WO2011102168A1 - 透明電極フィルム - Google Patents

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    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Definitions

  • the present invention is applied to capacitance sensors for PDAs, portable terminals such as handy terminals, OA devices such as copiers and facsimiles, smartphones, mobile phones, portable game devices, electronic dictionaries, car navigation systems, small PCs, and various home appliances.
  • the present invention relates to a transparent electrode film used.
  • a transparent electrode film used for a capacitance sensor or the like has a pattern of a transparent electrode formed in the center portion, and a routing circuit that transmits an electrical signal obtained by the transparent electrode to an external circuit around the periphery, that is, a portion corresponding to a frame. Is formed.
  • the pattern of a transparent electrode has the shape where the strip
  • the present inventors have taken into account a positional shift and made the pattern such that the end of the transparent electrode is enlarged and extended to the circuit forming portion.
  • the pattern of the transparent electrode becomes so large that the sensitivity of the entire transparent electrode becomes unbalanced.
  • the present inventors solved the above-mentioned problems by the following invention. That is, the present invention is a transparent electrode film having a plurality of strip electrodes arranged in parallel on the surface of the transparent film, wherein a transparent electrode pattern for connecting to a routing circuit is formed at one end of the strip electrode.
  • the transparent electrode film is provided with a transparent electrode pattern equivalent to the transparent electrode pattern on the opposite end of the strip electrode.
  • the present invention may also be a transparent electrode film in which a part of a transparent electrode pattern provided on one end of the belt-like electrode and a part of a routing circuit pattern are laminated.
  • a transparent conductive film is entirely formed on a transparent film, an etching resist is formed on the transparent conductive film, and the transparent conductive film is removed by etching to remove the etching resist.
  • It may be a method for producing a transparent electrode film in which a strip electrode is formed by peeling and removing the resist, and a circuit is formed by patterning at one end of the strip electrode.
  • the present invention is a sandwiched frame electrostatic capacitance sensor in which the transparent electrode film and a second transparent electrode film having a strip-shaped electrode orthogonal to the strip-shaped electrode of the transparent electrode film are laminated.
  • the transparent electrode film of the present invention is a transparent electrode film having a plurality of strip electrodes arranged in parallel to the surface of the transparent film, and is a transparent electrode for connecting to a routing circuit at one end of the strip electrode A pattern is formed, and a transparent electrode pattern equivalent to the transparent electrode pattern is also provided at the opposite end of the strip electrode. Therefore, there is no great difference in the transparent electrode pattern between the side where the routing circuit is formed and the other side where the routing circuit is not formed, and the sensitivity does not change greatly. Therefore, there is an effect that the sensitivity of the entire transparent electrode is not unbalanced.
  • the transparent electrode film of the present invention is characterized in that a part of the transparent electrode pattern provided on one end of the strip electrode and a part of the pattern of the routing circuit are laminated. Therefore, there is an effect that the electrical connection between the belt-like electrode and the routing circuit pattern can be ensured even if the positional deviation slightly occurs.
  • a transparent conductive film is entirely formed on a transparent film, an etching resist is patterned on the transparent conductive film, and the transparent conductive film at a location where the etching resist is not formed is formed. And stripping and removing the etching resist to form a strip electrode, and a circuit is formed by patterning at one end of the strip electrode. Therefore, there is an effect that a transparent electrode film that can meet the demand for narrowing the frame can be easily manufactured with high productivity.
  • the transparent electrode film 1 of the present invention is a transparent electrode film 1 having a plurality of strip electrodes 5 arranged in parallel to the surface of the transparent film 2, and is provided at one end (one end) of the strip electrode 5.
  • a transparent electrode pattern 20 for connection with the routing circuit 15 is formed, and a transparent electrode pattern 30 equivalent to the transparent electrode pattern 20 is also provided at the opposite end (the other end) of the strip electrode 5. (See FIGS. 1a, 1b, and 1c).
  • the transparent film 2 may be made of any material as long as it is transparent, for example, engineering plastics such as polycarbonate (PC), polyamide, or polyether ketone, acrylic, polyethylene terephthalate (PET), or Polybutylene terephthalate film or the like can be used.
  • the thickness of the transparent film 2 is not particularly limited, but is preferably in the range of 20 to 500 ⁇ m in consideration of thinning of the capacitance sensor and stable mass production.
  • the strip electrode 5 is composed of a transparent conductive film 11.
