JP2013066602A - Radiographic imaging system, radiographic imaging apparatus, radiographic imaging method and program - Google Patents

Radiographic imaging system, radiographic imaging apparatus, radiographic imaging method and program Download PDF

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恭義 大田
Haruyasu Nakatsugawa
晴康 中津川
Naoyuki Nishino
直行 西納
Naoto Iwakiri
直人 岩切
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiographic imaging system, radiographic imaging apparatus, radiographic imaging method and program, which can detect the start of radiation irradiation in a short time while suppressing exposure dose to a subject.SOLUTION: On the basis of a synthesized signal of an electric signal obtained by a plurality of radiation detection pixels 32A corresponding to a nonexistence area (directly irradiated area) of the subject, the start of the radiation irradiation is detected and the nonexistence area is also detected without irradiating the subject with radiation.

Description

本発明は、放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影方法およびプログラムに係り、特に、被写体を透過した放射線により示される放射線画像を撮影する放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影方法およびプログラムに関する。   The present invention relates to a radiographic image capturing system, a radiographic image capturing device, a radiographic image capturing method, and a program, and in particular, a radiographic image capturing system, a radiographic image capturing device, and a radiographic image for capturing a radiographic image indicated by radiation transmitted through a subject. The present invention relates to a photographing method and a program.

近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線を直接デジタルデータに変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器が実用化されており、この放射線検出器を用いて、照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する放射線画像撮影装置が実用化されている。なお、この放射線画像撮影装置に用いられる放射線検出器には、放射線を変換する方式として、放射線をシンチレータで光に変換した後にフォトダイオード等の半導体層で電荷に変換する間接変換方式や、放射線をアモルファスセレン等の半導体層で電荷に変換する直接変換方式等があり、各方式でも半導体層に使用可能な材料が種々存在する。   In recent years, radiation detectors such as flat panel detectors (FPDs) that can arrange radiation sensitive layers on TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrates and convert radiation directly into digital data have been put into practical use. A radiographic image capturing apparatus that captures a radiographic image represented by irradiated radiation has been put into practical use. The radiation detector used in this radiographic imaging apparatus has an indirect conversion system in which radiation is converted into light by a scintillator and then converted into electric charge in a semiconductor layer such as a photodiode, or the like. There is a direct conversion method in which a semiconductor layer such as amorphous selenium converts into electric charge, and there are various materials that can be used for the semiconductor layer in each method.

ところで、この種の放射線画像撮影装置では、当該放射線画像撮影装置自身によって放射線の照射開始や照射停止、照射量等を検出することができれば、放射線画像撮影装置および放射線源等を統括的に制御する撮影制御装置(所謂コンソール)と放射線源との接続を行う必要がなくなるため、システム構成を簡略化したり、撮影制御装置による制御を簡略化したりするうえで好ましい。   By the way, in this type of radiographic imaging apparatus, the radiographic imaging apparatus, the radiation source, and the like are comprehensively controlled if the radiographic imaging apparatus itself can detect radiation start / stop, irradiation dose, and the like. Since it is not necessary to connect the imaging control device (so-called console) and the radiation source, it is preferable for simplifying the system configuration and simplifying the control by the imaging control device.

この種の放射線の照射状態を検出することのできる放射線画像撮影装置に関する技術として、特許文献1には、放射線源から入射した放射線を電気信号に変換し放射線量に応じた電荷を発生する変換素子と該変換素子に接続されたスイッチを有し、マトリクス状に配置された複数の検出素子と、前記検出素子の前記スイッチと接続されており、マトリクス配置における列毎に配置された複数の電荷転送ラインと、該電荷転送ラインからの電荷を一時的に保持して、電荷に対応した電気信号を出力する出力回路と、前記複数の検出素子の中から少なくとも一つの検出素子を、照射される放射線量を測定するための第1検出素子として選択し、放射線の照射期間、前記第1検出素子を含む前記検出素子全ての前記変換素子で同時に変換動作を行い、かつこの照射期間に、前記第1検出素子のスイッチをオン状態として前記電荷転送ラインを通して、前記出力回路に前記第1検出素子の変換素子で発生した電荷を蓄積させ、照射期間に応じて蓄積された電荷に相当する電気信号を定期的に読み出すように制御する制御手段を有することを特徴とする放射線像撮像装置が開示されている。   As a technique related to a radiographic imaging apparatus capable of detecting the irradiation state of this type of radiation, Patent Document 1 discloses a conversion element that converts radiation incident from a radiation source into an electrical signal and generates a charge corresponding to the radiation dose. And a plurality of detection elements arranged in a matrix, and a plurality of charge transfers arranged for each column in the matrix arrangement Radiation that temporarily irradiates at least one detection element among the plurality of detection elements, an output circuit that temporarily holds the charge from the charge transfer line, and outputs an electrical signal corresponding to the charge Select as the first detection element for measuring the quantity, perform the conversion operation simultaneously in the conversion period of all the detection elements including the first detection element during the irradiation period of radiation In this irradiation period, the switch of the first detection element is turned on, the charge generated in the conversion element of the first detection element is accumulated in the output circuit through the charge transfer line, and is accumulated according to the irradiation period. There is disclosed a radiation image capturing apparatus having control means for controlling to periodically read out an electric signal corresponding to the electric charge.

なお、この特許文献1には、撮影前に微弱な放射線または可視光を照射することで、被検体に対する撮影範囲を確認して、前記第1検出素子の選択を行うことが開示されている。   Note that Patent Document 1 discloses that the first detection element is selected by confirming an imaging range for a subject by irradiating weak radiation or visible light before imaging.

再公表特許WO2007/037121号公報Republished patent WO2007 / 037211

ところで、放射線画像撮影装置によって放射線の照射開始を検出する場合、撮影領域における被写体の存在しない領域である非存在領域(所謂「素抜け領域」)において検出する方が被写体の存在する領域である存在領域において検出するよりも放射線の曝射量が多いため、素早く検出することができ、好ましい。   By the way, when detecting the start of radiation irradiation by the radiographic imaging device, the presence of the subject is the one that is detected in the non-existing region (so-called “elementary region”) where the subject does not exist in the imaging region. Since the radiation exposure amount is larger than that detected in the region, it can be detected quickly, which is preferable.

しかしながら、放射線画像撮影装置によって用いられる放射線検出器は、一般に、放射線の累積照射量が多いほど寿命が短くなったり、感度が低下したりするため、非存在領域に対する放射線の照射量や照射領域はできるだけ少なくしたい。   However, radiation detectors used by radiographic imaging devices generally have shorter lifetimes and lower sensitivity as the cumulative dose of radiation increases. I want to reduce it as much as possible.

なお、このような累積照射量の増加による感度の低下は、一例として図25に示すように、シンチレータとして柱状結晶を含むものを適用した場合に特に顕著となる。なお、図25は、上記柱状結晶としてCsIを適用した場合の累積照射量−感度を示すグラフである。   Note that such a decrease in sensitivity due to an increase in cumulative dose is particularly noticeable when a scintillator including a columnar crystal is applied as shown in FIG. FIG. 25 is a graph showing cumulative dose-sensitivity when CsI is applied as the columnar crystal.

さらに、間接変換方式の放射線検出器を用いた放射線画像撮影装置の場合、光電変換素子としてCMOSセンサを用いた場合には、当該CMOSセンサは放射線に対する耐性が低いことが知られており、この点においても非存在領域における放射線の照射量は極力低減したい。   Further, in the case of a radiographic imaging apparatus using an indirect conversion type radiation detector, when a CMOS sensor is used as a photoelectric conversion element, it is known that the CMOS sensor has low resistance to radiation. However, we want to reduce the radiation dose in the non-existing region as much as possible.

しかしながら、これらの理由によって非存在領域における放射線の照射量を低減した場合、放射線の照射開始の検出に用いる放射線量が低減される結果、必ずしも要求される短い期間で放射線の照射開始を検出することができるとは限らない、という問題点があった。   However, when the radiation dose in the non-existing area is reduced for these reasons, the radiation dose used to detect the start of radiation exposure is reduced. There was a problem that it was not always possible.

なお、上記特許文献1に開示されている技術では、非存在領域において検出された放射線を用いて当該放射線の照射開始を検出する点については勿論のこと、放射線の照射開始を検出する点についても記載されておらず、上記問題点については無力である。   In the technique disclosed in Patent Document 1, not only the point of detecting the start of radiation irradiation using the radiation detected in the non-existing region but also the point of detecting the start of radiation irradiation. It is not described, and the above problems are powerless.

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、被写体に対する被曝量を抑制しつつ、短時間で放射線の照射開始を検出することができる放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影方法およびプログラムを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and is capable of detecting the start of radiation irradiation in a short time while suppressing the exposure dose to the subject, a radiation image capturing apparatus, and radiation. An object is to provide an image capturing method and a program.

上記目的を達成するために、請求項1に記載の放射線画像撮影システムは、放射線を被写体に照射することなく、予め定められた撮影領域における前記被写体の非存在領域を特定する特定装置と、放射線の照射状態を検出するための複数の放射線検出用画素と前記被写体の放射線画像を撮影するための複数の放射線画像取得用画素とが各々配置された放射線検出器、前記撮影領域に放射線が照射された状態で、特定された前記非存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射が開始されたことを検出する検出手段、および前記検出手段による検出結果に基づいて前記放射線検出器による放射線画像の撮影動作を制御する制御手段を備えた放射線画像撮影装置と、を有している。   In order to achieve the above object, a radiographic image capturing system according to claim 1, a specific apparatus for identifying a non-existing region of the subject in a predetermined photographing region without irradiating the subject with radiation, and a radiation A radiation detector in which a plurality of radiation detection pixels for detecting the irradiation state of the subject and a plurality of radiation image acquisition pixels for capturing a radiation image of the subject are respectively disposed, and radiation is applied to the imaging region Detecting means for detecting that radiation irradiation has started, based on a composite signal of electrical signals obtained by a plurality of the radiation detection pixels corresponding to the specified non-existing region A radiographic image capturing apparatus including a control unit that controls a radiographic image capturing operation by the radiation detector based on a detection result by the detection unit; That.

請求項1記載の放射線画像撮影システムによれば、特定装置により、放射線を被写体に照射することなく、予め定められた撮影領域における前記被写体の非存在領域が特定される。   According to the radiographic image capturing system of the first aspect, the specifying device specifies the non-existing region of the subject in the predetermined capturing region without irradiating the subject with radiation.

ここで、本発明では、放射線画像撮影装置の検出手段により、前記撮影領域に放射線が照射された状態で、放射線の照射状態を検出するための複数の放射線検出用画素と前記被写体の放射線画像を撮影するための複数の放射線画像取得用画素とが各々配置された放射線検出器の、特定された前記非存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射が開始されたことが検出される。   Here, in the present invention, a plurality of radiation detection pixels for detecting a radiation irradiation state and a radiation image of the subject are detected in a state where radiation is irradiated on the imaging region by the detection unit of the radiation image capturing apparatus. Based on a composite signal of electrical signals obtained by a plurality of the radiation detection pixels corresponding to the specified non-existing region of a radiation detector in which a plurality of radiation image acquisition pixels for imaging are respectively arranged Then, it is detected that the irradiation of the radiation is started.

そして、本発明では、放射線画像撮影装置の制御手段により、前記検出手段による検出結果に基づいて前記放射線検出器による放射線画像の撮影動作が制御される。   And in this invention, the imaging | photography operation | movement of the radiographic image by the said radiation detector is controlled by the control means of a radiographic imaging apparatus based on the detection result by the said detection means.

すなわち、本発明では、非存在領域に対応する複数の放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、放射線の照射が開始されたことを検出しており、これによって、非存在領域に対応する単一の放射線検出用画素によって得られた電気信号のみにより放射線の照射開始を検出する場合に比較して、より短時間で検出することができ、ひいては被写体に対する被曝量を抑制することができるようにしている。   That is, in the present invention, the start of radiation irradiation is detected based on a composite signal of electrical signals obtained by a plurality of radiation detection pixels corresponding to a non-existing region, and thereby non-existing Compared with the case where the start of radiation irradiation is detected only by an electrical signal obtained by a single radiation detection pixel corresponding to the region, detection can be performed in a shorter time, and thus the exposure dose to the subject is suppressed. To be able to.

また、本発明では、放射線を被写体に照射することなく非存在領域を特定するようにしており、これによっても被写体に対する被曝量を抑制することができるようにしている。   In the present invention, the non-existing region is specified without irradiating the subject with radiation, and the exposure amount to the subject can also be suppressed by this.

このように、請求項1に記載の放射線画像撮影システムによれば、被写体の非存在領域に対応する複数の放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、放射線の照射が開始されたことを検出すると共に、当該非存在領域を、放射線を被写体に照射することなく検出しているので、被写体に対する被曝量を抑制しつつ、短時間で放射線の照射開始を検出することができる。   Thus, according to the radiographic imaging system of claim 1, radiation irradiation starts based on the combined signal of the electrical signals obtained by the plurality of radiation detection pixels corresponding to the non-existing region of the subject. Since the non-existing area is detected without irradiating the subject with radiation, the start of radiation irradiation can be detected in a short time while suppressing the exposure amount to the subject. .

なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記特定装置が、可視光、紫外光、赤外光の少なくとも1つを撮影領域に照射した状態で、照射した光の受光領域に基づいて前記非存在領域を特定してもよい。これにより、放射線を被写体に照射することなく、非存在領域を特定することができる。   In the present invention, as in the invention described in claim 2, the light receiving region of the irradiated light in a state where the specific device irradiates the imaging region with at least one of visible light, ultraviolet light, and infrared light. The non-existing area may be specified based on Thereby, a non-existing area can be specified without irradiating a subject with radiation.

特に、請求項2に記載の発明は、請求項3に記載の発明のように、前記特定装置が、太陽電池アレイを用いて前記非存在領域を特定してもよい。これにより、簡易かつ低コストで非存在領域を特定することができる。   In particular, in the invention described in claim 2, as in the invention described in claim 3, the specifying device may specify the non-existing region using a solar cell array. Thereby, a non-existing area | region can be pinpointed simply and at low cost.

ところで、放射線の照射量を検出する場合、当該照射量は累積値であるため、非存在領域に対応する放射線検出用画素によって得られた電気信号を用いた場合には、撮影条件によっては当該累積された照射量が、想定している上限量以上となることによって飽和してしまい、放射線の照射量を検出できない場合がある、という問題点があった。   By the way, when the radiation dose is detected, the dose is a cumulative value. Therefore, when an electrical signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the non-existing region is used, the cumulative value may be increased depending on the imaging conditions. There is a problem that the irradiated dose is saturated when the dose exceeds an assumed upper limit, and the dose of radiation cannot be detected in some cases.

すなわち、例えば、一例として図26(A)に示すように、放射線の照射が終了するまで上記累積された照射量が飽和しない場合には放射線の照射終了を精度よく検出することができるが、一例として図26(B)に示すように、放射線の照射が終了する前に上記累積された照射量が飽和してしまう場合には、放射線の照射終了を検出することができない。   That is, for example, as shown in FIG. 26A as an example, when the accumulated irradiation amount does not saturate until the irradiation of radiation is completed, the end of irradiation can be accurately detected. As shown in FIG. 26B, when the accumulated irradiation amount is saturated before the irradiation of radiation is completed, the end of irradiation of radiation cannot be detected.

そこで、本発明は、請求項4に記載の発明のように、前記特定装置が、放射線を被写体に照射することなく、前記撮影領域における前記被写体の存在領域をさらに特定し、前記検出手段が、前記撮影領域に放射線が照射された状態で、特定された前記存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた電気信号に基づいて、前記放射線の照射量をさらに検出してもよい。これにより、被写体を透過することにより線量が低減された放射線を用いて放射線の照射量を検出することができる結果、より確実に放射線の照射量を検出することができる。   Therefore, according to the present invention, as in the invention according to claim 4, the specifying device further specifies the region where the subject exists in the imaging region without irradiating the subject with radiation, and the detection unit includes: The radiation dose may be further detected based on an electrical signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the specified existence area in a state where the imaging area is irradiated with radiation. As a result, the radiation dose can be detected using the radiation whose dose has been reduced by passing through the subject, and as a result, the radiation dose can be detected more reliably.

なお、請求項4に記載の発明は、請求項5に記載の発明のように、前記検出手段が、前記存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射量を検出してもよい。これにより、被写体を透過することによって線量が低減され過ぎた放射線を用いて当該放射線の照射量を検出する場合に比較して、より確実に放射線の照射量を検出することができる。   According to a fourth aspect of the present invention, as in the fifth aspect of the present invention, the detection means generates a combined signal of electrical signals obtained by the plurality of radiation detection pixels corresponding to the existence region. Based on this, the radiation dose may be detected. This makes it possible to detect the radiation dose more reliably as compared to the case where the radiation dose is excessively reduced by passing through the subject and the radiation dose is detected.

また、本発明は、請求項6に記載の発明のように、前記放射線検出用画素が、前記非存在領域となる頻度が高い領域ほど密度が高くなるように前記撮影領域に配置されていてもよい。これにより、より短時間かつ確実に放射線の照射開始を検出することができる。   Further, according to the present invention, as in the sixth aspect of the present invention, even if the radiation detection pixels are arranged in the imaging region such that the density is higher in a region where the frequency of becoming the non-existing region is higher. Good. Thereby, the irradiation start of radiation can be detected in a shorter time and more reliably.

特に、請求項6に記載の発明は、請求項7に記載の発明のように、前記非存在領域となる頻度が高い領域が、前記撮影領域の周辺部を含む一部領域であるものとしてもよい。これにより、ほぼ全ての被写体に対応することができる。   In particular, in the invention described in claim 6, as in the invention described in claim 7, the region that is frequently used as the non-existing region may be a partial region including a peripheral portion of the imaging region. Good. As a result, almost all subjects can be handled.

また、請求項6または請求項7に記載の発明は、請求項8に記載の発明のように、前記複数の放射線検出用画素が、前記非存在領域となる頻度が高い領域ほど段階的または連続的に密度が高くなるように前記撮影領域に配置されていてもよい。   Further, in the invention according to claim 6 or claim 7, as in the invention according to claim 8, the plurality of radiation detection pixels are stepwise or continuous as the region where the non-existing region becomes more frequent. In particular, it may be arranged in the imaging area so as to increase the density.

また、本発明は、請求項9に記載の発明のように、前記複数の放射線検出用画素が、前記複数の放射線画像取得用画素の間に配置されていてもよい。これにより、放射線検出用画素と放射線画像取得用画素とを同一の製造プロセスで構成することができるため、製造コストを低減することができる。   In the present invention, as in the invention according to claim 9, the plurality of radiation detection pixels may be arranged between the plurality of radiation image acquisition pixels. Thereby, since the radiation detection pixel and the radiation image acquisition pixel can be configured by the same manufacturing process, the manufacturing cost can be reduced.

また、本発明は、請求項10に記載の発明のように、前記放射線画像撮影装置が、前記放射線検出用画素によって得られた電気信号を予め設定された増幅率で増幅する増幅器と、前記特定装置による特定結果に基づいて、前記増幅器の増幅率を設定する増幅率設定手段と、をさらに備えていてもよい。これにより、より簡易かつ確実に放射線の照射状態を検出することができる。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 10, the radiographic imaging device includes an amplifier that amplifies an electrical signal obtained by the radiation detection pixel at a preset amplification factor, and the identification An amplification factor setting means for setting the amplification factor of the amplifier based on a specific result by the apparatus may be further provided. Thereby, the irradiation state of radiation can be detected more easily and reliably.

特に、請求項10に記載の発明は、請求項11に記載の発明のように、前記増幅率設定手段が、前記非存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた電気信号を増幅する増幅器の増幅率を、前記存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた電気信号を増幅する増幅器より高くするように設定してもよい。これにより、より短時間で放射線の照射開始を検出することができる。   Particularly, in the invention described in claim 10, as in the invention described in claim 11, the amplification factor setting means amplifies the electrical signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the non-existing region. The amplification factor of the amplifier may be set to be higher than that of the amplifier that amplifies the electric signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the existence region. Thereby, the start of radiation irradiation can be detected in a shorter time.

