFT substrate 30 and the vapor deposition substrate 31, the temperature adjustment unit 82 is preferably provided on at least the substrate side having a higher coefficient of thermal expansion.

温度センサ80及び温度調整部82は、図7に示すように、カセッテ制御部58に接続されている。カセッテ制御部58は、温度センサ80により検出された温度を把握できる。また、カセッテ制御部58は、温度調整部82により放射線検出器20を加熱又は冷却することにより放射線検出器20の温度を制御できる。   The temperature sensor 80 and the temperature adjustment unit 82 are connected to a cassette control unit 58 as shown in FIG. The cassette control unit 58 can grasp the temperature detected by the temperature sensor 80. The cassette control unit 58 can control the temperature of the radiation detector 20 by heating or cooling the radiation detector 20 by the temperature adjustment unit 82.

ところで、放射線検出器20は、上述したように、恒温槽内でTFT基板30と蒸着基板31を貼り合わせることにより形成するが、TFT基板30と蒸着基板31の膨張変化を安定させてから貼り合わせることにより、貼り合せ時に反りがほぼ無い状態で形成できる。例えば、恒温槽内を18℃としてTFT基板30と蒸着基板31を貼り合わせることにより、図8に示すように18℃付近で反りがほぼ無い状態となる。   By the way, as described above, the radiation detector 20 is formed by bonding the TFT substrate 30 and the vapor deposition substrate 31 in a constant temperature bath. However, the radiation detector 20 is bonded after stabilizing the expansion change of the TFT substrate 30 and the vapor deposition substrate 31. Thus, it can be formed with almost no warping at the time of bonding. For example, when the inside of the thermostatic chamber is set to 18 ° C., the TFT substrate 30 and the vapor deposition substrate 31 are bonded together, so that there is almost no warpage around 18 ° C. as shown in FIG.

本実施の形態では、カセッテ制御部58の記憶部58Cに蒸着基板31とTFT基板30の貼り合せ時の温度を含み、放射線検出器20の反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量X以内となる所定の温度範囲HAを記憶しており、カセッテ制御部58は、放射線検出器20の温度が温度範囲HAとなるように温度調整部82を制御する。   In the present embodiment, the storage unit 58C of the cassette control unit 58 includes a temperature at the time of bonding of the vapor deposition substrate 31 and the TFT substrate 30, and the warp of the radiation detector 20 is allowed to have a predetermined permission that is allowed to affect the radiation image. A predetermined temperature range HA within the capacity X is stored, and the cassette control unit 58 controls the temperature adjustment unit 82 so that the temperature of the radiation detector 20 falls within the temperature range HA.

このように本実施の形態によれば、蒸着基板31とTFT基板30の貼り合せ時の温度を含む温度範囲HAとなるように制御することにより、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる。   As described above, according to the present embodiment, the radiation image can be taken while suppressing the influence of the warp by controlling the temperature range HA to include the temperature at the time of bonding the vapor deposition substrate 31 and the TFT substrate 30.

[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態について説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described.

第2の実施の形態に係る放射線検出器20、電子カセッテ40の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図10参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。   Since the configurations of the radiation detector 20 and the electronic cassette 40 according to the second embodiment are the same as those of the first embodiment (see FIGS. 1 to 10), description thereof is omitted here.

ところで、フイルムやイメージングプレートを内蔵したカセッテは、JIS(日本工業規格) Z4905に外形サイズの規格が定められている。電子カセッテ40は、フイルムやイメージングプレートを内蔵したカセッテに置き換えて使用可能とするためには、JIS Z4905の外形サイズを満たす必要があり、厚さを14mm(±1mm)以下とする必要がある。また、電子カセッテ40は、横臥している患者の体の下部への挿入して撮影を行う場合があり、薄い方が取り扱いが容易となる。   By the way, a cassette having a built-in film and an imaging plate has an outer size standard defined in JIS (Japanese Industrial Standard) Z4905. In order to use the electronic cassette 40 by replacing it with a cassette incorporating a film or an imaging plate, it is necessary to satisfy the outer size of JIS Z4905, and the thickness needs to be 14 mm (± 1 mm) or less. In some cases, the electronic cassette 40 is inserted into the lower part of the body of a lying patient to perform imaging, and the thinner one is easier to handle.

