DE102004050051A1

DE102004050051A1 - Verfahren zur Herstellung von Durchgangslöchern

Info

Publication number: DE102004050051A1
Application number: DE200410050051
Authority: DE
Inventors: Matthias Fuertsch; Hubert Benzel; Stefan Finkbeiner; Franz Laermer; Andrea Urban; Stefan Weiss; Axel Kaschner; Tjalf Pirk
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2004-10-14
Filing date: 2004-10-14
Publication date: 2006-04-27

Abstract

Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung von wenigstens einem Durchgangsloch in einem Siliziumwafer. Der Kern der Erfindung besteht darin, dass in einem ersten Verfahrensschritt, von einer ersten Seite des Wafers (10) aus, eine erste Ausnehmung (12) in dem Wafer (10) erzeugt wird, und in einem zweiten Verfahrensschritt, von einer zweiten Seite des Wafers (10) aus, eine zweite Ausnehmung (15, 25) in dem Wafer (10) erzeugt wird. Dabei werden die erste Ausnehmung (12) und die zweite Ausnehmung (15, 25) derart erzeugt, dass sie zusammen eine Durchgangsöffnung (16, 26) zwischen der ersten und zweiten Seite des Siliziumwafers (10) bilden.

Description

Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung von wenigstens einem Durchgangsloch in einem Siliziumwafer.
Das Erzeugen von Löchern mit einem Durchmesser von einigen Mikrometern bis zu einigen Hundert Mikrometern und hohem Aspektverhältnis, die durch den gesamten Siliziumwafer hindurchgehen, ist von großem technologischen Interesse. Mögliche Produktanwendungen sind beispielsweise Dispensierköpfe zur Applikation von biologischen Flüssigkeiten oder Tintenstrahlköpfe für Drucker. Mit solchen Dispensierköpfen ist es möglich, von einem Reservoir auf der Rückseite durch Ausüben eines bestimmten Drucks eine spezifizierte Flüssigkeitsmenge sehr genau zu dosieren.

Die Herstellung von Durchgangslöchern in Siliziumwafern kann z. B. durch Laserablation erfolgen. Dies ist einerseits ein serieller Prozess, bei dem einzelne Löcher nacheinander hergestellt werden und der bei einer großen Anzahl von Löchern pro Chip bzw. Wafer möglicherweise sehr zeitintensiv ist. Andererseits kann die Fabrikation von Düsen, die sich topografisch von der Waferoberfläche abheben, nur mit einem Ätzprozess erreicht werden. Eine Möglichkeit zur Erzeugung von Durchgangslöchern in Siliziumwafern durch Erzeugung von makroporösem Silizium wird von A. Nichelatti et al. in „ Realization of a High Aspect Ratio Interconnections Based on Macroporous Silicon", 16th European Conference on Solid-State Transducers, September 15-18, 2002, Prague, Czech Republic beschrieben. Der zeitintensive Prozess, bei dem nach ca. 6h Dauer eine maximale Tiefe von 250-300 μm erreicht wird, lässt eine großtechnische Anwendung nur bedingt attraktiv erscheinen. Ziel des beschriebenen Prozesses ist auch eher die Herstellung von elektrisch leitfähigen Verbindungen mittels nachfolgender Kupferbeschichtung und nicht die Erzeugung offener Durchgangslöcher, beispielsweise für mikrofluidische Verbindungen.

