JP2012018017A - Radiographic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、放射線撮影装置に関する。 The present invention relates to a radiation imaging apparatus.
近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、X線等の放射線を直接デジタルデータに変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器を用いた放射線撮影装置は、従来のX線フィルムやイメージングプレートを用いた放射線撮影装置に比べて、即時に画像を確認でき、連続的に放射線画像の撮影を行う透視撮影(動画撮影)も行うことができるといったメリットがある。 2. Description of the Related Art In recent years, radiation detectors such as FPD (Flat Panel Detector) capable of directly converting radiation such as X-rays into digital data by arranging a radiation sensitive layer on a TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrate have been put into practical use. The radiography apparatus using this radiation detector can see images immediately, compared with conventional radiography apparatuses using X-ray film or imaging plate, and radiographic imaging (moving image) (Photographing) can also be performed.
この種の放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、放射線を一度CsI:Tl、GOS(Gd2O2S:Tb)などのシンチレータで光に変換し、変換した光をフォトダイオードなどのセンサ部で電荷に変換して蓄積する間接変換方式がある。放射線撮影装置では、放射線検出器に蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号をアンプで増幅した後にA/D(アナログ/デジタル)変換部でデジタルデータに変換している。 Various types of radiation detectors of this type have been proposed. For example, radiation is once converted into light by a scintillator such as CsI: Tl or GOS (Gd2O2S: Tb), and the converted light is a photodiode or the like. There is an indirect conversion method in which the sensor unit converts the charges into charges. In the radiation imaging apparatus, the electric charge accumulated in the radiation detector is read as an electric signal, and the read electric signal is amplified by an amplifier and then converted into digital data by an A / D (analog / digital) converter.
ところで、放射線検出器には、温度変化により反りが発生する場合がある。例えば、間接変換方式の放射線検出器は、TFTが形成されたTFT基板と、CsI等を蒸着させてシンチレータが形成された蒸着基板を貼り合わせて形成した場合、TFT基板と蒸着基板の熱膨張率の違いにより、温度変化により反りが発生する。 By the way, the radiation detector may be warped due to a temperature change. For example, the indirect conversion type radiation detector has a coefficient of thermal expansion between the TFT substrate and the vapor deposition substrate when the TFT substrate on which the TFT is formed and the vapor deposition substrate on which the scintillator is formed by vapor deposition of CsI or the like are bonded together. Due to the difference, warping occurs due to temperature change.
この放射線検出器の反りを抑制する技術として、特許文献1には、蛍光体基台/蛍光体/蛍光体保護層からなる蛍光板を、蛍光体保護層面側から光センサーに貼り合せてなる放射線撮像装置において、蛍光板を光センサーに貼り合せ後、蛍光体基台に切り込みを入れる技術が開示されている。
As a technique for suppressing the warpage of the radiation detector,
また、特許文献2には、放射線撮影装置内に配置したヒータに通電したり、回路の駆動周波数を変更したり、回路の電源電圧を変更することにより、電源投入直後の消費電力を、内部温度が安定した定常状態の場合よりも大きくすることにより、内部温度が安定するまでの時間を短縮する技術が提案されている。
Further, in
しかしながら、特許文献1の技術は、放射線検出器の反りの発生を抑制できるものの、温度変化により放射線検出器に反りが発生してしまい、撮影される放射線画像に影響がでてしまう。
However, although the technique of
また、特許文献2の技術は、放射線撮影装置内の温度が安定するまでの時間を短縮できるものの、温度が安定した状態で放射線検出器に反りが発生している場合があり、撮影される放射線画像に影響がでてしまう。
In addition, although the technique of
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる放射線撮像装置の提供を目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a radiation imaging apparatus capable of capturing a radiation image while suppressing the influence of warping.
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明の放射線撮影装置は、熱膨張率の異なる平板状の2つの基板を貼り合わされて形成され、放射線画像の撮影を行う撮影パネルと、前記撮影パネルの温度を調整する温度調整手段と、前記撮影パネルの温度が、前記2つの基板の貼り合せ時の温度を含み温度変化による前記撮影パネルの反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量以内となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御する制御手段と、を備えている。
In order to achieve the above object, a radiation imaging apparatus according to
本発明によれば、熱膨張率の異なる平板状の2つの基板を貼り合わされて撮影パネルが形成され、当該撮影パネルにより放射線画像の撮影が行われるものとされており、温度調整手段により、撮影パネルの温度が調整可能とされている。 According to the present invention, two plate-like substrates having different thermal expansion coefficients are bonded together to form an imaging panel, and a radiographic image is taken by the imaging panel. The panel temperature is adjustable.