また、本発明は、請求項12に記載の発明のように、前記放射線画像撮影装置が、前記放射線検出用画素によって蓄積された電荷により示される信号に対して予め設定された低域通過周波数で低域通過処理を行う低域通過フィルタと、前記特定装置による特定結果に基づいて、前記低域通過フィルタの前記低域通過周波数を設定する周波数設定手段と、をさらに備えてもよい。これにより、より簡易かつ確実に放射線の照射開始を検出することができる。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 12, the radiographic imaging device has a low-pass frequency set in advance for a signal indicated by charges accumulated by the radiation detection pixels. You may further provide the low-pass filter which performs a low-pass process, and the frequency setting means which sets the said low-pass frequency of the said low-pass filter based on the specific result by the said specific apparatus. Thereby, the start of radiation irradiation can be detected more easily and reliably.

特に、請求項12に記載の発明は、請求項13に記載の発明のように、前記周波数設定手段が、前記非存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた信号に対して低域通過処理を行う低域通過フィルタの低域通過周波数を、前記存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた信号に対して低域通過処理を行う低域通過フィルタより高くするように設定してもよい。これにより、より的確に放射線の照射開始を検出することができる。   In particular, in the invention described in claim 12, as in the invention described in claim 13, the frequency setting means has a low frequency range for a signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the non-existing area. The low pass frequency of the low pass filter that performs the pass processing is set to be higher than that of the low pass filter that performs the low pass processing on the signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the existence region. May be. Thereby, the start of radiation irradiation can be detected more accurately.

一方、上記目的を達成するために、請求項14に記載の放射線画像撮影装置は、放射線を被写体に照射することなく、予め定められた撮影領域における前記被写体の非存在領域を特定する特定手段と、放射線の照射状態を検出するための放射線検出用画素と前記被写体の放射線画像を撮影するための放射線画像取得用画素とが各々複数配置された放射線検出器と、前記撮影領域に放射線が照射された状態で、特定された前記非存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射が開始されたことを検出する検出手段と、前記検出手段による検出結果に基づいて前記放射線検出器による放射線画像の撮影動作を制御する制御手段と、を備えている。   On the other hand, in order to achieve the above object, the radiographic imaging device according to claim 14 includes a specifying unit that specifies a non-existing region of the subject in a predetermined imaging region without irradiating the subject with radiation. A radiation detector in which a plurality of radiation detection pixels for detecting a radiation irradiation state and a plurality of radiation image acquisition pixels for capturing a radiation image of the subject are disposed; and the imaging region is irradiated with radiation. Detection means for detecting that irradiation of the radiation is started based on a composite signal of electrical signals obtained by the plurality of pixels for radiation detection corresponding to the specified non-existing region Control means for controlling a radiographic image capturing operation by the radiation detector based on a detection result by the detection means.

従って、請求項14に記載の放射線画像撮影装置によれば、請求項1に記載の発明と同様に作用するので、当該発明と同様に、被写体に対する被曝量を抑制しつつ、短時間で放射線の照射開始を検出することができる。   Therefore, according to the radiographic imaging apparatus of the fourteenth aspect, since it operates in the same manner as the first aspect of the invention, the radiation dose can be reduced in a short time while suppressing the exposure to the subject as in the case of the present invention. The start of irradiation can be detected.

また、上記目的を達成するために、請求項15に記載の放射線画像撮影方法は、放射線を被写体に照射することなく、予め定められた撮影領域における前記被写体の非存在領域を特定する特定工程と、前記撮影領域に放射線が照射された状態で、放射線の照射状態を検出するための放射線検出用画素と前記被写体の放射線画像を撮影するための放射線画像取得用画素とが各々複数配置された放射線検出器の、特定された前記非存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射が開始されたことを検出する検出工程と、前記検出工程による検出結果に基づいて前記放射線検出器による放射線画像の撮影動作を制御する制御工程と、を有している。   In order to achieve the above object, the radiographic image capturing method according to claim 15 includes a specifying step of specifying a non-existing region of the subject in a predetermined capturing region without irradiating the subject with radiation. Radiation in which a plurality of radiation detection pixels for detecting a radiation irradiation state and a plurality of radiation image acquisition pixels for capturing a radiation image of the subject are arranged in a state where radiation is irradiated on the imaging region A detection step of detecting the start of irradiation of the radiation based on a combined signal of electrical signals obtained by the plurality of radiation detection pixels corresponding to the specified non-existing region of the detector; And a control step of controlling a radiographic image capturing operation by the radiation detector based on a detection result of the detection step.

従って、請求項15に記載の放射線画像撮影方法によれば、請求項1に記載の発明と同様に作用するので、当該発明と同様に、被写体に対する被曝量を抑制しつつ、短時間で放射線の照射開始を検出することができる。   Therefore, according to the radiographic image capturing method of the fifteenth aspect, since it operates in the same manner as the invention of the first aspect, the radiation dose can be reduced in a short time while suppressing the exposure dose to the subject as in the case of the present invention. The start of irradiation can be detected.

さらに、上記目的を達成するために、請求項16に記載のプログラムは、コンピュータを、放射線を被写体に照射することなく、予め定められた撮影領域における前記被写体の非存在領域を特定する特定手段と、前記撮影領域に放射線が照射された状態で、放射線の照射状態を検出するための放射線検出用画素と前記被写体の放射線画像を撮影するための放射線画像取得用画素とが各々複数配置された放射線検出器の、特定された前記非存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射が開始されたことを検出する検出手段と、前記検出手段による検出結果に基づいて前記放射線検出器による放射線画像の撮影動作を制御する制御手段と、として機能させるためのものである。   Furthermore, in order to achieve the above object, the program according to claim 16 includes a specifying unit that specifies a non-existing area of the subject in a predetermined imaging area without irradiating the subject with radiation. Radiation in which a plurality of radiation detection pixels for detecting a radiation irradiation state and a plurality of radiation image acquisition pixels for capturing a radiation image of the subject are arranged in a state where radiation is irradiated on the imaging region Detecting means for detecting that irradiation of the radiation is started based on a combined signal of electrical signals obtained by the plurality of radiation detection pixels corresponding to the specified non-existing region of the detector; And a control means for controlling a radiographic image capturing operation by the radiation detector based on a detection result by the detection means. .

従って、請求項16に記載のプログラムによれば、請求項1に記載の発明と同様に作用するので、当該発明と同様に、被写体に対する被曝量を抑制しつつ、短時間で放射線の照射開始を検出することができる。   Therefore, according to the program of the sixteenth aspect, since it operates in the same manner as the first aspect of the invention, it is possible to start radiation irradiation in a short time while suppressing the exposure dose to the subject as in the case of the present invention. Can be detected.

本発明によれば、被写体の非存在領域に対応する複数の放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、放射線の照射が開始されたことを検出すると共に、当該非存在領域を、放射線を被写体に照射することなく検出しているので、被写体に対する被曝量を抑制しつつ、短時間で放射線の照射開始を検出することができる、という効果が得られる。   According to the present invention, it is detected that radiation irradiation has started based on a combined signal of electrical signals obtained by a plurality of radiation detection pixels corresponding to a non-existing area of a subject, and the non-existing area Is detected without irradiating the subject without irradiating the subject, so that it is possible to detect the start of radiation irradiation in a short time while suppressing the exposure amount to the subject.

実施の形態に係る放射線情報システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the radiation information system which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線画像撮影システムの放射線撮影室における各装置の配置状態の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the arrangement | positioning state of each apparatus in the radiography room of the radiographic imaging system which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の3画素部分の概略構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows schematic structure of the 3 pixel part of the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の1画素部分の信号出力部の構成を概略的に示した断面側面図である。It is the cross-sectional side view which showed schematically the structure of the signal output part of 1 pixel part of the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出用画素の配置状態を示す平面図である。It is a top view which shows the arrangement | positioning state of the pixel for radiation detection which concerns on embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the electronic cassette concerning embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す断面側面図である。It is a section side view showing the composition of the electronic cassette concerning an embodiment. 実施の形態に係る太陽電池アレイの構成と、存在領域および非存在領域の特定方法の説明に供する平面図である。It is a top view with which it uses for description of the structure of the solar cell array which concerns on embodiment, and the identification method of a presence area | region and a non-existence area | region. 実施の形態に係る太陽電池アレイによる存在領域および非存在領域の特定方法の説明に供するグラフである。It is a graph with which it uses for description of the identification method of the presence area | region and non-existence area | region by the solar cell array which concerns on embodiment. 実施の形態に係る太陽電池アレイの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the solar cell array which concerns on embodiment. 実施の形態に係る太陽電池アレイによる存在領域および非存在領域の特定方法の説明に供するグラフである。It is a graph with which it uses for description of the identification method of the presence area | region and non-existence area | region by the solar cell array which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線画像撮影システムの電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electrical system of the radiographic imaging system which concerns on embodiment. 実施の形態に係る第2信号処理部の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the 2nd signal processing part which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線画像撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the radiographic imaging processing program which concerns on embodiment. 実施の形態に係る初期情報入力画面の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the initial stage information input screen which concerns on embodiment. 実施の形態に係るカセッテ撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the cassette imaging | photography processing program which concerns on embodiment. 放射線画像の表面読取方式と裏面読取方式を説明するための断面側面図である。It is a cross-sectional side view for demonstrating the surface reading system and back surface scanning system of a radiographic image. 有機光電変換材料としてキナクリドン系有機化合物を適用した場合の感度波長領域の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of a sensitivity wavelength range at the time of applying a quinacridone type organic compound as an organic photoelectric conversion material. 実施の形態に係る放射線検出用画素の他の配置状態例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of an arrangement | positioning state of the pixel for a radiation detection which concerns on embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの他の形態例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of a form of the electronic cassette concerning embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの他の形態例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of a form of the electronic cassette concerning embodiment. 実施の形態に係る放射線検出器の他の形態例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of a form of the radiation detector which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線検出用画素の他の配置状態例を示す平面図である。It is a top view which shows the other example of an arrangement | positioning state of the pixel for a radiation detection which concerns on embodiment. 従来技術の問題点の説明に供するグラフである。It is a graph with which it uses for description of the problem of a prior art. 従来技術の問題点の説明に供するグラフである。It is a graph with which it uses for description of the problem of a prior art.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、本発明を、病院における放射線科部門で取り扱われる情報を統括的に管理するシステムである放射線情報システムに適用した場合の形態例について説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, a description will be given of an example in which the present invention is applied to a radiation information system that is a system for comprehensively managing information handled in a radiology department in a hospital.

まず、図1を参照して、本実施の形態に係る放射線情報システム(以下、「RIS」(Radiology Information System)という。)100の構成について説明する。   First, the configuration of a radiation information system (hereinafter referred to as “RIS” (Radiology Information System)) 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

RIS100は、放射線科部門内における、診療予約、診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、病院情報システム(以下、「HIS」(Hospital Information System)という。)の一部を構成する。   The RIS 100 is a system for managing information such as medical appointments and diagnosis records in the radiology department, and constitutes a part of a hospital information system (hereinafter referred to as “HIS” (Hospital Information System)).

RIS100は、複数台の撮影依頼端末装置(以下、「端末装置」という。)140、RISサーバ150、および病院内の放射線撮影室(あるいは手術室)の個々に設置された放射線画像撮影システム(以下、「撮影システム」という。)104を有しており、これらが有線や無線のLAN(Local Area Network)等から成る病院内ネットワーク102に各々接続されて構成されている。なお、RIS100は、同じ病院内に設けられたHISの一部を構成しており、病院内ネットワーク102には、HIS全体を管理するHISサーバ(図示省略。)も接続されている。   The RIS 100 includes a plurality of radiography requesting terminal devices (hereinafter referred to as “terminal devices”) 140, a RIS server 150, and a radiographic imaging system (hereinafter referred to as a radiographic imaging room (or operating room) in a hospital). , Which are referred to as “imaging systems”) 104, which are connected to a hospital network 102 composed of a wired or wireless LAN (Local Area Network) or the like. The RIS 100 constitutes a part of the HIS provided in the same hospital, and an HIS server (not shown) for managing the entire HIS is also connected to the in-hospital network 102.

端末装置140は、医師や放射線技師が、診断情報や施設予約の入力、閲覧等を行うためのものであり、放射線画像の撮影依頼や撮影予約もこの端末装置140を介して行われる。各端末装置140は、表示装置を有するパーソナル・コンピュータを含んで構成され、RISサーバ150と病院内ネットワーク102を介して相互通信が可能とされている。   The terminal device 140 is used by doctors and radiographers to input and browse diagnostic information and facility reservations, and radiographic image capturing requests and imaging reservations are also performed via the terminal device 140. Each terminal device 140 includes a personal computer having a display device, and can communicate with the RIS server 150 via the hospital network 102.

一方、RISサーバ150は、各端末装置140からの撮影依頼を受け付け、撮影システム104における放射線画像の撮影スケジュールを管理するものであり、データベース150Aを含んで構成されている。   On the other hand, the RIS server 150 receives an imaging request from each terminal device 140 and manages a radiographic imaging schedule in the imaging system 104, and includes a database 150A.

データベース150Aは、患者(被検者)の属性情報(氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、体重、患者ID(Identification)等)、病歴、受診歴、過去に撮影した放射線画像等の患者に関する情報、撮影システム104で用いられる、後述する電子カセッテ40の識別番号(ID情報)、型式、サイズ、感度、使用開始年月日、使用回数等の電子カセッテ40に関する情報、および電子カセッテ40を用いて放射線画像を撮影する環境、すなわち、電子カセッテ40を使用する環境(一例として、放射線撮影室や手術室等)を示す環境情報を含んで構成されている。   Database 150A includes patient (subject) attribute information (name, sex, date of birth, age, blood type, weight, patient ID (Identification), etc.), medical history, medical history, radiation images taken in the past, etc. Information regarding the patient, information regarding the electronic cassette 40 used in the imaging system 104, such as an identification number (ID information), model, size, sensitivity, start date of use, number of times of use, etc., and the electronic cassette 40 It includes the environment information which shows the environment which takes a radiographic image using, ie, the environment (for example, a radiography room, an operating room, etc.) which uses electronic cassette 40.

撮影システム104は、RISサーバ150からの指示に応じて医師や放射線技師の操作により放射線画像の撮影を行う。撮影システム104は、放射線源121(図13も参照。)から曝射条件に従った線量とされた放射線X(図7も参照。)を被検者に照射する一方、当該放射線Xの被検者への照射に先立って、光源125(図13も参照。)から放射線Xの照射野に対して被検者の位置決め用の可視光を照射する放射線発生装置120と、上記可視光の受光状態に基づいて、放射線画像の撮影領域における被検者の存在領域および非存在領域(素抜け領域)を検出する太陽電池アレイ168と、を備えている。また、撮影システム104は、被検者の撮影対象部位を透過した放射線Xを吸収して電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成する放射線検出器20(図7も参照。)を内蔵する電子カセッテ40と、電子カセッテ40に内蔵されているバッテリを充電するクレードル130と、電子カセッテ40および放射線発生装置120を制御するコンソール110と、を備えている。   The imaging system 104 captures a radiographic image by an operation of a doctor or a radiographer according to an instruction from the RIS server 150. The imaging system 104 irradiates the subject with radiation X (see also FIG. 7) having a dose according to the exposure conditions from the radiation source 121 (see also FIG. 13), while the subject of the radiation X is examined. Prior to irradiation of the person, the radiation generator 120 that emits visible light for positioning the subject to the irradiation field of the radiation X from the light source 125 (see also FIG. 13), and the light receiving state of the visible light And a solar cell array 168 for detecting the presence area and non-existence area (elementary area) of the subject in the radiographic image capturing area. In addition, the imaging system 104 absorbs the radiation X that has passed through the imaging target region of the subject, generates charges, and generates a radiation detector 20 (FIG. 5) that generates image information indicating a radiation image based on the generated charge amount. 7), a cradle 130 for charging a battery built in the electronic cassette 40, and a console 110 for controlling the electronic cassette 40 and the radiation generator 120.

コンソール110は、RISサーバ150からデータベース150Aに含まれる各種情報を取得して後述するHDD116(図13参照。)に記憶し、必要に応じて当該情報を用いて、電子カセッテ40および放射線発生装置120の制御を行う。   The console 110 acquires various types of information included in the database 150A from the RIS server 150, stores them in an HDD 116 (see FIG. 13) described later, and uses the information as necessary to use the electronic cassette 40 and the radiation generator 120. Control.

図2には、本実施の形態に係る撮影システム104の放射線撮影室180における各装置の配置状態の一例が示されている。   FIG. 2 shows an example of the arrangement state of each device in the radiation imaging room 180 of the imaging system 104 according to the present embodiment.

同図に示すように、放射線撮影室180には、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台160と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台164とが設置されており、立位台160の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置170とされ、臥位台164の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置172とされている。   As shown in the figure, the radiation imaging room 180 has a standing table 160 used when performing radiography in a standing position and a prone table 164 used when performing radiography in a lying position. The space in front of the standing stand 160 is set as a photographing position 170 of the subject when performing radiography in the standing position, and the space above the supine stand 164 is when performing radiography in the prone position. The imaging position 172 of the subject.

立位台160には電子カセッテ40を保持する保持部162が設けられており、立位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ40が保持部162に保持される。同様に、臥位台164には電子カセッテ40を保持する保持部166が設けられており、臥位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ40が保持部166に保持される。   The standing stand 160 is provided with a holding unit 162 that holds the electronic cassette 40, and the electronic cassette 40 is held by the holding unit 162 when a radiographic image is taken in the standing position. Similarly, the holding table 164 is provided with a holding unit 166 that holds the electronic cassette 40, and the electronic cassette 40 is held by the holding unit 166 when a radiographic image is taken in the lying position.

また、保持部162および保持部166の各々の放射線入射側には太陽電池アレイ168が各々設けられている。なお、本実施の形態に係る撮影システム104では、太陽電池アレイ168が各保持部に対して固定的に設けられているが、これに限らず、各保持部を、太陽電池アレイ168を着脱可能に構成しておき、必要に応じて太陽電池アレイ168を保持部に装着する形態としてもよく、太陽電池アレイ168を各保持部とは無関係に任意の位置に配置可能とする形態としてもよい。   Further, solar cell arrays 168 are provided on the radiation incident sides of the holding unit 162 and the holding unit 166, respectively. In the imaging system 104 according to the present embodiment, the solar cell array 168 is fixedly provided to each holding unit. However, the present invention is not limited thereto, and the solar cell array 168 can be attached to and detached from each holding unit. The solar cell array 168 may be attached to the holding portion as necessary, and the solar cell array 168 may be arranged at an arbitrary position regardless of each holding portion.

また、放射線撮影室180には、単一の放射線源121からの放射線によって立位での放射線撮影も臥位での放射線撮影も可能とするために、放射線源121および光源125を、水平な軸回り(図2の矢印a方向)に回動可能で、鉛直方向(図2の矢印b方向)に移動可能で、さらに水平方向(図2の矢印c方向)に移動可能に支持する支持移動機構124が設けられている。ここで、支持移動機構124は、放射線源121および光源125を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源121および光源125を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源121および光源125を水平方向に移動させる駆動源を各々備えている(何れも図示省略。)。   Further, in the radiation imaging room 180, the radiation source 121 and the light source 125 are arranged on a horizontal axis in order to enable radiation imaging in a standing position and radiation imaging in a lying position by radiation from a single radiation source 121. A support moving mechanism that can rotate around (in the direction of arrow a in FIG. 2), move in the vertical direction (in the direction of arrow b in FIG. 2), and further move in the horizontal direction (in the direction of arrow c in FIG. 2). 124 is provided. Here, the support moving mechanism 124 includes a drive source that rotates the radiation source 121 and the light source 125 around a horizontal axis, a drive source that moves the radiation source 121 and the light source 125 in the vertical direction, and the radiation source 121 and the light source 125. Are respectively provided with a drive source (not shown).

一方、クレードル130には、電子カセッテ40を収納可能な収容部130Aが形成されている。   On the other hand, the cradle 130 is formed with an accommodating portion 130 </ b> A capable of accommodating the electronic cassette 40.

電子カセッテ40は、未使用時にはクレードル130の収容部130Aに収納された状態で内蔵されているバッテリに充電が行われ、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル130から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台160の保持部162に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台164の保持部166に保持される。   When the electronic cassette 40 is not in use, the built-in battery is charged in a state of being housed in the housing portion 130A of the cradle 130. When a radiographic image is taken, the electronic cassette 40 is taken out from the cradle 130 by a radiographer or the like, and the photographing posture is established. If it is in the upright position, it is held in the holding part 162 of the standing base 160, and if it is in the upright position, it is held in the holding part 166 of the standing base 164.

