WO2011096539A1

WO2011096539A1 - 配線板及びその製造方法

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Publication number: WO2011096539A1
Application number: PCT/JP2011/052420
Authority: WO
Inventors: 孝治本戸
Original assignee: 株式会社フジクラ
Priority date: 2010-02-05
Filing date: 2011-02-04
Publication date: 2011-08-11
Also published as: JPWO2011096539A1; US20130025120A1; CN102726127A; TW201204214A

Abstract

　接続信頼性の高い配線板を提供する。絶縁性基材（３０）と、絶縁性基材（３０）の一方主面に形成された配線パターン（５１～５７）と、絶縁性基材（３０）の一方主面側から他方主面側に貫通し、配線パターン（５１～５７）に導通するビア（１１Ｖ，１２Ｖ）と、を備え、ビア（１１Ｖ，１２Ｖ）は、配線パターン（５１～５７）と曲率を有して連なる接続基部（１１１Ｖ，１１２Ｖ）と、接続基部（１１１Ｖ，１１２Ｖ）からビア（１１Ｖ，１２Ｖ）の頭頂部（１１２Ｖ，１２２Ｖ）に近づくにつれて外径が細くなる錐状部（１１３Ｖ，１２３Ｖ）と、を有する。

Description

配線板及びその製造方法

　本発明は、配線板及びその製造方法に関する。

　文献の参照による組み込みが認められる指定国については、２０１０年２月５日に日本国に出願された特願２０１０－０２４６７５号、２０１０年２月５日に日本国に出願された特願２０１０－０２４６７７号、及び２０１０年２月５日に日本国に出願された特願２０１０－０２４６７８号に記載された内容を参照により本明細書に組み込み、本明細書の記載の一部とする。

　電子機器の小型化及び高機能化に伴う高密度配線を実現するために、パターン（配線パターン、ビアパターン）の微細化が要求されている。微細なパターンを形成する方法として、金型（モールド）を用いて絶縁性基材に転写した凹形状に導電材料を充填して配線パターンを形成するインプリント法が知られている。また、このインプリント法で用いられる金型の凹凸形状をフォトリソグラフィ技術により作製する方法が知られている。

特開２００１－３２０１５０号公報特開２００５－１０８９２４号公報特開２００５－０２６４１２号公報特開２００９－１１１２４１号公報

　しかしながら、従来の技術では、配線板に形成されたビアと、ビアパターンと導通する配線パターンとの接続信頼性を維持することが難しいという問題がある。

　本発明が解決しようとする課題は、ビアパターンと配線パターンとの接続信頼性が高い配線板と配線板の製造方法を提供することである。

　[１]本発明は、配線板のパターンの一部を構成するビアパターンに応じて形成された突起部を含む版面を備え、前記突起部が前記版面の主面に曲率を有して連なる基部と、前記基部から前記突起部の頂部に近づくにつれて外径が細くなる傾斜部とを有する金型を準備する工程と、軟化させた絶縁性基材の一方主面に前記金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔を前記絶縁性基材に形成する工程と、絶縁性基材の一方主面に、前記パターンの一部を構成する配線パターンに応じた凹部を形成する工程と、前記絶縁性基材に形成された前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する工程と、を有する配線板の製造方法により、上記課題を解決する。

　[２]上記発明の配線板の製造方法により得られた配線板を準備し、当該配線板の最上面及び／又は最下面に他の絶縁性基材を積層する第１積層工程と、前記積層された絶縁性基材の表面に前記金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔を前記絶縁性基材に形成する第２積層工程と、前記積層された絶縁性基材の主面に、前記パターンの一部を構成する配線パターンに応じた凹部を形成する第３積層工程と、前記絶縁性基材に形成された前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する第４積層工程と、を有し、前記配線板の積層数に応じて、前記第１積層工程乃至前記第４積層工程を一回又は二回以上行うことを特徴とする積層型の配線板の製造方法により、上記課題を解決する。

　[３]本発明は、配線板のパターンの一部を構成するビアパターンに応じて形成された突起部と、前記パターンの一部を構成する配線パターンに応じて形成された凸部とを含む版面を備え、前記突起部が前記凸部の上面に曲率を有して連なる基部と、前記基部から前記突起部の頂部に近づくにつれて外径が細くなる傾斜部とを有する金型を準備する工程と、前記金型の版面を軟化させた絶縁性基材の一方主面に押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔と前記凸部の形状に応じた凹部を前記絶縁性基材に形成する工程と、前記絶縁性基材に形成された前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する工程と、を有する配線板の製造方法により、上記課題を解決する。

　[４]上記発明の配線板の製造方法により得られた配線板を準備し、当該配線板の最上面及び／又は最下面に他の絶縁性基材を積層する第１積層工程と、前記積層された絶縁性基材の表面に前記金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔と前記凸部の形状に応じた凹部を前記絶縁性基材に形成する第２積層工程と、前記絶縁性基材に形成された、前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する第３積層工程と、を有し、前記配線板の積層数に応じて、前記第１積層工程乃至前記第３積層工程を一回又は二回以上行うことを特徴とする積層型の配線板の製造方法により、上記課題を解決する。

　[５]本発明は、配線板のパターンの一部を構成するビアパターンに応じて形成された突起部を含む版面を備え、曲面を有する基部と、前記基部から前記突起部の頂部に近づくにつれて外径が細くなる傾斜部とを有するビア用の金型を準備する工程と、前記パターンの一部を構成する配線パターンに応じて形成された凸部を含む版面を備える配線用の金型を準備する工程と、前記配線用の金型の版面を軟化させた絶縁性基材の一方主面に押し当てた後に離型して、前記凸部に応じた形状の凹部を前記絶縁性基材に形成する工程と、前記絶縁性基材の一方主面に形成された凹部に前記突起部が突き当たるように、前記絶縁性基材の一方主面に前記ビア用の金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔を前記絶縁性基材に形成する工程と、前記絶縁性基材に形成された、前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する工程と、を有する配線板の製造方法により、上記課題を解決する。

　[６]上記発明の配線板の製造方法により得られた配線板を準備し、当該配線板の最上面及び／又は最下面に他の絶縁性基材を積層する第１積層工程と、前記配線用の金型の版面を軟化させた前記絶縁性基材の表面に押し当てた後に離型して、前記凸部に応じた形状の凹部を前記絶縁性基材に形成する第２積層工程と、前記絶縁性基材の表面に形成された凹部に前記突起部が突き当たるように、前記絶縁性基材の表面に前記ビア用の金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔を前記絶縁性基材に形成する第３積層工程と、前記絶縁性基材に形成された、前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する第４積層工程と、を有し、前記配線板の積層数に応じて、前記第１積層工程乃至前記第４積層工程を一回又は二回以上行うことを特徴とする積層型の配線板の製造方法により、上記課題を解決する。

　[７]上記発明において、前記絶縁性基材の他方主面に、前記ビアパターンと導通する配線パターンに応じた下層凹部を形成する工程をさらに有し、前記孔に導電材料を充填する工程において、前記絶縁性基材の他方主面に形成された前記下層凹部に導電材料を充填するように構成することができる。

　[８]上記発明において、前記突起部の頂部に曲面を有するように構成することができる。

　[９]上記発明において、前記絶縁性基材に孔を形成する工程の後に、前記孔の底部の絶縁性基材を除去し、前記孔を貫通させる工程をさらに設けることができる。

　[１０]他の観点における本発明は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方主面に形成された配線パターンと、前記絶縁性基材の一方主面側から他方主面側に貫通し、前記配線パターンと導通するビアパターンと、を備え、前記ビアパターンは、前記配線パターンと曲率を有して連なる接続基部と、前記接続基部からビアパターンの頭頂部に近づくにつれて外径が細くなる錐状部と、を有することを特徴とする配線板を提供することにより、上記課題を解決することができる。

　[１１]上記発明において、前記配線パターンと前記ビアパターンとは、界面のない状態で一体に形成することができる。

　[１２]上記発明において、前記配線パターンは、前記絶縁性基材の主面に、当該主面の外部側に向かって凸状に形成することができる。

　[１３]上記発明において、前記配線パターンは、前記絶縁性基材の主面に、当該主面の内部側に向かって凸状に埋設された状態で形成することができる。

　[１４]上記発明において、前記ビアパターンはフィルドビアとすることができる。

　[１５]上記発明において、前記ビアパターンの接続基部の径は２μｍ以上、かつ３５μｍ以下に構成することができる。

　[１６]上記発明において、前記ビアパターンの頭頂部の径は１μｍ以上、かつ３０μｍ以下に構成することができる。

　本発明によれば、配線板の絶縁性基材の一方主面側から他方主面側に貫通するビアパターンを、絶縁性基材の一方主面に形成された配線パターンと曲率を有して連なる部分からビアパターンの頭頂部に近づくにつれて外径が細くなるように形成するので、ビアパターンと配線パターンとの間に生じる応力を分散させ、ビアパターンと配線パターンとの接続部分に応力が集中することを防止することができる。この結果、ビアパターンと配線パターンとの接続信頼性を向上させることができる。また、ビアパターンが配線パターンに曲率を有して連なるので、信号の反射を抑制することができるため、高周波信号を伝送させた場合であっても信号の損失を低減させることができる。

本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図であり、本製造方法に用いられる金型の断面図である。図５に示すＡ部で示す突起部の拡大図である。本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第１実施形態に係る配線板の一例を示す断面図である。図１１に示すXII-XIIに沿う断面の結晶の模式図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る積層型の配線板の一例を示す断面図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の他の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の他の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の他の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の他の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る配線板の他の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第２実施形態に係る積層型の他の配線板の一例を示す断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図であり、本実施形態で用いられる金型の断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板を示す断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の他の例（第１変形例）を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る他の配線板の一例（第１変形例）を示す断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の他の例（第２変形例）を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の他の例（第２変形例）を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法の他の例（第２変形例）を説明するための工程断面図である。本発明の第３実施形態に係る配線板の製造方法のさらに他の例（第３変形例）を説明するための工程断面図である。本発明の第４実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第４実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第４実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第４実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第４実施形態に係る積層型の配線板を示す断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図であり、本実施形態で用いられる金型を示す断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第５実施形態に係る配線板の一例を示す断面図である。本発明の第６実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第６実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第６実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第６実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第６実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第６実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第６実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第６実施形態に係る積層型の配線板の一例を示す断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図であり、本実施形態で用いられる金型を示す断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第７実施形態に係る配線板の一例を示す断面図である。本発明の第８実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第８実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第８実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第８実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第８実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第８実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第８実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。本発明の第８実施形態に係る積層型の配線板の一例を示す断面図である。

（第１実施形態）
　以下、本発明の本実施形態に係る配線板及びこの配線板の製造方法について説明する。本実施形態における配線板の製造方法は、大きく分けて、使用する金型を準備する工程と、準備した金型を用いて配線板を作製する工程の２つの工程を有する。

　まず、図１～図４に基づいて金型の製造方法を説明し、続いて図５及び図６に基づいて、作製された金型について説明する。そして、その後に、金型を用いた配線板の製造方法を説明する。

　本実施形態の金型の製造方法は、硬化された樹脂板体を準備する工程と、ビアパターンに応じて樹脂板体の主面にレーザー又は電子線を照射して孔を形成する工程と、金型材料を用いて、樹脂板体に形成された孔を充填するとともに樹脂板体の主面を覆う工程と、を有する。

　（１）まず、金型１の形を型取るための樹脂板体３と、この樹脂板体３を支持する支持板２とを準備する。支持板２としてはエッチングで除去できる材料を用いる。特に限定されないが、本実施形態では厚さ８０～１２０μｍ程度の銅箔を支持板２として用いる。支持板２として銅箔を用いることにより、樹脂板体３に熱を加えたときに支持板２が伸縮することを抑制することができる。また、樹脂板体３としては、アルカリ又は酸に可溶な材料を用いる。特に限定されないが、本実施形態では厚さ１５～４０μｍ程度、例えば２５μｍの光硬化型又は熱硬化型のレジストフィルムを樹脂板体３として用いる。

　（２）そして、図１に示すように、支持板２の主面に樹脂板体３を積層し、樹脂板体３を光照射又は加熱により硬化させる。支持板２と樹脂板体３との間には剥離処理を施すことができる。

　（３）次に、図２に示すように、レーザー又は電子線（ＥＢ）を樹脂板体３の主面に照射して孔３１，３２を形成する。レーザーとしては、エキシマレーザーやフェムト秒レーザー等を用いることができる。レーザー又は電子線の照射方向は樹脂板体３の主面に対して垂直方向であってもよいし、所定の角度から照射してもよい。

　特に限定されないが、本実施形態の孔３１，３２の開口部３１１，３２１の径は、２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態の孔３１，３２の底部３１２，３２２の径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。深さは、１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。一例ではあるが、本実施形態の孔３１，３２は、開口部３１１，３２１の直径が１０μｍ程度、深さが１５μｍ程度である。

　特に限定されないが、本実施形態では、レーザー又は電子線によって樹脂板体３に与えられるエネルギーが、孔３１，３２の開口部３１１，３２１から孔３１，３２の底部３１２，３２２に向かうにつれて漸減するように、樹脂板体３にレーザー又は電子線を照射することができる。例えば、孔３１，３２を形成する工程において、レーザー光のエネルギー密度を経時的に漸減させる手法、ショット数を経時的に漸減させる手法を用いることができる。これにより、開口部３１１，３２１に大きなエネルギーを与えて開口部３１１，３２１近傍の径を大きくしつつ、孔３１，３２の開口部３１１，３２１から底部３１２，３２２へ向かって掘り進むにつれて孔３１，３２の径を小さくすることができる。