そして、制御手段により、撮影パネルの温度が、2つの基板の貼り合せ時の温度を含み温度変化による撮影パネルの反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量以内となる温度範囲内となるように温度調整手段が制御される。 Then, by the control means, the temperature of the imaging panel includes a temperature at the time of bonding of the two substrates, and the warping of the imaging panel due to the temperature change is within a predetermined allowable amount in which the influence on the radiation image is allowed. The temperature adjusting means is controlled so that
このように、請求項1に記載の発明によれば、撮影パネルの温度を、2つの基板の貼り合せ時の温度を含み温度変化による撮影パネルの反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量以内となる温度範囲内となるように制御するので、撮影パネルの反りが許容量以内に抑えられるため、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる
なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記撮影パネルを収容する筐体をさらに備え、前記制御手段が、放射線画像の撮影時、前記撮影パネルの反りが前記許容量以内となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御し、非撮影時、前記撮影パネルの反りが筐体に当接せず、筐体内に収まる範囲となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御してもよい。
Thus, according to the first aspect of the invention, the temperature of the imaging panel includes the temperature at the time of bonding of the two substrates, and the warp of the imaging panel due to the temperature change is allowed to have an influence on the radiation image. Since the warping of the imaging panel is suppressed within the allowable amount, the radiation image can be captured while suppressing the influence of the warping. As in the invention described in (1), the apparatus further includes a housing that accommodates the imaging panel, and the control unit is configured to be within a temperature range in which the warping of the imaging panel is within the allowable amount when radiographic images are captured. The temperature adjusting unit may be controlled to control the temperature adjusting unit so that the warp of the photographing panel does not contact the housing and falls within a temperature range within the housing when not photographing. .
また、本発明は、請求項3に記載の発明のように、前記制御手段が、放射線画像の撮影を行う際、前記撮影パネルの温度が前記撮影パネルの反りが前記許容量以内となる温度範囲内である場合、撮影を許可する制御を行ってもよい。 Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 3, when the control unit performs radiographic image capturing, the temperature of the imaging panel is within a temperature range in which the warp of the imaging panel is within the allowable amount. If it is within the range, control for permitting photographing may be performed.
また、本発明は、請求項4に記載の発明のように、前記2つの基板の一方を入射される放射線を光に変換するシンチレータが形成された基板とし、他方を前記シンチレータで変換された光を検出するセンサ部が形成された基板であることが好ましい。
Further, according to the present invention, as in the invention described in
また、本発明は、請求項5に記載の発明のように、前記撮影パネルが、撮影で使用可能な使用温度範囲の上限又は下限付近で反り量が前記許容量以内となるように形成されてもよい。
Further, according to the present invention, as in the invention described in
また、請求項5記載の発明は、請求項6に記載の発明のように、前記撮影パネルが、前記使用温度範囲の上限付近で反り量が前記許容量以内となり、前記温度調整手段を、前記撮影パネルを加熱する加熱手段としてもよい。 According to a fifth aspect of the present invention, as in the sixth aspect of the present invention, the photographing panel has a warpage amount within the allowable amount near an upper limit of the operating temperature range, and the temperature adjusting means is It may be a heating means for heating the imaging panel.
また、請求項5記載の発明は、請求項7に記載の発明のように、前記撮影パネルが、前記使用温度範囲の下限付近で反り量が前記許容量以内となり、前記温度調整手段を、前記撮影パネルを冷却する冷却手段としてもよい。 According to a fifth aspect of the present invention, as in the seventh aspect of the present invention, the photographing panel has a warpage amount within the allowable amount near a lower limit of the operating temperature range, and the temperature adjusting means is A cooling means for cooling the imaging panel may be used.
また、本発明は、請求項8に記載の発明のように、前記2つの基板の少なくとも一方が、プラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバ、可撓性を有するガラス基板の何れかにより構成されてもよい。
In the present invention, as in the invention described in
本発明の放射線撮影装置は、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる、という優れた効果を有する。 The radiation imaging apparatus of the present invention has an excellent effect that radiographic images can be captured while suppressing the influence of warpage.
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、放射線検出器を用いて照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する可搬型放射線画像撮影装置(以下、「電子カセッテ」ともいう。)を用いて放射線画像を撮影する放射線画像撮影システムに本発明を適用した形態例について説明する。
[第1の実施の形態]
まず、本実施の形態に係る放射線検出器20の構成について説明する。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, a radiographic image obtained by imaging a radiographic image using a portable radiographic imaging device (hereinafter also referred to as “electronic cassette”) that captures a radiographic image represented by radiation irradiated using a radiation detector. An example in which the present invention is applied to a photographing system will be described.
