WO2011125307A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2011125307A1
WO2011125307A1 PCT/JP2011/001833 JP2011001833W WO2011125307A1 WO 2011125307 A1 WO2011125307 A1 WO 2011125307A1 JP 2011001833 W JP2011001833 W JP 2011001833W WO 2011125307 A1 WO2011125307 A1 WO 2011125307A1
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display device
organic
substrate
layer
film
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PCT/JP2011/001833
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French (fr)
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藤原正樹
福島康守
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to a display device such as an organic EL display device.
  • a data line extending in the first direction and arranged in the second direction, a select line extending in the second direction and arranged in the first direction, and the data line and the select line are surrounded.
  • an organic EL display device that includes a TFT substrate having a TFT and an organic EL layer formed in the region, and can be bent in the second direction described above (see, for example, Patent Document 1).
  • a display device such as the organic EL display device described in Patent Document 1 includes a thin film base (for example, about 100 ⁇ m) formed of polyimide resin or the like, and is flexible.
  • a thin film base for example, about 100 ⁇ m
  • the display device bends due to its own weight, and deformation such as warpage or undulation occurs in the display device. As a result, there is a problem that the display becomes difficult to see.
  • the display device bends due to external force such as mechanical stress. Then, due to the bending, stress concentrates on a predetermined portion of the display device, and there is a problem that the display device is broken such as cracks, broken metal wiring lines, and TFT elements. In particular, when such a crack occurs in the manufacturing process, there has been a problem that the yield of the display device is reduced.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, has flexibility and good display performance, breakage such as cracks caused by bending, breakage lines of metal wiring, destruction of TFT elements. It is an object of the present invention to provide a display device that can improve the yield by suppressing the occurrence of the above.
  • a display device of the present invention includes a substrate and a display element formed on the substrate, and a plurality of cells partitioned by cell walls on the opposite side of the substrate from the display element side.
  • the structure which has is provided.
  • the rigidity of the display device can be improved, it is possible to prevent bending due to its own weight, and it is possible to prevent the display device from being deformed such as warping or swell. Become. Therefore, the display performance of the display device can be improved.
  • the stress can be dispersed by the cell wall of the structure body, and concentration of stress at a predetermined portion of the display device can be prevented. It becomes possible. Accordingly, it is possible to prevent breakage such as cracks in the display device, breakage lines of the metal wiring, and destruction of the TFT elements, and it is possible to prevent a decrease in the yield of the display device.
  • the display device can be deformed into a desired shape without causing breakage such as cracks, broken lines of metal wiring, or destruction of TFT elements. It becomes possible.
  • the cell wall may be formed of a resin material or a metal material.
  • an adhesive layer may be provided on the surface of the substrate, and the structure may be provided via the adhesive layer.
  • the structure can be provided on the substrate with a simple configuration.
  • the thickness of the structure may be 10 ⁇ m to 1 mm.
  • the rigidity of the display device can be sufficiently improved without increasing the thickness and weight of the entire display device.
  • the structure may be covered with a coat layer.
  • the cell wall is composed of a first cell wall extending in the bending direction of the display device and a second cell wall extending in a direction orthogonal to the bending direction. May be.
  • the second cell wall can be bent (for example, bent in a roll shape) by the user so as to be deformable in a desired direction, and the first cell.
  • the wall can hold the bent state of the display device. Therefore, it is possible to provide a display device that is excellent in display performance and easy for the user to see.
  • the display device of the present invention can improve the display performance of the display device, and prevent the occurrence of cracks, breakage of metal wiring, breakage of TFT elements, and decrease in yield of the display device. It has an excellent characteristic that can be prevented. Therefore, the present invention can be suitably used for a display device using an organic EL display element as a display element. Further, the present invention can be suitably used for a display device using a liquid crystal display element as a display element.
  • the present invention has flexibility and good display performance, and without causing loss of thinness and lightness, occurrence of breakage such as cracks due to bending, breakage lines of metal wiring, destruction of TFT elements It is possible to provide a display device that can effectively suppress the above and improve the yield.
  • 1 is a plan view of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • 1 is a cross-sectional view of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. It is a top view which shows the structure in the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention. It is the elements on larger scale of the structure shown in FIG. It is a figure which shows the state which hold
  • FIG. 1 is a plan view of an organic EL display device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • 3 is a plan view showing a structure in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a partially enlarged view of the structure shown in FIG.
  • the organic EL display device 1 includes, for example, a display area 32 composed of a plurality of pixels and a peripheral circuit area 48 provided around the display area 32.
  • a drive circuit area 34 provided with the driver section 33 and a terminal area 36 provided with wiring terminals 35 drawn out from the display area 32 are defined.
  • the organic EL display device 1 includes a film-like organic substrate 2 made of a colorless and transparent resin film deposited at room temperature.
  • a material for forming the organic substrate 2 for example, an organic material such as a polyparaxylene resin, an acrylic resin, or a polyimide resin can be used. Note that a metal substrate having flexibility may be used instead of the organic substrate.
  • the thickness of the organic substrate 2 is preferably 3 to 20 ⁇ m. This is because if the thickness is less than 3 ⁇ m, sufficient mechanical strength may not be obtained, and if it is greater than 20 ⁇ m, the flexibility of the organic EL display device 1 may be reduced. .
  • the gate driver and the source driver corresponding to the driver unit 33 shown in FIG. 1 can be monolithic by adopting a TFT using polysilicon as the TFT element.
  • the organic EL display device 1 since the organic substrate 2 of the organic EL display device 1 is formed in a film shape with a polyparaxylene resin or the like, for example, as shown by a dotted frame 37 in FIG. 1. A wide range of areas has good flexibility.
  • the flexible region is not limited to the region indicated by the dotted frame 37 in FIG. 1, but can be formed in a desired range by adjusting the configuration of the film substrate.
  • the flexible printed wiring board (not shown) connected to the wiring terminals 35, and the flexible printed wiring board is used for driving the organic EL display device 1. It is configured to be connected to an IC unit (not shown).
  • a display element layer including a TFT element 4 and the like is formed on the organic substrate 2.
  • the display element layer penetrates through the TFT element 4 formed on the organic substrate 2, the interlayer insulating film 5 such as a SiO 2 film or SiN film provided so as to cover the TFT element 4, and the interlayer insulating film 5.
  • the metal wiring 6 is electrically connected to the TFT element 4.
  • the metal wiring 6 is further extended on the interlayer insulating film 5 to constitute the first electrode 7 of the organic EL display element 11.
  • An insulating film (or bank) 9 that partitions each pixel (region) 20 is formed on the interlayer insulating film 5.
  • the material for forming the insulating film 9 include insulating resin materials such as photosensitive polyimide resin, acrylic resin, methallyl resin, or novolac resin.
  • the thickness of the interlayer insulating film 5 can be set to 0.5 to 1 ⁇ m, for example.
  • the thickness of the insulating film 9 can be set to 2 to 4 ⁇ m, for example.
  • the organic EL display device 1 is a bottom emission type in which light emission is extracted from the first electrode 7 side
  • the first electrode 7 has a high work such as ITO or SnO 2 from the viewpoint of improving the light extraction efficiency. It is preferable to use a thin film of a material having a function and high light transmittance.
  • the organic EL layer 8 is formed on the first electrode 7.
  • the organic EL layer 8 includes a hole transport layer and a light emitting layer.
  • the hole transport layer is not limited as long as the hole injection efficiency is good.
  • organic materials such as a triphenylamine inducer, a polyparaphenylene vinylene (PPV) inducer, and a polyfluorene derivative can be used.
  • the light emitting layer is not particularly limited, and for example, 8-hydroxyquinolol inducer, thiazole inducer, benzoxazole inducer and the like can be used. Moreover, you may combine 2 or more types among these materials, and may combine additives, such as dopant material.
  • the organic EL layer 8 has a two-layer structure of a hole transport layer and a light emitting layer, it is not limited to this configuration. That is, the organic EL layer 8 may have a single layer structure composed of only the light emitting layer. In addition, the organic EL layer 8 may be configured by one or more of a hole transport layer, a hole injection layer, an electron injection layer, and an electron transport layer, and a light emitting layer.
  • a second electrode 10 is formed on the organic EL layer 8 and the insulating film 9.
  • the second electrode 10 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 8.
  • the 2nd electrode 10 can be comprised by thin films, such as Mg, Li, Ca, Ag, Al, In, Ce, or Cu, for example, it is not limited to this at all.
  • the organic EL display element 11 is formed by the first electrode 7, the organic EL layer 8 having a light emitting layer and the second electrode 10 formed on the organic EL layer 8 while being formed on the first electrode 7. It is configured.
  • the first electrode 7 has a function of injecting holes into the organic EL layer 8
  • the second electrode 10 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 8.
  • the holes and electrons injected from the first electrode 7 and the second electrode 10 are recombined in the organic EL layer 8, whereby the organic EL layer 8 emits light.
  • the organic substrate 2 and the first electrode 7 are configured to be light transmissive
  • the second electrode 10 is configured to be light reflective. Light emission is transmitted through the first electrode 7 and the organic substrate 2 and extracted from the organic EL layer 8. (Bottom emission method).
  • planarizing film 12 made of acrylic resin, polyparaxylene resin or the like is formed on the second electrode 10. Note that the thickness of the planarizing film 12 can be set to 3 to 8 ⁇ m, for example.
  • a sealing film 18 composed of a laminate of the resin films 13, 15, 17, the inorganic film 14 and the metal oxide film 16 is formed.
