WO2009071333A2 - Textur- und reinigungsmedium zur oberflächenbehandlung von wafern und dessen verwendung - Google Patents

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WO2009071333A2
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Kuno Mayer
Mark Schumann
Daniel Kray
Teresa Orellana Peres
Jochen Rentsch
Martin Zimmer
Elias KIRCHGÄSSNER
Eva Zimmer
Daniel Biro
Arpad Mihai Rostas
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    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D2111/22—

Definitions

  • the invention relates to a liquid medium for the surface treatment of monocrystalline wafers, which contains an alkaline etchant and at least one sparingly volatile organic compound.
  • Such systems can be used to clean, damage, and texturize wafer surfaces in a single etch step, as well as exclusively for texturing silicon wafers having different surface finishes, whether wire-sawn high surface area wafers or chemically polished minimum damage density wafers.
  • wafer cleaning is carried out from the slurry residues after wire sawing and the wafer texture in two different process chains. Both processes are working Partly carried out by wafer manufacturers and solar cell producers.
  • the slurry wafer cleaning takes place immediately after the wire sawing at the wafer manufacturers. It essentially comprises a removal of the contaminants applied by the wire saw to the wafer surface. These include above all the abrasion of silicon, as well as the components of the wire and the grinding and adhesive used (slurry). After leaving the cleaning plant, the cleaned wafers have a more or less intensive crystalline damage to the surface, which must be removed in a further process step.
  • the wafers cleaned by the wafer producers, of the slurry migrate directly into the texturing process, which is carried out in the basic state-of-the-art production of commercial solar cells in a batch plant, and at the same time as Damage rates serves.
  • the damage records are performed as a separate process step before the texture.
  • the wafers are each subjected to up to one minute of HCl and HF dip before emitter diffusion is performed (Fig. 1b).
  • the HCl dip is intended to neutralize the residues of KOH solution remaining on the wafer surfaces and to stop their further chemical attack on the wafer surface.
  • the metallic impurities additionally deposited on the silicon surface by the alkaline etching solution in particular the sparingly soluble hydroxides of the trivalent metal ions Fe 3+ and Al 3+ precipitated from the basic solution, should be brought back into solution.
  • the HF dip should ensure removal of the native oxide present on the wafers after the texture step. Wafer cleaning has so far been done in two ways: either in a batch or inline process, with two plants each, one for slurry cleaning and one for texture. For the wafer texture is so far a
  • the cleaning media are usually aqueous alkaline media based on potassium or sodium hydroxide with various surfactant additives.
  • Chemical and ultrapure water cascades use the thinning effect that results when migrating wafers through a large number of basins as an essential physical principle during cleaning.
  • the process time for a batch comprising all the sub-steps from the wafer separation after the wire sawing to the finished cleaned wafer, is generally more than one hour here.
  • Inline cleaning ensures that the wafers are conveyed in a conveyor belt-like manner over a roller field, whereby they are separated in the different, not strictly separate from one another. adjacent sections of the cleaning bench are exposed to variable chemical and physical conditions.
  • Inline cleaning unlike batch cleaning, is a continuous process. It allows continuous exchange of cleaning media in parallel with cleaning without interrupting the process and improved media control. From a chemical point of view, similar cleaning media are used here as in batch cleaning.
  • an alkaline medium consisting of potassium hydroxide and 2-propanol is usually used in solar cell production.
  • To maintain a sufficient etch removal for sensege surge surges in the range between 15 and 25 minutes are common, which is why only production plants are used in the batch process.
  • the anisotropy of alkaline etching media in the etching behavior of different crystal directions in silicon is exploited to produce so-called "randomly distributed pyramids", English "random pyramids”.
  • Further alkaline etchants besides KOH are sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide and ethylenediamine pyrocatechol, with the organic etchants mentioned here differing from the two inorganic etchants, especially in a longer processing time, but in return have no metallic cations.
  • Potassium hydroxide is preferred over sodium hydroxide in the inorganic etching media, because the sodium ions remaining on the surface after the texture can act as mobile charge carriers in the surface oxide of the silicon wafers because of their higher diffusion speed compared to the larger potassium ions. This has a negative effect on the electrical Characteristics of mainly oxide passivated silicon substrates.
  • texture solutions consist of a hydroxide ion source (OH " ions), which is an organic or inorganic base, and a surface-active substance, a so-called surfactant, which usually has an organic solvent, predominantly an organic solvent, in the solar cell production process.
  • OH " ions hydroxide ion source
  • surfactant which usually has an organic solvent, predominantly an organic solvent, in the solar cell production process.
  • Propanol is.
  • reaction products formed are water-soluble salts of silica, here: potassium silicate and elemental Hydrogen, which escapes after exceeding the saturation limit in the solution of this as a gas.
  • the surfactant has at least one hydrophilic and at least one hydrophobic group. In the pure texture process, it has two major tasks:
  • the surface has a thin layer of native oxide, as is the case, for example, with freshly sawn wafers while they are exposed to wet slurry during the wire sawing process, the surface is predominantly hydrophilic due to the strong polarity of the Si-O bond. which results from the high electronegativity difference between silicon and oxygen.
  • Organic liquids usually have a much higher solubility of nonpolar gas molecules than the polar solvent water. This in turn means that the hydrogen forming in the etching process with hydroxide ions also dissolves better in the absorbed surface film of organic solvent and is thus retained on the surface for longer than in purely aqueous solution. The result is a strong coverage of the silicon surface with finest gas bubbles, which as
  • Germs for the formation of textured pyramids act.
  • a theory for the surface texturing of silicon substrates states that the finest gas bubbles adsorbed on the surface locally and temporarily block the etching attack of hydroxide ions on the substrate. At the points where gas bubbles stick, the attack thus occurs retarded, while the environment around the gas bubbles is already removed. The blocked areas later form the tips of the forming etching pyramids.
  • hydrophobic groups in surfactants for example, various alkyl groups, vinyl groups or aromatic systems, e.g. Phenyl radicals. Combinations of these groups are also possible, such as with toluenesulfonic acid, which has a benzene ring with a methyl side chain.
  • Hydrophilic groups are, for example, hydroxyl groups (-OH), as in the case of the classic texturizing agent isopropanol, SO 3 H groups, as with toluenesulfonic acid, nitro groups (-NO 2 ), carboxyl groups (-COOH), phosphate - Residues (-O-PO 3 H) or ammonium residues (-NH 4 + ), to name but a few.
  • the type and length of the hydrophobic and hydrophilic radicals determine the wetting and gas-dissolving properties of the surfactants, as well as their boiling point.
  • the longer the hydrophobic residue of the surfactant the stronger the van der Waals forces that act between the molecules of the surfactant and the higher its boiling point.
  • the isopropanol which has only two short-chain (methyl) groups therefore has a relatively low boiling point of 82 0 C, while p-toluenesulfonic acid boiling at 140 0 C with its longer hydrophobic radical.
  • surfactants make another important contribution to the processing of solar cell wafers: They act as effective cleaning agents for the wafers by removing organic impurities, such as suspended particles or organic residues, from the slurry, such as polyethylene glycol , Epoxy resins, or adhesive residues in the aqueous solution and thereby prevent their deposition on the substrate surface.
  • Inorganic metallic contaminants can also be bound very effectively by some organic reagents used herein as texturing agents.
  • Micelles are spherical agglomerates of surfactant molecules centered around the mostly non-polar organic contaminants, surrounded by the non-polar residues of the surfactant molecules.
  • the polar residues of the surfactant molecules which form the surface of the micelle provide solubility of the micelle in the polar solvent water.
  • the ability to form micelles is not the same for all surfactants. Among other things, it depends on the nature of the hydrophobic residue, in particular its spatial extent. For this reason, for example, isopropanol with its two very short hydrophobic residues is a very poor micelle former, while long-chain carboxylic acids or their anions, the classical constituents of many detergents, are very good micelle formers. As the chain length of the hydrophobic residue increases, the water solubility of the surfactant decreases. Long-chain carboxylic acids (with chain lengths of more than 6 carbon atoms) are therefore increasingly less soluble in water.
  • toluenesulfonic acid for example, represents a good compromise between texture efficiency and cleaning action.
  • long-chain carboxylic acids it is soluble in water in a high concentration and can therefore be used in a wide concentration range.
  • some short-chain (hydroxy) carboxylic acids and dicarboxylic acids Bon Textren with and without additions of a more volatile organic component, such as a short-chain alcohol.
  • Aromatic alcohols such as catechol (1, 2-dihydroxybenzene), some di-carboxylic acids, e.g. Oxalic and hydroxycarboxylic acids, e.g. Tartaric acid, as well as numerous aminocarboxylic acids, such as, for example, EDTA (ethylenediaminetetraacetic acid, TITRIPLEX III) and CDTA (trans-1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, TITRIPLEX IV), DTPA (diethylenediamine-pentaacetic acid, TITRIPLEX V), are also capable of this to form chelate complexes with some metal ions in a basic aqueous solution, which help prevent these metal ions from being absorbed on the wafer surface or deposited as poorly soluble salts, but remain in solution.
  • tartaric acid forms very stable chelate complexes with the metal ions Fe 3+ , Al 3+ , Cr 3+ , Pb 2+ , Cu 2+ , thereby increasing their solubility in basic solutions, from which they are difficult in the absence of the chelating agent soluble hydroxides precipitate.
  • Toluene sulfonic acid is a surfactant main constituent of the wafer cleaning agent PURATRON® 67 from ICB GmbH & Co. KG.
  • Alkyl sulfonic acids in general and their alkyl- and (poly) alkoxyl-substituted derivatives are known as cleansing surfactants and not as texturally active substances.
  • a texture medium is also provided for the surface treatment of monocrystalline wafers.
  • This texture medium contains at least one alkaline etchant for monocrystalline SiIi- cium and at least one low volatility organic compound having a boiling temperature of more than 110 0 C, preferably more than 120 0 C and most preferably greater than 150 0 C.
