WO2010067656A1 - 常温接合装置 - Google Patents

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WO2010067656A1
WO2010067656A1 PCT/JP2009/066990 JP2009066990W WO2010067656A1 WO 2010067656 A1 WO2010067656 A1 WO 2010067656A1 JP 2009066990 W JP2009066990 W JP 2009066990W WO 2010067656 A1 WO2010067656 A1 WO 2010067656A1
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cartridge
substrate
stage
wafer
room temperature
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PCT/JP2009/066990
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雅人 木ノ内
後藤 崇之
田原 諭
武志 津野
淳 内海
健介 井手
毅典 鈴木
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • HELECTRICITY
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    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0451Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H10P72/0466Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the construction of the load-lock chamber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K2101/36Electric or electronic devices
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    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means

Definitions

  • the present invention relates to a room temperature bonding apparatus, and more particularly to a room temperature bonding apparatus that produces a large amount of products using room temperature bonding.
  • MEMS that integrates fine electrical parts and mechanical parts
  • the MEMS include a micro relay, a pressure sensor, and an acceleration sensor.
  • Room temperature bonding is known in which wafer surfaces activated in a vacuum atmosphere are brought into contact with each other to bond two wafers. Such room temperature bonding is suitable for manufacturing the MEMS. In such room temperature bonding, it is important to prevent contamination of the bonding surface of the wafer. Furthermore, such a room-temperature bonding apparatus that performs room-temperature bonding needs to be aimed at improving mass productivity, and improvement in reliability, cost reduction, downsizing, and reduction in maintenance are desired.
  • Japanese Patent No. 3970304 discloses a room temperature bonding apparatus having a long life.
  • the room temperature bonding apparatus includes a bonding chamber, an upper stage, a carriage, an elastic guide, a positioning stage, a first mechanism, a second mechanism, and a carriage support.
  • the bonding chamber generates a vacuum atmosphere for room-temperature bonding of the upper substrate and the lower substrate.
  • the upper stage is installed inside the bonding chamber and supports the upper substrate in the vacuum atmosphere.
  • the carriage is installed inside the bonding chamber and supports the lower substrate in the vacuum atmosphere.
  • the elastic guide is joined to the carriage in the same body.
  • the positioning stage is installed inside the bonding chamber and supports the elastic guide so as to be movable in the horizontal direction.
  • the first mechanism drives the elastic guide to move the carriage in the horizontal direction.
  • the second mechanism moves the upper stage in a vertical direction that is perpendicular to the horizontal direction.
  • the carriage support is installed inside the bonding chamber, and supports the carriage in a direction in which the upper stage moves when the lower substrate and the upper substrate are pressed against each other.
  • the elastic guide supports the carriage so that the carriage does not contact the carriage support when the lower substrate does not contact the upper substrate, and the lower substrate and the upper substrate are pressed against each other. Sometimes the carriage is elastically deformed so as to contact the carriage support.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-207606 discloses a wafer support plate that facilitates the handling of a thinned semiconductor wafer and always recognizes the crystal orientation.
  • the wafer support plate is a wafer support plate having a support surface for supporting a semiconductor wafer, and is characterized in that a crystal orientation mark indicating the crystal orientation of the supported semiconductor wafer is formed.
  • the room temperature bonding apparatus includes a load lock chamber in which the internal atmosphere is depressurized, and a cartridge disposed inside the load lock chamber.
  • the cartridge is formed with an island portion that contacts the substrate when the substrate is placed on the cartridge.
  • the island portion is formed with a flow path that connects a space sandwiched between the cartridge and the substrate when the substrate is placed.
  • the gas filled in the space between the cartridge and the substrate is exhausted to the outside through the flow path when the atmosphere inside the load lock chamber is depressurized. For this reason, such a room-temperature bonding apparatus can prevent the gas from moving the substrate relative to the cartridge when the atmosphere is depressurized.
  • the room temperature bonding apparatus includes a bonding chamber, a gate valve for opening and closing the gate of the load lock chamber and the bonding chamber, and the cartridge from the load lock chamber to the bonding chamber when the gate is opened. And a transport device for transporting. At this time, the bonding chamber bonds the substrate to another substrate when the substrate is disposed inside the bonding chamber.
  • the cartridge is preferably applied to such a room temperature bonding apparatus.
  • the cartridge has a flange.
  • the conveying device holds the cartridge by contacting the downwardly supporting surface of the flange.
  • Such a room temperature bonding apparatus can hold the substrate more reliably without the conveyance device coming into direct contact with the substrate. For this reason, such a room temperature bonding apparatus can prevent contamination of the substrate.
  • the cartridge has hand positioning means on its flange.
  • the transport device is formed with other hand positioning means that fits into the hand positioning means when transporting the cartridge.
  • Such a room temperature bonding apparatus can hold the cartridge so that the position of the cartridge with respect to the transfer apparatus is always equal. For this reason, such a room temperature bonding apparatus can convey the substrate with higher accuracy.
  • the hand positioning means is a pin.
  • the other hand positioning means is preferably a notch.
  • the bonding chamber has a lower stage that holds the cartridge.
  • the cartridge is provided with stage positioning means.
  • the lower stage is formed with other stage positioning means that fits into the stage positioning means when the lower stage holds the cartridge.
  • the lower stage can hold the cartridge so that the position of the cartridge with respect to the lower stage is always equal. For this reason, such a room-temperature bonding apparatus can bond the substrates with higher accuracy.
  • the stage positioning means is a hole.
  • the other stage positioning means is preferably a protrusion that fits into the hole.
  • the room temperature bonding apparatus further includes a photographing apparatus and an alignment apparatus.
  • the cartridge has an alignment hole.
  • the imaging device captures an image of the substrate through the alignment hole when the substrate is placed on the cartridge and the lower stage holds the cartridge.
  • the alignment apparatus drives the lower stage based on the image.
  • Such a room temperature bonding apparatus can position the substrate with high accuracy while the substrate is placed on the cartridge. For this reason, such a room temperature bonding apparatus can bond the substrate with higher accuracy in a state where the substrate is placed on the cartridge.
  • a contact surface that is in contact with almost all of one surface of the substrate is formed.
  • a groove which is the flow path is formed on the contact surface.
  • the cartridge has a plurality of substrate positioning pins.
  • the plurality of substrate positioning pins are arranged so that the edge of the substrate contacts all of the plurality of substrate positioning pins when the substrate is placed on the cartridge.
  • the substrate can be placed on the cartridge so that the position of the substrate with respect to the cartridge is always equal. For this reason, such a room temperature bonding apparatus can convey the substrate with higher accuracy.
  • the plurality of substrate positioning pins are arranged so that the tips of the plurality of substrate positioning pins do not protrude from the back surface of the surface of the substrate that contacts the cartridge when the substrate is placed on the cartridge.
  • the front ends of the plurality of substrate positioning pins are arranged between the surface of the substrate that contacts the cartridge and the back surface of the surface.
  • Such a room temperature bonding apparatus can prevent the upper stage from coming into contact with the plurality of substrate positioning pins when the upper stage facing the lower stage approaches the substrate. The substrate can be contacted more reliably.
  • Such a room temperature bonding apparatus can prevent the plurality of substrate positioning pins from interfering with the bonding when the substrate is bonded to another substrate, and more reliably bond the substrate. Can do.
  • the island part does not contact the central part of one side of the substrate but contacts the outer peripheral part of one side of the substrate.
  • Such a cartridge is used for placing one upper substrate held by the upper stage of the two substrates when the two substrates are bonded. At this time, such a room temperature bonding apparatus can prevent contamination of the bonding surface of the upper substrate.
  • the room temperature bonding method includes a step of depressurizing the interior of the load lock chamber in which the cartridge on which the substrate is placed is disposed, and after depressurizing the interior of the load lock chamber, from inside the load lock chamber Conveying the cartridge to the bonding chamber.
  • the cartridge has an island portion that contacts the substrate when the substrate is placed on the cartridge.
  • the island portion is formed with a flow path that connects a space sandwiched between the cartridge and the substrate when the substrate is placed.
  • the gas filled in the space between the cartridge and the substrate is exhausted to the outside through the flow path when the atmosphere inside the load lock chamber is depressurized. For this reason, according to such a room temperature bonding method, when the atmosphere is decompressed, it is possible to prevent the gas from moving the substrate relative to the cartridge.
  • the bonding chamber includes an upper stage and a lower stage.
  • the substrate includes an upper substrate and a lower substrate.
  • the cartridge includes an upper cartridge and a lower cartridge.
  • the room temperature bonding method according to the present invention further includes the upper stage when the upper substrate is placed on the upper cartridge and when the lower stage holds the upper cartridge.
  • the room-temperature bonding apparatus according to the present invention can prevent the displacement of the substrates to be bonded. Furthermore, the room temperature bonding apparatus according to the present invention can transfer the substrate without the transfer device coming into direct contact with the substrate, and can prevent contamination of the bonded substrates. The room temperature bonding apparatus according to the present invention can further prevent contamination of the atmosphere in which the substrates are bonded. The room temperature bonding apparatus according to the present invention can further reduce the manufacturing cost. The room temperature bonding apparatus according to the present invention can further reduce maintenance. The room temperature bonding apparatus according to the present invention can further prevent the substrates to be bonded from being damaged. The room temperature bonding apparatus according to the present invention is further suitable for transporting and bonding thinner substrates. The room temperature bonding apparatus according to the present invention is further suitable for transporting and bonding substrates having various shapes.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a room temperature bonding apparatus.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a room temperature bonding apparatus.
  • FIG. 3 is a perspective view showing the stage carriage.
  • FIG. 4 is a plan view showing the hand of the transport apparatus.
  • FIG. 5 is a plan view showing the upper cartridge.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing the upper cartridge.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the wafer positioning pins.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a positioning pin.
  • FIG. 9 is a plan view showing the lower cartridge.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the lower cartridge.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state where the wafer is placed on the cartridge.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating an operation of transporting the upper wafer.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating an operation of transporting the lower wafer.
  • the room-temperature bonding apparatus 1 includes a bonding chamber 2 and a load lock chamber 3 as shown in FIG.
  • the joining chamber 2 and the load lock chamber 3 are containers that seal the inside from the environment, and are generally formed of stainless steel, aluminum alloy, or the like.
  • the room temperature bonding apparatus 1 further includes a gate valve 5.
  • the gate valve 5 is interposed between the bonding chamber 2 and the load lock chamber 3, and closes or opens a gate connecting the inside of the bonding chamber 2 and the load lock chamber 3.
  • the load lock chamber 3 includes an upper cartridge base 6, a lower cartridge base 7, and a transfer device 8.
  • the upper cartridge 11 is arranged on the upper cartridge base 6.
