WO2008004454A1

WO2008004454A1 - Appareil de génération d'ions et appareil électrique

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Publication number: WO2008004454A1
Application number: PCT/JP2007/062662
Authority: WO
Inventors: Yoshinori Sekoguchi
Original assignee: Sharp Kabushiki Kaisha
Priority date: 2006-07-06
Filing date: 2007-06-25
Publication date: 2008-01-10
Also published as: KR101055040B1; US20090283692A1; JP2008016345A; EP2043213A4; JP4145939B2; CN101485057B; US8053741B2; CN101485057A; EP2043213B1; EP2043213A1; KR20090038011A

Description

明細書

イオン発生装置および電気機器

技術分野

[0001] 本発明は、イオン発生装置および電気機器に関し、特に、トランス駆動回路、トランスおよびイオン発生素子を備えたイオン発生装置および電気機器に関するものである。

背景技術

[0002] 放電現象を利用した多くのイオン発生装置が実用化されている。これらのイオン発生装置は通常、イオンを発生させるためのイオン発生素子と、イオン発生素子に高電圧を供給するための高圧トランスと、高圧トランスを駆動するための高圧トランス駆動回路と、コネクタなどの電源入力部とにより構成されている。

[0003] イオン発生素子の種類は、大きく 2種類に区分される。その 1つは、金属線、鋭角部を持った金属板、針形状の金属などを放電電極とし、大地電位の金属板やグリッドなどを対向電極としたもの、あるいは対向電極を大地として特に対向電極を配置しないものである。この種類のイオン発生素子では、空気が絶縁体の役割を果たす。このィオン発生素子は、電極に高電圧を印加した際に、鋭角部をした電極の先端で電界集中が生じ、その先端の極近部分の空気が絶縁破壊することで放電現象を得る方式である。

[0004] もう 1つは、高耐圧の誘電体内部に埋没された誘導電極と、誘電体表面に配置された放電電極との一対で構成されたものである。この種類のイオン発生素子は、電極に高電圧を印加した際に、表面の放電電極の外縁部近傍で電界集中が生じ、その極近部分の空気が絶縁破壊することで放電現象を得る方式である。

[0005] 上記イオン発生素子に高電圧を印加する高圧トランスとして、一次卷線と二次卷線とを有する卷線トランスや、圧電セラミック素子で作られた圧電現象を利用した圧電トランスが実用化されている。

[0006] 従来のイオン発生装置としては、たとえば特開 2002-374670号公報に記載されたものがある。このイオン発生装置は、イオン発生電極を放電電極とし、対向電極を配置しないタイプのものである。このイオン発生装置では、イオン発生電極に高電圧を供給する圧電トランスと、その圧電トランスを駆動するための駆動回路とがケース内に搭載されて、モールドにより一体ィ匕されている。ただし、イオン発生電極はケース外部に配置されており、ケースから引き出されたケーブルに接続されている。

[0007] また高圧トランスに関しては圧電トランスと卷線トランスの違いや有利不利点が記載されており、圧電トランスでは卷線トランスよりもトランス自体がコンパクトィ匕できるが周辺回路が複雑になることが記載されている。高圧トランスは他の部品と同一の基板上に搭載され、その基板はケース底面力一定距離浮力せた形で外装ケースに内に配置されて、ることが記載されて、る。

特許文献 1：特開 2002-374670号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0008] 上記公報に記載されたイオン発生装置では、高圧トランスと駆動回路とがケース内でまとめてモールドされている。このため、たとえば駆動回路をモールドせずに高圧トランスのみをモールドすることができず、高電圧部のみを効率的にモールドできなヽ。また高電圧部をモールドしない場合には、イオン発生電極以外の高電圧部で放電が生じる可能性があり、係る放電を防止するために高電圧部の部品間の絶縁距離を大きく確保する必要がある。一般的には、 IkVの電圧当たり lmmの絶縁距離が目安 t 、われて!/、る。このように絶縁距離を大きくするとイオン発生装置が大きくなつてしまうため、装置の小型化および薄型化が困難であるという課題があった。

[0009] また上記公報に記載されたイオン発生装置では、高圧トランスは駆動回路と同一の基板上に搭載されている。このため、高圧トランスの配置部では、基板の厚み以外に、基板表面 (部品面)側においては高圧トランスの厚み以上の高さが必要であり、基板裏面（半田面)側においては高圧トランスの半田付けしたリード部の長さ以上の高さが必要である。これにより高圧トランスの配置部においてイオン発生装置の厚みが大きくなり、装置の小型化および薄型化が困難であるという課題があった。

[0010] 本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型化および薄型化に適したイオン発生装置およびそれを搭載した電気機器を提供することである。課題を解決するための手段

[0011] 本発明のイオン発生装置は、トランス駆動回路と、そのトランス駆動回路により駆動されて電圧を昇圧するためのトランスと、そのトランスにより昇圧された電圧を印加されることで正イオンおよび負イオンの少なくともいずれかを生じさせるためのイオン発生素子とを備えたイオン発生装置であって、少なくともトランス駆動回路を配置するためのトランス駆動回路ブロックと、トランスの少なくとも二次側を配置するためのトランスブロックと、イオン発生素子を配置するためのイオン発生素子ブロックとに平面的に区画されたケースを備えて!/、る。

[0012] 本発明のイオン発生装置によれば、ケース内部がトランス駆動回路ブロックとトランスブロックとイオン発生素子ブロックとに平面的に区画されているため、各ブロックごとに別個にモールドすることができる。たとえばトランスブロックにおいてはトランスの二次側全体をモールドしながらも、イオン発生素子ブロックにお、てはイオン発生部分をモールドせずにイオン発生素子の高圧回路部をモールドすることができる。これにより、イオン発生装置の高圧部分を効率よくモールドで絶縁分離することができるため、各部分を近づけて配置することが可能となり、イオン発生装置の小型化および薄型化が可能となる。

[0013] 上記のイオン発生装置において好ましくは、トランスブロックおよびイオン発生素子ブロックがモールドされた構成を有して、る。

[0014] これにより、上述したようにたとえばトランスブロックにおいてはトランスの二次側全体をモールドしながらも、イオン発生素子ブロックにおいてはイオン発生部分をモールドせずにイオン発生素子の高圧回路部をモールドすることができ、イオン発生装置の高圧部分を効率よくモールドで絶縁分離することができる。このため、各部分を近づけて配置することが可能となり、イオン発生装置の小型化および薄型化が可能となる。

