WO2011101444A1

WO2011101444A1 - Wärmebehandelbares infrarotstrahlung reflektierendes schichtsystem und verfahren zu dessen herstellung

Info

Publication number: WO2011101444A1
Application number: PCT/EP2011/052450
Authority: WO
Inventors: Christoph Köckert
Original assignee: Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh
Priority date: 2010-02-18
Filing date: 2011-02-18
Publication date: 2011-08-25
Also published as: DE102010008518B4; DE102010008518A1

Abstract

Es wird ein wärmebehandelbares Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem auf einem transparenten, dielektrischen Substrat (S0) und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben, welches vom Substrat (S0) aufwärts betrachtet eine Grundschichtanordnung (GA) mit einer dielektrischen Grundschicht (GAG) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung, zur Verminderung der Diffusionvorgängen aus dem Substrat (S0) umfasst. Darüber liegt eine Funktionsschichtanordnung (UFA) mit einer metallischen Funktionsschicht (UFAF) und einer Blockerschicht (UFAB) aus einem Metall, einer Metallmischung oder Metalllegierung oder aus einem Oxid, Nitrid oder Oxinitrid davon. Abgeschlossen wird das Schichtsystem durch eine Deckschichtanordnung (DA) mit einer ersten dielektrischen Deckschicht (DA1), welche ein unter Reaktivgasatmosphäre abgeschiedenes Oxid oder Oxinitrid eines Zink-Stannats enthält, und einer zweiten dielektrischen, hoch brechenden und ein Oxid, Nitrid oder Oxinitrid von Silizium enthaltenden Deckschicht (DA2).

Description

Wärmebehandelbares Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem und Verfahren zu dessen Herstellung Die Erfindung betrifft allgemein ein wärmebehandelbares Infrarotstrahlung (IR-) reflektierendes SchichtSystem auf einem transparenten, dielektrischen Substrat sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen SchichtSystems .

Die Erfindung betrifft insbesondere ein solches IR- Reflektierendes SchichtSystem, welches folgende

transparente, funktionell unterscheidbare Schichtanordnungen aufweist. Als Schichtanordnung sollen dabei eine oder mehrere Einzelschichten verstanden sein, die übereinander angeordnet sind und der Funktion der Schichtanordnung zugeordnet werden können. Eine solche Schichtanordnung kann sowohl homogene Einzelschichten als auch solche mit

graduellen Schwankungen der Zusammensetzung über der

Schichtdicke, so genannte Gradientenschichten, umfassen.

Funktionell ist ein IR-Reflektierendes SchichtSystem, nachfolgend auch nur als SchichtSystem bezeichnet, durch seine niedrige Emissivität und damit verbundene hohe

Reflektivität im spektralen IR-Bereich gekennzeichnet.

Gleichzeitig soll oftmals eine hohe Transmission im Bereich des sichtbaren Lichts erzielt werden. Ein solches

SchichtSystem weist somit einen steilen Abfall der

Transmission und einen starken Anstieg der Reflexion im Übergang vom sichtbaren Licht zum nahen Infrarot auf. In der Regel wird der Übergang mit steigender Zahl der IR- Reflektierenden Schichten steiler. Zum Solarbereich zählt bekanntermaßen die elektromagnetische Strahlung vom Bereich des nahen Infrarot (NIR)über den des sichtbaren bis hin zu dem des UV-Lichts, somit Wellenlängen im Bereich von etwa 300nm bis 3pm. Aufgrund ihres Emissionsverhaltens werden solche SchichtSysteme auch als Low-E-SchichtSysteme

bezeichnet. Des Weiteren weisen sie eine hohe Reflexion und eine geringe Transmission im IR-Bereich (Wellenlängen von >> 3pm) auf, was allgemein durch ein oder mehrere metallische Reflexionsschichten aus z.B. Silber, Gold, Kupfer oder anderen erzielt wird. Allgemein umfasst ein IR-Reflektierendes SchichtSystem vom Substrat aufwärts betrachtet zunächst eine

Grundschichtanordnung, welche insbesondere der Haftung des Systems auf dem Glas, der chemischen und/oder mechanischen Beständigkeit und/oder der Einstellung optischer

Eigenschaften des Systems, z.B. der EntSpiegelung oder der Farberscheinung, dient.

Über der Grundschichtanordnung folgt eine

Funktionsschichtanordnung, welche die IR-Reflektierende Schicht umfasst sowie optional weitere Schichten, welche diese Funktion unterstützen und eine Beeinflussung der optischen, chemischen, mechanischen und elektrischen

Eigenschaften ermöglichen.

Nach oben abgeschlossen wird ein IR-Reflektierendes

SchichtSystem durch eine Deckschichtanordnung, die zumindest eine mechanisch und/oder chemisch stabilisierende

Schutzschicht umfasst. Diese kann selbst oder durch

ergänzende Schichten auch die optische Performance des

SchichtSystems beeinflussen, z.B. eine EntSpiegelung unter Ausnutzung von Interferenzeffekten, so dass gegebenenfalls auch in Verbindung mit einer entspiegelnden Grundschicht die Transmission erhöht werden kann. In der DE 699 15 350 T2 beispielsweise wird unter jeder IR-Reflexionsschicht eine Entspiegelungsschicht angeordnet, z.B. aus reaktiv

abgeschiedenem dielektrischem Zink-Stannat . Die Zuordnung einzelner Schichten zur Grund-, Funktions-,

Deck- oder weiterer Schichtanordnung ist nicht in jedem Fall eindeutig vorzunehmen, da jede Schicht sowohl auf die benachbarten Schichten als auch auf das gesamte System

Einfluss hat. Allgemein erfolgt eine Zuordnung einer Schicht anhand ihrer grundlegenden Funktion. So werden einer

Grundschichtanordnung allgemein solche Schichten

zugerechnet, die primär einen Mittler zwischen dem Substrat und der weiteren Schichtenfolge darstellen. Weitere

Schichten der Grundschichtanordnung können auch die

Eigenschaften des SchichtSystems als Ganzes beeinflussen, wie z.B. Entspiegelungsschichten oder Schutzschichten. Die Funktionsschichtanordnung umfasst neben der Funktionsschicht auch solche Schichten, die deren Eigenschaften direkt beeinflussen, wie Blockerschichten zur Unterdrückung von Diffusionsvorgängen benachbarter Schichten in die

Funktionsschicht oder wie Interfaceschichten, die der

Haftung oder der Einstellung elektrischer und optischer Eigenschaften der benachbarten Schicht dienen. Schichten der Deckschichtanordnung schließen das SchichtSystem nach oben ab und können wie auch die Grundschichtanordnung das gesamte System beeinflussen.

Ein derart aufgebautes, so genanntes Single-Low-E kann durch Einfügung einer (Double-Low-E) oder mehrerer weiterer

Funktionsschichtanordnung, die durch Koppel- oder

Mittelschichtanordnungen auf der ersten

Funktionsschichtanordnung aufgebaut sind, ergänzt werden. Auch für die Zuordnung einer Schicht zur

Mittelschichtanordnung sind die obigen Betrachtungen zugrunde zu legen. Die jeweilige Abfolge von Einzelschichten und Schichtanordnungen kann entweder innerhalb einer

Schichtanordnung oder in der Aufeinanderfolge der

Schichtanordnungen so modifiziert werden, dass spezielle, durch die Anwendung oder den Herstellungsprozess entstehende Anforderungen erfüllt werden können.

