WO2012011703A2 - 멤스 스위치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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WO2012011703A2
WO2012011703A2 PCT/KR2011/005260 KR2011005260W WO2012011703A2 WO 2012011703 A2 WO2012011703 A2 WO 2012011703A2 KR 2011005260 W KR2011005260 W KR 2011005260W WO 2012011703 A2 WO2012011703 A2 WO 2012011703A2
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mems switch
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photoresist pattern
driving beam
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최정덕
육현미
최진식
박창현
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주식회사 코미코
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067—Mechanical properties
    • B81B3/007—For controlling stiffness, e.g. ribs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/01—Switches
    • B81B2201/012—Switches characterised by the shape
    • B81B2201/014—Switches characterised by the shape having a cantilever fixed on one side connected to one or more dimples
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0118—Cantilevers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/019—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement characterized by their profile

Definitions

  • the present invention relates to a MEMS switch and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a MEMS switch for shock and a manufacturing method thereof that is switched on / off by an external impact.
  • the shock switch serves to electrically conduct each other by on or off switching, for example, by contact between internal terminals, by an impact force applied by an external impact.
  • Such shock switches are currently widely used mechanical switches.
  • the mechanical switch has a disadvantage that is relatively expensive by the implementation through the shape processing of less than 'mm', there is a limit to overcome the failure rate.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide an impact switch capable of forming a very small size, the structure is simple and the safety state for the switch shape is stable for a long time and there is no malfunction.
  • a first terminal formed on the substrate a second terminal formed on the substrate and spaced apart from the first terminal, A conductive support formed on the second terminal, and cantilever (cantilever) connected to the support and extending in a direction parallel to the substrate, one end is located above the first terminal and bent by an external impact And a conductive driving beam in contact with the first terminal.
  • At least a portion of the driving beam may have a spring structure.
  • the driving beam may have a distance of 30 ⁇ m to 100 ⁇ m with the first terminal.
  • the non-operating condition may be a range of the impact force applied when the impact from 0G to 40G in the unit of gravity acceleration.
  • the guide beam may further include a pair.
  • the driving beam includes any one of titanium (Ti), nickel (Ni), copper (Cu), or gold (Au), or titanium (Ti), nickel (Ni), copper It may be formed of an alloy containing any one of (Cu) or gold (Au).
  • a method of manufacturing a MEMS switch includes forming a first terminal and a second terminal spaced apart from each other on a substrate, and a conductive support on the second terminal.
  • Forming a first photoresist pattern for forming a photoresist depositing a first metal for forming the support on the substrate on which the first photoresist pattern is formed, and connecting the support and the cantilevered shape to one end
  • the MEMS switch manufacturing method includes a first polishing step for the first photoresist pattern and the first metal to adjust the height of the support after the deposition of the first metal; After depositing the second metal, a second polishing step for the second photoresist pattern and the second metal may be further included to adjust the thickness of the driving beam.
  • the first and second metals include any one of titanium (Ti), nickel (Ni), copper (Cu), or gold (Au), or titanium (Ti), nickel ( Ni), copper (Cu) or gold (Au) may include an alloy containing any one.
  • a first terminal and a second terminal are formed at a distance from each other on a substrate, and a support and a driving beam are formed in a cantilever shape on the second terminal to drive the beam.
  • One end of is disposed at intervals above the first terminal. Therefore, the driving beam is bent by an external impact so that the driving beam comes into contact with the first terminal to perform a switching operation.
  • the MEMS switch is manufactured through a MEMS process capable of forming a fine pattern, it is possible to form a micro switch.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing a MEMS switch according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the MEMS switch illustrated in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a MEMS switch shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an operation of a MEMS switch shown in FIG. 1.
  • FIG. 5 is a view showing a deformation caused by the rotation force of the MEMS switch shown in FIG.
  • FIG. 6 is a schematic process diagram illustrating a method of manufacturing a MEMS switch according to an embodiment of the present invention.
  • 7 to 14 are steps according to the method of manufacturing a MEMS switch according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view of a MEMS switch according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a MEMS switch shown in FIG. 1
  • FIG. 3 is a schematic view showing a MEMS switch shown in FIG. 1.
  • 4 is a schematic diagram illustrating an operation of a MEMS switch shown in FIG. 1.
  • the MEMS switch 100 includes a substrate 110, a first terminal 120, a second terminal 130, a support 140, and a driving beam ( 150).
  • the MEMS switch 100 may further include a guide beam 160 for restricting unnecessary operations flowing in a specific direction of the driving beam 150.
  • the MEMS switch 100 operates a switch that electrically connects the first terminal 120 and the first terminal 130 to each other by an external impact.
  • the MEMS switch 100 is manufactured through a photolithography, deposition, plating, and plasma etching process, which is a MEMS process, to realize a micro size.
  • the MEMS switch 100 may be used under conditions in which a driving force, an impact force, a rotation force (inertial force), and the like are applied.
  • the MEMS switch 100 has a characteristic of not operating when the impact force is lower than a specific condition (non-operating condition), and is formed to be more preferably operated in the impact force range of a specific condition (main operation condition).