[First Embodiment]
First, the configuration of the
図1には、本実施形態に係る放射線検出器20の構成を模式的に示した断面図が示されており、図2には、放射線検出器20の構成を示す平面図が示されている。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the
図1に示すように、放射線検出器20は、絶縁性基板1に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)10、及びコンデンサ9が形成されたTFTアクティブマトリクス基板(以下、「TFT基板」という)30を備えている。
As shown in FIG. 1, the
このTFT基板30上には、入射される放射線を光に変換するシンチレータ8が配置される。
A
シンチレータ8としては、例えば、CsI:Tl、GOS(Gd2O2S:Tb)を用いることができる。なお、シンチレータ8は、これらの材料に限られるものではない。
As the
絶縁性基板1としては、光透過性を有し且つ放射線の吸収が少ないものであれば何れでもよく、例えば、ガラス基板、透明セラミック基板、光透過性の樹脂基板を用いることができる。なお、絶縁性基板1は、これらの材料に限られるものではない。
The insulating
TFT基板30には、シンチレータ8によって変換された光が入射されることにより電荷を発生するセンサ部13が形成されている。また、TFT基板30には、TFT基板30上を平坦化するための平坦化層5が形成されている。また、TFT基板30とシンチレータ8との間であって、平坦化層5上には、シンチレータ8をTFT基板30に接着するための接着層7が、形成されている。
The
センサ部13は、上部電極6、下部電極2、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜4を有している。
The
光電変換膜4は、シンチレータ8から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光電変換膜4は、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができる。アモルファスシリコンを含む光電変換膜4であれば、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ8による発光を吸収することができる。有機光電変換材料を含む光電変換膜4であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ8による発光以外の電磁波が光電変換膜4に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜4で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
The
本実施の形態では、光電変換膜4に有機光電変換材料を含んで構成する。有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ8の材料としてCsI(Ti)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜4で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。この光電変換膜4として適用可能な有機光電変換材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
In the present embodiment, the
図2には、薄膜トランジスタ10、及びコンデンサ9の構成が概略的に示されている。
FIG. 2 schematically shows the configuration of the
絶縁性基板1上には、下部電極2に対応して、下部電極2に移動した電荷を蓄積するコンデンサ9と、コンデンサ9に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する薄膜トランジスタ10が形成されている。コンデンサ9及び薄膜トランジスタ10の形成された領域は、平面視において下部電極2と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部におけるコンデンサ9及び薄膜トランジスタ10とセンサ部13とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器20(画素部)の平面積を最小にするために、コンデンサ9及び薄膜トランジスタ10の形成された領域が下部電極2によって完全に覆われていることが望ましい。
On the insulating
コンデンサ9は、絶縁性基板1と下部電極2との間に設けられた絶縁膜11を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極2と電気的に接続されている。これにより、下部電極2で捕集された電荷をコンデンサ9に移動させることができる。
The
薄膜トランジスタ10は、ゲート電極15、ゲート絶縁膜16、及び活性層(チャネル層)17が積層され、さらに、活性層17上にソース電極18とドレイン電極19が所定の間隔を開けて形成されている。また、放射線検出器20では、活性層17が非晶質酸化物により形成されている。活性層17を構成する非晶質酸化物としては、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、Ga及びZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnO4がより好ましい。
In the
薄膜トランジスタ10の活性層17を非晶質酸化物で形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。
If the
ここで、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物や、光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板1としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。なお、絶縁性基板1には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
Here, both the amorphous oxide constituting the
アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITO(indium tin oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して絶縁性基板1を形成してもよい。
