WO2011040179A1 - 弾性波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

弾性波デバイスおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011040179A1
WO2011040179A1 PCT/JP2010/065099 JP2010065099W WO2011040179A1 WO 2011040179 A1 WO2011040179 A1 WO 2011040179A1 JP 2010065099 W JP2010065099 W JP 2010065099W WO 2011040179 A1 WO2011040179 A1 WO 2011040179A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silicon oxide
oxide film
substrate
acoustic wave
wave device
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/065099
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
聡 松田
隆志 松田
道雄 三浦
Original Assignee
太陽誘電株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 太陽誘電株式会社 filed Critical 太陽誘電株式会社
Publication of WO2011040179A1 publication Critical patent/WO2011040179A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device and a method for manufacturing the same, for example, an acoustic wave device including a silicon oxide film and a method for manufacturing the same.
  • the acoustic wave device is used as a filter for wireless devices, for example.
  • a temperature coefficient (TCF) of a frequency such as a pass band of a filter or a resonance frequency of a resonator.
  • TCF temperature coefficient
  • a surface acoustic wave device the absolute value of TCF is reduced by forming a silicon oxide film having a temperature coefficient opposite to that of a piezoelectric substrate such as LiTaO 3 (LT) or LiNbO 3 (LN) on the piezoelectric substrate. It is known that it can be performed (for example, Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2).
  • Non-Patent Document 3 a method for improving TCF by forming a silicon oxide film on a LN substrate by using a sputtering method has been studied (for example, Non-Patent Document 3). It is known that a silicon oxide film formed by sputtering is a film having a stoichiometric composition and has few impurities.
  • the temperature dependency of the frequency can be improved by reducing impurities such as hydroxyl groups or water molecules in the silicon oxide film. Furthermore, it is required to suppress the temperature dependence of the frequency.
  • An object of the present acoustic wave device and the manufacturing method thereof is to improve the temperature dependence of the frequency of the acoustic wave device and to suppress the production variation of TCF in the acoustic wave device.
  • a first film formation step for forming a silicon oxide film For example, a first film formation step for forming a silicon oxide film, a measurement step for measuring a numerical value related to the stretching vibration of Si—O bond of the silicon oxide film, and if the numerical value is within a target range, And a second film formation step of forming a silicon oxide film using the conditions used in the first film formation step.
  • an acoustic wave device including a piezoelectric substrate that is an LN substrate or an LT substrate, a comb-shaped electrode formed on the piezoelectric substrate, and a silicon oxide film formed on the piezoelectric substrate and the comb-shaped electrode.
  • the silicon oxide film has a peak wave number of stretching vibration of Si—O bond of 1072 cm ⁇ 1 or more, or a peak wave number of transverse optical mode of stretching vibration of Si—O bond of 1063 cm ⁇ 1 or more, or of Si—O bond.
  • the full width at half maximum of the transverse wave optical mode of stretching vibration is 92 cm ⁇ 1 or less.
  • the temperature dependence of the frequency of the acoustic wave device can be improved, and the TCF manufacturing variation in the acoustic wave device can be suppressed.
  • FIG. 1 shows the FTIR measurement results of the silicon oxide film.
  • FIG. 2A and FIG. 2B are diagrams illustrating an example of a resonator manufactured for measuring TCF.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of the FTIR measurement result of the stretching vibration of the Si—O bond.
  • FIG. 4A and FIG. 4B are diagrams showing TCF with respect to the peak wave number.
  • FIG. 5 is a diagram showing the TCF with respect to the half width.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 7A to FIG. 7C are cross-sectional views showing manufacturing steps of the acoustic wave device.
  • FIG. 7A to FIG. 7C are cross-sectional views showing manufacturing steps of the acoustic wave device.
  • FIG. 8 is a diagram showing the insertion loss with respect to the film thickness H / ⁇ obtained by normalizing the film thickness H of the silicon oxide film with the wavelength ⁇ of the elastic wave.
  • FIG. 9 is a diagram showing insertion loss with respect to the deposition temperature of the silicon oxide film.
  • a silicon oxide film having the same film thickness is formed on the LN substrate by using either a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or a sputtering method, and the amounts of hydroxyl groups and water molecules in the silicon oxide film using the FTIR method are determined. It was measured.
  • FIG. 1 shows the FTIR measurement results of the silicon oxide film.
  • the result of the silicon oxide film formed using the CVD method is indicated by a black line, and the result of the silicon oxide film formed using the sputtering method is indicated by a gray line.
  • the absorption by the hydroxyl group has a wave number around 3678 cm ⁇ 1
  • the absorption by the water molecule has a wave number of 2500 to 3500 cm ⁇ 1 , as shown in FIG. 1, compared to the silicon oxide film formed by the CVD method. It can be seen that the hydroxyl group and water molecule concentrations in the formed silicon oxide film are low.
  • a silicon oxide film was formed on the comb-shaped electrode formed on the LN substrate.
  • the silicon oxide film was formed under the same conditions as the silicon oxide film on which the experiment of FIG. 1 was performed. Further, a silicon oxide film having the same film thickness was formed by the CVD method and the sputtering method.
  • the resonator was fabricated in this way, and the TCF of the resonance frequency was measured.
  • the resonator using the silicon oxide film formed by the CVD method was changed to the resonator using the silicon oxide film formed by the sputtering method.
  • the TCF value was improved by about 10 ppm / ° C. *
  • Non-Patent Documents 1 to 3 contradicts the idea in Non-Patent Documents 1 to 3 that the temperature dependence of the frequency can be improved by reducing impurities such as hydroxyl groups or water molecules in the silicon oxide film. As described above, it has been found that improvement of TCF is insufficient only by the methods of Non-Patent Documents 1 to 3. *
  • FIG. 2A and FIG. 2B are diagrams illustrating an example of a resonator manufactured for measuring TCF.
  • 2A is a top view
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2A.
  • the comb electrode 12 is provided between the reflectors 13.
  • a comb electrode 12 and a reflector 13 are formed on a piezoelectric substrate 10 made of an LN substrate.
  • the comb electrode 12 and the reflector 13 are mainly composed of Cu (copper).
  • a silicon oxide film 16 is provided on the piezoelectric substrate 10, the comb electrode 12, and the reflector 13 so as to cover the comb electrode 12 and the reflector 13.
  • the film thickness of the silicon oxide film 16 was 0.3 ⁇ . ⁇ is the wavelength of the elastic wave and corresponds to the period of the electrode fingers of the comb electrode 12.
  • the silicon oxide film 16 is preferably thicker than the comb electrode 12.
  • the thickness of the silicon oxide film 16 between the electrode fingers is preferably larger than the thickness of the comb electrode 12.
  • the silicon oxide film 16 was formed using various deposition conditions using the CVD method. As film forming conditions, the pressure, the source gas, the flow rate of the source gas, and the high-frequency output (high-frequency power for generating plasma) were changed. The temperature coefficient of the anti-resonance frequency was measured for the resonator formed by film formation using various film formation conditions. On the other hand, a silicon oxide film formed under the same film formation conditions as the silicon oxide film 16 of the resonator was measured using the FTIR method.
  • the FTIR method is a measurement method in which a substance is irradiated with infrared light, and the composition of the substance is examined from the amount of absorption of infrared light having energy corresponding to the vibration energy of molecules. Here, attention was paid to the absorption waveform of the stretching vibration of the Si—O bond in SiO 2 .
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of the FTIR measurement result of the stretching vibration of the Si—O bond.
  • the amount of absorption in arbitrary coordinates with respect to the wave number is shown.
  • the peak wave number that maximizes the amount of absorption was measured.
  • the peak wave number that maximizes the amount of absorption is represented by the peak wave number (maximum wave number of absorption).
  • the absorption of the stretching vibration includes a transverse wave optical (TO) mode and a longitudinal wave optical (LO) mode. Therefore, as shown in FIG. 3, the absorption of stretching vibration is separated into the TO mode and the LO mode.
  • the peak wave number and half-value width of the separated TO mode waveform were measured.
  • the peak wave number of the TO mode waveform is represented by the peak wave number (TO mode peak). *
  • FIG. 4A shows the TCF of the anti-resonance frequency of the resonator with respect to the peak wave number (absorption maximum wave number). Black circles are measurement results under various film forming conditions.
  • the solid line in FIG. 4A is a line that assumes that the TCF with respect to the peak wavenumber is a trigonometric function. As the peak wavenumber increases, the TCF improves and approaches zero. In particular, when the peak wave number (absorption maximum wave number) is 1072 cm ⁇ 1 or more, the TCF is ⁇ 7 ppm / ° C. or more. Further, even if the peak wave number (absorption maximum wave number) changes at 1076 cm ⁇ 1 or more, TCF hardly changes.
  • the TCF is ⁇ 5 ppm / ° C. or more, and the TCF hardly depends on the wave number.
  • the peak wave number is 1072 cm ⁇ 1 or more, a device with stable TCF can be manufactured.
  • the peak wave number moves several cm ⁇ 1 around 1064 cm ⁇ 1 to 1068 cm ⁇ 1 , the TCF changes by about 10 ppm / ° C., resulting in large device manufacturing variations.
  • the peak wave number (absorption maximum wave number) is preferably 1090 cm ⁇ 1 or less, which is the value of the peak wave number of the reference thermal oxide film SiO 2 film.
  • FIG. 4B is a diagram showing the TCF of the antiresonance frequency of the resonator with respect to the peak wave number of the transverse wave optical (TO) mode. Black circles are measurement results under various film forming conditions.
  • the solid line in FIG. 4B is a line that assumes that the TCF with respect to the peak wavenumber is a trigonometric function. As the peak wavenumber (TO mode peak) increases, the TCF improves and approaches zero. In particular, when the peak wave number (TO mode peak) is 1063 cm ⁇ 1 or more, the TCF is ⁇ 7 ppm / ° C. or more. Further, even if the peak wave number (TO mode peak) changes, the TCF hardly changes.
  • the TCF is ⁇ 5 ppm / ° C. or more, and the TCF hardly depends on the wave number.
  • the peak wave number in the transverse wave optical mode is preferably 1082 cm ⁇ 1 or less of the reference thermal oxide film SiO 2 film.
  • FIG. 5 is a diagram showing the TCF of the antiresonance frequency of the resonator with respect to the half-value width of the transverse optical mode. Black circles are measurement results under various film forming conditions. The solid line in FIG. 5 is an approximate line of the measurement result.
  • the full width at half maximum is reduced, the TCF is improved.
  • the full width at half maximum is 92 cm ⁇ 1
  • the slope between the full width at half maximum and the TCF changes.
  • the half width is 92 cm ⁇ 1 or less
  • TCF is ⁇ 6 ppm / ° C. or less. Even if the half-value width changes, the change in TCF is small.
  • the half value width is preferably 90cm -1 or less, 88cm -1 or less is more preferable.
  • the half width is preferably 75 cm ⁇ 1 or more of the reference thermal oxide film SiO 2 film.
  • the peak wave number is expressed as a function of Sin ⁇ , it is considered that the TCF is stable when the peak wave number is equal to or greater than a certain value (1072 cm ⁇ 1 ).
  • TCF is expressed as follows using the velocity of elastic waves at room temperature (25 ° C.).
  • TCF 1 / v ⁇ ( ⁇ v / ⁇ T) ⁇ (Equation 3)
  • v (m ⁇ s) is the propagation velocity of the elastic wave
  • ( ⁇ v / ⁇ T) is the rate of change of the propagation velocity v with respect to temperature T
  • ⁇ (1 / ° C.) is a linear thermal expansion coefficient.