[0015] 上記のイオン発生装置において好ましくは、トランス駆動回路ブロックは、トランス駆動回路を配置した状態でモールド可能な構成を有している。

[0016] これにより、必要に応じてトランス駆動回路ブロックもモールドできるため、さらにィォン発生装置の小型化および薄型化が可能となる。 [0017] 上記のイオン発生装置において好ましくは、ケースは、トランス駆動回路ブロックとトランスブロックとを仕切るための壁を有し、その壁はトランス駆動回路とトランスとを電気的に接続する接続部を通すための切欠部を有している。

[0018] この壁によりトランス駆動回路ブロックとトランスブロックとを平面的に区画できるとともに、その壁に設けた切欠部によりトランス駆動回路とトランスとを電気的に接続することが可能となる。

[0019] 上記のイオン発生装置において好ましくは、ケースは、トランスの一次側と二次側とを仕切るための壁を有し、トランスは、 1次側と 2次側との中間部位にトランスの他の部分よりも径の大きな拡径部を有し、トランスの中間部位が壁の切欠部に嵌め込まれた状態で拡径部が壁に当接する。

[0020] このようにトランスの中間部位が壁の切欠部に嵌め込まれた状態で拡径部が壁に当接するため、たとえばトランスブロックにモールドする際にトランスブロックからトランス駆動回路ブロックへモールドが流入することを防ぐことができる。

[0021] 上記のイオン発生装置において好ましくは、イオン発生素子は、誘導電極と、複数の放電電極と、支持基板とを備えている。誘導電極は、複数の貫通孔を有する一体の金属板力なり、かつ複数の貫通孔の各々の周縁部分を屈曲させることで貫通孔の壁部の厚みを金属板の板厚よりも厚くしたものである。複数の放電電極のそれぞれは、誘導電極の複数の貫通孔の各々の内であって、貫通孔の厚みの範囲内に位置する針状の先端を有している。支持基板は、誘導電極と複数の放電電極とを支持している。

[0022] このように誘導電極が一体の金属板力なっているため、その厚みを薄くすることができる。また貫通孔の周縁部分を屈曲させているため、誘導電極を一体の金属板で形成しながらも、貫通孔の壁部の厚みを金属板の板厚よりも厚くすることができる。この貫通孔の厚みの範囲内に針状の先端を位置させることにより、誘導電極と放電電極との最短距離は放電電極の針状の先端と誘導電極の貫通孔の周縁部との距離となる。ここで、貫通孔の周縁部の厚みは金属板の板厚よりも厚くなつているため、放電電極の位置が周縁部の厚み方向に多少ずれても、その針状の先端は貫通孔の厚みの範囲内に留まる。このため、誘導電極と放電電極との最短距離は放電電極の針状の先端と誘導電極の貫通孔の周縁部との距離のまま維持され、位置関係のバラッキにより生じるイオン発生量のバラツキを低減することが可能となる。

[0023] 上記のイオン発生装置において好ましくは、ケースは、トランス駆動回路ブロック、トランスブロックおよびイオン発生素子ブロックとに平面的に区画された本体と、その本体を蓋するための蓋体とを有し、その蓋体は、それぞれが複数の貫通孔の各々に対応して設けられた複数のイオン放出用孔を有している。

[0024] 上記のイオン発生装置において好ましくは、ケースは、トランス駆動回路ブロック、トランスブロックおよびイオン発生素子ブロックとに平面的に区画された本体と、その本体を蓋するための蓋体とを有し、その本体の底部は、それぞれが複数の貫通孔の各々に対応して設けられた複数のイオン放出用孔を有している。

[0025] 上記のイオン発生装置において好ましくは、複数のイオン放出用孔の各々は貫通孔よりも小さな開口寸法を有して、る。

[0026] これにより通電部である誘導電極に直接手が触れることを防止でき、感電を防止することがでさる。

[0027] 本発明の他のイオン発生装置は、トランス駆動回路と、そのトランス駆動回路により駆動されて電圧を昇圧するためのトランスと、そのトランスにより昇圧された電圧を印カロされることで正イオンおよび負イオンの少なくともいずれかを生じさせるためのィォン発生素子とを備えたイオン発生装置であって、基板と、ケースとを備えている。基板は、トランス駆動回路を表面上に搭載している。ケースは、トランス駆動回路を搭載した基板、トランスおよびイオン発生素子を内部に収容している。トランスは基板の表面上に搭載されな、状態でケース内に収容されて、る。

[0028] 本発明の他のイオン発生装置によれば、トランスは基板の表面上に搭載されない状態でケース内に収容されているため、トランスブロックにおけるケースの高さにおいて基板の厚み分と、基板への接続のために必要な高さ分とを削除することができる。これにより、トランスブロックにおけるケースの高さを薄型化できるとともに、イオン発生装置の小型化を図ることができる。

[0029] 本発明の電気機器は、上記の、ずれか〖こ記載のイオン発生装置と、そのイオン発生装置で生じた正イオンおよび負イオンの少なくともいずれかを送風気流に乗せて送るための送風部とを備えている。

[0030] 本発明の電気機器によれば、イオン発生装置で生じたイオンを送風部により気流に乗せて送ることができるため、たとえば空調機器において機外にイオンを放出することができ、また冷蔵機器にお！、て庫内または庫外にイオンを放出することができる。発明の効果

[0031] 以上説明したように本発明によれば、ケース内が各素子ブロックに平面的に区画されて、るため、またトランスが基板に搭載されな、状態でケース内に収容されて、るため、イオン発生装置の小型化および薄型化が可能となる。このため、これまで大きさの制約によりイオン発生装置を搭載できなカゝつた電気機器への搭載が可能になり、イオン発生装置を搭載した電気機器への用途拡大や搭載箇所の自由度を拡大することが可能となる。

図面の簡単な説明

[0032] [図 1]本発明の一実施の形態におけるイオン発生装置の構成を概略的に示す分解斜視図である。

[図 2]図 1に示したイオン発生装置にぉ、て蓋体を除、た状態での概略平面図である。

[図 3]図 2の III III線に沿う概略断面図である。

[図 4]図 2の IV— IV線に沿う概略断面図である。

[図 5]図 2の R1部を矢印 A方向力も見た図である。

[図 6]図 1〜図 4に示すイオン発生装置に用いられるイオン発生素子の構成を概略的に示す分解斜視図である。

[図 7]図 1〜図 4に示すイオン発生装置に用いられるイオン発生素子の構成を概略的に示す平面図である。

[図 8]図 7の VIII— VIII線に沿う概略断面図である。

[図 9]図 8の R2部を拡大して示す拡大断面図である。

[図 10]図 1〜図 4に示すイオン発生装置に用いられる高圧トランスの構成を概略的に示す平面図である。

[図 11]高圧をトランスをケース内にモールドした様子を示す平面図である。 [図 12]本発明の一実施の形態におけるイオン発生装置の機能ブロック図であり、各機能素子の電気的接続を示す図である。