  • a metal oxide film such as tin oxide, indium oxide, antimony oxide, zinc oxide, cadmium oxide, indium tin oxide (ITO) or antimony-doped tin oxide (ATO), or Composite films mainly composed of these metal oxides, or metals such as gold, silver, copper, tin, nickel, aluminum, or palladium, transparent polymers containing conductive fillers, and conductive materials such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT)
  • PEDOT polyethylenedioxythiophene
  • a method for forming the conductive film for example, a vacuum deposition method, sputtering, ion plating, CVD method, roll coater method, or the like can be used.
  • the pattern of the strip electrode 5 may include a series of rhombus electrodes 10 connected along a straight common axis as in Patent Document 1 and Patent Document 2, or a simple electrode having a minimum electrode width of 10 to 200 ⁇ m. It may be a linear pattern. However, as shown in FIG. 1, a transparent electrode pattern 20 for connection to the routing circuit 15 is formed at the end of the strip electrode 5, and the transparent electrode pattern 20 is also formed at the opposite end of the strip electrode 15. A transparent electrode pattern 30 equivalent to the above is provided.
  • “equivalent” does not have to be exactly the same, but means that the difference in electrode sensitivity between the transparent electrode pattern 20 and the transparent electrode pattern 30 does not become a problem.
  • the transparent electrode pattern 20 at the end is formed by connecting the conventional rhombus electrode pattern 10 to a half triangle 21 of the rhombus electrode pattern 10 and a pattern of a rectangle 22 corresponding to the half area of the rhombus electrode pattern 10.
  • the pattern is changed to a transparent electrode pattern 30 similar to the transparent electrode pattern 20 (see FIG. 1a).
  • the transparent electrode pattern 20 and the transparent electrode pattern 30 have the same sensitivity as that of the rhombic electrode pattern 10, and the transparent electrode pattern 20 is in a pattern that can be easily electrically connected to the routing circuit 15.
  • the transparent electrode pattern 20 and the transparent electrode pattern 30 are not limited to the above-described pattern modes, but may have a pattern such as an arrow (see FIG. 1b) or a square with the conventional rhomboid electrode pattern 10. A pattern (see FIG. 1c) may be used. Further, the transparent electrode pattern 20 and the transparent electrode pattern 30 may have slightly different patterns as long as the difference in electrode sensitivity is not a problem. For example, the transparent electrode pattern 20 shown in FIG. 1 a and the transparent electrode pattern 30 shown in FIG. 1 b can be combined in one strip electrode 5. Alternatively, the transparent electrode 20 and the transparent electrode 30 may have the same area in one band-shaped electrode, and may have different planar shapes as long as the difference in electrode sensitivity does not cause a problem.
  • a transparent conductive film 11 is formed on the entire surface of the transparent film 2 (see FIG. 2a), an etching resist 12 is formed on the transparent conductive film 11 (see FIG. 2b), and the etching is performed.
  • the transparent conductive film 11 where the resist 12 is not formed is removed by etching (see FIG. 2c), and the etching resist 12 is removed by peeling (see FIG. 2d).
  • a routing circuit 15 is formed at one end of the strip electrode 5 (see FIG. 2e).
  • etching resist 12 examples include photo-curable or photo-decomposable photosensitive resist materials such as acrylic, polyvinyl cinnamate, synthetic rubber, and novolac, and various printing methods such as gravure and screen, and mask coating. It is formed by the method to do.
  • the patterning of the etching resist 12 may be formed using a general-purpose printing method such as gravure printing or screen printing, but in order to correspond to a minimum electrode width of 10 to 200 ⁇ m, a photomask is irradiated with light,
  • the method of forming by the photo process of exposing the non-mask part of the etching resist 12 to a desired pattern, and developing is more preferable.
  • the etching resist 12 is a photo-curing type
  • the development is performed by selectively removing uncured portions by using sodium carbonate or the like as a developer.
  • the etching resist 12 is of a photolytic type, it is performed by selectively removing the decomposed portion by using sodium metasilicate as a developer.
  • Etching agents include, for example, alkaline etching solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonium persulfate, ammonium, ammonium chloride, or cupric chloride, ferric chloride, chromic acid / sulfuric acid mixed solution, hydrogen peroxide solution / sulfuric acid mixed solution.
  • An acidic etching solution such as is used.
  • the material and the forming method of the routing circuit 15 include a method of forming a conductive paste such as silver paste or carbon paste by a general printing method such as screen printing or gravure printing, and a metal film such as copper is formed by electroless or electrolytic plating. And a method of pattern etching a metal film such as copper formed by a vacuum deposition method or a sputtering method.