　また、レーザー又は電子線により与えられるエネルギーを制御することにより、孔３１，３２の開口部３１１，３２１の内側壁３１１ａ，３２１ａを曲率のある面とすることができるとともに、開口部３１１，３２１に連なる胴部３１３，３２３を深さ方向に傾きを有する傾斜壁３１３ａ，３２３ａとすることができる。レーザー又は電子線により与えるエネルギーの制御手法は特に限定されないが、樹脂板体３の種類、樹脂板体３の厚さ、レーザー又は電子線の種類、与えるエネルギーの大きさ（エネルギー密度、ショット数）、光源と樹脂板体３との距離などに応じて、実験的に求めることができる。

　また、孔３１，３２を形成する工程において、エキシマレーザーなどのレーザー光のビーム径を経時的に小さくする手法を用いることができる。例えば、孔３１，３２の開口部３１１，３２１を形成する際のレーザーのビーム径を、孔３１，３２の底部３１２，３２２を形成する際のレーザーのビーム径よりも大きくすることができる。この手法によれば、開口部３１１，３２１の径を大きく形成するとともに、孔３１，３２の開口部３１１，３２１から底部３１２，３２２へ向かって掘り進むにつれて、孔３１，３２の径を小さくすることができる。

　このような手法で形成された孔３１，３２は、図２に示すように、開口部３１１，３２１の内側壁３１１ａ，３２１ａが、樹脂板体３の主面に曲率を有して連なるように形成することができる。また、樹脂板体３に形成された孔３１，３２の開口部３１１，３２１から底部３１２，３２２に近づくにつれて外径が細くなる傾斜壁３１３ａ，３２３ａを備えた胴部３１３，３２３を形成することができる。

　（４）続いて、図３に示すように、金型材料を用いて、樹脂板体３に形成された孔３１，３２を充填するとともに樹脂板体３の主面を覆う。

　具体的には、まず、金型材料が充填される領域、例えば樹脂板体３の孔３１，３２の内部及び樹脂板体３の主面に、後に行われるめっき処理等においてシード層となる導電層を形成する。この導電層は、炭素（Ｃ）やパラジウム（Ｐｄ）等を用いたダイレクト・プレーティング・プロセス（ＤＰＰ）処理又は銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）を用いたスパッタリングにより行う。その後、銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）等の金型材料を用いてめっきを行い、孔３１，３２を金型材料で充填するとともに樹脂板体３の主面を金型材料のめっき層で覆う。もちろん、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等を含む導電性ナノペーストを印刷して孔３１，３２を金型材料で充填するとともに樹脂板体３の主面を覆ってもよい。ちなみに、金型材料としては、導電材料の他、ガラス等の絶縁材料（非導電材料）を用いることができる。

　特に限定されないが、本実施形態では、スパッタリングにより銅（Ｃｕ）層を１００～３００ｎｍほどの厚さに形成した後に銅めっきを行う。樹脂板体３上に厚さ１０～５０μｍ程度の銅めっき層を形成し、孔３１，３２を金型材料で充填するとともに樹脂板体３の主面を覆う。

　これにより、同図に示すように、樹脂板体３に形成された孔３１，３２の内側に、曲面１１１ａ，１２１ａを有する基部１１１，１２１と、傾斜部１１３，１２３と、頂部１１２，１２２とを備えた突起部１１，１２が形成される。形成された突起部１１，１２の曲面１１１ａ，１２１ａは孔３１，３２の内側壁３１１ａ，３２１ａと接し、突起部１１，１２の傾斜面１１３ａ，１２３ａは孔３１，３２の傾斜壁３１３ａ，３２３ａと接し、突起部１１，１２の頂部１１２，１２２は孔３１，３２の底部３１２，３２２と接している。

　本実施形態の樹脂板体３の孔３１，３２は、その開口部３１１，３２１の内側壁３１１ａ，３２１ａが、樹脂板体３の主面に曲率を有する面で連なるように形成されており、直線が交差して形成される角部が形成されていない。被めっき物に角部があると、角部のめっき厚が他の部分のめっき厚と異なる傾向がある。これに対して、本実施形態では、開口部３１１，３２１に角部が形成されないので、内側壁３１１ａ，３２１ａに均一な厚さのめっき層を形成することができる。

　また、内側壁３１１ａ，３２１ａから底部３１２，３２２に近づくにつれて径が細くなる傾斜壁３１３ａ，３２３ａの表面は凹凸がなく平坦であり、底部３１２，３２２から開口部３１１，３２１にかけて徐々に開口面積が広くなっているので、傾斜壁３１３ａ，３２３ａ及び底部３１２，３２２にも均一な厚さのめっき層を形成することができる。

　ちなみに、めっき厚が不均一であると、めっき層に作用する応力が集中して一部に強い力が作用することがあるが、本実施形態では、開口部３１１，３２１の内側壁３１１ａ，３２１ａ、傾斜壁３１３ａ，３２３ａ及び底部３１２，３２２に均一な厚さのめっき層が形成されるので、応力がめっき層（金型１）の一部分に集中して作用することを防止することができる。本実施形態の製造方法によれば、部分的な破損の発生を抑制できる耐久性の高い金型１を得ることができる。

　（５）続いて、図４に示すように、支持板２を塩化第二鉄などのエッチング液により除去し、樹脂板体３の表面を露出させる。

　（６）最後に、樹脂板体３を水酸化ナトリウム水溶液等により膨潤剥離する。これにより、後述する図５に示す金型１を得る。

　従来はフォトリソグラフィ技術を用いてビアパターンを形成するための突起部を形成していたため、突起部の形状はフォトリソグラフィの解像度に律則し、直径２０μｍ以下、特に１０μｍ以下、アスペクト比が１以上の微細な形状を作製することが困難であった。これに対して、本実施形態に係る金型１の製造方法によれば、レーザー又は電子線により孔３１，３２を形成するので、小径（例えば孔３１，３２の開口部３１１，３２１の径が２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、孔３１，３２の底部３１２，３２２の径が１μｍ以上、かつ３０μｍ以下）で、高アスペクト比（例えば１以上）の微細な孔３１，３２を一工程で形成することができる。

　さらに、レーザー又は電子線を用いて孔３１，３２を形成する上記方法によれば、フォトリソグラフィ工程では形成が困難な曲面をも一工程で形成することができる。

　加えて、レーザー又は電子線を用いて孔３１，３２を形成する上記方法によれば、曲率を有する内側壁３１１ａ，３２１ａと、この内側壁３１１ａ，３２１ａに連なり、深さ方向に対して傾斜を有する傾斜壁３１３ａ，３２３ａと、この傾斜壁３１３ａ，３２３ａに連なり、曲面で形成された底部３１２，３２２とを一工程で作製することができるので、図５に示す形状の金型１を高い生産性で製造することができ、製造コストを低減させることができる。

　従来のように、絶縁性基材に紫外線（ＵＶ）レーザーを用いてビアパターンを直接形成することも可能であるが、絶縁性基材に形成されるビアパターンの径は直径３０μｍ程度が限界である。また、エキシマレーザーによって直径１０μｍ程度のビアパターンを直接絶縁性基材に形成することは可能であるが、加工時間がかかるのに加え、使用するフッ化クリプトン（ＫｒＦ）等のガスが高価であるため、配線板の各ビアパターンを１孔ずつ加工するにはコストがかかってしまう。本実施形態に係る金型１を用いて配線板のビアパターンを形成することができれば、ビアパターンの最も太い部分の径が直径３５μｍ以下、さらには直径１５μｍ以下、さらには１０μｍ未満の微細なビアパターンを低コストで形成することができる。

　図５は、型締め方向（図中矢印Ｍ）に沿う、本実施形態の金型１の断面図である。図５に示すように、本実施形態の金型１は、配線板に作製されるパターン（ビアパターン及び配線パターンを含む）に応じて形成された版面１ａを有する。本実施形態に係る金型１の版面１ａは、所望のパターンを構成するための凹凸形状（ビアパターンに応じた突起部１１，１２及び配線パターンに応じた凸部を含む）を、配線板の絶縁基材等に転写するための加工用の版（原版）として機能する。図５中の符号１ａは、所望のパターンを構成するための突起部１１，１２を含む凹凸形状が形成された版面１ａの全体を指示している。

　本実施形態の版面１ａは、この版面１ａの主面側に凸状に形成された突起部１１，１２を少なくとも有する。版面１ａと突起部１１，１２との間に界面はなく、突起部１１，１２は版面１ａの一部を構成する。特に限定されないが、版面１ａは、図５に示すように所定の厚みを有する板状の部材としてもよいし、他の板状の部材（不図示）により支持される構造としてもよい。なお、金型１を構成する金型材料としては銅（Ｃｕ）等の金属や、樹脂などを利用することができる。

　本実施形態の突起部１１，１２は、形成するビアパターンの孔に対応する太さ（径）、長さ、及びアスペクト比を有する形状に形成される。特に限定されないが、突起部１１，１２の基部１１１，１２１の径は、２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態の突起部１１，１２の頂部１１２，１２２の径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。本実施形態の突起部１１，１２の長さは１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。アスペクト比は０．５～４０、好ましくは１～３０であり、本例では１～４程度とすることができる。図５には２つの突起部１１，１２を示したが、突起部１１，１２の配置及び数は特に限定されない。

　本実施形態における突起部１１，１２は、版面１ａの主面に曲率を有する曲面１１１ａ，１２１ａで連なる基部１１１，１２１と、この基部１１１，１２１から突起部１１，１２の頂部１１２，１２２にかけて先細りとなる傾斜部１１３，１２３と、を有する。なお、版面１ａの主面は、転写又は離型する際に移動する面と平行な面である。

　図６は、図５に破線で示すＡ領域の拡大図である。同図に示すように、本実施形態の突起部１２は、その根元部分となる基部１２１に曲面１２１ａを有する。突起部１２の基部１２１は版面１ａに曲率を持って連なっている。このように、版面１ａと突起部１２との接続部分を曲面１２１ａで構成したので、離型時に突起部１２を樹脂基材から抜け易くすることができる。また、アスペクト比の高い突起部１２を版面１ａ上に支持する基部１２１を曲面１２１ａで構成したので、基部１２１に作用する力を曲面１２１ａで分散させることができる。この結果、突起部１２が根元から折れる、又は突起部１２の先端が欠けてしまうといった不具合を防止することができる。なお、図６では突起部１２のみを示すが、突起部１１も同じ構成とすることができる。

　特に限定されないが、本実施形態の突起部１１，１２において、傾斜部１１３，１２３は、版面１ａの主面から離隔するにつれて版面１ａの主面に平行な断面の直径（太さ）乃至断面の面積が漸減する錐体状に形成されている(図５参照)。具体的に、図６の拡大図に示すように、本実施形態の突起部１２の傾斜部１２３の傾斜面１２３ａは、基部１２１から頂部１２２に近づくにつれて外径（Ｐ１－Ｐ１´）が細くなるように形成されている。つまり、図６に示す突起部１２の表面上の点Ｔ１とＴ４の距離（外径：Ｐ１－Ｐ１´）は、点Ｔ１（Ｔ４）から点Ｔ２（Ｔ３）に接近するにつれて漸減する（Ｐ２－Ｐ２´ ＜Ｐ１－Ｐ１´）。このとき、突起部１２の表面上の点Ｔ１（Ｔ４）と点Ｔ２（Ｔ３）との線分がｙ＝ａｘの直線（ａは正又は負の定数）となるように金型１を構成することができる。

　他の観点によると、図６に示すように、傾斜部１２３の版面１ａの移動方向（図５中矢印Ｍ方向）に沿う断面形状、例えば点Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４に囲まれる形状を略テーパー形状とすることができる。

　このように、本実施形態の金型１は、版面１ａの主面に曲率を有して連なる基部１２１から頂部１２２にかけて徐々に細くなる傾斜部１２３を備える形状の突起部１２を有するので、樹脂基材に突起部１２を圧入する際に断面積の小さい部分を先に樹脂基材に圧入させることができる。これにより、圧入時の抵抗を低減させることができる。

　また、離型時においても、突起部１２が頂部１２２にかけて徐々に細くなっているので、樹脂基材から突起部１２を引き抜くときに突起部１２が樹脂基材に引っかかることがない。

　さらに、突起部１２の頂部１２２は、曲面を有するように形成することができる。このように、樹脂基材に型押しをする際の先端部分を曲面にしたので、圧入時に突起部１２に作用する力を分散させることができる。

　この結果、樹脂基材に金型１を型押しする際に突起部１１，１２を樹脂基材に圧入し易く、樹脂基材から離型する際に樹脂基材から突起部１１，１２が抜き易い金型１を提供することができる。

　なお、図６に示すＴ１－Ｔ４の長さは、突起部１１，１２の基部１１１，１２１の直径の一例に対応し、同図に示すＴ２－Ｔ３の長さは、突起部１１，１２の頂部１１２，１２２の直径の一例に対応する。ちなみに、頂部１１２，１２２は、突起部１１，１２の頂部１１２，１２２の頂点から基部１１１，１２１側へ所定距離の部分を含み、頂部１１２，１２２の直径は、頂部１１２，１２２に含まれる部分の、版面１ａに沿う断面の最大幅である。

　また、上述した樹脂板体３の孔３１，３２、後述する絶縁性基材３０の孔３１Ｖ，３２Ｖ、及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの形状は、図６に示す突起部１２の形状と略共通する。つまり、突起部１２の基部１２１の直径は、樹脂板体３の孔３１，３２の開口部３１１，３２１の直径、絶縁性基材３０の孔３１Ｖ，３２Ｖの開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの直径、及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの接続基部１１１Ｖ，１２１Ｖに対応し、突起部１２の頂部１２２の直径は、樹脂板体３の孔３１，３２の底部３１２，３２２の直径、絶縁性基材３０の孔３１Ｖ，３２Ｖの底部３１２Ｖ，３２２Ｖの直径、及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの頭頂部１１２Ｖ，１２２Ｖに対応する。