しかしながら、電子カセッテ40は、薄くなるほど放射線検出器20が反ったときに放射線検出器20が筐体41に当接しないように予め高くしておくことが難しい。   However, it is difficult for the electronic cassette 40 to be raised in advance so that the radiation detector 20 does not come into contact with the housing 41 when the radiation detector 20 warps as the thickness becomes thinner.

一方、電子カセッテ40は、撮影を行わない待機時、筐体41に当接しない程度であれば放射線検出器20が反っていても影響がない。   On the other hand, the electronic cassette 40 is not affected even if the radiation detector 20 is warped as long as it does not contact the casing 41 during standby when no image is taken.

そこで、本実施の形態では、待機時と放射線画像の撮影時とで反りの許容量を変更している。具体的には、カセッテ制御部58の記憶部58Cに、カセッテ制御部58の記憶部58Cに放射線検出器20の反りが筐体41に当接せず、筐体内に収まる範囲(図8の反り量が+Y〜−Yの範囲)となる温度範囲HBを待機温度範囲として記憶し、放射線検出器20の反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量X以内となる温度範囲HAを撮影温度範囲として記憶している。そして、カセッテ制御部58は、待機時には放射線検出器20の温度が待温度範囲となるように制御し、撮影時には放射線検出器20の温度が撮影温度範囲となるように制御する。   Therefore, in the present embodiment, the allowable amount of warpage is changed between standby and radiographic image capturing. Specifically, in the storage unit 58C of the cassette control unit 58, the warp of the radiation detector 20 does not come into contact with the casing 41 in the storage unit 58C of the cassette control unit 58, and is within the range (the warp in FIG. 8). The temperature range HB in which the amount is in the range of + Y to -Y) is stored as the standby temperature range, and the temperature range HA in which the warp of the radiation detector 20 is within a predetermined allowable amount X in which the influence on the radiation image is allowed It is stored as a shooting temperature range. The cassette control unit 58 controls the temperature of the radiation detector 20 to be in the waiting temperature range during standby, and controls the temperature of the radiation detector 20 to be within the imaging temperature range during imaging.

本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線画像を撮影する場合、放射線画像の撮影を制御する制御装置(所謂、コンソール)から撮影温度範囲への切り替え指示が通知される。   In the electronic cassette 40 according to the present embodiment, when a radiographic image is captured, an instruction to switch to the imaging temperature range is notified from a control device (so-called console) that controls radiographic image capturing.

カセッテ制御部58は、起動後、放射線検出器20が待機温度範囲内となるように温度調整部82の制御を行い、コンソールから撮影温度範囲への切り替え指示が通知されると、放射線検出器20が撮影温度範囲内となるように温度調整部82の制御を切り替え、放射線検出器20の温度が撮影温度範囲内となるとコンソールへ撮影許可を通知する。そして、カセッテ制御部58は、撮影が終了後、放射線検出器20が撮影温度範囲内となるように温度調整部82の制御を切り替える。   After the activation, the cassette control unit 58 controls the temperature adjustment unit 82 so that the radiation detector 20 is within the standby temperature range, and when the switching instruction to the imaging temperature range is notified from the console, the radiation detector 20. Is switched so that the temperature is within the imaging temperature range, and imaging permission is notified to the console when the temperature of the radiation detector 20 is within the imaging temperature range. Then, the cassette control unit 58 switches the control of the temperature adjustment unit 82 so that the radiation detector 20 is within the imaging temperature range after the imaging is completed.

図11には、コンソールから撮影温度範囲への切り替え指示が通知された際に、CPU58Aにより実行される温度制御切替処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、当該プログラムはメモリ58のROMの所定の領域に予め記憶されている。   FIG. 11 shows a flowchart showing the flow of the temperature control switching processing program executed by the CPU 58A when an instruction to switch to the photographing temperature range is notified from the console. The program is stored in advance in a predetermined area of the ROM of the memory 58.