[図 13]高圧トランスブロックに高圧トランスの二次側のみを配置し、一次側を高圧トランス駆動回路ブロックに配置した構成を示す平面図である。

[図 14]高圧トランスの一次側と二次側との間に拡径部を設けた構成を示す平面図である。

[図 15]高圧トランスブロックと高圧トランス駆動回路ブロックとの間のケース底部に段差を設けた構成を示す図である。

[図 16]高圧トランス駆動回路を搭載する基板をくり抜いた貫通孔内に駆動回路の素子を配置した様子を示す斜視図である。

[図 17]図 16の XVII— XVII線に沿う部分断面図である。

[図 18]図 1〜図 3に示すイオン発生装置を用いた空気清浄機の構成を概略的に示す斜視図である。

[図 19]図 18に示す空気清浄機にイオン発生装置を配置した様子を示す空気清浄機の分解図である。

符号の説明

[0033] 1 誘導電極、 la 天板部、 lb 貫通孔、 lc 屈曲部、 Id 基板挿入部、 le 基板支持部、 2 放電電極、 3 支持基板、 3a, 3b 貫通孔、 4 半田、 5 高圧回路、 10 イオン発生素子、 20 高圧トランス、 21 一次卷線、 22 二次卷線、 23, 24 端子、 25 ケース、 26 モールド材、 27 リード線、 28 拡径部、 30 高圧トランス駆動回路、 30a 素子、 30b 電源入力コネクタ、 31 基板、 31a 貫通孔、 32 リード線、 40 外装ケース、 40a 本体、 40b 蓋体、 40A イオン発生素子ブロック、 40B 高圧トランスブロック、 40C 高圧トランス駆動回路ブロック、 41, 42, 43 壁、 41a、 41b 切欠部、 44 イオン放出用の孔、 50 イオン発生装置、 60 空気清浄機、 61 前面パネル、 62 本体、 63 吹き出し口、 64 空気取り入れ口、 65 ファン用ケーシング。発明を実施するための最良の形態

[0034] 以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。

図 1は、本発明の一実施の形態におけるイオン発生装置の構成を概略的に示す分解斜視図である。図 2は、図 1に示したイオン発生装置において蓋体を除いた状態での概略平面図である。また図 3および図 4は、図 2の III— III線および IV— IV線に沿う概略断面図である。

[0035] 図 1〜図 4を参照して、本実施の形態のイオン発生装置 50は、高圧回路 5 (図 3)と、イオン発生素子 10と、高圧トランス 20と、高圧トランス駆動回路 30 (図 3)と、電源入力コネクタ 30b (図 3)と、外装ケース 40とを有している。

[0036] 高圧トランス駆動回路 30は、外部からの入力電圧を受けて高圧トランス 20を駆動するためのものである。高圧トランス 20は、高圧トランス駆動回路 30により駆動されて入力電圧を昇圧するためのものである。イオン発生素子 10は、高圧トランス 20により昇圧された電圧を印加されることで正イオンおよび負イオンの少なくともヽずれかを生じさせるものである。

[0037] 外装ケース 40は、本体 40aと、蓋体 40bとを有している。本体 40aの内部は、イオン発生素子 10を配置するためのイオン発生素子ブロック 40Aと、高圧トランス 20を配置するための高圧トランスブロック 40Bと、高圧トランス駆動回路 30を配置するための高圧トランス駆動回路ブロック 40Cとに平面的に区画されている。各ブロック 40A、 4 0B、 40Cは、たとえば、本体 40a内に酉己置された壁 41、 42、 43により仕切られて!/、る

[0038] イオン発生素子 10は、高圧回路 5の構成素子を取付けられた状態でイオン発生素子ブロック 40A内に収容されている。高圧トランス 20は、基板に搭載されない状態で高圧トランスブロック 40B内に収容されている。高圧トランス駆動回路 30および電源入力コネクタ 30bは基板 31に搭載された状態で高圧トランス駆動回路ブロック 40C 内に収容されている。電源入力コネクタ 30bの一部は、外装ケース 40の外部に露出しており、外部力も電源をコネクタ接続できる構造となっている。

[0039] 本体 40a内に収容された各機能素子は後述するように適宜、電気的に接続され、かつモールドされており、最後に、本体 40aの上方開口部を閉じるように蓋体 40bが取付けられている。なお、この蓋体 40bには、イオン放出用の孔 44が設けられている

[0040] 次に、上記の各機能素子につ!、て、イオン発生素子 10、高圧トランス 20および高圧トランス駆動回路 30の順で具体的に説明する。

[0041] 図 6および図 7は、図 1〜図 4に示すイオン発生装置に用いられるイオン発生素子の構成を概略的に示す分解斜視図および平面図である。図 8は図 7の VIII— VIII線に沿う概略断面図である。また図 9は、図 8の R2部を拡大して示す拡大断面図である

[0042] 図 6〜図 8を参照して、イオン発生素子 10は、たとえばコロナ放電により正イオンおよび負イオンの少なくともいずれかを生じさせるためのものであり、誘導電極 1と、放電電極 2と、支持基板 3とを有している。

[0043] 誘導電極 1は、一体の金属板からなっており、かつ放電電極 2の個数に対応して天板部 laに設けられた複数の貫通孔 lbを有している。この貫通孔 lbは、コロナ放電により発生するイオンをイオン発生素子 10の外部へ放出するための開口部である。

[0044] 本実施の形態では貫通孔 lbの個数はたとえば 2個であり、貫通孔 lbの平面形状はたとえば円形である。貫通孔 lbの周縁部分は、たとえば絞り加工などの工法により、金属板を天板部 laに対して屈曲させた屈曲部 lcとなっている。この屈曲部 lcにより、図 8、図 9に示すように、貫通孔 lbの周縁の壁部の厚み T1が天板部 laの板厚 T2 よりも厚くなつている。

[0045] また誘導電極 1は、たとえば両端部に、金属板の一部を天板部 laに対して屈曲させた基板挿入部 Idを有している。この基板挿入部 Idは、幅の広い支持部分 Idと、

