WO2009140709A2 - Verfahren zur herstellung einer leiterplatte sowie verwendung und leiterplatte - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a method for fixing a component to or in a printed circuit board and / or for connecting individual elements of a printed circuit board, as well as to a use of such a method and to a printed circuit board.
  • wire bonding by supplying ultrasound, heat and pressure, a wire formed, for example, of gold or aluminum is connected to a contact pad or a contact point of an electronic component and then to a contact surface to be connected thereto or to a region to be connected to a printed circuit board drawn, where the process of a connection or a bonding, for example by ultrasound, heat and / or pressure is repeated.
  • the main drawbacks are a sequential sequence of production of the individual compounds, so that no parallel Leler process can be performed and in particular each contact or each area to be contacted must be made separately, so that the overall result is a complicated process.
  • soldering process for example, after an application of Lötpastendepots an arrangement of components or interconnected elements or portions of a circuit board on the arranged Lötpastendepots or -stellen made, followed by heating of the entire assembly, which for example from the components and a Carrier of a part of a printed circuit board to be connected therewith, in a so-called reflow oven, a connection is made by melting the solder paste.
  • lead-free solders being duly at least temporarily temperatures over 240 0 C, in particular above 265 0 C necessary, this being a corresponding burden on the printed circuit board or for to be connected to the component sections of the circuit board and respectively to a solution of individual circuit board layers Delamination can result.
  • the present invention therefore aims, starting from a method of the type mentioned above, the disadvantages mentioned above with regard to the problems of maintaining a proper contacting or fixing a component on or in a printed circuit board and / or connection of individual elements of a To avoid printed circuit board and in particular a resistant and improved or increased tensile strength having connection or fixing at least one component on or in a printed circuit board and / or between individual elements of a printed circuit board and a printed circuit board with a improved adhesion of individual components and / or subregions to provide.
  • a method of the type mentioned above is essentially characterized in that to be joined or juxtaposed areas of a component and / or a circuit board are each provided with at least one solder layer, that the solder layers are contacted with each other and using compared to ambient conditions increased pressure and elevated temperature to form an intermetallic diffusion layer are interconnected.
  • solder layers are contacted with each other and under application of increased pressure and elevated temperature under ambient conditions
  • Forming an intermetallic diffusion layer can be connected to one another or to one another, forming a proper and high-strength connection between the components to be connected to one another or to one another while forming alloys or connections between the adjacent or contacted solder layers. or elements of a printed circuit board, wherein, compared to known methods, increased tensile strengths and improved resistance to destruction, in particular during use, for example be achieved under changing temperature conditions or -bean- sprays.
  • an approximation or vote for example, the thermal expansion coefficients of the materials used can be achieved so that even with fluctuating temperature stresses by adjusting or equalizing the expansion coefficients of the materials used for connection a strong improvement in resistance against deterioration or destruction of the connection can be achieved.
  • a diffusion soldering or Schmelzdiffusionslötvons under application of environmental conditions elevated pressure and elevated temperature to form the intermetallic diffusion layer diffuses the materials or components of the contacted solder layers together, so that a high-strength compound by the diffusion of the solder layers into each other or with each other is achievable.
  • intermetallic phases or alloys may occur between the materials used to form the intermetallic diffusion layer, it being understood that such diffusion of materials into one another occurs at temperatures well below the melting temperatures of those used for the solder layers, respectively Raw materials, as will be discussed in more detail below.
  • the method according to the invention it is proposed to carry out the diffusion soldering process under conditions of pressure and temperature which can also be exposed without impairment to subregions of a printed circuit board and to achieve a proper connection or definition by diffusion of the materials used for the respective solder layer or layers in that the at least one solder layer is formed from an electrically conductive metal selected from the group comprising silver, gold, nickel and copper and / or tin, indium and bismuth.
  • the materials mentioned have a corresponding good or high electrical conductivity, which are required to achieve a proper contact between the areas or contact points of a component and / or printed circuit board to be joined together, and moreover ensure that, in particular, at a comparatively low temperature If a corresponding pressure is used for a corresponding period of time, a reliable intermetallic connection can be achieved between the solder layers of the components or elements to be joined together.
  • a barrier Layer is applied to the areas of a component and / or a printed circuit board to be joined or fixed to each other. This barrier layer prevents diffusion of the solder materials or of the elements of the resulting intermetallic compound or possibly resulting alloy into the region of the regions or contact points of the component and / or the printed circuit board to be connected to one another or to one another.
  • the barrier layer is formed from an electrically conductive metal selected from the group comprising nickel, iron or molybdenum and / or alloys containing nickel and / or iron.
  • two different solder layers are respectively applied to an area to be joined or fixed to each other.
  • an initiation or initiation of the diffusion process can be made specifically, while a progressive or more advanced compound under formation of an intermetallic diffusion layer controlled or controlled by providing a further solder layer can be achieved.
  • the different solder layers can be selected, for example, with regard to their melting temperature, for example, each one solder layer of a material of low melting temperature is set at the top of the areas to be joined, then followed by a solder layer of a material of higher melting temperature and optionally improved or
  • a eutectic alloy of the materials used for the solder layer is formed, which has a correspondingly high resistance to destruction of the compound and a correspondingly high and good electrical conductivity for the contacting to be achieved having.
  • each at least one solder layer in particular in connection with the production of a printed circuit board of low thickness or layer thickness is proposed according to a further preferred embodiment of the method according to the invention that the at least one solder layer and the barrier layer electrochemically or chemically deposited or applied.
  • the at least one solder layer and / or the barrier layer have a thickness of at least 5 nm, in particular at least 100 nm to at most 100 .mu.m, preferably taking into account the achievement of a corresponding, resistant connection or contacting not more than 20 microns.
  • Such layer thicknesses or thicknesses of the solder layer or solder layers and / or the barrier layer to be used are usually used in the production of printed circuit boards areas of a layer thickness of individual elements or layers of such a circuit board, so that the contacts to be produced in a simple Way can be integrated into such a circuit board.
  • soldering at a pressure of less than 300 bar, in particular less than 250 bar and at temperatures of less than 600 0th C, in particular between 150 0 C and 450 0 C is performed.