ステップS10では、放射線検出器20が撮影温度範囲内となるように温度調整部82の制御を開始する。   In step S10, control of the temperature adjustment unit 82 is started so that the radiation detector 20 is within the imaging temperature range.

次のステップS12では、放射線検出器20の温度が撮影温度範囲内となったか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS14へ移行し、否定判定となった場合は再度ステップS12へ移行して放射線検出器20の温度が撮影温度範囲内となるまで待つ。   In the next step S12, it is determined whether or not the temperature of the radiation detector 20 is within the imaging temperature range. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S14. If the determination is negative, the process returns to step S12. The process waits until the temperature of the radiation detector 20 falls within the imaging temperature range.

ステップS14では、コンソールへ撮影許可を通知する。   In step S14, the photographing permission is notified to the console.

これにより、放射線画像の撮影が行われる。   Thereby, the radiographic image is taken.

次のステップS16では、放射線画像の撮影が終了したか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS18へ移行し、否定判定となった場合は再度ステップS16へ移行して撮影の終了待ちを行う。   In the next step S16, it is determined whether or not the radiographic image capturing has been completed. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S18. If the determination is negative, the process proceeds to step S16 again to complete the imaging. Wait.

ステップS18では、放射線検出器20が待機温度範囲内となるように温度調整部82の制御を開始し、処理を終了する。   In step S18, control of the temperature adjustment unit 82 is started so that the radiation detector 20 is within the standby temperature range, and the process is terminated.

このように本実施の形態によれば、撮影時に温度範囲HAとなるように制御することにより、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to capture a radiographic image while suppressing the influence of warping by controlling the temperature range HA during imaging.

また、本実施の形態によれば、待機時に、放射線検出器20の反りが筐体41に当接せず、筐体内に収まる範囲となる温度範囲HBに切り替えることにより、撮影時ほど狭い範囲に温度制御する必要がないため、温度制御のための消費電力を抑制できる。   Further, according to the present embodiment, at the time of standby, the curvature of the radiation detector 20 is not brought into contact with the housing 41, and is switched to the temperature range HB that is within the housing, so that the range becomes as narrow as the time of photographing. Since there is no need for temperature control, power consumption for temperature control can be suppressed.

[第3の実施の形態]
次に、第3の実施の形態について説明する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described.

第3の実施の形態に係る放射線検出器20、電子カセッテ40の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図10参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。   Since the configurations of the radiation detector 20 and the electronic cassette 40 according to the third embodiment are the same as those of the first embodiment (see FIGS. 1 to 10), description thereof is omitted here.

ところで、電子カセッテ40は、患者に接触して撮影を行う場合もある。また、電子カセッテ40は、温度によって内蔵された電子機器にノイズ等が発生する。このため、電子カセッテ40は、撮影で使用可能な使用温度範囲が定められている(例えば、10℃〜40℃)。   By the way, the electronic cassette 40 may be photographed in contact with a patient. Further, the electronic cassette 40 generates noise or the like in an electronic device built in depending on the temperature. For this reason, as for the electronic cassette 40, the use temperature range which can be used by imaging | photography is defined (for example, 10 to 40 degreeC).

本実施の形態では、放射線検出器20が、図12に示すように、使用温度範囲の上限付近で、放射線検出器20の反りが放射線画像への影響が許容される許容量X以内となるように形成されている。具体的には、TFT基板30と蒸着基板31を貼り合わせる際に、恒温槽内の温度を、使用温度範囲の上限付近の温度することにより、使用温度範囲の上限付近で反りがほぼ無い状態で形成している。   In the present embodiment, as shown in FIG. 12, the radiation detector 20 is warped near the upper limit of the operating temperature range so that the curvature of the radiation detector 20 is within an allowable amount X that is allowed to affect the radiation image. Is formed. Specifically, when the TFT substrate 30 and the vapor deposition substrate 31 are bonded together, the temperature in the thermostatic chamber is set to a temperature near the upper limit of the use temperature range, so that there is almost no warpage near the upper limit of the use temperature range. Forming.