ここで、本実施の形態に係る撮影システム104では、放射線発生装置120とコンソール110との間、および電子カセッテ40とコンソール110との間で、無線通信によって各種情報の送受信を行う。   Here, in the imaging system 104 according to the present embodiment, various types of information are transmitted and received between the radiation generation apparatus 120 and the console 110 and between the electronic cassette 40 and the console 110 by wireless communication.

なお、電子カセッテ40は、立位台160の保持部162や臥位台164の保持部166で保持された状態のみで使用されるものではなく、その可搬性から、腕部,脚部等を撮影する際には、保持部に保持されていない状態で使用することもできる。   The electronic cassette 40 is not used only in a state where it is held by the holding part 162 of the standing base 160 or the holding part 166 of the prone base 164. When photographing, it can be used in a state where it is not held by the holding unit.

次に、本実施の形態に係る放射線検出器20の構成について説明する。図3は、本実施の形態に係る放射線検出器20の3画素部分の構成を概略的に示す断面模式図である。   Next, the configuration of the radiation detector 20 according to the present embodiment will be described. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view schematically showing the configuration of the three pixel portions of the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment.

同図に示すように、本実施の形態に係る放射線検出器20は、絶縁性の基板1上に、信号出力部14、センサ部13、およびシンチレータ8が順次積層しており、信号出力部14、センサ部13により画素が構成されている。画素は、基板1上に複数配列されており、各画素における信号出力部14とセンサ部13とが重なりを有するように構成されている。   As shown in the figure, in the radiation detector 20 according to the present embodiment, a signal output unit 14, a sensor unit 13, and a scintillator 8 are sequentially stacked on an insulating substrate 1. The pixels are configured by the sensor unit 13. A plurality of pixels are arranged on the substrate 1, and the signal output unit 14 and the sensor unit 13 in each pixel are configured to overlap each other.

シンチレータ8は、センサ部13上に透明絶縁膜7を介して形成されており、上方(基板1の反対側)または下方から入射してくる放射線を光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。このようなシンチレータ8を設けることで、被写体を透過した放射線を吸収して発光することになる。   The scintillator 8 is formed on the sensor unit 13 via the transparent insulating film 7, and forms a phosphor that emits light by converting radiation incident from above (opposite side of the substrate 1) or from below into light. It is a thing. Providing such a scintillator 8 absorbs the radiation transmitted through the subject and emits light.

シンチレータ8が発する光の波長域は、可視光域(波長360nm〜830nm)であることが好ましく、この放射線検出器20によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。   The wavelength range of light emitted by the scintillator 8 is preferably a visible light range (wavelength 360 nm to 830 nm), and in order to enable monochrome imaging by the radiation detector 20, the wavelength range of green is included. Is more preferable.

シンチレータ8に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてX線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム(CsI)を含むものが好ましく、X線照射時の発光スペクトルが420nm〜700nmにあるCsI(Tl)(タリウムが添加されたヨウ化セシウム)を用いることが特に好ましい。なお、CsI(Tl)の可視光域における発光ピーク波長は565nmである。   Specifically, the phosphor used in the scintillator 8 is preferably one containing cesium iodide (CsI) when imaging using X-rays as radiation, and has an emission spectrum of 420 nm to 700 nm upon X-ray irradiation. It is particularly preferable to use CsI (Tl) (cesium iodide with thallium added). Note that the emission peak wavelength of CsI (Tl) in the visible light region is 565 nm.

センサ部13は、上部電極6、下部電極2、および当該上下の電極間に配置された光電変換膜4を有し、光電変換膜4は、シンチレータ8が発する光を吸収して電荷が発生する有機光電変換材料により構成されている。   The sensor unit 13 includes an upper electrode 6, a lower electrode 2, and a photoelectric conversion film 4 disposed between the upper and lower electrodes. The photoelectric conversion film 4 absorbs light emitted from the scintillator 8 and generates charges. It is composed of an organic photoelectric conversion material.

上部電極6は、シンチレータ8により生じた光を光電変換膜4に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ8の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物(TCO;Transparent Conducting Oxide)を用いることが好ましい。なお、上部電極6としてAuなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を90%以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、TCOの方が好ましい。例えば、ITO、IZO、AZO、FTO、SnO、TiO、ZnO等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはITOが最も好ましい。なお、上部電極6は、全画素で共通の一枚構成としてもよく、画素毎に分割してもよい。 Since it is necessary for the upper electrode 6 to cause the light generated by the scintillator 8 to be incident on the photoelectric conversion film 4, it is preferable that the upper electrode 6 be made of a conductive material that is transparent at least with respect to the emission wavelength of the scintillator 8. It is preferable to use a transparent conductive oxide (TCO) having a high transmittance for visible light and a small resistance value. Although a metal thin film such as Au can be used as the upper electrode 6, TCO is preferable because it tends to increase the resistance value when it is desired to obtain a transmittance of 90% or more. For example, ITO, IZO, AZO, FTO, SnO 2 , TiO 2 , ZnO 2 and the like can be preferably used, and ITO is most preferable from the viewpoint of process simplicity, low resistance, and transparency. Note that the upper electrode 6 may have a single configuration common to all pixels, or may be divided for each pixel.

光電変換膜4は、有機光電変換材料を含み、シンチレータ8から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含む光電変換膜4であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ8による発光以外の電磁波が光電変換膜4に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜4で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。   The photoelectric conversion film 4 includes an organic photoelectric conversion material, absorbs light emitted from the scintillator 8, and generates a charge corresponding to the absorbed light. In this way, the photoelectric conversion film 4 containing an organic photoelectric conversion material has a sharp absorption spectrum in the visible range, and electromagnetic waves other than light emitted by the scintillator 8 are hardly absorbed by the photoelectric conversion film 4. The noise generated by the radiation such as being absorbed by the photoelectric conversion film 4 can be effectively suppressed.

光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ8で発光した光を最も効率よく吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ8の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ8の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ8から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ8の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。   The organic photoelectric conversion material constituting the photoelectric conversion film 4 is preferably such that its absorption peak wavelength is closer to the emission peak wavelength of the scintillator 8 in order to absorb light emitted by the scintillator 8 most efficiently. Ideally, the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material matches the emission peak wavelength of the scintillator 8, but if the difference between the two is small, the light emitted from the scintillator 8 can be sufficiently absorbed. . Specifically, the difference between the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material and the emission peak wavelength with respect to the radiation of the scintillator 8 is preferably within 10 nm, and more preferably within 5 nm.

このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物およびフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ8の材料としてCsI(Tl)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜4で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。   Examples of the organic photoelectric conversion material that can satisfy such conditions include quinacridone-based organic compounds and phthalocyanine-based organic compounds. For example, since the absorption peak wavelength in the visible region of quinacridone is 560 nm, if quinacridone is used as the organic photoelectric conversion material and CsI (Tl) is used as the material of the scintillator 8, the difference in peak wavelength can be within 5 nm. Thus, the amount of charge generated in the photoelectric conversion film 4 can be substantially maximized.

次に、本実施の形態に係る放射線検出器20に適用可能な光電変換膜4について具体的に説明する。   Next, the photoelectric conversion film 4 applicable to the radiation detector 20 according to the present embodiment will be specifically described.

本実施の形態に係る放射線検出器20における電磁波吸収/光電変換部位は、1対の電極2,6と、当該電極2,6間に挟まれた有機光電変換膜4を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、および層間接触改良部位等の積み重ね、もしくは混合により形成することができる。   The electromagnetic wave absorption / photoelectric conversion site in the radiation detector 20 according to the present embodiment is configured by an organic layer including a pair of electrodes 2 and 6 and an organic photoelectric conversion film 4 sandwiched between the electrodes 2 and 6. be able to. More specifically, this organic layer is a part that absorbs electromagnetic waves, a photoelectric conversion part, an electron transport part, a hole transport part, an electron blocking part, a hole blocking part, a crystallization preventing part, an electrode, and an interlayer contact improvement. It can be formed by stacking or mixing parts.

上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。   The organic layer preferably contains an organic p-type compound or an organic n-type compound.

有機p型半導体(化合物)は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体(化合物)であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。   The organic p-type semiconductor (compound) is a donor organic semiconductor (compound) mainly represented by a hole-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily donating electrons. More specifically, an organic compound having a smaller ionization potential when two organic materials are used in contact with each other. Accordingly, any organic compound can be used as the donor organic compound as long as it is an electron-donating organic compound.

有機n型半導体(化合物)は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体(化合物)であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。   An organic n-type semiconductor (compound) is an acceptor organic semiconductor (compound) mainly represented by an electron-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily accepting electrons. More specifically, the organic compound having the higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. Accordingly, as the acceptor organic compound, any organic compound can be used as long as it is an electron-accepting organic compound.

この有機p型半導体および有機n型半導体として適用可能な材料、および光電変換膜4の構成については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。なお、光電変換膜4は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。   The materials applicable as the organic p-type semiconductor and organic n-type semiconductor and the configuration of the photoelectric conversion film 4 are described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, and thus the description thereof is omitted. The photoelectric conversion film 4 may be formed by further containing fullerenes or carbon nanotubes.

光電変換膜4の厚みは、シンチレータ8からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜4の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜4に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、30nm以上300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。   The thickness of the photoelectric conversion film 4 is preferably as large as possible in terms of absorbing light from the scintillator 8. However, when the thickness is more than a certain level, the photoelectric conversion film 4 is generated in the photoelectric conversion film 4 by a bias voltage applied from both ends of the photoelectric conversion film 4. Since electric field strength is reduced and charges cannot be collected, the thickness is preferably 30 nm to 300 nm, more preferably 50 nm to 250 nm, and particularly preferably 80 nm to 200 nm.

なお、図3に示す放射線検出器20では、光電変換膜4は、全画素で共通の一枚構成であるが、画素毎に分割してもよい。   In the radiation detector 20 shown in FIG. 3, the photoelectric conversion film 4 has a single configuration common to all pixels, but may be divided for each pixel.

下部電極2は、画素毎に分割された薄膜とする。下部電極2は、透明または不透明の導電性材料で構成することができ、アルミニウム、銀等を好適に用いることができる。   The lower electrode 2 is a thin film divided for each pixel. The lower electrode 2 can be made of a transparent or opaque conductive material, and aluminum, silver, or the like can be suitably used.

下部電極2の厚みは、例えば、30nm以上300nm以下とすることができる。   The thickness of the lower electrode 2 can be, for example, 30 nm or more and 300 nm or less.

センサ部13では、上部電極6と下部電極2の間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜4で発生した電荷(正孔、電子)のうちの一方を上部電極6に移動させ、他方を下部電極2に移動させることができる。本実施の形態の放射線検出器20では、上部電極6に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極6に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜4で発生した電子が上部電極6に移動し、正孔が下部電極2に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であってもよい。   In the sensor unit 13, by applying a predetermined bias voltage between the upper electrode 6 and the lower electrode 2, one of electric charges (holes, electrons) generated in the photoelectric conversion film 4 is moved to the upper electrode 6. The other can be moved to the lower electrode 2. In the radiation detector 20 of the present embodiment, a wiring is connected to the upper electrode 6, and a bias voltage is applied to the upper electrode 6 through this wiring. In addition, the polarity of the bias voltage is determined so that electrons generated in the photoelectric conversion film 4 move to the upper electrode 6 and holes move to the lower electrode 2, but this polarity is reversed. May be.

各画素を構成するセンサ部13は、少なくとも下部電極2、光電変換膜4、および上部電極6を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜3および正孔ブロッキング膜5の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。   The sensor unit 13 constituting each pixel only needs to include at least the lower electrode 2, the photoelectric conversion film 4, and the upper electrode 6. In order to suppress an increase in dark current, the electron blocking film 3 and the hole blocking film are used. 5 is preferably provided, and it is more preferable to provide both.

電子ブロッキング膜3は、下部電極2と光電変換膜4との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極2から光電変換膜4に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。   The electron blocking film 3 can be provided between the lower electrode 2 and the photoelectric conversion film 4. When a bias voltage is applied between the lower electrode 2 and the upper electrode 6, electrons are transferred from the lower electrode 2 to the photoelectric conversion film 4. It is possible to suppress the dark current from increasing due to the injection of.

電子ブロッキング膜3には、電子供与性有機材料を用いることができる。   An electron donating organic material can be used for the electron blocking film 3.

実際に電子ブロッキング膜3に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上電子親和力(Ea)が大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料のイオン化ポテンシャル(Ip)と同等のIpもしくはそれより小さいIpを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。   The material actually used for the electron blocking film 3 may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent photoelectric conversion film 4 and the like, and 1.3 eV or more from the work function (Wf) of the material of the adjacent electrode. Those having a large electron affinity (Ea) and an Ip equivalent to or smaller than the ionization potential (Ip) of the material of the adjacent photoelectric conversion film 4 are preferable. The material applicable as the electron donating organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, and thus the description thereof is omitted.

電子ブロッキング膜3の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the electron blocking film 3 is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably, in order to surely exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency of the sensor unit 13. It is 50 nm or more and 100 nm or less.

正孔ブロッキング膜5は、光電変換膜4と上部電極6との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極6から光電変換膜4に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。   The hole blocking film 5 can be provided between the photoelectric conversion film 4 and the upper electrode 6. When a bias voltage is applied between the lower electrode 2 and the upper electrode 6, the hole blocking film 5 is transferred from the upper electrode 6 to the photoelectric conversion film 4. It is possible to suppress the increase in dark current due to the injection of holes.

正孔ブロッキング膜5には、電子受容性有機材料を用いることができる。   An electron-accepting organic material can be used for the hole blocking film 5.

正孔ブロッキング膜5の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the hole blocking film 5 is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably, in order to surely exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency of the sensor unit 13. Is from 50 nm to 100 nm.

実際に正孔ブロッキング膜5に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上イオン化ポテンシャル(Ip)が大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料の電子親和力(Ea)と同等のEaもしくはそれより大きいEaを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。   The material actually used for the hole blocking film 5 may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent photoelectric conversion film 4 and the like, and 1.3 eV from the work function (Wf) of the material of the adjacent electrode. As described above, it is preferable that the ionization potential (Ip) is large and that the Ea is equal to or larger than the electron affinity (Ea) of the material of the adjacent photoelectric conversion film 4. Since the material applicable as the electron-accepting organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

なお、光電変換膜4で発生した電荷のうち、正孔が上部電極6に移動し、電子が下部電極2に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5の位置を逆にすればよい。また、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。   In addition, when a bias voltage is set so that holes move to the upper electrode 6 and electrons move to the lower electrode 2 among the charges generated in the photoelectric conversion film 4, the electron blocking film 3 and the hole blocking are set. The position of the film 5 may be reversed. Moreover, it is not necessary to provide both the electron blocking film 3 and the hole blocking film 5. If either one is provided, a certain degree of dark current suppressing effect can be obtained.

各画素の下部電極2下方の基板1の表面には信号出力部14が形成されている。図4には、信号出力部14の構成が概略的に示されている。   A signal output unit 14 is formed on the surface of the substrate 1 below the lower electrode 2 of each pixel. FIG. 4 schematically shows the configuration of the signal output unit 14.

同図に示すように、本実施の形態に係る信号出力部14は、下部電極2に対応して、下部電極2に移動した電荷を蓄積するコンデンサ9と、コンデンサ9に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する電界効果型薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、単に薄膜トランジスタという場合がある。)10が形成されている。コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域は、平面視において下部電極2と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素における信号出力部14とセンサ部13とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器20(画素)の平面積を最小にするために、コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域が下部電極2によって完全に覆われていることが望ましい。   As shown in the figure, the signal output unit 14 according to the present embodiment corresponds to the lower electrode 2, and a capacitor 9 that accumulates the charges transferred to the lower electrode 2, and the electric charges accumulated in the capacitor 9 are electrically A field effect thin film transistor (Thin Film Transistor, hereinafter simply referred to as a thin film transistor) 10 that converts the signal into a signal and outputs the signal is formed. The region in which the capacitor 9 and the thin film transistor 10 are formed has a portion that overlaps the lower electrode 2 in a plan view. With this configuration, the signal output unit 14 and the sensor unit 13 in each pixel are thick. There will be overlap in the vertical direction. In order to minimize the plane area of the radiation detector 20 (pixel), it is desirable that the region where the capacitor 9 and the thin film transistor 10 are formed is completely covered by the lower electrode 2.

コンデンサ9は、基板1と下部電極2との間に設けられた絶縁膜11を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極2と電気的に接続されている。これにより、下部電極2で捕集された電荷をコンデンサ9に移動させることができる。   The capacitor 9 is electrically connected to the corresponding lower electrode 2 through a wiring made of a conductive material penetrating an insulating film 11 provided between the substrate 1 and the lower electrode 2. Thereby, the electric charge collected by the lower electrode 2 can be moved to the capacitor 9.

薄膜トランジスタ10は、ゲート電極15、ゲート絶縁膜16、および活性層(チャネル層)17が積層され、さらに、活性層17上にソース電極18とドレイン電極19が所定の間隔を開けて形成されている。   In the thin film transistor 10, a gate electrode 15, a gate insulating film 16, and an active layer (channel layer) 17 are stacked, and a source electrode 18 and a drain electrode 19 are formed on the active layer 17 at a predetermined interval. .

活性層17は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層17を構成する材料は、これらに限定されるものではない。   The active layer 17 can be formed of, for example, amorphous silicon, amorphous oxide, organic semiconductor material, carbon nanotube, or the like. In addition, the material which comprises the active layer 17 is not limited to these.

活性層17を構成する非晶質酸化物としては、In、GaおよびZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、GaおよびZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga−O系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、GaおよびZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO(ZnO)m(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnOがより好ましい。 The amorphous oxide constituting the active layer 17 is preferably an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn (for example, In—O-based), and at least two of In, Ga, and Zn. An oxide containing In (eg, In—Zn—O, In—Ga—O, or Ga—Zn—O) is more preferable, and an oxide containing In, Ga, and Zn is particularly preferable. As the In—Ga—Zn—O-based amorphous oxide, an amorphous oxide whose composition in a crystalline state is represented by InGaO 3 (ZnO) m (m is a natural number of less than 6) is preferable, and InGaZnO is particularly preferable. 4 is more preferable.

活性層17を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開2009−212389号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   Examples of the organic semiconductor material that can form the active layer 17 include, but are not limited to, phthalocyanine compounds, pentacene, vanadyl phthalocyanine, and the like. In addition, about the structure of a phthalocyanine compound, since it is demonstrated in detail in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-212389, description is abbreviate | omitted.

薄膜トランジスタ10の活性層17を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部14におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。   If the active layer 17 of the thin film transistor 10 is formed of an amorphous oxide, an organic semiconductor material, or a carbon nanotube, it will not absorb radiation such as X-rays, or even if it absorbs it, it will remain in a very small amount. Generation of noise in the portion 14 can be effectively suppressed.

また、活性層17をカーボンナノチューブで形成した場合、薄膜トランジスタ10のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低い薄膜トランジスタ10を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層17を形成する場合、活性層17に極微量の金属性不純物を混入するだけで、薄膜トランジスタ10の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。   When the active layer 17 is formed of carbon nanotubes, the switching speed of the thin film transistor 10 can be increased, and the thin film transistor 10 having a low light absorption in the visible light region can be formed. In addition, when the active layer 17 is formed of carbon nanotubes, the performance of the thin film transistor 10 is remarkably deteriorated only by mixing a very small amount of metallic impurities into the active layer 17, so that extremely high purity carbon nanotubes can be obtained by centrifugation or the like. It is necessary to form by separating and extracting.

ここで、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板1としては、半導体基板、石英基板、およびガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板や、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。   Here, any of the amorphous oxides, organic semiconductor materials, carbon nanotubes constituting the active layer 17 of the thin film transistor 10 and organic photoelectric conversion materials constituting the photoelectric conversion film 4 can be formed at a low temperature. . Therefore, the substrate 1 is not limited to a substrate having high heat resistance such as a semiconductor substrate, a quartz substrate, and a glass substrate, and a flexible substrate such as plastic, aramid, or bionanofiber can also be used. Specifically, flexible materials such as polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly (chlorotrifluoroethylene). A conductive substrate can be used. If such a plastic flexible substrate is used, it is possible to reduce the weight, which is advantageous for carrying around, for example.