  • temperatures used for melt diffusion soldering it is immediately apparent that the soldering operation is carried out at temperatures which are in some cases considerably below the melting temperatures of the materials used for the formation of the solder layers.
  • the increased pressure and the elevated temperature for a Period of at least 10 minutes, in particular at least 20 minutes and at most 150 minutes, in particular at most 120 minutes applied or applied.
  • a plurality of compounds or definitions can be made simultaneously after the application of at least one solder layer and the contacting of the solder layers together, so that in contrast to known techniques, such as For example, a soldering or wire bonding, a parallel or simultaneous implementation of a connecting or fixing process for an optionally very large number of interconnected or to be determined together areas, in particular contact points can be done.
  • the method according to the invention can be used particularly preferably for the assembly of electronic components or components on or in a printed circuit board, such components or components being active or passive components, individual components or assemblies.
  • the method according to the invention can preferably be used or used for connecting printed circuit board segments or elements, in particular for producing a rigidly flexible printed circuit board.
  • Another preferred application or field of application of the method according to the invention is in the production or training of heat dissipation elements in or on a printed circuit board, wherein by arranging solder layers of corresponding materials such heat-dissipating elements, for example, simultaneously with a preparation of a compound or down Components can be made on or in a circuit board or a connection of individual elements of a circuit board with each other.
  • a printed circuit board for solving the above-mentioned objects, which is characterized essentially by the fact that together connecting or juxtaposed areas of a component and / or a printed circuit board are each provided with at least one solder layer, that the solder layers are contactable with each other and under application of ambient conditions elevated pressure and elevated temperature with formation of an intermetallic diffusion layer are interconnected.
  • the formation of an intermetallic diffusion layer between regions to be connected or contacted, for example contact points thus makes it possible to provide a printed circuit board in which components or elements to be connected to one another are fixed or connected to one another, which ensures high reliability of the connection produced or contacting have.
  • FIG. 1A shows, on an enlarged scale, a detailed view of the portion A of FIG. 1;
  • FIG. 2 shows, in a representation similar to FIG. 1, a partial view of the printed circuit board with splices for a tempo-rare positioning of the component to be connected to the printed circuit board;
  • FIG. FIG. 3 shows the component arranged on the printed circuit board with the intermediary of the adhesive applied according to FIG. 2 before the melt diffusion method is carried out;
  • FIG. 4 shows the component fixed to the printed circuit board after the melt diffusion process has been carried out, forming an intermetallic diffusion layer between the solder layers;
  • Fig. 5 in a similar to Fig. 1 representation with each other to be joined elements of a particular rigid-flexible circuit board before the connection with each other and after application of a solder layer on the areas to be joined together.
  • FIGS. 1 to 4 show different method steps in carrying out the method for fixing a component on or in a printed circuit board.
  • FIG. 1 shows that a barrier layer 3 is arranged on this copper layer 2 on a printed circuit board generally designated 1 in the area of contact points each formed by 2, which are formed for example from a copper layer, followed by two layers 4 and 5 are arranged or applied from mutually different solder material.
  • the individual layers 7 to 10 are shown slightly separated from one another in the illustration according to FIG. 1A for clarification, with such a separation serving merely to simplify the clarity of the drawing.
  • the thicknesses of the individual layers 7 to 10 are merely exemplary and not true to scale, with details of usable, possible ranges of layer thicknesses being discussed in greater detail below.
  • the areas of the contact points 2 of the printed circuit board 1 are also formed, so that it can be assumed that in the embodiment shown in FIG. 1, for example, the layers or contact points 2 and 7 are each made of copper are formed, followed by barrier layers 3 and 8 are applied, for example, nickel or are.
  • barrier layers 3 and 8 are applied, for example, nickel or are.
  • the application of the layers 3, 4 and 5 or 8, 9 and 10 can be carried out by an electrochemical or chemical deposition or application.
  • an arrangement or application of the barrier layer 3 and the at least one solder layer 4 and 5 in the region of the contact points 2 on the circuit board 1 takes place, as shown in Fig. 2, an arrangement or application of splices or layers 11, about which, as shown in FIG. 3, subsequently has a temporary fixing or arrangement of the component 6, wherein it can be seen from FIG. 3 that contacting of the solder layers with one another takes place in such a way, in particular the layers 5 and 10, which face each other, directly contact each other.
  • an intermetallic diffusion layer 12 is formed, wherein in the case of using silver for the layers 3 and 9 and tin for the layers 5 and 10, this diffusion layer 12 is formed by a eutectic silver-tin alloy which, for example, compared to known connections between contact points of a component 6 and a printed circuit board 1 increased tensile strength of, for example, greater than 1000 N. / mm 2 .
  • the thickness of the barrier layers or barrier layers 3 and 8 is hiebei example, between 100 nm to 20 microns.
  • the thickness of the solder layers 4 and 5 and 9 and 10 is in a range of about 100 nm to at most 100 microns.
  • an application of environmental conditions elevated pressure and elevated temperature wherein for the materials selected in FIGS. 1 to 4 are selected for a period of, for example, at least 15 minutes, in particular about 20 to 120 minutes, wherein a pressure of less than 250 bar and in particular depending on the material used for the printed circuit board 1 as well the component 6 temperatures between 150 0 C and 450 0 C are selected, and this may optionally also be referred to as soft soldering.
  • nickel for the barrier layer 3 or 8
  • iron or molybdenum and / or nickel and / or iron-containing alloys may be used.
  • solder layers 4 and 5 in particular materials or metals with different melting point can be used, wherein the adjoining layers 5 and 10 are formed of a metal lower melting point and thus higher melting, while, for example, the layers 4th and 9 of materials, and in particular metals of, for example, generally increased conductivity, such as gold or copper instead of silver.
  • contact points 16 are arranged or indicated, wherein a solder layer 17 is respectively arranged or applied on the contact points 16, which in turn are formed from copper , Similarly, in the region of contact points 18, which in turn may be formed from copper, in each case a solder layer 19 is disposed on the flexible element.
  • splices 20 are provided.