  • the resin films 13, 15, and 17 may be formed using the same resin material as that of the planarizing film 12, or may be formed using other resin materials.
  • the inorganic film 14 and the metal oxide film 16 are formed using, for example, SiNx, SiO 2 or Al 2 O 3 .
  • the sealing film 18 does not have to be laminated with multiple layers of resin film and inorganic film as described above, and may be formed one by one. Further, the sealing film 18 may be configured using a metal thin film. The thickness of the sealing film 18 can be set to 1 to 5 ⁇ m, for example.
  • the TFT element 4 is a TFT using amorphous silicon, for example, and uses amorphous silicon as a channel. Since this TFT element 4 is amorphous, it has a lower carrier mobility of electrons and the like than a TFT element using polysilicon, but provides a display device having a large screen (that is, a large display region). It becomes possible to do.
  • an oxide semiconductor semiconductor layer formed of an IGZO (In—Ga—Zn—O) -based oxide semiconductor film capable of high-speed movement was used instead of the amorphous silicon semiconductor layer.
  • a TFT may be used.
  • the organic EL display device 1 has a configuration in which the TFT element 4 that is the switching element of the pixel 20 and the organic EL display element 11 are formed on the organic substrate 2 that is a film-like substrate. .
  • the honeycomb structure 30 is provided on the surface 2b of the organic substrate 2 opposite to the organic EL display element 11 side.
  • a honeycomb structure 30 that improves the rigidity of the organic EL display device 1 is provided on the surface 2b of the organic substrate 2 opposite to the surface 2a on which the organic EL display element 11 is provided.
  • a feature in that is a feature in that.
  • the rigidity of the organic EL display device 1 can be improved, it is possible to prevent bending due to its own weight, and the organic EL display device 1 can be deformed such as warping and swell. It becomes possible to prevent. Therefore, the display performance of the organic EL display device 1 can be improved.
  • the stress 40 can be dispersed by the cell walls 30a of the honeycomb structure 30 as shown in FIG. It becomes possible. That is, since the stress 40 generated at the time of bending is dispersed while propagating through the cell wall 30a, it is possible to prevent stress concentration at a predetermined location of the organic EL display device 1. Accordingly, it is possible to prevent breakage such as cracks in the organic EL display device 1, breakage lines of the metal wiring, and breakage of the TFT element 4, and prevent the yield of the organic EL display device 1 from being lowered. It becomes possible.
  • the desired shape can be obtained without causing breakage such as cracks, broken lines of metal wiring, and destruction of the TFT element 4. It can be deformed.
  • the honeycomb structure 30 is laminated on the surface 2b of the organic substrate 2 with an adhesive layer 31 interposed therebetween.
  • the honeycomb-shaped structure 30 is partitioned by a cell wall (partition wall) 30 a and the cell wall 30 a, and the thickness direction of the honeycomb-shaped structure 30 (that is, organic EL)
  • the display device 1 includes a plurality of cells (space portions) 30b penetrating in the thickness direction of the display device 1 (in the direction of arrow X shown in FIG. 2).
  • the cell walls 30a of the honeycomb-shaped structure 30 are arranged so as to have a substantially hexagonal cross section as shown in FIGS.
  • the cell 30b partitioned by the cell wall 30a has a substantially hexagonal cross section as shown in FIGS.
  • the rigidity of the organic EL display device 1 can be improved and flexibility can be imparted to the honeycomb-shaped structure 30. If it is, it will not specifically limit.
  • it is formed of a resin material such as polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, acrylic resin, polycarbonate resin, stainless steel, iron, aluminum, titanium, nickel, chromium, molybdenum, tantalum, or an alloy thereof. Metal materials can be used.
  • the thickness of the honeycomb structure 30 is preferably 10 ⁇ m to 1 mm, and more preferably 50 ⁇ m to 500 ⁇ m. This is because when the thickness is less than 10 ⁇ m, the rigidity of the organic EL display device 1 may not be sufficiently improved. When the thickness is larger than 1 mm, the thickness and weight of the organic EL display device 1 as a whole are large. This is because the size may increase.
  • the thickness of the honeycomb-shaped structure 30 is determined by the usage form of the product in which the honeycomb-shaped structure 30 is used, the Young's modulus, the weight, etc. of the material constituting the honeycomb-shaped structure 30.
  • an adhesive agent which comprises the adhesive bond layer 31 does not specifically limit as an adhesive agent which comprises the adhesive bond layer 31
  • various resin adhesives such as an epoxy resin type, a butyral resin type, an acrylic resin type, are mentioned, for example. It is done.
  • 6 to 13 are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.
  • the manufacturing method shown below is merely an example, and the organic EL display device according to the present invention is not limited to the one manufactured by the method shown below.
  • a glass substrate 50 having a thickness of about 0.7 mm is prepared as a support substrate.
  • 51 is formed with a thickness of about 0.1 to 1 ⁇ m, for example.
  • a resin material of the sacrificial film 51 that satisfies such conditions for example, a polyimide resin can be used.
  • the sacrificial film 51 is for favorably peeling the glass substrate 50.
  • a film-like organic substrate 2 made of a transparent resin film is formed on the sacrificial film 51 with a thickness of about 5 ⁇ m, for example.
  • the resin material forming the organic substrate polyimide resin, fluorene epoxy resin, and fluorine resin can be used.
  • the organic substrate 2 is formed by applying a resin on the surface of the sacrificial film 51.
  • the sacrificial film is omitted by forming the organic substrate 2 using the same resin material as that for forming the sacrificial film 51. It is good also as a structure.
  • the organic substrate 2 may be bonded to the glass substrate 50.
  • a metal film, a semiconductor film, and the like are formed and patterned on the organic substrate 2 to form the TFT element 4 that is the switching element of the pixel 20.
  • an interlayer insulating film 5 is formed on the organic substrate 2 on which the TFT element 4 is formed using, for example, a SiO 2 film or a SiN film so as to have a thickness of about 1 to 2 ⁇ m.
  • a contact hole is provided from the surface of the interlayer insulating film 5 to the TFT element 4, a metal wiring 6 electrically connected to the TFT element 4 is formed by a transparent conductive material such as ITO, and further, for example, about 150 nm by patterning or the like.
  • the first electrode 7 having the thickness is formed.
  • an organic EL layer 8 is provided by forming a hole transport layer and a light emitting layer on the first electrode 7.
  • a hole transport material paint in which an organic polymer material that is a hole transport material is dissolved or dispersed in a solvent is supplied onto the exposed first electrode 7 by, for example, an inkjet method or the like. .
  • a hole transport layer is formed by performing a baking treatment.
  • an organic light-emitting material paint in which an organic polymer material that is a light-emitting material is dissolved or dispersed in a solvent is supplied so as to cover the hole transport layer by, for example, an inkjet method.
  • a light emitting layer is formed by performing a baking process.
  • the second electrode 10 is formed on the insulating film 9 and the organic EL layer 8 by sputtering, etc. using Mg, Li, Ca, Ag, Al, In, Ce, Cu, or the like.
  • the thickness of the second electrode 10 is about 150 nm, for example.
  • a TEOS film, a SiN film or the like is formed on the second electrode 10, and the surface is polished by chemical mechanical polishing (CMP) or the like to form the planarizing film 12.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a resin film 13, an inorganic film 14, a resin film 15, a metal oxide film 16, and a resin film 17 are formed in this order on the planarizing film 12, thereby forming a sealing film 18.
  • the laminated body 38 is manufactured.
  • the resin films 13, 15, and 17 are formed using, for example, polyparaxylene-based resin or the like so as to have a thickness of about 5 ⁇ m.
  • the inorganic film 14 and the metal oxide film 16 are formed using SiNx, SiO 2 , Al 2 O 3, or the like, for example, so as to have a thickness of about 500 nm.
  • the produced laminate 38 is transferred to a transfer film 39.
  • a material which comprises the transfer film 39 the mold release film etc. from which adhesiveness falls by UV or heat processing are mentioned, for example.
  • the glass substrate 50 is peeled off by irradiating laser light (arrows in FIG. 10) from the glass substrate 50 side.
  • the removal of the glass substrate 50 may not be peeling by laser light irradiation.
  • the glass substrate 50 may be removed using a polishing and etching apparatus.
  • the sacrificial film 51 exposed by removing the glass substrate 50 is removed by plasma etching.
  • the removal of the sacrificial film 51 is not limited to plasma etching, and may be performed by, for example, microwave plasma etching.
  • the sacrificial film 51 does not need to be etched.
  • a polyethylene terephthalate resin or stainless steel is interposed via an adhesive layer 31.
  • the cell wall 30a formed by, for example, is attached to form a honeycomb structure 30 having a thickness of 150 ⁇ m, for example.
  • the organic EL display device 1 shown in FIG. 2 can be manufactured.
  • the honeycomb structure 30 having a plurality of cells 30b partitioned by the cell walls 30a is provided on the opposite side of the organic substrate 2 from the organic EL display element 11 side. Therefore, since the rigidity of the organic EL display device 1 can be improved, it is possible to prevent bending due to its own weight, and it is possible to prevent the organic EL display device 1 from being deformed such as warpage or swell. It becomes possible. As a result, the display performance of the organic EL display device 1 can be improved.
  • the stress 40 can be dispersed by the cell walls 30a of the honeycomb structure 30. Further, it is possible to prevent stress concentration at a predetermined location of the organic EL display device 1. Accordingly, it is possible to prevent breakage such as cracks in the organic EL display device 1, breakage lines of the metal wiring, and breakage of the TFT element 4, and prevent the yield of the organic EL display device 1 from being lowered. It becomes possible.