  • the texturing agent according to the invention has the advantage that here higher process temperatures can be used, for example, temperatures above 110 0 C, in comparison to those methods in which exclusively volatile texturing agents are used, since temperatures of about 80 0 C, the Any boiling point of isopropanol (82 0 C) and ethanol (78 0 C) are common.
  • Higher process temperatures ensure a faster etching attack of the cleaning and texturing medium without the risk of rapid outgassing of the components and thereby reduce the process times.
  • high process temperatures also promote the undesired diffusion of some metallic impurities from the solution into the silicon substrate, if they are not already bound in the solution, eg by complex formation.
  • some of the low volatility texturizing agents are inexpensive to buy and at the same time biodegradable, since many of these compounds are natural products, which also reduces process costs.
  • the low-volatility organic compound preferably has a boiling point of ⁇ 12O 0 C, more preferably ⁇ 150 0 C.
  • the at least one low-volatility organic compound is preferably selected from the group consisting of saturated or unsaturated aliphatic or aromatic carboxylic acids, dicarboxylic acids, polycarboxylic acids, hydroxy (poly) carboxylic acids, aminocarboxylic acids (of the general formulas shown in I.1-1.3 ), their esters and mixtures thereof.
  • NTA nitrilotriacetic acid
  • EDTA ethylenediaminetetraacetic acid
  • DTPA diethylenetriamine pentaacetic acid
  • CDTA trans-1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid
  • saturated or unsaturated alpha diagram (poly) alcohols in particular selected from the group consisting of gene geradketti-, branched or cyclic C 4 -C 8 diols or C 6 - C 2 triols or Mixtures thereof.
  • the cleaning effect of the (poly) alcohols is based, on the one hand, on the fact that polyalcohols are good solvents for organic contaminants.
  • hydroxy groups in the cis position can complex with one another as metal ligands and in this way prevent their re-depostion on the wafer surface.
  • the metal-oxygen bond in (poly-Iy) alcohols, in contrast to simple alcohols, is additionally stabilized by an intropic effect.
  • the at least one low-volatility organic compound is preferably used in a concentration of 1 to 20 wt .-%, particularly preferably 2 to 10 wt .-%, each based on the total texture medium used.
  • a further preferred variant envisages using as low-volatility organic compounds those from the group of the aromatic sulfonic acids or aromatic (poly) alcohols, eg resorcinol or pyrocatechol, or aromatic ethers, which are optionally substituted either by nonpolar side chains, for example one or more alkyl (eg ethyl, propyl, octyl, isopropyl, tert-butyl, etc.), alkylene oxide (eg ethylene oxide or polyethylene glycol oxide), alkylvinyl groups, or by polar side chains, such as hydroxy groups, -SO 3 H groups, carboxyl groups, -SH groups, amino groups, may be substituted.
  • aromatic sulfonic acids or aromatic (poly) alcohols eg resorcinol or pyrocatechol, or aromatic ethers
  • nonpolar side chains for example one or more alkyl (eg ethyl, propyl, octyl, iso
  • Particularly preferred from the group of aromatic sulfonic acids with an alkyl side chain is toluenesulfonic acid, while a preferred representative from the group of alkoxyl-substituted aromatic alcohols is 1, 3-dihydroxy-4-ethoxy-benzene.
  • Preferred representatives from the series of aromatic, alkyl-substituted (poly) ethers here are Triton X-100® (polyethylene glycol tert-octylphenyl ether), Tergitol NP-9 (various alkylphenyl ethylene glycols) (both from Union Carbide Corporation) and N-alkyl ethers.
  • the treatment solution preferably contains 0.1 to 10 wt .-% of sulfonic acid.
  • a further preferred variant provides that as low-volatility organic compounds those from the group of sulfuric acid alkyl esters and salts thereof are used. Particularly preferred are lauryl sulfates, myristyl sulfates, stearyl sulfates, capryl sulfates, e.g. Sodium lauryl sulfate, potassium lauryl sulfate, ammonium lauryl sulfate, ammonium capryl sulfate (see: III).
  • Lauryl sulfates are components of the surfactant SDS
  • polysorbates are used as low-volatility organic compounds (cf. IV).
  • a particularly preferred representative of this group of substances is polyoxyethylene sorbitan monolaurate, commercially available in high purity under the brand name TWEEN® 20 (Uniqema, ICI Americas Inc.).
  • the texturing agent according to the invention preferably contains a compound selected from the group consisting of sodium hydroxide, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, ethylenediamine pyrokazole and mixtures thereof.
  • the etchant, the hydroxide ion supplier in a concentration of 4 to 15 wt .-%, based on the total texture medium, in particular 5 to 7 wt .-% contained.
  • the texture medium may contain at least one readily volatile organic component, in particular a volatile, linear or branched alcohol having a boiling point of at most 120 ° C.
  • the volatile alcohol is preferably selected from the group consisting of methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, sec-butanol, isobutanol, tert-butanol and mixtures thereof.
  • the volatile alcohol is preferably present in a concentration of 2 to 20 wt .-%, in particular 2 to 10 wt .-%, based on the total texture medium before.
  • the treatment solution may preferably contain a further surfactant.
  • This is used according to the invention to achieve a further, this time extensive homogenization of the chemical attack of the wafer surface and thereby to improve the optical quality of the wafer.
  • This optical homogeneity is of particular importance with regard to the aesthetics of the wafers, which is a decisive price factor for industrial solar cells in commercial solar cell production.
  • the surfactant is preferably selected from the group consisting of sodium lauryl sulfate, polyethylene glycol, polyethylene glycol octylphenyl ether, and mixtures thereof.
  • the surfactant may be present in a concentration of 1 to 20 wt .-%, in particular 2 to 10 wt .-%, based on the total treatment solution.
  • the texture medium can be used in immersion etching processes which can be carried out as a continuous or batch process.
  • the textured medium preferably has a viscosity in the range from 0.3 to 1000 mPas, preferably from 0.5 to 100 mPas and more preferably from 0.6 to 10 mPas.
  • An example according to the invention for cleaning, damage etching and texturing in an etching step relates to a batch cleaning process in which a plant consists of four modules, which are spatially separated from each other via an air lock.
  • Each module consists of an externally sealed chamber of variable length, depending on the number of wafers to be processed simultaneously.
  • the chambers are only briefly for loading and unloading, which max. 10 seconds per module, opened and have a minimum gas space, so that the thermal and chemical equilibrium between the liquid phase and gas phase can be done quickly.
  • process troughs into which rails can be dipped on which the wafers are fixed at the beginning of the cleaning process and on which they change from process chamber to process chamber.
  • Module 1 Pre-cleaning the slurry-soiled wafers with di-water
  • Cleaning medium is 40 - 80 0 C warm DI water.
  • the wafers are optionally sonicated during purging with a megasonic source. Sound frequency is 1 MHz.
  • the process time is preferably 6 ⁇ min.
  • Module 2 Damage sets associated with removal of contaminants that are in the damaged layer + texture of the wafer surface
  • module 2 analogous to module 1, at least one basin is located, in which the wafers to be processed are fixed horizontally.
  • a preferred embodiment has as etchant in module 2, a 5 weight percent KOH solution with 7 wt .-% toluenesulfonic acid based on the total solution.
  • the etching time is 20 minutes; the bath temperature is at 110 0 C.
  • the flow rate of the etching medium on the wafer surface is about 5 cm / min at a film thickness of 3 mm.
  • the residence time of the wafers in module 2 is about 3 times higher.
  • at least three wafer rails (carriers) are simultaneously processed in module 2, which are introduced into the chamber at intervals of about 6 to 6.5 minutes and / or removed from the chamber.
  • a further exemplary embodiment provides as etching medium for module 2 an aqueous sodium hydroxide solution with adipic acid as texture surfactant, the NaOH content of the solution being 6% by weight and the adipic acid content being 4% by weight, based on the entire solution
  • the etching time is also 20 minutes here; the bath temperature is at 110 0 C.
  • the flow rate of the etching medium on the wafer surface is approximately 4 cm / min at a film thickness of 4 mm.
  • the task of this process step is the removal of remaining etching solution residues on the wafers from module 2.
  • a preferred embodiment of the invention provides the same structural design of the module 3 as is present in module 1.
  • the process parameters (process time, process temperature, sonication of the basins) are identical to those of module 1, too.
  • the wafers are cleaned of the etching solution residues by means of a spray device.
  • the process duration is then only 3 - 3 5 ⁇ min.
  • Module 4 Shortened RCA Cleaning
  • the task of this cleaning step is the removal of residual residues of metallic and organic contaminants on the wafer surface.
  • module 4 comprises two trays.
  • the first well is equipped with an aqueous ammonium hydroxide (NH 4 OH) / hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) solution in the usual concentrations for RCA purifications.
  • NH 4 OH aqueous ammonium hydroxide
  • H 2 O 2 hydrogen peroxide
  • the process temperature is here preferably 80-90 0 C, the process time 6% to 7 min.
  • the first well of module 4 is filled with a half-concentrated HCl solution.
  • the process time for the HCl dip carried out therein is about 2 minutes, the process temperature 50 0 C.
  • the second tray contains aqueous, dilute to semi-concentrated HF solution.
  • Process temperature is 25 0 C (room temperature), process time 10 - 15 seconds.
  • the wafers are a 3 - 33 ⁇ min. continuous spray pass with DI water in module 3.
  • Wafers treated by the present process tended to have better optical properties (reduced reflection) and comparable electrical (surface charge carrier recombination rate) and significantly better mechanical properties in practice. see properties (higher fracture toughness), such as wafers processed with the classic cleaning and texture concept.
  • a further example according to the invention for texturing wire-sawn wafers with simultaneous cleaning relates to a batch process in which an etching medium is used in module 2, which, based on the total solution, contains potassium tosylate (potassium salt, potassium salt) p-toluenesulfonic acid), 1% by weight of potassium tartrate (potassium salt of tartaric acid), 4% by weight of potassium hydroxide and 2% by weight of 2-propanol.