  • solder layers 17 and 19 After the application of the solder layers 17 and 19, respectively, similar to the embodiment according to FIGS. 1 to 4, a contacting of the solder layers 17, 19, which in turn under application of environmental conditions increased pressure and elevated temperature, an intermetallic diffusion tion layer in the region of the solder layers 17 and 19 is formed, resulting in a high-strength and correspondingly resistant connection of the rigid portions 13th and 14 leads to the flexible portion 15 to form a plurality of connection or contact points.
  • the flexible element 15 consists hiebei example, of a flexible core 21, over which a prepreg 22 is arranged with conductor tracks or contacts 23, wherein moreover a shielding layer is indicated by 24.

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Abstract

Bei einem Verfahren zur Festlegung einer Komponente (6) an bzw. in einer Leiterplatte (1) und/oder zur Verbindung von einzelnen Elementen einer Leiterplatte ist vorgesehen, daß miteinander zu verbindende bzw. aneinander festzulegende Bereiche einer Komponente (6) und/oder einer Leiterplatte (1) jeweils mit wenigstens einer Lotschicht (4, 5, 9, 10) versehen werden, daß die Lotschichten (4, 5, 9, 10) miteinander kontaktiert werden und unter Anwendung von gegenüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur unter Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht (12) untereinander verbunden werden, wodurch eine hochfeste Verbindung erzielbar ist. Darüber hinaus werden eine Verwendung eines derartigen Verfahrens sowie eine Leiterplatte (1) zur Verfügung gestellt.

Description

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEITERPLATTE SOWIE VERWENDUNG UND LEITERPLATTE
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Festlegung einer Komponente an bzw. in einer Leiterplatte und/oder zur Verbindung von einzelnen Elementen einer Leiterplatte, sowie auf eine Verwendung eines derartigen Verfahrens und auf eine Leiterplatte.
Im Zusammenhang mit der Herstellung einer Leiterplatte und insbesondere der Festlegung von Komponenten an bzw. in einer Leiterplatte und/oder zur Verbindung von einzelnen Elementen einer Leiterplatte beispielsweise bei der Herstellung einer starr- flexiblen Leiterplatte werden gemäß dem derzeitigen Stand der Technik hauptsächlich drei Verfahren angewandt, wobei hiebei insbesondere auf ein Drahtbonden, ein Löten und ein Kleben mit elektrisch leitenden bzw. leitfähigen Klebefolien bzw. Klebstoffen verwiesen werden kann. Bei der Herstellung von starr- flexiblen Leiterplatten sind darüber hinaus auch einen großen Raumbedarf aufweisende Steckersysteme bekannt.
Beim Drahtbonden wird durch Zufuhr von Ultraschall, Wärme und Druck ein beispielsweise aus Gold oder Aluminium gebil- deter Draht mit einem Kontaktpad bzw. einer Kontaktstelle einer elektronischen Komponente verbunden und dann auf eine damit zu verbindende Kontaktfläche bzw. einen damit zu verbindenden Bereich an einer Leiterplatte gezogen, wo der Vorgang einer Verbindung bzw. eines Bondens, beispielsweise durch Ultraschall, Wärme und/oder Druck wiederholt wird. Neben hohen Kosten eines derartigen Bondverfahrens liegen die Hauptnachteile in einer sequentiellen Abfolge einer Herstellung der einzelnen Verbindungen, so daß kein paral- leler Prozeß durchgeführt werden kann und insbesondere jeder Kontakt bzw. jeder zu kontaktierende Bereich getrennt hergestellt werden muß, so daß sich insgesamt ein aufwendiges Verfahren ergibt . Darüber hinaus tritt bedingt durch die Art der verwendeten Metalldrähte eine teilweise hohe thermische Belastung der zu verbindenden bzw. anzuschließenden Komponenten bzw. Elemente bei Temperaturen von beispielsweise bis zu etwa 300 0C und gegebenenfalls mehr auf, wobei darüber hinaus eine lediglich durchschnittliche und in vielen Fällen unzureichende Zugfestigkeit der Drahtverbindung erzielbar ist.
Bei einem Lötvorgang wird beispielsweise nach einer Aufbringung von Lötpastendepots eine Anordnung von Komponenten bzw. miteinander zu verbindenden Elementen oder Teilbereichen einer Leiterplatte auf den angeordneten Lötpastendepots bzw. -stellen vorgenommen, worauf anschließend durch eine Erwärmung der gesamten Baugruppe, welche beispielsweise aus den Komponenten und einem Träger eines damit zu verbindenden Teilbereichs einer Leiterplatte besteht, in einem sogenannten Reflow-Ofen eine Verbindung durch ein Aufschmelzen der Lötpaste vorgenommen wird. Vor allem bei bleifreien Loten sind hiezu zumindest kurzfristig Temperaturen über 240 0C, insbesondere über 265 0C nötig, wobei dies eine entsprechende Belastung für die Leiterplatte bzw. für mit den Komponenten zu verbindende Teilbereiche der Leiterplatte darstellt und zu einer Lösung von einzelnen Leiterplattenschichten bzw. Delamination führen kann.
Bei der Verwendung von elektrisch leitenden bzw. leit- fähigen Klebefolien bzw. Klebstoffen muß beispielsweise aufgrund der Wechselwirkung zwischen dem Füllstoffgehalt der elektrisch leitenden Bestandteile, welche für eine er- reichbare Leitfähigkeit relevant ist, und im Hinblick auf eine zu erzielende Haftfestigkeit ein Ausgleich gesucht werden, so daß üblicherweise lediglich eine begrenzte Leitfähigkeit erzielt werden kann, ohne die Klebeeigenschaft deutlich nachteilig zu beeinflussen. Darüber hinaus treten bei einer Erwärmung von verklebten Elementen, welche beispielsweise aus einer Komponente bzw. einer Mehrzahl von elektronischen Komponenten auf einer Leiterplatte bestehen, unterschiedlich starke Dimensionsänderungen in Abhängigkeit von den eingesetzten Materialien auf, wobei insbesondere teilweise starke Unterschiede in den Ausdehnungskoeffizienten von beispielsweise Keramiken, welche im Fall passiver Komponenten eingesetzt werden, Silizium im Fall aktiver Komponenten sowie der für die Klebefolien bzw. Klebstoffe eingesetzten Kunststoffe als auch beispielsweise Kupfer im Bereich von leitenden Kontaktstellen bzw. Pads oder Leiterbahnen der Leiterplatte auftreten, so daß dies bei Temperaturschwankungen bzw. Temperaturwechselbelastungen zu einer Beeinträchtigung und Zerstörung der Kontaktstellen bzw. Kontaktbereiche unter Vermittlung von leitenden Klebern bzw. Klebstoffen führen kann.
