WO2009076922A1 - Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen halbleiterbauelement - Google Patents

Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen halbleiterbauelement Download PDF

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WO2009076922A1
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optoelectronic semiconductor
arrangement
housing body
semiconductor component
carrier element
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Georg Bogner
Stefan Gruber
Michael Zitzlsperger
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the invention relates to an arrangement with at least one optoelectronic semiconductor component.
  • housing For electronic components, a variety of different housing is used. Semiconductor devices are often mounted on structured metallic support elements and injected in a potting compound. If radiation hits the housing from the outside, reflections may occur on housing parts, the carrier elements or on electronic components. In the case of optoelectronic semiconductor components, to which no voltage is applied, the impression can arise that they emit radiation.
  • An arrangement having at least one optoelectronic semiconductor component has a carrier element arrangement suitable for supporting the at least one optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component may be a radiation-emitting semiconductor component.
  • the carrier element arrangement has a surface which has at least one connection surface.
  • the optoelectronic semiconductor component is coupled to the connection area.
  • the arrangement further comprises a housing body formed of a plastic, which on the
  • Carrier element arrangement is arranged.
  • the housing body has a raised portion and a recessed portion. Between the raised and the recessed area an oblique flank is formed. The recessed area extends to the optoelectronic
  • the plastic is light absorbing, for example black.
  • the raised area and the recessed area of the housing body are preferably each arranged at least partially on the carrier element arrangement.
  • the recessed region covers a large part, for example 60% or more, preferably 70% or more, preferably 80% or more, particularly preferably 90% or more, of a surface of the carrier element arrangement facing the semiconductor component.
  • the recessed region thus extends on the surface of the carrier element arrangement facing the semiconductor component in a lateral direction over the carrier element arrangement.
  • no housing body in particular no Jardinnoteer area of the housing body arranged.
  • a surface of the recessed area facing away from the carrier element arrangement and the connection area are not arranged flush with one another.
  • the recessed area projects beyond the connection surface in the vertical direction.
  • the recessed region may extend at least partially along the semiconductor device and away from the carrier element.
  • the recessed region extends as far as the optoelectronic semiconductor component.
  • the recessed area preferably extends directly as far as the optoelectronic semiconductor component.
  • the recessed region can extend directly along the semiconductor component.
  • side surfaces of the recessed area are in direct contact with side surfaces of the semiconductor device.
  • all side surfaces of the recessed portion are in direct contact with the side surfaces of the semiconductor device.
  • only portions of the side surfaces of the recessed portion may be disposed directly on side surfaces of the optoelectronic semiconductor device.
  • the side surface of the recessed region and the side surface of the optoelectronic semiconductor component are then in direct contact only in regions.
  • the side surfaces of the recessed area are inclined towards the carrier element arrangement, so that only areas of the recessed area arranged directly on the carrier element arrangement are in are in direct contact with the side surfaces of the semiconductor device.
  • a distance may be arranged between the recessed region and the optoelectronic semiconductor component.
  • the distance between the recessed area and the optoelectronic semiconductor component is preferably 500 ⁇ m or less, for example 300 ⁇ m or less, preferably 200 ⁇ m or less, particularly preferably 100 ⁇ m or less.
  • the recessed region may be spaced only partially or circumferentially from the semiconductor device.
  • connection area of the carrier element arrangement, with which the optoelectronic semiconductor component is coupled is preferably an electrical connection area for the optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component is electrically conductively connected to the connection surface, for example by means of a conductive adhesive or an electrically conductive solder.
  • the raised portion of the housing body has a height and a width that allow an exit angle of 140 ° or greater.
  • the surface of the carrier element arrangement preferably has further connection surfaces which are each coupled to a further electronic component, in particular electrically conductively connected.
  • the carrier element arrangement comprises a conductive material, in particular a conductive metal, for example copper.
  • the carrier element arrangement can be formed from at least two, suitably electrically conductive, parts which are electrically insulated from one another.
  • a construction of the housing body is arranged between the at least two parts of the carrier element arrangement.
  • the formation of the housing body between the at least two parts of the carrier element arrangement on the surface facing away from the semiconductor component preferably ends with the surface of the carrier element arrangement facing away from the semiconductor component.
  • the formation of the housing body does not project beyond the carrier element arrangement on a lower side of the arrangement in the vertical direction, so that the underside of the arrangement is configured flat and in particular has no elevations.
  • the underside of the arrangement thus has a flat bearing surface, with which the arrangement can be mounted externally, for example on a printed circuit board.
  • Carrier element assembly in one embodiment includes the center of the carrier element assembly.
  • the arrangement comprises a bonding wire, which is coupled to a further connection area and forms an electrical connection for the optoelectronic semiconductor component.
  • the recessed area of the housing body extends in this embodiment to the pad of the bonding wire.
  • the arrangement may comprise a translucent cover which is arranged on the at least one raised region and covers the optoelectronic semiconductor component.
  • the cover may comprise an absorptive material to reduce reflection of light striking from outside the assembly.
  • the absorber material preferably absorbs virtually no radiation emitted by the semiconductor component.
  • the absorber material absorbs 50% or less, preferably 30% or less, more preferably 10% or less, of the radiation emitted by the semiconductor device.
  • the translucent cover may have a textured surface.
  • the arrangement comprises a light-permeable optical system, for example a lens, which is arranged on the at least one raised area and which covers at least one semiconductor component.
  • a light-permeable optical system for example a lens
  • the at least one raised area surrounds an opening in which a translucent filling material can be arranged.
  • the filler material may include a diffuser material to diffuse the light emitted by the optoelectronic semiconductor device.
  • the filler material may include an absorber material to reduce reflection of light striking from outside the array.
  • the absorber material contains, for example, carbon black or graphite. In this case, the absorber material preferably absorbs virtually no radiation emitted by the semiconductor component. In particular, the absorber material absorbs 50% or less, preferably 30% or less, more preferably 10% or less, of the radiation emitted from the semiconductor device.
  • the optoelectronic semiconductor component is preferably a light emitting diode (LED), in particular an LED chip.
  • LED light emitting diode
  • FIG. 1 shows a schematic representation of an arrangement according to an embodiment
  • FIG. 2 shows a schematic representation of an arrangement according to a further embodiment with a translucent cover
  • FIG. 3 shows a schematic representation of an arrangement according to a further embodiment with a lens
  • FIG. 4 shows a schematic plan view of an arrangement according to a further embodiment with three optoelectronic semiconductor components
  • FIG. 5 a schematic plan view of an arrangement according to a further embodiment with three optoelectronic semiconductor components, in which an optoelectronic semiconductor component is larger than the remaining optoelectronic semiconductor components
  • Figure 6 is a schematic representation of a
  • Example of use in which a field of optoelectronic semiconductor devices provides illumination for a display.
  • FIG. 1 shows an optoelectronic semiconductor component 101, a bonding wire 102, a housing body 103, and a carrier element arrangement 108.
  • the housing body has a raised region 104 and a recessed region 105 and a flank 115 between the two regions.
  • the carrier element arrangement has a surface 109 which has a connection surface 110 and a further connection surface 111.
  • the raised area 104 and the recessed area 105 of the housing body 103 are preferably each arranged at least partially on the carrier element arrangement 108.
  • a surface of the recessed area facing away from the carrier element arrangement and the connection surfaces are not arranged flush with one another.
  • the recessed area projects beyond the connecting surfaces in the vertical direction.
  • the support member assembly includes a first part 118 and a second part 119, which are electrically isolated from each other by a formation 112 of the housing body.
