JP2011077682A - 弾性波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
弾性波デバイスおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011077682A JP2011077682A JP2009225063A JP2009225063A JP2011077682A JP 2011077682 A JP2011077682 A JP 2011077682A JP 2009225063 A JP2009225063 A JP 2009225063A JP 2009225063 A JP2009225063 A JP 2009225063A JP 2011077682 A JP2011077682 A JP 2011077682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon oxide
- oxide film
- substrate
- wave device
- bond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
- H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】酸化シリコン膜を成膜する第1の成膜工程(S10)と、前記酸化シリコン膜のSi−O結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程(S12)と、前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第1の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第2の成膜工程(S18)と、を含む弾性波デバイスの製造方法。
【選択図】図6
Description
k2=(f/mo)・[sin2(θ/2)] (数式1)
ここで、kはピーク波数、fはSiとOとの間の原子間力、moは酸素の原子量、θはSi−O−Siの結合角度である。このように、ピーク波数がSinθの関数で表されるため、ピーク波数が一定値(1072cm−1)以上でTCFが安定したものと考えられる。
(e−1)/(e+2)=4π・ρ・C (数式2)
ここで、eは酸化シリコン膜の誘電率、ρは酸化シリコン膜の密度、Cは分子分極率である。酸化シリコン膜の密度、誘電率および分子分極率はSi−O−Si結合角度θと相関性がある。このため、数式1と数式2とから、ピーク波数と、誘電率、密度および分子分極率とが関係付けられる。
TCF=1/v・(δv/δT)−α (数式3)
ここで、v(m・s)は弾性波の伝搬速度、(δv/δT)は伝搬速度vの温度Tに対する変化率、α(1/℃)は線熱膨張係数である。
12 櫛型電極
16 酸化シリコン膜
Claims (12)
- 酸化シリコン膜を成膜する第1の成膜工程と、
前記酸化シリコン膜のSi−O結合の伸縮振動に関する数値を測定する測定工程と、
前記数値が、目標範囲内の場合、基板上に前記第1の成膜工程で用いた条件を用い酸化シリコン膜を成膜する第2の成膜工程と、
を含む弾性波デバイスの製造方法。 - 前記Si−O結合の伸縮振動に関する数値は、Si−O結合の伸縮振動のピーク波数と、前記Si−O結合の伸縮振動の横波光学モードのピーク波数と、前記Si−O結合の伸縮振動の横波光学モードの半値幅と、のうち少なくとも一つである請求項1記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記酸化シリコン膜を形成する工程は、圧電基板と前記圧電基板上に形成された櫛型電極を被うように前記酸化シリコン膜を形成する工程を含む請求項2記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記圧電基板は、LN基板またはLT基板であり、
前記目標範囲は、前記Si−O結合の伸縮振動のピーク波数が1072cm−1以上である請求項3記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 前記圧電基板は、LN基板またはLT基板であり、
前記目標範囲は、前記横波光学モードのピーク波数が1063cm−1以上である請求項3記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 前記圧電基板は、LN基板またはLT基板であり、
前記目標範囲は、前記半値幅が92cm−1以下である請求項3記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 前記酸化シリコン膜は、CVD法により形成される請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記酸化シリコン膜は、270℃以上で形成される請求項7記載の弾性波デバイスの製造方法。
- LN基板またはLT基板である圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された櫛型電極と、
前記圧電基板と前記櫛型電極とを被うように形成され、Si−O結合の伸縮振動のピーク波数が1072cm−1以上の酸化シリコン膜と、
を具備する弾性波デバイス。 - LN基板またはLT基板である圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された櫛型電極と、
前記圧電基板と前記櫛型電極とを被うように形成され、Si−O結合の伸縮振動の横波光学モードのピーク波数が1063cm−1以上の酸化シリコン膜と、
を具備する弾性波デバイス。 - LN基板またはLT基板である圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された櫛型電極と、
前記圧電基板と前記櫛型電極とを被うように形成され、Si−O結合の伸縮振動の横波光学モードの半値幅が92cm−1以下の酸化シリコン膜と、
を具備する弾性波デバイス。 - 前記酸化シリコン膜はCVD膜である請求項9から11のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009225063A JP5417108B2 (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | 弾性波デバイスの製造方法 |
PCT/JP2010/065099 WO2011040179A1 (ja) | 2009-09-29 | 2010-09-03 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009225063A JP5417108B2 (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | 弾性波デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011077682A true JP2011077682A (ja) | 2011-04-14 |
JP5417108B2 JP5417108B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=43826007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009225063A Active JP5417108B2 (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | 弾性波デバイスの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5417108B2 (ja) |
WO (1) | WO2011040179A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013055371A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
JP2015170931A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
WO2018151146A1 (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 株式会社弾性波デバイスラボ | 弾性波素子およびその製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1092814A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 絶縁膜の形成方法 |
JP2002110668A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003188679A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2003203957A (ja) * | 1993-03-29 | 2003-07-18 | Fujitsu Ltd | シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004055955A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Fujitsu Ltd | 薄膜評価方法 |
JP2008028980A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-02-07 | Seiko Epson Corp | 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法 |
WO2008087836A1 (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-09-29 JP JP2009225063A patent/JP5417108B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-03 WO PCT/JP2010/065099 patent/WO2011040179A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003203957A (ja) * | 1993-03-29 | 2003-07-18 | Fujitsu Ltd | シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法 |
JPH1092814A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 絶縁膜の形成方法 |
JP2002110668A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003188679A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2004055955A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Fujitsu Ltd | 薄膜評価方法 |
JP2008028980A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-02-07 | Seiko Epson Corp | 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法 |
WO2008087836A1 (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013055371A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
JP2015170931A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
US9923539B2 (en) | 2014-03-05 | 2018-03-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
WO2018151146A1 (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 株式会社弾性波デバイスラボ | 弾性波素子およびその製造方法 |
JPWO2018151146A1 (ja) * | 2017-02-16 | 2019-06-27 | 株式会社弾性波デバイスラボ | 弾性波素子およびその製造方法 |
US11336255B2 (en) | 2017-02-16 | 2022-05-17 | Acoustic Wave Device Labo., Ltd. | Acoustic wave element and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5417108B2 (ja) | 2014-02-12 |
WO2011040179A1 (ja) | 2011-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5797979B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
JP5521045B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
US20170201232A1 (en) | Acoustic wave device and method of fabricating the same | |
JP6736006B2 (ja) | 弾性波素子およびその製造方法 | |
US11394365B2 (en) | Saw device with composite substrate for ultra high frequencies | |
US20060220494A1 (en) | Elastic boundary wave device, resonator, and ladder-type filter | |
JP2015537492A (ja) | 電子音響部品 | |
Fujii et al. | Low propagation loss in a one-port SAW resonator fabricated on single-crystal diamond for super-high-frequency applications | |
JPWO2005069485A1 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP7078000B2 (ja) | 弾性波装置 | |
JP2010011440A (ja) | 弾性波装置及びそれを用いた高周波フィルタ | |
US7843112B2 (en) | Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device | |
JP6646058B2 (ja) | 接合基板及びその製造方法とこの接合基板を用いた弾性表面波デバイス | |
US20120139662A1 (en) | Elastic wave element, and electrical apparatus and duplexer using same | |
TW202044757A (zh) | 高次模式彈性表面波裝置 | |
JP2019068309A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP5417108B2 (ja) | 弾性波デバイスの製造方法 | |
Fujii et al. | High-frequency SAW filters based on diamond films | |
Water et al. | Characteristics of strontium-doped ZnO films on love wave filter applications | |
JP2015227277A (ja) | 圧電性酸化物単結晶基板の製造方法 | |
JP2020129724A (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
Fujii et al. | Low propagation loss in a one-port resonator fabricated on single-crystal diamond | |
JP4992968B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
Kakio et al. | High coupling and highly stable shear-horizontal-type surface acoustic wave on langasite with Au or Ta2O5 thin film | |
Naumenko et al. | 6E-1 analysis of highly piezoelectric non-leaky SAW propagating in rotated Y-cuts of lithium niobate with thick metal films or gratings |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5417108 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |