WO2008007764A1 - Composition de résine photosensible, produit stratifié en cette composition, objet durci en cette composition, et procédé de traçage de motif à partir de cette composition - Google Patents

Composition de résine photosensible, produit stratifié en cette composition, objet durci en cette composition, et procédé de traçage de motif à partir de cette composition Download PDF

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Naoko Imaizumi
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    • G03F7/0385Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin

Definitions

  • Photosensitive resin composition laminate thereof, cured product thereof, and pattern formation method using the composition (3)
  • the present invention is capable of forming a high-resolution, high-aspect-ratio pattern and having high sensitivity, a photosensitive resin composition, a laminate thereof, a cured product thereof, and pattern formation using the composition Concerning the method.
  • Photolithographic resists have recently been widely used in semiconductor and MEMS (microelectron force-cal system) applications.
  • photolithography is performed by patterning exposure on a substrate, and then it is achieved by selectively removing an exposed area or a non-exposed area by developing with a developer.
  • Resist that can be photolithographically processed is either positive or negative type, and those that dissolve in the developer upon exposure are positive types and those that become insoluble are negative types.
  • High-aspect ratios are required for leading-edge electoric package applications, while in MEMS applications, the ability to form a uniform spin-coating film, a straight shape with a thickness of 100 m or more, and high-aspect ratio photo Lithographic resist is required.
  • the aspect ratio is an important characteristic expressed by resist film thickness Z pattern line width and showing the performance of photolithography.
  • the top force of the film due to light absorption The force that reduces the irradiation intensity toward the bottom Such light absorption is too high.
  • the bottom of the resist is underexposed compared to the top, so the side wall shape becomes a slope shape or a distorted shape.
  • Negative type chemically amplified thick film photolithography processable yarns and composites are known to have very low light absorption in the 350-450 nm wavelength region, and the composition of this resist is multifunctional.
  • Photopower thione polymerization initiators such as bisphenol A novolac epoxy resin (Resolution 'Performance' EPON SU-8 Resin made by Pukko Daku, CYRACURE UVI-6974 made by Dow Chemical) Aromatic sulfone-hexafluoroantimonate in propylene carbonate solution).
  • This photoresist composition is spin-coated or curtain-coated on various substrates, then the solvent is volatilized by baking to form a solid photoresist layer having a thickness of 100 m or more, contact exposure, Photolithography is performed by irradiating near ultraviolet light through a photomask using various exposure methods such as proximity exposure and projection exposure. Then, it is immersed in a developing solution, the non-exposed area is dissolved, and a high-resolution photomask negative image is formed on the substrate.
  • EPON SU-8 resin is a low molecular weight epoxy oligomer having superior characteristics in photolithography processing with a high aspect ratio in a thick film. Its superior features are (i) high epoxy functionality, (ii) high degree of branching, (iii) high transmittance at 350-450 nm, and (iv) low molecular weight necessary and sufficient to form solids. is there. High number of epoxy functional groups and high degree of branching cause sufficient cross-linking under strong acid catalyst, and high transmittance is uniformly irradiated through the thick film, forming a pattern with an aspect ratio of 10 or more with a thick film of 100 m or more. Has resist performance.
  • the selection of a resin having a high number of epoxy functional groups and a high degree of branching is an important item for forming a high aspect ratio structure with straight sidewalls.
  • the selection of a low molecular weight resin allows a solid layer of thick film photoresist to be performed with a minimum number of coating steps to form a solid layer on the substrate.
  • Light-power thione polymerization initiators based on sulfo-um salt or ododonium salt are well known, and useful light-power thione polymerization initiators having appropriate absorbance have been disclosed.
  • p-Phenol-lentioether is contained (Patent Documents 1 and 2).
  • 2 alkyl 9, 10 dimethoxyanthracene or other anthracene, naphthalene It is also possible to arrange a sensitizer such as a ril or pyrilil compound, and it can be introduced into a photopower thione polymerization initiator (Patent Document 3).
  • Negative resists based on the disclosed compounds as described above, suitable for spin coating, are sold by MicroChem and are used commercially, especially in MEMS device components.
  • the “SU-8 Series” provided by Micro-Chem is spin-coated at 1000-3000 rpm to form a film with a thickness of 30-100 ⁇ m, and then exposed to 100 m or more after imaging.
  • a pattern with an aspect ratio of 10 or more can be formed.
  • Patent Document 4 An application such as a dry film resist coated on a substrate such as a polyester film is also disclosed (Patent Document 4).
  • a photoimageable cationic polymerizable flame retardant composition suitable for use as a solder mask has been disclosed (Patent Documents 5, 6, and 7).
  • This bisphenol A and the condensation product of Epiku port Ruhidorin consists of a mixture containing 10 to 80 wt 0/0, bisphenol A climb Kkuepokishi ⁇ 20 to 90 weight 0/0, epoxidized tetrabromobisphenol bisphenol A
  • a compositional power containing 35 to 50% by weight and 0.1 to 15% by weight of a light power thione polymerization initiator is also obtained.
  • a photopolymerizable compound based on a hydroxyl group-containing additive, a light-power thione polymerization initiator, and an epoxy resin having a functional group number of 1.5 or more is also disclosed.
  • Hydroxyl-containing additives have been reported to increase flexibility and reduce stress in thick films of 100 ⁇ m or more (Patent Document 8).
  • Patent Document 9 discloses a method of producing a hard epoxy resin system in an EB curable application.
  • the main improvement here is the brittleness of the radiation-cured epoxy resin.
  • Many structural and consumer resins epoxy resins
  • a wide range of tough materials including SU-8 resin is disclosed herein.
  • the effectiveness of the invention described in Patent Document 9 is shown by fracture toughness and flexural modulus.
  • the tough material described in Patent Document 9 also has various thermoplastics, hydroxyl group-containing thermoplastic oligomers, epoxy-containing thermoplastic oligomers, reactive flexible materials, elastomers, rubbers, and mixtures thereof.
  • composition described in Patent Document 9 is a composition applied to a film imaged by non-patterned EB irradiation. Therefore, the characteristics of these compositions do not serve as a reference for photoimaging applications when they are subjected to patterning exposure by UV, X-ray and EB irradiation.
  • Patent Document 10 Many proposals have been made regarding a photoresist composition containing an epoxy (Patent Document 10).
  • the composition here needs to have a sufficient transmittance for exposure irradiation that photodegrades the photoinitiator through the film thickness.
  • the photoresist composition must have appropriate physical and chemical properties such as solder resistance or ink resistance or strength, significant deterioration, and poor adhesion to withstand various applications. Don't be. If this photoresist composition is used for other applications, such as a photoresist for etching, other properties are required. However, there are currently no specific epoxy resins that satisfy all of the various requirements.
  • Patent Document 1 USP5502083
  • Patent Document 2 USP6368769
  • Patent Document 3 USP5102772
  • Patent Document 4 USP4882245
  • Patent Document 5 USP5026624
  • Patent Document 6 USP5278010
  • Patent Document 7 USP5304457
  • Patent Document 8 USP4256828
  • Patent Document 9 USP5726216
  • Patent Document 10 USP5264325
  • the present invention has been made in view of the above-described conventional circumstances, and the problem is that a photosensitive resin composition that can form a pattern with high resolution and high aspect ratio and has high sensitivity. Is to provide.
  • the present inventors have intensively conducted experiments and examinations regarding high sensitivity and high resolution in a photosensitive resin composition, and as a result, specific polyfunctional epoxy resin. And a specific photoactive thione polymerization initiator are combined to prepare a photosensitive resin composition, and using this photosensitive resin composition, a resin pattern is formed.
  • the present inventors have found that a greaves pattern with a high ratio can be formed. That is, the present invention relates to (1) a photothion polymerization initiator (A) which is sulfo-umtris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate and a polyfunctional epoxy resin represented by the following general formula (1).
  • Fat (B) is sulfo-umtris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate
  • the epoxy group in the formula may be a bisphenol A type epoxy resin or a polymer polymerized with a bisphenol A novolak type epoxy resin.
  • N represents an average value and is an integer of 0 to 30.
  • a photosensitive resin composition comprising
  • the solid content concentration is 5 to 95 times.
  • a photosensitive resin composition laminate in which the photosensitive resin composition according to any one of (1) to (4) is sandwiched between substrates,
  • a cured product comprising the photosensitive resin composition according to any one of (1) to (4) above.
  • a photosensitive resin composition layer obtained by coating the photosensitive resin composition according to any one of the above (1) to (4) on a desired support is dried, and then predetermined.