  • the formation 112 of the housing body 103 is arranged between the at least two parts 118, 119 of the carrier element arrangement 108.
  • the formation of the housing body does not project beyond the carrier element arrangement on a lower side of the arrangement in the vertical direction, so that the underside of the arrangement is configured flat and in particular has no elevations.
  • the underside of the arrangement thus has a flat bearing surface, with which the arrangement can be mounted externally, for example on a printed circuit board.
  • the optoelectronic semiconductor component is arranged on the connection surface 110 and can be supplied with voltage via it.
  • the bonding wire is connected to the further connection surface 111 and enables the application of a voltage to the optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component is preferably a light emitting diode (LED), in particular an LED chip.
  • LED light emitting diode
  • the carrier element can be formed from a conductive material, for example a metal, in order to enable electrical contacting of the optoelectronic semiconductor component.
  • the carrier element may be a structured metal layer, for example formed of copper, which is divided into separate parts, which are electrically isolated from each other.
  • the optoelectronic component can be contacted electrically via contact surfaces on the underside 114 of the carrier element arrangement.
  • the carrier element arrangement forms so an external electrical connection to the housing.
  • the housing need not be provided with outwardly guided strip-shaped connection conductors.
  • the contact surfaces on the underside of the carrier element arrangement can be soldered for an external electrical connection, for example on a circuit board.
  • the housing body is made of a material that reflects as little light as possible.
  • the housing body is formed, for example, of black plastic.
  • the housing body may be formed of a plurality of parts disposed on the support member assembly.
  • the elevated area of the housing body has a height 106 and a width 107. These lie in regions which allow a wide exit angle 113 of the radiation emitted by the optoelectronic semiconductor component.
  • the exit angle may be in a range of 130 ° to 170 °, for example at 160 °.
  • the height 106 is for example in a range of 100 microns to 300 microns. Receivers of the emitted radiation should be able to receive the emitted radiation in as large a range as possible.
  • the recessed area of the housing body covers as much surface of the surface of the carrier element assembly.
  • the recessed area preferably covers a large part, for example 60% or more, preferably 70% or more, preferably 80% or more, particularly preferably 90% or more, of the surface of the carrier element arrangement facing the semiconductor component. It is from the flank of the housing body to the optoelectronic
  • the recessed region thus extends on the semiconductor device facing Surface of the carrier element arrangement in the lateral direction over the carrier element arrangement.
  • the recessed region may be spaced only partially or circumferentially from the semiconductor device.
  • no housing body in particular no recessed area of the housing body, is arranged on the carrier element arrangement on a mounting region of the semiconductor component.
  • the recessed area has, for example, a height 120 in a range of 50 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • a distance 121 between the recessed area and the optoelectronic semiconductor component is 50 ⁇ m or more, for example, the distance is in a range of 150 ⁇ m to 200 ⁇ m, for example.
  • the recessed region can extend directly to the optoelectronic semiconductor component.
  • the recessed region can extend directly along the semiconductor component.
  • only portions of the side surfaces of the recessed portion may be disposed directly on side surfaces of the optoelectronic semiconductor device.
  • the side surfaces of the recessed region are inclined towards the carrier element arrangement, so that only regions of the recessed region arranged directly on the carrier element arrangement are in direct contact with the side surfaces of the semiconductor component.
  • an additional electronic component such as a circuit protection against electrostatic damage, may be included.
  • the height 106 may be in a range of 200 ⁇ m to 300 ⁇ m, and may be up to 2 mm. In these additional electronic components resulting heat can be dissipated well through the black housing body.
  • the housing body also has a low thermal expansion coefficient. As a result, the reliability of the other electronic components can be increased.
  • connection surfaces of the carrier element arrangement are preferably electrical connection surfaces for the optoelectronic semiconductor component and the electronic component.
  • the optoelectronic semiconductor component and the electronic component are each electrically conductively connected to a connection surface, for example by means of a conductive adhesive or an electrically conductive solder.
  • FIG. 2 shows an optoelectronic semiconductor component 201, a bonding wire 202, a housing body 203 and a carrier element arrangement 208.
  • the housing body has a raised region 204 and a recessed region 205.
  • the carrier element assembly has a surface 209 that includes pads 210.
  • a cover 212 is shown, which has a surface 213.
  • the assembly includes a filling material 214.
  • the optoelectronic semiconductor component is coupled to the connection surface of the carrier element arrangement and can be supplied via the pad and via the bonding wire with voltage.
  • An embodiment 211 of the housing body separates the carrier element arrangement into two parts and electrically insulates them from one another. In order to cover as many areas of the carrier element arrangement, the recessed area of the housing body is guided as close as possible to the optoelectronic semiconductor component.
  • the cover may contain absorber material, for example carbon black, graphite or black pigments.
  • the absorber material preferably absorbs virtually no radiation emitted by the semiconductor component.
  • the absorber material absorbs 50% or less, preferably 30% or less, more preferably 10% or less, of the radiation emitted by the semiconductor device.
  • the cover may include a textured surface for further reduction of reflections.
  • the cover can be fastened in a simple manner, for example by an adhesive connection, on the raised area of the housing body.
  • a transparent filling material may be arranged in an opening surrounded by the raised area of the housing body.
  • the filling material is, for example, filled to the level of the raised area on the recessed area and the optoelectronic semiconductor component.
  • the filling material may be higher than the raised area.
  • the filling material can change the raised area Project beyond 50 to 500 microns.
  • the cover is arranged on the filling material.
  • the filler may be enriched with an absorber material, such as carbon black or graphite, to further reduce reflections.
  • the filler may, for example, have a content of 0.1% of absorber material, but it may also have a lower concentration of less than 0.1%, between 0% and 0.1%. In this way disturbing stray light and light reflections can be reduced. Stray light and light reflections can be caused for example by the carrier element arrangement, electrical connections or other components of the arrangement.
  • the filling material may be enriched with a diffuser material.
  • the diffuser material may have a concentration of 10% of the filler, but the concentration may be in the range of 0% to 10%.
  • the diffuser material scatters the radiation emitted by the optoelectronic semiconductor device.
  • the area of the arrangement from which light exits can be increased.
  • recesses may be provided in the housing body.
  • FIG. 3 shows an optoelectronic semiconductor component 301, a bonding wire 302, a raised region 304 and a recessed region 305 of the housing body and a carrier element arrangement 308.
  • the carrier element arrangement has a surface 309 which comprises connection surfaces 310.
  • the housing body has formations 311, which in this embodiment for limiting the proportions of Carrier element assembly are mounted.
  • the bonding wire is coupled at one end to the optoelectronic component and at the other end to a connection surface of the carrier element arrangement.
  • the exemplary embodiment shows an electrical component 313, for example a protective diode, a driver component or a resistor, which is arranged on the carrier element arrangement.
  • the electrical component can be supplied with voltage via the carrier element arrangement. Due to the formation 311, the carrier element assembly can be separated into electrically isolated parts. A voltage can be applied to the electrical component via the carrier element arrangement from outside the arrangement.
  • the electrical component may be completely surrounded by the housing body. Several such electrical components can be arranged within the housing body. The arrangement of the additional electronic components within the housing body no reflections can occur on the electronic components.
  • the figure shows a lens 312 disposed on the raised portion of the housing body.
  • the lens may be arranged any optics.
  • the optics can be fastened for example by an adhesive connection on the raised area of the housing body.
  • the lens can be used, for example, to set the exit angle of the light emitted by the optoelectronic semiconductor component to a desired range.