　以下、図７～図１０に基づいて金型１を用いた配線板の製造方法を説明し、図１１及び図１２に基づいて、作製された配線板について説明する。

　本実施形態では、上述した図５及び６に示す金型１を用いて、いわゆるインプリント法により配線板を得る。

　まず、図７に示すように金型１及び配線板を構成する転写用の絶縁性基材（樹脂フィルム）３０を準備し、金型１の主面を絶縁性基材３０の主面に対向させて配置する。絶縁性基材３０の材料としては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を用いることができる。そして、金型１を絶縁性基材３０に接近させる方向（矢印Ｐ１に示す方向）に沿って移動させる。本実施形態では、絶縁性基材３０の材料として熱硬化性樹脂である味の素ビルドアップフィルム（ＡＢＦ：Ajinomoto Build-Up Film）を用い、１５０℃、１０ＭＰａで加熱プレスする。この際、突起部１１，１２の頂部１１２，１２２が曲面で構成されているので、絶縁性基材３０から受ける抵抗力を低減させることができる。このため、突起部１１，１２の頂部１１２，１２２が平坦である場合よりも小さい力で絶縁性基材３０に圧入することができる。

金型１及び絶縁性基材３０をガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度に加熱し、図８に示すように、金型１を絶縁性基材３０の主面に押しつける。その後、金型１及び絶縁性基材３０をガラス転移温度（Ｔｇ）未満に冷却する。

　続いて、図９に示すように、金型１を絶縁性基材３０から離隔する方向（矢印Ｐ２）に離型する。この際、突起部１１，１２の基部１１１，１２１が曲率を有するため、基部１１１，１２１が角度をなして版面１ａに接続している場合よりも離型しやすい。絶縁性基材３０が熱硬化性樹脂である場合には、オーブン等により例えば１８０℃で１時間加熱し、絶縁性基材３０を完全に硬化させる。他方、絶縁性基材３０が熱可塑性樹脂の場合には冷却して硬化させる。

これにより、金型１の版面１ａのパターン（ビアパターン、配線パターンを含む、以下同じ）を絶縁性基材３０の主面に転写することができる。同図に示すように、金型１を離型すると、絶縁性基材３０には金型１の突起部１１，１２の形状に応じた孔３１Ｖ，３２Ｖが形成される。この孔３１Ｖ，３２Ｖは、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの周囲に曲率を有する内側壁３１１Ｖａ，３２１Ｖａと、底面に向かうにつれて内径が漸減する傾斜壁３１３Ｖａ，３２３Ｖａとを有する。絶縁性基材３０に形成される孔３１Ｖ，３２Ｖは、図２に示す孔３１，３２と略同じ形状である。

　具体的に、絶縁性基材３０に形成された孔３１Ｖ，３２Ｖは、同図に示すように、曲率を有する内側壁３１１Ｖａ，３２１Ｖａが開口部３１１Ｖ，３２１Ｖに形成され、絶縁性基材３０の主面に曲率を有して連なる。この孔３１Ｖ，３２Ｖは、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖから底部３１２Ｖ，３２２Ｖに近づくにつれて外径が細くなる傾斜壁３１３Ｖａ，３２３Ｖａを備えた胴部３１３Ｖ，３２３Ｖを有する。特に限定されないが、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖの開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの径は、２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖの底部３１２Ｖ，３２２Ｖの径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。深さは、１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。一例ではあるが、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖは、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの直径が１０μｍ程度、深さ１５μｍ程度である。

　絶縁性基材３０に孔３１Ｖ，３２Ｖを形成する工程の後に、孔３１Ｖ，３２Ｖの底部３１２Ｖ，３２２Ｖの部分に残っている絶縁性基材３０を除去する。そして、図１０に示すように、孔３１Ｖ，３２Ｖを貫通させる。底部３１２Ｖ，３２２Ｖの部分に残っている絶縁性基材３０を除去する手法は特に限定されないが、絶縁性基材３０の上面又は下面から機械的又は化学的に研磨を行う。例えば、絶縁性基材３０の上面又は下面からプラズマを照射させ、薬液を吹き付け、又はサンドブラスト等により、孔３１Ｖ，３２Ｖを貫通させる。

　最後に、絶縁性基材３０の一方主面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用い、配線パターンに応じてレジストをパターニングし、絶縁性基材３０の一方主面に配線パターンに応じた凹部を形成する。その後、めっきを行い、孔３１Ｖ，３２Ｖやレジストパターンによって形成された凹部に銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等の導電材料を充填する。本処理は、絶縁性基材３０の他方主面についても施すことができる。つまり、絶縁性基材３０の一方主面にレジストをパターニングした後に他方主面にもフォトリソグラフィ技術を用いてレジストをパターニングし、その後にめっきを行うことができる。この処理により、孔３１Ｖ，３２Ｖ、及びレジストパターンによって形成された一方主面側の上層凹部と他方主面側の下層凹部に銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等の導電材料を充填することができる。つまり、一回のめっき処理でビアパターンに応じた孔３１Ｖ，３２Ｖ、及び表裏の配線パターンに応じた凹部に導電材料を充填し、層間導通がされた配線板を得ることができる。

　このめっき処理において、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖは、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの周囲に曲率を有する内側壁３１１Ｖａ，３２１Ｖａと、底面に向かうにつれて内径が漸減する傾斜壁３１３Ｖａ，３２３Ｖａとを有するので、めっき処理前にダイレクト・プレーティング・プロセス（ＤＰＰ）処理又はスパッタリング処理によって、均一なシード層を孔３１Ｖ，３２Ｖの内側面にまんべんなく形成することができる。さらに、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖは、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの周囲に曲率を有する内側壁３１１Ｖａ，３２１Ｖａと、底面に向かうにつれて内径が漸減する傾斜壁３１３Ｖａ，３２３Ｖａとを有するため、均一のレートでめっき層を形成することができるので、金属の配向が均一なめっき層を孔３１Ｖ，３２Ｖの内側面に形成することができる。このように、シード層が均一な状態で形成されるので、そこに形成されるめっき層も孔３１Ｖ，３２Ｖの内側面にまんべんなく均一な厚さで形成することができる。

　また、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖは、その開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの径が２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満であり、孔３１Ｖ，３２Ｖの底部３１２Ｖ，３２２Ｖの径が、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下と細いので、めっき処理によって中実なフィルドビアを形成することができる。孔３１Ｖ，３２Ｖを細く形成することで、フィルドビアを短い時間で形成することができる。また、めっき時間を短くできるので、めっき層の形成条件を一定に管理し、均一なめっき層を形成することができる。

　また、絶縁性基材３０の上面若しくは下面、又は上面及び下面に刷版を用いて導電ペーストを印刷することにより、第１の配線パターン５１～５７、第２の配線パターン６１，６２、及びこれらと導通するビアパターン１１Ｖ，１２Ｖを一括して形成することもできる。導電材料の余剰部分が残存する場合には研磨又はエッチング等により除去する。そして、配線板１００を得る。

　本実施形態の製造方法により配線板１００を作製する場合には、絶縁性基材３０をレーザーで穿孔する工程が含まれないので、穿孔時に生じるカスやゴミなどのスミアが発生しない。このため、デスミア処理を行う必要が無く、工程を減らすことができる。

　図１１は、本実施形態に係る配線板１００を示す図である。

　図１１に示すように、本実施形態の配線板１００は、絶縁性基材３０と、絶縁性基材３０の一方主面に形成された第１配線パターン５１～５７と、他方主面に形成された第２配線パターン６１～６２と、絶縁性基材３０の一方主面側から他方主面側に貫通し、第１配線パターン５１～５７及び第２配線パターン６１，６２と導通するビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと、を備えている。なお、本発明の本実施形態におけるビアパターン１１Ｖ，１２Ｖは、絶縁性基材３０を貫通するビアホール内に形成される柱状の導電性部材を含む概念である。

　本実施形態の配線板１００の第１配線パターン５１～５７は、絶縁性基材３０の一方主面からこの絶縁性基材３０の外部側（図中上側）に凸状に形成されている。

　本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖは、同図に示すように、第１配線パターン５２，５６と曲率を有して連なる接続基部１１１Ｖ，１２１Ｖと、接続基部１１１Ｖ，１２１Ｖからビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの頭頂部１１２Ｖ，１２２Ｖに近づくにつれて外径が細くなる錐状部１１３Ｖ，１２３Ｖと、を有する。

　同図に示すように、本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖは、第１配線パターン５２，５６と曲率を有する曲面１１１Ｖａ，１２１Ｖａを有し、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと第１配線パターン５２，５６とは曲面１１１Ｖａ，１２１Ｖａを介して滑らかに連なるため、周波数が高くなっても電気信号の反射が少なくなり、損失を抑制することができる。

　また、本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖは、いわゆるフィルドビアであり、空洞が無く、導電材料によって中実に形成されている。本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと第１配線パターン５１～５７は、同時に同じ条件下で、同じ処理（例えばめっき処理）によって形成されるので、導電材料中の金属結晶の配向を均一にすることができる。このため、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの内部、及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと第１配線パターン５１～５７との接続部分の内部に界面が生じない。金属結晶の配向が異なる部分が発生すると、この部分が起点となり、ビアパターン内にクラックが生じる傾向がある。熱的負荷や機械的負荷によってクラックが大きくなると、配線板の電気的な接続が維持できなくなる。これに対し、本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖ内部には界面が生じないため、クラックの発生を防止して、高い接続信頼性を実現することができる。

　特に限定されないが、本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの接続基部１１１Ｖ，１２１Ｖの径、つまり、絶縁性基材３０の主面に沿う、接続基部１１１Ｖ，１２１Ｖの断面の径は２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの頭頂部１１２Ｖ，１２２Ｖの径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの長さは１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。アスペクト比は０．５～４０、好ましくは１～３０であり、本例では１～４程度とすることができる。本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖは、接続基部１１１Ｖ，１２１Ｖの直径が１０μｍ程度、深さが１５μｍ程度である。

　また、本実施形態の配線板１００の第１配線パターン５１～５７，ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖとは同時に形成されるため、界面の無い状態で一体に形成されている。本実施形態の第１配線パターン５２とビアパターン１１Ｖ，第１配線パターン５６とビアパターン１２Ｖの貫通方向に沿う断面を走査イオン顕微鏡法（ＳＩＭ：Scanning Ion Microscopy）で観察すると、図１２に示す模式図のように、境界の無い結晶粒を観察することができる。第１の配線パターン５２と連なるビアパターン１１Ｖの接続基部１１１Ｖ及び第１の配線パターン５６と連なるビアパターン１２Ｖの接続基部１２１Ｖにおいても、同様に、境界の無い結晶粒を観察することができる。

　本実施形態に係る金型１を用いて形成された配線板１００のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖには直線が交わる角部が形成されない。つまり、絶縁性基材３０の主面、第１配線パターン５１～５７とビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの接続基部１１１Ｖ，１２１Ｖとが曲率を有する曲面１１１Ｖａ，１２１Ｖａで連なるので、完成した配線板１００に信号を伝送させたときの信号の反射の発生を防止することができる。一般に信号の反射が起こり易いとされている高周波信号を伝送させた場合であっても、本実施形態に係る配線板によれば、信号の反射を防止することができるので、信号の伝送損失を抑制することができる。この結果、伝送特性に優れた配線板１００を提供することができる。

　また、従来の配線板の製造工程のように、紫外線（ＵＶ）レーザーを用いて絶縁層に形成されるビアパターンの直径の限界は３０μｍ程度である。また、エキシマレーザーによって直径１０μｍ程度のビアパターンを絶縁層に１穴ずつ形成することは可能ではあるが、加工時間がかかるのに加え、使用するフッ化クリプトン（ＫｒＦ）等のガスが高価であるため、製造コストが高くなってしまう。これに対して、本発明の第１実施形態に係る配線板の製造方法によれば、金型１を用いて微細なビアパターン１１Ｖ，１２Ｖを有する配線板１００を効率良く製造することができる。

（第２実施形態）
　以下、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、第１実施形態に係る配線板１００を用いて積層型の配線板を製造する方法と、この製造方法により得られた積層型の配線板について説明する。共通する事項についての詳細な説明は上述した第１実施形態に係る説明を援用する。

　まず、図１３～図１８に基づいて、本発明の第２実施形態に係る積層型の配線板の製造方法を説明する。

　（１）まず、先述した図１１に示す配線板１００を準備する。次に、図１３に示すように、配線板１００と、この配線板の最上面及び最下面（露出している面）に、この配線板１００で用いられている絶縁性基材３０以外の他の絶縁性基材３０ａ，３０ｂをそれぞれ積層する（第１積層工程）。絶縁性基材３０ａ，３０ｂとしては、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を用いることができる。熱収縮防止の観点から、配線板１００の絶縁性基材３０と同じ材料を使用することができるが、異なる材料を使用することもできる。

　（２）次に、二つの金型１Ａ，１Ｂを準備する。金型１Ａ，１Ｂの構造は第１実施形態において説明した図５に示す金型１と共通するので、ここでは説明を省略する。図１４に示すように、一方の金型１Ａを配線板１００の最上層面側に積層された絶縁性基材３０ａに平行に配置し、他方の金型１Ｂを配線板１００の最下層側に積層された絶縁性基材３０ｂに平行に配置する。二つの金型１Ａ，１Ｂの版面１ａに形成された突起部１１，１２の頂部１１２，１２２は、絶縁性基材３０ａ、３０ｂにそれぞれ対向している。

