DE102007024478A1 - Fotoempfindliches Halbleiterbauelement - Google Patents

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Abstract

Bei einem Halbleiterbauelement (1) mit einer fotoempfindlichen dotierten Halbleiterschicht (2), in der bei Absorption elektromagnetischer Strahlung (6) elektrische Ladungsträger freigesetzt werden, weist die fotoempfindliche Halbleiterschicht (2) eine strukturierte Grenzfläche (7) auf. Der strukturierten Grenzfläche (7) ist mindestens eine Schicht (3) nachgeordnet, die ein elektrisches Feld zur Trennung der freigesetzten Ladungsträger erzeugt, wobei sich das elektrische Feld über die strukturierte Grenzfläche (7) erstreckt. Das fotoempfindliche Halbleiterbauelement (1) zeichnet sich durch eine hohe Effizienz der Ladungsträgertrennung, insbesondere zur Erzeugung eines elektrischen Stroms, aus.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein fotoempfindliches Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • Ein fotoempfindliches Halbleiterbauelement in Form einer Solarzelle ist zum Beispiel aus der Druckschrift US 4,177,093 bekannt. Die darin beschriebene Solarzelle umfasst ein dotiertes Halbleitersubstrat, eine darauf aufgebrachte Schicht aus Indiumzinnoxid (ITO) sowie elektrische Kontakte, die auf der Rückseite des Substrats und auf der Oberfläche der ITO-Schicht aufgebracht sind. Die ITO-Schicht wirkt mit dem Substrat derart zusammen, dass ähnlich wie bei einem pn-Übergang die im Substrat durch Absorption elektromagnetischer Strahlung freigesetzten elektrischen Ladungsträger zur Erzeugung eines elektrischen Stroms getrennt werden.
  • Eine weitere Solarzelle ist aus der Druckschrift US 5,949,123 bekannt. Diese Solarzelle basiert auf einem p-dotierten Siliziumsubstrat, in das ein n-Dotierstoff zur Erzeugung eines vergrabenen pn-Übergangs implantiert ist. Um die Reflexion der Oberfläche des Siliziumsubstrats zu vermindern, ist die Oberfläche des Siliziumsubstrats strukturiert. Auf diese Weise wird erreicht, dass ein höherer Lichtanteil in das Siliziumsubstrat eindringen kann.
  • In der Druckschrift WO 02/13279 A2 wird beschrieben, die Oberfläche einer Solarzelle mittels eines Ätzverfahrens zu strukturieren, um die Reflexion der Oberfläche zu vermindern.
  • Aus der Druckschrift M. Stubenrauch, M. Fischer, C. Kremin, S. Stoebenau, A. Albrecht, O. Nagel, „Black Silicon – New Functionalities in Microsystems", J. Michromech. Microeng. 16 (2006), S. 82–86, ist ein Plasmaätzverfahren zur Herstellung von nadelartigen Strukturen in Siliziumschichten bekannt. Weiterhin beschreibt auch die Druckschrift H. Jansen, M. De Boer, R. Legtenberg, M. Elwenspoek, „The black silicon method: a universal method for determining the parameter setting of a fluorine-based reactive ion etcher in deep silicon trench etching with profile control", J. Michromech. Microeng. 5 (1995), S. 115–120, ein Verfahren zur Herstellung von nadelartigen Strukturen in Silizium.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes fotoempfindliches Halbleiterbauelement anzugeben, das sich insbesondere durch eine effizientere Ladungsträgertrennung der in einem fotoempfindlichen Halbleitermaterial erzeugten Ladungsträger auszeichnet.
  • Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Bei einem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement mit einer fotoempfindlichen dotierten Halbleiterschicht, in der bei Absorption elektromagnetischer Strahlung elektrische Ladungsträger freigesetzt werden, weist die fotoempfindliche Halbleiterschicht eine strukturierte Grenzfläche auf. Der strukturierten Grenzfläche ist mindestens eine Schicht nachgeordnet, die ein elektrisches Feld zur Trennung der freigesetzten Ladungsträger erzeugt, wobei sich das elektrische Feld über die strukturierte Grenzfläche erstreckt.
  • Die der fotoempfindlichen Halbleiterschicht nachgeordnete Schicht kann unmittelbar auf die strukturierte Grenzfläche aufgebracht sein oder durch eine oder mehrere Zwischenschichten von der fotoempfindlichen Halbleiterschicht beabstandet sein. Dadurch, dass die zur Erzeugung eines elektrischen Feldes geeignete Schicht der fotoempfindlichen Halbleiterschicht nachgeordnet ist, wird erreicht, dass sich das elektrische Feld über die strukturierte Grenzfläche der fotoempfindlichen Schicht erstreckt. Somit ist der aktive Bereich, in dem eine Ladungsträgertrennung stattfindet, aufgrund der Strukturierung der photoempfindlichen Schicht wesentlich größer als bei herkömmlichen Bauelementen, bei denen der aktive Bereich beispielsweise aus einer ebenen Grenzfläche zwischen einem Siliziumsubstrat und einer ITO-Schicht oder aus einem innerhalb des Substrats ausgebildeten pn-Übergang gebildet ist. Durch die Strukturierung der fotoempfindlichen Schicht wird also nicht nur die Reflexion der Grenzfläche vermindert, sondern auch der aktive Bereich, in dem Ladungsträgertrennung stattfindet, vergrößert.
  • Die dem Substrat nachgeordnete Schicht enthält insbesondere ein transparentes elektrisch leitfähiges Material. Vorzugsweise ist das transparente elektrisch leitfähige Material ein transparentes leitfähiges Oxid, insbesondere Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Zinkoxid (ZnO) oder Cadmium-Stannat (CTO, Cd2SnO4).
  • Weiterhin kann das transparente elektrisch leitfähige Material auch ein transparentes leitfähiges Polymer sein.
  • Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die der fotoempfindlichen Halbleiterschicht nachgeordnete Schicht eine Halbleiterschicht, die sich in ihren Dotierungstyp und/oder ihrer Dotierstoffkonzentration von der fotoempfindlichen Halbleiterschicht unterscheidet.
  • Insbesondere kann die der dotierten fotoempfindlichen Halbleiterschicht nachgeordnete Schicht den entgegengesetzten Dotierungstyp aufweisen, so dass zum Beispiel die fotoempfindliche Halbleiterschicht p-dotiert ist und die nachgeordnete Schicht n-dotiert ist oder umgekehrt. Auf diese Weise wird an der Grenzfläche der strukturierten fotoempfindlichen Halbleiterschicht ein pn-Übergang ausgebildet, wobei der pn-Übergang aufgrund der Strukturierung vorteilhaft größer ist als bei einer ebenen Grenzfläche zwischen den Halbleiterschichten entgegengesetzten Dotierungstyps.
  • Zwischen der fotoempfindlichen Schicht und der ihr nachgeordneten Schicht kann mindestens eine Zwischenschicht angeordnet sein. Insbesondere kann es sich bei der Zwischenschicht um eine Siliziumoxidschicht handeln, die sich beispielsweise auf der fotoempfindlichen Halbleiterschicht ausbilden kann, bevor die transparente leitfähige Schicht aufgebracht wird. Weiterhin kann es sich bei der Zwischenschicht auch um eine Schicht aus einem intrinsischen Halbleitermaterial handeln, insbesondere wenn es sich bei der fotoempfindlichen Halbleiterschicht und der nachgeordneten Schicht um zwei Halbleiterschichten mit verschiedenem Dotierungstyp handelt.
  • Die strukturierte Grenzfläche der fotoempfindlichen Halbleiterschicht ist vorzugsweise derart strukturiert, dass sie Strukturen mit einer Breite von weniger als 100 nm aufweist. Bevorzugt weist die strukturierte Grenzfläche Strukturen auf, die eine Breite zwischen 10 nm und 100 nm aufweisen.
  • Aufgrund der strukturierten Grenzfläche ist zwischen der fotoempfindlichen Schicht und der nachfolgenden Schicht ein Brechungsindexgradient ausgebildet, so dass die Grenzfläche zwischen den Schichten als effektives Medium wirkt.
  • Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die an der Grenzfläche der fotoempfindlichen Halbleiterschicht erzeugten Strukturen eine Höhe von mehr als 100 nm aufweisen. Insbesondere kann die Höhe der an der strukturierten Grenzfläche erzeugten Strukturen zwischen 1,5 μm und 10 μm betragen.
  • Die an der Grenzfläche der fotoempfindlichen Halbleiterschicht erzeugten Strukturen zeichnen sich insbesondere durch ein hohes Aspektverhältnis aus. Dies hat den Vorteil, dass die Grenzfläche im Vergleich zu einer nahezu glatten Grenzfläche erheblich vergrößert wird. Bevorzugt beträgt die Höhe der Strukturen im Mittel mindestens das 10-fache der Breite, besonders bevorzugt sogar mindestens das 50-fache der Breite.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die strukturierte Grenzfläche der fotoempfindlichen Halbleiterschicht Strukturen auf, die überwiegend, also mehr als zur Hälfte, eine Flankensteilheit von mehr als 45° aufweisen. Beispielsweise können die Flanken der Strukturen Winkel im Bereich von 80° bis 85° mit einer Hauptebene der photoempfindlichen Halbleiterschicht einschließen. Insbesondere kann es sich bei den Strukturen um nadelförmige Strukturen handeln.
  • Die strukturierte Grenzfläche kann insbesondere eine stochastische Struktur aufweisen, also eine Struktur, bei der die Strukturhöhen und Strukturbreiten im Gegensatz zu deterministischen Strukturen, die beispielsweise mit lithografi schen Techniken erzeugt werden, eine statistische Verteilung aufweisen.
  • Bevorzugt ist die strukturierte Grenzfläche mittels eines Ätzverfahrens strukturiert. Dazu wird vorzugsweise ein Plasmaätzverfahren eingesetzt, wie insbesondere ein ICP-Ätzverfahren (inductively coupled plasma). Alternativ können aber auch andere Verfahren der physikalischen Abtragung wie beispielsweise Laserstrukturierung eingesetzt werden.
  • Die Anwendung eines Ätzverfahrens zur Erzeugung einer stochastischen Struktur ist im Vergleich zu lithographischen Strukturierungsverfahren vorteilhaft, weil der Herstellungsaufwand vergleichsweise gering ist.
  • Alternativ ist es aber auch möglich, dass die Grenzfläche der fotoempfindlichen Halbleiterschicht eine deterministische, also vorbestimmte Struktur aufweist, die beispielsweise lithografisch, insbesondere unter Verwendung einer Ätzmaske, hergestellt ist.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung eines Halbleiterbauelements gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
  • 2 eine grafische Darstellung der Reflexion einer strukturierten Siliziumschicht im Vergleich zu einer unstrukturierten Siliziumschicht und
  • 3 eine schematische Darstellung eines Halbleiterbauelements gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt sein.
  • Das in 1 dargestellte Halbleiterbauelement 1 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist eine Solarzelle, die eine fotoempfindliche Halbleiterschicht 2, zum Beispiel eine p-dotierte Siliziumschicht, enthält. Die Halbleiterschicht 2 kann insbesondere ein Silizium-Wafer sein, der typischerweise eine Dicke von mehr als 100 μm aufweist. Alternativ kann die Halbleiterschicht 2 aber auch eine auf ein Substrat aufgebrachte Halbleiterschicht sein, zum Beispiel eine auf einen metallischen Reflektor (nicht dargestellt) aufgebrachte Halbleiterschicht.
  • In der fotoempfindlichen Halbleiterschicht 2 werden beim Auftreffen elektromagnetischer Strahlung, die durch die Pfeile 6 angedeutet ist, elektrische Ladungsträger freigesetzt. Insbesondere kann es sich bei dem Halbleiterbauelement 1 um eine Solarzelle handeln, bei der durch Absorption von Sonnenlicht in der fotoempfindlichen Halbleiterschicht 2 Elektron-Loch-Paare als freie Ladungsträger erzeugt werden.
  • Auf die fotoempfindliche Halbleiterschicht 2 ist eine Schicht 3 aufgebracht, mittels der ein elektrisches Feld zur Trennung der freigesetzten Ladungsträger erzeugt wird. Auf diese Weise kann insbesondere ein elektrischer Strom aus den freigesetz ten Ladungsträgern erzeugt werden. Um den elektrischen Strom aus dem Halbleiterbauelement 1 abzuführen, kann ein erster elektrischer Kontakt 4 an einer von der Schicht 3 abgewandten Rückseite der Halbleiterschicht 2 und ein weiterer elektrischer Kontakt 5 auf der Schicht 3 angeordnet sein. Der zweite elektrische Kontakt 5 kann beispielsweise streifenförmig über die Grenzfläche der Schicht 3 geführt sein.
  • Die fotoempfindliche Halbleiterschicht 2 weist eine strukturierte Grenzfläche 7 auf. Die strukturierte Grenzfläche 7 kann beispielsweise mit einem Plasmaätzverfahren, insbesondere durch induktiv gekoppeltes Plasmaätzen (ICP) erzeugt werden. Dabei werden beispielsweise SF6 und O2 als Ätzgase verwendet. Die Form der erzeugten Strukturen kann dabei durch die Wahl der Ätzparameter, insbesondere der Zusammensetzung der Ätzgase, gezielt eingestellt werden. Geeignete Plasmaätzverfahren, insbesondere zur Erzeugung nadelförmiger Strukturen, sind an sich aus den in der Einleitung zitierten Druckschriften bekannt und werden daher nicht näher erläutert.
  • Bevorzugt werden mit dem Ätzverfahren an der Grenzfläche 7 Strukturen erzeugt, die ein hohes Aspektverhältnis aufweisen. Die Grenzflächenstrukturen weisen bevorzugt eine Höhe h auf, die größer als ihre Breite b ist. Bevorzugt beträgt die Höhe der Strukturen h im Mittel mindestens das 10-fache der Breite b, besonders bevorzugt sogar mindestens das 50-fache der Breite b. Insbesondere zeichnen sich die Strukturen vorteilhaft durch eine hohe Flankensteilheit auf. Bevorzugt weisen die Strukturen überwiegend, das heißt mindestens zur Hälfte, eine Flankensteilheit von mehr als 45° auf.
  • Die Breite b der Strukturen beträgt bevorzugt weniger als 100 nm, insbesondere zwischen einschließlich 10 nm und ein schließlich 100 nm. Die Höhe h der Strukturen der Grenzfläche 7 beträgt vorzugsweise zwischen einschließlich 1,5 μm und einschließlich 5 μm.
  • Die Strukturierung der Grenzfläche 7 der Halbleiterschicht 2 wirkt sich in zweifacher Hinsicht positiv auf die Effizienz des Halbleiterbauelements 1 aus. Zum einen wird die Reflexion der Grenzfläche der Halbleiterschicht 2 durch die Strukturierung vermindert. Aufgrund der Strukturierung der fotoempfindlichen Halbleiterschicht 2 vermindert sich auch die Reflexion der Oberfläche des Halbleiterbauelements, wenn die mindestens eine der Halbleiterschicht nachfolgende Schicht 3 derart dünn ist, dass auch ihre Oberfläche die Strukturierung aufweist. Die Verminderung der Reflexion der Grenzfläche 7 der Halbleiterschicht 2 wird in 2 verdeutlicht, in der die Reflexion einer Siliziumschicht vor und nach der Strukturierung in Abhängigkeit von der Wellenlänge dargestellt ist. Die Kurve 9 stellt die Reflexion der Siliziumschicht vor der Strukturierung und die Kurve 10 die Reflexion der Siliziumschicht nach der Strukturierung dar. Da die strukturierte Schicht eine wesentliche geringere Reflexion als eine unstrukturierte Schicht aufweist, kann ein größerer Anteil der auftreffenden Strahlung in die photoempfindliche Schicht eindringen, wodurch die Effizienz des photoempfindlichen Halbleiterbauelements verbessert wird.
  • Ein weiterer Vorteil der Strukturierung der Halbleiterschicht 2 ergibt sich daraus, dass die Schicht 3, mittels der ein elektrisches Feld zur Trennung der in der fotoempfindlichen Halbleiterschicht 2 freigesetzten Ladungsträger erzeugt wird, der Halbleiterschicht 2 nachgeordnet ist, d. h. auf oder über der photoempfindlichen Halbleiterschicht 2 angeordnet ist. Auf diese Weise wird erreicht, dass sich das elektrische Feld, mit dem die freigesetzten Ladungsträger getrennt werden, über die strukturierte Grenzfläche 7 der Halbleiterschicht 2 erstreckt. Der Bereich, in dem die Ladungsträgertrennung stattfindet, ist daher größer als im Fall einer unstrukturierten Grenzfläche zwischen einer Halbleiterschicht 2 und der ihr nachgeordneten Schicht 3. Beispielsweise kann durch die Strukturierung die Grenzfläche 7 der fotoempfindlichen Halbleiterschicht um einen Faktor 10 oder mehr vergrößert werden.
  • Die der strukturierten Halbleiterschicht 2 nachgeordnete Schicht 3 enthält vorzugsweise ein transparentes elektrisch leitfähiges Material, insbesondere ein transparentes leitfähiges Oxid oder ein transparentes leitfähiges Polymer. Die Schicht 3 kann zum Beispiel eine Dicke von etwa 1 μm aufweisen.
  • Geeignete transparente leitfähige Oxide sind insbesondere Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO). Weiterhin sind Zinkoxid (ZnO), das insbesondere mit Al dotiert sein kann, oder Cadmium-Stannat (Cd2SnO4) geeignet.
  • Alternativ ist es auch möglich, dass die Schicht 3 ein Halbleitermaterial aufweist, das einen zu der Halbleiterschicht 2 entgegengesetzten Dotierungstyp aufweist. Beispielsweise kann die Halbleiterschicht 2 p-dotiert und die Schicht 3 n-dotiert sein. In diesem Fall ist zwischen der Halbleiterschicht 2 und der Schicht 3 ein pn-Übergang ausgebildet, der sich über die strukturierte Grenzfläche 7 der Halbleiterschicht 2 erstreckt. Der Bereich des pn-Übergangs ist aufgrund der Strukturierung vorteilhaft wesentlich größer als im Fall einer ebenen Grenzfläche zwischen einer p-dotierten Halbleiterschicht und einer n-dotierten Halbleiterschicht. Bei den Schichten 2, 3 kann es sich beispielsweise um Siliziumschichten mit unterschiedlicher Dotierung handeln. Alternativ können aber auch andere Halbleitermaterialien eingesetzt werden, beispielsweise III-V-Halbleitermaterialien wie insbesondere GaAs oder InAs.
  • Das in 3 dargestellte Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements unterscheidet sich von dem in 1 dargestellten dadurch, dass zwischen der fotoempfindlichen Halbleiterschicht 2 und der ihr nachgeordneten Schicht 3, mittels der das elektrische Feld zur Ladungsträgertrennung erzeugt wird, eine Zwischenschicht 8 angeordnet ist. Insbesondere kann die fotoempfindliche Halbleiterschicht 2 eine Siliziumschicht und die Zwischenschicht 8 eine Siliziumoxidschicht sein. Die Siliziumoxidschicht 8 kann insbesondere eine natürliche Oxidschicht sein, die sich auf der Siliziumschicht 2 ausbildet, wenn die Halbleiterschicht 2 vor dem Aufbringen der Schicht 3 in Kontakt mit Luft gerät.
  • Weiterhin kann es sich bei der Zwischenschicht 8 auch um eine Schicht aus einem intrinsischen Halbleitermaterial handeln, die beispielsweise zwischen zwei entgegengesetzten dotierten Halbleiterschichten eingefügt ist, um die Rekombination der Ladungsträger zu vermindern.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 4177093 [0002]
    • - US 5949123 [0003]
    • - WO 02/13279 A2 [0004]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - Druckschrift M. Stubenrauch, M. Fischer, C. Kremin, S. Stoebenau, A. Albrecht, O. Nagel, „Black Silicon – New Functionalities in Microsystems", J. Michromech. Microeng. 16 (2006), S. 82–86 [0005]
    • - Druckschrift H. Jansen, M. De Boer, R. Legtenberg, M. Elwenspoek, „The black silicon method: a universal method for determining the parameter setting of a fluorine-based reactive ion etcher in deep silicon trench etching with profile control", J. Michromech. Microeng. 5 (1995), S. 115–120 [0005]

Claims (15)

  1. Halbleiterbauelement (1) mit einer fotoempfindlichen dotierten Halbleiterschicht (2), in der bei Absorption elektromagnetischer Strahlung (6) elektrische Ladungsträger freigesetzt werden, wobei die fotoempfindliche Halbleiterschicht (2) eine strukturierte Grenzfläche (7) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der strukturierten Grenzfläche (7) mindestens eine Schicht (3) nachgeordnet ist, die ein elektrisches Feld zur Trennung der freigesetzten Ladungsträger erzeugt, wobei sich das elektrische Feld über die strukturierte Grenzfläche (7) erstreckt.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (2) nachgeordnete Schicht (3) ein transparentes elektrisch leitfähiges Material enthält.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente elektrisch leitfähige Material ein transparentes leitfähiges Oxid ist.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente leitfähige Oxid Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Zinkoxid oder Cadmium-Stannat ist.
  5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente elektrisch leitfähige Material ein transparentes leitfähiges Polymer ist.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (2) nachgeordnete Schicht (3) eine Halbleiterschicht ist, die sich in ihrem Dotierungstyp und/oder ihrer Dotierstoffkonzentration von der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (2) unterscheidet.
  7. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der fotoempfindlichen Schicht (2) und der ihr nachgeordneten Schicht (3) mindestens eine Zwischenschicht (8) angeordnet ist.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (8) ein Siliziumoxid oder ein intrinsisches Halbleitermaterial enthält.
  9. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Grenzfläche (7) der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (3) Strukturen mit einer Breite (b) von weniger als 100 nm aufweist.
  10. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Grenzfläche (7) der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (2) Strukturen mit einer Höhe (h) von mehr als 100 nm aufweist.
  11. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Grenzfläche (7) der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (2) Strukturen mit einer Flächendichte von mindestens 104 cm–2 aufweist.
  12. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Grenzfläche (7) der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (2) Strukturen aufweist, die überwiegend eine Flankensteilheit von mehr als 45° aufweisen.
  13. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Grenzfläche (7) der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (2) eine stochastische Struktur aufweist.
  14. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Grenzfläche (7) der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (2) eine deterministische Struktur aufweist.
  15. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Grenzfläche (7) der fotoempfindlichen Halbleiterschicht (2) mittels eines Ätzverfahrens strukturiert ist.
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