WO2011111134A1 - 蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法 - Google Patents

蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011111134A1
WO2011111134A1 PCT/JP2010/006416 JP2010006416W WO2011111134A1 WO 2011111134 A1 WO2011111134 A1 WO 2011111134A1 JP 2010006416 W JP2010006416 W JP 2010006416W WO 2011111134 A1 WO2011111134 A1 WO 2011111134A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mask
vapor deposition
substrate
layer
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2010/006416
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
園田通
林信広
川戸伸一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US13/583,611 priority Critical patent/US9246101B2/en
Priority to KR1020127025963A priority patent/KR101442941B1/ko
Publication of WO2011111134A1 publication Critical patent/WO2011111134A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition mask suitable for, for example, a large organic EL display (Electro Luminescence display).
  • a thin-film organic EL element is provided on a substrate on which a TFT (thin film transistor) is provided.
  • TFT thin film transistor
  • an organic EL layer including a red (R), green (G), and blue (B) light emitting layer is laminated between a pair of electrodes, and a voltage is applied between these electrodes. Since each light emitting layer emits light, image display is performed using the light.
  • patterning of a thin film such as a light emitting layer or an electrode is performed using a technique such as a vacuum deposition method, an ink jet method, or a laser transfer method.
  • a vacuum deposition method is mainly used for patterning a light emitting layer.
  • a mask having a predetermined opening pattern is usually fixed in close contact with the substrate and set in a vacuum chamber with the mask side facing the vapor deposition source. Then, a film forming material is deposited from a deposition source through a mask opening at a desired position on the substrate, thereby patterning a thin film such as a light emitting layer.
  • the light emitting layers of the respective colors are vapor-deposited so as to be individually coated (coating vapor deposition).
  • it is common to use a mask having the same size as that of the substrate contact type full-face shadow mask), and deposit the substrate with the mask in contact with the deposition source in a fixed position.
  • Patent Document 1 A vacuum deposition method is also known in which deposition is performed while moving a substrate or the like relative to a deposition source (Patent Document 1).
  • Patent Document 1 a mask is used in which a plurality of small holes or elongated slit holes smaller than the area of the electrode to be formed are formed at a predetermined interval. The mask is deposited while moving in a direction intersecting the arrangement direction of small holes or the like to form electrodes having a predetermined pattern.
  • a vapor deposition mask formed using fibers is disclosed (Patent Document 2).
  • resin-based single fibers are provided in stripes at the openings of a rectangular frame.
  • Each resin-based single fiber is composed of one large-diameter single fiber and two small-diameter single fibers.
  • the two small diameter single fibers are bonded to the frame at a pitch smaller than the diameter of the large diameter single fibers.
  • the large-diameter single fiber is bonded to the frame in a state where it is placed between these two small-diameter single fibers.
  • the mask becomes larger with the increase in the size of the substrate. A gap is likely to occur. For this reason, it is difficult to perform high-accuracy patterning, and it is difficult to realize high definition due to the occurrence of misalignment of deposition positions and color mixing.
  • the mask and the frame for holding it become enormous and its weight increases, which makes handling difficult and may impair productivity and safety.
  • the related devices are also enlarged and complicated, so that the device design becomes difficult and the installation cost becomes high.
  • the present inventor has previously proposed a vapor deposition method (also referred to as a new vapor deposition method) that can cope with such a large substrate (Japanese Patent Application No. 2009-213570).
  • a mask unit in which a shadow mask having a smaller area than the substrate and an evaporation source are integrated is used.
  • vapor deposition is performed while scanning the mask unit relative to the substrate.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the vapor deposition process in the new vapor deposition method.
  • 101 is a substrate
  • 102 is a vapor deposition mask
  • 102a is an opening
  • 103 is a vapor deposition source
  • 103a is an injection port for injecting vapor deposition particles
  • 110 is a thin film such as a light emitting layer formed on the substrate.
  • the vapor deposition mask 102 and the vapor deposition source 103 are unitized and the relative positional relationship is fixed.
  • the arrow line indicates the relative scanning direction of the deposition mask 102 and the like with respect to the substrate 101.
  • vapor deposition is performed while maintaining a certain gap between the vapor deposition mask 102 and the substrate 101. Therefore, as shown in FIG. 2, a part of the vapor deposition particles that obliquely pass through the opening of the vapor deposition mask adheres to a portion outside the vapor deposition region r ⁇ b> 1 (region facing the vapor deposition mask opening).
  • Deposition blur occurs in the vertical direction. Since the light emitting layer or the like functions as a light emitting region of the pixel, color mixture and deterioration of characteristics are caused when the vapor deposition blur reaches the light emitting region of the adjacent pixel. Therefore, the vapor deposition blur is preferably as small as possible.
  • “deposition blur” refers to the thin film 110 formed on the outer portion of the deposition region r1, as shown in FIG.
  • the deposition blur can be reduced by reducing the gap between the deposition mask 102 and the substrate 101.
  • the vapor deposition particles are in relation to an axis (also referred to as a vapor deposition axis L1) perpendicular to the substrate 101 or the vapor deposition mask 102 when viewed from the scanning direction.
  • the angle (incident angle) incident on the substrate 101 is ⁇ and the vertical distance of the gap between the vapor deposition mask 102 and the substrate 101 is P
  • the width of the vapor deposition blur (blur width B) is P ⁇ tan ⁇ .
  • the vapor deposition mask 102 and the substrate 101 be as close as possible.
  • the incident angle ⁇ is limited by either the injection angle of the vapor deposition particles emitted from the injection port 103a or the passing angle (the angle with respect to the vapor deposition axis L1) at which the vapor deposition particles pass through the opening 102a. Since the width of 102a is very small, the passing angle is smaller than the exit angle, and the incident angle ⁇ is generally limited by the passing angle.
  • the maximum value of the passing angle is affected by the cross-sectional aspect ratio of the opening 102a of the vapor deposition mask 102.
  • the cross-sectional aspect ratio is a value determined by the width and depth of the opening 102a, the cross-sectional shape, and the like.
  • the sectional aspect ratio is represented by the ratio (f / h) of the depth dimension f to the width dimension h in the section of the opening 102a extending perpendicular to the mask surface when viewed from the scanning direction.
  • the vapor deposition mask 102 having a high cross-sectional aspect ratio (f2 / h) indicated by a two-dot chain line is more than the vapor deposition mask 102 having a low cross-sectional aspect ratio (f1 / h) indicated by a solid line.
  • the maximum value of the passing angle becomes small.
  • the method for example, it is possible to form the cross-sectional shape of the opening with high accuracy, or to increase the thickness of the vapor deposition mask.
  • the cross-sectional shape of the opening can be formed with high accuracy.
  • the vapor deposition mask becomes heavier accordingly, so that bending deformation due to its own weight is likely to occur.
  • the gap between the vapor deposition mask and the substrate becomes unstable. If the vapor deposition mask is enlarged, handling and control in the vapor deposition apparatus become difficult.
  • an object of the present invention is to provide a vapor deposition mask or the like that can effectively reduce vapor deposition blur by a practical method, and can produce a high-quality, high-definition large-sized organic EL display. is there.
  • the present invention devised the shape of the vapor deposition mask and its arrangement.
  • the vapor deposition mask of the present invention is a vapor deposition mask that forms a thin film in a predetermined pattern on a substrate by depositing vapor deposition particles through a plurality of stripe-shaped openings.
  • the vapor deposition mask includes a frame-shaped mask support, a plurality of mask layers provided in a frame of the mask support, and a support layer provided between the mask layers.
  • Each of the plurality of mask layers is formed by stretching a plurality of mask wires on the mask support in the same direction in a stripe shape.
  • the support layer is formed by stretching a plurality of support wires on the mask support so as to cross the mask wires.
  • a plurality of through gaps penetrating all of the plurality of mask layers in a straight line are formed, and the plurality of through gaps form the plurality of the plurality of through gaps.
  • An opening is constructed.
  • a plurality of mask layers each composed of a mask wire are laminated. Between these mask layers, a support layer composed of a plurality of support wires intersecting with the mask wires is provided. A plurality of through gaps are formed to overlap the stripe-like gaps of each mask layer and penetrate linearly. The plurality of through gaps constitute a plurality of openings.
  • this vapor deposition mask since the opening is formed by laminating a mask layer or the like, it is not necessary to form a hole by drilling a hole in a metal plate unlike a conventional vapor deposition mask. Since the thickness dimension can be increased by increasing the number of mask layers, a high cross-sectional aspect ratio can be easily realized. Therefore, it is possible to effectively reduce the evaporation blur, and it is possible to manufacture a high-quality, high-definition large-sized organic EL display.
  • this vapor deposition mask can reduce the weight because a space is formed in the portion of the support layer.
  • the length of the mask wire or support wire is changed to support the mask. It only needs to be assembled to the body and can be enlarged relatively easily. Since the mask wire is supported by a plurality of intersecting support wires, the displacement can be effectively suppressed even if the mask wire is enlarged.
  • each of the plurality of gaps can be partitioned by one mask wire.
  • the plurality of gaps can be partitioned by a plurality of the mask wires, respectively (also referred to as a second improved mask).
  • the number of mask wires may be changed accordingly, and it is not necessary to separately prepare mask wires having different dimensions. Therefore, since the number of materials can be suppressed, the manufacturing cost can be reduced.
  • each of the plurality of support wires can be alternately incorporated into each of the plurality of mask wires.
  • these vapor deposition masks exhibit excellent effects when combined with a vapor deposition apparatus used in a new vapor deposition method.
  • the vapor deposition mask As such a vapor deposition apparatus, the vapor deposition mask, a vapor deposition source that radiates the vapor deposition particles, the vapor deposition mask and the vapor deposition source, and a mask unit that fixes their relative positional relationship, In a state in which a certain gap is provided between the substrate support device for supporting the substrate and the substrate and the vapor deposition mask, at least one of the mask unit and the substrate is relatively moved along a predetermined scanning direction. It is conceivable to use a vapor deposition apparatus in which the vapor deposition mask is arranged so that the direction in which the opening extends and the scanning direction are parallel to each other.
  • the vapor deposition apparatus having such a configuration, it is possible to deposit a thin film on the substrate while effectively reducing vapor deposition blur regardless of the size of the substrate. Therefore, a high-quality and high-definition large-sized organic EL display can be stably manufactured, and mass production can be realized.
  • the outermost layer on the mask layer located on the substrate side overlaps with the gap.
  • the plurality of mask wires and the plurality of support wires are set so that the vapor deposition particles other than the vapor deposition particles emitted from the gap are captured by either the mask layer or the support layer. Is preferred.
  • the plurality of mask layers include a first mask layer and a second mask layer from the vapor deposition source side, and with respect to a reference line orthogonal to the vapor deposition mask as viewed from the scanning direction,
  • the maximum passage angle through which the vapor deposition particles pass through the gap in the first mask layer, the portion between the two gaps adjacent to each other in the first mask layer, and the second mask layer overlapping with each other.
  • the space between the two adjacent gaps also referred to as interlayer space
  • the minimum passing angle is larger than the maximum passing angle. Should be set larger.
  • the vapor deposition particles entering the interlayer space abut against the mask wire or the support wire, so that emission to the substrate side is prevented. Therefore, only the vapor deposition particles that have entered the entrance of the gap (through gap) are emitted from the exit, and the gap (through gap) can function substantially as an opening.
  • the minimum passage angle is smaller than the maximum passage angle. It is preferable that the passage angle is set larger.
  • the vapor deposition mask has a plurality of mask layers of three or more layers. Also in this case, as in the case of the two layers, the vapor deposition particles entering each interlayer space abut against the mask wire or the support wire, so that emission to the substrate side is prevented. Thus, even if the number of mask layers increases, the gap (through gap) can function substantially as an opening.
  • emits the said vapor deposition particle, the said vapor deposition mask, and the said vapor deposition source These relative positional relationship is shown.
  • a predetermined scan is performed on at least one of the mask unit and the substrate in a state where a fixed gap is provided between the substrate and the deposition mask, and a mask unit to be fixed, a substrate support device for supporting the substrate, and the deposition mask.
  • a moving device that relatively moves along a direction, wherein the vapor deposition mask is arranged so that the direction in which the opening extends and the scanning direction are parallel, and at least the vapor deposition of the plurality of mask layers.
  • Vapor deposition apparatus in which an adjustment gap that blocks the passage of the vapor deposition particles is formed in a portion between two adjacent gaps in the outermost mask layer located on the source side It can be.
  • the width between two adjacent gaps is an integral multiple of the width dimension of the mask wire, a plurality of mask wires can be placed in close contact with each other. Will not occur. However, if this is not the case, an extra gap is created due to the dimensional difference, and vapor deposition particles may be deposited unexpectedly therefrom.
  • the plurality of mask wires may be arranged so that the vapor deposition particles incident on the adjustment gap are captured by either the mask layer or the support layer.
  • the passage of the vapor deposition particles can be blocked only by adjusting the arrangement of the mask wire, and there is no need to provide a separate member or processing, which is advantageous in terms of cost.
  • the adjustment gap by forming the adjustment gap, hollowing is promoted, and the vapor deposition mask can be reduced in weight.
  • the adjustment gap can be closed with a sealing member.
  • the adjustment gap is closed with a sealing member, the passage of the vapor deposition particles can be reliably blocked and the stability can be ensured.
  • Such a vapor deposition mask and vapor deposition apparatus exhibit excellent effects in manufacturing based on the new vapor deposition method.
  • a vapor deposition method for example, a vapor deposition method in which the thin film is formed in a stripe shape on the substrate using these vapor deposition apparatuses, the substrate is supported by the substrate support apparatus, and the substrate and the vapor deposition mask are formed. In a state where the gap is provided between the mask unit and the substrate, an alignment step is performed so that at least one of the mask unit and the substrate is moved along a predetermined scanning direction by the moving device.
  • a vapor deposition method including a vapor deposition step of sequentially vapor-depositing while moving relatively and forming the thin film is conceivable.
  • This vapor deposition method is suitable for mass production processes of large-sized organic EL displays because vapor deposition with reduced vapor deposition blur can be performed regardless of the size of the substrate by performing a predetermined operation. .
  • a substrate for an organic EL display in which a plurality of pixels each having a light emitting region from which light is emitted is arranged in a grid is used as the substrate, and the plurality of openings are a plurality of pixels included in the plurality of pixels. Positioned so that the light emitting region of the film formation pixel is located with a gap inside the width direction of the opening as viewed from the direction orthogonal to the substrate. Excellent effect in the evaporation method.
  • the light-emitting area of the film formation pixel By placing the light-emitting area of the film formation pixel inside the opening with a gap, it is possible to suppress thin film molding defects caused by dimensions and positioning misalignment between the vapor deposition mask and the substrate. Productivity in the process can be improved.
  • the vapor deposition mask and the like of the present invention it is possible to effectively reduce vapor deposition blur, and mass production of a high-quality, high-definition large-sized organic EL display can be realized.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a vapor deposition process in the new vapor deposition method.
  • FIG. 2 is an enlarged schematic view of a portion indicated by a two-dot chain line in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the gap between the vapor deposition mask and the substrate and vapor deposition blur.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the cross-sectional aspect ratio of the opening and the passing angle.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the organic EL display in the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing the main part of the substrate.
  • FIG. 7 is a schematic view showing a cross section taken along line II in FIG.
  • FIG. 8 is a flowchart showing the basic manufacturing process of the organic EL display.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing the main part of the vapor deposition apparatus.
  • FIG. 10 is a schematic view showing a cross section taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 11 is a schematic view showing a main part of a modified example of the vapor deposition apparatus.
  • FIG. 12 is a flowchart showing the light emitting layer deposition process.
  • FIG. 13 is a schematic view showing a vapor deposition mask in the first embodiment.
  • 14 is a schematic view showing a cross section taken along line III-III in FIG.
  • FIG. 15 is a schematic perspective view showing a main part of the vapor deposition mask in the first embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic enlarged view of the main part in FIG. FIG.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing a vapor deposition mask (modified example) in the first embodiment.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing an enlarged main part of the vapor deposition mask (modified example) in the first embodiment.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view showing a vapor deposition mask (modification) in the first embodiment.
  • 20A and 20B are schematic cross-sectional views showing a vapor deposition mask (modification) in the first embodiment.