  • ( ⁇ v / ⁇ T) is the substrate ( Alternatively, it is obtained from a temperature coefficient of a material constant (that is, density, dielectric constant, Young's modulus, etc.) of the silicon oxide film).
  • a material constant that is, density, dielectric constant, Young's modulus, etc.
  • Equations 1 to 3 it can be considered from Equations 1 to 3 that the peak wave number of the stretching vibration of the Si—O bond and the peak wave number of the stretching vibration transverse wave optical mode are related to TCF.
  • TCF is related to the transverse wave optical mode of the contraction vibration of the Si—O bond.
  • Example 1 is an example of a method for manufacturing an acoustic wave device.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating the method for manufacturing the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • a silicon oxide film is formed (step S10).
  • the film formation conditions at the time of film formation are recorded in a database by setting the values of temperature, pressure, raw material gas, raw material gas flow rate, and high frequency output.
  • a plurality of sets of film forming conditions are recorded in the database. For example, the order of priority is given to each set of film forming conditions in the order in which the film having the highest peak wave number of the stretching vibration of the Si—O bond can be formed.
  • the data are read from the database, set in the film forming apparatus, and then formed.
  • the set of film formation conditions may be read from the database and set in the film formation apparatus in an order similar to the set of film formation conditions being manufactured.
  • a numerical value relating to the stretching vibration of the Si—O bond of the silicon oxide film is measured on the substrate on which the silicon oxide film is formed by the film forming apparatus using the FTIR method (step S12). For example, at least one of the peak wave number and half-value width in the TO mode is measured. It is determined whether the measured numerical value is within a target range (step S14).
  • step S16 the film forming conditions are changed (step S16). Then, it returns to step S10.
  • step S14 the set of film forming conditions used in step S10 is set in the film forming apparatus and used for the manufacturing process of the acoustic wave device (step S18).
  • FIG. 7A to FIG. 7C are cross-sectional views showing manufacturing steps of the acoustic wave device.
  • the piezoelectric substrate 10 is prepared.
  • a reflector 13 and a comb electrode 12 made of metal are formed on the piezoelectric substrate 10.
  • a silicon oxide film 16 is formed on the piezoelectric substrate 10 so as to cover the reflector 13 and the comb electrode 12.
  • the film formation conditions used in step S10 are used for forming the silicon oxide film in FIG. *
  • step S10 when the numerical value relating to the stretching vibration of the Si—O bond of the silicon oxide film formed in step S10 is within the target range, step S10 is performed on the substrate.
  • a silicon oxide film is formed using the film formation conditions used in the above. Thereby, the TCF of the acoustic wave device can be controlled.
  • the numerical value measured in step S12 may be related to the stretching vibration of the Si—O bond of the silicon oxide film.
  • the numerical values related to the stretching vibration of the Si—O bond are the peak wave number of the stretching vibration of the Si—O bond (for example, the maximum absorption wave number) and the transverse wave of the stretching vibration of the Si—O bond. It is preferably at least one of the peak wave number of the optical mode and the half-value width of the transverse optical mode of the stretching vibration of the Si—O bond.
  • Raman spectroscopy can be used to measure numerical values related to the Si—O bond stretching vibration of the silicon oxide film.
  • a surface acoustic wave device a boundary acoustic wave device, or a bulk acoustic wave device (for example, a device using a piezoelectric thin film resonator) can be used.
  • the acoustic wave device can be a ladder filter using a resonator or a multimode filter.
  • the TCF can be controlled by controlling the numerical value related to the transverse optical mode of the stretching vibration of the Si—O bond of the silicon oxide film.
  • TCF is compensated by forming a silicon oxide film on the piezoelectric substrate. Can do.
  • the comb electrode can mainly contain Al, Au, Cu, Ag, W, Ta, Pt, Mo, Ni, Co, Cr, Fe, Mn, and Ti. *
  • the target range of step S14 in FIG. 6 is such that the peak wave number of the stretching vibration of Si—O bond is 1072 cm ⁇ 1 or more as shown in FIG. be able to.
  • the peak wave number of the transverse optical mode of the stretching vibration of the Si—O bond can be in the range of 1063 cm ⁇ 1 or more.
  • the full width at half maximum can be made 92 cm ⁇ 1 or less.
  • the piezoelectric substrate 10 was a 0-rotation Y-cut LN substrate, and a silicon oxide film was formed using a CVD method.
  • the film formation conditions for the silicon oxide film are as follows: the raw material gases are SiH 4 and N 2 O, the flow ratio of SiH 4 and N 2 O is 1:50, and the film formation temperature is 270 ° C. At this time, the peak wave number (maximum absorption wave number) was 1072 cm ⁇ 1 . The half width was 92 cm ⁇ 1 .
  • Other methods of manufacturing the acoustic wave device are the same as those in FIGS. 7A to 7C.
  • the produced acoustic wave device is a ladder type filter.
  • FIG. 8 is a diagram showing the insertion loss with respect to the film thickness H / ⁇ obtained by normalizing the film thickness H of the silicon oxide film 16 with the wavelength ⁇ of the elastic wave.
  • Black circles indicate the insertion loss of the filter of Example 2.
  • the thickness of the silicon oxide film 16 was set to 0.2 ⁇ , 0.3 ⁇ , and 0.4 ⁇ .
  • the black square shows the result of the insertion loss of the filter described in FIG. Note that the absolute value of the insertion loss between the comparative example and the second embodiment cannot be simply compared because the filter structures are different.
  • the insertion loss increases when the thickness of the silicon oxide film exceeds 0.2 ⁇ .
  • Non-Patent Document 1 also describes that the insertion loss deteriorates when the thickness of the silicon oxide film exceeds 0.2 ⁇ .