  • the Exit angle in a range of less than 40 °, for example, it may be in a range of 20 ° to 30 °.
  • an almost arbitrary exit angle can be defined with a corresponding optics.
  • FIG. 4 shows three optoelectronic semiconductor components 401 with respective bonding wires 402. Furthermore, a raised area 403 and a recessed area 404 of the housing body are shown. Both the optoelectronic semiconductor components and the bonding wires are contacted with respective pads 409.
  • the housing body has a side length 405 and a further side length 406.
  • the pads are at least as large as the optoelectronic semiconductor devices plus a mounting tolerance or at least as large as the bonding of the bonding wire plus a mounting tolerance.
  • the optoelectronic semiconductor components may for example have an edge length of 0.2 mm, the assembly tolerance may be in a range between 10 .mu.m and 100 .mu.m.
  • the three optoelectronic semiconductor components are arranged in a row. But they can also be arranged in a different arrangement, for example, triangular or diamond-shaped.
  • the optoelectronic semiconductor components are arranged symmetrically around the center of the arrangement, for example.
  • the respective optoelectronic semiconductor components can radiation in different wavelength ranges emit.
  • an optoelectronic semiconductor component emits radiation in the green color range
  • a further optoelectronic semiconductor component radiation in the blue color range and a further optoelectronic semiconductor component radiation in the red color range.
  • a spectrum of the resulting total radiation can thus be formed from different added spectral ranges.
  • the housing size in particular the dimensions of the side length 405 and the side length 406, can be dimensioned according to a desired size.
  • the side lengths are 6 mm long, but they can also be shorter, for example 2 mm or in a range of 3 mm to 5 mm.
  • the respective side lengths can be adapted to a desired spacing of the optoelectronic components of the respective arrangements. If a distance of, for example, 5 mm is desired, the side length 405 and the side length 406 are each 5 mm, each less a mounting tolerance, which is for example in a range between 20 and 100 microns. At other desired distances between the optoelectronic
  • the side lengths can be set accordingly.
  • FIG. 5 shows optoelectronic semiconductor components 501 with respective bond wires 502, a further optoelectronic semiconductor component 511, a raised region 503 and a recessed region 504 of the package body and pads 509. With the pads, the optoelectronic semiconductor devices and the bonding wires are coupled. These are surrounded by the recessed portion of the housing body, which connects outwardly to the raised portion of the housing body.
  • the optoelectronic component 511 is dimensioned larger than the optoelectronic semiconductor components 501.
  • desired emission regions which are, for example, in the red color region, can be amplified in the entire emission spectrum of the device. Different areas can be emphasized differently in the emission spectrum.
  • FIG. 6 shows a field of arrangements 601 according to the invention, with a first side length 604 and a second side length 605 and a display 602 with a side length 606 and a further side length 607, which is arranged at a distance 603 from the field.
  • the devices include semiconductor devices that are capable of emitting radiation upon application of a supply voltage. They represent in this embodiment, a backlight, for example, a liquid crystal display.
  • the arrangements are, for example, combined in a matrix arrangement.
  • the size of the respective housing body of the semiconductor components can be adapted to a desired size, for example, depending on a desired distance of the respective semiconductor components.
  • the desired distance may be, for example, 5 mm.
  • a field with a desired number of individual arrangements can be singulated from a field with a larger number of arrangements.
  • a semiconductor field with 4 x 8 arrangements can be used.
  • the minimum size of the array of arrays (side lengths 604 and 605) can be calculated, for example, as follows, depending on the size of the display (side lengths 606 and 607) and the display 60 space 603, using the following formulas, where ⁇ is an exit angle of the emitted radiation Arrangement corresponds to:
  • the devices may each include a single opto-electronic semiconductor device, but may also include a plurality of opto-electronic semiconductor devices, such as shown in FIG. 4, for example.
  • Optics may be arranged on the respective housing bodies, as shown in FIG.
  • the optics is, for example, a lens that allows a beam angle between 10 ° and 30 °.
  • the size of the field of semiconductor devices can be designed so that the entire luminous area of the field in the distance 603 illuminates the display as homogeneously as possible.
  • the distances between the respective semiconductor components of the arrangements can be suitably adjusted to each other via the lens, the emission angle and the size of the housing body.

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Abstract

Eine Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (101) weist eine zum Tragen des mindestens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements geeignete Trägerelementanordnung (108) auf. Die Anordnung weist einen aus einem Licht absorbierenden Kunststoff gebildeten Gehäusekörper (103) auf, der an der Trägerelementanordnung angeordnet ist. Der Gehäusekörper umfasst einen erhöhten Bereich (104) und einen zurückgesetzten Bereich (105). Zwischen dem erhöhten und dem zurückgesetzten Bereich ist eine schräge Flanke (115) gebildet. Der zurückgesetzte Bereich reicht bis an das optoelektronische Halbleiterbauelement, um Reflexionen zu verringern.

Description

Beschreibung
Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2007 060 206.7, deren gesamter Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug in die vorliegende Patentanmeldung aufgenommen wird.
Für elektronische Bauelemente wird eine Vielzahl verschiedener Gehäuse verwendet. Halbleiterbauelemente werden vielfach auf strukturierten metallischen Trägerelementen montiert und in einer Vergussmasse eingespritzt. Wenn Strahlung von außen auf das Gehäuse auftrifft, können an Gehäuseteilen, den Trägerelementen oder an elektronischen Bauteilen Reflexionen auftreten. Bei optoelektronischen Halbleiterbauelementen, an die keine Spannung angelegt ist, kann so der Eindruck entstehen, dass diese Strahlung emittieren.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement anzugeben, die besser gegen unerwünschte Reflexionen geschützt ist.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Eine Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement weist eine zum Tragen des mindestens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements geeignete Trägerelementanordnung auf. Bei dem optoelektronischen Halbleiterbauelement kann es sich um ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement handeln. Die Trägerelementanordnung hat eine Oberfläche, die mindestens eine Anschlussfläche aufweist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement ist mit der Anschlussflache gekoppelt. Die Anordnung weist weiterhin einen aus einem Kunststoff gebildeten Gehäusekörper auf, der an der
Trägerelementanordnung angeordnet ist. Der Gehäusekörper weist einen erhöhten Bereich und einen zurückgesetzten Bereich auf. Zwischen dem erhöhten und dem zurückgesetzten Bereich ist eine schräge Flanke gebildet. Der zurückgesetzte Bereich reicht bis an das optoelektronische
Halbleiterbauelement. Der Kunststoff ist Licht absorbierend, beispielsweise schwarz.
Insbesondere sind der erhöhte Bereich und der zurückgesetzte Bereich des Gehäusekörpers bevorzugt jeweils zumindest teilweise auf der Trägerelementanordnung angeordnet. Besonders bevorzugt deckt der zurückgesetzte Bereich einen Großteil, beispielsweise 60 % oder mehr, vorzugsweise 70 % oder mehr, bevorzugt 80 % oder mehr, besonders bevorzugt 90 % oder mehr, einer dem Halbleiterbauelement zugewandten Oberfläche der Trägerelementanordnung ab. Der zurückgesetzte Bereich erstreckt sich somit auf der dem Halbleiterbauelement zugewandten Oberfläche der Trägerelementanordnung in lateraler Richtung über die Trägerelementanordnung. Vorzugsweise ist auf der Trägerelementanordnung an einem Montagebereich des Halbleiterbauelements kein Gehäusekörper, insbesondere kein zurückgesetzter Bereich des Gehäusekörpers angeordnet .