Die vorliegende Erfindung zielt daher darauf ab, ausgehend von einem Verfahren der eingangs genannten Art die oben ge- nannten Nachteile im Hinblick auf die Probleme einer Aufrechterhaltung einer ordnungsgemäßen Kontaktierung bzw. Festlegung einer Komponente an bzw. in einer Leiterplatte und/oder Verbindung einzelner Elemente einer Leiterplatte zu vermeiden und insbesondere eine widerstandsfähige und eine verbesserte bzw. erhöhte Zugfestigkeit aufweisende Verbindung bzw. Festlegung wenigstens einer Komponente an bzw. in einer Leiterplatte und/oder zwischen einzelnen Elementen einer Leiterplatte sowie eine Leiterplatte mit einer verbesserten Anhaftung einzelner Komponenten und/oder Teilbereiche zur Verfügung zu stellen.
Zur Lösung dieser Aufgaben ist ein Verfahren der eingangs genannten Art im wesentlichen dadurch gekennzeichnet, daß miteinander zu verbindende bzw. aneinander festzulegende Bereiche einer Komponente und/oder einer Leiterplatte jeweils mit wenigstens einer Lotschicht versehen werden, daß die Lotschichten miteinander kontaktiert werden und unter Anwendung von gegenüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur unter Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht untereinander verbunden werden. Da nach einem Aufbringen jeweils wenigstens einer Lot- schicht auf miteinander zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Bereichen einer Komponente und einer Leiterplatte bzw. von Teilbereichen bzw. -elementen einer Leiterplatte die Lotschichten miteinander kontaktiert und unter Anwendung von gegenüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur unter Ausbildung einer intermetal- lischen Diffusionsschicht untereinander bzw. miteinander verbunden werden, läßt sich unter Ausbildung von Legierungen bzw. Verbindungen zwischen den aneinander angrenzenden bzw. miteinander kontaktierten Lotschichten eine ordnungsgemäße und hochfeste Verbindung zwischen den miteinan- der zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Komponenten und/oder Elementen einer Leiterplatte sicherstellen, wobei gegenüber bekannten Verfahren erhöhte Zugfestigkeiten sowie eine verbesserte Widerstandsfähigkeit gegenüber einer Zerstörung insbesondere während eines Einsatzes beispiels- weise unter wechselnden Temperaturbedingungen bzw. -bean- spruchungen erzielbar sind. Durch die Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht zur Verbindung von miteinander zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Be- reichen, insbesondere Kontaktstellen einer Komponente sowie Elementen einer Leiterplatte kann eine Annäherung bzw. Abstimmung beispielsweise der thermischen Ausdehnungskoeffizienten der eingesetzten Materialien erzielt werden, so daß selbst bei schwankenden Temperaturbeanspruchungen durch eine Anpassung bzw. Vergleichmäßigung der Ausdehnungskoeffizienten der zur Verbindung herangezogenen Materialien eine starke Verbesserung der Widerstandsfähigkeit gegenüber einer Beeinträchtigung oder Zerstörung der Verbindung er- zielt werden kann. Darüber hinaus ist durch den Festle- gungs- bzw. Verbindungsvorgang sichergestellt, daß sowohl die anzuordnenden bzw. festzulegenden Komponenten als auch die Leiterplatte bzw. die zu kontaktierenden oder zu verbindenden Teilbereiche der Leiterplatte beispielsweise einer rigid-flex bzw. starr- flexiblen Leiterplatte einer gleichmäßigeren und insbesondere geringeren thermischen Belastung beispielsweise im Vergleich zu einem bekannten Lötoder Drahtbonden ausgesetzt sind. Durch Einsatz eines Diffusionslötverfahrens bzw. Schmelzdiffusionslötverfahrens unter Anwendung von gegenüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur zur Ausbildung der intermetallischen Diffusionsschicht erfolgt ein Diffundieren der Materialien bzw. Bestandteile der miteinander kontaktierten Lotschichten ineinander, so daß eine hochfeste Verbindung durch die Diffusion der Lotschichten ineinander bzw. miteinander erzielbar ist. Es können hiebei intermetallische Phasen oder Legierungen zwischen den zur Ausbildung der intermetallischen Diffusionsschicht eingesetzten Materialien auftreten bzw. erzeugt werden, wobei zu beachten ist, daß eine derartige Diffusion der Materialien ineinander bei Temperaturen auftritt, welche weit unterhalb der Schmelztemperaturen der für die Lotschichten jeweils eingesetzten Rohmaterialien liegen, wie dies nachfolgend im Detail noch näher erörtert werden wird.
Zur Durchführung des Diffusionslötverfahrens bei Druck- und Temperaturbedingungen, welchen auch Teilbereiche einer Leiterplatte ohne Beeinträchtigung aussetzbar sind und zur gleichzeitigen Erzielung einer ordnungsgemäßen Verbindung bzw. Festlegung durch Diffusion der für die jeweiligen Lotschicht bzw. Lotschichten herangezogenen Materialien wird gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgeschlagen, daß die wenigstens eine Lotschicht aus einem elektrisch leitenden Metall, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Silber, Gold, Nickel und Kupfer und/oder Zinn, Indium und Wismut gebildet wird. Die genannten Materialien weisen eine entsprechende gute bzw. hohe elektrische Leitfähigkeit auf, welche zur Erzielung einer ordnungsgemäßen Kontaktierung zwischen den miteinander zu verbindenden Bereichen bzw. Kontaktstellen einer Komponente und/oder Leiterplatte erforderlich sind, und stellen darüber hinaus sicher, daß insbesondere bei vergleichsweise niedriger Temperatur bei Einsatz eines entsprechenden Drucks für einen entsprechenden Zeitraum eine zuverlässige intermetallische Verbindung zwischen den Lot- schichten der miteinander zu verbindenden Komponenten bzw. Elementen erzielbar ist.