Since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce the resistance, and can also be used for automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (indium tin oxide) or a glass substrate, warping after production is small and it is difficult to crack. In addition, aramid can form a substrate thinner than a glass substrate or the like. The insulating
バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60−70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3−7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く絶縁性基板1を形成できる。
Bionanofiber is a composite of cellulose microfibril bundles (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60-70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. A thin insulating
TFT基板30には、図3に示すように、上述のセンサ部13、コンデンサ9、薄膜トランジスタ10と、を含んで構成される画素32が一定方向(図3の行方向)及び一定方向に対する交差方向(図3の列方向)に2次元状に複数設けられている。
As shown in FIG. 3, the
また、放射線検出器20には、一定方向(行方向)に延設され各薄膜トランジスタ10をオン・オフさせるための複数本のゲート配線34と、交差方向(列方向)に延設されオン状態の薄膜トランジスタ10を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線36が設けられている。
Further, the
放射線検出器20は、平板状で平面視において外縁に4辺を有する四辺形状をしている。具体的には矩形状に形成されている。
The
本実施形態に係る放射線検出器20は、図1に示すように、このようなTFT基板30の表面にシンチレータ8が形成される。
In the
シンチレータ8は、例えば、CsI:Tl等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板31への蒸着によって形成される。このように蒸着によってシンチレータ8を形成する場合、蒸着基板31は、X線の透過率、コストの面からAlの板がよく使用され、蒸着の際のハンドリング性、自重による反り防止、輻射熱による変形等からある程度(数mm程度)の厚みが必要となる。
For example, the
放射線検出器20は、TFT基板30上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ8が形成された蒸着基板31を貼り付けることにより形成される。具体的には、TFT基板30とシンチレータ8が形成された蒸着基板31とを恒温槽内に配置し、温度などの環境を管理した状態でTFT基板30とシンチレータ8を貼り合わせる。
The
次に、このような放射線検出器20を内蔵し、放射線画像を撮影する可搬型の放射線撮影装置(以下、電子カセッテという)40の構成について説明する。
Next, the configuration of a portable radiation imaging apparatus (hereinafter referred to as an electronic cassette) 40 that incorporates such a
図4には、電子カセッテ40の構成を示す斜視図が示されており、図5には、電子カセッテ40の断面図が示されている。
4 is a perspective view showing the configuration of the
電子カセッテ40は、放射線を透過させる材料からなる平板状の筐体41を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。電子カセッテ40は、筐体41の内部に放射線検出器20および各種の制御用の集積回路が設けられた制御基板42が順に設けられている。筐体41は、平板状の一方の面の放射線検出器20の配設位置に対応する領域が撮影時に放射線が照射される撮影領域41Aとされている。
The
筐体41の内部には、図5に示すように、平板状の基台64が設けられている。基台64は支持脚64により筐体41に固定されている。放射線検出器20は基台64の撮影領域41A側の面に配置され、制御基板42は基台64の撮影領域41Aの反対側の面に配置されている。
As shown in FIG. 5, a
放射線検出器20は、図6に示すように、データ配線36方向の一端側に結線用のコネクタ33が複数個並んで設けられ、ゲート配線34方向の一端側にコネクタ35が複数個並んで設けられている。各信号配線24はコネクタ33に接続され、各走査配線22はコネクタ35に接続されている。
As shown in FIG. 6, the
コネクタ33には、フレキシブルケーブル44の一端が電気的に接続され、コネクタ35には、フレキシブルケーブル45の一端が電気的に接続されている。
One end of a
制御基板42には、複数個のコネクタ46及びコネクタ48が設けられており、コネクタ46にフレキシブルケーブル44の他端が電気的に接続され、コネクタ48に、フレキシブルケーブル45の他端が電気的に接続されている。
The
この制御基板42には、後述するゲート線ドライバ52、信号処理部54、画像メモリ56、カセッテ制御部58、無線通信部60等が設けられている。
The
図7には、本実施の形態に係る電子カセッテ40の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。
FIG. 7 is a block diagram showing a main configuration of the electric system of the
TFT基板30の個々のゲート配線34は、フレキシブルケーブル45を介してゲート線ドライバ52に接続され、TFT基板30の個々のデータ配線36は、フレキシブルケーブル44を介して信号処理部54に接続されている。
Each
