WO2010070755A1 - Ｔｆｔアレイ検査方法およびｔｆｔアレイ検査装置 - Google Patents

Ｔｆｔアレイ検査方法およびｔｆｔアレイ検査装置 Download PDF

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WO2010070755A1
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defect
tft array
channel
dot
degree
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PCT/JP2008/073078
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Inventor
陽 野田
Original Assignee
株式会社島津製作所
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/305—Contactless testing using electron beams

Definitions

  • the present invention relates to a TFT array inspection method and a TFT array inspection apparatus, and more particularly to signal processing for calculating a defect degree from the signal intensity of a detection signal and detecting a defect based on the defect degree.
  • TFTs thin film transistors
  • FPD flat panel display
  • a liquid crystal display constructed using TFT is a liquid crystal panel in which liquid crystal is poured between one glass substrate on which a TFT array including TFTs and pixel electrodes is formed and the other glass substrate on which a counter electrode is formed. Is the basic structure.
  • the glass substrate has a plurality of panels formed by a general integrated circuit manufacturing process, and each panel includes a plurality of TFT arrays (pixels) arranged in a matrix.
  • Each TFT array includes a pixel electrode, a storage capacitor, and a TFT.
  • the pixel electrode is generally formed using IT0 (indium tin oxide).
  • IT0 indium tin oxide
  • the electrode to which the pixel reference voltage is applied is grounded via the storage capacitor, and the TFT reference voltage is set to the ground level.
  • the TFT functions as a switch, a signal for switching control is supplied to the gate electrode of the TFT, and a data signal is supplied to the source electrode of the TFT.
  • TFT substrate In the inspection of the glass substrate on which the TFT and the pixel electrode are formed (hereinafter referred to as “TFT substrate”), a method for determining the state of each pixel on the substrate in a non-contact manner by using a voltage contrast technique of an electron beam. has been proposed.
  • FIG. 19 is a diagram for explaining a TFT array inspection apparatus using a voltage contrast technique.
  • a TFT substrate to be inspected is transported into a high vacuum chamber and inspected in a state of being placed on a stage.
  • the array inspection apparatus 101 includes an electron beam source 102, a secondary electron detection unit 104, a TFT drive signal generation / data processing unit 105, and a defect determination unit 106.
  • the electron beam source 102 emits an electron beam 103.
  • the irradiated electron beam 103 scans each TFT array 111 of the TFT substrate 110 by a scanning unit (not shown).
  • the secondary electron detector 104 detects secondary electrons 112 generated by irradiating each TFT array 111 of the TFT substrate 110 with the electron beam 103.
  • the secondary electron detection unit 104 outputs a signal representing a waveform corresponding to the voltage waveform of the TFT array 111 to the TFT drive signal generation / data processing unit (computer system or the like) 105 based on the detection amount of the secondary electrons 112. To do.
  • the TFT drive signal generation / data processing unit 105 processes the output signal of the secondary electron detection unit 104 and outputs the signal to the defect determination unit 106.
  • the defect determination unit 106 determines the presence / absence of a pixel defect and the content of the defect.
  • the TFT drive signal generation / data processing unit 105 can also include drive signal supply means, and outputs a drive signal for driving each TFT array 111 of the TFT substrate 110 via the line 107.
  • This drive signal is supplied in synchronization with the scanning of the electron beam 103 onto the TFT array 111 of the electron beam source 102.
  • the data processing means two-dimensional array data obtained corresponding to the TFT array array to be inspected is acquired, and the data processing is performed on the two-dimensional array data to specify the coordinates of defective pixels, classify defect factors, etc. Perform the inspection.
  • the two-dimensional array data is obtained by arranging the data of each TFT array in correspondence with the pixel array of the TFT array.
  • the voltage of the TFT array on the panel is measured by detecting secondary electrons emitted from the TFT array by electron beam irradiation, and an image in which the measured voltage values are plotted is obtained. A defective part is extracted by calculation processing.
  • the resolution of imaging is, for example, 4 points of 2 ⁇ 2 dots or more per 1 TFT array (pixel).
  • the voltage image of the TFT array may be affected by the luminance of the image due to the structure of the TFT array such as the gate line, which causes a false detection in the defect detection.
  • a technique for reducing the influence derived from the structure of the TFT array for example, a ternary median filter has been conventionally used, and thereafter, a moving average and a standard deviation of the entire panel are calculated by a low-pass filter, and a deviation in luminance of an image is standardized. Defect detection is performed by determining using the deviation.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-139871 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-321308
  • the influence of the gate line exceeds the 2-dot width of the TFT array.
  • a sufficient reduction effect cannot be achieved, and a normal TFT array may be erroneously detected as a defect.
  • FIG. 20 is a diagram for explaining the influence of the luminance change of the image derived from the structure of the TFT array.
  • FIG. 20A shows a configuration in which the gate line 202 is disposed on one side of the TFT array 200.
  • a state in which image signals have been acquired for nine dots of the TFT array 200 is shown. 1 to 9 in the figure indicate the order of the signal intensity of the image signal of each dot.
  • the dot adjacent to the gate line 202 is affected by the gate line 202, and the signal intensity of the image changes.
  • the influence of the gate line 202 reaches the two-dot width of the TFT array, two columns of dots from the side close to the gate line 202 are affected by the gate line 202, and even if there is no defect, the image signal Effects such as a decrease in signal strength appear.
  • a dot portion shown in gray in FIG. 20 indicates a portion affected by the signal intensity due to the influence of the gate line.
  • the median value obtained by using the nine signal intensities obtained with the dots in the TFT array 200 was obtained. Since the signal intensity is the signal intensity of the dot affected by the gate line, there is a risk of erroneous detection if defect detection is performed using this signal intensity.
  • Increasing the width of the median window can be considered as a technique for avoiding such false detection, but if the width of the median window is increased in this way, the defect portion is also smoothed, so that the defect detection accuracy decreases. There is a problem of doing.
  • the size of the window width is limited in applications that require real-time performance such as online inspection. Therefore, a technique for avoiding false detection of defects by widening the median window width is not effective.
  • the object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to reduce the erroneous detection of defects due to the influence derived from the structure of the TFT array such as the gate line.
  • the present invention pays attention to the influence derived from the structure of the TFT array such as the gate line, and the influence derived from the periodic structure of the TFT array has a periodic influence on the signal intensity of the dot.
  • the influence derived from the periodic structure of the TFT array has a periodic influence on the signal intensity of the dot.
  • the present invention can be in two forms: a TFT array inspection method and a TFT array inspection apparatus.
  • the TFT array inspection method of the present invention is a TFT array inspection in which a TFT substrate is inspected by scanning a TFT substrate with an electron beam and detecting secondary electrons generated from the TFT array of the TFT substrate by the electron beam scanning. Irradiating a plurality of dots in a TFT array with an electron beam to detect secondary electrons from each dot and obtaining a signal intensity value of each dot; A process of decomposing the data into a plurality of channels determined based on the periodic structure of the TFT array, and a moving average value and a moving standard deviation of the signal intensity value are calculated in each separated channel, and each dot in this channel is calculated. For the signal strength value, the deviation from the moving average value is normalized by the moving standard deviation value for each channel. A step of calculating the defect degree of each dot, a step of integrating the defect degree calculated for each channel to obtain a defect degree distribution in units of dots for the TFT substrate, and a defect of the TFT array based on the defect degree distribution Detecting.
  • an electron beam is irradiated to a plurality of dot positions in one TFT array, secondary electrons emitted from each dot are detected, and the signal intensity of the secondary electrons is detected.
  • the acquired signal intensity value represents the potential of each dot in the TFT array. Since the potential differs between a normal TFT array and a defective TFT array, the presence or absence of defects in the TFT array is detected based on the signal intensity value. Can do.
  • the acquired signal intensity value data of the TFT array is acquired based on the periodic structure provided in the TFT array, and the signal intensity value data is decomposed into a plurality of channels. This separates the periodic characteristics of the signal intensity value into each channel and eliminates the influence between the signal intensity due to the periodic structure.
  • the decomposition into channels can be performed in a plurality of forms according to the periodic structure of the TFT array.
  • the first form of channel decomposition is when the TFT array has a periodic structure in a direction perpendicular to the length direction of the gate line. In the case of this periodic structure, the channel is decomposed in a direction perpendicular to the gate line. By this channel decomposition, a plurality of channels are formed in parallel with the gate lines.
  • the second form of channel decomposition is when the TFT array has a periodic structure in a direction parallel to the length direction of the gate line. In the case of this periodic structure, the channel is decomposed in a direction parallel to the gate line. By this channel decomposition, a plurality of channels are formed in a direction perpendicular to the gate line.
  • the third mode of channel decomposition is a case where the TFT array has a periodic structure in a direction perpendicular to and parallel to the length direction of the gate line.
  • the channels are decomposed in a lattice shape in a direction perpendicular to and parallel to the gate lines.
  • a channel is formed by dots having the same positional relationship in a block divided into a lattice shape in a direction perpendicular to and parallel to the gate line.
  • the signal intensity of dots that are similarly affected by the periodic structure is grouped into the same channel, and the signal intensity of dots that are affected differently from the periodic structure is divided into different channels. Eliminate the influence between channels with different characteristics.
  • the signal strength in the same channel becomes a set of signal strengths that are similarly affected by the periodic structure, so the processing performed in the calculation of the defect degree is substantially the same as the moving average processing.
  • the filtering process can reduce the influence of the number of processing data corresponding to the window width. Since the influence of the number of processed data is reduced, the number of processed data can be increased and the processing speed can be improved. By improving the data processing speed, it is suitable for real-time processing.
  • the moving average value and moving standard deviation of the signal intensity value are calculated for each separated channel, and the deviation amount from the moving average value is moved for the signal intensity value of each dot in this channel. Normalize with the standard deviation value.
  • the moving average value can be obtained by calculating an average value while sequentially moving through the channel with a predetermined number of data as a window width in each channel.
  • the moving standard deviation value can be obtained by calculating the average square root of the sum of the squares of the differences between the signal intensity of each dot and the moving average value in each channel with a predetermined number of data as the window width. it can.
  • the defect degree can be calculated by subtracting the moving average value from the signal intensity of each dot to obtain a difference value, and dividing this difference value by the moving standard deviation value.
  • the step of acquiring the defect degree distribution can be performed by integrating the defect degrees calculated in the respective channels, and the defect degree in units of dots can be acquired for the TFT substrate by this combination.
  • At least one of the moving average value and the moving standard deviation value can be calculated by using an IIR filter that feeds back and weights an output signal that is first-order delayed with respect to the input signal.
  • IIR filter When this IIR filter is used, signal intensity values arranged in the channels are sequentially input to the IIR filter and calculated.
  • the low pass filter characteristic can be set by changing the weight of the IIR filter, and this weight can be changed by multiplying the feedback signal delayed by the first order by a coefficient.
  • defects in the TFT array are detected based on the obtained defect degree distribution. Since the acquired defect degree distribution is not affected by the periodic structure of the TFT array, it is possible to reduce false detection of defects due to the influence derived from the structure of the TFT array such as the gate line.
  • the step of detecting a defect includes a step of extracting a dot outside a normal range in which the degree of defect is determined based on the lowest contained luminance as a first defect candidate, and a dot connected to the dot of the first defect candidate, A step of extracting a dot within the normal range and having a defect degree determined based on the minimum peripheral luminance as a second defect candidate, and the extracted first defect candidate dot and the second defect A step of determining a region formed by the candidate dot as a defect candidate region, and a selection step of removing the defect candidate region due to noise from the defect candidate region.
  • the minimum contained luminance corresponds to the lowest level of the dot signal intensity obtained when the TFT array is normal.
  • the minimum peripheral luminance corresponds to the minimum level of the dot signal intensity obtained in the peripheral portion of the defect area of the TFT array.
  • the dots contained in the defect area are extracted by setting the minimum contained luminance as a threshold value, and are used as the first defect candidate.
  • the minimum peripheral luminance as a threshold value
  • the range of the defect area around it is set as the second defect candidate, and the defect candidate is calculated by the first defect candidate and the second defect candidate.
  • the defect candidates include those due to noise, the defect candidates due to noise are removed by the noise selection process.