また、基板1には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。   In addition, the substrate 1 is provided with an insulating layer for ensuring insulation, a gas barrier layer for preventing permeation of moisture and oxygen, an undercoat layer for improving flatness or adhesion to electrodes, and the like. May be.

一方、アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITO(Indium Tin Oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板を形成してもよい。   On the other hand, since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce its resistance, and it can be used for automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (Indium Tin Oxide) or a glass substrate, there is little warping after manufacturing and it is difficult to crack. In addition, aramid can form a substrate thinner than a glass substrate or the like. The substrate may be formed by laminating an ultrathin glass substrate and aramid.

また、バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ高強度、高弾性、低熱膨張である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60〜70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3〜7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く基板1を形成できる。   The bionanofiber is a composite of a cellulose microfibril bundle (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60 to 70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. The substrate 1 can be formed thinly.

本実施の形態では、基板1上に、信号出力部14、センサ部13、透明絶縁膜7を順に形成することによりTFT基板30を形成し、当該TFT基板30上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ8を貼り付けることにより放射線検出器20を形成している。   In the present embodiment, the TFT substrate 30 is formed on the substrate 1 by sequentially forming the signal output unit 14, the sensor unit 13, and the transparent insulating film 7, and the light-absorbing adhesive resin is formed on the TFT substrate 30. The radiation detector 20 is formed by pasting the scintillator 8 using, for example.

図5に示すように、TFT基板30には、上述したセンサ部13、コンデンサ9、および薄膜トランジスタ10を含んで構成される画素32が一定方向(図5の行方向)、および当該一定方向に対する交差方向(図5の列方向)に2次元状に複数設けられている。   As shown in FIG. 5, the TFT substrate 30 includes a pixel 32 including the sensor unit 13, the capacitor 9, and the thin film transistor 10 described above in a certain direction (row direction in FIG. 5) and crossing the certain direction. A plurality of two-dimensional shapes are provided in the direction (column direction in FIG. 5).

また、放射線検出器20には、上記一定方向(行方向)に延設され、各薄膜トランジスタ10をオン・オフさせるための複数本のゲート配線34と、上記交差方向(列方向)に延設され、オン状態の薄膜トランジスタ10を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線36と、が設けられている。   Further, the radiation detector 20 extends in the predetermined direction (row direction), and extends in the intersecting direction (column direction) with a plurality of gate wirings 34 for turning on and off each thin film transistor 10. A plurality of data wirings 36 for reading out charges through the thin film transistor 10 in the on state are provided.

放射線検出器20は、平板状で、かつ平面視において外縁に4辺を有する四辺形状、より具体的には、矩形状に形成されている。   The radiation detector 20 has a flat plate shape and a quadrilateral shape having four sides on the outer edge in a plan view, more specifically, a rectangular shape.

ここで、本実施の形態に係る放射線検出器20では、画素32の一部が放射線の照射状態を検出するために用いられており、残りの画素32によって放射線画像の撮影を行う。なお、以下では、放射線の照射状態を検出するための画素32を放射線検出用画素32Aといい、残りの画素32を放射線画像取得用画素32Bという。   Here, in the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment, a part of the pixels 32 is used to detect the irradiation state of the radiation, and a radiographic image is captured by the remaining pixels 32. Hereinafter, the pixels 32 for detecting the radiation irradiation state are referred to as radiation detection pixels 32A, and the remaining pixels 32 are referred to as radiation image acquisition pixels 32B.

本実施の形態に係る放射線検出器20では、画素32における放射線検出用画素32Aを除いた放射線画像取得用画素32Bにより放射線画像の撮影を行うため、放射線検出用画素32Aの配置位置における放射線画像の画素情報を得ることができない。このため、本実施の形態に係る放射線検出器20では、放射線検出用画素32Aを分散するように配置する一方、コンソール110により、放射線検出用画素32Aの配置位置における放射線画像の画素情報を、当該放射線検出用画素32Aの周囲に位置する放射線画像取得用画素32Bにより得られた画素情報を用いて補間することにより生成する欠陥画素補正処理を実行する。   In the radiation detector 20 according to the present embodiment, the radiation image is captured by the radiation image acquisition pixel 32B excluding the radiation detection pixel 32A in the pixel 32. Therefore, the radiation image at the position where the radiation detection pixel 32A is disposed. Pixel information cannot be obtained. For this reason, in the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment, the radiation detection pixels 32A are arranged so as to be dispersed, while the console 110 obtains the pixel information of the radiation image at the arrangement position of the radiation detection pixels 32A. A defective pixel correction process generated by interpolation using pixel information obtained by the radiation image acquisition pixel 32B positioned around the radiation detection pixel 32A is executed.

また、本実施の形態に係る放射線検出器20では、放射線検出用画素32Aを、撮影対象部位が配置されず、非存在領域(素抜け領域)となる頻度が高い領域ほど密度が高くなるように撮影領域に配置する。   Further, in the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment, the density of the radiation detection pixels 32 </ b> A is increased in a region where the imaging target region is not arranged and the non-existing region (elementary region) is frequently used. Place in the shooting area.

ここで、本実施の形態に係る撮影システム104では、撮影対象部位が腹部等である場合のように放射線検出器20による撮影領域の全域を用いて撮影を行う場合や、撮影対象部位が脚部、腕部、手部等である場合のように放射線検出器20による撮影領域の一部のみを用いて撮影を行う場合の何れの場合であっても、少なくとも撮影領域の中央部に撮影対象部位を位置させた状態で撮影を行うものとしている。このため、本実施の形態に係る放射線検出器20では、一例として図6に模式的に示すように、放射線検出用画素32Aを、放射線検出器20の撮影領域の中央部を含む一部領域(本実施の形態では、放射線検出器20の撮影領域の中央部を中心とする矩形領域)20Aを比較的低い密度とし、その周辺の領域を領域20Aより高い密度とするように配置する。   Here, in the imaging system 104 according to the present embodiment, when imaging is performed using the entire imaging region by the radiation detector 20 as in the case where the imaging target region is an abdomen or the like, or the imaging target region is a leg part. In any case where imaging is performed using only a part of the imaging region by the radiation detector 20 as in the case of an arm portion, a hand portion, or the like, at least a region to be imaged in the central portion of the imaging region It is assumed that shooting is performed in a state where is positioned. For this reason, in the radiation detector 20 according to the present exemplary embodiment, as schematically illustrated in FIG. 6 as an example, the radiation detection pixel 32 </ b> A includes a partial region including the central portion of the imaging region of the radiation detector 20 ( In this embodiment, the radiation detector 20 is arranged so that the rectangular area (centered around the center of the imaging area) 20A has a relatively low density and the surrounding area has a higher density than the area 20A.

そして、放射線の照射状態を検出するべく、本実施の形態に係る電子カセッテ40には、放射線源121からの放射線Xの照射量を示す情報(以下、「放射線量情報」という。)を取得する放射線量取得機能が設けられている。   And in order to detect the irradiation state of a radiation, the electronic cassette 40 which concerns on this Embodiment acquires the information (henceforth "radiation dose information") which shows the irradiation amount of the radiation X from the radiation source 121. FIG. A radiation dose acquisition function is provided.

このため、本実施の形態に係る放射線検出器20には、図5に示すように、放射線検出用画素32Aにおけるコンデンサ9と薄膜トランジスタ10との接続部が接続された、当該コンデンサ9に蓄積された電荷を直接読み出すための直接読出配線38が、放射線検出用画素32Aの各々別に、上記一定方向(行方向)に延設されている。   Therefore, in the radiation detector 20 according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, the radiation detection pixel 32A accumulated in the capacitor 9 is connected to the connection portion between the capacitor 9 and the thin film transistor 10 in the radiation detection pixel 32A. Direct readout wirings 38 for directly reading out charges are extended in the above-described fixed direction (row direction) for each of the radiation detection pixels 32A.

次に、本実施の形態に係る電子カセッテ40の構成について説明する。図7には、本実施の形態に係る電子カセッテ40の構成を示す斜視図が示されている。   Next, the configuration of the electronic cassette 40 according to the present embodiment will be described. FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment.

同図に示すように、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線を透過させる材料からなる筐体41を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。電子カセッテ40は、手術室等で使用されるとき、血液やその他の雑菌が付着するおそれがある。そこで、電子カセッテ40を防水性、密閉性を有する構造として、必要に応じて殺菌洗浄することにより、1つの電子カセッテ40を繰り返し続けて使用することができる。   As shown in the figure, an electronic cassette 40 according to the present embodiment includes a housing 41 made of a material that transmits radiation, and has a waterproof and airtight structure. When the electronic cassette 40 is used in an operating room or the like, there is a risk that blood or other germs may adhere. Therefore, one electronic cassette 40 can be used repeatedly by sterilizing and cleaning the electronic cassette 40 as necessary with a waterproof and hermetic structure.

筐体41の内部には、種々の部品を収容する空間Aが形成されており、当該空間A内には、放射線Xが照射される筐体41の照射面側から、被写体を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、および放射線Xのバック散乱線を吸収する鉛板43が順に配設されている。   A space A for accommodating various components is formed inside the housing 41, and the radiation X transmitted through the subject from the irradiation surface side of the housing 41 to which the radiation X is irradiated is formed in the space A. The radiation detector 20 for detecting the radiation X and the lead plate 43 for absorbing the back scattered radiation of the radiation X are arranged in this order.

ここで、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、筐体41の平板状の一方の面の放射線検出器20の配設位置に対応する領域が放射線を検出可能な四辺形状の撮影領域41Aとされている。この筐体41の撮影領域41Aを有する面が電子カセッテ40における天板41Bとされており、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、放射線検出器20が、TFT基板30が天板41B側となるように配置され、当該天板41Bの筐体41における内側の面(天板41Bの放射線が入射される面の反対側の面)に貼り付けられている。   Here, in the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, the area corresponding to the arrangement position of the radiation detector 20 on one flat surface of the housing 41 is a quadrilateral imaging area 41A capable of detecting radiation. Has been. The surface having the imaging region 41A of the casing 41 is a top plate 41B in the electronic cassette 40. In the electronic cassette 40 according to the present embodiment, the radiation detector 20 is connected to the TFT substrate 30 on the top plate 41B side. The top plate 41B is affixed to the inner surface of the casing 41 (the surface on the opposite side of the surface on which the radiation of the top plate 41B is incident).

一方、図7に示すように、筐体41の内部の一端側には、放射線検出器20と重ならない位置(撮影領域41Aの範囲外)に、後述するカセッテ制御部58や電源部70(共に図13参照。)を収容するケース42が配置されている。   On the other hand, as shown in FIG. 7, a cassette control unit 58 and a power supply unit 70 (both described later) are placed on one end side inside the housing 41 so as not to overlap the radiation detector 20 (outside the range of the imaging region 41A). The case 42 which accommodates FIG. 13 is arrange | positioned.

筐体41は、電子カセッテ40全体の軽量化を図るために、例えば、カーボンファイバ(炭素繊維)、アルミニウム、マグネシウム、バイオナノファイバ(セルロースミクロフィブリル)、または複合材料等で構成されている。   The casing 41 is made of, for example, carbon fiber (carbon fiber), aluminum, magnesium, bionanofiber (cellulose microfibril), or a composite material in order to reduce the weight of the entire electronic cassette 40.

複合材料としては、例えば、強化繊維樹脂を含む材料が用いられ、強化繊維樹脂には、カーボンやセルロース等が含まれる。具体的には、複合材料としては、炭素繊維強化プラスチック(CFRP)や、発泡材をCFRPでサンドイッチした構造のもの、または発泡材の表面にCFRPをコーティングしたもの等が用いられる。なお、本実施の形態では、発泡材をCFRPでサンドイッチした構造のものが用いられている。これにより、筐体41をカーボン単体で構成した場合と比較して、筐体41の強度(剛性)を高めることができる。   As the composite material, for example, a material including a reinforced fiber resin is used, and the reinforced fiber resin includes carbon, cellulose, and the like. Specifically, as the composite material, carbon fiber reinforced plastic (CFRP), a structure in which a foamed material is sandwiched with CFRP, or a material in which the surface of the foamed material is coated with CFRP is used. In the present embodiment, a structure in which a foam material is sandwiched with CFRP is used. Thereby, compared with the case where the housing | casing 41 is comprised with a carbon single-piece | unit, the intensity | strength (rigidity) of the housing | casing 41 can be improved.

一方、図8に示すように、筐体41の内部には、天板41Bと対向する背面部41Cの内面に支持体44が配置されており、支持体44および天板41Bの間に、放射線検出器20および鉛板43が放射線Xの照射方向にこの順で並んで配置されている。支持体44は、軽量化の観点、寸法偏差を吸収する観点から、例えば、発泡材で構成されており、鉛板43を支持する。   On the other hand, as shown in FIG. 8, a support body 44 is disposed on the inner surface of the back surface portion 41 </ b> C facing the top plate 41 </ b> B inside the housing 41, and radiation between the support body 44 and the top plate 41 </ b> B. The detector 20 and the lead plate 43 are arranged in this order in the radiation X irradiation direction. The support body 44 is made of, for example, a foam material from the viewpoint of weight reduction and absorption of dimensional deviation, and supports the lead plate 43.

同図に示すように、天板41Bの内面には、放射線検出器20のTFT基板30を剥離可能に接着する接着部材80が設けられている。接着部材80としては、例えば、両面テープが用いられる。この場合、両面テープは、一方の接着面の接着力が他方の接着面の接着力よりも強くなるように形成されている。   As shown in the figure, an adhesive member 80 is provided on the inner surface of the top plate 41B to adhere the TFT substrate 30 of the radiation detector 20 in a peelable manner. As the adhesive member 80, for example, a double-sided tape is used. In this case, the double-sided tape is formed so that the adhesive force of one adhesive surface is stronger than the adhesive force of the other adhesive surface.

具体的には、接着力の弱い面(弱接着面)は、180°ピール接着力で1.0N/cm以下に設定されている。そして、接着力の強い面(強接着面)が天板41Bに接し、弱接着面がTFT基板30に接する。これにより、ねじ等の固定部材等によって放射線検出器20を天板41Bに固定する場合と比べて電子カセッテ40の厚みを薄くすることができる。また、衝撃や荷重で天板41Bが変形しても、放射線検出器20は剛性の高い天板41Bの変形に追従するため、大きな曲率(緩やかな曲がり)しか発生せず、局所的な低曲率で放射線検出器20が破損する可能性が低くなる。さらに、放射線検出器20が天板41Bの剛性の向上に寄与する。   Specifically, the weak adhesive surface (weakly adhesive surface) is set to 1.0 N / cm or less at 180 ° peel adhesive force. Then, the surface having a strong adhesive force (strong adhesion surface) is in contact with the top plate 41B, and the weak adhesion surface is in contact with the TFT substrate 30. Thereby, compared with the case where the radiation detector 20 is fixed to the top plate 41B with fixing members, such as a screw, the thickness of the electronic cassette 40 can be made thin. Even if the top plate 41B is deformed by an impact or load, the radiation detector 20 follows the deformation of the top plate 41B having high rigidity, so that only a large curvature (slow bend) is generated, and a local low curvature is generated. Therefore, the possibility that the radiation detector 20 is damaged is reduced. Furthermore, the radiation detector 20 contributes to the improvement of the rigidity of the top plate 41B.

このように、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、放射線検出器20を筐体41の天板41Bの内部に貼り付けているため、筐体41が、天板41B側と背面部41C側とで2つに分離可能とされており、放射線検出器20を天板41Bに貼り付けたり、放射線検出器20を天板41Bから剥離したりする際には、筐体41を天板41B側と背面部41C側とで2つに分離した状態とされる。   As described above, in the electronic cassette 40 according to the present exemplary embodiment, the radiation detector 20 is attached to the inside of the top plate 41B of the housing 41, so that the housing 41 is on the top plate 41B side and the back surface portion 41C side. When the radiation detector 20 is attached to the top plate 41B or the radiation detector 20 is peeled off from the top plate 41B, the housing 41 is placed on the top plate 41B side. And the back surface portion 41C side are separated into two.

なお、本実施の形態では、放射線検出器20の天板41Bへの接着をクリーンルーム等で行わなくてもよい。なぜなら、放射線検出器20および天板41Bの間に放射線を吸収する金属片等の異物が混入した場合に、放射線検出器20を天板41Bから剥離して当該異物を除去できるからである。   In the present embodiment, the radiation detector 20 may not be bonded to the top plate 41B in a clean room or the like. This is because when a foreign object such as a metal piece that absorbs radiation is mixed between the radiation detector 20 and the top plate 41B, the foreign object can be removed by peeling the radiation detector 20 from the top plate 41B.

一方、一例として図9に示すように、本実施の形態に係る太陽電池アレイ168は、複数の太陽電池168Aがマトリクス状に配置されて構成されており、各太陽電池168Aから出力された電流値が予め定められた閾値以上である太陽電池168Aの配設領域が前述した非存在領域(素抜け領域)であり、他の太陽電池168Aの配設領域が前述した存在領域であると特定する。   On the other hand, as shown in FIG. 9 as an example, solar cell array 168 according to the present embodiment is configured by arranging a plurality of solar cells 168A in a matrix, and the current value output from each solar cell 168A. Is determined to be the aforementioned non-existing area (elementary missing area), and the other solar cell 168A is specified to be the aforementioned existing area.

図9に示す例では、被検者が存在しない、太陽電池アレイ168の外周部に接する領域に加えて、領域A,D,G,Jの各領域が非存在領域であると特定され、被検者が全領域を覆っている、太陽電池アレイ168の中心部に接する領域に加えて、領域B,C,E,F,H,Iの各領域が存在領域であると特定される。   In the example shown in FIG. 9, in addition to the area in contact with the outer periphery of the solar cell array 168 where the subject does not exist, the areas A, D, G, and J are identified as non-existing areas. In addition to the area in contact with the central portion of the solar cell array 168 that covers the entire area, the areas B, C, E, F, H, and I are identified as the existing areas.

なお、本実施の形態に係る撮影システム104では、放射線画像の撮影条件や撮影環境等に応じて光源125の発光強度を設定できるものとされており、一例として図10に示すように、光源125による発光強度が高くなるほど大きな値となるように上記閾値が予め定められている。   In the imaging system 104 according to the present embodiment, the light emission intensity of the light source 125 can be set in accordance with the radiographic image capturing conditions, the imaging environment, and the like. As an example, as illustrated in FIG. The threshold value is determined in advance so that the value becomes larger as the light emission intensity by.

そして、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、一例として図10に示されるような光源125の発光強度と閾値との関係を示す情報(以下、「閾値情報」という。)が予め記憶されており、実際に適用する光源125の発光強度に対応する閾値を用いて、存在領域および非存在領域を特定する。   In the electronic cassette 40 according to the present embodiment, information indicating the relationship between the light emission intensity of the light source 125 and the threshold value as shown in FIG. 10 as an example (hereinafter referred to as “threshold information”) is stored in advance. The presence area and the non-existence area are specified using a threshold value corresponding to the emission intensity of the light source 125 to be actually applied.

なお、太陽電池アレイ168の太陽電池168Aによる分解能は電子カセッテ40における撮影画像の画素単位ほど高精細である必要はなく、複数の画素が纏まった面積程度で十分であり、当該面積を広くするほど感度を向上させることができる。また、一例として図11に示すように、太陽電池アレイ168の中心部には被検者が存在する可能性が非常に高いため、当該中心部における各領域の面積を周縁部に比較して小さく、高精細とする形態としてもよい。   Note that the resolution of the solar cell array 168 by the solar cell 168A does not have to be as high as the pixel unit of the captured image in the electronic cassette 40, and an area where a plurality of pixels are collected is sufficient, and the area becomes wider. Sensitivity can be improved. As an example, as shown in FIG. 11, the possibility that a subject exists in the central portion of the solar cell array 168 is very high, and therefore the area of each region in the central portion is smaller than the peripheral portion. A high-definition form may be used.

ところで、太陽電池を用いて存在領域および非存在領域を特定する場合、一例として図12に示すように、アモルファスシリコンを用いた太陽電池では、蛍光灯の発光波長帯域に感度を有するため、蛍光灯の光と光源125からの光とを混同してしまう場合がある。   By the way, when an existing region and a non-existing region are specified using a solar cell, as shown in FIG. 12 as an example, a solar cell using amorphous silicon has sensitivity in the emission wavelength band of the fluorescent lamp. And the light from the light source 125 may be confused.

これに対して、結晶シリコンを用いた太陽電池では、蛍光灯の発光波長帯域より赤外光の波長帯域のほうが支配的であるため、蛍光灯の光と光源125からの光とを混同し難い。このため、光源125として赤外光を発するものを適用すると共に、太陽電池アレイ168として結晶シリコンを用いた太陽電池により構成されたものを適用する形態が好ましい。可視光を用いる場合には被検者が眩しいと感じる場合があるが、このように赤外光を用いることによって、この問題も解消することができる。   On the other hand, in the solar cell using crystalline silicon, the wavelength band of infrared light is more dominant than the emission wavelength band of the fluorescent lamp, so it is difficult to confuse the light of the fluorescent lamp with the light from the light source 125. . For this reason, it is preferable to use a light source 125 that emits infrared light and a solar cell array 168 that includes a solar cell using crystalline silicon. When using visible light, the subject may feel dazzled, but this problem can be solved by using infrared light in this way.

なお、可視光を発する光源は一般に赤外域の光も発しているため、被検者の位置決めの際に可視光を発する光源を有する場合には、当該光源に対して可視光カットフィルタを挿抜可能に設けることにより、被検者の位置決めのための光源を存在領域および非存在領域を特定するための光源として兼用することができ、より好ましい。   In addition, since the light source that emits visible light generally emits light in the infrared region, when a subject has a light source that emits visible light, the visible light cut filter can be inserted into and removed from the light source. It is more preferable that the light source for positioning the subject can be used as the light source for specifying the existing region and the non-existing region.

次に、図13を参照して、本実施の形態に係る撮影システム104の電気系の要部構成について説明する。   Next, with reference to FIG. 13, the configuration of the main part of the electrical system of imaging system 104 according to the present embodiment will be described.

同図に示すように、電子カセッテ40に内蔵された放射線検出器20は、隣り合う2辺の一辺側にゲート線ドライバ52が配置され、他辺側に第1信号処理部54が配置されている。TFT基板30の個々のゲート配線34はゲート線ドライバ52に接続され、TFT基板30の個々のデータ配線36は第1信号処理部54に接続されている。   As shown in the figure, the radiation detector 20 incorporated in the electronic cassette 40 has a gate line driver 52 arranged on one side of two adjacent sides and a first signal processing unit 54 arranged on the other side. Yes. Each gate wiring 34 of the TFT substrate 30 is connected to the gate line driver 52, and each data wiring 36 of the TFT substrate 30 is connected to the first signal processing unit 54.

また、筐体41の内部には、画像メモリ56と、カセッテ制御部58と、無線通信部60と、を備えている。   The housing 41 includes an image memory 56, a cassette control unit 58, and a wireless communication unit 60.

TFT基板30の各薄膜トランジスタ10は、ゲート線ドライバ52からゲート配線34を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ10によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線36を伝送されて第1信号処理部54に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。   Each thin film transistor 10 of the TFT substrate 30 is sequentially turned on in a row unit by a signal supplied from the gate line driver 52 via the gate wiring 34, and the electric charge read by the thin film transistor 10 in the on state is converted into an electric signal. The data wiring 36 is transmitted and input to the first signal processing unit 54. As a result, the charges are sequentially read out in units of rows, and a two-dimensional radiation image can be acquired.

図示は省略するが、第1信号処理部54は、個々のデータ配線36毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路およびサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線36を伝送された電気信号は増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。   Although not shown, the first signal processing unit 54 includes an amplification circuit and a sample hold circuit for amplifying an input electric signal for each data wiring 36, and the individual data wiring 36 is transmitted. The electric signal is amplified by the amplifier circuit and then held in the sample hold circuit. Further, a multiplexer and an A / D (analog / digital) converter are connected in order to the output side of the sample and hold circuit, and the electric signals held in the individual sample and hold circuits are sequentially (serially) input to the multiplexer. The digital image data is converted by an A / D converter.

第1信号処理部54には画像メモリ56が接続されており、第1信号処理部54のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ56に順に記憶される。画像メモリ56は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ56に順次記憶される。   An image memory 56 is connected to the first signal processing unit 54, and image data output from the A / D converter of the first signal processing unit 54 is sequentially stored in the image memory 56. The image memory 56 has a storage capacity capable of storing a predetermined number of image data, and image data obtained by imaging is sequentially stored in the image memory 56 each time a radiographic image is captured.

画像メモリ56はカセッテ制御部58と接続されている。カセッテ制御部58はマイクロコンピュータを含んで構成され、CPU(中央処理装置)58A、ROM(Read Only Memory)およびRAM(Random Access Memory)を含むメモリ58B、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部58Cを備えており、電子カセッテ40全体の動作を制御する。   The image memory 56 is connected to the cassette control unit 58. The cassette control unit 58 includes a microcomputer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 58A, a memory 58B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), a nonvolatile storage unit 58C including a flash memory and the like. And controls the entire operation of the electronic cassette 40.

さらに、カセッテ制御部58には無線通信部60が接続されている。無線通信部60は、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部58は、無線通信部60を介して、放射線画像の撮影に関する制御を行うコンソール110などの外部装置と無線通信が可能とされており、コンソール110等との間で各種情報の送受信が可能とされている。   Further, a wireless communication unit 60 is connected to the cassette control unit 58. The wireless communication unit 60 corresponds to a wireless local area network (LAN) standard represented by IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.11a / b / g, etc. Control transmission of various information. The cassette control unit 58 can wirelessly communicate with an external device such as the console 110 that performs control related to radiographic image capturing via the wireless communication unit 60, and can transmit and receive various types of information to and from the console 110 and the like. It is possible.

また、電子カセッテ40には、保持部162または保持部166に保持された状態で保持された保持部に設けられた太陽電池アレイ168に電気的に接続されるコネクタ62が設けられており、コネクタ62はカセッテ制御部58に接続されている。従って、カセッテ制御部58は、保持された保持部に設けられた太陽電池アレイ168の各太陽電池168Aから出力された電流値を個別に把握することができる。   In addition, the electronic cassette 40 is provided with a connector 62 that is electrically connected to the solar cell array 168 provided in the holding portion held in the holding portion 162 or the holding portion 166. 62 is connected to the cassette control unit 58. Therefore, the cassette control unit 58 can individually grasp the current value output from each solar cell 168A of the solar cell array 168 provided in the held holding unit.

また、電子カセッテ40には電源部70が設けられており、上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ52、第1信号処理部54、画像メモリ56、無線通信部60、カセッテ制御部58として機能するマイクロコンピュータ等)は、電源部70から供給された電力によって作動する。電源部70は、電子カセッテ40の可搬性を損なわないように、バッテリ(充電可能な二次電池)を内蔵しており、充電されたバッテリから各種回路・素子へ電力を供給する。なお、図13では、電源部70と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。   In addition, the electronic cassette 40 is provided with a power supply unit 70, and the various circuits and elements described above (gate line driver 52, first signal processing unit 54, image memory 56, wireless communication unit 60, cassette control unit 58). A functioning microcomputer or the like is operated by electric power supplied from the power supply unit 70. The power supply unit 70 incorporates a battery (a rechargeable secondary battery) so as not to impair the portability of the electronic cassette 40, and supplies power from the charged battery to various circuits and elements. In FIG. 13, the power supply unit 70, various circuits, and wirings for connecting each element are omitted.

一方、本実施の形態に係る放射線検出器20は、前述した放射線量取得機能を実現するために、TFT基板30を隔ててゲート線ドライバ52の反対側に第2信号処理部55が配置されており、TFT基板30の個々の直接読出配線38は第2信号処理部55に接続されている。   On the other hand, in the radiation detector 20 according to the present embodiment, the second signal processing unit 55 is arranged on the opposite side of the gate line driver 52 across the TFT substrate 30 in order to realize the radiation dose acquisition function described above. The individual direct readout wirings 38 of the TFT substrate 30 are connected to the second signal processing unit 55.

ここで、本実施の形態に係る第2信号処理部55の構成について説明する。図14には、本実施の形態に係る第2信号処理部55の構成を示す回路図が示されている。   Here, the configuration of the second signal processing unit 55 according to the present embodiment will be described. FIG. 14 is a circuit diagram showing a configuration of the second signal processing unit 55 according to the present embodiment.

同図に示すように、本実施の形態に係る第2信号処理部55は、直接読出配線38の各々に対応して、可変ゲインプリアンプ(チャージアンプ)92と、低域通過周波数が切り換え可能とされたLPF(低域通過フィルタ)96と、サンプルタイミングが設定可能とされたサンプルホールド回路97と、が備えられている。   As shown in the figure, the second signal processing unit 55 according to the present embodiment can switch between a variable gain preamplifier (charge amplifier) 92 and a low-pass frequency corresponding to each of the direct readout wirings 38. An LPF (low pass filter) 96, and a sample hold circuit 97 in which the sample timing can be set are provided.

可変ゲインプリアンプ92は、正入力側が接地されたオペアンプ92Aと、オペアンプ92Aの負入力側と出力側との間に、それぞれ並列に接続されるコンデンサ92Bと、スイッチ92Eおよびコンデンサ92Cと、リセットスイッチ92Fとを含んで構成され、スイッチ92Eおよびリセットスイッチ92Fは、カセッテ制御部58により切り換えられる。   The variable gain preamplifier 92 includes an operational amplifier 92A whose positive input side is grounded, a capacitor 92B, a switch 92E, a capacitor 92C, and a reset switch 92F that are connected in parallel between the negative input side and the output side of the operational amplifier 92A. The switch 92E and the reset switch 92F are switched by the cassette control unit 58.

また、LPF96は、抵抗器96Aと、抵抗器96Bと、コンデンサ96Cと、抵抗器96Aを短絡するスイッチ96Eとを含んで構成され、スイッチ96Eも、カセッテ制御部58により切り換えられる。さらに、サンプルホールド回路97のサンプルタイミングも、カセッテ制御部58により切り換えられる。   The LPF 96 includes a resistor 96A, a resistor 96B, a capacitor 96C, and a switch 96E that short-circuits the resistor 96A. The switch 96E is also switched by the cassette control unit 58. Furthermore, the sample control of the sample hold circuit 97 is also switched by the cassette control unit 58.

一方、本実施の形態に係る第2信号処理部55は、各々単一のマルチプレクサ98およびA/D(アナログ/デジタル)変換器99が備えられている。なお、マルチプレクサ98に設けられたスイッチ98Aによる選択出力も、カセッテ制御部58により切り換えられる。   On the other hand, each of the second signal processing units 55 according to the present embodiment includes a single multiplexer 98 and an A / D (analog / digital) converter 99. The selection output by the switch 98A provided in the multiplexer 98 is also switched by the cassette control unit 58.

直接読出配線38の各々は、対応する可変ゲインプリアンプ92の入力端(オペアンプ92Aの負入力端)に接続され、可変ゲインプリアンプ92の出力端は、対応するLPF96の入力端に接続され、LPF96の出力端は、対応するサンプルホールド回路97の入力端に接続される。   Each of the direct readout wirings 38 is connected to an input terminal of the corresponding variable gain preamplifier 92 (a negative input terminal of the operational amplifier 92A), and an output terminal of the variable gain preamplifier 92 is connected to an input terminal of the corresponding LPF 96. The output terminal is connected to the input terminal of the corresponding sample and hold circuit 97.

そして、サンプルホールド回路97の各々の出力端は、マルチプレクサ98のスイッチ98Aに1対1で接続され、マルチプレクサ98のスイッチ98Aの出力端は、カセッテ制御部58に接続されたA/D変換器99の入力端に接続されている。   Each output terminal of the sample hold circuit 97 is connected to the switch 98A of the multiplexer 98 on a one-to-one basis, and the output terminal of the switch 98A of the multiplexer 98 is connected to the cassette control unit 58. Is connected to the input terminal.

放射線量取得機能を働かせる際に、カセッテ制御部58は、まず、可変ゲインプリアンプ92のスイッチ92Eおよびリセットスイッチ92Fをオン状態とすることにより、コンデンサ92Bおよびコンデンサ92Cに蓄積されていた電荷を放電する。   When the radiation dose acquisition function is activated, the cassette control unit 58 first discharges the charges accumulated in the capacitor 92B and the capacitor 92C by turning on the switch 92E and the reset switch 92F of the variable gain preamplifier 92. .

次に、カセッテ制御部58は、可変ゲインプリアンプ92のリセットスイッチ92Fをオフ状態とした後にスイッチ92Eのオン/オフ状態の設定によって可変ゲインプリアンプ92による増幅率を設定すると共に、LPF96のスイッチ96Eのオン/オフ状態の設定によってLPF96による低域通過周波数を設定する。   Next, the cassette control unit 58 sets the amplification factor by the variable gain preamplifier 92 by setting the switch 92E on / off after the reset switch 92F of the variable gain preamplifier 92 is turned off, and at the same time the switch 96E of the LPF 96 The low pass frequency by the LPF 96 is set by setting the on / off state.

一方、放射線Xが照射されることによって放射線検出用画素32Aの各々のコンデンサ9に蓄積された電荷は電気信号として接続されている直接読出配線38を伝送され、直接読出配線38を伝送された電気信号は、可変ゲインプリアンプ92により、カセッテ制御部58によって設定された増幅率で増幅された後に、LPF96により、カセッテ制御部58によって設定された低域通過周波数でフィルタリング処理が施される。   On the other hand, the electric charge accumulated in each capacitor 9 of the radiation detection pixel 32A by being irradiated with the radiation X is transmitted through the direct readout wiring 38 connected as an electrical signal, and the electrical transmitted through the direct readout wiring 38 is transmitted. The signal is amplified by the variable gain preamplifier 92 at the amplification factor set by the cassette control unit 58, and then filtered by the LPF 96 at the low-pass frequency set by the cassette control unit 58.

一方、カセッテ制御部58は、上記増幅率および低域通過周波数の設定の後、サンプルホールド回路97を所定期間駆動させることより、サンプルホールド回路97に上記フィルタリング処理が施された電気信号の信号レベルを保持させる。   On the other hand, the cassette control unit 58 drives the sample and hold circuit 97 for a predetermined period after setting the amplification factor and the low-pass frequency, so that the signal level of the electrical signal subjected to the filtering process on the sample and hold circuit 97 is set. Hold.

サンプルホールド回路97に保持された信号レベルは、カセッテ制御部58による制御に応じてマルチプレクサ98により順次選択され、A/D変換器99によってA/D変換された後、これによって得られたデジタルデータがカセッテ制御部58に出力される。なお、A/D変換器99から出力されたデジタルデータは放射線検出用画素32Aに対して上記所定期間に照射された放射線量を示すものであり、前述した放射線量情報を作成する際に用いられる。   The signal level held in the sample and hold circuit 97 is sequentially selected by the multiplexer 98 in accordance with control by the cassette control unit 58, A / D converted by the A / D converter 99, and then obtained digital data. Is output to the cassette control unit 58. The digital data output from the A / D converter 99 indicates the radiation dose irradiated to the radiation detection pixel 32A during the predetermined period, and is used when creating the radiation dose information described above. .

そして、カセッテ制御部58では、A/D変換器99から入力された、放射線検出用画素32Aの各々に対応するデジタルデータ(以下、「個別放射線量情報」という。)をメモリ58BにおけるRAMの予め定められた領域に記憶する。   In the cassette control unit 58, digital data (hereinafter referred to as “individual radiation dose information”) corresponding to each of the radiation detection pixels 32A input from the A / D converter 99 is stored in advance in the RAM of the memory 58B. Store in a defined area.

一方、図13に示すように、コンソール110は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ111と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル112と、を備えている。   On the other hand, as shown in FIG. 13, the console 110 is configured as a server computer, and includes a display 111 that displays an operation menu, a captured radiographic image, and the like, and a plurality of keys. And an operation panel 112 for inputting operation instructions.

また、本実施の形態に係るコンソール110は、装置全体の動作を司るCPU113と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM114と、各種データを一時的に記憶するRAM115と、各種データを記憶して保持するHDD(ハードディスク・ドライブ)116と、ディスプレイ111への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ117と、操作パネル112に対する操作状態を検出する操作入力検出部118と、を備えている。また、コンソール110は、無線通信により、放射線発生装置120との間で後述する曝射条件等の各種情報の送受信を行うと共に、電子カセッテ40との間で画像データ等の各種情報の送受信を行う無線通信部119を備えている。   The console 110 according to the present embodiment includes a CPU 113 that controls the operation of the entire apparatus, a ROM 114 that stores various programs including a control program in advance, a RAM 115 that temporarily stores various data, and various data. An HDD (Hard Disk Drive) 116 that stores and holds, a display driver 117 that controls display of various types of information on the display 111, and an operation input detection unit 118 that detects an operation state of the operation panel 112 are provided. . In addition, the console 110 transmits and receives various types of information such as an exposure condition, which will be described later, to and from the radiation generation apparatus 120 through wireless communication, and transmits and receives various types of information such as image data to and from the electronic cassette 40. A wireless communication unit 119 is provided.

CPU113、ROM114、RAM115、HDD116、ディスプレイドライバ117、操作入力検出部118、および無線通信部119は、システムバスBUSを介して相互に接続されている。従って、CPU113は、ROM114、RAM115、HDD116へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ117を介したディスプレイ111への各種情報の表示の制御、および無線通信部119を介した放射線発生装置120および電子カセッテ40との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、CPU113は、操作入力検出部118を介して操作パネル112に対するユーザの操作状態を把握することができる。   The CPU 113, ROM 114, RAM 115, HDD 116, display driver 117, operation input detection unit 118, and wireless communication unit 119 are connected to each other via the system bus BUS. Therefore, the CPU 113 can access the ROM 114, RAM 115, and HDD 116, controls the display of various information on the display 111 via the display driver 117, and the radiation generator 120 via the wireless communication unit 119 and Control of transmission and reception of various types of information with the electronic cassette 40 can be performed. Further, the CPU 113 can grasp the operation state of the user with respect to the operation panel 112 via the operation input detection unit 118.

一方、放射線発生装置120は、放射線源121と、光源125と、コンソール110との間で曝射条件等の各種情報を送受信する無線通信部123と、受信した曝射条件に基づいて放射線源121を制御すると共に、光源125による発光状態を制御する制御部122と、を備えている。   On the other hand, the radiation generator 120 includes the radiation source 121, the light source 125, the wireless communication unit 123 that transmits and receives various information such as the exposure conditions between the console 110, and the radiation source 121 based on the received exposure conditions. And a control unit 122 that controls the light emission state of the light source 125.

制御部122もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール110から受信する曝射条件には管電圧、管電流等の情報が含まれている。制御部122は、受信した曝射条件に基づいて放射線源121から放射線Xを照射させると共に、放射線源121からの放射線Xの照射に先立って、放射線Xの照射野に対して被検者の位置決め用の可視光を照射させる。   The control unit 122 is also configured to include a microcomputer and stores received exposure conditions and the like. The exposure conditions received from the console 110 include information such as tube voltage and tube current. The control unit 122 irradiates the radiation X from the radiation source 121 based on the received exposure condition, and positions the subject with respect to the radiation X irradiation field prior to the irradiation of the radiation X from the radiation source 121. Irradiate visible light.

次に、本実施の形態に係る撮影システム104の作用を説明する。   Next, the operation of the imaging system 104 according to the present embodiment will be described.

まず、図15を参照して、放射線画像の撮影を行う際のコンソール110の作用を説明する。なお、図15は、操作パネル112を介して実行する旨の指示入力が行われた際にコンソール110のCPU113によって実行される放射線画像撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはROM114の所定領域に予め記憶されている。また、ここでは、錯綜を回避するために、光源125による発光強度が予め設定されている場合について説明する。   First, the operation of the console 110 when taking a radiographic image will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a flowchart showing the flow of processing of the radiographic image capturing processing program executed by the CPU 113 of the console 110 when an instruction input for execution is performed via the operation panel 112. It is stored in advance in a predetermined area of the ROM 114. Here, a case where the light emission intensity by the light source 125 is set in advance to avoid complications will be described.

同図のステップ300では、予め定められた初期情報入力画面をディスプレイ111により表示させるようにディスプレイドライバ117を制御し、次のステップ302では、光源125を予め定められた発光強度で発光させる指示情報を放射線発光装置120へ無線通信部119を介して送信した後、次のステップ304にて所定情報の入力待ちを行う。   In step 300 of the figure, the display driver 117 is controlled to display a predetermined initial information input screen on the display 111, and in the next step 302, instruction information for causing the light source 125 to emit light at a predetermined light emission intensity. Is transmitted to the radiation emitting device 120 via the wireless communication unit 119, and the next step 304 waits for input of predetermined information.

図16には、上記ステップ300の処理によってディスプレイ111により表示される初期情報入力画面の一例が示されている。同図に示すように、本実施の形態に係る初期情報入力画面では、これから放射線画像の撮影を行う被検者の氏名、撮影対象部位、撮影時の姿勢、および撮影時の放射線Xの曝射条件(本実施の形態では、放射線Xを曝射する際の管電圧および管電流)の入力を促すメッセージと、これらの情報の入力領域が表示される。   FIG. 16 shows an example of an initial information input screen displayed on the display 111 by the processing in step 300 described above. As shown in the figure, in the initial information input screen according to the present embodiment, the name of the subject who will take a radiographic image, the part to be imaged, the posture at the time of radiography, and the exposure of the radiation X at the time of radiography A message prompting the input of conditions (in this embodiment, tube voltage and tube current when the radiation X is exposed) and an input area for such information are displayed.

同図に示す初期情報入力画面がディスプレイ111に表示されると、撮影者は、撮影対象とする被検者の氏名、撮影対象部位、撮影時の姿勢、および曝射条件を、各々対応する入力領域に操作パネル112を介して入力する。   When the initial information input screen shown in the figure is displayed on the display 111, the photographer inputs the name of the subject to be imaged, the region to be imaged, the posture at the time of imaging, and the exposure conditions corresponding to each other. An area is input via the operation panel 112.

一方、放射線発光装置120では、上記ステップ302の処理によって送信された指示情報をコンソール110から受信すると、当該指示情報により示される発光強度で光源125を発光させる。これにより、放射線源121による放射線Xの照射野には上記発光強度とされた可視光が照射されることになる。   On the other hand, when the radiation emitting device 120 receives the instruction information transmitted by the processing in step 302 from the console 110, the light emitting device 120 causes the light source 125 to emit light with the light emission intensity indicated by the instruction information. As a result, the irradiation field of the radiation X from the radiation source 121 is irradiated with visible light having the light emission intensity.

そこで、撮影者は、撮影時の姿勢が立位または臥位である場合に、対応する立位台160の保持部162または臥位台164の保持部166に電子カセッテ40を保持させると共に、光源125から照射されている可視光が電子カセッテ40による撮影領域に照射される位置に放射線源121を位置決めした後、当該撮影領域に撮影対象部位が位置するように被検者の位置決めを行う。その後、撮影者は、初期情報入力画面の下端近傍に表示されている終了ボタンを、操作パネル112を介して指定する。撮影者によって終了ボタンが指定されると、上記ステップ304が肯定判定となってステップ306に移行する。   Therefore, the photographer holds the electronic cassette 40 in the holding unit 162 of the standing table 160 or the holding unit 166 of the standing table 164 when the posture at the time of shooting is the standing position or the lying position, and the light source After the radiation source 121 is positioned at a position where the visible light irradiated from 125 is irradiated onto the imaging region by the electronic cassette 40, the subject is positioned so that the imaging target region is positioned in the imaging region. Thereafter, the photographer designates an end button displayed near the lower end of the initial information input screen via the operation panel 112. When an end button is designated by the photographer, step 304 is affirmative and the process proceeds to step 306.

ステップ306では、上記ステップ302の処理によって開始した光源125の発光を停止させる指示情報を放射線発光装置120へ無線通信部119を介して送信する。これに応じて、放射線発光装置120では、光源125の発光を停止させる。   In step 306, instruction information for stopping the light emission of the light source 125 started by the processing in step 302 is transmitted to the radiation light emitting device 120 via the wireless communication unit 119. In response to this, the radiation light emitting device 120 stops the light emission of the light source 125.

次のステップ308では、上記初期情報入力画面において入力された情報(以下、「初期情報」という。)を電子カセッテ40に無線通信部119を介して送信した後、次のステップ310にて、上記初期情報に含まれる曝射条件を放射線発生装置120へ無線通信部119を介して送信することにより当該曝射条件を設定する。これに応じて放射線発生装置120の制御部122は、受信した曝射条件での曝射準備を行う。   In the next step 308, information input on the initial information input screen (hereinafter referred to as “initial information”) is transmitted to the electronic cassette 40 via the wireless communication unit 119, and then in the next step 310. The exposure condition is set by transmitting the exposure condition included in the initial information to the radiation generator 120 via the wireless communication unit 119. In response to this, the control unit 122 of the radiation generation apparatus 120 prepares for exposure under the received exposure conditions.

次のステップ312では、曝射開始を指示する指示情報を放射線発生装置120および電子カセッテ40へ無線通信部119を介して送信する。   In the next step 312, instruction information for instructing the start of exposure is transmitted to the radiation generator 120 and the electronic cassette 40 via the wireless communication unit 119.

これに応じて、放射線源121は、放射線発生装置120がコンソール110から受信した曝射条件に応じた管電圧および管電流での放射線Xの射出を開始する。放射線源121から射出された放射線Xは、被検者を透過した後に電子カセッテ40に到達する。   In response to this, the radiation source 121 starts emission of radiation X at a tube voltage and a tube current according to the exposure conditions received by the radiation generator 120 from the console 110. The radiation X emitted from the radiation source 121 reaches the electronic cassette 40 after passing through the subject.

一方、電子カセッテ40のカセッテ制御部58は、上記曝射開始を指示する指示情報を受信すると、前述した放射線量取得機能によって放射線量情報を作成(詳細は後述する。)し、作成した放射線量情報により示される放射線量が、放射線の照射が開始されたことを検出するための値として予め定められた第1閾値以上となるまで待機する。次いで、電子カセッテ40は、放射線画像の撮影動作を開始した後、上記放射線量情報により示される放射線量の累積値が、上記初期情報に含まれる撮影対象部位および曝射条件等に基づいて放射線Xの曝射を停止させるための値として予め定められた第2閾値に達した時点で撮影動作を停止すると共に、曝射停止情報をコンソール110に送信する。   On the other hand, when receiving the instruction information for instructing the start of exposure, the cassette control unit 58 of the electronic cassette 40 creates radiation dose information by the radiation dose acquisition function described above (details will be described later), and the created radiation dose. The system waits until the radiation dose indicated by the information is equal to or greater than a first threshold value that is predetermined as a value for detecting the start of radiation irradiation. Next, after the electronic cassette 40 starts the radiographic image capturing operation, the cumulative value of the radiation dose indicated by the radiation dose information is determined based on the radiation target X and the exposure conditions included in the initial information. When a predetermined second threshold value is reached as a value for stopping the exposure, the imaging operation is stopped and the exposure stop information is transmitted to the console 110.

そこで、次のステップ314では、上記曝射停止情報の受信待ちを行い、次のステップ316にて、放射線Xの曝射の停止を指示する指示情報を放射線発生装置120に無線通信部119を介して送信する。これに応じて、放射線源121からの放射線Xの曝射が停止される。   Therefore, in the next step 314, reception of the exposure stop information is waited for, and in the next step 316, instruction information for instructing the stop of the radiation X exposure is sent to the radiation generator 120 via the wireless communication unit 119. To send. In response to this, the exposure of the radiation X from the radiation source 121 is stopped.

一方、電子カセッテ40は、放射線画像の撮影動作を停止すると、当該撮影によって得られた画像データをコンソール110に送信する。   On the other hand, when the electronic cassette 40 stops the radiographic image capturing operation, the electronic cassette 40 transmits image data obtained by the capturing to the console 110.

そこで、次のステップ318では、上記画像データが電子カセッテ40から受信されるまで待機し、次のステップ320にて、受信した画像データに対し、前述した欠陥画素補正処理を施した後、シェーディング補正等の各種の補正を行う画像処理を実行する。   Therefore, in the next step 318, the process waits until the image data is received from the electronic cassette 40. In the next step 320, the received image data is subjected to the above-described defective pixel correction process, and then the shading correction is performed. The image processing for performing various corrections such as these is executed.

次のステップ322では、上記画像処理が行われた画像データ(以下、「補正画像データ」という。)をHDD116に記憶し、次のステップ324にて、補正画像データにより示される放射線画像を、確認等を行うためにディスプレイ111によって表示させるようにディスプレイドライバ117を制御する。   In the next step 322, the image data subjected to the image processing (hereinafter referred to as “corrected image data”) is stored in the HDD 116, and in the next step 324, the radiation image indicated by the corrected image data is confirmed. The display driver 117 is controlled to display on the display 111 in order to perform the above.

次のステップ326では、補正画像データをRISサーバ150へ病院内ネットワーク102を介して送信し、その後に本放射線画像撮影処理プログラムを終了する。なお、RISサーバ150へ送信された補正画像データはデータベース150Aに格納され、医師が撮影された放射線画像の読影や診断等を行うことが可能となる。   In the next step 326, the corrected image data is transmitted to the RIS server 150 via the in-hospital network 102, and then the present radiographic image capturing program is terminated. Note that the corrected image data transmitted to the RIS server 150 is stored in the database 150A, so that the doctor can perform interpretation, diagnosis, and the like of the radiographic image taken.

次に、図17を参照して、コンソール110から上記初期情報を受信した際の電子カセッテ40の作用を説明する。なお、図17は、この際に電子カセッテ40のカセッテ制御部58におけるCPU58Aにより実行されるカセッテ撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはメモリ58Bの所定領域に予め記憶されている。   Next, the operation of the electronic cassette 40 when the initial information is received from the console 110 will be described with reference to FIG. FIG. 17 is a flowchart showing a flow of processing of a cassette photographing processing program executed by the CPU 58A in the cassette control unit 58 of the electronic cassette 40 at this time, and the program is stored in a predetermined area of the memory 58B in advance. Yes.

同図のステップ400では、コンソール110からの前述した曝射開始を指示する指示情報の受信待ちを行い、次のステップ402では、前述した放射線量取得機能により放射線量情報を作成する。なお、このとき、CPU58Aは、可変ゲインプリアンプ92の増幅率およびLPF96の低域通過周波数を次のように設定する。   In step 400 of the figure, reception of instruction information instructing the start of exposure from the console 110 is waited for, and in the next step 402, radiation dose information is created by the radiation dose acquisition function described above. At this time, the CPU 58A sets the amplification factor of the variable gain preamplifier 92 and the low-pass frequency of the LPF 96 as follows.

まず、太陽電池アレイ168から入力されている各太陽電池168Aから出力された電流値に基づいて、前述した方法により存在領域および非存在領域を特定する。   First, based on the current value output from each solar cell 168A input from the solar cell array 168, the presence region and the non-existence region are specified by the method described above.

次に、非存在領域に対応する放射線検出用画素32Aに接続された可変ゲインプリアンプ92の増幅率を、存在領域に対応するものに比較して高くなるように導出すると共に、非存在領域に対応する放射線検出用画素32Aに接続されたLPF96の低域通過周波数を、存在領域に対応するものに比較して高くなるように導出する。   Next, the amplification factor of the variable gain preamplifier 92 connected to the radiation detection pixel 32A corresponding to the non-existing region is derived so as to be higher than that corresponding to the existing region, and corresponds to the non-existing region. The low pass frequency of the LPF 96 connected to the radiation detecting pixel 32A is derived so as to be higher than that corresponding to the existing region.

なお、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、前述したように、可変ゲインプリアンプ92の増幅率およびLPF96の低域通過周波数が各々2段階の設定のみが可能とされている。このため、非存在領域に対応する放射線検出用画素32Aに接続された可変ゲインプリアンプ92の増幅率として高倍率側の増幅率を導出すると共に、存在領域に対応する放射線検出用画素32Aに接続された可変ゲインプリアンプ92の増幅率として低高倍率側の増幅率を導出する。また、非存在領域に対応する放射線検出用画素32Aに接続されたLPF96の低域通過周波数として高周波数側の低域通過周波数を導出すると共に、存在領域に対応する放射線検出用画素32Aに接続されたLPF96の低域通過周波数として低周波数側の低域通過周波数を導出する。   In the electronic cassette 40 according to the present embodiment, as described above, the gain of the variable gain preamplifier 92 and the low-pass frequency of the LPF 96 can be set only in two stages. For this reason, the amplification factor on the high magnification side is derived as the amplification factor of the variable gain preamplifier 92 connected to the radiation detection pixel 32A corresponding to the non-existing region, and connected to the radiation detection pixel 32A corresponding to the existence region. As the amplification factor of the variable gain preamplifier 92, the amplification factor on the low and high magnification side is derived. Further, the low-pass frequency on the high frequency side is derived as the low-pass frequency of the LPF 96 connected to the radiation detection pixel 32A corresponding to the non-existing region, and is connected to the radiation detection pixel 32A corresponding to the existing region. The low pass frequency on the low frequency side is derived as the low pass frequency of the LPF 96.

そして、導出した増幅率および低域通過周波数となるように、可変ゲインプリアンプ92のスイッチ92EおよびLPF96のスイッチ96Eを各々設定する。   Then, the switch 92E of the variable gain preamplifier 92 and the switch 96E of the LPF 96 are set so that the derived amplification factor and low-pass frequency are obtained.

また、CPU58Aは、特定した非存在領域に対応する放射線検出用画素32Aによって得られた個別放射線量情報をメモリ58BにおけるRAMから読み出し、これらの値を合算することにより上記放射線量情報を作成する。   Further, the CPU 58A reads out the individual radiation dose information obtained by the radiation detection pixel 32A corresponding to the specified non-existing region from the RAM in the memory 58B, and creates the radiation dose information by adding up these values.

次のステップ404では、上記ステップ402の処理によって作成した情報により示される放射線量が前述した第1閾値以上であるか否かを判定し、否定判定となった場合は上記ステップ402に戻る一方、肯定判定となった場合には放射線源121からの放射線Xの曝射が開始されたものと見なしてステップ406に移行する。   In the next step 404, it is determined whether or not the radiation dose indicated by the information created by the processing in step 402 is equal to or more than the first threshold value. If the determination is negative, the process returns to step 402. If the determination is affirmative, it is considered that the exposure of the radiation X from the radiation source 121 has started, and the routine proceeds to step 406.

ステップ406では、放射線検出器20の各画素32におけるコンデンサ9に蓄積された電荷を放電させた後に、当該コンデンサ9への電荷の蓄積を再び開始することにより、放射線画像の撮影動作を開始し、次のステップ408にて、前述した放射線量取得機能により放射線量情報を作成する。なお、この際の可変ゲインプリアンプ92の増幅率およびLPF96の低域通過周波数は、上記ステップ402の処理によって設定したままの状態とする。   In step 406, after discharging the charge accumulated in the capacitor 9 in each pixel 32 of the radiation detector 20, the accumulation of the charge in the capacitor 9 is started again, thereby starting the radiographic image capturing operation. In the next step 408, radiation dose information is created by the radiation dose acquisition function described above. Note that the gain of the variable gain preamplifier 92 and the low-pass frequency of the LPF 96 at this time remain set by the processing of step 402.

ここで、CPU58Aは、上記ステップ402の処理によって特定した存在領域に対応する放射線検出用画素32Aにより得られた個別放射線量情報をメモリ58BにおけるRAMから読み出し、これらの値を合算することにより上記放射線量情報を作成する。   Here, the CPU 58A reads out the individual radiation dose information obtained by the radiation detection pixel 32A corresponding to the existence region specified by the processing in step 402 from the RAM in the memory 58B, and adds these values to add the radiation. Create quantity information.

次のステップ410では、上記ステップ408の処理によって作成した情報により示される放射線量が前述した第2閾値以上となったか否かを判定し、否定判定となった場合はステップ412に移行して、上記ステップ408の処理によって作成した放射線量を累積した後に上記ステップ408に戻る一方、肯定判定となった時点でステップ414に移行する。なお、上記ステップ408〜ステップ412の処理を繰り返し実行する際に、上記ステップ410では、それまでに累積した放射線量が上記第2閾値以上となったか否かを判定する。   In the next step 410, it is determined whether or not the radiation dose indicated by the information created by the processing in step 408 is equal to or greater than the second threshold value described above. If a negative determination is made, the process proceeds to step 412. After accumulating the radiation dose created by the process of step 408, the process returns to step 408. On the other hand, when the determination is affirmative, the process proceeds to step 414. When repeatedly executing the processing from step 408 to step 412, in step 410, it is determined whether or not the radiation dose accumulated so far is equal to or greater than the second threshold value.

ステップ414では、上記ステップ406の処理によって開始した撮影動作を停止し、次のステップ416にて、前述した曝射停止情報をコンソール110に無線通信部60を介して送信する。   In step 414, the imaging operation started by the processing in step 406 is stopped, and in the next step 416, the above-described exposure stop information is transmitted to the console 110 via the wireless communication unit 60.

次のステップ418では、ゲート線ドライバ52を制御してゲート線ドライバ52から1ラインずつ順に各ゲート配線34にオン信号を出力させ、各ゲート配線34に接続された各薄膜トランジスタ10を1ラインずつ順にオンさせる。   In the next step 418, the gate line driver 52 is controlled to output an ON signal to each gate wiring 34 in order line by line from the gate line driver 52, and each thin film transistor 10 connected to each gate wiring 34 is sequentially output line by line. Turn it on.

放射線検出器20は、各ゲート配線34に接続された各薄膜トランジスタ10を1ラインずつ順にオンされると、1ラインずつ順に各コンデンサ9に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線36に流れ出す。各データ配線36に流れ出した電気信号は第1信号処理部54でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ56に記憶される。   In the radiation detector 20, when the thin film transistors 10 connected to the gate lines 34 are turned on line by line, the charges accumulated in the capacitors 9 line by line flow out to the data lines 36 as electric signals. The electrical signal that has flowed out to each data wiring 36 is converted into digital image data by the first signal processing unit 54 and stored in the image memory 56.

そこで、本ステップ418では、画像メモリ56に記憶された画像データを読み出し、次のステップ420にて、読み出した画像データをコンソール110に無線通信部60を介して送信した後、本カセッテ撮影処理プログラムを終了する。   Therefore, in this step 418, the image data stored in the image memory 56 is read out, and in the next step 420, the read image data is transmitted to the console 110 via the wireless communication unit 60, and then the cassette photographing processing program. Exit.

ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、図8に示すように、放射線検出器20がTFT基板30側から放射線Xが照射されるように内蔵されている。   Incidentally, in the electronic cassette 40 according to the present embodiment, as shown in FIG. 8, the radiation detector 20 is incorporated so that the radiation X is irradiated from the TFT substrate 30 side.

ここで、放射線検出器20は、図18に示すように、シンチレータ8が形成された側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の裏面側に設けられたTFT基板30により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式とされた場合、シンチレータ8の同図上面側(TFT基板30の反対側)でより強く発光し、TFT基板30側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の表面側に設けられたTFT基板30により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式とされた場合、TFT基板30を透過した放射線がシンチレータ8に入射してシンチレータ8のTFT基板30側がより強く発光する。TFT基板30に設けられた各センサ部13には、シンチレータ8で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器20は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもTFT基板30に対するシンチレータ8の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。   Here, as shown in FIG. 18, the radiation detector 20 is irradiated with radiation from the side where the scintillator 8 is formed, and reads a radiation image by the TFT substrate 30 provided on the back side of the incident surface of the radiation. In the case of a so-called back surface reading method, light is emitted more strongly on the upper surface side of the scintillator 8 (opposite side of the TFT substrate 30), radiation is irradiated from the TFT substrate 30 side, and the surface side of the incident surface of the radiation In the case of a so-called surface reading method in which a radiation image is read by the TFT substrate 30 provided on the TFT substrate 30, the radiation transmitted through the TFT substrate 30 enters the scintillator 8 and the TFT substrate 30 side of the scintillator 8 emits light more strongly. Electric charges are generated in each sensor unit 13 provided on the TFT substrate 30 by light generated by the scintillator 8. For this reason, since the radiation detector 20 is closer to the light emission position of the scintillator 8 with respect to the TFT substrate 30 when the front surface reading method is used than when the rear surface reading method is used, the resolution of the radiation image obtained by imaging is higher. high.

