JP2012202735A - Radiation imaging apparatus - Google Patents

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直人 岩切
Futoshi Yoshida
太 吉田
Haruyasu Nakatsugawa
晴康 中津川
Naoyuki Nishino
直行 西納
Takeyasu Kobayashi
丈恭 小林
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation imaging apparatus which does not cause an increase in the weight of the whole apparatus and suppress the occurrence of image irregularity caused by heat generation in the cabinet.SOLUTION: A radiation imaging apparatus includes first heat transfer means (reflective layer 240, deposition substrate 240, or flat plate-like member 262) which thermally connect between heat generation sources of an electronic cassette 20A (power supply unit 94, driving IC 124, reading IC 128, or electronic component 132) and a radiation conversion panel 116 and transfers heat generation from the heat generation source through surface contact to the radiation conversion panel 116.

Description

この発明は、放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルを備える放射線撮像装置に関する。   The present invention relates to a radiation imaging apparatus including a radiation conversion panel that converts radiation into a radiation image.

従来から、医療分野において、被写体を透過した放射線を検出することにより該被写体の放射線画像を撮像する放射線撮像装置(以下、「電子カセッテ」ともいう。)が用いられている。電子カセッテでは、可搬性を向上させるために、放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルと、放射線変換パネルに電力を供給するバッテリ等の電源部とを筐体内に収容している。   2. Description of the Related Art Conventionally, in the medical field, a radiation imaging apparatus (hereinafter also referred to as “electronic cassette”) that captures a radiation image of a subject by detecting radiation transmitted through the subject has been used. In the electronic cassette, in order to improve portability, a radiation conversion panel that converts radiation into a radiation image and a power supply unit such as a battery that supplies power to the radiation conversion panel are housed in a housing.

この放射線変換パネルは、例えば、放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換するシンチレータと、該シンチレータにより変換された電磁波を放射線画像に変換する光電変換層とから構成してもよい。さらに、装置の軽量化や分光感度特性のマッチング等を考慮すると、放射線変換パネルの一実装例としては、シンチレータとしてのヨウ化セシウム(CsI)と、光電変換層としてのa−Si(アモルファスシリコン)との組合せが考えられる。   This radiation conversion panel may be composed of, for example, a scintillator that converts radiation into electromagnetic waves of other wavelengths such as visible light, and a photoelectric conversion layer that converts the electromagnetic waves converted by the scintillator into a radiation image. Further, considering the weight reduction of the device and the matching of spectral sensitivity characteristics, as an example of implementation of the radiation conversion panel, cesium iodide (CsI) as a scintillator and a-Si (amorphous silicon) as a photoelectric conversion layer A combination with can be considered.

ところが、図19Aに示すように、シンチレータの温度上昇によって放射線に対する前記シンチレータの感度が低下するので、放射線画像の画質が低下する可能性がある。なお、シンチレータがガドリニウム・オキサイド・サルファ(GOS)からなる場合、図19Bに示すように、該シンチレータの温度上昇に対する感度変化は極めて小さい。また、光電変換層がa−Siからなる場合には、図19Cに示すように、該光電変換層の温度上昇に起因して、前記光電変換層を構成する光電変換素子(フォトダイオード)の電磁波に対する感度が増加することにより、放射線画像の画質が低下する可能性もある。そこで、上記した懸念を解消するため、電子カセッテの筐体内部における熱対策技術が種々提案されている。   However, as shown in FIG. 19A, the scintillator's sensitivity to radiation decreases due to the temperature rise of the scintillator, so that the image quality of the radiographic image may decrease. When the scintillator is made of gadolinium oxide sulfa (GOS), as shown in FIG. 19B, the sensitivity change with respect to the temperature rise of the scintillator is extremely small. When the photoelectric conversion layer is made of a-Si, as shown in FIG. 19C, the electromagnetic wave of the photoelectric conversion element (photodiode) constituting the photoelectric conversion layer is caused by the temperature rise of the photoelectric conversion layer. There is a possibility that the image quality of the radiographic image is lowered due to the increase in sensitivity to. In order to eliminate the above-mentioned concerns, various heat countermeasure techniques have been proposed for the inside of the casing of the electronic cassette.

特許文献1及び2には、筐体とその内部に有するICとの間を熱的に結合するための熱伝導材を設けることで、光電変換素子やTFTへの熱伝達を抑制可能である旨が記載されている。   In Patent Documents 1 and 2, it is possible to suppress heat transfer to the photoelectric conversion element and the TFT by providing a heat conductive material for thermally coupling the housing and the IC included therein. Is described.

また、特許文献3には、CsIからなるシンチレータを加熱装置で加熱することで、放射線の照射に起因した前記シンチレータの感度変化を低減可能である旨が記載されている。   Patent Document 3 describes that the change in sensitivity of the scintillator caused by radiation irradiation can be reduced by heating the scintillator made of CsI with a heating device.

特許第3957803号公報Japanese Patent No. 3957803 特許第4018725号公報Japanese Patent No. 4018725 特開2003−107163号公報JP 2003-107163 A

しかしながら、特許文献1及び2に開示された装置の構成では、放射線変換パネルの辺縁部(熱伝導材の配設位置に近い部位)の温度が低くなり、中央部(熱伝導材の配設位置に遠い部位)の温度が高くなる傾向がある。すなわち、放射線変換パネルの温度分布が不均一になることで、放射線変換パネルの感度分布が不均一となり、その結果、得られた放射線画像に画像ムラが生じる課題があった。   However, in the configuration of the apparatus disclosed in Patent Documents 1 and 2, the temperature of the edge portion (site close to the position where the heat conducting material is disposed) of the radiation conversion panel is lowered, and the central portion (arrangement of the heat conducting material is disposed). The temperature of the part far from the position tends to increase. That is, since the temperature distribution of the radiation conversion panel becomes non-uniform, the sensitivity distribution of the radiation conversion panel becomes non-uniform, and as a result, there is a problem that image unevenness occurs in the obtained radiographic image.

また、特許文献3の加熱装置が筐体に収容されていれば、電子カセッテの重量が増加して該電子カセッテの可搬性が却って低下するという課題があった。   Moreover, if the heating apparatus of patent document 3 is accommodated in a housing | casing, there existed a subject that the weight of an electronic cassette increased and the portability of this electronic cassette fell on the contrary.

本発明は、上記の課題を解消するためになされたものであり、装置全体の重量を増加させることなく、且つ、筐体内部での発熱に起因する画像ムラの発生を抑制可能な放射線撮像装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problem, and does not increase the weight of the entire apparatus, and can suppress the occurrence of image unevenness due to heat generation inside the housing. The purpose is to provide.

本発明に係る放射線撮像装置は、放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルを備える装置であって、前記放射線撮像装置の発熱源と前記放射線変換パネルとの間を熱的に結合し、前記放射線変換パネルに対する面接触により、前記発熱源からの発熱を伝達する第1熱伝達手段を有することを特徴とする。   The radiation imaging apparatus according to the present invention is an apparatus including a radiation conversion panel that converts radiation into a radiation image, and thermally couples between a heat generation source of the radiation imaging apparatus and the radiation conversion panel. It has the 1st heat transfer means which transmits the heat_generation | fever from the said heat generating source by the surface contact with respect to a conversion panel, It is characterized by the above-mentioned.

このように、放射線撮像装置の発熱源と放射線変換パネルとの間を熱的に結合するようにしたので、装置の動作に起因する発熱を利用可能であり、別異の加熱装置が不要となる。また、放射線変換パネルに対する面接触により、発熱源からの発熱を伝達するようにしたので、放射線変換パネルの温度分布が略均一となるとともに、放射線変換パネルの感度分布が略均一となる。これにより、装置全体の重量を増加させることなく、且つ、筐体内部での発熱に起因する画像ムラの発生を抑制できる。   As described above, since the heat generation source of the radiation imaging apparatus and the radiation conversion panel are thermally coupled, the heat generated by the operation of the apparatus can be used, and a separate heating apparatus is not necessary. . Further, since the heat generation from the heat generation source is transmitted by surface contact with the radiation conversion panel, the temperature distribution of the radiation conversion panel becomes substantially uniform and the sensitivity distribution of the radiation conversion panel becomes substantially uniform. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of image unevenness due to heat generation inside the housing without increasing the weight of the entire apparatus.

また、前記発熱源には、前記放射線変換パネルを作動制御に供される電子部品、及び前記放射線変換パネルに電力を供給する電源部のうち少なくとも一方が含まれることが好ましい。これにより、装置の通常動作時において、特に発熱量が多い回路基板又は電源部から受熱するので効率的である。   The heat source preferably includes at least one of an electronic component used for operation control of the radiation conversion panel and a power supply unit that supplies power to the radiation conversion panel. This is efficient because heat is received from the circuit board or the power supply unit that generates a large amount of heat during normal operation of the apparatus.

さらに、前記第1熱伝達手段は、前記放射線変換パネルの一面と面接触する平板状部材であることが好ましい。これにより、簡易な構成で、放射線変換パネルに対して熱を略均等に伝達できる。   Furthermore, it is preferable that the first heat transfer means is a flat plate member that is in surface contact with one surface of the radiation conversion panel. Thereby, heat can be transmitted substantially uniformly to the radiation conversion panel with a simple configuration.

さらに、前記発熱源と前記放射線変換パネルとの間の熱的な短絡を可能にする第2熱伝達手段をさらに有することが好ましい。これにより、更に効率的に熱を伝達できる。   Furthermore, it is preferable to further have a second heat transfer means that enables a thermal short circuit between the heat source and the radiation conversion panel. Thereby, heat can be more efficiently transferred.

さらに、前記第2熱伝達手段は、前記発熱源と前記放射線変換パネルとの間に介挿された介挿部材であることが好ましい。これにより、簡易な構成で、放射線変換パネルに熱を伝達できる。   Furthermore, it is preferable that the second heat transfer means is an insertion member interposed between the heat generation source and the radiation conversion panel. Thereby, heat can be transmitted to the radiation conversion panel with a simple configuration.

さらに、前記介挿部材を着脱自在に移動させる移動手段をさらに有することが好ましい。これにより、放射線変換パネルに熱を供給するタイミングを制御可能である。   Furthermore, it is preferable to further have a moving means for detachably moving the insertion member. Thereby, the timing which supplies heat to a radiation conversion panel is controllable.

さらに、前記移動手段は、少なくとも前記放射線による撮像時間内において前記介挿部材を介挿することが好ましい。これにより、放射線画像の撮像時間において、放射線変換パネルの感度特性を安定させることができる。   Furthermore, it is preferable that the moving means insert the insertion member at least within an imaging time by the radiation. Thereby, the sensitivity characteristic of a radiation conversion panel can be stabilized in the imaging time of a radiographic image.

さらに、前記放射線変換パネルは、前記放射線を他の波長の電磁波に変換するシンチレーション層と、該シンチレーション層により変換された前記電磁波を前記放射線画像に変換する光電変換層とから構成され、前記放射線変換パネルは、前記放射線の照射側に対して、前記光電変換層及び前記シンチレーション層の順に配置されることが好ましい。   Further, the radiation conversion panel includes a scintillation layer that converts the radiation into electromagnetic waves of other wavelengths, and a photoelectric conversion layer that converts the electromagnetic waves converted by the scintillation layer into the radiation image. The panel is preferably arranged in the order of the photoelectric conversion layer and the scintillation layer with respect to the radiation irradiation side.

さらに、前記シンチレーション層は、基板と、該基板上に形成されたシンチレータ結晶とを備えることが好ましい。   Furthermore, it is preferable that the scintillation layer includes a substrate and a scintillator crystal formed on the substrate.

さらに、前記シンチレータ結晶は、CsIからなることが好ましい。これにより、光電層の深いトラップに補足された電荷を吐き出させた状態下で、放射線画像を取得することができる。   Furthermore, the scintillator crystal is preferably made of CsI. Thereby, a radiographic image can be acquired in the state where the electric charge captured by the deep trap of the photoelectric layer is discharged.

さらに、前記第1熱伝達手段は、前記基板であることが好ましい。これにより、別異の部材を設けることなく実現できるとともに、熱伝達の効率も良くなる。   Furthermore, the first heat transfer means is preferably the substrate. Thereby, it can implement | achieve, without providing a different member, and the efficiency of heat transfer improves.

さらに、前記第1熱伝達手段は、前記放射線変換パネルに対し、前記放射線の照射側の反対の面で接触することで、前記発熱源からの発熱を伝達することが好ましい。これにより、シンチレーション層に対して直接的に熱を伝達できる。   Further, it is preferable that the first heat transfer means transfers heat generated from the heat source by contacting the radiation conversion panel on a surface opposite to the radiation irradiation side. Thereby, heat can be directly transferred to the scintillation layer.

さらに、前記光電変換層は、a−Siの光電変換素子で構成されることが好ましい。これにより、光電層の浅いトラップに補足された電荷を吐き出させた状態下で、放射線画像を取得することができる。また、放射線撮像装置にいわゆる光リセット法を実現する機構を組み込んだ場合、光電変換層に対するリセット光の照射量を少なくできる。換言すれば、放射線変換パネルの温度分布を略均一化させることで局所的な温度上昇を抑制可能であり、シンチレーション層の発光によって光電変換層に通常形成されるトラップが形成され難くなるので、リセット光の照射量を過度に増やす必要がなく、最小限に留めることができる。   Furthermore, the photoelectric conversion layer is preferably composed of an a-Si photoelectric conversion element. Thereby, a radiation image can be acquired under the state where the electric charge captured by the shallow trap of the photoelectric layer is discharged. Further, when a mechanism for realizing a so-called light reset method is incorporated in the radiation imaging apparatus, the irradiation amount of the reset light to the photoelectric conversion layer can be reduced. In other words, it is possible to suppress the local temperature rise by making the temperature distribution of the radiation conversion panel substantially uniform, and it is difficult to form traps that are normally formed in the photoelectric conversion layer due to light emission of the scintillation layer. It is not necessary to increase the amount of light irradiation excessively, and can be kept to a minimum.