Vorteile der Erfindung

Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung von wenigstens einem Durchgangsloch in einem Siliziumwafer. Der Kern der Erfindung besteht darin, dass in einem ersten Verfahrensschritt, von einer ersten Seite des Wafers aus, eine erste Ausnehmung in dem Wafer erzeugt wird, und in einem zweiten Verfahrensschritt, von einer zweiten Seite des Wafers aus, eine zweite Ausnehmung in dem Wafer erzeugt wird. Dabei werden die erste und die zweite Ausnehmung derart erzeugt, dass sie zusammen eine Durchgangsöffnung zwischen der ersten und zweiten Seite des Siliziumwafers bilden. Vorteilhaft ist hierbei, dass in den beiden Verfahrensschritten jeweils nur Material für einen Teil der gesamten Tiefe des Durchgangsloches abgetragen werden muss. Vorteilhaft ist weiterhin, dass bei wenig gerichteten Herstellungsverfahren ein Durchgangsloch mit dennoch hohem Aspektverhältnis (Seitenverhältnis der Tiefe des Loches zum Durchmesser) erzeugt werden kann, indem von beiden Seiten des geplanten Durchgangsloches her eine Ausnehmung hergestellt wird. Wenig gerichtete Herstellungsverfahren sind beispielsweise Ätzverfahren, die mehr oder weniger isotrop, also in alle möglichen Raumrichtungen Material abtragen. Anisotropes Ätzen oder Laserablation bewirken einen Materialabtrag, der bevorzugt in einer bestimmten Raumrichtung erfolgt. Hierbei handelt es sich also um stark gerichtete Herstellungsverfahren.

Besonders vorteilhaft ist, dass wenigstens eine der Ausnehmungen mittels Ätzen, insbesondere mittels eines Si-DRIE Verfahrens erzeugt wird. Vorteilhaft ist hierbei, dass mittels Ätzen eine oder mehrere Ausnehmungen in nahezu beliebiger Anordnung gleichzeitig hergestellt werden können. Weiterhin können durch Ätzen leicht Ausnehmungen mit einem vorgewählten Querschnittsprofil hergestellt werden. Das DRIE Verfahren ermöglicht es, anisotrop mit einem großen Seitenverhältnis die Ausnehmung bevorzugt in Richtung des geplanten Durchgangslochs in den Wafer hineinzuätzen.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung sieht vor, dass die erste und die zweite Ausnehmung von einander gegenüberliegenden Seiten her in den Siliziumwafer hinein erzeugt werden. Hierdurch können vorteilhaft Durchgangslöcher quer durch den Wafer von einer zur anderen Hauptseite hergestellt werden. Außerdem können so gerade Durchführungen hergestellt werden, die auch über die Länge unterschiedliche Durchmesser aufweisen können.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung sieht vor, dass die erste und die zweite Ausnehmung in irgendeinem beliebigen Winkel zueinander und von beliebig angeordneten Seiten her in den Siliziumwafer hinein erzeugt werden. Hierdurch kann das Durchgangsloch beispielsweise schräg den Siliziumwafer durchqueren oder auch in seinem Verlauf selbst eine Richtungsänderung aufweisen, also winkelig ausgestaltet werden. Auch können die Ausnehmungen mehr oder weniger trichterförmig ausgebildet sein, also mehr oder weniger schräge Seitenwände aufweisen.

Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die erste Ausnehmung bis in eine bestimmte Tiefe in dem Wafer erzeugt wird, wenigstens auf Teilen der Oberfläche der ersten Ausnehmung eine Ätzstoppschicht erzeugt wird, die zweite Ausnehmung bis zur Ätzstoppschicht in dem Wafer erzeugt wird und die Ätzstoppschicht entfernt wird.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, das Verfahren mit den folgenden Verfahrensschritten durchzuführen:

– Bereitstellen eines Siliziumwafers,
– Erzeugen einer ersten Maske auf einer ersten Seite des Siliziumwafers,
– Strukturieren einer ersten Ausnehmung mit einer durch die erste Maske vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren,
– Abscheidung einer Ätzstoppschicht auf der ersten Ausnehmung und auf der ersten Maske,
– Erzeugen einer zweiten Maske auf einer zweiten Seite des Siliziumwafers,
– Strukturieren einer zweiten Ausnehmung mit einer durch die zweite Maske vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren bis zum Erreichen der Ätzstoppschicht,
– Entfernen der Ätzstoppschicht.

Mit diesem zweistufigen Ätzprozess kann vorteilhaft eine Vielzahl einfacher Durchgangslöcher in kurzer Zeit hergestellt werden.

Eine andere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, das Verfahren mit den folgenden Verfahrensschritten durchzuführen:

– Bereitstellen eines Siliziumwafers,
– Erzeugen einer ersten Maske auf einer ersten Seite des Siliziumwafers,
– Strukturieren einer ersten Ausnehmung mit einer durch die erste Maske vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren,
– Erzeugen einer zweiten Maske auf einer zweiten Seite des Siliziumwafers,
– Erzeugen einer dritten Maske auf der zweiten Seite des Siliziumwafers und auf der zweiten Maske,
– Strukturieren einer zweiten Ausnehmung mit einer durch die zweite Maske vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren bis zum Erreichen einer bestimmten Tiefe,
– Entfernen der dritten Maske,
– Abscheidung einer Ätzstoppschicht auf der ersten Ausnehmung und auf der ersten Maske,
– weiteres Strukturieren der zweiten Ausnehmung mit der durch die zweite Maske vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren bis zum Erreichen der Ätzstoppschicht und Strukturieren der zweiten Seite des Wafers insgesamt mittels Si-DRIE Verfahren bis in eine bestimmte Tiefe,
– Entfernen der Ätzstoppschicht.

Mit diesem dreistufigen Ätzprozess können vorteilhaft Durchgangslöcher in Form von Düsen hergestellt werden.

Die Anwendung des Silizium-DRIE Verfahrens für die Herstellung der Ausnehmungen und das Vorsehen einer Ätzstoppschicht zwischen den Ausnehmungen bieten besondere Vorteile bei der Herstellung der Durchgangslöcher. Der mehrstufige Ätzprozess, insbesondere das Silizium-DRIE Verfahren gestattet es, alle Durchgangslöcher im Wafer simultan zu erzeugen und ermöglicht damit die Großserienfertigung von perforierten Chips. Eine weitere Ausgestaltung dieser Idee stellt ein dreistufiger Prozess dar, mit welchem nicht nur Durchgangslöcher, sondern auch Düsen hergestellt werden können. Die Ätzstoppschicht dichtet beim zweiten Ätzschritt die Prozesskammer gegenüber dem Helium-Gaspolster zur Rückseitenkühlung des Wafers ab. Ein einstufiger Prozess, mit welchem die Perforierung des Wafers schon im ersten Schritt vollständig erreicht wird, wäre bei Hochratentrenchanlagen nur möglich, wenn eine Rückseitenpassivierung gefunden wird, die eine Waferklemmung gestattet und dabei stabil genug ist, dass sie dem Heliumrückseitendruck zur Waferkühlung standhalten kann, und beim Abheben des Wafers von der Waferklemmung nicht beschädigt wird oder gar teilweise abreißt. Sobald das erste Loch geöffnet ist, würde Helium, das zur Kühlung der Waferrückseite vorzugsweise eingesetzt wird, in den plasmagefüllten Prozessraum strömen. Der Kühlmittelverlust beeinträchtigt die Prozesssicherheit und führt außerdem in der Regel zu einem automatischen Prozessabbruch an der Anlage. Im vorgestellten erfindungsgemäßen Verfahren wird hingegen der Heliumdurchbruch durch die Ätzstoppschicht verhindert, sofern diese durch eine ausreichende Dicke der Schicht, durch Zugspannung oder durch eine nur geringe Druckspannung in der Schicht, oder auch sonstige denkbare konstruktive Ausgestaltung der Schicht dem Heliumrückseitendruck von ca. 10-20 Millibar standhalten kann.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