  • the lower cartridge base 7 is provided with the lower cartridge 12.
  • the load lock chamber 3 further includes a vacuum pump and a lid (not shown).
  • the vacuum pump exhausts gas from the inside of the load lock chamber 3.
  • An example of the vacuum pump is a turbo molecular pump that exhausts gas blades by blowing a plurality of metal blades inside.
  • the lid can be opened by closing the gate that connects the outside and the inside of the load lock chamber 3 to create an atmospheric atmosphere.
  • the size of the gate is larger than that of the upper cartridge 11 and the lower cartridge 12.
  • the transfer device 8 includes a first arm 15, a second arm 16, a hand 17, a first node 18, a second node 19, and a third node 20.
  • the first arm 15, the second arm 16, and the hand 17 are each formed in a bar shape.
  • the first section 18 is supported by the floor plate of the load lock chamber 3 and supports the first arm 15 so as to be rotatable about the rotation shaft 22.
  • the rotating shaft 23 is parallel to the vertical direction.
  • the second joint 19 is supported by the first joint 18 and supports the second arm 16 so as to be rotatable about the rotation shaft 23.
  • the rotating shaft 23 is parallel to the vertical direction, that is, parallel to the rotating shaft 22.
  • the third section 20 is supported by the second section 19 and supports the hand 17 so as to be rotatable about the rotation shaft 24.
  • the rotating shaft 24 is parallel to the vertical direction, that is, parallel to the rotating shaft 23.
  • the transport device 8 further includes an elevating mechanism and a telescopic mechanism that are not shown.
  • the raising / lowering mechanism raises / lowers the first arm 15 and raises / lowers the hand 17 by a user operation.
  • the telescopic mechanism controls the first joint 18 to rotate the hand 17 and controls the first joint 18, the second joint 19, and the third joint 20 to be parallel to the longitudinal direction of the hand 17 by a user operation. The hand 17 is moved in parallel.
  • the transfer device 8 transfers the upper cartridge 11 or the lower cartridge 12 from the load lock chamber 3 to the bonding chamber 2 via the gate valve 5 or from the bonding chamber 2 to the load lock chamber 3 via the gate valve 5. It is used for transporting the upper cartridge 11 or the lower cartridge 12.
  • the bonding chamber 2 includes a vacuum pump 31, an ion gun 32, and an electron gun 33.
  • the joining chamber 2 has an exhaust port 35 formed in a part of a wall 34 forming a container.
  • the vacuum pump 31 is disposed outside the bonding chamber 2 and exhausts gas from the inside of the bonding chamber 2 through the exhaust port 35. Examples of the vacuum pump 31 include a turbo molecular pump that exhausts gas blades by blowing a plurality of metal blades inside.
  • the ion gun 32 is arranged facing one irradiation direction 36 and emits charged particles accelerated toward the irradiation direction 36. Argon ions are exemplified as the charged particles.
  • the ion gun 32 can be replaced with another surface activation device that activates the surface of the wafer to be bonded.
  • the surface activation device include a plasma gun and a fast atom beam source.
  • the electron gun 33 is arranged so as to be directed to a target irradiated with charged particles by the ion gun 32, and emits electrons accelerated toward the target.
  • the wall 34 is partially formed with a door 37.
  • the door 37 includes a hinge 38.
  • the hinge 38 supports the door 37 so as to be rotatable with respect to the wall 34.
  • the wall 34 further has a window 39 formed in a part thereof.
  • the window 39 is formed of a material that transmits visible light without transmitting gas.
  • the window 39 may be anywhere on the wall 34 as long as the user can be irradiated with the charged particles by the ion gun 32 or the bonding state can be seen from the outside of the bonding chamber 2.
  • the bonding chamber 2 further includes an upper stage 41 and a lower stage 42 therein.
  • the lower stage 42 is disposed below the bonding chamber 2.
  • the upper stage 41 is disposed above the bonding chamber 2 and includes a sample stage 43-1 and a pressure contact mechanism 43-2.
  • the sample stage 43-1 is supported so as to be movable in the vertical direction with respect to the bonding chamber 2.
  • the sample stage 43-1 includes a dielectric layer at the lower end, applies a voltage between the dielectric layer and the wafer, and adsorbs the wafer to the dielectric layer by electrostatic force.
  • the pressure contact mechanism 43-2 moves the sample stage 43-1 in the vertical direction with respect to the bonding chamber 2 by a user operation.
  • the ion gun 32 When the substrate supported by the upper stage 41 and the substrate supported by the lower stage 42 are separated from each other, the ion gun 32 includes a substrate supported by the upper stage 41 and a substrate supported by the lower stage 42. It is directed to the space between. That is, the irradiation direction 36 of the ion gun 32 passes between the substrate supported by the upper stage 41 and the substrate supported by the lower stage 42 and intersects the inner surface of the bonding chamber 2.
  • the lower stage 42 includes a stage carriage 45 as shown in FIG.
  • the stage carriage 45 is generally formed in a disc shape.
  • the stage carriage 45 is arranged so that the axis of the disk is parallel to the vertical direction, and a flat support surface 46 is formed on the upper surface of the disk.
  • the stage carriage 45 has a plurality of alignment holes 47 formed in the support surface 46.
  • the stage carriage 45 further includes a plurality of positioning pins 48-1 to 48-2 formed on the outer peripheral portion of the support surface 46.
  • the plurality of positioning pins 48-1 to 48-2 are each formed in a circular and tapered protrusion.
  • the lower stage 42 further includes two imaging devices and a positioning mechanism not shown.
  • the imaging device is disposed immediately below the stage carriage 45.
  • the imaging device captures an image of a substrate supported by the lower stage 42 through a plurality of alignment holes 47 of the stage carriage 45 by a user operation.
  • the positioning mechanism translates the stage carriage 45 in a direction parallel to the horizontal direction and rotates the stage carriage 45 about a rotation axis parallel to the vertical direction by a user operation.
  • FIG. 4 shows the hand 17 of the transport device 8.
  • the hand 17 has claws 21-1 and 21-2 at the end opposite to the end joined to the third joint 20.
  • the claws 21-1 and 21-2 are each formed in a plate shape.
  • the claws 21-1 and 21-2 are arranged along one horizontal plane.
  • the claw 21-1 has a straight edge 25-1.
  • the claw 21-2 has a straight edge 25-2.
  • the claws 21-1 and 21-2 are arranged so that the edge 25-1 faces the edge 25-2 and the edges 25-1 and 25-2 are parallel to each other. Yes.
  • the claw 21-1 has a notch 49-1 formed in a part of the edge 25-1.
  • the claw 21-2 has a notch 49-2 formed in a part of the edge 25-2.
  • the notch 49-2 is formed so as to face the notch 49-1.
  • FIG. 5 shows the upper cartridge 11.
  • the upper cartridge 11 is made of aluminum or stainless steel, is formed in a generally disc shape, and is used for mounting the upper wafer.
  • the upper cartridge 11 has a plurality of positioning holes 53-1 to 53-2 and a plurality of alignment holes 54 formed therein.
  • the plurality of positioning holes 53-1 to 53-2 are formed in a circular shape and are formed in the vicinity of the outer periphery of the disk.
  • the diameters of the plurality of positioning holes 53-1 to 53-2 are approximately equal to the diameters of the positioning pins 48-1 to 48-2 of the stage carriage 45, respectively.
  • the plurality of positioning holes 53-1 to 53-2 are further arranged so that the distance between the positioning hole 53-1 and the positioning hole 53-2 matches the distance between the positioning pin 48-1 and the positioning pin 48-2.
  • the plurality of positioning holes 53-1 to 53-2 are arranged so as to be fitted to the plurality of positioning pins 48-1 to 48-2 when the upper cartridge 11 is placed on the stage carriage 45. . That is, when the upper cartridge 11 is placed on the stage carriage 45 so that the plurality of positioning pins 48-1 to 48-2 fit into the plurality of positioning holes 53-1 to 53-2, the stage carriage 45 is fixed. Placed in position.
  • the plurality of alignment holes 54 are formed so as to penetrate therethrough.
  • the plurality of alignment holes 54 are formed so as to be respectively connected to the plurality of alignment holes 47 of the stage carriage 45 when the upper cartridge 11 is placed on the stage carriage 45.
  • the plurality of alignment holes 54 are further formed so as to coincide with alignment marks formed on the upper wafer when the upper wafer is placed on the upper cartridge 11.
  • the two imaging devices of the lower stage 42 are arranged so that the alignment mark can be photographed through the plurality of alignment holes 54 when the upper cartridge 11 is placed on the stage carriage 45. .
  • the upper cartridge 11 further includes a plurality of island portions 51-1 to 51-4 and a plurality of wafer positioning pins 52-1 to 52-3 formed on the upper surface of the disk.
  • the plurality of island portions 51-1 to 51-4 are formed on a protrusion protruding from the upper surface of the disk, are formed along the outer periphery of the upper wafer placed on the upper cartridge 11, and the upper end is on one plane. It is formed along.
  • the plurality of wafer positioning pins 52-1 to 52-3 are formed on the protrusions protruding from the upper surface of the disk, and are formed along the outer periphery of the upper wafer placed on the upper cartridge 11.
  • Wafer positioning pins 52-2 to 52-3 are formed along the oriental flat of the upper wafer mounted on upper cartridge 11 in particular.
  • the cartridge 11 is placed at a fixed position.
  • the upper cartridge 11 further includes a plurality of islands so that a space between the upper cartridge 11 and the upper wafer 50-1 is communicated to the outside when the upper wafer is placed in its fixed position. Portions 51-1 to 51-4 are formed. That is, the plurality of island portions 51-1 to 51-4 are formed so as not to be connected to each other.
  • the plurality of wafer positioning pins 52-1 to 52-3 are formed higher than the plurality of island portions 51-1 to 51-4, and the heights of the plurality of island portions 51-1 to 51-4 and the upper wafers are increased. It is formed lower than the sum of the thickness. That is, as shown in FIG. 6, when the upper wafer 50-1 is placed on the upper cartridge 11, the plurality of island portions 51-1 to 51-4 are arranged on the upper cartridge 11 of the upper wafer 50-1. Is formed so as to be in contact with the outer periphery of the surface facing the.
  • the plurality of wafer positioning pins 52-1 to 52-3 are formed so as to contact the side surface of the upper wafer 50-1 when the upper wafer 50-1 is placed on the upper cartridge 11. When the upper wafer 50-1 is placed on the upper cartridge 11, the plurality of wafer positioning pins 52-1 to 52-3 do not protrude from the back surface of the surface facing the upper cartridge 11 of the upper wafer 50-1. Is formed.