1 幅の狭い挿入部分 Idとを有している。支持部分 Idの一方端は天板部 laに繋がつ

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ており、他方端は挿入部分 Idに繋がっている。

2

[0046] また誘導電極 1は、金属板の一部を天板部 laに対して屈曲させた基板支持部を有してもよい。この基板支持部 leは、基板挿入部 Idの屈曲方向と同じ方向（図 6において下側）に屈曲している。基板支持部 leの折り曲げ方向の長さは、基板挿入部 Idの支持部分 Idの折り曲げ方向の長さと略同一である。

1

[0047] なお屈曲部 lcは基板挿入部 Idおよび基板支持部 leと同じ方向（図 6において下側）に折り曲げられていてもよぐまた基板挿入部 Idおよび基板支持部 leと逆の方向 (図 6において上側）に折り曲げられていてもよい。また屈曲部 lc、基板挿入部 Idおよび基板支持部 leは、天板部 laに対してたとえば略直角に屈曲している。 [0048] 放電電極 2は針状の先端を有して、る。支持基板 3は、放電電極 2を挿通させるための貫通孔 3aと、基板挿入部 Idの挿入部分 ld2を挿通させるための貫通孔 3bとを有している。

[0049] 針状の放電電極 2は、貫通孔 3aに挿入または圧入されて支持基板 3を貫通した状態で支持基板 3に支持されている。これにより、放電電極 2の針状の一方端は支持基板 3の表面側に突き出しており、また支持基板 3の裏面側に突き出した他方端には、図 8、図 9に示すように、半田 4によりリード線や配線パターンを電気的に接続することが可能である。

[0050] 誘導電極 1の挿入部分 Idは貫通孔 3bに挿入されて支持基板 3を貫通した状態で

2

支持基板 3に支持されている。また支持基板 3の裏面側に突き出した挿入部分 Idの

2 先端には、図 8に示すように、半田 4によりリード線や配線パターンを電気的に接続することが可能である。

[0051] 誘導電極 1が支持基板 3に支持された状態で、支持部分 Idと挿入部分 Idとの境

1 2 界にある段部が支持基板 3の表面に当接する。これにより誘導電極 1の天板部 laは支持基板 3に対して所定の距離を保って支持されている。また誘導電極 1の基板支持部 leの先端が支持基板 3の表面に補助的に当接している。つまり、基板挿入部 Id と基板支持部 leとにより、誘導電極 1は支持基板 3に対してその厚み方向に位置決めすることが可能である。

[0052] また誘導電極 1が支持基板 3に支持された状態で、放電電極 2は、その針状の先端 1S 図 7に示すように円形の貫通孔 lbの中心 Cに位置するように、かつ図 9に示すように貫通孔 lbの周縁部の厚み（つまり屈曲部 lcの屈曲長さ) T1の範囲内に位置するように配置されている。また支持基板 3の裏面（半田面）には、図 8に示すように高圧回路 5の構成素子が取付けられて、る。

[0053] 寸法上の一例として、貫通孔 lbの周縁部の厚み（つまり屈曲部 lcの屈曲長さ） T1 は lmm以上 2mm以下程度であり、板状の誘導電極 1の板厚 T2は 0. 5mm以上 lm m以下程度である。また支持基板 3上面から誘導電極 1の表面までの厚みは 2mm以上 4mm以下程度である。これにより、このイオン発生素子 10を内部に収容したィォン発生装置 50の厚みを 5mm以上 8mm以下程度に薄型化することができる。 [0054] 図 10は、図 1〜図 4に示すイオン発生装置に用いられる高圧トランスの構成を概略的に示す平面図である。図 10を参照して、高圧トランス 20は、たとえば卷線トランスよりなっている。この卷線トランス 20は、互いに絶縁された一次卷線 21と二次卷線 22とを鉄心の周囲のボビンに巻き付けた構成を有しており、一次卷線 21と二次卷線 22とは並んで配置されている。

[0055] 卷線トランス 20の二次側で発生する電圧は、一般的に一次卷線 21と二次卷線 22 との卷数比およびインダクタンスで決まり、高電圧を発生させるには二次卷線 22に通常、数千ターンの卷数を必要とする。この数千ターンの卷数の卷線をボビンの狭い領域に巻き付けると卷線トランス 20の厚みが大きくなる。このため、数千ターンの卷数を一度にボビンに卷くのではなぐ 1本の卷線を可能な限り多数の層に分割して 1層当たりの卷数を少なくして卷くボビン構造とし、全体としての薄型化を実現することが好ましい。また極端に分割数を増やすと卷線トランス 20の長さが増し、小型化には不利になるので、適度な数に分割するのがよい。

[0056] なお、一次卷線 21の両端子 23、 23は卷線トランス 20の長手方向（一次卷線 21と二次卷線 22とが隣り合う方向）の端部に配置されており、二次卷線 22の両端子 24、 24は卷線トランス 20の側部に配置されている。

[0057] 高圧トランス 20は図 10に示す単独の状態で本体 40aの高圧トランスブロック 40B内に配置されてもょ、が、図 11に示すように高圧トランス 20をケース 25に入れた状態で高圧トランスブロック 40B内に配置されてもよい。この状態では、高圧トランス 20をケース 25に入れた状態でモールドが施され、ケース 25と高圧トランス 20との隙間にはモールド材 26が充填されている。これにより、高圧トランス 20単体で絶縁性能が確保されている。また高圧トランス 20の端子 23、 24のそれぞれにはリード線 27が接続されてケース 25の外部に引き出されている。

[0058] 図 3を参照して、高圧トランス駆動回路 30は、電源入力コネクタ 30bからの電源供給を受けて、これをコンデンサに充電し、規定以上の電圧に達すれば半導体スイツチなどを用いてコンデンサに充電した電荷を放電させ、高圧トランス 20の一次側に電流を供給する機能を有している。高圧トランス駆動回路 30を構成する素子 30aは、基板 31の裏面に取付けられている。また基板 31の裏面には、電源入力コネクタ 30b の一部または全部が取付けられている。この高圧トランス駆動回路 30および電源入力コネクタ 30bを搭載した基板 31が高圧トランス駆動回路ブロック 40C内に配置された状態で、電源入力コネクタ 30bは外装ケース 40の外部に電気的に接続できるように構成されている。

[0059] この実施の形態では、高圧トランス駆動回路ブロック 40Cの基板 31の半田面が図 3 の上側で部品面 (部品取付面）が図 3の下側であり、電源入力コネクタ 30bは図 3の下側において露出している。