  • FIG. 21 is a schematic plan view showing the positional relationship between the vapor deposition mask and the pixels in the first embodiment.
  • FIG. 22 is a schematic view showing a vapor deposition mask in the second embodiment.
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view of a vapor deposition mask in the second embodiment.
  • FIG. 24 is a schematic cross-sectional view of a vapor deposition mask (modified example) in the second embodiment.
  • FIG. 25 is a schematic enlarged view of the main part in FIG.
  • FIG. 26 is a schematic cross-sectional view showing a vapor deposition mask (modification) in the second embodiment.
  • FIG. 27 is a schematic view showing a vapor deposition mask in the third embodiment.
  • FIG. 28 is a schematic perspective view showing the main part of the vapor deposition mask in the third embodiment.
  • 29 is a schematic cross-sectional view showing a main part in FIG.
  • FIG. 30 is a schematic enlarged view of the main part in FIG.
  • the organic EL display according to the present embodiment controls light emission of a plurality of pixels (sub-pixels 2R, 2G, and 2B) composed of red (R), green (G), and blue (B) colors (also collectively referred to as RGB). By doing so, it is an active matrix display that realizes full-color image display.
  • the organic EL display 1 of the present embodiment includes a substrate 10, a thin-film organic EL element 20, a sealing plate 30, and the like. Both the substrate 10 and the sealing plate 30 have a rectangular plate shape, and the organic EL element 20 is covered with a sealing member 40 such as an adhesive while being sandwiched between them. And sealed.
  • the central portion of the surface of the substrate 10 is a display area 11 for displaying an image, and the organic EL element 20 is disposed there.
  • the display region 11 of the substrate 10 is provided with TFTs 12 (Thin-Film-Transistors), wirings 13, an interlayer film 14, and the like.
  • TFTs 12 Thin-Film-Transistors
  • wirings 13 an interlayer film 14, and the like.
  • the organic EL display 1 is preferably a transparent substrate 10 because it is a bottom emission type in which emitted light is extracted from the substrate 10 side. However, in the case of a top emission type, it is not necessarily transparent.
  • the wiring 13 is patterned on the substrate 10 and includes a plurality of gate lines extending in parallel and a plurality of signal lines extending in parallel to intersect with the gate lines. In each of the plurality of regions surrounded by the wirings 13 such as the gate lines, RGB sub-pixels 2R, 2G, and 2B are arranged, and each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B emits light.
  • a TFT 12 to be controlled is provided.
  • the organic EL element 20 includes a first electrode 21 (anode), an organic EL layer 22, a second electrode 23 (cathode), and the like.
  • the first electrode 21 is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) or the like, and is formed by laminating on the interlayer film 14 and patterning in a lattice shape corresponding to the sub-pixels 2R, 2G, and 2B. Yes. These first electrodes 21 are connected to the respective TFTs 12 through contact holes 14a. An insulating edge cover 15 is laminated on the first electrodes 21.
  • the edge cover 15 is formed with light emitting regions 16R, 16G, and 16B each having a rectangular opening for each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B, and most of the first electrode 21 is exposed from the light emitting regions 16R, 16G, and 16B.
  • the end of the first electrode 21 is covered with the edge cover 15. The light emission of each pixel is extracted through these light emitting regions 16R, 16G, and 16B.
  • the organic EL layer 22 is provided between the first electrode 21 and the second electrode 23.
  • the hole transport layer 24, the light emitting layers 25R, 25G, and 25B, the electron transport layer 26, and the electron injection layer 27 are sequentially stacked from the first electrode 21 side.
  • the hole transport layer 24 of this embodiment also has a function as a hole injection layer.
  • the configuration of the organic EL layer 22 shown in the present embodiment is an example, and the present invention is not limited to this, and each layer can be selected and combined as necessary.
  • a hole injection layer may be provided separately from the hole transport layer 24, or a blocking layer may be further provided.
  • the organic EL layer 22 only needs to include at least the light emitting layers 25R, 25G, and 25B.
  • Known materials can be used for the material such as the hole transport layer 24 and the light emitting layers 25R, 25G, and 25B.
  • a hole transport layer 24 is formed on the prepared TFT substrate 10 so as to cover the TFT 12 and the like (step S1). Specifically, the material of the hole transport layer 24 is deposited over the entire display region 11. For example, an entire area mask having an opening having the same size as that of the display area 11 is bonded to the TFT substrate 10 and adhered thereto. The material of the hole transport layer 24 is vapor-deposited while rotating the TFT substrate 10 to which the entire area mask is adhered.
  • the hole transport layer 24 can be formed to a thickness of about 30 nm by using, for example, ⁇ -NPD as a material. A conventional vapor deposition apparatus can be used for this vapor deposition treatment.
  • the light emitting layers 25R, 25G, and 25B are formed on the hole transport layer 24 (step S2).
  • the light emitting layers 25R, 25G, and 25B are vapor-deposited for each color of RGB so as to be separately coated (separate vapor deposition).
  • vapor deposition of the light emitting layers 25R, 25G, and 25B it is common to perform co-evaporation using a host material and a dopant material.
  • the materials of the light emitting layers 25R, 25G, and 25B such as a host material and a dopant material can be selected from known materials.
  • the film thickness of the light emitting layers 25R, 25G, and 25B can be formed in the range of 10 to 100 nm, for example. In this embodiment, since a new vapor deposition method or a vapor deposition apparatus is used for this step, details will be described later.
  • the electron transport layer 26 is formed by being stacked on the light emitting layers 25R, 25G, and 25B (step S3). Specifically, the material for the electron transport layer 26 is vapor-deposited over the entire display region 11 by the same method as that for the hole transport layer 24. Further, the electron injection layer 27 is formed on the electron transport layer 26 (step S4). Also in the case of the electron injection layer 27, the material of the electron injection layer 27 is deposited over the entire display region 11 by the same method as the hole transport layer 24.
  • the materials for the electron transport layer 26 and the electron injection layer 27 can be selected from known materials. Both may be formed integrally using the same material. Each film thickness of the electron transport layer 26 and the electron injection layer 27 can be formed in the range of 10 to 100 nm, for example.
  • the electron transport layer 26 can be formed with a thickness of 30 nm using Alq as a material
  • the electron injection layer 27 can be formed with a thickness of 1 nm using LiF as a material.
  • the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is formed is finally bonded to the sealing plate 30 to seal the organic EL element 20, whereby the main part of the organic EL display 1 is completed.
  • step S2 the process (step S2) for forming the light emitting layers 25R, 25G, and 25B by separate vapor deposition will be described.
  • the process step S2 for forming the light emitting layers 25R, 25G, and 25B by separate vapor deposition will be described.
  • the basic configuration will be described first.
  • the vacuum chamber 51 is a box-shaped closed container that can be opened and closed.
  • the inside of the vacuum chamber 51 can be decompressed and kept at a predetermined low pressure state by a decompression device not shown.
  • the substrate support device 52 has a substrate 10 (also referred to as a target substrate 10) to be processed in a row direction (a direction in which the subpixels 2R, 2G, and 2B of each color are arranged in a line) as indicated by an arrow line in FIG. It has a function of supporting horizontally in a state of being oriented in the scanning direction.
  • the substrate support device 52 is provided with an electrostatic chuck, the target substrate 10 can be supported without being bent by its own weight by being attracted by the electrostatic chuck.
  • the substrate support device 52 can move horizontally, and the moving device 56 automatically controls horizontal movement in the scanning direction.
  • the scanning direction is also referred to as the X-axis direction
  • the direction orthogonal to the scanning direction on the horizontal plane is also referred to as the Y-axis direction.
  • these axial directions are shown as appropriate.
  • a direction (vertical direction) in which the vapor deposition axis perpendicular to the target substrate 10 and the like extends is also referred to as a Z-axis direction.
  • a shadow mask 60 is horizontally disposed below the target substrate 10 supported by the substrate support device 52 with a certain gap H therebetween.
  • the vertical distance (shortest distance) of the gap H is preferably set in the range of 50 ⁇ m to 1 mm. From the viewpoint of preventing vapor deposition blur, it is better to be small, but if it is less than 50 ⁇ m, the target substrate 10 and the shadow mask 60 may come into contact with each other. On the other hand, if it exceeds 1 mm, vapor deposition becomes unstable, resulting in color mixing and deterioration of patterning accuracy.
  • the shadow mask 60 has a rectangular plate shape, and has a plurality of openings K, K,... Formed in stripes so as to be aligned in the long side direction and extend along the short side ( Only a part of the opening is shown).
  • the plurality of openings K, K,... are formed, for example, so as to correspond to the columns of RGB sub-pixels 2R, 2G, 2B.
  • the shadow mask 60 has a long side dimension set to be larger than a dimension in the Y-axis direction in the display area 11 of the target substrate 10 facing the shadow mask 60, and a short side dimension in the display area 11 of the target substrate 10 facing the shadow mask 60. It is set smaller than the dimension in the X-axis direction.
  • a plurality of openings K, K,... Are provided in a range corresponding to the display area 11 in the Y-axis direction (effective area).
  • the second marker 63 that performs alignment with the first marker 17 provided on the target substrate 10 is provided on both outer sides of the effective area.
  • the first marker 17 and the second marker 63 are detected by a sensor 57 provided in the vapor deposition apparatus 50, and the target substrate 10 and the shadow mask 60 are accurately positioned in the horizontal direction based on the detected values (these elements). Is also called a positioning mechanism).
  • the shadow mask 60 is detachably attached to the mask unit 55 with its short side parallel to the scanning direction. Details of the shadow mask 60 will be described later.
  • the mask unit 55 is provided with a holder 55a, a tension holding device 58, a vapor deposition source 53, and the like.
  • the shadow mask 60 mounted on the mask unit 55 is horizontally supported by a tension holding device 58, and the relative positional relationship with the vapor deposition source 53 is fixed by a holder 55a.
  • the vapor deposition source 53 is provided so as to extend along the Y-axis direction.
  • the vapor deposition source 53 is disposed below the shadow mask 60 so as to face the target substrate 10 with the shadow mask 60 interposed therebetween.
  • a plurality of injection ports 53a, 53a,... For emitting vapor deposition particles toward the target substrate 10 are arranged in a line in the Y-axis direction (only a part of the injection ports are shown).
  • these exit ports 53a, 53a,... are arranged at positions facing the openings K of the shadow mask 60, and each exit port 53a is located at the center (X axis and It is located at the center in both directions of the Y axis.
  • the vapor deposition apparatus 50 is provided with a shutter (not shown) that opens and closes between the vapor deposition source 53 and the shadow mask 60. By controlling the opening and closing of the shutter, the vapor deposition apparatus 50 automatically performs vapor deposition at an appropriate timing. It is controlled.
  • the vapor deposition apparatus 50 may have various configurations other than the vapor deposition apparatus 50 described above. For example, it can be configured such that the mask unit 55 side moves instead of the substrate 10 side moving.
  • the number and arrangement of the injection ports 53a can be adjusted as appropriate.
  • it may be a slit-shaped injection port in which one or a plurality of injection ports 53a are extended in the Y-axis direction.
  • a plurality of injection ports 53a may be arranged in the X-axis direction.
  • the mask unit 55 and the substrate support device 52 may be arranged upside down so as to emit the vapor deposition particles downward. Since the configuration and function of each member and the like are the same as those of the vapor deposition apparatus 50 of the present embodiment, the same reference numerals are given and description thereof is omitted. In this case, the mask unit 55 side can be easily moved. It is also advantageous in that the target substrate 10 can be easily supported.
  • FIG. 12 shows the main steps of the vapor deposition method.
  • the shadow mask 60 for the red (R) light emitting layer 25R is attached to the mask unit 55, and the shadow mask 60 is horizontally supported by the tension holding device 58 (step S11).
  • the shadow mask 60 and the vapor deposition source 53 are fixed in a predetermined positional relationship.
  • a material for the red (R) light emitting layer 25R is set.
  • the target substrate 10 is attached to and supported by the substrate support device 52 so that the row direction of the target substrate 10 is parallel to the scanning direction (step S12).
  • the target substrate 10 and the shadow mask 60 are made to face each other to perform vertical alignment (Z-axis direction), and a predetermined gap H is set between the target substrate 10 and the shadow mask 60 (alignment step, Step S13).
  • the vapor deposition apparatus 50 is operated, and vapor deposition is performed while scanning the target substrate 10 over the entire display area 11 of the target substrate 10 (deposition step, step S14).
  • the target substrate 10 moves in the scanning direction at a constant scanning speed.
  • the target substrate 10 is accurately positioned in the horizontal direction with respect to the shadow mask 60 by the positioning mechanism.
  • vapor deposition particles are emitted from the vapor deposition source 53, and vapor deposition particles are sequentially deposited on the target substrate 10 through the opening K of the shadow mask 60, thereby forming the thin film 3.
  • the film thickness of the thin film 3 can be controlled, for example, by adjusting the scanning speed and the number of scans.
  • the stripe-shaped thin film 3 (red light emitting layer 25R) is formed in the red (R) sub-pixels 2R, 2R,.
  • the green (G) or blue (B) light emitting layers 25G and 25B are exchanged by changing the material of the shadow mask 60 and the vapor deposition source 53 by the same vapor deposition method. What is necessary is just to form. Since the arrangement of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B for each color of RGB is the same pitch, for example, if the shadow mask 60 is shifted (moved) by a predetermined pitch in the Y-axis direction, Can be shared.
  • a new shadow mask 60 (also referred to as a first improved mask 60A) was created in order to reduce such deposition blur.
  • the improved mask 60A includes a rectangular frame 65 (mask support), and a plurality of mask layers 70, 70,... And a support layer 71 are provided in the frame.
  • the plurality of mask layers 70, 70,... are composed of two mask layers 70, 70 that are stacked one above the other (this is also referred to as a first mask layer 70 a and a second mask layer 70 b), and 1 between them.
  • Two support layers 71 are sandwiched.
  • Each mask layer 70 is formed by stretching a plurality of mask wires 72 on the frame 65.
  • the plurality of mask wires 72 are arranged in stripes at a predetermined pitch in parallel with the short sides of the frame 65. Therefore, each mask layer 70 has a plurality of parallel slit-shaped gaps 73 defined by a plurality of mask wires 72.
  • the plurality of gaps 73 are set to have the same width dimension and are partitioned by one mask wire 72 having the same width dimension.
  • the mask wire 72 of the first mask layer 70a and the mask wire 72 of the second mask layer 70b overlap each other vertically, and the outlines of the mask wires 72, 72 of the mask layers 70a, 70b coincide with each other when viewed from the Z-axis direction. Are arranged as follows.
  • the plurality of gaps 73 of each mask layer 70 also have their contour lines aligned vertically, and a plurality of gaps 73 that penetrates both mask layers 70 linearly as viewed from the Z-axis direction are formed (through gaps). 73a). A plurality of openings K that allow the vapor deposition particles to pass therethrough are formed by these through gaps 73a. That is, only the vapor deposition particles having a smaller passing angle than the passage angle ⁇ out of the vapor deposition particles incident on the through gap 73a (opening K) can exit there.
  • the support layer 71 is formed by stretching a plurality of support wires 74 on the frame 65.
  • the plurality of support wires 74 intersect with the mask wire 72, for example, are arranged substantially parallel to the long side of the frame 65.
  • the support layer 71 is provided to support the upper and lower mask layers 70 and hold them in place. Therefore, unlike the mask layer 70 that forms the opening K, a highly accurate arrangement is not always necessary, and the extending direction may be oblique or varied.
  • the pitch of the support wires 74 may be relatively large, and is not necessarily a constant pitch.
  • each mask wire 72 and each support wire 74 a metal material such as stainless steel, nickel, an alloy, or a synthetic resin material can be used.
  • a metal wire having a rectangular cross section is used for the mask wire 72 and the support wire 74 shown in the present embodiment.
  • Each of these wires is fixed to the frame 65 by fusion, bonding, or the like in a state where the wires are pulled so that a tension acts.
  • these contact points may be fused or bonded.
  • the gap 73 of the mask layer 70 on the substrate 10 side in order to appropriately function the through gap 73a as the opening K, among the vapor deposition particles incident on the gap 73 of the mask layer 70 on the vapor deposition source 53 side, the gap 73 of the mask layer 70 on the substrate 10 side.
  • the mask wire 72 and the support wire 74 are arranged so that the vapor deposition particles other than the vapor deposition particles emitted from the light are captured by either the mask layer 70 or the support layer 71.