  • the cell wall 30a is formed of a resin material or a metal material. Therefore, the honeycomb structure 30 can be formed from an inexpensive and versatile material.
  • the adhesive layer 31 is provided on the surface 2 b of the organic substrate 2, and the honeycomb structure 30 is provided via the adhesive layer 31. Therefore, the honeycomb structure 30 can be provided on the organic substrate 2 with a simple configuration.
  • the thickness of the honeycomb-shaped structure 30 is set to 10 ⁇ m to 1 mm. Accordingly, the rigidity of the organic EL display device 1 can be sufficiently improved without increasing the thickness and weight of the entire organic EL display device 1.
  • FIG. 14 is a perspective view showing a structure in an organic EL display device according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 15 is a perspective view showing an organic EL display device according to the second embodiment of the present invention. It is. Note that the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. Also in the present embodiment, an organic EL display device will be described as an example of the display device. The method for manufacturing the organic EL display device is the same as that in the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted here.
  • a lattice-like structure 41 is provided instead of the honeycomb-like structure 30 described above.
  • the cell wall 42 of the lattice-like structure 41 is orthogonal to the bending direction Y and the first cell wall 42a extending in the bending direction of the organic EL display device 1 (the direction of the arrow Y shown in FIG. 15). It is characterized in that it is composed of a second cell wall 42b extending in the direction (the direction of arrow Z shown in FIG. 15).
  • the organic EL display device 1 when the organic EL display device 1 has one bending direction, the second cell wall 42b extending in the direction Z orthogonal to the bending direction Y shown in FIG. That is, it can be easily bent in a bending direction Y) (for example, bent in a roll shape as shown in FIG. 15), and in the direction Z perpendicular to the bending direction Y, the organic EL display device 1 can be bent. Bending can be prevented.
  • the first cell wall 42a extending in the bending direction Y improves the self-supporting property of the organic EL display device 1 bent in the bending direction Y, and holds (saves) the bent state of the organic EL display device 1. It becomes possible. As a result, in the organic EL display device 1, it is easy to bend in one direction and it is difficult to bend in multiple directions. Therefore, the user can deform the organic EL display device 1 into a desired shape, and the display performance is excellent. It becomes possible to provide the organic EL display device 1 that is easy for the user to see.
  • the flexibility (flexibility) of the organic EL display device 1 in the bending direction Y and the retention of the bent state are adjusted by appropriately changing the material and thickness of each of the first and second cell walls 42a, 42b. can do.
  • the flexibility of the organic EL display device 1 in the bending direction Y is changed by changing the distance between the first cell walls 42a (or the distance between the second cell walls 42b) to change the shape of the plurality of cells 30b. It is good also as a structure which adjusts (flexibility) and the retention of a bending state.
  • the distance D between the first cell walls 42a can be increased as compared to the state shown in FIG.
  • the cell wall 42 includes a first cell wall 42 a extending in the bending direction Y and a second cell wall 42 b extending in the direction Z orthogonal to the bending direction Y. is doing. Accordingly, the second cell wall 42b allows the user to bend the organic EL display device 1 in a desired direction in a deformable manner. Further, the first cell wall 42a can improve the self-supporting property of the organic EL display device 1 bent in the bending direction Y, and can hold (save) the bent state of the organic EL display device 1. As a result, it is possible to provide the organic EL display device 1 that has excellent display performance and is easy for the user to see.
  • FIG. 18 is a plan view showing the overall configuration of a liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention
  • FIG. 21 is the entire TFT substrate constituting the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows a structure.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing the overall configuration of the display unit of the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention.
  • a liquid crystal display device will be described as an example of the display device.
  • the liquid crystal display device 70 includes a TFT substrate 52 that is a first substrate and a CF substrate 53 that is a second substrate disposed to face the TFT substrate 52.
  • the liquid crystal display device 70 is sandwiched between the TFT substrate 52 and the CF substrate 53, and the liquid crystal layer 54, which is a display medium layer sandwiched between the TFT substrate 52 and the CF substrate 53.
  • the substrate 52 and the CF substrate 53 are bonded to each other and a sealing material 80 provided in a frame shape is provided to enclose the liquid crystal layer 54.
  • the sealing material 80 is formed so as to go around the liquid crystal layer 54, and the TFT substrate 52 and the CF substrate 53 are bonded to each other via the sealing material 80.
  • the liquid crystal display device 70 includes a plurality of photo spacers (not shown) for regulating the thickness of the liquid crystal layer 54 (that is, the cell gap).
  • the liquid crystal display device 70 is formed in a rectangular shape, and in the longitudinal direction A of the liquid crystal display device 70, the TFT substrate 52 protrudes from the CF substrate 53 on the upper side, and the protrusion In the region, a plurality of display wirings such as gate lines and source lines, which will be described later, are drawn out to form a terminal region T.
  • a display area D for displaying an image is defined in an area where the TFT substrate 52 and the CF substrate 53 overlap.
  • the display area D is configured by arranging a plurality of pixels, which are the minimum unit of an image, in a matrix.
  • the sealing material 80 is provided in a rectangular frame shape surrounding the entire periphery of the display area D as shown in FIG.
  • the frame width of the sealing material 80 is not particularly limited, but can be set to 0.5 mm or more and 2.0 mm or less, for example.
  • the TFT substrate 52 covers an insulating substrate 56 such as a glass substrate, a plurality of gate lines 61 extending in parallel on the insulating substrate 56, and the gate lines 61.
  • the gate insulating film 62 is provided.
  • the TFT substrate 52 has a plurality of source lines 64 extending in parallel to each other in a direction orthogonal to the gate lines 61 on the gate insulating film 62, and each intersection of the gate lines 61 and the source lines 64.
  • a plurality of TFT elements 55 are provided.
  • the TFT substrate 52 includes a first interlayer insulating film 65 and a second interlayer insulating film 66 which are interlayer insulating films 60 provided in order so as to cover each source line 64 and each TFT element 55, and a second interlayer insulating film.
  • a plurality of pixel electrodes 69 provided in a matrix on 66 and connected to each of the TFT elements 55, and an alignment film 59 provided so as to cover each pixel electrode 69.
  • the TFT element 55 includes a gate electrode 67 in which each gate line 61 protrudes sideways, a gate insulating film 62 provided so as to cover the gate electrode 67, and the gate insulating film 62.
  • the semiconductor layer 63 is provided in an island shape at a position overlapping the gate electrode 67.
  • the TFT element 55 includes a source electrode 68 and a drain electrode 77 provided on the semiconductor layer 63 so as to face each other.
  • the source electrode 68 is a portion where each source line 64 protrudes to the side.
  • the drain electrode 77 is connected to the pixel electrode 69 via a contact hole 84 formed in the first interlayer insulating film 65 and the second interlayer insulating film 66.
  • the pixel electrode 69 includes a transparent electrode 81 provided on the second interlayer insulating film 66, and a reflective electrode that is stacked on the transparent electrode 81 and provided on the surface of the transparent electrode 81. 82.
  • the semiconductor layer 63 includes a lower intrinsic amorphous silicon layer 63 a and an upper layer n + amorphous silicon layer 63 b doped with phosphorus, and is exposed from the source electrode 68 and the drain electrode 77.
  • the intrinsic amorphous silicon layer 63a that constitutes the channel region.
  • the reflective region R is defined by the reflective electrode 82.
  • the surface of the second interlayer insulating film 66 under the pixel electrode 69 is formed in an uneven shape, and is provided on the surface of the second interlayer insulating film 66 via the transparent electrode 81.
  • the surface of the reflective electrode 82 is also formed in an uneven shape.
  • the material forming the first interlayer insulating film 65 is not particularly limited, and examples thereof include silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (SiNx (x is a positive number)).
  • the thickness of the first interlayer insulating film 65 is preferably 600 nm or more and 1000 nm or less. This is because when the thickness of the first interlayer insulating film 65 is less than 600 nm, it may be difficult to planarize the first interlayer insulating film 65. When the thickness is larger than 1000 nm, This is because there is a case where it becomes difficult to form the contact hole 84 by etching.
  • the CF substrate 53 is provided so as to cover an insulating substrate 71 such as a glass substrate, a color filter 72 provided on the insulating substrate 71, and a reflection region R of the color filter 72. It has a common electrode 74, a photo spacer (not shown) provided in a column shape on the common electrode 74, and an alignment film 76 provided so as to cover the common electrode 74 and the photo spacer.
  • the color filter 72 includes a plurality of types of colored layers 78 (that is, a red layer R, a green layer G, and a blue layer B) provided for each pixel, and a light shielding film.
  • a certain black matrix 83 is included.
  • the black matrix 83 is provided between adjacent colored layers 78 and has a role of partitioning the plurality of types of colored layers 78.
  • the black matrix 83 is made of a metal material such as Ta (tantalum), Cr (chromium), Mo (molybdenum), Ni (nickel), Ti (titanium), Cu (copper), Al (aluminum), or a black pigment such as carbon.
  • a metal material such as Ta (tantalum), Cr (chromium), Mo (molybdenum), Ni (nickel), Ti (titanium), Cu (copper), Al (aluminum), or a black pigment such as carbon.
  • the photo spacer is made of, for example, an acrylic photosensitive resin, and is formed by a photolithography method.
  • the liquid crystal display element 85 is configured by the pixel electrode 69, the liquid crystal layer 54 formed in a pixel electrode shape, and the common electrode 74 formed on the liquid crystal layer 54.