Vorzugsweise sind eine von der Trägerelementanordnung abgewandte Oberfläche des zurückgesetzten Bereichs und die Anschlussfläche nicht bündig zueinander angeordnet. Insbesondere überragt der zurückgesetzte Bereich die Anschlussfläche in vertikaler Richtung. Der zurückgesetzte Bereich kann sich zumindest teilweise entlang des Halbleiterbauelements und vom Trägerelement weg erstrecken.
Der zurückgesetzte Bereich reicht bis an das optoelektronische Halbleiterbauelement. Vorzugsweise reicht der zurückgesetzte Bereich unmittelbar bis an das optoelektronische Halbleiterbauelement. Der zurückgesetzte Bereich kann sich dabei unmittelbar entlang des Halbleiterbauelements erstrecken. Insbesondere stehen dann Seitenflächen des zurückgesetzten Bereichs in direktem Kontakt mit Seitenflächen des Halbleiterbauelements. Bevorzugt stehen alle Seitenflächen des zurückgesetzten Bereichs in direktem Kontakt mit den Seitenflächen des Halbleiterbauelements .
Ferner können lediglich Bereiche der Seitenflächen des zurückgesetzten Bereichs unmittelbar an Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterbauelements angeordnet sein. Die Seitenfläche des zurückgesetzten Bereichs und die Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements stehen dann lediglich bereichsweise in unmittelbarem Kontakt. Beispielsweise sind die Seitenflächen des zurückgesetzten Bereichs zur Trägerelementanordnung hin schräg ausgebildet, sodass lediglich direkt an der Trägerelementanordnung angeordnete Bereiche des zurückgesetzten Bereichs in unmittelbarem Kontakt zu den Seitenflächen des Halbleiterbauelements stehen.
Alternativ kann ein Abstand zwischen dem zurückgesetzten Bereich und dem optoelektronischen Halbleiterbauelement angeordnet sein. Bevorzugt beträgt der Abstand zwischen dem zurückgesetzten Bereich und dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 500 μm oder weniger, beispielsweise 300 μm oder weniger, bevorzugt 200 μm oder weniger, besonders bevorzugt 100 μm oder weniger. Der zurückgesetzte Bereich kann nur bereichsweise oder umlaufend von dem Halbleiterbauelement beabstandet sein.
Die Anschlussfläche der Trägerelementanordnung, mit der das optoelektronische Halbleiterbauelement gekoppelt ist, ist bevorzugt eine elektrische Anschlussfläche für das optoelektronische Halbleiterbauelement. Insbesondere ist das optoelektronische Halbleiterbauelement mit der Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden, beispielsweise mittels eines Leitklebers oder eines elektrisch leitfähigen Lotes .
In einer Ausführungsform weist der erhöhte Bereich des Gehäusekörpers eine Höhe und eine Breite auf, die einen Austrittswinkel von 140° oder größer ermöglichen.
Innerhalb des Gehäusekörpers, beispielsweise mit dem Trägerelement gekoppelt und von dem Kunststoffmaterial des Gehäusekörpers umgeben, können weitere elektronische Bauteile angeordnet sein. In diesem Fall weist die Oberfläche der Trägerelementanordnung bevorzugt weitere Anschlussflächen auf, die jeweils mit einem weiteren elektronischen Bauteil gekoppelt, insbesondere elektrisch leitend verbunden, sind. Die Trägerelementanordnung umfasst in einer weiteren Ausführungsform ein leitendes Material, insbesondere ein leitendes Metall, beispielsweise Kupfer. Die Trägerelementanordnung kann aus mindestens zwei, zweckmäßigerweise elektrisch leitfähigen, Teilen gebildet sein, die voneinander elektrisch isoliert sind.
Vorzugsweise ist eine Ausbildung des Gehäusekörpers zwischen den mindestens zwei Teilen der Trägerelementanordnung angeordnet. Bevorzugt schließt die Ausbildung des Gehäusekörpers zwischen den mindestens zwei Teilen der Trägerelementanordnung auf der von dem Halbleiterbauelement abgewandten Oberfläche mit der von dem Halbleiterbauelement abgewandten Oberfläche der Trägerelementanordnung ab. Insbesondere überragt die Ausbildung des Gehäusekörpers die Trägerelementanordnung auf einer Unterseite der Anordnung in vertikaler Richtung nicht, so dass die Unterseite der Anordnung flächig ausgebildet ist und insbesondere keine Erhebungen aufweist. Die Unterseite der Anordnung weist so eine ebene Auflagefläche auf, mit der die Anordnung extern montiert werden kann, beispielsweise auf einer Leiterplatte.
Die Anschlussfläche auf der Oberfläche der
Trägerelementanordnung beinhaltet in einer Ausführungsform das Zentrum der Trägerelementanordnung.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Anordnung einen Bonddraht, der mit einer weiteren Anschlussfläche gekoppelt ist und einen elektrischen Anschluss für das optoelektronische Halbleiterbauelement bildet. Der zurückgesetzte Bereich des Gehäusekörpers reicht in dieser Ausführungsform bis an die Anschlussfläche des Bonddrahts. Die Anordnung kann eine lichtdurchlässige Abdeckung umfassen, die an dem mindestens einen erhöhten Bereich angeordnet ist und das optoelektronische Halbleiterbauelement abdeckt. Die Abdeckung kann ein Absorbertnaterial umfassen, um eine Reflexion von von außerhalb der Anordnung auftreffendem Licht zu verringern. Bevorzugt absorbiert das Absorbermaterial dabei nahezu keine von dem Halbleiterbauelement emittierte Strahlung. Inbesondere absorbiert das Absorbermaterial 50 % oder weniger, bevorzugt 30 % oder weniger, besonders bevorzugt 10 % oder weniger der von dem Halbleiterbauelement emittierten Strahlung.
Zu dem gleichen Zweck kann die lichtdurchlässige Abdeckung eine strukturierte Oberfläche aufweisen.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Anordnung eine lichtdurchlässige Optik, beispielsweise eine Linse, die an dem mindestens einen erhöhten Bereich angeordnet ist und das mindestens eine Halbleiterbauelement abdeckt .
Der mindestens eine erhöhte Bereich umgibt eine Öffnung, in der ein lichtdurchlässiges Füllmaterial angeordnet sein kann. Das Füllmaterial kann ein Diffusermaterial umfassen, um das von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement emittierte Licht zu streuen. Das Füllmaterial kann ein Absorbermaterial umfassen, um eine Reflexion von von außerhalb der Anordnung auftreffendem Licht zu verringern. Das Absorbermaterial enthält beispielsweise Ruß oder Graphit. Bevorzugt absorbiert das Absorbermaterial dabei nahezu keine von dem Halbleiterbauelement emittierte Strahlung. Inbesondere absorbiert das Absorbermaterial 50 % oder weniger, bevorzugt 30 % oder weniger, besonders bevorzugt 10 % oder weniger der von dem Halbleiterbauelement emittierten Strahlung.
Vorzugsweise ist das optoelektronische Halbleiterbauelement eine lichtemittierende Diode (LED) , insbesondere ein LED- Chip.