  • the first terminal 120, the second terminal 130, the support 140, and the driving beam 150 are formed on the substrate 110.
  • the substrate 110 may be a printed circuit board (PCB).
  • the substrate 110 may be a substrate of various materials capable of forming the first and second terminals 120 and 130, the support 140, and the driving beam 150.
  • the MEMS switch 100 When the MEMS switch 100 is used under a condition in which rotational force is applied, the substrate 110 may be disposed away from the center of rotation.
  • the MEMS switch 100 should be disposed so as to be perpendicular to the direction in which the impact force is applied to one surface of the substrate 110 so that the switch switches properly.
  • the substrate 110 may have a larger size, as shown, and may be part of an integrated substrate on which other circuit patterns or members are formed. That is, the scope of the present invention is not limited by the type of the substrate 110.
  • the first terminal 120 is formed on one surface of the substrate 110.
  • the first terminal 120 may be formed by a sputtering process.
  • the height of the first terminal 120 may be the same as the height of one surface of the substrate 110 or may be formed somewhat higher than the height of one surface of the substrate 110.
  • the first terminal 120 has a flat plate shape.
  • the second terminal 130 is formed on one surface of the substrate 110 and is spaced apart from the first terminal 110. That is, the second terminal 130 is located far from the first terminal 120.
  • the second terminal 130 may be formed together with the first terminal 120 by a sputtering process.
  • the height of the second terminal 120 may be generally the same as the height of the first terminal 120, or may have a different height from that of the first terminal 120.
  • the second terminal 130 has a flat plate shape.
  • a signal supply source and a signal reception source are connected to the first terminal 120 and the second terminal 130, respectively. That is, circuits for electrically connecting the first terminal 120 and the second terminal 130 to each other through a switch operation may be connected to each other.
  • the support 140 is formed on the second terminal 130 and is made of a conductive material.
  • the support 140 is formed in a standing structure from the second terminal 130.
  • the distance between the driving beam 150 and the first terminal 110 may be adjusted according to the standing height of the support 140.
  • the support 140 is configured to be electrically connected to the second terminal 130.
  • the driving beam 150 is connected to the support 140 in a cantilever structure and extends in a direction parallel to the substrate 110.
  • the driving beam 150 extends so that one end thereof is positioned above the first terminal 120. Therefore, the driving beam 150 is spaced apart from the first terminal 120 by the height of the support 140.
  • the driving beam 150 is made of a conductive material. That is, the driving beam 150 is electrically connected to the second terminal 130 through the support 140.
  • the driving beam 150 is bent by external impact through the cantilever structure. As a result, the driving beam 150 is bent by an external impact, so that one end thereof comes into contact with the first terminal 120.
  • One end of the driving beam 150 contacts the first terminal 120 to electrically connect the first terminal 120 and the second terminal 130 to each other.
  • the driving beam 150 is formed to include a non-moving region (for example, non-operating condition). That is, by configuring the drive beam 150 to have a certain degree of rigidity, it is formed so that the switch does not operate when the impact force is below a certain value.
  • the non-operating condition is based on the impact force applied when the object is freely dropped at a predetermined height while the MEMS switch 100 is installed on the object to be applied, and the criterion is determined by the unit of gravity acceleration. do.
  • the driving beam 150 has a non-operating condition in which the impact force due to an external impact does not operate within a condition of 40G or less in the unit of gravity acceleration, that is, a range of impact force applied when colliding with 0G to 40G.
  • the driving beam 150 is made of a conductive metal material having a certain rigidity.
  • the driving beam 150 may include any one of titanium (Ti), nickel (Ni), copper (Cu), gold (Au), or an alloy formed by including any one of them.
  • the support 140 is also formed of the same material as the driving beam 150.
  • the driving beam 150 may have a range of 30 ⁇ m to 100 ⁇ m from the first terminal 120 to stably form the non-moving area. If the interval is 30 ⁇ m or less, contact is possible even under the set impact force, which is not preferable. If the interval is 100 ⁇ m or more, the gap is too wide and unstable, which is not preferable.
  • a portion of the driving beam 150 may have a spring shape so that the MEMS switch 100 can be stably maintained in an open state (for example, an off state) when the MEMS switch 100 is used under a condition in which rotation force is applied.
  • FIG. 5 is a view showing a deformation caused by the rotation force of the MEMS switch shown in FIG.
  • the first terminal 120 and the second terminal 130 are arranged in a line with respect to a direction in which rotation force (inertia) is applied, that is, a centrifugal force direction. It is disposed to be located outside the rotational force of the terminal 130. Therefore, as the rotational force is increased, the driving beam 150 is compressed by a spring shape, thereby reducing the length of the cantilever. As a result, the driving beam 150 is compressed under rotational force, and since the rigidity is increased by the compression operation, it is possible to more stably maintain the open state.
  • rotation force in which rotation force (inertia) is applied
  • the driving beam 150 may have various shapes that can be compressed by a rotational force such as a zigzag pattern, a coil pattern, etc., in addition to the spring shape (eg, the letter 'L').