  • the selection step compares the size of the defect candidate region with the size of the TFT array, and removes a defect candidate region smaller than the size of the TFT array, and an average defect degree of the degree of defect in the defect candidate region And a threshold value determined based on a luminance defined between the lowest contained luminance and the lowest peripheral luminance, and a step of removing a defect candidate area whose average defect degree is inside the threshold value. be able to.
  • the defect candidate when the size of the defect candidate is smaller than the size of the TFT array, it is determined that the defect candidate is not due to the TFT array but is caused by noise, and the defect candidate is removed. Further, in the sorting step, when the average defect degree of the defect candidates is equal to or less than a predetermined value, it is determined that the defect candidates are caused by noise rather than defects of the TFT array, and the defect candidates are removed. This is because the local contrast of the signal strength is a low value in the case of noise due to an adhering substance or the like, whereas the local contrast of the signal strength is a high value in the case of a true defect. In general, the average defect degree value is relatively high.
  • the average luminance threshold used for this selection can be set between the lowest peripheral luminance and the lowest contained luminance.
  • the TFT array inspection apparatus scans a TFT substrate with an electron beam, irradiates the TFT array on the TFT substrate with the electron beam scanning, and generates the electron beam from the TFT array on the TFT substrate by the electron beam scanning.
  • a TFT array inspection apparatus that inspects a TFT array by detecting secondary electrons includes a data processing unit that calculates a defect degree and a defect detection unit that detects a defect based on the defect degree calculated by the data processing unit. .
  • the data processing unit includes a signal intensity value calculating unit that calculates a signal intensity value of each dot based on secondary electrons detected by irradiating an electron beam to a plurality of dots in one TFT array of the TFT array, and the TFT array
  • a channel decomposition unit that decomposes the signal intensity value data into a plurality of channels determined based on the periodic structure of the TFT array, and a moving average value calculation unit that calculates a moving average value of the signal intensity values in each of the separated channels
  • the moving standard deviation value calculation unit that calculates the moving standard deviation value of the signal intensity value for each separated channel, and the deviation amount from the moving average value for the signal intensity value of each dot in the channel is normalized by the moving standard deviation value
  • a defect degree calculation unit that calculates the defect degree of each dot for each channel, and a defect degree integration unit that integrates the defect degree calculated for each channel.
  • One form of the channel decomposition unit decomposes the channel in a direction perpendicular to the gate line, in the other form, decomposes the channel in a direction parallel to the gate line, and in another form, the direction perpendicular to and parallel to the gate line. Disassemble channels in a grid in any direction.
  • the moving average value calculation unit includes an IIR filter that feeds back an output signal that is first-order delayed to the input signal, adds the weighted signal, and sequentially inputs the signal intensity values arranged in the channel to the IIR filter.
  • the moving standard deviation value calculation unit includes an IIR filter that feeds back and weights an output signal that is first-order delayed to an input signal.
  • a moving standard deviation value is calculated by sequentially inputting and calculating a value obtained by squaring the difference between the signal intensity value arranged in the channel and the moving average value into the IIR filter.
  • the defect degree calculation unit compares the defect degree with a first threshold value set in a normal range determined based on the minimum contained luminance and extracts as a first defect candidate; A second comparison means for comparing the second threshold value determined in the peripheral range determined based on the minimum peripheral luminance and extracting the second threshold value as a second defect candidate; and the extracted first defect candidate dot and second A defect calculation area for the defect candidate area formed by the defect candidate dots, a third calculation means for comparing the size of the defect candidate area and the size of the TFT array; An average defect degree calculating means for calculating an average defect degree of the defect candidate area for the defect candidate area formed by the dot of the first defect candidate and the dot of the second defect candidate; Luminance And a fourth comparing means for comparing the average luminance threshold determined based on the luminance defined between the lowest surrounding brightness.
  • the present invention it is possible to reduce false detection of defects due to influences derived from the structure of a TFT array such as a gate line.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining a configuration example of a TFT array inspection apparatus according to the present invention.
  • the TFT array inspection apparatus 1 includes an electron beam source 2, an electron beam scanning unit 3, a secondary electron detection unit 4, a data processing unit 5, and a defect determination unit 6.
  • the electron beam emitted from the electron beam source 2 is applied to the TFT array (pixel) 10 formed on the TFT substrate by the electron beam scanning unit 3, and secondary electrons emitted from the dots 20 in the irradiation region are detected as secondary electrons. This is detected by the unit 4.
  • the data processing unit 5 calculates the signal intensity at each dot based on the detected amount of secondary electrons detected by the secondary electron detection unit 4.
  • the defect determination unit 6 determines the presence / absence of a defect, the type of defect, the position of the defect, and the like based on the signal intensity calculated by the data processing unit 5.
  • the TFT drive signal generator is not shown because it is not directly related to the present invention.
  • the TFT array 10 has a pixel electrode 10b, and the pixel electrode 10b is connected to the gate line 11 and the data line 12 through the TFT 10a.
  • the pixel electrode 10b has a liquid crystal sandwiched between opposed electrodes (not shown), and a signal selected from a signal supplied from the data line 12 is a signal supplied from the gate line 11. Drive at the timing.
  • the electron beam scanning unit 3 sequentially irradiates a plurality of dots (irradiation regions) 20 in the pixel 10 by scanning the electron beam emitted from the electron beam source 2.
  • the dot 20 irradiated with the electron beam emits secondary electrons in an amount corresponding to the potential of the portion.
  • the secondary electron detector 4 detects the emitted secondary electrons and outputs the amount of secondary electrons as signal intensity.
  • the data processing unit 5 obtains the potential state of each pixel based on the signal intensity of the secondary electrons detected by the secondary electron detection unit 4.
  • the secondary electron detector 4 detects secondary electrons from a plurality of dots 20 for one TFT array.
  • the data processing unit 5 calculates the signal intensity of one TFT array by performing arithmetic processing on a plurality of signal intensities acquired from the plurality of dots 20.
  • erroneous defect data that is not based on a true defect and may be erroneously determined as a defect due to the influence of a periodic structure such as a pixel shape and wiring Except for this, it is necessary to obtain signal strength that is not affected by erroneous defect data.
  • the data processing unit 5 of the present invention eliminates the influence of the periodic structure from a plurality of signal intensities, and calculates a defect degree representing the degree of defects.
  • FIG. 2 is a flowchart for explaining the outline of the procedure of the TFT array inspection method according to the present invention.
  • the TFT array inspection method of the present invention is to inspect a TFT array by scanning the TFT substrate with an electron beam and detecting secondary electrons generated from the TFT array of the TFT substrate by this electron beam scanning.
  • a plurality of dots in one TFT array in a TFT array are irradiated with an electron beam, secondary electrons are detected from each dot, a signal intensity value of each dot is acquired, and a captured image is acquired (S1).
  • the acquired signal intensity value data of the TFT array is decomposed into a plurality of channels determined based on the periodic structure of the TFT array (S2).
  • Defect degree is calculated as an index for determining the presence or absence of defects in the TFT array in each separated channel.
  • the degree of defect is calculated by calculating the moving average value and moving standard deviation of the signal intensity value, and normalizing the deviation from the moving average value with the moving standard deviation value for the signal intensity value of each dot in the channel. Do. In this defect calculation, the defect degree of each dot is calculated for each channel (S3).
  • the defect degrees calculated for each channel are integrated to obtain a defect degree distribution in units of dots for the entire TFT substrate (S4).
  • a defect of the TFT array is detected based on the acquired defect degree distribution (S5).
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the periodic characteristics of the signal intensity due to the periodic structure of the TFT array
  • FIGS. 4 to 6 are diagrams for explaining the separation of the signal intensity into channels
  • FIG. 7 is an exploded view.
  • FIGS. 8 and 9 are flowcharts and explanatory diagrams for explaining the calculation of the degree of defect based on the signal strength in the channel
  • FIGS. 10 and 11 show the moving average.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining the relationship between the moving average value, the moving standard deviation, and the defect degree.
  • FIGS. 13 and 14 are diagrams for explaining defect detection using the defect degree. It is a flowchart and explanatory drawing.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the periodic characteristics of signal intensity due to the periodic structure of the TFT array.
  • FIG. 3 shows a part of the plurality of TFT arrays 10 formed on the TFT substrate.
  • the plurality of TFT arrays 10 form array columns 10 ⁇ / b> A and 10 ⁇ / b> B along the gate lines 11.
  • each dot 20 of the array columns 10 ⁇ / b> A and 10 ⁇ / b> B forms a periodic structure with respect to the gate line 11.
  • the liquid crystal panel has a periodic structure that repeats the same structure with a gate line interval. Since the dots contained in each channel are equidistant from the gate line, the same structure is measured.
  • each separated channel is at a different distance from the gate line, the structure at the measurement point is slightly different.However, in the present invention, the signal processing of the signal strength is performed for each separated channel, so the influence between each channel is not affected. Can be excluded.
  • FIG. 3 schematically shows the periodic characteristics of the dot signal strength by this periodic structure. Although the periodic characteristics of the array column 10A of the TFT array are shown, the influence of the periodic structure is not limited to the array column 10A.
  • the acquired signal intensity value data of the TFT array is decomposed into a plurality of channels based on the periodic structure provided in the TFT array.
  • 4 to 6 are diagrams for explaining the separation of signal strength into channels.
  • FIG. 4 shows an example in which the TFT array has a periodic structure in a direction perpendicular to the length direction of the gate line.
  • the direction perpendicular to the length direction of the gate line is shown in the y direction.
  • FIG. 4 shows an example in which there are six dot rows extending in the x direction from the gate line, and each dot row is separated into six channels 0 to 5 corresponding to one channel.
  • each channel is equidistant from the gate line, and is similarly affected by the gate line voltage.
  • the influence from the voltage of the gate line is different.
  • signal processing of signal strength is performed for each separated channel. Can be excluded.
  • FIG. 5 shows an example in which the TFT array has a periodic structure in a direction parallel to the length direction of the gate line.
  • the direction parallel to the length direction of the gate line is shown in the x direction.
  • the periodic influence in the direction parallel to the gate line is reduced by decomposing the channel in the direction parallel to the gate line.
  • FIG. 5 shows an example in which there are six dot rows extending in the y direction, and each dot row is separated into six channels of channel 0 to channel 5 corresponding to one channel.
  • each channel Since the dots included in each channel have the same periodicity with respect to the x direction, they are similarly affected because they are equidistant from the periodic structure (not shown) in the x direction. On the other hand, since each separated channel is at a different distance from the periodic structure (not shown) in the x direction, the influence from the periodic structure is different, but in the present invention, signal processing of signal strength is performed for each separated channel. Thus, the influence between the channels can be eliminated.
  • FIG. 6 shows an example in which the TFT array has a periodic structure in a direction perpendicular to and parallel to the length direction of the gate line.
  • the direction parallel to the length direction of the gate line is indicated by the x direction
  • the direction perpendicular to the length direction of the gate line is indicated by the y direction.
  • the periodic structure by disassembling the channel in both the direction perpendicular to and parallel to the length direction of the gate line, the periodic structure depends on the direction perpendicular to and parallel to the length direction of the gate line. Reduce periodic effects.
  • FIG. 6 shows an example in which there are six dot rows extending in the x direction from the gate line and six dot rows extending in the y direction. In the lattice arrangement formed by both dot rows, dots having the same positional relationship are shown. Are separated into 36 channels from channel 00 to channel 55 corresponding to one channel.
  • each channel Since the dots included in each channel have the same periodicity in the x direction and the y direction, they are equidistant from the periodic structure in the x direction (not shown) and the periodic structure in the y direction (not shown). Are affected in the same way. On the other hand, since each separated channel is at a different distance from the periodic structure in the x direction (not shown) and the periodic structure in the y direction (not shown), the influence from the periodic structure is different. By performing signal strength signal processing for each separated channel, the influence between the channels can be eliminated.
  • one channel is associated with one dot row, but one channel may be associated with a plurality of dot rows.
  • FIG. 7 is a diagram showing a change in the signal intensity acquired for the decomposed channel, and is expressed as a luminance distribution when the signal intensity corresponds to the image luminance.
