WO2010073287A1

WO2010073287A1 - 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法

Info

Publication number: WO2010073287A1
Application number: PCT/JP2008/003886
Authority: WO
Inventors: 藤本健二郎; 前田孝則; 河野高博
Original assignee: パイオニア株式会社
Priority date: 2008-12-22
Filing date: 2008-12-22
Publication date: 2010-07-01

Abstract

　検出感度を向上させることができる共に、歩留り良く簡単に製造することができる赤外線センサおよびその製造方法を提供する。　基板２と、基板２上に突設され赤外線の入射方向に延在する突出基材部３と、突出基材部３の少なくとも上部側面に設けられた赤外線検出部５と、を備え、突出基材部３は、リブ状の複数の縦基材部４ａとリブ状の複数の横基材部４ｂとから成る複数の要素基材部４を格子状に組んで構成されている。

Description

赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法

　本発明は、ＭＥＭＳ（micro electro mechanical system）センサにおける、焦電体センサ、サーモパイル、ボロメータ等の赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法に関するものである。

　従来、この種の赤外線センサとして、複数の検出素子をマトリクス状に配列した赤外線検出装置が知られている（特許文献１参照）。各検出素子は、基板に形成された凹部の上方に浮くように配設した受光部と、受光部を基板に支持する梁と、を有しており、受光部は、その受光面が赤外線の光軸に直交するように、すなわち受光面が赤外線の光軸の方向に向くように配設されている。
特開２００７－３３３５５８号公報

　このように従来の赤外線センサでは、受光面積を大きくとると共に受光部から基板への熱伝導を抑制するために、梁により受光部を基板から浮かしたメンブレン構造をとっている。このため、赤外線センサ（検出素子）を製造するときに、犠牲層を設け、或いは大きく掘込みを入れる必要があり、加工が難しく手間がかりコスト高となる問題があった。

　本発明は、検出感度を向上させることができる共に、歩留り良く簡単に製造することができる赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法を提供することをその課題としている。

　本発明の赤外線センサは、基板と、基板上に突設され赤外線の入射方向に延在する突出基材部と、突出基材部の少なくとも上部側面に設けられた赤外線検出部と、を備え、突出基材部は、前記基板に対しリブ状の複数の要素基材部を網目状に組んで構成されていることを特徴とする。

　この場合、複数の要素基材部は、複数の縦基材部と複数の横基材部とから成り、突出基材部は、複数の縦基材部と複数の横基材部とを格子状に組んで構成されていることが好ましい。

　この構成によれば、赤外線検出部が設けられた突出基材部が、赤外線の入射方向に延在しているため、この部分をエッチング（深堀のエッチング）等により簡単に形成することができる。また、赤外線検出部が突出基材部の少なくとも上部側面に設けられているため、赤外線を十分に受光することができる。さらに、突出基材部が基板上に突設された構成であるため、放熱パスを抑制することができ、赤外線検出部からの熱伝導を抑制することができる。しかも、突出基材部は、リブ状の複数の要素基材部を網目状（格子状）に組んで構成されているため、要素基材部が肉薄であっても、突出基材部全体に強度を持たせることができる。

　また、突出基材部の基板からの突出寸法が、突出基材部の厚さ寸法より大きいことが好ましい。

　この構成によれば、突出基材部を長く形成することで、突出基材部の熱容量を小さくすることができ、赤外線検出部の熱が突出基材部を介して基板に逃げる（伝熱導）のを抑制することができる。

　また、突出基材部は、断熱性材料で、または表面に断熱層を有して形成されていることが好ましい。

　この構成によれば、赤外線検出部の熱が突出基材部に伝熱導するのを、十分に抑制することができる。

　また、赤外線検出部の表面には、赤外線吸収層が形成されていることが好ましい。

　この構成によれば、赤外線検出部の赤外線吸収率を高めることができる。

　一方、基板と突出基材部とで画成された複数の間隙溝の溝底は、入射した赤外線を乱反射させる形状に形成されていることが好ましい。

　同様に、基板と突出基材部とで画成された複数の間隙溝の溝底には、入射した赤外線を反射させる反射層が形成されていることが好ましい。

　この構成によれば、赤外線が各間隙溝の溝底に吸収されるのを防止することができると共に、間隙溝の溝底から乱反射或いは反射した赤外線を赤外線検出部に吸収させることができる。

　また、赤外線検出部は、外側電極層と、焦電体層と、内側電極層とを積層して成ることが好ましい。

　この構成によれば、突出基材部に作り込むのに適した赤外線検出部とすることができる。

　本発明の他の赤外線センサは、基板と、基板上に突設され赤外線の入射方向に延在する複数の突出基材部と、各突出基材部の少なくとも上部側面に設けられた複数の赤外線検出部と、を備え、各突出基材部は前記基板に対しリブ状に形成され、且つ複数の突出基材部はストライプ状に配設されていることを特徴とする。

　この構成によれば、赤外線検出部が設けられた各突出基材部が、赤外線の入射方向に延在しているため、この部分をエッチング（深堀のエッチング）等により簡単に形成することができる。また、各赤外線検出部が突出基材部の少なくとも上部側面に設けられているため、赤外線を十分に受光することができる。さらに、各突出基材部が基板上に突設された構成であるため、放熱パスを抑制することができ、赤外線検出部からの熱伝導を抑制することができる。しかも、複数の突出基材部により、赤外線の吸収率を高めることができ、且つ各突出基材部に一定の強度を持たせることができる。なお、複数の突出基材部のストライプは、直線状であっても曲線状（波形）であってもよい。

　上記の赤外線センサにおいて、各突出基材部の基板からの突出寸法が、各突出基材部の厚さ寸法より大きいことが好ましい。

　上記の赤外線センサにおいて、各突出基材部は、断熱性材料で、または表面に断熱層を有して形成されていることが好ましい。

　上記の赤外線センサにおいて、各赤外線検出部の表面には、赤外線吸収層が形成されていることが好ましい。

　上記の赤外線センサにおいて、隣接する突出基材部同士の各間隙溝の溝底は、入射した赤外線を乱反射させる形状に形成されていることが好ましい。

　同様に、隣接する突出基材部同士の各間隙溝の溝底には、入射した赤外線を反射させる反射層が形成されていることが好ましい。

　この構成によれば、赤外線が各間隙溝の溝底に吸収されるのを防止することができると共に、各間隙溝の溝底から乱反射或いは反射した赤外線を赤外線検出部に吸収させることができる。

　上記の赤外線センサにおいて、各赤外線検出部は、外側電極層と、焦電体層と、内側電極層とを積層して成ることが好ましい。

　本発明の他の赤外線センサは、基板と、基板上に突設され赤外線の入射方向に延在する複数の突出基材部と、各突出基材部の少なくとも上部側面に設けられた複数の赤外線検出部と、を備え、各突出基材部は前記基板に対し支柱状に形成され、且つ複数の突出基材部は島状に配設されていることを特徴とする。

　この場合、複数の突出基材部は、ドットマトリクス状に配設されていることが好ましい。

　この構成によれば、赤外線検出部が設けられた各突出基材部が、赤外線の入射方向に延在しているため、この部分をエッチング（深堀のエッチング）等により簡単に形成することができる。また、各赤外線検出部が突出基材部の少なくとも上部側面に設けられているため、赤外線を十分に受光することができる。さらに、各突出基材部が基板上に突設された構成であるため、放熱パスを抑制することができ、赤外線検出部からの熱伝導を抑制することができる。しかも、複数の突出基材部により、赤外線の吸収率を高めることができる。

　上記の赤外線センサにおいて、基板と複数の突出基材部とで画成された間隙領域溝の溝底は、入射した赤外線を乱反射させる形状に形成されていることが好ましい。

　同様に、基板と複数の突出基材部とで画成された間隙領域溝の溝底には、入射した赤外線を反射させる反射層が形成されていることが好ましい。

　この構成によれば、赤外線が間隙領域溝の溝底に吸収されるのを防止することができると共に、間隙領域溝の溝底から乱反射或いは反射した赤外線を赤外線検出部に吸収させることができる。

　本発明の赤外線センサの製造方法は、上記請求項１の赤外線センサの製造方法であって、基板をエッチングして網目状の突出基材部を形成するエッチング工程と、エッチング工程の後、突出基材部に赤外線検出部を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする。

　この場合、エッチング工程と成膜工程との間に、突出基材部の少なくとも表面を熱酸化させる熱酸化工程を、更に備えることが好ましい。

　この構成によれば、検出感度の良好な赤外線センサを、簡単に且つ歩留り良く製造することができる。

　本発明の他の赤外線センサの製造方法は、上記請求項９の赤外線センサの製造方法であって、基板をエッチングしてストライプ状に配置した複数の突出基材部を形成するエッチング工程と、エッチング工程の後、各突出基材部に赤外線検出部を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする。

　この場合、エッチング工程と成膜工程との間に、各突出基材部の少なくとも表面を熱酸化させる熱酸化工程を、更に備えることが好ましい。

　本発明の他の赤外線センサの製造方法は、上記請求項１６の赤外線センサの製造方法であって、基板をエッチングして島状に配置した複数の突出基材部を形成するエッチング工程と、エッチング工程の後、各突出基材部に赤外線検出部を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする。

　以上のように、本発明によれば、赤外線検出部が設けられた突出基材部が、基板上に突設され且つ赤外線の入射方向に延在しているため、赤外線を効率良く吸収することができると共に、赤外線検出部からの熱伝導を抑制することができる。したがって、検出感度を向上させることができる共に、歩留り良く簡単に製造することができる。

第１実施形態に係る赤外線センサの斜視図である。第１実施形態に係る赤外線センサの断面図である。変形例に係る赤外線センサの断面図である。他の変形例に係る赤外線センサの断面図である。第１実施形態に係る赤外線センサの間隙溝の拡大断面図である。第１実施形態に係る赤外線センサの製造方法を説明する説明図である。第２実施形態に係る赤外線センサの斜視図である。第３実施形態に係る赤外線センサの斜視図である。第４実施形態に係る赤外線センサの斜視図である。

符号の説明

　　１　赤外線センサ　　　　　　　　　　　　１Ａ　赤外線センサ
　１Ｂ　赤外線センサ　　　　　　　　　　　　１Ｃ　赤外線センサ
　　２　基板　　　　　　　　　　　　　　　　　３　突出基材部
　３Ａ　突出基材部　　　　　　　　　　　　　３Ｂ　突出基材部
　３Ｃ　突出基材部　　　　　　　　　　　　　　４　要素基材部
　４ａ　縦基材部　　　　　　　　　　　　　　４ｂ　横基材部
　　５　赤外線検出部　　　　　　　　　　　　５Ａ　赤外線検出部
　５Ｂ　赤外線検出部　　　　　　　　　　　　５Ｃ　赤外線検出部
　１１　断熱層　　　　　　　　　　　　　　　１３　内側電極層
　１４　焦電体層　　　　　　　　　　　　　　１５　外側電極層
　１７　間隙溝　　　　　　　　　　　　　　１７Ａ　間隙溝
　１８　間隙領域溝　　　　　　　　　　　　　２１　連結部

　以下、添付図面を参照して、本発明の一実施形態に係る赤外線センサおよびその製造方法について説明する。この赤外線センサは、シリコン（ウェーハ）等を材料として微細加工技術により製造されるＭＥＭＳ（micro electro mechanical system）センサであり、いわゆる焦電型の赤外線センサである。そして、この赤外線センサは、アレイ形式で製品化される赤外線検出装置のピクセル（エレメント）を構成するものである。

　図１および図２に示すように、赤外線センサ１は、基板２と、基板２上に突設され、リブ状の複数の要素基材部４を格子状に組んだ突出基材部３と、突出基材部３の表面に設けられた赤外線検出部５と、で構成されている。基板２および突出基材部３は、シリコン基板をエッチングすることで形成されており、複数の要素基材部４を構成する複数の縦基材部４ａと複数の横基材部４ｂは、同一の突出寸法であって同一の厚さに形成されている。なお、エッチングに際に、突出基材部３を囲うように基板２の部分を残すようにしてもよい。

　各要素基材部（突出基材部３）４は、赤外線の入射方向に長く延在すると共に、可能な限り薄く形成されている。すなわち、要素基材部（突出基材部３）４の厚さを１μｍ以下とすることが好ましい。少なくとも、要素基材部（突出基材部３）４の突出寸法をその厚さ寸法より大きくする。また、突出基材部３の表面には、断熱層１１（熱絶縁層）が形成されている。この断熱層１１は、突出基材部３を熱酸化（ＳｉＯ_２）させることで形成する。もっとも、突出基材部（要素基材部４）３が薄手に形成されている場合には、突出基材部３の全体を熱酸化するようにしてもよい。また、突出基材部３の表面に、熱伝導率の低い材料で成膜を行い低熱伝導層を形成するようにしてもよい。

　なお、実施形態における突出基材部３は、４枚の縦基材部４ａと３枚の横基材部４ｂとを格子状に組んで構成されているが、これら基材部４ａ，４ｂの枚数は任意である。また、複数の要素基材部４の相互の離間寸法や突出寸法も、任意である。さらに、突出基材部３は、その要素基材部４を格子状の他、ハニカム状に組んでもよい。すなわち、突出基材部３の強度を考慮し、複数の要素基材部４を網目状に組むことが好ましい。さらにまた、各要素基材部（突出基材部３）４の先端部を（断面方向において）鋭角に形成するようにしてもよい（図３参照）。このようにすれば、突出基材部３の先端面、すなわち赤外線検出部５の先端面からの赤外線の反射を防止することができ、赤外線検出部５の赤外線吸収率を高めることができる。

　図２に示すように、赤外線検出部５は、突出基材部（要素基材部４）３に内側電極層１３、焦電体層１４および外側電極層１５を順に積層して構成されている。突出基材部３に対し赤外線検出部５は、突出基材部３の上部側面にのみ形成することが好ましいが、成膜工程の関係から、突出基材部３の表面および基板２の表面（間隙溝部１７）に亘って形成されている。焦電体層１４は、例えばＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３）、ＳＢＴ（ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９）、ＢＩＴ（Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２）、ＬＴ（ＬｉＴａＯ_３）、ＬＮ（ＬｉＮｂＯ_３）、ＢＴＯ（ＢａＴｉＯ_３）、ＢＳＴ（ＢａＳｒＴｉＯ_３）等で構成されている。この場合、焦電体層１４は、検出感度を考慮し誘電率の低い材質のものが好ましく、また赤外線検出部５の上部をポストアニール処理により高結晶化すること、更には分極の配向を、突出基材部３の表面に対しＣ軸配向とすることが好ましい。このように構成することで、焦電体層１４の検出感度を高めることができる。

　内側電極層１３は、例えばＳＲＯ、Ｎｂ－ＳＴＯ、ＬＮＯ（ＬａＮｉＯ_３）等で構成されている。この場合、内側電極層１３上への焦電体層１４の成膜を考慮し、内側電極層１３は結晶構造が焦電体層１４と同一の材料とすることが好ましい。また、内側電極層１３は、一般的なＰｔ、Ｉｒ、Ｔｉ等で構成してもよい。そして、外側電極層１５の表面に赤外線吸収層（図示省略）を設け、赤外線の吸収率を高めるようにしてもよい。この場合、赤外線吸収層は、Ａｕ－Ｂｌａｃｋ等で構成する。なお、上述のように、赤外線検出部５を、突出基材部（要素基材部４）５の上部にのみ形成するようにしてもよい（図４参照）。例えば、基板２を回転させながら、内側電極層１３および外側電極層１５を斜めから成膜することで、赤外線検出部５を突出基材部３の上部にのみ形成する。

　一方、図５に示すように、基板２と突出基材部３とで画成された複数の間隙溝１７において、各間隙溝（トレンチ）１７の溝底は、入射した赤外線を乱反射させる凹面鏡形状（図５（ａ））や凹凸形状（図５（ｂ））に形成されている。これにより、赤外線検出部５に吸収されることなく間隙溝１７の溝底に達する赤外線を、この溝底で乱反射して赤外線検出部５に吸収させることができ、赤外線の吸収率を高めることができる。なお、間隙溝１７の溝底に、入射した赤外線を反射させる反射層を形成するようにしてもよい。

　次に、図６を参照して、赤外線センサ１の製造方法について説明する。実施形態の赤外線センサ１は、シリコン基板（ウェーハ）を用い、半導体の微細加工技術により製造される。先ず、フォトリソグラフィーによりレジストを塗布されたシリコン基板に、エッチング（深掘エッチング：ＤｅｅｐＲＩＥ）を行って、格子状の突出基材部３を形成する（エッチング工程：図６（ａ））。次に、熱酸化処理を行い突出基材部３および基板２の表面に酸化膜、すなわち断熱層１１を形成する（熱酸化工程：図６（ｂ））。続いて、突出基材部２および基板３の表面に、内側電極層１３、焦電体層１４および外側電極層１５の順で、例えばエピタキシャル成長（ＣＶＤ）により赤外線検出部５を成膜する（成膜工程：図６（ｃ））。このエピタキシャル成長では、高品質の成膜を行うべく、特に突出基材部３と内側電極層１３との間には、それぞれバッファ層（図示省略）を設けることが好ましい。バッファ層は、例えばＹＳＺ、ＣｅＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳＴＯが好ましい。

　なお、成膜工程において、基板２を下側から加熱し、間隙溝１７の底部側の焦電体層１４を厚く成膜するようにしてもよい。これにより、焦電体層１４の基板２側の静電容量を小さくすることができる。また、成膜工程の後、内側電極層１３および外側電極層１５間に高電圧を印加し、焦電体層１４の結晶を突出基材部３の表面に垂直となるように処理する分極処理を行ってもよい。簡易には、赤外線検出部５の上部にポストアニールを行い、焦電体層１４の結晶化を促進するようにしてもよい。これにより、赤外線検出部５の検出感度を向上させることができる。

　このような構成では、赤外線検出部５が設けられた突出基材部３が、赤外線の入射方向に延在しているため、この部分をエッチング（深堀のエッチング）により簡単に形成することができる。また、赤外線検出部５が突出基材部３の全域に設けられているため、赤外線を十分に受光することができる。さらに、突出基材部３が基板２上に突設された構成であるため、突出基材部３の発熱パスを抑制することができ、赤外線検出部５からの熱伝導を抑制することができる。しかも、突出基材部３は、リブ状の複数の要素基材部４を網目状（格子状）に組んで構成されているため、要素基材部４が肉薄であっても、突出基材部３全体に強度を持たせることができる。したがって、本実施形態の赤外線センサ１によれば、検出感度を向上させることができる共に、歩留り良く簡単に製造することができる。

　次に、図７を参照して、赤外線センサの第２実施形態について説明する。なお、この説明では、第１実施形態と異なる部分を主に説明する。第２実施形態の赤外線センサ１Ａは、基板２と、基板２上に突設されたリブ状の複数の突出基材部３Ａと、各突出基材部３Ａの表面に設けられた複数の赤外線検出部５Ａと、で構成されている。そして、リブ状の複数の突出基材部３Ａはストライプ状に配設されている。この場合も、基板２および突出基材部３Ａは、シリコン基板をエッチングすることで形成されており、複数の突出基材部３Ａは、同一の突出寸法であって同一の厚さに形成されている。なお、この実施形態における突出基材部３Ａの枚数は任意である。また、複数の突出基材部３Ａの相互の離間寸法や突出寸法も、任意である。さらに、ストライプは、曲線状（波形）であってもよい。

　そして、各突出基材部３Ａの断面構造および各赤外線検出部５Ａの断面構造も、第１実施形態のものと同一であり（図２参照）、ここでは、説明を省略する。また、複数の突出基材部３Ａの相互の間隙溝１７Ａにおいても、第１実施形態と同様に各間隙溝（トレンチ）１７Ａの溝底は、入射した赤外線を乱反射させる凹面鏡形状（図５（ａ）参照）や凹凸形状（図５（ｂ）参照）に形成されている。さらに、赤外線センサ１Ａの製造方法についても、第１実施形態と同様に、エッチング工程（図６（ａ）参照）、熱酸化工程（図６（ｂ）参照）および成膜工程（図６（ｃ）参照）を経て赤外線センサ１Ａが作成される。但し、本実施形態では、各間隙溝１７Ａが一方向に延在しているため、成膜工程における赤外線検出部５Ａの成膜を簡単に行うことができる。

　このような構成では、赤外線検出部５Ａが設けられた突出基材部３Ａが、赤外線の入射方向に延在しているため、この部分をエッチング（深堀のエッチング）により簡単に形成することができる。また、赤外線検出部５Ａが突出基材部３Ａの全域に設けられているため、赤外線を十分に受光することができる。さらに、突出基材部３Ａが基板２上に突設された構成であるため、突出基材部３Ａの伝熱パスを抑制することができ、赤外線検出部５Ａからの熱伝導を抑制することができる。したがって、検出感度を向上させることができる共に、歩留り良く簡単に製造することができる。

　次に、図８を参照して、赤外線センサの第３実施形態について説明する。なお、この説明では、第１実施形態と異なる部分を主に説明する。第３実施形態の赤外線センサ１Ｂは、基板２と、基板２上に突設された支柱状の複数の突出基材部３Ｂと、各突出基材部３Ｂの表面に設けられた複数の赤外線検出部５Ｂと、で構成されている。そして、支柱状の複数の突出基材部３Ｂはドットマトリクス状に配設されている。この場合も、基板２および突出基材部３Ｂは、シリコン基板をエッチングすることで形成されており、複数の突出基材部３Ｂは、マトリクス状の他、千鳥状に配設されたもの等、群島状に配設されていることが好ましい。また、各突出基材部３Ｂは、円柱状であってもよい。

　そして、各突出基材部３Ｂの断面構造および各赤外線検出部５Ｂの断面構造も、第１実施形態と同一であり（図２参照）、ここでは、説明を省略する。また、複数の突出基材部３Ｂの相互の間隙領域溝１８においても、第１実施形態と同様に間隙領域溝１８の溝底は、入射した赤外線を乱反射させる凹面鏡形状（図５（ａ）参照）や凹凸形状（図５（ｂ）参照）に形成されている。さらに、赤外線センサ１Ｂの製造方法についても、第１実施形態と同様に、エッチング工程（図６（ａ）参照）、熱酸化工程（図６（ｂ）参照）および成膜工程（図６（ｃ）参照）を経て赤外線センサ１Ｂが作成される。但し、本実施形態では、複数の突出基材部３Ｂが林立している形態であるため、成膜工程における赤外線検出部５Ｂの成膜を簡単に行うことができる。

　このような構成では、赤外線検出部５Ｂが設けられた突出基材部３Ｂが、赤外線の入射方向に延在しているため、この部分をエッチング（深堀のエッチング）により簡単に形成することができる。また、赤外線検出部５Ｂが突出基材部３Ｂの全域に設けられているため、赤外線を十分に受光することができる。さらに、突出基材部３Ｂが基板２上に突設された構成であるため、突出基材部３Ｂの伝熱パスを抑制することができ、赤外線検出部５Ｂからの熱伝導を抑制することができる。したがって、検出感度を向上させることができる共に、歩留り良く簡単に製造することができる。

　次に、図９を参照して、赤外線センサ１Ｃの第４実施形態について説明する。この実施形態は、いわゆるボロメータであり、格子枠状の突出基材部３Ｃの両サイドに梁状の一対の連結部２１，２１を有し、この一対の連結部２１，２１が基板２に連結されている。この場合も、突出基材部３Ｃは、リブ状の複数の複数の縦基材部４ａとリブ状の複数の横基材部４ｂとから成る複数の要素基材部４を格子枠状に組んで構成されている。そして、赤外線検出部５Ｃは、突出基材部（要素基材部４）３Ｃの上半部に形成される共に、両連結部２１，２１の部分まで延びている。赤外線検出部５Ｃは、ポリシリコンやバナジウムオキサイトで構成されている。この実施形態でも、検出感度を向上させることができる共に、歩留り良く簡単に製造することができる。

Claims

　基板と、
　前記基板上に突設され赤外線の入射方向に延在する突出基材部と、
　前記突出基材部の少なくとも上部側面に設けられた赤外線検出部と、を備え、
　前記突出基材部は、前記基板に対しリブ状の複数の要素基材部を網目状に組んで構成されていることを特徴とする赤外線センサ。
　前記複数の要素基材部は、複数の縦基材部と複数の横基材部とから成り、
　前記突出基材部は、前記複数の縦基材部と前記複数の横基材部とを格子状に組んで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
　前記突出基材部の前記基板からの突出寸法が、前記突出基材部の厚さ寸法より大きいことを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
　前記突出基材部は、断熱性材料で、または表面に断熱層を有して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
　前記赤外線検出部の表面には、赤外線吸収層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
　前記基板と前記突出基材部とで画成された複数の間隙溝の溝底は、入射した赤外線を乱反射させる形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
　前記基板と前記突出基材部とで画成された複数の間隙溝の溝底には、入射した赤外線を反射させる反射層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
　前記赤外線検出部は、外側電極層と、焦電体層と、内側電極層とを積層して成ることを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
　基板と、
　前記基板上に突設され赤外線の入射方向に延在する複数の突出基材部と、
　前記各突出基材部の少なくとも上部側面に設けられた複数の赤外線検出部と、を備え、
　前記各突出基材部は前記基板に対しリブ状に形成され、且つ前記複数の突出基材部はストライプ状に配設されていることを特徴とする赤外線センサ。
　前記各突出基材部の前記基板からの突出寸法が、前記各突出基材部の厚さ寸法より大きいことを特徴とする請求項９に記載の赤外線センサ。
　前記各突出基材部は、断熱性材料で、または表面に断熱層を有して形成されていることを特徴とする請求項９に記載の赤外線センサ。
　前記各赤外線検出部の表面には、赤外線吸収層が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の赤外線センサ。
　隣接する前記突出基材部同士の各間隙溝の溝底は、入射した赤外線を乱反射させる形状に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の赤外線センサ。
　隣接する前記突出基材部同士の各間隙溝の溝底には、入射した赤外線を反射させる反射層が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の赤外線センサ。
　前記各赤外線検出部は、外側電極層と、焦電体層と、内側電極層とを積層して成ることを特徴とする請求項９に記載の赤外線センサ。
　基板と、
　前記基板上に突設され赤外線の入射方向に延在する複数の突出基材部と、
　前記各突出基材部の少なくとも上部側面に設けられた複数の赤外線検出部と、を備え、
　前記各突出基材部は前記基板に対し支柱状に形成され、且つ前記複数の突出基材部は群島状に配設されていることを特徴とする赤外線センサ。
　前記複数の突出基材部は、ドットマトリクス状に配設されていることを特徴とする請求項１６に記載の赤外線センサ。
　前記各突出基材部の前記基板からの突出寸法が、前記各突出基材部の厚さ寸法より大きいことを特徴とする請求項１６に記載の赤外線センサ。
　前記各突出基材部は、断熱性材料で、または表面に断熱層を有して形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の赤外線センサ。
　前記各赤外線検出部の表面には、赤外線吸収層が形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の赤外線センサ。
　前記基板と前記複数の突出基材部とで画成された間隙領域溝の溝底は、入射した赤外線を乱反射させる形状に形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の赤外線センサ。
　前記基板と前記複数の突出基材部とで画成された間隙領域溝の溝底には、入射した赤外線を反射させる反射層が形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の赤外線センサ。
　前記各赤外線検出部は、外側電極層と、焦電体層と、内側電極層とを積層して成ることを特徴とする請求項１６に記載の赤外線センサ。
　請求項１に記載の赤外線センサの製造方法であって、
　基板をエッチングして網目状の前記突出基材部を形成するエッチング工程と、
　前記エッチング工程の後、前記突出基材部に前記赤外線検出部を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする赤外線センサの製造方法。
　前記エッチング工程と前記成膜工程との間に、前記突出基材部の少なくとも表面を熱酸化させる熱酸化工程を、更に備えたことを特徴とする請求項２４に記載の赤外線センサの製造方法。
　請求項９に記載の赤外線センサの製造方法であって、
　基板をエッチングしてストライプ状に配置した前記複数の突出基材部を形成するエッチング工程と、
　前記エッチング工程の後、前記各突出基材部に前記赤外線検出部を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする赤外線センサの製造方法。
　前記エッチング工程と前記成膜工程との間に、前記各突出基材部の少なくとも表面を熱酸化させる熱酸化工程を、更に備えたことを特徴とする請求項２６に記載の赤外線センサの製造方法。
　請求項１６に記載の赤外線センサの製造方法であって、
　基板をエッチングして群島状に配置した前記複数の突出基材部を形成するエッチング工程と、
　前記エッチング工程の後、前記各突出基材部に前記赤外線検出部を成膜する成膜工程と、を備えたことを特徴とする赤外線センサの製造方法。
　前記エッチング工程と前記成膜工程との間に、前記各突出基材部の少なくとも表面を熱酸化させる熱酸化工程を、更に備えたことを特徴とする請求項２８に記載の赤外線センサの製造方法。