TFT基板30の各薄膜トランジスタ10は、ゲート線ドライバ52からゲート配線34を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ10によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線36を伝送されて信号処理部54に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。
Each
図示は省略するが、信号処理部54は、個々のデータ配線36毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路及びサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線36を伝送された電気信号は増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。
Although not shown, the
信号処理部54には画像メモリ56が接続されており、信号処理部54のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ56に順に記憶される。画像メモリ56は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ56に順次記憶される。
An
画像メモリ56はカセッテ制御部58と接続されている。カセッテ制御部58はマイクロコンピュータによって構成され、CPU(中央処理装置)58A、ROMおよびRAMを含むメモリ58B、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部58Cを備えており、電子カセッテ40全体の動作を制御する。
The
また、カセッテ制御部58には無線通信部60が接続されている。無線通信部60は、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部58は、無線通信部60を介して、放射線撮影全体を制御するコンソールなど外部装置と無線通信が可能とされており、コンソールとの間で各種情報の送受信が可能とされている。
A
また、電子カセッテ40には、電源部70が設けられており、上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ52、信号処理部54、画像メモリ56、無線通信部60やカセッテ制御部58として機能するマイクロコンピュータ)は、電源部70から供給された電力によって作動する。電源部70は、電子カセッテ40の可搬性を損なわないように、バッテリ(充電可能な二次電池)を内蔵しており、充電されたバッテリから各種回路・素子へ電力を供給する。なお、図7では、電源部70と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。
In addition, the
カセッテ制御部58は、ゲート線ドライバ52の動作を制御しており、TFT基板30から放射線画像を示す画像情報の読み出しを制御できる。
The
ところで、放射線検出器20は、絶縁性基板1と蒸着基板31の熱膨張率の違いによって、温度変化により図8に示すように反りが発生する場合がある。
Incidentally, the
例えば、絶縁性基板1を厚さが0.7mm、熱膨張率が3ppmのガラスとし、蒸着基板31を厚さが0.5〜0.7mm、熱膨張率が30ppmのAlとした場合、低温の場合、図9(A)に示すように絶縁性基板1側が凸となるように反り、高温の場合、図9(B)に示すように蒸着基板31側が凸となるように反りが発生する。
For example, when the insulating
そこで、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線検出器20の反りを抑えて放射線画像の撮影を行うため、図10に示すように、放射線検出器20に温度を検出する温度センサ80、及び放射線検出器20の温度を調整する温度調整部82を放射線検出器20のほぼ全面に重ねて設けている。
Therefore, the
この温度調整部82は、例えば、ペルチェ素子により構成した場合、ペルチェ素子を構成する2種類の金属間に流す電流の方向を変えることにより、放射線検出器20を加熱及び冷却できる。なお、温度調整部82としてヒータや冷却機構をそれぞれ設けて放射線検出器20を加熱及び冷却してもよい。温度調整部82は、放射線検出器20がTFT基板30と蒸着基板31を貼り付けて形成している場合、少なくとも熱膨張率が高い方の基板側に設けることが好ましい。
For example, when the
温度センサ80及び温度調整部82は、図7に示すように、カセッテ制御部58に接続されている。カセッテ制御部58は、温度センサ80により検出された温度を把握できる。また、カセッテ制御部58は、温度調整部82により放射線検出器20を加熱又は冷却することにより放射線検出器20の温度を制御できる。
The
ところで、放射線検出器20は、上述したように、恒温槽内でTFT基板30と蒸着基板31を貼り合わせることにより形成するが、TFT基板30と蒸着基板31の膨張変化を安定させてから貼り合わせることにより、貼り合せ時に反りがほぼ無い状態で形成できる。例えば、恒温槽内を18℃としてTFT基板30と蒸着基板31を貼り合わせることにより、図8に示すように18℃付近で反りがほぼ無い状態となる。
By the way, as described above, the
本実施の形態では、カセッテ制御部58の記憶部58Cに蒸着基板31とTFT基板30の貼り合せ時の温度を含み、放射線検出器20の反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量X以内となる所定の温度範囲HAを記憶しており、カセッテ制御部58は、放射線検出器20の温度が温度範囲HAとなるように温度調整部82を制御する。
In the present embodiment, the storage unit 58C of the
このように本実施の形態によれば、蒸着基板31とTFT基板30の貼り合せ時の温度を含む温度範囲HAとなるように制御することにより、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる。
As described above, according to the present embodiment, the radiation image can be taken while suppressing the influence of the warp by controlling the temperature range HA to include the temperature at the time of bonding the
[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態について説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described.