[0060] 図 3および図 4を参照して、外装ケース 40の蓋体 40bは、イオン発生素子 10の貫通孔 lbに対向する壁部にイオン放出用の孔 44を有している。これにより、イオン発生素子 10で生じたイオン力この孔 44を通じてイオン発生装置 50の外部へ放出される。上記のようにイオン発生素子 10の一方の放電電極 2は正イオンを発生させるものであり、他方の放電電極 2は負イオンを発生させるものであるため、外装ケース 40に設けられた一方の孔 44は正イオン発生部となり、他方の孔 44は負イオン発生部となる

[0061] イオン放出用の孔 44は、感電防止のために、通電部である誘導電極 1に直接手が触れな、ように誘導電極 1の貫通孔 lbの孔径よりも小さヽ径に設定されて、る。さらに放電電極 2の先端位置も、（外装ケース 40の蓋体 40bの厚み） + (誘導電極 1の天板部 laの厚み） + (誘導電極 1の屈曲長さ）でトータル 1. 5mm〜3. Omm程度、外装ケース 40の表面から奥まった構造とされて、る。このように誘導電極 1および放電電極 2の先端に手が触れないように、イオン放出用の孔 44の径は小さく設定される必要があるが、逆に小さすぎるとイオン放出量が減少するため、たとえば 6mmの寸法とされている。

[0062] このイオン発生装置 50は、上述したように 5mm以上 8mm以下の厚みを有している力もちろんそれ以上の厚みであってもよい。

[0063] 次に、各機能素子の電気的接続の状態について説明する。

図 12は、本発明の一実施の形態におけるイオン発生装置の機能ブロック図であり、各機能素子の電気的接続を示す図である。図 12を参照して、イオン発生装置 50は、上述したように、外装ケース 40と、イオン発生素子ブロック 40Aに配置されたイオン発生素子 10および高圧回路 5と、高圧トランスブロック 40Bに配置された高圧トランス 20と、高圧トランス駆動回路ブロック 40Cに配置された高圧トランス駆動回路 30と、電源入力コネクタ 30bとを有している。なお、電源入力コネクタ 30bは一部が高圧トランス駆動回路ブロック 40C内に配置されており、また他の一部が外装ケース 40の外部に露出しており、外部力も電源をコネクタ接続できる構造となっている。

[0064] この電源入力コネクタ 30bは、入力電源としての直流電源や商用交流電源の供給を受ける部分である。電源入力コネクタ 30bは高圧トランス駆動回路 30に電気的に接続されている。この高圧トランス駆動回路 30は高圧トランス 20の一次側に電気的に接続されている。この高圧トランス 20は、一次側に入力された電圧を昇圧して二次側に出力するためのものである。高圧トランス 20の二次側の一方はイオン発生素子 1 0の誘導電極 1に電気的に接続されており、二次側の他方は高圧回路 5を通じて放電電極 2に電気的に接続されている。

[0065] 高圧回路 5は、正イオンを発生させる放電電極 2には誘導電極 1に対し正極性の高電圧を印加し、また負イオンを発生させる放電電極 2には誘導電極 1に対し負極性の高電圧を印加するよう構成されている。これにより、正と負の 2極性のイオンを発生させることができる。もちろん、高圧回路 5の構成により正イオンのみ、または負イオンのみを発生させることも可能である。

[0066] 具体的な接続の構成としては、たとえば図 2に示すように高圧トランス 20は一次側の端子 23と二次側の端子 24とを有しており、端子 23は高圧トランス駆動回路 30を搭載する基板 31の表面（半田面）に半田接続により直接接続されており、端子 24は高圧回路 5を搭載する支持基板 3の裏面 (半田面）に半田接続により直接接続されている。また端子 23、 24によらずにリード線により上記の接続がおこなわれてもよい。

[0067] また電源入力コネクタ 30bと高圧トランス駆動回路 30とは、図 3に示すように基板 31 上に搭載された状態で、図示しないリード線や配線パターンにより電気的に接続されている。また高圧トランス 20とイオン発生素子 10および高圧回路 5とは、図 3に示すように支持基板 3上に搭載された状態で、図示しないリード線や配線パターンにより電気的に接続されている。

[0068] 次に、モールドについて説明する。上記のように各機能素子が外装ケース内に収容されて電気的に接続された状態で適宜モールドが施されている。ここで、イオン発生素子ブロック 40Aや高圧トランスブロック 40Bは高電圧部であるため、イオン発生素子ブロック 40A内のイオン発生部分 (支持基板 3の表面側)を除き、支持基板 3の裏面側（半田面側)および高圧トランスブロック 40Bを榭脂モールド (たとえばエポキシ榭脂）により絶縁を強化することが望ましい。図 11に示すように高圧トランス 20をケース 25内に入れる場合には、ケース 2 5内をモールドすることで独立してモールドすることが好まし、。また図 1に示すように高圧トランス 20を単独で高圧トランスブロック 40B内に収容する場合には、イオン発生素子ブロック 40Aの支持基板 3の裏面側とともに高圧トランス 20をモールドすることが好ましい。

[0069] 後者の場合、外装ケース 40には高圧トランスブロック 40B力ものモールドが高圧トランス駆動回路ブロック 40Cに流れ込まな、ように壁 41が設けられて、るが、一方で高圧トランス 20の入力端子 23を高圧トランス駆動回路 30に接続するための接続部（リード線など）を通すことも必要になる。そのため図 5に示すように壁 41の一部に、接続部を通すための切欠部 41aを設けることが好ましい。

[0070] 高圧トランス駆動回路ブロック 40Cも、イオン発生装置 50の使用環境によりモールドされてもよい。基本的にこのブロック 40Cは印加電圧が家庭用の電源電圧であるため、他のブロックと比較して低電圧であり、高湿や多塵などの特殊環境でない限りは外装ケース 40に覆われているのでモールドまでは必要とされない場合もあり、モールドを選択できる構造 (モールド可能な構成)とすることができる。

[0071] ここでモールドを選択できる構造 (モールド可能な構成）とは、高圧トランス駆動回路 30および電源入力コネクタ 30bを搭載した基板 31が高圧トランス駆動回路ブロック 40C内に配置された状態で、モールド材を基板 31の表面側（蓋側）から裏面側 (本体 40aの底部側）に回り込ませることが可能で、かつ外装ケース 40の本体 40aの底部からモールド材が漏れな、ように構成されて、ることを意味する。