  • the thickness of the silicon oxide film 16 is good at 0.2 ⁇ to 0.4 ⁇ . *
  • the numerical value related to the transverse wave optical mode of Si—O bond such as the peak wave number is controlled (for example, the peak wave number is 1072 cm ⁇ 1 ).
  • the peak wave number is 1072 cm ⁇ 1 .
  • FIG. 9 is a diagram showing insertion loss with respect to the deposition temperature of the silicon oxide film. As shown in FIG. 9, when the film forming temperature is 270 ° C. or lower, the insertion loss is deteriorated. However, the insertion loss hardly changes at 270 ° C. or higher. Thus, insertion loss can be further suppressed by setting the film formation temperature to 270 ° C. or higher.
  • the film formation temperature is more preferably 300 ° C. or higher.
  • the peak wave number of the silicon oxide film formed so as to cover the piezoelectric substrate 10 and the comb electrode 12 is set to 1072 cm ⁇ 1 or more.
  • the half width is set to 92 cm ⁇ 1 or less.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

【課題】弾性波デバイスの周波数の温度依存性を抑制することおよび弾性波デバイスにおけるＴＣＦの製造バラツキを抑制すること。【解決手段】酸化シリコン膜を成膜する第１の成膜工程（Ｓ１０）と、前記酸化シリコン膜のＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程（Ｓ１２）と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第１の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第２の成膜工程（Ｓ１８）と、を含む弾性波デバイスの製造方法。

Description

弾性波デバイスおよびその製造方法
本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、例えば、酸化シリコン膜を備える弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
弾性波デバイスは、例えば無線機器等のフィルタとして用いられている。弾性波デバイスにおいては、フィルタの通過帯域や共振器の共振周波数等の周波数の温度係数（ＴＣＦ）の絶対値を小さくすることが求められている。弾性表面波デバイスにおいて、ＬｉＴａＯ３（ＬＴ）またはＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）等の圧電基板の温度係数と逆の温度係数を有する酸化シリコン膜を圧電基板上に形成することで、ＴＣＦの絶対値を小さくできることが知られている（例えば、非特許文献１および非特許文献２）。酸化シリコン膜の膜質をＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外分光）法を用いた測定結果により、酸化シリコン膜内の水酸基または水分子がＴＣＦ悪化の原因となっていることが知られている（例えば、非特許文献１および非特許文献２）。また、ＬＮ基板上にスパッタ法を用い酸化シリコン膜を形成しＴＣＦを改善する方法が検討されている（例えば、非特許文献３）。スパッタ法を用い成膜された酸化シリコン膜は化学量論的な組成の膜であり、不純物が少ないことが知られている。
「ＣＶＤ法ＳｉＯ２膜を用いた弾性表面波基板」、信学技法ＵＳ７９－１６ 「プラズマＣＶＤ法ＳｉＯ２膜を用いた層状構造弾性表面波基板」、信学技法ＵＳ８０－３ "MATERIAL PARAMETERS OF RF MAGNETRON SPUTTERED SiO2 THIN FILMS FOR TEMPERATURE STABLE SiO2/LiNbO3 SAW DEVICES" IEEE Ultrasonics symposium 2003
以上のように、酸化シリコン膜の水酸基または水分子等の不純物を少なくすることにより、周波数の温度依存性を改善することができると考えられている。さらに、周波数の温度依存性を抑制することが求められている。　
本弾性波デバイスおよびその製造方法は、弾性波デバイスの周波数の温度依存性を改善することおよび弾性波デバイスにおけるＴＣＦの製造バラツキを抑制することを目的とする。
例えば、酸化シリコン膜を成膜する第１の成膜工程と、前記酸化シリコン膜のＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第１の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第２の成膜工程と、を含む弾性波デバイスの製造方法を用いる。　
また、例えば、ＬＮ基板またはＬＴ基板である圧電基板と、前記圧電基板上に形成された櫛型電極と、前記圧電基板と前記櫛型電極上に形成された酸化シリコン膜を具備する弾性波デバイスを用いる。酸化シリコン膜は、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動のピーク波数が１０７２ｃｍ－１以上、または、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードのピーク波数が１０６３ｃｍ－１以上、または、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードの半値幅が９２ｃｍ－１以下である。
本弾性波デバイスおよびその製造方法によれば、弾性波デバイスの周波数の温度依存性を改善するとともに、弾性波デバイスにおけるＴＣＦの製造バラツキを抑制することができる。
図１は、酸化シリコン膜のＦＴＩＲの測定結果である。 図２（ａ）および図２（ｂ）は、ＴＣＦを測定するために作製した共振器の例を示す図である。 図３は、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動のＦＴＩＲ測定結果の例を示す図である。 図４（ａ）および図４（ｂ）は、ピーク波数に対するＴＣＦを示した図である。 図５は、半値幅に対するＴＣＦを示した図である。 図６は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示すフローチャートである 図７（ａ）から図７（ｃ）は、弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。 図８は、酸化シリコン膜の膜厚Ｈを弾性波の波長λで規格化した膜厚Ｈ／λに対する挿入損失を示す図である。 図９は、酸化シリコン膜の成膜温度に対する挿入損失を示す図である。