  • No pattern forming method comprising: exposing the pattern to a beta after the exposure, developing the resin composition layer, and heat-treating the obtained resin pattern to obtain a cured resin pattern having a predetermined shape.
  • the photosensitive resin composition of the present invention comprises a photoactive thione polymerization initiator (A) that is sulfoyulium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate and a multi-function represented by the general formula (1). It is characterized by containing epoxy resin (B), and can form a high-sensitivity and high aspect ratio resin pattern. Furthermore, it is possible to impart a characteristic that can be exhibited over a long period of time without deteriorating the ability to form the above-mentioned grease pattern.
  • A photoactive thione polymerization initiator
  • B epoxy resin
  • the photopower thione polymerization initiator in the present invention generates cations upon irradiation with excimer lasers such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, KrF and ArF, X-rays and electron beams, and the cations are generated. It is a compound that can be a polymerization initiator.
  • the light-power thione polymerization initiator (A) is sulfoyulium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate.
  • Examples of the sulfone of the photopower thione polymerization initiator include triphenyl sulfone, tri-p-tolyl sulfone, tri-o-tolyl sulfone, and tris (4-methoxyphenol) sulphonol.
  • triphenyl sulfone and 4 (phenylthio) phenyl disulfol sulfome are more preferred, represented by the following formula (2): The most preferred is 4 (Fuerthio) Fuel Disulfosulfum (A-1) as shown!
  • the bisphenol A novolak type polyfunctional epoxy resin (B) in the present invention is a bisphenol A novolak type polyfunctional epoxy resin containing a sufficient amount of epoxy groups in one molecule to form a film pattern. Any epoxy resin may be used as long as it is an epoxy resin.
  • Specific examples of bisphenol A novolac-type polyfunctional epoxy resin include EPON SU-8 (Resolution 'Performance' Products), Epicoat 157S70, Epicoat 157S65 (Japan Epoxy Resin), YD-128 (Tokyo) Chemicals), Epiclone N-885, Epiclone N-865, Epiclone 2055 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.).
  • the epoxy equivalent of these bisphenol A novolac type polyfunctional epoxy resins is preferably 150 to 400, and the epoxy equivalent is smaller than this range. This is not preferable. On the other hand, if it is larger than this range, the crosslinking density becomes small, and the strength of the cured film is not preferred because the chemical resistance, heat resistance and crack resistance are poor.
  • n in the general formula (1) represents a repeating unit, and when n is smaller than this range, 3 to 30 is generally preferable, it is in a liquid state and has poor curability and cannot be used. On the other hand, if it is larger than this range, developability and transferability are deteriorated.
  • n is a value obtained by dividing the number average molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC) by the molecular weight of the repeating unit.
  • GPC gel permeation chromatography
  • n is smaller than this range, which is preferably 0 to 30, it is generally liquid and has poor curing properties and cannot be used. On the other hand, if it is larger than this range, the developability and transferability are poor.
  • EPON SU-8 Resolution “Performance” products
  • Nyapicoat 157S70 Japan Epoxy Resins
  • the polyfunctional epoxy resin (B) is represented by the following general formula (1).
  • the epoxy group in the formula may be a bisphenol A type epoxy resin or a polymer polymerized with a bisphenol A nopolak type epoxy resin.
  • N represents an average value and is an integer of 0 to 30. is there. )
  • the soft spot of the polyfunctional epoxy resin (B) is low, As soon as scratching occurs, it is not preferable because it softens at room temperature when used as a dry film resist.
  • the soft point of the polyfunctional epoxy resin (B) is high, the dry film resist is preferably softened when laminating the substrate to the substrate ⁇ , because the bonding property to the substrate becomes worse. Absent.
  • the preferred softening point of the polyfunctional epoxy resin is 40 to 120 ° C, more preferably 50 to 100 ° C.
  • the use of the light-powered thione polymerization initiator (A) and the bisphenol A novolac type polyfunctional epoxy resin (B) is preferred, preferably 0.1 to 99.9 to 15:85. More preferably, ⁇ 0.5: 99. 5: LO: 90.
  • a miscible reactive epoxy monomer (C) may be further added to improve the pattern performance.
  • a glycidyl ether compound can be used.
  • the reactive epoxy monomer (C) component is used for the purpose of improving the reactivity of the resist and the physical properties of the cured film.
  • the reactive epoxy monomer component is mostly liquid and is 20% by weight when the component is liquid. If it is added in excess of%, the film after solvent removal tends to be sticky and mask sticking tends to occur. From this point, when the monomer component is blended, the blending ratio is such that the total of the component (A), the component (B) and the component (C) is the solid content of the resist. 1 to LO weight% is preferred with respect to the solid content, especially 2 to 7 weight% is preferred.
  • a solvent (D) can be used to lower the viscosity of the photosensitive resin composition of the present invention and improve the coating properties.
  • the solvent (D) any commonly used organic solvent that can dissolve each component can be used. Examples of such organic solvents include ketones such as acetone, ethyl methyl ketone, and cyclohexanone, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, and tetramethylbenzene, dipropylene glycol dimethyl ether, and dipropylene glycol jetyl ether.
  • Glycol ethers ethyl acetate, butyl acetate, butylcetosolve acetate, carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, esters such as butyrolatataton, alcohols such as methanol, ethanol, ceresolve, methyl ceresolve, octane, Examples thereof include aliphatic hydrocarbons such as decane, organic solvents such as petroleum solvents such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha and solvent naphtha.
  • solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the solvent component is added for the purpose of adjusting the film thickness and applicability when applied to the base material, and in order to maintain the solubility of the main component, the volatility of the component, and the liquid viscosity of the composition properly. Further, it is preferably 5 to 95% by weight based on the photosensitive resin composition, particularly preferably 10 to 90% by weight.
  • a miscible adhesion-imparting agent may be used for the purpose of further improving the adhesion of the composition to the substrate.
  • a coupling agent such as a coupling agent silane coupling agent or a titanium coupling agent can be used, and a silane coupling agent is preferable.
  • silane coupling agent examples include 3-chloropropyltrimethoxysilane, butyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyl'tris (2-methoxyethoxy) silane, and 3-methacryloxypropinoretrie.
  • adhesion promoters can be used alone or in combination of two or more. Since the adhesion-imparting agent is non-reactive with the main component, components other than those that act at the substrate interface are present as residual components after curing, and if used in large amounts, adverse effects such as deterioration of physical properties will occur. Depending on the base material, it can be used within a range that does not adversely affect the effect even in a small amount, and the use ratio is preferably 15% by weight or less based on the photosensitive resin composition. Particularly preferred is 5% by weight or less.
  • a sensitizer may be further used to absorb ultraviolet light and to supply the absorbed light energy to the photothion polymerization initiator.
  • anthracene compounds having an alkoxyl group at the 9th and 10th positions (9, 10 dialkoxyanthracene derivatives) are preferable.
  • the alkoxyl group include C1-C4 alkoxyl groups such as a methoxy group, an ethoxy group, and a propoxy group.
  • the 9, 10 dialkoxyanthracene derivative may further have a substituent.
  • substituents examples include halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom, C1-C4 alkyl group such as methyl group, ethyl group and propyl group, sulfonic acid alkyl ester group, and carboxylic acid alkyl ester group.
  • halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom
  • C1-C4 alkyl group such as methyl group, ethyl group and propyl group
  • alkyl in the sulfonic acid alkyl ester group and the carboxylic acid alkyl ester examples include C1-C4 alkyl such as methyl, ethyl and propyl.
  • the substitution position of these substituents is preferably the 2-position.
  • Examples of the 9, 10 dialkoxyanthracene derivatives include 9, 10 dimethoxyanthracene, 9, 10 jetoxyanthracene, 9,10 dipropoxyanthracene, 9,10 dimethoxy-2-ethylanthracene, 9,10 diethoxy-2 Ethylanthracene, 9,10 Dipropoxy-2 Ethylanthracene, 9,10 Dimethoxy-2 chloroanthracene, 9,10 Dimethoxyanthracene 2-sulfonic acid methyl ester, 9, 10 Jetxanthracene mono-2-sulfonic acid methyl ester, 9, 10 Dimethoxyanthracene 2-carboxylic acid methyl ester.
  • the sensitizer component is effective in a small amount, the use ratio is particularly preferably 3% by weight or less based on the component (A) of the light power thione polymerization initiator. Is less than 1% by weight.
  • trismethoxyaluminum when it is necessary to reduce the adverse effects of the ions derived from the light-powered thione polymerization initiator (A), trismethoxyaluminum, trisethoxyloxyaluminum, trisisopropoxyaluminum, Alkoxyaluminum such as propoxydiethoxyaluminum and trisbutoxyaluminum, phenoxyaluminum such as trisphenoxyaluminum and trisparamethylphenoxyaluminum, trisacetoxyaluminum, tristearate aluminum and trisbutyrato Aluminum, Trisp ported pionato aluminum, Triacetyl acetonato aluminum, Tristrifluoroacetyl acetonate aluminum, Tri cetyl acetoacetate aluminum, Dicetyl acetonate dipivaloylmethanato These components, which may contain ion catchers such as organoaluminum compounds such as aluminum and diisoprop
  • thermoplastic rosin examples include polyethersulfone, polystyrene, and polycarbonate.
  • the colorant examples include phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine 'green, crystal violet, titanium oxide, carbon black, and naphthalene black.
  • the thickener examples include olven, benton, and montmorillonite.
  • the antifoaming agent examples include antifoaming agents such as silicone, fluorine, and polymer.
  • barium sulfate, barium titanate, silicon oxide, amorphous silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, acid aluminum, hydroxide aluminum aluminum, mica powder Inorganic fillers such as the above can be used, and the blending ratio is 0 to 60% by weight in the composition.
  • the photosensitive resin composition of the present invention is preferably blended in the proportions shown in Table 1 below, if necessary.
  • the adhesion-imparting agent, sensitizer, ion catcher, thermoplastic resin, colorant, thickener, antifoaming agent, leveling agent and inorganic filler may be added.
  • a disperser such as a dissolver, a homogenizer, or a three-roll mill if necessary.
  • filter with a mesh or membrane filter is also be used.
  • the photosensitive resin composition of the present invention is preferably used in liquid form.
  • it is applied onto a substrate such as silicon wafer or glass using a spin coater or the like at a thickness of 0.1 to LOO of 0 ⁇ m, and 60 to 130 Then, heat treatment is performed for about 5 to 60 minutes to remove the solvent and form a photosensitive resin composition layer.
  • a mask having a predetermined pattern is placed and irradiated with ultraviolet rays, and at 50 to 130 ° C, 1 to After heat treatment for about 50 minutes, the unexposed part is developed with a developer at room temperature to 50 ° C for about 1 to 180 minutes to form a pattern, and then heated at 130 to 200 ° C.
  • a permanent protective film that satisfies various properties can be obtained.
  • the developer for example, an organic solvent such as ⁇ -petit-mouth rataton, triethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, or a mixed solution of the organic solvent and water can be used.
  • a paddle type, spray type, shower type, or other developing device may be used, and ultrasonic irradiation may be performed as necessary.
  • the resin composition of the present invention is obtained by applying the yarn composition on a base film using a roll coater, die coater, knife coater, bar coater, gravure coater, etc., and then 45 to 100 ° C. It can be made into a dry film resist by drying in a drying oven set to, removing a predetermined amount of solvent, and laminating a cover film or the like as necessary. At this time, the thickness of the resist on the base film is adjusted to 2 to: LOO / zm.
  • base film and cover film include polyester, polypropylene, and polyethylene. Films such as TAC and polyimide are used.
  • these films may be processed with a release agent such as a silicon release treatment agent or a non-silicon release treatment agent.
  • a release agent such as a silicon release treatment agent or a non-silicon release treatment agent.
  • the cover film is peeled off, transferred to a substrate at a temperature of 40 ° C. to 100 ° C. and a pressure of 0.05 to 2 MPa by a hand roll, a laminator, etc.
  • Exposure, post-exposure beta, development, and heat treatment may be carried out in the same manner as the photosensitive resin composition described in 1.
  • the photosensitive resin composition is supplied as a film as described above, the steps of coating on the support and drying can be omitted, and the photosensitive resin of the present invention can be more simply used. Pattern formation using an oil composition is possible.
  • the cured product of the resin composition of the present invention obtained by the above method is used, for example, as a permanent resist film, for example, for MEMS parts such as an inkjet recording head.
  • This photosensitive resin composition was coated on a silicon wafer with a spin coater and dried to obtain a photosensitive resin composition layer having a thickness of 80 ⁇ m.
  • This photosensitive resin composition layer was prebetated on a hot plate at 65 ° C for 5 minutes and at 95 ° C for 20 minutes. After that, pattern exposure (soft contact, i-line) is performed using an i-line exposure system (mask aligner: manufactured by Usio Electric Co., Ltd.), and after exposure, beta (PEB) is performed at 95 ° C for 6 minutes. Then, development processing was performed at 23 ° C. for 7 minutes by an immersion method using propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a cured resin pattern on the substrate. [0053] (Evaluation of photosensitive resin composition)
  • Optimum exposure amount exposure amount with the best mask transfer accuracy
  • Photosensitive resin composition 100 parts by weight of bisphenol A novolac type polyfunctional epoxy resin (trade name: EPON SU-8 Resolution Solution “Products”) and photo-thion polymerization initiator (trade name: CPI—210S Sanpapro) 2.
  • a photosensitive composition was obtained by mixing 3 parts by weight, 4 parts by weight of a reactive epoxy monomer (trade name: ED506 manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.), and 40 parts by weight of MEK.
  • This photosensitive resin composition is uniformly applied onto a polypropylene (PP) film (base film, manufactured by Toray Industries, Inc.) having a film thickness of 60 ⁇ m, and heated at 65 ° C for 10 minutes and 80 ° C using a hot air convection dryer. After drying at C for 15 minutes, a 60 ⁇ m-thick PP film (cover film) was laminated on the exposed surface to form a photosensitive resin composition laminate having a thickness of 40 m.
  • PP polypropylene
  • the cover film of the photosensitive resin composition laminate was peeled off, laminated on a silicon wafer at a roll temperature of 70 ° C, an air pressure of 0.2 MPa, and a speed of 0.5 mZmin, and this was repeated once.
  • a photosensitive resin composition layer having a thickness of 80 m was obtained.
  • the photosensitive resin composition layer was subjected to pattern exposure (soft contact, i-line) using an i-line exposure apparatus (mask aligner: manufactured by Usio Electric Co., Ltd.). Thereafter, PEB was performed for 4 minutes at 95 ° C using a hot plate, and development processing was performed for 4 minutes at 23 ° C by immersion using PGMEA to obtain a cured resin pattern on the substrate.
  • Optimum exposure 300miZcm 2 Aspect ratio 5.5 and good results were obtained.
  • the photosensitive resin composition useful in the present invention is useful for forming a resin pattern having a high aspect profile, and is particularly dimensionally stable in fine-sized electronic devices. Suitable for high-performance resin molding.

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Description

明 細 書
感光性樹脂組成物、その積層体、その硬化物及び該組成物を用いたパ ターン形成方法 (3)
技術分野
[0001] 本発明は、高解像性、高アスペクト比のパターンを形成でき、かつ高感度である感 光性榭脂組成物、その積層体、その硬化物及び該組成物を用いたパターン形成方 法に関する。
背景技術
[0002] フォトリソグラフィー加工可能なレジストは、最近半導体や MEMS (マイクロエレクト ロメ力-カルシステムズ)アプリケーションに広範に用いられている。このようなアプリケ ーシヨンでは、フォトリソグラフィー加工は基板上でパターユング露光することによって 行われ、ついで、現像液で現像することで露光領域もしくは非露光領域を選択的に 除去することで達成される。フォトリソグラフィー加工可能なレジスト (フォトレジスト)は ポジもしくはネガタイプがあり、露光によって現像液に溶解するものがポジタイプ、不 溶となるものがネガタイプとなる。先端のエレクト口パッケージアプリケーションでは高 アスペクト比が要求される一方で、 MEMSアプリケーションでは、均一なスピンコーテ イング膜の形成能と 100 m以上の厚膜においてストレートな形状を維持し、かつ高 アスペクト比でフォトリソグラフィー可能なレジストが要求される。ここで、アスペクト比と は、レジスト膜厚 Zパターン線幅により表現され、フォトリソグラフィ一の性能を示す重 要な特性である。
[0003] ジナフトキノンーノボラック反応をベースとする従来のポジレジストは、 50 μ m以上 の厚膜を要求されるアプリケーションに適していない。厚膜ィ匕する際に限界があるの は、一般的にレジスト露光に用いられる近紫外領域波長(350〜450nm)でのジナ フトキノン型 (DNQ)光反応物が比較的高!、光吸収を有することによる。 DNQ型フォ トレジストはまた、現像液中で露光領域と非露光領域との特有な溶解性の違いにより 、側壁形状はストレートではなくむしろスロープ形状となる。光吸収により、フィルムの トップ力 ボトムにかけて照射強度が減少する力 このような光吸収があまりにも高い と、レジストのボトムはトップと比較して露光不足になるため、側壁形状はスロープ形 状もしくは歪んだ形状になる。
[0004] ネガタイプの化学増幅型の厚膜フォトリソグラフィー加工可能な糸且成物は、 350〜4 50nm波長域で非常に低い光吸収を持つことが知られており、このレジストの組成は 多官能ビスフエノール Aノボラックエポキシ榭脂(レゾリューション'パフォーマンス ·プ 口ダクッ製 EPON SU— 8レジン)、ダウケミカル製 CYRACURE UVI— 6974 のような光力チオン重合開始剤(この光力チオン重合開始剤は芳香族スルフォ -ゥム へキサフルォロアンチモネートのプロピレンカーボネート溶液からなる)からなる。この フォトレジスト組成物は、種々の基板上にスピンコートもしくはカーテンコートし、つい でべ一キングにより溶剤を揮発させ、 100 mもしくはそれ以上の厚みの固体フォト レジスト層を形成し、さらにコンタクト露光、プロキシミティ露光、プロジェクシヨン露光 などの各種露光方法を用い、フォトマスクを通して近紫外光を照射することでフォトリ ソグラフィー加工される。続いて、現像液中に浸漬し、非露光領域を溶解させ、基板 上へ高解像なフォトマスクのネガイメージを形成させる。
[0005] EPON SU— 8レジンは、厚膜での高アスペクト比でのフォトリソグラフィー加工に おいて優位な特徴を有する、低分子量エポキシオリゴマーである。その優位な特徴と は、(i)高エポキシ官能基数、(ii)高分岐度、(iii) 350〜450nmでの高透過率、 (iv )固形物を形成するのに必要充分な低分子量である。高エポキシ官能基数及び高分 岐度は強酸触媒下で充分な架橋を引き起こし、高透過率性は厚膜を通して均一に 光照射され、 100 m以上の厚膜でアスペクト比 10以上のパターンを形成するレジ スト性能を持つ。高エポキシ官能基数と高分岐度をもつレジンの選択は、ストレートな 側壁をもつ高アスペクト比を有する構造物を形成するのに重要な項目である。低分 子量レジンの選択は、厚膜フォトレジストの固形物層を最小コーティングステップ数で 行って、基板上へ固形物層を形成させることを可能にする。
[0006] スルホ -ゥム塩もしくはョードニゥム塩をベースにした光力チオン重合開始剤は良く 知られており、適度な吸光度を持つ有用な光力チオン重合開始剤が開示されており 、カルボ-ルー p—フエ-レンチォエーテルを含んでいる(特許文献 1、 2)。さらに、 2 アルキル 9, 10 ジメトキシアントラセンもしくは他のアントラセン、ナフタレン、ぺ リルもしくはピリルイ匕合物のような増感剤をカ卩えることも可能で、光力チオン重合開始 剤に導入しても良 ヽ (特許文献 3)。
[0007] スピンコートに好適な、上記のような開示化合物をベースにした、ネガレジストがマイ クロ'ケム社により販売されており、特に MEMSデバイス部品において、商用で使用 されている。例えば、マイクロ'ケム社によって提供される「SU— 8 シリーズ」は 30〜 100 μ m厚の膜を形成するのに 1000〜3000rpmでスピンコートし、ついで露光'現 像後、 100 m以上の膜厚でアスペクト比 10以上のパターンを形成しうる。
[0008] ポリエステルフィルムのような基材上へコートしたドライフィルムレジストのようなアプリ ケーシヨンにっ 、ても開示されて 、る(特許文献 4)
[0009] ソルダーマスクとして使用するのに好適なフォトイメージ可能なカチオン重合性難燃 剤の組成物が開示されている(特許文献 5, 6, 7)。これは、ビスフエノール Aとェピク 口ルヒドリンとの縮合物を 10〜80重量0 /0含む混合物からなり、ビスフエノール Aノボラ ックエポキシ榭脂を 20〜90重量0 /0、エポキシ化テトラブロモビスフエノール Aを 35〜 50重量%、光力チオン重合開始剤を 0. 1〜15重量%含む組成力もなる。
[0010] 水酸基含有添加物、光力チオン重合開始剤及び官能基数が 1. 5以上のエポキシ 榭脂をベースにした光重合性ィ匕合物も開示されている。水酸基含有添加物は、フレ キシピリティの増加や 100 μ m厚以上の厚膜での応力の低減が報告されて 、る(特 許文献 8)。
[0011] 特許文献 9において、 EB硬化可能なアプリケーションにおいて硬質エポキシ榭脂 系を用いて作製する方法が開示されている。ここでの主な改善点は、照射硬化した エポキシ榭脂のもろさである。多くの構造物や消費材用の樹脂 (エポキシ榭脂)は、 何年もの厳しヽサービスに耐える為に、充分な強度と耐衝撃性を持たねばならな ヽ。 SU— 8レジンを含む広範な強靭材がここで開示されている。増加した強度について 、特許文献 9に記載の発明の有効性は、破壊靱性と曲げ弾性率により示されている。 特許文献 9に記載の強靭材は、種々の熱可塑性プラスチック、水酸基含有熱可塑性 プラスチックオリゴマー、エポキシ含有熱可塑性プラスチックオリゴマー、反応性柔軟 材、エラストマ一、ゴムおよびそれらの混合物力もなる。し力しながら、特許文献 9に記 載の組成物は、非パターン EB照射でイメージされた膜に適用される組成物である。 そのため、 UV、 X線、 EB照射でパターユング露光されるときに、これらの組成物の特 性はフォトイメージングする用途の参考とはならない。
[0012] エポキシを含むフォトレジスト組成物に関して、多く提案されている(特許文献 10)。
ここで、例えばスピンコート法に適用されるようなレジスト組成物を調整する必要性が 開示されており、レオロジー的な特性が要求される。カロえて、ここでの組成物は膜厚 を通して光開始剤を光分解するような露光照射に充分な透過率を有する必要がある 。そして、このフォトレジスト組成物は種々のアプリケーションに耐えるために、ソルダ 一耐性もしくはインク耐性もしくは強度、著 、劣化もしくは密着性の低下がな ヽよう な、適切な物理的'化学的特性を持たねばならない。もし、このフォトレジスト組成物 力 エッチング用フォトレジストのような、他の用途に用いられる場合には、他の特性 が要求される。し力しながら、様々な要件のすべてを満足するような特定のエポキシ 榭脂はいまのところ存在していない。多くの異なる組み合わせもしくは種々のェポキ シ榭脂の混合物がすでに開示されており、著名な特許のすべてが光硬化組成物用 の種々の榭脂、光開始剤について記述しており、その多くは、永久膜アプリケーショ ンとしてフォトイメージ可能なレジストとして有用であろう。しかしながら、これらはいず れも、われわれの意図する MEMSアプリケーションに最適な糸且成を開示しておらず、 実際に、可塑剤、軟化剤、強靭剤の例のほとんどが、リソグラフ性能を低下させる。