  • FIG. 1 is a view of a part of the first improved mask 60A as viewed from the X-axis direction, with the lower side being a first mask layer 70a located on the vapor deposition source 53 side and the upper side being a second mask located on the target substrate 10 side. Layer 70b is formed.
  • the maximum passing angle through which the vapor deposition particles pass through the gap 73 of the first mask layer 70a with respect to the vapor deposition axis L1 is ⁇ .
  • ⁇ be the minimum passing angle through which vapor deposition particles pass through the space.
  • the vapor deposition particles entering the space between the first mask layer 70a and the second mask layer 70b are the support layer. 71 (support wire 74) or second mask layer 70b (mask wire 72) collides and is captured, so that it does not pass through first improved mask 60A. Accordingly, in this case, the vapor deposition particles that can be emitted from the gap 73 of the second mask layer 70b are the gap 73 of the first mask layer 70a and the gap 73 of the second mask layer 70b linearly connected thereto (through gap 73a). ) And is limited to vapor deposition particles having a passing angle smaller than the maximum passing angle ⁇ passing through the through gap 73a.
  • a hole having the same width as the gap 73 is formed in the metal plate having the same thickness as the total thickness of the first mask layer 70a, the second mask layer 70b, and the support layer 71.
  • substantially the same effect as the formation of the opening K can be obtained, and a high cross-sectional aspect ratio can be easily realized.
  • the first improved mask 60A can be reduced in weight because the space between the overlapping mask layers 70 (portion of the support layer 71) is hollow. .
  • the conventional deposition mask when the conventional deposition mask is enlarged, it is necessary to prepare a large metal plate accordingly, whereas in the case of the first improved mask 60A, the lengths of the mask wire 72 and the support wire 74 are reduced. It only needs to be changed and assembled to the frame 65, and the size can be relatively easily increased. Since the mask wire 72 is supported by a plurality of intersecting support wires 74, the displacement can be effectively suppressed even when the mask wire 72 is enlarged.
  • the first improved mask 60A is not limited to the above-described form, and can take various forms.
  • the mask layer 70 may be three or more layers.
  • the support layer 71 is provided between each of the adjacent mask layers 70.
  • vapor deposition particles incident on the gap 73 of the outermost mask layer 70 located on the vapor deposition source 53 side vapor deposition particles other than the vapor deposition particles emitted from the gap 73 of the outermost mask layer 70 located on the substrate 10 side.
  • a plurality of mask wires 72 and a plurality of support wires 74 are arranged so as to be captured by either the mask layer 70 or the support layer 71.
  • the mask layer 70 (the second mask layer 70b in the figure) from the first mask layer 70a of the first layer to the Nth layer (the second layer in the figure) with respect to the vapor deposition axis L1.
  • ⁇ n ( ⁇ 2 in the figure) be the maximum passing angle through which the vapor deposition particles pass through the portion of the through gap 73a.
  • the Nth mask layer 70 a portion between two adjacent gaps 73, 73 and an N + 1th layer (third layer in the figure) mask layer 70 (third mask in the figure) overlapping therewith.
  • the minimum passing angle through which the vapor deposition particles pass through the space between the two adjacent gaps 73, 73 is ⁇ n ( ⁇ 2 in the figure).
  • the improved mask is dimensioned so that the passage angle ⁇ n is larger than the passage angle ⁇ n (N and n are integers of 1 or more).
  • the support layer 71 may be disposed not only between the mask layers 70 but also outside the mask layer 70.
  • the support layer 71 By providing the support layer 71 on the outer side of the mask layer 70, the support of the mask layer 70 is further strengthened, and displacement and the like can be suppressed.
  • the cross-sectional shape of the mask wire 72 and the support wire 74 can also take various forms.
  • the cross section (outline) may be circular, or as shown in (b) of FIG. .
  • Different cross-sectional shapes can be combined.
  • a circular cross section has the advantage that a general-purpose product can be used and material costs can be reduced.
  • a polygonal cross section is effective in preventing misalignment because the contact area between the mask wire 72 and the support wire 74 is increased.
  • the rectangular cross section is preferable because the through gap 73a (opening K) can be formed parallel to the Z-axis direction.
  • the opening K (through gap 73a) of the first improved mask 60A and the sub-pixels 2R, 2G, 2B of the target substrate 10 are preferably set in a predetermined positional relationship.
  • FIG. 21 shows, for example, a state in which the target substrate 10 is accurately positioned in the horizontal direction by the positioning mechanism (the state of the vapor deposition process) with respect to the first improved mask 60A.
  • the Z-axis direction is viewed from the vapor deposition source 53 side.
  • portions of the substrate 10 other than the light emitting regions 16R, 16G, and 16B are hatched for easy viewing.
  • each opening K is arranged to face the sub-pixels 2R, 2G, and 2B (film formation pixel 2a) on which the thin film 3 (element film) is formed.
  • the opening K is provided only in a portion facing the row of red (R) sub-pixels 2R.
  • the first improved mask 60A is positioned so that the light emitting regions 16R, 16G, and 16B of the film formation pixel 2a are located inside the opening K with a gap g therebetween.
  • a predetermined amount of gap 73g (design margin) is provided between the edge extending in the X-axis direction inside the opening K and the edge extending in the X-axis direction outside the light emitting region.
  • the light emitting layers 25R, 25G, and 25B were formed using the first improved mask 60A, the vapor deposition apparatus 50, and the new vapor deposition method described above.
  • the first improved mask 60A a mask having a size of 200 mm (X-axis direction) ⁇ 600 mm (Y-axis direction) was used.
  • the mask wire 72 and the support wire 74 a wire made of an Invar material (an alloy containing 36% Ni in Fe) having a square cross section with a side of 340 ⁇ m was used. Accordingly, the total thickness of the first improved mask 60A is 1020 ⁇ m. The gap H between the target substrate 10 and the first improved mask 60A was 300 ⁇ m.
  • the opening K had a width (Y-axis direction) of 110 ⁇ m and a length (X-axis direction) of 150 mm.
  • the pitch in the Y-axis direction of the openings K was 450 ⁇ m.
  • the number of openings K was 751.
  • a shielding plate made of Invar material having a plate thickness of 100 ⁇ m was arranged on the outer periphery of the region where the opening K was provided, and the region where the opening K was provided was limited to a predetermined size.
  • the pitch of the support wires 74 was 1 cm.
  • the passage angle ⁇ is 17.9 ° and the passage angle ⁇ is 45 °, and the predetermined condition is satisfied (see FIG. 16).
  • Each light emitting region 16R, 16G, 16B of the film formation pixel 2a has a size of 300 ⁇ m (X-axis direction) ⁇ 90 ⁇ m (Y-axis direction), and the pitch in the X-axis direction is 450 ⁇ m, and the pitch in the Y-axis direction is 150 ⁇ m. did.
  • the maximum incident angle ⁇ of the vapor deposition particles at this time was 6.2 °, and the cross-sectional aspect ratio was about 9.3.
  • the materials of the light emitting layers 25R, 25G, and 25B of the respective colors use a host material and a dopant material, and their deposition rates are 5.0 nm / s and 0.53 nm / s for red (R) and green (G). Of 5.0 nm / s and 0.67 nm / s, and blue (B) of 5.0 nm / s and 0.67 nm / s. In the vapor deposition process, one reciprocal scan was performed once.
  • RGB light emitting layers 25R, 25G, and 25B having excellent film thickness uniformity could be formed.
  • the blur width at this time was about 33 ⁇ m.
  • the weight of the portion of the first improved mask 60A excluding the frame 65 was about 205 g. If a vapor deposition mask of the same material and dimensions was produced by a conventional method using a metal plate, the weight would be approximately 890 g, so that a significant reduction in weight could be achieved.
  • the gap 73 in each mask layer 70 is partitioned by one mask wire 72.
  • a plurality of (three in this embodiment) mask wires are used.
  • 72 (partially also referred to as element mask wire 72a).
  • the vapor deposition apparatus 50, the vapor deposition method, etc. are the same as that of 1st Embodiment, a different point is demonstrated in detail and the description is abbreviate
  • FIG. 22 and 23 show a shadow mask 60 (second improved mask 60B) of the present embodiment.
  • a plurality of gaps 73 are each partitioned by three element mask wires 72a.
  • the second improved mask 60B even when the opening width and the pitch thereof are changed, the number of the element mask wires 72a may be changed in accordance with the change, and the mask wires 72 having different dimensions can be individually set. No need to prepare. Therefore, since the number of materials can be suppressed, the manufacturing cost can be reduced.
  • the width between two adjacent gaps 73 is an integral multiple of the width dimension of the element mask wire 72a, the plurality of element mask wires 72a are arranged in close contact with each other. can do. However, if this is not the case, a gap 73 is formed between the element mask wires 72a, and vapor deposition particles may be unexpectedly deposited therefrom.
  • the width between two adjacent gaps 73 is Even if it is not an integral multiple of the width dimension of the element mask wire 72a, only the through gap 73a can function as the opening K.
  • the plurality of element mask wires 72a may be arranged so that all of the vapor deposition particles incident on the adjustment gap 75 are captured by either the mask layer 70 or the support layer 71.
  • the position of the adjustment gap 75 of each mask layer 70 is shifted and viewed from the X-axis direction to block the vapor deposition particle passage.
  • the predetermined through gap 73a can function as the opening K, and the cross-sectional aspect ratio can be increased.
  • the adjustment gap 75 in the mask layer 70 hollowing is promoted, and further the weight of the vapor deposition mask can be reduced.
  • the mask layer 70 has three or more layers and that various cross-sectional shapes can be adopted for the element mask wire 72a.
  • the adjustment gap 75 can be sealed with a sealing member 77.
  • a wire having a diameter larger than the width of the adjustment gap 75 also referred to as a sealing wire 77
  • the sealing wire 77 is stretched on the frame 65 and the adjustment gap 75 is closed with the sealing wire 77. It is preferable to close all the adjustment gaps 75 facing both surfaces, but all the adjustment gaps 75 facing one side may be closed. It is sufficient that at least the adjustment gap 75 where the vapor deposition particles may pass is closed.
  • the sealing wire 77 is preferably a wire having a circular cross section. If it does so, it can bite into the adjustment gap 73 easily and positioning becomes easy. In addition to this, for example, enclosing a resin or the like in the adjustment gap 75 is conceivable.
  • each mask layer 70 is partitioned by three element mask wires 72a, and four mask layers 70 are stacked to constitute the second improved mask 60B.
  • the mask wire 72 a wire made of Invar material having a square cross section with a side of 100 ⁇ m was used.
  • the support wire 74 a wire made of Invar having a square cross section with a side of 200 ⁇ m was used.
  • the width, pitch, and the like of the opening K were the same as those in the first example.
  • the width between two adjacent gaps 73 is 340 ⁇ m, an adjustment gap 75 of 40 ⁇ m is required. Therefore, the adjustment gaps 75 formed in the respective mask layers 70 are arranged so that their positions are shifted as shown in FIG. 24 so that the vapor deposition particles incident thereon do not pass through.
  • the light emitting layers 25R, 25G, and 25B were formed with the same vapor deposition apparatus settings and vapor deposition treatment conditions as in the first example.
  • RGB light emitting layers 25R, 25G, and 25B having excellent film thickness uniformity could be formed.
  • the blur width was about 33 ⁇ m as in the first example.
  • the support wires 74 are arranged so as to be sandwiched between the mask layers 70 adjacent to each other in the vertical direction.
  • each of the plurality of mask wires 72 is provided. This is particularly different in that each of the plurality of support wires 74 is arranged so as to be incorporated alternately.
  • the vapor deposition apparatus 50, the vapor deposition method, etc. are the same as that of 1st Embodiment, a different point is demonstrated in detail and the description is abbreviate
  • FIG. 27 to 29 show the shadow mask 60 (third improved mask 60C) of the present embodiment.
  • the support wires 74 are arranged so as to alternately pass through the upper side and the lower side of the mask wire 72 of the same mask layer 70.
  • This third improved mask 60C is composed of two mask layers 70 and two support layers 71 (for the sake of convenience, the upper mask layer 70 and the support layer 71 are respectively shown in FIG. 1 support layer 71w, and the lower mask layer 70 and the support layer 71 are also referred to as a second mask layer 70x and a second support layer 71x, respectively).
  • the mask layer 70 and the support layer 71 are not limited to two, and may be three or more.
  • the support wires 74 of the support layers 71 are arranged so as to alternately pass above and below the mask wires 72 of the mask layers 70 in the same order in the Y-axis direction. For example, if each support wire 74 of the first support layer 71w is positioned above the nth mask wire 72w (n) from one end in the Y-axis direction in the first mask layer 70w, the first mask layer For the (n ⁇ 1) th mask wire 72w (n ⁇ 1) and the (n + 1) th mask wire 72w (n + 1) adjacent to the mask wire 72w (n) at 70w, the first support layer 71w is formed on the lower side. Each support wire 74 will be located.
  • the support wires 74 of the second support layer 71x are positioned above the nth mask wire 72x (n) in the second mask layer 70x.
  • the support wires 74 of the second support layer 71x are located at the positions.
  • the support wires 74 of the second support layer 71x are positioned below the nth mask wire 72w (n) in the first mask layer 70w, and the ( n-1) th mask wire 72x in the second mask layer 70x.
  • Each support wire 74 of the first support layer 71w is positioned above (n ⁇ 1) and the (n + 1) th mask wire 72x (n + 1) .
  • each mask wire 72 is displaced in the vertical direction along the Y-axis direction.
  • n-th mask wire 72w of the first mask layer 70 w (n) and the second mask layer 70x of the mask wire 72x (n) are all forces acting on the lower side to position the support wire 74 on its upper side Therefore, the position is relatively shifted downward.
  • the mask wire 72w (n-1) and the mask wire 72w (n + 1) of the first mask layer 70w and the mask wire 72x (n-1) and the mask wire 72x (n + 1) of the second mask layer 70x are
  • the support wire 74 is positioned on the lower side and a force acts on the upper side, the position is relatively shifted on the upper side.
  • the position of the end of the opening K (through gap 73a) is relatively displaced in the vertical direction (Z-axis direction), so that the size of one passage angle ⁇ 1 and the other passage angle ⁇ 2 is obtained. There is a difference. As a result, a difference occurs in the blur width on both sides of the thin film 3 (element film). As the amount of deviation increases, the difference in blur width also increases.
  • the mask layer 70 on the substrate 10 side in order to appropriately function the through gap 73a as the opening K, out of the vapor deposition particles incident on the gap 73 of the mask layer 70 on the vapor deposition source 53 side, the mask layer 70 on the substrate 10 side.
  • the mask wire 72 and the support wire 74 are arranged so that vapor deposition particles other than the vapor deposition particles emitted from the gap 73 are captured by either the mask layer 70 or the support layer 71.
  • the conditions are the same as those of the first improved mask 60A and the like described above except that the sizes of the passing angle ⁇ and the like are different on both sides of the opening K (through gap 73a). Are the same.
  • the lower side of the figure is the vapor deposition source 53 side, and the maximum of vapor deposition particles passing through the vapor deposition axis L1 from one side (side shifted upward) of the gap 73 of the second mask layer 70x.
  • the passing angle be ⁇ 1.
  • ⁇ 1 be the minimum passing angle through which vapor deposition particles pass through the space.
  • the passage angle ⁇ 2 is more than the passage angle ⁇ 2. It is set to be large. Note that the case where the mask layer 70 has three or more layers is the same as the first improved mask 60A and the like (see FIG. 18).
  • each wire can be arbitrarily selected.
  • the support wires 74 do not necessarily have to be alternately installed for each mask wire 72, and can be alternately installed for each of a plurality of mask wires 72, for example, for each of the two mask wires 72, 72.
  • a third improved mask composed of two support layers 71 and two mask layers 70 in which support wires 74 are alternately incorporated in the mask wires 72 is configured.
  • the mask wire 72 a wire made of an Invar material having a rectangular cross section with a width (Y-axis direction) of 340 ⁇ m and a thickness (Z-axis direction) of 500 ⁇ m was used.
  • the support wire 74 a wire made of Invar having a square cross section with a side of 100 ⁇ m was used.
  • each mask wire 72 was set to be displaced by 50 ⁇ m alternately above and below the reference line horizontal in the Y-axis direction.