  • the MEMS switch 100 when the MEMS switch 100 is used under a condition in which rotation force is applied, the driving beam 150 may flow in a direction other than the direction of the first terminal 120. Not desirable Therefore, the MEMS switch 100 includes a pair of guide beams 160 to suppress the driving beam 150 from flowing in a direction perpendicular to the extending direction.
  • the guide beams 160 may be disposed on both sides of the driving beam 150, respectively, and may extend in a direction parallel to the extending direction of the driving ratio 150.
  • the extension length of the guide beam 160 is preferably shorter than the extension length of the drive beam 150. That is, the guide beam 160 is formed to have a length that can be sufficiently spaced apart from the first terminal 120.
  • the height of the guide beam 160 may be about the thickness of the support 140 and the driving beam 150. Therefore, even when the driving beam 150 contacts the first terminal 120, unnecessary flow can be suppressed.
  • FIGS. 7 to 14 are steps illustrating a method of manufacturing a MEMS switch according to an embodiment of the present invention.
  • the method of manufacturing the MEMS switch 100 firstly forms the first terminal 120 and the second terminal 130 spaced apart from each other on the substrate 110. )
  • the formation of the first terminal 120 and the second terminal 130 may be formed by forming a metal layer on the substrate 110 by a sputtering process, and patterning the metal layer through an etching process.
  • the photoresist pattern 10 is formed (S120).
  • the first photoresist pattern 10 includes a pattern for forming a lower portion of the guide beam 160.
  • the first metal 20 for forming the support 140 is deposited on the substrate 110 on which the first photoresist pattern 10 is formed.
  • the first metal 20 may include an alloy formed of any one of titanium (Ti), nickel (Ni), copper (Cu), gold (Au), or any one thereof. Can be. A preliminary support is formed through the deposition of the first metal 20, and a preliminary guide beam is formed at the same time.
  • primary polishing may be performed on the first photoresist pattern 10 and the first metal 20 (S140).
  • Polishing the first photoresist pattern 10 and the first metal 20 is performed by adjusting the heights of the first metal 20 and the first photoresist pattern 10, thereby supporting the support 140 having a desired height.
  • the primary polishing may be, for example, chemical mechanical polishing (CMP).
  • the support 140 after forming the support 140 having the height of height through the primary polishing, the support 140 is connected in the form of a cantilever and one end thereof is positioned above the first terminal 120.
  • a second photoresist pattern 30 for forming the conductive driving beam 150 is formed (S150).
  • the second photoresist pattern 30 is formed on the first photoresist pattern 10 that has undergone the primary polishing step.
  • the method of forming the second photoresist pattern 30 is the same as the method of forming the first photoresist pattern 10.
  • the second photoresist pattern 30 is formed so that a part of the driving beam 150 may have a spring shape.
  • the second photoresist pattern 30 has a pattern for forming an upper portion of the guide beam 160.
  • the second metal 40 for forming the driving beam 150 is deposited on the substrate 110 on which the second photoresist pattern 30 is formed.
  • the second metal 40 is substantially the same as the first metal 20.
  • the preliminary driving beam is formed through the deposition of the second metal 40, and at the same time, an upper portion of the preliminary guide beam is formed.
  • secondary polishing may be performed on the second photoresist pattern 30 and the second metal 40 (S170).
  • polishing the second photoresist pattern 30 and the second metal 40 is finally formed by adjusting the heights of the second metal 40 and the second photoresist pattern 30.
  • secondary polishing is substantially the same as the above method of primary polishing. That is, secondary polishing may be chemical polishing (CMP).
  • CMP chemical polishing
  • Removal of the first and second photoresist patterns 10 and 30 may be performed by a strip process.
  • the manufacturing method of the MEMS switch 100 is formed through the MEMS process, and thus, the size of the MEMS switch 100 can be freely reduced. Since it is possible to form a plurality of MEMS switch 100 on one substrate at the same time, productivity can be improved.
  • the MEMS switch is formed with the first terminal and the second terminal spaced apart from each other on the substrate, and the support and the driving beam are formed in the cantilever shape on the second terminal to form the driving beam.
  • One end is spaced apart above the first terminal. Therefore, the driving beam is bent by an external impact so that the driving beam comes into contact with the first terminal to perform a switching operation.
  • the MEMS switch is manufactured through a MEMS process capable of forming a fine pattern, it is possible to form a micro switch.
  • the MEMS switch and its manufacturing method according to the present invention can be preferably used to form a shock switch of a very small size, and to manufacture a shock switch capable of stable switch operation.

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Abstract

멤스 스위치 및 이의 제조방법에 있어서, 멤스 스위치는 기판과, 기판 상에 형성된 제1 단자와, 기판 상에 형성되고 제1 단자와 간격을 두고 위치한 제2 단자와, 제2 단자 상에 형성되는 도전성 지지대와, 지지대에 캔틸레버(cantilever) 형태로 연결되고 기판과 평행한 방향으로 연장되어 일 단부가 제1 단자의 상방에 위치하며 외부의 충격에 의한 휘어짐으로 제1 단자와 접촉하는 도전성 구동빔을 포함한다. 이에, 초소형 사이즈의 스위치 형성이 가능하고, 안정적인 스위치 동작이 가능하다.

Description

멤스 스위치 및 이의 제조 방법
본 발명은 멤스 스위치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부의 충격에 의해 온/오프 스위칭 되는 충격용 멤스 스위치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 충격 스위치는 외부의 충격에 의해 가해지는 충격력으로 온(on) 또는 오프(off) 스위칭 되는, 예컨대 내부 단자간 접촉에 의해 서로 전기적으로 도전시키는 역할을 수행한다. 이러한 충격 스위치는 현재 기계식 스위치가 일반적으로 널리 사용되고 있다.
상기 기계식 스위치는 '㎜' 미만의 형상 가공을 통한 구현으로 상대적으로 고가인 단점이 있으며, 불량률 극복에 한계가 있다.
또한, 기계식 스위치의 경우에는 기본적으로 큰 부피를 갖기 때문에 소형화하는 경우에 설계가 자유롭지 못한 문제점을 갖고 있다. 스위치 형상에 대한 유지 상태가 장시간 경과 후에는 불완전하여 장시간 경과 후에 오작동의 우려가 있다.
따라서 본 발명을 통해 해결하려는 과제는 초소형 사이즈 형성이 가능하며 구조가 단순하고 스위치 형상에 대한 안전 유지 상태가 장기간에 걸쳐 안정한 동시에 오작동이 없는 충격용 스위치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 멤스 스위치는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 단자와, 상기 기판 상에 형성되고 상기 제1 단자와 간격을 두고 위치한 제2 단자와, 상기 제2 단자 상에 형성되는 도전성 지지대와, 상기 지지대에 캔틸레버(cantilever) 형태로 연결되고 상기 기판과 평행한 방향으로 연장되어 일 단부가 상기 제1 단자의 상방에 위치하며 외부의 충격에 의한 휘어짐으로 상기 제1 단자와 접촉하는 도전성 구동빔을 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 구동빔은 적어도 일부분이 스프링 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 구동빔은 상기 제1 단자와 30㎛ 내지 100㎛의 간격을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 외부의 충격에 대한 비가동 조건을 가지며, 상기 비가동 조건은 중력가속도 단위로 0G 내지 40G로 충돌하는 경우에 가해지는 충격력의 범위일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 구동빔이 연장 방향에 대해 수직한 방향으로 유동하는 것을 억제하기 위하여 상기 구동빔의 양측에 각각 배치되고 상기 구동빔의 연장 방향과 평행한 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드빔을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 구동빔은 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하거나, 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 멤스 스위치의 제조 방법은 기판 상에 서로 간격을 두고 위치하는 제1 단자 및 제2 단자를 형성하는 단계와, 상기 제2 단자 상에 도전성 지지대를 형성하기 위한 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 상기 지지대를 형성용 제1 금속을 증착하는 단계와, 상기 지지대와 캔틸레버 형태로 연결되고 일 단부가 상기 제1 단자의 상방에 위치하는 도전성 구동빔을 형성하기 위한 제2 포토레지스트 패턴을 상기 제1 포토레지스트 패턴 상에 형성하는 단계와, 상기 제2 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 상기 구동빔 형성용 제2 금속을 증착하는 단계와, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 멤스 스위치 제조 방법은 상기 제1 금속을 증착한 후에 상기 지지대의 높이를 조정하기 위하여 상기 제1 포토레지스트 패턴 및 상기 제1 금속에 대한 1차 폴리싱 단계와, 상기 제2 금속을 증착한 후에 상기 구동빔의 두께를 조정하기 위하여 상기 제2 포토레지스트 패턴 및 상기 제2 금속에 대한 2차 폴리싱 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 및 제2 금속은 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하거나, 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하는 합금을 포함할 수 있다.
이와 같이 구성되는 본 발명의 실시예에 따른 충격용 멤스 스위치는 기판 상에 제1 단자 및 제2 단자가 서로 간격을 두고 형성되고, 제2 단자 상에는 지지대 및 구동빔이 캔틸레버 형태로 형성되어 구동빔의 일 단부가 제1 단자의 상방에 간격을 두고 배치된다. 따라서, 구동빔이 외부의 충격에 의해 휘어짐으로써 상기 제1 단자와 접촉하여 스위칭 동작하게 된다.
이러한 멤스 스위치는 미세 패턴 형성이 가능한 멤스 공정을 통해 제조되므로 초소형 스위치 형성이 가능하다.
또한, 구동빔의 일부분이 스프링 형상을 가짐으로써 회전력이 부여되는 조건하에서 사용될 때 스프링의 압축으로 구동빔의 강성이 증가되어 안정적인 오픈 상태 유지가 가능하다. 따라서 오동작을 예방할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 스위치를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 멤스 스위치를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 멤스 스위치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 멤스 스위치의 동작을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 멤스 스위치가 회전력에 의한 변형을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 스위치의 제조 방법을 나타내는 개략적인 공정도이다.