　（３）絶縁性基材３０ａ，３０ｂをガラス転移温度以上になるまで加熱し、図１５に示すように、金型１Ａ，１Ｂを絶縁性基材３０ａ、３０ｂ方向に移動し、さらに突起部１１ａ，１２ａ（１１ｂ、１２ｂ）を絶縁性基材３０ａ（３０ｂ）に圧入する。金型１Ａ，１Ｂの移動は、同時であってもよいし、順次行ってもよい。

　（４）続いて、図１６に示すように、金型１Ａ及び金型１Ｂを絶縁性基材３０ａ、３０ｂからそれぞれ離型する。この際、突起部１１ａ，１２ａ（１１ｂ，１２ｂ）の基部１１１，１２１は曲率を有するため、突起部１１ａ，１２ａ（１１ｂ，１２ｂ）が角度をもって版面１ａに連なる場合よりも離型しやすい。絶縁性基材３０ａ，３０ｂが熱硬化性樹脂である場合にはオーブン等により加熱して硬化させる。絶縁性基材３０ａ，３０ｂが熱可塑性樹脂の場合には冷却して硬化させる。

　同図に示すように、離型後の絶縁性基材３０ａ（３０ｂ）には、金型１Ａ，１Ｂの突起部１１ａ，１２ａ（１１ｂ，１２ｂ）の形状に応じた孔３１Ｖａ，３２Ｖａ（３１Ｖｂ，３２Ｖｂ）が形成されている（第２積層工程）。

　（５）同図に示すように絶縁性基材３０ａ、３０ｂの孔３１Ｖａ，３２Ｖａ（３１Ｖｂ，３２Ｖｂ）の底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａ（３１２Ｖｂ、３２２Ｖｂ）が貫通されず、樹脂が残存している場合は、内側壁３１１Ｖａ，３２１Ｖａ（３１１Ｖｂ，３２１Ｖｂ）からプラズマ照射、薬液散布を行うか又はサンドブラスト処理を行う。そして、図１７に示すように、孔３１Ｖａ，３２Ｖａ（３１Ｖｂ，３２Ｖｂ）の底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａ（３１２Ｖｂ、３２２Ｖｂ）を貫通させる。

　（６）絶縁性基材３０ａ、３０ｂの主面（露出している面）にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用い、配線パターンに応じてレジストをパターニングし、絶縁性基材３０ａ、３０ｂの主面に配線パターンに応じた凹部を形成する（第３積層工程）。

　その後、めっきを行い、孔３１Ｖａ，３２Ｖａ（３１Ｖｂ，３２Ｖｂ）やレジストパターンによって形成された凹部に銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等の導電材料を充填する。この工程により、孔３１Ｖａ，３２Ｖａ（３１Ｖｂ，３２Ｖｂ）及び配線パターンに応じた凹部に導電材料が充填されるので、図１８に示すように、ビアパターン１１Ｖａ，１２Ｖａ（１１Ｖｂ，１２Ｖｂ）及び配線パターン５１ａ～５７ａ（５１ｂ～５７ｂ）を形成することができる（第４積層工程）。

　第１積層工程から第４積層工程により、配線板１００と層間導通がされた積層型の配線板１０００を得ることができる。上述した第１積層工程から第４積層工程は、目的とする配線板１０００の積層数に応じた回数だけ繰り返すことができる。もちろん、各層において、第１配線パターン５１～５７，５１ａ～５７ａ，５１ｂ～５７ｂ、第２配線パターン６１及び６２は、略同じ形状であってもよいし、異なる形状であってもよい。

　本発明の第２実施形態に係る配線板の製造方法によれば、金型１Ａ及び金型１Ｂを用いて微細なビアパターン１１Ｖａ，１２Ｖａ（１１Ｖｂ，１２Ｖｂ）を有する積層型の配線板１０００を高い生産効率で製造することができる。

　図１８に示すように、中央に位置する配線板１００の絶縁性基材３０の一方主面には第１配線パターン５１～５７が形成され、その他方主面には第２配線パターン６１，６２が形成されている。これらと一体に形成され、電気的に導通可能なビアパターン１１Ｖ、１２Ｖは、第１配線パターン５２，５６と曲面で連なっている。また、ビアパターン１１Ｖ、１２Ｖは第１配線パターン５２，５６側から第２配線パターン６１，６２側へ向かって先細りとなっている。

　また、同図に示すように、配線板１００の一方主面側（図中上側）には他の配線板１００ａが積層され、配線板１００の他方主面側には、他の配線板１００ｂが積層されている。配線板１００ａの絶縁性基材３０ａの一方主面側（図中上側）には第１配線パターン５１ａ～５７ａが形成されている。この第１配線パターン５１ａ～５７ａと一体に形成され、第１配線パターン５１ａ～５７ａと配線板１００の第１配線パターン５１～５７と電気的に導通可能なビアパターン１１Ｖａ、１２Ｖａは、第１配線パターン５２ａ，５６ａと曲面で連なっている。また、ビアパターン１１Ｖａ、１２Ｖａは第１配線パターン５２ａ，５６ａ側から配線板１００の第１配線パターン５２，５６側へ向かって先細りとなっている。

　さらに、配線板１００ｂの絶縁性基材３０ｂの他方主面側（図中下側）には第１配線パターン５１ｂ～５７ｂが形成されている。この第１配線パターン５１ｂ～５７ｂと一体に形成され、第１配線パターン５１ｂ～５７ｂと配線板１００の第２配線パターン６１，６２と電気的に導通可能なビアパターン１１Ｖｂ、１２Ｖｂは、第１配線パターン５２ｂ，５６ｂと曲面で連なっている。また、ビアパターン１１Ｖｂ、１２Ｖｂは第１配線パターン５２ｂ，５６ｂ側から配線板１００の第２配線パターン６１，６２側へ向かって先細りとなっている。

　また、ビアパターン１１Ｖａ、１２Ｖａ，ビアパターン１１Ｖｂ、１２Ｖｂは、第１実施形態で説明したビアパターン１１Ｖ、１２Ｖと同様に界面が無い状態で第１配線パターン５１ａ～５７ａ，５１ｂ～５７ｂと一体に形成されている。

　本実施形態の積層型の配線板１０００におけるビアパターン１１Ｖａ、１２Ｖａ，ビアパターン１１Ｖｂ、１２Ｖｂは、第１実施形態のビアパターン１１Ｖ、１２Ｖと同様の構成を備えるので、本実施形態に係る積層型の配線板１０００は第１実施形態に係る単層の配線板１００と同様の作用及び効果を奏する。

　次に、図１９～図２４に基づいて、第１実施形態に係る製造方法を用いる点では第２実施形態と共通するが、積層の態様が第２実施形態とは異なる製造方法（変形例）を説明する。

　（１）まず、第１実施形態の製造方法で得た図１１に示す配線板１００を準備する。そして、図１９に示すように、配線板の最上面（図中上側）に他の絶縁性基材３０ａを積層する（第１積層工程）。絶縁性基材３０ａとしては第２実施形態と同様の材料を用いることができる。

　（２）金型１を準備する。金型１は第１実施形態の製造方法において用いた図５に示す金型１と同じものを用いる。図２０に示すように、金型１を配線板１００と平行に配置し、金型１の版面１ａを絶縁性基材３０ａの主面に対向するように配置する。

　（３）絶縁性基材３０ａをガラス転移温度以上になるまで加熱し、図２１に示すように、金型１を絶縁性基材３０ａ方向に移動し、さらに突起部１１，１２を絶縁性基材３０ａに圧入する。

　（４）続いて、図２２に示すように金型１を絶縁性基材３０ａから離型し、絶縁性基材３０ａを硬化させる。同図に示すように、離型後の絶縁性基材３０ａには、金型１の突起部１１，１２の形状に応じた孔３１Ｖａ，３２Ｖａが形成されている（第２積層工程）。

　（５）同図に示すように絶縁性基材３０ａの孔３１Ｖａ，３２Ｖａの底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａが貫通されず、樹脂が残存している場合は、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖからプラズマ照射、薬液散布を行うか又はサンドブラスト処理を行い、図２３に示すように、孔３１Ｖａ，３２Ｖａの底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａを貫通させる。

　（６）絶縁性基材３０ａの主面（露出している面）にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用い、配線パターンに応じてレジストをパターニングし、絶縁性基材３０ａの主面に配線パターンに応じた凹部を形成する（第３積層工程）。

　その後、めっきを行い、孔３１Ｖａ，３２Ｖａやレジストパターンによって形成された凹部に銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等の導電材料を充填する。この工程により、孔３１Ｖａ，３２Ｖａ及び配線パターンに応じた凹部に導電材料が充填されるので、ビアパターン１１Ｖａ，１２Ｖａを形成することができる（第４積層工程）。

　（７）上述の第１積層工程から第４積層工程により、図２４に示すように、配線板１００と層間導通がされた積層型の配線板１０００を得ることができる。上述した第１積層工程から第４積層工程は、目的とする配線板１０００の積層数に応じた回数だけ繰り返すことができる。同図に示す配線板１０００は、第１積層工程から第４積層工程を３回繰り返し、配線板１００に配線板１００ａ，１００ｃ、１００ｄの３層を積層させた４層の配線板１０００の一例である。各層において、第１配線パターン５１～５７，５１ａ～５７ａ，５１ｃ～５７ｃ，５１ｄ～５７ｄ、第２配線パターン６１及び６２，６１ａは、同じ形状であってもよいし、異なる形状であってもよい。

　本例も第２実施形態の配線板１０００と同様に、ビアパターン１１Ｖａ、１２Ｖａ，ビアパターン１１Ｖｃ、１２Ｖｃ，ビアパターン１１Ｖｄ、１２Ｖｄは、第１実施形態で説明したビアパターン１１Ｖ、１２Ｖと同様に界面が無い状態で第１配線パターン５１ａ～５７ａ，５１ｃ～５７ｃ，５１ｄ～５７ｄと一体に形成されている。また、各ビアパターン１１Ｖａ、１２Ｖａ，ビアパターン１１Ｖｃ、１２Ｖｃ，ビアパターン１１Ｖｄ、１２Ｖｄは、各第１配線パターン５１ａ～５７ａ，５１ｃ～５７ｃ，５１ｄ～５７ｄと曲面で連なっており、この接続部分からビアパターンの先端に向かって先細りの形状となっている。

　このように、本例の積層型の配線板１０００におけるビアパターン１１Ｖａ、１２Ｖａ，ビアパターン１１Ｖｃ、１２Ｖｃ，ビアパターン１１Ｖｄ、１２Ｖｄは、第１実施形態のビアパターン１１Ｖ、１２Ｖと同様の構成を備えるので、本実施形態の積層型の配線板１０００は第１実施形態の単層の配線板１００と同様の作用及び効果を奏する。

（第３実施形態）
　以下、図２５～図３７に基づいて第３実施形態の配線板の製造方法及びこの製造方法により製造される配線板１００について説明する。本実施形態の配線板の製造方法及びこの製造方法により製造される配線板１００の構成は、第１実施形態の配線板１００の構成と基本的に共通するため、重複する説明を避け、第１実施形態の説明を援用し、異なる部分を中心に説明する。

　本実施形態における配線板の製造方法は、大きく分けて、使用する金型を準備する工程と、準備した金型を用いて配線板を作製する工程の２つの工程を有する。先に金型の製造方法及び製造された金型について説明し、この金型を用いた配線板の製造方法及び製造された配線板について説明する。

　本実施形態の金型の製造方法は、硬化された樹脂板体を準備する工程と、ビアパターンに応じて、樹脂板体の主面にレーザー又は電子線を照射して孔を形成する工程と、孔が形成された樹脂板体の主面にレジスト層を積層する工程と、配線パターンに応じて、孔の開口領域を含む所定領域のレジスト層をフォトリソグラフィ法により除去する工程と、金型材料を用いて、所定領域が除去されたレジスト層と樹脂板体の主面とを覆う工程とを有する。

　具体的に各工程を説明する。第１実施形態と同様に、図２５に示す樹脂板体３と支持板２の積層体を準備し、樹脂板体３を硬化させる。樹脂板体３と支持体２の材料は第１実施形態と同様である。次に、図２６に示すように、第１実施形態と同様の手法により、レーザー又は電子線（ＥＢ）を樹脂板体３の主面に照射して孔３１，３２を形成する。本実施形態の樹脂板体３の孔３１，３２の開口部３１１，３２１の内側壁は、樹脂板体３の主面に曲率を有する曲面で連なるように形成されている。また、孔３１，３２は、開口部３１１，３２１に連なり深さ方向に傾きを有する傾斜壁３１３ａ，３２３ａを有し、底部３１２，３２２で連なっている。

　特に限定されないが、本実施形態の孔３１，３２の開口部３１１，３２１の径は、２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態の孔３１，３２の底部３１２，３２２の径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。深さは、１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。一例ではあるが、本実施形態の孔３１，３２は、直径１０μｍ程度、深さ１５μｍ程度である。

　続いて、図２７に示すように、樹脂板体３上に孔３１，３２の内部を埋めないようにレジスト層４を形成する。レジスト層４は、アルカリ又は酸に可溶な厚さが５～２０μｍ程度のフィルム状のものを用いることができる。

　そして、図２８に示すように、配線パターンに応じて、孔３１，３２の開口部領域を覆う領域を含むレジスト層４の所定領域をフォトリソグラフィ法により除去する。具体的には、フォトマスク及び露光装置を用いてレジスト層４を露光し、アルカリ現像又は酸現像によりレジスト層４の所定領域を選択的に除去してパターニングする。この結果、孔３１，３２の開口部領域が開放される（孔３１，３２が塞がれていない状態になる）とともに、レジスト層４の溝４１～４７が形成される。形成された溝４２，４６は先に形成した孔３１，３２に連なり、孔３１，３２の開口部３１１，３２１に連なる樹脂板体３の主面と、溝４２，４６を形成するレジスト層４の主面（露光の光源側）とによって、階段状（二段形状）のパターンが形成される。特に限定されないが、溝４１～４７が構成するライン・アンド・スペースの部分の配線幅を５～２０μｍ程度、配線間隔を５～２０μｍ程度とし、ビアパターンのランド径を５０～１２０μｍ程度とすることができる。