また、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線検出器20の温度を調整する機構として温度調整部82として、放射線検出器20を加熱するヒータ82Aが設けられている。   In addition, the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment is provided with a heater 82 </ b> A that heats the radiation detector 20 as a temperature adjustment unit 82 as a mechanism for adjusting the temperature of the radiation detector 20.

そして、カセッテ制御部58の記憶部58Cには、使用温度範囲内で放射線検出器20の反り量が上記許容量X以内となる温度範囲HCを記憶しており、カセッテ制御部58は、放射線検出器20の温度が温度範囲HCとなるようにヒータ82Aを制御する。   The storage unit 58C of the cassette control unit 58 stores a temperature range HC in which the amount of warpage of the radiation detector 20 is within the allowable amount X within the operating temperature range. The heater 82A is controlled so that the temperature of the vessel 20 falls within the temperature range HC.

このように本実施の形態によれば、放射線検出器20を使用可能な温度範囲の上限付近で反り量が許容量Xとなるように形成し、ヒータ82Aにより加熱して放射線検出器20の温度が温度範囲HCとなるように放射線検出器20の温度を制御することにより、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる。   As described above, according to the present embodiment, the radiation detector 20 is formed so that the amount of warpage becomes the allowable amount X near the upper limit of the usable temperature range, and is heated by the heater 82A to be the temperature of the radiation detector 20. By controlling the temperature of the radiation detector 20 so as to be in the temperature range HC, it is possible to capture a radiation image while suppressing the influence of warping.

また、本実施の形態によれば、放射線検出器20の反り量が上記許容量X以内に制御する際に、放射線検出器20の冷却を行う必要がなく、加熱のみでよいため、温度調整部82の構成を簡略化できる。   Further, according to the present embodiment, when the amount of warpage of the radiation detector 20 is controlled within the allowable amount X, it is not necessary to cool the radiation detector 20 and only heating is required. The configuration of 82 can be simplified.

以上、本発明を第1〜第3の実施の形態を用いて説明したが、上述した各実施の形態をそれぞれ独立して実施するだけでなく、各実施の形態を適宜組み合わせてもよい。また、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。例えば、第3の実施の形態において、放射線検出器20の温度範囲を、第2の実施の形態と同様に、待機時に放射線検出器20の反りが筐体41に当接しない待機温度範囲と、撮影時に放射線検出器20の反りが許容量X以内となる撮影温度範囲に制御するようにしてもよい。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using the 1st-3rd embodiment, not only each embodiment mentioned above is implemented independently, but you may combine each embodiment suitably. The technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiment. Various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment without departing from the gist of the invention, and embodiments to which such modifications or improvements are added are also included in the technical scope of the present invention. For example, in the third embodiment, similarly to the second embodiment, the temperature range of the radiation detector 20 is set to a standby temperature range in which the warp of the radiation detector 20 does not contact the housing 41 during standby, You may make it control to the imaging | photography temperature range from which the curvature of the radiation detector 20 becomes less than the tolerance | permissible_quantity X at the time of imaging | photography.

また、上記各実施の形態では、可搬型の放射線撮影装置である電子カセッテ40に本発明を適応した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、据置型の放射線撮影装置に適用してもよい。   In each of the above embodiments, the case where the present invention is applied to the electronic cassette 40 which is a portable radiation imaging apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and a stationary radiation imaging apparatus is provided. You may apply to.

また、上記各実施の形態では、図10、図13に示すように放射線検出器20のほぼ全面に温度調整部82又はヒータ82Aを設けた場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図14に示すように、放射線検出器20のほぼ全面に熱伝導性シート83を配置し、温度調整部82が熱伝導性シート83を介して冷却又は加熱を行うようにしてもよい。   Further, in each of the above-described embodiments, the case where the temperature adjustment unit 82 or the heater 82A is provided on almost the entire surface of the radiation detector 20 as shown in FIGS. 10 and 13 is described, but the present invention is not limited to this. . For example, as shown in FIG. 14, a heat conductive sheet 83 may be disposed on almost the entire surface of the radiation detector 20, and the temperature adjustment unit 82 may perform cooling or heating via the heat conductive sheet 83.