まず、発明者が行った実験について説明する。ＬＮ基板上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法とスパッタ法とのいずれかの方法を用い同じ膜厚の酸化シリコン膜を形成し、ＦＴＩＲ法を用いた酸化シリコン膜内の水酸基および水分子の量を測定した。　
図１は、酸化シリコン膜のＦＴＩＲの測定結果である。ＣＶＤ法を用い成膜した酸化シリコン膜の結果を黒線で、スパッタ法を用い成膜した酸化シリコン膜の結果をグレー線で示している。水酸基による吸収は波数が３６７８ｃｍ－１付近であり、水分子による吸収は波数が２５００～３５００ｃｍ－１である、図１より、ＣＶＤ法を用い成膜した酸化シリコン膜に比べ、スパッタ法を用い成膜した酸化シリコン膜内の水酸基および水分子濃度が低いことがわかる。　
次に、ＬＮ基板上に形成された櫛型電極上に、酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜は、図１の実験を行った酸化シリコン膜と同じ条件で成膜した。また、ＣＶＤ法とスパッタ法とで同じ膜厚の酸化シリコン膜を成膜した。このようにして共振器を作製した、共振周波数のＴＣＦを測定したところ、ＣＶＤ法で成膜した酸化シリコン膜を用いた共振器は、スパッタ法で成膜した酸化シリコン膜を用いた共振器にくらべＴＣＦの値が約１０ｐｐｍ／℃改善された。　
この結果は、非特許文献１～３における、酸化シリコン膜の水酸基または水分子等の不純物を少なくすることにより、周波数の温度依存性を改善することができるという考えと矛盾する。このように、ＴＣＦの改善は、非特許文献１～３の方法だけでは不十分であることがわかった。　
そこで、ＴＣＦと相関のある指標を調査した。図２（ａ）および図２（ｂ）は、ＴＣＦを測定するために作製した共振器の例を示す図である。図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図２（ａ）のように、反射器１３の間に櫛型電極１２が設けられている。図２（ｂ）のように、ＬＮ基板からなる圧電基板１０上に櫛型電極１２および反射器１３が形成されている。櫛型電極１２および反射器１３は、Ｃｕ(銅)を主成分とする。櫛型電極１２および反射器１３を被うように、圧電基板１０および櫛型電極１２および反射器１３上に酸化シリコン膜１６が設けられている。酸化シリコン膜１６の膜厚は０．３λとした。λは弾性波の波長であり、櫛型電極１２の電極指の周期に相当する。ＴＣＦを抑制するためには、酸化シリコン膜１６の膜厚は、櫛型電極１２の膜厚より厚いことが好ましい。例えば、電極指間の酸化シリコン膜１６の膜厚は櫛型電極１２の膜厚より厚いことが好ましい。　
酸化シリコン膜１６はＣＶＤ法を用い様々な成膜条件を用い成膜された。成膜条件として、圧力、原料ガス、原料ガスの流量および高周波出力（プラズマを生成するための高周波電力）を変えた。様々な成膜条件を用い成膜し作製した共振器について、反共振周波数の温度係数を測定した。一方、共振器の酸化シリコン膜１６の成膜条件と同じ成膜条件で成膜した酸化シリコン膜をＦＴＩＲ法を用い測定した。ＦＴＩＲ法は、物質に赤外光を照射し、分子の振動エネルギーに対応したエネルギーを有する赤外光の吸収量から物質の組成等を調べる測定方法である。ここで、ＳｉＯ２内のＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動の吸収波形に注目した。　
図３は、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動のＦＴＩＲ測定結果の例を示す図である。波数に対し任意座標の吸収量を示している。吸収量が最大になるピーク波数を測定した。吸収量が最大になるピーク波数をピーク波数（吸収量最大波数）で表している。伸縮振動の吸収には横波光学（ＴＯ）モードと縦波光学（ＬＯ）モードとがある。そこで、図３のように、伸縮振動の吸収をＴＯモードとＬＯモードとに分離した。分離されたＴＯモードの波形のピーク波数と半値幅とを測定した。ＴＯモードの波形のピーク波数をピーク波数（ＴＯモードピーク）で表している。　
図４（ａ）は、ピーク波数（吸収量最大波数）に対する共振器の反共振周波数のＴＣＦを示した図である。黒丸は各種成膜条件における測定結果である。図４（ａ）の実線は、ピーク波数に対するＴＣＦが三角関数となると仮定した線である。ピーク波数が大きくなるとＴＣＦは改善され、０に近づく。特に、ピーク波数（吸収量最大波数）が１０７２ｃｍ－１以上ではＴＣＦは－７ｐｐｍ／℃以上となる。また、ピーク波数（吸収量最大波数）が１０７６ｃｍ－１以上で変化してもＴＣＦはほとんど変化しなくなる。さらに、ピーク波数は１０７４ｃｍ－１以上ではＴＣＦは－５ｐｐｍ／℃以上となり、ＴＣＦはほとんど波数に依存しなくなる。以上のように、ピーク波数が１０７２ｃｍ－１以上ではＴＣＦが安定したデバイスを作製することが可能となる。一方、１０６４ｃｍ－１～１０６８ｃｍ－１近辺ではピーク波数が数ｃｍ－１動くと、１０ｐｐｍ／℃ほどＴＣＦが変化するため、デバイスの製造バラツキが大きくなってしまう。なお、ピーク波数（吸収量最大波数）は、基準となる熱酸化膜ＳｉＯ２膜のピーク波数の値である１０９０ｃｍ－１以下が好ましい。　
図４（ｂ）は、横波光学（ＴＯ）モードのピーク波数に対する共振器の反共振周波数のＴＣＦを示した図である。黒丸は各種成膜条件における測定結果である。図４（ｂ）の実線は、ピーク波数に対するＴＣＦが三角関数となると仮定した線である。ピーク波数（ＴＯモードピーク）が大きくなるとＴＣＦは改善され、０に近づく。特に、ピーク波数（ＴＯモードピーク）が１０６３ｃｍ－１以上ではＴＣＦは－７ｐｐｍ／℃以上となる。また、ピーク波数（ＴＯモードピーク）が変化してもＴＣＦはほとんど変化しなくなる。さらに、ピーク波数は１０６４ｃｍ－１以上ではＴＣＦは－５ｐｐｍ／℃以上となり、ＴＣＦはほとんど波数に依存しなくなる。なお、横波光学モードのピーク波数は、基準となる熱酸化膜ＳｉＯ２膜の値１０８２ｃｍ－１以下が好ましい。　
図５は、横波光学モードの半値幅に対する共振器の反共振周波数のＴＣＦを示した図である。黒丸は各種成膜条件における測定結果である。図５の実線は測定結果の近似線である。図５のように、半値幅が小さくなるとＴＣＦが改善され、半値幅が９２ｃｍ－１で半値幅とＴＣＦとの傾きが変化する。半値幅が９２ｃｍ－１以下の場合、ＴＣＦは－６ｐｐｍ／℃以下である。また、半値幅が変化してもＴＣＦの変化は小さい。さらに、半値幅は９０ｃｍ－１以下が好ましく、８８ｃｍ－１以下がより好ましい。なお、半値幅は、基準となる熱酸化膜ＳｉＯ２膜の値７５ｃｍ－１以上が好ましい。　
図４および図５は共振器の反共振周波数のＴＣＦについて記載したが、共振器の共振周波数のＴＣＦまたは共振器を用いフィルタの周波数特性のＴＣＦについても、図４および図５と同様の結果を得ることができる。　
以上のように、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学（ＴＯ）モードがＴＣＦと関連している理由を説明する。Central-force networkモデル（J. Vac. Sci. Technol. Vol. B5, pp530-537 (1987)参照）によれば、Ｓｉ－Ｏ結合伸縮振動のＴＯモードのピーク波数はＳｉ－Ｏ結合角度に次式のように依存していることが知られている。 ｋ２＝（ｆ／ｍｏ）・［ｓｉｎ２（θ／２）］（数式１） 　ここで、ｋはピーク波数、ｆはＳｉとＯとの間の原子間力、ｍｏは
酸素の原子量、θはＳｉ－Ｏ－Ｓｉの結合角度である。このように、ピーク波数がＳｉｎθの関数で表されるため、ピーク波数が一定値（１０７２ｃｍ－１）以上でＴＣＦが安定したものと考えられる。　
また、Lorentz-Lorenz 関係から、誘電率と密度と分子分極率との関係は次式で表される。 （ｅ－１）／（ｅ＋２）＝４π・ρ・Ｃ（数式２） 　ここで、ｅは酸化シリコン膜の誘電率、ρは酸化シリコン膜の密度、Ｃは分子分極率である。酸化シリコン膜の密度、誘電率および分子分極率はＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合角度θと相関性がある。このため、数式１と数式２とから、ピーク波数と、誘電率、密度および分子分極率とが関係付けられる。　
ＴＣＦは、室温（２５℃）における弾性波の速度を用い以下のように表される。 ＴＣＦ＝１／ｖ・（δｖ／δＴ）－α（数式３） ここで、ｖ（ｍ・ｓ）は弾性波の伝搬速度、（δｖ／δＴ）は伝搬速度ｖの温度Ｔに対する変化率、α（１／℃）は線熱膨張係数である。　
文献”Temperature-compensated surface-acoustic-wave devices with SiO2 film overlays”（J.Appl.Phys Vol. 50, No. 3, pp1360-1369 (1979)）によれば、（δｖ／δＴ）は、基板（または酸化シリコン膜）の物質定数（つまり、密度、誘電率およびヤング率等）の温度係数から求められる。このように、上記数式３から、酸化シリコン膜の密度、誘電率およびヤング率等の物質定数とＴＣＦが関係付けられる。　
以上のように、上記数式１から３により、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動のピーク波数、伸縮振動横波光学モードのピーク波数はＴＣＦに関係しているものと考えられる。以下に、ＴＣＦがＳｉ－Ｏ結合の収縮振動の横波光学モードと関係していることを用いた実施例について説明する。
実施例１は、弾性波デバイスの製造方法の例である。図６は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図６を参照し、まず、酸化シリコン膜を成膜する（ステップＳ１０）。この成膜の際の成膜条件は、温度、圧力、原料ガス、原料ガスの流量、高周波出力の値をセットにしてデータベースに記録してある。この成膜条件のセットは複数、データベースに記録してある。例えばＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動のピーク波数が高い成膜ができた順に、成膜条件のセットそれぞれに優先順位がつけられている。そして、優先順位の高い成膜条件のセットから順に、データベースから読み出して成膜装置へ設定して成膜する。なお、製造工程の途中で成膜条件を変更する場合は、製造している成膜条件のセットに類似する順に、成膜条件のセットをデータベースから読み出して成膜装置に設定してもよい。次に、成膜装置で酸化シリコン膜を成膜した基板を、ＦＴＩＲ法を用い、酸化シリコン膜のＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動に関する数値を測定する（ステップＳ１２）。例えば、ＴＯモードのピーク波数および半値幅の少なくとも一方を測定する。測定した数値が目標の範囲内かを判断する（ステップＳ１４）。Ｎｏの場合、成膜条件を変更する（ステップＳ１６）。その後、ステップＳ１０に戻る。ステップＳ１４においてＹｅｓの場合、ステップＳ１０で用いた成膜条件のセットを成膜装置に設定して弾性波デバイスの製造工程に用いる（ステップＳ１８）。　
図７（ａ）から図７（ｃ）は、弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。図７（ａ）のように、圧電基板１０を準備する。図７（ｂ）のように、圧電基板１０上に、金属からなる反射器１３および櫛型電極１２を形成する。図７（ｃ）のように、圧電基板１０上に、反射器１３および櫛型電極１２を被うように酸化シリコン膜１６を成膜する。図６のステップＳ１８においては、図７（ｃ）の酸化シリコン膜の成膜に、ステップＳ１０で用いた成膜条件を用いる。　
実施例１によれば、図６のステップＳ１４およびＳ１８のように、ステップＳ１０で成膜した酸化シリコン膜のＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動に関する数値が、目標範囲内の場合、基板上にステップＳ１０で用いた成膜条件を用い酸化シリコン膜を形成する。これにより、弾性波デバイスのＴＣＦを制御することができる。　
ステップＳ１２において測定する数値は、酸化シリコン膜のＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動に関係していればよい。図４および図５のように、前記Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動に関する数値は、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動のピーク波数（例えば、吸収量最大波数）と、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードのピーク波数と、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードの半値幅と、のうち少なくとも一つであることが好ましい。これにより、Ｓｉ－Ｏ結合角度θに関係した数値で酸化シリコン膜の膜質を測定することができる。　
なお、酸化シリコン膜のＳｉ－Ｏ結合伸縮振動に関係する数値の測定は、ＦＴＩＲ法以外にも、例えばラマン分光法等を用いることもできる。　
弾性波デバイスとしては、弾性表面波デバイス、弾性境界波デバイスまたはバルク弾性波デバイス（例えば圧電薄膜共振器を用いたデバイス）を用いることができる。また、弾性波デバイスとしては、共振器を用いたラダー型フィルタまたは多重モードフィルタとすることができる。これらのデバイスにおいても、酸化シリコン膜のＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードに関する数値を制御することによりＴＣＦを制御することができる。　
特に、正のＴＣＦを有するＬＴ、ＬＮ、水晶、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＫＮｂＯ３およびＬＢＯ等を圧電基板として用いた場合、圧電基板上に酸化シリコン膜を形成することにより、ＴＣＦを補償することができる。　
さらに、櫛型電極はＡｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｔｉを主に含むことができる。　
圧電基板１０としてＬＮ基板を用いた場合、図６のステップＳ１４の目標の範囲は、図４（ａ）のように、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動のピーク波数が１０７２ｃｍ－１以上の範囲とすることができる。また、図４（ｂ）のように、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードのピーク波数が１０６３ｃｍ－１以上の範囲とすることができる。さらに、図５のように、半値幅が９２ｃｍ－１以下の範囲とすることができる。これにより、弾性波デバイスにおけるＴＣＦを改善し、製造バラツキを抑制することができる。なお、ＬＴ基板はＬＮ基板と同様のＴＣＦを有するため、図４（ａ）、図４（ｂ）および図５の結果はＬＴ基板を用いた場合に適用することもできる。
実施例２においては、圧電基板１０を０回転ＹカットＬＮ基板とし、酸化シリコン膜をＣＶＤ法を用い形成した。酸化シリコン膜の成膜条件は、原料ガスがＳｉＨ４とＮ２Ｏ、ＳｉＨ４とＮ２Ｏとの流量比が１：５０、成膜温度が２７０℃である。このときのピーク波数（吸収量最大波数）は１０７２ｃｍ－１であった。また、半値幅は９２ｃｍ－１であった。その他の弾性波デバイスの製造方法は、図７（ａ）から図７（ｃ）と同じである。作製した弾性波デバイスは、ラダー型フィルタである。　
