WO2010091681A2 - Rückseitenkontaktierte solarzelle - Google Patents

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WO2010091681A2
WO2010091681A2 PCT/DE2010/075010 DE2010075010W WO2010091681A2 WO 2010091681 A2 WO2010091681 A2 WO 2010091681A2 DE 2010075010 W DE2010075010 W DE 2010075010W WO 2010091681 A2 WO2010091681 A2 WO 2010091681A2
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Sven Wanka
Robert Seguin
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Q-Cells Se
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    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Definitions

  • the invention relates to a back-contacted solar cell.
  • both the emitter contacts and the base contacts are applied to a solar cell rear side.
  • the associated semiconductor regions ie emitter and base regions, extend to the semiconductor surface of the solar cell rear side.
  • the semiconductor surface of the solar cell back side has semiconductor regions with different doping or doping types.
  • a surface-passivating passivation layer is generally applied to the semiconductor surfaces of the solar cell, in particular on the interfaces to the contacts. This may be a high surface charge density layer which forces minority carriers of a semiconductor region away from the semiconductor surface to reduce recombination opportunities.
  • Such field effect-based passivation is referred to below as field effect passivation.
  • the passivation layer used for this purpose usually only has surface passivation for one of the semiconductor regions, while the recombination losses of other semiconductor regions are hardly reduced or even increased, depending on their doping type.
  • the minority carriers would be in the one semiconductor region of the Are displaced in the other semiconductor region unfavorably additional minority carriers to the semiconductor surface and the recombination opportunities increase.
  • the surface charge density may be selected to be high enough that a charge carrier inversion occurs in the other semiconductor region, then no majority charge carriers are available for recombination at the semiconductor surface.
  • this leads to short-circuit effects, which are referred to as "parasitic shunting.” As a result, the efficiency of the solar cell is substantially reduced.
  • the invention is based on the recognition that in the
  • Described introduction short circuit effect of parasitic shunting can be reduced or even avoided if the arranged on the semiconductor surface and extending substantially over the entire Semiconductor surface extending passivation layer is spaced in an environment of the contact area of the semiconductor surface.
  • the spacing takes place here by means of a buffer layer arranged between passivation layer and semiconductor surface.
  • the buffer layer can thus be applied to regions of the semiconductor surface, in order subsequently to apply the passivation layer substantially over the whole area.
  • the through-holes are then formed in the passivation layer and / or in the buffer layer, and subsequently an electrode layer is applied, which is patterned to form emitter and base contacts of the solar cell.
  • the passivation layer itself, if appropriate apart from the formation of the through-holes, is not further structured.
  • the fact that the buffer layer surrounds the contact region means in this case a planar surrounding along the semiconductor surface. In other words, there is a surrounding area around the contact area, which is spanned by the buffer layer. This arrangement serves the purpose that the passivation layer in an environment of the contact area the
  • the buffer layer does not necessarily have to reach the contact area. Rather, in the immediate vicinity of the contact region, the passivation layer may contact the semiconductor surface.
  • the semiconductor region forming a contact region with the electrode may be formed of a different material than the semiconductor layer itself.
  • the semiconductor surface preferably forms a common surface of the semiconductor device - A -
  • the electrical connection between the semiconductor region and the electrode may comprise a tunnel contact, wherein the passivation layer and / or the buffer layer may serve as tunneling layers.
  • the passivation layer extends over a substantial part of the entire semiconductor surface. This means that the passivation layer at least over parts of the entire
  • the electrical connection can take place through one or more through-holes through the passivation layer and optionally through the buffer layer, wherein a contact layer is formed in the contact region between the semiconductor region and the electrode.
  • the buffer layer itself has a surface-passivating effect. But this can be additionally provided.
  • the buffer layer may be formed of silicon dioxide (SiO 2 ), which effects surface passivation based in part on field effect passivation.
  • the buffer layer may comprise SiN x or be formed from a number of other suitable materials.
  • the passivation layer has a negative surface charge density.
  • the passivation layer may comprise alumina (Al 2 O 3 ). Such a negative surface charge density is especially for the
  • the passivation layer touches the semiconductor surface substantially on the entire semiconductor regions not covered by the buffer layer. In other words, outside the semiconductor regions covered by the buffer layer, no further layer is interposed between the passivation layer and the semiconductor surface.
  • the passivation layer partially touches the semiconductor region. It is preferably provided that a ratio between the semiconductor surface covered by the buffer layer and the semiconductor surface adjoining the semiconductor region lies in a range between 5 and 50%, preferably between 10 and 30%. In other words, a corresponding portion of the semiconductor region along the semiconductor surface is covered with the buffer layer while the remainder is covered with the passivation layer.
  • the buffer layer surrounds the contact region to a distance from an edge of the contact region, which is in a distance range of about 0.5 to 50 microns, preferably from about 10 to 30 microns.
  • it can also be advantageously provided smaller distances, as far as they are technically possible.
  • the buffer layer covers substantially the entire semiconductor region of the semiconductor layer. In other words, a ratio between the semiconductor layer covered by the buffer layer and the semiconductor surface adjacent to the semiconductor region is about 100%.
  • the buffer layer may directly contact the semiconductor surface layer.
  • the semiconductor region is an emitter region, a base region or a back side field region (BSF region).
  • the passivation layer is electrically insulating.
  • the passivation layer is also formed pinholeok. It can thereby be achieved that the contact electrodes or the contacts which form the electrode layer can be dimensioned independently of the semiconductor regions.
  • the emitter and base contacts may be formed symmetrically, that is, have substantially the same dimensions, while the emitter and base regions electrically connected to them are formed asymmetrically, for example by making the base regions in the solar cell much smaller than the emitter regions, or at least claim a smaller proportion of the semiconductor surface.
  • the passivation layer comprises aluminum oxide.
  • ALD atomic layer deposition
  • the thickness of the passivation layer can be controlled very well.
  • a cover layer is formed between the passivation layer and the electrode.
  • a cover layer can serve to improve or to optimize the back reflection of light penetrating through the solar cell.
  • This cover layer may comprise, for example, SiO 2 , SiN x and / or other suitable materials.
  • 1 shows a schematic cross-sectional view of a back-contacted solar cell with asymmetrical emitter and contact electrodes
  • FIG. 2 shows an enlargement of a region framed in FIG. 1;
  • FIG. and FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of a further back-contacted solar cell, wherein the emitter and contact electrodes are formed symmetrically with respect to their width.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a back-contacted solar cell with a semiconductor layer 1, in which a semiconductor region 3 and a further semiconductor region 5 are formed.
  • the semiconductor region 3 has the same semiconductor material and the same doping as the semiconductor layer 1, so that there is no interface between them.
  • the further semiconductor region 5 has a different doping such that, during operation of the solar cell, free charge carriers generated by light irradiation are separated in the interface between the semiconductor region 3 and the further semiconductor region 5.
  • a passivation layer 7 is arranged between the electrode layer 2 and the semiconductor layer 1.
  • FIG. 1 A framed area II of the solar cell of FIG. 1 is shown enlarged in FIG. Here it can be seen that above the semiconductor region 3 between the semiconductor surface 15 and the
  • a buffer layer 9 is formed.
  • an inversion band 11 is formed in the semiconductor layer 3 along the Semiconductor surface 15.
  • the presence of the buffer layer 9 prevents this inversion band 11 from expanding to the contact region 31, thus creating a short circuit.
  • the inversion band 11 thus extends substantially only up to the buffer layer 9, which surrounds an edge 311 of the contact region 31.
  • the semiconductor region 3 is doped differently than the semiconductor layer 1.
  • the semiconductor layer 1 may be an n-doped base layer in which a semiconductor region 3 doped with phosphorus and thus n + -conducting is formed as a BSF region.
  • the further semiconductor region 5 may be an emitter region, which is made p + -conducting, for example by means of boron doping.
  • Buffer layer 9 has substantially the same areal dimensions along the semiconductor surface 15 as the semiconductor region 3. In other words, the semiconductor region 3 is substantially completely covered by the buffer layer 9. This has the advantage that no inversion band 11 can form in the semiconductor region 3, as is the case in the arrangement shown in FIG. 2.
  • a cover layer 8 is formed between the electrode layer 2 and the passivation layer 7.
  • the cover layer 8 can serve to improve or optimize electrical and / or optical properties of the solar cell. For example, it may act as a reflection layer to reflect back a portion of the light incident on the solar cell, which has not been absorbed when traveling through the semiconductor layer 1, and thereby increase the efficiency of the solar cell.
  • the cover layer 8 can be formed, for example, from SiO 2 or SiN x .
  • the passivation layer 7 extends over the entire semiconductor surface 15, wherein it has through holes for contacting with the electrode layer 2.
  • the two embodiments of the solar cell illustrated in FIGS. 1 and 3 additionally illustrate that the spatial dimensions of the contacts 23, 25 can be highly independent of the spatial dimensions of the semiconductor regions 3, 5 electrically connected to them and the second contacts 25 have substantially the same dimensions, the semiconductor regions 3 are substantially smaller than the other semiconductor regions 5. This represents further degrees of freedom for the design of back-contacted solar cells.
  • an intermediate region 13 which has the same conduction property as the semiconductor layer 1 itself is located along the semiconductor surface 15 between the two semiconductor regions 3 and 5.
  • such an intermediate region 13 may be dispensed with , In this case (not shown), the two semiconductor regions 3 and 5 touch, which can be highly doped as explained above.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine rϋckseitenkontaktierte Solarzelle umfassend: eine Halbleiterschicht (1) mit einer Halbleiteroberfläche (15) und einem an der Halbleiteroberfläche (15) angrenzenden Halbleiterbereich (3) in der Halbleiterschicht (1); eine mit dem Halbleiterbereich (3) elektrisch verbundene Elektrode (23), wobei der Halbleiterbereich (3) mit der Elektrode (23) einen Kontaktbereich (31) entlang der Halbleiteroberfläche (15) bildet; eine Passivierungsschicht (7), die auf der Halbleiteroberfläche (15) angeordnet ist und diese mittels Feldeffektpassivierung passiviert, wobei sich die Passivierungsschicht (7) im Wesentlichen ϋber die gesamte Halbleiteroberfläche (15) erstreckt und zwischen der Halbleiterschicht (1) undder Passivierungsschicht (7) eine im Hinblick auf die Feldeffektpassivierung gegenϋber der Passivierungsschicht (7) entgegengesetzt polarisierte oder neutrale Pufferschicht (9) angeordnet ist, welche den Kontaktbereich (31) umgibt.

Description

Titel:
Rückseitenkontaktierte Solarzelle
Beschreibung:
Die Erfindung betrifft eine rückseitenkontaktierte Solarzelle.
Bei derartigen Solarzellen sind sowohl die Emitterkontakte als auch die Basiskontakte auf einer Solarzellenrückseite aufgebracht. Unterhalb dieser Kontakte reichen die dazugehörigen Halbleiterbereiche, also Emitter- und Basisbereiche, bis zur Halbleiteroberfläche der Solarzellenrückseite. Somit weist die Halbleiteroberfläche der Solarzellenrückseite Halbleiterbereiche mit unterschiedlichen Dotierungen oder Dotierungsarten auf.
Um Rekombinationsverluste zu vermindern und somit den Wirkungsgrad der Solarzelle zu steigern, wird in der Regel auf den Halbleiteroberflächen der Solarzelle, insbesondere auf den Grenzflächen zu den Kontakten, eine oberflächenpassivierende Passivierungsschicht aufgebracht. Hierbei kann es sich um eine Schicht mit einer hohen Oberflächenladungsdichte handeln, welche Minoritätsladungsträger eines Halbleiterbereiches von der Halbleiteroberfläche weg drängt, um Rekombinationsgelegenheiten zu reduzieren. Eine derartige, auf Feldeffekten beruhende Passivierung wird im Folgenden als Feldeffektpassivierung bezeichnet.
Bei den rückseitenkontaktierten Solarzellen mit den unterschiedlichen Halbleiterbereichen auf der gleichen Halbleiteroberfläche ergibt sich hierbei das Problem, dass die hierfür verwendete Passivierungsschicht in der Regel lediglich für einen der Halbleiterbereiche oberflächenpassivierend wirkt, während die Rekombinationsverluste anderer Halbleiterbereiche abhängig von ihrer Dotierungsart kaum vermindert oder sogar gesteigert werden. Beispielsweise würden in dem oben beschriebenen Fall, bei dem die Minoritätsladungsträger in dem einen Halbleiterbereich von der Halbleiteroberfläche verdrängt werden, in dem anderen Halbleiterbereich ungünstigerweise zusätzliche Minoritätsladungsträger zu der Halbleiteroberfläche hingezogen werden und die Rekombinationsgelegenheiten zunehmen.
Im letzteren Fall kann zwar die Oberflächenladungsdichte so hoch gewählt sein, dass in dem anderen Halbleiterbereich eine Ladungsträgerinversion auftritt, so dass dann keine Majoritätsladungsträger mehr an der Halbleiteroberfläche zur Rekombination zur Verfügung stehen. Jedoch führt dies in einem Übergangsbereich zwischen den Halbleiterbereichen entlang der Halbleiteroberfläche zu Kurzschlusseffekten, die als „Parasitic Shunting" bezeichnet werden. Hierdurch wird der Wirkungsgrad der Solarzelle wesentlich vermindert.
Ein Lösungsansatz besteht darin, die Passivierungsschicht entlang der
Halbleiteroberfläche strukturiert aufzubringen derart, dass sie nur einen der Halbleiterbereiche bedeckt. Hierzu sind jedoch zusätzliche Strukturierungsschritte und insbesondere beim Aufbringen der Kontakte zusätzliche Justierstritte notwendig, wodurch der Herstellungsprozess aufwändig und teuer wird.
Es ist somit Aufgabe der Erfindung, eine rückseitenkontaktierte Solarzelle bereitzustellen, bei welcher der Wirkungsgrad bei verhältnismäßig geringem Aufwand verbessert ist.
Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch eine rückseitenkontaktierte Solarzelle mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen aufgeführt.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass der in der
Beschreibungseinleitung erläuterte Kurzschlusseffekt des Parasitic Shunting vermindert oder sogar vermieden werden kann, wenn die auf der Halbleiteroberfläche angeordnete und sich im Wesentlichen über die gesamte Halbleiteroberfläche erstreckende Passivierungsschicht in einer Umgebung des Kontaktbereiches von der Halbleiteroberfläche beabstandet ist. Die Beabstandung geschieht hierbei mittels einer zwischen Passivierungsschicht und Halbleiteroberfläche angeordneten Pufferschicht.
Zur Herstellung der rückseitenkontaktierten Solarzelle kann also die Pufferschicht auf Bereichen der Halbleiteroberfläche aufgebracht werden, um danach die Passivierungsschicht im Wesentlichen ganzflächig aufzubringen. In weiteren Schritten werden dann gegebenenfalls die Durchgangslöcher in der Passivierungsschicht und / oder in der Pufferschicht gebildet und anschließend eine Elektrodenschicht aufgebracht, die strukturiert wird, um Emitter- und Basiskontakte der Solarzelle zu bilden. Vorteilhafterweise wird die Passivierungsschicht selbst, gegebenenfalls abgesehen von der Bildung der Durchgangslöcher, nicht weiter strukturiert.
Dass die Pufferschicht den Kontaktbereich umgibt bedeutet hierbei ein flächiges Umgeben entlang der Halbleiteroberfläche. Mit anderen Worten, es gibt einen Umgebungsbereich um den Kontaktbereich, der durch die Pufferschicht aufgespannt wird. Diese Anordnung erfüllt den Zweck, dass die Passivierungsschicht in einer Umgebung des Kontaktbereiches die
Halbleiteroberfläche nicht berührt. Hierdurch wird verhindert, dass eine sich gegebenenfalls aufgrund der Passivierungsschicht in den Halbleiterbereich erstreckende Inversionsschicht bis zum Kontaktbereich reicht und einen Kurzschluss bewirkt. Wenngleich dies in der nachfolgenden Beschreibung und in den Zeichnungen aufgezeigt ist, braucht die Pufferschicht nicht unbedingt bis an den Kontaktbereich heranzureichen. Vielmehr kann in der unmittelbaren Umgebung des Kontaktbereiches die Passivierungsschicht die Halbleiteroberfläche berühren.
Der mit der Elektrode einen Kontaktbereich bildende Halbleiterbereich kann aus einem anderen Material gebildet sein, als die Halbleiterschicht selbst. Die Halbleiteroberfläche bildet jedoch bevorzugt eine gemeinsame Oberfläche der - A -
Halbleiterschicht und des hierin gebildeten Halbleiterbereiches. Dies gilt auch für weitere vorhandene Halbleiterbereiche.
Die elektrische Verbindung zwischen dem Halbleiterbereich und der Elektrode, beispielsweise zwischen einem Basisbereich und einer zugehörigen Basiselektrode, kann einen Tunnelkontakt umfassen, wobei die Passivierungsschicht und / oder die Pufferschicht als Tunnelschichten dienen können. Auch in diesem Fall erstreckt sich jedoch die Passivierungsschicht über einen wesentlichen Teil der gesamten Halbleiteroberfläche. Dies bedeutet, dass sich die Passivierungsschicht zumindest über Teile der gesamten
Halbleiteroberfläche erstreckt, die wesentlich für die Funktion der Solarzelle ist. Dies bedeutet nicht, dass keine Unterteilung der Solarzelle in unterschiedliche Funktionsbereiche möglich ist, was auch zu einer Unterteilung der Passivierungsschicht führen würde. Ferner kann die elektrische Verbindung durch ein oder mehrere Durchgangslöcher durch die Passivierungsschicht und gegebenenfalls durch die Pufferschicht erfolgen, wobei in dem Kontaktbereich zwischen dem Halbleiterbereich und der Elektrode eine Kontaktschicht gebildet ist.
Es ist hierbei nicht notwendig, dass die Pufferschicht selbst eine oberflächenpassivierende Wirkung hat. Dies kann aber zusätzlich vorgesehen sein. Beispielsweise kann die Pufferschicht aus Siliziumdioxid (SiO2) gebildet sein, die eine Oberflächenpassivierung bewirkt, welche zum Teil auf Feldeffektpassivierung beruht. Weiterhin kann die Pufferschicht SiNx umfassen oder aus einer Reihe weiterer geeigneter Materialien gebildet sein.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Passivierungsschicht eine negative Flächenladungsdichte aufweist. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht Aluminiumoxid (Al2O3) umfassen. Eine derartige negative Flächenladungsdichte ist insbesondere für die
Oberflächenpassivierung von p-dotierten Halbleiterbereichen von Vorteil. Es ist jedoch auch möglich, derartige Passivierungsschichten zur Passivierung undotierter oder n-dotierter Halbleiterbereiche zu nutzen, wenn die Flächenladungsdichte ausreichend hoch ist und eine Inversionsschicht oder ein Inversionsband auf der Halbleiteroberfläche bewirkt.
In einer vorteilhaften Weiterbildung ist vorgesehen, dass die Passivierungsschicht im Wesentlichen auf den gesamten, von der Pufferschicht nicht bedeckten Halbleiterbereichen die Halbleiteroberfläche berührt. Mit anderen Worten, außerhalb der von der Pufferschicht bedeckten Halbleiterbereiche ist keine weitere Schicht zwischen der Passivierungsschicht und der Halbleiteroberfläche angeordnet.
Gemäß einer zweckmäßigen Ausgestaltung ist vorgesehen, dass die Passivierungsschicht den Halbleiterbereich teilweise berührt. Bevorzugterweise ist vorgesehen, dass ein Verhältnis zwischen der von der Pufferschicht bedeckten Halbleiteroberfläche und der an dem Halbleiterbereich angrenzenden Halbleiteroberfläche in einem Bereich zwischen 5 und 50% liegt, vorzugsweise zwischen 10 und 30%. Mit anderen Worten, ein entsprechender Anteil des Halbleiterbereiches entlang der Halbleiteroberfläche ist mit der Pufferschicht bedeckt, während der Rest mit der Passivierungsschicht bedeckt ist.
Vorzugsweise umgibt die Pufferschicht den Kontaktbereich bis zu einem Abstand von einem Rand des Kontaktbereichs, der in einem Abstandsbereich von etwa 0,5 bis 50 μm liegt, vorzugsweise von etwa 10 bis 30 μm. Es können jedoch vorteilhafterweise auch kleinere Abstände vorgesehen sein, soweit sie technisch möglich sind.
Bei einer zweckmäßigen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Pufferschicht im Wesentlichen den gesamten Halbleiterbereich der Halbleiterschicht bedeckt. Mit anderen Worten, ein Verhältnis zwischen der von der Pufferschicht bedeckten Halbleiteroberfläche und der an dem Halbleiterbereich angrenzenden Halbleiteroberfläche beträgt etwa 100%. Hierbei kann die Pufferschicht die Halbleiteroberflächenschicht unmittelbar berühren. In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist vorgesehen, dass der Halbleiterbereich ein Emitterbereich, ein Basisbereich oder ein Rückseitenfeldbereich (BSF- Bereich) ist.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die Passivierungsschicht elektrisch isolierend ist. Vorteilhafterweise ist die Passivierungsschicht zudem pinholefrei gebildet. Hierdurch kann erreicht werden, dass die Kontaktelektroden beziehungsweise die Kontakte, welche die Elektrodenschicht bilden, unabhängig von den Halbleiterbereichen dimensioniert sein können. Beispielsweise können die Emitter- und Basiskontakte symmetrisch gebildet sein, das heißt im Wesentlichen die gleichen Abmessungen aufweisen, während die mit ihnen elektrisch verbundenen Emitter- und Basisbereiche asymmetrisch gebildet sind, beispielsweise indem die Basisbereiche in der Solarzelle viel kleiner ausgebildet sind, als die Emitterbereiche, oder zumindest einen kleineren Anteil der Halbleiteroberfläche beanspruchen.
Vorteilhafterweise ist vorgesehen, dass die Passivierungsschicht Aluminiumoxid umfasst. Insbesondere ist es von Vorteil, mittels Atomschichtabscheidung (ALD) hergestellte Al2O3-Schichten als Passivierungsschicht zu verwenden. Hierdurch kann beispielsweise die Dicke der Passivierungsschicht sehr gut kontrolliert werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung ist vorgesehen, dass zwischen der Passivierungsschicht und der Elektrode eine Deckschicht gebildet ist. Eine derartige Deckschicht kann dazu dienen, die Rückreflexion von durch die Solarzelle dringendem Licht zu verbessern oder zu optimieren. Diese Deckschicht kann zum Beispiel SiO2, SiNx und / oder andere geeignete Materialien umfassen.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Figuren erläutert. Hierbei zeigen: Fig. 1 eine schematische Querschnittansicht einer rückseitenkontaktierten Solarzelle mit asymmetrischen Emitter- und Kontaktelektroden;
Fig. 2 eine Vergrößerung eines in der Fig. 1 umrahmten Bereiches; und Fig. 3 eine schematische Querschnittsansicht einer weiteren rückseitenkontaktierten Solarzelle, wobei die Emitter- und Kontaktelektroden im Hinblick auf ihre Breite symmetrisch ausgebildet sind.
Die Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnittansicht einer rückseitenkontaktierten Solarzelle mit einer Halbleiterschicht 1 , in der ein Halbleiterbereich 3 und ein weiterer Halbleiterbereich 5 gebildet sind. Der Halbleiterbereich 3 weist das gleiche Halbleitermaterial und die gleiche Dotierung auf, wie die Halbleiterschicht 1 , so dass sich hierzwischen keine Grenzfläche bildet. Demgegenüber weist der weitere Halbleiterbereich 5 eine andere Dotierung auf derart, dass beim Betrieb der Solarzelle mittels Lichteinstrahlung erzeugte freie Ladungsträger in der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterbereich 3 und dem weiteren Halbleiterbereich 5 getrennt werden.
Auf einer Halbleiteroberfläche 15 der Halbleiterschicht 1 befindet sich eine Elektrodenschicht 2, welche in erste Kontakte 23 und zweite Kontakte 25 unterteilt ist, die jeweils mit den Halbleiterbereichen 3 beziehungsweise mit den weiteren Halbleiterbereichen 5 elektrisch verbunden sind. Zur Oberflächenpassivierung ist zwischen der Elektrodenschicht 2 und der Halbleiterschicht 1 eine Passivierungsschicht 7 angeordnet.
Ein umrahmter Bereich Il der Solarzelle aus der Fig. 1 ist in der Fig. 2 vergrößert dargestellt. Hier ist erkennbar, dass oberhalb des Halbleiterbereiches 3 zwischen der Halbleiteroberfläche 15 und der
Passivierungsschicht 7 eine Pufferschicht 9 gebildet ist. In den Bereichen, wo die Passivierungsschicht 7 direkt auf der Halbleiteroberfläche 15 anliegt, bildet sich in der Halbleiterschicht 3 ein Inversionsband 11 entlang der Halbleiteroberfläche 15. Das Vorhandensein der Pufferschicht 9 hindert dieses Inversionsband 11 , sich bis zum Kontaktbereich 31 auszudehnen und somit einen Kurzschluss zu erzeugen. Das Inversionsband 11 erstreckt sich somit im Wesentlichen nur bis zu der Pufferschicht 9, die einen Rand 311 des Kontaktbereiches 31 umgibt.
Eine weitere Ausführungsform einer rückseitenkontaktierten Solarzelle ist in der Fig. 3 dargestellt. Hierbei ist der Halbleiterbereich 3 anders dotiert, als die Halbleiterschicht 1. Beispielsweise kann die Halbleiterschicht 1 eine n-dotierte Basisschicht sein, in der ein beispielsweise mit Phosphor dotierter und hierdurch n+-leitender Halbleiterbereich 3 als BSF-Bereich gebildet ist. Demgegenüber kann der weitere Halbleiterbereich 5 ein Emitterbereich sein, welcher beispielsweise mittels Bor-Dotierung p+-leitend gemacht ist.
Anders als in den Fig. 1 und 2, weist die in der Fig. 3 dargestellte
Pufferschicht 9 im Wesentlichen die gleichen flächigen Abmessungen entlang der Halbleiteroberfläche 15 auf, wie der Halbleiterbereich 3. Mit anderen Worten, der Halbleiterbereich 3 wird durch die Pufferschicht 9 im Wesentlichen vollständig bedeckt. Das hat den Vorteil, dass sich in dem Halbleiterbereich 3 kein Inversionsband 11 ausbilden kann, wie dies in der in Fig. 2 dargestellten Anordnung der Fall ist.
Ferner ist zwischen der Elektrodenschicht 2 und der Passivierungsschicht 7 eine Deckschicht 8 gebildet. Die Deckschicht 8 kann dazu dienen, elektrische und / oder optische Eigenschaften der Solarzelle zu verbessern oder zu optimieren. Beispielsweise kann sie als eine Reflexionsschicht wirken, um einen Teil des auf die Solarzelle einfallenden Lichts, welches beim Durchwandern der Halbleiterschicht 1 nicht absorbiert wurde, zurück zu reflektieren und hierdurch den Wirkungsgrad der Solarzelle zu erhöhen. Die Deckschicht 8 kann hierzu beispielsweise aus SiO2 oder SiNx gebildet sein.
Sowohl in der Fig. 1 als auch in der Fig. 3 ist angedeutet, dass sich die Passivierungsschicht 7 über die gesamte Halbleiteroberfläche 15 erstreckt, wobei sie Durchgangslöcher zur Kontaktierung mit der Elektrodenschicht 2 aufweist. Die beiden in den Fig. 1 und 3 dargestellten Ausführungsformen der Solarzelle veranschaulichen zudem, dass die räumlichen Abmessungen der Kontakte 23, 25 in hohem Maße unabhängig sein können von den räumlichen Abmessungen der mit ihnen elektrisch verbundenen Halbleiterbereiche 3, 5. Während die ersten Kontakte 23 und die zweiten Kontakte 25 im Wesentlichen gleiche Abmessungen aufweisen, sind die Halbleiterbereiche 3 wesentlich kleiner ausgebildet, als die weiteren Halbleiterbereiche 5. Dies stellt für das Design rückseitenkontaktierter Solarzellen weitere Freiheitsgrade dar.
In der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform befindet sich entlang der Halbleiteroberfläche 15 zwischen den beiden Halbleiterbereichen 3 und 5 ein Zwischenbereich 13, der die gleiche Leitungseigenschaft besitzt, wie die Halbleiterschicht 1 selbst. In einer alternativen Ausführungsform kann die auf einen derartigen Zwischenbereich 13 verzichtet werden. In diesem (nicht dargestellten) Fall berühren sich die beiden Halbleiterbereiche 3 und 5, welche wie vorangehend erläutert hoch dotiert sein können.
Bezugszeichenliste:
1 Halbleiterschicht
11 Inversionsband 13 Zwischenbereich
15 Halbleiteroberfläche
2 Elektrodenschicht
23 erster Kontakt 25 zweiter Kontakt
3 Halbleiterbereich (BSF, Basis)
31 Kontaktbereich
311 Rand des Kontaktbereichs
5 weiterer Halbleiterbereich (Emitter)
7 Passivierungsschicht
8 Deckschicht
9 Pufferschicht

Claims

Patentansprüche:
1. Rückseitenkontaktierte Solarzelle umfassend: eine Halbleiterschicht (1 ) mit einer Halbleiteroberfläche (15) und einem an der Halbleiteroberfläche (15) angrenzenden Halbleiterbereich (3) in der Halbleiterschicht (1 ); eine mit dem Halbleiterbereich (3) elektrisch verbundene Elektrode (23), wobei der Halbleiterbereich (3) mit der Elektrode (23) einen Kontaktbereich (31 ) entlang der Halbleiteroberfläche (15) bildet; eine Passivierungsschicht (7), die auf der Halbleiteroberfläche (15) angeordnet ist und diese mittels Feldeffektpassivierung passiviert,
dadurch gekennzeichnet,
dass sich die Passivierungsschicht (7) im Wesentlichen über die gesamte Halbleiteroberfläche (15) erstreckt und dass zwischen der Halbleiterschicht (1 ) und der Passivierungsschicht (7) eine im Hinblick auf die Feldeffektpassivierung gegenüber der Passivierungsschicht (7) entgegengesetzt polarisierte oder neutrale Pufferschicht (9) angeordnet ist, welche den Kontaktbereich (31 ) umgibt.
2. Rückseitenkontaktierte Solarzelle nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht (7) eine negative Flächenladungsdichte aufweist.
3. Rückseitenkontaktierte Solarzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht (7) im Wesentlichen auf den gesamten, von der Pufferschicht (9) nicht bedeckten Halbleiterbereichen (5, 13) die Halbleiteroberfläche (15) berührt.
4. Rückseitenkontaktierte Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht (7) den Halbleiterbereich (3) teilweise berührt.
5. Rückseitenkontaktierte Solarzelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verhältnis zwischen der von der Pufferschicht (9) bedeckten Halbleiteroberfläche (15) und der an dem Halbleiterbereich (3) angrenzenden Halbleiteroberfläche (15) in einem Bereich zwischen 5 und 50% liegt, vorzugsweise zwischen 10 und 30%.
6. Rückseitenkontaktierte Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht (9) im Wesentlichen den gesamten Halbleiterbereich (3) der Halbleiterschicht (1 ) bedeckt.
7. Rückseitenkontaktierte Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterbereich (3) ein Emitterbereich, ein Basisbereich oder ein Rückseitenfeldbereich (BSF- Bereich) ist.
8. Rückseitenkontaktierte Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht (7) elektrisch isolierend ist.
9. Rückseitenkontaktierte Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht (7) Aluminiumoxid umfasst.
10. Rückseitenkontaktierte Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Passivierungsschicht (7) und der Elektrode (23) eine Deckschicht (8) gebildet ist.
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