また、上記第3の実施の形態では、放射線検出器20を使用可能な温度範囲の上限付近で反り量が許容量となるように形成し、加熱により放射線検出器20の反り量を制御する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図15に示すように、放射線検出器20を使用可能な温度範囲の下限付近で反り量が許容量Xとなるように形成すると共に、図16に示すように、放射線検出器20のほぼ全面に冷却機構82Bを設け、冷却により使用温度範囲内で放射線検出器20の反り量が上記許容量X以内となる温度範囲HDに放射線検出器20を冷却するようにしてもよい。   Further, in the third embodiment, the radiation detector 20 is formed so that the amount of warpage becomes an allowable amount near the upper limit of the usable temperature range, and the amount of warpage of the radiation detector 20 is controlled by heating. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 15, the radiation detector 20 is formed so that the amount of warpage becomes an allowable amount X near the lower limit of the usable temperature range, and as shown in FIG. A cooling mechanism 82B may be provided on the entire surface, and the radiation detector 20 may be cooled to a temperature range HD in which the amount of warpage of the radiation detector 20 is within the allowable amount X within the operating temperature range by cooling.

このように、放射線検出器20を使用可能な温度範囲の上限又は下限付近で反り量が許容量Xとなるように形成することにより、ヒーターによる加熱或いは冷却機構82Bによる冷却のどちらか一方で保管温度まで対応できるようになる。撮影は必ずしも病院内だけではなく、例えば、寒冷地での撮影が主の場合は、貼り付け温度を下げることで、寒冷地仕様カセッテなんかも製造可能することができる。   Thus, by forming the radiation detector 20 so that the amount of warpage becomes an allowable amount X near the upper or lower limit of the usable temperature range, either the heating by the heater or the cooling by the cooling mechanism 82B is stored. It becomes possible to cope with temperature. For example, when shooting is mainly performed in a cold district, the cassette for cold district specification can be manufactured by lowering the affixing temperature.

上述のように、放射線検出器20は、恒温槽内でTFT基板30と蒸着基板31の膨張変化を安定させてから貼り合わせることにより、貼り合せ時に反りがほぼ無い状態で形成できる。このため、電子カセッテ40の使用環境(海外での使用を考えた場合、使用される国の平均気温、医療状況(病院の空調の有無)等)を考慮して、ある特定の国の使用環境に合わせて貼り合わせ時の温度を変えてもよく、例えば、例えば、電子カセッテ40の使用環境の平均気温を貼り合わせ時の温度としてもよい。これにより、放射線検出器20の反りを抑えるために、加熱或いは冷却を行う必要を抑制することができる。   As described above, the radiation detector 20 can be formed in a state where there is almost no warping at the time of bonding by bonding after stabilizing the expansion change of the TFT substrate 30 and the vapor deposition substrate 31 in the thermostat. For this reason, considering the usage environment of the electronic cassette 40 (when considering use overseas, the average temperature in the country where it is used, the medical situation (whether the hospital has air conditioning, etc.), etc.) The temperature at the time of bonding may be changed in accordance with, for example, the average temperature of the usage environment of the electronic cassette 40 may be set as the temperature at the time of bonding. Thereby, in order to suppress the curvature of the radiation detector 20, the necessity to perform heating or cooling can be suppressed.

1 絶縁性基板
8 シンチレータ
13 センサ部
20 放射線検出器(撮影パネル)
30 TFT基板
31 蒸着基板
40 電子カセッテ
41 筐体
42 制御基板
58 カセッテ制御部
58A CPU
58B メモリ
58C 記憶部
80 温度センサ
82 温度調整部(温度調整手段)
82A ヒータ(加熱手段)
82B 冷却機構(冷却手段)
83 熱伝導性シート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating board 8 Scintillator 13 Sensor part 20 Radiation detector (imaging panel)
30 TFT substrate 31 Vapor deposition substrate 40 Electronic cassette 41 Case 42 Control substrate 58 Cassette control unit 58A CPU
58B Memory 58C Storage part 80 Temperature sensor 82 Temperature adjustment part (Temperature adjustment means)
82A heater (heating means)
82B Cooling mechanism (cooling means)
83 Thermally conductive sheet