So treten im Verlauf der Herstellung des SchichtSystems verschiedene Temperaturbelastungen in bereits aufgebrachten Schichtenfolgen auf, die durch einen mit der Abscheidung verbundenen Energieeintrag oder durch verschiedene

Behandlungsschritte abgeschiedener Schichten bedingt sind. So wird in der DE 699 15 350 T2 beschrieben, dass bei der Abscheidung einer Entspiegelungsschicht auf einer zuvor abgeschiedenen IR-Reflexionsschicht letztere zusammenbricht. Um dies zu verhindern wird zwischen diese beiden eine aluminiumdotierte, transparente Zinkoxidschicht eingefügt. Blockerschichten hingegen sind in der DE 699 15 350 T2 nicht eingesetzt. Das dort beschriebene SchichtSystem umfasst lediglich eine Deckschicht, welche dem mechanischen und chemischen Schutz gegenüber äußeren Einflüssen dient.

Darüber hinaus können IR-Reflektierende SchichtSysteme zur Härtung und/oder Verformung des Substrates auch

Temperprozessen unterzogen werden. In diesem Fall weisen sie eine solche Schichtenfolge mit solchen Schichteigenschaften auf, die es erlauben, ein das SchichtSystem tragendes

Substrat einer Wärmebehandlung zu unterziehen und dabei auftretende Änderungen der optischen, mechanischen und chemischen Eigenschaften des SchichtSystems innerhalb definierter Grenzen zu halten. Je nach Anwendung eines beschichteten Substrates ist dessen SchichtSystem im

Temperprozess in unterschiedlichen Zeitregimes

unterschiedlichen klimatischen Bedingungen ausgesetzt.

Aufgrund solcher Temperaturbelastungen kommt es zu

verschiedenen, das Reflexionsvermögen der Funktionsschicht und die Transmission des SchichtSystems ändernden Vorgängen, insbesondere zur Diffusion von Komponenten der

Entspiegelungsschicht in die Funktionsschicht und umgekehrt und infolge dessen zu Oxidationsprozessen in der

Funktionsschicht. Zur Vermeidung solcher Diffusions- und Oxidationsvorgänge wird ein- oder beidseitig der

Funktionsschicht eine Blockerschicht eingefügt, die als Puffer für die diffundierenden Komponenten dient. Diese Blockerschichten sind entsprechend der auftretenden

Temperaturbelastung strukturiert und angeordnet und schützen die empfindliche oft sehr dünne Funktionsschicht oder die Funktionsschichten vor dem Einfluss benachbarter Schichten. Durch das Einfügen einer oder mehrerer Blockerschichten können insbesondere starke Farbverschiebungen des

SchichtSystems sowie die Zunahme des Flächenwiderstandes des SchichtSystems infolge des Temperprozesses verhindert werden.

Als Blockerschichten temperfähiger SchichtSysteme sind insbesondere NiCr- oder NiCrOx-Schichten bekannt. So

schließen in der DE 035 43 178 AI diese Blockerschichten die IR-Reflektierenden Silberschichten ein oder schützen sie zumindest einseitig. Die Blockerschichten führen jedoch zu einer Verringerung der Transmission und der Leitfähigkeit der Silberschicht und damit zur Verminderung der IR- Reflexion. Wird eine Silberschicht mit einem

Flächenwiderstand von ca. 5 Ohm/Sq. abgeschieden und diese in zwei NiCrOx-Schichten eingebettet, so kann diese

Einbettung zu einer Erhöhung des Flächenwiderstandes um ca. 1,5 Ohm/Sq. auf 6,5 Ohm/Sq führen.

Es hat sich gezeigt, dass diese verschiedenartigen

Schichtaufbauten trotz der verschiedenen Maßnahmen immer noch zu sensibel für klimatische Bedingungen und lediglich speziellen Temperprozessen angepasst sind, so dass sie bei anspruchsvollen oder deutlich abweichenden klimatischen Bedingungen nicht mit einer ausreichenden Qualität oder Ausbeute hergestellt werden können. So wurde festgestellt, dass die Reflexions- und

Transmissionseigenschaften des SchichtSystems auch durch Diffusionsprozesse beeinflusst werden, die vom Glas

ausgehen. Um hierauf Einfluss zu nehmen, wurde in der

US 2004/0086723 AI unterhalb der Funktionsschichtanordnung eine Barriereschicht eingefügt, welche die Diffusion von Natrium-Ionen des Glases in das SchichtSystem vermindern soll. Auch können mit solch einer Barriereschicht

Qualitätsprobleme vermindert werden, die auf Undefinierte Ausgangszuständen beim Rohglas, d. h. schwankende chemische Zusammensetzung des Glases, insbesondere hinsichtlich seines Natrium-Anteils, zurückzuführen sind. Darüber hinaus verursachen andere Glaseinflüsse, wie Korrosion oder

Abdrücke der dem Handling des Glases dienenden Sauger, die durch visuelle Kontrollen oftmals nicht feststellbar und durch übliche Reinigung nicht zu beseitigen sind,

unerwünschte Änderungen der Eigenschaften des

SchichtSystems . Besonders nachteilig ist bei solchen

Glaseinflüssen, dass deren Auswirkungen auf die

Eigenschaften des SchichtSystems erst nach dem Temperprozess sichtbar werden.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein SchichtSystem und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, das auch bei anspruchsvollen klimatischen Bedingungen einer

Wärmebehandlung des Substrats und/oder Undefinierten

Zuständen bei dem Glassubstrat eine ausreichende Qualität, z.B. eine hohe Transmission im sichtbaren Bereich sowie eine niedrige Emissivität gewährleistet und gleichzeitig eine weitgehende Stabilität des Farborts des SchichtSystems im neutralen bis leicht bläulichen Bereich des L*a*b*- Farbraumes ermöglicht.

Zur Lösung der Aufgabenstellung umfasst das Schicht System in der Grundschichtanordnung eine dielektrische Grundschicht, die aus einem solchen Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung besteht, welches geeignet ist, Diffusionsvorgänge aus dem Substrat in das darüber liegende SchichtSystem und hier insbesondere in eine Funktionsschichtanordnung zu

vermindern .