図８は、酸化シリコン膜１６の膜厚Ｈを弾性波の波長λで規格化した膜厚Ｈ／λに対する挿入損失を示す図である。黒丸は実施例２のフィルタの挿入損失を示している。実施例２では、酸化シリコン膜１６の膜厚を０．２λ、０．３λおよび０．４λとした。黒四角は比較例として、非特許文献２の図８に記載されているフィルタの挿入損失の結果を示している。なお、比較例と実施例２との挿入損失の絶対値は、フィルタ構造が異なるため単純には比較できない。比較例では酸化シリコン膜の膜厚が０．２λを越えると挿入損失が大きくなる。非特許文献１においても酸化シリコン膜の膜厚が０．２λを越えると、挿入損失が劣化することが記載されている。これに対し、実施例２では、酸化シリコン膜１６の膜厚が０．２λ～０．４λで良好である。　
以上のように、実施例２によれば、ピーク波数等のＳｉ－Ｏ結合の横波光学モードに関する数値を制御する（例えば、ピーク波数を１０７２ｃｍ－１）とする。これにより、ＴＣＦを抑制し、かつ酸化シリコン膜の膜厚を０．２λ以上としても挿入損失を抑制することができる。　
次に、成膜条件を、原料ガスがＳｉＨ４とＮ２Ｏとの流量比を１：５０とし、成膜温度を変えて酸化シリコン膜を成膜した。酸化シリコン膜の膜厚は０．３λとした。図９は、酸化シリコン膜の成膜温度に対する挿入損失を示す図である。図９のように、成膜温度が２７０℃以下では挿入損失が劣化する。しかし、２７０℃以上では挿入損失はほとんど変わらない。このように、成膜温度を２７０℃以上とすることにより、挿入損失をより抑制することができる。成膜温度は、３００℃以上がより好ましい。　
実施例２によれば、圧電基板１０と櫛型電極１２とを被うように形成された酸化シリコン膜のピーク波数を１０７２ｃｍ－１以上とする。または、半値幅を９２ｃｍ－１以下とする。これにより、ＴＣＦが小さく、挿入損失が小さい弾性波デバイスを提供することができる。このように、ＣＶＤ法を用いて酸化シリコン膜を形成しても、酸化シリコン膜のＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動に関する数値を制御することにより、ＴＣＦが小さく、挿入損失が小さい弾性波デバイスを提供することができる。　
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０圧電基板　　１２櫛型電極　　１６酸化シリコン膜

Claims (12)

  1. 酸化シリコン膜を成膜する第１の成膜工程と、前記酸化シリコン膜のＳｉ－Ｏ結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第１の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第２の成膜工程と、を含む弾性波デバイスの製造方法。
  2. 前記Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動に関する数値は、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動のピーク波数と、前記Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードのピーク波数と、前記Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードの半値幅と、のうち少なくとも一つである請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
  3. 前記酸化シリコン膜を形成する工程は、圧電基板と前記圧電基板上に形成された櫛型電極を被うように前記酸化シリコン膜を形成する工程を含む請求項２記載の弾性波デバイスの製造方法。
  4. 前記圧電基板は、ＬＮ基板またはＬＴ基板であり、前記目標範囲は、前記Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動のピーク波数が１０７２ｃｍ－１以上である請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。
  5. 前記圧電基板は、ＬＮ基板またはＬＴ基板であり、　前記目標範囲は、前記横波光学モードのピーク波数が１０６３ｃｍ－１以上である請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。
  6. 前記圧電基板は、ＬＮ基板またはＬＴ基板であり、前記目標範囲は、前記半値幅が９２ｃｍ－１以下である請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。
  7. 前記酸化シリコン膜は、ＣＶＤ法により形成される請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
  8. 前記酸化シリコン膜は、２７０℃以上で形成される請求項７記載の弾性波デバイスの製造方法。
  9. ＬＮ基板またはＬＴ基板である圧電基板と、前記圧電基板上に形成された櫛型電極と、前記圧電基板と前記櫛型電極とを被うように形成され、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動のピーク波数が１０７２ｃｍ－１以上の酸化シリコン膜と、を具備する弾性波デバイス。
  10. ＬＮ基板またはＬＴ基板である圧電基板と、前記圧電基板上に形成された櫛型電極と、前記圧電基板と前記櫛型電極とを被うように形成
    され、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードのピーク波数が１０６３ｃｍ－１以上の酸化シリコン膜と、を具備する弾性波デバイス。
  11. ＬＮ基板またはＬＴ基板である圧電基板と、前記圧電基板上に形成された櫛型電極と、前記圧電基板と前記櫛型電極とを被うように形成され、Ｓｉ－Ｏ結合の伸縮振動の横波光学モードの半値幅が９２ｃｍ－１以下の酸化シリコン膜と、を具備する弾性波デバイス。
  12. 前記酸化シリコン膜はＣＶＤ膜である請求項９から１１のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
PCT/JP2010/065099 2009-09-29 2010-09-03 弾性波デバイスおよびその製造方法 WO2011040179A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009225063A JP5417108B2 (ja) 2009-09-29 2009-09-29 弾性波デバイスの製造方法
JP2009-225063 2009-09-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011040179A1 true WO2011040179A1 (ja) 2011-04-07

Family

ID=43826007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/065099 WO2011040179A1 (ja) 2009-09-29 2010-09-03 弾性波デバイスおよびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5417108B2 (ja)
WO (1) WO2011040179A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5797979B2 (ja) * 2011-08-31 2015-10-21 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP6385690B2 (ja) 2014-03-05 2018-09-05 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及びその製造方法
