WO2009062754A1 - Verfahren zum herstellen einer nanoporösen schicht - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer nanoporösen schicht Download PDF

Info

Publication number
WO2009062754A1
WO2009062754A1 PCT/EP2008/009830 EP2008009830W WO2009062754A1 WO 2009062754 A1 WO2009062754 A1 WO 2009062754A1 EP 2008009830 W EP2008009830 W EP 2008009830W WO 2009062754 A1 WO2009062754 A1 WO 2009062754A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
silver
gold
nanoporous
mask
Prior art date
Application number
PCT/EP2008/009830
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hermann Oppermann
Lothar Dietrich
Gunter Engelmann
Wolf JÜRGEN
Original Assignee
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. filed Critical Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Priority to US12/743,009 priority Critical patent/US8673773B2/en
Publication of WO2009062754A1 publication Critical patent/WO2009062754A1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a nanoporous layer, in particular for the modification of surfaces on microelectronic and micromechanical semiconductor wafers.
  • nanoporous layers are used in newer methods for connecting semiconductor devices, as well as for the construction of semiconductors.
  • Methods such as sputtering, cathode sputtering or vapor deposition are suitable for the production of thin layers up to 1 ⁇ m.
  • Metallic layers of a few 10 ⁇ m are preferably produced in the microsystem technology by means of electrodeposition. In addition to pure metals, these coating techniques can also be used to distinguish various combinations of metal alloys. the.
  • the layers are structured after a full-area deposition by a subsequent etching process or by the deposition in a prefabricated mask.
  • the properties of such structures are determined by the solid state properties of the metals or alloy, eg density, hardness, ductility, DC conductivity, and surface properties, eg adhesion, adsorption, corrosion, surface diffusion, AC conductivity.
  • the invention has for its object to provide nanoporous, sponge-like layers on semiconductor materials and substrates for microelectronic micromechanical and micro-optical applications that are easy to manufacture and in which the density can be selectively varied.
  • an Ag / Au layer can be prepared in a simple deposition process, whereby the silver can also be removed in conventional processes, and it becomes a compressible layer with a high contiguous pore content and high freely accessible surface, wherein it can be produced as a functional layer on any substrates.
  • the density depends on the composition of the silver / gold layer, in particular on the proportionate amounts of gold and silver.
  • Thin-film deposition permits the production of substantially thinner layers in the range of a few micrometers with simultaneously significantly lower thermal stress on the substrate, a multilayer structure by means of tempo-rare masking and structuring of the nanoporous layer.
  • the silver can be selectively deposited by electrolytic reversal of the electrodepositing principle.
  • selective precipitation by electroless etching of the silver in suitable aqueous solutions is also possible.
  • the pore size of the nanoporous gold layer can be adjusted.
  • FIG. 1 schematically shows the layer structure in the case of different method steps according to the invention
  • FIG. 5 schematically shows the layer structure at different process steps for a further variant for electrochemical etching zen.
  • a plating base 2 in the form of a layer for adhesion reinforcement for example of titanium, titanium / tungsten or chromium
  • a starting layer of gold, nickel, copper or platinum is applied thereto, this being done by sputtering can.
  • a galvanic deposition of a gold / silver alloy is carried out, wherein the alloy-forming metallic elements are initially present in an electrolyte, and by applying a
  • Voltage electrochemical deposition takes place from the electrolyte.
  • the composition of the gold / silver deposition is in a range of 20% to 40% gold and 80% to 60% silver.
  • the triggering of the silver from the layer 3 takes place, whereby this selective triggering or depletion is carried out in different ways can.
  • One possibility, in particular when electrochemical deposition is used is the electrolytic reversal of the principle of electrodeposition in a suitable electrolyte in which a voltage is applied to the electrodes that dissolves the silver but does not affect the gold.
  • Another possibility is the selective removal by electroless etching of the silver, e.g. in nitric acid solutions.
  • the Ag / Au layer 3 may also be vapor deposited, e.g. Electron beam evaporation or sputtering are produced.
  • a primer layer having materials generally used in thin-film technology is applied beforehand.
  • the silver and the gold can be sputtered alternately or in parallel, whereby the multilayers diffuse into one another by annealing.
  • FIG. 3a as already described above, the galvanic release of the silver in an intermediate step and FIG. 3 b the nanoporous spongy gold layer 4 on the further gold starting layer 6 as well as the plating base 2.
  • a second resist mask 7 is structured to protect the nopoporous gold layer 4 (see FIG. 3c) and then the plating base 2 is etched (see FIG. After removal of this second resist mask 7 (FIG. 3e), the nanoporous layer 4 can be tempered to adjust the pore size. This pore size can be adjusted by different parameters, for example by the temperature or annealing time.
  • the plating base 2 is removed again by etching in a suitable aqueous solution before the silver has been removed from the gold / silver layer.
  • the silver is removed by etching, for example in HNO 3 , whereby the nanoporous gold layer 4 is produced (FIG. 4 c).
  • an electroplating starting layer 9 made of gold is present on an adhesion layer 8 made of titanium / tungsten
  • an advantageous sequence of processes is obtained if, after removal of the resist mask 5 (FIG. 2c), the electroplating starting layer of gold is first removed.
  • the remaining adhesive layer can then be used as a current-carrying layer for alloying off the silver (FIGS. 5c, 5d).
  • the subsequent removal of the adhesive layer can be carried out in an aqueous solution without the protection of the nanoporous gold structure with a second resist mask (FIG. 5e).
  • the layers can be used in sensor technology for a wide variety of purposes, eg as a filter, for surface enlargement, as a biological interface and the like. Furthermore, such layer can serve to improve adhesion for other materials and for improved bonding technology, in particular also in microtechnology.
  • the nanoporous gold layer can be produced on semiconductor materials, for example on wafers with microelectronic circuits or micromechanical elements; it can also be applied to a circuit carrier, in particular on organic laminates, ceramics or glass.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer nanoporösen Schicht vorgeschlagen, bei dem eine Schicht aus Gold und Silber auf einen Träger, insbesondere - elektrochemisch oder galvanisch abgeschieden wird, wobei die Zusammensetzung im Bereich von 20 % bis 40 % Gold und 80 % bis 60 % Silber liegt. Anschließend wird das Silber zur Erzielung einer nanoporösen Goldschicht selektiv entfernt.

Description

Verfahren zum Herstellen einer nanoporösen Schicht
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer nanoporösen Schicht, insbesondere für die Modi- fizierung von Oberflächen auf mikroelektronischen und mikromechanischen Halbleiterwafern .
In der Halbleitertechnologie werden bei neueren Methoden zur Verbindung von Halbleiterbauelementen, a- ber auch für den Aufbau von Halbleitern, nanoporöse Schichten verwendet . Im Zuge der Entwicklung dieser Schichten wurden die unterschiedlichen Herstellungstechnologien untersucht. Verfahren wie Sputtern bzw. Kathodenzerstäubung oder Aufdampfen eignen sich für die Herstellung von dünnen Schichten bis zu 1 μm. Metallische Schichten von einige 10 μm werden in der Mikrosystemtechnik bevorzugt durch galvanische Abscheidung erzeugt. Neben Reinmetallen lassen sich mittels dieser Beschichtungstechniken auch verschie- denste Kombinationen von Metalllegierungen abschei- den. Die Schichten werden nach einer ganzflächigen Abscheidung durch ein anschließendes Ätzverfahren o- der durch die Abscheidung in eine vorgefertigte Maske strukturiert. Die Eigenschaften solcher Strukturen sind durch die Festkörpereigenschaften der Metalle oder Legierung, z.B. Dichte, Härte, Duktilität, Gleichstromleitfähigkeit, und der Oberflächeneigenschaften, z.B. Haftung, Adsorption, Korrosion, Oberflächendiffusion, Wechselstromleitfähigkeit bestimmt.
Bisher konnten nur glatte oder raue Oberflächen hergestellt werden, wobei sich die Dichte durch Bildung von Hohlräumen nicht variieren ließ.
Es ist ein Verfahren zur Herstellung von Au-Schwämmen bekannt, bei dem eine Legierung aus Gold und Silber schmelzmetallurgisch hergestellt wurde. Anschließend wurde das Silber durch Ätzen herausgelöst.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, nanoporöse, schwammartige Schichten auf Halbleitermaterialien und Substraten für mikroelektronische mikromechanische und mikrooptische Anwendungen zu schaffen, die einfach in ihrer Herstellung sind und bei denen sich die Dichte gezielt variieren lässt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Hauptanspruchs gelöst.
Durch die in den Unteransprüchen angegebenen Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen möglich.
Dadurch, dass eine Schicht aus Gold und Silber auf einem Träger abgeschieden wird, wobei die Zusammensetzung im Bereich von 20% bis 40% Gold und 80% bis 60% Silber liegt, und dass das Silber selektiv entfernt wird, kann in einem einfachen Abscheideverfahren eine Ag/Au-Schicht hergestellt werden, wobei das Silber ebenfalls in üblichen Verfahren entfernt wer- den kann, und es wird eine kompressible Schicht mit hohem zusammenhängen Porenanteil und hoher frei zugänglicher Oberfläche erzielt, wobei sie als Funktionsschicht auf beliebigen Substraten herstellbar ist.
Besonders vorteilhaft ist, das Abscheiden der Schicht aus Gold und Silber auf elektrochemischem bzw. galvanischem Wege durchzuführen, da im Gegensatz zu den Lift-off Prozessen der Materialverbrauch geringer ist und somit Kosten und Material gespart wird und außer- dem können größere Höhen aufgebracht werden.
Die Dichte ist abhängig von der Zusammensetzung der Silber- /Goldschicht , insbesondere von den anteiligen Mengen an Gold und Silber. Die Abscheidung in Dünn- filmtechnik erlaubt gegenüber dem schmelzmetallurgischen Verfahren die Herstellung wesentlich dünnerer Schichten im Bereich von wenigen Mikrometern mit gleichzeitig deutlich geringerer Temperaturbelastung des Substrats, einen mehrlagigen Aufbau durch tempo- rare Maskierung und eine Strukturierung der nanoporö- sen Schicht .
In vorteilhafter Weise kann das Silber durch elektrolytische Umkehrung des galvanischen Abseheidungsprin- zips das Silber selektiv ablegiert werden. Es ist jedoch auch ein selektives Ablegieren durch außenstromloses Ätzen des Silbers in geeigneten wässrigen Lösungen möglich. Dabei kann abhängig von der Art des Ablegierens und abhängig von einem anschließenden Tempervorgang die Porengröße der nanoporösen Goldschicht eingestellt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren wird in der nachfolgenden Beschreibung unter Heranziehung der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig.l schematisch den Schichtaufbau bei unterschiedlichen erfindungsgemäßen Verfahrens - schritten,
Fig. 2 schematisch den Schichtaufbau bei weiteren unterschiedlichen Verfahrensschritten,
Fig. 3 schematisch den Schichtaufbau bei erfindungsgemäßen Verfahrensschritten für das elektrochemische Ätzen,
Fig. 4 schematisch den Schichtaufbau bei erfindungsgemäßen Verfahrensschritten unter Verwendung von außenstromlosen Ätzvorgängen und
Fig. 5 schematisch den Schichtaufbau bei unterschiedlichen Verfahrensschritten für eine weitere Variante zum elektrochemischen Ät- zen.
Im Folgenden sollen die prinzipiellen Herstellungsschritte einer nanoporösen Goldschicht anhand der Figuren beschrieben werden. Es wird als Erstes entspre- chend Fig. Ia auf dem Substrat eine Plattierbasis 2 in Form einer Schicht zur Haftungsverstärkung beispielsweise aus Titan, Titan/Wolfram oder Chrom aufgebracht und darauf eine Startschicht aus Gold, Nickel, Kupfer oder Platin, wobei dies durch Sputtern geschehen kann. Als weiterer wesentlicher Schritt entsprechend Fig. Ib wird eine galvanische Abscheidung einer Gold/Silber-Legierung vorgenommen, wobei die legierungsbildenden metallischen Elemente zunächst in einem Elek- trolyten vorhanden sind, und durch Anlegen einer
Spannung findet die elektrochemische Abscheidung aus dem Elektrolyten statt. Dabei liegt die Zusammensetzung der Gold/Silber-Deposition in einem Bereich von 20% bis 40% Gold und 80% bis 60% Silber. Als Zwi- schenschritt entsprechend Fig. Ib befindet sich somit eine Gold/Silberschicht 3 auf der Startschicht 2.
Zwischen der Fig. Ib und der Darstellung nach Fig. Ic, in der eine in die Startgoldschicht 2 übergehende nanoporige Goldschicht 4 dargestellt ist, findet das Auslösen des Silbers aus der Schicht 3, statt, wobei dieses selektive Auslösen oder Ablegieren auf unterschiedlichem Wege durchgeführt werden kann. Eine Möglichkeit, insbesondere wenn die elektrochemische Ab- Scheidung verwendet wird, ist die elektrolytische Umkehrung des Prinzips der galvanischen Abscheidung in einem geeigneten Elektrolyten, bei der eine Spannung an die Elektroden angelegt wird, durch die das Silber herausgelöst, das Gold aber nicht beeinflusst wird. Eine andere Möglichkeit ist das selektive Ablegieren durch außenstromloses Ätzen des Silbers, z.B. in salpetersäurehaltigen Lösungen.
Bei dem Vorgang des Auslösens des Silbers findet in der Ag/Au-Schicht 3 eine Oberflächenreaktion statt, bei der Silber als Ion aus der obersten Metalllage in Lösung geht. Die verbleibenden Au-Atome lagern sich auf der Oberfläche zu Inseln an und schützen dort die Oberfläche selektiv vor weiterer Auflösung. Anschlie- ßend wird Silber aus der nächsten Metalllage herausgelöst, die nicht von einer Goldinsel bedeckt ist. Durch erneute Anlagerung der beweglichen Au-Atome aus der Lage wächst langsam eine 3D- Schwammschicht mit nanoskaligen Poren. Die schwammartige nanoporöse Schicht ist in Fig. Ic mit 4 bezeichnet.
Die Abscheidung wurde oben auf dem elektrochemischen Wege beschrieben, es kann jedoch auch die Ag/Au- Schicht 3 durch Aufdampfen, z.B. Elektronenstrahlver- dampfen oder Sputtern hergestellt werden. In ähnli- eher Weise wie nach Fig. Ia wird vorher eine Haftvermittlerschicht mit in der Dünnschichttechnik allgemein verwendeten Materialien aufgebracht. Bei dem Sputtern bzw. der Kathodenzerstäubung können das Silber und das Gold im Wechsel oder parallel gesputtert werden, wobei durch Tempern die Multischichten ineinander diffundieren.
In der obigen Beschreibung wurden nur die Hauptschritte zur Herstellung der nanoporösen Schicht 4 erläutert. Selbstverständlich sind weitere Verfahrensschritte zwischengeschaltet.
So wird zwischen den Darstellungen der Fig. Ia und Ib ein entsprechend Fig. 2a fotoempfindlicher Lack 5 aufgebracht und entsprechend den Vorgaben der
Schichtkonfiguration lithografisch strukturiert (s. Fig. 2b) . Unter Verwendung der so hergestellten Lackmaske wird gemäß Fig. 2c eine zusätzliche Zwischenschicht 6 aus Gold und die Schicht aus Gold und SiI- ber elektroplattiert . Die Lackmaske kann je nach Verfahrensvorgang vor (s. Fig. 2d) oder nach dem selektiven Ablegieren wieder entfernt werden.
In den Fign. 3, 4, 5 sind weitere Verfahrensabläufe dargestellt. So zeigt Fig. 3a, wie schon oben beschrieben, die galvanische Auslösung des Silbers in einem Zwischenschritt und Fig. 3b die nanoporöse schwammartige Goldschicht 4 auf der weiteren Goldstartschicht 6 sowie die Plattierbasis 2.
Falls die komplette Plattierbasis 2 weggeätzt werden soll, wird eine zweite Lackmaske 7 zum Schutz der na- noporösen Goldschicht 4 strukturiert (s. Fig. 3c) und anschließend die Plattierbasis 2 geätzt (s. Fig. 3d) . Nach Entfernen dieser zweiten Lackmaske 7 (Fig. 3e) kann die nanoporöse Schicht 4 getempert werden, um die Porengröße einzustellen. Diese Porengröße kann durch unterschiedliche Parameter, beispielsweise durch die Temperatur oder Temperzeit eingestellt werden.
Bei einem Verfahrensschritt nach Fig. 4a wird ausgehend von dem Zustand nach Fig. 2d die Plattierbasis 2 vor dem Ablegieren des Silbers aus der Gold/Silberschicht durch Ätzen in einer geeigneten wässrigen Lö- sung wieder entfernt. Anschließend wird gemäß Fig. 4b das Silber durch Ätzen, z.B. in HNO3 entfernt, wodurch die nanoporöse Goldschicht 4 erzeugt wird (Fig. 4c) .
Befindet sich gemäß Fig. 5a auf einer Haftschicht 8 aus Titan/Wolfram eine Galvanikstartschicht 9 aus Gold, dann ist eine vorteilhafte Prozessfolge gegeben, wenn nach Entfernen der Lackmaske 5 (Fig. 2c) zur Absicherung zunächst die Galvanikstartschicht aus Gold entfernt wird. Die verbleibende Haftschicht kann anschließend als stromtragende Schicht zum Ablegieren des Silbers verwendet werden (Fig. 5c, 5d) . Die darauf folgende Entfernung der Haftschicht kann in einer wässrigen Lösung ohne den Schutz der nanoporösen Goldstruktur mit einer zweiten Lackmaske erfolgen (Fig. 5e) . Für die oben beschriebene nanoporige Schicht ist eine Vielzahl von technischen Anwendungsgebieten denkbar. Die Schichten können in der Sensorik für die unter- schiedlichsten Zwecke, z.B. als Filter, zur Oberflächenvergrößerung, als biologisches Interface und dergleichen verwendet werden. Weiterhin kann solche Schicht zur Haftungsverbesserung für weitere Materialien und für eine verbesserte Verbindungstechnik, insbesondere auch in der Mikrotechnologie, dienen.
Die nanoporöse Goldschicht kann auf Halbleitermaterialien, zum Beispiel auf Wafern mit mikroelektronischen Schaltungen oder mikromechanischen Elementen erzeugt werden, sie kann auch auf einen Schaltungs- träger, insbesondere auf organischen Laminaten, Keramik oder Glas aufgebracht werden.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung einer nanoporösen Schicht mit den Schritten:
Abscheiden einer Schicht aus Gold und Silber auf einen Träger, wobei die Zusammensetzung im Bereich von 20% bis 40% Gold und 80% bis 60% Silber liegt, selektives Entfernen des Silbers zur Erzielung einer nanoporösen Goldschicht .
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoporöse Goldschicht auf einer bereits vorhandenen metallischen Schicht, insbe- sondere einer aus Gold gebildeten Startschicht aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoporöse Goldschicht auf Halbleitermaterialien, insbesondere auf Wafern mit mikroelektronischen Schaltungen oder mikromechanischen Elementen erzeugt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden der Schicht auf galvanischem bzw. elektrochemischem Wege durchgeführt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden der Schicht durch Aufdampfen oder Sputtern durchgeführt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Abscheiden der Schicht aus Gold und Silber auf den Träger eine Plattierbasis mit Haftverstärkung aufgebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Haftvermittlerschicht aufgebracht wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Plattierbasis oder Haftvermittlerschicht lithografisch strukturiert wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Entfernen des Silbers durch elektrolytische Umkehrung der galvanischen Abscheidung durchgeführt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da- durch gekennzeichnet, dass das selektive Entfernen des Silbers durch Ätzen des Silbers durchgeführt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass vor oder nach dem Entfernen des Silbers die zum Strukturieren der abzuscheidenden Schicht aus Gold und Silber verwendete Lackmaske entfernt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zum Schutz der nano- porösen Goldschicht eine weitere Maske strukturiert wird, die Plattierbasis geätzt wird und die weitere Maske entfernt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass nach Aufbringen der Goldsilberschicht und Entfernen der Lackmaske zunächst die Galvanikstartschicht entfernt wird, das Silber ablegiert wird und die Haftschicht ohne Maskierung des nanoporösen Goldes mittels einer zweiten Lackmaske in einer geeigneten wässrigen Lösung entfernt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoporöse Goldschicht zum Einstellen der Porengröße getempert wird.
15. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, da- durch gekennzeichnet, dass die nanoporöse Goldschicht auf einem Schaltungsträger, insbesondere auf organischen Laminaten, Keramik oder Glas erzeugt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, ge- kennzeichnet durch folgende Schritte:
Sputtern einer Plattierbasis mit Haftungsverstärkung auf den Träger,
Aufbringen eines fotoempfindlichen Lacks und Strukturieren desselben zur Herstellung einer Lackmaske, galvanisches Abscheiden der Au/Ag-Legierung im Elektrolyten unter Anlegen einer Spannung, und selektives Ablegieren von Silber, Entfernen der Lackmaske vor oder nach dem vori- gen Schritt,
Strukturieren einer zweiten Lackmaske zum Schutz der nanoporösen Goldschicht, Ätzen der Plattierbasis, Entfernen der zweiten Lackmaske.
PCT/EP2008/009830 2007-11-14 2008-11-14 Verfahren zum herstellen einer nanoporösen schicht WO2009062754A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/743,009 US8673773B2 (en) 2007-11-14 2008-11-14 Method for producing a nanoporous layer

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007055019.9 2007-11-14
DE102007055019.9A DE102007055019B4 (de) 2007-11-14 2007-11-14 Verfahren zum Herstellen einer nanoporösen Schicht

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009062754A1 true WO2009062754A1 (de) 2009-05-22

Family

ID=40155686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2008/009830 WO2009062754A1 (de) 2007-11-14 2008-11-14 Verfahren zum herstellen einer nanoporösen schicht

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8673773B2 (de)
DE (1) DE102007055019B4 (de)
WO (1) WO2009062754A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170365484A1 (en) * 2015-01-19 2017-12-21 Orbotech Ltd. Printing of three-dimensional metal structures with a sacrificial support
US10629442B2 (en) 2013-10-14 2020-04-21 Orbotech Ltd. Lift printing of multi-composition material structures
US10688692B2 (en) 2015-11-22 2020-06-23 Orbotech Ltd. Control of surface properties of printed three-dimensional structures
US11271119B2 (en) 2014-10-19 2022-03-08 Orbotech Ltd. LIFT printing of conductive traces onto a semiconductor substrate
US11881466B2 (en) 2017-05-24 2024-01-23 Orbotech Ltd. Electrical interconnection of circuit elements on a substrate without prior patterning

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007055018B4 (de) * 2007-11-14 2021-05-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Verbinden einer Edelmetalloberfläche mit einem Polymer
US9873152B2 (en) 2012-03-12 2018-01-23 University Of Houston System Nanoporous gold nanoparticles as high-payload molecular cargos, photothermal/photodynamic therapeutic agents, and ultrahigh surface-to-volume plasmonic sensors
WO2018080791A1 (en) 2016-10-26 2018-05-03 3M Innovative Properties Company Pt-ni-ir catalyst for fuel cell
WO2018080794A1 (en) 2016-10-26 2018-05-03 3M Innovative Properties Company Catalyst
EP3533096B1 (de) 2016-10-26 2021-12-01 3M Innovative Properties Company Katalysator
US11258074B2 (en) 2016-10-26 2022-02-22 3M Innovative Properties Company Pt—Ni—Ir catalyst for fuel cell
CN108866412B (zh) * 2017-05-08 2020-09-29 清华大学 三维多孔复合材料的制备方法
WO2019195046A1 (en) 2018-04-04 2019-10-10 Steinbach Andrew J L Catalyst
WO2019193461A1 (en) 2018-04-04 2019-10-10 3M Innovative Properties Company Catalyst comprising pt, ni, and cr
US11955645B2 (en) 2018-04-13 2024-04-09 3M Innovative Properties Company Catalyst
US11476470B2 (en) 2018-04-13 2022-10-18 3M Innovative Properties Company Catalyst
CN112042022A (zh) 2018-04-13 2020-12-04 3M创新有限公司 催化剂
EP3895238A1 (de) 2018-12-13 2021-10-20 3M Innovative Properties Company Katalysator

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0392738A1 (de) * 1989-04-14 1990-10-17 Karl Sieradzki Mikro- und nanoporöse, metallische Strukturen
US20040040416A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-04 Jonah Erlebacher Method of forming nanoporous membranes
US20040148015A1 (en) * 2002-11-13 2004-07-29 Setagon, Inc. Medical devices having porous layers and methods for making same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3097149A (en) 1963-07-09 Methods of manufacturing microporous metallic membranes
JPH09153519A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Citizen Watch Co Ltd 半導体の実装構造
US6730349B2 (en) 1999-04-19 2004-05-04 Scimed Life Systems, Inc. Mechanical and acoustical suspension coating of medical implants
EP1839626A1 (de) * 2002-11-13 2007-10-03 Setagon, Inc. Medizinprodukte mit porösen Schichten und Herstellungsverfahren dafür
US20060121080A1 (en) * 2002-11-13 2006-06-08 Lye Whye K Medical devices having nanoporous layers and methods for making the same
US7803665B2 (en) 2005-02-04 2010-09-28 Imec Method for encapsulating a device in a microcavity
FI20055240A (fi) 2005-05-20 2006-11-21 Polar Electro Oy Käyttäjäkohtaisen suoritemittarin oheislaite, käyttäjäkohtainen suoritemittari ja menetelmä
DE102006014067A1 (de) * 2006-03-27 2007-10-04 Universität Bremen Goldhaltiger Katalysator mit poröser Struktur
JP2007277613A (ja) 2006-04-04 2007-10-25 Hokkaido Univ 細孔を有する金多孔質体およびその製造方法
US8420520B2 (en) 2006-05-18 2013-04-16 Megica Corporation Non-cyanide gold electroplating for fine-line gold traces and gold pads
DE102007055018B4 (de) 2007-11-14 2021-05-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Verbinden einer Edelmetalloberfläche mit einem Polymer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0392738A1 (de) * 1989-04-14 1990-10-17 Karl Sieradzki Mikro- und nanoporöse, metallische Strukturen
US20040040416A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-04 Jonah Erlebacher Method of forming nanoporous membranes
US20040148015A1 (en) * 2002-11-13 2004-07-29 Setagon, Inc. Medical devices having porous layers and methods for making same

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CATTARIN S; KRAMER D; LUI A; MUSIANI M M: "Preparation and characterization of gold nanostructures of controlled dimension by electrochemical techniques", JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, vol. 111, 30 August 2007 (2007-08-30), pages 12643 - 12649, XP002509700 *
ERLEBACHER J ET AL: "Evolution of nanoporosity in dealloying", NATURE, NATURE PUBLISHING GROUP, LONDON, UK, vol. 410, 22 March 2001 (2001-03-22), pages 450 - 453, XP002974307, ISSN: 0028-0836 *
LU ET AL: "Dealloying of Au-Ag thin films with a composition gradient: Influence on morphology of nanoporous Au", THIN SOLID FILMS, ELSEVIER-SEQUOIA S.A. LAUSANNE, CH, vol. 515, no. 18, 24 May 2007 (2007-05-24), pages 7122 - 7126, XP022094444, ISSN: 0040-6090 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10629442B2 (en) 2013-10-14 2020-04-21 Orbotech Ltd. Lift printing of multi-composition material structures
US11271119B2 (en) 2014-10-19 2022-03-08 Orbotech Ltd. LIFT printing of conductive traces onto a semiconductor substrate
US20170365484A1 (en) * 2015-01-19 2017-12-21 Orbotech Ltd. Printing of three-dimensional metal structures with a sacrificial support
US10633758B2 (en) * 2015-01-19 2020-04-28 Orbotech Ltd. Printing of three-dimensional metal structures with a sacrificial support
US10688692B2 (en) 2015-11-22 2020-06-23 Orbotech Ltd. Control of surface properties of printed three-dimensional structures
US11881466B2 (en) 2017-05-24 2024-01-23 Orbotech Ltd. Electrical interconnection of circuit elements on a substrate without prior patterning

Also Published As

Publication number Publication date
DE102007055019A1 (de) 2009-05-28
DE102007055019B4 (de) 2019-04-04
US8673773B2 (en) 2014-03-18
US20100323518A1 (en) 2010-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007055019B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer nanoporösen Schicht
DE2849971A1 (de) Hybrid-schaltkreis und verfahren zu seiner herstellung
DE2901697C3 (de) Verfahren zur Ausbildung von Leitungsverbindungen auf einem Substrat
DE102005028704A1 (de) Halbleiterbauteil mit in Kunststoffgehäusemasse eingebetteten Halbleiterbauteilkomponenten
WO2009006988A1 (de) Kontakt-struktur für euin halbleiter-bauelement sowie verfahren zur herstellung desselben
DE2554691C2 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiter auf einem isolierenden Substrat und danach hergestellte Dünnschichtschaltung
DE102007055018B4 (de) Verfahren zum Verbinden einer Edelmetalloberfläche mit einem Polymer
WO2016071317A1 (de) Verfahren zur herstellung einer kantenkontaktstruktur zwischen einem 2d-material und einem metall
DE102005041609B4 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen
EP1707037B1 (de) Verfahren zum herstellen eines leiterplattenelements sowie leiterplattenelement
EP0946792B1 (de) Verfahren zur herstellung eines mikromechanischen bauelements
DE3151557C2 (de)
CN1329969A (zh) 单侧镀铂的耐火金属板以及延展的金属栅极的制备方法
EP1482073A2 (de) Verfahren zur Erzeugung von ultradünnen homogenen Metallschichten
DE102009040632B4 (de) Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement
WO2007096095A2 (de) Ätzlösung und verfahren zur strukturierung eines ubm-schichtsystems
DE2701373A1 (de) Verfahren zum herstellen einer widerstandsschicht
WO2021219606A1 (de) Verfahren zur herstellung von mikro- und nanostrukturen
DE102016001423B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Bauteils für eine Bedieneinrichtung eines Kraftfahrzeugs mit einer teilweise strukturierten Oberfläche
DE102021126402A1 (de) Verfahren zum Herstellen elektrisch leitfähiger Strukturen
DE102014221584B4 (de) Elektrochemisches Sintern von Metallpartikelschichten
DE2243682A1 (de) Verfahren zur metallisierung von bauteilen
DE2160839A1 (de) Verfahren zur Herstellung von mmde stens einer leitenden Form
DE10321590B4 (de) Verfahren zur Mikrostrukturierung von Pd-haltigen Funktionsschichten
DE2118170A1 (en) Recording information - using vapour electroless or electro-plated support abraded by laser or electron beams

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08848720

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12743009

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08848720

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1