  • the upper cartridge 11 is formed of a flange portion 56 and a main body portion 57 as shown in FIG.
  • the main body portion 57 is formed in a columnar shape.
  • the diameter of the cylinder is smaller than the distance between the side edge 25-1 and the side edge 25-2 of the hand 17.
  • the flange portion 56 is formed so as to protrude from the side surface of the cylinder of the main body portion 57 and is formed in a disk shape.
  • the diameter of the disk is larger than the distance between the hand 17 edge 25-1 and edge 25-2. That is, the upper cartridge 11 is gripped by the transport device 8 when the flange portion 56 is placed on the claws 21-1 to 21-2.
  • the upper cartridge 11 is further formed with positioning pins 59 as shown in FIG.
  • the positioning pin 59 is formed as a protrusion protruding from the surface facing the lower side of the flange portion 56.
  • the diameter of the positioning pin 59 is substantially equal to the diameter of the notches 49-1 to 49-2.
  • Two positioning pins 59 are formed in two portions that are symmetrical with respect to the center of the disk of the flange portion 56. That is, the positioning pins 59 are formed so as to be fitted into the notches 49-1 to 49-2 of the claws 21-1 to 21-2 when the upper cartridge 11 is gripped by the transport device 8, respectively. Yes.
  • the upper cartridge 11 is gripped at a fixed position of the hand 17 when being gripped by the transport device 8 so as to be fitted into the notches 49-1 to 49-2 of the claws 21-1 to 21-2, respectively.
  • the positioning pin 59 is formed as a protrusion protruding from the surface facing the lower side of the flange portion 56.
  • FIG. 9 shows the lower cartridge 12.
  • the lower cartridge 12 is formed of aluminum, is formed in a generally disc shape, and is used for mounting the lower wafer.
  • the lower cartridge 12 has a plurality of positioning holes 63-1 and 63-2 and a plurality of alignment holes 64 formed therein.
  • the plurality of positioning holes 63-1 to 63-2 are formed in a circular shape and are formed in the vicinity of the outer periphery of the disk.
  • the diameters of the plurality of positioning holes 63-1 to 63-2 are approximately equal to the diameters of the positioning pins 48-1 to 48-2 of the stage carriage 45, respectively.
  • the plurality of positioning holes 63-1 to 63-2 are further arranged so that the distance between the positioning hole 63-1 and the positioning hole 63-2 matches the distance between the positioning pin 48-1 and the positioning pin 48-2. Is formed. That is, the plurality of positioning holes 63-1 to 63-2 are arranged so as to be fitted to the plurality of positioning pins 48-1 to 48-2 when the lower cartridge 12 is placed on the stage carriage 45. Yes. That is, when the lower cartridge 12 is placed on the stage carriage 45 so that the plurality of positioning pins 48-1 to 48-2 fit into the plurality of positioning holes 63-1 to 63-2, Can be placed in place.
  • the plurality of alignment holes 64 are formed so as to penetrate therethrough.
  • the plurality of alignment holes 64 are formed so as to be respectively connected to the plurality of alignment holes 47 of the stage carriage 45 when the lower cartridge 12 is placed on the stage carriage 45. Further, the plurality of alignment holes 64 are formed so as to coincide with the alignment mark formed on the lower wafer when the lower wafer is placed on the lower cartridge 12.
  • the two imaging devices of the lower stage 42 are arranged so that the alignment mark can be photographed through the plurality of alignment holes 64 when the lower cartridge 12 is placed on the stage carriage 45. Yes.
  • the lower cartridge 12 further has an island portion 61 and a plurality of wafer positioning pins 62-1 to 62-3 formed on the upper surface of the disk.
  • the island portion 61 is formed in a protrusion protruding from the upper surface of the disk, is formed in a shape substantially equal to the shape of the lower wafer placed on the lower cartridge 12, and is formed so that the upper end is along one plane. ing.
  • the island portion 61 has a groove 65 formed at the upper end.
  • the grooves 65 are formed in a lattice shape at the upper end.
  • the groove 65 is further formed so as to be connected to the side surface of the island portion 61.
  • the plurality of wafer positioning pins 62-1 to 62-3 are formed on the protrusions protruding from the upper surface of the disk, and are formed along the outer periphery of the lower wafer placed on the lower cartridge 12.
  • Wafer positioning pins 62-2 to 62-3 are particularly formed along the oriental flat of the lower wafer placed on lower cartridge 12. At this time, when the lower wafer is placed on the lower cartridge 12 such that the oriental flat is in contact with the wafer positioning pins 62-2 to 62-3 and the outer periphery thereof is in contact with the wafer positioning pins 62-1.
  • the lower cartridge 12 is placed at a fixed position.
  • the plurality of wafer positioning pins 62-1 to 62-3 are formed higher than the island portion 61, and are formed lower than the sum of the height of the island portion 61 and the thickness of the lower wafer. That is, the island portion 61 is formed so as to contact most of the surface facing the lower cartridge 12 of the lower wafer when the lower wafer is placed on the lower cartridge 12.
  • the plurality of wafer positioning pins 62-1 to 62-3 are formed so as to come into contact with the side surface of the lower wafer when the lower wafer is placed on the lower cartridge 12.
  • the plurality of wafer positioning pins 62-1 to 62-3 do not protrude from the back surface of the surface facing the lower cartridge 12 of the lower wafer when the lower wafer is placed on the lower cartridge 12. Is formed.
  • the lower cartridge 12 is formed of a flange portion 66 and a main body portion 67 as shown in FIG.
  • the main body portion 67 is formed in a cylindrical shape.
  • the diameter of the cylinder is smaller than the distance between the edge 25-1 and the edge 25-2.
  • the flange portion 66 is formed so as to protrude from the cylindrical side surface of the main body portion 67 and is formed in a disc shape.
  • the diameter of the disk is larger than the distance between the edge 25-1 and the edge 25-2. That is, the lower cartridge 12 is gripped by the transport device 8 when the flange portion 66 is placed on the claws 21-1 to 21-2.
  • the lower cartridge 12 is further provided with positioning pins in the same manner as the upper cartridge 11.
  • the positioning pin is formed as a protrusion protruding from the surface facing the lower side of the flange portion 66.
  • the diameter of the positioning pin is substantially equal to the diameter of the notches 49-1 to 49-2.
  • Two of the positioning pins are formed in two portions which are symmetrical with respect to the center of the disk of the flange portion 66. That is, the positioning pins are formed so as to fit into the notches 49-1 to 49-2 of the claws 21-1 to 21-2 when the lower cartridge 12 is gripped by the transport device 8, respectively. ing.
  • the lower cartridge 12 is held at a fixed position of the hand 17 when being held by the transport device 8 so as to be fitted into the notches 49-1 to 49-2 of the claws 21-1 to 21-2, respectively. Is done.
  • the upper cartridge base 6 and the lower cartridge base 7 are formed with a plurality of positioning pins similar to the plurality of positioning pins 48-1 to 48-2 in the same manner as the stage carriage 45. That is, when the upper cartridge 11 is placed on the upper cartridge base 6 so that the plurality of positioning pins of the upper cartridge base 6 are fitted in the plurality of positioning holes 53-1 to 53-2, the upper cartridge base 6 is fixed. Placed in position. When the lower cartridge 12 is placed on the lower cartridge base 7 so that the plurality of positioning pins of the lower cartridge base 7 fit into the plurality of positioning holes 63-1 to 63-2, the lower cartridge base 7 It is placed in the fixed position.
  • the embodiment of the room temperature bonding method according to the present invention is executed using the room temperature bonding apparatus 1.
  • the operator first closes the gate valve 5, generates a vacuum atmosphere inside the bonding chamber 2 using the vacuum pump 31, and generates an atmospheric pressure atmosphere inside the load lock chamber 3.
  • the operator opens the lid of the load lock chamber 3, places the upper cartridge 11 on the upper cartridge base 6, and places the lower cartridge 12 on the lower cartridge base 7.
  • the operator places the upper wafer on the upper cartridge 11 so that the oriental flat is in contact with the wafer positioning pins 52-2 to 52-3 and the outer periphery is in contact with the wafer positioning pins 52-1.
  • the operator places the lower wafer 50-2 on the lower cartridge 12 so that the oriental flat contacts the wafer positioning pins 62-2 to 62-3 and the outer periphery contacts the wafer positioning pins 62-1. .
  • the operator closes the lid of the load lock chamber 3 to generate a vacuum atmosphere inside the load lock chamber 3.
  • the wafer 70 exemplified by the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2 may be deformed as shown in FIG.
  • a space 72 is formed between the wafer 70 and the cartridge 71.
  • the air filled in the space 72 may lift the wafer 70 and move the wafer 70 over the cartridge 71.
  • the gas filled in the space between the upper cartridge 11 and the upper wafer 50-1 is exhausted to the outside through the gaps between the plurality of island portions 51-1 to 51-4.
  • Such exhaust prevents the gas sandwiched between the upper cartridge 11 and the upper wafer 50-1 from lifting the upper wafer 50-1, and prevents the upper wafer 50-1 from moving on the upper cartridge 11.
  • the gas filled in the space sandwiched between the lower cartridge 12 and the lower wafer 50-2 is exhausted to the outside through the groove 65.
  • Such exhaust prevents the gas sandwiched between the lower cartridge 12 and the lower wafer 50-2 from lifting the lower wafer 50-2, and the lower wafer 50-2 is located above the lower cartridge 12. Prevent moving.
  • FIG. 12 shows an operation of holding the upper wafer 50-1 on the sample stage 43-1.
  • the operator uses the transfer device 8 to move the upper cartridge 11 on which the upper wafer 50-1 is placed from the upper cartridge base 6 to the stage carriage 45. Transport. The worker lowers the hand 17 of the transport device 8 as shown in FIG. At this time, in the upper cartridge 11, the plurality of positioning holes 53-1 to 53-2 are fitted into the plurality of positioning pins 48-1 to 48-2 of the stage carriage 45, respectively, and are held by the stage carriage 45.
  • the operator lowers the sample stage 43-1 vertically downward to bring the dielectric layer of the sample stage 43-1 into contact with the upper wafer 50-1, and the upper wafer 50-1 is placed on the sample stage 43-1. Hold.
  • the plurality of wafer positioning pins 52-1 to 52-3 of the upper cartridge 11 are formed so as not to protrude from the upper wafer 50-1, they do not contact the sample stage 43-1.
  • the room temperature bonding apparatus 1 can more reliably bring the upper wafer 50-1 into contact with the sample stage 43-1 and can more reliably hold the upper wafer 50-1 on the sample stage 43-1. .
  • the operator raises the sample stage 43-1 vertically upward to separate the upper wafer 50-1 from the upper cartridge 11.