さらに、前記筐体の外部への放熱を遮断する断熱手段をさらに有することが好ましい。これにより、筐体内部の発熱を更に多く利用可能であり、一層効率的である。   Furthermore, it is preferable to further have a heat insulating means for blocking heat radiation to the outside of the housing. Thereby, more heat generation inside the housing can be used, which is more efficient.

さらに、前記断熱手段は、前記筐体の内壁に設けられた断熱部材であることが好ましい。これにより、簡易な構成で、放射線変換パネルに熱を伝達できる。   Furthermore, it is preferable that the said heat insulation means is a heat insulation member provided in the inner wall of the said housing | casing. Thereby, heat can be transmitted to the radiation conversion panel with a simple configuration.

本発明に係る放射線撮像装置によれば、該放射線撮像装置の発熱源と放射線変換パネルとの間を熱的に結合するようにしたので、装置の動作に起因する発熱を利用可能であり、別異の加熱装置が不要となる。また、放射線変換パネルに対する面接触により、発熱源からの発熱を伝達するようにしたので、放射線変換パネルの温度分布が略均一となるとともに、放射線変換パネルの感度分布が略均一となる。これにより、装置全体の重量を増加させることなく、且つ、筐体内部での発熱に起因する画像ムラの発生を抑制できる。   According to the radiation imaging apparatus of the present invention, since the heat generation source of the radiation imaging apparatus and the radiation conversion panel are thermally coupled, the heat generated by the operation of the apparatus can be used. A different heating device is not required. Further, since the heat generation from the heat generation source is transmitted by surface contact with the radiation conversion panel, the temperature distribution of the radiation conversion panel becomes substantially uniform and the sensitivity distribution of the radiation conversion panel becomes substantially uniform. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of image unevenness due to heat generation inside the housing without increasing the weight of the entire apparatus.

第1実施形態に係る電子カセッテが適用される放射線撮像システムの構成図である。1 is a configuration diagram of a radiation imaging system to which an electronic cassette according to a first embodiment is applied. 図1の電子カセッテの斜視図である。It is a perspective view of the electronic cassette of FIG. 図2の筐体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the housing | casing of FIG. 図2のIV−IV線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the IV-IV line of FIG. 図2のV−V線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VV line of FIG. 図2のVI−VI線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VI-VI line of FIG. 図7A及び図7Bは、CsIからなるシンチレータでの累積照射量と感度との関係を示すグラフである。図7Cは、CsIからなるシンチレータでの高温状態での保管時間と感度との関係を示すグラフである。FIG. 7A and FIG. 7B are graphs showing the relationship between cumulative dose and sensitivity in a scintillator made of CsI. FIG. 7C is a graph showing the relationship between storage time and sensitivity in a high temperature state in a scintillator made of CsI. 図8Aは、1回の照射量と感度との関係を示すグラフである。図8Bは、経過日数と感度変化との関係を示すグラフである。FIG. 8A is a graph showing the relationship between a single dose and sensitivity. FIG. 8B is a graph showing the relationship between elapsed days and sensitivity change. 図9A及び図9Bは、放射線変換パネル等の内部構成を示す拡大断面図である。9A and 9B are enlarged cross-sectional views showing the internal configuration of the radiation conversion panel and the like. 図1の電子カセッテのブロック図である。It is a block diagram of the electronic cassette of FIG. 図1の電子カセッテを用いた被写体の撮像を説明するためのフローチャートである。2 is a flowchart for explaining imaging of a subject using the electronic cassette of FIG. 1. 第1変形例に係る電子カセッテのXII−XII線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the XII-XII line | wire of the electronic cassette concerning a 1st modification. 第2変形例に係る電子カセッテが備える放射線変換パネル等の内部構成を示す拡大断面図である。It is an expanded sectional view showing internal composition, such as a radiation conversion panel with which an electronic cassette concerning a 2nd modification is provided. 図14A及び図14Bは、第3変形例に係る電子カセッテの介挿部材の移動機構の一例を表す概略説明図である。14A and 14B are schematic explanatory diagrams illustrating an example of a moving mechanism of an insertion member of an electronic cassette according to a third modification. 第2実施形態に係る電子カセッテの斜視図である。It is a perspective view of the electronic cassette concerning a 2nd embodiment. 図15の電子カセッテの斜視図である。FIG. 16 is a perspective view of the electronic cassette of FIG. 15. 第3実施形態に係る電子カセッテの斜視図である。It is a perspective view of the electronic cassette concerning a 3rd embodiment. 図17の筐体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the housing | casing of FIG. 図19Aは、CsIからなるシンチレータでの温度と感度との関係を示すグラフである。図19Bは、GOSからなるシンチレータでの温度と感度との関係を示すグラフである。図19Cは、a−Siからなる光電変換素子での温度と感度との関係を示すグラフである。FIG. 19A is a graph showing the relationship between temperature and sensitivity in a scintillator made of CsI. FIG. 19B is a graph showing the relationship between temperature and sensitivity in a scintillator made of GOS. FIG. 19C is a graph showing the relationship between temperature and sensitivity in a photoelectric conversion element made of a-Si.

本発明に係る放射線撮像装置について、好適な実施形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。   A radiation imaging apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings and preferred embodiments.

[第1実施形態に係る放射線撮像装置の構成の説明]
先ず、第1実施形態に係る放射線撮像装置としての電子カセッテ20Aについて、図1〜図11を参照しながら説明する。
[Description of Configuration of Radiation Imaging Apparatus According to First Embodiment]
First, an electronic cassette 20A as a radiation imaging apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

図1は、第1実施形態に係る電子カセッテ20Aが組み込まれた放射線撮像システム10の構成図である。   FIG. 1 is a configuration diagram of a radiation imaging system 10 incorporating an electronic cassette 20A according to the first embodiment.

放射線撮像システム10は、ベッド等の撮影台12に横臥した被写体14である患者に対して、放射線16を照射する放射線源18と、被写体14を透過した放射線16を検出して放射線画像に変換する電子カセッテ20Aと、放射線源18及び電子カセッテ20Aを制御するコンソール22と、放射線画像を表示する表示装置24とを備える。   The radiation imaging system 10 detects a radiation source 18 that irradiates radiation 16 and a radiation 16 that has passed through the subject 14 and converts it to a radiation image for a patient who is a subject 14 lying on an imaging table 12 such as a bed. An electronic cassette 20A, a console 22 that controls the radiation source 18 and the electronic cassette 20A, and a display device 24 that displays a radiation image are provided.

コンソール22と電子カセッテ20Aと表示装置24との間には、例えば、UWB(Ultra Wide Band)、IEEE802.60.a/b/g/n等の無線LAN(Local Area Network)、又は、ミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。なお、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行ってもよい。   Between the console 22, the electronic cassette 20A and the display device 24, for example, UWB (Ultra Wide Band), IEEE802.60. Signals are transmitted / received by wireless LAN (Local Area Network) such as a / b / g / n or wireless communication using millimeter waves or the like. Note that signals may be transmitted and received by wired communication using a cable.

コンソール22には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム(RIS)26が接続され、RIS26には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム(HIS)28が接続されている。   The console 22 is connected to a radiology information system (RIS) 26 that centrally manages radiographic images and other information handled in the radiology department in the hospital. The RIS 26 is used to comprehensively manage medical information in the hospital. A medical information system (HIS) 28 to be managed is connected.

図2は、図1に示す電子カセッテ20Aの斜視図である。   FIG. 2 is a perspective view of the electronic cassette 20A shown in FIG.

電子カセッテ20Aは、撮影台12と被写体14との間に配置される略矩形状(六面体)の筐体29を有する。   The electronic cassette 20 </ b> A has a substantially rectangular (hexahedron) casing 29 disposed between the imaging table 12 and the subject 14.

筐体29は、中空の角筒状のハウジング本体30と、ハウジング本体30の開口部分を両側から閉塞する2つの蓋部材32、34とを有するモノコック構造の筐体であり、外部からの応力(例えば、筐体29の落下、被写体14からの荷重、外部からの衝撃)を筐体29全体として受ける構造となっている。また、筐体29(のハウジング本体30及び蓋部材32、34)は、放射線16を透過可能なカーボンやプラスチック等の材料から形成されている。   The housing 29 is a monocoque housing having a hollow rectangular tube-shaped housing body 30 and two lid members 32 and 34 for closing the opening of the housing body 30 from both sides. For example, the entire housing 29 is subjected to the housing 29 falling, the load from the subject 14, and the impact from the outside. The housing 29 (the housing body 30 and the lid members 32 and 34 thereof) is formed of a material such as carbon or plastic that can transmit the radiation 16.

被写体14が横臥する筐体29の上面は、放射線16が照射される照射面36とされている。照射面36には、被写体14の撮像領域及び撮像位置を示すガイド線38が形成され、ガイド線38の外枠は、放射線16の最大照射範囲(照射野)を示す撮像可能領域40とされている。また、ガイド線38の中心位置(十字状に交差する2本のガイド線38の交点)は、該撮像可能領域40の中心位置である。   The upper surface of the housing 29 on which the subject 14 lies is an irradiation surface 36 to which the radiation 16 is irradiated. A guide line 38 indicating the imaging region and imaging position of the subject 14 is formed on the irradiation surface 36, and an outer frame of the guide line 38 is an imageable region 40 indicating the maximum irradiation range (irradiation field) of the radiation 16. Yes. Further, the center position of the guide line 38 (intersection of two guide lines 38 intersecting in a cross shape) is the center position of the imageable area 40.

図2及び図3に示すように、ハウジング本体30を構成する4つの側面42a〜42dのうち、側面42aと側面42bとの間にはx方向に沿って中空部41が形成され、中空部41に連通する側面42aの開口部44aを蓋部材32で閉塞すると共に、中空部41に連通する側面42bの開口部44bを蓋部材34で閉塞することにより、筐体29が構成される。従って、筐体29は、照射面36と、蓋部材32の側面52と、蓋部材34の側面81と、ハウジング本体30の2つの側面42c、42dを含む2つの側面43、45と、ハウジング本体30の底面47を含む底面46とを有する六面体として構成される。   As shown in FIGS. 2 and 3, among the four side surfaces 42 a to 42 d constituting the housing main body 30, a hollow portion 41 is formed between the side surface 42 a and the side surface 42 b along the x direction. The housing 29 is configured by closing the opening 44 a on the side surface 42 a communicating with the lid member 32 and closing the opening 44 b on the side surface 42 b communicating with the hollow portion 41 with the lid member 34. Therefore, the housing 29 includes the irradiation surface 36, the side surface 52 of the lid member 32, the side surface 81 of the lid member 34, the two side surfaces 43 and 45 including the two side surfaces 42c and 42d of the housing body 30, and the housing body. It is configured as a hexahedron having a bottom surface 46 including 30 bottom surfaces 47.

蓋部材32のx2方向側の側面52には、電子カセッテ20Aを起動するための電源スイッチ54、各種情報を表示するディスプレイ(残量通知部)56、外部から充電を行なうためのACアダプタの入力端子58、外部機器との間で情報の送受信が可能なインターフェース手段としてのUSB(Universal Serial Bus)端子60、PCカード等のメモリカード62を装填するためのカードスロット64、及び、電子カセッテ20Aの各種の状況等を表示するLED等のインジケータ(残量通知部)66が配設されている。   On the side surface 52 on the x2 direction side of the lid member 32, a power switch 54 for activating the electronic cassette 20A, a display (remaining amount notification unit) 56 for displaying various information, and an input of an AC adapter for charging from the outside A terminal 58, a USB (Universal Serial Bus) terminal 60 as an interface means capable of transmitting / receiving information to / from an external device, a card slot 64 for loading a memory card 62 such as a PC card, and the electronic cassette 20A An indicator (remaining amount notification unit) 66 such as an LED for displaying various situations is provided.

なお、入力端子58は、図示しないクレードルに電子カセッテ20Aを充電する際に使用されるものであり、図1のような電子カセッテ20Aを用いた被写体14の撮像時には使用されない。また、後述するように、電子カセッテ20Aが電源部を交換することにより撮像に必要な電力量を確保するような場合には、上述の入力端子58は不要である。   The input terminal 58 is used when charging the electronic cassette 20A to a cradle (not shown), and is not used when imaging the subject 14 using the electronic cassette 20A as shown in FIG. Further, as will be described later, when the electronic cassette 20A secures the amount of power necessary for imaging by exchanging the power supply unit, the above-described input terminal 58 is unnecessary.

さらに、電子カセッテ20Aでは、インジケータ66とディスプレイ56とが配設されているが、インジケータ66の表示機能をディスプレイ56が代行することで、インジケータ66を不要にすることができる。また、ディスプレイ56での一部の表示機能をインジケータ66が代行することで、ディスプレイ56を不要にすることもできる。   Furthermore, in the electronic cassette 20 </ b> A, the indicator 66 and the display 56 are disposed. However, the display 66 can substitute for the display function of the indicator 66, thereby making the indicator 66 unnecessary. Moreover, the display 56 can be made unnecessary by the indicator 66 acting as a part of the display function on the display 56.

蓋部材32は、側面52を備え且つ電源スイッチ54、ディスプレイ56、入力端子58、USB端子60、カードスロット64及びインジケータ66が配設された蓋本体68と、該蓋本体68のx1方向側に形成され、開口部44aに嵌合可能な挿入部70と、挿入部70のy方向に沿った両端から開口部44aに向かって突出する係合片72とから構成されている。また、2つの係合片72の外側面(図3の左側の係合片72ではy1方向の側面、及び、右側の係合片72ではy2方向の側面)には係合凸部74が形成され、ハウジング本体30内壁の開口部44a側には、係合凸部74に係合可能な係合凹部76が形成されている。   The lid member 32 includes a side surface 52 and a power source switch 54, a display 56, an input terminal 58, a USB terminal 60, a card slot 64, and an indicator 66, and a lid body 68 on the x1 direction side of the lid body 68. The insertion portion 70 is formed and can be fitted into the opening portion 44a, and the engagement piece 72 protrudes from both ends along the y direction of the insertion portion 70 toward the opening portion 44a. Further, on the outer side surfaces of the two engaging pieces 72 (on the left engaging piece 72 in FIG. 3, the side surface in the y1 direction and on the right engaging piece 72 the side surface in the y2 direction), an engaging convex portion 74 is formed. On the opening 44a side of the inner wall of the housing body 30, an engagement recess 76 that can be engaged with the engagement projection 74 is formed.