도 7 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 스위치의 제조 방법에 따른 단계도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 멤스 스위치 및 이의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 발명의 명확성을 기하기 위해 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 설명하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 스위치를 나타내는 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 멤스 스위치를 나타내는 개략적인 평면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 멤스 스위치를 나타내는 개략적인 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 멤스 스위치의 동작을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 스위치(100)는 기판(110), 제1 단자(120), 제2 단자(130), 지지대(140) 및 구동빔(150)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 멤스 스위치(100)는 구동빔(150)의 특정 방향으로 유동하는 불필요한 동작을 제한하기 위한 가이드빔(160)을 더 포함할 수 있다.
상기 멤스 스위치(100)는 외부의 충격에 의해 상기 제1 단자(120)와 상기 제1 단자(130)를 서로 전기적으로 연결하는 스위치 동작한다. 상기 멤스 스위치(100)는 초소형 사이즈 구현이 가능하도록 멤스(MEMS) 공정인 포토리소그래피, 증착, 도금, 플라즈마 에칭 공정을 통하여 제조된다.
또한, 상기 멤스 스위치(100)는 추진력, 충격력, 회전력(관성력) 등이 작용하는 조건하에서 사용될 수 있다. 특히, 상기 멤스 스위치(100)는 특정 조건의 충격력 이하일 땐 가동하지 않는(비가동 조건) 특성을 가지며, 특정 조건의 충격력 범위에서 보다 바람직하게 가동할 수 있도록(주가동 조건) 형성된다.
상기 기판(110) 상에는 상기 제1 단자(120), 제2 단자(130), 지지대(140) 및 구동빔(150)이 형성된다. 예를 들어 상기 기판(110)은 인쇄 회로 기판(PCB) 일 수 있다. 이와 달리, 기판(110)은 상기 제1 및 제2 단자(120, 130), 지지대(140) 및 구동빔(150)의 형성이 가능한 다양한 재질의 기판일 수 있다. 상기 멤스 스위치(100)가 회전력이 가해지는 조건 하에서 이용될 때, 상기 기판(110)은 회전의 중심으로부터 벗어난 곳에 배치될 수 있다. 또한, 상기 멤스 스위치(100)가 바르게 스위치 동작하도록 상기 기판(110)의 일면에 충격력이 가해지는 방향에 대하여 수직하도록 배치되어야 한다.
한편, 상기 기판(110)은 도시된 바와 다르게 보다 큰 사이즈를 가질 수 있으며, 다른 회로 패턴들 또는 부재들이 형성된 통합형 기판의 일 부분일 수 도 있다. 즉, 상기 기판(110)의 형식에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않는다.
상기 제1 단자(120)는 기판(110)의 일면 상에 형성된다. 상기 제1 단자(120)는 스퍼터링 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 제1 단자(120)의 높이는 기판(110)의 일면 높이와 동일할 수 있고, 또는 기판(110)의 일면 높이보다 다소 높게 형성될 수 있다. 상기 제1 단자(120)는 평판 형태를 갖는다.
상기 제2 단자(130)는 기판(110)의 일면 상에 형성되며, 상기 제1 단자(110)와 간격을 두고 위치한다. 즉, 상기 제2 단자(130)는 제1 단자(120)와 떨어져 위치한다. 상기 제2 단자(130)는 제1 단자(120)와 함께 스퍼터링 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 제2 단자(120)의 높이는 통상 제1 단자(120)의 높이와 동일할 수 있으며, 이와 다르게 제1 단자(120)와 다른 높이를 가질 수도 있다. 상기 제2 단자(130)는 평판 형태를 갖는다.
여기서, 상기 제1 단자(120) 및 제2 단자(130)에는 각각 신호 공급원 및 신호 수신원이 연결된다. 즉, 상기 제1 단자(120) 및 제2 단자(130)는 스위치 동작을 통해 서로 전기적으로 연결하기 위한 회로들이 각각 연결될 수 있다.
상기 지지대(140)는 제2 단자(130) 상에 형성되며, 도전성 재질로 이루어진다. 상기 지지대(140)는 제2 단자(130)로부터 기립구조로 형성된다. 상기 지지대(140)의 기립 높이에 따라서 상기 구동빔(150)과 제1 단자(110) 사이의 간격이 조절될 수 있다. 상기 지지대(140)는 제2 단자(130)와 전기적으로 연결되도록 구성된다.
상기 구동빔(150)은 지지대(140)에 캔틸레버(cantilever) 구조로 연결되며, 기판(110)과 평행한 방향으로 연장된다. 상기 구동빔(150)은 일 단부가 상기 제1 단자(120)의 상방에 위치하도록 연장한다. 따라서, 구동빔(150)은 지지대(140)의 높이만큼 상기 제1 단자(120)와 간격을 두게 된다. 상기 구동빔(150)은 도전성 재질로 이루어진다. 즉, 상기 구동빔(150)은 지지대(140)를 통해서 상기 제2 단자(130)와 전기적으로 연결된다. 앞서 설명한 바 있듯이 상기 기판(110)이 충격력이 가해지는 방향에 대해 수직하게 배치됨으로써, 상기 구동빔(150)은 캔틸레버 구조를 통해서 외부의 충격에 의해 휘어지게 된다. 결과적으로, 상기 구동빔(150)은 외부의 충격에 의해 휘어짐으로써, 그 일 단부가 상기 제1 단자(120)에 접촉하게 된다. 상기 구동빔(150)의 일 단부가 제1 단자(120)와 접촉함에 의해 상기 제1 단자(120)와 제2 단자(130)를 서로 전기적으로 연결한다.
상기 구동빔(150)은 비가동 영역(예컨대 비가동 조건)을 포함하도록 형성된다. 즉, 상기 구동빔(150)을 일정한 정도의 강성을 갖도록 구성함으로써, 상기 충격력이 특정한 값 이하일 땐 스위치 동작하지 않도록 형성되다. 본 실시예에서 상기 비가동 조건은 상기 멤스 스위치(100)를 적용 대상물에 설치한 상태에서 상기 대상물을 소정의 높이에서 자유낙하 시켰을 때 가해지는 충격력을 기준으로 하며, 그 기준은 중력가속도 단위로 결정한다. 예를 들어, 상기 구동빔(150)은 외부 충격에 의한 충격력이 중력가속도 단위로 40G 이하의 조건, 즉 0G 내지 40G로 충돌할 때 가해지는 충격력의 범위 내에서는 동작하지 않는 비가동 조건을 갖는다. 이를 위해 상기 구동빔(150)은 일정 강성을 갖는 도전성 금속 재질로 이루어진다. 일 예로, 상기 구동빔(150)은 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하거나, 이들 중 어느 하나를 포함하여 형성된 합금을 포함할 수 있다. 또한, 상기 지지대(140) 역시 구동빔(150)과 동일 재질로 형성된다.
또한, 상기 구동빔(150)은 비가동 영역을 안정적으로 형성하기 위하여 상기 제1 단자(120)와 간격이 30㎛ 내지 100㎛ 범위를 가질 수 있다. 간격이 30㎛ 이하이면 설정한 충격력 이하에서도 접촉할 수 있어 바람직하지 못하며, 100㎛ 이상인 경우에는 간격이 너무 넓게 형성되어 불안정하므로 바람직하지 못하다.
상기 멤스 스위치(100)가 회전력이 부여되는 조건하에서 사용될 때 안정적으로 오픈 상태(예컨대 오프 상태)를 유지할 수 있도록 상기 구동빔(150)의 일부분이 스프링 형상을 가질 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 멤스 스위치가 회전력에 의한 변형을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기 멤스 스위치(100)는 회전력(관성)이 가해지는 방향 즉, 원심력 방향에 대하여 상기 제1 단자(120) 및 제2 단자(130)가 일렬로 배치되며, 상기 제2 단자(130)의 회전력의 바깥쪽에 위치하도록 배치된다. 따라서, 상기 회전력이 증가될수록 상기 구동빔(150)은 스프링 형상에 의해 압축이 됨으로써, 캔틸레버의 길이가 감소하게 된다. 결과적으로, 상기 구동빔(150)은 회전력 하에서 압축 동작하게 되며, 이러한 압축 동작에 의해 강성이 증가되므로 보다 안정적으로 오픈 상태를 유지할 수 있게 된다.
상기 구동빔(150)은 상기 스프링 형상(예컨대 'ㄹ'자 형상) 이외에, 지그재그 패턴, 코일 패턴 등 회전력에 의해 압축 동작이 가능한 다양한 형상을 가질 수 있다.
다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 상기 멤스 스위치(100)는 회전력 등이 가해지는 조건하에서 이용될 때, 상기 구동빔(150)이 상기 제1 단자(120) 방향 이외에 다른 방향으로 유동하는 것은 바람직하지 못하다. 따라서, 상기 멤스 스위치(100)는 상기 구동빔(150)이 연장 방향에 대해 수직한 방향으로 유동하는 것을 억제하기 위하여 한 쌍의 가이드빔(160)을 포함한다.
상기 가이드빔(160)은 상기 구동빔(150)의 양측에 각각 배치되며, 상기 구동비(150)의 연장 방향에 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 상기 가이드빔(160)의 연장 길이는 상기 구동빔(150)의 연장 길이보다 짧은 것이 바람직하다. 즉, 상기 가이드빔(160)은 상기 제1 단자(120)와 충분히 이격될 수 있는 길이로 형성한다. 상기 가이드빔(160)의 높이는 상기 지지대(140) 및 상기 구동빔(150)의 두께를 더한 정도일 수 있다. 따라서, 상기 구동빔(150)이 제1 단자(120)에 접촉할 때에도 불필요한 유동을 억제할 수 있다.
이하 상기 멤스 스위치(100)의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 스위치의 제조 방법을 나타내는 개략적인 공정도이고, 도 7 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 스위치의 제조 방법에 따른 단계도들이다.