[0013] 特許文献 1 :USP5502083
特許文献 2 :USP6368769
特許文献 3 :USP5102772
特許文献 4: USP4882245
特許文献 5: USP5026624
特許文献 6 :USP5278010
特許文献 7: USP5304457
特許文献 8: USP4256828
特許文献 9 :USP5726216
特許文献 10 :USP5264325
発明の開示 発明が解決しょうとする課題
[0014] ノボラック型エポキシ榭脂などの多官能エポキシ榭脂を用いた従来の感光性榭脂 組成物では、含有する光力チオン重合開始剤の感度が低いため、大量の開始剤を 含有することが必要であったり、短時間でマスクパターンを榭脂パターンに忠実に再 現できないという問題点があった。また、 SbF6—を含有する光力チオン重合開始剤 は比較的高感度ではあるが、毒性の問題力も使用用途が限定されるといった問題も めつに。
[0015] 本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであって、その課題は、高解像 性、高アスペクト比のパターンを形成でき、かつ高感度である感光性榭脂組成物を提 供することにある。
課題を解決するための手段
[0016] 本発明者らは、上記課題を解決するために、感光性榭脂組成物における高感度化 、高解像度化について、鋭意、実験及び検討を重ねた結果、特定の多官能エポキシ 榭脂と特定の光力チオン重合開始剤とを組み合わせて感光性榭脂組成物を調製し 、この感光性榭脂組成物を使用して、榭脂パターンを形成すれば、高感度で、ァス ぺクト比が高い榭脂パターンを形成できることを見出した。即ち、本発明は、 (1)スルホ-ゥムトリス(ペンタフルォロェチル)トリフルォロホスフェートである光力チ オン重合開始剤 (A)と下記一般式 (1)で表される多官能エポキシ榭脂 (B)
[0017] [化 1]
Figure imgf000007_0001
[0018] (式中のエポキシ基は、ビスフエノール A型エポキシ榭脂またはビスフエノール Aノボ ラック型エポキシ榭脂と重合した重合体でもよい。 nは平均値を示し、 0〜30の整数 である。 )
を含有してなる感光性榭脂組成物、
(2)光力チオン重合開始剤 (A)が、下記式 (2)で表される化合 (A— 1)
[0019] [化 2]
-S- S、+ ((CF3CF2)3PF3)-
( 2 )
[0020] である、上記( 1)記載の感光性榭脂組成物、
(3)反応性エポキシモノマー(C)を含有する、上記(1)または(2)記載の感光性榭脂 組成物、
(4)溶剤 (D)を含有する感光性榭脂組成物において、その固形分濃度が 5〜95重 量%である、上記(1)〜(3)の ヽずれかに記載の感光性榭脂組成物、
(5)上記(1)〜 (4)の 、ずれかに記載の感光性榭脂組成物を基材で挟み込んだ感 光性榭脂組成物積層体、
(6)上記(1)〜 (4)の 、ずれかに記載の感光性榭脂組成物を含んでなる硬化物。
(7)上記(1)〜 (4)の 、ずれかに記載の感光性榭脂組成物を所望の支持体上に塗 布して得られる感光性榭脂組成物層を、乾燥後、所定のパターンに露光し、露光後 ベータし、榭脂組成物層を現像し、得られた榭脂パターンを加熱処理して、所定形状 の硬化榭脂パターンを得ることを含んでなる、ノターン形成方法、
(8)上記 (5)記載の積層体力ゝら基材を除去した後に残る感光性榭脂組成物層を所 望の支持体上に貼り付けて積層し、この感光性榭脂組成物層を所定のパターンに露 光し、露光後ベータし、榭脂組成物を現像し、得られた榭脂パターンを加熱処理して 、所定形状の硬化榭脂パターンを得ることを含んでなる、パターン形成方法、 に関する。
発明を実施するための最良の形態
[0021] 以下に、本発明の実施形態について説明する。
本発明の感光性榭脂組成物は、スルホユウムトリス(ペンタフルォロェチル)トリフル ォロホスフェートである光力チオン重合開始剤 (A)と前記一般式(1)で表される多官 能エポキシ榭脂 (B)を含有することを特徴とし、高感度で、高アスペクト比の榭脂バタ ーンを形成することができる。さらに上記榭脂パターンを形成する能力が劣化するこ となく長期間にわたり発揮できる特性を付与することができる。これらの組み合わせと しては、種々可能であるが、特に、ビスフエノール Aノボラック型エポキシ榭脂(例、レ ゾリユーシヨン'パフォーマンス 'プロダクツ製 EPON SU— 8)と前記式(2)で表さ れる化合物である光力チオン重合開始剤との組み合わせが最も好ましい。
[0022] 本発明における光力チオン重合開始剤は、紫外線、遠紫外線、 KrF、 ArFなどの エキシマレーザー、 X線、および電子線などの放射線の照射を受けてカチオンを発 生し、そのカチオンが重合開始剤となりうる化合物である。
[0023] 前記光力チオン重合開始剤 (A)はスルホユウムトリス(ペンタフルォロェチル)トリフ ルォロホスフェートである。 前記光力チオン重合開始剤のスルホ -ゥムとしては、トリフエニルスルホ-ゥム、トリ —p トリルスルホ-ゥム、トリ一 o トリルスルホ-ゥム、トリス(4—メトキシフエ-ル)ス ノレホ -ゥム、 1 ナフチノレジフエ-ノレスノレホニゥム、 2—ナフチノレジフエ-ノレスノレホニ ゥム、トリス(4 フノレオ口フエ-ル)スノレホニゥム、トリ一 1—ナフチノレスノレホ-ゥム、トリ —2 ナフチルスルホ-ゥム、トリス(4 ヒドロキシフエ-ル)スルホ-ゥム、 4— (フエ -ルチオ)フエ-ルジフエ-ルスルホ-ゥム、 4— (p トリルチオ)フエ-ルジー p トリ ルスルホ-ゥム、 4— (4—メトキシフエ-ルチオ)フエ-ルビス(4—メトキシフエ-ル)ス ルホ-ゥム、 4 (フエ-ルチオ)フエ-ルビス(4 フルオロフェ -ル)スルホ-ゥム、 4 - (フエ-ルチオ)フエ-ルビス(4—メトキシフエ-ル)スルホ-ゥム、 4— (フエ-ルチ ォ)フエ-ルジー p トリルスルホ-ゥム、ビス [4— (ジフエ-ルスルホ -ォ)フエ-ル] スルフイド、ビス〔4— (ビス [4— (2—ヒドロキシエトキシ)フエ-ル]スルホ -ォ)フエ- ル〕スルフイド、ビス (4 - [ビス(4 -フルオロフェニル)スルホ -ォ]フエニル)スルフイド 、ビス(4 [ビス(4 メチルフエ-ル)スルホ -ォ]フエ二ノレ)スルフイド、ビス(4 [ビ ス(4—メトキシフエ-ル)スルホ -ォ]フエ-ル)スルフイド、 4— (4—ベンゾィル—4— クロ口フエ-ノレチォ)フエ-ルビス(4—フノレオ口フエ-ル)スノレホニゥム、 4— (4—ベン ゾィル 4—クロ口フエ-ルチオ)フエ-ルジフエ-ルスルホ-ゥム、 4— (4—ベンゾィ ルフエ-ルチオ)フエニルビス(4 -フルオロフェニル)スルホ-ゥム、 4一(4 ベンゾ ィルフエ-ルチオ)フエ-ルジフエ-ルスルホ-ゥム、 4—イソプロピル一 4—ォキソ一 10 チア一 9, 10 ジヒドロアントラセン一 2—ィルジ p トリルスルホ-ゥム、 7—ィ ソプロピル一 9—ォキソ 10 チア一 9, 10 ジヒドロアントラセン一 2—ィルジフエ二 ルスルホ-ゥム、 2— [ (ジ—p—トリル)スルホ -ォ]チォキサントン、 2— [ (ジフエ-ル )スルホ-ォ]チォキサントン、 4 [4一(4 tert ブチルベンゾィル)フエ-ルチオ] フエ-ルジー p トリルスルホ-ゥム、 4一 [4一(4— tert ブチルベンゾィル)フエ- ルチオ]フエ-ルジフエ-ルスルホ-ゥム、 4 [4 (ベンゾィルフエ-ルチオ)]フエ -ルジー p トリルスルホ-ゥム、 4— [4— (ベンゾィルフエ-ルチオ)]フエ-ルジフエ ニルスルホ-ゥム、 5— (4—メトキシフエ-ル)チアアンスレニウム、 5—フエ-ルチア アンスレニウム、 5—トリルチアアンスレニウム、 5— (4—エトキシフエ-ル)チアアンス レニウム、 5— (2, 4, 6—トリメチルフエ-ル)チアアンスレニウムなどのトリアリールス ノレホ-ゥム;ジフエ-ノレフエナシノレスノレホ-ゥム、ジフエ-ノレ 4 -トロフエナシノレスノレ ホ-ゥム、ジフエ-ルペンジルスルホ-ゥム、ジフエ-ルメチルスルホ -ゥムなどのジ ァリールスルホ-ゥム;フエ-ルメチルベンジルスルホ-ゥム、 4—ヒドロキシフエ-ルメ チルベンジルスルホ-ゥム、 4—メトキシフエ-ルメチルベンジルスルホ-ゥム、 4—ァ セトカルボ-ルォキシフエ-ルメチルベンジルスルホ-ゥム、 2 -ナフチルメチルベン ジルスルホ-ゥム、 2 -ナフチルメチル( 1—エトキシカルボ-ル)ェチルスルホ -ゥム 、フエ-ルメチルフエナシルスルホ-ゥム、 4—ヒドロキシフエ-ルメチルフエナシルス ルホ-ゥム、 4—メトキシフエ-ルメチルフエナシルスルホ-ゥム、 4—ァセトカルボ- ルォキシフエ-ルメチルフエナシルスルホ-ゥム、 2—ナフチルメチルフエナシルスル ホ-ゥム、 2 ナフチルォクタデシルフエナシルスルホユウム、 9 アントラセ-ルメチ ルフエナシルスルホ -ゥムなどのモノアリールスルホ -ゥム;ジメチルフエナシルスル ホ-ゥム、フエナシルテトラヒドロチォフエ-ゥム、ジメチルベンジルスルホ-ゥム、ベン ジルテトラヒドロチオフヱ-ゥム、ォクタデシルメチルフエナシルスルホ -ゥムなどのトリ アルキルスルホ -ゥムなどが挙げられ、これらは以下の文献に記載されて!、る。
トリアリールスルホ -ゥムに関しては、米国特許第 4231951号、米国特許第 4256 828号、特開平 7— 61964号、特開平 8— 165290号、特開平 7— 10914号、特開 平 7— 25922号、特開平 8— 27208号、特開平 8— 27209号、特開平 8— 165290 号、特開平 8— 301991号、特開平 9— 143212号、特開平 9 278813号、特開平 10— 7680号、特開平 10— 287643号、特開平 10— 245378号、特開平 8— 1575 10号、特開平 10— 20 3号、特開平 8— 245566号、特開平 8— 157451号、特 開平 7— 324069号、特開平 9— 268205号、特開平 9— 278935号、特開 2001— 288205号、特開平 11— 80118号、特開平 10— 182825号、特開平 10— 33035 3、特開平 10— 152495、特開平 5— 239213号、特開平ト 333834号、特開平 9 — 12537号、特開平 8— 325259号、特開平 8— 160606号、特開 2000— 18607 1号 (米国特許第 6368769号)など;ジァリールスルホ -ゥムに関しては、特開平 7— 300504号、特開昭 64— 45357号、特開昭 64— 29419号など;モノアリールスルホ ユウムに関しては、特開平 6— 345726号、特開平 8— 325225号、特開平 9— 1186 63号(米国特許第 6093753号;)、特開平 2— 196812号、特開平 2— 1470号、特 開平 2— 196812号、特開平 3— 237107号、特開平 3— 17101号、特開平 6— 228 086号、特開平 10— 152469号、特開平 7— 300505号、特開 2003— 277353、 特開 2003— 277352など;トリアルキルスルホ二ゥムに関しては、特開平 4— 30856 3号、特開平 5— 140210号、特開平 5— 140209号、特開平 5— 230189号、特開 平 6— 271532号、特開昭 58— 37003号、特開平 2— 178303号、特開平 10— 33 8688号、特開平 9— 328506号、特開平 11— 228534号、特開平 8— 27102号、 特開平 7— 333834号、特開平 5— 222167号、特開平 11— 21307号、特開平 11 35613号、米国特許第 6031014号などが挙げられる。
[0026] 特に前記光力チオン重合開始剤のスルホ -ゥムとしてはトリフエニルスルホ-ゥム、 4 (フエ-ルチオ)フエ-ルジフエ-ルスルホ -ゥムがより好ましぐ下記式(2)で表さ れる 4 (フエ-ルチオ)フエ-ルジフエ-ルスルホ -ゥム(A— 1)が最も好まし!/、。
[0027] [化 3]
Figure imgf000011_0001
[0028] 本発明におけるビスフエノール Aノボラック型多官能エポキシ榭脂(B)とは、厚 、膜 のパターンを形成するのに十分なエポキシ基を一分子中に含むビスフエノール Aノボ ラック型多官能エポキシ榭脂なら、どのようなエポキシ榭脂でもよい。ビスフエノール A ノボラック型多官能エポキシ榭脂の具体例としては、 EPON SU—8 (レゾリューショ ン 'パフォーマンス 'プロダクツ社製)、ェピコート 157S70、ェピコート 157S65 (ジャ パンエポキシレジン社製)、 YD— 128 (東都化成社製)、ェピクロン N— 885、ェピク ロン N— 865、ェピクロン 2055 (大日本インキ化学工業社製)が挙げられる。これらビ スフエノール Aノボラック型多官能エポキシ榭脂のエポキシ当量は 150〜400が好ま しく、この範囲よりも小さ 、と硬化収縮が大きく硬化物の反りやクラックが発生しやす い点で好ましくない。一方、この範囲よりも大きい場合には、架橋密度が小さくなり、 硬化膜の強度ゃ耐薬品性、耐熱性、耐クラック性が悪く好ましくない。さらに、前記一 般式(1)中の nは繰り返しユニットを表し、 nは 3〜30が好ましぐこの範囲よりも小さい と一般に液状であるし、硬化性が悪く使用に耐えない。一方、この範囲よりも大きい場 合には、現像性'転写性が悪ィ匕するため好ましくない。この nはゲルパーミエーシヨン クロマトグラフィ (GPC)で測定された数平均分子量を繰り返しユニットの分子量で除 した値である。 nは 0〜30が好ましぐこの範囲よりも小さいと一般に液状であるし、硬 化性が悪く使用に耐えない。一方、この範囲よりも大きい場合には、現像性'転写性 が悪ィ匕するため好ましくな 、。上記範囲を満たすビスフエノール Aノボラック型多官能 エポキシ榭脂としては EPON SU— 8 (レゾリューション 'パフォーマンス 'プロダクツ 製)ゃェピコート 157S70 (ジャパンエポキシレジン社製)が特に好ましい。
[0029] 前記多官能エポキシ榭脂 (B)は、下記一般式(1)で表される。
[0030] [化 4]
Figure imgf000012_0001
[0031] (式中のエポキシ基は、ビスフエノール A型エポキシ榭脂またはビスフエノール Aノ ポラック型エポキシ榭脂と重合した重合体でもよい。 nは平均値を示し、 0〜30の整 数である。 )
[0032] 前記多官能エポキシ榭脂 (B)の軟ィ匕点が低い場合には、パターユングする際にマ スクステイツキングが発生しやすぐさらに、ドライフィルムレジストとして使用する際に も常温で軟ィ匕するので好ましくない。一方、多官能エポキシ榭脂 (B)の軟ィ匕点が高 い場合には、ドライフィルムレジストを基板へラミネートする際に軟ィ匕しに《、基板へ の貼合性が悪くなるので好ましくない。上記のような理由により、多官能エポキシ榭脂 の好ましい軟化点は 40〜120°Cであり、より好ましくは 50〜100°Cである。
[0033] 前記光力チオン重合開始剤 (A)の該感光性榭脂組成物中の含有量が高すぎ、ビ スフヱノール Aノボラック型多官能エポキシ榭脂(B)の前記感光性榭脂組成物中の 含有量が低すぎる場合には、該榭脂組成物の現像が困難な上、硬化後の膜がもろく なり、好ましくない。逆に、前記光力チオン重合開始剤 (A)の該感光性榭脂組成物 中の含有量が低すぎ、ビスフ ノール Aノボラック型多官能エポキシ榭脂(B)の前記 感光性榭脂組成物中の含有量が高すぎる場合には、基板にコーティングしたとき該 榭脂組成物の放射線露光による硬化時間が長くなり好ましくない。これらを考慮する と、光力チオン重合開始剤 (A)とビスフエノール Aノボラック型多官能エポキシ榭脂( B)の使用害合 ίま、好ましく ίま 0. 1 : 99. 9〜15 : 85、より好ましく ίま 0. 5 : 99. 5〜: LO : 90である。
[0034] 本発明の感光性榭脂組成物には、さらにパターンの性能を改良するため混和性の ある反応性エポキシモノマー(C)を添カ卩してもょ 、。反応性エポキシモノマーとしては 、グリシジルエーテル化合物が使用でき、例えばジエチレングリコールジグリシジルェ 一テル、へキサンジオールジグリシジルエーテル、ジメチロールプロパンジグリシジル エーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル (旭電化工業 (株)製、 ED5 06)、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル (旭電ィ匕工業 (株)製、 ED505)、 ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル等が挙げられる。これらは、単独あるい は 2種以上混合して用いることができる。反応性エポキシモノマー(C)成分はレジスト の反応性や硬化膜の物性を改善する目的で使用されるが、反応性エポキシモノマー 成分は液状のものが多ぐ該成分が液状である場合に 20重量%よりも多く配合すると 、溶剤除去後の皮膜にベタツキが生じやすくマスクステイツキングが起きやす 、など の問題があり、不適当である。この点から、モノマー成分を配合する場合には、その 配合割合は、(A)成分、(B)成分及び (C)成分の合計をレジストの固形分とする場 合、その固形分に対して、 1〜: LO重量%が好ましぐ特に 2〜7重量%が好適である
[0035] 本発明の感光性榭脂組成物の粘度を下げ、塗膜性を向上させるために溶剤 (D)を 用いることができる。溶剤 (D)としては、一般に使われる有機溶剤で各成分の溶解が 可能であるものはすべて用いることができる。このような有機溶剤としてはアセトン、ェ チルメチルケトン、シクロへキサノンなどのケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチル ベンゼンなどの芳香族炭化水素類、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプ ロピレングリコールジェチルエーテルなどのグリコールエーテル類、酢酸ェチル、酢 酸ブチル、ブチルセ口ソルブアセテート、カルビトールアセテート、プロピレングリコー ルモノメチルエーテルアセテート、 y ブチロラタトンなどのエステル類、メタノール、 エタノール、セレソルブ、メチルセレソルブなどのアルコール類、オクタン、デカンなど の脂肪族炭化水素、石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサ などの石油系溶剤等の有機溶剤類等を挙げることができる。
[0036] これら溶剤は、単独あるいは 2種以上混合して用いることができる。溶剤成分は、基 材へ塗布する際の膜厚や塗布性を調整する目的で加えるものであり、主成分の溶解 性、成分の揮発性、組成物の液粘度を適正に保持する為には、感光性榭脂組成物 に対して 5重量%〜95重量%が好ましぐ特に好ましくは 10重量%〜90重量%であ る。
[0037] 本発明の感光性榭脂組成物には、さらに基板に対する組成物の密着性を向上させ る目的で、混和性のある密着性付与剤を使用してもよい。密着性付与剤としてはカツ プリング剤シランカップリング剤、チタンカップリング剤などのカップリング剤を用いるこ とができ、好ましくはシランカップリング剤が挙げられる。
[0038] 上記シランカップリング剤としては 3 クロ口プロピルトリメトキシシラン、ビュルトリクロ ロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニル 'トリス(2—メトキ シエトキシ)シラン、 3—メタクリロキシプロピノレトリメトキシシラン、 2- (3, 4 エポキシ
3—メルカプトプロピルトリメトキシシラン、 3 ァミノプロピルトリエトキシシラン、 N— 2 - (アミノエチル) 3—ァミノプロピルトリメトキシシラン、 3—ユレイドプロピルトリェトキ シシラン等が挙げられる。これら密着性付与剤は、単独で、または 2種以上を組み合 わせて用いることができる。密着性付与剤は主成分とは未反応性のものであるため、 基材界面で作用する成分以外は硬化後に残存成分として存在することになり、多量 に使用すると物性低下などの悪影響を及ぼす。基材によっては、少量でも効果を発 揮する点から、悪影響を及ぼさない範囲内での使用が適当であり、その使用割合は 、感光性榭脂組成物に対して 15重量%以下が好ましぐ特に好ましくは 5重量%以 下である。
[0039] 本発明の感光性榭脂組成物には、さらに紫外線を吸収し、吸収した光エネルギー を光力チオン重合開始剤に供与するために増感剤を使用してもよい。増感剤として は、例えば 9位と 10位にアルコキシル基を有するアントラセン化合物(9, 10 ジアル コキシアントラセン誘導体)が好ましい。アルコキシル基としては、例えばメトキシ基、 エトキシ基、プロポキシ基等の C1〜C4のアルコキシル基が挙げられる。 9, 10 ジ アルコキシアントラセン誘導体は、さらに置換基を有していても良い。置換基としては 、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基 、ェチル基、プロピル基等の C1〜C4のアルキル基ゃスルホン酸アルキルエステル 基、カルボン酸アルキルエステル基等が挙げられる。スルホン酸アルキルエステル基 やカルボン酸アルキルエステルにおけるアルキルとしては、例えばメチル、ェチル、 プロピル等の C1〜C4のアルキルが挙げられる。これらの置換基の置換位置は 2位 が好ましい。
[0040] 9, 10 ジアルコキシアントラセン誘導体としては、例えば 9, 10 ジメトキシアントラ セン、 9, 10 ジェトキシアントラセン、 9, 10 ジプロポキシアントラセン、 9, 10 ジ メトキシ 2 ェチルアントラセン、 9, 10 ジエトキシー2 ェチルアントラセン、 9, 1 0 ジプロポキシ 2 ェチルアントラセン、 9, 10 ジメトキシー 2 クロロアントラセ ン、 9, 10 ジメトキシアントラセン 2—スルホン酸メチルエステル, 9, 10 ジェトキ シアントラセン一 2—スルホン酸メチルエステル, 9, 10 ジメトキシアントラセン一 2— カルボン酸メチルエステル等を挙げることができる。これらは、単独あるいは 2種以上 混合して用いることができる。増感剤成分は、少量で効果を発揮する為、その使用割 合は、光力チオン重合開始剤 (A)成分に対し 3重量%以下が好ましぐ特に好ましく は 1重量%以下である。
[0041] 本発明にお 、て、光力チオン重合開始剤 (A)由来のイオンによる悪影響を低減す る必要がある場合には、トリスメトキシアルミニウム、トリスェトキシアルミニウム、トリスィ ソプロポキシアルミニウム、イソプロポキシジエトキシアルミニウム、トリスブトキシアルミ -ゥム等のアルコキシアルミニウム、トリスフエノキシアルミニウム、トリスパラメチルフエ ノキシアルミニウム等のフエノキシアルミニウム、トリスァセトキシアルミニウム、トリスス テアラトアルミニウム、トリスブチラトアルミニウム、トリスプ口ピオナトアルミニウム、トリス ァセチルァセトナトアルミニウム、トリストリフルォロアセチルァセナトアルミニウム、トリ スェチルァセトァセタトアルミニウム、ジァセチルァセトナトジピバロィルメタナトアルミ ユウム、ジイソプロポキシ(ェチルァセトァセタト)アルミニウム等の有機アルミニウム化 合物などのイオンキャッチャーを添加してもよぐこれら成分は、単独で、または 2種以 上を組み合わせて用いることができる。また、その配合量は、固形分に対して 10重量 %以下である。
[0042] 更に本発明においては必要に応じて、熱可塑性榭脂、着色剤、増粘剤、消泡剤、 レべリング剤等の各種添加剤を用いることが出来る。熱可塑性榭脂としては、例えば ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、ポリカーボネート等があげられ、着色剤としては 、例えばフタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイォジン'グリーン、クリス タルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラック等があげられ、増 粘剤としては、例えばオルベン、ベントン、モンモリロナイト等があげられ、消泡剤とし ては、例えばシリコーン系、フッ素系および高分子系等の消泡剤があげられ、これら の添加剤等を使用する場合、その使用量は本発明の感光性榭脂組成物中、例えば 、それぞれ 0. 1〜30重量%程度が一応の目安であるが、使用目的に応じ適宜増減 し得る。
[0043] 又、本発明においては、例えば硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケィ素、無定 形シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸ィ匕アルミニウム、水 酸ィ匕アルミニウム、雲母粉等の無機充填剤を用いることができ、その配合比率は、組 成物中 0〜60重量%である。
[0044] 本発明の感光性榭脂組成物は、好ましくは下記表 1の割合で配合し、必要に応じ 前記密着性付与剤、増感剤、イオンキャッチャー、熱可塑性榭脂、着色剤、増粘剤、 消泡剤、レべリング剤および無機充填剤を添加しても良い。通常の方法で混合、攪 拌するだけでよぐ必要に応じディゾルバー、ホモジナイザー、 3本ロールミルなどの 分散機を用い分散、混合させてもよい。また、混合した後で、さらにメッシュ、メンブレ ンフィルターなどを用いてろ過してもょ 、。
[0045] [表 1]
Figure imgf000017_0001
[0046] 本発明の感光性榭脂組成物は、好ましくは液状で使用される。本発明の感光性榭 脂組成物を使用するには、例えばシリコンウエノ、、ガラスなどの基板上に 0. 1〜: LOO 0 μ mの厚みでスピンコーター等を用いて塗布し、 60〜130でで5〜60分間程度、 熱処理し溶剤を除去し感光性榭脂組成物層を形成した後、所定のパターンを有する マスクを載置して紫外線を照射し、 50〜130°Cで 1〜50分間程度、加熱処理を行つ た後、未露光部分を、現像液を用い室温〜 50°Cで 1〜180分間程度現像してバタ ーンを形成し、次いで 130〜200°Cで加熱処理をすることで、諸特性を満足する永 久保護膜が得られる。現像液としては、例えば γ—プチ口ラタトン、トリエチレングリコ ールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の有機 溶剤、あるいは、前記有機溶剤と水の混合液等を用いることができる。現像にはパド ル型、スプレー型、シャワー型等の現像装置を用いてもよぐ必要に応じて超音波照 射を行ってもよい。