　続いて、第１実施形態と同様の手法で、後に行われるめっき処理等においてシード層となる導電層を形成する。そして、図２９に示すように、金型材料を用いて、開口部領域を覆う領域を含む所定領域が除去されたレジスト層４と樹脂板体３の主面を覆う。具体的には、めっき処理により、金型材料を樹脂板体３に形成された孔３１，３２、溝４１～４７を充填するとともに、レジスト層４の上面及び側面、樹脂板体３の主面を覆う。めっきの手法などは第１実施形態と共通する。そして、図３０に示すように、支持板２を塩化第二鉄などのエッチング液により除去する。最後に、樹脂板体３を水酸化ナトリウム水溶液等により膨潤剥離し、図３１に示す金型１を得る。

　本発明の本実施形態に係る金型１の製造方法によれば、レーザー又は電子ビームによる孔３１，３２と溝４１～４７を有する二段形状のパターンを形成することにより、１度のめっき処理（一工程）で突起部１１，１２及び凸部２１～２７を形成することができる。

　ビアパターンを形成するための突起部及び配線パターンを形成するための凸部を形成する手法として、フォトリソグラフィ、めっき及び研磨の工程を繰り返してそれぞれ別々に作り上げる工法が知られている。本実施形態では先にレーザー等によってビアパターン用の孔３１，３２を形成してから配線パターン用の溝４１～４７を形成し、金型材料を孔３１，３２、溝４１～４７を一工程で充填するので、配線パターン用の凸部を形成した後に、この凸部の上にビアパターン用の突起部を形成する従来の手法に比べて、ビアパターン用の突起部の頂部を研磨する工程が不要となり、工程を簡略化することができる。なお、レジスト層４をパターニングしてから下部に配置された樹脂板体に孔３１，３２を形成してもよい。

　また、レーザー又は電子線により孔３１，３２を形成することにより、フォトリソグラフィ工程で得られない、凸部１２，１６の上面に曲率を有して滑らかに連なる基部１１１，１２１を有する突起部１１，１２を形成することができるので、第１実施形態と同様の作用及び効果を奏する。

　図３１に示すように、本発明の本実施形態に係る金型１の版面１ａには、ビアパターンに応じて形成された突起部１１，１２と、配線パターンに応じて形成された凸部２１～２７とが形成されている。ビアパターンと配線パターンは配線板のパターンを構成する。突起部１１，１２は凸部２１～２７の上面に曲率を有して連なる基部１１１，１２１と、基部１１１，１２１から突起部１１，１２の頂部１１２，１２２に近づくにつれて外径が細くなる傾斜部１１３，１２３とを有する。つまり、ビアパターンに応じる突起部１１，１２の基部１１１，１２１は、凸部２１～２７の上面（版面１ａの主面と平行な面、以下同じ）に曲面１１１ａ，１２１ａで連なっている。つまり、突起部１１，１２は、凸部２１～２７よりも高い頂部１１２，１２２と、凸部２２，２６の上面に曲率を有する曲面１１１ａ，１２１ａで接続された基部１１１，１２１とを有する。版面１ａと凸部２１～２７の間、凸部２２，２６と突起部１１，１２との間に界面はなく、金型１は一体として形成されている。金型１を構成する金型材料は第１実施形態と同様に銅（Ｃｕ）等を用いることができる。

　同図に示すように、本実施形態の突起部１１，１２は曲面で構成された頂部１１２，１２２をそれぞれ有する。なお、突起部１１，１２の形状は先述の実施形態と同様の手法で形成することができる。

　特に限定されないが、突起部１１，１２の基部１１１，１２１の径は、２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態の突起部１１，１２の頂部１１２，１２２の径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。また、本実施形態の突起部１１，１２の長さは１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。アスペクト比は０．５～４０、好ましくは１～３０であり、本例では１～４程度とすることができる。

　本実施形態の金型１は、その突起部１１，１２の基部１１１，１２１が、凸部２１～２７の上面（版面１ａと平行な面）に曲率を有して滑らかに接続されているので、第１実施形態と同様の作用及び効果を奏する。

　以下、図３２～図３６に基づいて金型１を用いた配線板の製造方法を説明し、図３７に基づいて、作製された配線板について説明する。

　本実施形態では、上述した図３１に示す金型１を用いて、いわゆるインプリント法により配線板を得る。

　まず、図３２に示すように金型１及び配線板を構成する転写用の絶縁性基材（樹脂フィルム）３０を準備し、金型１の主面を絶縁性基材３０の主面に対向させて配置する。絶縁性基材３０の材料は、第１実施形態と同じである。図３２に示す矢印Ｐ１に沿って金型１を移動させ、図３３に示すように型押しをする。金型１及び絶縁性基材３０をガラス転移温度（Ｔｇ）未満に冷却し、図３４に示すように、金型１を絶縁性基材３０から離隔する方向（矢印Ｐ２）に離型する。絶縁性基材３０が熱硬化性樹脂である場合には、オーブン等により例えば１６０～２００℃、４０分～８０分間加熱し、絶縁性基材３０を完全に硬化させる。他方、絶縁性基材３０が熱可塑性樹脂の場合には冷却して硬化させる。

　これにより、金型１の版面１ａのパターン（ビアパターン、配線パターンを含む、以下同じ）を絶縁性基材３０の主面に転写することができる。同図に示すように、金型１を離型すると、絶縁性基材３０には金型１の突起部１１，１２の形状に応じた孔３１Ｖ，３２Ｖ、及び凹部３３１～３３７が形成される。

　図３４に示すように、この孔３１Ｖ，３２Ｖは、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの周囲に曲率を有する内側壁３１１Ｖａ，３２１Ｖａと、底面に向かうにつれて内径が漸減する傾斜壁３１３Ｖａ，３２３Ｖａとを有する。具体的に、絶縁性基材３０に形成された孔３１Ｖ，３２Ｖは、曲率を有する内側壁３１１Ｖａ，３２１Ｖａが開口部３１１Ｖ，３２１Ｖに形成され、絶縁性基材３０の凹部３３１～３３７に曲率を有して連なる。この孔３１Ｖ，３２Ｖは、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖから底部３１２Ｖ，３２２Ｖに近づくにつれて外径が細くなる傾斜壁３１３Ｖａ，３２３Ｖａを備えた胴部３１３Ｖ，３２３Ｖを有する。特に限定されないが、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖの開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの径は、２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖの底部３１２Ｖ，３２２Ｖの径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。深さは、１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。一例ではあるが、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖは、直径１０μｍ程度、深さ１５μｍ程度である。

　めっき又は導電ペーストを印刷・焼結し、凹部３３１～３３７及び孔３１Ｖ，３２Ｖに導電材料を充填することにより、図３５に示すように第１の配線パターン５１～５７及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖを形成する。また、ナノペーストの余剰部分が残存する場合には研磨又はエッチング等により除去する。

　図３５に示すように、金型１が絶縁性基材３０を貫通せずに、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの先端に樹脂が残る場合は、図３６に示すように化学的又は機械的な研磨により除去し、絶縁性基材３０の下面からビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの先端を露出させることができる。

　続いて、絶縁性基材３０の他方主面（図中下側面）にめっき又は導電ペーストを印刷・焼結処理を行い、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと導通する第２配線パターン６１，６２を形成する。

　図３７は、本実施形態に係る配線板１００を示す。図３７に示すように、本実施形態の配線板１００は、絶縁性基材３０と、絶縁性基材３０の一方主面に形成された第１配線パターン５１～５７と、絶縁性基材３０の他方主面に形成された第２配線パターン６１，６２と絶縁性基材３０の一方主面側から他方主面側に貫通し、第１配線パターン５１～５７及び第２配線パターン６１，６２と導通するビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと、を備えている。

　本実施形態の配線板１００の第１配線パターン５１～５７は、絶縁性基材３０の一方主面上に、この絶縁性基材３０の主面から内部側に向かって凸状に、埋設された状態で形成されている。図３７に示すように、第１配線パターン５１～５７の上側面が絶縁性基材３０の主面と同じ高さとなり、絶縁性基材３０の主面と第１配線パターン５１～５７の上側の平面とに段差が生じていない。つまり、第１配線パターン５１～５７が形成されているにもかかわらず、絶縁性基材３０の主面を平坦にすることができる。このため、第１配線パターン５１～５７が埋設された絶縁性基材３０の上に、配置位置の制限を受けずに他の部品を実装することができる。また、配線板１００の上に他の配線板１００を複数積層しても、全体が平坦な積層型の配線板を作製することができる。

　同図に示すように、本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖは、第１配線パターン５２，５６と曲率を有する曲面１１１Ｖａ，１２１Ｖａを有し、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと第１配線パターン５２，５６とは曲面１１１Ｖａ，１２１Ｖａを介して滑らかに連なり、一体として形成されているため、第１実施形態の配線板と同様の作用を有し、同様の効果を奏する。

　本発明の第１実施形態に係る配線板の効果に加えて、本実施形態では２段形状の金型１を用いて第１の配線パターン５１～５７及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖを一括して形成することができるので、第１の配線パターン５１～５７及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖのピッチや位置関係の製造誤差が小さい高い精度の配線板１００を得ることができる。

　また、本実施形態では２段形状の金型１を用いて第１の配線パターン５１～５７及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖを一括して形成することができるので、１度のめっき処理でビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと第１配線パターン５１～５７を一括して作製できる。したがって、フォトリソグラフィ、めっき及び研磨という工程を繰り返してビアパターン及び配線パターンを形成する場合と比較して、その工程間の研磨工程等が不要となり工程が簡便となる。

　ここで、本発明の第３実施形態の第１変形例として、配線板の製造方法の一例を説明する。

　図３２～図３６に示した工程は実質的に同様であるので重複した説明を省略する。図３６に示すように第１配線パターン５１～５７及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖを形成した後、図３８に示すように絶縁性基材３０の下面から薬液を用いてビアパターン１１Ｖ，１２Ｖを残存させたまま絶縁性基材３０の一部を選択的に除去する。ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの先端を絶縁性基材３０の下面（図中下側）から突出させる。その後、図３９に示すようにめっき又は導電ペーストを印刷・焼結により第２配線パターン６１，６２を形成する。この結果、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと第２配線パターン６１，６２との接触面積が増大し、接続信頼性を向上することができる。

　さらに、本発明の第３実施形態の第２変形例として、配線板の製造方法の一例を説明する。

　図３２及び図３３に示した工程は実質的に同様であるので重複した説明を省略する。図３４に示すように金型１を絶縁性基材３０から離型した後、絶縁性基材３０の下面から化学的若しくは機械的に研磨を行うか、又は絶縁性基材３０の上面若しくは下面からプラズマ、薬液若しくはサンドブラスト等により、図４０に示すように底部３１２Ｖ，３２２Ｖの残部を除去し、孔３１Ｖ，３２Ｖを貫通させる。その後、めっき又は導電ペーストを印刷・焼結し、孔３１Ｖ，３２Ｖに導電材料を充填することにより、図４１に示すように第１配線パターン５１～５７及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖを形成する。この結果、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの先端が露出し、絶縁性基材３０の他方主面（下側面）から突出する。その後、図４２に示すように、めっき又は導電ペーストを印刷・焼結することにより第２配線パターン６１，６２を形成する。この結果、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと第２配線パターン６１，６２との接触面積が増大し、接続信頼性を向上させることができる。

　さらにまた、本発明の第３実施形態の第３変形例として、配線板の製造方法の一例を説明する。

　図３２及び図３３に示した工程は実質的に同様であるので重複した説明を省略する。図３４に示すように金型１を絶縁性基材３０から離型した後、絶縁性基材３０の下面から化学的若しくは機械的な研磨を行うか、又は絶縁性基材３０の上面若しくは下面からプラズマ、薬液若しくはサンドブラスト等により、図４０に示すように孔３１Ｖ，３２Ｖを貫通させる。その後、絶縁性基材３０の下面に支持基板（図示省略）を配置して、一時的に孔３１Ｖ，３２Ｖを塞ぎ、めっき又は導電ペーストを印刷・焼結して、孔３１Ｖ，３２Ｖに導電材料を充填することにより、図４３に示すように第１配線パターン５１～５７及びビアパターン１１Ｖ，１２Ｖを形成する。この結果、絶縁性基材３０の下面とビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの頭頂部１１２Ｖ，１２２Ｖが同じ高さ（いわゆる面一）となる。その後、めっき又は導電ペーストを印刷・焼結することにより図３７に示すように第２配線パターン６１，６２を形成する。

　上述の変形例１～３は、第３実施形態と共通の特徴を備えており、共通の作用及び効果を奏する。

（第４実施形態）
　以下、第４実施形態について説明する。第４実施形態は、第３実施形態に係る配線板１００を用いて積層型の配線板を製造する方法と、この製造方法により得られた積層型の配線板について説明する。共通する事項についての詳細な説明は上述した実施形態に係る説明を援用する。

　まず、図４４～図４７に基づいて、本発明の第４実施形態に係る積層型の配線板の製造方法を説明する。

　（１）図４４に示すように、先述した図３７に示す配線板１００を準備し、配線板１００の最上面（露出している面）に、この配線板１００で用いられている絶縁性基材３０以外の他の絶縁性基材３０ａを積層する（第１積層工程）。絶縁性基材３０ａは、配線板１００の絶縁性基材３０と同じ材料を用いることができる。

　（２）次に、金型１を準備する。金型１の構造は第３実施形態において説明した図３１に示す金型１と共通するので、ここでは説明を省略する。図４４に示すように、金型１を配線板１００の最上層面側に積層された絶縁性基材３０ａに平行に配置する。金型１の版面１ａに形成された突起部１１，１２の頂部１１２，１２２は、絶縁性基材３０ａに対向している。

　（３）絶縁性基材３０ａをガラス転移温度以上になるまで加熱し、図４５に示すように、金型１を絶縁性基材３０ａの方向に移動し、さらに突起部１１，１２を絶縁性基材３０ａに圧入する。

　（４）続いて、図４６に示すように、金型１を絶縁性基材３０ａから離型する。この際、突起部１１，１２の基部１１１，１１２は曲率を有するため、突起部１１，１２が角度をもって版面１ａに連なる場合よりも離型しやすい。絶縁性基材３０ａが熱硬化性樹脂である場合にはオーブン等により加熱して硬化させる。絶縁性基材３０ａが熱可塑性樹脂の場合には冷却して硬化させる。絶縁性基材３０ａを硬化させる工程は、離型後のみに限定されず、図４５に示す金型１を圧入した後であってもよいし、後述する図４７に示すように孔３１Ｖａ，３２Ｖａを貫通させた後であってもよい。

　（５）図４７に示すように、絶縁性基材３０ａの孔３１Ｖａ，３２Ｖａの底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａが貫通されず、樹脂が残存している場合は、孔３１Ｖａ，３２Ｖaの開口部からプラズマ照射、薬液散布を行うか又はサンドブラスト処理を行い、孔３１Ｖａ，３２Ｖａの底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａを貫通させることができる。

　同図に示すように、離型後の絶縁性基材３０ａには、金型１の突起部１１，１２の形状に応じた孔３１Ｖａ，３２Ｖａと、第１配線パターンに応じた凹部３３１ａ～３３７ａが形成されている（第２積層工程）。

　（６）めっき又は導電ペーストを印刷・焼結し、凹部３３１ａ～３３７ａ及び孔３１Ｖａ，３２Ｖａに導電材料を充填することにより、図４８に示すように第１の配線パターン５１ａ～５７ａ及びビアパターン１１Ｖａ，１２Ｖａを形成する。また、ナノペーストの余剰部分が残存する場合には研磨又はエッチング等により除去する（第３積層工程）。
　（７）上述の第１積層工程から第３積層工程により、図４８に示す、層間導通がされた積層型の配線板１０００を得ることができる。上述した第１積層工程から第３積層工程は、目的とする積層数に応じた回数だけ繰り返すことができる。

　本実施形態に係る積層型の配線板１０００は、上述の実施形態と同様に、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖ（１１Ｖa，１２Ｖａ）は、第１配線パターン５１～５７（５１ａ～５７ａ）と曲率を有して連なり、第１配線パターン５１～５７（５１ａ～５７ａ）との接続部分からビアの頭頂部に近づくにつれて外径が細くなる形状を有するので、上述の実施形態と同様の作用を奏し、同様の効果を奏する。

　また、本実施形態に係る積層型の配線板１０００は、上述の実施形態と同様に、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖ（１１Ｖa，１２Ｖａ）は、第１配線パターン５１～５７（５１ａ～５７ａ）とが界面のない状態で一体に形成されているので、上述の実施形態と同様の作用を奏し、同様の効果を奏する。

　なお、図４８に配線板１００，１００ａを有する積層型の配線板１０００を示すが、配線板１００ａの上面（配線板１００とは反対側の面）に更に他の配線板１００を積層することができる。積層される各配線板の第１配線パターン５１～５７は、共通の態様であってもよいし、異なる態様であってもよい。

（第５実施形態）
　以下、図４９～図６１に基づいて第５実施形態の配線板の製造方法及びこの製造方法により製造される配線板１００について説明する。本実施形態の配線板の製造方法及びこの製造方法により製造される配線板１００の構成は、第１実施形態の配線板１００の構成と基本的に共通するため、重複する説明を避け、第１実施形態の説明を援用し、異なる部分を中心に説明する。

　本実施形態における配線板の製造方法は、大きく分けて、使用する金型を準備する工程と、準備した金型を用いて配線板を作製する工程の２つの工程を有する。先に金型の製造方法及び製造された金型について説明し、そして、この金型を用いた配線板の製造方法及び製造された配線板について説明する。

　本実施形態では、ビア用の金型１と配線パターン用の金型１Ｃの、二つの金型を準備する。

　ビア用の金型１の製造方法は、第１実施形態の金型１と同じであり、硬化された樹脂板体を準備する工程と、ビアパターンに応じて、樹脂板体の主面にレーザー又は電子線を照射して孔を形成する工程と、金型材料を用いて樹脂板体に形成された孔を充填するとともに樹脂板体の主面を覆う工程と、を有する。

　具体的に各工程を説明する。第１実施形態と同様に、図４９に示す樹脂板体３と支持板２の積層体を準備し、樹脂板体３を硬化させる。樹脂板体３と支持体２の材料は第１実施形態と同様である。次に、図５０に示すように、第１実施形態と同様の手法により、レーザー又は電子線（ＥＢ）を樹脂板体３の主面に照射して孔３１，３２を形成する。本実施形態の樹脂板体３の孔３１，３２の開口部３１１，３２１の内側壁３１１ａ，３２１ａは、樹脂板体３の主面に曲率を有する曲面で連なるように形成されている。また、孔３１，３２は、開口部３１１，３２１に連なり深さ方向に傾きを有する傾斜壁３１３ａ，３２３ａを有し、底部３１２，３２２で連なっている。

　特に限定されないが、本実施形態の孔３１，３２の開口部３１１，３２１の径は、２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態の孔３１，３２の底部３１２，３２２の径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。深さは、１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。一例ではあるが、本実施形態の孔３１，３２の開口部３１１，３２１の直径は１０μｍ程度、深さ１５μｍ程度である。

　続いて、第１実施形態と同様の手法で、後に行われるめっき処理等においてシード層となる導電層を形成する。そして、図５１に示すように、金型材料を用いて樹脂板体３に形成された孔３１，３２を充填するとともに樹脂板体３の主面を覆う。具体的には、めっきにより、金型材料を樹脂板体３に形成された孔３１，３２に充填するとともに、樹脂板体３の主面を覆う。めっきの手法などは第１実施形態と共通する。そして、図５２に示すように、支持板２を塩化第二鉄などのエッチング液により除去する。最後に、樹脂板体３を水酸化ナトリウム水溶液等により膨潤剥離し、金型を得る。

　本実施形態では、突起部１１，１２の型締め方向（図中上下方向）の高さを、絶縁性基材３０よりも厚く構成する。これは突起部１１，１２を絶縁性基材３０に圧入したときに金型１が絶縁性基材３０に接触し、後述する、先に絶縁性基材３０に形成されている凹部３３１～３３７の型崩れを防止することができる。

　図５３は、型締め方向（図中矢印Ｍ）に沿う、本実施形態の金型１の断面図である。図５３に示すように、金型１の版面１ａは、この版面１ａの主面側に凸状に形成された突起部１１，１２を少なくとも有する。版面１ａと突起部１１，１２との間に界面はなく、突起部１１，１２は版面１ａの一部を構成する。

　本実施形態の突起部１１，１２は、形成するビアパターンの孔に対応する太さ（径）、長さ、及びアスペクト比を有する形状に形成される。特に限定されないが、突起部１１，１２の基部１１１，１２１の径は、２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態の突起部１１，１２の頂部１１２，１２２の径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。また、本実施形態の突起部１１，１２の長さは１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。アスペクト比は０．５～４０、好ましくは１～３０であり、本例では１～４程度とすることができる。

　本実施形態における突起部１１，１２は、第１実施形態と同様に、曲面１１１ａ，１２１ａを有する基部１１１，１２１と、この基部１１１，１２１から突起部１１，１２の頂部１１２，１２２にかけて先細りとなる傾斜部１１３，１２３と、を有する。

　並行して、もう一方の、配線用の金型１Ｃを準備する。配線用の金型１Ｃは、パターンの一部を構成する配線パターンに応じて形成された凸部を含む版面１ａを備える。金型１Ｃの版面１ａは、配線パターンに応じた凸部を備える。金型１Ｃは、数ｎｍから数μｍ程度の線幅の配線パターンを絶縁性樹脂に形成することができる。金型１Ｃは種々の方法で作製が可能であるが、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて作製することができる。具体的には、ガラス基板にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストをパターニングし、パターニングされたレジストの表面にスパッタ又は無電解めっき等でメタルコートを施し、電解めっきによりニッケル（Ｎｉ）や銅（Ｃｕ）からなる金属層を形成し、この金属層からガラス基板を剥離し、金属層上に残存したレジストを除去する、という手法を用いることができる。その他、電子線描画及びドライエッチングによるシリコンや石英の加工により作製してもよい。また、この金型１Ｃとしては、市販のナノインプリントモールド等を使用することができる。

　以下、図５４～図６０に基づいて金型１、１Ｃを用いた配線板の製造方法を説明し、図６１に基づいて、作製された配線板について説明する。

　本実施形態では、上述した図５３に示すビア用の金型１と配線用の金型１Ｃを用いて、いわゆるインプリント法により配線板を得る。

　まず、図５４に示すように、配線用の金型１Ｃを絶縁性基材３０の主面に対向させて配置する。配線用の金型１Ｃの版面１ａには配線パターンに応じた凸部２１～２７が形成されている。絶縁性基材３０の材料は、第１実施形態と同じである。そして、図５５に示すように、第１実施形態と同じ条件で金型１Ｃを絶縁性基材３０に接近させ（矢印Ｐ１に沿って移動させ）、型押しをする。例えば１３０～１７０℃、０．８～１．２ＭＰａの加熱プレスにより凸部２１～２７を圧入する。金型１Ｃ及び絶縁性基材３０をガラス転移温度（Ｔｇ）未満に冷却し、図５６に示すように、金型１Ｃを絶縁性基材３０から離隔する方向（矢印Ｐ２）に離型する。

　特に限定されないが、絶縁性基材３０としては熱硬化性樹脂である味の素ビルドアップフィルム（ＡＢＦ：Ajinomoto Build-Up Film）を用い、１３０～１７０℃、８～１２ＭＰａで加熱プレスする。

　図５６に示すように、絶縁性基材３０の主面には、配線パターンに応じた凹部３３１～３３７が形成される。

　次に、図５７に示すように、ビア用の金型１を、この金型１の突起部１１，１２が絶縁性基材３０の一方主面に形成された凹部３３１～３３７に突き当たるように、絶縁性基材３０の主面に対向させて配置する。そして、図５８に示すように、第１実施形態と同じ条件で金型１を絶縁性基材３０に接近させ（矢印Ｐ１に沿って移動させ）、型押しをする。例えば１３０～１７０℃、０．８～１．２ＭＰａの加熱プレスにより突起部１１，１２を圧入する。金型１及び絶縁性基材３０をガラス転移温度（Ｔｇ）未満に冷却し、図５９に示すように、金型１を絶縁性基材３０から離隔する方向（矢印Ｐ２）に離型する。絶縁性基材３０が熱硬化性樹脂である場合には、オーブン等により例えば１６０～２００℃、４０分～８０分間加熱し、絶縁性基材３０を完全に硬化させる。他方、絶縁性基材３０が熱可塑性樹脂の場合には冷却して硬化させる。

　ここで、突起部１１，１２の型締め方向（図中上下方向）の高さを絶縁性基材３０の厚さよりも高くすることにより、金型１と絶縁性基材３０とが接触しないようにすることができるので、絶縁性基材３０の凹部３３１～３３７の型崩れを防止することができる。

　これにより、金型１の版面１ａのビアパターンに応じた形状、金型１Ｃの版面１ａの配線パターンに応じた形状を絶縁性基材３０の主面に転写することができる。同図に示すように、金型１を離型すると、絶縁性基材３０には金型１Ｃの凸部２１～２７に応じた凹部３３１～３３７が形成されるとともに、金型１の突起部１１，１２の形状に応じた孔３１Ｖ，３２Ｖが形成される。

　図５９に示すように、この孔３１Ｖ，３２Ｖは、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの周囲に曲率を有する内側壁３１１Ｖａ，３２１Ｖａと、底面に向かうにつれて内径が漸減する傾斜壁３１３Ｖａ，３２３Ｖａとを有する。具体的に、絶縁性基材３０に形成された孔３１Ｖ，３２Ｖは、同図に示すように、曲率を有する内側壁３１１Ｖａ，３２１Ｖａが開口部３１１Ｖ，３２１Ｖに形成され、絶縁性基材３０の凹部３３１～３３７に曲率を有して連なる。この孔３１Ｖ，３２Ｖは、開口部３１１Ｖ，３２１Ｖから底部３１２Ｖ，３２２Ｖに近づくにつれて外径が細くなる傾斜壁３１３Ｖａ，３２３Ｖａを備えた胴部３１３Ｖ，３２３Ｖを有する。特に限定されないが、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖの開口部３１１Ｖ，３２１Ｖの径は、２μｍ以上、かつ３５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上、かつ１５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上、かつ１０μｍ未満である。また、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖの底部３１２Ｖ，３２２Ｖの径は、１μｍ以上、かつ３０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上、かつ１０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上、かつ５μｍ以下である。深さは、１μｍ以上、かつ５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上、かつ４０μｍ以下である。一例ではあるが、本実施形態の孔３１Ｖ，３２Ｖは、直径１０μｍ程度、深さ１５μｍ程度である。

　図５９に示すように、金型１が絶縁性基材３０を貫通せずに、孔３１Ｖ，３２Ｖの底に樹脂が残る場合は、図６０に示すように化学的又は機械的な研磨により除去し、孔３１Ｖ，３２Ｖを貫通させることができる。