Die darüber angeordnete Funktionsschichtanordnung umfasst eine metallische Funktionsschicht zur Reflexion von

Infrarotstrahlung sowie eine über der Funktionsschicht angeordnete Blockerschicht aus einem Metall, einer

Metallmischung oder Metalllegierung oder aus einem Oxid, Nitrid oder Oxinitrid davon. Diese dient vordergründig dem Schutz der Funktionsschicht gegenüber Oxidations- und Diffusionsprozessen, die z.B. in im Durchlaufverfahren zur Herstellung des SchichtSystems nachfolgenden

Beschichtungsprozessen oder während der Temperprozesse des SchichtSystems auftreten können. Des Weiteren umfasst das erfindungsgemäße SchichtSystem eine Deckschichtanordnung mit einer ersten dielektrischen

Deckschicht, welche ein unter Reaktivgasatmosphäre

abgeschiedenes Oxid oder Oxinitrid eines Zink-Stannats enthält, und mit einer zweiten dielektrischen, hoch

brechenden und ein Oxid, Nitrid oder Oxinitrid von Silizium enthaltenden Deckschicht.

Die Herstellung eines solchen SchichtSystems erfolgt in einer Durchlaufbeschichtungsanlage durch aufeinander

folgende Abscheidung aus der Gasphase auf dem Substrat bzw. den bereits abgeschiedenen Schichten des SchichtSystems . Die Abscheidung erfolgt für eine oder mehr Schichten mittels DC- oder MF-Magnetronsputtern, das insbesondere auch für

reaktives Sputtern angewendet wird und aufgrund der

Energiebilanz des Beschichtungsmaterials Schichten mit der gewünschten Struktur erzeugt.

Alternativ erweist es sich jedoch als vorteilhaft, wenn entsprechend einer Ausgestaltung des Verfahrens die unterste und die oberste Schicht des SchichtSystems , welche unter anderem dessen mechanischem und chemischem Schutz dienen, mittels CVD- oder plasmagestütztem CVD-Prozess hergestellt werden .

Das beschrieben SchichtSystem erfüllt die Anforderungen gemäß Aufgabenstellung. Es ist chemisch und mechanisch stabil sowohl hinsichtlich der Haftung auf dem Substrat und der Schichten untereinander als auch gegenüber äußeren

Einwirkungen. Das SchichtSystem ist des Weiteren in einem großen Temperatur-, Zeit- und geometrischen Rahmen temper- und biegbar und weist auch nach diesen Behandlungen

hervorragende optische Eigenschaften, insbesondere neutrale bis leicht negative, d.h. blaue Reflexionsfarbwerte im

L*a*b*-Farbraum. Aufgrund der möglichen Reduzierung der Anzahl der Einzelschichten und weiterer

Optimierungsmaßnahmen im Herstellungsprozess ist z.B. auch eine hohe Transmission im sichtbaren Spektralbereich bei niedriger Emissivität zu erzielen.

Die optische Stabilität wird unter anderem durch die

Grundschicht erzielt, die wie beschrieben als

Barriereschicht gegenüber möglichen Substrateinflüssen aufgebracht ist und hier insbesondere der Verminderung von Diffusionvorgängen aus dem Substrat in eine darüber

angeordnete Funktionsschichtanordnung dient. Von Vorteil erweist es sich, dass sich dieser Barriereeffekt auch auf die anderen, auch die über der Funktionsschicht liegenden Schichten auswirkt, so dass für diese Schichten auch andere Materialien verwendbar sind.

Wenn es sich bei dem Substrat um Glas handelt, betrifft die Wirkung der Grundschicht insbesondere die Diffusion von Natrium-Ionen, die entsprechend der Zusammensetzung des Glases in unterschiedlichen Konzentrationen vorliegen können, so dass bereits aufgrund dieser Schwankungen nach einem Wärme eintragendem und somit Diffusion auslösendem Prozess Abweichungen des Farbortes bei sonst gleichem

SchichtSystem und Prozessbedingungen auftreten können.

Darüber hinaus werden auch Einflüsse von Korrosion des

Substrates oder von Spuren auf dem Substrat, welche in den vorangegangenen Prozessabläufen in der Zuführung des

Substrates entstanden sind, z.B. Saugerabdrücke auf Glas, unterdrückt. Auch Einflüsse auf das wärmebehandelte

SchichtSystem aus diesen Änderungen der

Oberflächenbedingungen des Substrates und chemischer

Rückstände auf dem Substrat können mit einer

erfindungsgemäßen Unterschicht so weit unterdrückt werden, dass eine Farbvarianz unterhalb eines sichtbaren Grenzwertes bleibt . Da die unerwünschten Diffusionsprozesse bereits durch den Wärmeeintrag in bereits abgeschiedene Schichten während nachfolgender Abscheidungsprozesse erfolgen können, sind mit der erfindungsgemäßen Unterschicht die beschriebenen

Vorteile auch bei nicht zu tempernden SchichtSystemen erzielbar .

Es hat sich herausgestellt, dass eine gute Barrierewirkung gegenüber dem Substrat insbesondere durch solche Schichten erzielt wird, welche neben den spezifischen Ionenfängern auch eine dichte Struktur aufweisen. Entsprechend einer besonderen Ausgestaltung des SchichtSystems enthält die Grundschicht Silizium, wie z.B. Siliziumnitrid. Aber auch andere funktionell und strukturell vergleichbare Material sind einsetzbar. Die verwendbaren Materialien hängen

wesentlich von diesen Eigenschaften ab und zwar bezogen auf die zu erwartenden Diffusionsprozesse, so dass für die jeweils gegebenen Substrat-Schicht-Kombinationen und

thermischen Anforderungen die geeigneten Materialien durch Versuche zu ermitteln sind. In Bezug auf die

Natriumionendiffusion aus Glas wurde z.B. herausgefunden, dass einige Metalloxide wie z.B. Zinnoxid oder Titanoxid nur eine vernachlässigbare Barrierewirkung zeigen.

Je nach verwendetem Material kann die Grundschicht durchaus auch hoch brechend sein. In diesem Fall kann die

Grundschicht gleichzeitig der EntSpiegelung dienen. Damit kann die Dicke der unter der Funktionsschichtanordnung abgeschiedenen Schichten vermindert werden, was sich positiv auf die Transmission auswirkt.

Der Bereich der hoch brechenden Eigenschaft einer

Einzelschicht ist wie üblich in Bezug auf die im

SchichtSystem verwendeten Materialien sowie das Substrat und keinesfalls absolut zu betrachten, da sich ein optischer Effekt, hier insbesondere ein entspiegelnder Effekt an dem Wechsel der optischen Dichte benachbarter Schichten bemisst. Sofern es sich bei dem Substrat um Glas handelt, wird dessen Brechungsindex im Bereich von ca. 1,5 und einige Zehntel darüber und darunter als niedrig brechend anzusehen sein, während der Brechungsindex von Siliziumnitrid oder

Metalloxide bei 2,0 und darüber liegen und deshalb als hoch brechend anzusehen sein. Gegenüber einem Brechungsindex von 1,5 und niedriger kann jedoch auch ein Brechungsindex von 1,8 oder 1,9 schon als hoch brechend gelten. Diese Grenzen sind, wie dargelegt, an den genannten Materialien

orientiert. Verschieben sich die Brechungsindizess der verwendeten Materialien, dann verschieben sich auch die Grenzen .