[0072] つまり、モールドは各機能素子を外装ケース 40内に配置した後に行われるため、基板 31の表面側カゝらモールド材を注入しても、部品搭載面である裏面側にまでモールド材が回り込むように外装ケース 40および基板 31が構成されていなければならない。また、モールド材は注入の際には液体であるため、外装ケース 40の底部が密閉されていないと外装ケース 40の外部に漏れ出してしまうため、モールド材が漏れ出さな、ように外装ケース 40の底部を密閉構造とする必要がある。

[0073] なお上記においては、図 2に示すように高圧トランス 20の全体が高圧トランスブロック 40B内に配置された構成について説明した力図 13に示すように高圧トランス 20 の少なくとも二次側（二次卷線 22および端子 24)が高圧トランスブロック 40B内に配置されていればよぐ高圧トランス 20の一次側（一次卷線 21および端子 23)は高圧トランス駆動回路ブロック 40C内に配置されていてもよい。この場合、高圧トランスプロック 40Bと高圧トランス駆動回路ブロック 40Cとを仕切る壁 41には、高圧トランス 20を嵌め込むための切欠部 41bを設ける必要がある。

[0074] また、この構成において高圧トランス駆動回路ブロック 40C内をモールドしない場合には、高圧トランス 20は、図 14に示すように一次側（一次卷線 21および端子 23)と二次側（二次卷線 22および端子 24)との中間部位に、高圧トランス 20の他の部分よりも径の大きな拡径部 28を有していることが好ましい。これにより、図 13に示すように壁 41の切欠部 41bに高圧トランス 20を嵌め込んだ状態において、高圧トランス 20の拡径部 28の一方端面が壁 41に当接することになる。これにより、高圧トランスブロック 40B内のモールドが高圧トランス駆動回路ブロック 40C内に流入することを防止することができる。

[0075] また上記においては、イオン放出用の孔 44を外装ケース 40の蓋体 40bに設けた場合について説明した力この孔 44は図 13に示すように外装ケース 40の本体 40aの底面に設けられてもよい。つまり、蓋体 40bはイオン放出用の孔 44を設ける側とされてもよぐまたイオン放出用の孔 44を設けない側とされてもよい。

[0076] また図 15に示すように高圧トランスブロック 40Bと高圧トランス駆動回路ブロック 40 Cとの間の外装ケース 40底部に段差 Sを設けることにより、高圧トランス 20を外装ケース 40内に配置した状態で、高圧トランス 20の端子 23の高さ位置力高圧トランス駆動回路 30を搭載した基板 31の上面に接する高さ位置とされてもよい。これにより、高圧トランス 20の端子 23を、基板 31に半田付けなどにより直接接続することができる [0077] なお図 15においては、説明の便宜上、高圧トランスブロック 40Bと高圧トランス駆動回路ブロック 40Cとの間を仕切る壁の図示が省略されて、る。

[0078] また図 16に示すように、高圧トランス駆動回路を構成する素子 30aを基板 31に搭載する場合、基板 31の一部をくり抜いた貫通孔 31a内に素子 30aが配置されてもよい。この場合、図 17に示すように素子 30aはリード線 32などにより他の素子と電気的に接続されている。このリード線 32は図 17においては基板 31の下側に配置されているが、基板 31の上側に配置されてもよい。このように基板 31の貫通孔 31a内に素子 30aを配置することにより、素子 30aを基板 31上に搭載する場合よりも薄型化が可能となる。

[0079] 上記のイオン発生装置にお!、て正イオンまたは負イオンの!/、ずれか一方の極性のイオンを発生させる場合、イオンを発生させる放電電極 2の針状の先端位置を誘導電極 1の貫通孔 lbの中心に合わせ、かつ誘導電極 1の貫通孔 lbの厚み T1の範囲内に配置することにより、誘導電極 1と放電電極 2の針状の先端とが空気空間を挟んで対向するようにする。

[0080] また正イオンと負イオンの両極性のイオンを放出させるためには、正イオンを発生させる放電電極 2の針状の先端位置と負イオンを発生させる放電電極 2の針状の先端位置との各々を、互いに所定の距離を確保して配置し、かつ誘導電極 1の貫通孔 lb の中心に合わせ、かつ誘導電極 1の貫通孔 lbの厚み T1の範囲内に配置することにより、誘導電極 1と放電電極 2の針状の先端とが空気空間を挟んで対向するようにする。

[0081] 上記のイオン発生素子 10において、板状の誘導電極 1と針状の放電電極 2とを上記のように所定の距離を確保して配置し、誘導電極 1と放電電極 2との間に高電圧を印加すると、針状の放電電極 2の先端でコロナ放電が生じる。このコロナ放電により正イオンおよび負イオンの少なくとも、ずれかのイオンが発生し、このイオンが誘導電極 1に設けられた貫通孔 lbからイオン発生素子 10の外部に放出される。さらに送風をカロえることで、より効果的にイオンを放出することが可能となる。

[0082] 正イオンと負イオンとの双方を生じさせる場合、一方の放電電極 2の先端では正コロナ放電を発生させて正イオンを発生させ、他方の放電電極 2の先端では負コロナ放電を発生させて負イオンを発生させる。印加する波形はここでは特に問わず、直流、正負にバイアスされた交流波形や正負にバイアスされたパルス波形などの高電圧とする。電圧値は放電を発生させるに十分かつ、所定のイオン種は生成させる電圧領域を選定する。

[0083] ここで、正イオンは、水素イオン (H+)の周囲に複数の水分子が付随したクラスターイオンであり、 H+(H O) (mは任意の自然数）として表される。また負イオンは、酸素

2 m

イオン (O―)の周囲に複数の水分子が付随したクラスターイオンであり、 0 "(H O) (

2 2 2 η ηは任意の自然数）として表される。

[0084] 本実施の形態のイオン発生装置 50によれば、図 1および図 2に示すように外装ケース 40の内部が高圧トランス駆動回路ブロック 40Cと高圧トランスブロック 40Βとィォン発生素子ブロック 40Αとに平面的に区画されて、るため、各ブロックごとに別個にモールドすることができる。たとえば高圧トランスブロック 40Βにおいてはトランスの二次側全体をモールドしながらも、イオン発生素子ブロック 40Αにお、てはイオン発生部分をモールドせずにイオン発生素子の高圧回路 5をモールドすることができる。これにより、イオン発生装置 50の高圧部分を効率よくモールドで絶縁分離することができるため、各部分を近づけて配置することが可能となり、イオン発生装置の小型化および薄型化が可能となる。