　図６０に示す絶縁性基材３０下面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストをパターニングした後にめっきを行うことにより、孔３１Ｖ，３２Ｖ及び凹部３３１～３３７に導電材料を充填する。

　このめっき処理により、ビアパターン１１Ｖ、１２Ｖと、第１配線パターン５１～５７と、第２配線パターン６１，６２とを同時に形成することができる。また、絶縁性基材３０上面に導電ペーストを印刷・焼結することによりビアパターン１１Ｖ、１２Ｖと、第１配線パターン５１～５７と、第２配線パターン６１，６２とを同時に形成することもできる。また、ナノペーストの余剰部分が残存する場合には研磨又はエッチング等により除去する。

　図６１は、本実施形態に係る配線板１００を示す。図６１に示すように、本実施形態の配線板１００は、絶縁性基材３０と、絶縁性基材３０の一方主面に形成された第１配線パターン５１～５７と、絶縁性基材３０の他方主面に形成された第２配線パターン６１，６２と絶縁性基材３０の一方主面側から他方主面側に貫通し、第１配線パターン５１～５７及び第２配線パターン６１，６２と導通するビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと、を備えている。

　本実施形態の配線板１００の第１配線パターン５１～５７は、絶縁性基材３０の一方主面（図中上側）から絶縁性基材３０の内部側へ向かって凸状に、埋設された状態で形成されている。このため、第１配線パターン５１～５７の上側面が絶縁性基材３０の主面と同じ高さであり、第１配線パターン５１～５７が形成されているにもかかわらず、絶縁性基材３０の主面を平坦にすることができる。このため、第１配線パターン５１～５７が埋設された絶縁性基材３０の上に、配置位置の制限を受けずに他の部品の実装や、他の配線板１００の積層をすることができる。また、複数の配線板１００を積層しても、全体が平坦な積層型の配線板を作製することができる。

　本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖは、同図に示すように、第１配線パターン５２，５６と曲率を有する接続曲面１１１Ｖａ、１２１Ｖａで連なる接続基部１１１Ｖ，１２１Ｖと、接続基部１１１Ｖ，１２１Ｖからビアパターン１１Ｖ，１２Ｖの先端に近づくにつれて外径が細くなる錐状部１１３Ｖ，１２３Ｖと、を有する。

　同図に示すように、本実施形態のビアパターン１１Ｖ，１２Ｖは、第１配線パターン５２，５６と曲率を有する曲面１１１Ｖａ，１２１Ｖａを有し、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと第１配線パターン５２，５６とは曲面１１１Ｖａ，１２１Ｖａを介して滑らかに連なり、一体として形成されているため、上述の実施形態の配線板と同様の作用を有し、同様の効果を奏する。

（第６実施形態）
　以下、第６実施形態について説明する。第６実施形態は、第５実施形態に係る配線板１００を用いて積層型の配線板を製造する方法と、この製造方法により得られた積層型の配線板について説明する。共通する事項についての詳細な説明は上述の実施形態に係る説明を援用する。

　（１）図６２に示すように、先述した第５実施形態の配線板１００を準備し、配線板１００の最上面（露出している面）に、この配線板１００で用いられている絶縁性基材３０以外の他の絶縁性基材３０ａを積層する（第１積層工程）。絶縁性基材３０ａは、配線板１００の絶縁性基材３０と同じ材料を用いることができる。

　（２）次に、金型１Ｃを準備する。金型１Ｃの構造は第５実施形態において説明した金型１Ｃと共通する。同図に示すように、金型１Ｃを配線板１００の最上層面側に積層された絶縁性基材３０ａに平行に配置する。金型１Ｃの版面１ａに形成された凸部２１～２７は絶縁性基材３０ａに対向している。

　（３）絶縁性基材３０ａをガラス転移温度以上になるまで加熱し、図６３に示すように、金型１Ｃを絶縁性基材３０ａの方向に移動し、さらに凸部２１～２７を絶縁性基材３０ａに圧入する。
　（４）続いて、図６４に示すように、金型１Ｃを絶縁性基材３０ａから離型し、金型１Ｃの凸部２１～２７に応じた形状の凹部３３１ａ～３３７ａを絶縁性基材３０に形成する（第２積層工程）。

　（３）次に、金型１を準備する。金型１の構造は第５実施形態において説明した金型１と共通するので、ここでは説明を省略する。図６５に示すように、金型１を配線板１００の最上層面側に積層された絶縁性基材３０ａに平行に配置する。この絶縁性基材３０ａには凹部３３１ａ～３３７ａが形成されている。金型１の版面１ａに形成された突起部１１，１２の頂部１１２，１２２は、絶縁性基材３０ａの凹部３３２ａ，３３６ａに対向している。

　（４）絶縁性基材３０ａをガラス転移温度以上になるまで加熱し、図６６に示すように、金型１を絶縁性基材３０ａの方向に移動し、さらに突起部１１，１２を絶縁性基材３０ａに圧入する。

　（５）続いて、金型１を絶縁性基材３０ａから離型する。この際、突起部１１，１２の基部１１１，１１２は曲率を有するため、突起部１１，１２が角度をもって金型１に連なる場合よりも離型しやすい。絶縁性基材３０ａが熱硬化性樹脂である場合にはオーブン等により加熱して硬化させる。絶縁性基材３０ａが熱可塑性樹脂の場合には冷却して硬化させる。

　図６７に示すように、金型１の離型後の絶縁性基材３０ａには、金型１の突起部１１，１２の形状に応じた孔３１Ｖａ，３２Ｖａと、第１配線パターンに応じた凹部３３１ａ～３３７ａが形成されている（第３積層工程）。

　（６）絶縁性基材３０ａの孔３１Ｖａ，３２Ｖａの底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａが貫通されず、樹脂が残存している場合は、図６８に示すように、孔３１Ｖａ，３２Ｖａの開口部からプラズマ照射、薬液散布を行うか又はサンドブラスト処理を行い、孔３１Ｖａ，３２Ｖａの底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａを貫通させることができる。

　（７）図６８の配線板１００にめっき又は導電ペーストを印刷・焼結し、凹部３３１ａ～３３７ａ及び孔３１Ｖａ，３２Ｖａに導電材料を充填することにより、第１の配線パターン及びビアパターンを形成する（第４積層工程）。また、ナノペーストの余剰部分が残存する場合には研磨又はエッチング等により除去する。
　（８）上述の第１積層工程から第４積層工程により、配線板１００と層間導通がされた積層型の配線板１０００を得ることができる。図６９は、第１積層工程から第４積層工程を３回繰り返し、配線板１００に、配線板１００ａ，１００ｃ，１００ｄを積層させた積層型の配線板１０００の例を示す。上述した第１積層工程から第４積層工程は、目的とする配線板１０００の積層数に応じた回数だけ繰り返すことができる。

　本実施形態に係る積層型の配線板１０００は、上記実施形態と同様に、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖ（１１Ｖa，１１Ｖｃ，１１Ｖｄ，１２Ｖａ，１２Ｖｃ，１２Ｖｄ）が、第１配線パターン５１～５７（５１ａ～５７ａ，５１ｃ～５７ｃ，５１ｄ～５７ｄ）と曲率を有して連なり、第１配線パターン５１～５７（５１ａ～５７ａ，５１ｃ～５７ｃ，５１ｄ～５７ｄ）との接続部分からビアの頭頂部に近づくにつれて外径が細くなる形状を有するので、上述の実施形態と同様の作用を奏し、同様の効果を奏する。

　また、本実施形態に係る積層型の配線板１０００は、上述の実施形態と同様に、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖ（１１Ｖa，１１Ｖｃ，１１Ｖｄ，１２Ｖａ，１２Ｖｃ，１２Ｖｄ）が、第１配線パターン５１～５７（５１ａ～５７ａ，５１ｃ～５７ｃ，５１ｄ～５７ｄ）とが界面のない状態で一体に形成されているので、上述の実施形態と同様の作用を奏し、同様の効果を奏する。

　なお、図６９に配線板１００，１００ａ，１００ｃ，１００ｄを有する積層型の配線板１０００を示したが、配線板１００の積層数は限定されない。また、積層される各配線板の第１配線パターン５１～５７（５１ａ～５７ａ，５１ｃ～５７ｃ，５１ｄ～５７ｄ）は、共通の態様であってもよいし、異なる態様であってもよい。

（第７実施形態）
　以下、図７０～図８２に基づいて第７実施形態の配線板の製造方法及びこの製造方法により製造される配線板１００について説明する。本実施形態の配線板の製造方法は、第５実施形態と基本的に共通するため、重複する説明を避け、第５実施形態の説明を援用する。

　本実施形態における配線板の製造方法は、大きく分けて、使用する金型を準備する工程と、準備した金型を用いて配線板を作製する工程の２つの工程を有する。先に金型の製造方法及び製造された金型を説明し、そして、この金型を用いた配線板の製造方法及び製造された配線板を説明する。

　まず、本実施形態では、ビア用の金型１と配線パターン用の金型１Ｃの、二つの金型を準備する。

　ビア用の金型１の製造方法は、第５実施形態と共通する。まず、図７０に示す樹脂板体３と支持板２の積層体を準備し、樹脂板体３を硬化させる。次に、図７１に示すように、第１実施形態と同様の手法により、レーザー又は電子線（ＥＢ）を樹脂板体３の主面に照射して孔３１，３２を形成する。本実施形態の樹脂板体３の孔３１，３２の開口部３１１，３２１の内側壁３１１ａ，３２１ａは、樹脂板体３の主面に曲率を有する曲面で連なるように形成されている。また、孔３１，３２は、開口部３１１，３２１に連なり深さ方向に傾きを有する傾斜壁３１３ａ，３２３ａを有し、底部３１２，３２２で連なっている。孔３１，３２の径の大きさ、深さ、アスペクト比は、第５実施形態と共通する。

　続いて、第１実施形態と同様の手法で、後に行われるめっき処理等においてシード層となる導電層を形成する。そして、図７２に示すように、金型材料を用いて樹脂板体３に形成された孔３１，３２を充填するとともに樹脂板体３の主面を覆う。具体的には、めっきにより、金型材料を樹脂板体３に形成された孔３１，３２を充填するとともに、樹脂板体３の主面を覆う。めっきの手法などは第１実施形態と共通する。そして、図７３に示すように、支持板２を塩化第二鉄などのエッチング液により除去する。最後に、樹脂板体３を水酸化ナトリウム水溶液等により膨潤剥離し、図７４に示す金型１を得る。

　本実施形態では、突起部１１，１２の型締め方向（図中上下方向）の高さを、絶縁性基材３０の厚さよりも厚く構成する。これは突起部１１，１２を絶縁性基材３０に圧入したときに金型１が絶縁性基材３０に接触し、後述する先に絶縁性基材３０に形成されている凹部３３１～３３７の型崩れを防止することができる。

　図７４は、型締め方向（図中矢印Ｍ）に沿う、本実施形態の金型１の断面図である。図７４に示すように、金型１の版面１ａは、この版面１ａの主面側に凸状に形成された突起部１１，１２を少なくとも有する。版面１ａと突起部１１，１２との間に界面はなく、突起部１１，１２は版面１ａの一部を構成する。突起部１１，１２の太さ(径)、長さ及びアスペクト比は、第５実施形態と共通する。本実施形態における突起部１１，１２は、曲面１１１ａ，１２１ａを有する基部１１１，１２１と、この基部１１１，１２１から突起部１１，１２の頂部１１２，１２２にかけて先細りとなる傾斜部１１３，１２３と、を有する。

　並行して、もう一方の、配線用の金型１Ｃを準備する。配線用の金型１Ｃは、第５実施形態と同じである。

　以下、図７５～図８１に基づいて金型１、１Ｃを用いた配線板の製造方法を説明し、図８２に基づいて、作製された配線板について説明する。

　本実施形態では、上述した図７４に示すビア用の金型１と配線用の金型１Ｃを用いて、いわゆるインプリント法により配線板を得る。

　まず、図７５に示すように、配線用の金型１Ｃを絶縁性基材３０の主面に対向させて配置する。そして、図７６に示すように、第５実施形態と同じ条件で金型１Ｃを絶縁性基材３０に接近させ（矢印Ｐ１に沿って移動させ）、熱プレス加工をする。金型１Ｃ及び絶縁性基材３０をガラス転移温度（Ｔｇ）未満に冷却し、図７７に示すように、金型１Ｃを絶縁性基材３０から離隔する方向（矢印Ｐ２）に離型する。これにより、絶縁性基材３０の主面には、配線パターンに応じた凹部３３１～３３７が形成される。

　次に、図７８に示すように、ビア用の金型１を凹部３３１～３３７が形成された絶縁性基材３０の主面に対向させて配置する。このとき、ビア用の金型１を、この金型１の突起部１１，１２が絶縁性基材３０の一方主面に形成された凹部３３１～３３７に突き当たるように配置する。そして、図７９に示すように、第５実施形態と同じ条件で金型１を絶縁性基材３０に接近させ（矢印Ｐ１に沿って移動させ）、熱プレス加工をする。金型１及び絶縁性基材３０をガラス転移温度（Ｔｇ）未満に冷却し、図８０に示すように、金型１を絶縁性基材３０から離隔する方向（矢印Ｐ２）に離型する。

　図８０に示すように、金型１が絶縁性基材３０を貫通せずに、孔３１Ｖ，３２Ｖの底に樹脂が残る場合は、図８１に示すように化学的又は機械的な研磨により除去し、孔３１Ｖ，３２Ｖを貫通させることができる。

　図８１に示す絶縁性基材３０下面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストをパターニングした後にめっきを行うことにより、孔３１Ｖ，３２Ｖに導電材料を充填する。