Es hat sich weiter herausgestellt, dass entgegen der bisherigen Auffassung bereits durch eine gute

Barrierewirkung der Grundschicht eine ausreichende

Stabilisierung des SchichtSystems gegenüber thermischen

Einflüssen, die durch das Substrat begründet sind, erzielbar ist. Folglich ist bei einer guten Barrierewirkung der

Grundschicht erfindungsgemäß eine untere Blockerschicht in der Funktionsschichtanordnung nicht erforderlich. Diese Möglichkeit wirkt sich ebenfalls positiv auf die

Transmission im sichtbaren Spektralbereich aus, ohne jedoch Einbußen in der thermischen Beständigkeit hinzunehmen. Von den beidseitig einer Funktionsschicht angeordneten

Blockerschichten verbleibt somit lediglich die obere, die über der Funktionsschicht liegt und einen Schutz gegenüber Diffusions- und damit verbundenen Oxidationsprozessen von über der Funktionsschicht abgeschiedenen Schichten bildet.

Ergänzender Schutz wird durch die Deckschichtanordnung erzielt, die zumindest zweischichtig ausgeführt werden kann und in der ersten, unteren Deckschicht Zink-Stannat , eine Zink-Zinn-Mischung enthält. Diese wird mit einer hoch brechenden und ein Oxid, Nitrid oder Oxinitrid von Silizium enthaltenden Deckschicht überdeckt. Da die erste Deckschicht neben ihrer optischen Wirkung insbesondere einen mechanisch stabilisierenden Effekt auf die benachbarten Schichten ausübt, ist mit dieser Deckschichtanordnung ein sehr fester, beständiger und Transmission sowie Farbort stabilisierender Abschluss des SchichtSystems erzielt.

Mittels der Zink-Stannat enthaltenden Schicht sind

insbesondere SchichtSpannungen in den angrenzenden Schichten reduzierbar, woraus sich aufgrund des besseren

Relaxationsverhaltens während des Temperns ein deutlich verbessertes Temperverhalten für die darüber liegende zweite Deckschicht ergibt. Darüber hinaus verringern sich auch die Schädigung von abgeschiedenen Schichten sowie die Belastung der Anlage durch Schichtabplat zungen, so genannte Flitter.

Eine effektive Abscheiderate bei gut einstellbaren

Schichteigenschaften wird für die Zink-Stannat enthaltenden Deckschicht erzielt, indem sie reaktiv gesputtert wird, wobei dem Arbeitsgas Sauerstoff zugeführt wird, das optional durch Stickstoff ergänzt werden kann. In letzterem Fall ist es unerheblich, ob Stickstoff tatsächlich in der Schicht eingebaut wird.

Für die Abscheidung erfolgt verfahrensseitig eine

Optimierung zwischen der Abscheiderate und dem sicheren Fahren des Prozesses im vollreaktiven Mode 2 (Fig. 2) mithilfe der Sauerstoffzufuhr . Bekanntermaßen wird die

Abhängigkeit der Abscheiderate vom Reaktivgaszufluss beim reaktiven Sputterprozess durch eine Hysteresekurve (Fig. 2) beschrieben, d.h. es besteht ein Versatz 3 oder

Übergangsbereich in der Abscheiderate je nachdem ob der Reaktivgaszufluss während des Sputterns zu- oder abnimmt. Dieser Übergangsbereich unterscheidet die beiden

grundlegenden und stabil zu betreibenden Modes des

Prozesses, den metallischen Mode 1 (Fig. 2) in dem die Rate nur geringfügig geändert dem des Metalls entspricht, und den vollreaktiven Mode 2, bei dem die notwendige Prozessspannung im Vergleich zum metallischen Mode 1 niedrig und nahezu unabhängig vom Reaktivgaszufluss ist. Daraus ergibt sich ein stabiler und bevorzugter Prozessverlauf. Dieser wird erfindungsgemäß auch für die Abscheidung einer Zink-Stannat enthaltenden Schicht nutzbar, indem zunächst vor Beginn der Abscheidung durch eine Regulierung des

SauerstoffZuflusses zum Arbeitsgas der Betrieb im

vollreaktiven Mode der Abscheidecharakteristik erzielt wird und dann durch Reduzierung des Sauerstoffflusses bis kurz vor dem Übergangspunkt 4 vom vollreaktiven zum metallischen Mode eine Optimierung der während der Abscheidung

erzielbaren Abscheiderate vorgenommen wird (Fig. 2) . Der beschriebene, die Spannungen innerhalb einer

angrenzenden Schicht reduzierende Effekt, unterstützt die Verwendung einer das SchichtSystem nach oben abschließenden Schicht, die hoch brechend ist und ein Oxid, Nitrid oder Oxinitrid von Silizium enthält. Eine solche Schicht ist hinsichtlich ihrer Eigenschaften, insbesondere auch ihrer optischen Eigenschaften sehr gut einstellbar. Die

Einstellung der Schichteigenschaften erfolgt wie oben dargelegt anhand der Maßgaben, die durch die Einzelschichten des SchichtSystems und die Anforderungen an das System während eines Temperprozesses und/oder in der Verwendung bedingt sein können.

Die Verwendung von Siliziumnitrid für die oberste, zweite Deckschicht gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung

gestattet eine weitere Optimierung der optischen Performance des SchichtSystems während des Sputterprozesses . Denn dieses Material ist durch einen kontinuierlichen Übergang zwischen metallischem Mode 1 (Fig. 2) und vollreaktivem Mode 2 (Fig. 2) anstelle des oben beschriebenen Übergangsbereichs (Fig. 2) einer Hysteresekurve charakterisiert. Dies ermöglicht die Einstellung einer minimal erzielbaren Absorption für diese Schicht über den Reaktivgasfluss . Eine solch optimierende Steuerung des Reaktivgasflusses kann mithilfe bekannter Absorptionsmessungen in- oder ex-situ erfolgen.

Alternativ oder ergänzend zur Verwendung von Siliziumnitrid als zweite Deckschicht in Verbindung mit dem Oxid oder Oxinitrid einer Zink-Stannat enthaltenden Schicht sind auch unterschiedlich dicke Deckschichten verwendbar, wobei es von Vorteil ist, wenn die zweite, das SchichtSystem

abschließende Deckschicht eine größere Dicke aufweist, bevorzugt eine um den Faktor 1,2 oder höher größere Dicke.

Die oben beschriebene Reduzierung der notwendigen

Einzelschichten in den grundlegenden Schichtanordnungen hat den weiteren positiven Effekt, dass es besser möglich ist, das SchichtSystem mit vorhandenen Anlagenkonfigurationen herzustellen, die häufig in ihrer Folge von installierten Targetmaterialien in den Beschichtungskompartments

festgeschrieben sind oder nur mit hohem Aufwand veränderbar wären. Denn die verminderte Aufeinanderfolge von

Einzelschichten gestattet eher eine Anpassung der Anzahl der Targets und deren Reihenfolge als eine dichte Folge

unterschiedlicher Materialien. Dies schließt auch ein, dass weitere Unterteilungen z.B. der Grundschichtanordnung in mehr als eine Einzelschicht, auch mit voneinander

abweichenden Materialien erfolgen können, sofern

hinsichtlich der Anforderungen insbesondere für die

entspiegelnde und die Transmission verbessernde Wirkung optisch noch Platz ist.