Um eine Diffusion der zur Ausbildung der intermetallischen Diffusionsschicht als Lotverbindung eingesetzten Materialien in die Kontaktstellen bzw. -bereiche der miteinander zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Komponenten oder Elemente zu verhindern, wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen, daß vor dem Aufbringen der wenigstens einen Lotschicht eine Barriere- Schicht auf den miteinander zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Bereichen einer Komponente und/oder einer Leiterplatte aufgebracht wird. Diese Barriereschicht verhindert eine Diffusion der Lotmaterialien bzw. der Elemente der entstehenden intermetallischen Verbindung oder gegebenenfalls entstehenden Legierung in den Bereich der miteinander zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Bereiche bzw. Kontaktstellen der Komponente und/oder der Leiterplatte.
Zur zuverlässigen Ausbildung einer Barriereschicht unter gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer ausreichenden Leitfähigkeit sowie einer zuverlässigen Verbindung mit den daran anschließenden Bereichen bzw. Kontaktstellen der mit- einander zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Komponenten und Elemente als auch der darüber hinaus anzuordnenden, wenigstens einen Lotschicht wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen, daß die Barriereschicht aus einem elektrisch leitenden Metall, aus- gewählt aus der Gruppe, umfassend Nickel, Eisen oder Molybdän und/oder Legierungen enthaltend Nickel und/oder Eisen gebildet wird.
Zur Unterstützung des Schmelzdiffusionsvorgangs zur Verbin- düng der miteinander zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Bereiche, insbesondere Kontaktstellen wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen, daß zwei unterschiedliche Lotschichten jeweils auf einen zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Bereich aufge- bracht werden. Durch Anordnung bzw. Aufbringung von zwei unterschiedlichen Lotschichten kann nach der Kontaktierung der miteinander zu verbindenden Bereiche durch entsprechende Auswahl der unmittelbar aneinander anliegenden Lotschichten beispielsweise eine Initiierung bzw. Einleitung des Diffusionsvorgangs gezielt vorgenommen werden, während eine fortschreitende bzw. weitergehende Verbindung unter Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht geregelt bzw. gesteuert durch Vorsehen einer weiteren Lot- schicht erzielbar ist. In diesem Zusammenhang können die unterschiedlichen Lotschichten beispielsweise im Hinblick auf ihre Schmelztemperatur gewählt werden, wobei beispielsweise jeweils eine Lotschicht eines Materials niedriger Schmelztemperatur an der Oberseite der miteinander zu verbindenden Bereiche festgelegt wird, woran anschließend eine Lotschicht aus einem Material höherer Schmelztemperatur und gegebenenfalls verbesserter bzw. erhöhter elektrischer Leitfähigkeit eingesetzt wird, so daß darüber hinaus wäh- rend des Diffusionsvorgangs beispielsweise eine eutektische Legierung der für die Lotschicht eingesetzten Materialien entsteht, welche eine entsprechend hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber einer Zerstörung der Verbindung und eine entsprechend hohe und gute elektrische Leitfähigkeit für die zu erzielende Kontaktierung aufweist.
Für eine besonders zuverlässige und einfache Aufbringung der jeweils wenigstens einen Lotschicht in mit insbesondere im Zusammenhang mit der Herstellung einer Leiterplatte ge- ringer Dicke bzw. Schichtstärke wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgeschlagen, daß die wenigstens eine Lotschicht und die Barriereschicht elektrochemisch oder chemisch abgeschieden bzw. aufgebracht werden.
Im Zusammenhang mit der Herstellung einer Leiterplatte, in welcher bei zunehmender Miniaturisierung derselben entsprechend geringe Schichtstärken der einzelnen Elemente zum Einsatz gelangen und unter Berücksichtigung einer Erzielung einer entsprechenden, widerstandsfähigen Verbindung bzw. Kontaktierung wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen, daß die wenigstens eine Lotschicht und/oder die Barriereschicht eine Dicke von wenigstens 5 nm, insbesondere wenigstens 100 nm bis höchstens 100 μm, vorzugsweise höchstens 20 μm aufweisen. Derartige Schicht- stärken bzw. -dicken der einzusetzenden LotSchicht bzw. Lotschichten und/oder der Barriereschicht liegen in üb- licher Weise bei der Herstellung von Leiterplatten eingesetzten Bereichen einer Schichtstärke einzelner Elemente bzw. Schichten einer derartigen Leiterplatte, so daß die herzustellenden Kontaktierungen in einfacher Weise in eine derartige Leiterplatte integriert werden können.
Zur Erzielung einer zuverlässigen Verbindung der miteinander zu kontaktierenden Bereiche oder Elemente unter Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen, daß der Lötvorgang bei einem Druck von weniger als 300 bar, insbesondere weniger als 250 bar und bei Temperaturen von weniger als 600 0C, insbesondere zwischen 150 0C und 450 0C durchgeführt wird. Insbesondere unter Berücksichtigung der für das Schmelzdiffusionslöten eingesetzten Temperaturen ist unmittelbar ersichtlich, daß der Lötvorgang bei Temperaturen vorgenommen wird, welche teilweise beträchtlich unter den Schmelztemperaturen der für die Ausbildung der Lotschichten eingesetzten Materialien liegen.
Zur Ausbildung der intermetallischen Diffusionsschicht während des Verbindungs- bzw. Festlegungsvorgangs wird gemäß einer weiters bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagen, daß der erhöhte Druck und die erhöhte Temperatur für einen Zeitraum von wenigstens 10 Minuten, insbesondere wenigstens 20 Minuten und höchstens 150 Minuten, insbesondere höchstens 120 Minuten aufgebracht bzw. angelegt werden.
Im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verbindungs- bzw. Festlegungsverfahren ist ergänzend darauf hinzuweisen, daß eine Vielzahl von Verbindungen bzw. Festlegungen gleichzeitig nach der Aufbringung jeweils wenigstens einer Lotschicht und der Kontaktierung der Lotschichten miteinander vorgenommen werden kann, so daß im Gegensatz zu bekannten Techniken, wie beispielsweise einem Löten oder Drahtbonden, eine parallele bzw. gleichzeitige Durchführung eines Verbindungs- bzw. Festlegungsvorgangs für eine gegebenenfalls überaus große Anzahl von miteinander zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Bereichen, insbesondere Kontaktstellen erfolgen kann.
Um eine gegebenenfalls erforderliche temporäre bzw. vorsorgliche Positionierung einer festzulegenden Komponente oder aneinander festzulegender Elemente einer Leiterplatte nach Aufbringung wenigstens einer Lotschicht und gegebenenfalls der Barriereschicht als auch Kontaktierung der Lot- schichten der miteinander zu verbindenden Elemente bzw. Komponenten sicherzustellen, wird gemäß einer weiters be- vorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgeschlagen, daß eine festzulegende Komponente oder aneinander festzulegende Elemente einer Leiterplatte temporär unter Verwendung einer Klebeschicht miteinander verbunden v/erden. Da die Festlegung über eine Verklebung lediglich für eine temporäre Positionierung vor bzw. während der Durchführung des Schmelzdiffusionsverfahrens zur Ausbildung der Verbindungen bzw. Festlegungen vorgesehen ist, kann mit entsprechend einfachen und lediglich geringen Anforderungen im Hinblick auf eine Haftfestigkeit erfüllenden Klebern bzw. Klebstoffen das Auslangen gefunden werden, da die abschließend zu erzielende Verbindung bzw. Kontaktierung nachfolgend während des unter Anwendung von gegenüber Umge- bungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur eingesetzten Diffusionsverfahrens zur Festlegung der Komponenten bzw. Elemente aneinander bzw. miteinander erfolgt.
Wie oben bereits mehrfach erwähnt, läßt sich das erfin- dungsgemäße Verfahren beispielsweise zur Bestückung von elektronischen Komponenten oder Bauteilen auf bzw. in einer Leiterplatte besonders bevorzugt einsetzen, wobei derartige Komponenten oder Bauteile aktive oder passive Komponenten, Einzelkomponenten oder Baugruppen sein können.
Darüber hinaus läßt sich das erfindungsgemäße Verfahren bevorzugt zur Verbindung von Leiterplattensegmenten bzw. elementen, insbesondere zur Herstellung einer starr- flexiblen Leiterplatte anwenden bzw. einsetzen.
Ein weiteres bevorzugtes Einsatz- bzw. Verwendungsgebiet des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt in der Herstellung bzw. Ausbildung von Wärmeableitelementen in bzw. an einer Leiterplatte, wobei durch Anordnung von Lotschichten aus entsprechenden Materialien derartige Wärme ableitende Elemente beispielsweise gleichzeitig mit einer Herstellung einer Verbindung bzw. Festlegung von Komponenten an bzw. in einer Leiterplatte oder einer Verbindung einzelner Elemente einer Leiterplatte miteinander hergestellt werden können.
Darüber hinaus wird zur Lösung der eingangs genannten Aufgaben eine Leiterplatte zur Verfügung gestellt, welche im wesentlichen dadurch gekennzeichnet ist, daß miteinander zu verbindende bzw. aneinander festzulegende Bereiche einer Komponente und/oder einer Leiterplatte jeweils mit wenigstens einer Lotschicht versehen sind, daß die Lotschichten miteinander kontaktierbar sind und unter Anwendung von ge- genüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur unter Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht untereinander verbindbar sind. Durch die Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht zwischen miteinander zu verbindenden bzw. kontaktierenden Bereichen, beispielsweise Kontaktstellen, läßt sich somit eine Leiterplatte zur Verfügung stellen, in welcher Komponenten oder miteinander zu verbindende Elemente aneinander festgelegt bzw. miteinander verbunden sind, welche eine hohe Zuverlässigkeit der hergestellten Verbindung bzw. Kontaktierung aufweisen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von in der beiliegenden Zeichnung schematisch dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. In dieser zeigen: Fig. 1 eine schematische Ansicht eines Teilbereichs einer erfindungsgemäßen Leiterplatte sowie einer davon getrennten und damit zu verbindenden Komponente, wobei im Bereich von miteinander zu verbindenden Bereichen jeweils bereits eine Barriereschicht und zwei Lotschichten entsprechend dem er- findungsgemäßen Verfahren aufgebracht sind;
Fig. IA in vergrößertem Maßstab eine Detailansicht des Teilbereichs A der Fig. 1;
Fig. 2 in einer zu Fig. 1 ähnlichen Darstellung eine Teilansicht der Leiterplatte mit Klebestellen für eine tempo- rare Positionierung der mit der Leiterplatte zu verbindenden Komponente; Fig. 3 die an der Leiterplatte unter Vermittlung des gemäß Fig. 2 aufgebrachten Klebers angeordnete Komponente vor Durchführung des Schmelzdiffusionsverfahrens; Fig. 4 die an der Leiterplatte festgelegte Komponente nach Durchführung des Schmelzdiffusionsverfahrens unter Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht zwischen den Lotschichten; und
Fig. 5 in einer zu Fig. 1 ähnlichen Darstellung miteinander zu verbindende Elemente einer insbesondere starr- flexiblen Leiterplatte vor der Verbindung miteinander und nach Aufbringung einer Lotschicht auf die miteinander zu verbindenden Bereiche.
In Fig. 1 bis 4 sind unterschiedliche Verfahrensschritte bei der Durchführung des Verfahrens zur Festlegung einer Komponente an bzw. in einer Leiterplatte dargestellt.
In Fig. 1 ist gezeigt, daß auf einer allgemein mit 1 bezeichneten Leiterplatte im Bereich von jeweils mit 2 be- zeichneten Kontaktstellen, welche beispielsweise aus einer Kupferschicht gebildet sind, auf dieser Kupferschicht 2 eine Barriereschicht 3 angeordnet ist, woran anschließend zwei Schichten 4 und 5 aus voneinander unterschiedlichem Lotmaterial angeordnet bzw. aufgebracht sind.