  • the reflection type liquid crystal display device 70 having the above-described configuration is configured such that light incident from the CF substrate 53 side in the reflection region R is reflected by the reflection electrode 82.
  • the liquid crystal display device 70 one pixel is formed for each pixel electrode 69.
  • the source line A source signal is sent from 64 and a predetermined charge is written into the pixel electrode 69 through the source electrode 68 and the drain electrode 77.
  • a potential difference is generated between the pixel electrode 69 and the common electrode 74, and a predetermined voltage is applied to the liquid crystal layer 54.
  • the reflectance of light incident from the CF substrate 53 side is adjusted by utilizing the change in the alignment state of the liquid crystal molecules according to the magnitude of the applied voltage. Is displayed.
  • the side opposite to the liquid crystal display element 85 side in the insulating substrate 56 is characterized in that a honeycomb-like structure 30 is provided on the surface 56b.
  • the honeycomb structure 30 for improving the rigidity of the liquid crystal display device 70 is provided on the surface 56b of the insulating substrate 56 opposite to the surface 56a on which the liquid crystal display element 85 is provided.
  • the honeycomb structure 30 is configured such that the adhesive layer 31 is provided on the surface 56 b of the insulating substrate 56 and is provided via the adhesive layer 31.
  • the same effects as the above (1) to (4) can be obtained. That is, since the rigidity of the liquid crystal display device 70 can be improved, it is possible to prevent bending due to its own weight, and it is possible to prevent the liquid crystal display device 70 from being deformed such as warpage or swell. Become. Therefore, the display performance of the liquid crystal display device 70 can be improved.
  • the liquid crystal display device 70 since it is possible to prevent bending due to its own weight, even when the end of the liquid crystal display device 70 is gripped, it is self-supporting with respect to the support at the end (that is, it does not bend and does not deform). The independence of the display device 70 can be improved.
  • the stress 40 can be dispersed by the cell walls 30a of the honeycomb structure 30. It becomes possible to prevent the concentration of stress at 70 predetermined locations. Accordingly, it is possible to prevent breakage such as cracks in the liquid crystal display device 70, breakage lines of the metal wiring, and breakage of the TFT element 55, and it is possible to prevent the yield of the liquid crystal display device 70 from being lowered. Become.
  • the desired shape can be obtained without causing breakage such as cracks, broken lines of metal wiring, and destruction of the TFT element 55. It can be deformed.
  • the honeycomb structure 30 including the cells 30b having the substantially hexagonal cross section which is arranged so that the cell wall 30a has the substantially hexagonal cross section is defined.
  • the arrangement of the cell walls 30a and the cross-sectional shape of the cells 30b can be appropriately changed.
  • a structure 43 having a cell 43b having a substantially circular cross-section partitioned by the cell wall 43a and having a cell wall 43a having a substantially circular cross-section is used. It is good also as a structure.
  • a cell body 47a is arranged so as to have a substantially triangular cross section, and a structure 47 including a cell 47b having a substantially triangular cross section partitioned by the cell wall 47a is provided. It is good also as a structure to use.
  • a honeycomb structure 30 is covered with a coat layer 45, and a laminate structure including the honeycomb structure 30 and the coat layer 45 is formed. 46 may be laminated on the surface 2 b of the organic substrate 2 via the adhesive layer 31. With such a configuration, it is possible to effectively prevent the organic substrate 2 to which the honeycomb structure 30 is attached from being damaged.
  • the honeycomb structure 30 is covered with the coat layer 45, and the laminate structure 46 including the honeycomb structure 30 and the coat layer 45 is replaced with the insulating substrate 56. It is good also as a structure laminated
  • an epoxy resin can be used as a material for forming the coat layer 45 .
  • a method of forming the coat layer 45 for example, a method of coating an epoxy resin on the surface of the honeycomb structure 30 by a CVD method can be employed.
  • the laminate structure 46 can be formed by attaching a sheet-like coat layer 45 formed of PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate) to the surface of the honeycomb-like structure 30.
  • the thickness of the coat layer 45 can be set to 300 ⁇ m, for example.
  • the structure 41 described in the above second embodiment may be used instead of the honeycomb structure 30.
  • the cell wall 42 of the structure 41 includes a first cell wall 42a extending in the bending direction of the liquid crystal display device 70 and a second cell wall 42b extending in a direction orthogonal to the bending direction. Will be. With such a configuration, the same effect as the above (8) can be obtained.
  • a TFT using amorphous silicon is used as the TFT element 4.
  • a TFT element using a zinc oxide based semiconductor as a channel a TFT element using an organic semiconductor as a channel, A TFT element using a carbon nanotube as a channel may be used. With such a configuration, it is possible to form the TFT element 4 capable of increasing the screen size by using a versatile material as in the case of using a TFT using amorphous silicon as the TFT element 4.