Dementsprechend sind in verschiedenen Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen SchichtSystems solche Schichten eingefügt, die das SchichtSystem verschiedenen Anforderungen und auch spezifischen Eigenschaften der Beschichtungsanlage gegenüber variabler gestalten. So wird entsprechend einer

Ausgestaltung des SchichtSystems eine weitere dielektrische Grundschicht über der ersten eingefügt. Diese hat hoch brechende Eigenschaften, so dass mit ihr die optischen

Eigenschaften des SchichtSystems , insbesondere die

Transmission und die Farbe beeinflussbar sind. Dies ist z.B. dann gegeben, wenn die erste Grundschicht einen

Brechungsindex aufweist, der kleiner oder gleich dem der weiteren Grundschicht ist. Des Weiteren ist es entsprechend einer weiteren Ausgestaltung des SchichtSystems möglich, die

Reflexionseigenschaften der IR-Reflektierenden

Funktionsschicht durch Einfügen einer Interfaceschicht zu beeinflussen. Eine Interfaceschicht soll allgemein als Mittler zwischen Schichten verstanden sein, deren

Eigenschaften sich deutlich unterscheiden und sich deshalb beeinflussen könnten. In Bezug auf die IR-Reflektierende Funktionsschicht wird mit einer Interfaceschicht

üblicherweise die Haftung verbessert und der

Flächenwiderstand herabgesetzt, um die

Reflexionseigenschaften zu verbessern. Mit der angegebenen Interfaceschicht aus einem Metall oder aus einem Oxid oder Nitrid eines Metalls oder einer Metallmischung oder Metall- Legierung ist ein so genannter Seed-Layer eingefügt, der den Schichtaufbau der Funktionsschicht während der Abscheidung derart beeinflusst, dass der gewünschte, niedrige

Flächenwiderstand erzielt wird.

Der beschriebene Aufbau der einzelnen Schichtanordnungen sowie deren Modifikationen sind gleichermaßen auf ein IR- Reflektierendes SchichtSystem anwendbar, welches zwei oder mehr Funktionsschichten umfasst. In einer solchen

Verdopplung oder Vervielfachung der Funktionsschichten wurde festgestellt, dass die Barrierewirkung der

Grundschichtanordnung sich auch auf jede weitere

Funktionsschicht in der beschriebenen Weise positiv auswirkt und darüber hinaus auch auf die eingefügten

Zwischenschichten. Folglich können die Reduzierung der

Einzelschichten und/oder die verwendbaren Materialien auch für höher liegende Schichten in dieser Ausgestaltung des SchichtSystems verwendet werden.

Die zusätzlichen Funktionsschichten sind jeweils in eine Funktionsschichtanordnung integriert, deren grundsätzlicher Aufbau dem im Single-Low-E-SchichtSystem beschriebenen entspricht. Grundsätzlich übereinstimmende Funktionsschichtanordnungen schließen jedoch ein, dass sie sich in den verwendeten Materialien auch unterscheiden können, sofern sie in die oben beschriebene

Charakterisierung der Funktionsschicht, Blockerschicht und gegebenenfalls Interfaceschicht einzuordnen sind.

Eine zweite und jede weitere Funktionsschichtanordnung wird unter der Deckschichtanordnung und über der darunter liegenden Funktionsschichtanordnung eingefügt. Die Trennung zwischen beiden Funktionsschichtanordnungen und demzufolge auch deren Verknüpfung miteinander erfolgt durch eine

Zwischenschichtanordnung, so dass die Schichtenfolge eine Funktionsschichtanordnung, darüber eine

Zwischenschichtanordnung und eine weitere

Funktionsschichtanordnung und gegebenenfalls weitere, sich abwechselnde Zwischen- und Funktionsschichtanordnungen umfasst .

Erfindungsgemäß umfasst die Zwischenschichtanordnung eine oder mehr Zwischenschichten, von denen jede Einzelschicht Zinn enthält. Außerdem enthält zumindest eine der

Einzelschichten der Zwischenschichtanordnung ein Oxid oder ein Oxinitrid eines Zink-Stannats . Daraus folgt, dass grundsätzlich auch eine einschichtige

Zwischenschichtanordnung möglich ist, deren Schicht ein Oxid oder ein Oxinitrid eines Zink-Stannats enthält. Eine solche Schicht erfüllt beide Materialanforderungen. Durch den für jede Zwischenschicht vorgeschriebenen Zinn-Gehalt entstehen auch bei voneinander abweichenden Zwischenschichten über die Dicke der Mittelschichtanordnung betrachtet Bereiche mit unterschiedlichen Zinn-Anteilen, die auch gradientenförmige Übergänge von einer Schicht zur anderen umfassen können.

Wie oben dargelegt, weist eine Zink-Stannat enthaltende Schicht besondere mechanisch stabilisierende Eigenschaften auf, die erfindungsgemäß auch für die

Zwischenschichtanordnung genutzt werden. Dies ist aufgrund der Verbindungsfunktion für die Zwischenschichtanordnung von Vorteil, auch für deren Kombination mit einer davon

abweichenden, Zinn-haltigen Schicht, wofür entsprechend einer Ausgestaltung der Erfindung die Abscheidung von unterschiedlichen Targetmaterialien erfolgt. Um die erforderliche Dicke der Zwischenschichtanordnung sowohl für die ein- als auch die mehrschichtige

Ausgestaltung zu realisieren, erfolgt deren Abscheidung durch aufeinanderfolgende reaktive Beschichtung stets von zumindest zwei Targets. Erfindungsgemäß wird für zumindest eine Zwischenschicht ein Oxid oder ein Oxinitrid von Zink-Stannat verwendet, so dass bezüglich der Verfahrensausgestaltungen und der damit verbundenen Vorteile auch hier die obigen Darlegungen zur ersten Deckschicht zutreffen. Auch die Vorteile hinsichtlich der Gasseparation sind nutzbar, sofern entsprechend einer Ausgestaltung der Erfindung die benachbarten

Beschichtungsprozesse zur Abscheidung der Zwischenschichten unter im Wesentlichen übereinstimmender

Reaktivgaszusammensetzung erfolgen. Die oben beschriebenen gradientenförmigen Übergänge zwischen den Zinn-halt igen Schichten der Zwischenschichtanordnung werden durch die qualitativ vergleichbare Reaktivgasatmosphäre in den aufeinanderfolgenden Beschichtungsprozessen weiter

unterstützt . Die Übereinstimmung soll die wesentlichen Komponenten der Reaktivgasatmosphäre betreffen, d.h. das Arbeitsgas Argon und das Reaktivgas, welches Sauerstoff und gegebenenfalls Stickstoff umfasst. Abweichungen in sekundären Bestandteilen z.B. rein technologisch bedingte Beimengungen oder

geringfügig höhere Werte des als bevorzugt beschriebenen Anteils sind möglich ohne nennenswerte Einschränkungen in den beschriebenen Vorteilen und Wirkungen.