  • the operator uses the transfer device 8 to transfer the upper cartridge 11 on which the upper wafer 50-1 is not placed from the stage carriage 45 to the upper cartridge base 6. To do.
  • FIG. 13 shows an operation for holding the lower wafer 50-2 on the stage carriage 45.
  • the operator uses the transfer device 8 to move the lower cartridge 12 on which the lower wafer 50-2 is placed from the lower cartridge base 7 to the stage carriage 45. To the top.
  • the worker lowers the hand 17 of the transport device 8 as shown in FIG.
  • the plurality of positioning holes 63-1 to 63-2 are fitted into the plurality of positioning pins 48-1 to 48-2 of the stage carriage 45, respectively, and are held by the stage carriage 45.
  • the operator retreats the hand 17 of the transfer device 8 into the load lock chamber 3 as shown in FIG.
  • the operator closes the gate valve 5 and joins the upper wafer 50-1 held on the sample stage 43-1 and the lower wafer 50-2 held on the stage carriage 45 at room temperature. That is, the operator moves the upper wafer 50-1 and lower wafer 50-1 while the upper wafer 50-1 held by the sample stage 43-1 and the lower wafer 50-2 held by the stage carriage 45 are separated from each other.
  • the ion gun 32 is directed between 50-2 and the particles are discharged. The particles are irradiated to the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2, and oxides and the like formed on the surfaces are removed, and impurities adhering to the surfaces are removed.
  • the operator operates the press-contact mechanism 43-2 to lower the sample stage 43-1 vertically downward to bring the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2 closer to each other.
  • the operator operates the positioning mechanism of the stage carriage 45 so that the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2 are bonded as designed so that the lower wafer 50- held by the stage carriage 45 is bonded.
  • Move position 2 The operator operates the pressure contact mechanism 43-2 of the sample stage 43-1 to lower the sample stage 43-1 vertically downward to bring the upper wafer 50-1 into contact with the lower wafer 50-2.
  • the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2 are bonded by the contact, and one bonded substrate is generated.
  • the room temperature bonding apparatus 1 can more reliably contact the lower wafer 50-2 with the upper wafer 50-1, and more reliably bond the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2. be able to. Further, at this time, the island portion 61 of the lower cartridge 12 contacts almost the entire lower wafer 50-2. Therefore, the lower wafer 50-2 is prevented from being damaged by a load applied during bonding, and the room temperature bonding apparatus 1 applies a larger load to the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2. Can be applied.
  • the operator dechucks the bonded substrate from the sample stage 43-1 and then raises the sample stage 43-1 vertically upward.
  • the operator opens the gate valve 5 and uses the transfer device 8 to transfer the lower cartridge 12 on which the bonded substrate is placed from the stage carriage 45 to the lower cartridge base 7.
  • the operator closes the gate valve 5 to generate an atmospheric pressure atmosphere inside the load lock chamber 3.
  • the operator opens the lid of the load lock chamber 3 and takes out the bonded substrate from the lower cartridge 12 arranged on the lower cartridge base 7.
  • the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2 are not brought into contact with the transfer device 8, and contamination of the bonding surface can be prevented and the room temperature bonding can be performed more reliably. it can. As a result, the reliability of the room temperature bonding apparatus 1 is further improved.
  • the wafer delivery between the stage for room temperature bonding and the transfer apparatus is generally performed using lift pins arranged in the bonding chamber.
  • the room temperature bonding apparatus 1 does not need to include such a lift pin, can reduce the manufacturing cost, and can reduce maintenance.
  • the drive system that drives the object generally releases gas and contaminates the atmosphere within the chamber when placed in the chamber.
  • the room temperature bonding apparatus 1 does not include a drive system for driving the lift pins, it is possible to reduce such emitted gas and prevent contamination of the atmosphere in which the wafer is bonded.
  • the room temperature bonding apparatus 1 can prevent the contamination of the bonding surface between the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2, can perform the room temperature bonding more reliably, and further improve the reliability.
  • the wafer may be deformed, dropped and damaged when directly held by the transfer device 8.
  • the lower wafer 50-2 is conveyed by being held by the lower cartridge 12 with almost the entire one surface contacting the lower cartridge 12, and being deformed, dropped, or damaged. The fear can be reduced. As a result, the room temperature bonding apparatus 1 can perform room temperature bonding more reliably, and the reliability is further improved.
  • the upper wafer 50-1 can be replaced with a deformed wafer formed in a shape different from the disk shape.
  • the upper cartridge 11 can place the deformed wafer so that the deformed wafer does not move during decompression.
  • the room temperature bonding apparatus 1 can prevent contamination of the bonding surface of the deformed wafer and more reliably bond the deformed wafer at room temperature.
  • the lower cartridge 12 can be manufactured for each of the irregular wafers.
  • the lower wafer 50-2 can be replaced with a deformed wafer formed in a shape different from a disk shape.
  • the lower cartridge 12 can place the deformed wafer so that the deformed wafer does not move during decompression.
  • the room temperature bonding apparatus 1 can prevent contamination of the bonding surface of the deformed wafer and more reliably bond the deformed wafer at room temperature.
  • the lower cartridge 12 can be manufactured for each of the irregular wafers. At this time, the room temperature bonding apparatus 1 does not need to produce the stage carriage 45 for each of the irregular wafers, and can be produced at a lower cost.