  • the display device related to organic EL (organic electro luminescence) and LCD (liquid crystal display) has been shown.
  • the display device includes electrophoresis (electrophoretic), PD (plasma display); Plasma display), PALC (plasma addressed liquid crystal display), inorganic EL (inorganic electroluminescence), FED (field emission display), or SED (surface-conduction electron-emitter display) Electric field display) or the like.
  • the present invention is useful for display devices such as organic EL display devices having flexibility.

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Abstract

　有機ＥＬ表示装置（１）は、有機基板（２）と、有機基板（２）上に形成された有機ＥＬ表示素子（１１）とを備えている。そして、有機基板（２）における有機ＥＬ表示素子（１１）側とは反対側に、セル壁（３０ａ）によって区画された複数のセル（３０ｂ）を有するハニカム状の構造体（３０）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、有機ＥＬ表示装置等の表示装置に関する。
　近年、ディスプレイ分野では、フレキシブル性、耐衝撃性や軽量性の点でガラス基板に比べて大きなメリットのある有機基板等を用いた薄型の表示装置が非常に注目を浴びており、ガラス基板のディスプレイでは不可能であった新たなディスプレイが創出される可能性を秘めている。
　例えば、第１の方向に延在するとともに第２の方向に配列するデータ線と、第２の方向に延在するとともに第１の方向に配列したセレクト線と、データ線とセレクト線とで囲まれた領域にＴＦＴと有機ＥＬ層が形成されたＴＦＴ基板を備え、上述の第２の方向に湾曲することが可能な有機ＥＬ表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００９－４８００７号公報
　ここで、一般に、上記特許文献１に記載の有機ＥＬ表示装置のような表示装置においては、ポリイミド樹脂等により形成された厚みの薄い（例えば、１００μｍ程度）フィルム基材を備えており、フレキシブル性を有するが、当該フレキシブル性が高いと自重により撓んでしまい、表示装置に反りやうねり等の変形が発生する。その結果、表示が見えにくくなるという問題があった。
　また、フレキシブル性が高いと、機械的なストレス等の外力により表示装置が屈曲する。そうすると、当該屈曲に起因して、表示装置の所定箇所に応力が集中してしまい、表示装置にクラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子の破壊が発生するという問題があった。また、特に、製造工程において、このようなクラックが発生すると、表示装置の歩留まりが低下するという問題が生じていた。
　そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、フレキシブル性を有するとともに良好な表示性能を有し、屈曲に起因するクラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子の破壊の発生を抑制して、歩留まりを向上することができる表示装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の表示装置は、基板と、基板上に形成された表示素子とを備え、基板における表示素子側とは反対側に、セル壁によって区画された複数のセルを有する構造体が設けられていることを特徴とする。
　同構成によれば、表示装置の剛性を向上させることができるため、自重による撓みを防止することが可能になり、表示装置に反りやうねり等の変形が発生するのを防止することが可能になる。従って、表示装置の表示性能を向上させることができる。
　また、自重による撓みを防止することができるため、表示装置の端部を把持した場合であっても、端部における支持に対して自立し、表示装置の自立性を向上させることができる。
　また、機械的なストレス等の外力により表示装置が屈曲した場合であっても、構造体のセル壁により、応力を分散することができ、表示装置の所定箇所における応力の集中を防止することが可能になる。従って、表示装置におけるクラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子の破壊の発生を防止することが可能になるとともに、表示装置の歩留まりの低下を防止することが可能になる。
　更に、ユーザーが意図的に表示装置に対して応力を加えた場合であっても、クラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子の破壊を生じることなく、所望の形状に変形させることが可能になる。
　また、本発明の表示装置においては、セル壁が、樹脂材料または金属材料により形成されていてもよい。
　同構成によれば、安価かつ汎用性のある材料により、構造体を形成することが可能になる。
　また、本発明の表示装置においては、基板の表面上に接着剤層が設けられ、構造体が、接着剤層を介して設けられていてもよい。
　同構成によれば、簡単な構成で、基板に構造体を設けることが可能になる。
　また、本発明の表示装置においては、構造体の厚みが、１０μｍ～１ｍｍであってもよい。
　同構成によれば、表示装置全体の厚み及び重みを大きくすることなく、表示装置の剛性を十分に向上させることができる。
　また、本発明の表示装置においては、構造体が、コート層により被覆されていてもよい。
　同構成によれば、構造体が取り付けられた有機基板の破損を効果的に防止することが可能になる。
　また、本発明の表示装置においては、セル壁が、表示装置の屈曲方向に延設された第１セル壁と、屈曲方向と直交する方向に延設された第２セル壁とから構成されていてもよい。
　同構成によれば、表示装置の屈曲方向が１方向の場合、第２セル壁により、ユーザーが所望の方向に変形自在に屈曲（例えば、ロール状に屈曲）させることができるとともに、第１セル壁により、表示装置の屈曲状態を保持することが可能になる。従って、表示性能に優れた、ユーザーが見易い表示装置を提供することが可能になる。
　また、本発明の表示装置は、表示装置の表示性能を向上させることができるとともに、クラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子の破壊の発生を防止して、表示装置の歩留まりの低下を防止することができるという優れた特性を備えている。従って、本発明は、表示素子に、有機ＥＬ表示素子を使用した表示装置に好適に使用できる。また、本発明は、表示素子に、液晶表示素子を使用した表示装置に好適に使用できる。
　本発明によれば、フレキシブル性を有するとともに良好な表示性能を有し、薄さ・軽さを損なわずに、屈曲に起因するクラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子の破壊の発生を効果的に抑制して、歩留まりを向上することができる表示装置を提供することが可能になる。
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における構造体を示す平面図である。 図３に示す構造体の部分拡大図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の端部を把持した状態を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における構造体を示す斜視図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す斜視図である。 図１４に示す構造体の変形例を説明するための図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図である。 本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の全体構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の表示部の全体構成を示す断面図である。 本発明の構造体の変形例を説明するための平面図である。 本発明の構造体の変形例を説明するための平面図である。
　（第１の実施形態）
　以下、本発明の実施形態に係る表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本実施形態においては、表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図であり、図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。また、図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における構造体を示す平面図であり、図４は、図３に示す構造体の部分拡大図である。
　図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、例えば、複数の画素等で構成される表示領域３２と表示領域３２の周辺に設けられた周辺回路領域４８とを備えている。
　また、周辺回路領域４８には、ドライバ部３３が設けられた駆動回路領域３４と、表示領域３２から引き出された配線端子３５が設けられた端子領域３６が規定されている。
　また、有機ＥＬ表示装置１は、室温で蒸着された無色透明の樹脂膜で構成されたフィルム状の可撓性（フレキシビリティー）を有する有機基板２を備える。この有機基板２を形成する材料としては、例えば、ポリパラキシレン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機材料を用いることができる。なお、有機基板の代わりに、可撓性を有する金属基板を使用する構成としても良い。
　また、有機基板２の厚みとしては、３～２０μｍが好ましい。これは、厚みが３μｍ未満の場合は、十分な機械的強度が得られない場合があり、また、２０μｍよりも大きい場合は、有機ＥＬ表示装置１の柔軟性が低下する場合があるからである。
　また、図１に示すドライバ部３３にあたるゲートドライバやソースドライバは、ＴＦＴ素子としてポリシリコンを用いたＴＦＴを採用することによりモノリシック化が可能である。また、有機ＥＬ表示装置１は、上述のごとく、有機ＥＬ表示装置１の有機基板２がポリパラキシレン系樹脂等でフィルム状に形成されているため、例えば、図１の点線枠３７に示すような広範囲な領域が良好なフレキシブル性を有している。
　また、フレキシブルな領域は、図１の点線枠３７で示す領域に限らず、フィルム基板の構成等を調節することにより、所望の範囲に形成することができる。
　なお、図１に示す端子領域３６には、配線端子３５に接続されたフレキシブルプリント配線板（不図示）が設けられており、当該フレキシブルプリント配線板が、有機ＥＬ表示装置１を駆動するためのＩＣ部（不図示）と接続される構成となっている。
　また、図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１においては、有機基板２上には、ＴＦＴ素子４等を備えた表示素子層が形成されている。この表示素子層は、有機基板２上に形成されたＴＦＴ素子４と、ＴＦＴ素子４を覆うように設けられたＳｉＯ２膜やＳｉＮ膜等の層間絶縁膜５と、層間絶縁膜５を貫通してＴＦＴ素子４に電気的に接続されたメタル配線６により構成されている。
　メタル配線６は、さらに層間絶縁膜５上に延長されて、有機ＥＬ表示素子１１の第１電極７を構成している。
　また、層間絶縁膜５上には、各画素（領域）２０を区画する絶縁膜（または、バンク）９が形成されている。この絶縁膜９を形成する材料としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、メタリル系樹脂、またはノボラック系樹脂等の絶縁性の樹脂材料が挙げられる。なお、層間絶縁膜５の厚みは、例えば、０．５～１μｍとすることができる。また、絶縁膜９の厚みは、例えば、２～４μｍとすることができる。