従って、蓋部材32をx1方向に進行させて、開口部44aと挿入部70とを嵌合させ、且つ、ハウジング本体30の中空部分に進入した2つの係合片72の係合凸部74と係合凹部76とをそれぞれ係合させると、蓋部材32とハウジング本体30とを一体化した状態で開口部44aを蓋部材32により閉塞することができる。   Accordingly, the lid member 32 is advanced in the x1 direction, the opening 44a and the insertion portion 70 are fitted, and the engagement convex portions 74 of the two engagement pieces 72 that have entered the hollow portion of the housing body 30 When the engaging recesses 76 are respectively engaged, the opening 44 a can be closed by the lid member 32 in a state where the lid member 32 and the housing body 30 are integrated.

一方、蓋部材34は、電源スイッチ54、ディスプレイ56、入力端子58、USB端子60、カードスロット64及びインジケータ66が配設されていない点を除いては、前述の蓋部材32と略同じ構成である。すなわち、蓋部材34は、蓋本体68と略同一形状であり且つ側面52と対向するx1方向の側面81を有する蓋本体80と、該蓋本体80のx2方向側に形成され、開口部44bに嵌合可能な挿入部82と、挿入部82のy方向に沿った両端から開口部44bに向かって突出する係合片84とから構成されている。また、2つの係合片84の外側面(図3の左側の係合片84ではy1方向の側面、及び、右側の係合片84ではy2方向の側面)にも係合凸部86が形成され、ハウジング本体30内壁の開口部44b側には、係合凸部86に係合可能な係合凹部88が形成されている。   On the other hand, the lid member 34 has substantially the same configuration as the lid member 32 described above except that the power switch 54, the display 56, the input terminal 58, the USB terminal 60, the card slot 64, and the indicator 66 are not provided. is there. That is, the lid member 34 is formed on the x2 direction side of the lid main body 80 and the lid main body 80 having substantially the same shape as the lid main body 68 and having the side surface 81 in the x1 direction facing the side surface 52, and is formed in the opening 44b. The insertion portion 82 can be fitted, and the engagement piece 84 protrudes from both ends of the insertion portion 82 along the y direction toward the opening 44b. Further, the engaging protrusions 86 are also formed on the outer surfaces of the two engaging pieces 84 (the side surface in the y1 direction in the left side engaging piece 84 and the side surface in the y2 direction in the right side engaging piece 84 in FIG. 3). An engagement recess 88 that can engage with the engagement protrusion 86 is formed on the inner wall 44 of the housing body 30 on the opening 44b side.

従って、蓋部材32の場合と同様に、蓋部材34をx2方向に進行させて、開口部44bと挿入部82とを嵌合させ、且つ、ハウジング本体30の中空部分に進入した2つの係合片84の係合凸部86と係合凹部88とをそれぞれ係合させると、蓋部材34とハウジング本体30とを一体化した状態で開口部44bを蓋部材34により閉塞することができる。   Accordingly, as in the case of the lid member 32, the lid member 34 is advanced in the x2 direction, the opening 44b and the insertion portion 82 are fitted, and the two engagements that have entered the hollow portion of the housing body 30 are made. When the engaging convex portion 86 and the engaging concave portion 88 of the piece 84 are engaged with each other, the opening 44 b can be closed by the lid member 34 in a state where the lid member 34 and the housing body 30 are integrated.

図4〜図6は、筐体29内を図示した電子カセッテ20Aの断面図である。   4 to 6 are cross-sectional views of the electronic cassette 20 </ b> A illustrating the inside of the housing 29.

ハウジング本体30の開口部44a、44bを2つの蓋部材32、34でそれぞれ閉塞することにより、筐体29内には、中空部41である室110が形成される。   A chamber 110 that is a hollow portion 41 is formed in the housing 29 by closing the openings 44 a and 44 b of the housing body 30 with the two lid members 32 and 34, respectively.

照射面36は、カーボン等の材料からなる天板200と、天板200を保護するためのポリカーボネート等の材料からなる保護部材202とから構成される。筐体29の上方内壁204には、その全周にわたって二段状の凹部206が形成されている。二段状の凹部206は、天板200及び保護部材202を嵌合可能に設けられているので、筐体29は、z2方向に沿って天板200、保護部材202の順に積層した状態で、これらを保持できる。   The irradiation surface 36 includes a top plate 200 made of a material such as carbon, and a protection member 202 made of a material such as polycarbonate for protecting the top plate 200. The upper inner wall 204 of the housing 29 is formed with a two-step concave portion 206 over the entire circumference. Since the two-step recessed portion 206 is provided so that the top plate 200 and the protection member 202 can be fitted, the casing 29 is stacked in the z2 direction in the order of the top plate 200 and the protection member 202. These can be held.

室110の中央部には基台112が配置されており、底面46側の内壁208からz2方向に延在する複数の支持部材210(図5では2本を表記する。)により固定支持されている。   A base 112 is disposed at the center of the chamber 110, and is fixedly supported by a plurality of support members 210 (two are shown in FIG. 5) extending in the z2 direction from the inner wall 208 on the bottom surface 46 side. Yes.

基台112の表面114(照射面36側の面)には、ハウジング本体30の照射面36側を透過して室110に入射した放射線16を放射線画像に変換する放射線変換パネル116が配置されている。   On the surface 114 (surface on the irradiation surface 36 side) of the base 112, a radiation conversion panel 116 that converts the radiation 16 that has passed through the irradiation surface 36 side of the housing body 30 and entered the chamber 110 into a radiation image is disposed. Yes.

放射線変換パネル116は、撮像可能領域40(図2及び図3参照)に対応する程度の大きさであることが望ましく、接着層212を介してハウジング本体30の照射面36側の内壁214に接着固定されている。接着層212には、例えば、熱可塑性の樹脂又はゴムを主成分とする不燃性の接着剤(いわゆるホットメルト接着剤)を用いてもよい。   The radiation conversion panel 116 preferably has a size corresponding to the imageable region 40 (see FIGS. 2 and 3), and is bonded to the inner wall 214 on the irradiation surface 36 side of the housing body 30 via the adhesive layer 212. It is fixed. For the adhesive layer 212, for example, a non-flammable adhesive (so-called hot melt adhesive) whose main component is a thermoplastic resin or rubber may be used.

放射線変換パネル116は、放射線16を可視光等の他の波長の電磁波に変換するシンチレーション層118と、該シンチレーション層118により変換された電磁波を電気信号に変換する光電変換層120とから構成された、いわゆる間接変換型の放射線検出器である。   The radiation conversion panel 116 includes a scintillation layer 118 that converts the radiation 16 into electromagnetic waves of other wavelengths such as visible light, and a photoelectric conversion layer 120 that converts the electromagnetic waves converted by the scintillation layer 118 into electric signals. This is a so-called indirect conversion type radiation detector.

また、シンチレーション層118と光電変換層120とは、熱による反りの発生を考慮して、分離可能な状態で積層してもよい。あるいは、シンチレーション層118に光電変換層120を直接形成するか、又は、光電変換層120にシンチレーション層118を直接形成してもよい。   In addition, the scintillation layer 118 and the photoelectric conversion layer 120 may be stacked in a separable state in consideration of generation of warpage due to heat. Alternatively, the photoelectric conversion layer 120 may be directly formed on the scintillation layer 118, or the scintillation layer 118 may be directly formed on the photoelectric conversion layer 120.

なお、図4〜図6では、放射線16の照射方向に沿って光電変換層120とシンチレーション層118との順に配置された表面読取方式としてのISS(Irradiation Side Sampling)方式の放射線検出器を図示しているが、放射線16の照射方向に沿ってシンチレーション層118と光電変換層120との順に配置された、裏面読取方式であるPSS(Penetration Side Sampling)方式の放射線検出器であってもよい。また、シンチレーション層118としては、例えば、ヨウ化セシウム(CsI)又はガドリニウム・オキサイド・サルファ(GOS)から構成されるシンチレータを用いればよい。さらに、本実施形態では、上述した間接変換型の放射線検出器に代えて、シンチレーション層118を用いずに放射線16を電気信号に直接変換する、いわゆる直接変換型の放射線検出器を使用することも可能である。以下の説明では、ISS方式の放射線変換パネル116を用いた場合について説明する。   4 to 6 illustrate an ISS (Irradiation Side Sampling) type radiation detector as a surface reading method in which the photoelectric conversion layer 120 and the scintillation layer 118 are arranged in this order along the irradiation direction of the radiation 16. However, it may be a PSS (Penetration Side Sampling) type radiation detector, which is a back surface reading type, arranged in the order of the scintillation layer 118 and the photoelectric conversion layer 120 along the irradiation direction of the radiation 16. As the scintillation layer 118, for example, a scintillator made of cesium iodide (CsI) or gadolinium oxide sulfide (GOS) may be used. Furthermore, in this embodiment, instead of the above-described indirect conversion type radiation detector, a so-called direct conversion type radiation detector that directly converts the radiation 16 into an electric signal without using the scintillation layer 118 may be used. Is possible. In the following description, a case where the ISS type radiation conversion panel 116 is used will be described.

装置の軽量化や分光感度特性のマッチング等を考慮し、放射線変換パネル116の一実装例としては、シンチレーション層118としてのヨウ化セシウム(CsI)と、光電変換層120としてのa−Si(アモルファスシリコン)との組合せが考えられる。この場合での電子カセッテ20Aの使用環境の変化と、放射線画像の画質に与える影響との関係について、図19A〜図19C、及び図7A〜図8Bを参照しながら説明する。   Considering weight reduction of the apparatus and matching of spectral sensitivity characteristics, as an example of implementation of the radiation conversion panel 116, cesium iodide (CsI) as the scintillation layer 118 and a-Si (amorphous) as the photoelectric conversion layer 120 Combination with silicon) is conceivable. The relationship between the change in the usage environment of the electronic cassette 20A in this case and the effect on the image quality of the radiation image will be described with reference to FIGS. 19A to 19C and FIGS. 7A to 8B.

電子カセッテ20Aの軽量化を図る目的で、CsIからなるシンチレーション層118を用いた場合、図19Aに示すように、該シンチレーション層118の温度上昇によって放射線16に対するシンチレーション層118の感度が低下し、この結果、放射線画像の画質が低下する可能性がある。   When the scintillation layer 118 made of CsI is used for the purpose of reducing the weight of the electronic cassette 20A, as shown in FIG. 19A, the sensitivity of the scintillation layer 118 to the radiation 16 decreases due to the temperature rise of the scintillation layer 118. As a result, there is a possibility that the image quality of the radiation image is degraded.

また、図7Aに示すように、放射線16の累積の曝射線量(累積照射量)の増加によって放射線16に対するシンチレーション層118の感度が低下する。   Further, as shown in FIG. 7A, the sensitivity of the scintillation layer 118 with respect to the radiation 16 decreases due to an increase in the cumulative exposure dose (cumulative dose) of the radiation 16.

これは、累積照射量の増加に伴って、CsIのシンチレーション層118に深いトラップ(欠陥)が多数発生する光劣化が惹起され、この結果、次の撮像では、放射線16から変換された電磁波(可視光)が深いトラップに捕捉されて、光電変換層120に到達できないからである。この場合、シンチレーション層118内のどの箇所に深いトラップが発生するかは分からないため、深いトラップへの可視光の捕捉に起因して、シンチレーション層118での意図しない局所的な感度変化(感度ムラ)が発生する。そのため、例えば、深いトラップが多数発生していれば、相対的に感度の大きい箇所(感度ムラの目立つ箇所)が局所的に発生する可能性がある。   This is because photodegradation in which many deep traps (defects) are generated in the CsI scintillation layer 118 as the cumulative irradiation amount increases. As a result, in the next imaging, an electromagnetic wave (visible light) converted from the radiation 16 is visible. This is because the light) is captured by the deep trap and cannot reach the photoelectric conversion layer 120. In this case, since it is not known at which location in the scintillation layer 118 the deep trap occurs, unintended local sensitivity change (sensitivity unevenness) in the scintillation layer 118 due to the capture of visible light in the deep trap. ) Occurs. For this reason, for example, if a large number of deep traps are generated, a portion having relatively high sensitivity (a portion where sensitivity unevenness is conspicuous) may locally occur.

このような深いトラップの発生による感度低下に対しては、図7Bに示すように、使用温度Tを高くすれば(T1<T2)、累積照射量に対して感度を緩やかに低下させることができ(急激な感度低下を抑制することができる)、その一方で、図7Cに示すように、高温状態で保管すれば感度は回復する。   As shown in FIG. 7B, the sensitivity can be lowered gradually with respect to the cumulative dose by increasing the operating temperature T (T1 <T2). On the other hand, as shown in FIG. 7C, the sensitivity recovers when stored in a high temperature state.

なお、GOSからなるシンチレーション層118では、図19Bに示すように、温度変化に対する感度の変化は小さい。   In the scintillation layer 118 made of GOS, as shown in FIG. 19B, the change in sensitivity with respect to the temperature change is small.

一方、光電変換層120についても、温度変化によって電磁波に対する該光電変換層120の感度が変化し、放射線画像の画質が低下する可能性がある。   On the other hand, with respect to the photoelectric conversion layer 120, the sensitivity of the photoelectric conversion layer 120 with respect to electromagnetic waves may change due to a temperature change, and the image quality of the radiation image may deteriorate.