  • the groove 65 formed in the lower cartridge 12 may be formed in another shape different from the lattice shape.
  • the shape is exemplified by a radial shape.
  • the grooves 65 are preferably numerous and thick in order to improve the efficiency of exhausting the gas sandwiched between the lower cartridge 12 and the lower wafer 50-2.
  • the groove 65 is preferably thin and preferably a small number in order to cause deformation of the lower wafer 50-2 when the upper wafer 50-1 and the lower wafer 50-2 are bonded. Therefore, it is preferable that the shape of the groove 65 is appropriately designed according to the attribute of the lower wafer 50-2.

Landscapes

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Abstract

本発明による常温接合装置は、内部の雰囲気が減圧されるロードロックチャンバーと、そのロードロックチャンバーの内部に配置されるカートリッジとを備えている。このとき、そのカートリッジは、その基板がそのカートリッジに載せられるときにその基板に接触する島部分が形成されている。その島部分は、その基板が載せられているときにそのカートリッジとその基板とに挟まれる空間を外部に接続する流路が形成されている。そのカートリッジとその基板とに挟まれる空間に充填された気体は、そのロードロックチャンバーの内部の雰囲気が減圧されるときに、その流路を通って外部に排気される。このため、このような常温接合装置は、その雰囲気が減圧されるときに、その気体がそのカートリッジに対してその基板を移動させることを防止することができる。

Description

常温接合装置
 本発明は、常温接合装置に関し、特に、常温接合を用いて製品を大量に生産する常温接合装置に関する。
 微細な電気部品や機械部品を集積化したMEMSが知られている。そのMEMSとしては、マイクロリレー、圧力センサ、加速度センサなどが例示される。真空雰囲気で活性化されたウェハ表面同士を接触させ、2枚のウェハを接合する常温接合が知られている。このような常温接合は、そのMEMSを作製することに好適である。このような常温接合では、ウェハの接合面の汚染を防止することが重要である。さらに、このような常温接合する常温接合装置は、量産性向上を指向する必要があり、信頼性の向上、コスト低減、コンパクト化、メンテナンスの軽減が望まれている。
 特許第3970304号公報には、長寿命である常温接合装置が開示されている。その常温接合装置は、接合チャンバーと上側ステージとキャリッジと弾性案内と位置決めステージと第1機構と第2機構とキャリッジ支持台とを具備している。その接合チャンバーは、上側基板と下側基板とを常温接合するための真空雰囲気を生成する。その上側ステージは、前記接合チャンバーの内部に設置され、前記上側基板を前記真空雰囲気に支持する。そのキャリッジは、前記接合チャンバーの内部に設置され、前記下側基板を前記真空雰囲気に支持する。その弾性案内は、前記キャリッジに同体に接合される。その位置決めステージは、前記接合チャンバーの内部に設置され、水平方向に移動可能に前記弾性案内を支持する。その第1機構は、前記弾性案内を駆動して前記水平方向に前記キャリッジを移動する。その第2機構は、前記水平方向に垂直である上下方向に前記上側ステージを移動する。そのキャリッジ支持台は、前記接合チャンバーの内部に設置され、前記下側基板と前記上側基板とが圧接されるときに、前記上側ステージが移動する方向に前記キャリッジを支持する。前記弾性案内は、前記下側基板と前記上側基板とが接触しないときに前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触しないように前記キャリッジを支持し、前記下側基板と前記上側基板とが圧接されるときに前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触するように弾性変形する。
 特開2004-207606号公報には、薄くなった半導体ウェハの取り扱いを容易とすると共に、常に結晶方位を認識できるようにするウェハサポートプレートが開示されている。そのウェハサポートプレートは、半導体ウェハを支持する支持面を有するウェハサポートプレートであって、支持された半導体ウェハの結晶方位を示す結晶方位マークが形成されていることを特徴としている。
特許第3970304号公報 特開2004-207606号公報
 本発明の課題は、接合される基板の位置ずれを防止する常温接合装置を提供することにある。
 本発明の他の課題は、接合される基板の汚染を防止する常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、基板が接合される雰囲気の汚染を防止する常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、製造コストがより小さい常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、メンテナンスが軽減される常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、接合される基板の破損を防止する常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、より薄い基板を搬送・接合することに好適である常温接合装置を提供することにある。
 本発明のさらに他の課題は、様々な形状の基板を搬送・接合することに好適である常温接合装置を提供することにある。
 本発明による常温接合装置は、内部の雰囲気が減圧されるロードロックチャンバーと、そのロードロックチャンバーの内部に配置されるカートリッジとを備えている。このとき、そのカートリッジは、その基板がそのカートリッジに載せられるときにその基板に接触する島部分が形成されている。その島部分は、その基板が載せられているときにそのカートリッジとその基板とに挟まれる空間を外部に接続する流路が形成されている。そのカートリッジとその基板とに挟まれる空間に充填された気体は、そのロードロックチャンバーの内部の雰囲気が減圧されるときに、その流路を通って外部に排気される。このため、このような常温接合装置は、その雰囲気が減圧されるときに、その気体がそのカートリッジに対してその基板を移動させることを防止することができる。
 本発明による常温接合装置は、接合チャンバーと、そのロードロックチャンバーとその接合チャンバーとのゲートを開閉するゲートバルブと、そのゲートが開放されているときにそのロードロックチャンバーからその接合チャンバーにそのカートリッジを搬送する搬送装置とをさらに備えている。このとき、その接合チャンバーは、その基板がその接合チャンバーの内部に配置されているときに、その基板を他の基板に接合する。そのカートリッジは、このような常温接合装置に適用されることが好ましい。
 そのカートリッジは、フランジが形成されている。このとき、その搬送装置は、そのフランジのうちの下向きの支持面に接触することにより、そのカートリッジを保持する。このような常温接合装置は、その搬送装置がその基板に直接に接触しないで、その基板をより確実に保持することができる。このため、このような常温接合装置は、その基板の汚染を防止することができる。
 そのカートリッジは、そのフランジにハンド位置決め手段が形成されている。このとき、その搬送装置は、そのカートリッジを搬送するときに、そのハンド位置決め手段に嵌合する他のハンド位置決め手段が形成されている。このような常温接合装置は、その搬送装置に対するそのカートリッジの位置が常時に等しくなるように、その搬送装置がそのカートリッジを保持することができる。このため、このような常温接合装置は、その基板をより高精度に搬送することができる。そのハンド位置決め手段は、ピンである。その他のハンド位置決め手段は、切り欠きであることが好ましい。
 その接合チャンバーは、そのカートリッジを保持する下側ステージを備えている。このとき、そのカートリッジは、ステージ位置決め手段が形成されている。その下側ステージは、その下側ステージがそのカートリッジを保持するときに、そのステージ位置決め手段に嵌合する他のステージ位置決め手段が形成されている。このような常温接合装置は、その下側ステージに対するそのカートリッジの位置が常時に等しくなるように、その下側ステージがそのカートリッジを保持することができる。このため、このような常温接合装置は、その基板をより高精度に接合することができる。
 そのステージ位置決め手段は、孔である。その他のステージ位置決め手段は、その孔に嵌まる突起であることが好ましい。
 本発明による常温接合装置は、撮影装置と、アライメント装置とをさらに備えている。このとき、そのカートリッジは、アライメント用孔が形成されている。その撮影装置は、その基板がそのカートリッジに載せられる場合で、その下側ステージがそのカートリッジを保持しているときに、そのアライメント用孔を介してその基板の画像を撮影する。そのアライメント装置は、その画像に基づいてその下側ステージを駆動する。このような常温接合装置は、その基板がそのカートリッジに載せられている状態で、その基板を高精度に位置決めすることができる。このため、このような常温接合装置は、その基板がそのカートリッジに載せられている状態で、その基板をより高精度に接合することができる。
 その島部分は、その基板の一方の面の概ね全部に接触する接触面が形成されている。このとき、その接触面には、その流路である溝が形成されている。このような常温接合装置は、その基板がそのカートリッジに載せられている状態でその基板を接合するときに、その基板の破損を防止することができ、その基板により大きい荷重を印加することができる。
 そのカートリッジは、複数の基板位置決めピンを備えている。このとき、その複数の基板位置決めピンは、その基板がそのカートリッジに載せられたときに、その基板の縁がその複数の基板位置決めピンの全部に接触するように、配置されている。このような常温接合装置は、そのカートリッジに対するその基板の位置が常時に等しくなるように、その基板がそのカートリッジに載せられることができる。このため、このような常温接合装置は、その基板をより高精度に搬送することができる。
 その複数の基板位置決めピンは、その基板がそのカートリッジに載せられたときに、その基板の表面のうちのそのカートリッジに接触する面の裏面からその複数の基板位置決めピンの先端が突出しないように、その基板の表面のうちのそのカートリッジに接触する面とその面の裏面との間にその複数の基板位置決めピンの先端が配置されるように、形成されている。このような常温接合装置は、その下側ステージに対向する上側ステージをその基板に接近させるときに、その上側ステージがその複数の基板位置決めピンに接触することを防止することができ、その上側ステージにその基板をより確実に接触させることができる。このような常温接合装置は、その基板が他の基板に接合されるときに、その複数の基板位置決めピンがその接合を阻害することを防止することができ、その基板をより確実に接合させることができる。
 その島部分は、その基板の一方の面の中央部分に接触しないで、その基板の一方の面の外周部分に接触する。このようなカートリッジは、2つの基板を接合するときに、その2つの基板のうちのその上側ステージにより保持される一方の上側基板が載せられることに利用される。このとき、このような常温接合装置は、その上側基板の接合面の汚染を防止することができる。
 本発明による常温接合方法は、基板が載せられているカートリッジが配置されているロードロックチャンバーの内部を減圧するステップと、そのロードロックチャンバーの内部が減圧された後に、そのロードロックチャンバーの内部から接合チャンバーにそのカートリッジを搬送するステップとを備えている。そのカートリッジは、その基板がそのカートリッジに載せられるときにその基板に接触する島部分が形成されている。その島部分は、その基板が載せられているときにそのカートリッジとその基板とに挟まれる空間を外部に接続する流路が形成されている。そのカートリッジとその基板とに挟まれる空間に充填された気体は、そのロードロックチャンバーの内部の雰囲気が減圧されるときに、その流路を通って外部に排気される。このため、このような常温接合方法によれば、その雰囲気が減圧されるときに、その気体がそのカートリッジに対してその基板を移動させることを防止することができる。
 その接合チャンバーは、上側ステージと下側ステージとを備えている。その基板は、上側基板と下側基板とを含んでいる。そのカートリッジは、上側カートリッジと下側カートリッジとを含んでいる。このとき、本発明による常温接合方法は、さらに、その上側基板がその上側カートリッジに載せられている場合で、かつ、その下側ステージがその上側カートリッジを保持しているときに、その上側ステージとその下側ステージとを接近させることによりその上側基板をその上側ステージに保持させるステップと、その上側基板がその上側ステージに保持された後に、その下側基板がその下側カートリッジに載せられている場合で、かつ、その下側ステージがその下側カートリッジを保持しているときに、その上側ステージとその下側ステージとを接近させることによりその上側基板とその下側基板とを接合するステップとを備えている。すなわち、そのカートリッジは、このような常温接合方法に適用されることが好ましい。
 本発明による常温接合装置は、接合される基板の位置ずれを防止することができる。