In ähnlicher Weise ist an einer mit der Leiterplatte 1 zu verbindenden elektronischen Komponente 6 im Bereich von Kontaktstellen bzw. Pads 7 jeweils eine Barriereschicht 8 angeordnet bzw. aufgebracht, worauf wiederum anschließend Lotschichten 9 und 10 aus voneinander unterschiedlichen Materialien aufgebracht bzw. vorgesehen sind. In Fig. IA ist der Teilbereich A der Komponente 6 gemäß Fig. 1 in vergrößertem Maßstab dargestellt, wobei ersichtlich ist, daß auf der mit einer übertriebenen Dicke dargestellten KontaktsChicht 7 anschließend eine Barriereschicht 8 vorgesehen ist, worauf in weiterer Folge die Lotschichten
9 und 10 anschließen.
Die einzelnen Schichten 7 bis 10 sind in der Darstellung gemäß Fig. IA zur Verdeutlichung hiebei geringfügig ge- trennt voneinander dargestellt, wobei eine derartige Trennung lediglich zur Vereinfachung der Klarheit der zeichnerischen Darstellung dient. Darüber hinaus sind die Dicken der einzelnen Schichten 7 bis 10 lediglich beispielhaft und nicht maßstabsgetreu, wobei auf einsetzbare, mögliche Be- reiche von Schichtdicken weiter unten im Detail näher eingegangen werden wird.
Ähnlich wie bei der Darstellung gemäß Fig. IA sind auch die Bereiche der Kontaktstellen 2 der Leiterplatte 1 ausgebil- det, so daß davon auszugehen ist, daß bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform beispielsweise die Schichten bzw. Kontaktstellen 2 und 7 jeweils aus Kupfer gebildet sind, worauf anschließend Barriereschichten 3 bzw. 8 beispielsweise aus Nickel aufgebracht sind bzw. werden. Die miteinander zu verbindenden Lotschichten 4 und 5 bzw. 9 und
10 können in dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel beispielsweise jeweils von Silber für die Schicht 4 und 9 sowie Zinn für die Schicht 5 und 10 gebildet sein.
Die Aufbringung der Schichten 3, 4 und 5 bzw. 8, 9 und 10 kann durch eine elektrochemische oder chemische Abscheidung bzw. Aufbringung erfolgen. Nach Anordnung bzw. Aufbringung der Barriereschicht 3 sowie der wenigstens einen Lotschicht 4 und 5 im Bereich der Kontaktstellen 2 auf der Leiterplatte 1 erfolgt, wie dies in Fig. 2 dargestellt ist, eine Anordnung bzw. Aufbringung von Klebestellen bzw. -schichten 11, über welche, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist, nachfolgend eine temporäre Festlegung bzw. Anordnung der Komponente 6 erfolgt, wobei aus Fig. 3 ersichtlich ist, daß derart anschließend eine Kon- taktierung der Lotschichten miteinander erfolgt, wobei ins- besondere die Schichten 5 und 10, welche einander zugewandt sind, einander unmittelbar kontaktieren.
Nachfolgend auf die Anordnung der Komponente 6 an der Leiterplatte 1 insbesondere unter Vermittlung der Klebestellen 11 erfolgt eine Anwendung von gegenüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur, wodurch sich eine intermetallische Diffusionsschicht 12 ausbildet, wobei für den Fall eines Einsatzes von Silber für die Schichten 3 und 9 sowie Zinn für die Schichten 5 und 10 diese Diffu- sionsschicht 12 von einer eutektischen Silber-Zinn-Legierung gebildet wird, welche beispielsweise im Vergleich zu bekannten Verbindungen zwischen Kontaktstellen einer Komponente 6 und einer Leiterplatte 1 eine erhöhte Zugfestigkeit von beispielsweise größer als 1000 N/mm2 aufweist.
Die Dicke der Sperrschichten bzw. Barriereschichten 3 bzw. 8 liegt hiebei beispielsweise zwischen 100 nm bis 20 μm. Die Dicke der Lotschichten 4 bzw. 5 und 9 bzw. 10 liegt in einem Bereich von etwa 100 nm bis höchstens 100 μm.
Nach der Kontaktierung der Lotschichten erfolgt, wie oben angeführt, eine Anwendung von gegenüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur, wobei für die in Fig. 1 bis 4 gewählten Materialien ein Zeitraum von beispielsweise wenigstens 15 Minuten, insbesondere etwa 20 bis 120 Minuten gewählt wird, wobei ein Druck von weniger als 250 bar und insbesondere in Abhängigkeit von dem ein- gesetzten Material für die Leiterplatte 1 als auch die Komponente 6 Temperaturen zwischen 150 0C und 450 0C gewählt werden, wobei dies gegebenenfalls auch als Weichlöten bezeichnet werden kann.
Anstelle von Nickel für die Barriereschicht 3 bzw. 8 können beispielsweise Eisen oder Molybdän und/oder Nickel und/oder Eisen enthaltende Legierungen verwendet werden.
Für die Lotschichten 4 bzw. 5 als auch 9 bzw. 10 können insbesondere Materialien bzw. Metalle mit unterschiedlichem Schmelzpunkt eingesetzt werden, wobei die aneinander angrenzenden Schichten 5 und 10 aus einem Metall geringeren Schmelzpunkts und somit höherer Schmelzfähigkeit gebildet werden, während beispielsweise die Schichten 4 und 9 von Materialien und insbesondere Metallen einer beispielsweise allgemein erhöhten Leitfähigkeit, wie beispielsweise Gold oder Kupfer anstelle von Silber gebildet werden.
Darüber hinaus erfolgt die Auswahl der für die Schichten 4 und 5 sowie 9 und 10 eingesetzten Materialien auch unter Berücksichtigung der unter Einsatz der entsprechenden Temperatur- und Druckbedingungen durch Schmelzdiffusion erzielbaren Legierungen, welche in weiterer Folge die angestrebte Kontaktierung bzw. Verbindung hoher Widerstands- fähigkeit, insbesondere hoher Zugfähigkeit zur Verfügung stellen. In Fig. 5 ist ähnlich zu der Darstellung gemäß Fig. 1 eine Ausführungsform dargestellt, bei welcher das Verfahren zur Verbindung unter Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht für- eine Verbindung von einzelnen Elementen einer Leiterplatte eingesetzt wird. Hiebei sind in Fig. 5 mit 13 und 14 starre Teile bzw. Elemente einer herzustellenden starr- flexiblen Leiterplatte angedeutet, welche aus einer Mehrzahl von Schichten bestehen, wie dies allgemein bekannt ist.
Im Bereich einer Verbindung mit einem flexiblen Teil bzw. Element 15 der herzustellenden starr- flexiblen Leiterplatte 25 sind Kontaktstellen 16 angeordnet bzw. angedeutet, wobei auf den Kontaktstellen 16, welche beispielsweise wiederum aus Kupfer gebildet sind, jeweils eine Lotschicht 17 angeordnet bzw. aufgebracht ist. In ähnlicher Weise ist im Bereich von Kontaktstellen 18, welche wiederum aus Kupfer gebildet sein können, auf dem flexiblen Element wiederum jeweils eine Lotschicht 19 angeordnet.
Für eine temporäre Positionierung der Elemente 13, 14 und 15 sind ähnlich wie bei der vorangehenden Ausführungsform Klebestellen bzw. -bereiche 20 vorgesehen.
Nach dem Aufbringen der Lotschichten 17 bzw. 19 erfolgt ähnlich wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 1 bis 4 eine Kontaktierung der Lotschichten 17, 19, worauf wiederum unter Anwendung von gegenüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur eine intermetallische Diffu- sionsschicht im Bereich der Lotschichten 17 und 19 ausgebildet wird, welche zu einer hochfesten und entsprechend widerstandsfähigen Verbindung der starren Teilbereiche 13 und 14 mit dem flexiblen Teilbereich 15 unter Ausbildung einer Mehrzahl von Verbindungs- bzw. Kontaktstellen führt.
Das flexible Element 15 besteht hiebei beispielsweise aus einem flexiblen Kern 21, über welchem ein Prepreg 22 mit Leiterbahnen bzw. Kontaktierungen 23 angeordnet ist, wobei darüber hinaus eine Abschirmschicht mit 24 angedeutet ist.
Auch in diesem Fall erfolgt durch einen Schmelzdiffusions- prozeß unter Anwendung einer Temperatur unterhalb der Schmelztemperatur für das Lotmaterial 17 bzw. 19 eine feste Verbindung zwischen den einzelnen Bereichen der Kontaktstellen 16 und 18.
Als Material für die Lotschichten 17 bzw. 19 können hiebei wiederum die oben genannten Materialien eingesetzt werden.
Darüber hinaus läßt sich das Schmelzdiffusionsverfahren zur Ausbildung von Wärmeleitbereichen zur Abfuhr von Wärme, welche insbesondere im Bereich von in einer Leiterplatte 1 integrierten Komponenten 6 gegebenenfalls punktuell entsteht , anwenden .

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e :
1. Verfahren zur Festlegung einer Komponente an bzw. in einer Leiterplatte (1) und/oder zur Verbindung von einzel- nen Elementen einer Leiterplatte (1) , dadurch gekennzeichnet, daß miteinander zu verbindende bzw. aneinander festzulegende Bereiche einer Komponente (6) und/oder einer Leiterplatte (1, 25) jeweils mit wenigstens einer Lotschicht (4, 5, 9, 10, 17, 19) versehen werden, daß die Lotschichten (5, 10, 17, 19) miteinander kontaktiert werden und unter Anwendung von gegenüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur unter Ausbildung einer intermetallischen Diffusionsschicht (12) untereinander verbunden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine Lotschicht (4, 5, 9, 10, 17, 19) aus einem elektrisch leitenden Metall, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Silber, Gold, Nickel und Kupfer und/oder Zinn, Indium und Wismut gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der wenigstens einen Lotschicht
(4, 5, 9, 10) eine Barriereschicht (3, 8) auf den miteinan- der zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Bereichen einer Komponente (6) und/oder einer Leiterplatte (1) aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Barriereschicht (3, 8) aus einem elektrisch leitenden
Metall, ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Nickel, Eisen oder Molybdän und/oder Legierungen enthaltend Nickel und/ oder Eisen gebildet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwei unterschiedliche Lotschichten (4, 5,
9, 10) jeweils auf einen zu verbindenden bzw. aneinander festzulegenden Bereich aufgebracht werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine Lotschicht (4, 5, 9,
10, 17, 19) und/oder die Barriereschicht (3, 8) elektroche- misch oder chemisch abgeschieden bzw. aufgebracht werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine Lotschicht (4, 5, 9, 10, 17, 19) und/oder die Barriereschicht (3, 8) eine Dicke von wenigstens 5 nm, insbesondere wenigstens 100 nm bis höchstens 100 μm, vorzugsweise höchstens 20 μm aufweisen.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Lötvorgang bei einem Druck von weni- ger als 300 bar, insbesondere weniger als 250 bar und bei Temperaturen von weniger als 600 0C, insbesondere zwischen 150 0C und 450 0C durchgeführt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch ge- kennzeichnet, daß der erhöhte Druck und die erhöhte Temperatur für einen Zeitraum von wenigstens 10 Minuten, insbesondere wenigstens 20 Minuten und höchstens 150 Minuten, insbesondere höchstens 120 Minuten aufgebracht bzw. angelegt werden .
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine festzulegende Komponente (6) oder aneinander festzulegende Elemente (13, 14, 15) einer Leiterplatte (1, 25) temporär unter Verwendung einer Klebeschicht (11, 20) miteinander verbunden werden.
11. Verwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10 zur Bestückung von elektronischen Komponenten (6) oder Bauteilen auf bzw. in einer Leiterplatte (1) .
12. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10 zur Verbindung von Leiterplattensegmenten (13, 14, 15) , insbesondere zur Herstellung einer starr- flexiblen Leiterplatte (25) .
13. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10 zur Herstellung von Wärmeableitelementen in bzw. an einer Leiterplatte (1, 25) .
14. Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß miteinander zu verbindende bzw. aneinander festzulegende Bereiche einer Komponente (6) und/oder einer Leiterplatte (1, 25) jeweils mit wenigstens einer Lotschicht (4, 5, 9, 10, 17, 19) versehen sind, daß die Lotschichten (4, 5, 9, 10, 17, 19) miteinander kontaktierbar sind und unter Anwendung von gegenüber Umgebungsbedingungen erhöhtem Druck und erhöhter Temperatur unter Ausbildung einer intermetallischen Diffu- sionsschicht (12) untereinander verbindbar sind.
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