  • a protective layer or the like may be provided to protect the exposed strip electrode 5.
  • a transparent material is selected as the material of the protective layer.
  • a transparent plastic film may be bonded or a transparent polymer may be applied.
  • a transparent adhesive layer for mounting on a window panel or an LCD panel may also serve as the protective layer.
  • a sandwiched frame electrostatic capacitance sensor 100 Is obtained (see FIG. 3).
  • the sandwiched frame capacitance sensor 100 is formed by laminating two transparent electrode films 1 so that the strip electrodes 5 are orthogonal to each other.
  • a transparent conductive film made of indium tin oxide (ITO) is formed on the entire surface of a 38 ⁇ m-thick polyethylene terephthalate film by a sputtering method, and a photocurable dry film resist is bonded onto the transparent conductive film. Then, ultraviolet light was transmitted through the non-mask portion of the photomask, and the portion corresponding to the strip electrode pattern of the dry film resist was exposed. Next, the exposed dry film resist was developed with sodium carbonate, and the dry film resist in the portion not exposed to light was removed to obtain an etching resist pattern.
  • ITO indium tin oxide
  • the obtained etching resist pattern has a rhombus shape of a series of 6 mm diagonal lines connected along a common axis of a straight line having a minimum electrode width of 20 ⁇ m except for both end portions, and both end portions are half of the rhombus shape. It was a pattern in which a triangular pattern and a rectangular pattern of 6 mm ⁇ 1.5 m having the same area were connected.
  • a transparent electrode film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the etching resist pattern at both ends was a rhombus-shaped half-triangle pattern and a pattern like an arrow with a 3 cm square on each side. .
  • a transparent electrode film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the etching resist pattern on both ends was changed to a pattern in which a rhombus with a diagonal of 6 mm and a square with a side of 3 cm were connected.
  • the conductive ink made of silver paste was drawn on one end by screen printing to form a circuit pattern. And 2 sets of them were produced, and as a result of laminating
  • the obtained sandwiched frame capacitance sensor operated normally without any imbalance in the sensitivity of the entire transparent electrode.