  • the light emitting layers 25R, 25G, and 25B were formed in the same manner as in the first example except for the width and pitch of the openings K, the settings of the vapor deposition apparatus, the conditions for the vapor deposition process, and the like.
  • RGB light emitting layers 25R, 25G, and 25B having excellent film thickness uniformity could be formed.
  • the blur width was about 29 ⁇ m on one side and about 35 ⁇ m on the other side.
  • the vapor deposition mask and the like of the present invention it is possible to effectively reduce vapor deposition blur by a practical method, and thus it is possible to manufacture a high-quality and high-definition large-sized organic EL display. become.
  • the vapor deposition mask etc. concerning this invention are not limited to the said embodiment, The other various structures are also included.
  • the first improved mask 60A or the like may be used only for forming the light emitting layers 25R, 25G, and 25B of a specific color.
  • the unmodified shadow mask 60 is used for the green (G) light emitting layer 25G. it can.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

　複数のストライプ状の開口Ｋを通じて蒸着粒子を蒸着させることにより、基板１０に薄膜３をパターンニングする蒸着マスクである。蒸着マスクは、フレーム６５と、その枠内に重ねて設けられる複数のマスク層７０と、これらマスク層７０の間に設けられる支持層７１とを備える。マスク層７０は、複数のマスクワイヤ７２をストライプ状に張ることによって形成され、支持層７１は、マスクワイヤ７２と交差して複数の支持ワイヤ７４を張ることによって形成されている。複数のマスク層７０のそれぞれが有する複数の隙間７３が重なることにより、複数のマスク層７０の全てを直線状に貫通する複数の貫通隙間７３ａが複数形成されており、これら貫通隙間７３ａによって開口Ｋが構成されている。

Description

蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法
　本発明は、例えば、大型の有機ＥＬディスプレイ（Electro Luminescence display）などに好適な蒸着マスク等に関する。
　近年、フラットパネルディスプレイの大型化、高画質化、低消費電力化が求められており、低電圧で駆動でき、高画質な有機ＥＬディスプレイは高い注目を浴びている。有機ＥＬディスプレイの構造は、例えば、フルカラーのアクティブマトリクス方式の有機ＥＬディスプレイの場合、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられた基板上に薄膜状の有機ＥＬ素子が設けられている。有機ＥＬ素子には、一対の電極の間に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光層を含む有機ＥＬ層が積層されていて、これら電極間に電圧を印加することにより各発光層が発光するため、その光を利用して画像表示が行われている。
　このような有機ＥＬディスプレイの製造では、真空蒸着法やインクジェット法、レーザ転写法などの手法を用いて発光層や電極等の薄膜のパターンニングが行われている。例えば、低分子型の有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）では、主に真空蒸着法が発光層のパターンニングに用いられている。
　真空蒸着法では、通常、所定の開口がパターン形成されたマスクを基板に密着固定し、マスク側を蒸着源に向けた状態で真空チャンバーにセットする。そして、基板の所望の位置に、マスクの開口を通して蒸着源から成膜素材を蒸着させることで、発光層等の薄膜のパターンニングが行われる。各色の発光層は、それぞれ個別に塗り分けるように蒸着される（塗り分け蒸着）。特に量産プロセスでは、基板と同等サイズのマスク（密着型全面シャドウマスク）を使用し、そのマスクを密着した基板を蒸着源に対して所定位置に固定した状態で蒸着するのが一般的である。
　蒸着源に対して基板等を相対的に移動させながら蒸着する真空蒸着法も知られている（特許文献１）。特許文献１では、形成する電極の面積よりも小さい小孔や細長いスリット孔が所定間隔で複数形成されたマスクが使用されている。そのマスクを小孔等の配列方向に対して交差する方向に移動させながら蒸着し、所定パターンの電極を形成している。
　本発明に関し、繊維を用いて形成した蒸着マスクが開示されている（特許文献２）。具体的には、矩形枠状のフレームの開口部に、樹脂系単繊維をストライプ状に設けている。樹脂系単繊維のそれぞれは、１本の大径の単繊維と２本の小径の単繊維で構成されている。２本の小径の単繊維は、大径の単繊維の直径よりも小さいピッチでフレームに接着されている。大径の単繊維は、これら２本の小径の単繊維の間に載置した状態でフレームに接着されている。
特開平１０－１０２２３７号公報 特開２０００－１８２７６７号公報
　従来の量産プロセスの下で発光層等を真空蒸着法によりパターンニングする場合、基板が大きくなればそれに伴ってマスクも大型化するため、マスクの自重撓みや延びにより、基板とマスクとの間に隙間が生じ易い。そのため、高精度なパターンニングを行うのが難しく、蒸着位置のズレや混色が発生して高精細化の実現が困難となっている。
　また、基板が大きくなれば、マスクやこれを保持するフレーム等が巨大になってその重量も増加するため、取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。関連装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になる。
　そのため、従来の真空蒸着法では大型基板への対応が難しく、例えば、６０インチサイズを超えるような大型基板に対しては量産レベルでパターンニングできる方法が実現できていないのが実情である。
　それに対し、本発明者は、そのような大型基板にも対応できる蒸着方法（新蒸着法ともいう）を先に提案している（特願２００９－２１３５７０）。
　具体的には、基板よりも面積の小さいシャドウマスクと蒸着源とが一体化したマスクユニットを使用する。シャドウマスクと基板との隙間を一定に保った状態で、マスクユニットを基板に対して相対的に走査させながら蒸着を行う。そうすることで、上述したような基板の大型化に伴う問題を回避し、蒸着による大型基板のパターンニングを量産プロセスで実現可能にしている。
　ところが、この新蒸着法の場合、パターン形成される薄膜の蒸着ボケが大きくなり易い傾向が認められた。
　図１に、新蒸着法における蒸着過程を表した模式図を示す。図中、１０１は基板、１０２は蒸着マスク、１０２ａは開口、１０３は蒸着源、１０３ａは蒸着粒子を射出する射出口、１１０は基板に形成された発光層等の薄膜である。蒸着マスク１０２と蒸着源１０３とは、ユニット化されて相対的な位置関係が固定されている。矢印線はその蒸着マスク１０２等の基板１０１に対する相対的な走査方向を示している。
　新蒸着法では、蒸着マスク１０２と基板１０１との間に一定の隙間を保持しながら蒸着が行われる。そのため、図２に示すように、蒸着マスクの開口を斜めに通過する蒸着粒子の一部が蒸着領域ｒ１（蒸着マスクの開口と対向する領域）の外側の部分に付着し、走査方向に対して垂直な方向に蒸着ボケが発生する。発光層等は画素の発光領域として機能するため、蒸着ボケが隣接する画素の発光領域に及ぶと、混色や特性の劣化を招く。従って、蒸着ボケは極力小さいのが好ましい。なお、ここでいう「蒸着ボケ」とは、同図に示すように、蒸着領域ｒ１の外側の部分に形成される薄膜１１０のことを意味する。
　蒸着ボケは、蒸着マスク１０２と基板１０１との間の隙間を小さくすることで低減できる。例えば、図３に示すように、蒸着粒子の飛翔には指向性があるため、走査方向から見て、基板１０１や蒸着マスク１０２に直交する軸線（蒸着軸線Ｌ１ともいう）に対して蒸着粒子が基板１０１に入射する角度（入射角度）をγとし、蒸着マスク１０２と基板１０１との間の隙間の垂直間距離をＰとすると、蒸着ボケの幅（ボケ幅Ｂ）はＰ×ｔａｎγとなる。したがって、蒸着マスク１０２と基板１０１との間の隙間が大きくなれば蒸着ボケは大きくなり、小さくなれば蒸着ボケは小さくなるため、蒸着マスク１０２と基板１０１とは、できるだけ近接させるのが好ましい。
　ところが、例えば数１０μｍ等、蒸着マスク１０２と基板１０１とを極限まで近接させて、両者を接触させずに走査するには、蒸着マスク１０２や基板１０１の高精密な制御が必要になる。しかしながら、そのような制御を安定して行うのは難しく、特に大型の基板１０１の場合は実用化が難しい。
　それ以外で蒸着ボケを低減する方法としては、入射角度γを小さくすることが考えられる。入射角度γは、射出口１０３ａから射出される蒸着粒子の射出角度、あるいは蒸着粒子が開口１０２ａを通過する通過角度（いずれも蒸着軸線Ｌ１に対する角度）のいずれかによって制限されるが、通常、開口１０２ａの幅は微小であるため射出角度よりも通過角度の方が小さく、入射角度γは通過角度によって制限されるのが一般的である。
　図４に示すように、その通過角度の最大値は、蒸着マスク１０２の開口１０２ａの断面アスペクト比の影響を受ける。断面アスペクト比は、開口１０２ａの幅や深さ、断面形状等によって定まる値である。ここでは、走査方向から見て、マスク表面に直交して延びる開口１０２ａの断面における幅寸法ｈに対する深さ寸法ｆの比率（ｆ／ｈ）で断面アスペクト比を表している。その場合、同図に示すように、実線で示す低断面アスペクト比（ｆ１／ｈ）の蒸着マスク１０２よりも、２点鎖線で示す高断面アスペクト比（ｆ２／ｈ）の蒸着マスク１０２の方が、通過角度の最大値は小さくなる。
　従って、蒸着ボケを低減するには、蒸着マスクの開口の断面アスペクト比を高めることが効果的である。そして、その方法としては、例えば、開口の断面形状を精度高く形成することや蒸着マスクの厚みを大きくすることなどが考えられる。
　例えば、電鋳法やレーザーカットによる掘削法などを用いれば、開口の断面形状を精度高く形成することができる。しかし、厚みが３００μｍの蒸着マスクに１００μｍの幅で開口を形成する場合など、幅に対して深さの大きい開口の断面形状をμｍレベルで精度高く加工することは難しい。
　また、蒸着マスクの厚みを大きくすると、それだけ蒸着マスクの重量が重くなるため、自重による撓み変形が生じ易くなる。撓み変形が生じると、蒸着マスクと基板との間の隙間が不安定になる。蒸着マスクが大型化すれば、取り扱いや蒸着装置内での制御も困難になる。
　そのため、蒸着ボケに有効な高断面アスペクト比の開口は、従来の蒸着マスクの構造では実用化が実現できなかった。
　そこで、本発明の目的は、実用的な方法で蒸着ボケを効果的に低減することができ、高品位で高精細な大型の有機ＥＬディスプレイの製造が可能になる蒸着マスク等を提供することにある。
　上記目的を達成するために、本発明では蒸着マスクの形状やその配置等を工夫した。
　例えば、本発明の蒸着マスクは、複数のストライプ状の開口を通じて蒸着粒子を蒸着させることにより、基板に薄膜を所定のパターンで形成する蒸着マスクである。蒸着マスクは、枠状のマスク支持体と、前記マスク支持体の枠内に重ねて設けられる複数のマスク層と、前記マスク層の間に設けられる支持層と、を備える。前記複数のマスク層のそれぞれは、前記マスク支持体に複数のマスクワイヤを同方向にストライプ状に張ることによって形成されている。前記支持層は、前記マスクワイヤと交差して前記マスク支持体に複数の支持ワイヤを張ることによって形成されている。前記複数のマスク層のそれぞれが有する複数の隙間が重なることにより、前記複数のマスク層の全てを直線状に貫通する複数の貫通隙間が複数形成されており、前記複数の貫通隙間によって前記複数の開口が構成されている。
　この蒸着マスクでは、それぞれがマスクワイヤで構成された複数のマスク層が積層されている。これらマスク層の間には、マスクワイヤと交差する複数の支持ワイヤで構成された支持層が設けられている。各マスク層のストライプ状の隙間を重ね合わせて直線状に貫通する複数の貫通隙間が形成されている。そして、これら複数の貫通隙間で複数の開口を構成している。
　この蒸着マスクによれば、マスク層等を積層することによって開口を構成しているので、従来の蒸着マスクのように、金属板に孔を穿って開口を形成する必要がない。マスク層の積層数を増やせば厚み寸法を大きくすることができるので、高断面アスペクト比を容易に実現できる。従って、蒸着ボケを効果的に低減することができ、高品位で高精細な大型の有機ＥＬディスプレイの製造が可能になる。
　しかも、隙間の大きさや、マスクワイヤ、支持ワイヤのサイズを調整するだけで、断面アスペクト比やピッチが異なる蒸着マスクを得ることができるので、精細な薄膜を自在にパターンニングすることができる。また、金属板を穿つことによって開口を形成する従来の蒸着マスクに比べ、この蒸着マスクでは支持層の部分に空間が形成されるので軽量化が図れる。
　更に、従来の蒸着マスクを大型化する場合には、それに応じて大型の金属板を準備する必要があるのに対し、この蒸着マスクの場合、マスクワイヤや支持ワイヤの長さを変えてマスク支持体に組み付けるだけでよく、比較的容易に大型化できる。マスクワイヤは、交差する複数の支持ワイヤで支持してあるので、大型化しても位置ずれを効果的に抑制できる。
　具体的には、前記複数の隙間は、それぞれ１本の前記マスクワイヤによって区画することができる。
　この場合、蒸着マスクの構造が単純になるので、その加工が容易になり、品質の安定性に優れる。
　また、前記複数の隙間は、それぞれ複数本の前記マスクワイヤによって区画することもできる（第２改良マスクともいう）。
　この場合、開口幅やそのピッチを変更する場合であっても、マスクワイヤの本数をそれに合わせて変更すればよく、寸法の異なるマスクワイヤを個別に準備する必要がなくなる。従って、材料点数を抑制できるので、製造コストが削減できる。
　更に、前記複数のマスクワイヤのそれぞれに対し、前記複数の支持ワイヤのそれぞれを互い違いに組み込むこともできる。
　このように、張力が作用する複数のマスクワイヤのそれぞれに対し、張力が作用する複数の支持ワイヤのそれぞれを互い違いに組み込めば、支持ワイヤによるマスクワイヤの支持が強化されるので、マスクワイヤの位置ずれをよりいっそう防止できる。
　特に、これら蒸着マスクは、新蒸着法に用いる蒸着装置との組み合わせによって優れた効果が発揮される。
　例えば、そのような蒸着装置としては、これら蒸着マスクと、前記蒸着粒子を放射する蒸着源と、前記蒸着マスク及び前記蒸着源を含み、これらの相対的な位置関係を固定するマスクユニットと、前記基板を支持する基板支持装置と、前記基板と前記蒸着マスクとの間に一定の空隙を設けた状態で、前記マスクユニット及び前記基板のうち少なくとも一方を、所定の走査方向に沿って相対的に移動させる移動装置と、を備え、前記開口が延びる方向と前記走査方向とが平行になるように前記蒸着マスクが配置される蒸着装置が考えられる。
　このような構成の蒸着装置によれば、基板のサイズの大小にかかわらず、蒸着ボケを効果的に低減しながら基板に薄膜を蒸着させることができる。従って、高品位で高精細な大型の有機ＥＬディスプレイを安定して製造することができ、量産化が実現できる。
　この蒸着装置の場合、前記蒸着源側に位置する最外層の前記マスク層における前記隙間に入射する前記蒸着粒子のうち、その隙間と重なって前記基板側に位置する最外層の前記マスク層における前記隙間から出射する前記蒸着粒子以外の前記蒸着粒子は、前記マスク層及び前記支持層のいずれかに捕捉されるように、前記複数のマスクワイヤ及び前記複数の支持ワイヤが設定されているようにするのが好ましい。
　そうすれば、蒸着マスクの隙間（開口）の入口に入射する蒸着粒子は、必ずその隙間（開口）の出口から出射するので、隙間（貫通隙間）のみを開口として機能させることができる。従って、予期せぬ蒸着を防ぐことができ、高品質なパターンニングを行うことができる。
　具体的には、前記複数のマスク層が、前記蒸着源側から第１マスク層と、第２マスク層とを有し、前記走査方向から見て、前記蒸着マスクと直交する基準線に対し、前記第１マスク層における前記隙間を前記蒸着粒子が通過する最大の通過角度と、前記第１マスク層において互いに隣接する２つの前記隙間の間の部分、及びこれと重なる前記第２マスク層において互いに隣接する２つの前記隙間の間の部分の間の空間（層間空間ともいう）を前記蒸着粒子が通過する最少の通過角度とを比べたとき、前記最大の通過角度よりも前記最少の通過角度の方が大きく設定されているようにすればよい。
　そうすれば、層間空間に入り込む蒸着粒子はマスクワイヤか支持ワイヤに突き当たるので、基板側への出射が阻止される。従って、隙間（貫通隙間）の入口に入射した蒸着粒子のみがその出口から出射することとなり、実質的に隙間（貫通隙間）を開口として機能させることができる。
　更には、前記第２マスク層に続いて前記基板側に積層される複数のマスク層を有し、前記走査方向から見て、前記蒸着マスクと直交する基準線に対し、前記第１マスク層からＮ層目の前記マスク層にわたる前記貫通隙間の部分を前記蒸着粒子が通過する最大の通過角度と、Ｎ層目の前記マスク層において互いに隣接する２つの前記隙間の間の部分、及びこれと重なるＮ＋１層目の前記マスク層において互いに隣接する２つの前記隙間の間の部分の間の空間を前記蒸着粒子が通過する最少の通過角度とを比べたとき、前記最大の通過角度よりも前記最少の通過角度の方が大きく設定されているようにするのが好ましい。