Zeichnung
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
1 zeigt schematisch die erfindungsgemäße Herstellung eines Durchgangslochs in einem Siliziumwafer.
2 zeigt schematisch die erfindungsgemäße Herstellung eines Durchgangslochs in Form einer Düse in einem Siliziumwafer.
Beschreibung von Ausführungsbeispielen
Anhand der im folgenden beschriebenen Ausführungsformen soll die Erfindung detailliert dargestellt werden.
1 zeigt schematisch die erfindungsgemäße Herstellung eines Durchgangslochs in einem Siliziumwafer. Der Prozess ist ebenso für die gleichzeitige Herstellung einer Vielzahl von Durchgangslöchern in einem Wafer geeignet. In den 1A-F ist schematisch die Prozessabfolge gezeigt. 1A zeigt das Bereitstellen eines Siliziumwafers 10 und das Aufbringen einer ersten Maske 11. Dabei kann beispielsweise Fotolack, oder eine sogenannte „hard mask" oder Kombinationen von beiden verwendet werden. Anschließend erfolgt gemäß 1B die Strukturierung einer ersten Ausnehmung 12 in einem Tiefentrenchschritt. Dazu wird in diesem Beispiel das Si- DRIE Verfahren verwendet (DRIE, engl. deep reactive ion etch, Ionen-Trockenätzverfahren). Die Ätztiefe beträgt zwischen einigen 10 μm bis zu einigen hundert μm. Im nächsten Schritt wird auf der ersten Seite des Wafers, insbesondere auf der Oberfläche der ersten Ausnehmung 12, eine Ätzstoppschicht 13 abgeschieden, wie in 1C gezeigt. Dies kann insbesondere eine elektrisch leitfähige Ätzstoppschicht 13 sein. Eine elektrisch leitfähige Ätzstoppschicht 13 weist den besonderen Vorteil auf, dass an der Grenzfläche keine elektrischen Aufladungen mit Taschenbildung im Silizium auftreten können, so dass sich besondere Maßnahmen zur Taschenunterdrückung erübrigen. Als Materialien für die Ätzstoppschicht 13 können beispielsweise Aluminium, aber auch ein PECVD-Oxid oder Kombinationen aus beiden Materialien verwendet werden. Die Ätzstoppschicht 13 soll insbesondere den Boden der ersten Ausnehmung 12 bedecken. Trotz der großen möglichen Aspektverhältnisse muss sichergestellt werden, dass die Ätzstoppschicht 13 am Boden des Ätzloches 12 genügend dick ist, um einen Helium-Durchbruch beim zweiten Ätzschritt zu verhindern. Dabei muss die Spannung, vorzugsweise eine Zugspannung (tensile Spannung) des aufzubringenden Films so eingestellt sein, dass die später freigelegte Membran nicht reißt. Anschließend erfolgt eine Maskierung der zweiten Seite des Wafers wie in 1D gezeigt. Das Erzeugen der zweiten Maske 14 erfordert eine Rückseitenjustage, weil die Lage dieser zweiten Maske 14 in Bezug auf die erste Maske 11 die Lage der Ausnehmungen und somit die spätere Lage und Gestalt des fertigen Durchgangslochs bestimmt. Danach erfolgt gemäß 1E ein zweiter Ätzschritt, insbesondere mittels Tieftrenchen, welcher auf der Ätzstoppschicht 13 endet. Hierdurch wird eine zweite Ausnehmung 15 erzeugt. 1F zeigt den Wafer 10 mit einem vollendeten Durchgangsloch 16. Dies wird hergestellt, indem in abschließenden Prozessschritten die Ätzstoppschicht 13 und wahlweise keine, eine oder beide Masken 11, 14 mit Nass- oder Trockenätzverfahren entfernt werden.
Zusammenfassend beschreibt die vorstehende Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens einen zweistufige Silizium-DRIE Prozess. Von der Vorder- bzw. Rückseite des Wafers 10 werden Löcher bestimmter Tiefe, die nicht durch den gesamten Wafer 10 hindurchgehen, nämlich die erste Ausnehmung 12 geätzt. Danach wird eine Ätzstopschicht 13 abgeschieden, die insbesondere auch den Boden des Loches, also der Ausnehmung 12 bedeckt. Anschließend werden Löcher von der anderen Seite des Wafers geätzt, nämlich die zweite Ausnehmung 15. Für eine geradlinige Durchführung sind die zweiten Löcher zu den erstgeätzten Löchern zentriert. Der zweite Ätzschritt endet auf der Ätzstopschicht 13. Als