例えば、a−Siからなる光電変換層120では、光強度の大きな可視光が入射されるとSiのダングリングボンドが増加して導電率が劣化するステブラー・ロンスキー(Staebler−Wronski)効果が発生する。これにより、Siでの欠陥密度が増加して、光電変換層120内でのキャリアの移動が阻害されてしまう。但し、欠陥密度は、可視光の入射によって増加するが、該入射が続くと飽和する。また、欠陥密度は、Siに熱が加わることで時間経過と共に減少する。   For example, in the photoelectric conversion layer 120 made of a-Si, when visible light having a high light intensity is incident, a dangling bond of Si is increased, and a conductivity is deteriorated, and a Stebler-Wronski effect is generated. . Thereby, the defect density in Si increases and the movement of carriers in the photoelectric conversion layer 120 is hindered. However, the defect density increases with the incidence of visible light, but saturates as the incidence continues. In addition, the defect density decreases with time as heat is applied to Si.

さらに詳しく説明すると、光電変換層120においては、該光電変換層120を構成するa−Siの光電変換素子(フォトダイオード)に発生した浅いトラップに電荷が一時的に捕捉される。該トラップは、フォトダイオードに入射される可視光の光量が大きい程(大線量の放射線16の照射である程)発生しやすい。そして、次の撮像時には、光電変換素子に入射された可視光によって電荷が励起され、浅いトラップから吐き出される。従って、光電変換素子は、可視光から変換された新たな電荷に加え、浅いトラップから吐き出された電荷も、放射線画像に応じた電気信号として出力する。この場合、光電変換層120内のどの光電変換素子に浅いトラップが発生するかは分からないため、浅いトラップからの電荷の吐き出しに起因して、光電変換層120での意図しない局所的な感度の増加(感度ムラ)が発生する。   More specifically, in the photoelectric conversion layer 120, charges are temporarily trapped in a shallow trap generated in an a-Si photoelectric conversion element (photodiode) constituting the photoelectric conversion layer 120. The trap is more likely to occur as the amount of visible light incident on the photodiode is larger (the more radiation 16 is irradiated). Then, at the time of the next imaging, electric charges are excited by visible light incident on the photoelectric conversion element and discharged from a shallow trap. Therefore, in addition to the new charge converted from the visible light, the photoelectric conversion element also outputs the charge discharged from the shallow trap as an electrical signal corresponding to the radiation image. In this case, since it is not known which photoelectric conversion element in the photoelectric conversion layer 120 has a shallow trap, unintentional local sensitivity of the photoelectric conversion layer 120 due to discharge of electric charge from the shallow trap. Increase (sensitivity unevenness) occurs.

しかも、今回の撮像が大線量での放射線16の照射であれば、シンチレーション層118に深いトラップが多数発生すると共に、光電変換層120にも浅いトラップが多数発生し、これらの浅いトラップに電荷が一時的に捕捉される。そのため、図8Aに示すように、次の撮像では、深いトラップの発生に起因したシンチレーション層118での相対的に感度の大きな箇所の発生や、浅いトラップに捕捉された電荷の吐き出しにより、大きな感度変化Δとなって、見掛け上、放射線変換パネル116の感度を大幅に増加させてしまう。   In addition, if the current imaging is irradiation of radiation 16 with a large dose, a large number of deep traps are generated in the scintillation layer 118 and a large number of shallow traps are also generated in the photoelectric conversion layer 120, and electric charges are generated in these shallow traps. Captured temporarily. For this reason, as shown in FIG. 8A, in the next imaging, a large sensitivity is caused by the generation of a portion having a relatively high sensitivity in the scintillation layer 118 due to the generation of a deep trap and the discharge of charges trapped in a shallow trap. It becomes a change Δ, and apparently the sensitivity of the radiation conversion panel 116 is greatly increased.

このように、CsIのシンチレーション層118とa−Siの光電変換層120とから構成される放射線変換パネル116においては、今回の撮像での放射線16の照射量が大きい場合、次の撮像では、局所的に感度が大きくなって、放射線画像の画像ムラが目立ってしまうおそれがある。また、CsIに深いトラップが発生すると共に、a−Siに浅いトラップが発生する場合、図8Bに示すように、大きな感度変化Δが解消されるまでに数日程度を要する。   As described above, in the radiation conversion panel 116 including the CsI scintillation layer 118 and the a-Si photoelectric conversion layer 120, when the irradiation amount of the radiation 16 in the current imaging is large, In particular, there is a risk that image sensitivity of the radiographic image becomes conspicuous due to increased sensitivity. Further, when a deep trap occurs in CsI and a shallow trap occurs in a-Si, it takes several days until the large sensitivity change Δ is eliminated as shown in FIG. 8B.

このように、放射線変換パネル116では、温度変化に起因した感度変化や、局所的な感度変化に起因した画像ムラによって放射線画像の画質が低下する場合があるため、加熱によって感度を回復できることが望ましい。しかしながら、放射線変換パネル116を加熱する加熱装置を筐体29内に内蔵させると、電子カセッテ20Aの重量が増加して可搬性が低下するおそれがある。   As described above, in the radiation conversion panel 116, since the image quality of the radiation image may be deteriorated due to the sensitivity change caused by the temperature change or the image unevenness caused by the local sensitivity change, it is desirable that the sensitivity can be recovered by heating. . However, if a heating device for heating the radiation conversion panel 116 is built in the housing 29, the weight of the electronic cassette 20A may increase and the portability may decrease.

そこで、第1実施形態では、電子カセッテ20Aの動作に起因する発熱を利用して、放射線変換パネル116の全面を略均一に加熱することで、感度変化の抑制を図る構成を採っている。以下、電子カセッテ20Aの内部構造を図5及び図6を参照しながら説明する。   Therefore, in the first embodiment, a configuration is adopted in which the change in sensitivity is suppressed by heating the entire surface of the radiation conversion panel 116 substantially uniformly using heat generated by the operation of the electronic cassette 20A. Hereinafter, the internal structure of the electronic cassette 20A will be described with reference to FIGS.

図6に示すように、放射線変換パネル116(の光電変換層120)のy1方向の側面には、光電変換層120を駆動するための制御信号を光電変換層120に供給するための複数のフレキシブル基板122が所定間隔毎に配置され、各フレキシブル基板122には、前記制御信号を生成する駆動用IC124がそれぞれ配置されている。各フレキシブル基板122と基台112との間には、熱伝導率が高い材料からなる介挿部材216がそれぞれ介挿されている。これにより、駆動用IC124の動作に起因する発熱は、フレキシブル基板122、介挿部材216及び基台112を介して、放射線変換パネル116側に伝達される。   As shown in FIG. 6, on the side surface in the y1 direction of the radiation conversion panel 116 (the photoelectric conversion layer 120), a plurality of flexible signals for supplying the photoelectric conversion layer 120 with a control signal for driving the photoelectric conversion layer 120 is provided. Substrates 122 are arranged at predetermined intervals, and each flexible substrate 122 is provided with a driving IC 124 that generates the control signal. An insertion member 216 made of a material having a high thermal conductivity is inserted between each flexible substrate 122 and the base 112. Thereby, heat generated by the operation of the driving IC 124 is transmitted to the radiation conversion panel 116 side through the flexible substrate 122, the insertion member 216, and the base 112.

図5に示すように、放射線変換パネル116(の光電変換層120)のx1方向の側面には、複数のフレキシブル基板126が所定間隔毎に配置され、各フレキシブル基板126には読出用IC128がそれぞれ配置されている。各フレキシブル基板126と基台112との間には、熱伝導率が高い材料からなる介挿部材218がそれぞれ介挿されている。これにより、読出用IC128の動作に起因する発熱は、フレキシブル基板126、介挿部材218及び基台112を介して、放射線変換パネル116側に伝達される。   As shown in FIG. 5, a plurality of flexible boards 126 are arranged at predetermined intervals on the side surface in the x1 direction of the radiation conversion panel 116 (photoelectric conversion layer 120 thereof), and a reading IC 128 is provided on each flexible board 126. Has been placed. An insertion member 218 made of a material having high thermal conductivity is interposed between each flexible substrate 126 and the base 112. As a result, heat generated by the operation of the reading IC 128 is transmitted to the radiation conversion panel 116 side through the flexible substrate 126, the insertion member 218 and the base 112.

基台112の裏面129(筐体29の底面46側の面)には、電源部94が配置されている。電源部94と基台112との間には、熱伝導率が高い材料からなる介挿部材220が介挿されている。これにより、電源部94の動作に起因する発熱は、介挿部材220及び基台112を介して、放射線変換パネル116側に伝達される。   A power supply unit 94 is disposed on the back surface 129 of the base 112 (the surface on the bottom surface 46 side of the housing 29). An insertion member 220 made of a material having high thermal conductivity is inserted between the power supply unit 94 and the base 112. Thereby, the heat generated due to the operation of the power supply unit 94 is transmitted to the radiation conversion panel 116 side through the insertion member 220 and the base 112.

また、基台112の裏面129における電源部94の周囲には、該電源部94を取り囲むように(避けるように)、複数の回路基板130が取り付けられている。各回路基板130は、基台112の裏面129に対して所定間隔だけ離間した状態下で、複数のボルト131を介して固定されている。各回路基板130の一面(z1方向側)には電子部品132が配設されている。各回路基板130と基台112との間には、熱伝導率が高い材料からなる介挿部材222がそれぞれ介挿されている。これにより、電子部品132の動作に起因する発熱は、回路基板130、介挿部材222及び基台112を介して、放射線変換パネル116側に伝達される。   A plurality of circuit boards 130 are attached around the power supply unit 94 on the back surface 129 of the base 112 so as to surround (avoid) the power supply unit 94. Each circuit board 130 is fixed via a plurality of bolts 131 in a state of being separated from the back surface 129 of the base 112 by a predetermined distance. An electronic component 132 is disposed on one surface (z1 direction side) of each circuit board 130. Between each circuit board 130 and the base 112, an insertion member 222 made of a material having high thermal conductivity is inserted. Thereby, heat generated by the operation of the electronic component 132 is transmitted to the radiation conversion panel 116 side through the circuit board 130, the insertion member 222, and the base 112.

ここで、介挿部材216、218、220、及び222は、発熱源(駆動用IC124、読出用IC128、電源部94、及び電子部品132)と放射線変換パネル116との熱的な短絡を可能にする第2熱伝達手段として機能する。介挿部材216等の材質は、熱伝導率が高い物質であれば種類を問わず、例えば、銅、アルミニウム、グラファイト、高熱伝導性樹脂等であってもよい。電子部品間でのショートや誤動作の発生を防止するため、介挿部材216等として、電気的な絶縁性をも兼ね備える材料を用いてもよい。   Here, the insertion members 216, 218, 220, and 222 enable a thermal short circuit between the heat generation source (the driving IC 124, the reading IC 128, the power supply unit 94, and the electronic component 132) and the radiation conversion panel 116. Functions as the second heat transfer means. The material of the insertion member 216 or the like is not limited as long as it is a substance having a high thermal conductivity, and may be, for example, copper, aluminum, graphite, a high thermal conductive resin, or the like. In order to prevent occurrence of a short circuit or malfunction between electronic components, a material that also has electrical insulation may be used as the insertion member 216 or the like.

上記した発熱源には、放射線変換パネル116を作動制御する電子部品(駆動用IC124、読出用IC128、及び電子部品132)、及び放射線変換パネル116に電力を供給する電源部94のうち少なくとも一方が含まれる。   The heat source includes at least one of electronic components (driving IC 124, reading IC 128, and electronic component 132) for controlling the operation of the radiation conversion panel 116, and a power supply unit 94 that supplies power to the radiation conversion panel 116. included.

図5に示すように、一部の回路基板130には、フレキシブル基板126が接続され、一方で、図6に示すように、他の回路基板130には、フレキシブル基板122が接続されている。   As shown in FIG. 5, a flexible substrate 126 is connected to some circuit boards 130, while a flexible substrate 122 is connected to other circuit boards 130 as shown in FIG. 6.

なお、放射線16の照射による電源部94と回路基板130及び電子部品132との劣化を防止するために、基台112は、放射線16を遮蔽可能な鉛板で構成されてもよいし、あるいは、鉛を含むように構成されてもよい。   In order to prevent the power supply unit 94, the circuit board 130, and the electronic component 132 from being deteriorated due to the irradiation of the radiation 16, the base 112 may be made of a lead plate capable of shielding the radiation 16, or It may be configured to include lead.

図9Aは、放射線変換パネル116等の内部構造を示す拡大断面図であって、光電変換層120にCsIのシンチレーション層118が直接蒸着されている場合を図示している。   FIG. 9A is an enlarged cross-sectional view showing the internal structure of the radiation conversion panel 116 and the like, and shows a case where a CsI scintillation layer 118 is directly deposited on the photoelectric conversion layer 120.

この場合、光電変換層120は、接着層212を介してハウジング本体30の照射面36側の内壁に接着された可撓性を有するプラスチック基板等の蒸着基板230と、蒸着基板230に形成されたa−Si等からなる薄膜トランジスタ(Thin Film Transitor;TFT)層232と、TFT層232上に形成されたa−Si等からなるフォトダイオードやフォトトランジスタ等の光電変換膜234とから構成されている。   In this case, the photoelectric conversion layer 120 is formed on the vapor deposition substrate 230, such as a flexible plastic substrate bonded to the inner wall on the irradiation surface 36 side of the housing body 30 via the adhesive layer 212. A thin film transistor (TFT) layer 232 made of a-Si or the like, and a photoelectric conversion film 234 such as a photodiode or phototransistor made of a-Si or the like formed on the TFT layer 232 are formed.

CsIのシンチレーション層118は、CsI(Tl)(タリウムが添加されたヨウ化セシウム)を真空蒸着法により短冊状の柱状結晶構造236として光電変換膜234上に形成したものである。なお、CsI(Tl)のシンチレーション層118は、柱状結晶構造236が湿度に弱いという特性を有するので、ポリパラキシリレン樹脂からなる光透過性の防湿保護材238で封止されている。また、防湿保護材238の基台112側には、アルミニウム等からなる金属の反射層(第1熱伝達手段)240が形成されている。反射層240は、柱状結晶構造236で放射線16から変換された可視光が基台112側に進行してきた場合に、該可視光を光電変換膜234側に反射させるために用いられる。   The CsI scintillation layer 118 is formed by forming CsI (Tl) (cesium iodide to which thallium is added) as a strip-like columnar crystal structure 236 on the photoelectric conversion film 234 by a vacuum deposition method. Note that the CsI (Tl) scintillation layer 118 is sealed with a light-transmitting moisture-proof protective material 238 made of polyparaxylylene resin because the columnar crystal structure 236 has a characteristic of being weak against humidity. Further, a metal reflection layer (first heat transfer means) 240 made of aluminum or the like is formed on the base 112 side of the moisture-proof protective material 238. The reflective layer 240 is used to reflect visible light to the photoelectric conversion film 234 side when visible light converted from the radiation 16 in the columnar crystal structure 236 travels to the base 112 side.