　有機ＥＬ表示装置１は、第１電極７側から発光を取り出すボトムエミッション型であるため、発光の取り出し効率を向上する観点から、第１電極７は、例えば、ＩＴＯや、ＳｎＯ２等の高い仕事関数を有し、かつ、光透過率の高い材料の薄膜により構成することが好ましい。
　第１電極７上には、有機ＥＬ層８が形成されている。有機ＥＬ層８は、ホール輸送層と発光層とからなる。ホール輸送層は、ホール注入効率がよいものであれば、何ら限定されるものではない。ホール輸送層の材料としては、例えば、トリフェニルアミン誘動体、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘動体、ポリフルオレン誘導体などの有機材料等を用いることができる。
　発光層は、特に限定されるものではなく、例えば、８－ヒドロキシキノリロール誘動体、チアゾール誘動体、ベンズオキサゾール誘動体等を用いることができる。また、これらの材料のうち２種以上を組み合わせたり、ドーパント材料などの添加剤を組み合わせてもよい。
　なお、有機ＥＬ層８をホール輸送層と発光層との２層構造としているが、何らこの構成に限定されるものではない。即ち、有機ＥＬ層８は、発光層のみからなる単層構造であっても構わない。また、有機ＥＬ層８を、ホール輸送層、ホール注入層、電子注入層、及び、電子輸送層のうちの１層または２層以上と、発光層とにより構成してもよい。
　また、有機ＥＬ層８及び絶縁膜９上には、第２電極１０が形成されている。第２電極１０は、有機ＥＬ層８に電子を注入する機能を有する。第２電極１０は、例えば、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｅ又はＣｕ等の薄膜により構成することができるが、何らこれに限定されるものではない。
　そして、第１電極７と、第１電極７上に形成されるとともに、発光層を有する有機ＥＬ層８と、有機ＥＬ層８上に形成された第２電極１０とにより有機ＥＬ表示素子１１が構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置１では、第１電極７は有機ＥＬ層８にホールを注入する機能を有し、また、第２電極１０は有機ＥＬ層８に電子を注入する機能を有する。第１電極７と、第２電極１０とからそれぞれ注入されたホールと電子とが有機ＥＬ層８で再結合することにより、有機ＥＬ層８が発光する仕組みとなっている。また、有機基板２及び第１電極７は光透過性に、第２電極１０は光反射性に構成されており、発光は第１電極７及び有機基板２を透過して有機ＥＬ層８から取り出される仕組みとなっている（ボトムエミッション方式）。
　また、第２電極１０上には、アクリル樹脂やポリパラキシレン樹脂等からなる平坦化膜１２が形成されている。なお、平坦化膜１２の厚みは、例えば、３～８μｍとすることができる。
　平坦化膜１２上には、樹脂膜１３，１５，１７、無機膜１４及び金属酸化膜１６の積層体により構成された封止膜１８が形成されている。樹脂膜１３，１５，１７は、平坦化膜１２と同様の樹脂材料を用いて形成しても良く、その他の樹脂材料を用いて形成しても良い。無機膜１４及び金属酸化膜１６は、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２又はＡｌ２Ｏ３等を用いて形成されている。
　なお、封止膜１８は、樹脂膜と無機膜とが上記のように何重にも積層されていなくても良く、それぞれ１層ずつ形成されていても良い。さらに、封止膜１８は、金属薄膜を用いて構成しても良い。また、封止膜１８の厚みは、例えば、１～５μｍとすることができる。
　また、ＴＦＴ素子４は、例えば、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴであり、アモルファスシリコンをチャネルとするものである。このＴＦＴ素子４は、非晶質であるために、ポリシリコンを用いたＴＦＴ素子に比し、電子等のキャリア移動度が低いが、大画面（即ち、大きな表示領域）を有する表示装置を提供することが可能になる。
　なお、ＴＦＴ素子４として、アモルファスシリコンの半導体層の代わりに、高速移動が可能なＩＧＺＯ（Ｉｎ-Ｇａ-Ｚｎ-Ｏ）系の酸化物半導体膜により形成された酸化物半導体の半導体層を用いたＴＦＴを使用しても良い。
　このように、有機ＥＬ表示装置１は、フィルム状の基板である有機基板２上に、画素２０のスイッチング素子であるＴＦＴ素子４と、有機ＥＬ表示素子１１とが形成された構成となっている。
　ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１においては、図２に示すように、有機基板２における有機ＥＬ表示素子１１側とは反対側の表面２ｂ上にハニカム状の構造体３０を備える点に特徴がある。より具体的には、有機基板２の、有機ＥＬ表示素子１１が設けられた表面２ａと反対側の表面２ｂ上に、有機ＥＬ表示装置１の剛性を向上するハニカム状の構造体３０を設けている点に特徴がある。
　このような構成により、有機ＥＬ表示装置１の剛性を向上させることができるため、自重による撓みを防止することが可能になり、有機ＥＬ表示装置１に反りやうねり等の変形が発生するのを防止することが可能になる。従って、有機ＥＬ表示装置１の表示性能を向上させることができる。
　また、自重による撓みを防止することができるため、図５に示す様に、有機ＥＬ表示装置１の端部を把持した場合であっても、端部における支持に対して自立する（即ち、撓まず、変形しない）ため、有機ＥＬ表示装置１の自立性を向上させることができる。
　また、機械的なストレス等の外力により有機ＥＬ表示装置１が屈曲した場合であっても、図４に示すように、ハニカム状の構造体３０のセル壁３０ａにより、応力４０を分散することが可能になる。即ち、屈曲時に発生した応力４０が、セル壁３０ａを伝搬しながら分散されていくため、有機ＥＬ表示装置１の所定箇所における応力の集中を防止することが可能になる。従って、有機ＥＬ表示装置１におけるクラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子４の破壊の発生を防止することが可能になるとともに、有機ＥＬ表示装置１の歩留まりが低下を防止することが可能になる。
　また、ユーザーが意図的に有機ＥＬ表示装置１に対して応力を加えた場合であっても、クラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子４の破壊を生じることなく、所望の形状に変形させることが可能になる。
　このハニカム状の構造体３０は、図２に示すように、有機基板２の表面２ｂにおいて、接着剤層３１を介して、積層される構成となっている。
　また、図２、図３に示すように、ハニカム状の構造体３０は、セル壁（隔壁）３０ａと、当該セル壁３０ａにより区画され、ハニカム状の構造体３０の厚み方向（即ち、有機ＥＬ表示装置１の厚み方向であって、図２に示す矢印Ｘの方向）に貫通する複数のセル（空間部）３０ｂとを備えている。
　また、本実施形態においては、ハニカム状の構造体３０のセル壁３０ａは、図３、図４に示すように、断面略六角形状となるように配置されている。また、同様に、セル壁３０ａにより区画されたセル３０ｂは、図３、図４に示すように、断面略六角形状を有している。
　また、ハニカム状の構造体３０のセル壁３０ａを形成する材料としては、有機ＥＬ表示装置１の剛性を向上することができるとともに、ハニカム状の構造体３０にフレキシブル性を付与することができるものであれば特に限定されない。本実施形態においては、ポリエチレンテレフタラート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の樹脂材料や、ステンレス、鉄、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、モリブテン、タンタルまたはこれらの合金により形成された金属材料を使用することができる。
　また、ハニカム状の構造体３０の厚みとしては、１０μｍ～１ｍｍが好ましく、５０μｍ～５００μｍが更に好ましい。これは、厚みが１０μｍ未満の場合は、有機ＥＬ表示装置１の剛性を十分に向上できない場合があるからであり、また、１ｍｍよりも大きい場合は、有機ＥＬ表示装置１全体の厚みと重みが大きくなる場合があるからである。
　なお、ハニカム状の構造体３０の厚みは、ハニカム状の構造体３０が使用される商品の使用形態やハニカム状の構造体３０を構成する材料のヤング率や重量等によって決定される。
　また、接着剤層３１を構成する接着剤としては、特に限定されず、かかる接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂系、ブチラール樹脂系、アクリル樹脂系などの、各種の樹脂系の接着剤が挙げられる。
　次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。図６～図１３は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。なお、以下に示す製造方法は単なる例示であり、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は以下に示す方法により製造されたものに限定されるものではない。
　まず、図６に示すように、支持基板として、例えば、厚みが０．７ｍｍ程度のガラス基板５０を準備する。
　次に、図６に示すように、ガラス基板５０上に、例えば、耐熱温度（又は、ガラス転移温度）が４００℃以上で、熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以下の樹脂材料で形成された犠牲膜５１を、例えば、０．１～１μｍ程度の厚みで形成する。このような条件を満たす犠牲膜５１の樹脂材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂を用いることができる。なお、この犠牲膜５１は、ガラス基板５０の剥離を良好に行うためのものである。
　次いで、透過型の表示素子の場合は、犠牲膜５１上に、透明の樹脂膜で構成されたフィルム状の有機基板２を、例えば、５μｍ程度の厚みで形成する。有機基板２を形成する樹脂材料としては、ポリイミド系樹脂、フルオレン系エポキシ樹脂及びフッ素系樹脂を用いることができる。また、本実施形態においては、有機基板２は、犠牲膜５１の表面上に樹脂を塗布することにより形成する。なお、反射型の表示素子の場合やトップエミッション自発光型の表示素子の場合は、犠牲膜５１を形成する樹脂材料と同じ樹脂材料を用いて有機基板２を形成することにより、犠牲膜を省く構成としても良い。また、有機基板２をガラス基板５０に接着する構成としても良い。
　次いで、図７に示すように、有機基板２上に、金属膜や半導体膜等の形成、及びパターニング等を行い、画素２０のスイッチング素子であるＴＦＴ素子４を形成する。
　次に、ＴＦＴ素子４を形成した有機基板２上に、例えば、ＳｉＯ２膜やＳｉＮ膜等を用いて、層間絶縁膜５を、厚みが１～２μｍ程度となるように形成する。
　次いで、層間絶縁膜５の表面からＴＦＴ素子４までコンタクトホールを設け、ＩＴＯ等の透明導電材料によってＴＦＴ素子４と電気的に接続するメタル配線６を形成し、さらにパターニング等によって、例えば、１５０ｎｍ程度の厚みを有する第１電極７を形成する。
　次に、層間絶縁膜５上に、例えば、３μｍ程度の厚みを有する絶縁膜９を形成後、第１電極７に対応する部分をエッチングにより除去する。
　次いで、第１電極７上にホール輸送層と発光層とを形成することにより、有機ＥＬ層８を設ける。ホール輸送層としては、まず、溶剤にホール輸送材料である有機高分子材料を溶解、または分散させたホール輸送材料塗料を、例えば、インクジェット法等により露出している第１電極７上に供給する。その後、焼成処理を施すことによりホール輸送層を形成する。次に、発光層としては、溶剤に発光材料である有機高分子材料を溶解、または分散させた有機発光材料塗料を、例えば、インクジェット法等によりホール輸送層を覆うように供給する。その後、焼成処理を施すことにより発光層を形成する。
　次いで、絶縁膜９及び有機ＥＬ層８上に、スパッタ法等によりＭｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｅ、またはＣｕ等を用いて第２電極１０を形成する。第２電極１０の厚みは、例えば１５０ｎｍ程度とする。これにより、第１電極７と、第１電極７上に形成されるとともに、発光層を有する有機ＥＬ層８と、有機ＥＬ層８上に形成された第２電極１０とにより構成される有機ＥＬ表示素子１１が形成される。
　次に、第２電極１０上に、ＴＥＯＳ膜やＳｉＮ膜等を成膜し、化学機械研磨（ＣＭＰ）等により表面を研磨することにより平坦化膜１２を形成する。