Ätzstop können Schichten aus SiO₂, Si₃N₄, Al usw. mit geeigneten Spannungszuständen (vorzugsweise Zugspannung – tensiler Stress) dienen. Eine Zugspannung in der Schicht ist vorteilhaft, da andernfalls die beim darauffolgenden Ätzprozess freigelegten Membranen ausbuckeln und dabei mit hoher Wahrscheinlichkeit zerstört würden. Durch Einsatz von gering verspannten oder zugverspannten oder von duktilen Schichten (Z.B. Metallschichten) ist es möglich, einen Ätzstopp zu garantieren, der auch einem evtl. anliegenden Heliumrückseitendruck zur thermischen Anbindung des Wafers an die Substratelektrode standhält und damit die im Plasmaätzschritt erforderliche Waferkühlung zu gewährleisten vermag. Nach Entfernung derselben in einem gesonderten Prozessschritt, z. B. durch Nassätzverfahren in wässriger Flusssäure oder HF-Dampf, ist der Wafer mit Durchgangslöchern perforiert.
2 zeigt schematisch die erfindungsgemäße Herstellung eines Durchgangslochs in Form einer Düse in einem Siliziumwafer. Der Prozess ist ebenso für die gleichzeitige Herstellung einer Vielzahl von Durchgangslöchern in einem Wafer geeignet. In den 2A-H ist schematisch die Prozessabfolge gezeigt. Der im wesentlichen dreistufige Ätzprozess unterscheidet sich in den ersten beiden Schritten nicht von der oben gezeigten Ausführungsform. 2A zeigt das Bereitstellen eines Siliziumwafers 10 und das Aufbringen einer ersten Maske 11. Anschließend erfolgt gemäß 2B die Strukturierung einer ersten Ausnehmung 12 in einem Tiefentrenchschritt. Dazu wird in diesem Beispiel wieder das Si- DRIE Verfahren verwendet. Die Strukturierung der ersten Ausnehmung 12 erfolgt mit der durch die erste Maske 11 vorgegebenen Form. Danach wird, wie in 2C dargestellt, eine zweiten Maske 24 beispielsweise von Siliziumoxid oder Siliziumnitrid auf einer zweiten Seite des Siliziumwafers 10 erzeugt. Die zweite Maske 24 hat hier ringförmige Gestalt und dient später zur Strukturierung der Düse. Andere Gestaltungsformen der Maske sind jedoch ebenso möglich. In 2D ist dargestellt, wie im nächsten Prozessschritt eine dritte Maske 27, beispielsweise bestehend aus Siliziumnitrid oder Fotolack, auf der zweiten Seite des Siliziumwafers 10 und auf der zweiten Maske 24 erzeugt wird. Die dritte Maske 27 soll später selektiv zur zweiten Maske 24 entfernbar sein. Dementsprechend sind die Materialien dieser beiden Masken aufeinander abgestimmt zu wählen. Durch die dritte Maske 27 wird der äußere Teil der zweiten Seite des Wafers 10 geschützt. Danach wird gemäß der 2E eine zweite Ausnehmung 25 mit einer durch die zweite Maske 24 und die dritte Maske 27 vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren in den Wafer 10 hineinstrukturiert. Die Ausnehmung wird noch nicht bis zur vollständigen Erzeugung eines Durchgangsloches eingebracht, sondern reicht vorerst nur bis in eine bestimmte Tiefe. Anschließend wird die dritte Maske 27 selektiv zur zweiten Maske 24 entfernt. Danach erfolgt die Abscheidung einer Ätzstoppschicht 13 auf der ersten Ausnehmung 12 und auf der ersten Maske 11, wie in 2F gezeigt ist. Anschließend wird in einem dritten Ätzschritt die zweite Ausnehmung 25 mit der durch die zweite Maske 24 vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren weiter strukturiert bis zum Erreichen der Ätzstoppschicht 13. Außerdem wird in diesem Schritt auch die zweite Seite des Wafers 10 insgesamt mittels Si-DRIE Verfahren bis in eine bestimmte Tiefe 28 geätzt, wodurch eine Düse herausstrukturiert wird. Dieser dritte Ätzschritt ist in 2G gezeigt. Abschließend erfolgt das Entfernen der Ätzstoppschicht 13. Wahlweise können auch eine oder beide der ersten und zweiten Maske 11, 24 entfernt werden. 2H zeigt den Wafer 10 mit fertiger düsenförmiger Durchgangsöffnung 26.
Es sind daneben auch weitere Ausführungsbeispiele denkbar.

Claims

Verfahren zur Herstellung von wenigstens einem Durchgangsloch (16, 26) in einem Siliziumwafer (10), dadurch gekennzeichnet dass, – in einem ersten Verfahrensschritt, von einer ersten Seite des Wafers (10) aus, eine erste Ausnehmung (12) in dem Wafer (10) erzeugt wird, und – in einem zweiten Verfahrensschritt, von einer zweiten Seite des Wafers (10) aus, eine zweite Ausnehmung (15, 25) in dem Wafer erzeugt wird, – wobei die erste Ausnehmung (12) und die zweite Ausnehmung (15, 25) derart erzeugt werden, dass sie zusammen eine Durchgangsöffnung (16, 26) zwischen der ersten und der zweiten Seite des Siliziumwafers (10) bilden.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine der Ausnehmungen (12, 15, 25) mittels Ätzen, insbesondere mittels eines Si-DRIE Verfahrens erzeugt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Ausnehmung (12) und die zweite Ausnehmung (15, 25) von einander gegenüberliegenden Seiten her in den Siliziumwafer (10) hinein erzeugt werden.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Ausnehmung (12) und die zweite Ausnehmung (15, 25) in irgendeinem beliebigen Winkel zueinander und von beliebig angeordneten Seiten her in den Siliziumwafer (10) hinein erzeugt werden.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – die erste Ausnehmung (12) bis in eine bestimmte Tiefe in dem Wafer (10) erzeugt wird, – wenigstens auf Teilen der Oberfläche der ersten Ausnehmung (12) eine Ätzstoppschicht (13) erzeugt wird, – die zweite Ausnehmung (15, 25) bis zur Ätzstoppschicht (13) in dem Wafer 10) erzeugt wird, – und die Ätzstoppschicht (13) entfernt wird.
Verfahren nach Anspruch 1 mit den Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Siliziumwafers (10), – Erzeugen einer ersten Maske (11) auf einer ersten Seite des Siliziumwafers (10), – Strukturieren einer ersten Ausnehmung (12) mit einer durch die erste Maske (11) vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren, – Abscheidung einer Ätzstoppschicht (13) auf der ersten Ausnehmung (12) und auf der ersten Maske (11), – Erzeugen einer zweiten Maske (14) auf einer zweiten Seite des Siliziumwafers (10), – Strukturieren einer zweiten Ausnehmung (15) mit einer durch die zweite Maske (14) vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren bis zum Erreichen der Ätzstoppschicht (13), – Entfernen der Ätzstoppschicht (13).
Verfahren nach Anspruch 1 mit den Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Siliziumwafers (10), – Erzeugen einer ersten Maske (11) auf einer ersten Seite des Siliziumwafers (10), – Strukturieren einer ersten Ausnehmung (12) mit einer durch die erste Maske (11) vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren, – Erzeugen einer zweiten Maske (24) auf einer zweiten Seite des Siliziumwafers (10), – Erzeugen einer dritten Maske (27) auf der zweiten Seite des Siliziumwafers (10) und auf der zweiten Maske (24), – Strukturieren einer zweiten Ausnehmung (25) mit einer durch die zweite Maske (24) und die dritte Maske (27) vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren bis zum Erreichen einer bestimmten Tiefe (28), – Entfernen der dritten Maske (27), – Abscheidung einer Ätzstoppschicht (13) auf der ersten Ausnehmung (12) und auf der ersten Maske (11), – weiteres Strukturieren der zweiten Ausnehmung (25) mit der durch die zweite Maske vorgegebenen Form mittels Si-DRIE Verfahren bis zum Erreichen der Ätzstoppschicht (13) und Strukturieren der zweiten Seite des Wafers (10) insgesamt mittels Si-DRIE Verfahren bis in eine bestimmte Tiefe (28), – Entfernen der Ätzstoppschicht (13).