Für die erfindungsgemäßen IR-Reflektierenden SchichtSysteme mit zwei oder mehr Funktionsschichtanordnungen hat sich des Weiteren als vorteilhaft herausgestellt, die Schichtdicken der beiden oder mehr Funktionsschichten aufeinander

abzustimmen. So konnte eine Optimierung zwischen geringer Emissivität und maximaler Transmission im sichtbaren

Spektralbereich insbesondere für die bevorzugten neutralen bis leicht blauen Reflexionsfarben, bei denen a* und b* des L*a*b*-Farbraumes im Bereich von 0 und kleiner liegen, für den Fall erzielt werden, wenn die Dicke der Funktionsschicht der obersten Funktionsschichtanordnung um den Faktor 1,1 oder höher größer ist als die Dicke der Funktionsschicht der untersten FunktionsSchichtanordnung .

Das erfindungsgemäße SchichtSystem soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigt die Fig. 1 eine Schichtenabfolge eines Double-Low-E- SchichtSystems und

Fig. 2 eine Darstellung des Hysterese-Effektes beim

reaktiven Sputtern.

Gemäß der Fig 1. umfasst die Grundschichtanordnung des Ausführungsbeispiels lediglich eine Grundschicht. Diese besteht aus einem Siliziumnitrid, welches einen geringen Aluminiumanteil aufweist, hier in Höhe von ca. acht

Gewichtsprozent .

Auf einem Substrat SO sind nacheinander in einer

Vakuumdurchlaufsbeschichtungsanlage die nachfolgend

beschriebenen Schichten mittels DC- oder MF- Magnetronsputtern abgeschieden.

Auf dem Substrat SO, im Ausführungsbeispiel Floatglas mit einem Brechungsindex von ca. 1,52, ist zunächst eine

Grundschicht GAG angeordnet, die als Barriere- und

Entspiegelungsschicht dient und aus einem

Siliziumaluminiumnitrid besteht mit einem Brechungsindex 2.12 ± 0.05. Die Schicht wird reaktiv unter Anwesenheit von Stickstoff als Reaktivgas von einem Si: AI-Target mit 6-10% Aluminiumanteil gesputtert. Alternativ kann die Schicht auch ohne Aluminiumanteil und/oder unter einer anderen

Reaktivgasatmosphäre abgeschieden sein. Im

Ausführungsbeispiel umfasst die Grundschichtanordnung GA nur diese eine Grundschicht GAG. Alternativ kann die

Grundschichtanordnung über dieser Grundschicht GAG eine weitere Grundschicht aufweisen, die z.B. aus Titanoxid oder Nioboxid besteht, wodurch deren gegenüber der Grundschicht GAG höherer Brechungsindex nutzbar wäre. In einer weiteren Alternative ist die Grundschicht GAG als Gradientenschicht mit wechselnder Stöchiometrie abgeschieden.

Über der Grundschichtanordnung GA ist die erste, untere Funktionsschichtanordnung UFA abgeschieden. Sie umfasst eine Interfaceschicht, in dieser Position als untere

Interfaceschicht UFAI bezeichnet. Diese besteht aus einem Zinkaluminiumoxid, das von einem Zn:Al-Target mit ca. 2% Aluminiumanteil oder von einem keramischen Zinkalumiumoxid- Target oder einem keramischen Zinkoxid (sog. Intrinsisches Zinkoxid) Target gesputtert wird. Alternativ kann die

Schicht auch ohne Aluminiumanteil abgeschieden sein.

Über der unteren Interfaceschicht UFAI, die unter anderem auch als Seed-Layer für die darauf folgende Schicht dient, ist die untere Funktionsschicht UFAF als IR-Reflekt ierende Schicht abgeschieden. Im Ausführungsbeispiel wird Silber verwendet. Aber auch andere Materialien mit der IR- Reflektierenden Eigenschaft, wie z.B. Gold oder ein anderes Edelmetall oder Legierungen davon, ein Halbedelmetall oder Tantal, sind verwendbar.

Über dieser folgt die untere Blockerschicht UFAB . Für eine Blockerschicht kommen unterschiedliche Materialien in

Betracht. Neben den als bekannt benannten NiCr- oder NiCrOx- Schichten sind auch andere Materialien verwendbar, z.B. um die optischen und/oder elektrischen Eigenschaften des

SchichtSystems zu beeinflussen. So ist z.B. eine Zirkonoxidschicht ZrOx mit x > 0 geeignet, die Transmission des SchichtSystems gegenüber der Verwendung einer NiCrOx- Schicht zu erhöhen und den Flächenwiderstand des

SchichtSystems zu vermindern. Eine weitere Erhöhung der Transmission und Verringerung des Flächenwiderstands wäre z.B. mit einer von einem keramischen ZnOx : AI-Target mit 2% Aluminium gesputterten Blockerschicht mit x < 1 ohne

zusätzlichen Sauerstoffeinlass möglich. Wie oben dargelegt sind auch Titanoxid TiOx mit x < 2 oder eine Nioboxidschicht NbxOy als Blockermaterial möglich, wobei letztere

unterstöchiometrisch abgeschieden wird, d.h. y/x < 2,5.

Darüber hinaus ist auch Chromnitrid CrxNy oder Stainless Steel Nitrid SST_xN_y für eine Blockerschicht verwendbar, wobei mit diesem Material auch eine Verringerung der Transmission des SchichtSystems im sichtbaren Bereich erzielbar ist, z.B. zur Verwendung in einem selektiven, einfach oder mehrfach LowE-Sun-Schichtsystem. Hierbei sinkt die sichtbare

Transmission mit steigender Schichtdicke, was durch die Verwendung dieser Materialien in ein oder mehreren

Blockerschichten eines mehrere Funktionsschichtanordnungen umfassenden SchichtSystems noch gezielter eingestellt werden kann. Hinzu kommt bei diesen Materialien die Stabilität der Schicht auch gegenüber Temperprozessen, da sie nicht

aufoxidiert . Über der unteren Funktionsschichtanordnung UFA ist eine

Zwischenschichtanordnung ZA abgeschieden. Sie ist aus drei verschiedenen dielektrischen Schichten mit unterschiedlicher Zusammensetzung aufgebaut. Auf der unteren

Funktionsschichtanordnung UFA folgt im Ausführungsbeispiel zunächst eine Zinnoxidschicht, darauf ein Oxid eines Zink- Stannats und darauf wiederum eine Zinnoxidschicht. Für die Sputterprozesse werden zwei verschiedene Targetmaterialien verwendet, und zwar Zinn und Zink-Stannat , die beide Zinn enthalten. Die Abscheidung erfolgt für alle drei

Zwischenschichten ZA1, ZA2, ZA3 reaktiv als Oxidschichten. Die erste und die dritte Zwischenschicht ZA1, ZA3, welche die äußeren Schichten der Zwischenschichtanordnung sind, werden von dem gleichen Targetmaterial, Zinn, gesputtert, während die zweite, mittlere Zwischenschicht von einem Zink- Stannat-Target reaktiv unter Anwesenheit von Sauerstoff im Arbeitsgas Argon gesputtert wird.