  • the luminance distribution is a distribution in which almost uniform Gaussian noise is on the change along the arrangement of the TFT array.
  • the luminance of the defective dot represents luminance shifted in a bright direction or a dark direction as compared with a normal dot.
  • defective dots and normal dots can be identified by comparing the deviation from the average luminance value with a standard deviation.
  • the average value and the standard deviation value are obtained locally to eliminate the influence of the change along the TFT array arrangement.
  • the local calculation of the average value and the standard deviation value is performed by obtaining a moving average value for a predetermined number of luminances (signal intensity values) and obtaining a moving standard deviation for a predetermined number of luminances (signal intensity values).
  • a defective dot can be detected by determining whether or not the dot signal intensity is within a range of n times the moving standard deviation value from the moving average value.
  • the defect degree is calculated using the moving average value and the moving standard deviation value, and the defect is detected based on the defect degree.
  • FIGS. 8 and 9 are a flowchart and an explanatory diagram for explaining the calculation of the defect degree based on the signal strength in the channel.
  • FIG. 9A shows a plurality of separated channels and signal intensity values of dots included in each channel.
  • the signal intensity values of the dots (i) of channel 0 to channel n are indicated by I0 (i) to In (i) (S11).
  • the signal intensity value I (i) of the dot (i) included in the selected channel is extracted.
  • FIG. 9B shows a signal sequence of the signal intensity value I (i) of the dot (i) extracted in one channel (S12).
  • the moving average value Imean (i) is calculated using the signal intensity value I (i) of the extracted dot (i).
  • the moving average value Imean (i) is calculated by, for example, performing an average calculation according to the following equation (1) from a predetermined number m of signal intensity values I from data around the dot (i) to be calculated. This can be done by extracting.
  • FIG. 9C shows the calculation of the moving average value Imean (i). Since the number of data required for calculating the moving average value is insufficient at the end of the data string, the calculation is performed by extrapolating the data at the end.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration example of the IIR filter.
  • the output signal can be passed through the first-order lag device (Z-1), and a value multiplied by a predetermined coefficient ⁇ can be fed back to the adder (S13).
  • a signal intensity sequence of this defect type may be extracted using an enhancement filter such as a matched filter corresponding to the defect. it can.
  • the moving standard deviation value ⁇ (i) is calculated using the signal intensity value I (i) of the extracted dot (i) and the calculated moving average value Imean (i).
  • the movement standard deviation value ⁇ (i) is calculated by, for example, calculating a predetermined number m of signal intensity values I in advance from the data around the dot (i) to be calculated by the following equation (2). This can be done by extracting.
  • FIG. 8D shows calculation of the moving standard deviation value ⁇ (i). Since the number of data required for calculating the moving average value is insufficient at the end of the data string, the calculation is performed by extrapolating the data at the end. Further, the number of data used for calculating the moving average value Imean (i) and the number of data used for the moving standard deviation value ⁇ (i) need not necessarily match (S14).
  • the defect degree D (i) of the dot (i) is calculated.
  • the calculation of the defect degree D (i) can be performed, for example, by calculation according to the following equation (3).
  • normalization is performed by dividing the difference between the signal intensity value I (i) of the dot (i) and the moving average value Imean (i) by the moving standard deviation value ⁇ (i). Ask for it. By normalizing, it is possible to obtain the degree of defect irrespective of the magnitude of the signal intensity value I (i) or moving average value Imean (i) of the dot (i).
  • FIG. 8E shows calculation of the defect degree D (i).
  • the steps from S12 to S15 are performed for all the dots in one channel, and the defect degree in one channel is calculated (S16). Since the defect degree D (i) calculated up to the process of S16 is a value for one disassembled channel, the defect degree of dots is similarly calculated for all channels by repeating the processes of S11 to S15 for all channels ( S17).
  • FIG. 8F shows a state where the defect degrees are combined. The defect detection is performed based on the defect degree distribution obtained by this combination.
  • FIG. 12 is a diagram for comparing defect detection based on the degree of defect according to the present invention and normal defect detection using a moving average value and a moving standard deviation value.
  • FIG. 12B shows an example of normal defect detection using a moving average value and a moving standard deviation value.
  • the signal intensity obtained from a defective dot shows a value shifted from the moving average value Imean by n times (n ⁇ ) or more of the moving standard deviation.
  • the deviation amount of the dot a from the moving average value Imean is n ⁇ , it is determined as a normal dot, and the deviation amount of the dot b from the moving average value Imean exceeds n ⁇ . Therefore, it is determined as a dot having a defect.
  • the detection accuracy of the defect detection varies depending on the dot position.
  • FIG. 12A shows an example of defect detection using the defect degree according to the present invention.
  • the defect degree is calculated by using the difference (I (i) ⁇ Imean (i)) between the signal intensity value I (i) of the dot (i) and the moving average value Imean (i) as the moving standard deviation value ⁇ ( By normalizing by dividing by i), it is possible to reduce variation in detection accuracy of defect detection.
  • the dot a since the dot a has a defect degree within n ⁇ , it is determined as a normal dot, and the dot b has a defect degree exceeding n ⁇ , and is determined as a dot having a defect.
  • the present invention removes a defect portion due to noise from the defect candidates by using the size of the defect candidate area and the average defect degree (average signal intensity) for the defect candidates extracted by the defect degree.
  • the removal of the defective part of the noise using the size of the defect candidate area is based on the fact that the true defect of the TFT array is larger than the size of one TFT array, and the defect candidate area size is the size of one TFT array. If it is smaller than that, it is removed from the defect candidate as a defective part due to noise.
  • the removal of the defect portion of the noise using the average defect degree (average signal strength) of the defect candidate is based on the fact that the average defect degree of the true defect is higher than the average defect degree of the noise defect.
  • the average defect degree of the defect candidate is lower than the preset average defect degree threshold (average luminance threshold)
  • the defect candidate is removed from the defect candidate as a defect part due to noise.
  • the difference in the average defect degree is that, in the image based on the signal intensity, the brightness distribution due to foreign matters appears low in local contrast, whereas the brightness distribution due to true defects appears high in local contrast. This is because the luminance increases.
  • a target TFT array (pixel) is selected (S21), the dots in the selected TFT array are selected (S22), and the defect degree of the dot is compared with the first threshold value to extract a dot having a defect.
  • the first threshold value is set based on the minimum contained luminance.
  • the minimum contained luminance is at least the luminance of the normal TFT array, and the normal range or defect range of the TFT array can be determined using the luminance as a boundary value (S23). If the defect degree is within the defect range determined by the first threshold, the dot is set as a defect dot (S24).
  • the defect degree of the dot is compared with the second threshold value (S26), and a defect peripheral dot that defines the peripheral portion of the defect is extracted.
  • the second threshold value is set based on the minimum peripheral luminance.
  • the minimum peripheral luminance is the luminance which at least the peripheral portion of the TFT array having the defect has, and the range (peripheral range) of the defect peripheral dots surrounding the defective dot is determined using this luminance as a boundary value (S27).
  • the extraction of the peripheral range by comparison with the second threshold value can be performed by repeating S25 to S27 for the extracted defective dot and its peripheral dots (S28).
  • FIG. 14 is a diagram for explaining the relationship between the degree of defect and the threshold value.
  • FIG. 14A shows the defect degree distribution expressed in dot units in the TFT array.
  • “a” indicates the dot portion of the defect range set by the first threshold
  • “b” indicates the dot portion of the peripheral range set by the second threshold.
  • FIG. 14B shows a case where defect detection is performed on the line indicated by A in FIG. 14A based on the degree of defect.
  • FIG. 14C shows a case where defect detection is performed on the line indicated by B in FIG. 14A based on the degree of defect.
  • FIG. 14B shows a case where a TFT array having a defect shows higher luminance than a normal TFT array, and
  • FIG. 14C shows a luminance lower than that of a normal TFT array. Is shown.
  • the defect range extracted in step S24 and the peripheral range extracted in step S27 are extracted as defect candidate regions (S29).
  • the defect candidate area may include a noise-induced part in addition to the true defect part.
  • the defect candidate regions correspond to the “C” and “D” portions in FIGS. 14A and 14B, and the “E” portion corresponds to FIGS. 14A and 14C.
  • the process of removing a part due to noise from the defect candidate area includes a removal process based on the TFT array size in S30 to S31 and S36, and a removal process based on the average defect degree (average luminance) of the defect candidates in S32 to S36. Is included.
  • the size of the defect candidate region is compared with the size of the TFT array (third threshold) (S30). If the size of the defect candidate region is smaller than the size of the TFT array (third threshold) (S31). ), It is determined not as a true defect but as a defect due to noise, and the area is deleted from the defect candidates (S36).
  • the size of the TFT array is represented by the number of dots
  • the number of 4 dots is the size of the TFT array.
  • the number of dots in the x direction is 5, which is larger than the number of dots 4 in the TFT array, and is thus determined as a true defect.
  • the “E” portion shown in FIG. 14C has two dots in the x direction and is smaller than four dots in the TFT array, it is determined as a noise defect (S31).
  • the average defect degree of the defect candidate area is calculated (S32), and the calculated average defect degree of the defect candidate area is compared with the average luminance threshold value (fourth threshold value) (S33). If the degree is smaller than the average luminance threshold (fourth threshold) (S34), it is determined not as a true defect but as a defect due to noise, and the area is deleted from the defect candidates.
  • the average luminance threshold fourth threshold
  • S34 it is assumed that there is a relationship of minimum peripheral luminance ⁇ average luminance threshold ⁇ minimum contained luminance among the minimum peripheral luminance, the average luminance threshold, and the minimum contained luminance (S36).
  • the portion “D” shown in FIG. 14B is determined to be a defect due to noise because the average defect degree of the defect candidates is lower than the fourth threshold value.
  • the true defect part obtained by removing the part due to noise from the defect candidate area is extracted as a defect area (S35).
  • the data processing unit 5 reads the beam data stored in the beam data storage unit 5a and the beam data storage unit 5a for storing the beam data (detection signal) detected by the secondary electron detector, and calculates the signal intensity.
  • a signal strength calculation unit 5b to calculate, a signal strength storage unit 5c for storing the calculated signal strength, a channel separation unit 5d for reading the signal strength stored in the signal strength storage unit 5c for each channel, and each channel read from the channel separation unit 5d
  • the read signal intensity of each channel and the moving average value and movement calculated by the moving average value calculation unit 5e A defect degree calculation unit 5g that calculates the defect degree using the moving standard deviation value calculated by the quasi-deviation value calculation unit 5f, and a channel coupling unit 5h that combines the defect degrees
  • the defect determination unit 6 includes a first threshold 6i1 determined based on the minimum contained luminance, a second threshold 6i2 determined based on the minimum peripheral luminance, and a third threshold determined based on the size of the TFT array. 6i3, a threshold storage unit 6i for storing various thresholds such as a fourth threshold 6i4 determined based on the average luminance, a first comparison unit 6a for comparing the defect degree with the first threshold, and comparing the defect degree with the second threshold value
  • the second comparison unit 6b, the defect candidate storage unit 6c that stores the defect candidates determined based on the comparison result of the first comparison unit 6a and the comparison result of the second comparison unit 6b, and the size calculation unit that calculates the size of the defect candidate 6d, a third comparison unit 6e that compares the size of the defect candidate calculated by the size calculation unit 6d and the third threshold 6i3, an average value calculation unit 6f that calculates the average value of the defect candidates, and a calculation by the average value calculation unit 6f Average value of defect candidates and fourth threshold
  • this configuration can be configured by software in a computer configuration including a CPU that performs calculation and control, and a memory that stores a processing program, a calculation result, and the like in addition to configuring each unit by hardware.
  • the order of scanning each dot affects the defect degree. For example, in the case of a simple raster scan, it stays at the same x coordinate for a long time. Therefore, if there is a linear defect at the x coordinate, the defect is recognized as a normal configuration. Therefore, it is necessary to perform scanning in a distributed order so as to be random locally. In addition, if the range of dispersion is too wide, it exceeds the range that can be regarded as a steady luminance distribution, so it is necessary to perform local dispersion at an appropriate size.
  • a wide area TFT array is divided into blocks, and the blocks are dispersed and selected, thereby scanning with a locally dispersed pattern. Further, folding scanning is performed in block units.
  • FIG. 17 shows an example in which the TFT array is divided into blocks and the blocks are distributed and selected.
  • the TFT array is divided into 25 blocks, and the blocks are scanned in order according to the numbers in the figure, thereby scanning locally dispersed patterns.
  • FIG. 18 is an example in which folding scanning is performed in units of blocks. After scanning in the x direction (horizontal direction in the figure), it is folded back at the end and shifted by one block in the y direction (vertical direction in the figure). Then, an example of scanning in the x direction is shown.
  • the aspect of the present invention it is possible to detect a defect without being affected by the periodic structure of the TFT array such as a gate line by channel decomposition.
  • defects based on noise can be removed by combining the defect degrees obtained by channel decomposition and using the size of the TFT array and the average defect degree (average luminance) of defect candidates for the combined defect degrees.
  • the number of continuous data to be processed can be arbitrarily set, so that the substantial window width of the moving average can be freely set. It is possible to set the optimum window width for detecting the degree of defect.
  • the present invention can be applied not only to a liquid crystal substrate but also to a semiconductor substrate.

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Abstract

ＴＦＴアレイ検査において、ＴＦＴアレイの一ＴＦＴアレイ内の複数のドットに電子ビームを照射して各ドットから二次電子を検出し、各ドットの信号強度値を取得する工程と、取得したＴＦＴアレイの信号強度値のデータをＴＦＴアレイが備える周期構造に基づいて定めた複数のチャンネルに分解する工程と、分離した各チャンネルにおいて、信号強度値の移動平均値および移動標準偏差を算出し、このチャンネル内の各ドットの信号強度値について、移動平均値からのずれ量を移動標準偏差値で正規化することによってチャンネル毎に各ドットの欠陥度を算出する工程と、各チャンネルで算出した欠陥度を統合してＴＦＴ基板についてドットを単位とする欠陥度の分布を取得する工程と、欠陥度分布に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出する工程とを備え、ゲートライン等のＴＦＴアレイの構造に由来する影響による欠陥の誤検出を低減する。

Description

ＴＦＴアレイ検査方法およびＴＦＴアレイ検査装置
　本発明は、ＴＦＴアレイ検査方法、およびＴＦＴアレイ検査装置に関し、特に検出信号の信号強度から欠陥度を算出し、当該欠陥度に基づいて欠陥検出を行う信号処理に関する。
　ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をアレイ状に配列した構成として例えば液晶基板があり、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等に用いられている。
　ＴＦＴを用いて構成された液晶ディスプレイは、ＴＦＴや画素電極を含むＴＦＴアレイが形成された一方のガラス基板と、対向電極が形成された他方のガラス基板との間に液晶を流しこんだ液晶パネルを基本構造とする。
　ガラス基板は、一般の集積回路の製造プロセスにより形成された複数のパネルを有し、各パネルはマトリックス状に配列された複数のＴＦＴアレイ（画素）により構成されている。各ＴＦＴアレイは、画素電極、蓄積容量及びＴＦＴを備える。画素電極は、一般にＩＴ０（インジウム・スズ酸化物）を用いて形成される。画素の基準電圧が印加される電極は蓄積容量を介して接地され、ＴＦＴの基準電圧はグランドレベルに設定される。ＴＦＴはスイッチとして機能し、ＴＦＴのゲート電極にはスイッチング制御のための信号が供給され、ＴＦＴのソース電極にはデータ信号が供給される。
　画素の駆動時には、ＴＦＴのソース電極に電圧が印加されているとき、ゲート電極に電圧を印加するとＴＦＴがオン状態となってドレイン電圧が上昇する。このとき、蓄積容量はチャージされ、次のリフレッシュサイクルまでドレイン電圧を維持する。このプロセスを各画素に対して繰り返し行うことにより、２つのガラス基板間の液晶分子配列が制御されて、液晶ディスプレイに二次元画像が表示される。
　上記ＴＦＴ及び画素電極が形成されたガラス基板（以下「ＴＦＴ基板」という。）の検査においては、電子線の電圧コントラスト技術を用いることによって、非接触で基板上の各ピクセルの状態を判定する方法が提案されている。
　図１９は、電圧コントラスト技術を用いたＴＦＴアレイ検査装置を説明するための図である。この検査装置において、検査されるＴＦＴ基板は高真空室内に搬送され、ステージ上に配置された状態で検査される。
　図１９において、アレイ検査装置１０１は、電子ビーム源１０２、二次電子検出部１０４、ＴＦＴ駆動信号生成・データ処理部１０５、欠陥判定部１０６を備える。電子ビーム源１０２は電子ビーム１０３を照射する。照射された電子ビーム１０３は、図示していない走査部によってＴＦＴ基板１１０の各ＴＦＴアレイ１１１を走査する。二次電子検出部１０４は、電子ビーム１０３をＴＦＴ基板１１０の各ＴＦＴアレイ１１１に照射して発生した二次電子１１２を検出する。また、二次電子検出部１０４は、二次電子１１２の検出量に基づいてＴＦＴアレイ１１１の電圧波形に対応した波形を表わす信号をＴＦＴ駆動信号生成・データ処理部（コンピュータシステム等）１０５に出力する。ＴＦＴ駆動信号生成・データ処理部１０５は、二次電子検出部１０４の出力信号を信号処理し、欠陥判定部１０６に出力する。欠陥判定部１０６は、画素の欠陥の有無や欠陥の内容を判定する。
　また、ＴＦＴ駆動信号生成・データ処理部１０５は駆動信号供給手段を含むこともでき、ＴＦＴ基板１１０の各ＴＦＴアレイ１１１を駆動するための駆動信号をライン１０７を介して出力する。この駆動信号の供給は、電子ビーム源１０２のＴＦＴアレイ１１１上への電子ビーム１０３の走査と同期して行われる。
　データ処理手段では、検査対象であるＴＦＴアレイの配列に対応して得られる二次元配列データを取得し、この二次元配列データをデータ処理することによって、欠陥画素の座標特定や欠陥要因の分類等の検査を行う。二次元配列データは、各ＴＦＴアレイのデータをＴＦＴアレイの画素配列に対応させて配列したものである。
　二次電子像を用いるＴＦＴアレイ検査では、電子線照射によってＴＦＴアレイから放出される二次電子を検出することによって、パネル上のＴＦＴアレイの電圧を測定し、測定した電圧値をプロットした画像を計算処理することによって欠陥部位を抽出している。撮像の解像度は１ＴＦＴアレイ（画素）当たり、例えば、２×２ドットの４点、あるいはそれ以上としている。
　ＴＦＴアレイの電圧画像は、ゲートライン等のＴＦＴアレイの構造に由来して画像の輝度に影響が生じる場合があり、欠陥検出において誤検出の要因となる。このＴＦＴアレイの構造に由来する影響を低減させる手法として、従来、例えば、３値メディアンフィルタを用い、その後、ローパスフィルタによって移動平均およびパネル全体の標準偏差を算出し、画像の輝度のずれを標準偏差を用いて判定することによって、欠陥検出を行っている。
特開２００４－１３９８７１号公報 特開２００５－３２１３０８号公報
　従来のように、３値メディアンフィルタ等によってゲートライン等のＴＦＴアレイの構造に由来する画像の輝度変化の影響を低減させる方法では、例えば、ゲートラインによる影響がＴＦＴアレイの２ドット幅を超えて広い範囲に及ぶときには、十分な低減効果を奏することができず、正常なＴＦＴアレイを欠陥として誤検出する場合がある。
　図２０は、ＴＦＴアレイの構造に由来する画像の輝度変化の影響を説明するための図である。図２０（ａ）では、ＴＦＴアレイ２００の片側にゲートライン２０２が配設された構成を示している。ここでは、ＴＦＴアレイ２００の９個所のドットについて画像信号を取得した状態を示している。図中の１～９は、各ドットの画像信号の信号強度の大きさの順番を示している。
　ゲートライン２０２に近接するドットは、ゲートライン２０２からの影響を受けて画像の信号強度が変化する。ゲートライン２０２による影響がＴＦＴアレイの２ドット幅に及ぶ場合には、ゲートライン２０２に近い側から２列分のドットはゲートライン２０２に影響を受け、欠陥が無い場合であっても画像信号の信号強度が低下する等の影響が現れる。図２０中の灰色で示したドット部分は、ゲートラインによる影響で信号強度に影響を受けた部分を示している。
　このように広い範囲に影響が及ぶ場合には、図２０（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ２００中のドットで得られた９個の信号強度を用いてメディアン値を求めると、得られた信号強度はゲートラインの影響を受けたドットの信号強度となるため、この信号強度を用いて欠陥検出を行うと、誤検出するおそれがある。
　このような誤検出を回避する手法として、メディアン窓の幅を広げることが考えられるが、このようにメディアン窓の幅を広げると欠陥部分についても平滑化されてしまうため、欠陥の検出精度が低下するという問題がある。また、移動平均の処理はそのデータの処理量が窓幅に比例して増大するため、オンライン検査等のリアルタイム性が求められる用途では窓幅のサイズが制限される。したがって、メディアンの窓幅を広げることによって欠陥の誤検出を回避する手法は有効なものとならない。
　そこで、本発明は上記課題を解決し、ゲートライン等のＴＦＴアレイの構造に由来する影響による欠陥の誤検出を低減することを目的とする。
　上記目的を解決するために、本発明は、ゲートライン等のＴＦＴアレイの構造に由来する影響において、ＴＦＴアレイの周期構造に由来する影響はドットの信号強度に周期的な影響をもたらすことに注目し、この周期性を有する信号強度のデータについて周期性を示す方向で分離することによって、周期構造による信号強度間の影響を排除し、さらに、周期構造による影響は排除した信号強度のデータに基づいて求めた欠陥候補について、ＴＦＴアレイのサイズや欠陥度の平均値を指標として欠陥検出を行うことによって、実質的な移動平均の窓幅の大きさに係わらず処理速度を高めることができ、リアルタイムなオンライン検査を行うことができる。
　本発明はＴＦＴアレイ検査方法の形態とＴＦＴアレイ検査装置の形態の２つの形態とすることができる。
　本発明のＴＦＴアレイ検査方法の形態は、ＴＦＴ基板に電子ビームを走査し、当該電子ビーム走査によりＴＦＴ基板のＴＦＴアレイから発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査において、ＴＦＴアレイの一ＴＦＴアレイ内の複数のドットに電子ビームを照射して各ドットから二次電子を検出し、各ドットの信号強度値を取得する工程と、取得したＴＦＴアレイの信号強度値のデータをＴＦＴアレイが備える周期構造に基づいて定めた複数のチャンネルに分解する工程と、分離した各チャンネルにおいて、信号強度値の移動平均値および移動標準偏差を算出し、このチャンネル内の各ドットの信号強度値について、移動平均値からのずれ量を移動標準偏差値で正規化することによってチャンネル毎に各ドットの欠陥度を算出する工程と、各チャンネルで算出した欠陥度を統合してＴＦＴ基板についてドットを単位とする欠陥度の分布を取得する工程と、欠陥度分布に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出する工程とを備える。
　ドットの信号強度値を取得する工程では、一ＴＦＴアレイ内の複数のドット位置に電子ビームを照射し、各ドットから放出される二次電子を検出し、検出して二次電子の信号強度を求める。取得した信号強度値はＴＦＴアレイ内の各ドットの電位を表し、正常なＴＦＴアレイと欠陥を有するＴＦＴアレイとではその電位が異なるため、信号強度値によって、ＴＦＴアレイの欠陥の有無を検出することができる。
　複数のチャンネルに分解する工程は、取得したＴＦＴアレイの信号強度値のデータをＴＦＴアレイが備える周期構造に基づいて、取得して信号強度値のデータを複数のチャンネルに分解する。これによって信号強度値の周期特性を各チャンネルに分離し、周期構造による信号強度間の影響を排除する。
　チャンネルへの分解は、ＴＦＴアレイの周期構造に応じて複数の形態によって行うことができる。
　チャンネル分解の第１の形態は、ＴＦＴアレイがゲートラインの長さ方向と垂直な方向に周期構造を有する場合である。この周期構造の場合には、ゲートラインと垂直な方向にチャンネルを分解する。このチャンネル分解によって、ゲートラインと平行に複数のチャンネルが形成される。
　チャンネル分解の第２の形態は、ＴＦＴアレイがゲートラインの長さ方向と平行な方向に周期構造を有する場合である。この周期構造の場合には、ゲートラインと平行な方向にチャンネルを分解する。このチャンネル分解によって、ゲートラインと垂直な方向に複数のチャンネルが形成される。
　また、チャンネル分解の第３の形態は、ＴＦＴアレイがゲートラインの長さ方向と垂直な方向および平行な方向に周期構造を有する場合である。この周期構造の場合には、ゲートラインと垂直な方向および平行な方向に格子状にチャンネルを分解する。このチャンネル分解によって、ゲートラインと垂直な方向および平行な方向に格子状に分けられたブロック内において、同じ位置関係のドットによってチャンネルを形成される。
　このチャンネル分解は、周期構造から同様の影響を受けるドットの信号強度をまとめて同一のチャンネルとすると共に、周期構造から異なる影響を受けるドットの信号強度については別のチャンネルに区分することによって、周期特性を異にするチャンネル間の影響を排除する。
　また、このチャンネル分解によって、同一のチャンネル内の信号強度は周期構造から同様の影響を受けた信号強度の集合となるため、欠陥度の算出で行う処理において実質的に移動平均処理と同様のローパスフィルタ処理を、窓幅に相当する処理データ数の影響を低減させることができる。処理データ数の影響が低減されるため、処理データ数を増加させることができ、処理速度を向上させることができる。データの処理速度を向上させることによってリアルタイム処理に好適となる。
　欠陥度を算出する工程では、分離した各チャンネルにおいて、信号強度値の移動平均値および移動標準偏差を算出し、このチャンネル内の各ドットの信号強度値について、移動平均値からのずれ量を移動標準偏差値で正規化する。移動平均値は、各チャンネルにおいて、所定のデータ数を窓幅としてチャンネル内を順に移動させながら平均値を算出することで取得することができる。また、移動標準偏差値は、各チャンネルにおいて、所定のデータ数を窓幅として、各ドットの信号強度と移動平均値との差分の二乗の和の平均の平方根を算出することで取得することができる。
　さらに、欠陥度は、各ドットの信号強度から移動平均値を差し引いて差分値を求め、この差分値を移動標準偏差値で除算することで算出することができる。移動標準偏差値で除算することによって規格化することによって、チャンネル内において移動平均値が変動した場合であっても、チャンネル内において移動平均値の変動に影響されない欠陥度を取得することができる。
　欠陥度の分布を取得する工程は、各チャンネルで算出した欠陥度を統合することによって行うことができ、この結合によってＴＦＴ基板について、ドットを単位とする欠陥度を取得することができる。
　移動平均値および移動標準偏差値の少なくとも何れか一方は、入力信号に一次遅れさせた出力信号を帰還させて重み付けして加算するＩＩＲフィルタを用いて算出することができる。このＩＩＲフィルタを用いる場合には、チャンネルに配列される信号強度値をＩＩＲフィルタに順に入力して算出する。ＩＩＲフィルタの重み付けを変更することによってローパスフィルタ特性を設定することができ、この重み付けは一次遅れさせた帰還信号に係数を乗ずることで変更することができる。
　欠陥の検出工程では、求めた欠陥度分布に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出する。取得された欠陥度分布は、ＴＦＴアレイの周期構造の影響を受けていないため、ゲートライン等のＴＦＴアレイの構造に由来する影響による欠陥の誤検出を低減することができる。
　欠陥を検出する工程は、欠陥度が最低含有輝度に基づいて定められる正常範囲の外側にあるドットを第１の欠陥候補として抽出する工程と、第１の欠陥候補のドットと連接するドットにおいて、正常範囲の内側であって、欠陥度が最低周辺輝度に基づいて定められる周辺範囲内のドットを第２の欠陥候補として抽出する工程と、抽出した第１の欠陥候補のドットと第２の欠陥候補のドットが形成する領域を欠陥候補領域として定める工程と、欠陥候補領域からノイズによる欠陥候補領域を除去する選別工程とを備える。
　ここで、最低含有輝度はＴＦＴアレイが正常である場合に得られるドットの信号強度の最低レベルに対応するものである。また、最低周辺輝度は、ＴＦＴアレイの欠陥領域の周辺部分に得られるドットの信号強度の最低レベルに対応するものである。
　ここでは、最低含有輝度を閾値とすることによって欠陥領域に含まれるドットを抽出して第１の欠陥候補とする。また、最低周辺輝度を閾値とすることによってその周囲にある欠陥領域の範囲を第２の欠陥候補とし、第１の欠陥候補と第２の欠陥候補によって欠陥候補を算定する。
　この欠陥候補には、ノイズによるものが含まれているため、ノイズ選別工程によってノイズによる欠陥候補を除去する。
　選別工程は、欠陥候補領域のサイズとＴＦＴアレイのサイズとを比較し、ＴＦＴアレイのサイズよりも小さい欠陥候補領域を除去する第１の除去工程と、欠陥候補領域にある欠陥度の平均欠陥度と、最低含有輝度と最低周辺輝度との間で定められる輝度に基づいて定められる閾値とを比較し、平均欠陥度が閾値よりも内側にある欠陥候補領域を除去する工程とを備える構成とすることができる。
　選別工程では、欠陥候補のサイズがＴＦＴアレイのサイズよりも小さい場合には、ＴＦＴアレイの欠陥でなくノイズによるものであると判定して、この欠陥候補を除去する。また、選別工程では、欠陥候補の平均の欠陥度が所定値以下の場合には、ＴＦＴアレイの欠陥でなくノイズによるものであると判定して、この欠陥候補を除去する。これは、付着物等によるノイズ分の場合には、信号強度の局所的なコントラストは低い値となるのに対して、真の欠陥の場合には、信号強度の局所的なコントラストは高い値となり、通常平均の欠陥度の値は比較的高い値となる。
　この選別に用いる平均輝度閾値は、最低周辺輝度と最低含有輝度との間に設定することができる。
　本発明のＴＦＴアレイ検査装置の形態は、ＴＦＴ基板に電子ビームを走査し、この電子ビーム走査によりＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに電子ビームを照射し、当該電子ビーム走査によりＴＦＴ基板のＴＦＴアレイから発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、欠陥度を算出するデータ処理部と、データ処理部で算出した欠陥度に基づいて欠陥を検出する欠陥検出部とを備える。
　データ処理部は、ＴＦＴアレイの一ＴＦＴアレイ内の複数のドットに電子ビームを照射して検出される二次電子に基づいて各ドットの信号強度値を算出する信号強度値算出部と、ＴＦＴアレイの信号強度値のデータをＴＦＴアレイが備える周期構造に基づいて定めた複数のチャンネルに分解するチャンネル分解部と、分離した各チャンネルにおいて信号強度値の移動平均値を算出する移動平均値算出部と、分離した各チャンネルにおいて信号強度値の移動標準偏差値を算出する移動標準偏差値算出部と、チャンネル内の各ドットの信号強度値について、移動平均値からのずれ量を移動標準偏差値で正規化してチャンネル毎に各ドットの欠陥度を算出する欠陥度算出部と、各チャンネルで算出した欠陥度を統合する欠陥度統合部とを備える。
　チャンネル分解部の一形態は、ゲートラインと垂直な方向にチャンネルを分解し、他の形態ではゲートラインと平行な方向にチャンネルを分解し、さらに別の形態では、ゲートラインと垂直な方向および平行な方向に格子状にチャンネルを分解する。
　移動平均値算出部は、入力信号に一次遅れさせた出力信号を帰還させて重み付けして加算するＩＩＲフィルタを備え、チャンネルに配列される信号強度値をＩＩＲフィルタに順に入力して算出する。
　移動標準偏差値算出部は、入力信号に一次遅れさせた出力信号を帰還させて重み付けして加算するＩＩＲフィルタを備える。チャンネルに配列される信号強度値と移動平均値との差分を二乗した値をＩＩＲフィルタに順に入力して算出することによって、移動標準偏差値を算出する。
　欠陥度算出部は、欠陥度と、最低含有輝度に基づいて定められる正常範囲に定められる第１の閾値とを比較して第１の欠陥候補として抽出する第１の比較手段と、欠陥度と、最低周辺輝度に基づいて定められる周辺範囲に定められる第２の閾値とを比較して第２の欠陥候補として抽出する第２の比較手段と、抽出した第１の欠陥候補のドットと第２の欠陥候補のドットが形成する欠陥候補領域について、欠陥候補領域のサイズを算出するサイズ算出手段と、欠陥候補領域のサイズとＴＦＴアレイのサイズとを比較する第３の比較手段と、抽出した第１の欠陥候補のドットと第２の欠陥候補のドットが形成する欠陥候補領域について、欠陥候補領域の平均欠陥度を算出する平均欠陥度算出手段と、欠陥候補領域の平均欠陥度と、最低含有輝度と最低周辺輝度との間で定められる輝度に基づいて定められる平均輝度閾値とを比較する第４の比較手段とを備える。
　本発明によれば、ゲートライン等のＴＦＴアレイの構造に由来する影響による欠陥の誤検出を低減することができる。
本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成例を説明するための図である。 本発明によるＴＦＴアレイ検査方法の手順の概要を説明するためのフローチャートである。 本発明のＴＦＴアレイの周期構造による信号強度の周期特性を説明するための図である。 本発明の信号強度のチャンネルへの分離を説明するための図である。 本発明の信号強度のチャンネルへの分離を説明するための図である。 本発明の信号強度のチャンネルへの分離を説明するための図である。 分解したチャンネルについて取得した信号強度の変化を示す図である。 本発明のチャンネル内の信号強度に基づく欠陥度の算出を説明するためのフローチャートである。 本発明のチャンネル内の信号強度に基づく欠陥度の算出を説明するための説明図である。 本発明の移動平均を説明するための図である。 本発明の移動平均を説明するための図である。 本発明の移動平均値と移動標準偏差と欠陥度との関係を説明するための図である。 本発明の欠陥度を用いた欠陥検出を説明するためのフローチャートである。 本発明の欠陥度を用いた欠陥検出を説明するための説明図である。 本発明のＴＦＴアレイ装置が備えるデータ処理部の構成例を説明するためのブロック図である。 本発明のＴＦＴアレイ装置が備える欠陥判定部の構成例を説明するためのブロック図である。 本発明のＴＦＴアレイをブロックによる分散例を説明するための図である。 本発明のブロック単位で行う折りたたみ走査例を説明するための図である。 電圧コントラスト技術を用いたＴＦＴアレイ検査装置を説明するための図である。 ＴＦＴアレイの構造に由来する画像の輝度変化の影響を説明するための図である。
符号の説明
　１…アレイ検査装置、２…電子ビーム源、３… 電子ビーム走査部、４… 二次電子検出部、５…データ処理部、５ａ…ビームデータ記憶部、５ｂ…信号強度算出部、５ｃ…信号強度記憶部、５ｄ …チャンネル分離部、５ｅ…移動平均値算出部、５ｆ…移動標準偏差値算出部、５ｇ…欠陥度算出部、５ｈ…チャンネル結合部、６…欠陥判定部、６ａ…比較部、６ｂ…比較部、６ｃ…欠陥候補記憶部、６ｄ…サイズ算出部、６ｅ…比較部、６ｆ…平均値算出部、６ｇ…比較部、６ｈ…除去部、６ｉ…閾値記憶部、6i1…第１閾値、6i2…第２閾値、6i3…第３閾値、6i4…第４閾値、１０Ａ，１０Ｂ…アレイ列、１０ａ…ＴＦＴ、１０ｂ…画素電極、１１…ゲートライン、１２…データライン、２０…ドット、１０１…アレイ検査装置、１０２…電子ビーム源、１０３…電子ビーム、１０４…二次電子検出部、１０５…駆動信号生成・データ処理部、１０６…欠陥判定部、１０７…ライン、１１０…基板、１１１…アレイ、１１２…二次電子、２００…アレイ、２０２…ゲートライン。
　以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。
　図１は本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成例を説明するための図である。
　図１において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、電子ビーム源２と、電子ビーム走査部３と、二次電子検出部４と、データ処理部５と欠陥判定部６を備える。電子ビーム源２から発した電子ビームを電子ビーム走査部３によってＴＦＴ基板上に形成されたＴＦＴアレイ（画素）１０に照射し、照射領域のドット２０から放出された二次電子を二次電子検出部４によって検出する。データ処理部５は、二次電子検出部４で検出した二次電子の検出量に基づいて各ドットにおける信号強度を算出する。欠陥判定部６は、データ処理部５で算出した信号強度に基づいて、欠陥の有無や欠陥の種類や欠陥の位置等を判定する。なお、データ処理部５において、ＴＦＴ駆動信号生成部は本発明とは直接関係しないため図示していない。
　ＴＦＴアレイ１０は画素電極１０ｂを有し、この画素電極１０ｂはＴＦＴ１０ａを介してゲートライン１１およびデータライン１２と接続されている。液晶基板の場合には、画素電極１０ｂは対向する対向電極（図示していない）との間に液晶を挟み、データライン１２から供給される信号によって選択した画素をゲートライン１１から供給される信号のタイミングで駆動する。
　電子ビーム走査部３は、電子ビーム源２から発せられた電子ビームを走査することによって画素１０内の複数のドット（照射領域）２０に順に照射する。電子ビームが照射されたドット２０は、その部分の電位に応じた量の二次電子を放出する。二次電子検出部４は放出された二次電子を検出し、その二次電子量を信号強度として出力する。データ処理部５は、二次電子検出部４が検出した二次電子の信号強度に基づいて各画素の電位状態を求める。
　二次電子検出部４は、一ＴＦＴアレイについて複数のドット２０からの二次電子を検出する。データ処理部５は、複数のドット２０から取得した複数の信号強度を演算処理することによって一ＴＦＴアレイの信号強度を算出する。この一ＴＦＴアレイの信号強度を算出する際に、真の欠陥に基づくものではない、画素の形状や配線等の周期構造の影響によってあたかも欠陥と誤って判定される可能性がある誤欠陥データを除いて、誤欠陥データの影響を受けない信号強度を求める必要がある。
　本発明のデータ処理部５は、複数の信号強度から周期構造の影響を排除し、欠陥の度合いを表す欠陥度を算出する。
　図２は、本発明によるＴＦＴアレイ検査方法の手順の概要を説明するためのフローチャートである。
　本願発明のＴＦＴアレイ検査方法は、ＴＦＴ基板に電子ビームを走査し、この電子ビーム走査によってＴＦＴ基板のＴＦＴアレイから発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するものである。
　はじめに、ＴＦＴアレイの一ＴＦＴアレイ内の複数のドットに電子ビームを照射して各ドットから二次電子を検出し、各ドットの信号強度値を取得して撮像画像を取得する（S1）。取得したＴＦＴアレイの信号強度値のデータをＴＦＴアレイが備える周期構造に基づいて定めた複数のチャンネルに分解する（S2）。
　分離した各チャンネルにおいて、ＴＦＴアレイの欠陥の有無を判定する指標として欠陥度を算出する。欠陥度の算出は、信号強度値の移動平均値および移動標準偏差を算出し、チャンネル内の各ドットの信号強度値について、移動平均値からのずれ量を移動標準偏差値で正規化することによって行う。この欠陥の算出では、チャンネル毎に各ドットの欠陥度が算出される（S3）。
　前記工程の欠陥度は分離したチャンネル毎に算出されているため、各チャンネルで算出した欠陥度を統合して、ＴＦＴ基板全体についてドットを単位とする欠陥度の分布を取得する(S4)。取得した欠陥度分布に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出する（S5）。
　以下、上記した各工程について、図３～図１４を用いて説明する。図３はＴＦＴアレイの周期構造による信号強度の周期特性を説明するための図であり、図４～図６は信号強度のチャンネルへの分離を説明するための図であり、図７は分解したチャンネルについて取得した信号強度の変化を示す図であり、図８、９はチャンネル内の信号強度に基づく欠陥度の算出を説明するためのフローチャートおよび説明図であり、図１０、１１は移動平均を説明するための図であり、図１２は移動平均値と移動標準偏差と欠陥度との関係を説明するための図であり、図１３、１４は欠陥度を用いた欠陥検出を説明するためのフローチャートおよび説明図である。
　図３はＴＦＴアレイの周期構造による信号強度の周期特性を説明するための図である。図３は、ＴＦＴ基板上に形成された複数のＴＦＴアレイ１０の一部分を示している。複数のＴＦＴアレイ１０は、ゲートライン１１に沿ってアレイ列１０Ａ，１０Ｂを形成している。このような構成では、アレイ列１０Ａ，１０Ｂの各ドット２０は、ゲートライン１１に対して周期構造を形成している。液晶パネルはゲートライン間隔で同じ構造を繰り返す周期的構造を持っている。各チャンネル内に含まれるドットはゲートラインから等距離にあるため、まったく同じ構造を計測したものとなる。一方、分離された各チャンネルはゲートラインから異なる距離にあるため、計測点での構造が若干異なるが、本発明では信号強度の信号処理は分離したチャンネル毎に行うため、各チャンネル間の影響を除くことができる。
　図３はこの周期構造によるドットの信号強度の周期特性を模式的に示している。ＴＦＴアレイのアレイ列１０Ａの周期特性を示しているが、周期構造による影響はアレイ列１０Ａに限られるものではない。
　本発明は周期構造による影響を低減するために、取得したＴＦＴアレイの信号強度値のデータをＴＦＴアレイが備える周期構造に基づいて複数のチャンネルに分解する。図４～図６は信号強度のチャンネルへの分離を説明するための図である。
　図４はＴＦＴアレイがゲートラインの長さ方向と垂直な方向に周期構造を有する例を示している。図４では、ゲートラインの長さ方向と垂直な方向をｙ方向で示している。
　この周期構造の場合には、ゲートラインと垂直な方向（ｙ方向）にチャンネルを分解することによって、ゲートラインによる周期的な影響を低減する。図４では、ゲートラインからｘ方向に延びるドット列が６列ある例であり、この各ドット列を１チャンネルに対応させたチャンネル０～チャンネル５の６チャンネルに分離する。
　各チャンネル内に含まれるドットはゲートラインから等距離にあるため、ゲートラインの電圧から同様の影響を受ける。一方、分離された各チャンネルはゲートラインから異なる距離にあるため、ゲートラインの電圧から受ける影響は異なるが、本発明では信号強度の信号処理は分離したチャンネル毎に行うため、各チャンネル間の影響を除くことができる。
　図５はＴＦＴアレイがゲートラインの長さ方向と平行な方向に周期構造を有する例を示している。図５では、ゲートラインの長さ方向と平行な方向をｘ方向で示している。この周期構造の場合には、ゲートラインと平行な方向にチャンネルを分解することによって、ゲートラインと平行な方向に周期構造による周期的な影響を低減する。図５では、ｙ方向に延びるドット列が６列ある例であり、この各ドット列を１チャンネルに対応させたチャンネル０～チャンネル５の６チャンネルに分離する。
　各チャンネル内に含まれるドットはｘ方向に対して同様の周期性を有するため、ｘ方向の周期構造（図示していない）から等距離にあるため同様の影響を受ける。一方、分離された各チャンネルはｘ方向の周期構造（図示していない）から異なる距離にあるため、周期構造から受ける影響は異なるが、本発明では信号強度の信号処理を分離したチャンネル毎に行うことによって、各チャンネル間の影響を除くことができる。
　図６はＴＦＴアレイがゲートラインの長さ方向と垂直な方向および平行な方向に周期構造を有する例を示している。図６では、ゲートラインの長さ方向と平行な方向をｘ方向で示し、ゲートラインの長さ方向と垂直な方向をｙ方向で示している。この周期構造の場合には、ゲートラインの長さ方向と垂直な方向および平行な方向の両方向にチャンネルを分解することによって、ゲートラインの長さ方向と垂直な方向および平行な方向に周期構造による周期的な影響を低減する。図６では、ゲートラインからｘ方向に延びるドット列が６列あり、ｙ方向に延びるドット列が６列ある例であり、両ドット列で形成される格子配列において、同一の位置関係にあるドットを１チャンネルに対応させたチャンネル００～チャンネル５５の３６チャンネルに分離する。
　各チャンネル内に含まれるドットはｘ方向およびｙ方向に対して同様の周期性を有するため、ｘ方向の周期構造（図示していない）およびｙ方向の周期構造（図示していない）から等距離にあるため同様の影響を受ける。一方、分離された各チャンネルはｘ方向の周期構造（図示していない）およびｙ方向の周期構造（図示していない）から異なる距離にあるため、周期構造から受ける影響は異なるが、本発明では信号強度の信号処理を分離したチャンネル毎に行うことによって、各チャンネル間の影響を除くことができる。
　なお、上記した例では、１ドット列に対して１チャンネルを対応させる例を示しているが、複数のドット列に対して１チャンネルを対応させてもよい。
　図７は、分解したチャンネルについて取得した信号強度の変化を示す図であり、信号強度を画像輝度に対応させた場合には輝度分布として表される。輝度分布は、ＴＦＴアレイの配列に沿った変化にほぼ一様なガウスノイズが乗った分布となる。この輝度分布において、欠陥ドットの輝度は、正常なドットと比較して明るい方向あるいは暗い方向にはずれた輝度を表す。一般に、欠陥ドットと正常なドットとは、輝度の平均値からのずれ量を標準偏差と比較することで識別することができる。
　ここで、画像輝度の輝度分布は、ＴＦＴアレイの配列に沿った変化分を有しているため、１チャンネルで一つの平均値を用いる場合には、平均値からのずれ量を標準偏差と比較することができない。そこで、ここでは、平均値と標準偏差値とを局所的に求めることで、ＴＦＴアレイの配列に沿った変化分の影響を除去する。平均値と標準偏差値の局所的な算出は、所定個数の輝度（信号強度値）について移動平均値を求め、所定個数の輝度（信号強度値）について移動標準偏差を求めることで行う。
　図７において、欠陥ドットの検出は、ドットの信号強度が、移動平均値から移動標準偏差値のｎ倍の範囲内にあるか否かを判定することで行うことができる。
　本発明は、移動平均値および移動標準偏差値を用いて欠陥度を算出し、この欠陥度に基づいて欠陥検出を行う。
　以下、欠陥度の算出について、図８～図１２を用いて説明する。図８、９はチャンネル内の信号強度に基づく欠陥度の算出を説明するためのフローチャートおよび説明図である。
　欠陥度の算出は分離した各チャンネルについて行う。分離した複数のチャンネルから欠陥度を算出するチャンネルを選択する。図９（ａ）は分離した複数のチャンネルと各チャンネルに含まれるドットの信号強度値を示している。なお、図９では、チャンネル０～チャンネルｎのドット（ｉ）の信号強度値をＩ０（ｉ）～Ｉｎ（ｉ）で示している(S11)。選択したチャンネルに含まれるドット（ｉ）の信号強度値Ｉ（ｉ）を抽出する。図９（ｂ）は、一チャンネルにおいて抽出したドット（ｉ）の信号強度値Ｉ（ｉ）の信号列を示している(S12)。
　抽出したドット（ｉ）の信号強度値Ｉ（ｉ）を用いて、移動平均値Ｉmean（ｉ）を算出する。この移動平均値Ｉmean（ｉ）の算出は、例えば、以下の式（１）による平均演算を、算出を行うドット（ｉ）の周囲のデータの中から予め定めた所定数ｍの信号強度値Ｉを抽出することで行うことができる。
　Ｉmean（ｉ）＝ΣＩ（ｉ）／ｍ　　　　　…（１）
　図９（ｃ）は移動平均値Ｉmean（ｉ）の算出を示している。データ列の端部では移動平均値の算出に必要なデータ数が不足するため、端部のデータを外挿する等の処理を行うことで算出する。
　本発明のＴＦＴアレイ検査では、ライン検査を行うため高速でリアルタイムの処理が必要である。本発明では、処理速度を高めるためにＩＩＲフィルタを用いた近似移動平均処理を行う。このＩＩＲフィルタは、図１０（ａ）に示すような重み係数の特性を有した重み付き平均となる。
　図１１はＩＩＲフィルタの一構成例を示す図である。図１１に示す構成例では、出力信号を一次遅れ器（Ｚ－１）を通し、所定の係数αを乗じた値を加算器に帰還させる構成とすることができる（S13)。
　なお、点状欠陥や線状欠陥等の予め欠陥の種類が既知である場合には、その欠陥に応じたマッチドフィルタ等の強調フィルタを用いて、この欠陥種の信号強度列を抽出することもできる。
　次に、抽出したドット（ｉ）の信号強度値Ｉ（ｉ）と算出した移動平均値Ｉmean（ｉ）を用いて、移動標準偏差値σ（ｉ）を算出する。この移動標準偏差値σ（ｉ）の算出は、例えば、以下の式（２）による演算を、算出を行うドット（ｉ）の周囲のデータの中から予め定めた所定数ｍの信号強度値Ｉを抽出することで行うことができる。
　σ（ｉ）＝（Σ（Ｉ（ｉ）－Ｉmean（ｉ））2／ｍ）1/2　　　　　…（２）
　図８（ｄ）は移動標準偏差値σ（ｉ）の算出を示している。データ列の端部では移動平均値の算出に必要なデータ数が不足するため、端部のデータを外挿する等の処理を行うことで算出する。また、移動平均値Ｉmean（ｉ）の算出に用いるデータ数と移動標準偏差値σ（ｉ）に用いるデータ数とは必ずしも一致させる必要はない (S14)。
　次に、前記S13の工程で算出した移動平均値Ｉmean（ｉ）と前記S14で算出した移動標準偏差値σ（ｉ）、および抽出したドット（ｉ）の信号強度値Ｉ（ｉ）を用いてドット（ｉ）の欠陥度Ｄ（ｉ）を算出する。この欠陥度Ｄ（ｉ）の算出は、例えば、以下の式（３）による演算によって行うことができる。
　Ｄ（ｉ）＝（Ｉ（ｉ）－Ｉmean（ｉ））／σ（ｉ）　　　　　　…（３）
　この欠陥度Ｄ（ｉ）の算出では、ドット（ｉ）の信号強度値Ｉ（ｉ）と移動平均値Ｉmean（ｉ）との差分を移動標準偏差値σ（ｉ）で除算することによって正規化することで求める。正規化することによって、ドット（ｉ）の信号強度値Ｉ（ｉ）や移動平均値Ｉmean（ｉ）の大きさにかかわらない欠陥度を求めることができる。図８（ｅ）は欠陥度Ｄ（ｉ）の算出を示している。
　S12～S15の工程を１チャンネル内の全ドットについて行って、１チャンネル内の欠陥度を算出する（S16）。S16の工程まで算出した欠陥度Ｄ（ｉ）は、分解した１チャンネルでの値であるため、全チャンネルについてS11～S15の工程を繰り返すことによって全チャンネルについて同様にドットの欠陥度を算出する（S17）。
　算出したドットの欠陥度は、分解された複数のチャンネルの各チャンネルについて求められているため、これらの欠陥度を結合してＴＦＴ基板全体の欠陥度の分布を求める。図８（ｆ）は、欠陥度を結合した状態を示している。欠陥検出は、この結合によって得られた欠陥度の分布に基づいて行う。
　図１２は、本発明による欠陥度による欠陥検出と、移動平均値と移動標準偏差値とを用いた通常の欠陥検出を比較するための図である。
　図１２（ｂ）は移動平均値と移動標準偏差値とを用いた通常の欠陥検出の例を示している。通常、欠陥ドットから得られる信号強度は、移動平均値Ｉmeanから移動標準偏差のｎ倍（ｎσ）以上ずれた値を示す。図１２（ｂ）において、ドットａは移動平均値Ｉmeanからのずれ量はｎσであるため、正常なドットと判定され、また、ドットｂは移動平均値Ｉmeanからのずれ量はｎσを超えているため、欠陥を有するドットと判定される。この欠陥検出では、ずれ量を判定するための移動平均値および標準偏差基準が変動するため、ドットの位置によって欠陥検出の検出精度にばらつきが生じる。
　これに対して、図１２（ａ）は本発明による欠陥度を用いた欠陥検出の例を示している。欠陥度は、前記したように、ドット（ｉ）の信号強度値Ｉ（ｉ）と移動平均値Ｉmean（ｉ）との差分（Ｉ（ｉ）－Ｉmean（ｉ））を移動標準偏差値σ（ｉ）で除算することによって正規化することによって、欠陥検出の検出精度にばらつきを低減することができる。
　図１２（ａ）において、ドットａは欠陥度がｎσ内であるため、正常なドットと判定し、また、ドットｂは欠陥度がｎσを超えているため、欠陥を有するドットと判定する。
　通常、検査対象のドット数は非常に多いため、誤検出の期待値を減らすためには大きな閾値を用いる必要がある。しかし、大きな閾値を用いて欠陥検出を行うと、ずれ量が小さな欠陥度については検出されずに正常と判定され、検出漏れが生じるおそれがある。
　そこで、本発明は、欠陥度によって抽出した欠陥候補について、欠陥候補の領域のサイズおよび平均欠陥度（平均信号強度）を用いることによって、欠陥候補の中からノイズによる欠陥部分を除去する。
　欠陥候補の領域の大きさを用いたノイズの欠陥部分の除去は、ＴＦＴアレイの真の欠陥は１ＴＦＴアレイのサイズよりも大きいという点に基づくものであり、欠陥候補の領域サイズが１ＴＦＴアレイのサイズよりも小さい場合には、ノイズによる欠陥部分として欠陥候補から除去する。
　また、欠陥候補の平均欠陥度（平均信号強度）を用いたノイズの欠陥部分の除去は、真の欠陥の平均欠陥度は、ノイズの欠陥の平均欠陥度よりも高いという点に基づくものであり、欠陥候補の平均欠陥度が予め設定した平均欠陥度閾値（平均輝度閾値）よりも低い場合には、ノイズによる欠陥部分として欠陥候補から除去する。この平均欠陥度の違いは、信号強度による画像において、異物等による輝度分布は局所コントラストが低く現れるのに対して、真の欠陥による輝度分布は局所コントラストが高く現れ、高い局所コントラストでは、通常平均輝度が高くなるためである。
　以下、欠陥検出の手順を図１３のフローチャートを用いて説明する。
　はじめに、注目するＴＦＴアレイ（画素）を選択し(S21)、選択したＴＦＴアレイ内のドットについて(S22)、そのドットの欠陥度と第１閾値とを比較して、欠陥を有するドットを抽出する。この第１閾値は最低含有輝度に基づいて設定する。ここで、最低含有輝度は正常なＴＦＴアレイが少なくとも有する輝度であり、輝度を境界値としてＴＦＴアレイの正常範囲、あるいは欠陥範囲を定めることができる(S23)。欠陥度が第１閾値で定められる欠陥範囲内である場合には、当該ドットを欠陥ドットとする(S24)。さらに、この欠陥ドットの周囲のドットについて(S25)、そのドットの欠陥度と第２閾値とを比較して(S26)、欠陥の周辺部分を定める欠陥周辺ドットを抽出する。この第２閾値は最低周辺輝度に基づいて設定する。ここで、最低周辺輝度は欠陥を有するＴＦＴアレイの周辺部分が少なくとも有する輝度であり、この輝度を境界値として欠陥ドットを囲む欠陥周辺ドットの範囲（周辺範囲）を定める(S27)。第２閾値との比較による周辺範囲の抽出は、抽出した欠陥ドットおよびその周辺のドットについてS25～S27を繰り返すことによって行うことができる(S28)。
　図１４は欠陥度と閾値との関係を説明するための図である。図１４（ａ）はＴＦＴアレイにおいてドット単位で表した欠陥度分布を示している。図１４（ａ）中の“ａ”は第１閾値で設定される欠陥範囲のドット部分を示し、“ｂ” は第２閾値で設定される周辺範囲のドット部分を示している。
　図１４（ｂ）は、図１４（ａ）中のＡで示すライン上について、欠陥度に基づいて欠陥検出を行う場合を示している。また、図１４（ｃ）は、図１４（ａ）中のＢで示すライン上について、欠陥度に基づいて欠陥検出を行う場合を示している。なお、図１４（ｂ）は、欠陥を有するＴＦＴアレイは正常なＴＦＴアレイよりも高い輝度を表す場合を示し、図１４（ｃ）は、欠陥を有するＴＦＴアレイは正常なＴＦＴアレイよりも低い輝度を表す場合を示している。
　S24の工程で抽出した欠陥範囲とS27の工程で抽出した周辺範囲を欠陥候補の領域として抽出する(S29)。この欠陥候補の領域には、真の欠陥部分の他にノイズによる部分が含まれる場合がある。欠陥候補の領域は、図１４（ａ），（ｂ）では“Ｃ”と“Ｄ”の部分が相当し、図１４（ａ），（ｃ）では“Ｅ”の部分が相当している。
　以下のS30～S36の工程によって、欠陥候補の領域からノイズによる部分を除去して、真の欠陥部分のみを抽出する。この欠陥候補の領域からノイズによる部分を除去する工程は、S30～S31,S36によるＴＦＴアレイのサイズに基づく除去工程と、S32～S36による欠陥候補の平均欠陥度（平均輝度）に基づく除去工程とを含んでいる。
　はじめに、欠陥候補の領域のサイズとＴＦＴアレイのサイズ（第３閾値）とを比較し(S30)、欠陥候補の領域のサイズがＴＦＴアレイのサイズ（第３閾値）よりも小さい場合には(S31)、真の欠陥ではなく、ノイズによる欠陥として判定し、その領域を欠陥候補から削除する(S36)。
　ここで、ＴＦＴアレイのサイズをドット数で表す場合には、図１４（ａ）の例では４ドット数がＴＦＴアレイのサイズとなる。図１４（ｂ）に示す“Ｃ”と“Ｄ”の部分はｘ方向のドット数が５であり、ＴＦＴアレイのドット数４よりも大きいため真の欠陥と判定する。一方、図１４（ｃ）に示す“Ｅ”の部分はｘ方向のドット数が２であり、ＴＦＴアレイのドット数４よりも小さいためノイズ欠陥と判定する(S31)。
　次に、欠陥候補の領域の平均欠陥度を算出し（S32）、算出した欠陥候補の領域の平均欠陥度と平均輝度閾値（第４閾値）とを比較し(S33)、欠陥候補の平均欠陥度が平均輝度閾値（第４閾値）よりも小さい場合には(S34)、真の欠陥ではなく、ノイズによる欠陥として判定し、その領域を欠陥候補から削除する。上記例では、最低周辺輝度、平均輝度閾値、最低含有輝度の間には、最低周辺輝度＜平均輝度閾値＜最低含有輝度の関係があるものとしている（S36)。
　図１４（ｂ）に示す“Ｃ”の部分は、欠陥候補の平均欠陥度は第４閾値よりも高くなるため真の欠陥と判定する。一方、図１４（ｂ）に示す“Ｄ”の部分は、欠陥候補の平均欠陥度は第４閾値よりも低くなるためノイズによる欠陥と判定する。
　欠陥候補の領域からノイズによる部分を除去した真の欠陥部分を欠陥領域として抽出する(S35)。
　次に、本発明のＴＦＴアレイ装置が備えるデータ処理部の構成例について図１５を用いて説明し、本発明のＴＦＴアレイ装置が備える欠陥判定部の構成例について図１６を用いて説明する。
　図１５において、データ処理部５は、二次電子検出器で検出したビームデータ（検出信号）を記憶するビームデータ記憶部５ａ、ビームデータ記憶部５ａに格納されたビームデータを読み出して信号強度を算出する信号強度算出部５ｂ、算出した信号強度を記憶する信号強度記憶部５ｃ、信号強度記憶部５ｃに記憶する信号強度をチャンネル毎に読み出すチャンネル分離部５ｄ、チャンネル分離部５ｄから読み出した各チャンネルの信号強度について移動平均値を算出する移動平均値算出部５ｅ、チャンネル分離部５ｄから読み出した各チャンネルの信号強度について移動標準偏差値を算出する移動標準偏差値算出部５ｆ、チャンネル分離部５ｄから読み出した各チャンネルの信号強度と移動平均値算出部５ｅで算出した移動平均値と移動標準偏差値算出部５ｆで算出した移動標準偏差値とを用いて欠陥度を算出する欠陥度算出部５ｇ、欠陥度算出部５ｇで算出した各チャンネルの欠陥度を結合するチャンネル結合部５ｈによって構成することができる。
　また、図１６において、欠陥判定部６は、最低含有輝度に基づいて定めた第１閾値6i1、最低周辺輝度に基づいて定めた第２閾値6i2、ＴＦＴアレイのサイズに基づいて定めた第３閾値6i3、平均輝度に基づいて定めた第４閾値6i4等の各種閾値を記憶する閾値記憶部６ｉ、欠陥度と第１閾値とを比較する第１比較部６ａ、欠陥度と第２閾値とを比較する第２比較部６ｂ、第１比較部６ａの比較結果および第２比較部６ｂの比較結果に基づいて定められる欠陥候補を記憶する欠陥候補記憶部６ｃ、欠陥候補のサイズを算出するサイズ算出部６ｄ、サイズ算出部６ｄで算出した欠陥候補のサイズと第３の閾値6i3とを比較する第３比較部６ｅ、欠陥候補の平均値を算出する平均値算出部６ｆ、平均値算出部６ｆで算出した欠陥候補の平均値と第４の閾値6i4とを比較する第４比較部６ｇ、第３比較部６ｅと第４比較部６ｇの比較結果に基づいて欠陥候補からの除去を行う除去部６ｈとを備える。
　なお、この構成は、各部をハードウエアで構成する他、演算および制御を行うＣＰＵ、および処理プログラムや演算結果等を記憶するメモリを備えたコンピュータ構成においてソフトウエアによって構成することができる。
　本発明において移動平均および移動標準偏差を、重み付き平均および重み付き標準偏差によって算出する場合には、各ドットを走査する順番が欠陥度に影響を与えることになる。例えば、単純なラスタスキャンの場合、同じｘ座標に長時間止まるため、そのｘ座標に線状欠陥がある場合には、その欠陥が正常な構成として認識される。そのため、局所的にはランダムとなるように、分散した順番で走査を行う必要がある。また、分散の範囲が広域過ぎると、定常な輝度分布と見なせる範囲を超えてしまうため、適切なサイズで局所分散させる必要がある。
　本発明では、広域のＴＦＴアレイをブロックに区切り、このブロックを分散して選択することによって、局所的な分散させたパターンで走査する。さらに、ブロック単位で折りたたみ走査を行う。
　図１７は、ＴＦＴアレイをブロックに区切り、このブロックを分散して選択する例を示している。図１７では、ＴＦＴアレイを２５のブロック区切り、このブロックを図中に番号に従って順に走査することによって、局所的に分散させたパターンの走査を行う。また、図１８は、ブロック単位で折りたたみ走査を行う例であり、ｘ方向（図中の横方向）に走査した後、端部で折り返してｙ方向（図中の縦方向）に１ブロック分ずらした後、ｘ方向に走査する例を示している。
　本発明の態様によれば、チャンネル分解によって、ゲートライン等のＴＦＴアレイの周期構造の影響を受けることなく欠陥を検出することができる。
　また、チャンネル分解によって取得した欠陥度を結合し、この結合した欠陥度について、ＴＦＴアレイのサイズや欠陥候補の平均欠陥度（平均輝度）を用いることによって、ノイズの基づく欠陥を除くことができる。
　移動平均や移動標準偏差の演算において、ＩＩＲフィルタを用いて近似処理を行うことによって、処理を行う連続したデータ数を任意に設定することができるため、移動平均の実質的な窓幅を自由に設定することができ、欠陥度の検出に最適な窓幅を設定することができる。
　本発明は、液晶基板に限らず半導体基板にも適用することができる。

Claims (13)

  1. 　ＴＦＴ基板に電子ビームを走査し、当該電子ビーム走査によりＴＦＴ基板のＴＦＴアレイから発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査において、
    　前記ＴＦＴアレイの一ＴＦＴアレイ内の複数のドットに電子ビームを照射して各ドットから二次電子を検出し、各ドットの信号強度値を取得する工程と、
    　前記取得したＴＦＴアレイの信号強度値のデータをＴＦＴアレイが備える周期構造に基づいて定めた複数のチャンネルに分解する工程と、
    　前記分離した各チャンネルにおいて、信号強度値の移動平均値および移動標準偏差を算出し、当該チャンネル内の各ドットの信号強度値について、前記移動平均値からのずれ量を前記移動標準偏差値で正規化することによってチャンネル毎に各ドットの欠陥度を算出する工程と、
    　前記各チャンネルで算出した欠陥度を統合してＴＦＴ基板についてドットを単位とする欠陥度の分布を取得する工程と、
    　前記欠陥度分布に基づいてＴＦＴアレイの欠陥を検出する工程とを備えることを特徴とする、ＴＦＴアレイ検査方法。
  2. 　ＴＦＴアレイはゲートラインの長さ方向と垂直な方向に周期構造を有し、当該周期構造に基づいてゲートラインと垂直な方向にチャンネルを分解することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴ基板検査方法。
  3. 　ＴＦＴアレイはゲートラインの長さ方向と平行な方向に周期構造を有し、当該周期構造に基づいてゲートラインと平行な方向にチャンネルを分解することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査方法。
  4. 　ＴＦＴアレイはゲートラインの長さ方向と垂直な方向および平行な方向に周期構造を有し、当該周期構造に基づいてゲートラインと垂直な方向および平行な方向に格子状にチャンネルを分解することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査方法。
  5. 　前記移動平均値および前記移動標準偏差値の少なくとも何れか一方は、入力信号に一次遅れさせた出力信号を帰還させて重み付けして加算するＩＩＲフィルタを用い、前記チャンネルに配列される信号強度値を前記ＩＩＲフィルタに順に入力して算出することを特徴とする、請求項１から４の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査方法。
  6. 　前記欠陥を検出する工程は、
    　欠陥度が最低含有輝度に基づいて定められる正常範囲の外側にあるドットを第１の欠陥候補として抽出する工程と、
    　前記第１の欠陥候補のドットと連接するドットにおいて、前記正常範囲の内側であって、欠陥度が最低周辺輝度に基づいて定められる周辺範囲内のドットを第２の欠陥候補として抽出する工程と、
    　前記抽出した第１の欠陥候補のドットと第２の欠陥候補のドットが形成する領域を欠陥候補領域として定める工程と、
    　前記欠陥候補領域からノイズによる欠陥候補領域を除去する選別工程とを備え、
    　前記選別工程は、
    　前記欠陥候補領域のサイズとＴＦＴアレイのサイズとを比較し、ＴＦＴアレイのサイズよりも小さい欠陥候補領域を除去する第１の除去工程と、
    　前記欠陥候補領域にある欠陥度の平均欠陥度と、最低含有輝度と最低周辺輝度との間で定められる輝度に基づいて定められる閾値とを比較し、前記平均欠陥度が前記閾値よりも内側にある欠陥候補領域を除去する工程とを備えることを特徴とする、請求項１から５の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査方法。
  7. 　ＴＦＴ基板に電子ビームを走査し、当該電子ビーム走査によりＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに電子ビームを照射し、当該電子ビーム走査によりＴＦＴ基板のＴＦＴアレイから発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
    　欠陥度を算出するデータ処理部と、
    　前記データ処理部で算出した欠陥度に基づいて欠陥を検出する欠陥検出部とを備え、
    　前記データ処理部は、
    　前記ＴＦＴアレイの一ＴＦＴアレイ内の複数のドットに電子ビームを照射して検出される二次電子に基づいて各ドットの信号強度値を算出する信号強度値算出部と、
    　前記ＴＦＴアレイの信号強度値のデータをＴＦＴアレイが備える周期構造に基づいて定めた複数のチャンネルに分解するチャンネル分解部と、
    　前記分離した各チャンネルにおいて信号強度値の移動平均値を算出する移動平均値算出部と、
    　前記分離した各チャンネルにおいて信号強度値の移動標準偏差値を算出する移動標準偏差値算出部と、
    　前記チャンネル内の各ドットの信号強度値について、前記移動平均値からのずれ量を前記移動標準偏差値で正規化してチャンネル毎に各ドットの欠陥度を算出する欠陥度算出部と、
    　前記各チャンネルで算出した欠陥度を統合する欠陥度統合部とを備えることを特徴とする、ＴＦＴアレイ検査装置。
  8. 　前記チャンネル分解部は、ゲートラインと垂直な方向にチャンネルを分解することを特徴とする、請求項７に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
  9. 　前記チャンネル分解部は、ゲートラインと平行な方向にチャンネルを分解することを特徴とする、請求項７に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
  10. 　前記チャンネル分解部は、ゲートラインと垂直な方向および平行な方向に格子状にチャンネルを分解することを特徴とする、請求項７に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
  11. 　前記移動平均値算出部は、入力信号に一次遅れさせた出力信号を帰還させて重み付けして加算するＩＩＲフィルタを備え、前記チャンネルに配列される信号強度値を前記ＩＩＲフィルタに順に入力して算出することを特徴とする、請求項７から１０の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
  12. 　前記移動標準偏差値算出部は、入力信号に一次遅れさせた出力信号を帰還させて重み付けして加算するＩＩＲフィルタを備え、前記チャンネルに配列される信号強度値と移動平均値との差分を二乗した値を前記ＩＩＲフィルタに順に入力して算出することを特徴とする、請求項７から１０の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
  13. 　前記欠陥度算出部は、
    　欠陥度と、最低含有輝度に基づいて定められる正常範囲に定められる第１の閾値とを比較して第１の欠陥候補として抽出する第１の比較手段と、
    　欠陥度と、最低周辺輝度に基づいて定められる周辺範囲に定められる第２の閾値とを比較して第２の欠陥候補として抽出する第２の比較手段と、
    　前記抽出した第１の欠陥候補のドットと第２の欠陥候補のドットが形成する欠陥候補領域について、当該欠陥候補領域のサイズを算出するサイズ算出手段と、
    　前記欠陥候補領域のサイズとＴＦＴアレイのサイズとを比較する第３の比較手段と、
    　前記抽出した第１の欠陥候補のドットと第２の欠陥候補のドットが形成する欠陥候補領域について、
    　当該欠陥候補領域の平均欠陥度を算出する平均欠陥度算出手段と、
    　前記欠陥候補領域の平均欠陥度と、最低含有輝度と最低周辺輝度との間で定められる輝度に基づいて定められる平均輝度閾値とを比較する第４の比較手段とを備えることを特徴とする、請求項７から１２の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109243344A (zh) * 2018-09-14 2019-01-18 惠科股份有限公司 工艺波动测试方法及装置
CN114096863A (zh) * 2019-07-10 2022-02-25 浜松光子学株式会社 半导体器件检查方法及半导体器件检查装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05252000A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Hitachi Ltd 信号処理装置
JP2002533844A (ja) * 1998-12-28 2002-10-08 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 高度な処理能力をもつ電子装置での統計的分析方法
JP2005326163A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Shimadzu Corp Ｔｆｔアレイ検査装置及びｔｆｔアレイ検査方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05252000A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Hitachi Ltd 信号処理装置
JP2002533844A (ja) * 1998-12-28 2002-10-08 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 高度な処理能力をもつ電子装置での統計的分析方法
JP2005326163A (ja) * 2004-05-12 2005-11-24 Shimadzu Corp Ｔｆｔアレイ検査装置及びｔｆｔアレイ検査方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109243344A (zh) * 2018-09-14 2019-01-18 惠科股份有限公司 工艺波动测试方法及装置
CN114096863A (zh) * 2019-07-10 2022-02-25 浜松光子学株式会社 半导体器件检查方法及半导体器件检查装置
EP3998476A4 (en) * 2019-07-10 2023-08-09 Hamamatsu Photonics K.K. SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION DEVICE
US11967061B2 (en) 2019-07-10 2024-04-23 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor apparatus examination method and semiconductor apparatus examination apparatus

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