第2の実施の形態に係る放射線検出器20、電子カセッテ40の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図10参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。
Since the configurations of the
ところで、フイルムやイメージングプレートを内蔵したカセッテは、JIS(日本工業規格) Z4905に外形サイズの規格が定められている。電子カセッテ40は、フイルムやイメージングプレートを内蔵したカセッテに置き換えて使用可能とするためには、JIS Z4905の外形サイズを満たす必要があり、厚さを14mm(±1mm)以下とする必要がある。また、電子カセッテ40は、横臥している患者の体の下部への挿入して撮影を行う場合があり、薄い方が取り扱いが容易となる。
By the way, a cassette having a built-in film and an imaging plate has an outer size standard defined in JIS (Japanese Industrial Standard) Z4905. In order to use the
しかしながら、電子カセッテ40は、薄くなるほど放射線検出器20が反ったときに放射線検出器20が筐体41に当接しないように予め高くしておくことが難しい。
However, it is difficult for the
一方、電子カセッテ40は、撮影を行わない待機時、筐体41に当接しない程度であれば放射線検出器20が反っていても影響がない。
On the other hand, the
そこで、本実施の形態では、待機時と放射線画像の撮影時とで反りの許容量を変更している。具体的には、カセッテ制御部58の記憶部58Cに、カセッテ制御部58の記憶部58Cに放射線検出器20の反りが筐体41に当接せず、筐体内に収まる範囲(図8の反り量が+Y〜−Yの範囲)となる温度範囲HBを待機温度範囲として記憶し、放射線検出器20の反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量X以内となる温度範囲HAを撮影温度範囲として記憶している。そして、カセッテ制御部58は、待機時には放射線検出器20の温度が待温度範囲となるように制御し、撮影時には放射線検出器20の温度が撮影温度範囲となるように制御する。
Therefore, in the present embodiment, the allowable amount of warpage is changed between standby and radiographic image capturing. Specifically, in the storage unit 58C of the
本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線画像を撮影する場合、放射線画像の撮影を制御する制御装置(所謂、コンソール)から撮影温度範囲への切り替え指示が通知される。
In the
カセッテ制御部58は、起動後、放射線検出器20が待機温度範囲内となるように温度調整部82の制御を行い、コンソールから撮影温度範囲への切り替え指示が通知されると、放射線検出器20が撮影温度範囲内となるように温度調整部82の制御を切り替え、放射線検出器20の温度が撮影温度範囲内となるとコンソールへ撮影許可を通知する。そして、カセッテ制御部58は、撮影が終了後、放射線検出器20が撮影温度範囲内となるように温度調整部82の制御を切り替える。
After the activation, the
図11には、コンソールから撮影温度範囲への切り替え指示が通知された際に、CPU58Aにより実行される温度制御切替処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、当該プログラムはメモリ58のROMの所定の領域に予め記憶されている。
FIG. 11 shows a flowchart showing the flow of the temperature control switching processing program executed by the
ステップS10では、放射線検出器20が撮影温度範囲内となるように温度調整部82の制御を開始する。
In step S10, control of the
次のステップS12では、放射線検出器20の温度が撮影温度範囲内となったか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS14へ移行し、否定判定となった場合は再度ステップS12へ移行して放射線検出器20の温度が撮影温度範囲内となるまで待つ。
In the next step S12, it is determined whether or not the temperature of the
ステップS14では、コンソールへ撮影許可を通知する。 In step S14, the photographing permission is notified to the console.
これにより、放射線画像の撮影が行われる。 Thereby, the radiographic image is taken.
次のステップS16では、放射線画像の撮影が終了したか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS18へ移行し、否定判定となった場合は再度ステップS16へ移行して撮影の終了待ちを行う。 In the next step S16, it is determined whether or not the radiographic image capturing has been completed. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S18. If the determination is negative, the process proceeds to step S16 again to complete the imaging. Wait.
ステップS18では、放射線検出器20が待機温度範囲内となるように温度調整部82の制御を開始し、処理を終了する。
In step S18, control of the
このように本実施の形態によれば、撮影時に温度範囲HAとなるように制御することにより、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to capture a radiographic image while suppressing the influence of warping by controlling the temperature range HA during imaging.
また、本実施の形態によれば、待機時に、放射線検出器20の反りが筐体41に当接せず、筐体内に収まる範囲となる温度範囲HBに切り替えることにより、撮影時ほど狭い範囲に温度制御する必要がないため、温度制御のための消費電力を抑制できる。
Further, according to the present embodiment, at the time of standby, the curvature of the
[第3の実施の形態]
次に、第3の実施の形態について説明する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described.