  • the process time is in module 2 21 to 25 minutes at about 80 to 85 0 C bath temperature.
  • Another example according to the invention for the cleaning and texturing of wire-sawn wafers relates to a batch process in which an etching medium is used in module 2, which is based on the total solution, to 3, 5 wt .-% potassium tosylate, 1 wt .-% Ammonium citrate, 5 wt .-% potassium hydroxide, 3.5 wt .-% 2-propanol and 0.5 wt .-% Triton® X-100 consists.
  • Process time in module 2 is 21 to 25 minutes at a bath temperature of 82 to 85 0 C.
  • the first well is filled with 5 wt .-% HCl solution.
  • Bath temperature is 35 0 C.
  • the immersion time is 2 minutes.
  • the remaining experimental parameters are analogous to those in exemplary embodiment 1.
  • a further example according to the invention for cleaning and texturing wire-sawn wafers relates to a batch process in which module 2 uses an etching / cleaning solution which, based on the mass of the entire solution, consists of 4% by weight of potassium hydroxide, 3 5 wt% potassium tosylate, 2.5 wt% 2-propanol, 0.5 wt% sodium lauryl sulfate, and 0.25 wt% EDTA (ethylenediamine tetraacetate).
  • etching / cleaning solution which, based on the mass of the entire solution, consists of 4% by weight of potassium hydroxide, 3 5 wt% potassium tosylate, 2.5 wt% 2-propanol, 0.5 wt% sodium lauryl sulfate, and 0.25 wt% EDTA (ethylenediamine tetraacetate).
  • the first well is filled with 5 wt .-% HCl solution.
  • Bath temperature is 35 0 C.
  • the immersion time is 2 minutes.
  • module 2 uses an etching medium which, based on the total solution,! % By weight of catechol, 4% by weight of potassium tosylate, 5 wt .-% potassium hydroxide.
  • the process time in module 2 is 21 to 25 minutes at about 100 to 110 0 C bath temperature (fluctuating).
  • An example of the invention for texturing polished wafers relates to a batch process in which the system required for processing consists of four basins.
  • the polished (already very clean) wafers are dipped in pure alcohol, preferably isopropanol.
  • the temperature of the alcohol is between 20 and 25 ° C. This step serves exclusively to uniformly wetting the surface before the first chemical attack by the etching solution in basin 2.
  • the wafers change from bath 1 to bath 2 in the dripping state.
  • Basin 2 contains the actual texture solution consisting of 5 wt .-% KOH, 3.5 wt .-% p-toluenesulfonic acid and 3.5 wt .-% of 2-propanol based on the total solution.
  • the bath temperature varies during the etching process between 80 and 85 0 C.
  • the etching time is between 40 and 50 minutes, depending on the tank temperature (at etch temperatures of constant 85 ° C, it is about 40 min).
  • Basin 3 contains an approximately 5 to 6 wt .-% hydrochloric acid solution at a temperature of about 20 to 25 0 C. After leaving basin 2, the wafers are briefly sprayed with deionized water before they change to bath 3, where they remain for about 1 to 2 minutes. Process step 3 in basin 3 is used to neutralize remaining KOH residues on the wafer surface and thus the etch stop. After leaving basin 3, the wafers change to a fourth basin of pure, deionized water where they are rinsed to the conductivity of the deionized water.
  • a wafer surface textured in this way achieved a reflectance of about 10.8% (weighted reflection) in the practical experiment.
  • Another example according to the invention for texturing polished wafers provides an aqueous solution containing 5% by weight of potassium hydroxide and 7% by weight of potassium tosylate (potassium salt of toluenesulfonic acid) with otherwise identical parameters as in the previous example as etchant formulation for tank 2.
  • the bath temperature here is about 95 to 100 0 C, the etching time th 30 to 40 for minutes.
  • a further example according to the invention for texturing polished wafers provides as etchant formulation for tank 2 an aqueous solution of, based on the total solution, 5% by weight KOH and 2% by weight adipic acid diethyl ester.
  • the bath temperature is about 80 0 C, the
  • the formulations and reaction conditions for pelvis 2 shown in Examples 2 and 3 are also suitable as etching media for module 2 in a cleaning / texture process for wire-sawn, abrasive-contaminated wafers.
  • Bath 1 here contains, instead of pure 2-propanol, an approximately 40 ° C. warm p-toluenesulfonic acid solution with 20 to 30% by weight of toluenesulfonic acid.
  • a wafer surface textured in this way achieved a reflectance of approx. 11.3% (weighted reflection) in the practical experiment.

Abstract

Die Erfindung betrifft ein flüssiges Medium für die Oberflächenbehandlung von monokristallinen Wafern, das ein alkalisches Ätzmittel sowie mindestens eine schwer flüchtige organische Verbindung enthält. Derartige Systeme können sowohl für die Reinigung, Schadensätze und Texturierung von Waferoberflächen in einem einzigen Ätzschritt als auch ausschließlich für die Texturierung von Silizium-Wafern mit unterschiedlicher Oberflächenqualität, seien es nun drahtgesägte Wafer mit starker Oberflächenschädigung oder chemisch polierte Oberflächen mit minimaler Schädigungsdichte, eingesetzt werden.

Description

Textur- und Reinigungsmedium zur Oberflächenbehandlung von Wafern und dessen Verwendung
Die Erfindung betrifft ein flüssiges Medium für die Oberflächenbehandlung von monokristallinen Wafern, das ein alkalisches Ätzmittel sowie mindestens eine schwer flüchtige organische Verbindung enthält. Derartige Systeme können sowohl für die Reinigung, Schadensätze und Texturierung von Waferoberflachen in einem einzigen Ätzschritt als auch ausschließlich für die Texturierung von Silizium-Wafern mit unterschiedlicher Oberflächenqualität, seien es nun drahtgesägte Wafer mit starker Oberflächenschädigung oder chemisch polierte Oberflächen mit minimaler Schädigungsdichte, eingesetzt werden.
Bei bisherigen Produktionsverfahren werden die Wafer- reinigung von den Slurryresten nach dem Drahtsägen und die Wafertextur in zwei unterschiedlichen Pro- zessketten vollzogen. Beide Prozesse werden arbeits- teilig von Waferherstellern und Solarzellenproduzenten durchgeführt. Die Slurry-Waferreinigung erfolgt unmittelbar nach dem Drahtsägen bei den Waferherstellern. Sie umfasst im Wesentlichen eine Beseitigung der durch das Drahtsägen auf die Waferoberfläche aufgebrachten Kontaminationen. Dazu zählt vor allem der Abrieb an Silizium, sowie der Bestandteile des Drahtes und der verwendeten Schleif- und Haftmittel (Slurry) . Die gereinigten Wafer verfügen nach Verlas- sen der Reinigungsanlage über eine mehr oder weniger intensive kristalline Schädigung der Oberfläche, die in einem weiteren Prozessschritt abgetragen werden muss .
Die Textur der Waferoberfläche fällt, sofern sie überhaupt durchgeführt wird, in den Aufgabenbereich der Solarzellenhersteller. Ihr voraus geht bei der Herstellung hocheffizienter Solarzellen ein aufwändiger dreiteiliger Nachreinigungsschritt, der an die Wafernachreinigung in der Chip- Industrie angelehnt ist. Diese RCA-Reinigung (D. C. Burkman, D. Deal, D. C. Grant, C. A. Peterson: "Aqueous Cleaning Processes in Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology, Science", Technology and Applications, East Win- dsor, N. J., USA (1993) S. 111-129) umfasst:
1.) Oxidätzen mit HF/HNO3;
2.) SC-1-Reinigung mit H2O/NH4OH/H2θ2 mit anschließendem HF-Dip. ; 3.) SC- 2 -Reinigung mit (H2O/HC1/H2O2) , der die durch den Transport auf die Waferoberfläche aufgebrachte Kontamination sowie verbliebene metallische und organische Verunreinigungen nach der Vorreinigung durch die Waferhersteller beseitigt (Fig. Ia) . Nach jeder chemischen Behandlung durchwandern die Wa- fer noch einen Spülschritt mit hochreinem, deionisiertem Wasser, bevor sie in die nächste Ätzlösung gelangen. Auf diese Weise ist allein für die RCA- Reinigung eine Gesamtanzahl an Becken von ca. 8 die
Regel (O. DoIl: „Komplexbildner für alkalische Reinigungslösungen von Halbleitersilicium-Oberflachen: Aspekte ihrer Wirksamkeit und ihrer chemischen Stabilität", PhD-Thesis, Frankfurt/Main (2005)) mit geringen Abweichungen bei den verschiedenen Herstellern.
Bei kommerziellen Solarzellen wandern die von den Wa- ferherstellern, von der Slurry gereinigten Wafer direkt in den Texturprozess, der bei der basischen Tex- tur nach dem bisherigen Stand der Produktion kommerzieller Solarzellen im industriellen Maßstab in einer Batch-Anlage durchgeführt wird und gleichzeitig auch als Schadensätze dient. Es ist aber auch möglich, dass die Schadensätze als separater Prozessschritt vor der Textur durchgeführt wird. Nach Aufbringen der Textur werden die Wafer einem jeweils bis zu einminütigen HCl- und HF-Dip unterzogen, bevor die Emitterdiffusion durchgeführt wird (Fig. Ib) . Der HCl-Dip soll die auf den Waferoberflachen verbliebenen Reste an KOH-Lösung neutralisieren und deren weiteren chemischen Angriff auf die Waferoberflache stoppen. Ebenso sollen die durch die alkalische Ätzlösung zusätzlich auf der Siliziumoberfläche deponierten metallischen Verunreinigungen, vor allem die aus der basischen Lösung gefällten, schwerlöslichen Hydroxide der dreiwertigen Metall-Ionen Fe3+ und Al3+ wieder in Lösung gebracht werden. Der HF-Dip einen Abtrag des nach dem Texturschritt auf den Wafern vorhandenen, nativen Oxids gewährleisten soll. Die Waferreinigung wird bisher auf zwei Verfahrenswegen vollzogen: entweder in einem Batch- oder in einem Inline-Prozess, wobei jeweils zwei Anlagen, eine für die Slurry-Reinigung und eine für die Textur, zum Einsatz kommen. Für die Wafertextur ist bisher ein
Batch- Prozess technischer Standard. Dabei werden für Reinigung und Textur auch unterschiedliche Chemikaliensysteme eingesetzt: Reinigungstenside enthaltende, nur schwach basische Medien (pH 8-9) für die Rei- nigung, und Texturtenside enthaltende, stark basische Medien (pH > 13) für die Textur. Reinigungstenside und Texturtenside sind bei der bisherigen Solarzellen-Prozessierung nicht identisch. In beiden Fällen wird der pH der Medien über Zugabe von Alkalihydroxi- den (in der Regel NaOH bei der Reinigung und KOH bei der Textur) reguliert.