[0047] 本発明の榭脂組成物は、ベースフィルム上にロールコーター、ダイコーター、ナイフ ーター、バーコ一ター、グラビアコーター等を用いて該糸且成物を塗布した後、 45〜 100°Cに設定した乾燥炉で乾燥し、所定量の溶剤を除去することにより、又必要に応 じてカバーフィルム等を積層することによりドライフィルムレジストとすることができる。こ の際、ベースフィルム上のレジストの厚さは、 2〜: LOO /z mに調製される。ベースフィ ルム及びカバーフィルムとしては、例えばポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン 、 TAC、ポリイミド等のフィルムが使用される。これらフィルムは必要に応じてシリコン 系離型処理剤や非シリコン系離型処理剤等により離型処理されたフィルムを用 Vヽて もよい。このドライフィルムレジストを使用するには、例えばカバーフィルムをはがして 、ハンドロール、ラミネーター等により、温度 40°C〜100°Cで圧力 0. 05〜2MPaで 基板に転写し、上記直前の段落 0046に記載の感光性榭脂組成物と同様な方法で 露光、露光後ベータ、現像、加熱処理をすればよい。
[0048] 前述のように感光性榭脂組成物をフィルムとして、供給すれば、支持体上への塗布 、および乾燥の工程を省略することが可能であり、より簡便に本発明の感光性榭脂組 成物を用いたパターン形成が可能となる。
[0049] 上記の方法により得られる本発明の榭脂組成物の硬化物は、例えば、永久レジスト 膜として例えば、インクジェット記録ヘッドなど MEMS用部品等に利用される。
実施例
[0050] 以下、本発明の実施例を説明するが、これら実施例は、本発明を好適に説明する ための例示に過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。
[0051] (実施例 1〜3及び比較例 1)
(感光性樹脂組成物)
表 2に記載の配合量 (単位は重量部)に従って、多官能エポキシ榭脂、光力チオン 重合開始剤、およびその他の成分を力べはん機付きフラスコで 60°Cで 1時間力べはん 混合した感光性組成物を得た。
[0052] (感光性榭脂組成物のパターユング)
(実施例 1〜3及び比較例 1)
この感光性榭脂組成物をシリコンウェハ上にスピンコーターで塗布後、乾燥し、 80 μ mの膜厚を有する感光性榭脂組成物層を得た。この感光性榭脂組成物層をホット プレートにより 65°Cで 5分および 95°Cで 20分プリベータした。その後、 i線露光装置( マスクァライナー:ゥシォ電機社製)を用いてパターン露光 (ソフトコンタクト、 i線)を行 い、ホットプレートにより 95°Cで 6分、露光後ベータ(PEB)を行い、プロピレングリコー ルモノメチルエーテルアセテートを用いて浸漬法により 23°Cで 7分現像処理を行 、、 基板上に硬化した榭脂パターンを得た。 [0053] (感光性榭脂組成物の評価)
現像後に、必要露光量により下記評価を行った。結果を下記表 2に示す。
[0054] 最適露光量:マスク転写精度が最良となる露光量
アスペクト比:膜厚/形成されたレジストパターン中密着している最も細かいパター ン幅
[0055] [表 2]
Figure imgf000019_0001
[0056] 注:
(A—1) :光力チオン重合開始剤(商品名 CPI— 210S サンァプロ社製)
(B- 1):ビスフエノール Aノボラック型多官能エポキシ榭脂
(商品名 EPON SU-8 レゾリューション 'パフォーマンス 'プロダクツ社製、 n=8 )
(C) :反応性エポキシモノマー(商品名 ED506 旭電化工業社製)
(D) :溶剤 シクロペンタノン
(E) :フッ素系レべリング剤(商品名 メガファック F— 470 大日本インキ社製)
(F) :シランカップリング剤(商品名 S— 510 チッソ社製)
(G) :光力チオン重合開始剤(商品名 UVI— 6974 ダウケミカル社製 50%炭酸プ ロピレン溶液)
[0057] 表 2に示すとおり実施例 1〜 3は 、ずれも良好な結果であつた。
[0058] (実施例 4)
(感光性樹脂組成物) ビスフエノール Aノボラック型多官能エポキシ榭脂(商品名 EPON SU-8 レゾ リューシヨン'パフォーマンス 'プロダクツ社製)を 100重量部、光力チオン重合開始剤 (商品名 CPI— 210S サンァプロ社製)を 2. 3重量部、反応性エポキシモノマー( 商品名 ED506 旭電化工業社製)を 4重量部、および MEK40重量部を混合した 感光性組成物を得た。
(感光性榭脂組成物のパターユング)
この感光性榭脂組成物を膜厚 60 μ mのポリプロピレン (PP)フィルム(ベースフィル ム、東レ社製)上に均一に塗布し、温風対流乾燥機により 65°Cで 10分および 80°C で 15分乾燥した後、露出面上に膜厚 60 μ mの PPフィルム(カバーフィルム)をラミネ ートして、 40 mの膜厚の感光性榭脂組成物積層体を形成した。
[0059] この感光性榭脂組成物積層体のカバーフィルムを剥離し、ロール温度 70°C、エア 一圧力 0. 2MPa、速度 0. 5mZminでシリコンウェハ上にラミネートし、これを 1回繰 り返し 80 mの感光性榭脂組成物層を得た。この感光性榭脂組成物層に、 i線露光 装置 (マスクァライナー:ゥシォ電機社製)を用いてパターン露光 (ソフトコンタクト、 i線 )を行った。その後、ホットプレートにより 95°Cで 4分 PEBを行い、 PGMEAを用いて 浸漬法により 23°Cで 4分現像処理を行い、基板上に硬化した榭脂パターンを得た。 最適露光量 300miZcm2アスペクト比 5. 5と良好な結果が得られた。
[0060] 実施例 1〜4の結果と比較例の比較から明らかなように、特定の多官能エポキシ榭 脂と特定の光力チオン重合開始剤の組み合わせにより、他の組み合わせでは得られ な 、高感度で、高アスペクトなプロファイルの榭脂パターンが得られることがわかった 産業上の利用可能性
[0061] 以上のように、本発明に力かる感光性榭脂組成物は、高アスペクトなプロファイルを 持つ榭脂パターンの形成に有用であり、特に、微細サイズの電子デバイスなどにお ける寸法安定性の高 ヽ榭脂成形に適して 、る。

Claims

請求の範囲 スルホ-ゥムトリス(ペンタフルォロェチル)トリフルォロホスフェートである光力チォ ン重合開始剤 (A)と下記一般式 (1)で表される多官能エポキシ榭脂 (B)
[化 1]
Figure imgf000021_0001
( l )
(式中のエポキシ基は、ビスフエノール A型エポキシ榭脂またはビスフエノール Aノボ ラック型エポキシ榭脂と重合した重合体でもよい。 nは平均値を示し、 0〜30の整数 である。 )
を含有してなる感光性榭脂組成物。
[2] 光力チオン重合開始剤 (A)が、下記式 (2)で表される化合物 (A—1)
[化 2]
Figure imgf000021_0002
である、請求項 1記載の感光性榭脂組成物。
[3] 反応性エポキシモノマー(C)を含有する、請求項 1または 2記載の感光性榭脂組成 物。
[4] 溶剤 (D)を含有する感光性榭脂組成物において、その固形分濃度が 5〜95重量 %である、請求項 1〜3の ヽずれか 1項に記載の感光性榭脂組成物。
[5] 請求項 1〜4の 、ずれか 1項に記載の感光性榭脂組成物を基材で挟み込んだ感光 性榭脂組成物積層体。
[6] 請求項 1〜4の 、ずれか 1項に記載の感光性榭脂組成物を含んでなる硬化物。
[7] 請求項 1〜4の 、ずれか 1項に記載の感光性榭脂組成物を所望の支持体上に塗 布して得られる感光性榭脂組成物層を、乾燥後、所定のパターンに露光し、露光後 ベータし、榭脂組成物層を現像し、得られた榭脂パターンを加熱処理して、所定形状 の硬化榭脂パターンを得ることを含んでなる、ノターン形成方法。
[8] 請求項 5記載の積層体力 基材を除去した後に残る感光性榭脂組成物層を所望 の支持体上に貼り付けて積層し、この感光性榭脂組成物層を所定のパターンに露光 し、露光後ベータし、榭脂組成物を現像し、得られた榭脂パターンを加熱処理して、 所定形状の硬化榭脂パターンを得ることを含んでなる、パターン形成方法。
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