WO2018151146A1 (ja) * 2017-02-16 2018-08-23 株式会社弾性波デバイスラボ 弾性波素子およびその製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1092814A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 絶縁膜の形成方法
JP2002110668A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2003188679A (ja) * 2001-10-12 2003-07-04 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP2003203957A (ja) * 1993-03-29 2003-07-18 Fujitsu Ltd シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法
JP2004055955A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Fujitsu Ltd 薄膜評価方法
JP2008028980A (ja) * 2006-06-22 2008-02-07 Seiko Epson Corp 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法
WO2008087836A1 (ja) * 2007-01-19 2008-07-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003203957A (ja) * 1993-03-29 2003-07-18 Fujitsu Ltd シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法
JPH1092814A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 絶縁膜の形成方法
JP2002110668A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2003188679A (ja) * 2001-10-12 2003-07-04 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP2004055955A (ja) * 2002-07-23 2004-02-19 Fujitsu Ltd 薄膜評価方法
JP2008028980A (ja) * 2006-06-22 2008-02-07 Seiko Epson Corp 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法
WO2008087836A1 (ja) * 2007-01-19 2008-07-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性境界波装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011077682A (ja) 2011-04-14
JP5417108B2 (ja) 2014-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10425060B2 (en) Acoustic wave device and method of fabricating the same
JP5797979B2 (ja) 弾性波デバイス
JP5521045B2 (ja) 弾性波デバイス
JP6250697B2 (ja) 電子音響部品
JP6736006B2 (ja) 弾性波素子およびその製造方法
Konno et al. ScAlN Lamb wave resonator in GHz range released by XeF 2 etching
US11394365B2 (en) Saw device with composite substrate for ultra high frequencies
US20060220494A1 (en) Elastic boundary wave device, resonator, and ladder-type filter
US9425766B2 (en) Elastic wave element, and electrical apparatus and duplexer using same
JPWO2005069485A1 (ja) 弾性境界波装置
JP2010011440A (ja) 弾性波装置及びそれを用いた高周波フィルタ
US7843112B2 (en) Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device
Phan et al. The effect of geometry and post-annealing on surface acoustic wave characteristics of AlN thin films prepared by magnetron sputtering
JP5417108B2 (ja) 弾性波デバイスの製造方法
Fujii et al. High-frequency SAW filters based on diamond films
Matsuda et al. Use of fluorine-doped silicon oxide for temperature compensation of radio frequency surface acoustic wave devices
Water et al. Characteristics of strontium-doped ZnO films on love wave filter applications
JPH0746079A (ja) 高安定弾性表面波素子
JP2020129724A (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ
Nishimura et al. The Temperature Coefficients of Frequency of Surface Acoustic Wave Devices With SiO x N y Passivation Films on LiTaO 3 Substrates
Hashimoto Demands of highly piezoelectric materials for radio frequency acoustic wave devices
Gong et al. Study on SAW characteristics of amorphous-TeO 2/36° YX LiTaO 3 structures
Dewan et al. Temperature coefficient of elastic constants of sputtered TeO 2 thin film for zero TCD saw devices
Cheng et al. Temperature effect on the characteristics of surface acoustic wave on SiO/sub 2/thin films
Fujii et al. A diamond substrate suitable for 5GHz SAW device application

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10820299

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10820299

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1