Claims (8)

熱膨張率の異なる平板状の2つの基板を貼り合わされて形成され、放射線画像の撮影を行う撮影パネルと、
前記撮影パネルの温度を調整する温度調整手段と、
前記撮影パネルの温度が、前記2つの基板の貼り合せ時の温度を含み温度変化による前記撮影パネルの反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量以内となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御する制御手段と、
を備えた放射線撮影装置。
An imaging panel that is formed by laminating two flat substrates having different thermal expansion coefficients, and that captures radiographic images;
Temperature adjusting means for adjusting the temperature of the photographing panel;
The temperature of the imaging panel includes a temperature at the time of bonding of the two substrates, and the warp of the imaging panel due to the temperature change is within a predetermined allowable range in which the influence on the radiation image is allowed. Control means for controlling the temperature adjusting means;
A radiography apparatus comprising:
前記撮影パネルを収容する筐体をさらに備え、
前記制御手段は、放射線画像の撮影時、前記撮影パネルの反りが前記許容量以内となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御し、非撮影時、前記撮影パネルの反りが筐体に当接せず、筐体内に収まる範囲となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御する
請求項1記載の放射線撮影装置。
A housing for accommodating the photographing panel;
The control means controls the temperature adjusting means so that the curvature of the imaging panel is within the allowable range when capturing a radiographic image, and the curvature of the imaging panel is a case when not capturing. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the temperature adjusting unit is controlled so as to be within a temperature range that is within a range that does not abut on the housing and is within a housing.
前記制御手段は、放射線画像の撮影を行う際、前記撮影パネルの温度が前記撮影パネルの反りが前記許容量以内となる温度範囲内である場合、撮影を許可する制御を行う
請求項1又は請求項2記載の放射線撮影装置。
The said control means performs control which permits imaging | photography, when the temperature of the said imaging panel is in the temperature range in which the curvature of the said imaging panel becomes less than the said allowable amount when imaging | photography of a radiographic image. Item 3. The radiographic apparatus according to Item 2.
前記2つの基板の一方を入射される放射線を光に変換するシンチレータが形成された基板とし、他方を前記シンチレータで変換された光を検出するセンサ部が形成された基板とした
請求項1〜請求項3の何れか1項記載の放射線撮影装置。
The one of the two substrates is a substrate on which a scintillator that converts incident radiation into light is formed, and the other is a substrate on which a sensor unit that detects light converted by the scintillator is formed. Item 4. The radiographic apparatus according to any one of Items3.
前記撮影パネルは、撮影で使用可能な使用温度範囲の上限又は下限付近で反り量が前記許容量以内となるように形成された
請求項1〜請求項4の何れか1項記載の放射線撮影装置。
The radiographic apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the imaging panel is formed such that a warpage amount is within the allowable amount near an upper limit or a lower limit of a usable temperature range usable for imaging. .
前記撮影パネルは、前記使用温度範囲の上限付近で反り量が前記許容量以内となり、
前記温度調整手段を、前記撮影パネルを加熱する加熱手段とした
請求項5記載の放射線撮影装置。
The photographing panel has a warpage amount within the allowable amount near the upper limit of the operating temperature range,
The radiation imaging apparatus according to claim 5, wherein the temperature adjusting unit is a heating unit that heats the imaging panel.
前記撮影パネルは、前記使用温度範囲の下限付近で反り量が前記許容量以内となり、
前記温度調整手段を、前記撮影パネルを冷却する冷却手段とした
請求項5記載の放射線撮影装置。
The photographing panel has a warpage amount within the allowable amount near the lower limit of the operating temperature range,
The radiation imaging apparatus according to claim 5, wherein the temperature adjustment unit is a cooling unit that cools the imaging panel.
前記2つの基板の少なくとも一方は、プラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバ、可撓性を有するガラス基板の何れかにより構成された
請求項3記載の放射線撮影装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 3, wherein at least one of the two substrates is made of any one of a plastic resin, an aramid, a bionanofiber, and a flexible glass substrate.
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