ここで、熱伝導率が高い反射層240は、放射線変換パネル116に対する面接触により、電子部品132等の発熱源からの発熱を伝達する第1熱伝達手段として機能する。   Here, the reflective layer 240 having high thermal conductivity functions as first heat transfer means for transmitting heat generated from a heat source such as the electronic component 132 by surface contact with the radiation conversion panel 116.

図9Bは、放射線変換パネル116等の内部構造を示す拡大断面図であって、CsIのシンチレーション層118に光電変換層120を形成した場合を図示している。   FIG. 9B is an enlarged cross-sectional view showing the internal structure of the radiation conversion panel 116 and the like, and shows a case where the photoelectric conversion layer 120 is formed on the scintillation layer 118 of CsI.

この場合、CsIのシンチレーション層118は、熱伝導率の高い蒸着基板242上に真空蒸着法により柱状結晶構造236を形成し、該柱状結晶構造236を防湿保護材238で封止している。また、防湿保護材238の照射面36側には、接着層244を介して接着されたa−Si等からなる光電変換膜234と、a−Si等からなるTFT層232とが順に形成される。そして、TFT層232が接着層212を介してハウジング本体30の照射面36側の内壁に接着されている。   In this case, the CsI scintillation layer 118 has a columnar crystal structure 236 formed on a vapor deposition substrate 242 having a high thermal conductivity by a vacuum vapor deposition method, and the columnar crystal structure 236 is sealed with a moisture-proof protective material 238. Further, on the irradiation surface 36 side of the moisture-proof protective material 238, a photoelectric conversion film 234 made of a-Si or the like bonded via an adhesive layer 244 and a TFT layer 232 made of a-Si or the like are sequentially formed. . The TFT layer 232 is bonded to the inner wall on the irradiation surface 36 side of the housing body 30 through the adhesive layer 212.

ここで、蒸着基板242は、放射線変換パネル116に対する面接触により、発熱源からの発熱を伝達する第1熱伝達手段として機能する。蒸着基板242は、熱伝導率が高い樹脂からなる基板であってもよいし、熱伝導率が高い材料を混ぜたガラスからなる基板であってもよい。また、蒸着基板242が光透過率の低い金属等の材料からなる場合、蒸着基板242は、柱状結晶構造236で放射線16から変換された可視光が介挿部材222側に進行してきた場合に、該可視光を光電変換膜234側に反射可能である。   Here, the vapor deposition substrate 242 functions as first heat transfer means for transmitting heat generated from the heat source by surface contact with the radiation conversion panel 116. The vapor deposition substrate 242 may be a substrate made of a resin having high thermal conductivity, or may be a substrate made of glass mixed with a material having high thermal conductivity. Further, in the case where the vapor deposition substrate 242 is made of a material such as a metal having low light transmittance, the vapor deposition substrate 242 has a structure in which visible light converted from the radiation 16 in the columnar crystal structure 236 travels to the insertion member 222 side. The visible light can be reflected to the photoelectric conversion film 234 side.

ここで、光電変換層120の特性に応じて、光電変換層120側への熱の伝達を促進する構成を採ってもよいし、逆に断熱する構成を採ってもよい。光電変換層120側の温度上昇を抑制することで、暗電流の発生による放射線画像への影響を低減することができる。なお、いずれの場合であっても、光透過性が高く、且つ、放射線16の吸収が少ないことが好ましい。   Here, according to the characteristic of the photoelectric converting layer 120, the structure which accelerates | stimulates the transfer of the heat | fever to the photoelectric converting layer 120 side may be taken, and the structure insulated on the contrary may be taken. By suppressing the temperature rise on the photoelectric conversion layer 120 side, it is possible to reduce the influence on the radiation image due to the generation of dark current. In any case, it is preferable that the light transmittance is high and the absorption of the radiation 16 is small.

例えば、熱の伝達を促進する場合、接着層244及び/又は防湿保護材238に関し、熱伝導率が相対的に高い材料を用いてもよい。一方、断熱する場合は、接着層244及び/又は防湿保護材238に関し、熱導電率が相対的に低い材料を用いてもよい。熱伝導率が高い接着剤として、放熱シリコーン接着剤{例えば、Dow Corning TC−2030(東レ株式会社製、商品名、登録商標)}がある。また、フイルム接着剤として、薄いエポキシ樹脂フイルム内に高熱伝導性の炭素繊維を厚さ方向に配列した接着剤を用いてもよい。   For example, when heat transfer is promoted, a material having a relatively high thermal conductivity may be used for the adhesive layer 244 and / or the moisture-proof protective material 238. On the other hand, in the case of heat insulation, a material having a relatively low thermal conductivity may be used for the adhesive layer 244 and / or the moisture-proof protective material 238. As an adhesive having high thermal conductivity, there is a heat dissipation silicone adhesive {for example, Dow Corning TC-2030 (trade name, registered trademark) manufactured by Toray Industries, Inc.}. As the film adhesive, an adhesive in which carbon fibers having high thermal conductivity are arranged in the thickness direction in a thin epoxy resin film may be used.

図10は、電子カセッテ20Aのブロック構成図である。   FIG. 10 is a block diagram of the electronic cassette 20A.

光電変換層120は、放射線16(図1、図2、図5及び図6参照)を電荷に変換して蓄積可能なpin型のフォトダイオードやフォトトランジスタ等の光電変換素子140と、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(Thin Film Transitor;TFT)142とを有する。なお、図10では、光電変換素子140がpin型のフォトダイオードである場合を図示している。   The photoelectric conversion layer 120 includes, as a switching element, a photoelectric conversion element 140 such as a pin-type photodiode or a phototransistor that can store radiation 16 (see FIGS. 1, 2, 5, and 6) by converting it into charges. Thin film transistor (TFT) 142. Note that FIG. 10 illustrates the case where the photoelectric conversion element 140 is a pin-type photodiode.

この場合、光電変換層120では、ガラス又は樹脂からなる基板の一面に複数の信号線144とゲート線146とを互いに交差させるように配設し、各ゲート線146と各信号線144とにより区画された小領域に光電変換素子140とTFT142とをそれぞれ設けることで、前記基板に複数の光電変換素子140及び複数のTFT142を二次元マトリクス状に配列させている。また、1つの光電変換素子140には1本のバイアス線148が接続され、各バイアス線148は、1本の結線150を介してバイアス電源172に接続されている。   In this case, in the photoelectric conversion layer 120, a plurality of signal lines 144 and gate lines 146 are arranged on one surface of a substrate made of glass or resin so as to intersect with each other, and are partitioned by each gate line 146 and each signal line 144. By providing the photoelectric conversion elements 140 and the TFTs 142 in the small areas, the plurality of photoelectric conversion elements 140 and the plurality of TFTs 142 are arranged in a two-dimensional matrix on the substrate. Further, one bias line 148 is connected to one photoelectric conversion element 140, and each bias line 148 is connected to a bias power source 172 through one connection 150.

ここで、光電変換素子140のアノード電極は、バイアス線148に接続され、カソード電極は、TFT142のソース電極Sに接続されている。一方、TFT142のゲート電極Gは、ゲート線146を介してゲート駆動回路152に接続され、ドレイン電極Dは、信号線144を介して信号読出回路154に接続されている。この場合、ゲート駆動回路152は、複数の駆動用IC124に対応する放射線変換パネル116を駆動するための駆動回路部であり、一方で、信号読出回路154は、複数の読出用IC128に対応する放射線画像に応じた電気信号を読み出す読出回路部である。   Here, the anode electrode of the photoelectric conversion element 140 is connected to the bias line 148, and the cathode electrode is connected to the source electrode S of the TFT 142. On the other hand, the gate electrode G of the TFT 142 is connected to the gate drive circuit 152 via the gate line 146, and the drain electrode D is connected to the signal readout circuit 154 via the signal line 144. In this case, the gate driving circuit 152 is a driving circuit unit for driving the radiation conversion panel 116 corresponding to the plurality of driving ICs 124, while the signal reading circuit 154 is a radiation corresponding to the plurality of reading ICs 128. It is a readout circuit unit that reads out an electrical signal corresponding to an image.

バイアス電源172は、結線150及び各バイアス線148を介して各光電変換素子140に逆方向にバイアス電圧(逆バイアス電圧)を印加する。なお、図10では、pin型の光電変換素子140のp層側にアノード電極を介してバイアス線148が接続されているので、バイアス電源172からは、光電変換素子140のアノード電極に結線150及びバイアス線148を介して逆バイアス電圧として負の電圧(カソード電極よりも所定電圧以上低い電圧であればよい。)が印加されるようになっている。なお、光電変換素子140のpin型の積層順を逆に形成して(光電変換素子140の極性が逆となるように形成して)カソード電極にバイアス線148を接続する場合には、バイアス電源172からはカソード電極に逆バイアス電圧として正の電圧(アノード電極よりも所定電圧以上高い電圧であればよい。)が印加される。その場合には、図10における光電変換素子140のバイアス電源172に対する接続の向きが逆向きになる。   The bias power source 172 applies a bias voltage (reverse bias voltage) in the reverse direction to each photoelectric conversion element 140 via the connection 150 and each bias line 148. In FIG. 10, since the bias line 148 is connected to the p-layer side of the pin type photoelectric conversion element 140 via the anode electrode, the bias power source 172 connects the wiring 150 and the anode electrode of the photoelectric conversion element 140. A negative voltage (which may be a voltage lower than the cathode electrode by a predetermined voltage or more) is applied as a reverse bias voltage via the bias line 148. When the bias line 148 is connected to the cathode electrode by forming the pin type stacking order of the photoelectric conversion element 140 in reverse (the photoelectric conversion element 140 is formed so that the polarity of the photoelectric conversion element 140 is reversed), From 172, a positive voltage (which is higher than the anode electrode by a predetermined voltage or higher) may be applied as a reverse bias voltage to the cathode electrode. In that case, the direction of connection of the photoelectric conversion element 140 to the bias power source 172 in FIG. 10 is reversed.

ゲート駆動回路152からゲート線146を介してTFT142のゲート電極Gに信号読み出し用の電圧(制御信号)が印加されると、TFT142のゲートが開き、光電変換素子140に蓄積された電荷、すなわち、電気信号(放射線画像信号)が、TFT142のソース電極Sを介してドレイン電極Dから信号線144に読み出される。   When a signal readout voltage (control signal) is applied from the gate drive circuit 152 to the gate electrode G of the TFT 142 via the gate line 146, the gate of the TFT 142 opens, and the charge accumulated in the photoelectric conversion element 140, that is, An electric signal (radiation image signal) is read from the drain electrode D to the signal line 144 via the source electrode S of the TFT 142.

信号読出回路154では、各信号線144に対して、増幅器160、サンプルホールド回路162、マルチプレクサ164及びAD変換器166が順に接続されている。従って、各信号線144を介して読み出された電気信号は、チャージアンプからなる増幅器160によって増幅され、サンプルホールド回路162によってサンプリングされた後、マルチプレクサ164を介してAD変換器166に順次供給され、デジタル信号(デジタル値)に変換される。AD変換器166は、デジタル値に変換された各光電変換素子140の電気信号を後述するカセッテ制御部174に順次出力する。   In the signal readout circuit 154, an amplifier 160, a sample hold circuit 162, a multiplexer 164, and an AD converter 166 are sequentially connected to each signal line 144. Therefore, the electric signal read out through each signal line 144 is amplified by the amplifier 160 formed of a charge amplifier, sampled by the sample hold circuit 162, and then sequentially supplied to the AD converter 166 through the multiplexer 164. , Converted into a digital signal (digital value). The AD converter 166 sequentially outputs the electrical signal of each photoelectric conversion element 140 converted into a digital value to a cassette control unit 174 described later.

また、電子カセッテ20Aは、装置全体を制御するための制御部170を有する。   The electronic cassette 20A has a control unit 170 for controlling the entire apparatus.

制御部170は、前述した電源スイッチ54、ディスプレイ56、入力端子58、USB端子60、カードスロット64、インジケータ66、電源部94及びバイアス電源172に加え、放射線変換パネル116、ゲート駆動回路152及び信号読出回路154等を制御するカセッテ制御部174と、コンソール22との間で無線通信により信号の送受信を行う通信部176とを有する。   In addition to the power switch 54, the display 56, the input terminal 58, the USB terminal 60, the card slot 64, the indicator 66, the power supply unit 94, and the bias power supply 172, the control unit 170 includes the radiation conversion panel 116, the gate drive circuit 152, and the signal. A cassette control unit 174 that controls the readout circuit 154 and the like, and a communication unit 176 that transmits and receives signals to and from the console 22 by wireless communication.

電源部94は、電源回路178と電源180とを有する。電源180は、バッテリ又はキャパシタ(例えば、電気二重層キャパシタ)等の蓄電手段である。また、電源回路178は、電源180の電圧を所望の電圧に変換して電子カセッテ20A内の各部に供給可能なDC/DCコンバータ等の電力変換回路である。   The power supply unit 94 includes a power supply circuit 178 and a power supply 180. The power source 180 is a power storage means such as a battery or a capacitor (for example, an electric double layer capacitor). The power supply circuit 178 is a power conversion circuit such as a DC / DC converter that can convert the voltage of the power supply 180 into a desired voltage and supply it to each part in the electronic cassette 20A.