[0085] また図 1および図 2に示すように、高圧トランス 20が基板 31の表面上に搭載されない状態で外装ケース 40の高圧トランスブロック 40Β内に収容されているため、高圧トランスブロック 40Βにおける外装ケース 40の高さにおいて基板 31の厚み分（たとえば 1. Omm〜l. 6mm)と、基板 31への接続のために必要な高さ分 (たとえば最低 2m m)とを削除することができる。これにより、高圧トランスブロック 40Bにおける外装ケース 40の高さにお、て薄型化できるとともに、イオン発生装置 50の小型化を図ることができる。

[0086] また高圧トランス駆動回路ブロック 40Cは、高圧トランス駆動回路 30を配置した状態でモールド可能な構成を有しているため、必要に応じて高圧トランス駆動回路プロック 40Cもモールドできるため、さらにイオン発生装置 50の小型化および薄型化が可能となる。 [0087] また図 1および図 2に示すように外装ケース 40は、高圧トランス駆動回路ブロック 40 Cと高圧トランスブロック 40Bとを仕切るための壁 41を有し、その壁 41は高圧トランス駆動回路 30と高圧トランス 20とを電気的に接続する接続部 (端子 23またはリード線）を通すための切欠部 41 aを有してヽる。この壁 41〖こより高圧トランス駆動回路ブロック 40Cと高圧トランスブロック 40Bとを平面的に区画できるとともに、その壁 41に設けた切欠部 41aにより高圧トランス駆動回路 30と高圧トランス 20とを電気的に接続することが可能となる。

[0088] また図 6〜図 9に示すようにイオン発生素子 10では、誘導電極 1がー体の金属板からなっているため、その厚みを薄くすることができる。これにより、薄型化を実現することができる。また貫通孔 lbの周縁部分を屈曲部 lcのように屈曲させているため、誘導電極 1を一体の金属板で形成しながらも、貫通孔 lbの壁部の厚み T1を天板部 laの板厚 T2よりも厚くすることができる。この貫通孔 lbの厚み T1の範囲内に針状の先端を位置させることにより、誘導電極 1と放電電極 2との最短距離は放電電極 2の針状の先端と誘導電極 1の貫通孔 lbの周縁部分との距離となる。ここで、貫通孔 lbの周縁部分の厚み T1は金属板の板厚 T2よりも厚くなつているため、放電電極 2の位置が周縁部分の厚み方向に多少ずれても、その針状の先端は貫通孔 lbの厚み T1の範囲内に留まる。このため、誘導電極 1と放電電極 2との最短距離は放電電極 2の針状の先端と誘導電極 1の貫通孔 lbの周縁部分との距離のまま維持され、位置関係のバラツキにより生じるイオン発生量のバラツキを低減することが可能となる。

[0089] また支持基板 3により、誘導電極 1と放電電極 2との双方が互いに位置決めされて支持されるため、誘導電極 1と放電電極 2との位置関係のバラツキを抑えることができる。

[0090] また放電電極 2および挿入部分 Idの各々が支持基板 3を貫通して支持基板 3に支

2

持されて!ヽる。このようにして誘導電極 1と放電電極 2とが支持基板 3に支持されるとともに、支持基板 3の裏面側から突き出た放電電極 2の端部および誘導電極 1の挿入部分 Idの各々に電気回路などを電気的に接続することが可能となる。

2

[0091] また基板支持部 leの端部を支持基板 3の表面に当接させることにより、誘導電極 1 を支持基板 3に対して位置決めできるため、誘導電極 1と放電電極 2との位置関係のノツキをさらに抑えることができる。また基板支持部 leの端部を支持基板 3を貫通させずに表面に当接させるだけとしたことにより、放電電極 2との絶縁距離を確保することが容易となる。

[0092] また図 3および図 4に示す複数のイオン放出用の孔 44の各々は貫通孔 lbよりも小さな開口寸法を有しているため、通電部である誘導電極 1に直接手が触れることを防止でき、感電を防止することができる。

[0093] また正イオンおよび負イオンの両極性のイオンを放出すれば、空気中の正イオンである H+ (H O) (mは任意の自然数）と、負イオンである O― (H O) (nは任意の自然

2 m 2 2 η 数）とを略同等量発生させることにより、両イオンが空気中を浮遊する力ビ菌ゃウィルスの周りを取り囲み、その際に生成される活性種の水酸ィ匕ラジカル（·ΟΗ)の作用により、浮遊カビ菌などを除去することが可能となる。

[0094] 次に、上記のイオン発生装置を用いた電気機器の一例として空気清浄機の構成について説明する。

[0095] 図 18は、図 1〜図 3に示すイオン発生装置を用いた空気清浄機の構成を概略的に示す斜視図である。また図 19は、図 18に示す空気清浄機にイオン発生装置を配置した様子を示す空気清浄機の分解図である。

[0096] 図 18および図 19を参照して、空気清浄機 60は前面パネル 61と本体 62とを有している。本体 62の後方上部には吹き出し口 63が設けられており、この吹き出し口 63からイオンを含む清浄な空気が室内に供給される。本体 62の中心には空気取り入れ口 64が形成されて、る。空気清浄機 60の前面の空気取り入れ口 64から取り込まれた空気が、図示しないフィルターを通過することで清浄ィ匕される。清浄化された空気は、ファン用ケーシング 65を通じて、吹き出し口 63から外部へ供給される。

[0097] 清浄ィ匕された空気の通過経路を形成するファン用ケーシング 65の一部に、図 1〜図 3に示すイオン発生装置 50が取り付けられている。イオン発生装置 50は、そのィオン発生部となる孔 44からイオンを上記の空気流に放出できるように配置されて、る。イオン発生装置 50の配置の例として、空気の通過経路内であって、吹き出し口 63 に比較的近い位置 Pl、比較的遠い位置 Ρ2などの位置が考えられる。このようにィォン発生装置 50のイオン発生部 44に送風を通過させることにより、吹き出し口 63から清浄な空気とともに外部にイオンを供給するイオン発生機能を空気清浄機 60に持たせることが可能になる。

[0098] 本実施の形態の空気清浄機 60によれば、イオン発生装置 50で生じたイオンを送風部（空気の通過経路）により気流に乗せて送ることができるため、機外にイオンを放出することができる。