第3の実施の形態に係る放射線検出器20、電子カセッテ40の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図10参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。
Since the configurations of the
ところで、電子カセッテ40は、患者に接触して撮影を行う場合もある。また、電子カセッテ40は、温度によって内蔵された電子機器にノイズ等が発生する。このため、電子カセッテ40は、撮影で使用可能な使用温度範囲が定められている(例えば、10℃〜40℃)。
By the way, the
本実施の形態では、放射線検出器20が、図12に示すように、使用温度範囲の上限付近で、放射線検出器20の反りが放射線画像への影響が許容される許容量X以内となるように形成されている。具体的には、TFT基板30と蒸着基板31を貼り合わせる際に、恒温槽内の温度を、使用温度範囲の上限付近の温度することにより、使用温度範囲の上限付近で反りがほぼ無い状態で形成している。
In the present embodiment, as shown in FIG. 12, the
また、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線検出器20の温度を調整する機構として温度調整部82として、放射線検出器20を加熱するヒータ82Aが設けられている。
In addition, the
そして、カセッテ制御部58の記憶部58Cには、使用温度範囲内で放射線検出器20の反り量が上記許容量X以内となる温度範囲HCを記憶しており、カセッテ制御部58は、放射線検出器20の温度が温度範囲HCとなるようにヒータ82Aを制御する。
The storage unit 58C of the
このように本実施の形態によれば、放射線検出器20を使用可能な温度範囲の上限付近で反り量が許容量Xとなるように形成し、ヒータ82Aにより加熱して放射線検出器20の温度が温度範囲HCとなるように放射線検出器20の温度を制御することにより、反りの影響を抑えて放射線画像を撮影できる。
As described above, according to the present embodiment, the
また、本実施の形態によれば、放射線検出器20の反り量が上記許容量X以内に制御する際に、放射線検出器20の冷却を行う必要がなく、加熱のみでよいため、温度調整部82の構成を簡略化できる。
Further, according to the present embodiment, when the amount of warpage of the
以上、本発明を第1〜第3の実施の形態を用いて説明したが、上述した各実施の形態をそれぞれ独立して実施するだけでなく、各実施の形態を適宜組み合わせてもよい。また、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。例えば、第3の実施の形態において、放射線検出器20の温度範囲を、第2の実施の形態と同様に、待機時に放射線検出器20の反りが筐体41に当接しない待機温度範囲と、撮影時に放射線検出器20の反りが許容量X以内となる撮影温度範囲に制御するようにしてもよい。
As mentioned above, although this invention was demonstrated using the 1st-3rd embodiment, not only each embodiment mentioned above is implemented independently, but you may combine each embodiment suitably. The technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiment. Various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment without departing from the gist of the invention, and embodiments to which such modifications or improvements are added are also included in the technical scope of the present invention. For example, in the third embodiment, similarly to the second embodiment, the temperature range of the
また、上記各実施の形態では、可搬型の放射線撮影装置である電子カセッテ40に本発明を適応した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、据置型の放射線撮影装置に適用してもよい。
In each of the above embodiments, the case where the present invention is applied to the
また、上記各実施の形態では、図10、図13に示すように放射線検出器20のほぼ全面に温度調整部82又はヒータ82Aを設けた場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図14に示すように、放射線検出器20のほぼ全面に熱伝導性シート83を配置し、温度調整部82が熱伝導性シート83を介して冷却又は加熱を行うようにしてもよい。
Further, in each of the above-described embodiments, the case where the
また、上記第3の実施の形態では、放射線検出器20を使用可能な温度範囲の上限付近で反り量が許容量となるように形成し、加熱により放射線検出器20の反り量を制御する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図15に示すように、放射線検出器20を使用可能な温度範囲の下限付近で反り量が許容量Xとなるように形成すると共に、図16に示すように、放射線検出器20のほぼ全面に冷却機構82Bを設け、冷却により使用温度範囲内で放射線検出器20の反り量が上記許容量X以内となる温度範囲HDに放射線検出器20を冷却するようにしてもよい。
Further, in the third embodiment, the
このように、放射線検出器20を使用可能な温度範囲の上限又は下限付近で反り量が許容量Xとなるように形成することにより、ヒーターによる加熱或いは冷却機構82Bによる冷却のどちらか一方で保管温度まで対応できるようになる。撮影は必ずしも病院内だけではなく、例えば、寒冷地での撮影が主の場合は、貼り付け温度を下げることで、寒冷地仕様カセッテなんかも製造可能することができる。
Thus, by forming the
上述のように、放射線検出器20は、恒温槽内でTFT基板30と蒸着基板31の膨張変化を安定させてから貼り合わせることにより、貼り合せ時に反りがほぼ無い状態で形成できる。このため、電子カセッテ40の使用環境(海外での使用を考えた場合、使用される国の平均気温、医療状況(病院の空調の有無)等)を考慮して、ある特定の国の使用環境に合わせて貼り合わせ時の温度を変えてもよく、例えば、例えば、電子カセッテ40の使用環境の平均気温を貼り合わせ時の温度としてもよい。これにより、放射線検出器20の反りを抑えるために、加熱或いは冷却を行う必要を抑制することができる。
As described above, the
1 絶縁性基板
8 シンチレータ
13 センサ部
20 放射線検出器(撮影パネル)
30 TFT基板
31 蒸着基板
40 電子カセッテ
41 筐体
42 制御基板
58 カセッテ制御部
58A CPU
58B メモリ
58C 記憶部
80 温度センサ
82 温度調整部(温度調整手段)
82A ヒータ(加熱手段)
82B 冷却機構(冷却手段)
83 熱伝導性シート
DESCRIPTION OF
30
58B Memory
82A heater (heating means)
82B Cooling mechanism (cooling means)
83 Thermally conductive sheet
Claims (8)
前記撮影パネルの温度を調整する温度調整手段と、
前記撮影パネルの温度が、前記2つの基板の貼り合せ時の温度を含み温度変化による前記撮影パネルの反りが放射線画像への影響が許容される所定の許容量以内となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御する制御手段と、
を備えた放射線撮影装置。 An imaging panel that is formed by laminating two flat substrates having different thermal expansion coefficients, and that captures radiographic images;