　次いで、図８に示すように、平坦化膜１２上に、樹脂膜１３、無機膜１４、樹脂膜１５、金属酸化膜１６及び樹脂膜１７をこの順で成膜することにより封止膜１８を形成して、積層体３８を作製する。樹脂膜１３，１５，１７は、例えば、ポリパラキシレン系樹脂等を用いて、厚みがそれぞれ５μｍ程度となるように形成する。また、無機膜１４及び金属酸化膜１６は、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等を用いて、厚みがそれぞれ５００ｎｍ程度となるように形成する。
　次いで、図９に示すように、作製した積層体３８を転写フィルム３９に転写する。なお、転写フィルム３９を構成する材料としては、例えば、ＵＶや熱処理により密着性が低下する離形フィルム等が挙げられる。
　次いで、図１０に示すように、ガラス基板５０側からレーザ光（図１０における矢印）を照射することにより、ガラス基板５０を剥離させる。
　ここで、ガラス基板５０の除去は、レーザ光照射による剥離でなくてもよい。例えば、研磨及びエッチング装置を用いてガラス基板５０を除去してもよい。
　次に、図１１に示すように、ガラス基板５０を除去したことにより剥き出しとなった犠牲膜５１をプラズマエッチングにより除去する。ここで、犠牲膜５１の除去は、プラズマエッチングに限らず、例えば、マイクロ波プラズマエッチングにより行ってもよい。なお、反射型の表示素子の場合やトップエミッション自発光型の表示素子の場合は、犠牲膜５１をエッチングする必要はない。
　次に、図１２に示すように、有機基板２の、有機ＥＬ表示素子１１が設けられた表面２ａと反対側の表面２ｂ上に、接着剤層３１を介して、ポリエチレンテレフタラート樹脂や、ステンレス等により形成されたセル壁３０ａを貼り付けて、例えば、１５０μｍの厚みを有するハニカム状の構造体３０を形成する。
　次いで、図１３に示すように、封止膜１８の表面から転写フィルム３９を剥離することにより、図２に示す有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
　以上に説明した本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
　（１）本実施形態においては、有機基板２における有機ＥＬ表示素子１１側とは反対側に、セル壁３０ａによって区画された複数のセル３０ｂを有するハニカム状の構造体３０を設ける構成としている。従って、有機ＥＬ表示装置１の剛性を向上させることができるため、自重による撓みを防止することが可能になり、有機ＥＬ表示装置１に反りやうねり等の変形が発生するのを防止することが可能になる。その結果、有機ＥＬ表示装置１の表示性能を向上させることができる。
　（２）また、自重による撓みを防止することができるため、有機ＥＬ表示装置１の自立性を向上させることができる。
　（３）また、機械的なストレス等の外力により有機ＥＬ表示装置１が屈曲した場合であっても、ハニカム状の構造体３０のセル壁３０ａにより、応力４０を分散することが可能になるため、有機ＥＬ表示装置１の所定箇所における応力の集中を防止することが可能になる。従って、有機ＥＬ表示装置１におけるクラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子４の破壊の発生を防止することが可能になるとともに、有機ＥＬ表示装置１の歩留まりが低下を防止することが可能になる。
　（４）更に、ユーザーが意図的に有機ＥＬ表示装置１に対して応力を加えた場合であっても、クラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子４の破壊を生じることなく、所望の形状に変形させることが可能になる。
　（５）本実施形態においては、セル壁３０ａを、樹脂材料または金属材料により形成する構成としている。従って、安価かつ汎用性のある材料により、ハニカム状の構造体３０を形成することが可能になる。
　（６）本実施形態においては、有機基板２の表面２ｂ上に接着剤層３１を設け、ハニカム状の構造体３０を、接着剤層３１を介して設ける構成としている。従って、簡単な構成で、有機基板２にハニカム状の構造体３０を設けることが可能になる。
　（７）本実施形態においては、ハニカム状の構造体３０の厚みを、１０μｍ～１ｍｍに設定する構成としている。従って、有機ＥＬ表示装置１全体の厚み及び重みを大きくすることなく、有機ＥＬ表示装置１の剛性を十分に向上させることができる。
　（第２の実施形態）
　次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図１４は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における構造体を示す斜視図であり、図１５は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を示す斜視図である。なお、上記第１の実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。また、本実施形態においても、表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。また、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記第１の実施形態と同様であるため、ここでは詳しい説明を省略する。
　本実施形態においては、図１４、図１５に示すように、上述のハニカム状の構造体３０の代わりに格子状の構造体４１が設けられている。そして、格子状の構造体４１のセル壁４２が、有機ＥＬ表示装置１の屈曲方向（図１５に示す矢印Ｙの方向）に延設された第１セル壁４２ａと、屈曲方向Ｙと直交する方向（図１５に示す矢印Ｚの方向）に延設された第２セル壁４２ｂとから構成されている点に特徴がある。
　このような構成により、有機ＥＬ表示装置１の屈曲方向が１方向の場合、図１５に示す屈曲方向Ｙと直交する方向Ｚに延設された第２セル壁４２ｂにより、ユーザーが所望の方向（即ち、屈曲方向Ｙ）に変形自在に屈曲（例えば、図１５に示すようなロール状に屈曲）させ易くすることができるとともに、屈曲方向Ｙと直交する方向Ｚにおいては、有機ＥＬ表示装置１の屈曲を防止することができる。
　また、屈曲方向Ｙに延設された第１セル壁４２ａにより、屈曲方向Ｙに屈曲した有機ＥＬ表示装置１の自立性を向上させて、有機ＥＬ表示装置１の屈曲状態を保持（保存）することが可能になる。その結果、有機ＥＬ表示装置１において、１方向に屈曲させ易く、多方向には屈曲させ難くなるため、有機ＥＬ表示装置１をユーザーが所望の形状に変形させることができ、表示性能に優れた、ユーザーが見易い有機ＥＬ表示装置１を提供することが可能になる。
　なお、第１及び第２セル壁４２ａ，４２ｂの各々の材質や厚みを適宜変更することにより、屈曲方向Ｙにおける有機ＥＬ表示装置１のフレキシブル性（屈曲性）と屈曲状態の保持性とを調整することができる。
　また、第１セル壁４２ａ間の距離（または、第２セル壁４２ｂ間の距離）を変更して複数のセル３０ｂの形状を変更することにより、屈曲方向Ｙにおける有機ＥＬ表示装置１のフレキシブル性（屈曲性）と屈曲状態の保持性とを調整する構成としても良い。
　例えば、屈曲方向Ｙにおけるフレキシブル性を向上させるとの観点から、図１６に示すように、図１４に示す状態に比し、第１セル壁４２ａ間の距離Ｄを大きくすることができる。
　以上に説明した本実施形態によれば、上記（１）～（７）の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
　（８）本実施形態においては、セル壁４２を、屈曲方向Ｙに延設された第１セル壁４２ａと、屈曲方向Ｙと直交する方向Ｚに延設された第２セル壁４２ｂとから構成している。従って、第２セル壁４２ｂにより、ユーザーが所望の方向に有機ＥＬ表示装置１を変形自在に屈曲させることができる。また、第１セル壁４２ａにより、屈曲方向Ｙに屈曲した有機ＥＬ表示装置１の自立性を向上させて、有機ＥＬ表示装置１の屈曲状態を保持（保存）することが可能になる。その結果、表示性能に優れた、ユーザーが見易い有機ＥＬ表示装置１を提供することが可能になる。
　（第３の実施形態）
　図１８は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図であり、図１９は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。また、図２０は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図であり、図２１は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の全体構成を示す断面図である。また、図２２は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置の表示部の全体構成を示す断面図である。なお、本実施形態においては、表示装置として、液晶表示装置を例に挙げて説明する。
　図１８、図１９に示す様に、液晶表示装置７０は、第１基板であるＴＦＴ基板５２と、ＴＦＴ基板５２に対向して配置された第２基板であるＣＦ基板５３とを備えている。また、液晶表示装置７０は、ＴＦＴ基板５２及びＣＦ基板５３の間に挟持して設けられた表示媒体層である液晶層５４と、ＴＦＴ基板５２とＣＦ基板５３との間に狭持され、ＴＦＴ基板５２及びＣＦ基板５３を互いに接着するとともに液晶層５４を封入するために枠状に設けられたシール材８０とを備えている。
　このシール材８０は、液晶層５４を周回するように形成されており、ＴＦＴ基板５２とＣＦ基板５３は、このシール材８０を介して相互に貼り合わされている。また、液晶表示装置７０は、液晶層５４の厚み（即ち、セルギャップ）を規制するための複数のフォトスペーサ（不図示）を備えている。
　また、図１８に示すように、液晶表示装置７０は、矩形状に形成されており、液晶表示装置７０の長手方向Ａにおいて、ＴＦＴ基板５２がその上辺においてＣＦ基板５３よりも突出し、その突出した領域には、後述するゲート線やソース線等の複数の表示用配線が引き出され、端子領域Ｔが構成されている。
　また、液晶表示装置７０では、ＴＦＴ基板５２及びＣＦ基板５３が重なる領域に画像表示を行う表示領域Ｄが規定されている。ここで、表示領域Ｄは、画像の最小単位である画素がマトリクス状に複数配列されることにより構成される。
　また、シール材８０は、図１８に示すように、表示領域Ｄの周囲全体を囲む矩形枠状に設けられている。このシール材８０の枠幅は、特に限定されないが、例えば、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下に設定できる。
　ＴＦＴ基板５２は、図２０、図２１に示すように、ガラス基板等の絶縁基板５６と、当該絶縁基板５６上に互いに平行に延設された複数のゲート線６１と、各ゲート線６１を覆うように設けられたゲート絶縁膜６２とを備えている。また、ＴＦＴ基板５２は、ゲート絶縁膜６２上に各ゲート線６１と直交する方向に互いに平行に延設された複数のソース線６４と、各ゲート線６１及び各ソース線６４の交差部分毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ素子５５とを備えている。更に、ＴＦＴ基板５２は、各ソース線６４及び各ＴＦＴ素子５５を覆うように順に設けられた層間絶縁膜６０である第１層間絶縁膜６５及び第２層間絶縁膜６６と、第２層間絶縁膜６６上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ素子５５の各々に接続された複数の画素電極６９と、各画素電極６９を覆うように設けられた配向膜５９とを有している。
　また、ＴＦＴ素子５５は、図２１に示すように、各ゲート線６１が側方に突出したゲート電極６７と、ゲート電極６７を覆うように設けられたゲート絶縁膜６２と、ゲート絶縁膜６２上でゲート電極６７に重なる位置において島状に設けられた半導体層６３とを備えている。また、ＴＦＴ素子５５は、半導体層６３上で互いに対峙するように設けられたソース電極６８及びドレイン電極７７とを備えている。ここで、ソース電極６８は、各ソース線６４が側方に突出した部分である。また、ドレイン電極７７は、図２１に示すように、第１層間絶縁膜６５及び第２層間絶縁膜６６に形成されたコンタクトホール８４を介して画素電極６９に接続されている。また、画素電極６９は、図２２に示すように、第２層間絶縁膜６６上に設けられた透明電極８１と、透明電極８１上に積層され、透明電極８１の表面上に設けられた反射電極８２とにより構成されている。また、半導体層６３は、図２１に示すように、下層の真性アモルファスシリコン層６３ａと、その上層のリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン層６３ｂとを備え、ソース電極６８及びドレイン電極７７から露出する真性アモルファスシリコン層６３ａがチャネル領域を構成している。