　図８２は、本実施形態に係る配線板１００を示す。図８２に示すように、本実施形態の配線板１００は、絶縁性基材３０と、絶縁性基材３０の一方主面に形成された第１配線パターン５１～５７と、絶縁性基材３０の他方主面に形成された第２配線パターン６１，６２と絶縁性基材３０の一方主面側から他方主面側に貫通し、第１配線パターン５１～５７及び第２配線パターン６１，６２と導通するビアパターン１１Ｖ，１２Ｖと、を備えている。本実施形態の配線板１００の第１配線パターン５１～５７は、絶縁性基材３０の一方主面（図中上側）から、この絶縁性基材３０の内部側に向かって凸状に、埋設された状態で形成されている。

　このため、本実施形態の配線板１００は、第５実施形態の配線板と同様の作用及び効果を奏する。

（第８実施形態）
　以下、第８実施形態について説明する。第８実施形態は、第７実施形態に係る配線板１００を用いて積層型の配線板を製造する方法と、この製造方法により得られた積層型の配線板について説明する。共通する事項についての詳細な説明は上述の実施形態に係る説明を援用する。

　（１）図８３に示すように、第７実施形態の配線板１００を準備し、配線板１００の最上面（露出している面）に、この配線板１００で用いられている絶縁性基材３０以外の他の絶縁性基材３０ａを積層する（第１積層工程）。絶縁性基材３０ａは、配線板１００の絶縁性基材３０と同じ材料を用いることができる。

　（２）次に、金型１Ｃを準備する。金型１Ｃは第５実施形態において説明した金型１Ｃと共通する。同図に示すように、金型１Ｃを配線板１００の最上層面側に積層された絶縁性基材３０ａに平行に配置する。金型１Ｃの版面１ａに形成された凸部２１～２７は絶縁性基材３０ａに対向している。

　（３）絶縁性基材３０ａをガラス転移温度以上になるまで加熱し、図８４に示すように、金型１Ｃを絶縁性基材３０ａの方向に移動し、さらに凸部２１～２７を絶縁性基材３０ａに圧入する。
　（４）続いて、図８５に示すように、金型１Ｃを絶縁性基材３０ａから離型し、金型１Ｃの凸部２１～２７に応じた形状の凹部３３１ａ～３３７ａを絶縁性基材３０ａに形成する（第２積層工程）。

　（３）次に、金型１を準備する。金型１の構造は第７実施形態において説明した金型１と共通する。図８６に示すように、金型１を配線板１００の最上層面側に積層された絶縁性基材３０ａに平行に配置する。この絶縁性基材３０ａには凹部３３１ａ～３３７ａが形成されている。金型１の版面１ａに形成された突起部１１，１２の頂部１１２，１２２は、絶縁性基材３０ａの凹部３３２ａ，３３６ａに突き当たるように対向している。

　（４）絶縁性基材３０ａをガラス転移温度以上になるまで加熱し、図８７に示すように、金型１を絶縁性基材３０ａの方向に移動し、さらに突起部１１，１２を絶縁性基材３０ａに圧入する。

　（５）続いて、金型１を絶縁性基材３０ａから離型する。図８８に示すように、金型１の離型後の絶縁性基材３０ａには、金型１の突起部１１，１２の形状に応じた孔３１Ｖａ，３２Ｖａと、第１配線パターンに応じた凹部３３１ａ～３３７ａが形成されている（第３積層工程）。

　（６）絶縁性基材３０ａの孔３１Ｖａ，３２Ｖａの底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａが貫通されず、樹脂が残存している場合は、図８９に示すように、孔３１Ｖａ，３２Ｖａの開口部からプラズマ照射、薬液散布を行うか又はサンドブラスト処理を行い、孔３１Ｖａ，３２Ｖａの底部３１２Ｖａ、３２２Ｖａを貫通させることができる。

　（７）図８９の配線板１００にめっき又は導電ペーストを印刷・焼結し、凹部３３１ａ～３３７ａ及び孔３１Ｖａ，３２Ｖａに導電材料を充填することにより、第１の配線パターン及びビアパターンを形成する（第４積層工程）。
　（８）上述の第１積層工程から第４積層工程により、配線板１００と層間導通がされた積層型の配線板１０００を得ることができる。図９０は、第１積層工程から第４積層工程を３回繰り返し、配線板１００に、配線板１００ａ，１００ｃ，１００ｄが積層された積層型の配線板１０００の例を示す図である。上述した第１積層工程から第４積層工程は、目的とする配線板１０００の積層数に応じた回数だけ繰り返すことができる。

　本実施形態に係る積層型の配線板１０００は、上述の実施形態と同様に、ビアパターン１１Ｖ，１２Ｖ（１１Ｖa，１１Ｖｃ，１１Ｖｄ，１２Ｖａ，１２Ｖｃ，１２Ｖｄ）と、第１配線パターン５１～５７（５１ａ～５７ａ，５１ｃ～５７ｃ，５１ｄ～５７ｄ）とが界面のない状態で一体に形成されているので、上述の実施形態と同様の作用を奏し、同様の効果を奏する。

　なお、図９０に配線板１００，１００ａ，１００ｃ，１００ｄを有する積層型の配線板１０００を示したが、配線板１００の積層数は限定されない。また、積層される各配線板の第１配線パターン５１～５７（５１ａ～５７ａ，５１ｃ～５７ｃ，５１ｄ～５７ｄ）は、共通の態様であってもよいし、異なる態様であってもよい。

　以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

１００…配線板
１０００…積層型の配線板
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…金型
　１ａ…版面
　　１１，１２…突起部
　　　１１１，１２１…基部
　　　１１１ａ，１２１ａ…曲面
　　　１１２，１２２…頂部
　　　１１３，１２３…傾斜部
　　２１～２７…凸部
　２…支持板
　３…樹脂板体
　　３１，３２…孔
　３１１，３２１…開口部
　　３１２，３２２…底部
　　３１３，３２３…胴部
　　３１３ａ，３２３ａ…傾斜壁
　４…レジスト層
　　４１～４７…溝
　　１１Ｖ，１２Ｖ，１１Ｖａ～１１Ｖｄ，１２Ｖａ～１２Ｖｄ，…ビアパターン
　　　１１１Ｖ，１２１Ｖ…接続基部
　　　１１１Ｖａ，１２１Ｖａ…接続曲面
　　　１１２Ｖ，１２２Ｖ…頭頂部
　　　１１３Ｖ，１２３Ｖ…錐状部
　３０，３０ａ～３０ｄ…絶縁性基材
　　３１Ｖ，３２Ｖ、３１Ｖａ，３２Ｖａ，３１Ｖｂ、３２Ｖｂ…孔
　　３１１Ｖ，３２１Ｖ…開口部
　　３１１Ｖａ，３２１Ｖａ…内側壁
　　３１２Ｖ，３２２Ｖ，３１２Ｖａ，３２２Ｖａ，３１２Ｖｂ，３２２Ｖｂ…底部
　　３１３Ｖ，３２３Ｖ…胴部
　　３１３Ｖａ，３２３Ｖａ…傾斜壁
　　３３１～３３７，３３１ａ～３３７ａ…凹部
　５１～５７，５１ａ～５７ａ，５１ｂ～５７ｂ…第１配線パターン
　６１～６２…第２配線パターン

Claims

　配線板のパターンの一部を構成するビアパターンに応じて形成された突起部を含む版面を備え、前記突起部が前記版面の主面に曲率を有して連なる基部と、前記基部から前記突起部の頂部に近づくにつれて外径が細くなる傾斜部とを有する金型を準備する工程と、
　軟化させた絶縁性基材の一方主面に前記金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔を前記絶縁性基材に形成する工程と、
　絶縁性基材の一方主面に、前記パターンの一部を構成する配線パターンに応じた凹部を形成する工程と、
　前記絶縁性基材に形成された前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する工程と、を有する配線板の製造方法。
　請求項１の配線板の製造方法により得られた配線板を準備し、当該配線板の最上面及び／又は最下面に他の絶縁性基材を積層する第１積層工程と、
　前記積層された絶縁性基材の表面に前記金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔を前記絶縁性基材に形成する第２積層工程と、
　前記積層された絶縁性基材の主面に、前記パターンの一部を構成する配線パターンに応じた凹部を形成する第３積層工程と、
　前記絶縁性基材に形成された前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する第４積層工程と、を有し、
　前記配線板の積層数に応じて、前記第１積層工程乃至前記第４積層工程を一回又は二回以上行うことを特徴とする積層型の配線板の製造方法。
　配線板のパターンの一部を構成するビアパターンに応じて形成された突起部と、前記パターンの一部を構成する配線パターンに応じて形成された凸部とを含む版面を備え、前記突起部が前記凸部の上面に曲率を有して連なる基部と、前記基部から前記突起部の頂部に近づくにつれて外径が細くなる傾斜部とを有する金型を準備する工程と、
　前記金型の版面を軟化させた絶縁性基材の一方主面に押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔と前記凸部の形状に応じた凹部を前記絶縁性基材に形成する工程と、
　前記絶縁性基材に形成された前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する工程と、を有する配線板の製造方法。
　請求項３の配線板の製造方法により得られた配線板を準備し、当該配線板の最上面及び／又は最下面に他の絶縁性基材を積層する第１積層工程と、
　前記積層された絶縁性基材の表面に前記金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔と前記凸部の形状に応じた凹部を前記絶縁性基材に形成する第２積層工程と、
　前記絶縁性基材に形成された、前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する第３積層工程と、を有し、
　前記配線板の積層数に応じて、前記第１積層工程乃至前記第３積層工程を一回又は二回以上行うことを特徴とする積層型の配線板の製造方法。
　配線板のパターンの一部を構成するビアパターンに応じて形成された突起部を含む版面を備え、曲面を有する基部と、前記基部から前記突起部の頂部に近づくにつれて外径が細くなる傾斜部とを有するビア用の金型を準備する工程と、
　前記パターンの一部を構成する配線パターンに応じて形成された凸部を含む版面を備える配線用の金型を準備する工程と、
　前記配線用の金型の版面を軟化させた絶縁性基材の一方主面に押し当てた後に離型して、前記凸部に応じた形状の凹部を前記絶縁性基材に形成する工程と、
　前記絶縁性基材の一方主面に形成された凹部に前記突起部が突き当たるように、前記絶縁性基材の一方主面に前記ビア用の金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔を前記絶縁性基材に形成する工程と、
　前記絶縁性基材に形成された、前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する工程と、を有する配線板の製造方法。
　請求項５の配線板の製造方法により得られた配線板を準備し、当該配線板の最上面及び／又は最下面に他の絶縁性基材を積層する第１積層工程と、
　前記配線用の金型の版面を軟化させた前記絶縁性基材の表面に押し当てた後に離型して、前記凸部に応じた形状の凹部を前記絶縁性基材に形成する第２積層工程と、
　前記絶縁性基材の表面に形成された凹部に前記突起部が突き当たるように、前記絶縁性基材の表面に前記ビア用の金型の版面を押し当てた後に離型して、前記突起部の形状に応じた孔を前記絶縁性基材に形成する第３積層工程と、
　前記絶縁性基材に形成された、前記孔と前記凹部に導電材料を充填して互いに導通可能なビアパターン及び配線パターンを形成する第４積層工程と、を有し、
　前記配線板の積層数に応じて、前記第１積層工程乃至前記第４積層工程を一回又は二回以上行うことを特徴とする積層型の配線板の製造方法。
　請求項１～６の何れか一項に記載の配線板の製造方法において、
　前記絶縁性基材の他方主面に、前記ビアパターンと導通する配線パターンに応じた下層凹部を形成する工程をさらに有し、
　前記孔に導電材料を充填する工程において、前記絶縁性基材の他方主面に形成された前記下層凹部に導電材料を充填することを特徴とする配線板の製造方法。
　請求項１～７の何れか一項に記載の配線板の製造方法において、
　前記突起部の頂部は曲面を有することを特徴とする配線板の製造方法。
　請求項１～８の何れか一項に記載の配線板の製造方法において、
　前記絶縁性基材に孔を形成する工程の後に、
前記孔の底部の絶縁性基材を除去し、前記孔を貫通させる工程をさらに有することを特徴とする配線板の製造方法。
　絶縁性基材と、
　前記絶縁性基材の一方主面に形成された配線パターンと、
　前記絶縁性基材の一方主面側から他方主面側に貫通し、前記配線パターンと導通するビアパターンと、を備え、
　前記ビアパターンは、前記配線パターンと曲率を有して連なる接続基部と、前記接続基部からビアパターンの頭頂部に近づくにつれて外径が細くなる錐状部と、を有することを特徴とする配線板。
　請求項１０に記載の配線板であって、
　前記配線パターンと前記ビアパターンとは、界面のない状態で一体に形成されていることを特徴とする配線板。
　請求項１０又は１１に記載の配線板であって、
　前記配線パターンは、前記絶縁性基材の主面に、当該主面の外部側に向かって凸状に形成されていることを特徴とする配線板。
　請求項１０又は１１に記載の配線板であって、
　前記配線パターンは、前記絶縁性基材の主面に、当該主面の内部側に向かって凸状に埋設された状態で形成されていることを特徴とする配線板。
　請求項１０～１３の何れか一項に記載の配線板であって、
　前記ビアパターンは、フィルドビアであることを特徴とする配線板。
　請求項１０～１４の何れか一項に記載の配線板であって、
　前記ビアパターンの接続基部の径は２μｍ以上、かつ３５μｍ以下であることを特徴とする配線板。
　請求項１５の何れか一項に記載の配線板であって、
　前記ビアパターンの頭頂部の径は１μｍ以上、かつ３０μｍ以下であることを特徴とする配線板。