Weitere Merkmale, Vorteile und Weiterbildungen ergeben sich aus den nachfolgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 6 erläuterten Beispielen.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung einer Anordnung gemäß einer Ausführungsform,
Figur 2 eine schematische Darstellung einer Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform mit einer lichtdurchlässigen Abdeckung,
Figur 3 eine schematische Darstellung einer Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform mit einer Linse,
Figur 4 eine schematische Aufsicht auf eine Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform mit drei optoelektronischen Halbleiterbauelementen,
Figur 5 eine schematische Aufsicht auf eine Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform mit drei optoelektronischen Halbleiterbauelementen, bei der ein optoelektronisches Halbleiterbauelement größer als die übrigen optoelektronisches Halbleiterbauelemente ist, Figur 6 eine schematische Darstellung eines
Anwendungsbeispiels, bei dem ein Feld von optoelektronischen Halbleiterbauelementen eine Beleuchtung für einen Display bereitstellt.
Figur 1 zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 101, einen Bonddraht 102, einen Gehäusekörper 103, und eine Trägerelementanordnung 108. Der Gehäusekörper hat einen erhöhten Bereich 104 und einen zurückgesetzten Bereich 105 sowie eine Flanke 115 zwischen den beiden Bereichen. Die Trägerelementanordnung weist eine Oberfläche 109 auf, die eine Anschlussfläche 110 und eine weitere Anschlussfläche 111 hat.
Insbesondere sind der erhöhte Bereich 104 und der zurückgesetzte Bereich 105 des Gehäusekörpers 103 bevorzugt jeweils zumindest teilweise auf der Trägerelementanordnung 108 angeordnet. Vorzugsweise sind eine von der Trägerelementanordnung abgewandte Oberfläche des zurückgesetzten Bereichs und die Anschlussflächen nicht bündig zueinander angeordnet . Insbesondere überragt der zurückgesetzte Bereich die Anschlussflächen in vertikaler Richtung.
In der gezeigten Ausführungsform umfasst die Trägerelementanordnung einen ersten Teil 118 und einen zweiten Teil 119, die durch eine Ausbildung 112 des Gehäusekörpers elektrisch voneinander isoliert sind.
Vorzugsweise ist die Ausbildung 112 des Gehäusekörpers 103 zwischen den mindestens zwei Teilen 118, 119 der Trägerelementanordnung 108 angeordnet. Bevorzugt schließt die Ausbildung des Gehäusekörpers zwischen den mindestens zwei Teilen der Trägerelementanordnung auf der von dem Halbleiterbauelement abgewandten Oberfläche mit der von dem Halbleiterbauelement abgewandten Oberfläche der Trägerelementanordnung ab. Insbesondere überragt die Ausbildung des Gehäusekörpers die Trägerelementanordnung auf einer Unterseite der Anordnung in vertikaler Richtung nicht, so dass die Unterseite der Anordnung flächig ausgebildet ist und insbesondere keine Erhebungen aufweist. Die Unterseite der Anordnung weist so eine ebene Auflagefläche auf, mit der die Anordnung extern montiert werden kann, beispielsweise auf einer Leiterplatte.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement ist auf der Anschlussfläche 110 angeordnet und kann über diese mit einer Spannung versorgt werden. Der Bonddraht ist mit der weiteren Anschlussfläche 111 verbunden und ermöglicht das Anlegen einer Spannung an das optoelektronische Halbleiterbauelement.
Vorzugsweise ist das optoelektronische Halbleiterbauelement eine lichtemittierende Diode (LED) , insbesondere ein LED- Chip.
Das Trägerelement kann aus einem leitenden Material, beispielsweise einem Metall, gebildet sein, um eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterbauelements zu ermöglichen. Das Trägerelement kann eine strukturierte Metallschicht sein, beispielsweise aus Kupfer gebildet, die in getrennte Anteile, die elektrisch voneinander isoliert sind, aufgeteilt ist. Das optoelektronische Bauelement kann über Kontaktflächen auf der Unterseite 114 der Trägerelementanordnung elektrisch kontaktiert werden. Die Trägerelementanordnung bildet so einen externen elektrischen Anschluss an dem Gehäuse. In dieser Ausführungsform braucht das Gehäuse nicht mit nach außen geführten streifenförmigen Anschlussleitern versehen zu sein. Die Kontaktflächen auf der Unterseite der Trägerelementanordnung können für einen externen elektrischen Anschluss beispielsweise auf eine Platine aufgelötet werden.
Der Gehäusekörper ist aus einem Material gefertigt, das möglichst wenig Licht reflektiert. Der Gehäusekörper ist beispielsweise aus schwarzem Kunststoff gebildet. Der Gehäusekörper kann aus mehreren Teilen gebildet sein, die an der Trägerelementanordnung angeordnet sind. Der erhöhte Bereich des Gehäusekörpers weist eine Höhe 106 und eine Breite 107 auf. Diese liegen in Bereichen, die einen breiten Austrittswinkel 113 der von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement emittierten Strahlung ermöglichen. Der Austrittswinkel kann in einem Bereich von 130° bis 170° liegen, beispielsweise bei 160°. Die Höhe 106 liegt beispielsweise in einem Bereich von 100 μm bis 300 μm. Empfänger der emittierten Strahlung sollen in einem möglichst großen Bereich die emittierte Strahlung empfangen können.
Der zurückgesetzte Bereich des Gehäusekörpers deckt möglichst viel Fläche der Oberfläche der Trägerelementanordnung ab. Bevorzugt deckt der zurückgesetzte Bereich einen Großteil, beispielsweise 60 % oder mehr, vorzugsweise 70 % oder mehr, bevorzugt 80 % oder mehr, besonders bevorzugt 90 % oder mehr, der dem Halbleiterbauelement zugewandten Oberfläche der Trägerelementanordnung ab. Er ist von der Flanke des Gehäusekörpers bis an das optoelektronische
Halbleiterbauelement beziehungsweise die Anschlussfläche des Bonddrahts gerichtet. Der zurückgesetzte Bereich erstreckt sich somit auf der dem Halbleiterbauelement zugewandten Oberfläche der Trägerelementanordnung in lateraler Richtung über die Trägerelementanordnung.
Der zurückgesetzte Bereich kann nur bereichsweise oder umlaufend von dem Halbleiterbauelement beabstandet sein.
Vorzugsweise ist auf der Trägerelementanordnung an einem Montagebereich des Halbleiterbauelements kein Gehäusekörper, insbesondere kein zurückgesetzter Bereich des Gehäusekörpers angeordnet .
Der zurückgesetzte Bereich weist beispielsweise eine Höhe 120 in einem Bereich von 50 μm bis 200 μm auf. Ein Abstand 121 zwischen dem zurückgesetzten Bereich und dem optoelektronischen Halbleiterbauelement beträgt beispielsweise 50 μm oder mehr, der Abstand liegt beispielsweise in einem Bereich von 150 μm bis 200 μm.
Alternativ kann der zurückgesetzte Bereich unmittelbar bis an das optoelektronische Halbleiterbauelement reichen. Der zurückgesetzte Bereich kann sich dabei unmittelbar entlang des Halbleiterbauelements erstrecken. Ferner können lediglich Bereiche der Seitenflächen des zurückgesetzten Bereichs unmittelbar an Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterbauelements angeordnet sein. Beispielsweise sind die Seitenflächen des zurückgesetzten Bereichs zur Trägerelementanordnung hin schräg ausgebildet, sodass lediglich direkt an der Trägerelementanordnung angeordnete Bereiche des zurückgesetzten Bereichs in unmittelbarem Kontakt zu den Seitenflächen des Halbleiterbauelements stehen. Von dem Gehäusekörper umgeben, auf der Trägerelementanordnung angeordnet, kann, wie in Figur 3 dargestellt, ein zusätzliches elektronisches Bauelement, beispielsweise eine Schutzschaltung gegen Schäden durch elektrostatische Aufladung, enthalten sein. In diesem Fall kann die Höhe 106 in einem Bereich von 200 μm bis 300 μm liegen, sie kann auch bis zu 2 mm betragen. In diesen zusätzlichen elektronischen Bauteilen entstehende Wärme kann durch den schwarzen Gehäusekörper gut abgeführt werden. Der Gehäusekörper hat weiterhin einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten. Dadurch kann die Verlässlichkeit der weiteren elektronischen Bauelemente erhöht werden.