　また、液晶表示装置７０の表示部では、図２２に示すように、反射電極８２により反射領域Ｒが規定されている。また、画素電極６９の下層の第２層間絶縁膜６６の表面は、図２２に示すように、凹凸状に形成されており、第２層間絶縁膜６６の表面に透明電極８１を介して設けられた反射電極８２の表面も凹凸状に形成されている。
　なお、第１層間絶縁膜６５を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））等が挙げられる。また、第１層間絶縁膜６５の厚みは、６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましい。これは、第１層間絶縁膜６５の厚みが６００ｎｍ未満の場合は、第１層間絶縁膜６５を平坦化することが困難になるという不都合が生じる場合があるためであり、１０００ｎｍより大きい場合は、エッチングにより、コンタクトホール８４を形成することが困難になるという不都合が生じる場合があるためである。
　また、ＣＦ基板５３は、図２２に示すように、ガラス基板等の絶縁基板７１と、絶縁基板７１上に設けられたカラーフィルター７２と、カラーフィルター７２の反射領域Ｒを覆うように設けられた共通電極７４と、共通電極７４上に柱状に設けられたフォトスペーサ（不図示）と、共通電極７４及びフォトスペーサを覆うように設けられた配向膜７６とを有している。
　なお、カラーフィルター７２には、図２２に示すように、各画素に対して設けられた複数種の着色層７８（即ち、赤色層Ｒ、緑色層Ｇ、および青色層Ｂ）と、遮光膜であるブラックマトリクス８３とが含まれる。ブラックマトリクス８３は、隣接する着色層７８の間に設けられ、これら複数種の着色層７８を区画する役割を有するものである。
　このブラックマトリクス８３は、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）などの金属材料、カーボンなどの黒色顔料が分散された樹脂材料、または、各々、光透過性を有する複数色の着色層が積層された樹脂材料などにより形成される。また、フォトスペーサは、例えば、アクリル系の感光性樹脂からなり、フォトリソグラフィー法により形成される。
　そして、本実施形態においては、画素電極６９と、画素電極状に形成された液晶層５４と、液晶層５４上に形成された共通電極７４とにより、液晶表示素子８５が構成されている。
　上記構成の反射型の液晶表示装置７０は、反射領域ＲにおいてＣＦ基板５３側から入射する光を反射電極８２で反射するように構成されている。
　そして、液晶表示装置７０は、各画素電極６９毎に１つの画素が構成されており、各画素において、ゲート線６１からゲート信号が送られてＴＦＴ素子５５をオン状態にした場合に、ソース線６４からソース信号が送られてソース電極６８及びドレイン電極７７を介して、画素電極６９に所定の電荷が書き込まれる。そして、画素電極６９と共通電極７４との間で電位差が生じ、液晶層５４に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置７０では、印加された電圧の大きさに応じて、液晶分子の配向状態が変わることを利用して、ＣＦ基板５３側から入射する光の反射率を調整することにより、画像が表示される構成となっている。
　ここで、本実施形態の液晶表示装置７０においても、上述の第１の実施形態の場合と同様に、図２１、図２２に示すように、絶縁基板５６における液晶表示素子８５側とは反対側の表面５６ｂ上にハニカム状の構造体３０を備える点に特徴がある。
　より具体的には、絶縁基板５６の、液晶表示素子８５が設けられた表面５６ａと反対側の表面５６ｂ上に、液晶表示装置７０の剛性を向上するハニカム状の構造体３０を設けている点に特徴がある。このハニカム状の構造体３０は、上述の第１の実施形態の場合と同様に、絶縁基板５６の表面５６ｂ上に接着剤層３１を設け、接着剤層３１を介して設ける構成としている。
　このような構成により、上記（１）～（４）と同様の効果を得ることができる。即ち、液晶表示装置７０の剛性を向上させることができるため、自重による撓みを防止することが可能になり、液晶表示装置７０に反りやうねり等の変形が発生するのを防止することが可能になる。従って、液晶表示装置７０の表示性能を向上させることができる。
　また、自重による撓みを防止することができるため、液晶表示装置７０の端部を把持した場合であっても、端部における支持に対して自立する（即ち、撓まず、変形しない）ため、液晶表示装置７０の自立性を向上させることができる。
　また、機械的なストレス等の外力により液晶表示装置７０が屈曲した場合であっても、ハニカム状の構造体３０のセル壁３０ａにより、応力４０を分散することが可能になるため、液晶表示装置７０の所定箇所における応力の集中を防止することが可能になる。従って、液晶表示装置７０におけるクラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子５５の破壊の発生を防止することが可能になるとともに、液晶表示装置７０の歩留まりが低下を防止することが可能になる。
　また、ユーザーが意図的に有機ＥＬ表示装置１に対して応力を加えた場合であっても、クラック等の破損、金属配線の破断線、ＴＦＴ素子５５の破壊を生じることなく、所望の形状に変形させることが可能になる。
　また、以上に説明した本実施形態によれば、上記（５）～（７）と同様の効果を得ることができる。
　なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。
　上記実施形態においては、セル壁３０ａが断面略六角形状となるように配置され、セル壁３０ａにより区画された断面略六角形状を有するセル３０ｂを備えるハニカム状の構造体３０を挙げたが、上述の（１）～（４）の効果を奏するものであれば、セル壁３０ａの配置とセル３０ｂの断面形状は、適宜変更することができる。
　例えば、図２３に示すように、セル壁４３ａが断面略円形状となるように配置されるとともに、セル壁４３ａにより区画された断面略円形状を有するセル４３ｂを備えた構造体４３を使用する構成としても良い。また、例えば、図２４に示すように、セル壁４７ａが断面略三角形状となるように配置されるとともに、セル壁４７ａにより区画された断面略三角形状を有するセル４７ｂを備えた構造体４７を使用する構成としても良い。
　また、図１７に示すように、図２に示す有機ＥＬ表示装置１において、ハニカム状の構造体３０をコート層４５で被覆し、ハニカム状の構造体３０とコート層４５とからなるラミネート構造体４６を有機基板２の表面２ｂにおいて、接着剤層３１を介して、積層する構成としても良い。このような構成により、ハニカム状の構造体３０が取り付けられた有機基板２の破損を効果的に防止することが可能になる。
　また、同様に、図２２に示す液晶表示装置７０において、ハニカム状の構造体３０をコート層４５で被覆し、ハニカム状の構造体３０とコート層４５とからなるラミネート構造体４６を絶縁基板５６の表面５６ｂにおいて、接着剤層３１を介して、積層する構成としても良い。このような構成により、ハニカム状の構造体３０が取り付けられた絶縁基板５６の破損を効果的に防止することが可能になる。
　コート層４５を形成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂を使用することができる。コート層４５を形成する方法としては、例えば、ハニカム状の構造体３０の表面において、エポキシ樹脂をＣＶＤ法によりコートする方法が採用できる。また、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）により形成されたシート状のコート層４５をハニカム状の構造体３０の表面に貼り付けることによりラミネート構造体４６を形成することもできる。また、コート層４５の厚みとしては、例えば、３００μｍとすることができる。
　なお、図１４に示した構造体４１や、図２３、図２４に示した構造体４３，４７をコート層４５で被覆する構成としても、同様の効果を得ることができる。
　また、上述の第３の実施形態において説明した液晶表示装置７０において、ハニカム状の構造体３０の代わりに、上述の第２の実施形態において説明した構造体４１を使用する構成としても良い。この場合、構造体４１のセル壁４２は、液晶表示装置７０の屈曲方向に延設された第１セル壁４２ａと、屈曲方向と直交する方向に延設された第２セル壁４２ｂとから構成されることになる。このような構成により、上記（８）と同様の効果を得ることができる。
　また、上記実施形態においては、ＴＦＴ素子４として、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴを使用したが、ＴＦＴ素子４として、酸化亜鉛系の半導体をチャネルとするＴＦＴ素子や有機半導体をチャネルとするＴＦＴ素子やカーボンナノチューブをチャネルとするＴＦＴ素子を使用する構成としても良い。この様な構成により、ＴＦＴ素子４として、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴを使用する場合と同様に、汎用性のある材料により、大画面化が可能なＴＦＴ素子４を形成することが可能になる。
　本実施形態においては、表示装置として有機ＥＬ（organic electro luminescence）、ＬＣＤ（liquid crystal display；液晶表示ディスプレイ）に係るものについて示したが、表示装置は、電気泳動（electrophoretic）、ＰＤ（plasma display；プラズマディスプレイ）、ＰＡＬＣ（plasma addressed liquid crystal display；プラズマアドレス液晶ディスプレイ）、無機ＥＬ（inorganic electro luminescence）、ＦＥＤ（field emission display；電界放出ディスプレイ）、又は、ＳＥＤ（surface-conduction electron-emitter display；表面電界ディスプレイ）等に係るものであってもよい。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブル性を有する有機ＥＬ表示装置等の表示装置について有用である。
　１　　有機ＥＬ表示装置
　２　　有機基板
　２ｂ　　有機基板の表面
　４　　ＴＦＴ素子
　７　　第１電極７
　８　　有機ＥＬ層
　１０　　第２電極
　１１　　有機ＥＬ表示素子
　３０　　構造体
　３０ａ　　セル壁
　３０ｂ　　セル
　３１　　接着剤層
　４０　　応力
　４１　　構造体
　４２　　セル壁
　４２ａ　　第１セル壁
　４２ｂ　　第２セル壁
　４３　　構造体
　４５　　ラミネート層
　４７　　構造体
　５４　　液晶層
　５６　　絶縁基板
　５６ｂ　　絶縁基板の表面
　６９　　画素電極
　７０　　液晶表示装置
　７４　　共通電極
　８５　　液晶表示素子
　Ｘ　　構造体の厚み方向
　Ｙ　　屈曲方向
　Ｚ　　屈曲方向と直交する方向

Claims (8)

  1. 　基板と、前記基板上に形成された表示素子とを備える表示装置であって、
    　前記基板における前記表示素子側とは反対側に、セル壁によって区画された複数のセルを有する構造体が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　前記セル壁が、樹脂材料または金属材料により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記基板の表面上に接着剤層が設けられ、前記構造体が、接着剤層を介して設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記構造体の厚みが、１０μｍ～１ｍｍであることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
  5. 　前記構造体が、コート層により被覆されていることを特徴とする請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
  6. 　前記セル壁が、前記表示装置の屈曲方向に延設された第１セル壁と、前記屈曲方向と直交する方向に延設された第２セル壁とから構成されることを特徴とする請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
  7. 　前記表示素子が、有機ＥＬ表示素子であることを特徴とする請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
  8. 　前記表示素子が、液晶表示素子であることを特徴とする請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
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