Beim Batch-Reinigungsprozess durchwandern die kontaminierten Wafer in definierten Portionen Chemikalien- becken unterschiedlicher Komposition. Als Reinigungsmedien dienen in aller Regel wässrige alkalische Medien auf der Basis von Kalium- oder Natriumhydroxid mit verschiedenen tensidischen Zusätzen. Chemikalien- und Reinstwasserkaskaden nutzen als wesentliches phy- sikalisches Prinzip bei der Reinigung den Verdünnungseffekt, der sich beim Durchwandern der Wafer durch eine Vielzahl von Becken ergibt. Die Prozesszeit für eine Charge, all jene Teilschritte von der Wafervereinzelung nach dem Drahtsägen bis zum fertig gereinigten Wafer umfassend, beträgt hier in aller Regel mehr als eine Stunde.
Einen strafferen zeitlichen Ablauf gewährleistet die Inline-Reinigung, bei der die Wafer fließbandartig über ein Rollenfeld befördert werden, wobei sie in den verschiedenen, nicht streng voneinander abge- grenzten Abschnitten der Reinigungsbank variablen chemischen und physikalischen Bedingungen ausgesetzt sind. Die Inline-Reinigung ist anders als die Batch- Reinigung ein kontinuierlicher Prozess . Sie ermög- licht einen kontinuierlichen Austausch der Reinigungsmedien parallel zur Reinigung ohne Unterbrechung des Prozesses und eine verbesserte Medienkontrolle. Aus chemischer Sicht kommen hier ähnliche Reinigungs- medien zum Einsatz wie bei der Batch-Reinigung.
Zur Texturierung der Oberfläche monokristalliner Si- liziumwafer wird bei der Solarzellenherstellung zumeist ein alkalisches Medium bestehend aus Kaliumhydroxid und 2-Propanol verwendet. Zur Wahrung eines ausreichenden Ätzabtrages zur Sägeschadenentfernung sind Ätzzeiten im Bereich zwischen 15 und 25 Minuten üblich, weswegen ausschließlich Produktionsanlagen im Batchverfahren eingesetzt werden. Bei der Texturierung wird die Anisotropie alkalischer Ätzmedien im Ätzverhalten unterschiedlicher Kristallrichtungen im Silizium ausgenutzt um so genannte „zufällig verteilten Pyramiden", englisch „Random Pyramids" zu erzeugen. Als weitere alkalische Ätzmittel neben KOH sind des Weiteren Natriumhydroxid, Tetramethyl-Ammonium- hydroxid und Ethylendiamin Pyrocatechol genannt, wobei sich die hier genannten, organischen Ätzmittel vor allem in einer längeren Bearbeitungszeit von den beiden anorganischen unterscheiden, dafür aber im Gegenzug keine metallischen Kationen aufweisen. Kalium- hydroxid wird bei den anorganischen Ätzmedien gegenüber Natriumhydroxid bevorzugt, weil die nach der Textur auf der Oberfläche verbliebenen Natrium- Ionen aufgrund ihrer höheren Diffusionsgeschwindigkeit gegenüber den größeren Kalium- Ionen als mobile Ladungs- träger im Oberflächenoxid der Silizium-Wafer wirken können. Dies wirkt sich negativ auf die elektrischen Eigenschaften vor allem oxidpassivierter Silizium- Substrate aus .
Ausgehend hiervon war es Aufgabe der vorliegenden Er- findung, ein wässriges Chemikaliensystem bereitzustellen, das eine einfachere Prozessierung (Reinigung, Schadensätze und Textur) bei der Solarzellenherstellung erlaubt. Dies umfasst ebenso die damit verbundene apparative Vereinfachung und Kostenreduk- tion im Herstellungsprozess .
Diese Aufgabe wird durch das flüssige Textur- und Reinigungsmedium mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Die weiteren abhängigen Ansprüche zeigen vor- teilhafte Weiterbildungen auf. In den Ansprüchen 27 bis 30 werden erfindungsgemäße Verwendungen aufgeführt .
Üblicherweise bestehen Texturlösungen aus einem Hydroxid- Ionen-Lieferanten (OH"-Ionen) , bei dem es sich um eine organische oder anorganische Base handelt und einem oberflächenaktiven Stoff, einem sogenannten Tensid, das beim Solarzellenherstellungspro- zess üblicherweise ein organisches Lösungsmittel, vorwiegend 2-Propanol, ist.
Der chemische Angriff auf das Silizium in einem basischen wässrigen Milieu, hier am Beispiel von Kaliumhydroxid-Lösung gezeigt, folgt der Reaktionsglei- chung :
2 K+ (aq) + 2 OH' (aq) + 2 H2O(I) + Si (s) 2 K+ (aq) + Si(OH)2O2 2"(aq) + 2 H2 (g)
Als Reaktionsprodukte entstehen wasserlösliche Salze der Kieselsäure, hier: Kaliumsilicat und elementarer Wasserstoff, der nach Überschreiten der Sättigungsgrenze in der Lösung aus dieser als Gas entweicht.
Das Tensid verfügt über mindestens eine hydrophile und mindestens eine hydrophobe Gruppe. Beim reinen Texturprozess besitzt es zwei wesentliche Aufgaben:
1. Durch seinen Doppelcharakter als wasserlöslicher hydrophiler und hydrophober Stoff ist es in der Lage, sowohl hydrophile wie hydrophobe Siliziumsubstrate vollständig zu benetzen. Wird die Siliziumoberfläche beispielsweise vor dem Texturschritt einer Politurätze mit Flusssäure enthaltenden Medien unterzogen, so ist die Oberfläche mit Wasserstoffatomen terminiert, d.h. jene Valenzen der Oberflächenatome, an die keine weiteren Silizium-Atome mehr anschließen, sind mit Wasserstoff abgesättigt. Aufgrund der geringen Elektronegativitätsdifferenz zwischen Silizium und Wasserstoff sind diese Bindungen unpolar; eine solche Oberfläche ist entsprechend hydrophob. Verfügt die Oberfläche hingegen über eine dünne Schicht nativen Oxids, wie es sich beispielsweise bei frisch gesägten Wafern ausbil- det, während diese beim Drahtsägeprozess feuchter Slurry ausgesetzt sind, so ist die Oberfläche vorwiegend hydrophil, aufgrund der starken Polarität der Si-O-Bindung, die von der hohen Elektronegativitätsdifferenz zwischen Silizium und Sauerstoff herrührt.
Eine vollständige und gleichmäßige Benetzung der Oberfläche ist für die Ausbildung einer gleichmäßigen Textur des Siliziumsubstrats unverzicht- bar. Ist eine uniforme Benetzung der Oberfläche nicht gegeben, so sind unterschiedliche Regionen der Substratoberfläche unterschiedlich stark dem chemischen Angriff des Ätzmediums ausgesetzt, was die Ausbildung von Ätzpyramiden stark variierender Größe zur Folge hat. Neben einem höhe- ren Reflexionsgrad haben diese Oberflächen noch den Nachteil einer schwierigeren Prozessierbar- keit und sind daher im Solarzellenfertigungspro- zess unerwünscht.
2. Organische Flüssigkeiten verfügen in der Regel über eine um ein Vielfaches höhere Löslichkeit unpolarer Gasmoleküle als das polare Lösungsmittel Wasser. Dies hat wiederum zur Folge, dass auch der sich beim Ätzvorgang mit Hydroxid- Ionen bildende Wasserstoff in dem absorbierten Oberflächenfilm aus organischem Lösungsmittel besser gelöst und somit länger an der Oberfläche festgehalten wird als in rein wässriger Lösung. Das Ergebnis ist eine starke Bedeckung der Silizium- Oberfläche mit feinsten Gasbläschen, die als
Keime für die Ausbildung von Texturpyramiden fungieren.
Eine Theorie zur Oberflächentexturierung von Silizi- um-Substraten besagt, dass feinste, an der Oberfläche adsorbierte Gasbläschen lokal und temporär den Ätzangriff von Hydroxid- Ionen auf das Substrat blockieren. An den Stellen wo Gasbläschen haften, tritt der Angriff demnach retardiert ein, während die Umgebung um die Gasbläschen herum bereits abgetragen wird. Die blockierten Stellen bilden später die Spitzen der sich ausbildenden Ätzpyramiden. Obwohl diese Theorie zum Hergang des Ätzvorgangs nicht einhellig vertreten wird, herrscht doch weitestgehende Einigkeit in der Literatur über die Notwendigkeit einer starken und gleichmäßigen Absorption des gebildeten Wasserstoffs an der Substrat-Oberfläche als Voraussetzung für die Ausbildung einer qualitativ hochwertigen Textur.
Als hydrophobe Gruppen dienen in Tensiden beispiels- weise verschiedene Alkyl-Gruppen, Vinyl-Gruppen oder aromatische Systeme, z.B. Phenyl-Reste . Auch Kombinationen dieser Gruppen sind möglich, wie etwa bei der Toluolsulfonsäure, welche über einen Benzol -Ring mit einer Methyl-Seitenkette verfügt.