  • Transparent electrode pattern 21 is a half triangular pattern of the conventional rhomboid electrode pattern 30.
  • the rectangular pattern is equivalent to the half area of the conventional rhomboid electrode pattern 30.
  • Transparent electrode pattern 100 Capacitance sensor with sandwiched frame

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Abstract

【課題】透明電極全体の感度にアンバランスが生じない透明電極フィルムを提供する。 【解決手段】透明電極フィルム１は、透明フィルム２の表面に平行に並べられた複数の帯状電極５を有する透明電極フィルム１であって、前記帯状電極５の片側（一方）の端部に引き回し回路１５と接続するための透明電極パターン２０が形成され、かつ前記帯状電極５の反対側（他方）の端部にも前記透明電極パターン２０と同等の透明電極パターン３０が設けられている。

Description

透明電極フィルム
　本発明は、ＰＤＡ、ハンディターミナルなど携帯情報端末、コピー機、ファクシミリなどＯＡ機器、スマートフォン、携帯電話機、携帯ゲーム機器、電子辞書、カーナビシステム、小型ＰＣ、各種家電品等の静電容量センサなどに用いられる透明電極フィルムに関するものである。
　従来、静電容量センサなどに用いられる透明電極フィルムは、中央部に透明電極のパターンが形成され、周囲すなわち額縁に相当する部分に透明電極で得られた電気信号を外部回路に伝える引き回し回路が形成されている。そして、透明電極のパターンは特許文献１や特許文献２に示されるように共通軸に沿って接続された一連の菱形形状の電極を備える帯状電極が複数本平行に並べられた形状をしている場合が多い（特許文献１請求項７、特許文献２図９参照）。一方、静電容量センサは、適用製品の小型化、透明電極部分の大型化による狭額縁化の要望が高く、電気信号の取り出しは片側のみに引き回し回路を設けるようになってきている。
特表２００３－５１１７９９公報 特開２００９－７０１９１公報
　そこで、本発明者らは上記帯状電極と引き回し回路とを確実に接続させるために、位置ずれを考慮して、透明電極の端部を大きくし引き回し回路形成部分まで張り出すようなパターンにした。しかし、そのようにした結果、そこだけ透明電極のパターンが大きくなって透明電極全体の感度にアンバランスが生じる問題が生じた。
　そこで、本発明者らは以下の発明により上記課題を解決した。すなわち本発明は、透明フィルムの表面に平行に並べられた複数本の帯状電極を有する透明電極フィルムであって、前記帯状電極の片側の端部に引き回し回路と接続するための透明電極パターンが形成され、かつ前記帯状電極の反対側の端部にも前記透明電極パターンと同等の透明電極パターンが設けられている透明電極フィルムである。
　また本発明は、前記帯状電極の片側の端部に設けられた透明電極パターンの一部と引き回し回路のパターンの一部とが積層されている透明電極フィルムであってもよい。また本発明は、透明フィルム上に透明導電膜を全面形成し、前記透明導電膜上にエッチングレジストをパターン形成し、前記エッチングレジストが形成されていない箇所の透明導電膜をエッチング除去し、前記エッチングレジストを剥離除去することにより帯状電極を形成し、前記帯状電極の片側の端部に引き回し回路をパターン形成する透明電極フィルムの製造方法であってもよい。
　また本発明は、前記透明電極フィルムと、前記透明電極フィルムの帯状電極と直交する形状の帯状電極を有する第二透明電極フィルムとが積層された挟額縁静電容量センサである。
　本発明の透明電極フィルムは、透明フィルムの表面に平行に並べられた複数本の帯状電極を有する透明電極フィルムであって、前記帯状電極の片側の端部に引き回し回路と接続するための透明電極パターンが形成され、かつ前記帯状電極の反対側の端部にも前記透明電極パターンと同等の透明電極パターンが設けられていることを特徴とする。したがって、引き回し回路が形成されている側とそうでない反対側とで透明電極パターンに大差がなく、感度が大して変わらないため、透明電極全体の感度にアンバランスが生じないという効果がある。
　また本発明の透明電極フィルムは、前記帯状電極の片側の端部に設けられた透明電極パターンの一部と引き回し回路のパターンの一部とが積層されていることを特徴とする。したがって、帯状電極と引き回し回路パターンとが多少位置ずれを起こしても両者の電気的接続が確実にできるという効果がある。
　また本発明の透明電極フィルムの製造方法は、透明フィルム上に透明導電膜を全面形成し、前記透明導電膜上にエッチングレジストをパターン形成し、前記エッチングレジストが形成されていない箇所の透明導電膜をエッチング除去し、前記エッチングレジストを剥離除去することにより帯状電極を形成し、前記帯状電極の片側の端部に引き回し回路をパターン形成することを特徴とする。したがって、狭額縁化の要望に応えられる透明電極フィルムを生産性よく容易に製造できる効果がある。
本発明の透明電極フィルムの電極パターンの例を示した概略図である。 本発明の透明電極フィルムの電極パターンの例を示した概略図である。 本発明の透明電極フィルムの電極パターンの例を示した概略図である。 本発明の透明電極フィルムの製造方法の例を示した概略図である。 本発明の透明電極フィルムの製造方法の例を示した概略図である。 本発明の透明電極フィルムの製造方法の例を示した概略図である。 本発明の透明電極フィルムの製造方法の例を示した概略図である。 本発明の透明電極フィルムの製造方法の例を示した概略図である。 本発明の透明電極フィルムを用いた静電容量センサの例を示した概略断面図である。
　以下、本発明の透明電極フィルムについて説明する。本発明の透明電極フィルム１は、透明フィルム２の表面に平行に並べられた複数の帯状電極５を有する透明電極フィルム１であって、前記帯状電極５の片側の端部（一方端部）に引き回し回路１５と接続するための透明電極パターン２０が形成され、かつ前記帯状電極５の反対側の端部（他方端部）にも前記透明電極パターン２０と同等の透明電極パターン３０が設けられている（図１ａ、図１ｂ、図１ｃ参照）。
　透明フィルム２の材質としては、透明性があるものであればよく、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）系、ポリアミド系、若しくはポリエーテルケトン系などのエンジニアリングプラスチック、アクリル系、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、又は、ポリブチレンテレフタレート系などのフィルムを用いることができる。透明フィルム２の厚みは特に限定はないが、静電容量センサの薄型化と安定した量産を考慮すると２０～５００μｍの範囲が好ましい。
　帯状電極５は透明導電膜１１により構成される。当前記透明導電膜１１の材料としては、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化カドミウム、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）若しくは、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）などの金属酸化物膜、又は、これらの金属酸化物を主体とする複合膜、又は、金、銀、銅、錫、ニッケル、アルミニウム、若しくは、パラジウムなどの金属、導電フィラー入り透明高分子、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などの導電性ポリマーの薄膜がある。前記導電膜の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ法、ロールコーター法などを用いることができる。
　帯状電極５のパターンは、特許文献１や特許文献２のように直線の共通軸に沿って接続された一連の菱形形状の電極１０を備えていてもよいし、最小電極幅１０～２００μｍの単なる直線状のパターンであってもよい。ただし図１に示すように、帯状電極５の端部には引き回し回路１５と接続するための透明電極パターン２０が形成され、かつ前記帯状電極１５の反対側の端部にも前記透明電極パターン２０と同等の透明電極パターン３０が設けられている。ここで同等とは全く同じでなければならないというわけではなく、透明電極パターン２０と透明電極パターン３０とで電極感度の相違が問題にならない程度にするという意味である。
　すなわち、端部の透明電極パターン２０は従来の菱形の電極パターン１０を、菱形の電極パターン１０の半分の三角形２１と菱形の電極パターン１０の半分の面積に相当する長方形２２のパターンとが連なったパターンに変更し、透明電極パターン３０も透明電極パターン２０と同様のパターンにする（図１ａ参照）。このようにすることで、透明電極パターン２０および透明電極パターン３０は菱形の電極パターン１０と同じ感度で、透明電極パターン２０は引き回し回路１５と電気的接続させやすいパターンの態様となる。
　なお、透明電極パターン２０や透明電極パターン３０は上記のパターンの態様に限定されるわけでなく、矢印のようなパターン（図１ｂ参照）にしたり、従来の菱形の電極パターン１０と正方形が連なったパターン（図１ｃ参照）などにしたりしてもよい。また、電極感度の相違が問題にならない程度であれば透明電極パターン２０と透明電極パターン３０とでパターンが多少異なっていても構わない。例えば、図１ａで示した透明電極パターン２０と図１ｂで示した透明電極パターン３０とを、１つの帯状電極５において組み合わせることができる。あるいは、透明電極２０と透明電極３０とは、１つの帯状電極において、互いに面積を同一とし、電極感度の相違が問題にならない範囲で互いに平面形状を相違させることもできる。
　帯状電極５の製造方法としては、透明フィルム２上に透明導電膜１１を全面形成し（図２ａ参照）、前記透明導電膜１１上にエッチングレジスト１２をパターン形成し（図２ｂ参照）、前記エッチングレジスト１２が形成されていない箇所の透明導電膜１１をエッチング除去し（図２ｃ参照）、前記エッチングレジスト１２を剥離除去する（図２ｄ参照）方法が挙げられる。そして、帯状電極５の片方の端部に引き回し回路１５が形成される（図２ｅ参照）。
　エッチングレジスト１２としては、アクリル系、ポリビニルシンナメート系、合成ゴム系、ノボラック系などの光硬化型または光分解型の感光性レジスト材料などが挙げられ、グラビア・スクリーンなどの各種印刷方法やマスク塗装する方法などにより形成される。
　エッチングレジスト１２のパターン化は、グラビア印刷やスクリーン印刷などの汎用印刷方式を用いて形成してもよいが、１０～２００μｍの最小電極幅に対応するために、フォトマスクに光を照射させて、エッチングレジスト１２の非マスク部分を所望のパターンに露光し、現像するというフォトプロセスによって形成する方法の方が好ましい。現像は、エッチングレジスト１２が光硬化型の場合、炭酸ソーダなどを現像液として使用することにより未硬化部分を選択的に除去することにより行なわれる。またエッチングレジスト１２が光分解型の場合、メタケイ酸ソーダなどを現像液として使用することにより分解されている部分を選択的に除去することにより行なわれる。
　エッチング剤としては、たとえば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、過硫酸アンモニウム、アンモニウム、塩化アンモニウムなどのアルカリエッチング液または塩化第二銅、塩化第二鉄、クロム酸／硫酸混液、過酸化水素水／硫酸混液などの酸性エッチング液などを用いる。
　引き回し回路１５の材質および形成方法としては銀ペースト、カーボンペースト等の導電ペーストをスクリーン印刷・グラビア印刷など汎用の印刷法で形成する方法、無電解または電解などのめっきにより銅などの金属膜を形成する方法、真空蒸着法やスパッタリング法で形成した銅などの金属膜をパターンエッチングする方法等が用いられる。
　なお、露出した帯状電極５を保護するために保護層等を設けてもよい。保護層の材質は透明な物質が選ばれる。例えば透明プラスチックフィルムを貼り合せたり、透明高分子を塗布してもよい。また、ウインドウパネルやＬＣＤパネルに実装するための透明接着層が前記保護層の役割を兼ねてもよい。
　以上の発明によって得られた透明電極フィルム１と、前記透明電極フィルム１の帯状電極５と直交する形状の帯状電極６を有する第二透明電極フィルム８とを積層すれば挟額縁静電容量センサ１００が得られる（図３参照）。挟額縁静電容量センサ１００は、透明電極フィルム１の２つが、互いの帯状電極５が直交するように積層されている。
　厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上にインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電膜をスパッタリング法にて全面形成し、前記透明導電膜上に光硬化型のドライフィルムレジストを貼合し、次に、フォトマスクの非マスク部分に紫外線を透過させて、前記ドライフィルムレジストの帯状電極のパターンに相当する部分を露光した。次いで、前記感光したドライフィルムレジストを炭酸ソーダで現像し、感光しなかった部分のドライフィルムレジストを除去し、エッチングレジストパターンを得た。
　得られたエッチングレジストパターンは、両端部以外は最小電極幅２０μｍの直線とその直線の共通軸に沿って接続された一連の対角線６ｍｍの菱形形状であり、両端部は、前記菱形形状の半分の三角形のパターンと、それと面積を同じくする６ｍｍ×１．５ｍの長方形のパターンが連なったパターンであった。
　次に、前記エッチングレジストパターンが形成されていない箇所の透明導電膜を塩化第二鉄でエッチングした後、パターニングされた前記導電膜を被覆するエッチングレジストを３％水酸化ナトリウムで除去した。この工程により、両端部が菱形形状の半分の三角形のパターンと、それと面積を同じくする６ｍｍ×１．５ｍの長方形のパターンが連なったパターンの透明電極フィルムが得られた。
　両端部のエッチングレジストパターンを菱形形状の半分の三角形のパターンと、一辺が３ｃｍの正方形が連なった矢印のような形のパターンにした以外は、実施例１と同様にして透明電極フィルムを得た。
　両端部のエッチングレジストパターンを対角線６ｍｍの菱形形状と一辺が３ｃｍの正方形が連なったパターンにした以外は、実施例１と同様にして透明電極フィルムを得た。
　上記実施例１～実施例３の透明電極フィルムについて、片方の端部に銀ペーストからなる導電インキをスクリーン印刷にて引き回し回路のパターンを形成した。そして、それらを２セット作製し、各帯状電極が直交するように積層した結果、挟額縁静電容量センサが得られた。得られた挟額縁静電容量センサは、透明電極全体の感度にアンバランスが生じるようなこともなく正常に作動するものであった。
　１　　　透明電極フィルム
　２　　　透明フィルム
　５　　　帯状電極
　６　　　帯状電極５と直交する形状の帯状電極
　８　　　第二透明電極フィルム
　１０　　菱形形状の電極
　１１　　透明導電膜
　１２　　エッチングレジスト
　１５　　引き回し回路
　２０　　引き回し回路１５と接続するための端部透明電極パターン
　２１　　従来の菱形の電極パターン３０の半分の三角形のパターン
　２２　　従来の菱形の電極パターン３０の半分の面積に相当する長方形のパターン
　３０　　端部透明電極パターン２０と反対側の端部透明電極パターン
　１００　挟額縁静電容量センサ

Claims (5)

  1. 　透明フィルムの表面に平行に並べられた複数の帯状電極を有する透明電極フィルムであって、前記帯状電極の片側の端部に引き回し回路と接続するための透明電極パターンが形成され、かつ前記帯状電極の反対側の端部にも前記透明電極パターンと同等の透明電極パターンが形成された、透明電極フィルム。
  2. 　前記帯状電極の両端に形成された前記透明電極パターンの各々は、互いに面積が同一であり、互いに平面形状が相違する、請求項１記載の透明電極フィルム。
  3. 　前記帯状電極の片側の端部に設けられた透明電極パターンの一部と引き回し回路のパターンの一部とが積層されている、請求項１記載の透明電極フィルム。
  4. 　透明フィルム上に透明導電膜を全面形成し、その透明導電膜上にエッチングレジストをパターン形成し、前記エッチングレジストが形成されていない箇所の透明導電膜をエッチング除去し、前記エッチングレジストを剥離除去することにより帯状電極を形成し、前記帯状電極の片側の端部に引き回し回路をパターン形成する、請求項１から３のいずれかに記載の透明電極フィルムの製造方法。
  5. 　請求項１から３のいずれかに記載の透明電極フィルムの２つが、互いの帯状電極が直交するように積層された、狭額縁静電容量センサ。
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