Die Anschlussflächen der Trägerelementanordnung sind bevorzugt elektrische Anschlussflächen für das optoelektronische Halbleiterbauelement und das elektronbische Bauelement. Insbesondere sind das optoelektronische Halbleiterbauelement und das elektronische Bauelement jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden, beispielsweise mittels eines Leitklebers oder eines elektrisch leitfähigen Lotes.
Figur 2 zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 201, einen Bonddraht 202, einen Gehäusekörper 203 und eine Trägerelementanordnung 208. Der Gehäusekörper weist einen erhöhten Bereich 204 und einen zurückgesetzten Bereich 205 auf. Die Trägerelementanordnung weist eine Oberfläche 209 auf, die Anschlussflächen 210 beinhaltet. Weiterhin ist eine Abdeckung 212 gezeigt, die eine Oberfläche 213 aufweist. Die Anordnung umfasst ein Füllmaterial 214.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement ist mit der Anschlussfläche der Trägerelementanordnung gekoppelt und kann über die Anschlussfläche sowie über den Bonddraht mit Spannung versorgt werden. Eine Ausbildung 211 des Gehäusekörpers trennt die Trägerelementanordnung in zwei Teile und isoliert diese elektrisch voneinander. Um möglichst viele Bereiche der Trägerelementanordnung zu bedecken, ist der zurückgesetzte Bereich des Gehäusekörpers möglichst nah an das optoelektronische Halbleiterbauelement geführt.
Um Reflexionen, die beispielsweise an dem Bonddraht auftreten können, weitestgehend zu verhindern, kann die Abdeckung Absorbermaterial, beispielsweise Ruß, Graphit oder schwarze Pigmente enthalten.
Bevorzugt absorbiert das Absorbermaterial dabei nahezu keine von dem Halbleiterbauelement emittierte Strahlung. Inbesondere absorbiert das Absorbermaterial 50 % oder weniger, bevorzugt 30 % oder weniger, besonders bevorzugt 10 % oder weniger der von dem Halbleiterbauelement emittierten Strahlung.
Zusätzlich kann die Abdeckung eine strukturierte Oberfläche zur weiteren Verminderung von Reflexionen enthalten. Die Abdeckung kann auf einfache Weise, beispielsweise durch eine KlebeVerbindung, auf dem erhöhten Bereich des Gehäusekörpers befestigt werden.
In einer von dem erhöhten Bereich des Gehäusekörpers umgebenen Öffnung kann ein transparentes Füllmaterial angeordnet sein. Das Füllmaterial ist beispielsweise bis auf Höhe des erhöhten Bereichs auf dem zurückgesetzten Bereich und dem optoelektronischen Halbleiterbauelement aufgefüllt. Das Füllmaterial kann höher als der erhöhte Bereich sein. Beispielsweise kann das Füllmaterial den erhöhten Bereich um 50 bis 500 μm überragen. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Abdeckung auf dem Füllmaterial angeordnet.
Das Füllmaterial kann, um Reflexionen weiter zu verringern, mit einem Absorbermaterial, beispielsweise Ruß oder Graphit, angereichert sein. Das Füllmaterial kann beispielsweise einen Anteil von 0,1 % an Absorbermaterial aufweisen, es kann aber auch eine niedrigere Konzentration von weniger als 0,1 %, zwischen 0 % und 0,1 % haben. Damit können störendes Streulicht sowie Lichtreflexionen verringert werden. Streulicht und Lichtreflexionen können beispielsweise durch die Trägerelementanordnung, elektrische Anschlüsse oder weitere Bauteile der Anordnung verursacht werden.
Um eine möglichst breite Lichtauskopplung zu erreichen, kann das Füllmaterial mit einem Diffusermaterial angereichert sein. Das Diffusermaterial kann beispielsweise eine Konzentration von 10 % des Füllmaterials haben, die Konzentration kann aber auch in einem Bereich von 0 % bis 10 % liegen. Das Diffusermaterial streut die von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement emittierte Strahlung. So kann die Fläche der Anordnung, aus der Licht austritt, vergrößert werden. Zur besseren Haftung des Füllmaterials in der Anordnung können in dem Gehäusekörper Aussparungen vorgesehen sein.
Figur 3 zeigt ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 301, einen Bonddraht 302, einen erhöhten Bereich 304 und einen zurückgesetzten Bereich 305 des Gehäusekörpers und eine Trägerelementanordnung 308. Die Trägerelementanordnung weist eine Oberfläche 309 auf, die Anschlussflächen 310 umfasst . Der Gehäusekörper weist Ausbildungen 311 auf, die in dieser Ausführungsform zur Begrenzung der Anteile der Trägerelementanordnung angebracht sind. Der Bonddraht ist mit einem Ende mit dem optoelektronischen Bauelement gekoppelt und mit dem anderen Ende mit einer Anschlussfläche der Trägerelementanordnung .
Das Ausführungsbeispiel zeigt ein elektrisches Bauelement 313, beispielsweise eine Schutzdiode, ein Treiberbauelement oder ein Widerstand, das auf der Trägerelementanordnung angeordnet ist. Das elektrische Bauelement kann über die Trägerelementanordnung mit Spannung versorgt werden. Durch die Ausbildung 311 kann die Trägerelementanordnung in elektrisch voneinander isolierte Teile getrennt sein. An das elektrische Bauelement kann über die Trägerelementanordnung eine Spannung von außerhalb der Anordnung angelegt werden.
Das elektrische Bauelement kann vollständig von dem Gehäusekörper umgeben sein. Es können mehrere solcher elektrischen Bauelemente innerhalb des Gehäusekörpers angeordnet sein. Durch die Anordnung der zusätzlichen elektronischen Bauelemente innerhalb des Gehäusekörpers können an den elektronischen Bauelementen keine Reflexionen auftreten.
Die Abbildung zeigt eine Linse 312, die an dem erhöhten Bereich des Gehäusekörpers angeordnet ist. Anstatt der Linse kann eine beliebige Optik angeordnet sein. Die Optik kann beispielsweise durch eine Klebeverbindung auf dem erhöhten Bereich des Gehäusekörpers befestigt sein.
Die Linse kann beispielsweise dazu verwendet werden, den Austrittswinkel des von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement emittierten Lichts auf einen gewünschten Bereich einzustellen. In einer Ausführungsform liegt der Austrittswinkel in einem Bereich von unter 40°, er kann beispielsweise in einem Bereich von 20° bis 30° liegen. Prinzipiell kann mit einer entsprechenden Optik ein nahezu beliebiger Austrittswinkel definiert werden.
Figur 4 zeigt drei optoelektronische Halbleiterbauelemente 401 mit jeweiligen Bonddrähten 402. Weiterhin ist ein erhöhter Bereich 403 und ein zurückgesetzter Bereich 404 des Gehäusekörpers gezeigt. Sowohl die optoelektronischen Halbleiterbauelemente als auch die Bonddrähte sind mit jeweiligen Anschlussflächen 409 kontaktiert. Der Gehäusekörper weist eine Seitenlänge 405 und eine weitere Seitenlänge 406 auf.