Hydrophile Gruppen sind beispielsweise Hydroxy- Gruppen (-OH), wie im Falle des klassischen Texturmittels Isopropanol, SO3H-Gruppen, wie bei der Toluolsulfonsäure, Nitro-Gruppen (-NO2) , Carboxyl-Gruppen ( -COOH) , Phosphat -Reste (-0-PO3H) oder Ammonium-Reste (-NH4 +) , um nur einige Möglichkeiten zu nennen.
Art und Länge der hydrophoben und hydrophilen Reste bestimmen die Benetzungs- und Gaslöseeigenschaften der Tenside, ebenso wie ihren Siedepunkt.
Je länger beispielsweise der hydrophobe Rest des Ten- sids ist, desto stärker sind die van der Waals- Kräfte, die zwischen den Molekülen des Tensids wirken und desto höher ist sein Siedepunkt. Das Isopropanol, das nur über zwei kurzkettige (Methyl-) Gruppen verfügt besitzt daher einen relativ niedrigen Siedepunkt von 82 0C, während p-Toluolsulfonsäure mit seinem längeren hydrophoben Rest erst bei 140 0C siedet.
Je höher der unpolare, hydrophobe Anteil in den Ten- sid-Molekülen, desto höher ist auch seine Lösungskapazität für unpolare (Wasserstoff -) Gasmoleküle .
Neben einer gleichmäßigen Benetzung der Oberfläche des zu texturierenden Wafers und ihrer Unterstützung bei der Gasabsorption an der Wafer-Oberflache leisten Tenside noch einen weiteren wichtigen Beitrag bei der Prozessierung der Solarzellenwafer : Sie fungieren als effektive Reinigungsmittel für die Wafer, indem sie organische Verunreinigungen, etwa Schwebeteilchen oder organische Reste, aus der Slurry, wie etwa PoIy- ethylenglykol, Epoxid-Harze, oder Klebstoffreste in der wässrigen Lösung binden und dadurch deren Deposition auf der Substratoberfläche verhindern.
Anorganische, metallische Verunreinigungen können ebenfalls durch einige organische Reagenzien, die hier als Texturmittel eingesetzt werden, sehr effektiv gebunden werden.
Die Isolation der organischen Kontaminationen in Lösung erfolgt über Micellenbildung. Micellen sind kugelförmige Agglomerate aus Tensidmolekülen, in deren Zentrum sich die meist unpolare organische Verunrei- nigung befindet, umgeben von den unpolaren Resten der Tensid-Moleküle . Die polaren Reste der Tensid-Mole- küle, welche die Oberfläche der Micelle bilden, sorgen für die Löslichkeit der Micelle im polaren Lösemittel Wasser.
Die Fähigkeit zur Micellen-Bildung ist nicht bei allen oberflächenaktiven Stoffen gleichermaßen ausgeprägt . Sie ist unter anderem von der Beschaffenheit des hydrophoben Restes abhängig, allem voran seiner räumlichen Ausdehnung. Aus diesem Grund ist beispielsweise Isopropanol mit seinen zwei sehr kurzen hydrophoben Resten ein sehr schlechter Micellenbild- ner, während langkettige Carbonsäuren oder deren Ani- onen, die klassischen Bestandteile vieler Reinigungs- mittel, sehr gute Micellenbildner sind. Mit steigender Kettenlänge des hydrophoben Rests sinkt die Wasserlöslichkeit des Tensids. Langkettige Carbonsäuren (mit Kettenlängen von mehr als 6 C- Atomen) sind daher zunehmend schlechter wasserlös - lieh. Sie sind zwar gute Micellenbildner, aber schlechte Texturmittel, letzteres unter anderem auch deswegen, weil sie häufig nicht mehr in der Lage sind, die Siliziumoberfläche vollständig und gleichmäßig zu benetzen. Gründe hierfür sind zum einen ihre geringe Adhäsion an hydrophilen Bereichen der Substratoberfläche relativ zu ihrer Molekülgröße ebenso wie die stark abnehmende Löslichkeit im polaren Medium Wasser, wodurch die Konzentration an gelösten Ten- sidmolekülen hin zu größeren hydrophoben Kettenlängen so gering wird, dass sie für eine vollständige Bedeckung der Substratoberfläche nicht mehr ausreicht. Hinsichtlich der Benetzungseigenschaften wirken lang- und kurzkettige Tenside, ionische und nichtionische komplementär. Aus diesem Grund stellt es sich als sinnvoll dar, beim Erzielen möglichst hoher und homogener Substratbedeckungen unterschiedliche Arten von Tensiden parallel einzusetzen.
Das Mischungsverhältnis zwischen Tensiden mit lang- kettigen und kurzkettigen hydrophoben Resten, ebenso wie das Mischungsverhältnis zwischen ionischen und nicht- ionischen Tensiden bestimmt das Pyramidenwachstum und somit auch die Texturqualität.
Toluolsulfonsäure beispielsweise stellt hingegen hierbei einen guten Kompromiss zwischen Texturwirksamkeit und Reinigungswirkung dar. Anders als die langkettigen Carbonsäuren ist sie in hoher Konzentration in Wasser löslich und daher in einem weiten Kon- zentrationsbereich einsetzbar. Gleiches gilt für einige kurzkettige (Hydroxy-) Carbonsäuren und -Dicar- bonsäuren mit und ohne Zusätze einer leichter flüchtigen organischen Komponente, etwa eines kurzkettigen Alkohols.
Aromatische Alkohole, wie beispielsweise Brenzcate- chin (1, 2-Dihydroxybenzol) , einige Diarbonsäuren, z.B. Oxalsäure und Hydroxycarbonsäuren, z.B. Weinsäure, ebenso wie zahlreiche Aminocarbonsäuren, wie beispielsweise EDTA (Ethylendiamintetraessigsäure, TITRIPLEX III) und CDTA ( trans-1 , 2-Cyclohexandiamin- tetraessigsäure, TITRIPLEX IV) , DTPA (Diethylendia- min-pentaessigsäure, TITRIPLEX V) , sind außerdem in der Lage, mit einigen Metall-Ionen in basischer wäss- riger Lösung Chelat-Komplexe zu bilden, die dazu bei- tragen, dass diese Metall -Ionen nicht mehr an der Wa- feroberfläche absorbiert oder als schwerlösliche Salze deponiert werden, sondern in Lösung verbleiben.
Weinsäure bildet beispielsweise mit den Metall-Ionen Fe3+, Al3+, Cr3+, Pb2+, Cu2+ sehr stabile Chelat- Komplexe und erhöht dadurch deren Löslichkeit in basischen Lösungen, aus denen diese in Abwesenheit des Chelatbildners als schwer lösliche Hydroxide ausfallen.
Die reinigende Wirkung dieser organischen Verbindungen sowohl auf die Lösung als auch Silizium-Substrat- Oberflächen ist in der Halbleitertechnik bekannt.
Toluolsulfonsäure ist tensidischer Hauptbestandteil des Wafer-Reinigungsmittels PURATRON® 67 der Firma ICB GmbH & Co. KG. Alkyl-Sulfonsäuren im Allgemeinen sowie deren alkyl- und (poly- ) alkoxyl- substituierte Derivate sind als Reinigungstenside und nicht als texturwirksame Stoffe bekannt. Erfindungsgemäß wird ebenso ein Texturmedium für die Oberflächenbehandlung von monokristallinen Wafern bereitgestellt. Dieses Texturmedium enthält mindestens ein alkalisches Ätzmittel für monokristallines SiIi- cium und mindestens eine schwerflüchtige organische Verbindung mit einer Siedetemperatur von mehr als 110 0C, bevorzugt mehr als 120 0C und besonders bevorzugt mehr als 150 0C.
Das erfindungsgemäße Texturmittel besitzt den Vorteil, dass hier tendenziell höhere Prozesstemperaturen genutzt werden können, z.B. Temperaturen oberhalb von 110 0C, im Vergleich zu jenen Verfahren, bei denen ausschließlich flüchtige Texturmittel zum Einsatz kommen, da hier Temperaturen von ca. 80 0C, dem etwaigen Siedepunkt von Isopropanol (82 0C) und Ethanol (78 0C) gängig sind. Höhere Prozesstemperaturen gewährleisten dabei einen schnelleren Ätzangriff des Reinigungs- und Texturmediums ohne die Gefahr eines schnellen Ausgasens der Komponenten und verringern dadurch die Prozesszeiten. Andererseits fördern hohe Prozesstemperaturen aber auch die unerwünschte Diffusion einiger metallischer Verunreinigungen aus der Lösung in das Silizium-Substrat, wenn diese nicht be- reits in der Lösung gebunden werden, z.B. durch Komplexbildung. Weiterhin sind einige der schwerflüchtigen Texturmittel kostengünstig in der Anschaffung und gleichzeitig biologisch abbaubar, da es sich bei vielen dieser Verbindungen um Naturstoffe handelt, was ebenfalls die Prozesskosten reduziert.
Bevorzugt weist die schwerflüchtige organische Verbindung eine Siedetemperatur von ≥ 12O0C, besonders bevorzugt ≥ 1500C auf. Die mindestens eine schwerflüchtige organische Verbindung ist vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus gesättigten oder ungesättigten alipha- tischen oder aromatischen Carbonsäuren, Dicarbonsäu- ren, Polycarbonsäuren, Hydroxy (poly-) Carbonsäuren, Aminocarbonsäuren (der allgemeinen Formeln wie in I.1-1.3 dargestellt), deren Estern sowie Mischungen hiervon. Hierbei werden besonders Verbindungen aus der Gruppe bestehend aus Oxalsäure, Malonsäure, MaI- einsäure, Bernsteinsäure, Adipinsäure, Apfelsäure, Weinsäure, Milchsäure, Zitronensäure, Phthalsäure, Terephthalsäure, Salicylsäure, Nitrilotriessigsäure (NTA) , Ethylendiamintetraessigsäure (EDTA) , Diethy- lentriaminpentaessigsäure (DTPA), trans-1,2- Cyclohexan-diamintetraessigsäure (CDTA) sowie Mischungen hiervon eingesetzt.
