WO2010060684A3 - Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements mit einer durchgehenden öffnung sowie mit dem verfahren hergestelltes bauelement bzw. dessen verwendung - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements mit einer durchgehenden öffnung sowie mit dem verfahren hergestelltes bauelement bzw. dessen verwendung Download PDF

Info

Publication number
WO2010060684A3
WO2010060684A3 PCT/EP2009/063469 EP2009063469W WO2010060684A3 WO 2010060684 A3 WO2010060684 A3 WO 2010060684A3 EP 2009063469 W EP2009063469 W EP 2009063469W WO 2010060684 A3 WO2010060684 A3 WO 2010060684A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component
semiconductor wafer
produced
micromechanical
production
Prior art date
Application number
PCT/EP2009/063469
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2010060684A2 (de
Inventor
Marcus Ahles
Hubert Benzel
Heribert Weber
Original Assignee
Robert Bosch Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch Gmbh filed Critical Robert Bosch Gmbh
Publication of WO2010060684A2 publication Critical patent/WO2010060684A2/de
Publication of WO2010060684A3 publication Critical patent/WO2010060684A3/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00087—Holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00309—Processes for packaging MEMS devices suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0353—Holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0111—Bulk micromachining
    • B81C2201/0112—Bosch process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0128—Processes for removing material
    • B81C2201/013—Etching
    • B81C2201/0135—Controlling etch progression
    • B81C2201/014—Controlling etch progression by depositing an etch stop layer, e.g. silicon nitride, silicon oxide, metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung beschreibt die ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanisches Bauelements, das mit diesem Verfahren hergestellte Bauelement sowie eine Verwendung des mikromechanischen Bauelements bei der Herstellung eines mikromechanischen Sensorbauelements. Zur Herstellung des mikromechanischen Bauelements wird auf der Vorderseite eines Halbleiterwafers zunächst eine erste strukturierte Schicht erzeugt, in deren Abhängigkeit mittels eines ersten Trenchätzschritts der Halbleiterwafer von der Vorderseite geätzt wird. Anschließend wird auf der Rückseite des Halbleiterwafers eine zweite strukturierte Schicht aufgebracht, in deren Abhängigkeit mittels eines zweiten Trenchätzschritts der Halbleiterwafer von der Rückseite geätzt wird. Der Kern der Erfindung besteht dabei darin, dass mittels des ersten und des zweiten Trenchätzschritts eine durchgehende Öffnung von der Vorderseite zur Rückseite in dem Halbleiterwafer erzeugt wird.
PCT/EP2009/063469 2008-11-28 2009-10-15 Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements sowie mit dem verfahren hergestelltes bauelement bzw. dessen verwendung WO2010060684A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008044177.5 2008-11-28
DE200810044177 DE102008044177A1 (de) 2008-11-28 2008-11-28 Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements sowie mit dem Verfahren hergestelltes Bauelement bzw. dessen Verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2010060684A2 WO2010060684A2 (de) 2010-06-03
WO2010060684A3 true WO2010060684A3 (de) 2011-02-24

Family

ID=42133871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2009/063469 WO2010060684A2 (de) 2008-11-28 2009-10-15 Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements sowie mit dem verfahren hergestelltes bauelement bzw. dessen verwendung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102008044177A1 (de)
WO (1) WO2010060684A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109642842A (zh) * 2016-08-30 2019-04-16 霍尼韦尔国际公司 通过感测管芯设计实现过度力控制

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011005274B4 (de) * 2011-03-09 2020-09-10 Endress+Hauser SE+Co. KG Keramische Druckmesszelle
US8833172B2 (en) * 2012-06-27 2014-09-16 Continental Automotive Systems, Inc Pressure sensing device with stepped cavity to minimize thermal noise
CN105174203B (zh) 2014-05-28 2016-09-28 无锡华润上华半导体有限公司 基于mems的传感器的制作方法
US11322464B2 (en) * 2019-10-01 2022-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Film structure for bond pad

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030162402A1 (en) * 2002-02-28 2003-08-28 Seung-Jin Song Method of through-etching substrate
DE102004050051A1 (de) * 2004-10-14 2006-04-27 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Durchgangslöchern
WO2007042336A2 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Stmicroelectronics S.R.L. Substrate-level assembly for an integrated device, manufacturing process thereof and related integrated device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10347215A1 (de) 2003-10-10 2005-05-12 Bosch Gmbh Robert Mikromechanischer Sensor
DE102004003413A1 (de) 2004-01-23 2005-08-11 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Verpacken von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
DE102007026450A1 (de) 2007-06-06 2008-12-11 Robert Bosch Gmbh Sensor mit Nut zur mechanischen Stress Reduzierung und Verfahren zur Herstellung des Sensors

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030162402A1 (en) * 2002-02-28 2003-08-28 Seung-Jin Song Method of through-etching substrate
DE102004050051A1 (de) * 2004-10-14 2006-04-27 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Durchgangslöchern
WO2007042336A2 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Stmicroelectronics S.R.L. Substrate-level assembly for an integrated device, manufacturing process thereof and related integrated device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109642842A (zh) * 2016-08-30 2019-04-16 霍尼韦尔国际公司 通过感测管芯设计实现过度力控制

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010060684A2 (de) 2010-06-03
DE102008044177A1 (de) 2010-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014102222A9 (fr) Procédé microélectronique de gravure d'une couche
WO2010065252A3 (en) Methods of fabricating substrates
WO2008085813A3 (en) Methods for nanopatterning and production of nanostructures
WO2009142391A3 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
WO2010060684A3 (de) Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements mit einer durchgehenden öffnung sowie mit dem verfahren hergestelltes bauelement bzw. dessen verwendung
EP2040521A3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Substrats
WO2006013137A3 (de) Verfahren zum ätzen einer sige-schicht auf einem substrat
WO2009137241A3 (en) Process for fabricating nanowire arrays
WO2011025149A3 (ko) 반도체 기판 제조 방법 및 발광 소자 제조 방법
WO2009024762A3 (en) Mems process and device
WO2009092361A3 (de) Mems-bauelement, verfahren zur herstellung eines mems-bauelements und verfahren zur handhabung eines mems-bauelements
WO2007117829A3 (en) Method for bonding a semiconductor substrate to a metal substrate
WO2012161451A3 (ko) 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법
WO2009002644A8 (en) Methods of making hierarchical articles
WO2010139342A8 (en) Lens and method for manufacturing same
WO2010096473A3 (en) Semiconductor chip with reinforcement layer
WO2013022753A3 (en) Semiconductor devices having fin structures and fabrication methods thereof
WO2008076812A3 (en) Methods for recess etching
WO2010027231A3 (ko) 리드 프레임 및 그 제조방법
TW201129497A (en) silicon substrate having nanostructures and method for producing the same and application thereof
WO2008148654A3 (de) Elektrische kontaktierung für ein mikromechanisches bauelement
WO2013061298A3 (en) Pre-collapsed capacitive micro-machined transducer cell with stress layer
WO2012143467A3 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle
WO2008139745A1 (ja) 表示デバイスの製造方法及び表示デバイス
WO2007144677A8 (en) Cmos integrated process for fabricating monocrystalline silicon micromechanical elements by porous silicon micromachining and sensor chip comprising such element

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09740876

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09740876

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2