[0099] なお本実施の形態にお!、ては電気機器の一例として空気清浄機につ、て説明したが、本発明はこれに限定されるものではなぐ電気機器は、これ以外に空気調和機 (エアコンディショナー）、冷蔵機器、掃除機、加湿器、除湿機、電気ファンヒータなどであってもよぐイオンを気流に乗せて送るための送風部を有する電気機器であればよい。

[0100] また上記においてイオン発生装置 10に入力される電源 (入力電源）は商用交流電源および直流電源のいずれであってもよい。入力電源が商用交流電源である場合、一次側回路である高圧トランス駆動回路 30を構成する部品間やプリント基板のバターン間には法的距離をとる必要がある。また部品は電源電圧に対し耐圧確保できる部品が必要となり、大型化を招くが回路構成は簡素化でき、部品点数は少なくできる。一方、入力電源が直流電源である場合、一次側回路となる高圧トランス駆動回路 3 0を構成する部品間やプリント基板のパターン間の距離は上記商用交流電源の場合と比べると大きく緩和され、近距離で配置でき、かつ部品自体もチップ部品などの小型品が採用でき、高密度配置が可能となるものの、高電圧駆動回路実現のための回路が複雑になり、部品点数が上記商用交流電源の場合と比べて多くなる。

[0101] また高圧トランス 20は卷線トランスおよび圧電トランスの、ずれであってもよ、。卷線トランスは一般的に一次卷線と二次卷線との卷数比およびインダクタンスで決まり、高電圧を発生させるには通常数千ターンの卷数を必要とするため相応の大きさが必要になる。一方、圧電トランスは実用化されているものには小型で薄型のものはある 1S 原理的に一定の長さが必要となる。また、出力の負荷量に制限があることと、駆動回路が複雑であることとが難点である。

[0102] 今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

産業上の利用可能性

本発明は、コロナ放電により正イオンおよび負イオンの少なくともいずれかを生じさせるためのイオン発生素子、イオン発生装置および電気機器に特に有利に適用され得る。

Claims

請求の範囲

[1] トランス駆動回路（30)と、前記トランス駆動回路により駆動されて電圧を昇圧するためのトランス (20)と、前記トランスにより昇圧された電圧を印加されることで正イオンおよび負イオンの少なくともいずれかを生じさせるためのイオン発生素子（10)とを備えたイオン発生装置（50)であって、

少なくとも前記トランス駆動回路を配置するためのトランス駆動回路ブロック (40C) と、前記トランスの少なくとも二次側を配置するためのトランスブロック (40B)と、前記イオン発生素子を配置するためのイオン発生素子ブロック (40A)とに平面的に区画されたケース (40)を備えた、イオン発生装置。

[2] 前記トランスブロック (40B)および前記イオン発生素子ブロック (40A)がモールドされた構成を有することを特徴とする、請求の範囲第 1項に記載のイオン発生装置。

[3] 前記トランス駆動回路ブロック (40C)は、前記トランス駆動回路（30)を配置した状態でモールド可能な構成を有して、ることを特徴とする、請求の範囲第 1項に記載のイオン発生装置。

[4] 前記ケース (40)は、前記トランス駆動回路ブロック (40C)と前記トランスブロック (4 0B)とを仕切るための壁 (41)を有し、前記壁は前記トランス駆動回路（30)と前記トランス (20)とを電気的に接続する接続部を通すための切欠部 (41a)を有することを特徴とする、請求の範囲第 1項に記載のイオン発生装置。

[5] 前記ケース (40)は、前記トランス (20)の一次側と二次側とを仕切るための壁 (41) を有し、

前記トランスは、 1次側と 2次側との中間部位に前記トランスの他の部分よりも径の大きな拡径部 (25)を有し、

前記トランスの前記中間部位が前記壁の切欠部 (41b)に嵌め込まれた状態で前記拡径部が前記壁に当接することを特徴とする、請求の範囲第 1項に記載のイオン発生装置。

[6] 前記イオン発生素子（10)は、

複数の貫通孔（lb)を有する一体の金属板力なり、かつ前記複数の貫通孔の各々の周縁部分を屈曲させることで前記貫通孔の壁部の厚みを前記金属板の板厚よりも厚くした誘導電極（1)と、

それぞれが、前記誘導電極の前記複数の貫通孔の各々の内であって、前記貫通孔の厚みの範囲内に位置する針状の先端を有する複数の放電電極 (2)と、前記誘導電極と前記複数の放電電極とを支持する支持基板 (3)とを備えたことを特徴とする、請求の範囲第 1項に記載のイオン発生装置。

[7] 前記ケース (40)は、前記トランス駆動回路ブロック (40C)、前記トランスブロック (4

OB)および前記イオン発生素子ブロック (40A)とに平面的に区画された本体 (40a) と、その本体を蓋するための蓋体 (40b)とを有し、

前記蓋体は、それぞれが前記複数の貫通孔の各々に対応して設けられた複数のィオン放出用孔 (44)を有していることを特徴とする、請求の範囲第 6項に記載のイオン発生装置。

[8] 前記ケース (40)は、前記トランス駆動回路ブロック (40C)、前記トランスブロック (4 0B)および前記イオン発生素子ブロック (40A)とに平面的に区画された本体 (40a) と、その本体を蓋するための蓋体 (40b)とを有し、

前記本体の底部は、それぞれが前記複数の貫通孔の各々に対応して設けられた複数のイオン放出用孔を有していることを特徴とする、請求の範囲第 6項に記載のィオン発生装置。

[9] 前記複数のイオン放出用孔 (44)の各々は前記貫通孔（lb)よりも小さな開口寸法を有していることを特徴とする、請求の範囲第 7項に記載のイオン発生装置。

[10] トランス駆動回路（30)と、前記トランス駆動回路により駆動されて電圧を昇圧するためのトランス (20)と、前記トランスにより昇圧された電圧を印加されることで正イオンおよび負イオンの少なくともいずれかを生じさせるためのイオン発生素子（10)とを備えたイオン発生装置（50)であって、

前記トランス駆動回路を表面上に搭載した基板 (31)と、

前記トランス駆動回路を搭載した前記基板、前記トランスおよび前記イオン発生素子を内部に収容するケース (40)とを備え、

前記トランスは前記基板の表面上に搭載されない状態で前記ケース内に収容されている、イオン発生装置。請求の範囲第 1項に記載の前記イオン発生装置（50)と、

前記イオン発生装置で生じた正イオンおよび負イオンの少なくとも!/ヽずれかを送風気流に乗せて送るための送風部とを備えた、電気機器。