도 6 및 도 7를 참조하면, 상기 멤스 스위치(100)의 제조 방법은 먼저 기판(110) 상에 간격을 두고 위치하는 제1 단자(120) 및 제2 단자(130)를 형성한다.(S110)
상기 제1 단자(120) 및 제2 단자(130)의 형성을 스퍼터링 공정에 의해 기판(110) 상에 금속층을 형성하고, 이러한 금속층에 대해 식각 공정을 통해 패터닝하여 형성할 수 있다.
도 6 및 도 8을 참조하면, 상기 제1 및 제2 단자(120, 130)가 형성된 기판(110)에 대하여, 상기 제2 단자(130) 상에 도전성 지지대(140)를 형성하기 위한 제1 포토레지스트 패턴(10)을 형성한다.(S120)
구체적으로, 먼저 상기 기판(110) 상에 포토레지스트를 도포하고, 상기 지지대(140)에 형성을 위한 마스크(미도시)를 준비한 뒤에 상기 마스크(미도시)를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광 및 현상함으로써 상기 제1 포토레지스트 패턴(10)을 형성한다. 이때, 상기 제1 포토레지스트 패턴(10)은 상기 가이드빔(160)의 하단 일부분을 형성하기 위한 패턴을 포함한다.
도 6 및 도 9를 참조하면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(10)이 형성된 기판(110) 상에 지지대(140) 형성용 제1 금속(20)을 증착한다.(S130)
상기 제1 금속(20)은 언급한 바 있는 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하거나, 이들 중 어느 하나를 포함하여 형성된 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속(20)의 증착을 통해 예비 지지대가 형성되며, 동시에 예비 가이드빔이 형성된다.
도 6 및 도 10을 참조하면, 상기 제1 금속(20)을 증착한 후에, 상기 제1 포토레지스트 패턴(10) 및 제1 금속(20)에 대하여 1차 폴리싱 할 수 있다.(S140)
상기 제1 포토레지스트 패턴(10) 및 제1 금속(20)을 폴리싱 하는 것은, 상기 제1 금속(20)과 제1 포토레지스트 패턴(10)의 높이를 조절함으로써, 원하는 높이의 지지대(140)를 형성하기 위함이다. 여기서, 1차 폴리싱은 예를 들어 화학 적인 폴리싱(Chemical mechanical Polishing; CMP)일 수 있다.
도 6 및 도 11을 참조하면, 상기 1차 폴리싱을 통해 성정 높이의 지지대(140)를 형성한 후에, 상기 지지대(140)와 캔틸레버 형태로 연결되고 일 단부가 상기 제1 단자(120) 상방에 위치하는 도전성 구동빔(150)을 형성하기 위한 제2 포토레지스트 패턴(30)을 형성한다.(S150)
상기 제2 포토레지스트 패턴(30)은 1차 폴리싱 단계를 거친 제1 포토레지스트 패턴(10) 상에 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴(30)의 형성 방법은 제1 포토레지스트 패턴(10)의 형성 방법과 동일하다. 상기 제2 포토레지스트 패턴(30)은 상기 구동빔(150)의 일부가 스프링 형상을 가질 수 있도록 형성된다. 또한, 상기 제2 포토레지스트 패턴(30)은 상기 가이드빔(160)의 상단 일부분을 형성하기 위한 패턴을 갖는다.
도 6 및 도 12를 참조하면, 상기 제2 포토레지스트 패턴(30)이 형성된 기판(110) 상에 구동빔(150) 형성용 제2 금속(40)을 증착한다.(S160)
상기 제2 금속(40)은 실질적으로 상기 제1 금속(20)과 동일하다. 상기 제2 금속(40)의 증착을 통해서 예비 구동빔이 형성되고, 동시에 예비 가이드빔의 상단 일부분이 형성된다.
도 6 및 도 13을 참조하면, 상기 제2 금속(40)을 증착한 후에, 상기 제2 포토레지스트 패턴(30) 및 제2 금속(40)에 대하여 2차 폴리싱 할 수 있다.(S170)
상기 제2 포토레지스트 패턴(30) 및 제2 금속(40)을 폴리싱 하는 것은 상기 제2 금속(40)과 제2 포토레지스트 패턴(30)의 높이를 조절함으로써 최종적으로 형성되는 구동빔(150)의 두께 및 질량을 제어하기 위함이다. 여기서, 2차 폴리싱은 상기 1차 폴리싱의 방법과 실질적으로 동일하다. 즉, 2차 폴리싱은 화학적 폴리싱(CMP)일 수 있다. 이러한 2차 폴리싱 단계를 통해 상기 구동빔(150)을 완성하며, 동시에 가이드빔(160)을 완성한다.
도 6 및 도 14를 참조하면, 상기 구동빔(150)을 최종적으로 완성하면 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(10,30)을 제거한다.(S180)
상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(10, 30)의 제거는 스트립 공정으로 수행될 수 있다.
이와 같이, 상기 멤스 스위치(100)의 제조 방법은 멤스(MEMS) 공정을 통해서 형성됨으로써, 미세 패턴의 형성이 가능하므로 사이즈 축소가 자유롭다. 하나의 기판위에 동시에 다수 개의 멤스 스위치(100)를 형성하는 것이 가능하므로, 생산성이 향상될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면 멤스 스위치는 기판 상에 제1 단자 및 제2 단자가 서로 간격을 두고 형성되고, 제2 단자 상에는 지지대 및 구동빔이 캔틸레버 형태로 형성되어 구동빔의 일 단부가 제1 단자의 상방에 간격을 두고 배치된다. 따라서, 구동빔이 외부의 충격에 의해 휘어짐으로써 상기 제1 단자와 접촉하여 스위칭 동작하게 된다.
이러한 멤스 스위치는 미세 패턴 형성이 가능한 멤스 공정을 통해 제조되므로 초소형 스위치 형성이 가능하다.
또한, 구동빔의 일부분이 스프링 형상을 가짐으로써 회전력이 부여되는 조건하에서 사용될 때 스프링의 압축으로 구동빔의 강성이 증가되어 안정적인 오픈 상태 유지가 가능하다. 따라서 오동작을 예방할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 멤스 스위치 및 이의 제조 방법은 초소형 사이즈의 충격 스위치를 형성하고, 안정적인 스위치 동작이 가능한 충격 스위치를 제조하기 위하여 바람직하게 사용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (9)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 단자;
    상기 기판 상에 형성되고 상기 제1 단자와 간격을 두고 위치한 제2 단자;
    상기 제2 단자 상에 형성되는 도전성 지지대; 및
    상기 지지대에 캔틸레버(cantilever) 형태로 연결되고 상기 기판과 평행한 방향으로 연장되어 일 단부가 상기 제1 단자의 상방에 위치하며 외부의 충격에 의한 휘어짐으로 상기 제1 단자와 접촉하는 도전성 구동빔을 포함하는 멤스 스위치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구동빔은 적어도 일부분이 스프링 구조인 것을 특징으로 하는 멤스 스위치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 구동빔은 상기 제1 단자와 30㎛ 내지 100㎛의 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 멤스 스위치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 외부의 충격에 대한 비가동 조건을 가지며, 상기 비가동 조건은 중력가속도 단위로 0G 내지 40G로 충돌하는 경우에 가해지는 충격력의 범위인 것을 특징으로 하는 멤스 스위치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 구동빔이 연장 방향에 대해 수직한 방향으로 유동하는 것을 억제하기 위하여 상기 구동빔의 양측에 각각 배치되고 상기 구동빔의 연장 방향과 평행한 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드빔을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 스위치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 구동빔은 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하거나, 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하는 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 멤스 스위치.
  7. 기판 상에 서로 간격을 두고 위치하는 제1 단자 및 제2 단자를 형성하는 단계;
    상기 제2 단자 상에 도전성 지지대를 형성하기 위한 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 상기 지지대를 형성용 제1 금속을 증착하는 단계;
    상기 지지대와 캔틸레버 형태로 연결되고 일 단부가 상기 제1 단자의 상방에 위치하는 도전성 구동빔을 형성하기 위한 제2 포토레지스트 패턴을 상기 제1 포토레지스트 패턴 상에 형성하는 단계;
    상기 제2 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 상기 구동빔 형성용 제2 금속을 증착하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 멤스 스위치 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 금속을 증착한 후에 상기 지지대의 높이를 조정하기 위하여 상기 제1 포토레지스트 패턴 및 상기 제1 금속에 대한 1차 폴리싱 단계; 및
    상기 제2 금속을 증착한 후에 상기 구동빔의 두께를 조정하기 위하여 상기 제2 포토레지스트 패턴 및 상기 제2 금속에 대한 2차 폴리싱 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 스위치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속은 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하거나, 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 어느 하나를 포함하는 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 스위치의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109911845A (zh) * 2019-03-07 2019-06-21 无锡众创未来科技应用有限公司 一种低功耗静电驱动式rf mems开关的制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943420B (zh) * 2014-04-15 2017-06-23 清华大学 Mems继电器、悬臂梁开关及其形成方法
KR101943763B1 (ko) * 2017-11-20 2019-01-29 주식회사 풍산 전자식 소형 충격 스위치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002031645A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Tokin Ceramics Corp 衝撃センサ
KR100659298B1 (ko) * 2005-01-04 2006-12-20 삼성전자주식회사 Ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조 방법
JP2009152194A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 General Electric Co <Ge> 導電性機械的ストッパを有するｍｅｍｓスイッチ
JP2009277617A (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微細電子機械スイッチおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002031645A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Tokin Ceramics Corp 衝撃センサ
KR100659298B1 (ko) * 2005-01-04 2006-12-20 삼성전자주식회사 Ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조 방법
JP2009152194A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 General Electric Co <Ge> 導電性機械的ストッパを有するｍｅｍｓスイッチ
JP2009277617A (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微細電子機械スイッチおよびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109911845A (zh) * 2019-03-07 2019-06-21 无锡众创未来科技应用有限公司 一种低功耗静电驱动式rf mems开关的制造方法

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