 本発明による常温接合装置は、さらに、搬送装置が基板に直接に接触することなく、基板を搬送することができ、接合される基板の汚染を防止することができる。
 本発明による常温接合装置は、さらに、基板が接合される雰囲気の汚染を防止することができる。
 本発明による常温接合装置は、さらに、製造コストがより小さくすることができる。
 本発明による常温接合装置は、さらに、メンテナンスを軽減することができる。
 本発明による常温接合装置は、さらに、接合される基板の破損を防止することができる。
 本発明による常温接合装置は、さらに、より薄い基板を搬送・接合することに好適である。
 本発明による常温接合装置は、さらに、様々な形状の基板を搬送・接合することに好適である。
図1は、常温接合装置を示す断面図である。 図2は、常温接合装置を示す断面図である。 図3は、ステージキャリッジを示す斜視図である。 図4は、搬送装置のハンドを示す平面図である。 図5は、上側カートリッジを示す平面図である。 図6は、上側カートリッジを示す断面図である。 図7は、ウェハ位置決めピンを示す断面図である。 図8は、位置決め用ピンを示す断面図である。 図9は、下側カートリッジを示す平面図である。 図10は、下側カートリッジを示す断面図である。 図11は、ウェハがカートリッジに載った状態を示す断面図である。 図12は、上側ウェハを搬送する動作を示す図である。 図13は、下側ウェハを搬送する動作を示す図である。
 図面を参照して、本発明による常温接合装置の実施の形態を記載する。その常温接合装置1は、図1に示されているように、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3とを備えている。接合チャンバー2とロードロックチャンバー3は、内部を環境から密閉する容器であり、一般的には、ステンレス鋼、アルミ合金などにより形成されている。常温接合装置1は、さらに、ゲートバルブ5を備えている。ゲートバルブ5は、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3との間に介設され、接合チャンバー2の内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、開放する。
 ロードロックチャンバー3は、上側カートリッジ台6と下側カートリッジ台7と搬送装置8とを内部に備えている。上側カートリッジ台6は、上側カートリッジ11が配置される。下側カートリッジ台7は、下側カートリッジ12が配置される。ロードロックチャンバー3は、さらに、図示されていない真空ポンプと蓋とを備えている。その真空ポンプは、ロードロックチャンバー3の内部から気体を排気する。その真空ポンプとしては、内部の金属製の複数の羽根が気体分子を弾き飛ばすことにより排気するターボ分子ポンプが例示される。その蓋は、ロードロックチャンバー3の外部と内部とを接続するゲートを閉鎖し、大気雰囲気にすることで開放することができる。そのゲートの大きさは、上側カートリッジ11と下側カートリッジ12とより大きい。
 搬送装置8は、第1アーム15と第2アーム16とハンド17と第1節18と第2節19と第3節20とを備えている。第1アーム15と第2アーム16とハンド17とは、それぞれ、棒状に形成されている。第1節18は、ロードロックチャンバー3の床板に支持され、回転軸22を中心に回転可能に第1アーム15を支持している。回転軸23は、鉛直方向に平行である。第2節19は、第1節18に支持され、回転軸23を中心に回転可能に第2アーム16を支持している。回転軸23は、鉛直方向に平行であり、すなわち、回転軸22に平行である。第3節20は、第2節19に支持され、回転軸24を中心に回転可能にハンド17を支持している。回転軸24は、鉛直方向に平行であり、すなわち、回転軸23に平行である。
 搬送装置8は、さらに、図示されていない昇降機構と伸縮機構とを備えている。その昇降機構は、ユーザの操作により、第1アーム15を昇降させて、ハンド17を昇降させる。その伸縮機構は、ユーザの操作により、第1節18を制御してハンド17を回転させ、第1節18と第2節19と第3節20とを制御してハンド17の長手方向に平行にハンド17を平行移動させる。
 搬送装置8は、ゲートバルブ5を介してロードロックチャンバー3から接合チャンバー2に上側カートリッジ11または下側カートリッジ12を搬送すること、または、ゲートバルブ5を介して接合チャンバー2からロードロックチャンバー3に上側カートリッジ11または下側カートリッジ12を搬送することに利用される。
 接合チャンバー2は、真空ポンプ31とイオンガン32と電子銃33とを備えている。接合チャンバー2は、容器を形成する壁34の一部分に排気口35が形成されている。真空ポンプ31は、接合チャンバー2の外部に配置され、排気口35を介して接合チャンバー2の内部から気体を排気する。真空ポンプ31としては、内部の金属製の複数の羽根が気体分子を弾き飛ばすことにより排気するターボ分子ポンプが例示される。イオンガン32は、1つの照射方向36に向けられて配置され、照射方向36に向けて加速された荷電粒子を放出する。その荷電粒子としては、アルゴンイオンが例示される。イオンガン32は、接合対象であるウェハの表面を活性化する他の表面活性化装置に置換することができる。その表面活性化装置としては、プラズマガン、高速原子ビーム源などが例示される。電子銃33は、イオンガン32により荷電粒子が照射される対象に向けられて配置され、その対象に向けて加速された電子を放出する。
 壁34は、一部分に扉37が形成されている。扉37は、ヒンジ38を備えている。ヒンジ38は、壁34に対して回転可能に扉37を支持している。壁34は、さらに、一部分に窓39が形成されている。窓39は、気体を透過しないで可視光を透過する材料から形成されている。窓39は、ユーザがイオンガン32により荷電粒子が照射される対象または、接合状態を接合チャンバー2の外部から見えるように配置されていれば壁34のどこでもかまわない。
 接合チャンバー2は、図2に示されているように、さらに、上側ステージ41と下側ステージ42とを内部に備えている。下側ステージ42は、接合チャンバー2の下部に配置されている。上側ステージ41は、接合チャンバー2の上部に配置され、試料台43-1と圧接機構43-2とを備えている。試料台43-1は、接合チャンバー2に対して鉛直方向に平行移動可能に支持されている。試料台43-1は、その下端に誘電層を備え、その誘電層とウェハの間に電圧を印加し、静電力によってウェハをその誘電層に吸着する。圧接機構43-2は、ユーザの操作により、試料台43-1を接合チャンバー2に対して鉛直方向に平行移動させる。
 イオンガン32は、上側ステージ41に支持される基板と下側ステージ42に支持される基板とが離れているときに、上側ステージ41に支持される基板と下側ステージ42に支持される基板との間の空間に向けられている。すなわち、イオンガン32の照射方向36は、上側ステージ41に支持される基板と下側ステージ42に支持される基板との間を通り、接合チャンバー2の内側表面に交差する。
 下側ステージ42は、図3に示されているように、ステージキャリッジ45を備えている。ステージキャリッジ45は、概ね円盤状に形成されている。ステージキャリッジ45は、その円盤の軸が鉛直方向に平行になるように配置され、その円盤の上側の面に平坦な支持面46が形成されている。ステージキャリッジ45は、支持面46に複数のアライメント用孔47が形成されている。ステージキャリッジ45は、さらに、支持面46の外周部に複数の位置決めピン48-1~48-2が形成されている。複数の位置決めピン48-1~48-2は、それぞれ、円形で先細の突起に形成されている。
 下側ステージ42は、さらに、図示されていない2つの撮像装置と位置決め機構とを備えている。その撮像装置は、ステージキャリッジ45の直下に配置されている。その撮像装置は、ユーザの操作により、ステージキャリッジ45の複数のアライメント用孔47を介して、下側ステージ42に支持される基板の画像を撮影する。その位置決め機構は、ユーザの操作により、ステージキャリッジ45を水平方向に平行な方向に平行移動させ、ステージキャリッジ45を鉛直方向に平行な回転軸を中心に回転移動させる。
 図4は、搬送装置8のハンド17を示している。ハンド17は、第3節20に接合される端と反対側の端に、爪21-1、21-2が形成されている。爪21-1、21-2は、それぞれ、板状に形成されている。爪21-1、21-2は、1つの水平面に沿うように配置されている。爪21-1は、直線状の辺縁25-1を有している。爪21-2は、直線状の辺縁25-2を有している。爪21-1、21-2は、辺縁25-1が辺縁25-2に対向するように、かつ、辺縁25-1と辺縁25-2とが平行になるように配置されている。爪21-1は、辺縁25-1の一部に切り欠き49-1が形成されている。爪21-2は、辺縁25-2の一部に切り欠き49-2が形成されている。切り欠き49-2は、切り欠き49-1に対向するように、形成されている。
 図5は、上側カートリッジ11を示している。上側カートリッジ11は、アルミニウムまたはステンレス鋼から形成され、概ね円盤状に形成され、上側ウェハを載せるために利用される。上側カートリッジ11は、複数の位置決め穴53-1~53-2と複数のアライメント用穴54とが形成されている。複数の位置決め穴53-1~53-2は、円形に形成され、その円盤の外周の近傍に形成されている。複数の位置決め穴53-1~53-2の径は、それぞれ、ステージキャリッジ45の位置決めピン48-1~48-2の径に概ね等しい。複数の位置決め穴53-1~53-2は、さらに、位置決め穴53-1と位置決め穴53-2との距離が位置決めピン48-1と位置決めピン48-2との距離に一致するように、形成されている。すなわち、複数の位置決め穴53-1~53-2は、上側カートリッジ11がステージキャリッジ45に置かれたときに、複数の位置決めピン48-1~48-2に嵌まるように、配置されている。すなわち、上側カートリッジ11は、複数の位置決め穴53-1~53-2に複数の位置決めピン48-1~48-2が嵌まるようにステージキャリッジ45に置かれたときに、ステージキャリッジ45の定位置に載せられる。
 複数のアライメント用穴54は、貫通するように形成されている。複数のアライメント用穴54は、上側カートリッジ11がステージキャリッジ45に置かれたときに、ステージキャリッジ45の複数のアライメント用穴47にそれぞれ接続されるように形成されている。複数のアライメント用穴54は、さらに、上側カートリッジ11に上側ウェハが載せられたときに、その上側ウェハに形成されるアライメントマークに一致するように、形成されている。下側ステージ42の2つの撮像装置は、上側カートリッジ11がステージキャリッジ45に置かれたときに、複数のアライメント用穴54を介して、そのアライメントマークを撮影することができるように配置されている。
 上側カートリッジ11は、さらに、その円盤の上側の面に、複数の島部分51-1~51-4と複数のウェハ位置決めピン52-1~52-3とが形成されている。複数の島部分51-1~51-4は、その円盤の上側の面から突出する突起に形成され、上側カートリッジ11に載せられる上側ウェハの外周に沿うように形成され、上端が1つの平面に沿うように形成されている。複数のウェハ位置決めピン52-1~52-3は、その円盤の上側の面から突出する突起に形成され、上側カートリッジ11に載せられる上側ウェハの外周に沿うように形成されている。ウェハ位置決めピン52-2~52-3は、特に、上側カートリッジ11に載せられる上側ウェハのオリエンタルフラットに沿うように形成されている。このとき、上側ウェハは、オリエンタルフラットがウェハ位置決めピン52-2~52-3に接するように、かつ、外周がウェハ位置決めピン52-1に接するように、上側カートリッジ11に載せられるときに、上側カートリッジ11の定位置に載せられる。上側カートリッジ11は、さらに、上側ウェハがその定位置に載せられたときに、上側カートリッジ11と上側ウェハ50-1とに挟まれる空間が外部に通じる流路が形成されるように、複数の島部分51-1~51-4が形成されている。すなわち、複数の島部分51-1~51-4は、互いに、連ならないように形成されている。
 さらに、複数のウェハ位置決めピン52-1~52-3は、複数の島部分51-1~51-4より高く形成され、複数の島部分51-1~51-4の高さとその上側ウェハの厚さとの和より低く形成されている。すなわち、複数の島部分51-1~51-4は、図6に示されているように、上側カートリッジ11に上側ウェハ50-1が載せられたときに、上側ウェハ50-1の上側カートリッジ11に対向する面の外周に接触するように、形成されている。複数のウェハ位置決めピン52-1~52-3は、上側カートリッジ11に上側ウェハ50-1が載せられたときに、上側ウェハ50-1の側面に接触するように、形成されている。複数のウェハ位置決めピン52-1~52-3は、上側カートリッジ11に上側ウェハ50-1が載せられたときに、上側ウェハ50-1の上側カートリッジ11に対向する面の裏面から突出しないように、形成されている。
 上側カートリッジ11は、図7に示されているように、フランジ部分56と本体部分57とから形成されている。本体部分57は、円柱状に形成されている。その円柱の径は、ハンド17の辺縁25-1と辺縁25-2との間隔より小さい。フランジ部分56は、本体部分57の円柱の側面から張り出すように形成され、円盤状に形成されている。その円盤の径は、ハンド17辺縁25-1と辺縁25-2との間隔より大きい。すなわち、上側カートリッジ11は、フランジ部分56が爪21-1~21-2に載ることにより、搬送装置8に把持される。
 上側カートリッジ11は、さらに、図8に示されているように、位置決め用ピン59が形成されている。位置決め用ピン59は、フランジ部分56の下側に向いている面から突出する突起に形成されている。位置決め用ピン59の径は、切り欠き49-1~49-2の径と概ね等しい。位置決め用ピン59は、フランジ部分56の円盤の中心に関して互いに対称である2つの部分に、2つが形成されている。すなわち、位置決め用ピン59は、上側カートリッジ11が搬送装置8に把持されたときに、爪21-1~21-2の切り欠き49-1~49-2にそれぞれ嵌まるように、形成されている。このとき、上側カートリッジ11は、爪21-1~21-2の切り欠き49-1~49-2にそれぞれ嵌まるように搬送装置8に把持されるときに、ハンド17の定位置に把持される。