　これは、蒸着マスクが３層以上の複数のマスク層を有している場合を示している。この場合も２層の場合と同様に、各層間空間に入り込む蒸着粒子はマスクワイヤか支持ワイヤに突き当たるので、基板側への出射が阻止される。このように、マスク層の数が増えても、実質的に隙間（貫通隙間）を開口として機能させることができる。
　また、蒸着マスクに上述した第２改良マスクを用いる場合には、その蒸着マスクと、前記蒸着粒子を放射する蒸着源と、前記蒸着マスク及び前記蒸着源を含み、これらの相対的な位置関係を固定するマスクユニットと、前記基板を支持する基板支持装置と、前記基板と前記蒸着マスクとの間に一定の空隙を設けた状態で、前記マスクユニット及び前記基板のうち少なくとも一方を、所定の走査方向に沿って相対的に移動させる移動装置と、を備え、前記開口が延びる方向と前記走査方向とが平行になるように前記蒸着マスクが配置され、前記複数のマスク層のうち、少なくとも前記蒸着源側に位置する最外層の前記マスク層における隣接する２つの前記隙間の間の部分に、前記蒸着粒子の通路を遮断した調整隙間が形成されている蒸着装置とすることができる。
　第２改良マスクの場合、隣接する２つの隙間の間の幅が、マスクワイヤの幅寸法の整数倍であれば、複数のマスクワイヤを密着させた状態で配置することができるので、余計な隙間を生じることがない。しかし、そうでない場合には、寸法差によって余計な隙間が生じ、そこから蒸着粒子が予期せず蒸着するおそれがある。
　そこで、そのような場合には、蒸着粒子の通路を遮断した調整隙間を形成することで、余計な隙間に起因する蒸着を防いで貫通隙間のみを開口として機能させることができる。
　具体的には、調整隙間に入射する前記蒸着粒子は、前記マスク層及び前記支持層のいずれかに捕捉されるように、前記複数のマスクワイヤを配置すればよい。
　そうすれば、マスクワイヤの配置を調整するだけで蒸着粒子の通路を遮断することができ、別途部材を設けたり加工を施す必要がなく、コスト面で有利である。また、調整隙間を形成することで、中空化が促進され、さらに蒸着マスクの軽量化を図ることができる。
　前記調整隙間は、封止部材で塞ぐこともできる。
　調整隙間を封止部材で塞げば、蒸着粒子の通路を確実性をもって遮断することができ、安定性を確保できる。
　このような蒸着マスクや蒸着装置は、新蒸着法に基づく製造において優れた効果を発揮する。
　そのような蒸着方法としては、例えば、これら蒸着装置を用いて前記基板に前記薄膜をストライプ状に形成する蒸着方法であって、前記基板を前記基板支持装置に支持させ、前記基板と前記蒸着マスクとの間に前記空隙を設けた状態で、前記マスクユニットと前記基板とを対向させる位置合わせ工程と、前記移動装置により、前記マスクユニット及び前記基板のうち少なくとも一方を所定の走査方向に沿って相対的に移動させながら順次蒸着させ、前記薄膜を形成する蒸着工程と、を含む蒸着方法が考えられる。
　この蒸着方法であれば、所定の操作を行うだけで、基板のサイズの大小にかかわらず、蒸着ボケが低減された蒸着を行うことができるので、大型の有機ＥＬディスプレイの量産プロセスに好適である。
　特に、前記基板として、光が放出される発光領域を有する複数の画素が格子状に配列されている有機ＥＬディスプレイ用の基板が用いられ、前記複数の開口は、前記複数の画素に含まれる複数の被成膜画素とそれぞれ対向して配置され、前記基板と直交する方向から見て、前記開口の幅方向の内側に、前記被成膜画素の前記発光領域が隙間を隔てて収まるように位置決めする蒸着方法において優れた効果を発揮する。
　被成膜画素の発光領域を開口の内側に隙間を隔てて収めることで、蒸着マスクと基板との間で生じる寸法や位置決めのズレを要因とする薄膜の成形不良を抑制することができ、量産プロセスにおける生産性を向上することができる。
　以上説明したように、本発明の蒸着マスク等によれば、蒸着ボケを効果的に低減することができ、高品位で高精細な大型の有機ＥＬディスプレイの量産化が実現できる。
図１は、新蒸着法における蒸着過程の一例を表した模式図である。 図２は、図１において２点鎖線で示す部分を拡大した概略図である。 図３は、蒸着マスクと基板との間の隙間と蒸着ボケとの関係を示す図である。 図４は、開口の断面アスペクト比と通過角度との関係を示す図である。 図５は、第１の実施形態における有機ＥＬディスプレイを表す模式断面図である。 図６は、基板の要部を示す概略平面図である。 図７は、図６におけるＩ－Ｉ線での断面を示す概略図である。 図８は、有機ＥＬディスプレイの基本的な製造工程を表したフローチャートである。 図９は、蒸着装置の要部を示す概略平面図である。 図１０は、図９におけるＩＩ－ＩＩ線での断面を示す概略図である。 図１１は、蒸着装置の変形例の要部を示す概略図である。 図１２は、発光層の蒸着工程を表したフローチャートである。 図１３は、第１の実施形態における蒸着マスクを示す概略図である。 図１４は、図１３におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線での断面を示す概略図である。 図１５は、第１の実施形態における蒸着マスクの要部を示す概略斜視図である。 図１６は、図１４における要部の概略拡大図である。 図１７は、第１の実施形態における蒸着マスク（変形例）を示す概略断面図である。 図１８は、第１の実施形態における蒸着マスク（変形例）の拡大した要部を示す概略断面図である。 図１９は、第１の実施形態における蒸着マスク（変形例）を示す概略断面図である。 図２０の（ａ），（ｂ）は、第１の実施形態における蒸着マスク（変形例）を示す概略断面図である。 図２１は、第１の実施形態における蒸着マスクと画素との位置関係を表した概略平面図である。 図２２は、第２の実施形態における蒸着マスクを示す概略図である。 図２３は、第２の実施形態における蒸着マスクの概略断面図である。 図２４は、第２の実施形態における蒸着マスク（変形例）の概略断面図である。 図２５は、図２４における要部の概略拡大図である。 図２６は、第２の実施形態における蒸着マスク（変形例）を示す概略断面図である。 図２７は、第３の実施形態における蒸着マスクを示す概略図である。 図２８は、第３の実施形態における蒸着マスクの要部を示す概略斜視図である。 図２９は、図２７における要部を示す概略断面図である。 図３０は、図２９における要部の概略拡大図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。ただし、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物あるいはその用途を制限するものではない。
　［第１の実施形態］
　（有機ＥＬディスプレイ）
　本実施形態では、有機ＥＬディスプレイの製造に本発明を適用した場合を例に説明する。本実施形態の有機ＥＬディスプレイは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色（まとめてＲＧＢともいう）からなる複数の画素（サブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）の発光を制御することにより、フルカラーの画像表示を実現するアクティブマトリクス型のディスプレイである。
　図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１は、基板１０や薄膜状の有機ＥＬ素子２０、封止板３０などで構成されている。基板１０及び封止板３０は、いずれも外観が矩形板形状を呈しており、有機ＥＬ素子２０は、これらの間に挟まれた状態で周りを接着剤等の封止部材４０で塞がれて密封されている。基板１０の表面の中央部が、画像表示を行う表示領域１１となっていて、そこに有機ＥＬ素子２０が配置されている。
　図６や図７に示すように、基板１０の表示領域１１には、ＴＦＴ１２（Thin Film Transistor）、配線１３、層間膜１４等が設けられている。
　基板１０には、ガラス板などが用いられる。本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１は、発光を基板１０側から取り出すボトムエミッション型であるため透明な基板１０が好ましいが、トップエミッション型である場合には、必ずしも透明でなくてもよい。配線１３は、基板１０上にパターンニングされていて、平行に延びる複数のゲート線や、これらゲート線と交差して平行に延びる複数の信号線などで構成されている。これらゲート線等の配線１３によって格子状に囲まれた複数の領域の各々には、ＲＧＢの各色のサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが配置され、これらサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれに発光を制御するＴＦＴ１２が設けられている。
　ＲＧＢの各色のサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは、行方向には色ごとに一列に配置され、そして列方向にはＲＧＢの順で繰り返し配置されている。列方向に連続したＲＧＢの３つのサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは、１つの画素を構成している。詳細は後述するが、各サブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、色別に形成されたストライプ状の薄膜３によって形成されている。
　層間膜１４は、平坦化膜としても機能するアクリル樹脂等の絶縁性の薄膜である。層間膜１４は、ＴＦＴ１２等を覆うように表示領域１１の全域にわたる範囲に積層されている。有機ＥＬディスプレイ１がボトムエミッション型である場合には、層間膜１４は透明なものが好ましい。
　有機ＥＬ素子２０は、第１電極２１（陽極）、有機ＥＬ層２２、第２電極２３（陰極）などで構成されている。第１電極２１は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などからなり、層間膜１４の上に積層し、サブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して格子状にパターンニングすることにより複数形成されている。これら第１電極２１はコンタクトホール１４ａを介して各ＴＦＴ１２と接続されている。これら第１電極２１の上には、絶縁性のエッジカバー１５が積層して形成されている。エッジカバー１５にはサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂごとに矩形に開口する発光領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが形成されていて、第１電極２１の大部分はその発光領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂから露出し、第１電極２１の端部はエッジカバー１５で被覆されている。なお、各画素の発光はこれら発光領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを通じて取り出される。
　有機ＥＬ層２２は、第１電極２１と第２電極２３との間に設けられている。本実施形態の有機ＥＬ層２２では、正孔輸送層２４、発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ、電子輸送層２６、及び電子注入層２７が第１電極２１側から順に積層して形成されている。本実施形態の正孔輸送層２４は正孔注入層としての機能も有している。なお、本実施形態で示す有機ＥＬ層２２の構成は一例であり、これに限らず必要に応じて各層を選択して組み合わせることができる。例えば、正孔輸送層２４と別に正孔注入層を設けてもよいし、ブロッキング層を更に設けてもよい。有機ＥＬ層２２には、少なくとも発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂが含まれていればよい。正孔輸送層２４や発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ等の材料には、公知の材料が使用できる。
　正孔輸送層２４、電子輸送層２６、電子注入層２７は、表示領域１１の全域にわたる範囲に積層されている。発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、上述したように、各色のサブ画素２に対応してストライプ状にパターンニングされている。第２電極２３は、有機ＥＬ層２２を覆うように、表示領域１１の全域にわたる範囲に積層されている。
　（有機ＥＬディスプレイ１の基本的な製造方法）
　図８を参照しながら、上述した有機ＥＬディスプレイ１の基本的な製造方法について説明する。同図は、有機ＥＬディスプレイ１の製造方法の各工程のうち、有機ＥＬ素子２０における正孔輸送層２４等の形成工程を示している。
　まず、ＴＦＴ１２や第１電極２１等が形成された基板１０（ＴＦＴ基板１０ともいう）を準備する。例えば、ＴＦＴ基板１０のベースとしては、厚さが約１ｍｍ、縦横寸法が５００×４００ｍｍの矩形形状をしたガラス板が使用できる。その場合、層間膜１４は約２μｍの膜厚に形成し、第１電極２１は約１００ｎｍの膜厚に形成し、エッジカバー１５は約１μｍの厚みに形成することができる。なお、ＴＦＴ基板１０は公知の方法で形成できるため、その説明は省略する。
　準備したＴＦＴ基板１０に対し、ＴＦＴ１２等を覆うように正孔輸送層２４を形成する（ステップＳ１）。具体的には、正孔輸送層２４の材料を表示領域１１の全域にわたる範囲に蒸着する。例えば、表示領域１１と同じ大きさの開口を有する全域用マスクをＴＦＴ基板１０に貼り合わせて密着させる。全域用マスクが密着したＴＦＴ基板１０を回転させながら、正孔輸送層２４の材料を蒸着させる。正孔輸送層２４は、例えば、材料にα－ＮＰＤを使用して、約３０ｎｍの膜厚に形成することができる。なお、この蒸着処理には従来の蒸着装置が使用できる。
　次に、正孔輸送層２４の上に積層して発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成する（ステップＳ２）。発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、塗り分けるようにしてＲＧＢの各色別に蒸着する（塗り分け蒸着）。発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの蒸着では、ホスト材料とドーパント材料とを使用して共蒸着するのが一般的である。ホスト材料やドーパント材料等、発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの材料は公知の材料の中から選択して使用できる。発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの膜厚としては、例えば１０～１００ｎｍの範囲で形成できる。なお、本実施形態では、この工程に新蒸着法やその蒸着装置が用いられるため、詳細については後述する。
　続いて、発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの上に積層して電子輸送層２６を形成する（ステップＳ３）。具体的には、正孔輸送層２４と同じ方法により、電子輸送層２６の材料を表示領域１１の全域にわたる範囲に蒸着する。更に、電子輸送層２６の上に積層して電子注入層２７を形成する（ステップＳ４）。電子注入層２７の場合も、正孔輸送層２４と同じ方法により電子注入層２７の材料を表示領域１１の全域にわたる範囲に蒸着する。
　電子輸送層２６及び電子注入層２７の材料は、公知の材料の中から選択して使用できる。両者は同じ材料を用いて一体に形成してもよい。電子輸送層２６や電子注入層２７の各膜厚は、例えば１０～１００ｎｍの範囲で形成できる。例えば、材料にＡｌｑを用いて３０ｎｍの膜厚で電子輸送層２６を形成し、材料にＬｉＦを用いて１ｎｍの膜厚で電子注入層２７を形成することができる。
　そして、電子注入層２７の上に積層して第２電極２３を形成する（ステップＳ５）。第２電極２３の場合も、正孔輸送層２４と同じ方法により第２電極２３の材料を表示領域１１の全域にわたる範囲に蒸着する。第２電極２３の材料も公知の材料の中から選択して使用できる。第２電極２３は、例えば、材料にＡｌ（アルミニウム）を用いて５０ｎｍの膜厚で形成することができる。
　こうして有機ＥＬ素子２０が形成されたＴＦＴ基板１０は、最後に封止板３０と貼り合わせて有機ＥＬ素子２０を密封することで、有機ＥＬディスプレイ１の主要部が完成する。
　（塗り分け蒸着）
　次に、塗り分け蒸着により発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成する工程（ステップＳ２）について説明する。本工程では、上述した新蒸着法やその蒸着装置が用いられているため、最初にその基本的な構成について説明する。
　（蒸着装置）
　図９及び図１０に、本実施形態の蒸着装置５０を示す。これら図に示すように、蒸着装置５０は、真空チャンバー５１、基板支持装置５２、蒸着源５３、シャドウマスク６０（蒸着マスク）、マスクユニット５５、移動装置５６等を備えている。なお、本実施形態の蒸着装置５０は、蒸着粒子を上方に向かって放射するタイプである。
　真空チャンバー５１は、開閉可能な箱形の密閉容器である。図外の減圧装置により、真空チャンバー５１の内部は、減圧して所定の低圧力状態に保持することができる。
　基板支持装置５２は、処理対象とする基板１０（対象基板１０ともいう）を、その行方向（各色のサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが一列に並ぶ方向）が図９に矢印線で示す方向（走査方向）に向いた状態で水平に支持する機能を有している。例えば、基板支持装置５２に静電チャックを設ければ、その静電チャックで吸着することによって対象基板１０を自重による撓みが無い状態で支持することができる。
　基板支持装置５２は、水平移動可能であり、移動装置５６により、走査方向への水平移動が自動制御されている。なお、便宜上、走査方向はＸ軸方向ともいい、水平面上で走査方向に直交する方向はＹ軸方向ともいう。各図において、適宜これら軸方向を示す。また、対象基板１０等と直交する蒸着軸線が延びる方向（垂直方向）をＺ軸方向ともいう。
　基板支持装置５２で支持した対象基板１０の下方には、一定の空隙Ｈを隔てた状態でシャドウマスク６０が水平に配置されている。なお、空隙Ｈの垂直距離（最短距離）は、５０μｍ～１ｍｍの範囲で設定するのが好ましい。蒸着ボケを防ぐ観点からは小さい方がよいが、５０μｍを下回ると対象基板１０とシャドウマスク６０とが接触するおそれがある。一方、１ｍｍを上回ると蒸着が不安定になり、混色やパターンニング精度の悪化を招く。