カセッテ制御部174は、マイクロコンピュータを含む計算機であり、図示しないCPUがROMに記録されているプログラムを読み出し実行することで各種機能を実現する。   The cassette control unit 174 is a computer including a microcomputer, and realizes various functions by a CPU (not shown) reading and executing a program recorded in a ROM.

具体的に、カセッテ制御部174は、画像メモリ182及び記憶部186を有する。画像メモリ182は、放射線変換パネル116から信号読出回路154を介して取得した放射線画像を記憶する。記憶部186は、電子カセッテ20Aを特定するためのカセッテID情報を記憶する。   Specifically, the cassette control unit 174 includes an image memory 182 and a storage unit 186. The image memory 182 stores a radiation image acquired from the radiation conversion panel 116 via the signal readout circuit 154. The storage unit 186 stores cassette ID information for specifying the electronic cassette 20A.

なお、制御部170中、バイアス電源172、カセッテ制御部174及び通信部176は、前述した回路基板130に搭載される電子部品132によって実現される。   In the control unit 170, the bias power source 172, the cassette control unit 174, and the communication unit 176 are realized by the electronic component 132 mounted on the circuit board 130 described above.

[第1実施形態に係る放射線撮像装置の動作]
次に、第1実施形態に係る電子カセッテ20Aを含む放射線撮像システム10の動作について、図11のフローチャートに従って説明する。なお、この動作説明では、必要に応じて、図1〜図10も参照しながら説明する。
[Operation of Radiation Imaging Device According to First Embodiment]
Next, operation | movement of the radiation imaging system 10 containing the electronic cassette 20A which concerns on 1st Embodiment is demonstrated according to the flowchart of FIG. In the description of the operation, the description will be given with reference to FIGS.

先ず、ステップS1において、ユーザは、病院内の放射線科等の所定の保管場所から撮影台12(図1参照)にまで電子カセッテ20Aを運搬する。この場合、電子カセッテ20Aは、電源部94(図5、図6及び図10参照)がカセッテ制御部174にのみ電力供給を行って、該カセッテ制御部174のみが動作しているスリープ状態である。   First, in step S1, the user carries the electronic cassette 20A from a predetermined storage location such as a radiology department in a hospital to the imaging table 12 (see FIG. 1). In this case, the electronic cassette 20A is in a sleep state in which the power supply unit 94 (see FIGS. 5, 6, and 10) supplies power only to the cassette control unit 174, and only the cassette control unit 174 is operating. .

次に、ユーザは、照射面36を上方に向けた状態で電子カセッテ20Aを撮影台12に配置した後に、電源スイッチ54を投入する。これにより、先ず、カセッテ制御部174は、該カセッテ制御部174に加え、ディスプレイ56、インジケータ66及び通信部176にも電力供給を行うように電源部94を制御する。この結果、ディスプレイ56は、電子カセッテ20Aの起動を画面表示する。また、インジケータ66は、LED等によって電子カセッテ20Aの起動を示す発光を行う。ユーザは、ディスプレイ56の画面表示又はインジケータ66の発光を視認することにより、電子カセッテ20Aが起動したことを把握することができる。さらに、通信部176は、コンソール22との間での無線による信号の送受信が可能となる。   Next, the user turns on the power switch 54 after placing the electronic cassette 20 </ b> A on the imaging table 12 with the irradiation surface 36 facing upward. Thereby, first, the cassette control unit 174 controls the power supply unit 94 so as to supply power to the display 56, the indicator 66, and the communication unit 176 in addition to the cassette control unit 174. As a result, the display 56 displays the activation of the electronic cassette 20A on the screen. The indicator 66 emits light indicating activation of the electronic cassette 20A by an LED or the like. The user can grasp that the electronic cassette 20 </ b> A is activated by visually recognizing the screen display of the display 56 or the light emission of the indicator 66. Further, the communication unit 176 can transmit and receive signals wirelessly with the console 22.

次に、ユーザは、コンソール22を操作することにより、撮像対象である被写体14に関わる被写体情報等の撮像条件(例えば、放射線源18の管電圧や管電流、放射線16の曝射時間)を含めた撮影オーダを登録する。なお、撮像枚数や撮像部位や撮像方法が予め決まっている場合に、ユーザは、これらの条件も撮影オーダに含めて登録しておく。前述のように、コンソール22と通信部176との間は、無線による信号の送受信が可能であるため、カセッテ制御部174は、通信部176を介して無線通信によりコンソール22に撮影オーダの送信を要求し、コンソール22は、電子カセッテ20Aからの送信要求に応じて、前記撮影オーダを無線通信により電子カセッテ20Aに送信する。通信部176で受信された前記撮影オーダは、記憶部186に記憶される。   Next, the user operates the console 22 to include imaging conditions such as subject information related to the subject 14 to be imaged (for example, the tube voltage and tube current of the radiation source 18 and the exposure time of the radiation 16). Register a shooting order. Note that when the number of images to be imaged, the imaging region, and the imaging method are determined in advance, the user registers these conditions in the imaging order. As described above, since the wireless transmission / reception of signals is possible between the console 22 and the communication unit 176, the cassette control unit 174 transmits the imaging order to the console 22 by wireless communication via the communication unit 176. In response to the request, the console 22 transmits the imaging order to the electronic cassette 20A by wireless communication in response to a transmission request from the electronic cassette 20A. The imaging order received by the communication unit 176 is stored in the storage unit 186.

次のステップS2において、ユーザ及び電子カセッテ20Aは、撮影準備を行う。   In the next step S2, the user and the electronic cassette 20A prepare for photographing.

この場合、カセッテ制御部174は、ディスプレイ56、インジケータ66、カセッテ制御部174及び通信部176以外の電子カセッテ20A内の各部にも電力供給を行うように、電源部94を制御する。これにより、電源部94からの電力供給を受けたバイアス電源172は、逆バイアス電圧を各光電変換素子140に印加し、該各光電変換素子140は、電荷蓄積が可能な状態に至る。また、カセッテ制御部174は、ゲート駆動回路152を制御して、全てのTFT142をオフ状態とする。   In this case, the cassette control unit 174 controls the power supply unit 94 so as to supply power to each unit in the electronic cassette 20A other than the display 56, the indicator 66, the cassette control unit 174, and the communication unit 176. As a result, the bias power source 172 that receives power supply from the power supply unit 94 applies a reverse bias voltage to each photoelectric conversion element 140, and each photoelectric conversion element 140 reaches a state where charges can be accumulated. The cassette control unit 174 controls the gate drive circuit 152 to turn off all the TFTs 142.

一方、ユーザは、放射線源18と放射線変換パネル116との間の距離をSID(線源受像画間距離)に調整すると共に、照射面36に被写体14を配置させて、該被写体14の撮像部位が撮像可能領域40に入り、且つ、該撮像部位の中心位置が撮像可能領域40の中心位置と略一致するように、該被写体14のポジショニングを行う。   On the other hand, the user adjusts the distance between the radiation source 18 and the radiation conversion panel 116 to the SID (distance between the source image reception images), arranges the subject 14 on the irradiation surface 36, and captures the imaging region of the subject 14. Is positioned so that the center position of the imaging region substantially coincides with the center position of the imageable area 40.

このようにして撮影準備が完了した後のステップS3において、ユーザがコンソール22又は放射線源18に備わる図示しない曝射スイッチを投入する。コンソール22に曝射スイッチが備わっている場合には、曝射スイッチの投入後、コンソール22から無線通信によって撮像条件が放射線源18に送信される。また、放射線源18に曝射スイッチが備わっている場合には、曝射スイッチの投入後、放射線源18から無線通信によりコンソール22に対して撮像条件の送信が要求され、該コンソール22は、放射線源18からの送信要求に応じて、前記撮像条件を無線通信により放射線源18に送信する。   In step S3 after the preparation for imaging is completed in this way, the user turns on an exposure switch (not shown) provided in the console 22 or the radiation source 18. When the console 22 is provided with an exposure switch, the imaging conditions are transmitted from the console 22 to the radiation source 18 by wireless communication after the exposure switch is turned on. If the radiation source 18 is equipped with an exposure switch, after the exposure switch is turned on, transmission of imaging conditions is requested from the radiation source 18 to the console 22 by wireless communication. In response to a transmission request from the source 18, the imaging condition is transmitted to the radiation source 18 by wireless communication.

次のステップS4において、放射線源18は、撮像条件を受信すると、該撮像条件に従って、所定の線量からなる放射線16を所定の曝射時間だけ被写体14に照射する。放射線16は、被写体14を透過してハウジング本体30内の放射線変換パネル116に至る。この場合、シンチレーション層118は、放射線16の強度に応じた強度の可視光を発光し、光電変換層120を構成する各光電変換素子140は、可視光を電気信号に変換し、電荷として蓄積する。   In the next step S4, when receiving the imaging condition, the radiation source 18 irradiates the subject 14 with the radiation 16 having a predetermined dose according to the imaging condition for a predetermined exposure time. The radiation 16 passes through the subject 14 and reaches the radiation conversion panel 116 in the housing body 30. In this case, the scintillation layer 118 emits visible light having an intensity corresponding to the intensity of the radiation 16, and each photoelectric conversion element 140 constituting the photoelectric conversion layer 120 converts the visible light into an electric signal and accumulates it as an electric charge. .

このとき、電子カセッテ20Aの放熱源からの放熱を利用した加熱効果により、放射線変換パネル116の面内の感度分布は略均一となっている。   At this time, the sensitivity distribution in the surface of the radiation conversion panel 116 is substantially uniform due to the heating effect using heat radiation from the heat radiation source of the electronic cassette 20A.

次のステップS5において、カセッテ制御部174は、ゲート駆動回路152を制御して、ゲート駆動回路152から1本のゲート線146に信号読み出し用の電圧(制御信号)を印加させる。これにより、該ゲート線146にゲート電極Gが接続されている全てのTFT142のゲートが開き、これらのTFT142が接続されている各光電変換素子140に蓄積された電荷(図10のpin型の光電変換素子140では電子)が、電気信号として各信号線144にそれぞれ読み出される。各増幅器160は、読み出された電気信号を増幅し、各サンプルホールド回路162は、増幅後の電気信号をサンプリングし、マルチプレクサ164を介してAD変換器166に順次供給する。AD変換器166は、順次供給された電気信号に対するAD変換を行い、デジタル信号に変換する。   In the next step S <b> 5, the cassette control unit 174 controls the gate drive circuit 152 to apply a signal read voltage (control signal) from the gate drive circuit 152 to one gate line 146. As a result, the gates of all TFTs 142 to which the gate electrode G is connected to the gate line 146 are opened, and the charges accumulated in the respective photoelectric conversion elements 140 to which these TFTs 142 are connected (the pin type photoelectric photoelectric conversion in FIG. 10). In the conversion element 140, electrons) are read out to the signal lines 144 as electric signals. Each amplifier 160 amplifies the read electrical signal, and each sample and hold circuit 162 samples the amplified electrical signal and sequentially supplies it to the AD converter 166 via the multiplexer 164. The AD converter 166 performs AD conversion on the sequentially supplied electric signals and converts them into digital signals.

次のステップS6において、デジタル信号に変換された電気信号に応じた放射線画像は、カセッテ制御部174の画像メモリ182に一旦記憶される。   In the next step S <b> 6, the radiation image corresponding to the electrical signal converted into the digital signal is temporarily stored in the image memory 182 of the cassette control unit 174.

このようにして、1本のゲート線146に接続された各光電変換素子140に対する電気信号(に応じた放射線画像)の読み出しの完了後、カセッテ制御部174は、ゲート駆動回路152を制御して、信号読み出し用の電圧を印加するゲート線146を順次切り替え、切り替えたゲート線146に接続された各光電変換素子140に対する電気信号の読み出しを順次行う。従って、電子カセッテ20Aでは、全てのゲート線146に接続された各光電変換素子140からの放射線画像の読み出しが完了するまで、ステップS5及びS6の処理を繰り返し行う。   In this way, after the readout of the electrical signal (the corresponding radiation image) for each photoelectric conversion element 140 connected to one gate line 146 is completed, the cassette control unit 174 controls the gate drive circuit 152. Then, the gate lines 146 to which a signal reading voltage is applied are sequentially switched, and electrical signals are sequentially read out from the photoelectric conversion elements 140 connected to the switched gate lines 146. Therefore, in the electronic cassette 20A, the processes in steps S5 and S6 are repeated until the reading of the radiation image from each photoelectric conversion element 140 connected to all the gate lines 146 is completed.

このようにして、全ての光電変換素子140からの放射線画像の読み出しが完了し、被写体14の放射線画像が画像メモリ182に記憶された後のステップS7において、カセッテ制御部174は、画像メモリ182に記憶された放射線画像をディスプレイ56に表示させると共に、当該放射線画像と、記憶部186に記憶されたカセッテID情報とを共に通信部176を介して無線通信によりコンソール22に送信する。コンソール22は、受信した放射線画像に対して所定の画像処理を行い、画像処理後の放射線画像を無線通信により表示装置24に送信する。表示装置24は、受信した放射線画像を表示する。従って、ユーザは、ディスプレイ56に表示された放射線画像、又は、表示装置24に表示された放射線画像を視認することにより、被写体14に対して撮影オーダに応じた適切な撮像が行われたか否かを容易に判断することができる。   In this manner, the cassette control unit 174 stores the radiographic images from all the photoelectric conversion elements 140 in the image memory 182 in step S7 after the radiographic images of the subject 14 are stored in the image memory 182. The stored radiographic image is displayed on the display 56, and the radiographic image and the cassette ID information stored in the storage unit 186 are both transmitted to the console 22 via the communication unit 176 by wireless communication. The console 22 performs predetermined image processing on the received radiographic image, and transmits the radiographic image after the image processing to the display device 24 by wireless communication. The display device 24 displays the received radiation image. Therefore, the user visually recognizes the radiographic image displayed on the display 56 or the radiographic image displayed on the display device 24 to determine whether the subject 14 has been appropriately imaged according to the imaging order. Can be easily determined.

そして、ステップS8において、被写体14に対する撮像が完了した場合(ステップS8:YES)、ユーザは、被写体14を解放して撮像を終了させ(ステップS9)、次に、電源スイッチ54を押して、電子カセッテ20Aをスリープ状態に移行させる。その後、ユーザは、電子カセッテ20Aを所定の保管場所まで運搬する(ステップS10)。   In step S8, when imaging of the subject 14 is completed (step S8: YES), the user releases the subject 14 to end imaging (step S9), and then presses the power switch 54 to set the electronic cassette. 20A is shifted to the sleep state. Thereafter, the user carries the electronic cassette 20A to a predetermined storage location (step S10).

一方、被写体14に対して複数枚の撮像を行う場合であって、全ての撮像が完了していない場合には(ステップS8:NO)、ステップS2又はステップS3に戻り、次の撮像、又は、次の撮像のための撮影準備が行われる。   On the other hand, when a plurality of images are captured with respect to the subject 14 and all the imaging is not completed (step S8: NO), the process returns to step S2 or step S3, and the next imaging or Preparation for shooting for the next imaging is performed.

[第1実施形態に係る放射線撮像装置の効果]
以上のように、電子カセッテ20Aの発熱源と放射線変換パネル116との間を熱的に結合するようにしたので、装置の動作に起因する発熱を利用可能であり、別異の加熱装置が不要となる。また、放射線変換パネル116に対する面接触により、発熱源からの発熱を伝達するようにしたので、放射線変換パネル116の温度分布が略均一となるとともに、放射線変換パネル116の感度分布が略均一となる。これにより、装置全体の重量を増加させることなく、且つ、筐体29内部での発熱に起因する画像ムラの発生を抑制できる。
[Effects of the radiation imaging apparatus according to the first embodiment]
As described above, since the heat generation source of the electronic cassette 20A and the radiation conversion panel 116 are thermally coupled, the heat generated by the operation of the apparatus can be used, and a separate heating apparatus is unnecessary. It becomes. Further, since the heat generation from the heat generation source is transmitted by surface contact with the radiation conversion panel 116, the temperature distribution of the radiation conversion panel 116 becomes substantially uniform and the sensitivity distribution of the radiation conversion panel 116 becomes substantially uniform. . Thereby, it is possible to suppress the occurrence of image unevenness due to heat generation inside the housing 29 without increasing the weight of the entire apparatus.

また、前記発熱源には、放射線変換パネル116を作動制御に供される電子部品(駆動用IC124、読出用IC128、及び電子部品132)、及び放射線変換パネル116に電力を供給する電源部94のうち少なくとも一方が含まれてもよい。これにより、装置の通常動作時において、特に発熱量が多い電子部品又は電源部94から受熱するので効率的である。   The heat generation source includes electronic components (driving IC 124, reading IC 128, and electronic component 132) used for operation control of the radiation conversion panel 116, and a power supply unit 94 that supplies power to the radiation conversion panel 116. At least one of them may be included. Thereby, during normal operation of the apparatus, heat is received from the electronic component or the power supply unit 94 that generates a particularly large amount of heat, which is efficient.

さらに、前記発熱源と放射線変換パネル116との間の熱的な短絡を可能にする第2熱伝達手段をさらに有してもよい。これにより、更に効率的に熱を伝達できる。   Furthermore, you may further have the 2nd heat transfer means which enables the thermal short circuit between the said heat generation source and the radiation conversion panel 116. FIG. Thereby, heat can be more efficiently transferred.

さらに、第2熱伝達手段は、前記発熱源と放射線変換パネル116との間に介挿された介挿部材216、218、220、及び222であってもよい。これにより、簡易な構成で、放射線変換パネル116に熱を伝達できる。   Further, the second heat transfer means may be insertion members 216, 218, 220, and 222 inserted between the heat generation source and the radiation conversion panel 116. Thereby, heat can be transmitted to the radiation conversion panel 116 with a simple configuration.

さらに、放射線変換パネル116は、放射線16を他の波長の電磁波に変換するシンチレーション層118と、シンチレーション層118により変換された前記電磁波を放射線画像に変換する光電変換層120とから構成され、放射線変換パネル116は、放射線16の照射側に対して、光電変換層120及びシンチレーション層118の順に配置されてもよい。   Furthermore, the radiation conversion panel 116 includes a scintillation layer 118 that converts the radiation 16 into electromagnetic waves of other wavelengths, and a photoelectric conversion layer 120 that converts the electromagnetic waves converted by the scintillation layer 118 into a radiation image. The panel 116 may be disposed in the order of the photoelectric conversion layer 120 and the scintillation layer 118 with respect to the irradiation side of the radiation 16.

さらに、シンチレーション層118は、蒸着基板233、242と、蒸着基板233、242上に形成された柱状結晶構造236とを備えてもよい。   Further, the scintillation layer 118 may include vapor deposition substrates 233 and 242 and columnar crystal structures 236 formed on the vapor deposition substrates 233 and 242.

さらに、柱状結晶構造236は、CsIであってもよい。これにより、光電層の深いトラップに補足された電荷を吐き出させた状態下で、放射線画像を取得することができる。   Further, the columnar crystal structure 236 may be CsI. Thereby, a radiographic image can be acquired in the state where the electric charge captured by the deep trap of the photoelectric layer is discharged.

さらに、第1熱伝達手段は、蒸着基板242であることが好ましい。これにより、別異の部材を設けることなく実現できるとともに、熱伝達の効率も良くなる。   Furthermore, the first heat transfer means is preferably a vapor deposition substrate 242. Thereby, it can implement | achieve, without providing a different member, and the efficiency of heat transfer improves.

さらに、第1熱伝達手段は、放射線変換パネル116に対し、放射線16の照射側の反対の面で接触することで、前記発熱源からの発熱を伝達してもよい。これにより、シンチレーション層118に対して直接的に熱を伝達できる。   Further, the first heat transfer means may transmit heat generated from the heat source by contacting the radiation conversion panel 116 on the surface opposite to the irradiation side of the radiation 16. Thereby, heat can be directly transferred to the scintillation layer 118.

さらに、光電変換層120は、a−Siの光電変換素子140で構成されることが好ましい。これにより、上記した理由により、光電層の浅いトラップに補足された電荷を吐き出させた状態下で、放射線画像を取得することができる。   Furthermore, the photoelectric conversion layer 120 is preferably composed of an a-Si photoelectric conversion element 140. Thereby, for the reason described above, a radiographic image can be acquired under a state in which charges captured by a shallow trap in the photoelectric layer are discharged.

また、放射線変換パネル116の温度分布を略均一化することで、a−Siの光電変換素子140に起因するトラップの発生分布も略均一となる。この電子カセッテ20Aにいわゆる光リセット法を実現する機構を組み込んだ場合、光電変換層120に対するリセット光の照射量を少なくできる。換言すれば、放射線変換パネル116の温度分布を略均一化させることで局所的な温度上昇を抑制可能であり、シンチレーション層118の発光によって光電変換層120に通常形成されるトラップが形成され難くなるので、リセット光の照射量を過度に増やす必要がなく、最小限に留めることができる。特に、動画撮影の際、放射線変換パネル116の温度が高くなる傾向があるので、一層効果的である。   Further, by making the temperature distribution of the radiation conversion panel 116 substantially uniform, the generation distribution of traps caused by the a-Si photoelectric conversion element 140 becomes substantially uniform. When a mechanism for realizing a so-called optical reset method is incorporated in the electronic cassette 20A, the irradiation amount of the reset light to the photoelectric conversion layer 120 can be reduced. In other words, a local temperature rise can be suppressed by making the temperature distribution of the radiation conversion panel 116 substantially uniform, and traps that are normally formed in the photoelectric conversion layer 120 due to light emission of the scintillation layer 118 are less likely to be formed. Therefore, it is not necessary to excessively increase the irradiation amount of the reset light, and can be kept to a minimum. In particular, it is more effective because the temperature of the radiation conversion panel 116 tends to be higher during moving image shooting.

なお、上記した光リセット法は、特表2010−525359号公報、特開2007−225598号公報、特願2010−258184号等に記載された方法である。具体的には、放射線16の非照射時(非撮影時)に、光電変換素子140にリセット光を照射して、不純物準位に電荷を予め埋めておき、その後、放射線16の照射時(撮影時)に可視光から変換された電荷が前記不純物準位に補足されないようにすることで、電気ノイズの一因である暗電流の発生量を低減する方法である。   The optical reset method described above is a method described in Japanese Patent Application Publication No. 2010-525359, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-225598, Japanese Patent Application No. 2010-258184, and the like. Specifically, when the radiation 16 is not irradiated (non-imaging), the photoelectric conversion element 140 is irradiated with reset light so that charges are pre-filled in the impurity level, and then, when the radiation 16 is irradiated (imaging). In other words, the amount of dark current that is a cause of electrical noise is reduced by preventing the charge level converted from visible light from being captured by the impurity level.

[第1実施形態の変形例に係る放射線撮像装置の説明]
続いて、第1実施形態に係る電子カセッテ20Aの変形例(第1〜第4変形例)について、図12〜図14を参照しながら説明する。なお、変形例において本実施形態と同一である構成要素には、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略し、以下同様とする。
[Description of Radiation Imaging Device According to Modification of First Embodiment]
Next, modified examples (first to fourth modified examples) of the electronic cassette 20A according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. In the modification, the same reference numerals are given to the same components as those of the present embodiment, and detailed description thereof will be omitted.

第1変形例において、電子カセッテ20Aaの発熱源からの熱供給方法が第1実施形態(図5の電子カセッテ20A)と異なる。   In the first modification, the method of supplying heat from the heat source of the electronic cassette 20Aa is different from that of the first embodiment (electronic cassette 20A in FIG. 5).

図12に示すように、筐体29の内壁208(ハウジング本体30の底面46の内壁)には、略全面にわたってシート状の断熱部材250が貼付されている。また、筐体29の内壁252(蓋部材32の内壁)には、略全面にわたってシート状の断熱部材254が貼付されている。さらに、筐体29の内壁256(蓋部材34の内壁)には、略全面にわたってシート状の断熱部材(断熱手段)258が貼付されている。このように、筐体29の外部への放熱を遮断することで、筐体29内部の発熱を更に多く利用可能であり、一層効率的である。特に、筐体29の内壁208(又は、252、256)に断熱部材250(又は、254、258)を設けることで、簡易な構成で、放射線変換パネル116に熱を伝達できる。   As illustrated in FIG. 12, a sheet-like heat insulating member 250 is attached to the inner wall 208 of the housing 29 (the inner wall of the bottom surface 46 of the housing body 30) over substantially the entire surface. Further, a sheet-like heat insulating member 254 is attached to the inner wall 252 of the housing 29 (the inner wall of the lid member 32) over substantially the entire surface. Furthermore, a sheet-like heat insulating member (heat insulating means) 258 is attached to the inner wall 256 of the housing 29 (inner wall of the lid member 34) over substantially the entire surface. In this way, by blocking heat dissipation to the outside of the housing 29, more heat generation inside the housing 29 can be used, which is more efficient. In particular, by providing the heat insulating member 250 (or 254, 258) on the inner wall 208 (or 252, 256) of the housing 29, heat can be transferred to the radiation conversion panel 116 with a simple configuration.

なお、筐体29の断熱手段はこの方法に限定されず、種々の手法を採ってもよい。また、図12例では、介挿部材218、220、222(図5参照)を省略している。断熱部材250等と併せて、これらの介挿部材218等を配置することで、発熱の利用効率が更に向上する。   In addition, the heat insulation means of the housing | casing 29 is not limited to this method, You may take a various method. In the example of FIG. 12, the insertion members 218, 220, and 222 (see FIG. 5) are omitted. By arranging these insertion members 218 and the like together with the heat insulating member 250 and the like, the utilization efficiency of heat generation is further improved.

第2変形例において、放射線変換パネル260(シンチレーション層261)の構成が第1実施形態(図9Bの放射線パネル116)と異なる。   In the second modification, the configuration of the radiation conversion panel 260 (scintillation layer 261) is different from that of the first embodiment (the radiation panel 116 in FIG. 9B).

図13に示すように、シンチレーション層261は、蒸着基板242、柱状結晶構造236及び防湿保護材238の他、蒸着基板242の基台112側に貼付された高熱伝導性の平板状部材(第1熱伝達手段)262を備える。すなわち、平板状部材262は、放射線変換パネル260(シンチレーション層261)の一面(基台112側の面)と面接触するように構成されている。これにより、簡単な構成で、放射線変換パネル116に対して熱を略均等に伝達できる。蒸着基板242の熱伝導率がそれほど高くない場合において、熱伝達の補助となるので特に効果的である。   As shown in FIG. 13, the scintillation layer 261 is composed of a vapor deposition substrate 242, a columnar crystal structure 236, and a moisture-proof protective material 238, as well as a highly thermally conductive flat plate member (first member) attached to the base 112 side of the vapor deposition substrate 242. Heat transfer means) 262. That is, the flat plate member 262 is configured to be in surface contact with one surface (surface on the base 112 side) of the radiation conversion panel 260 (scintillation layer 261). Thereby, heat can be transmitted to the radiation conversion panel 116 substantially uniformly with a simple configuration. In the case where the thermal conductivity of the vapor deposition substrate 242 is not so high, it is particularly effective because it assists heat transfer.

第3変形例において、発熱源と放射線変換パネル116との間に介挿された介挿部材278を着脱自在に移動させてもよい。   In the third modified example, the insertion member 278 interposed between the heat generation source and the radiation conversion panel 116 may be detachably moved.

図14A及び図14Bに示すように、基台112及び回路基板130の右方(x1方向)には、シリンダ等からなるアクチュエータ(移動手段)270が配置されている。概略円筒状の本体272には、x方向に進退自在に構成されたロッド274が収容されている。ロッド274の先端部276には、立方体状の介挿部材278が固着されている。   As shown in FIGS. 14A and 14B, an actuator (moving means) 270 made of a cylinder or the like is disposed on the right side (x1 direction) of the base 112 and the circuit board 130. The substantially cylindrical main body 272 accommodates a rod 274 configured to advance and retract in the x direction. A cubic insertion member 278 is fixed to the tip 276 of the rod 274.

例えば、図14Aに示す状態下、カセッテ制御部174からの指示に応じて、ロッド274をx2方向に進行させ、所定量以上を変位させると、基台112と回路基板130との間に介挿部材278が介挿される(図14B参照)。一方、図14Bに示す状態下、カセッテ制御部174からの指示に応じて、ロッド274をx1方向に後退させ、所定量以上を変位させると、介挿部材278は、基台112及び回路基板130から離間して取り外される(図14A参照)。   For example, in the state shown in FIG. 14A, when the rod 274 is advanced in the x2 direction and displaced by a predetermined amount or more in accordance with an instruction from the cassette control unit 174, the insertion is performed between the base 112 and the circuit board 130. A member 278 is inserted (see FIG. 14B). On the other hand, in the state shown in FIG. 14B, when the rod 274 is retracted in the x1 direction and displaced by a predetermined amount or more in accordance with an instruction from the cassette control unit 174, the insertion member 278 causes the base 112 and the circuit board 130 to move. It is removed away from (see FIG. 14A).

このように、介挿部材278を着脱自在に移動させる移動手段(アクチュエータ270)を設けたので、放射線変換パネル116に熱を供給するタイミングを制御できる。特に、少なくとも放射線16による撮像時間内において介挿部材278を介挿することで、放射線変換パネル116の感度特性を安定させることができる。   As described above, since the moving means (actuator 270) for detachably moving the insertion member 278 is provided, the timing for supplying heat to the radiation conversion panel 116 can be controlled. In particular, the sensitivity characteristic of the radiation conversion panel 116 can be stabilized by inserting the insertion member 278 within at least the imaging time of the radiation 16.

なお、介挿部材278を移動する手段はこれに限定されず、種々の方式を用いてもよい。また、介挿部材278を固定しつつ別の部位を移動することで、介挿部材278を介挿可能に構成しても同様の作用効果が得られる。   The means for moving the insertion member 278 is not limited to this, and various methods may be used. Moreover, even if it comprises so that the insertion member 278 can be inserted by moving another site | part, fixing the insertion member 278, the same effect is obtained.

第4変形例において、温度に依存して応答特性が変化する電子カセッテ20Aの各部位に対して、温度センサを配置し、その検出値に基づいてフィードフォワード制御及び/又はフィードバック制御を行うようにしてもよい。温度センサには、熱電対、サーミスタ等を含む種々の方式のセンサを用いてもよい。例えば、セラミック板上に白金を蒸着した超小型測温抵抗体からなる白金薄膜温度センサを用いてもよい。また、温度センサを配置する部位は、シンチレーション層118、光電変換層120のみならず、その近傍の部位(例えば、基台112、筐体29の内壁等)であってもよい。   In the fourth modification, a temperature sensor is arranged for each part of the electronic cassette 20A whose response characteristics change depending on the temperature, and feedforward control and / or feedback control is performed based on the detected value. May be. As the temperature sensor, various types of sensors including a thermocouple, a thermistor, and the like may be used. For example, a platinum thin film temperature sensor made of an ultra-compact resistance temperature detector in which platinum is deposited on a ceramic plate may be used. Further, the part where the temperature sensor is arranged may be not only the scintillation layer 118 and the photoelectric conversion layer 120 but also a part in the vicinity thereof (for example, the base 112, the inner wall of the housing 29, etc.).

[第2実施形態に係る放射線撮像装置の説明]
次に、第2実施形態に係る電子カセッテ20Bについて、図15及び図16を参照しながら説明する。
[Description of Radiation Imaging Device According to Second Embodiment]
Next, an electronic cassette 20B according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.

第2実施形態に係る電子カセッテ20Bでは、筐体29におけるx2方向側が薄板状の蓋部材32とされ、x1方向側がユーザにより把持可能な把持部300とされている。従って、ユーザは、把持部300の取っ手302を把持した状態で電子カセッテ20Bを運搬することが可能である。また、図16に示すように、図示しないヒンジ部材を中心として蓋部材32を回動させることにより、蓋部材32によって開口部44aを閉塞することができる一方で、開口部44aを開放状態とすることもできる。   In the electronic cassette 20B according to the second embodiment, the x2 direction side of the housing 29 is a thin plate-like lid member 32, and the x1 direction side is a gripping part 300 that can be gripped by the user. Therefore, the user can carry the electronic cassette 20B while holding the handle 302 of the holding unit 300. Further, as shown in FIG. 16, by rotating the lid member 32 around a hinge member (not shown), the opening portion 44a can be closed by the lid member 32, while the opening portion 44a is opened. You can also.

このように構成される第2実施形態でも、第1実施形態と同様の効果が得られることは勿論である。また、第2実施形態では、蓋部材32を下にした状態で取っ手302を把持して電子カセッテ20Bを運搬するので、運搬中に筐体29を落下させても、蓋部材32のみの損傷で済ませることができる。   Of course, the second embodiment configured as described above can achieve the same effects as those of the first embodiment. Further, in the second embodiment, since the electronic cassette 20B is transported by gripping the handle 302 with the lid member 32 down, even if the housing 29 is dropped during transportation, only the lid member 32 is damaged. I can finish it.

[第3実施形態に係る放射線撮像装置の説明]
次に、第3実施形態に係る電子カセッテ20Cについて、図17及び図18を参照しながら説明する。
[Description of Radiation Imaging Device According to Third Embodiment]
Next, an electronic cassette 20C according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.

第3実施形態に係る電子カセッテ20Cは、筐体29の厚みが全体的に薄く、ハウジング本体30の側面42aが湾曲面となっていると共に、該湾曲面に合わせて、蓋部材32も湾曲形状となっている。この場合、側面42aの中央部は、x1方向に向かって凹み、蓋部材32の中央部は、側面42aの凹部に対応してx1方向に膨出した凸部となっている。この凸部に取っ手304が設けられている。   In the electronic cassette 20C according to the third embodiment, the thickness of the housing 29 is entirely thin, the side surface 42a of the housing body 30 is a curved surface, and the lid member 32 is also curved in accordance with the curved surface. It has become. In this case, the central portion of the side surface 42a is recessed toward the x1 direction, and the central portion of the lid member 32 is a convex portion that bulges in the x1 direction corresponding to the concave portion of the side surface 42a. A handle 304 is provided on the convex portion.

一方、ハウジング本体30のx1方向の2つの角部306(側面42bと、側面42c、42dとを連結する2つの角部)は、ハウジング本体30の中心に向かって凹んでおり、この凹部にはL字状の緩衝部材308が嵌合している。   On the other hand, two corner portions 306 (two corner portions connecting the side surface 42b and the side surfaces 42c and 42d) in the x1 direction of the housing body 30 are recessed toward the center of the housing body 30, and the recessed portion includes An L-shaped buffer member 308 is fitted.

なお、電子カセッテ20Cは、筐体29が薄厚であるため、ディスプレイ56は、照射面36における撮像可能領域40外に配置され、電源スイッチ54、入力端子58、USB端子60及びカードスロット64は、側面42dに配置されている。   In addition, since the housing 29 of the electronic cassette 20C is thin, the display 56 is disposed outside the imageable area 40 on the irradiation surface 36, and the power switch 54, the input terminal 58, the USB terminal 60, and the card slot 64 are It is arranged on the side surface 42d.

このように構成される第3実施形態に係る電子カセッテ20Cにおいても、第1及び第2実施形態と同様の効果が得られる。また、第3実施形態では、蓋部材32に取っ手304が設けられているので、蓋部材32を上にした状態で取っ手304を把持して電子カセッテ20Cを運搬することになるが、この場合でも、電子カセッテ20Cを容易に運搬することができる。   Also in the electronic cassette 20C according to the third embodiment configured as described above, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained. In the third embodiment, since the handle 304 is provided on the lid member 32, the electronic cassette 20C is transported by gripping the handle 304 with the lid member 32 facing upward. The electronic cassette 20C can be easily transported.

なお、この発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、この発明の主旨を逸脱しない範囲で自由に変更できることは勿論である。   In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, Of course, it can change freely in the range which does not deviate from the main point of this invention.

10…放射線撮像システム 16…放射線
20A、20Aa、20B、20C…電子カセッテ
29…筐体 30…ハウジング本体
32、34…蓋部材 94…電源部
110…室 116、260…放射線変換パネル
118、261…シンチレーション層 120…光電変換層
124…駆動用IC 128…読出用IC
130…回路基板 132…電子部品
216、218、220、222、278…介挿部材
230、242…蒸着基板 236…柱状結晶構造
250、254、258…断熱部材 262…平板状部材
270…アクチュエータ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Radiation imaging system 16 ... Radiation 20A, 20Aa, 20B, 20C ... Electronic cassette 29 ... Housing 30 ... Housing main body 32, 34 ... Lid member 94 ... Power supply part 110 ... Chamber 116, 260 ... Radiation conversion panels 118, 261 ... Scintillation layer 120 ... Photoelectric conversion layer 124 ... Drive IC 128 ... Read IC
DESCRIPTION OF SYMBOLS 130 ... Circuit board 132 ... Electronic component 216, 218, 220, 222, 278 ... Insertion member 230, 242 ... Deposition board 236 ... Columnar crystal structure 250, 254, 258 ... Thermal insulation member 262 ... Flat plate member 270 ... Actuator

Claims (15)

放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルを備える放射線撮像装置であって、
前記放射線撮像装置の発熱源と前記放射線変換パネルとの間を熱的に結合し、前記放射線変換パネルに対する面接触により、前記発熱源からの発熱を伝達する第1熱伝達手段を有することを特徴とする放射線撮像装置。
A radiation imaging apparatus including a radiation conversion panel that converts radiation into a radiation image,
A first heat transfer unit that thermally couples a heat generation source of the radiation imaging apparatus and the radiation conversion panel and transmits heat generated from the heat generation source by surface contact with the radiation conversion panel is provided. Radiation imaging device.
請求項1記載の放射線撮像装置において、
前記発熱源には、前記放射線変換パネルの作動制御に供される電子部品、及び前記放射線変換パネルに電力を供給する電源部のうち少なくとも一方が含まれることを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 1.
The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the heat source includes at least one of an electronic component used for operation control of the radiation conversion panel and a power supply unit that supplies power to the radiation conversion panel.
請求項2記載の放射線撮像装置において、
前記第1熱伝達手段は、前記放射線変換パネルの一面と面接触する平板状部材であることを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 2, wherein
The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the first heat transfer means is a flat member in surface contact with one surface of the radiation conversion panel.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射線撮像装置において、
前記発熱源と前記放射線変換パネルとの間の熱的な短絡を可能にする第2熱伝達手段をさらに有することを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The radiation imaging apparatus further comprising a second heat transfer means that enables a thermal short circuit between the heat generation source and the radiation conversion panel.
請求項4記載の放射線撮像装置において、
前記第2熱伝達手段は、前記発熱源と前記放射線変換パネルとの間に介挿された介挿部材であることを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 4.
The radiation imaging apparatus according to claim 2, wherein the second heat transfer means is an insertion member interposed between the heat generation source and the radiation conversion panel.
請求項5記載の放射線撮像装置において、
前記介挿部材を着脱自在に移動させる移動手段をさらに有することを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 5, wherein
A radiation imaging apparatus further comprising moving means for detachably moving the insertion member.
請求項6記載の放射線撮像装置において、
前記移動手段は、少なくとも前記放射線による撮像時間内において前記介挿部材を介挿することを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 6.
The radiographic imaging apparatus, wherein the moving means interposes the insertion member at least within an imaging time by the radiation.
請求項1〜7のいずれか1項に記載の放射線撮像装置において、
前記放射線変換パネルは、前記放射線を他の波長の電磁波に変換するシンチレーション層と、該シンチレーション層により変換された前記電磁波を前記放射線画像に変換する光電変換層とから構成され、
前記放射線変換パネルは、前記放射線の照射側に対して、前記光電変換層及び前記シンチレーション層の順に配置されることを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 7,
The radiation conversion panel is composed of a scintillation layer that converts the radiation into electromagnetic waves of other wavelengths, and a photoelectric conversion layer that converts the electromagnetic waves converted by the scintillation layer into the radiation image.
The radiation imaging apparatus, wherein the radiation conversion panel is arranged in the order of the photoelectric conversion layer and the scintillation layer with respect to the radiation irradiation side.
請求項8記載の放射線撮像装置において、
前記シンチレーション層は、基板と、該基板上に形成されたシンチレータ結晶とを備えることを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 8.
The scintillation layer includes a substrate and a scintillator crystal formed on the substrate.
請求項9記載の放射線撮像装置において、
前記シンチレータ結晶は、CsIからなることを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 9.
The scintillator crystal is made of CsI.
請求項9又は10に記載の放射線撮像装置において、
前記第1熱伝達手段は、前記基板であることを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 9 or 10,
The radiation imaging apparatus, wherein the first heat transfer means is the substrate.
請求項8〜11のいずれか1項に記載の放射線撮像装置において、
前記第1熱伝達手段は、前記放射線変換パネルに対し、前記放射線の照射側の反対の面で接触することで、前記発熱源からの発熱を伝達することを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 8 to 11,
The first heat transfer means transmits heat generated from the heat generation source by contacting the radiation conversion panel with a surface opposite to the radiation irradiation side.
請求項1〜12のいずれか1項に記載の放射線撮像装置において、
前記光電変換層は、a−Siの光電変換素子で構成されることを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 12,
The said photoelectric conversion layer is comprised with the photoelectric conversion element of a-Si, The radiation imaging device characterized by the above-mentioned.
請求項1〜13のいずれか1項に記載の放射線撮像装置において、
前記筐体の外部への放熱を遮断する断熱手段をさらに有することを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 13,
The radiation imaging apparatus further comprising a heat insulating means for blocking heat radiation to the outside of the housing.
請求項14記載の放射線撮像装置において、
前記断熱手段は、前記筐体の内壁に設けられた断熱部材であることを特徴とする放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 14.
The radiation imaging apparatus, wherein the heat insulating means is a heat insulating member provided on an inner wall of the housing.
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