また、放射線検出器20は、光電変換膜4を有機光電変換材料により構成しており、光電変換膜4で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出器20は、表面読取方式により放射線がTFT基板30を透過する場合でも光電変換膜4による放射線の吸収量が少ないため、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。表面読取方式では、放射線がTFT基板30を透過してシンチレータ8に到達するが、このように、TFT基板30の光電変換膜4を有機光電変換材料により構成した場合、光電変換膜4での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、表面読取方式に適している。   In the radiation detector 20, the photoelectric conversion film 4 is made of an organic photoelectric conversion material, and the photoelectric conversion film 4 hardly absorbs radiation. For this reason, the radiation detector 20 according to the present embodiment suppresses a decrease in sensitivity to radiation because the amount of radiation absorbed by the photoelectric conversion film 4 is small even when radiation is transmitted through the TFT substrate 30 by the surface reading method. Can do. In the surface reading method, radiation passes through the TFT substrate 30 and reaches the scintillator 8. Thus, when the photoelectric conversion film 4 of the TFT substrate 30 is made of an organic photoelectric conversion material, the radiation in the photoelectric conversion film 4 is obtained. Therefore, it is suitable for the surface reading method.

また、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物や光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板1を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された基板1は放射線の吸収量が少ないため、表面読取方式により放射線がTFT基板30を透過する場合でも、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。   In addition, both the amorphous oxide constituting the active layer 17 of the thin film transistor 10 and the organic photoelectric conversion material constituting the photoelectric conversion film 4 can be formed at a low temperature. For this reason, the board | substrate 1 can be formed with a plastic resin, aramid, and bio-nanofiber with little radiation absorption. Since the substrate 1 formed in this way has a small amount of radiation absorption, even when the radiation passes through the TFT substrate 30 by the surface reading method, it is possible to suppress a decrease in sensitivity to radiation.

また、本実施の形態によれば、図8に示すように、放射線検出器20をTFT基板30が天板41B側となるように筐体41内の天板41Bに貼り付けているが、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体の剛性が高いため、筐体41の天板41Bを薄く形成することができる。また、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体が可撓性を有するため、撮影領域41Aに衝撃が加わった場合でも放射線検出器20が破損しづらい。   Further, according to the present embodiment, as shown in FIG. 8, the radiation detector 20 is attached to the top plate 41B in the casing 41 so that the TFT substrate 30 is on the top plate 41B side. When 1 is formed of a highly rigid plastic resin, aramid, or bio-nanofiber, the radiation detector 20 itself has high rigidity, so that the top plate 41B of the housing 41 can be formed thin. In addition, when the substrate 1 is formed of a highly rigid plastic resin, aramid, or bionanofiber, the radiation detector 20 itself has flexibility, so that even when an impact is applied to the imaging region 41A, the radiation detector 20 is damaged. It ’s hard.

以上詳細に説明したように、本実施の形態では、被写体(本実施の形態では、被検者)の非存在領域(素抜け領域)に対応する複数の放射線検出用画素(本実施の形態では、放射線検出用画素32A)によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、放射線の照射が開始されたことを検出すると共に、当該非存在領域を、放射線を被写体に照射することなく検出しているので、被写体に対する被曝量を抑制しつつ、短時間で放射線の照射開始を検出することができる。   As described in detail above, in the present embodiment, a plurality of radiation detection pixels (in this embodiment) corresponding to non-existing areas (elementary areas) of a subject (in this embodiment, a subject). Based on the combined signal of the electrical signals obtained by the radiation detection pixels 32A), it is detected that radiation irradiation has started, and the non-existing area is detected without irradiating the subject with radiation. Therefore, it is possible to detect the start of radiation irradiation in a short time while suppressing the exposure dose to the subject.

また、本実施の形態では、可視光または赤外光を撮影領域に照射した状態で、照射した光の受光領域に基づいて前記撮影領域における被写体の存在領域および非存在領域を特定しているので、放射線を被写体に照射することなく、存在領域および非存在領域を特定することができる。   In the present embodiment, since the imaging region is irradiated with visible light or infrared light, the presence region and non-existence region of the subject in the imaging region are specified based on the light receiving region of the irradiated light. The existence area and the non-existence area can be specified without irradiating the subject with radiation.

特に、本実施の形態では、太陽電池アレイ(本実施の形態では、太陽電池アレイ168)を用いて前記存在領域および前記非存在領域を特定しているので、簡易かつ低コストで存在領域および非存在領域を特定することができる。   In particular, in the present embodiment, the existence region and the non-existence region are specified using a solar cell array (in this embodiment, the solar cell array 168). The existence area can be specified.

また、本実施の形態では、前記撮影領域に放射線が照射された状態で前記存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた電気信号に基づいて、前記放射線の照射量をさらに検出しているので、被写体を透過することにより線量が低減された放射線を用いて放射線の照射量を検出することができる結果、より確実に放射線の照射量を検出することができる。   Further, in the present embodiment, the radiation dose is further detected based on an electrical signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the existence region in a state where the imaging region is irradiated with radiation. As a result, it is possible to detect the radiation dose by using the radiation whose dose has been reduced by passing through the subject. As a result, the radiation dose can be detected more reliably.

特に、本実施の形態では、前記存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射量を検出しているので、被写体を透過することによって線量が低減され過ぎた放射線を用いて当該放射線の照射量を検出する場合に比較して、より確実に放射線の照射量を検出することができる。   In particular, in the present embodiment, since the radiation dose is detected based on the combined signal of the electrical signals obtained by the plurality of radiation detection pixels corresponding to the existence region, the radiation is transmitted through the subject. As a result, it is possible to detect the radiation dose more reliably as compared with the case where the radiation dose is detected using the radiation whose dose has been excessively reduced.

また、本実施の形態では、前記放射線検出用画素が、前記非存在領域となる頻度が高い領域ほど密度が高くなるように前記撮影領域に配置されているので、より短時間かつ確実に放射線の照射開始を検出することができる。   In the present embodiment, since the radiation detection pixels are arranged in the imaging region so that the density of the region where the non-existing region is more frequently increased, the radiation detection pixel can be surely and more reliably shortened in a shorter time. The start of irradiation can be detected.

特に、本実施の形態では、前記非存在領域となる頻度が高い領域が、前記撮影領域の周辺部を含む一部領域であるものとしているので、ほぼ全ての被写体に対応することができる。   In particular, in the present embodiment, the region that is frequently used as the non-existing region is a partial region that includes the peripheral portion of the imaging region, and can therefore handle almost all subjects.

また、本実施の形態では、前記複数の放射線検出用画素が、複数の放射線画像取得用画素(本実施の形態では、放射線画像取得用画素32B)の間に配置されているので、放射線検出用画素と放射線画像取得用画素とを同一の製造プロセスで構成することができるため、製造コストを低減することができる。   In the present embodiment, the plurality of radiation detection pixels are arranged between the plurality of radiation image acquisition pixels (radiation image acquisition pixels 32B in the present embodiment). Since the pixel and the radiation image acquisition pixel can be configured by the same manufacturing process, the manufacturing cost can be reduced.

また、本実施の形態では、前記放射線検出用画素によって得られた電気信号を予め設定された増幅率で増幅する増幅器(本実施の形態では、可変ゲインプリアンプ92)を備え、前記存在領域および非存在領域の特定結果に基づいて、前記増幅器の増幅率を設定しているので、より簡易かつ確実に放射線の照射状態を検出することができる。   Further, the present embodiment includes an amplifier (in this embodiment, a variable gain preamplifier 92) that amplifies an electrical signal obtained by the radiation detection pixel at a preset amplification factor, and Since the amplification factor of the amplifier is set based on the result of specifying the existing area, the radiation irradiation state can be detected more easily and reliably.

特に、本実施の形態では、前記非存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた電気信号を増幅する増幅器の増幅率を、前記存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた電気信号を増幅する増幅器より高くするように設定しているので、より短時間で放射線の照射開始を検出することができる。   In particular, in the present embodiment, the amplification factor of the amplifier that amplifies the electrical signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the non-existing region is obtained by the radiation detection pixel corresponding to the existence region. Since it is set to be higher than the amplifier that amplifies the electric signal, the start of radiation irradiation can be detected in a shorter time.

また、本実施の形態では、前記放射線検出用画素によって蓄積された電荷により示される信号に対して予め設定された低域通過周波数で低域通過処理を行う低域通過フィルタ(本実施の形態では、LPF96)を備え、前記存在領域および非存在領域の特定結果に基づいて、前記低域通過フィルタの前記低域通過周波数を設定しているので、より簡易かつ確実に放射線の照射開始を検出することができる。   In this embodiment, a low-pass filter (in this embodiment) performs low-pass processing at a preset low-pass frequency on the signal indicated by the charge accumulated by the radiation detection pixels. , LPF 96), and the low-pass frequency of the low-pass filter is set based on the result of specifying the existence region and the non-existence region, so that the start of radiation irradiation can be detected more easily and reliably. be able to.

特に、本実施の形態では、前記非存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた信号に対して低域通過処理を行う低域通過フィルタの低域通過周波数を、前記存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた信号に対して低域通過処理を行う低域通過フィルタより高くするように設定しているので、より的確に放射線の照射開始を検出することができる。   In particular, in the present embodiment, the low-pass frequency of a low-pass filter that performs low-pass processing on the signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the non-existing region corresponds to the existing region. Since the signal obtained by the radiation detection pixel is set to be higher than a low-pass filter that performs low-pass processing, the radiation irradiation start can be detected more accurately.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. Various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment without departing from the gist of the invention, and embodiments to which such modifications or improvements are added are also included in the technical scope of the present invention.

また、上記の実施の形態は、クレーム(請求項)にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。   The above embodiments do not limit the invention according to the claims (claims), and all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solution means of the invention. Is not limited. The embodiments described above include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. Even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, as long as an effect is obtained, a configuration from which these some constituent requirements are deleted can be extracted as an invention.

例えば、上記実施の形態では、存在領域および非存在領域を特定するために太陽電池アレイ168を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、太陽電池アレイ168に代えて、有機光電変換材料を含む材料により構成された光電変換素子を適用すると共に、光源125として可視光を発するものを適用する形態としてもよい。この場合、有機光電変換材料の感度波長領域はアモルファスシリコンに比較して狭くすることができるので、アモルファスシリコンによる太陽電池アレイを用いる場合に比較して、より高精度に存在領域および非存在領域を特定することができる。   For example, in the above embodiment, the case where the solar cell array 168 is applied to specify the presence region and the non-existence region has been described. However, the present invention is not limited to this, and for example, the solar cell array 168 Instead of the above, a photoelectric conversion element made of a material containing an organic photoelectric conversion material may be applied, and a light source 125 that emits visible light may be applied. In this case, since the sensitivity wavelength region of the organic photoelectric conversion material can be narrower than that of amorphous silicon, the existence region and the non-existence region can be more accurately compared with the case where a solar cell array using amorphous silicon is used. Can be identified.

図19には、上記有機光電変換材料としてキナクリドン系有機化合物を適用した場合の感度波長領域の一例が示されている。同図から明らかなように、この形態では、有機光電変換材料の不感領域のフィルタを用いることにより、蛍光灯から発した光との混合を低減することができる。   FIG. 19 shows an example of a sensitivity wavelength region when a quinacridone-based organic compound is applied as the organic photoelectric conversion material. As is clear from the figure, in this embodiment, by using a filter in the insensitive region of the organic photoelectric conversion material, mixing with light emitted from the fluorescent lamp can be reduced.

また、上記実施の形態では、存在領域および非存在領域を特定するために可視光または赤外光を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、太陽電池アレイ168に代えて、酸化物半導体(一例として、a−IGZO)を用いた光電変換素子を適用すると共に、光源125として青〜紫外線を発するものを適用する形態としてもよい。なお、酸化物半導体としてa−IGZOを用いる場合には、460nm以下の領域に感度を有する。この形態では、蛍光灯から発した光における短波のピーク波長をカットするフィルタを用いることにより、蛍光灯から発した光との混合を低減することができる。   In the above-described embodiment, the case where visible light or infrared light is used to specify the existing region and the non-existing region has been described. However, the present invention is not limited to this, and for example, a solar cell array Instead of 168, a photoelectric conversion element using an oxide semiconductor (a-IGZO as an example) may be used, and a light source 125 emitting blue to ultraviolet light may be used. Note that when a-IGZO is used as the oxide semiconductor, sensitivity is obtained in a region of 460 nm or less. In this embodiment, mixing with the light emitted from the fluorescent lamp can be reduced by using the filter that cuts the peak wavelength of the short wave in the light emitted from the fluorescent lamp.

また、上記実施の形態に係る太陽電池アレイ168の代替品として、LED型光センサも例示することができる。通常、LEDは電流を流して発光させる素子であるが、逆にLEDに光を照射することにより光起電力が生じる。この光起電力を利用して、光源125からの光により存在領域および非存在領域を特定する。   Further, as an alternative to the solar cell array 168 according to the above embodiment, an LED type photosensor can also be exemplified. Usually, an LED is an element that emits light by passing an electric current. On the contrary, a photovoltaic force is generated by irradiating the LED with light. Using this photovoltaic power, the presence area and the non-existence area are specified by the light from the light source 125.

また、上記実施の形態では、光を利用して存在領域および非存在領域を特定する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、抵抗値や容量値の変化によって接触物を検知する圧力センサや、温度センサを用いることにより、光を用いることなく存在領域および非存在領域を特定する形態としてもよい。なお、圧力センサを用いる形態例としては、例えば、「ニッタ株式会社、“タクタイルセンサシステム”、[online]、[平成23年9月8日検索]、インターネット<URL:http://www.nitta.co.jp/product/mechasen/sensor/tactile_system_sensor.html>」に記載されている極薄圧力センサシートを用いる例が例示される。   In the above-described embodiment, the case where the existence region and the non-existence region are specified using light has been described. However, the present invention is not limited to this, for example, by changing a resistance value or a capacitance value. By using a pressure sensor that detects a contact object or a temperature sensor, the presence area and the non-existence area may be specified without using light. Examples of forms using the pressure sensor include, for example, “NITTA Corporation,“ Tactile Sensor System ”, [online], [Search September 8, 2011], Internet <URL: http: //www.nitta An example using an ultrathin pressure sensor sheet described in “.co.jp / product / mechasen / sensor / tactile_system_sensor.html>” is illustrated.

また、上記実施の形態では、図6に示すように、放射線検出用画素32Aを、放射線検出器20の撮影領域の中央部を含む一部領域20Aにおいて密度が低く、当該撮影領域の周辺部において密度が高くなるように2段階の密度で配置した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、3段階以上の密度で配置する形態としてもよい。   In the above embodiment, as shown in FIG. 6, the radiation detection pixels 32 </ b> A have a low density in the partial region 20 </ b> A including the center of the imaging region of the radiation detector 20, and in the peripheral portion of the imaging region. Although the case where it arrange | positions with the density of two steps so that a density becomes high was demonstrated, this invention is not limited to this, It is good also as a form arrange | positioned with the density of three steps or more.

図20(A)および図20(B)には、放射線検出用画素32Aを3段階の密度で配置した場合の形態の一例が示されている。ここで、図20(A)は一般撮影用の放射線検出器20の一例を示しており、図20(B)はマンモグラフィー撮影用の放射線検出器20’の一例を示している。なお、一般撮影とマンモグラフィー撮影の双方を用途とする放射線検出器20’’の場合には、一例として図20(C)に示すように、図20(A)および図20(B)の各放射線検出用画素32Aの配置状態を組み合わせた状態を例示することができる。   20A and 20B show an example of a configuration in which the radiation detection pixels 32A are arranged at three levels of density. Here, FIG. 20A shows an example of the radiation detector 20 for general imaging, and FIG. 20B shows an example of the radiation detector 20 'for mammography imaging. Note that in the case of the radiation detector 20 ″ for both general imaging and mammography imaging, as shown in FIG. 20C as an example, the radiation shown in FIGS. 20A and 20B is used. A state in which the arrangement state of the detection pixels 32A is combined can be exemplified.

また、上記実施の形態では特に言及しなかったが、電子カセッテ40の天板41Bの表面における、放射線検出用画素32Aの密度が低い領域に対応する位置に文字、記号、図柄、枠等のマーカを設ける形態としてもよい。   Further, although not particularly mentioned in the above embodiment, markers such as characters, symbols, symbols, frames, etc., are located on the surface of the top plate 41B of the electronic cassette 40 at positions corresponding to the regions where the density of the radiation detection pixels 32A is low. It is good also as a form which provides.

図21には、図20に示した放射線検出器を内蔵した電子カセッテ40の上記マーカの一例が示されている。なお、図21(A)は図20(A)に示す放射線検出器20を内蔵した電子カセッテ40の一例を示し、図21(B)は図20(B)に示す放射線検出器20’を内蔵した電子カセッテ40の一例を示し、図21(C)は図20(C)に示す放射線検出器20’’を内蔵した電子カセッテ40の一例を示す。また、図21におけるマーカ41Dは一般撮影用のマーカであり、マーカ41Eはマンモグラフィー撮影用のマーカである。   FIG. 21 shows an example of the marker of the electronic cassette 40 incorporating the radiation detector shown in FIG. FIG. 21A shows an example of an electronic cassette 40 incorporating the radiation detector 20 shown in FIG. 20A, and FIG. 21B incorporates the radiation detector 20 ′ shown in FIG. 20B. FIG. 21C shows an example of the electronic cassette 40 incorporating the radiation detector 20 ″ shown in FIG. 20C. A marker 41D in FIG. 21 is a marker for general photography, and a marker 41E is a marker for mammography photography.

また、図22には、図20に示した放射線検出器を内蔵した電子カセッテ40の上記マーカの他の例が示されている。なお、図22(A)は図20(A)に示す放射線検出器20を内蔵した電子カセッテ40の一例を示し、図22(B)は図20(B)に示す放射線検出器20’を内蔵した電子カセッテ40の一例を示し、図22(C)は図20(C)に示す放射線検出器20’’を内蔵した電子カセッテ40の一例を示す。また、図22における破線のマーカ41Fは一般撮影用のマーカであり、一点鎖線のマーカ41Gはマンモグラフィー撮影用のマーカである。   FIG. 22 shows another example of the marker of the electronic cassette 40 incorporating the radiation detector shown in FIG. 22A shows an example of an electronic cassette 40 incorporating the radiation detector 20 shown in FIG. 20A, and FIG. 22B incorporates the radiation detector 20 ′ shown in FIG. 20B. FIG. 22C shows an example of the electronic cassette 40 including the radiation detector 20 ″ shown in FIG. 20C. Further, a broken line marker 41F in FIG. 22 is a marker for general imaging, and a dashed line marker 41G is a marker for mammography imaging.

このようなマーカを電子カセッテ40の天板41Bに設けることより、撮影者に対して撮影対象部位を配置するべき位置を明示的に把握させることができる。   By providing such a marker on the top plate 41 </ b> B of the electronic cassette 40, it is possible for the photographer to explicitly grasp the position where the imaging target part should be arranged.

また、上記実施の形態では、一例として図23(A)に示すように、放射線検出用画素32Aとして放射線画像取得用画素32Bの一部を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、一例として図23(B)に示すように、放射線検出用画素32Aを、放射線画像取得用画素32Bの間隙に設ける形態としてもよい。この場合、放射線検出用画素32Aが設けられた位置に対応する放射線画像取得用画素32Bの面積が小さくなるため、当該画素の感度は低減するものの、当該画素も放射線画像の検出用として用いることができるため、放射線画像の品質を向上させることができる。   In the above embodiment, as an example, as shown in FIG. 23A, the case where a part of the radiation image acquisition pixel 32B is applied as the radiation detection pixel 32A has been described. However, the present invention is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 23B, for example, the radiation detection pixel 32A may be provided in the gap between the radiation image acquisition pixels 32B. In this case, since the area of the radiation image acquisition pixel 32B corresponding to the position where the radiation detection pixel 32A is provided is reduced, the sensitivity of the pixel is reduced, but the pixel is also used for detection of the radiation image. Therefore, the quality of the radiographic image can be improved.

また、上記実施の形態では、放射線検出用画素32Aを、放射線検出器20の撮影領域の中央部から周辺部にかけて段階的に密度を変えて放射線検出器20に配置した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、一例として図24に示すように、放射線検出用画素32Aを、上記撮影領域の中央部から周辺部にかけて徐々に密度が連続的に高くなるように配置する形態としてもよいし、上記撮影領域の一方の対角線上のみに放射線検出用画素32Aを配置する形態としてもよい。   In the above-described embodiment, the radiation detection pixel 32A has been described as being disposed in the radiation detector 20 with the density being changed stepwise from the center to the periphery of the imaging region of the radiation detector 20. The invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 24 as an example, the density of the radiation detection pixels 32A is gradually increased from the center to the periphery of the imaging region. Alternatively, the radiation detection pixels 32 </ b> A may be disposed only on one diagonal line of the imaging region.

また、上記実施の形態では、放射線検出器20の撮影領域における撮影対象部位が配置される頻度が高い領域として、当該撮影領域の中央部を含む一部領域を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電子カセッテ40の用途によっては、上記撮影領域の中央部を含まない一部領域を上記撮影対象部位が配置される頻度が高い領域として適用する形態としてもよい。   In the above embodiment, the case where a partial region including the central portion of the imaging region is applied as the region where the imaging target region in the imaging region of the radiation detector 20 is frequently arranged has been described. The invention is not limited to this, and depending on the use of the electronic cassette 40, a partial area not including the central portion of the imaging area may be applied as an area where the imaging target part is frequently arranged. Good.

さらに、図6および図24に示したように、放射線検出用画素32Aを、放射線検出器20の撮影領域において左右対称に配置する必要もなく、要は、電子カセッテ40の実際の用途に応じて、撮影対象部位が配置される頻度が高い領域ほど密度が低く、換言すれば素抜け領域となる頻度が高い領域ほど密度が高くなるように放射線検出用画素32Aを配置する形態であれば、如何なる形態も適用することができる。   Further, as shown in FIG. 6 and FIG. 24, it is not necessary to arrange the radiation detection pixels 32 </ b> A symmetrically in the imaging region of the radiation detector 20, and in short, depending on the actual application of the electronic cassette 40. As long as the region where the imaging target region is arranged is higher, the density is lower, in other words, the radiation detection pixels 32A may be arranged so that the density is higher in the region where the frequency of becoming a blank region is higher. Forms can also be applied.

但し、上記実施の形態では、放射線検出器20に設けられた画素32の一部を放射線検出用画素32Aとして用いているため、隣接する放射線検出用画素32Aが欠陥画素補正を実施可能な程度に離間していることが好ましいことは言うまでもない。   However, in the above embodiment, a part of the pixels 32 provided in the radiation detector 20 is used as the radiation detection pixel 32A, so that the adjacent radiation detection pixel 32A can perform defect pixel correction. Needless to say, they are preferably spaced apart.

このように、上記実施の形態では、放射線検出器20に設けられた画素32の一部を放射線検出用画素32Aとして用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、放射線検出用画素32Aを、画素32とは別層として放射線検出器20に積層する形態としてもよい。なお、この場合の形態例としては、放射線検出用画素32Aの光電変換層における受光面積を、撮影対象部位が配置される頻度が高い領域から低い領域にかけて徐々に広くする形態を例示することができる。この場合、欠陥画素が生じることがないため、上記実施の形態に比較して、放射線画像の品質を向上させることができる。   As described above, in the above-described embodiment, the case where a part of the pixels 32 provided in the radiation detector 20 is used as the radiation detection pixel 32A has been described. However, the present invention is not limited to this, for example, The radiation detection pixels 32 </ b> A may be stacked on the radiation detector 20 as a separate layer from the pixels 32. In addition, as a form example in this case, a form in which the light receiving area in the photoelectric conversion layer of the radiation detection pixel 32A is gradually widened from a high frequency area to a low frequency area where the imaging target part is arranged can be exemplified. . In this case, since defective pixels do not occur, the quality of the radiation image can be improved as compared with the above embodiment.

また、上記実施の形態では、可変ゲインプリアンプ92の増幅率およびLPF96の低域通過周波数の双方を存在領域および非存在領域の特定結果に応じて切り換える場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらの一方のみを切り換える形態としてもよい。   In the above-described embodiment, the case where both the gain of the variable gain preamplifier 92 and the low-pass frequency of the LPF 96 are switched according to the specified result of the existing region and the non-existing region has been described, but the present invention is not limited to this. However, it is possible to switch only one of them.

また、上記実施の形態では、可変ゲインプリアンプ92の増幅率およびLPF96の低域通過周波数を2段階で切り換える場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらを3段階以上で切り換える形態としてもよい。   In the above embodiment, the case where the gain of the variable gain preamplifier 92 and the low-pass frequency of the LPF 96 are switched in two stages has been described. However, the present invention is not limited to this, and these are more than three stages. It is good also as a form switched by.

また、上記実施の形態では、放射線検出用画素32Aを、放射線の照射開始および照射量を検出するために用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、放射線の照射停止を検出するために放射線検出用画素32Aを用いる形態としてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the radiation detection pixel 32A is used to start radiation irradiation and detect the irradiation amount has been described. However, the present invention is not limited to this, and radiation irradiation is stopped. The radiation detection pixel 32A may be used to detect the above.

また、上記実施の形態では、錯綜を回避するために、放射線検出用画素32Aに蓄積された電荷を放電することに関しては特に言及しなかったが、放射線の照射開始または放射線の照射量の検出が終了した後、放射線検出用画素32Aによって蓄積された電荷を放電させた後に放射線の照射終了を検出する形態としてもよい。これにより、放射線の照射終了を検出する際の上記放射線量の飽和を防止することができる。   In the above-described embodiment, in order to avoid complications, no particular mention was made regarding discharging the charge accumulated in the radiation detection pixels 32A. However, the start of radiation irradiation or the detection of the radiation dose is not performed. After the completion, the end of radiation irradiation may be detected after discharging the charge accumulated by the radiation detection pixel 32A. Thereby, the saturation of the said radiation dose at the time of detecting completion | finish of irradiation of a radiation can be prevented.

また、上記実施の形態では、センサ部13が、シンチレータ8で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、センサ部13として有機光電変換材料を含まずに構成されたものを適用する形態としてもよい。   In the above embodiment, the case where the sensor unit 13 is configured to include an organic photoelectric conversion material that generates charges by receiving light generated by the scintillator 8 has been described. It is not limited, It is good also as a form which applies what was comprised without including an organic photoelectric conversion material as the sensor part 13. FIG.

また、上記実施の形態では、電子カセッテ40の筐体41の内部にカセッテ制御部58や電源部70を収容するケース42と放射線検出器20とを重ならないように配置した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線検出器20とカセッテ制御部58や電源部70を重なるように配置してもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where it arrange | positions so that the case 42 which accommodates the cassette control part 58 and the power supply part 70 in the inside of the housing | casing 41 of the electronic cassette 40, and the radiation detector 20 may not overlap. It is not limited to this. For example, the radiation detector 20 and the cassette control unit 58 or the power supply unit 70 may be arranged so as to overlap each other.

また、上記実施の形態では、電子カセッテ40とコンソール110との間、放射線発生装置120とコンソール110との間で、無線にて通信を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、これらの少なくとも一方を有線にて通信を行う形態としてもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where it communicated by radio | wireless between the electronic cassette 40 and the console 110, and between the radiation generator 120 and the console 110, this invention is limited to this. For example, at least one of these may be configured to perform wired communication.

また、上記実施の形態では、放射線としてX線を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、γ線等の他の放射線を適用する形態としてもよい。   In the above embodiment, the case where X-rays are applied as radiation has been described. However, the present invention is not limited to this, and other radiation such as γ-rays may be applied.

その他、上記実施の形態で説明したRIS100の構成(図1参照。)、放射線撮影室の構成(図2参照。)、電子カセッテ40の構成(図3〜図8,図14参照。)、撮影システム104の構成(図13参照。)は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したり、接続状態等を変更したりすることができることは言うまでもない。   In addition, the configuration of the RIS 100 described in the above embodiment (see FIG. 1), the configuration of the radiation imaging room (see FIG. 2), the configuration of the electronic cassette 40 (see FIGS. 3 to 8 and 14), and imaging. The configuration of the system 104 (see FIG. 13) is an example, and unnecessary portions are deleted, new portions are added, connection states, etc. are changed within the scope not departing from the gist of the present invention. It goes without saying that it can be done.

また、上記実施の形態で説明した初期情報の構成も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な情報を削除したり、新たな情報を追加したりすることができることは言うまでもない。   The configuration of the initial information described in the above embodiment is also an example, and it goes without saying that unnecessary information can be deleted or new information can be added without departing from the gist of the present invention. Yes.

また、上記実施の形態で説明した各種プログラムの処理の流れ(図15,図17参照。)も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ換えたりすることができることは言うまでもない。   The processing flow of various programs described in the above embodiment (see FIGS. 15 and 17) is also an example, and unnecessary steps can be deleted or new within the scope of the gist of the present invention. It goes without saying that steps can be added and the processing order can be changed.

さらに、上記実施の形態で説明した初期情報入力画面の構成(図16参照。)も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な情報を削除したり、新たな情報を追加したりすることができることは言うまでもない。   Furthermore, the configuration of the initial information input screen described in the above embodiment (see FIG. 16) is also an example, and unnecessary information is deleted or new information is added without departing from the gist of the present invention. Needless to say, you can.

20 放射線検出器
32 画素
32A 放射線検出用画素
32B 放射線画像取得用画素
38 直接読出配線
40 電子カセッテ(放射線画像撮影装置)
55 第2信号処理部
58 カセッテ制御部(検出手段、制御手段、増幅率設定手段、周波数設定手段)
58A CPU
92 可変ゲインプリアンプ(増幅器)
96 LPF(低域通過フィルタ)
125 光源
168 太陽電池アレイ(特定装置)
168A 太陽電池
X 放射線
20 radiation detector 32 pixel 32A radiation detection pixel 32B radiation image acquisition pixel 38 direct readout wiring 40 electronic cassette (radiation image capturing apparatus)
55 Second signal processing unit 58 Cassette control unit (detection means, control means, amplification factor setting means, frequency setting means)
58A CPU
92 Variable Gain Preamplifier (Amplifier)
96 LPF (low pass filter)
125 Light source 168 Solar cell array (specific device)
168A Solar cell X radiation

Claims (16)

放射線を被写体に照射することなく、予め定められた撮影領域における前記被写体の非存在領域を特定する特定装置と、
放射線の照射状態を検出するための複数の放射線検出用画素と前記被写体の放射線画像を撮影するための複数の放射線画像取得用画素とが各々配置された放射線検出器、前記撮影領域に放射線が照射された状態で、特定された前記非存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射が開始されたことを検出する検出手段、および前記検出手段による検出結果に基づいて前記放射線検出器による放射線画像の撮影動作を制御する制御手段を備えた放射線画像撮影装置と、
を有する放射線画像撮影システム。
A specifying device for specifying a non-existing region of the subject in a predetermined imaging region without irradiating the subject with radiation;
A radiation detector in which a plurality of radiation detection pixels for detecting a radiation irradiation state and a plurality of radiation image acquisition pixels for capturing a radiation image of the subject are arranged, and radiation is irradiated to the imaging region Detection means for detecting that irradiation of the radiation is started based on a combined signal of electrical signals obtained by the plurality of radiation detection pixels corresponding to the specified non-existing region in a state where And a radiographic imaging device comprising control means for controlling radiographic imaging operation by the radiation detector based on the detection result by the detection means,
A radiographic imaging system comprising:
前記特定装置は、可視光、紫外光、赤外光の少なくとも1つを撮影領域に照射した状態で、照射した光の受光領域に基づいて前記非存在領域を特定する
請求項1記載の放射線画像撮影システム。
The radiographic image according to claim 1, wherein the specifying device specifies the non-existing region based on a light receiving region of the irradiated light in a state where the imaging region is irradiated with at least one of visible light, ultraviolet light, and infrared light. Shooting system.
前記特定装置は、太陽電池アレイを用いて前記非存在領域を特定する
請求項2記載の放射線画像撮影システム。
The radiographic imaging system according to claim 2, wherein the specifying device specifies the non-existing region using a solar cell array.
前記特定装置は、放射線を被写体に照射することなく、前記撮影領域における前記被写体の存在領域をさらに特定し、
前記検出手段は、前記撮影領域に放射線が照射された状態で、特定された前記存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた電気信号に基づいて、前記放射線の照射量をさらに検出する
請求項1から請求項3の何れか1項記載の放射線画像撮影システム。
The specifying device further specifies the existence region of the subject in the photographing region without irradiating the subject with radiation,
The detection means further detects the radiation dose based on an electrical signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the specified existence area in a state where the imaging area is irradiated with radiation. The radiographic imaging system of any one of Claims 1-3.
前記検出手段は、前記存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射量を検出する
請求項4記載の放射線画像撮影システム。
The radiographic imaging system according to claim 4, wherein the detection unit detects an irradiation amount of the radiation based on a composite signal of electrical signals obtained by the plurality of radiation detection pixels corresponding to the existence region.
前記放射線検出用画素は、前記非存在領域となる頻度が高い領域ほど密度が高くなるように前記撮影領域に配置されている
請求項1から請求項5の何れか1項記載の放射線画像撮影システム。
The radiographic imaging system according to any one of claims 1 to 5, wherein the radiation detection pixels are arranged in the imaging region such that the density of the region where the frequency of becoming the non-existing region increases is higher. .
前記非存在領域となる頻度が高い領域は、前記撮影領域の周辺部を含む一部領域である
請求項6記載の放射線画像撮影システム。
The radiographic image capturing system according to claim 6, wherein the region having a high frequency as the non-existing region is a partial region including a peripheral portion of the imaging region.
前記複数の放射線検出用画素は、前記非存在領域となる頻度が高い領域ほど段階的または連続的に密度が高くなるように前記撮影領域に配置される
請求項6または請求項7記載の放射線画像撮影システム。
The radiographic image according to claim 6, wherein the plurality of radiation detection pixels are arranged in the imaging region such that a region having a higher frequency of becoming the non-existing region has a higher density stepwise or continuously. Shooting system.
前記複数の放射線検出用画素は、前記複数の放射線画像取得用画素の間に配置されている
請求項1から請求項8の何れか1項記載の放射線画像撮影システム。
The radiographic imaging system according to any one of claims 1 to 8, wherein the plurality of radiation detection pixels are arranged between the plurality of radiographic image acquisition pixels.
前記放射線画像撮影装置は、
前記放射線検出用画素によって得られた電気信号を予め設定された増幅率で増幅する増幅器と、
前記特定装置による特定結果に基づいて、前記増幅器の増幅率を設定する増幅率設定手段と、
をさらに備えた請求項1から請求項9の何れか1項記載の放射線画像撮影システム。
The radiographic image capturing apparatus includes:
An amplifier that amplifies the electrical signal obtained by the radiation detection pixel at a preset amplification factor;
An amplification factor setting means for setting the amplification factor of the amplifier based on the identification result by the identification device;
The radiographic imaging system according to claim 1, further comprising:
前記増幅率設定手段は、前記非存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた電気信号を増幅する増幅器の増幅率を、前記存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた電気信号を増幅する増幅器より高くするように設定する
請求項10記載の放射線画像撮影システム。
The amplification factor setting means sets an amplification factor of an amplifier that amplifies an electric signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the non-existing region to an electric factor obtained by the radiation detection pixel corresponding to the existence region. The radiographic imaging system according to claim 10, wherein the radiographic imaging system is set to be higher than an amplifier that amplifies a signal.
前記放射線画像撮影装置は、
前記放射線検出用画素によって蓄積された電荷により示される信号に対して予め設定された低域通過周波数で低域通過処理を行う低域通過フィルタと、
前記特定装置による特定結果に基づいて、前記低域通過フィルタの前記低域通過周波数を設定する周波数設定手段と、
をさらに備えた請求項1から請求項11の何れか1項記載の放射線画像撮影システム。
The radiographic image capturing apparatus includes:
A low-pass filter that performs low-pass processing at a preset low-pass frequency for a signal indicated by the charge accumulated by the radiation detection pixels;
Frequency setting means for setting the low-pass frequency of the low-pass filter based on the identification result by the identification device;
The radiographic imaging system according to any one of claims 1 to 11, further comprising:
前記周波数設定手段は、前記非存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた信号に対して低域通過処理を行う低域通過フィルタの低域通過周波数を、前記存在領域に対応する前記放射線検出用画素によって得られた信号に対して低域通過処理を行う低域通過フィルタより高くするように設定する
請求項12記載の放射線画像撮影システム。
The frequency setting means sets a low-pass frequency of a low-pass filter that performs low-pass processing on a signal obtained by the radiation detection pixel corresponding to the non-existing region, and corresponds to the existing region. The radiographic imaging system according to claim 12, wherein the radiographic imaging system is set to be higher than a low-pass filter that performs low-pass processing on a signal obtained by the radiation detection pixel.
放射線を被写体に照射することなく、予め定められた撮影領域における前記被写体の非存在領域を特定する特定手段と、
放射線の照射状態を検出するための放射線検出用画素と前記被写体の放射線画像を撮影するための放射線画像取得用画素とが各々複数配置された放射線検出器と、
前記撮影領域に放射線が照射された状態で、特定された前記非存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射が開始されたことを検出する検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて前記放射線検出器による放射線画像の撮影動作を制御する制御手段と
を備えた放射線画像撮影装置。
A specifying means for specifying a non-existing region of the subject in a predetermined photographing region without irradiating the subject with radiation;
A radiation detector in which a plurality of radiation detection pixels for detecting a radiation irradiation state and a plurality of radiation image acquisition pixels for capturing a radiation image of the subject are respectively disposed;
Irradiation of the radiation is started based on a composite signal of electrical signals obtained by the plurality of radiation detection pixels corresponding to the specified non-existing region in a state where the imaging region is irradiated with radiation. Detecting means for detecting
A radiographic imaging device comprising: control means for controlling radiographic imaging operation by the radiation detector based on a detection result by the detection means.
放射線を被写体に照射することなく、予め定められた撮影領域における前記被写体の非存在領域を特定する特定工程と、
前記撮影領域に放射線が照射された状態で、放射線の照射状態を検出するための放射線検出用画素と前記被写体の放射線画像を撮影するための放射線画像取得用画素とが各々複数配置された放射線検出器の、特定された前記非存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射が開始されたことを検出する検出工程と、
前記検出工程による検出結果に基づいて前記放射線検出器による放射線画像の撮影動作を制御する制御工程と
を有する放射線画像撮影方法。
A specifying step of specifying a non-existing region of the subject in a predetermined imaging region without irradiating the subject with radiation;
Radiation detection in which a plurality of radiation detection pixels for detecting a radiation irradiation state and a plurality of radiation image acquisition pixels for capturing a radiation image of the subject are arranged in a state where radiation is irradiated on the imaging region A detection step of detecting the start of radiation irradiation based on a composite signal of electrical signals obtained by a plurality of the radiation detection pixels corresponding to the specified non-existing region of the device;
And a control step of controlling a radiographic imaging operation by the radiation detector based on a detection result of the detection step.
コンピュータを、
放射線を被写体に照射することなく、予め定められた撮影領域における前記被写体の非存在領域を特定する特定手段と、
前記撮影領域に放射線が照射された状態で、放射線の照射状態を検出するための放射線検出用画素と前記被写体の放射線画像を撮影するための放射線画像取得用画素とが各々複数配置された放射線検出器の、特定された前記非存在領域に対応する複数の前記放射線検出用画素によって得られた電気信号の合成信号に基づいて、前記放射線の照射が開始されたことを検出する検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて前記放射線検出器による放射線画像の撮影動作を制御する制御手段と
として機能させるためのプログラム。
Computer
A specifying means for specifying a non-existing region of the subject in a predetermined photographing region without irradiating the subject with radiation;
Radiation detection in which a plurality of radiation detection pixels for detecting a radiation irradiation state and a plurality of radiation image acquisition pixels for capturing a radiation image of the subject are arranged in a state where radiation is irradiated on the imaging region Detecting means for detecting that irradiation of the radiation is started based on a composite signal of electrical signals obtained by a plurality of the radiation detection pixels corresponding to the specified non-existing region of the device;
The program for functioning as a control means which controls the imaging | photography operation | movement of the radiographic image by the said radiation detector based on the detection result by the said detection means.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104124256A (en) * 2014-07-01 2014-10-29 上海奕瑞光电子科技有限公司 Pixel AEC flat panel detector

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