　シャドウマスク６０は、長方形板状を呈しており、その長辺方向に一列に並び、短辺に沿って延びるようにストライプ状に形成された複数の開口Ｋ，Ｋ，…を有している（開口はその一部のみ図示）。複数の開口Ｋ，Ｋ，…は、例えば、ＲＧＢの各色のサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの列に対応させて形成されている。シャドウマスク６０は、その長辺の寸法が、対向する対象基板１０の表示領域１１におけるＹ軸方向の寸法よりも大きく設定され、その短辺の寸法が、対向する対象基板１０の表示領域１１におけるＸ軸方向の寸法よりも小さく設定されている。複数の開口Ｋ，Ｋ，…は、Ｙ軸方向において、表示領域１１に対応する範囲に設けられている（有効領域）。
　この有効領域の両外側には、対象基板１０に設けられた第１マーカー１７との位置合わせを行う第２マーカー６３が設けられている。これら第１マーカー１７及び第２マーカー６３は、蒸着装置５０に設けられたセンサ５７によって検出され、対象基板１０及びシャドウマスク６０は、その検出値に基づいて水平方向に正確に位置決めされる（これらを位置決め機構ともいう）。シャドウマスク６０は、その短辺側を走査方向と平行にしてマスクユニット５５に着脱可能に装着される。なお、シャドウマスク６０の詳細については、別途後述する。
　マスクユニット５５には、ホルダー５５ａやテンション保持装置５８、蒸着源５３などが設けられている。マスクユニット５５に装着されたシャドウマスク６０は、テンション保持装置５８によって水平に支持され、ホルダー５５ａによって蒸着源５３との相対的な位置関係が固定される。
　蒸着源５３は、Ｙ軸方向に沿って延びるように設けられている。蒸着源５３は、シャドウマスク６０を挟んで対象基板１０と対向するように、シャドウマスク６０の下側に配置されている。その上面には、蒸着粒子を対象基板１０に向けて放射する複数の射出口５３ａ，５３ａ，…がＹ軸方向に一列に並んで設けられている（射出口はその一部のみ図示）。本実施形態では、これら射出口５３ａ，５３ａ，…は、シャドウマスク６０の開口Ｋとそれぞれ対向する位置に配置されていて、各射出口５３ａは、平面視で各開口Ｋの中央（Ｘ軸及びＹ軸の両方向の中央）に位置している。蒸着装置５０には、蒸着源５３とシャドウマスク６０との間を開閉するシャッター（図示せず）が設けられていて、そのシャッターの開閉を制御することにより、適切なタイミングで蒸着できるように自動制御されている。
　なお、蒸着装置５０は、上述した蒸着装置５０以外にも様々な構成が考えられる。例えば、基板１０側が移動するのではなく、マスクユニット５５側が移動するように構成することができる。射出口５３ａの数や配置も適宜調整できる。さらには、１つまたは複数の射出口５３ａがＹ軸方向に延伸されているようなスリット形状の射出口とすることもできる。また射出口５３ａは、Ｘ軸方向に複数配置されていてもよい。
　図１１に示すように、マスクユニット５５と基板支持装置５２とを上下逆に配置して、蒸着粒子を下方に向かって放射するように構成することもできる。各部材等の構成や機能は本実施形態の蒸着装置５０と同様であるため、同じ符号を付してその説明は省略する。この場合、マスクユニット５５側を容易に移動させることが可能になる。また、対象基板１０の支持が容易になる点でも有利である。
　（蒸着方法）
　図１２に、蒸着方法の主な工程を示す。例えば、赤色（Ｒ）の発光層２５Ｒ用のシャドウマスク６０をマスクユニット５５に装着し、テンション保持装置５８でシャドウマスク６０を水平に支持する（ステップＳ１１）。このとき、シャドウマスク６０と蒸着源５３とは所定の位置関係に固定される。蒸着源５３には、赤色（Ｒ）の発光層２５Ｒ用の材料がセットされている。次に、対象基板１０の行方向が走査方向と平行になるように、対象基板１０を基板支持装置５２に取り付けて支持させる（ステップＳ１２）。そして、対象基板１０とシャドウマスク６０とを対向させて垂直方向（Ｚ軸方向）の位置合わせを行い、対象基板１０とシャドウマスク６０との間に所定の空隙Ｈを設定する（位置合わせ工程、ステップＳ１３）。
　こうして対象基板１０等を蒸着装置５０にセットした後に蒸着装置５０を稼働させ、対象基板１０の表示領域１１の全域にわたって対象基板１０を走査しながら蒸着する（蒸着工程、ステップＳ１４）。この蒸着工程では、対象基板１０は一定の走査速度で走査方向を移動する。位置決め機構により、対象基板１０はシャドウマスク６０に対して水平方向に正確に位置決めされている。その間、蒸着源５３から蒸着粒子が放射され、シャドウマスク６０の開口Ｋを通って蒸着粒子が対象基板１０に順次蒸着し、薄膜３が形成される。薄膜３の膜厚は、例えば、走査速度や走査回数を調整することによって制御できる。蒸着工程の後には、対象基板１０における赤色（Ｒ）のサブ画素２Ｒ，２Ｒ，…の領域にストライプ状の薄膜３（赤色の発光層２５Ｒ）が形成される。
　赤色（Ｒ）の発光層２５Ｒの形成後には、これと同じ蒸着方法により、シャドウマスク６０や蒸着源５３の材料を交換しながら、緑色（Ｇ）や青色（Ｂ）の発光層２５Ｇ，２５Ｂを形成すればよい。なお、ＲＧＢの各色のサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの並びはいずれも同じピッチであるため、例えば、シャドウマスク６０をＹ軸方向に所定ピッチずらす（移動させる）ようにすれば、シャドウマスク６０は共用できる。
　（蒸着マスク）
　新蒸着法では、上述したように、対象基板１０とシャドウマスク６０との間の空隙Ｈの存在により、ストライプ状にパターン形成される薄膜３における個々の膜の部分、具体的には帯状（線状）に延びる膜（要素膜ともいう）の側端部で蒸着ボケが大きくなり易い傾向が認められた。すなわち、シャドウマスク６０の開口Ｋを斜めに通過する蒸着粒子の一部が蒸着領域ｒ１の外側に付着し、大きな蒸着ボケが発生する場合があった（図２参照）。
　そこで、このような蒸着ボケを低減すべく、新たなシャドウマスク６０（第１改良マスク６０Ａともいう）を創作した。
　図１３～図１５に、その改良マスク６０Ａを示す。改良マスク６０Ａは、長方形枠状のフレーム６５（マスク支持体）を備え、その枠内に複数のマスク層７０，７０，…や支持層７１が設けられている。本実施形態では、複数のマスク層７０，７０，…は上下に重ねた２層のマスク層７０，７０からなり（これを第１マスク層７０ａ及び第２マスク層７０ｂともいう）、その間に１つの支持層７１が挟み込まれている。
　各マスク層７０は、複数のマスクワイヤ７２をフレーム６５に張ることによって形成されている。これら複数のマスクワイヤ７２は、フレーム６５の短辺と平行に所定のピッチでストライプ状に配置されている。従って、各マスク層７０には、複数のマスクワイヤ７２によって区画形成される互いに平行な複数のスリット状の隙間７３が開口している。本実施形態では、これら複数の隙間７３は、それぞれ同じ幅寸法に設定されていて、それぞれ同じ幅寸法の１本のマスクワイヤ７２によって区画されている。第１マスク層７０ａのマスクワイヤ７２と第２マスク層７０ｂのマスクワイヤ７２とは上下に重なって、Ｚ軸方向から見て各マスク層７０ａ，７０ｂのマスクワイヤ７２，７２の外郭線が一致するように配置されている。
　各マスク層７０の複数の隙間７３もそれぞれ外郭線が上下に一致しており、Ｚ軸方向から見て、両マスク層７０を直線状に貫通する複数の隙間７３が形成されている（貫通隙間７３ａ）。これら貫通隙間７３ａにより、蒸着粒子の通過を許す複数の開口Ｋが構成されている。すなわち、貫通隙間７３ａ（開口Ｋ）に入射する蒸着粒子のうち、その通過角度γよりも通過角度の小さい蒸着粒子のみがそこを出射することができる。
　支持層７１は、複数の支持ワイヤ７４をフレーム６５に張ることによって形成されている。これら複数の支持ワイヤ７４は、マスクワイヤ７２と交差、例えば、フレーム６５の長辺と略平行に配置されている。支持層７１は、上下のマスク層７０を支持して所定位置に保持するために設けられている。従って、開口Ｋを形成するマスク層７０とは異なり、高精度な配置は必ずしも必要でなく、張る方向が斜めであったりばらついていてもよい。また、支持ワイヤ７４を張るピッチも比較的大きくてよく、必ずしも一定のピッチでなくてもよい。
　各マスクワイヤ７２や各支持ワイヤ７４の素材には、ステンレスやニッケル、合金等の金属素材や合成樹脂素材などを用いることができる。例えば、本実施形態で示すマスクワイヤ７２や支持ワイヤ７４には断面矩形の金属製線材が用いられている。これら各ワイヤは、張力が作用するように引っ張った状態で、その両端部がフレーム６５に融着や接着等して固定されている。なお、マスクワイヤ７２と支持ワイヤ７４との接点も固定した方がよいため、これらの接点を融着や接着等してあってもよい。
　第１改良マスク６０Ａでは、貫通隙間７３ａを開口Ｋとして適切に機能させるために、蒸着源５３側のマスク層７０の隙間７３に入射する蒸着粒子のうち、基板１０側のマスク層７０の隙間７３から出射する蒸着粒子以外の蒸着粒子は、マスク層７０か支持層７１のいずれかに捕捉されるように、マスクワイヤ７２や支持ワイヤ７４が配置されている。
　この点、図１６を参照して詳しく説明する。同図は、第１改良マスク６０Ａの一部をＸ軸方向から見た図であり、下側が蒸着源５３側に位置する第１マスク層７０ａ、上側が対象基板１０側に位置する第２マスク層７０ｂとなっている。
　同図に示すように、蒸着軸線Ｌ１に対し、第１マスク層７０ａの隙間７３を蒸着粒子が通過する最大の通過角度をαとする。同様に、第１マスク層７０ａにおいて互いに隣接する２つの隙間７３，７３の間の部分と、これと上下に重なる第２マスク層７０ｂにおいて互いに隣接する２つの隙間７３の間の部分との間の空間を蒸着粒子が通過する最少の通過角度をβとする。そうして、これら通過角度α及びβを比べたとき、通過角度αよりも通過角度βの方が大きくなるように第１改良マスク６０Ａは寸法設定されている。
　このように寸法設定してあると、第１マスク層７０ａの隙間７３に入射する蒸着粒子のうち、第１マスク層７０ａと第２マスク層７０ｂとの間の空間に入り込む蒸着粒子は、支持層７１（支持ワイヤ７４）か第２マスク層７０ｂ（マスクワイヤ７２）に衝突して捕捉されるので、第１改良マスク６０Ａを通過することがない。従って、この場合、第２マスク層７０ｂの隙間７３から出射することができる蒸着粒子は、第１マスク層７０ａの隙間７３とこれと直線状に連なる第２マスク層７０ｂの隙間７３（貫通隙間７３ａ）によって規定され、貫通隙間７３ａを通過する最大の通過角度γよりも小さい通過角度の蒸着粒子に限られることになる。
　すなわち、この第１改良マスク６０Ａによれば、第１マスク層７０ａや第２マスク層７０ｂ、支持層７１の厚みを合算した厚みと同厚の金属板に、隙間７３と同幅の孔を穿って開口Ｋを形成することと実質的に同じ効果を得ることができ、容易に高断面アスペクト比が実現できる。
　しかも、隙間７３の大きさや、マスクワイヤ７２、支持ワイヤ７４のサイズを調整するだけで、断面アスペクト比やピッチが異なる蒸着マスクを得ることができるので、精細な薄膜を自在にパターンニングすることができる。また、金属板を穿つことによって開口Ｋを形成する従来の蒸着マスクに比べ、第１改良マスク６０Ａでは重なるマスク層７０の間（支持層７１の部分）が中空になっているので軽量化が図れる。
　更に、従来の蒸着マスクを大型化する場合には、それに応じて大型の金属板を準備する必要があるのに対し、第１改良マスク６０Ａの場合、マスクワイヤ７２や支持ワイヤ７４の長さを変えてフレーム６５に組み付けるだけでよく、比較的容易に大型化できる。マスクワイヤ７２は、交差する複数の支持ワイヤ７４で支持してあるので、大型化しても位置ずれを効果的に抑制できる。
　なお、第１改良マスク６０Ａは上述した形態に限らず、様々な形態を採ることができる。例えば、図１７に示すように、マスク層７０は３層以上であってもよい。この場合、隣接するマスク層７０の間のそれぞれに支持層７１が設けられる。そして、蒸着源５３側に位置する最外層のマスク層７０の隙間７３に入射する蒸着粒子のうち、基板１０側に位置する最外層のマスク層７０の隙間７３から出射する蒸着粒子以外の蒸着粒子は、マスク層７０か支持層７１のいずれかに捕捉されるように、複数のマスクワイヤ７２や複数の支持ワイヤ７４が配置される。
　図１８に示すように、例えば、蒸着軸線Ｌ１に対し、１層目の第１マスク層７０ａからＮ層目（同図では２層目）のマスク層７０（同図では第２マスク層７０ｂ）にわたる貫通隙間７３ａの部分を蒸着粒子が通過する最大の通過角度をαｎ（同図ではα２）とする。そして、Ｎ層目のマスク層７０において互いに隣接する２つの隙間７３，７３の間の部分と、これと重なるＮ＋１層目（同図では３層目）のマスク層７０（同図では第３マスク層７０ｃ）において互いに隣接する２つの隙間７３，７３の間の部分との間の空間を蒸着粒子が通過する最少の通過角度をβｎ（同図ではβ２）とする。そうして、通過角度αｎ及びβｎを比べたとき、通過角度αｎよりも通過角度βｎの方が大きくなるように改良マスクは寸法設定されている（Ｎ，ｎは１以上の整数）。
　そうすることで、複数のマスク層７０の隙間７３が重なって形成される貫通隙間７３ａの通過角度γより小さい通過角度の蒸着粒子のみが、改良マスクを通過することとなる。従って、直線状に連続する複数の隙間７３によって構成される貫通隙間７３ａが実質的に蒸着マスクの開口Ｋとして機能するので、よりいっそう断面アスペクト比を高めることができ、蒸着ボケを低減できる。
　また、図１９に示すように、支持層７１は、マスク層７０の間だけでなく、マスク層７０の外側に配置してあってもよい。マスク層７０の外側に支持層７１を設けることで、よりいっそうそのマスク層７０の支持が強固になり、位置ずれ等を抑制することができる。
　図２０に示すように、マスクワイヤ７２や支持ワイヤ７４の断面形状も様々な形態を採ることができる。例えば、同図の（ａ）に示すように、断面（外郭線）が円形状であってもよいし、同図の（ｂ）に示すように、６角形等の多角形状であってもよい。異なる断面形状を組み合わせることもできる。
　円形状の断面であれば、汎用品が使用でき、材料コストを抑制できる利点がある。一方、多角形の断面であれば、マスクワイヤ７２と支持ワイヤ７４との接触面積が大きくなるため、位置ずれを防止するうえで効果的である。特に、矩形断面がＺ軸方向と平行に貫通隙間７３ａ（開口Ｋ）を形成できるので好ましい。
　（蒸着マスクと画素との位置関係）
　第１改良マスク６０Ａの開口Ｋ（貫通隙間７３ａ）と対象基板１０のサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂとは、所定の位置関係に設定するのが好ましい。
　図２１は、例えば、第１改良マスク６０Ａに対し、対象基板１０が位置決め機構によって水平方向に正確に位置決めされた状態（蒸着工程の状態）を示している。同図はＺ軸方向を蒸着源５３側から見ている。なお、基板１０の発光領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを除く部分は見易くするためにハッチングを施してある。このとき、各開口Ｋは、薄膜３（要素膜）が形成されるサブ画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ（被成膜画素２ａ）とそれぞれ対向して配置している。例えば、Ｙ軸方向では、隣り合う２つの赤色（Ｒ）のサブ画素２Ｒ，２Ｒの列の間には、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のサブ画素２Ｇ，２Ｂの列があるため、赤色（Ｒ）の発光層２５Ｒを形成する場合には、開口Ｋは赤色（Ｒ）のサブ画素２Ｒの列と対向する部分にのみ設けられている。
　そして、同図に示すように、開口Ｋの内側に被成膜画素２ａの発光領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが隙間ｇを隔てて収まるように、第１改良マスク６０Ａを位置決めする。
　詳しくは、開口Ｋの内側におけるＸ軸方向に延びる縁と、発光領域の外側におけるＸ軸方向に延びる縁との間に所定量の隙間７３ｇ（設計マージン）が設けられている。設計マージンを設けることで、第１改良マスク６０Ａと対象基板１０との間で生じる寸法や位置決めのズレを要因とする薄膜３（要素膜）の成形不良を抑制することができ、量産プロセスにおける生産性を向上することができる。
　（第１実施例）
　上述した第１改良マスク６０Ａや蒸着装置５０、新蒸着方法を用い、発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成した。第１改良マスク６０Ａには、２００ｍｍ（Ｘ軸方向）×６００ｍｍ（Ｙ軸方向）の寸法のものを使用した。
　マスクワイヤ７２及び支持ワイヤ７４には、一辺が３４０μｍの正方形断面を有するインバー材（ＦｅにＮｉを３６％含有した合金）製のワイヤを使用した。従って、第１改良マスク６０Ａの総厚は１０２０μｍとなる。対象基板１０と第１改良マスク６０Ａとの間の空隙Ｈは３００μｍとした。
　開口Ｋは、幅（Ｙ軸方向）を１１０μｍとし、長さ（Ｘ軸方向）を１５０ｍｍとした。開口ＫのＹ軸方向のピッチは４５０μｍとした。開口Ｋの数は７５１個とした。開口Ｋが設けられた領域の外周には、１００μｍの板厚を有するインバー材製の遮蔽板を配置し、開口Ｋが設けられた領域を所定の大きさに制限した。支持ワイヤ７４のピッチは１ｃｍとした。なお、本実施例では、通過角度αは１７．９°、通過角度βは４５°となり、所定の条件は満たされている（図１６参照）。
　被成膜画素２ａの各発光領域１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、３００μｍ（Ｘ軸方向）×９０μｍ（Ｙ軸方向）の寸法とし、そのＸ軸方向のピッチは４５０μｍ、Ｙ軸方向のピッチは１５０μｍとした。
　この時の蒸着粒子の最大入射角γは、６．２°であり、断面アスペクト比は約９．３であった。
　各色の発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの材料には、ホスト材料及びドーパント材料を使用し、これらの蒸着速度は、赤色（Ｒ）が５．０ｎｍ／ｓ及び０．５３ｎｍ／ｓ、緑色（Ｇ）が５．０ｎｍ／ｓ及び０．６７ｎｍ／ｓ、青色（Ｂ）が５．０ｎｍ／ｓ及び０．６７ｎｍ／ｓとした。蒸着工程では、１往復の走査を１回行った。
　その結果、膜厚の均一性に優れたＲＧＢの各色の発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成することができた。この時のボケ幅は、約３３μｍであった。