Temperature adjusting means for adjusting the temperature of the photographing panel;
The temperature of the imaging panel includes a temperature at the time of bonding of the two substrates, and the warp of the imaging panel due to the temperature change is within a predetermined allowable range in which the influence on the radiation image is allowed. Control means for controlling the temperature adjusting means;
A radiography apparatus comprising:
前記制御手段は、放射線画像の撮影時、前記撮影パネルの反りが前記許容量以内となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御し、非撮影時、前記撮影パネルの反りが筐体に当接せず、筐体内に収まる範囲となる温度範囲内となるように前記温度調整手段を制御する
請求項1記載の放射線撮影装置。 A housing for accommodating the photographing panel;
The control means controls the temperature adjusting means so that the curvature of the imaging panel is within the allowable range when capturing a radiographic image, and the curvature of the imaging panel is a case when not capturing. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the temperature adjusting unit is controlled so as to be within a temperature range that is within a range that does not abut on the housing and is within a housing.
請求項1又は請求項2記載の放射線撮影装置。 The said control means performs control which permits imaging | photography, when the temperature of the said imaging panel is in the temperature range in which the curvature of the said imaging panel becomes less than the said allowable amount when imaging | photography of a radiographic image. Item 3. The radiographic apparatus according to Item 2.
請求項1〜請求項3の何れか1項記載の放射線撮影装置。 The one of the two substrates is a substrate on which a scintillator that converts incident radiation into light is formed, and the other is a substrate on which a sensor unit that detects light converted by the scintillator is formed. Item 4. The radiographic apparatus according to any one of Items3.
請求項1〜請求項4の何れか1項記載の放射線撮影装置。 The radiographic apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the imaging panel is formed such that a warpage amount is within the allowable amount near an upper limit or a lower limit of a usable temperature range usable for imaging. .
前記温度調整手段を、前記撮影パネルを加熱する加熱手段とした
請求項5記載の放射線撮影装置。 The photographing panel has a warpage amount within the allowable amount near the upper limit of the operating temperature range,
The radiation imaging apparatus according to claim 5, wherein the temperature adjusting unit is a heating unit that heats the imaging panel.
前記温度調整手段を、前記撮影パネルを冷却する冷却手段とした
請求項5記載の放射線撮影装置。 The photographing panel has a warpage amount within the allowable amount near the lower limit of the operating temperature range,
The radiation imaging apparatus according to claim 5, wherein the temperature adjustment unit is a cooling unit that cools the imaging panel.
請求項3記載の放射線撮影装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 3, wherein at least one of the two substrates is made of any one of a plastic resin, an aramid, a bionanofiber, and a flexible glass substrate.
Priority Applications (1)
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JP2010154337A JP2012018017A (en) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | Radiographic apparatus |
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ID=45603383
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2012018017A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111954830A (en) * | 2018-03-26 | 2020-11-17 | 富士胶片株式会社 | Radiographic imaging device |
CN112057098A (en) * | 2019-06-11 | 2020-12-11 | 通用电气精准医疗有限责任公司 | System and method for adjusting temperature of imaging detector sensor |
-
2010
- 2010-07-06 JP JP2010154337A patent/JP2012018017A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111954830A (en) * | 2018-03-26 | 2020-11-17 | 富士胶片株式会社 | Radiographic imaging device |
CN111954830B (en) * | 2018-03-26 | 2024-03-19 | 富士胶片株式会社 | Radiographic imaging apparatus |
CN112057098A (en) * | 2019-06-11 | 2020-12-11 | 通用电气精准医疗有限责任公司 | System and method for adjusting temperature of imaging detector sensor |
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