 図9は、下側カートリッジ12を示している。下側カートリッジ12は、アルミニウムから形成され、概ね円盤状に形成され、下側ウェハを載せるために利用される。下側カートリッジ12は、複数の位置決め穴63-1~63-2と複数のアライメント用穴64とが形成されている。複数の位置決め穴63-1~63-2は、円形に形成され、その円盤の外周の近傍に形成されている。複数の位置決め穴63-1~63-2の径は、それぞれ、ステージキャリッジ45の位置決めピン48-1~48-2の径に概ね等しい。複数の位置決め穴63-1~63-2は、さらに、位置決め穴63-1と位置決め穴63-2との距離が位置決めピン48-1と位置決めピン48-2との距離に一致するように、形成されている。すなわち、複数の位置決め穴63-1~63-2は、下側カートリッジ12がステージキャリッジ45に置かれたときに、複数の位置決めピン48-1~48-2に嵌まるように、配置されている。すなわち、下側カートリッジ12は、複数の位置決め穴63-1~63-2に複数の位置決めピン48-1~48-2が嵌まるようにステージキャリッジ45に置かれたときに、ステージキャリッジ45の定位置に載せられる。
 複数のアライメント用穴64は、貫通するように形成されている。複数のアライメント用穴64は、下側カートリッジ12がステージキャリッジ45に置かれたときに、ステージキャリッジ45の複数のアライメント用穴47にそれぞれ接続されるように形成されている。複数のアライメント用穴64は、さらに、下側カートリッジ12に下側ウェハが載せられたときに、その下側ウェハに形成されるアライメントマークに一致するように、形成されている。下側ステージ42の2つの撮像装置は、下側カートリッジ12がステージキャリッジ45に置かれたときに、複数のアライメント用穴64を介して、そのアライメントマークを撮影することができるように配置されている。
 下側カートリッジ12は、さらに、その円盤の上側の面に、島部分61と複数のウェハ位置決めピン62-1~62-3とが形成されている。島部分61は、その円盤の上側の面から突出する突起に形成され、下側カートリッジ12に載せられる下側ウェハの形状と概ね等しい形状に形成され、上端が1つの平面に沿うように形成されている。島部分61は、上端に溝65が形成されている。溝65は、上端に格子状に形成されている。溝65は、さらに、島部分61の側面に繋がるように、形成されている。
 複数のウェハ位置決めピン62-1~62-3は、その円盤の上側の面から突出する突起に形成され、下側カートリッジ12に載せられる下側ウェハの外周に沿うように形成されている。ウェハ位置決めピン62-2~62-3は、特に、下側カートリッジ12に載せられる下側ウェハのオリエンタルフラットに沿うように形成されている。このとき、下側ウェハは、オリエンタルフラットがウェハ位置決めピン62-2~62-3に接するように、かつ、外周がウェハ位置決めピン62-1に接するように、下側カートリッジ12に載せられるときに、下側カートリッジ12の定位置に載せられる。
 さらに、複数のウェハ位置決めピン62-1~62-3は、島部分61より高く形成され、島部分61の高さとその下側ウェハの厚さとの和より低く形成されている。すなわち、島部分61は、下側カートリッジ12に下側ウェハが載せられたときに、その下側ウェハの下側カートリッジ12に対向する面の大部分に接触するように、形成されている。複数のウェハ位置決めピン62-1~62-3は、下側カートリッジ12に下側ウェハが載せられたときに、その下側ウェハの側面に接触するように、形成されている。複数のウェハ位置決めピン62-1~62-3は、下側カートリッジ12に下側ウェハが載せられたときに、その下側ウェハの下側カートリッジ12に対向する面の裏面から突出しないように、形成されている。
 下側カートリッジ12は、図10に示されているように、フランジ部分66と本体部分67とから形成されている。本体部分67は、円柱状に形成されている。その円柱の径は、辺縁25-1と辺縁25-2との間隔より小さい。フランジ部分66は、本体部分67の円柱の側面から張り出すように形成され、円盤状に形成されている。その円盤の径は、辺縁25-1と辺縁25-2との間隔より大きい。すなわち、下側カートリッジ12は、フランジ部分66が爪21-1~21-2に載ることにより、搬送装置8に把持される。
 下側カートリッジ12は、さらに、上側カートリッジ11と同様にして、その位置決め用ピンが形成されている。その位置決め用ピンは、フランジ部分66の下側に向いている面から突出する突起に形成されている。その位置決め用ピンの径は、切り欠き49-1~49-2の径と概ね等しい。その位置決め用ピンは、フランジ部分66の円盤の中心に関して互いに対称である2つの部分に、2つが形成されている。すなわち、その位置決め用ピンは、下側カートリッジ12が搬送装置8に把持されたときに、爪21-1~21-2の切り欠き49-1~49-2にそれぞれ嵌まるように、形成されている。このとき、下側カートリッジ12は、爪21-1~21-2の切り欠き49-1~49-2にそれぞれ嵌まるように搬送装置8に把持されるときに、ハンド17の定位置に把持される。
 上側カートリッジ台6と下側カートリッジ台7とは、ステージキャリッジ45と同様にして、複数の位置決めピン48-1~48-2と同様な複数の位置決めピンが形成されている。すなわち、上側カートリッジ11は、複数の位置決め穴53-1~53-2に上側カートリッジ台6の複数の位置決めピンが嵌まるように上側カートリッジ台6に置かれたときに、上側カートリッジ台6の定位置に載せられる。下側カートリッジ12は、複数の位置決め穴63-1~63-2に下側カートリッジ台7の複数の位置決めピンが嵌まるように下側カートリッジ台7に置かれたときに、下側カートリッジ台7の定位置に載せられる。
 本発明による常温接合方法の実施の形態は、常温接合装置1を用いて実行される。作業者は、まず、ゲートバルブ5を閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバー2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、ロードロックチャンバー3の蓋を開けて、上側カートリッジ11を上側カートリッジ台6に配置し、下側カートリッジ12を下側カートリッジ台7に配置する。作業者は、オリエンタルフラットがウェハ位置決めピン52-2~52-3に接するように、かつ、外周がウェハ位置決めピン52-1に接するように、上側カートリッジ11に上側ウェハを載せる。作業者は、オリエンタルフラットがウェハ位置決めピン62-2~62-3に接するように、かつ、外周がウェハ位置決めピン62-1に接するように、下側カートリッジ12に下側ウェハ50-2を載せる。作業者は、次いで、ロードロックチャンバー3の蓋を閉めて、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成する。
 上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2に例示されるウェハ70は、図11に示されているように、変形していることがある。ウェハ70は、上側カートリッジ11と下側カートリッジ12とに例示されるカートリッジ71に載せられているときに、ウェハ70とカートリッジ71との間に空間72を形成する。空間72に充填されている空気は、ウェハ70を持ち上げ、ウェハ70をカートリッジ71の上を移動させることがある。
 すなわち、上側カートリッジ11と上側ウェハ50-1とに挟まれる空間に充填された気体は、複数の島部分51-1~51-4の隙間を通って外部に排気される。このような排気は、上側カートリッジ11と上側ウェハ50-1とに挟まれた気体が上側ウェハ50-1を持ち上げることを防止し、上側ウェハ50-1が上側カートリッジ11の上を移動することを防止する。さらに、下側カートリッジ12と下側ウェハ50-2とに挟まれる空間に充填された気体は、溝65を通って外部に排気される。このような排気は、下側カートリッジ12と下側ウェハ50-2とに挟まれた気体が下側ウェハ50-2を持ち上げることを防止し、下側ウェハ50-2が下側カートリッジ12の上を移動することを防止する。
 作業者は、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気が生成された後に、ゲートバルブ5を開放する。作業者は、まず、上側ウェハ50-1を試料台43-1に保持させる。図12は、上側ウェハ50-1を試料台43-1に保持させる動作を示している。作業者は、まず、図12(a)に示されているように、搬送装置8を用いて、上側ウェハ50-1が載せられた上側カートリッジ11を上側カートリッジ台6からステージキャリッジ45の上まで搬送する。作業者は、図12(b)に示されているように、搬送装置8のハンド17を降下させる。このとき、上側カートリッジ11は、複数の位置決め穴53-1~53-2がステージキャリッジ45の複数の位置決めピン48-1~48-2にそれぞれ嵌まり、ステージキャリッジ45に保持される。
 作業者は、図12(c)に示されているように、搬送装置8のハンド17をロードロックチャンバー3の内部に退避させる。作業者は、次いで、試料台43-1を鉛直下方向に下降させて、試料台43-1の誘電層を上側ウェハ50-1に接触させ、試料台43-1に上側ウェハ50-1を保持させる。このとき、上側カートリッジ11の複数のウェハ位置決めピン52-1~52-3は、上側ウェハ50-1から突出しないように形成されているために、試料台43-1に接触しない。このため、常温接合装置1は、試料台43-1に上側ウェハ50-1をより確実に接触させることができ、試料台43-1に上側ウェハ50-1をより確実に保持させることができる。作業者は、図12(d)に示されているように、試料台43-1を鉛直上方向に上昇させて、上側ウェハ50-1を上側カートリッジ11から離す。作業者は、上側ウェハ50-1が上側カートリッジ11から離れた後で、搬送装置8を用いて、上側ウェハ50-1が載せられていない上側カートリッジ11をステージキャリッジ45から上側カートリッジ台6に搬送する。
 作業者は、上側ウェハ50-1を試料台43-1に保持させた後に、下側ウェハ50-2をステージキャリッジ45に保持させる。図13は、下側ウェハ50-2をステージキャリッジ45に保持させる動作を示している。作業者は、まず、図13(a)に示されているように、搬送装置8を用いて、下側ウェハ50-2が載せられた下側カートリッジ12を下側カートリッジ台7からステージキャリッジ45の上まで搬送する。作業者は、図13(b)に示されているように、搬送装置8のハンド17を降下させる。このとき、下側カートリッジ12は、複数の位置決め穴63-1~63-2がステージキャリッジ45の複数の位置決めピン48-1~48-2にそれぞれ嵌まり、ステージキャリッジ45に保持される。作業者は、図13(c)に示されているように、搬送装置8のハンド17をロードロックチャンバー3の内部に退避させる。
 作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、試料台43-1に保持された上側ウェハ50-1とステージキャリッジ45に保持された下側ウェハ50-2とを常温接合する。すなわち、作業者は、試料台43-1に保持された上側ウェハ50-1とステージキャリッジ45に保持された下側ウェハ50-2とが離れた状態で、上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2との間にイオンガン32を向けて粒子を放出する。その粒子は、上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2とに照射され、その表面に形成される酸化物等を除去し、その表面に付着している不純物を除去する。作業者は、圧接機構43-2を操作して、試料台43-1を鉛直下方向に下降させて、上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2とを近づける。作業者は、ステージキャリッジ45の位置決め機構を操作して、上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2とが設計通りに接合されるように、ステージキャリッジ45に保持された下側ウェハ50-2の位置を移動する。作業者は、試料台43-1の圧接機構43-2を操作して、試料台43-1を鉛直下方向に下降させて、上側ウェハ50-1を下側ウェハ50-2に接触させる。上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2とは、その接触により接合され、1枚の接合基板が生成される。このとき、下側カートリッジ12の複数のウェハ位置決めピン62-1~62-3は、下側ウェハ50-2から突出しないように形成されているために、試料台43-1または上側ウェハ50-1に接触しない。このため、常温接合装置1は、上側ウェハ50-1に下側ウェハ50-2をより確実に接触させることができ、上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2とをより確実に接合させることができる。さらに、このとき、下側カートリッジ12の島部分61は、下側ウェハ50-2の概ね全部に接触する。このため、下側ウェハ50-2は、接合時に印加される荷重により破損されることが防止され、常温接合装置1は、より大きい荷重を上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2とに印加することができる。
 作業者は、その接合基板を試料台43-1からデチャックさせた後に、試料台43-1を鉛直上方向に上昇させる。作業者は、次いで、ゲートバルブ5を開放し、搬送装置8を用いて、その接合基板が載せられている下側カートリッジ12をステージキャリッジ45から下側カートリッジ台7に搬送する。作業者は、ゲートバルブ5を閉鎖して、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気を生成する。作業者は、ロードロックチャンバー3の蓋を開けて、下側カートリッジ台7に配置された下側カートリッジ12からその接合基板を取り出す。
 このような常温接合方法によれば、上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2とは、搬送装置8に接触しないで、接合面の汚染が防止され、より確実に常温接合されることができる。この結果、常温接合装置1は、信頼性がより向上する。
 常温接合するためのステージと搬送装置との間のウェハの受け渡しは、一般的に、接合チャンバー内に配置されるリフトピンを用いて実行される。このような常温接合方法によれば、常温接合装置1は、このようなリフトピンを備える必要がなく、製造コストをより小さくすることができ、メンテナンスを軽減することができる。その物体を駆動する駆動系は、一般的に、ガスを放出し、チャンバー内に配置されたときに、そのチャンバー内の雰囲気を汚染する。このため、常温接合装置1は、そのリフトピンを駆動する駆動系を備えないことにより、このような放出ガスを低減することができ、ウェハが接合される雰囲気の汚染を防止することができる。この結果、常温接合装置1は、上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2との接合面の汚染を防止し、より確実に常温接合することができ、信頼性がより向上する。
 ウェハは、大口径化、極薄化している。このとき、ウェハは、搬送装置8に直接に保持されるときに、変形し、落下、破損するおそれがある。このような常温接合方法によれば、下側ウェハ50-2は、一方の面のほとんど全体が下側カートリッジ12に接触して下側カートリッジ12に保持されて搬送され、変形、落下、破損のおそれを低減することができる。この結果、常温接合装置1は、より確実に常温接合することができ、信頼性がより向上する。
 なお、上側ウェハ50-1は、円盤状と異なる形状に形成されている異形ウェハに置換されることもできる。このとき、上側カートリッジ11は、上側ウェハ50-1と同様にして、減圧時にその異形ウェハが移動しないように、その異形ウェハを載せることができる。この結果、常温接合装置1は、その異形ウェハの接合面の汚染を防止し、その異形ウェハをより確実に常温接合することができる。下側カートリッジ12は、その異形ウェハごとに、作製されることもできる。
 なお、下側ウェハ50-2は、円盤状と異なる形状に形成されている異形ウェハに置換されることもできる。このとき、下側カートリッジ12は、下側ウェハ50-2と同様にして、減圧時にその異形ウェハが移動しないように、その異形ウェハを載せることができる。この結果、常温接合装置1は、その異形ウェハの接合面の汚染を防止し、その異形ウェハをより確実に常温接合することができる。下側カートリッジ12は、その異形ウェハごとに、作製されることもできる。このとき、常温接合装置1は、その異形ウェハごとにステージキャリッジ45を作製する必要がなく、より安価に作製されることができる。
 なお、下側カートリッジ12に形成される溝65は、格子状と異なる他の形状に形成されることもできる。その形状としては、放射状が例示される。溝65は、下側カートリッジ12と下側ウェハ50-2とに挟まれた気体の排気の効率を向上させるために、多数であることが好ましく、太いことが好ましい。溝65は、さらに、上側ウェハ50-1と下側ウェハ50-2と接合時に、下側ウェハ50-2の変形を生じさせるため、細いことが好ましく、少数であることが好ましい。このため、溝65の形状は、下側ウェハ50-2の属性により、適宜に設計されることが好ましい。

Claims (14)

  1.  内部の雰囲気が減圧されるロードロックチャンバーと、
     前記ロードロックチャンバーの内部に配置されるカートリッジとを具備し、
     前記カートリッジは、前記基板が前記カートリッジに載せられるときに前記基板に接触する島部分が形成され、
     前記島部分は、前記基板が載せられているときに前記カートリッジと前記基板とに挟まれる空間を外部に接続する流路が形成されている
     常温接合装置。
  2.  請求の範囲1において、
     接合チャンバーと、
     前記ロードロックチャンバーと前記接合チャンバーとのゲートを開閉するゲートバルブと、
     前記ゲートが開放されているときに前記ロードロックチャンバーから前記接合チャンバーに前記カートリッジを搬送する搬送装置とを更に具備し、
     前記接合チャンバーは、前記基板が前記接合チャンバーの内部に配置されているときに、前記基板を他の基板に接合する
     常温接合装置。
  3.  請求の範囲2において、
     前記カートリッジは、フランジが形成され、
     前記搬送装置は、前記フランジのうちの下向きの支持面に接触することにより、前記カートリッジを保持する
     常温接合装置。
  4.  請求の範囲3において、
     前記カートリッジは、前記フランジにハンド位置決め手段が形成され、
     前記搬送装置は、前記カートリッジを搬送するときに、前記ハンド位置決め手段に嵌合する他のハンド位置決め手段が形成されている
     常温接合装置。
  5.  請求の範囲4において、
     前記ハンド位置決め手段は、ピンであり、
     前記他のハンド位置決め手段は、切り欠きである
     常温接合装置。
  6.  請求の範囲2~請求の範囲5のいずれかにおいて、
     前記接合チャンバーは、前記カートリッジを保持する下側ステージを備え、
     前記カートリッジは、ステージ位置決め手段が形成され、
     前記下側ステージは、前記下側ステージが前記カートリッジを保持するときに、前記ステージ位置決め手段に嵌合する他のステージ位置決め手段が形成されている
     常温接合装置。
  7.  請求の範囲6において、
     前記ステージ位置決め手段は、孔であり、
     前記他のステージ位置決め手段は、前記孔に嵌まる突起である
     常温接合装置。
  8.  請求の範囲6または請求の範囲7のいずれかにおいて、
     撮影装置と、
     アライメント装置とを更に具備し、
     前記カートリッジは、アライメント用孔が形成され、
     前記撮影装置は、前記基板が前記カートリッジに載せられる場合で、前記下側ステージが前記カートリッジを保持しているときに、前記アライメント用孔を介して前記基板の画像を撮影し、
     前記アライメント装置は、前記画像に基づいて前記下側ステージを駆動する
     常温接合装置。
  9.  請求の範囲8において、
     前記島部分は、前記基板の一方の面の概ね全部に接触する接触面が形成され、
     前記接触面には、前記流路である溝が形成されている
     常温接合装置。
  10.  請求の範囲1~請求の範囲9のいずれかにおいて、
     前記カートリッジは、複数の基板位置決めピンを備え、
     前記複数の基板位置決めピンは、前記基板が前記カートリッジに載せられたときに、前記基板の縁が前記複数の基板位置決めピンの全部に接触するように、配置されている
     常温接合装置。
  11.  請求の範囲10において、
     前記複数の基板位置決めピンは、前記基板が前記カートリッジに載せられたときに、前記基板の表面のうちの前記カートリッジに接触する面と前記面の裏面との間に前記複数の基板位置決めピンの先端が配置されるように、形成されている
     常温接合装置。
  12.  請求の範囲1~請求の範囲7のいずれかにおいて、
     前記島部分は、前記基板の一方の面の中央部分に接触しないで、前記基板の一方の面の外周部分に接触する
     常温接合装置。
  13.  基板が載せられているカートリッジが配置されているロードロックチャンバーの内部を減圧するステップと、
     前記ロードロックチャンバーの内部が減圧された後に、前記ロードロックチャンバーの内部から接合チャンバーに前記カートリッジを搬送するステップとを具備し、
     前記カートリッジは、前記基板が前記カートリッジに載せられるときに前記基板に接触する島部分が形成され、
     前記島部分は、前記基板が載せられているときに前記カートリッジと前記基板とに挟まれる空間を外部に接続する流路が形成されている
     常温接合方法。
  14.  請求の範囲13において、
     前記接合チャンバーは、上側ステージと下側ステージとを備え、
     前記基板は、上側基板と下側基板とを含み、
     前記カートリッジは、上側カートリッジと下側カートリッジとを含み、
     さらに、
     前記上側基板が前記上側カートリッジに載せられている場合で、かつ、前記下側ステージが前記上側カートリッジを保持しているときに、前記上側ステージと前記下側ステージとを接近させることにより前記上側基板を前記上側ステージに保持させるステップと、
     前記上側基板が前記上側ステージに保持された後に、前記下側基板が前記下側カートリッジに載せられている場合で、かつ、前記下側ステージが前記下側カートリッジを保持しているときに、前記上側ステージと前記下側ステージとを接近させることにより前記上側基板と前記下側基板とを接合するステップ
     とを具備する常温接合方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6014302B2 (ja) * 2010-09-06 2016-10-25 東京応化工業株式会社 貼り合わせ装置および貼り合わせ方法
JP6165127B2 (ja) * 2014-12-22 2017-07-19 三菱重工工作機械株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI783714B (zh) * 2021-05-10 2022-11-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓接合設備

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04282848A (ja) * 1991-03-12 1992-10-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置
JPH07201948A (ja) * 1993-12-29 1995-08-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送治具
JPH11329983A (ja) * 1998-05-12 1999-11-30 Sumitomo Metal Ind Ltd Cvdによる成膜方法とその装置
JP2005142537A (ja) * 2003-10-15 2005-06-02 Bondotekku:Kk 縦振接合方法及び装置
JP2007012942A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Canon Inc 容器及びそれを使って基板を搬送する方法
JP2007265971A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Sii Nanotechnology Inc ウエハホルダ、試料作製装置
JP2007329238A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Shin Etsu Polymer Co Ltd ウェーハ収納容器
JP2008235460A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Sii Nanotechnology Inc ウエハ搬送機構、ウエハ保持機構、及び、試料作製装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4822577B2 (ja) * 2000-08-18 2011-11-24 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および装置
JP2004207606A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハサポートプレート
JP4878109B2 (ja) 2004-08-24 2012-02-15 株式会社アルバック 基板移載システムおよび基板移載方法
JP4107316B2 (ja) * 2005-09-02 2008-06-25 株式会社日立プラントテクノロジー 基板貼合装置
JP3970304B1 (ja) * 2006-03-27 2007-09-05 三菱重工業株式会社 常温接合装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04282848A (ja) * 1991-03-12 1992-10-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置
JPH07201948A (ja) * 1993-12-29 1995-08-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送治具
JPH11329983A (ja) * 1998-05-12 1999-11-30 Sumitomo Metal Ind Ltd Cvdによる成膜方法とその装置
JP2005142537A (ja) * 2003-10-15 2005-06-02 Bondotekku:Kk 縦振接合方法及び装置
JP2007012942A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Canon Inc 容器及びそれを使って基板を搬送する方法
JP2007265971A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Sii Nanotechnology Inc ウエハホルダ、試料作製装置
JP2007329238A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Shin Etsu Polymer Co Ltd ウェーハ収納容器
JP2008235460A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Sii Nanotechnology Inc ウエハ搬送機構、ウエハ保持機構、及び、試料作製装置

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