　なお、第１改良マスク６０Ａのフレーム６５を除いた部分の重量は、約２０５ｇであった。仮に金属板を用いる従来の方法で同じ素材、寸法サイズの蒸着マスクを作製したとすると約８９０ｇとなるので、大幅な軽量化を図ることができた。
　［第２の実施形態］
　第１の実施形態のシャドウマスク６０では、各マスク層７０における隙間７３が１本のマスクワイヤ７２によって区画されていたが、本実施形態では、複数本（本実施形態では３本）のマスクワイヤ７２（それぞれ要素マスクワイヤ７２ａともいう）によって区画されている点で特に異なっている。なお、蒸着装置５０や蒸着方法等は第１の実施形態と同様であるため、異なる点について詳細に説明し、同様の構成や部材については、同じ符号を用いてその説明は省略する。
　図２２及び図２３に本実施形態のシャドウマスク６０（第２改良マスク６０Ｂ）を示す。これら図に示すように、第２改良マスク６０Ｂでは、複数の隙間７３（貫通隙間７３ａ）がそれぞれ３本の要素マスクワイヤ７２ａによって区画されている。
　従って、この第２改良マスク６０Ｂによれば、開口幅やそのピッチを変更する場合であっても、要素マスクワイヤ７２ａの本数をそれに合わせて変更すればよく、寸法の異なるマスクワイヤ７２を個別に準備する必要がなくなる。従って、材料点数を抑制できるので、製造コストが削減できる。
　図２２等に示すように、隣接する２つの隙間７３の間の幅が、要素マスクワイヤ７２ａの幅寸法の整数倍であれば、複数の要素マスクワイヤ７２ａは、それぞれ互いに密着させた状態で配置することができる。しかし、そうでない場合には、要素マスクワイヤ７２ａの間に隙間７３が生じ、そこから蒸着粒子が予期せず蒸着するおそれがある。
　図２４に示すように、そのような場合には、例えば、要素マスクワイヤ７２ａの間に適切な隙間７３（調整隙間７５）を形成することで、隣接する２つの隙間７３の間の幅が、要素マスクワイヤ７２ａの幅寸法の整数倍でなくても貫通隙間７３ａのみを開口Ｋとして機能させることができる。
　具体的には、調整隙間７５に入射する蒸着粒子の全てが、マスク層７０及び支持層７１のいずれかに捕捉されるように複数の要素マスクワイヤ７２ａを配置すればよい。そのためには、Ｘ軸方向から見て、各マスク層７０の調整隙間７５の位置をずらして配置し、蒸着粒子の通路を遮断すればよい。
　図２５に示すように、詳しくは、蒸着粒子の指向性に基づいて、蒸着源５３側のマスク層７０に形成された調整隙間７５を通過することができる仮想直線ｓを想定した場合に、その仮想直線ｓの全てがいずれかのマスク層７０の要素マスクワイヤ７２ａに突き当たり、基板１０側の最外層のマスク層７０に形成された隙間７３や調整隙間７５を通り抜けることがないように要素マスクワイヤ７２ａを配置すればよい。
　この場合でも、所定の貫通隙間７３ａのみを開口Ｋとして機能させることができ、その断面アスペクト比を高めることができる。しかも、マスク層７０に調整隙間７５を形成することで、中空化が促進され、さらに蒸着マスクの軽量化を図ることができる。
　なお、マスク層７０を３層以上にすることや要素マスクワイヤ７２ａに様々な断面形状を採用できることは先の実施形態と同様である。
　図２６に示すように、本実施形態の場合、調整隙間７５を封止部材７７で封止することもできる。例えば、調整隙間７５の幅よりも大径のワイヤ（封止ワイヤ７７ともいう）をフレーム６５に張設し、この封止ワイヤ７７で調整隙間７５を塞ぐことなどが考えられる。両面に臨む調整隙間７５全てを塞ぐのが好ましいが、片面に臨む調整隙間７５の全てを塞ぐようにしてもよい。少なくとも、蒸着粒子が通過するおそれのある調整隙間７５が塞がれていればよい。
　この場合、封止ワイヤ７７は円形断面のワイヤを用いるのが好ましい。そうすれば、調節隙間７３に容易に食い込ますことができ、位置決めが容易になる。これ以外には、例えば、樹脂等を調整隙間７５に封入することなどが考えられる。
　（第２実施例）
　本実施例では、図２２等に示したように、各マスク層７０の隙間７３を３本の要素マスクワイヤ７２ａで区画し、マスク層７０を４層重ねて第２改良マスク６０Ｂを構成した。マスクワイヤ７２には、一辺が１００μｍの正方形断面を有するインバー材製のワイヤを使用した。支持ワイヤ７４には、一辺が２００μｍの正方形断面を有するインバー材製のワイヤを使用した。その他、開口Ｋの幅やピッチ等は第１実施例と同じ条件とした。
　この場合、隣接する２つの隙間７３の間の幅は３４０μｍであるため、４０μｍの調整隙間７５が必要になる。そこで、各マスク層７０に形成される調整隙間７５は、それぞれ図２４に示したように位置がずれるように配置して、そこに入射した蒸着粒子が通り抜けないようにした。そうして、蒸着装置の設定や蒸着処理の条件は第１実施例と同じにして発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成した。
　その結果、膜厚の均一性に優れたＲＧＢの各色の発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成することができた。ボケ幅も、第１実施例と同様に約３３μｍであった。
　［第３の実施形態］
　第１の実施形態のシャドウマスク６０では、上下に隣接するマスク層７０の間に挟み込むように各支持ワイヤ７４を配置していたが、本実施形態では、複数のマスクワイヤ７２のそれぞれに対して複数の支持ワイヤ７４のそれぞれを互い違いに組み込むように配置している点で特に異なっている。なお、蒸着装置５０や蒸着方法等は第１の実施形態と同様であるため、異なる点について詳細に説明し、同様の構成や部材については、同じ符号を用いてその説明は省略する。
　図２７～図２９に本実施形態のシャドウマスク６０（第３改良マスク６０Ｃ）を示す。これら図に示すように、第３改良マスク６０Ｃでは、各支持ワイヤ７４が同じマスク層７０のマスクワイヤ７２の上側と下側とを交互に通り抜けるように配置されている。この第３改良マスク６０Ｃでは、２つのマスク層７０と２つの支持層７１とで構成されている（便宜上、各図において、上側のマスク層７０及び支持層７１をそれぞれ第１マスク層７０ｗ及び第１支持層７１ｗとし、下側のマスク層７０及び支持層７１をそれぞれ第２マスク層７０ｘ及び第２支持層７１ｘともいう）。但し、第３改良マスク６０Ｃの場合もマスク層７０や支持層７１は２つに限らず、３つ以上であってもよい。
　具体的には、各支持層７１の各支持ワイヤ７４は、Ｙ軸方向に、同じ順序で各マスク層７０の各マスクワイヤ７２の上下を交互に通り抜けるように配置されている。例えば、第１マスク層７０ｗにおける、Ｙ軸方向の一端からｎ番目のマスクワイヤ７２ｗ（ｎ）の上側に、第１支持層７１ｗの各支持ワイヤ７４が位置しているとすると、第１マスク層７０ｗにおけるそのマスクワイヤ７２ｗ（ｎ）に隣接するｎ－１番目のマスクワイヤ７２ｗ（ｎー１）やｎ＋１番目のマスクワイヤ７２ｗ（ｎ＋１）に対しては、その下側に第１支持層７１ｗの各支持ワイヤ７４が位置することになる。
　第２マスク層７０ｘ及び第２支持層７１ｘも同様であり、第２マスク層７０ｘにおけるｎ番目のマスクワイヤ７２ｘ（ｎ）の上側に、第２支持層７１ｘの各支持ワイヤ７４が位置しているとすると、第２マスク層７０ｘにおけるそのマスクワイヤ７２ｘ（ｎ）に隣接するｎ－１番目のマスクワイヤ７２ｘ（ｎー１）やｎ＋１番目のマスクワイヤ７２ｘ（ｎ＋１）に対しては、その下側に第２支持層７１ｘの各支持ワイヤ７４が位置する。ちなみに、第１マスク層７０ｗにおけるｎ番目のマスクワイヤ７２ｗ（ｎ）の下側には第２支持層７１ｘの各支持ワイヤ７４が位置し、第２マスク層７０ｘにおけるｎ－１番目のマスクワイヤ７２ｘ（ｎー１）やｎ＋１番目のマスクワイヤ７２ｘ（ｎ＋１）の上側には第１支持層７１ｗの各支持ワイヤ７４が位置している。
　このように、張力が作用する複数のマスクワイヤ７２のそれぞれに対して複数の支持ワイヤ７４のそれぞれを互い違いに組み込むように配置することで、支持ワイヤ７４によるマスクワイヤ７２の支持が強化され、よりいっそうマスクワイヤ７２の位置ずれを防止できる。
　ところがこの場合、各ワイヤに作用する張力により、各マスクワイヤ７２はＹ軸方向に沿って上下に交互にずれる位置ずれが発生する。例えば、ｎ番目の第１マスク層７０ｗのマスクワイヤ７２ｗ（ｎ）及び第２マスク層７０ｘのマスクワイヤ７２ｘ（ｎ）は、いずれもその上側に支持ワイヤ７４が位置して下側に力が作用するため、相対的に下側に位置がずれる。それに対して、第１マスク層７０ｗのマスクワイヤ７２ｗ（ｎー１）やマスクワイヤ７２ｗ（ｎ＋１）、第２マスク層７０ｘのマスクワイヤ７２ｘ（ｎー１）やマスクワイヤ７２ｘ（ｎ＋１）は、いずれもその下側に支持ワイヤ７４が位置して上側に力が作用するため、相対的に上側に位置がずれる。
　マスクワイヤ７２にこのような位置ずれが発生すると、薄膜３（要素膜）の両側のボケ幅に差が生じる。
　図２９に示すように、開口Ｋ（貫通隙間７３ａ）の端部の位置が相対的に上下方向（Ｚ軸方向）にずれることで、一方の通過角度γ１と他方の通過角度γ２の大きさに差が生じる。その結果、薄膜３（要素膜）の両側のボケ幅に差が生じる。ずれ量が大きくなるほど、ボケ幅の差も大きくなる。
　従って、隣接するマスクワイヤ７２のずれ量を調整することにより、薄膜３（要素膜）の両側に形成される蒸着ボケの大きさを可変させることが可能になる。ずれ量の調整は、各ワイヤ７２，７４の物性や配置、張力等に基づいて行うことができる。
　第３改良マスク６０Ｃの場合も、貫通隙間７３ａを開口Ｋとして適切に機能させるために、蒸着源５３側のマスク層７０の隙間７３に入射する蒸着粒子のうち、基板１０側のマスク層７０の隙間７３から出射する蒸着粒子以外の蒸着粒子は、マスク層７０か支持層７１のいずれかに捕捉されるように、マスクワイヤ７２や支持ワイヤ７４を配置する。
　図３０に示すように、第３改良マスク６０Ｃの場合でも、開口Ｋ（貫通隙間７３ａ）の両側で通過角度α等の大きさが異なる点を除けば、上述した第１改良マスク６０Ａ等と条件は同じである。
　すなわち、同図の下側を蒸着源５３側とし、蒸着軸線Ｌ１に対し、第２マスク層７０ｘの隙間７３の一方の側（上方にずれた側）から入射して蒸着粒子が通過する最大の通過角度をα１とする。そして、他方の側における、第２マスク層７０ｘの互いに隣接する２つの隙間７３の間の部分と、これと重なる第１マスク層７０ｗの互いに隣接する２つの隙間７３の間の部分との間の空間を蒸着粒子が通過する最少の通過角度をβ１とする。そうして、これら通過角度α１及びβ１を比べたとき、通過角度α１よりも通過角度β１の方が大きくなるように設定されている。
　第２マスク層７０ｘの隙間７３の他方の側（下方にずれた側）についても、同様にして通過角度α２と通過角度β２とを比べたときに、通過角度α２よりも通過角度β２の方が大きくなるように設定されている。なお、マスク層７０が３層以上になった場合も、第１改良マスク６０Ａ等と同様である（図１８参照）。
　第３改良マスク６０Ｃの場合でも、各ワイヤの断面形状は任意に選択することができる。また、支持ワイヤ７４は必ずしも１本のマスクワイヤ７２ごとに互い違いに組み込む必要はなく、例えば２本のマスクワイヤ７２，７２ごとなど、複数のマスクワイヤ７２ごとに互い違いに組み込むことも可能である。
　（第３実施例）
　本実施例では、図２７等に示したように、マスクワイヤ７２に支持ワイヤ７４を互い違いに組み込んだ、２つの支持層７１と２つのマスク層７０とからなる第３改良マスクを構成した。マスクワイヤ７２には、幅（Ｙ軸方向）が３４０μｍ、厚み（Ｚ軸方向）が５００μｍの矩形断面を有するインバー材製のワイヤを使用した。支持ワイヤ７４には、一辺が１００μｍの正方形断面を有するインバー材製のワイヤを使用した。
　張力等を調整し、マスクワイヤ７２のそれぞれはＹ軸方向に水平な基準線に対して上下に５０μｍ交互に位置ずれするように設定した。そうして、開口Ｋの幅やピッチ等の他、蒸着装置の設定や蒸着処理の条件などは第１実施例と同じにして発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成した。
　その結果、膜厚の均一性に優れたＲＧＢの各色の発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成することができた。ボケ幅は、一方が約２９μｍ、他方が約３５μｍであった。
　以上、説明したように、本発明の蒸着マスク等によれば、実用的な方法で蒸着ボケを効果的に低減することができるので、高品位で高精細な大型の有機ＥＬディスプレイの製造が可能になる。
　なお、本発明にかかる蒸着マスク等は、前記の実施の形態に限定されず、それ以外の種々の構成をも包含する。
　例えば、第１改良マスク６０Ａ等は特定の色の発光層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの形成にのみ使用してもよい。例えば、緑色（Ｇ）の発光層２５Ｇが、蒸着ボケが大きくてもその品質への影響を無視できるような場合には、緑色（Ｇ）の発光層２５Ｇについては改良前のシャドウマスク６０が使用できる。
１　有機ＥＬディスプレイ
３　薄膜
１０　基板
５０　蒸着装置
５３　蒸着源
６０　シャドウマスク（蒸着マスク）
　６０Ａ　第１改良マスク
　６０Ｂ　第２改良マスク
　６０Ｃ　第３改良マスク
６５　フレーム（マスク支持体）
７０　マスク層
７１　支持層
７２　マスクワイヤ
７３　隙間
　７３ａ　貫通隙間
７４　支持ワイヤ
Ｋ　開口

Claims (13)

  1. 　複数のストライプ状の開口を通じて蒸着粒子を蒸着させることにより、基板に薄膜を所定のパターンで形成する蒸着マスクであって、
    　枠状のマスク支持体と、
    　前記マスク支持体の枠内に重ねて設けられる複数のマスク層と、
    　前記マスク層の間に設けられる支持層と、
    を備え、
    　前記複数のマスク層のそれぞれは、前記マスク支持体に複数のマスクワイヤを同方向にストライプ状に張ることによって形成され、
    　前記支持層は、前記マスクワイヤと交差して前記マスク支持体に複数の支持ワイヤを張ることによって形成され、
    　前記複数のマスク層のそれぞれが有する複数の隙間が重なることにより、前記複数のマスク層の全てを直線状に貫通する複数の貫通隙間が複数形成されており、
    　前記複数の貫通隙間によって前記複数の開口が構成されている蒸着マスク。
  2. 　請求項１に記載の蒸着マスクにおいて、
    　前記複数の隙間がそれぞれ１本の前記マスクワイヤによって区画されている蒸着マスク。
  3. 　請求項１に記載の蒸着マスクにおいて、
    　前記複数の隙間がそれぞれ複数本の前記マスクワイヤによって区画されている蒸着マスク。
  4. 　請求項１～請求項３のいずれか１つに記載の蒸着マスクにおいて、
    　前記複数のマスクワイヤのそれぞれに対して前記複数の支持ワイヤのそれぞれが互い違いに組み込まれている蒸着マスク。
  5. 　請求項１～請求項４のいずれか１つに記載の蒸着マスクと、
    　前記蒸着粒子を放射する蒸着源と、
    　前記蒸着マスク及び前記蒸着源を含み、これらの相対的な位置関係を固定するマスクユニットと、
    　前記基板を支持する基板支持装置と、
    　前記基板と前記蒸着マスクとの間に一定の空隙を設けた状態で、前記マスクユニット及び前記基板のうち少なくとも一方を、所定の走査方向に沿って相対的に移動させる移動装置と、
    を備え、
    　前記開口が延びる方向と前記走査方向とが平行になるように前記蒸着マスクが配置される蒸着装置。
  6. 　請求項５に記載の蒸着装置において、
    　前記蒸着源側に位置する最外層の前記マスク層における前記隙間に入射する前記蒸着粒子のうち、その隙間と重なって前記基板側に位置する最外層の前記マスク層における前記隙間から出射する前記蒸着粒子以外の前記蒸着粒子は、前記マスク層及び前記支持層のいずれかに捕捉されるように、前記複数のマスクワイヤ及び前記複数の支持ワイヤが設定されている蒸着装置。
  7. 　請求項６に記載の蒸着装置において、
    　前記複数のマスク層が、前記蒸着源側から第１マスク層と、第２マスク層とを有し、
    　前記走査方向から見て、
    　前記蒸着マスクと直交する基準線に対し、前記第１マスク層における前記隙間を前記蒸着粒子が通過する最大の通過角度と、前記第１マスク層において互いに隣接する２つの前記隙間の間の部分、及びこれと重なる前記第２マスク層において互いに隣接する２つの前記隙間の間の部分の間の空間を前記蒸着粒子が通過する最少の通過角度とを比べたとき、
    前記最大の通過角度よりも前記最少の通過角度の方が大きく設定されている蒸着装置。
  8. 　請求項７に記載の蒸着装置において、
    　更に、前記第２マスク層に続いて前記基板側に積層される複数のマスク層を有し、
    　前記走査方向から見て、
    　前記蒸着マスクと直交する基準線に対し、前記第１マスク層からＮ層目の前記マスク層にわたる前記貫通隙間の部分を前記蒸着粒子が通過する最大の通過角度と、Ｎ層目の前記マスク層において互いに隣接する２つの前記隙間の間の部分、及びこれと重なるＮ＋１層目の前記マスク層において互いに隣接する２つの前記隙間の間の部分の間の空間を前記蒸着粒子が通過する最少の通過角度とを比べたとき、
    前記最大の通過角度よりも前記最少の通過角度の方が大きく設定されている蒸着装置。
  9. 　請求項３に記載の蒸着マスクと、
    　前記蒸着粒子を放射する蒸着源と、
    　前記蒸着マスク及び前記蒸着源を含み、これらの相対的な位置関係を固定するマスクユニットと、
    　前記基板を支持する基板支持装置と、
    　前記基板と前記蒸着マスクとの間に一定の空隙を設けた状態で、前記マスクユニット及び前記基板のうち少なくとも一方を、所定の走査方向に沿って相対的に移動させる移動装置と、
    を備え、
    　前記開口が延びる方向と前記走査方向とが平行になるように前記蒸着マスクが配置され、
    　前記複数のマスク層のうち、少なくとも前記蒸着源側に位置する最外層の前記マスク層における隣接する２つの前記隙間の間の部分に、前記蒸着粒子の通路を遮断した調整隙間が形成されている蒸着装置。
  10. 　請求項９に記載の蒸着装置において、
    　前記調整隙間に入射する前記蒸着粒子は、前記マスク層及び前記支持層のいずれかに捕捉されるように、前記複数のマスクワイヤが配置されている蒸着装置。
  11. 　請求項９に記載の蒸着装置において、
    　前記調整隙間が封止部材で塞がれている蒸着装置。
  12. 　請求項５～請求項１１のいずれか１つに記載の蒸着装置を用いて前記基板に前記薄膜をストライプ状に形成する蒸着方法であって、
    　前記基板を前記基板支持装置に支持させ、前記基板と前記蒸着マスクとの間に前記空隙を設けた状態で、前記マスクユニットと前記基板とを対向させる位置合わせ工程と、
    　前記移動装置により、前記マスクユニット及び前記基板のうち少なくとも一方を所定の走査方向に沿って相対的に移動させながら順次蒸着させ、前記薄膜を形成する蒸着工程と、
    を含む蒸着方法。
  13. 　請求項１２に記載の蒸着方法において、
    　前記基板として、光が放出される発光領域を有する複数の画素が格子状に配列されている有機ＥＬディスプレイ用の基板が用いられ、
    　前記複数の開口は、前記複数の画素に含まれる複数の被成膜画素とそれぞれ対向して配置され、
    　前記基板と直交する方向から見て、前記開口の幅方向の内側に、前記被成膜画素の前記発光領域が隙間を隔てて収まるように位置決めされる蒸着方法。
PCT/JP2010/006416 2010-03-09 2010-10-29 蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法 Ceased WO2011111134A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/583,611 US9246101B2 (en) 2010-03-09 2010-10-29 Deposition mask, deposition apparatus, and deposition method
KR1020127025963A KR101442941B1 (ko) 2010-03-09 2010-10-29 증착 마스크, 증착장치 및 증착방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-051313 2010-03-09
JP2010051313 2010-03-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011111134A1 true WO2011111134A1 (ja) 2011-09-15

Family

ID=44562982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/006416 Ceased WO2011111134A1 (ja) 2010-03-09 2010-10-29 蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9246101B2 (ja)
KR (1) KR101442941B1 (ja)
WO (1) WO2011111134A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5457548B2 (ja) * 2010-04-12 2014-04-02 シャープ株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
WO2014119452A1 (ja) * 2013-01-29 2014-08-07 シャープ株式会社 蒸着ユニットおよび蒸着装置
WO2014199686A1 (ja) * 2013-06-11 2014-12-18 シャープ株式会社 制限板ユニットおよび蒸着ユニット並びに蒸着装置
US9231210B2 (en) 2010-05-18 2016-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing device and manufacturing method for organic EL element
US9403922B2 (en) 2013-01-31 2016-08-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Continuous polymerization device, method for producing polymer composition, and injection valve
TWI560293B (ja) * 2012-01-12 2016-12-01 Dainippon Printing Co Ltd

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5642153B2 (ja) * 2009-04-03 2014-12-17 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 材料堆積装置において基板を保持する装置
US9072021B2 (en) 2012-12-19 2015-06-30 Blackberry Limited Method and apparatus for hybrid automatic repeat request operation in a heterogeneous network architecture
US9271324B2 (en) * 2012-12-19 2016-02-23 Blackberry Limited Method and apparatus for assisted serving cell configuration in a heterogeneous network architecture
US9832717B2 (en) 2012-12-19 2017-11-28 Blackberry Limited Method and apparatus for layer 3 configuration in a heterogeneous network
JP6303154B2 (ja) * 2014-07-08 2018-04-04 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及びタッチパネル
KR102404575B1 (ko) * 2015-10-12 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치와 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN106480404B (zh) * 2016-12-28 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜集成框架及蒸镀装置
WO2021092759A1 (zh) * 2019-11-12 2021-05-20 京东方科技集团股份有限公司 掩模板
CN110777328A (zh) * 2019-11-21 2020-02-11 昆山国显光电有限公司 一种掩膜版、蒸镀系统及掩膜版的制备方法
CN111041416B (zh) * 2020-01-03 2021-12-07 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板组件及制作掩膜板组件的方法
US11659759B2 (en) * 2021-01-06 2023-05-23 Applied Materials, Inc. Method of making high resolution OLED fabricated with overlapped masks

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5726163A (en) * 1980-07-23 1982-02-12 Hitachi Ltd Mask for forming thin film and its manufacture
JPH09165669A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Japan Aviation Electron Ind Ltd 成膜用マスクおよびその製造方法
JP2003231961A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Seiko Epson Corp マスク、電気光学装置及び有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置並びに電子機器
JP2003272838A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Dainippon Printing Co Ltd マスキング部材
JP2004225126A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Pioneer Electronic Corp 成膜用マスクとその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10102237A (ja) 1996-09-25 1998-04-21 Casio Comput Co Ltd 電極形成方法
JP2000182767A (ja) 1998-12-18 2000-06-30 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子の製造方法と製造装置
US6495010B2 (en) * 2000-07-10 2002-12-17 Unaxis Usa, Inc. Differentially-pumped material processing system
CN101015234B (zh) * 2004-09-08 2010-10-13 东丽株式会社 有机电场发光装置及其制造方法
JP5502092B2 (ja) 2009-09-15 2014-05-28 シャープ株式会社 蒸着方法および蒸着装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5726163A (en) * 1980-07-23 1982-02-12 Hitachi Ltd Mask for forming thin film and its manufacture
JPH09165669A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Japan Aviation Electron Ind Ltd 成膜用マスクおよびその製造方法
JP2003231961A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Seiko Epson Corp マスク、電気光学装置及び有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置並びに電子機器
JP2003272838A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Dainippon Printing Co Ltd マスキング部材
JP2004225126A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Pioneer Electronic Corp 成膜用マスクとその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5457548B2 (ja) * 2010-04-12 2014-04-02 シャープ株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
US9231210B2 (en) 2010-05-18 2016-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing device and manufacturing method for organic EL element
TWI560293B (ja) * 2012-01-12 2016-12-01 Dainippon Printing Co Ltd
TWI622662B (zh) * 2012-01-12 2018-05-01 大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩準備體
WO2014119452A1 (ja) * 2013-01-29 2014-08-07 シャープ株式会社 蒸着ユニットおよび蒸着装置
JPWO2014119452A1 (ja) * 2013-01-29 2017-01-26 シャープ株式会社 蒸着ユニットおよび蒸着装置
US9403922B2 (en) 2013-01-31 2016-08-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Continuous polymerization device, method for producing polymer composition, and injection valve
WO2014199686A1 (ja) * 2013-06-11 2014-12-18 シャープ株式会社 制限板ユニットおよび蒸着ユニット並びに蒸着装置
JP2014240507A (ja) * 2013-06-11 2014-12-25 シャープ株式会社 制限板ユニットおよび蒸着ユニット並びに蒸着装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9246101B2 (en) 2016-01-26
KR101442941B1 (ko) 2014-09-22
US20120329188A1 (en) 2012-12-27
KR20120127742A (ko) 2012-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011111134A1 (ja) 蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法
KR102803541B1 (ko) 증착용 마스크 어셈블리 및 이를 사용하여 제조된 유기 발광 표시 장치
KR101193186B1 (ko) 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5457548B2 (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
US8852346B2 (en) Mask frame assembly for thin layer deposition and organic light emitting display device
US8701592B2 (en) Mask frame assembly, method of manufacturing the same, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the mask frame assembly
CN108010934B (zh) 像素结构及其形成方法、oled显示面板以及蒸镀掩膜版
JP5677827B2 (ja) 薄膜蒸着装置、これを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法及びこれにより製造された有機発光ディスプレイ装置
US9343708B2 (en) Mask strips and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same
US8691016B2 (en) Deposition apparatus, and deposition method
EP3203519B1 (en) Array substrate, method of manufacturing the array substrate using a mask plate and display device
US20080174235A1 (en) Mask used to fabricate organic light-emitting diode (oled) display device, method of fabricating oled display device using the mask, oled display device fabricated using the mask, and method of fabricating the mask
JP2010262920A (ja) 有機発光ディスプレイ装置
WO2016171075A1 (ja) 蒸着装置および蒸着方法
CN104428439A (zh) 掩模单元和蒸镀装置
KR102800508B1 (ko) 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
CN110828534A (zh) 一种像素排列结构，显示面板及掩膜板组
US7253533B2 (en) Divided shadow mask for fabricating organic light emitting diode displays
KR101857249B1 (ko) 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
US20200243617A1 (en) Organic el display apparatus and method of manufacturing organic el display apparatus
JP2021075777A (ja) マスクアセンブリ、表示装置の製造装置、及び表示装置の製造方法
KR101818256B1 (ko) 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20210086073A (ko) 박막 증착용 마스크 프레임 및 이를 이용한 유기발광 표시패널의 제조방법
KR102751496B1 (ko) 쉐도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광표시장치용 제조방법
KR20130031444A (ko) 마스크 프레임 조립체 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10847367

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13583611

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127025963

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10847367

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP