WO2008148382A3 - Verfahren zur ausbildung einer dielektrischen dünnschicht auf einem titansubstrat, mit dem verfahren hergestelltes titansubstrat mit dünnschicht sowie seine verwendung - Google Patents

Verfahren zur ausbildung einer dielektrischen dünnschicht auf einem titansubstrat, mit dem verfahren hergestelltes titansubstrat mit dünnschicht sowie seine verwendung Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ausbildung einer dielektrischen Dünnschicht auf einem Titansubstrat, mit diesem Verfahren hergestellte Titansubstrate mit Dünnschicht sowie mögliche Verwendungen. So kann ein erfindungsgemäß hergestelltes Titansubstrat bevorzugt für elektrische Kondensatoren und in der Elektronik eingesetzt werden. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, auf Titansubstraten dielektrische Dünnschichten auszubilden, die auf elektrochemischem Wege hergestellt werden können und dabei über die jeweilige Fläche eine konstante Schichtdicke sowie eine erhöhte relative Dielektrizitätskonstante aufweisen. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ausbildung einer dielektrischen Dünnschicht auf Titansubstraten wird so vorgegangen, dass ein Titansubstrat mit einem Reinheitsgrad von mindestens 99 %, bevorzugt von 99,9 %, an der jeweiligen Oberfläche, an der die Dünnschicht ausgebildet werden soll, zur Oberflächenverbesserung und/oder Reinigung bearbeitet, d.h. poliert bzw. modifiziert wird. Im Anschluss an eine solche Politur wird eine elektrochemische Oxidation mit einem Elektrolyten durchgeführt. Der Elektrolyt soll dabei einen pH-Wert im Bereich von 4 bis 10 aufweisen. Bei der elektrochemischen Oxidation wird eine elektrische Spannung im Bereich von -1 bis 20 Volt angelegt, wobei dann das Titansubstrat als Anode geschaltet wird.
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