Die Anschlussflächen sind mindestens so groß wie die optoelektronischen Halbleiterbauelemente plus eine Montagetoleranz beziehungsweise mindestens so groß wie die Kontaktierung des Bonddrahts plus eine Montagetoleranz. Die optoelektronischen Halbleiterbauelemente können beispielsweise eine Kantenlänge von 0,2 mm aufweisen, die Montagetoleranz kann in einem Bereich zwischen 10 μm und 100 μm liegen.
In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind die drei optoelektronischen Halbleiterbauelemente in einer Reihe angeordnet. Sie können aber auch in einer anderen Anordnung, beispielsweise dreiecksförmig oder rautenförmig, angeordnet sein. Die optoelektronischen Halbleiterbauelemente sind beispielsweise symmetrisch um das Zentrum der Anordnung angeordnet .
Die jeweiligen optoelektronischen Halbleiterbauelemente können Strahlung in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen emittieren. Beispielsweise emittiert ein optoelektronisches Halbleiterbauelement Strahlung im grünen Farbbereich, ein weiteres optoelektronisches Halbleiterbauelement Strahlung im blauen Farbbereich und ein weiteres optoelektronisches Halbleiterbauelement Strahlung im roten Farbbereich. Ein Spektrum der resultierenden Gesamtstrahlung kann so aus verschiedenen addierten Spektralbereichen gebildet sein. Die Gehäusegröße, insbesondere die Maße der Seitenlänge 405 und der Seitenlänge 406, kann entsprechend einer gewünschten Größe dimensioniert werden. Beispielsweise sind die Seitenlängen 6 mm lang, sie können aber auch kürzer sein, beispielsweise 2 mm oder in einem Bereich von 3 mm bis 5 mm liegen.
Werden mehrere der gezeigten Anordnungen benachbart zueinander angeordnet, so können die jeweiligen Seitenlängen an einen gewünschten Abstand der optoelektronischen Bauelemente der jeweiligen Anordnungen angepasst werden. Ist ein Abstand von beispielsweise 5 mm gewünscht, betragen die Seitenlänge 405 und die Seitenlänge 406 jeweils 5 mm, jeweils abzüglich einer Montagetoleranz, die beispielsweise in einem Bereich zwischen 20 und 100 μm liegt. Bei anderen gewünschten Abständen zwischen den optoelektronischen
Halbleiterbauelementen können die Seitenlängen entsprechend festgelegt werden.
Figur 5 zeigt optoelektronische Halbleiterbauelemente 501 mit jeweiligen Bonddrähten 502, ein weiteres optoelektronisches Halbleiterbauelement 511, einen erhöhten Bereich 503 und einen zurückgesetzten Bereich 504 des Gehäusekörpers und Anschlussflächen 509. Mit den Anschlussflächen sind die optoelektronischen Halbleiterbauelemente und die Bonddrähte gekoppelt. Diese sind von dem zurückgesetzten Bereich des Gehäusekörpers umgeben, der nach außen an den erhöhten Bereich des Gehäusekörpers anschließt. Das optoelektronische Bauelement 511 ist größer dimensioniert als die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 501. Anstatt einem größeren Halbleiterbauelement können auch zwei oder mehr optoelektronische Halbleiterbauelemente verwendet werden, die in einem gleichen Wellenlängenbereich emittieren. Dadurch können gewünschte Emissionsbereiche, die beispielsweise im roten Farbbereich liegen, im gesamten Emissionsspektrum der Anordnung verstärkt werden. Unterschiedliche Bereiche können im Emissionsspektrum verschieden stark betont werden.
Figur 6 zeigt ein Feld von erfindungsgemäßen Anordnungen 601, mit einer ersten Seitenlänge 604 und einer zweiten Seitenlänge 605 sowie ein Display 602 mit einer Seitenlänge 606 und einer weiteren Seitenlänge 607, das in einem Abstand 603 von dem Feld angeordnet ist. Die Anordnungen umfassen Halbleiterbauelemente, die geeignet sind, bei Anlegen einer Versorgungsspannung Strahlung auszusenden. Sie stellen in dieser Ausführungsform eine Hintergrundbeleuchtung beispielsweise eines Flüssigkristalldisplays dar.
Die Anordnungen sind beispielsweise in einer Matrixanordnung zusammengefasst . Dazu kann zunächst die Größe der jeweiligen Gehäusekörper der Halbleiterbauelemente auf eine gewünschte Größe angepasst werden, beispielsweise abhängig von einem gewünschten Abstand der jeweiligen Halbleiterbauelemente. Der gewünschte Abstand kann beispielsweise 5 mm betragen. Ein Feld mit einer gewünschten Anzahl an einzelnen Anordnungen kann aus einem Feld mit einer größeren Anzahl an Anordnungen vereinzelt werden.
Für ein Display mit einer ersten Seitenlänge 606 von 36 mm und einer zweiten Seitenlänge 607 von 18 mm kann beispielsweise ein Halbleiterfeld mit 4 x 8 Anordnungen verwendet werden. Die minimale Größe des Feldes von Anordnungen (Seitenlängen 604 und 605) kann beispielsweise in Anhängigkeit der Größe des Display (Seitelängen 606 und 607) und des Abstandes 603 von Display und Feld näherungsweise mit folgenden Formeln berechnet werden, wobei α einem Austrittswinkel der emittierten Strahlung einer Anordnung entspricht :
l604= l606-2*l603*tan(α/2) (1) l605=l607-2*l603*tan(α/2) (2)
Die Anordnungen können jeweils ein einzelnes optoelektronisches Halbleiterbauelement enthalten, sie können aber auch wie beispielsweise in Figur 4 gezeigt, mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente beinhalten. An den jeweiligen Gehäusekörpern kann eine Optik angeordnet sein, wie dies in Figur 3 gezeigt ist. Die Optik ist beispielsweise eine Linse, die einen Abstrahlwinkel zwischen 10° und 30° ermöglicht .
Die Größe des Feldes von Halbleiterbauelementen kann so gestaltet sein, dass die gesamte Leuchtfläche des Feldes in dem Abstand 603 das Display möglichst homogen ausleuchtet. Dazu können über die Linse die Abstrahlwinkel sowie über die Baugröße der Gehäusekörper die Abstände der jeweiligen Halbleiterbauelemente der Anordnungen untereinander passend eingestellt werden. Durch eine Verwendung von erfindungsgemäßen Anordnungen zur Beleuchtung des Displays wird ein hoher Kontrast zwischen beleuchteten und dunklen Bereichen auf dem Display ermöglicht.

Claims

Patentansprüche
1. Anordnung mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (101), umfassend:
- eine zum Tragen des mindestens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements geeignete Trägerelementanordnung
(108) mit einer Oberfläche (109) , die mindestens eine Anschlussfläche (110) aufweist, mit der das mindestens eine optoelektronische Halbleiterbauelement (101) gekoppelt ist, und
- einen aus einem Licht absorbierenden Kunststoff gebildeten Gehäusekörper (103), der an der Trägerelementanordnung angeordnet ist, und der mindestens einen erhöhten Bereich (104) , mindestens einen zurückgesetzten Bereich (105) und eine schräge Flanke (115) zwischen dem mindestens einen erhöhten Bereich
(104) und dem mindestens einen zurückgesetzten Bereich
(105) aufweist, wobei der mindestens eine zurückgesetzte Bereich bis an das mindestens eine optoelektronische Halbleiterbauelement reicht .
2. Anordnung nach Anspruch 1, wobei der Gehäusekörper (103) aus mindestens zwei getrennten Teilen besteht, die an der Trägerelementanordnung angeordnet sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2 , bei dem der Licht absorbierende Kunststoff schwarz ist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erhöhte Bereich eine Höhe (106) und eine Breite (107) aufweist, die einen Austrittswinkel (113) des von dem mindestens einen optoelektronischen Halbleiterbauelement (101) emittierten Lichts von 140° oder größer ermöglichen.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, umfassend einen Bonddraht (102) und mindestens eine weitere Anschlussfläche (111) , wobei der Bonddraht einen elektrischen Anschluss für das mindestens eine optoelektronische Halbleiterbauelement (101) bildet und mit der mindestens einen weiteren Anschlussfläche (111) gekoppelt ist, und der mindestens eine zurückgesetzte Bereich (105) des Gehäusekörpers bis an die mindestens eine weitere Anschlussfläche (111) reicht.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, umfassend mindestens ein elektronisches Bauelement (313), das mit der Trägerelementanordnung (308) gekoppelt ist und vollständig von dem Gehäusekörper (303) umgeben ist.
7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, umfassend eine lichtdurchlässige Abdeckung (212), die an dem mindestens einen erhöhten Bereich (204) angeordnet ist und das mindestens eine optoelektronische Halbleiterbauelement (201) abdeckt.
8. Anordnung nach Anspruch 7, wobei die lichtdurchlässige Abdeckung (212) ein Absorbermaterial umfasst, um eine Reflexion von von außerhalb der Anordnung auftreffendem Licht zu verringern.
9. Anordnung nach Anspruch 7 oder 8, wobei die lichtdurchlässige Abdeckung (212) eine Oberfläche (214) aufweist, die strukturiert ist, um eine Reflexion von von außerhalb der Anordnung auftreffendem Licht zu verringern .
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, umfassend eine lichtdurchlässige Optik, insbesondere eine Linse (312), die an dem mindestens einen erhöhten Bereich (304) angeordnet ist und das mindestens eine Halbleiterbauelement (301) abdeckt.
11. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, umfassend ein lichtdurchlässiges Füllmaterial (215) , das in einer von dem mindestens einen erhöhten Bereich umgebenen Öffnung angeordnet ist und das mindestens eine Halbleiterbauelement (201) umgibt.
12. Anordnung nach Anspruch 11, wobei das lichtdurchlässige Füllmaterial (215) ein Diffusermaterial umfasst, um das von dem mindestens einen optoelektronischen Halbleiterbauelement (201) emittierte Licht zu streuen.
13. Anordnung nach Anspruch 11 oder 12, wobei das lichtdurchlässige Füllmaterial (215) ein Absorbermaterial umfasst, um eine Reflexion von von außerhalb der Anordnung auftreffendem Licht zu verringern.
14. Anordnung nach Ansprüche 8 oder 13, wobei das Absorbermaterial Ruß und/oder Graphit enthält .
15. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, umfassend:
- eine erste Ebene zur Auflage der Anordnung auf eine Fläche;
- eine zur ersten Ebene beabstandete zweite Ebene, auf der die mindestens eine Anschlussfläche (110) liegt und das mindestens eine optoelektronische Halbleiterbauelement (101) angeordnet ist;
- eine zur ersten Ebene weiter beabstandete dritte Ebene, durch die eine Oberseite des zurückgesetzten Bereichs
(105) des Gehäusekörpers (103) bestimmt ist;
- eine zur ersten Ebene weiter beabstandete vierte Ebene, bis zu der der erhöhte Bereich (106) des Gehäusekörpers
(103) reicht.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010012602B4 (de) * 2010-03-24 2023-02-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil sowie Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren
JP5535750B2 (ja) * 2010-04-30 2014-07-02 ローム株式会社 発光素子モジュール
DE102010029368A1 (de) 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
DE102010046254A1 (de) * 2010-09-22 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR101950756B1 (ko) * 2011-10-11 2019-02-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP5795251B2 (ja) * 2011-12-14 2015-10-14 信越化学工業株式会社 光学半導体装置用基台及びその製造方法、並びに光学半導体装置
DE102013206963A1 (de) * 2013-04-17 2014-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013212393A1 (de) * 2013-06-27 2014-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP2015111626A (ja) * 2013-12-06 2015-06-18 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
KR102034715B1 (ko) 2015-07-16 2019-10-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
DE102018124528A1 (de) * 2018-10-04 2020-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung, Trägerplatte und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtungen

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10229067A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20040256706A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 Shintaro Nakashima Molded package and semiconductor device using molded package
US20060006793A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Baroky Tajul A Deep ultraviolet used to produce white light
DE102004045950A1 (de) * 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US20060234409A1 (en) * 2000-07-21 2006-10-19 Yoshifumi Nagai Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture
DE102005041064A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070194422A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Novalite Optronics Corp. Light emitting diode package and fabricating method thereof
WO2008074286A1 (de) * 2006-12-19 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3177661B2 (ja) 1991-08-21 2001-06-18 パイロットインキ株式会社 変色具
JP2556821Y2 (ja) * 1991-12-09 1997-12-08 シャープ株式会社 発光装置
KR0125137B1 (ko) * 1993-10-14 1997-12-01 미타라이 하지메 밀착형 이미지센서
JPH08287719A (ja) * 1995-04-10 1996-11-01 Copal Co Ltd 発光装置
JPH0983018A (ja) * 1995-09-11 1997-03-28 Nippon Denyo Kk 発光ダイオードユニット
JP3468018B2 (ja) 1997-04-10 2003-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた表示装置
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
JP3763715B2 (ja) * 2000-01-24 2006-04-05 シャープ株式会社 受光素子および半導体レーザ装置
JP2002223005A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びディスプレイ装置
JP2002232014A (ja) * 2001-02-05 2002-08-16 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプ
DE10241989A1 (de) 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4118742B2 (ja) * 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
JP4504662B2 (ja) * 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
JP4480407B2 (ja) 2004-01-29 2010-06-16 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2006216887A (ja) 2005-02-07 2006-08-17 Citizen Electronics Co Ltd オプトデバイス
KR20070000638A (ko) 2005-06-28 2007-01-03 삼성전기주식회사 고휘도 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
DE102006004397A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
KR100637476B1 (ko) * 2005-11-09 2006-10-23 알티전자 주식회사 측면발광 다이오드 및 그 제조방법
CN101030572A (zh) 2006-03-01 2007-09-05 瑞莹光电股份有限公司 发光二极管封装及其制造方法
JP2007324330A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Sanyo Electric Co Ltd 回路基板
DE102007001706A1 (de) 2007-01-11 2008-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse
US8716848B2 (en) * 2008-03-24 2014-05-06 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. LED device with conductive wings and tabs

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060234409A1 (en) * 2000-07-21 2006-10-19 Yoshifumi Nagai Light emitting device, display apparatus with an array of light emitting devices, and display apparatus method of manufacture
DE10229067A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20040256706A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 Shintaro Nakashima Molded package and semiconductor device using molded package
US20060006793A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Baroky Tajul A Deep ultraviolet used to produce white light
DE102004045950A1 (de) * 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102005041064A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070194422A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Novalite Optronics Corp. Light emitting diode package and fabricating method thereof
WO2008074286A1 (de) * 2006-12-19 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement

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