Entsprechend einer optionalen Ausführung des Verfahrens stimmen die Reaktivgasatmosphären zur Abscheidung einer Zwischenschichtanordnung ZA überein, d.h. hinsichtlich des Arbeitsgases Argon und des Reaktivgases, welches Sauerstoff und gegebenenfalls Stickstoff umfasst. Aus den Zinn-Anteilen in allen drei Targets und den vergleichbaren

Reaktivgasatmosphären resultieren gradientenförmige

Übergänge sowohl zwischen der ersten und zweiten

Zwischenschicht ZA1, ZA2 als auch zwischen der zweiten und dritten Zwischenschicht ZA2, ZA3. Im Ausführungsbeispiel weist die zweite Zwischenschicht ZA2 eine Dicke auf, die um den Faktor zwei größer ist als die Dicke der beiden anderen Schichten dieser Schichtanordnung. Alternativ sind auch höhere Faktoren und/oder voneinander abweichende Dicken der ersten und dritten Zwischenschicht ZA1, ZA3 möglich.

Über der Zwischenschichtanordnung ZA ist eine obere

Funktionsschichtanordnung OFA abgeschieden, die wie zur unteren Funktionsschichtanordnung UFA beschrieben eine obere Interfaceschicht OFAI, eine obere Funktionsschicht OFAF und eine obere Blockerschicht OFAB umfasst. Die obere

Funktionsschichtanordnung OFA stimmt in ihrer

Zusammensetzung mit der unteren überein, so dass

diesbezüglich auf die dortigen Darlegungen verwiesen wird. Lediglich die Dicke der oberen Funktionsschicht OFAF ist um den Faktor 1,1 größer als die der unteren Funktionsschicht UFAF . Alternativ sind auch höhere Faktoren und/oder andere Materialien für eine oder mehrere der Einzelschichten verwendbar, sofern diese die beschriebenen Funktionen erfüllen . Das IR-Reflektierende SchichtSystem wird nach oben durch eine Deckschichtanordnung DA abgeschlossen. Diese umfasst eine erste Deckschicht DA1, die auf der Blockerschicht OFAB der oberen Funktionsschichtanordnung OFA abgeschieden ist. Sie besteht aus einem Oxid oder Oxinitrid mit niedrigem Stickstoffanteil eines Zink-Stannats und wird unter

sauerstoffhaltiger oder unter Sauerstoff- und

stickstoffhaltiger Atmosphäre von einem Zink-Stannat-Target abgeschieden .

Hierbei ist es bei einer Reaktivgaszusammensetzung mit einem Verhältnis der Volumenanteile von Stickstoff zu Sauerstoff von kleiner oder gleich 0,2 durchaus möglich, dass trotz eines Stickstoffanteils in der Reaktivgasatmosphäre kein Stickstoff in der ersten Deckschicht DA1 eingebaut ist. Dies trifft auch für Zink-Stannat enthaltende Schichten der

Zwischenschichtanordnung ZA zu.

Über der ersten Deckschicht DA1 wird eine zweite Deckschicht DA2 aus Siliziumaluminiumnitrid abgeschieden. Dies erfolgt vergleichbar der Grundschicht GAG von einem Si: AI-Target mit 6-10% Aluminiumanteil. Auch der Brechungsindex ist dem der Grundschicht GAG vergleichbar. Alternativ kann die Schicht auch ohne Aluminiumanteil und/oder unter einer anderen

Reaktivgasatmosphäre abgeschieden sein. Die Dicken der ersten zur zweiten Deckschicht DA1, DA2 verhalten sich wie 1 zu 1,2 zur Erhöhung der mechanischen Stabilität der

Deckschichtanordnung DA.

Wärmebehandelbares Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem und Verfahren zu dessen Herstellung

Bezugszeichenliste

SO Substrat

GA Grundschichtanordnung

GAG Grundschicht

UFA untere Funktionsschichtanordnung

UFAI untere Interfaceschicht

UFAF untere Funktionsschicht

UFAB untere Blockerschicht

ZA Zwischenschichtanordnung

ZA1 erste Zwischenschicht

ZA2 zweite Zwischenschicht

ZA3 dritte Zwischenschicht

OFA obere Funktionsschichtanordnung

OFAI obere Interfaceschicht

OFAF obere Funktionsschicht

OFAB obere Blockerschicht

DA Deckschichtanordnung

DA1 erste Deckschicht

DA2 zweite Deckschicht

1 metallischer Mode

2 vollreaktiver Mode

3 Versatz

4 Übergangspunkt

Claims

Wärmebehandelbares Infrarotstrahlung reflektierendes Schichtsystem und Verfahren zu dessen Herstellung Patentansprüche

1. Wärmebehandelbares Infrarotstrahlung reflektierendes SchichtSystem auf einem transparenten, dielektrischen

Substrat (SO) mit folgenden transparenten Schichten, vom Substrat (SO) aufwärts betrachtet:

— eine Grundschichtanordnung (GA) mit einer

dielektrischen Grundschicht (GAG) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung, zur Verminderung der Diffusionvorgängen aus dem Substrat (SO) in eine darüber angeordnete Funktionsschichtanordnung (UFA, OFA) ,

— eine Funktionsschichtanordnung (UFA) mit einer

metallischen Funktionsschicht (UFAF) zur Reflexion von Infrarotstrahlung und mit nur einer, über der

Funktionsschicht angeordneten Blockerschicht (UFAB) aus einem Metall, einer Metallmischung oder Metalllegierung oder aus einem Oxid, Nitrid oder Oxinitrid davon, zum Schutz der Funktionsschicht gegenüber Oxidations- und Diffusionsprozessen,

— eine Deckschichtanordnung (DA) mit einer ersten

dielektrischen Deckschicht (DA1), welche ein unter Reaktivgasatmosphäre abgeschiedenes Oxid oder Oxinitrid eines Zink-Stannats enthält, und mit einer zweiten dielektrischen, hoch brechenden und ein Oxid, Nitrid oder Oxinitrid von Silizium enthaltenden Deckschicht (DA2) .

Wärmebehandelbares Infrarotstrahlung reflektierendes SchichtSystem auf einem transparenten, dielektrischen

— eine Grundschichtanordnung (GA) mit einer

dielektrischen Grundschicht (GAG) aus einem Nitrid,

Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung, zur Verminderung der Diffusionsvorgänge aus dem Substrat (SO) in eine darüber angeordnete Funktionsschichtanordnung (UFA, OFA) ,

— eine Funktionsschichtanordnung (UFA) mit einer

— zumindest eine Zwischenschichtanordnung (ZA), welche eine weitere, obere Funktionsschichtanordnung (OFA) von einer darunter liegenden Funktionsschichtanordnung trennt und eine Zwischenschicht (ZA1, ZA2, ZA3 ) oder mehr umfasst, wobei jede der Zwischenschichten (ZA1, ZA2, ZA3 ) Zinn und zumindest eine der Zwischenschichten (ZA1, ZA2, ZA3 ) ein Oxid oder ein Oxinitrid eines unter

Reaktivgasatmosphäre abgeschiedenen Zink-Stannats , enthält

— zumindest eine weitere, obere Funktionsschichtanordnung (OFA) mit einer metallischen Funktionsschicht (OFAF) zur Reflexion von Infrarotstrahlung, mit nur einer, über der Funktionsschicht angeordneten Blockerschicht (OFAB) aus einem Metall, einer Metallmischung oder Metalllegierung oder aus einem Oxid, Nitrid oder

Oxinitrid davon, zum Schutz der Funktionsschicht gegenüber Oxidations- und Diffusionsprozessen, und

— eine Deckschichtanordnung (DA) mit einer

dielektrischen, hoch brechenden und ein Oxid, Nitrid oder Oxinitrid von Silizium enthaltenden Deckschicht

(DA2), als zweite dielektrische Deckschicht bezeichnet.