R0
Figure imgf000015_0001
x ,y, z = 0 - 12
1.1: Kettenförmige Aminocarbonsäuren
Figure imgf000015_0002
m, n, o = 1 - 6 1.2 Ringförmige, heterocyclische Aminocarbonsäuren
,
Figure imgf000016_0001
1.3: An Cyclohexan- substituierte Aminocarboxyl -Reste
Vorzugsweise sind im Textur- und Reinigungsmittel als schwerflüchtige organische Verbindung gesättigte oder ungesättigte alphatische (PoIy) alkohole, insbesondere ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus geradketti- gen, verzweigten oder cyclischen C4-C8-Diolen oder C6- Ci2-Triolen oder Mischungen hiervon. Besonders bevorzugt sind 1, 5-Pentandiol, 1, 6-Hexandiol , cis/trans- l,X-Cyclopentandiol (X=2,3), cis/trans-1, X- Cyclohexandiol (X=2,3,4), cis/trans-1, X- Cycloheptandiol (X=2,3,4) , Cyclohexantriole, Cyclo- heptantriole, Cyclononantriole, insbesondere 1,4,7- Cyclononantriol, cis/trans-1, 4-Cyclohexandiol und Mischungen hiervon.
Als besonders bevorzugter Vertreter aus der Reihe der schwerflüchtigen Alkohole sei das cis/trans-1, 4- Cyclohexandiol hervorgehoben. Aufgrund seiner extrem schnellen Texturwirkung auf Silizium-Substrate, wird eine Inline-Texturierung überhaupt erst ermöglicht, welche mit dem bisherigen Standard-Texturmittel 2- Propanol nicht möglich ist, insbesondere aufgrund der hohen Flüchtigkeit des 2-Propanol und der daraus resultierenden Instabilität der Badzusammensetzung.
Die Reinigungswirkung der (PoIy) alkohole basiert zum einen darauf, dass Polyalkohole gute Lösemittel für organische Verunreinigungen sind. Zum anderen können Hydroxy-Gruppen in cis-Stellung zueinander Metallio- nen als -Liganden komplexieren und auf diese Weise deren Re-depostion auf der Waferoberflache verhindern. Die Metall-Sauerstoff-Bindung wird bei (Po- Iy) alkoholen im Gegensatz zu einfachen Alkoholen zusätzlich durch einen Intropieeffekt stabilisiert.
Die mindestens eine schwerflüchtige organische Verbindung wird dabei vorzugsweise in einer Konzentration von 1 bis 20 Gew.-%, besonders bevorzugt 2 bis 10 Gew.-%, jeweils bezogen auf das gesamte Texturmedium, eingesetzt.
Eine weitere bevorzugte Variante sieht vor, dass als schwerflüchtige organische Verbindungen solche aus der Gruppe der aromatischen Sulfonsäuren oder aroma- tischen (PoIy-) Alkohole, z.B. Resorcin oder Brenzca- techin, oder aromatischen Ether eingesetzt werden, die gegebenenfalls entweder durch unpolare Seitenketten, etwa ein oder mehrere Alkyl- (z.B. Ethyl-, Pro- pyl-, Oktyl, Isopropyl-, ter-Butyl, etc.), Alkyleno- xid- (z.B. Ethylenoxid- oder Polyethylenglykoloxid-) , Alkylvinyl-Gruppen, oder durch polare Seitenketten, etwa Hydroxy-Gruppen, -SO3H-Gruppen, Carboxyl -Gruppen, -SH-Gruppen, Amino-Gruppen, substituiert sein können. Besonders bevorzugt aus der Gruppe der aroma- tischen Sulfonsäuren mit einer Alkyl-Seitenkette ist Toluolsulfonsäure, während ein bevorzugter Vertreter aus der Gruppe der alkoxyl- substituierten aromatischen Alkohole 1, 3-Dihydroxy-4-Ethoxy-Benzol ist. Als bevorzugte Vertreter aus der Reihe der aromatischen, alkylsubstituierten (PoIy- ) Ether seien hier Triton X-100® (Polyethylenglykol-tert-oktylphenylether) , Tergitol NP- 9 (verschiedene Alkylphenylethylenglyko- Ie) (beide von Union Carbide Corporation) sowie No- nylphenylethoxylat mit dem Markennamen Triton N- 57® (Hersteller: Rohm & Haas) genannt, (siehe II .1 bis II.2) Experimentell konnte belegt werden, dass ToIu- olsulfonsäure selbst in höherer Konzentration (über 3 % bezogen auf das gesamte Texturmittel) in Texturmitteln mit etwas erhöhtem Alkalihydroxidgehalt, z.B. zwischen 5 bis 10 Gew.-%, einen starken Textureffekt zeigt, der in Systemen mit niedrigen Gehalten an Alkalihydroxid und Toluolsulfonsäure nicht beobachtet wird.
Figure imgf000018_0001
p-Toluolsulfonsäure Bestandteil von PURATRON 67
Figure imgf000018_0003
Figure imgf000018_0002
Figure imgf000018_0004
Polyethylenglykol-terf-oktylphenylether Bestandteil von TRITON X-100 p = 0 - 12; q = 0 - 12
Figure imgf000019_0001
s = 0 - 12; t = 0 - 12
Figure imgf000019_0002
-(-CH2^-COOH , SO3H — (- CH2-)- SO3 " Kat+ w w u = 0 - 16; v = 1 - 16; w = 0 - 2
Y = H OH SH COOH SO3H
NH2 NH(Alkyl) N(Alkyl)2
II.2: Substituierte aromatische Sulfonsäuren, Alkohole und Ether mit jeweils einem bevorzugten Vertreter
Die Behandlungslösung enthält dabei vorzugsweise 0,1 bis 10 Gew.-% der Sulfonsäure.
Eine weitere bevorzugte Variante sieht vor, dass als schwerflüchtige organische Verbindungen solche aus der Gruppe der Schwefelsäurealkylester sowie deren Salze eingesetzt werden. Besonders bevorzugt sind hier Laurylsulfate, Myristylsulfate, Stearylsulfate, Caprylsulfate, z.B. Natriumlaurylsulfat, Kaliumlau- rylsulfat, Ammoniumlaurylsulfat , Ammoniumcaprylsulfat (vgl. : III) .
Figure imgf000019_0003
Allgemeine Formel von Alkylsulfaten O H
,O — S — O" H N — H
O H
Ammoniumlaurylsulfat
Laurylsulfate sind Bestandteile des Tensids SDS
III: Alkylsulfate mit Ammoniumlaurylsulfat als einem bevorzugten Vertreter
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform werden als schwerflüchtige organische Verbindungen Polysor- bate eingesetzt (vgl.: IV) . Ein besonders bevorzugter Vertreter dieser Stoffgruppe ist Polyoxyethylen- sorbitan-monolaurat, unter dem Markennamen TWEEN® 20 (Uniqema, ICI Americas . Inc.) in hoher Reinheit kommerziell erhältlich.
Figure imgf000020_0001
IV: Polysorbate mit Polysorbat 20 (TWEEN® 20) als bevorzugtem Vertreter
Als Ätzmittel enthält das erfindungsgemäße Texturmittel vorzugsweise eine Verbindung ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Tetramethyl -Ammoniumhydroxid, Ethylendiamin-Pyroka- techol und Mischungen hiervon. Vorzugsweise ist das Ätzmittel, der Hydroxid- Ionen- Lieferant, in einer Konzentration von 4 bis 15 Gew.-%, bezogen auf das gesamte Texturmedium, insbesondere 5 bis 7 Gew.-% enthalten.
Zusätzlich kann das Texturmedium mindestens eine leichtflüchtige organische Komponente, insbesondere einen leichtflüchtigen, linearen oder verzweigten Alkohol mit einer Siedetemperatur von maximal 120 0C enthalten. Der leichtflüchtige Alkohol ist vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Methanol, Ethanol, n-Propanol, iso-Propanol, n-Butanol, sec-Butanol, iso-Butanol, tert-Butanol und Mischungen hiervon. Der leichtflüchtige Alkohol liegt bevorzugt in einer Konzentration von 2 bis 20 Gew.-%, insbesondere 2 bis 10 Gew.-%, bezogen auf das gesamte Texturmedium, vor.
Weiterhin kann die Behandlungslösung vorzugsweise ein weiteres Tensid enthalten. Dieses wird erfindungsgemäß eingesetzt, um eine weitere, diesmal großflächige Homogenisierung des chemischen Angriffs der Wafero- berflache und dadurch eine Verbesserung der optischen Qualität des Wafers zu erreichen. Diese optische Ho- mogenität ist im Hinblick auf die Ästhetik der Wafer von besonderer Bedeutung, die in der kommerziellen Solarzellenproduktion ein entscheidender Preisfaktor für Industriesolarzellen ist.
Das Tensid ist vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Natriumlaurylsulfat , Polyethylenglykol, Polyethylenglycol-Octylphenylether und Mischungen hiervon. Dabei kann das Tensid in einer Konzentration von 1 bis 20 Gew.-%, insbesondere 2 bis 10 Gew.-%, bezogen auf die gesamte Behandlungslösung, enthalten sein. Vorzugsweise ist das Texturmedium in Tauchätzverfahren einsetzbar, die als Durchlauf- oder Batch-Verfah- ren ausführbar sind.
Das Texturmediutn weist vorzugsweise eine Viskosität im Bereich von 0,3 bis 1000 mPa s, bevorzugt von 0,5 bis 100 mPa s und besonders bevorzugt von 0,6 bis 10 mPa s auf.
Anhand des nachfolgenden Beispiels soll das erfindungsgemäße Verfahren näher erläutert werden, ohne dieses auf die hier gezeigten speziellen Ausführungsformen einschränken zu wollen.
Beispiel 1
Reinigung, Schadensätze und Texturierung in einem Schritt beim Batch-Prozess
Ein erfindungsgemäßes Beispiel zur Reinigung, Schadensätze und Texturierung in einem Ätzschritt betrifft einen Batch-Reinigungsprozess, bei dem eine Anlage aus vier Modulen besteht, die räumlich über jeweils eine Luftschleuse voneinander getrennt sind. Jedes Modul besteht aus einer nach außen abgeschlossenen Kammer variierbarer Länge, je nach Anzahl gleichzeitig zu prozessierender Wafer. Die Kammern werden nur kurzzeitig zum Be- und Entladen, welches max. 10 Sekunden pro Modul in Anspruch nimmt, geöffnet und verfügen über einen minimalen Gasraum, damit die thermische und chemische Gleichgewichtseinstellung zwischen flüssiger Phase und Gasphase schnell erfolgen kann. In den einzelnen Kammern befinden sich Prozesswannen, in welche Schienen eingetaucht werden können, auf denen die Wafer zu Beginn des Reinigungsprozesses fixiert werden und auf denen sie von Prozesskammer zu Prozesskammer wechseln.
In den einzelnen Modulen laufen folgende Teilprozesse ab:
Modul 1: Vorreinigen der mit Slurry verschmutzten Wafer mit Hilfe von Di-Wasser
Im Modul befindet sich eine Wanne, die nach jedem Spülschritt entleert wird. Reinigungsmedium ist 40 - 800C warmes DI-Wasser. Die Wafer werden optional während der Spülung mit einer Megaschallquelle beschallt. Beschallungsfrequenz ist 1 MHz. Die Prozessdauer beträgt vorzugsweise 6 ^ min.
Modul 2: Schadensätze verbunden mit Abtrag der Kontaminationen, welche sich in der geschädigten Schicht befinden + Textur der Waferoberfläche
In Modul 2 befindet sich analog zu Modul 1 mindestens ein Basin, in dem die zu prozessierenden Wafer waagerecht fixiert sind.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel besitzt als Ätzmedium in Modul 2 eine 5 gewichtsprozentige KOH- Lösung mit 7 Gew.-% Toluolsulfonsäure bezogen auf die gesamte Lösung. Die Ätzzeit beträgt 20 min; die Badtemperatur liegt bei 110 0C. Die Fließgeschwindigkeit des Ätzmediums beträgt auf der Waferoberfläche ca. 5 cm/min bei einer Filmdicke von 3 mm. Im Gegensatz zu den anderen Modulen, in denen die Verweilzeit ca. 6,5 Min. beträgt, ist die Verweilzeit der Wafer in Modul 2 etwa 3 mal höher. Um einen kontinuierlichen Prozessfluss zu garantieren, werden in Modul 2 mindestens drei Waferschienen (Carrier) gleichzeitig prozessiert, die zeitlich versetzt in einem Abstand von ca. 6 bis 6,5 Min. in die Kammer eingebracht bzw. aus dieser entfernt werden.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel sieht als Ätzmedium für Modul 2 eine wässrige Natriumhydroxidlösung mit Adipinsäure als Texturtensid vor, wobei der NaOH- Gehalt der Lösung bei 6 Gew.-% und der Adipinsäurege- halt bei 4 Gew.-% bezogen auf die gesamte Lösung lie- gen. Die Ätzzeit beträgt auch hier 20 min; die Badtemperatur liegt bei 110 0C. Die Fließgeschwindigkeit des Ätzmediums beträgt auf der Waferoberfläche ca. 4 cm/min bei einer Filmdicke von 4 mm.
Modul 3: Nachspülen der fertig texturierten Wafer mit Di-Wasser
Aufgabe dieses Prozessschrittes ist die Entfernung verbliebener Ätzlösungsreste auf den Wafern aus Modul 2.
Eine bevorzugte Ausführung der Erfindung sieht die gleiche bauliche Ausführung des Moduls 3 vor wie sie bei Modul 1 vorhanden ist. Dabei sind ebenso die Pro- zessparameter (Prozesszeit, Prozesstemperatur, Beschallung der Becken) jenen aus Modul 1 identisch.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführung der Erfindung werden die Wafer mittels einer Spray-Vorrichtung von den Ätzlösungsresten gereinigt. Die Prozessdauer beträgt dann jedoch nur 3 — 3 5^ min. Modul 4: Verkürzte RCA-Reinigung
Aufgabe dieses Reinigungsschrittes ist die Entfernung noch verschleppter Reste metallischer und organischer Kontaminationen auf der Waferoberfläche .
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst Modul 4 zwei Wannen. Die erste Wanne ist mit einer wässrigen Ammoniumhydroxid (NH4OH) /Wasserstoffperoxid (H2O2) -Lösung in den für RCA-Reinigungen üblichen Konzentrationen bestückt. Die Prozesstemperatur beträgt hier bevorzugt 80 — 900C, die Prozesszeit 6 % bis 7 min.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die erste Wanne von Modul 4 mit einer halbkonzentrierten HCl-Lösung befüllt. Die Prozesszeit für den darin durchgeführten HCl-Dip beträgt ca. 2 min, die Prozesstemperatur 50 0C.
Die zweite Wanne enthält wässrige, verdünnte bis halbkonzentrierte HF-Lösung. Prozesstemperatur ist 250C (Raumtemperatur) , Prozessdauer 10 - 15 Sekunden. Nach Verlassen der Wanne werden die Wafer einem 3 — 33^ min. andauernden Spray-Durchgang mit DI -Wasser in Modul 3 unterzogen.
In diesem Zustand können sie sofort ohne weitere Auf- reinigungsschritte weiterprozessiert werden.
Mit dem vorliegenden Verfahren behandelte Wafer wiesen im praktischen Versuch tendenziell bessere optische Eigenschaften (verringerte Reflexion) und vergleichba- re elektrische (Oberflächenladungsträgerrekombinati- onsgeschwindigkeit) und signifikant bessere mechani- sehe Eigenschaften (höhere Bruchfestigkeit) auf, wie mit dem klassischen Reinigungs- und Texturkonzept bearbeitete Wafer.
Beispiel 2
Reinigung und Textur drahtgesägter Wafer
Ein weiteres erfindungsgemäßes Beispiel zur Texturie- rung von drahtgesägten Wafern bei gleichzeitiger Reinigung betrifft einen Batch-Prozess, bei dem in Modul 2 ein Ätzmedium zum Einsatz kommt, das, bezogen auf die gesamte Lösung, zu 3 , 5 Gew-% Kaliumtosylat (Kaliumsalz der p-Toluolsulfonsäure) , 1 Gew.-% Kaliumtat- rat (Kaliumsalz der Weinsäure) , 4 Gew. -% Kaliumhydroxid und 2 Gew.-% 2-Propanol besteht. Die Prozesszeit beträgt in Modul 2 21 bis 25 Minuten bei ca. 80 bis 85 0C Badtemperatur.
Beispiel 3
Reinigung und Textur drahtgesägter Wafer
Ein weiteres erfindungsgemäßes Beispiel zur Reinigung und Texturierung von drahtgesägten Wafern betrifft einen Batch-Prozess, bei dem in Modul 2 ein Ätzmedium zum Einsatz kommt, das bezogen auf die gesamte Lösung, zu 3 , 5 Gew.-% Kaliumtosylat, 1 Gew.-% Ammonium- citrat, 5 Gew.-% Kaliumhydroxid, 3,5 Gew.-% 2- Propanol und 0,5 Gew.-% Triton® X-100 besteht. Die
Prozesszeit beträgt in Modul 2 21 bis 25 Minuten bei einer Badtemperatur von 82 bis 85 0C.
In Modul 4 ist die erste Wanne mit 5 Gew.-% HCl- Lösung bestückt. Badtemperatur ist 35 0C. Die Eintauchzeit beträgt 2 Minuten. Die restlichen Versuchsparameter sind analog jenen in Ausführungsbeispiel 1.
Beispiel 4
Reinigung und Textur drahtgesägter Wafer
Ein weiteres erfindungsgemäßes Beispiel zur Reinigung und Texturierung von drahtgesägten Wafern betrifft einen Batch-Prozess, bei dem in Modul 2 eine Ätz-/ Reinigungslösung zum Einsatz kommt, welche, bezogen auf Masse der gesamten Lösung, aus 4 Gew.-% Kaliumhydroxid, 3,5 Gew.-% Kaliumtosylat, 2,5 Gew.-% 2- Propanol, 0,5 Gew. -% Natriumlaurylsulfat , und 0,25 Gew.-% EDTA (Ethylendiamintetraacetat) besteht.
In Modul 4 ist die erste Wanne mit 5 Gew.-% HCl- Lösung bestückt. Badtemperatur ist 35 0C. Die Ein- tauchzeit beträgt 2 Minuten.
Die restlichen Versuchsparameter sind analog jenen in Ausführungsbeispiel 1.
Die restlichen Prozessparameter für die anderen Module entsprechen jenen von Ausführungsbeispiel 1.
Beispiel 5
Reinigung und Textur drahtgesägter Wafer
Ein weiteres bevorzugtes Beispiel zur Texturierung von drahtgesägten Wafern bei gleichzeitiger Reinigung betrifft einen Batch-Prozess, bei dem in Modul 2 ein Ätzmedium zum Einsatz kommt, das, bezogen auf die gesamte Lösung,! Gew.-% Brenzcatechin, 4 Gew-% Kalium- tosylat, 5 Gew.-% Kaliumhydroxid besteht. Die Prozesszeit beträgt in Modul 2 21 bis 25 Minuten bei ca. 100 bis 110 0C Badtemperatur (schwankend) .
Beispiel 6
Textur polierter Wafer
Eine erfindungsgemäßes Beispiel zur Texturierung po- lierter Wafer betrifft einen Batch-Prozess, bei dem das zur Prozessierung erforderliche System aus vier Becken besteht.
In Becken 1 werden die polierten (bereits sehr saube- ren) Wafer in reinen Alkohol, vorzugsweise Isopropa- nol, getaucht. Die Temperatur des Alkohols beträgt zwischen 20 und 25 0C. Dieser Schritt dient ausschließlich der gleichmäßigen Benetzung der Oberfläche noch vor dem ersten chemischen Angriff durch die Ätzlösung in Becken 2. Die Wafer wechseln von Bad 1 in Bad 2 im triefenden Zustand.
Becken 2 enthält die eigentliche Texturlösung bestehend aus 5 Gew.-% KOH, 3,5 Gew.-% p-Toluolsulfonsäure und 3,5 Gew.-% 2-Propanol bezogen auf die gesamte Lösung. Die Badtemperatur schwankt während des Ätzprozesses zwischen 80 und 85 0C. Die Ätzzeit beträgt zwischen 40 und 50 Minuten, je nach Beckentemperatur (bei Ätztemperaturen um konstant 85°C beträgt sie ca. 40 min) .
Becken 3 enthält eine ca. 5 bis 6 Gew.-%-ige Salzsäurelösung mit einer Temperatur von ca. 20 bis 25 0C. Nach Verlassen von Becken 2 werden die Wafer kurz mit deionisiertem Wasser abgesprüht, bevor sie in Bad 3 wechseln, wo sie ca. 1 bis 2 Minuten verbleiben. Prozessschritt 3 in Becken 3 dient der Neutralisation noch verbliebener KOH-Reste auf der Waferoberflache und somit dem Ätzstopp. Nach Verlassen von Becken 3 wechseln die Wafer in ein viertes Becken mit reinem, deionisiertem Wasser, wo sie bis auf den Leitwert des deionisierten Wassers gespült werden.
Eine auf diese Weise texturierte Waferoberflache erreichte im praktischen Experiment einen Reflexionsgrad von ca. 10,8 % (gewichtete Reflexion) .
Beispiel 7
Textur polierter Wafer
Ein weiteres erfindungsgemäßes Beispiel zur Texturie- rung polierter Wafer sieht bei sonst gleichen Parame- tern wie im vorhergehenden Beispiel als Ätzrezeptur für Becken 2 eine wässrige Lösung mit 5 Gew.-% Kaliumhydroxid und 7 Gew.-% Kaliumtosylat (Kaliumsalz der Toluolsulfonsäure) vor. Die Badtemperatur beträgt hier ca. 95 bis 100 0C, die Ätzzeit 30 bis 40 Minu- ten.
Beispiel 8
Textur polierter Wafer
Ein weiteres erfindungsgemäßes Beispiel zur Texturie- rung polierter Wafer sieht als Ätzrezeptur für Becken 2 eine wässrige Lösung von, bezogen auf die gesamte Lösung, 5 Gew-% KOH und 2 Gew.-% Adipinsäurediethyl- ester vor. Die Badtemperatur beträgt ca. 80 0C, die
Ätzzeit maximal 50 Minuten. Die Versuchsparameter für die Bäder 1, 3 und 4 sind analog jenen aus Beispiel 1.
Die in Beispiel 2 und 3 dargestellten Rezepturen und Reaktionsbedingungen für Becken 2 sind auch als Ätz- medien für Modul 2 bei einem Reinigungs-/Textur- Prozess für drahtgesägte, mit Schleifmittel kontaminierte Wafer geeignet.
Beispiel 9
Textur polierter Wafer
In einem weiteren erfindungsgemäßen Beispiel wird ganz auf den Einsatz von 2-Propanol im Texturprozess verzichtet. Bad 1 enthält hier an Stelle reinen 2- Propanols eine ca. 40 0C warme p-Toluolsulfonsäure- Lösung mit 20 bis 30 Gew. -% Toluolsulfonsäure .
Eine auf diese Weise texturierte Waferoberflache erreichte im praktischen Experiment einen Reflexions - grad von ca. 11,3 % (gewichtete Reflexion) .

Claims

Patentansprüche
1. Flüssiges Textur- und Reinigungsmedium für die Oberflächenbehandlung von monokristallinen Wa- fern enthaltend mindestens ein alkalisches Ätzmittel für monokristallines Silizium und mindes- tens eine schwerflüchtige organische Verbindung mit einer Siedetemperatur von mehr als 110 0C.
2. Textur- und Reinigungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die schwerflüchtige organische Verbindung eine Siedetemperatur von mindestens 120 0C, insbesondere mindestens 150 0C aufweist.
3. Textur- und Reinigungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Ver- bindung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus gesättigten oder ungesättigten aliphatischen oder aromatischen Carbonsäuren, Dicarbonsäuren, Hydroxycarbonsäuren, Aminocarbonsäuren, C4-Ci8- (PoIy) alkoholen und Mischungen hiervon.
4. Textur- und Reinigungsmedium nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Verbindung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Oxalsäure, Malonsäure, Maleinsäure, Adipin- säure, Apfelsäure, Zitronensäure, Weinsäure, Milchsäure, Ameisensäure, deren Salze sowie deren Methyl- und Ethylester sowie Mischungen hiervon.
5. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die schwerflüchtige organische Verbindung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ethylendiamintetraessigsäu- re (EDTA), 1, 2-Cyclohexan-diamintetraessig- säure (CDTA) sowie Salzen hiervon.
6. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die schwerflüchtige organische Verbindung ein Polysorbat ist.
7. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3 , dadurch gekennzeichnet, dass die schwerflüchtige organische Verbindung Polyethylen-sorbitan-mono- laurat ist.
8. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der (PoIy) alkohol ausgewählt ist aus der Gruppe der geradkettigen, verzweigten oder cyclischen C4-C8-Diole, geradkettigen, verzweigten oder cyclischen C6-Ci2- Triole und Mischungen hiervon.
9. Textur- und Reinigungsmedium nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der (PoIy) alkohol ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus 1,5- Pentadiol, 1, 6-Hexandiol, cis/trans-1, X- Cyclopentandiol (X=2,3), cis/trans-l,X- Cyclohexandiol (X=2,3,4), cis/trans-1, X- Cycloheptandiol (X=2,3,4), Cyclohexantriole, Cycloheptantriole, Cyclononantriole, insbesonde- re 1, 4, 7-Cyclononantriol, cis/trans-1, 4-
Cyclohexandiol und Mischungen hiervon.
10. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Ver- bindung in einer Konzentration von, bezogen auf das gesamte Textur- und Reinigungsmedium, 1 bis 20 Gew.-%, insbesondere 2 bis 10 Gew.-% enthalten ist.
11. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Verbindung mindestens eine gegebenenfalls substitu- tierte aromatische Sulfonsäure oder ein gegebe- nenfalls substituierter aromatischer Di-Alkohol ist.
12. Textur- und Reinigungsmedium nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Sulfonsäure oder der aromatische Di -Alkohol in einer Konzentration von, bezogen auf die gesamte Behandlungslösung, 0,1 bis 10 Gew.-% enthalten ist.
13. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der beiden vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Ver- bindung Toluolsulfonsäure ist.
14. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Verbindung ein gegebenenfalls alkylsubstituiertes Dihydroxybenzol ist.
15. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vor- hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Verbindung 1 , 3-Dihydroxy-4 -Methylbenzol oder 1 , 2 -Dihydroxy-4 -Methylbenzol ist .
16. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmittel ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Tetramethyl - Ammoniumhydroxid, Ethylendiamin-Pyrokatechol und
Mischungen hiervon.
17. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmittel in einer Konzentration von, bezogen auf das gesamte Textur- und Reinigungsmedium, 4 bis 15 Gew.-%, insbesondere 5 bis 7 Gew.-% enthalten ist.
18. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich mindestens ein leichtflüchtiger, linearer oder ver- zweigter Alkohol mit einer Siedetemperatur von maximal 120 0C enthalten ist.
19. Textur- und Reinigungsmedium nach dem vorherge- henden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der leichtflüchtige Alkohol ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Methanol, Ethanol, n-Propanol, iso-Propanol, n-Butanol, sec-Butanol, iso-Butanol, tert- Butanol und Mischungen hiervon.
20. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der beiden vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der leichtflüchtige Alkohol in einer Konzentration von, bezogen auf das gesamte Textur- und Reinigungsmedium, 2 bis 20 Gew.-%, insbesondere 2 bis 10 Gew.-% enthalten ist.
21. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich mindestens ein Tensid enthalten ist.
22. Textur- und Reinigungsmedium nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass das Tensid ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Natrium- laurylsulfat, Polyethylenglykol, Polyethylengly- kol-Octylphenylether und Mischungen hiervon.
23. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der beiden vorhergehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, dass das Tensid in einer Konzentration von, bezogen auf das gesamte Textur- und Reinigungsmedium, 1 bis 20 Gew.-%, insbesondere 2 bis 10 Gew.-% enthalten ist.
24. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenbehandlung eine simultane Schadensätze, Reinigung und Texturierung der Waferoberfläche umfasst.
25. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Medium in Tauchätzverfahren, insbesondere in Durchlaufoder Batch-Verfahren einsetzbar ist.
26. Textur- und Reinigungsmedium nach einem der vorhergehenden Ansprüche , dadurch gekennzeichnet, dass das Medium eine
Viskosität im Bereich von 0,3 bis 1000 mPa's, bevorzugt von 0,5 bis 100 mPa s und besonders bevorzugt von 0,6 bis 10 mPa s aufweist.
27. Verwendung des Textur- und Reinigungsmediums nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Texturierung der Oberflächen von monokristallinen Wafern.
28. Verwendung nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer ein polierter Wafer ist.
29. Verwendung des Textur- und Reinigungsmediums nach einem der Ansprüche 1 bis 26 zur simultanen Schadensätze, Reinigung und Texturierung der Oberflächen von monokristallinen Wafern.
30. Verwendung des Textur- und Reinigungsmediums nach einem der Ansprüche 1 bis 26 zur Beseitigung der beim Drahtsägen von Wafern auftretenden Kontaminationen .
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