3. SchichtSystem nach Anspruch 2, wobei die

Deckschichtanordnung (DA) eine weitere dielektrische

Deckschicht (DA1) umfasst, welche ein unter

Reaktivgasatmosphäre abgeschiedenes Oxid oder Oxinitrid eines Zink-Stannats enthält, als erste dielektrische

Deckschicht bezeichnet.

4. SchichtSystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die dielektrische Grundschicht (GAG) Silizium enthält.

5. SchichtSystem nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei eine Zwischenschichtanordnung (ZA) zumindest zwei

Zwischenschichten (ZA1, ZA2, ZA3 ) umfasst, von denen eine Zinn und eine andere ein Oxid oder ein Oxinitrid eines Zink- Stannats enthält und welche durch reaktive Beschichtung unter hinsichtlich des Arbeitsgases und des Reaktivgases übereinstimmender Zusammensetzung der Reaktivgasatmosphäre unter Ausbildung gradientenförmiger Übergänge zwischen den Zwischenschichten (ZA1, ZA2, ZA3 ) abgeschieden sind.

6. SchichtSystem nach Anspruch 5, wobei die

Reaktivgaszusammensetzung ein Verhältnis der Volumenanteile von Stickstoff zu Sauerstoff aufweist, das im Bereich von 0 bis 0,2 liegt .

7. SchichtSystem nach einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei die Dicke der oberen Funktionsschicht (OFAF) der obersten

Funktionsschichtanordnung (OFA) um den Faktor 1,1 oder höher größer ist als jene der unteren Funktionsschicht (UFAF) der untersten Funktionsschichtanordnung (UFA) .

8. SchichtSystem nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei eine Funktionsschichtanordnung (UFA, OFA) unter der Funktionsschicht (UFAF, OFAF) keine BlockerSchicht (UFAB,

OFAB) zum Schutz der Funktionsschicht (UFAF, OFAF) gegenüber Diffusionsvorgängen aus unter der Blockerschicht (UFAB, OFAB) liegenden Schichten aufweist.

9. SchichtSystem nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Grundschichtanordnung (GA) eine weitere

dielektrische, hoch brechende Schicht enthält, die ein

Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung ist und über der Grundschicht (GAG) angeordnet ist.

10. SchichtSystem nach Anspruch 9, wobei die Grundschicht (GAG) einen Brechungsindex aufweist, der kleiner oder gleich ist dem der weiteren Schicht der Grundschichtanordnung (GA) .

11. SchichtSystem nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei eine Funktionsschichtanordnung (UFA, OFA) unter der Funktionsschicht (UFAF, OFAF) eine Interfaceschicht (UFAI,

OFAI) aus einem Metall oder aus einem Oxid oder Nitrid eines Metalls oder einer Metallmischung oder Metall-Legierung zur Beeinflussung des Flächenwiderstandes der Funktionsschicht (UFAF, OFAF) aufweist.

12. SchichtSystem nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Dicke der zweiten Deckschicht (DA2) um einen

Faktor von 1,2 oder höher größer ist als die Dicke der ersten Deckschicht (DA1) der Deckschichtanordnung (DA).

13. Verfahren zur Beschichtung eines dielektrischen

Substrats (SO) mit einem wärmebehandelbaren

Infrarotstrahlung reflektierenden SchichtSystem mittels Vakuumbeschichtung im Durchlaufverfahren, dadurch

gekennzeichnet, dass die Schichten eines IR- Reflektierenden SchichtSystems nach einem der Ansprüche 1 bis 12 nacheinander aus der Gasphase auf dem Substrat (SO) oder einer bereits abgeschiedenen Schicht abgeschieden wird und die Abscheidung zumindest einer der Schichten mittels DC- oder MF-Magnetronsputtern erfolgt.

14. Verfahren zur Beschichtung eines dielektrischen

Substrats (SO) mit einem wärmebehandelbaren

gekennzeichnet, dass die Schichten eines IR- Reflektierenden SchichtSystems nach einem der Ansprüche 3 bis 12 nacheinander aus der Gasphase auf dem Substrat (SO) oder einer bereits abgeschiedenen Schicht abgeschieden wird, wobei die Abscheidung zumindest einer der Schichten mittels DC- oder MF-Magnetronsputtern erfolgt, und dass die

Abscheidung von einer Zwischenschichtanordnung (ZA) durch aufeinanderfolgende reaktive Beschichtung von zumindest zwei Targets unter hinsichtlich des Arbeitsgases und des

Reaktivgases übereinstimmender Zusammensetzung der

Reaktivgasatmosphäre unter Ausbildung gradientenförmiger Übergänge zwischen den Zwischenschichten (ZA1, ZA2, ZA3 ) erfolgt .

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14,

dadurch gekennzeichnet, dass die

Reaktivgaszusammensetzung zur Abscheidung einer Zink-Stannat enthaltenden Schicht ein Verhältnis der Volumenanteile von Stickstoff zu Sauerstoff aufweist, das im Bereich von 0 bis 0,2 liegt.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 15,

dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung der Zwischenschichten (ZA1, ZA2, ZA3 ) von zumindest zwei voneinander abweichenden Targetmaterialien erfolgt.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16,

dadurch gekennzeichnet, dass zur Abscheidung einer Zink-Stannat enthaltenden Schicht vor Beginn der Abscheidung durch eine Regulierung des SauerstoffZuflusses zum

Arbeitsgas eine Optimierung zwischen dem Betrieb im

vollreaktiven Mode (2) der Abscheidecharakteristik und der erzielbaren Abscheiderate vorgenommen wird.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17,

dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Deckschicht (DA2) Siliziumnitrid enthält, welches durch reaktive

Beschichtung abgeschieden wird, indem der Reaktivgaszufluss auf solch einen Wert eingestellt wird, dass der

Absorptionsgrad der abgeschiedenen Siliziumnitridschicht im Bereich seines minimal erzielbaren Wertes liegt.

19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18,

dadurch gekennzeichnet, dass die unterste oder die oberste Schicht des IR-Reflektierenden SchichtSystems oder beide mittels CVD- oder plasmagestütztem CVD-Prozess

abgeschieden werden.